JP2010505044A - フレキシブル基板のマスキングおよびフレキシブル基板上にバッテリ層を堆積させるための材料拘束 - Google Patents
フレキシブル基板のマスキングおよびフレキシブル基板上にバッテリ層を堆積させるための材料拘束 Download PDFInfo
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Abstract
本発明はマスキング技術および装置に関し、特に、1つ以上の材料層でコーティングされるフレキシブル基板をマスキングする方法および装置に関する。方法は、基板を曲げ、湾曲した表面を提供することと、湾曲した表面の上にフレキシブルシートを提供し、基板の表面上にコーティングを正しく塗布することとを伴う。装置は、基板およびフレキシブルシートを含む。ばねピンなどの弾性材料、または軸外しロールダウンバーは、基板およびまたはフレキシブルシートを曲げるために用いられる張力を作るために用いられ得る。
Description
(関連出願)
本出願は、2006年9月29日に出願された、名称が「Masking of and Material Constraint for Depositing Battery Layers on Flexible Substrates」である米国仮特許出願第60/827,865号に関し、米国特許法第119条に従ってその利益を主張し、該仮特許出願は、その全体が本明細書において参考として援用される。
本出願は、2006年9月29日に出願された、名称が「Masking of and Material Constraint for Depositing Battery Layers on Flexible Substrates」である米国仮特許出願第60/827,865号に関し、米国特許法第119条に従ってその利益を主張し、該仮特許出願は、その全体が本明細書において参考として援用される。
(発明の分野)
本発明はマスキング技術および装置に関し、特に、1つ以上の材料層でコーティングされるフレキシブル基板をマスキングする方法および装置に関する。
本発明はマスキング技術および装置に関し、特に、1つ以上の材料層でコーティングされるフレキシブル基板をマスキングする方法および装置に関する。
(発明の背景)
固体薄膜バッテリおよび他の薄膜デバイスは、しばしばバッテリ構造の様々な層を画定するためにシャドウマスキングを必要とする。典型的なプレーナーデバイス構造は、剛性の基板とマスク材料と、基板とマスクを一緒に重ね合わせるためのハードエッジアラインメント(hard edge alignment)手順とに依存する。フレキシブル固体薄膜バッテリ技術の出現、および、その結果として、典型的にはともに薄片またはストリップの形態である、より薄い基板およびマスク材料の使用は、これらのフレキシブル材料を拘束するという課題をもたらす。さらに、物理蒸着法または化学蒸着法などの典型的な薄膜堆積技術の適用中に関連する薄膜コーティング領域を正確に画定するという課題が生ずる。図1に示されるような旧来の(legacy)アプローチは、金属板115のポケットの中にバッテリ基板110を設置し、厚い剛性のマスク骨組105を取り付け、次いで締付け機構120によってこのアセンブリを拘束することである。旧来のアプローチは多くの問題がある。例えば、厚い剛性のマスクは、使用と共にそる傾向があり、加えられる締付け圧力にもかかわらず平らな状態ではなくなる。典型的な真空蒸着コーティングは、マスクエッジの下に流れ出て、このため不完全に画定された薄膜層エッジを作り出す。薄いフレキシブル基板を旧来の機器に結合する試みは難点がある。なぜなら薄いフレキシブル基板およびマスクは、プレーナー表面において平らでかつ円滑な状態であることはめったになく、したがって画定されたポケットのエッジに対して円滑に整列しない。この設置誤差は、結果的に、基板の表面上において不完全に位置合せされたコーティングとなる。不完全に位置合せされたバッテリ層または不完全にエッジ画定されたバッテリ層は、これらの多層バッテリ構造において誤ったバッテリ層の相互作用を生成する傾向があり、その結果、バッテリの損傷となる。典型的には、薄膜コンデンサまたはトランジスタなどの1つを超える薄膜層から成る他の薄膜デバイスに対しても同じ欠点が当てはまる。
固体薄膜バッテリおよび他の薄膜デバイスは、しばしばバッテリ構造の様々な層を画定するためにシャドウマスキングを必要とする。典型的なプレーナーデバイス構造は、剛性の基板とマスク材料と、基板とマスクを一緒に重ね合わせるためのハードエッジアラインメント(hard edge alignment)手順とに依存する。フレキシブル固体薄膜バッテリ技術の出現、および、その結果として、典型的にはともに薄片またはストリップの形態である、より薄い基板およびマスク材料の使用は、これらのフレキシブル材料を拘束するという課題をもたらす。さらに、物理蒸着法または化学蒸着法などの典型的な薄膜堆積技術の適用中に関連する薄膜コーティング領域を正確に画定するという課題が生ずる。図1に示されるような旧来の(legacy)アプローチは、金属板115のポケットの中にバッテリ基板110を設置し、厚い剛性のマスク骨組105を取り付け、次いで締付け機構120によってこのアセンブリを拘束することである。旧来のアプローチは多くの問題がある。例えば、厚い剛性のマスクは、使用と共にそる傾向があり、加えられる締付け圧力にもかかわらず平らな状態ではなくなる。典型的な真空蒸着コーティングは、マスクエッジの下に流れ出て、このため不完全に画定された薄膜層エッジを作り出す。薄いフレキシブル基板を旧来の機器に結合する試みは難点がある。なぜなら薄いフレキシブル基板およびマスクは、プレーナー表面において平らでかつ円滑な状態であることはめったになく、したがって画定されたポケットのエッジに対して円滑に整列しない。この設置誤差は、結果的に、基板の表面上において不完全に位置合せされたコーティングとなる。不完全に位置合せされたバッテリ層または不完全にエッジ画定されたバッテリ層は、これらの多層バッテリ構造において誤ったバッテリ層の相互作用を生成する傾向があり、その結果、バッテリの損傷となる。典型的には、薄膜コンデンサまたはトランジスタなどの1つを超える薄膜層から成る他の薄膜デバイスに対しても同じ欠点が当てはまる。
(発明の概要)
本発明は、基板をマスキングする方法および装置に関する。一実施形態において、方法は、基板を曲げ、湾曲した基板表面を提供することおよび湾曲した表面に少なくとも1つのフレキシブルシートを提供することを包含する。基板および少なくとも1つのフレキシブルシートは、例えば薄膜またはストリップであり得る。特定の実施形態において、湾曲した表面は、弓形であり得る。本発明の別の実施形態において、少なくとも1つの基板もしくはシート、または基板およびシートが提供され得る。
本発明は、基板をマスキングする方法および装置に関する。一実施形態において、方法は、基板を曲げ、湾曲した基板表面を提供することおよび湾曲した表面に少なくとも1つのフレキシブルシートを提供することを包含する。基板および少なくとも1つのフレキシブルシートは、例えば薄膜またはストリップであり得る。特定の実施形態において、湾曲した表面は、弓形であり得る。本発明の別の実施形態において、少なくとも1つの基板もしくはシート、または基板およびシートが提供され得る。
本発明の一実施形態において、例えば、少なくとも1つフレキシブルシートおよび/または基板は、ぴんと張った状態で配置され得る。張力は、湾曲した表面に実質的に接する方向において、力を加えることによって作られ得る。特定の実施形態において、張力は、例えば、ばねピンを用いることによって作られ得る。ばねピンは、例えば次のものうちの任意のものを含み得る。すなわち、平らな板ばね、曲った板ばね、コイルばねが負荷されたピン、形成されかつ/または曲がった板ばね、ねじればね、または管状のばねである。別の実施形態において、張力は、ばね部材などの弾性材料の使用によって作られ得る。さらなる実施形態において、例えば張力は軸外しロールダウンバーの使用によって作られ得る。トルクは、基板および/またはフレキシブル材料のうちの少なくとも1つに張力を加えるためにさらに用いられ得る。
本発明のさらなる実施形態において、張力は、例えば、提供される各基板および/またはフレキシブルシートに対して無関係に作られ得る。
本発明の別の実施形態は、例えば、湾曲した状態でフレキシブル基板を固定する基板ホルダと、フレキシブル基板の湾曲した表面の上に配置されたマスクにおいて張力を作るテンショナとを含むマスキング装置を提供する。一実施形態において、例えばテンショナは、例えばばねピンまたは軸外しロールダウンバーであり得る。湾曲した状態は、例えば弓形であり得る。
本発明の別の実施形態は、例えば、基板を提供するステップと、基板上に少なくとも1つのフレキシブルシートを提供するステップと、少なくとも1つのシートまたは基板に張力を生成し、各シートの表面を湾曲した形状に形成するステップとを含む基板をマスキングする方法を提供する。本発明の一実施形態において、基板および/またはフレキシブルシートは、例えば薄片またはストリップを備え、湾曲した形状は、例えば、弓形の形態である。本発明の実施形態において、張力は、例えばばねピンまたは軸外しロールダウンバーを用いることによって作られる。
(好ましい実施形態の説明)
本明細書において説明される特定の方法論、化合物、材料、製造技術、使用法および用途は変化し得るので、本発明がそれらに限定されないことは理解されるべきである。本明細書において用いられる用語は特定の実施形態のみを説明する目的のために用いられ、本発明の範囲を限定する意図はないこともまた理解されるべきである。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられるように、単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、複数の参照を含む。従って例えば、「要素」への参照は1つ以上の要素への参照であり、当業者にとって公知である要素の均等物を含む。同様に、別の例では、「ステップ」または「手段」への参照は、1つ以上のステップまたは手段への参照であり、サブステップおよび補助の手段を含み得る。用いられるすべての接続詞は、可能な限り最も包括的な意味で理解されるべきである。従って単語「または」は、文脈が明らかに別のことを必要としない限り、論理「排他的または」の定義よりはむしろ論理「または」の定義を有するように理解されるべきである。本明細書に説明される構造は、そのような構造の機能上の均等物を参照するように理解されるべきである。近似を表現するように解釈されるべき言語は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、そのように理解されるべきである。
本明細書において説明される特定の方法論、化合物、材料、製造技術、使用法および用途は変化し得るので、本発明がそれらに限定されないことは理解されるべきである。本明細書において用いられる用語は特定の実施形態のみを説明する目的のために用いられ、本発明の範囲を限定する意図はないこともまた理解されるべきである。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられるように、単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、複数の参照を含む。従って例えば、「要素」への参照は1つ以上の要素への参照であり、当業者にとって公知である要素の均等物を含む。同様に、別の例では、「ステップ」または「手段」への参照は、1つ以上のステップまたは手段への参照であり、サブステップおよび補助の手段を含み得る。用いられるすべての接続詞は、可能な限り最も包括的な意味で理解されるべきである。従って単語「または」は、文脈が明らかに別のことを必要としない限り、論理「排他的または」の定義よりはむしろ論理「または」の定義を有するように理解されるべきである。本明細書に説明される構造は、そのような構造の機能上の均等物を参照するように理解されるべきである。近似を表現するように解釈されるべき言語は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、そのように理解されるべきである。
別に定義されない限り、本明細書において用いられるすべての科学技術用語は、本発明が属する分野の当業者によって共通に理解される意味と同じ意味を有する。好ましい方法、技術、デバイスおよび材料が説明される。但し、本明細書において説明されるものに類似するかまたは均等の任意の方法、技術、デバイスまたは材料が、本発明の実施または試験において用いられ得る。本明細書において説明される構造は、そのような構造の機能上の均等物も参照するように理解されるべきである。本明細書において引用される参考文献は、その全体が本明細書において参考として援用される。
平面で平らな表面全体に材料のきれいで一様なストリップまたは薄片をぴんと張って設置することは、ストリップまたは薄片と表面との間に2つの実質的に平行な非接触面の領域を作る。張力を誘引する力のベクトルと平面で平らな表面と間に実質的な相互作用はなく、従って、平行移動の下方への力は生成されない。対照的に、接線方向の力が湾曲した表面全体に薄片またはストリップに加えられるとき、下方への力が実現される。単純なベクトル分析は、小曲率半径によってでさえもより大きな下方への力が生成されることを示す。結果的として生じる下方への力は、しっかりしたマスク対基板の界面、および従って、輪郭のはっきりしたエッジを有する薄膜コーティングを作る際に有益に利用され得る。
図2を参照すると、薄片またはストリップの製造は、一様かつ平らな本体を生成することはめったにない。典型的には、たとえわずかであっても曲がり偏差(bend deviation)を引き起こす誤差がある215、216、217。例えば、材料の薄片またはストリップは、カッピング、そりおよびねじれを有し得る。さらに、そのような薄片またはストリップにコーティングされた膜層は、さらなる曲がり誤差を引き起こし得る。例えば、基板またはシャドウマスクの完全に平らな薄片またはストリップが実現されたとしても、コーティングされた層が表面の上で増えると、表面に接触しているコーティング膜層に固有の応力は変形を生じさせ得る。より典型的には、真空蒸着プロセスにおいてシャドウマスキングの目的のために互いの上に積み重ねられなければならない基板およびマスクは、切断、操作、および使用により曲げられる。図2に明示されるように、平らな表面205が積み重ねのために用いられるとき、相当な張力が平面に平行に加えられるときでさえ、薄片またはストリップ215、216、217を平ら220な状態にさせることは典型的には非常に難しい。薄片またはストリップを平らな状態にさせるのに必要な力は、薄片またはストリップ材料の降伏抵抗(yield resistance)を超え得、薄片またはストリップの損傷がそれに続いて起こり得る。図3は、曲がった薄片またはストリップ315、316、317を例えば弓形310などの湾曲した表面全体に配置するとき実現される平行移動の下方への力を用いた結果320を明示する。試験は、例えば図3の実施形態のような配置において、そのような薄片またはストリップが互いに対して同一平面にあるようにするために比較的少量の力が必要であることを示す。
例示的な実施形態において、基板およびマスク材料の薄片またはストリップは、弓形全体に張力をもって配置され、次いで正しい位置に固定され、例えばマスク対基板の関係およびホルダに対する基板の位置を維持し得る。そのような配置のための単純な拘束機構は、弓形状のホルダの本体の中のボルトによって拘束される薄片またはストリップの各端部を横切るバーであり得る。あるいは、基板およびマスク材料の薄片またはストリップの一端は、ピンで留められか、クランプで留められか、またはそうでなければ正しい位置に固定され、張力が第2の端部から材料にかけられ得、その張力を保持しながら、第2の端部はピンで留められ、クランプで留められるかまたはそうでなければ正しい位置に固定される。正しく固定されているとき、このピン留めまたはクランプ留め機構は、このとき、張力を薄片またはストリップにおいて張力を維持し、外部の張力源が取り外され得る。この単純な方法は、各端部における固定されたクランプ留め方法を含み得る。
種々の材料は、種々の割合で種々の適用温度で膨張する。例えば、典型的な真空蒸着プロセスは、コーティングを受容する材料において熱を生成する。マスクおよび基板の両方は、そのようなプロセスにおいてコーティングされ得る。従って、この結果として生じる温度変化は、基板に対し、互いに対し、そして/またはホルダに対して、マスクの一様でない熱膨張を引き起こし得る。材料間の熱膨張の差はまた、表面が互いから離れるようにさせ、しばしばマスクの下にコーティングが流れ出るという結果となり得る。この問題を避けるために、例示的な実施形態は、各薄片またはストリップを独立して張力をかけて配置し得、その結果、熱膨張による薄片またはストリップ長における変化は、張力デバイスの移動によって適応され得る。考えられる限りで、材料のこれらのストリップに必要な接線力を加える多くの方法がある。
張力をかける方法の一部の例は、図4A〜図9Cに明示される。図8Aおよび図8Bにおけるアプローチは、図4A〜図7Cおよび図9A〜図9Cに示されるアプローチとは多少異なっている。なぜなら、例えば金属ばねまたは他の張力生成デバイスよりはむしろ、ゴムなどのメモリ材料の単純なブロックが、用いられ得るからである。図4A〜図9Cに示される例は、張力を掛けられるべき材料のストリップに張力デバイスを係合させる方法としてスロットおよびピン配置を示すが、クランプ留め、結合、接着および他の方法もまた用いられ得る。
図4Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、平らな板ばね430は湾曲した表面460を有するホルダ410に固定されていて、その結果、ばね力440は、ピン420に負荷をかけ、湾曲した表面460を有するホルダ410に基板およびフレキシブルシート415を固定する。
図4Bは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、曲がった板ばね435は湾曲した表面460を有するホルダ410に固定されていて、その結果、ばね力445は、ピン420に負荷をかけ、湾曲した表面460を有するホルダ410に基板およびフレキシブルシート415を固定する。
図5Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、コイルばね530は、ピン520に負荷をかけ、湾曲した表面560を有するホルダ510に基板およびフレキシブルシート515を固定する。
図5Bは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、形成された570および/または曲がった580板ばね535は湾曲した表面560を有するホルダ510に固定されていて、その結果、ばね力は、形成された570および/または曲がった580板ばね535に負荷をかけ、湾曲した表面560を有するホルダ510に基板およびフレキシブルシート515を固定する。
形成された570および/または曲がった580板ばね535は、図5Cに描かれる。
図6Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、ねじればね630は湾曲した表面660を有するホルダ610に固定されていて、その結果、ばね力は、ピン620に負荷をかけ、湾曲した表面660を有するホルダ610に基板およびフレキシブルシート615を固定する。
図6Bは、ばね630の曲がった端部650を描く図6Aの断面図であり、ばね630の曲がった端部650は、湾曲した表面660およびばね630の長さ640を有するホルダ610にばね630を固定するために用いられ、ばね630の曲がった端部650は、ピン620において係合される基板およびフレキシブルシート615によってねじられる。
図6Cは、ばね630のブロック端部655を描く図6Aの断面図であり、ばね630のブロック端部655は、湾曲した表面660およびばね630の長さ640を有するホルダ610にばね630を固定するために用いられ、ばね630の曲がった端部650は、ピン620において係合される基板およびフレキシブルシート615によってねじられる。
図7Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、従来のねじればね730は、負荷をかけられ、湾曲した表面760を有するホルダ710に基板およびフレキシブルシート715を固定する。
図7Bは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、長方形のねじればね735は、ピン720に負荷をかけ、基板およびフレキシブルシート715において張力を作り、湾曲した表面760を有するホルダ710に基板およびフレキシブルシート715を固定する。
図7Cは、ばね735のばね端部750を描く図7Bのねじればねのウィング型設計を明らかにし、ばね735のばね端部750は、湾曲した表面760およびばね735の長さ740を有するホルダ710にばね735を固定するために用いられ、ばね735のばね端部750は、ピン720において係合される基板およびフレキシブルシート715によってねじられる。
図8Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、弾性材料830は湾曲した表面860を有するホルダ810の上部に埋め込まれ、その結果、ばね力はピン820に負荷をかけ、湾曲した表面860を有するホルダ810に基板およびフレキシブルシート815を固定する。
図8Bは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、弾性材料830は湾曲した表面860を有するホルダ810の下部に埋め込まれ、その結果、ばね力はピン820に負荷をかけ、湾曲した表面860を有するホルダ810に基板およびフレキシブルシート815を固定する。
図9Aは本発明の一実施形態の断面図であり、該実施形態において、管状のばね要素930は、ピン920に固定され、湾曲した表面960を有するホルダ910に基板およびフレキシブルシートを固定する。
図9Bは、図9Aの管状のばね930およびピン920の破断部分931、932を明らかにし、ピン920は、管に、溶接され、はんだ付けされ、ロウ付けされ、押圧されるかまたはピーニングされ得る。
図9Cは、図9Aの管状のばね930のらせん状の破断部分931、932設計およびピン920を明らかにするさらなる実施形態であり、ピン920は、管に、溶接され、はんだ付けされ、ロウ付けされ、押圧されるかまたはピーニングされ得る。
特に、図4A〜図7Cおよび図9A〜図9Cに示される例は、ばねピンの配置を示し、基板の湾曲した表面全体に材料のストリップをぴんと張るように保つが、例えば軸外しロールダウンバーもまた用いられ得る。
本実施形態のマスキングアプローチは、より安価なマスキング材料の使用を可能にする。例えば、原料の薄片またはストリップは、典型的には、同じ材料のより厚いブロックに調和させるより、調達するのに安く、必要なマスク開口部に変えるのに時間の消費および労働集約が少ない。また、薄片またはストリップは、レーザ、水ジェット切断、エッチング、打抜き、せん断加工、スタンピングのようなより費用効果の高い形式の変換にすることが可能である。
基板薄片またはストリップの下部表面が弓形のホルダに対して一様に保持された状態で、典型的な真空蒸着プロセスにおける結果として生じる伝導性冷却は、平らなホルダを用いる場合よりも一様である。この例示的プロセスは、持続的膜成長、全コーティング領域における堆積速度および特性、そしてより堅実なバッテリ製品性能を容易にする。
本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者は、本発明の方法および装置に対して様々な変更および修正を行い、様々な用途および条件に本発明を適合させ得る。例えば、上記は、フレキシブルバッテリをマスキングする例示的方法および装置を説明するが、本発明は薄膜電子デバイスおよびグラフィカルデザインに用いられるような非電気デバイスなどの様々な用途に用いられ得ることは理解されるべきである。さらに、デバイス基板は、湾曲した表面を製造するために曲げられる必要はない。例えば、マスクが適用されるデバイス基板は、設計および製造によって湾曲され得る。そのようなものとして、これらおよび他の変化ならびに修正は、以下の特許請求の範囲の均等物の全範囲内において、正当であり、公正であり、意図されることである。
Claims (25)
- 基板をマスキングする方法であって、
少なくとも1つの基板を曲げ、湾曲した基板表面を提供することと、
少なくとも1つのフレキシブルシートを該湾曲した表面に提供することと
を包含する、方法。 - 前記基板は薄片またはストリップを備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記湾曲した表面を弓形の形態で提供することをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記フレキシブルシートは薄片またはストリップを備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのシートをぴんと張った状態で配置することをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基板をぴんと張った状態で配置することをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記湾曲した表面に実質的に接する方向において、前記少なくとも1つのシートに対して力を加えることをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
- ばねピンおよび軸外しロールダウンバーから成るグループから選択される機構を用いることをさらに包含する、請求項7に記載の方法。
- 前記湾曲した表面に実質的に接する方向において、前記少なくとも1つの基板に対して力を加えることをさらに包含する、請求項6に記載の方法。
- ばねピンおよび軸外しロールダウンバーから成るグループから選択される機構を用いることをさらに包含する、請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基板にトルクを加えることによって張力を作ることをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのシートにトルクを加えることをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 湾曲した状態でフレキシブル基板を固定する基板ホルダと、
該フレキシブル基板の湾曲した表面の上に配置されるマスクにおいて張力を作るテンショナと
を備えている、マスキング装置。 - 前記テンショナは、シートと係合し、前記湾曲した表面に接する方向に力を加えるように適合された少なくとも1つの係合部材を備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記テンショナは、ばねピンおよび軸外しロールダウンバーから成るグループから選択される、請求項13に記載の装置。
- 前記湾曲した状態は弓形である、請求項13に記載の装置。
- 前記テンショナは、前記基板に張力を加えるように適合される、請求項13に記載の装置。
- 少なくとも1つの基板を提供することと、
該基板上に少なくとも1つのフレキシブルシートを提供することと、
該少なくとも1つのシートまたは基板に張力を生成し、各シートの表面を湾曲した形状に形成することと
を包含する、基板をマスキングする方法。 - 前記湾曲した表面に実質的に接する方向において、前記少なくとも1つのシートに対して力を加えることをさらに包含する、請求項18に記載の方法。
- 前記湾曲した表面に実質的に接する方向において、前記少なくとも1つの基板に対して力を加えることをさらに包含する、請求項18に記載の方法。
- 前記基板は薄片またはストリップを備えている、請求項18に記載の方法。
- 前記湾曲した形状を弓形の形態で提供することをさらに包含する、請求項18に記載の方法。
- 前記フレキシブルシートは薄片またはストリップを備えている、請求項18に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基板にトルクを加えることをさらに包含する、請求項18に記載の方法。
- ばねピンおよび軸外しロールダウンバーから成るグループから選択される機構を用いることをさらに包含する、請求項24に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US712316A (en) | 1899-10-26 | 1902-10-28 | Francois Loppe | Electric accumulator. |
US948562A (en) * | 1907-01-12 | 1910-02-08 | George Hughes | Signaling apparatus. |
US2970180A (en) * | 1959-06-17 | 1961-01-31 | Union Carbide Corp | Alkaline deferred action cell |
US3616403A (en) | 1968-10-25 | 1971-10-26 | Ibm | Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz |
US3790432A (en) * | 1971-12-30 | 1974-02-05 | Nasa | Reinforced polyquinoxaline gasket and method of preparing the same |
US3797091A (en) * | 1972-05-15 | 1974-03-19 | Du Pont | Terminal applicator |
US3850604A (en) | 1972-12-11 | 1974-11-26 | Gte Laboratories Inc | Preparation of chalcogenide glass sputtering targets |
US4111523A (en) | 1973-07-23 | 1978-09-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thin film optical waveguide |
US3939008A (en) * | 1975-02-10 | 1976-02-17 | Exxon Research And Engineering Company | Use of perovskites and perovskite-related compounds as battery cathodes |
US4127424A (en) | 1976-12-06 | 1978-11-28 | Ses, Incorporated | Photovoltaic cell array |
US4082569A (en) | 1977-02-22 | 1978-04-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Solar cell collector |
DE2849294C3 (de) | 1977-11-22 | 1982-03-04 | Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka | Dünne Metall-Halogen-Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
IE49121B1 (en) * | 1978-12-11 | 1985-08-07 | Triplex Safety Glass Co | Producing glass sheets of required curved shape |
US4318938A (en) | 1979-05-29 | 1982-03-09 | The University Of Delaware | Method for the continuous manufacture of thin film solar cells |
US4442144A (en) * | 1980-11-17 | 1984-04-10 | International Business Machines Corporation | Method for forming a coating on a substrate |
US4328297A (en) | 1981-03-27 | 1982-05-04 | Yardngy Electric Corporation | Electrode |
US5055704A (en) | 1984-07-23 | 1991-10-08 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with battery housing |
US4664993A (en) | 1981-08-24 | 1987-05-12 | Polaroid Corporation | Laminar batteries and methods of making the same |
US4756717A (en) | 1981-08-24 | 1988-07-12 | Polaroid Corporation | Laminar batteries and methods of making the same |
JPS58216476A (ja) | 1982-06-11 | 1983-12-16 | Hitachi Ltd | 光発電蓄電装置 |
JPS5950027A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-22 | Hitachi Ltd | 二硫化チタン薄膜およびその形成法 |
US4518661A (en) | 1982-09-28 | 1985-05-21 | Rippere Ralph E | Consolidation of wires by chemical deposition and products resulting therefrom |
US4437966A (en) | 1982-09-30 | 1984-03-20 | Gte Products Corporation | Sputtering cathode apparatus |
JPS59217964A (ja) | 1983-05-26 | 1984-12-08 | Hitachi Ltd | 薄膜電池の正極構造 |
JPS59227090A (ja) | 1983-06-06 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 不揮発性メモリ装置 |
DE3345659A1 (de) | 1983-06-16 | 1984-12-20 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Keramikkoerper aus zirkoniumdioxid (zro(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)) und verfahren zu seiner herstellung |
EP0140638B1 (en) | 1983-10-17 | 1988-06-29 | Tosoh Corporation | High-strength zirconia type sintered body and process for preparation thereof |
DE3417732A1 (de) | 1984-05-12 | 1986-07-10 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens |
GB8414878D0 (en) | 1984-06-11 | 1984-07-18 | Gen Electric Co Plc | Integrated optical waveguides |
JPH06101335B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | 全固体リチウム電池 |
US4785459A (en) | 1985-05-01 | 1988-11-15 | Baer Thomas M | High efficiency mode matched solid state laser with transverse pumping |
US4710940A (en) | 1985-10-01 | 1987-12-01 | California Institute Of Technology | Method and apparatus for efficient operation of optically pumped laser |
US5296089A (en) | 1985-12-04 | 1994-03-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus |
US5173271A (en) | 1985-12-04 | 1992-12-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus |
US4964877A (en) | 1986-01-14 | 1990-10-23 | Wilson Greatbatch Ltd. | Non-aqueous lithium battery |
US4668593A (en) | 1986-08-29 | 1987-05-26 | Eltron Research, Inc. | Solvated electron lithium electrode for high energy density battery |
US4977007A (en) | 1986-09-19 | 1990-12-11 | Matsushita Electrical Indust. Co. | Solid electrochemical element and production process therefor |
US4740431A (en) | 1986-12-22 | 1988-04-26 | Spice Corporation | Integrated solar cell and battery |
US4728588A (en) | 1987-06-01 | 1988-03-01 | The Dow Chemical Company | Secondary battery |
US4865428A (en) | 1987-08-21 | 1989-09-12 | Corrigan Dennis A | Electrooptical device |
JP2692816B2 (ja) | 1987-11-13 | 1997-12-17 | 株式会社きもと | 薄型一次電池 |
US4826743A (en) | 1987-12-16 | 1989-05-02 | General Motors Corporation | Solid-state lithium battery |
US4878094A (en) | 1988-03-30 | 1989-10-31 | Minko Balkanski | Self-powered electronic component and manufacturing method therefor |
US4915810A (en) | 1988-04-25 | 1990-04-10 | Unisys Corporation | Target source for ion beam sputter deposition |
US4903326A (en) * | 1988-04-27 | 1990-02-20 | Motorola, Inc. | Detachable battery pack with a built-in broadband antenna |
US5096852A (en) | 1988-06-02 | 1992-03-17 | Burr-Brown Corporation | Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits |
US5403680A (en) | 1988-08-30 | 1995-04-04 | Osaka Gas Company, Ltd. | Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers |
FR2638764B1 (fr) | 1988-11-04 | 1993-05-07 | Centre Nat Rech Scient | Element composite comportant une couche en chalcogenure ou oxychalcogenure de titane, utilisable en particulier comme electrode positive dans une cellule electrochimique en couches minces |
JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
US5100821A (en) | 1989-04-24 | 1992-03-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor AC switch |
US5006737A (en) | 1989-04-24 | 1991-04-09 | Motorola Inc. | Transformerless semiconductor AC switch having internal biasing means |
US5217828A (en) | 1989-05-01 | 1993-06-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible thin film cell including packaging material |
US5540742A (en) | 1989-05-01 | 1996-07-30 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of fabricating thin film cells and printed circuit boards containing thin film cells using a screen printing process |
JP2808660B2 (ja) | 1989-05-01 | 1998-10-08 | ブラザー工業株式会社 | 薄膜電池内蔵プリント基板の製造方法 |
US5221891A (en) | 1989-07-31 | 1993-06-22 | Intermatic Incorporated | Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load |
US5119269A (en) | 1989-08-23 | 1992-06-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor with a battery unit |
US5792550A (en) | 1989-10-24 | 1998-08-11 | Flex Products, Inc. | Barrier film having high colorless transparency and method |
JP2758948B2 (ja) | 1989-12-15 | 1998-05-28 | キヤノン株式会社 | 薄膜形成方法 |
DE4022090A1 (de) | 1989-12-18 | 1991-06-20 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Elektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
US5196374A (en) | 1990-01-26 | 1993-03-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with molded cell |
US5169408A (en) | 1990-01-26 | 1992-12-08 | Fsi International, Inc. | Apparatus for wafer processing with in situ rinse |
US5252194A (en) | 1990-01-26 | 1993-10-12 | Varian Associates, Inc. | Rotating sputtering apparatus for selected erosion |
US5124782A (en) | 1990-01-26 | 1992-06-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with molded cell |
US5085904A (en) * | 1990-04-20 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Barrier materials useful for packaging |
US5306569A (en) | 1990-06-15 | 1994-04-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof |
JP2755471B2 (ja) | 1990-06-29 | 1998-05-20 | 日立電線株式会社 | 希土類元素添加光導波路及びその製造方法 |
US5645626A (en) | 1990-08-10 | 1997-07-08 | Bend Research, Inc. | Composite hydrogen separation element and module |
US5225288A (en) | 1990-08-10 | 1993-07-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solvent blockers and multilayer barrier coatings for thin films |
US5147985A (en) | 1990-08-14 | 1992-09-15 | The Scabbard Corporation | Sheet batteries as substrate for electronic circuit |
US5110694A (en) | 1990-10-11 | 1992-05-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Secondary Li battery incorporating 12-Crown-4 ether |
US5110696A (en) | 1990-11-09 | 1992-05-05 | Bell Communications Research | Rechargeable lithiated thin film intercalation electrode battery |
US5273608A (en) | 1990-11-29 | 1993-12-28 | United Solar Systems Corporation | Method of encapsulating a photovoltaic device |
US5493177A (en) * | 1990-12-03 | 1996-02-20 | The Regents Of The University Of California | Sealed micromachined vacuum and gas filled devices |
US5057385A (en) | 1990-12-14 | 1991-10-15 | Hope Henry F | Battery packaging construction |
NL9002844A (nl) | 1990-12-21 | 1992-07-16 | Philips Nv | Systeem omvattende een apparaat en een cassette, alsmede een apparaat en een cassette geschikt voor toepassing in een dergelijk systeem. |
CA2056139C (en) | 1991-01-31 | 2000-08-01 | John C. Bailey | Electrochromic thin film state-of-charge detector for on-the-cell application |
US5227264A (en) | 1991-02-14 | 1993-07-13 | Hydro-Quebec | Device for packaging a lithium battery |
US6110531A (en) | 1991-02-25 | 2000-08-29 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition |
US5180645A (en) * | 1991-03-01 | 1993-01-19 | Motorola, Inc. | Integral solid state embedded power supply |
US5119460A (en) | 1991-04-25 | 1992-06-02 | At&T Bell Laboratories | Erbium-doped planar optical device |
US5200029A (en) | 1991-04-25 | 1993-04-06 | At&T Bell Laboratories | Method of making a planar optical amplifier |
US5107538A (en) | 1991-06-06 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Optical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device |
US5208121A (en) | 1991-06-18 | 1993-05-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Battery utilizing ceramic membranes |
US5153710A (en) | 1991-07-26 | 1992-10-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with laminated backup cell |
US5187564A (en) * | 1991-07-26 | 1993-02-16 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Application of laminated interconnect media between a laminated power source and semiconductor devices |
US5171413A (en) | 1991-09-16 | 1992-12-15 | Tufts University | Methods for manufacturing solid state ionic devices |
US5196041A (en) | 1991-09-17 | 1993-03-23 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method of forming an optical channel waveguide by gettering |
US5355089A (en) | 1992-07-22 | 1994-10-11 | Duracell Inc. | Moisture barrier for battery with electrochemical tester |
JP2755844B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-05-25 | シャープ株式会社 | プラスチック基板液晶表示素子 |
US5702829A (en) | 1991-10-14 | 1997-12-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material |
US5401595A (en) | 1991-12-06 | 1995-03-28 | Yuasa Corporation | Film type battery and layer-built film type battery |
SG44695A1 (en) * | 1991-12-11 | 1997-12-19 | Mobil Oil Corp | High barrier film |
US5287427A (en) * | 1992-05-05 | 1994-02-15 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component |
US5497140A (en) * | 1992-08-12 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication |
US6144916A (en) | 1992-05-15 | 2000-11-07 | Micron Communications, Inc. | Itinerary monitoring system for storing a plurality of itinerary data points |
SE470081B (sv) | 1992-05-19 | 1993-11-01 | Gustavsson Magnus Peter M | Elektriskt uppvärmt plagg eller liknande |
US6045652A (en) | 1992-06-17 | 2000-04-04 | Micron Communications, Inc. | Method of manufacturing an enclosed transceiver |
US5326652A (en) | 1993-01-25 | 1994-07-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material |
US6741178B1 (en) | 1992-06-17 | 2004-05-25 | Micron Technology, Inc | Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication |
US5776278A (en) | 1992-06-17 | 1998-07-07 | Micron Communications, Inc. | Method of manufacturing an enclosed transceiver |
US5779839A (en) | 1992-06-17 | 1998-07-14 | Micron Communications, Inc. | Method of manufacturing an enclosed transceiver |
DE4345610B4 (de) | 1992-06-17 | 2013-01-03 | Micron Technology Inc. | Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) |
US5338625A (en) | 1992-07-29 | 1994-08-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Thin film battery and method for making same |
US7158031B2 (en) | 1992-08-12 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Thin, flexible, RFID label and system for use |
JP3214910B2 (ja) * | 1992-08-18 | 2001-10-02 | 富士通株式会社 | 平面導波路型光増幅器の製造方法 |
JPH0680284A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Sony Magnescale Inc | 回転体保持装置 |
US5538796A (en) | 1992-10-13 | 1996-07-23 | General Electric Company | Thermal barrier coating system having no bond coat |
US5597661A (en) * | 1992-10-23 | 1997-01-28 | Showa Denko K.K. | Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof |
JP3231900B2 (ja) | 1992-10-28 | 2001-11-26 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US5326653A (en) | 1992-10-29 | 1994-07-05 | Valence Technology, Inc. | Battery unit with reinforced current collector tabs and method of making a battery unit having strengthened current collector tabs |
US5942089A (en) | 1996-04-22 | 1999-08-24 | Northwestern University | Method for sputtering compounds on a substrate |
JP3214107B2 (ja) * | 1992-11-09 | 2001-10-02 | 富士電機株式会社 | 電池搭載集積回路装置 |
JPH06158308A (ja) | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Metals Ltd | インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
US5279624A (en) | 1992-11-27 | 1994-01-18 | Gould Inc. | Solder sealed solid electrolyte cell housed within a ceramic frame and the method for producing it |
US5307240A (en) | 1992-12-02 | 1994-04-26 | Intel Corporation | Chiplid, multichip semiconductor package design concept |
US6022458A (en) | 1992-12-07 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of production of a semiconductor substrate |
AU669754B2 (en) | 1992-12-18 | 1996-06-20 | Becton Dickinson & Company | Barrier coating |
US5303319A (en) | 1992-12-28 | 1994-04-12 | Honeywell Inc. | Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators |
SE500725C2 (sv) | 1992-12-29 | 1994-08-15 | Volvo Ab | Anordning vid paneler för farkoster |
US5718813A (en) * | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
US5427669A (en) | 1992-12-30 | 1995-06-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Thin film DC plasma processing system |
US5547780A (en) | 1993-01-18 | 1996-08-20 | Yuasa Corporation | Battery precursor and a battery |
US5300461A (en) | 1993-01-25 | 1994-04-05 | Intel Corporation | Process for fabricating sealed semiconductor chip using silicon nitride passivation film |
US5338624A (en) | 1993-02-08 | 1994-08-16 | Globe-Union Inc. | Thermal management of rechargeable batteries |
JPH06279185A (ja) | 1993-03-25 | 1994-10-04 | Canon Inc | ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法 |
US5262254A (en) | 1993-03-30 | 1993-11-16 | Valence Technology, Inc. | Positive electrode for rechargeable lithium batteries |
US5613995A (en) | 1993-04-23 | 1997-03-25 | Lucent Technologies Inc. | Method for making planar optical waveguides |
US5665490A (en) | 1993-06-03 | 1997-09-09 | Showa Denko K.K. | Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof |
US5464692A (en) * | 1993-06-17 | 1995-11-07 | Quality Manufacturing Incorporated | Flexible masking tape |
EP0639655B1 (en) | 1993-07-28 | 2000-09-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Method and apparatus for sputtering |
US5499207A (en) | 1993-08-06 | 1996-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having improved isolation between electrodes, and process for fabricating the same |
US5360686A (en) | 1993-08-20 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration | Thin composite solid electrolyte film for lithium batteries |
US5599355A (en) * | 1993-08-20 | 1997-02-04 | Nagasubramanian; Ganesan | Method for forming thin composite solid electrolyte film for lithium batteries |
JP2642849B2 (ja) | 1993-08-24 | 1997-08-20 | 株式会社フロンテック | 薄膜の製造方法および製造装置 |
US5478456A (en) | 1993-10-01 | 1995-12-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering target |
US5314765A (en) | 1993-10-14 | 1994-05-24 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Protective lithium ion conducting ceramic coating for lithium metal anodes and associate method |
EP0652308B1 (en) | 1993-10-14 | 2002-03-27 | Neuralsystems Corporation | Method of and apparatus for forming single-crystalline thin film |
US5411537A (en) | 1993-10-29 | 1995-05-02 | Intermedics, Inc. | Rechargeable biomedical battery powered devices with recharging and control system therefor |
US5445856A (en) | 1993-11-10 | 1995-08-29 | Chaloner-Gill; Benjamin | Protective multilayer laminate for covering an electrochemical device |
US5985485A (en) | 1993-11-19 | 1999-11-16 | Ovshinsky; Stanford R. | Solid state battery having a disordered hydrogenated carbon negative electrode |
US5512387A (en) | 1993-11-19 | 1996-04-30 | Ovonic Battery Company, Inc. | Thin-film, solid state battery employing an electrically insulating, ion conducting electrolyte material |
US5738731A (en) | 1993-11-19 | 1998-04-14 | Mega Chips Corporation | Photovoltaic device |
US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
US5487822A (en) | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
US5387482A (en) | 1993-11-26 | 1995-02-07 | Motorola, Inc. | Multilayered electrolyte and electrochemical cells used same |
US5654984A (en) | 1993-12-03 | 1997-08-05 | Silicon Systems, Inc. | Signal modulation across capacitors |
US5419982A (en) | 1993-12-06 | 1995-05-30 | Valence Technology, Inc. | Corner tab termination for flat-cell batteries |
US5569520A (en) | 1994-01-12 | 1996-10-29 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Rechargeable lithium battery for use in applications requiring a low to high power output |
US5961672A (en) | 1994-02-16 | 1999-10-05 | Moltech Corporation | Stabilized anode for lithium-polymer batteries |
US5561004A (en) | 1994-02-25 | 1996-10-01 | Bates; John B. | Packaging material for thin film lithium batteries |
US5464706A (en) | 1994-03-02 | 1995-11-07 | Dasgupta; Sankar | Current collector for lithium ion battery |
US6408402B1 (en) * | 1994-03-22 | 2002-06-18 | Hyperchip Inc. | Efficient direct replacement cell fault tolerant architecture |
US5475528A (en) | 1994-03-25 | 1995-12-12 | Corning Incorporated | Optical signal amplifier glasses |
US5470396A (en) | 1994-04-12 | 1995-11-28 | Amoco Corporation | Solar cell module package and method for its preparation |
US5805223A (en) | 1994-05-25 | 1998-09-08 | Canon Kk | Image encoding apparatus having an intrapicture encoding mode and interpicture encoding mode |
US5411592A (en) | 1994-06-06 | 1995-05-02 | Ovonic Battery Company, Inc. | Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries |
EP0718247A4 (en) | 1994-06-13 | 2000-09-06 | Mitsui Chemicals Inc | ELECTRICALLY CONDUCTIVE GLAZED LAYER BY INCLUSION OF LITHIUM IONS AND CO2 DETECTOR INCLUDING THIS LAYER |
US5472795A (en) | 1994-06-27 | 1995-12-05 | Board Of Regents Of The University Of The University Of Wisconsin System, On Behalf Of The University Of Wisconsin-Milwaukee | Multilayer nanolaminates containing polycrystalline zirconia |
WO1996000996A1 (en) | 1994-06-30 | 1996-01-11 | The Whitaker Corporation | Planar hybrid optical amplifier |
US5457569A (en) | 1994-06-30 | 1995-10-10 | At&T Ipm Corp. | Semiconductor amplifier or laser having integrated lens |
JP3407409B2 (ja) | 1994-07-27 | 2003-05-19 | 富士通株式会社 | 高誘電率薄膜の製造方法 |
US6181283B1 (en) * | 1994-08-01 | 2001-01-30 | Rangestar Wireless, Inc. | Selectively removable combination battery and antenna assembly for a telecommunication device |
US5504041A (en) | 1994-08-01 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials |
US5445906A (en) | 1994-08-03 | 1995-08-29 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method and system for constructing a rechargeable battery and battery structures formed with the method |
US5458995A (en) | 1994-08-12 | 1995-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Solid state electrochemical cell including lithium iodide as an electrolyte additive |
US5483613A (en) * | 1994-08-16 | 1996-01-09 | At&T Corp. | Optical device with substrate and waveguide structure having thermal matching interfaces |
US5909346A (en) | 1994-08-26 | 1999-06-01 | Aiwa Research & Development, Inc. | Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate |
US5498489A (en) | 1995-04-14 | 1996-03-12 | Dasgupta; Sankar | Rechargeable non-aqueous lithium battery having stacked electrochemical cells |
US5437692A (en) | 1994-11-02 | 1995-08-01 | Dasgupta; Sankar | Method for forming an electrode-electrolyte assembly |
JPH08148709A (ja) | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置 |
US7162392B2 (en) * | 1994-11-21 | 2007-01-09 | Phatrat Technology, Inc. | Sport performance systems for measuring athletic performance, and associated methods |
US6025094A (en) * | 1994-11-23 | 2000-02-15 | Polyplus Battery Company, Inc. | Protective coatings for negative electrodes |
CN1075243C (zh) | 1994-12-28 | 2001-11-21 | 松下电器产业株式会社 | 集成电路用电容元件及其制造方法 |
US6204111B1 (en) | 1994-12-28 | 2001-03-20 | Matsushita Electronics Corporation | Fabrication method of capacitor for integrated circuit |
US5555342A (en) | 1995-01-17 | 1996-09-10 | Lucent Technologies Inc. | Planar waveguide and a process for its fabrication |
US5607789A (en) | 1995-01-23 | 1997-03-04 | Duracell Inc. | Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same |
US5755831A (en) | 1995-02-22 | 1998-05-26 | Micron Communications, Inc. | Method of forming a button-type battery and a button-type battery with improved separator construction |
US6444750B1 (en) | 1995-03-06 | 2002-09-03 | Exxonmobil Oil Corp. | PVOH-based coating solutions |
JPH10509773A (ja) | 1995-04-25 | 1998-09-22 | ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド | 基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置及び方法 |
US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
EP0834594B1 (en) | 1995-05-18 | 2004-11-10 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for producing sputtering target |
US5645960A (en) | 1995-05-19 | 1997-07-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Thin film lithium polymer battery |
US5601952A (en) * | 1995-05-24 | 1997-02-11 | Dasgupta; Sankar | Lithium-Manganese oxide electrode for a rechargeable lithium battery |
US5758575A (en) | 1995-06-07 | 1998-06-02 | Bemis Company Inc. | Apparatus for printing an electrical circuit component with print cells in liquid communication |
US6265652B1 (en) | 1995-06-15 | 2001-07-24 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha | Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same |
KR100342189B1 (ko) | 1995-07-12 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법 |
US6118426A (en) | 1995-07-20 | 2000-09-12 | E Ink Corporation | Transducers and indicators having printed displays |
US6459418B1 (en) | 1995-07-20 | 2002-10-01 | E Ink Corporation | Displays combining active and non-active inks |
US6639578B1 (en) | 1995-07-20 | 2003-10-28 | E Ink Corporation | Flexible displays |
US5677784A (en) | 1995-07-24 | 1997-10-14 | Ellis D. Harris Sr. Family Trust | Array of pellicle optical gates |
EP0761838B1 (de) | 1995-08-18 | 2001-08-08 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
US5563979A (en) | 1995-08-31 | 1996-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Erbium-doped planar optical device |
US5582935A (en) | 1995-09-28 | 1996-12-10 | Dasgupta; Sankar | Composite electrode for a lithium battery |
US5689522A (en) | 1995-10-02 | 1997-11-18 | The Regents Of The University Of California | High efficiency 2 micrometer laser utilizing wing-pumped Tm3+ and a laser diode array end-pumping architecture |
US5716736A (en) | 1995-10-06 | 1998-02-10 | Midwest Research Institute | Solid lithium-ion electrolyte |
US5616933A (en) | 1995-10-16 | 1997-04-01 | Sony Corporation | Nitride encapsulated thin film transistor fabrication technique |
US5719976A (en) * | 1995-10-24 | 1998-02-17 | Lucent Technologies, Inc. | Optimized waveguide structure |
JP3298799B2 (ja) | 1995-11-22 | 2002-07-08 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド | クラッディングポンプファイバとその製造方法 |
US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US5644207A (en) | 1995-12-11 | 1997-07-01 | The Johns Hopkins University | Integrated power source |
US6608464B1 (en) | 1995-12-11 | 2003-08-19 | The Johns Hopkins University | Integrated power source layered with thin film rechargeable batteries, charger, and charge-control |
US5897522A (en) | 1995-12-20 | 1999-04-27 | Power Paper Ltd. | Flexible thin layer open electrochemical cell and applications of same |
US5955161A (en) | 1996-01-30 | 1999-09-21 | Becton Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
US5637418A (en) | 1996-02-08 | 1997-06-10 | Motorola, Inc. | Package for a flat electrochemical device |
US5721067A (en) * | 1996-02-22 | 1998-02-24 | Jacobs; James K. | Rechargeable lithium battery having improved reversible capacity |
US5845990A (en) | 1996-03-11 | 1998-12-08 | Hilite Systems, L.L.C. | High signal lights for automotive vehicles |
US5930584A (en) | 1996-04-10 | 1999-07-27 | United Microelectronics Corp. | Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films |
JPH1010675A (ja) | 1996-04-22 | 1998-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 記録材料 |
JP3346167B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2002-11-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜 |
EP0906374B1 (en) | 1996-06-12 | 2004-11-17 | Treofan Germany GmbH & Co.KG | Transparent barrier coatings exhibiting reduced thin film interference |
EP0814529A1 (fr) | 1996-06-19 | 1997-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Carte mince comprenant un accumulateur plat et des contacts |
US5948464A (en) | 1996-06-19 | 1999-09-07 | Imra America, Inc. | Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply |
US5731661A (en) | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
US5855744A (en) * | 1996-07-19 | 1999-01-05 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
JP3825843B2 (ja) | 1996-09-12 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
CA2267319A1 (en) | 1996-10-11 | 1998-04-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Polymer electrolyte, intercalation compounds and electrodes for batteries |
US6007945A (en) | 1996-10-15 | 1999-12-28 | Electrofuel Inc. | Negative electrode for a rechargeable lithium battery comprising a solid solution of titanium dioxide and tin dioxide |
JP3631341B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2005-03-23 | Tdk株式会社 | 積層型複合機能素子およびその製造方法 |
US5841931A (en) | 1996-11-26 | 1998-11-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby |
US5783333A (en) | 1996-11-27 | 1998-07-21 | Polystor Corporation | Lithium nickel cobalt oxides for positive electrodes |
CA2242993C (en) | 1996-12-11 | 2008-09-09 | Tonen Chemical Corporation | Thin film of non-protonic electrolyte, electrolyte-immobilized liquid-film conductor and polymer battery |
US6144795A (en) * | 1996-12-13 | 2000-11-07 | Corning Incorporated | Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device |
US5842118A (en) * | 1996-12-18 | 1998-11-24 | Micron Communications, Inc. | Communication system including diversity antenna queuing |
US6289209B1 (en) | 1996-12-18 | 2001-09-11 | Micron Technology, Inc. | Wireless communication system, radio frequency communications system, wireless communications method, radio frequency communications method |
JPH10195649A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Sony Corp | マグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法 |
US5705293A (en) * | 1997-01-09 | 1998-01-06 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Solid state thin film battery having a high temperature lithium alloy anode |
US5882812A (en) | 1997-01-14 | 1999-03-16 | Polyplus Battery Company, Inc. | Overcharge protection systems for rechargeable batteries |
US5790489A (en) | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Dell Usa, L.P. | Smart compact disk including a processor and a transmission element |
JP4104187B2 (ja) | 1997-02-06 | 2008-06-18 | 株式会社クレハ | 二次電池電極用炭素質材料 |
US5944964A (en) | 1997-02-13 | 1999-08-31 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings |
JPH10229201A (ja) | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP3345878B2 (ja) | 1997-02-17 | 2002-11-18 | 株式会社デンソー | 電子回路装置の製造方法 |
US5847865A (en) | 1997-02-18 | 1998-12-08 | Regents Of The University Of Minnesota | Waveguide optical amplifier |
US5970393A (en) | 1997-02-25 | 1999-10-19 | Polytechnic University | Integrated micro-strip antenna apparatus and a system utilizing the same for wireless communications for sensing and actuation purposes |
JP3767151B2 (ja) | 1997-02-26 | 2006-04-19 | ソニー株式会社 | 薄型電池 |
JPH10302843A (ja) | 1997-02-28 | 1998-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電池用接着剤及びそれを用いた電池とその製造法 |
JP3098204B2 (ja) | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
JPH10265948A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用基板およびその製法 |
ATE199196T1 (de) | 1997-03-27 | 2001-02-15 | Tno | Erbiumdotierter planarer wellenleiter |
US6106933A (en) | 1997-04-03 | 2000-08-22 | Toray Industries, Inc. | Transparent gas barrier biaxially oriented polypropylene film, a laminate film, and a production method thereof |
US6242132B1 (en) | 1997-04-16 | 2001-06-05 | Ut-Battelle, Llc | Silicon-tin oxynitride glassy composition and use as anode for lithium-ion battery |
US5948215A (en) | 1997-04-21 | 1999-09-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for ionized sputtering |
DE69802134T2 (de) * | 1997-04-23 | 2002-03-07 | Hydro-Quebec, Montreal | Dünnschicht Feststoff Lithiumzellen und Verfahren zur Herstellung |
US6422698B2 (en) | 1997-04-28 | 2002-07-23 | Binney & Smith Inc. | Ink jet marker |
US6394598B1 (en) | 1997-04-28 | 2002-05-28 | Binney & Smith Inc. | Ink jet marker |
US6329213B1 (en) | 1997-05-01 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming integrated circuits within substrates |
US5882721A (en) | 1997-05-01 | 1999-03-16 | Imra America Inc | Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply |
JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4326041B2 (ja) | 1997-05-15 | 2009-09-02 | エフエムシー・コーポレイション | ドープされた層間化合物およびその作製方法 |
US5895731A (en) | 1997-05-15 | 1999-04-20 | Nelson E. Smith | Thin-film lithium battery and process |
US5830330A (en) | 1997-05-22 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for low pressure sputtering |
US5977582A (en) | 1997-05-23 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric |
US6000603A (en) | 1997-05-23 | 1999-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Patterned array of metal balls and methods of making |
US6316563B2 (en) | 1997-05-27 | 2001-11-13 | Showa Denko K.K. | Thermopolymerizable composition and use thereof |
US6077106A (en) | 1997-06-05 | 2000-06-20 | Micron Communications, Inc. | Thin profile battery mounting contact for printed circuit boards |
US5865860A (en) * | 1997-06-20 | 1999-02-02 | Imra America, Inc. | Process for filling electrochemical cells with electrolyte |
US20010055719A1 (en) | 1997-06-20 | 2001-12-27 | Hiroyuki Akashi | Cell |
US6051114A (en) | 1997-06-23 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition |
US5831262A (en) | 1997-06-27 | 1998-11-03 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device |
JP3813740B2 (ja) | 1997-07-11 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 電子デバイス用基板 |
US5982144A (en) | 1997-07-14 | 1999-11-09 | Johnson Research & Development Company, Inc. | Rechargeable battery power supply overcharge protection circuit |
JP3335884B2 (ja) | 1997-07-16 | 2002-10-21 | 株式会社荏原製作所 | 腐食・防食解析方法 |
US5973913A (en) | 1997-08-12 | 1999-10-26 | Covalent Associates, Inc. | Nonaqueous electrical storage device |
KR100250855B1 (ko) | 1997-08-28 | 2000-04-01 | 손욱 | 하이브리드 폴리머 전해질, 그 제조 방법 및 이를 사용하여제조한 리튬 전지 |
US6252564B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-06-26 | E Ink Corporation | Tiled displays |
JPH11111273A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-23 | Furukawa Battery Co Ltd:The | リチウム二次電池用極板の製造法及びリチウム二次電池 |
EP0964461B1 (en) | 1997-10-07 | 2007-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary cell |
US5916704A (en) | 1997-10-10 | 1999-06-29 | Ultralife Batteries | Low pressure battery vent |
WO1999019900A2 (en) | 1997-10-14 | 1999-04-22 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
US6094292A (en) | 1997-10-15 | 2000-07-25 | Trustees Of Tufts College | Electrochromic window with high reflectivity modulation |
US6982132B1 (en) * | 1997-10-15 | 2006-01-03 | Trustees Of Tufts College | Rechargeable thin film battery and method for making the same |
US6084285A (en) * | 1997-10-20 | 2000-07-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lateral flux capacitor having fractal-shaped perimeters |
US5985484A (en) | 1997-10-20 | 1999-11-16 | Amtek Research International Llc | Battery separation |
ATE223091T1 (de) | 1997-10-22 | 2002-09-15 | Cambridge Consultants | Tragbare chipkarte |
US5948562A (en) | 1997-11-03 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Energy storage device |
US6041734A (en) | 1997-12-01 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing |
US6052397A (en) | 1997-12-05 | 2000-04-18 | Sdl, Inc. | Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam |
US6120890A (en) | 1997-12-12 | 2000-09-19 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration |
US5976327A (en) | 1997-12-12 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation |
US6042965A (en) | 1997-12-12 | 2000-03-28 | Johnson Research & Development Company, Inc. | Unitary separator and electrode structure and method of manufacturing separator |
US6045942A (en) | 1997-12-15 | 2000-04-04 | Avery Dennison Corporation | Low profile battery and method of making same |
US6019284A (en) | 1998-01-27 | 2000-02-01 | Viztec Inc. | Flexible chip card with display |
US6137671A (en) | 1998-01-29 | 2000-10-24 | Energenius, Inc. | Embedded energy storage device |
JP3523197B2 (ja) | 1998-02-12 | 2004-04-26 | エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
US6402795B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-06-11 | Polyplus Battery Company, Inc. | Plating metal negative electrodes under protective coatings |
US6753108B1 (en) | 1998-02-24 | 2004-06-22 | Superior Micropowders, Llc | Energy devices and methods for the fabrication of energy devices |
US6223317B1 (en) | 1998-02-28 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Bit synchronizers and methods of synchronizing and calculating error |
US6080508A (en) | 1998-03-06 | 2000-06-27 | Electrofuel Inc. | Packaging assembly for a lithium battery |
US6610440B1 (en) | 1998-03-10 | 2003-08-26 | Bipolar Technologies, Inc | Microscopic batteries for MEMS systems |
US6004660A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Oxygen barrier composite film structure |
US5889383A (en) | 1998-04-03 | 1999-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for charging batteries with ambient acoustic energy |
GB9808061D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
US6563998B1 (en) | 1999-04-15 | 2003-05-13 | John Farah | Polished polymide substrate |
US6753114B2 (en) | 1998-04-20 | 2004-06-22 | Electrovaya Inc. | Composite electrolyte for a rechargeable lithium battery |
US6175075B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module excelling in reliability |
US6169474B1 (en) * | 1998-04-23 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system |
US6324211B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Interrogators communication systems communication methods and methods of processing a communication signal |
US6459726B1 (en) | 1998-04-24 | 2002-10-01 | Micron Technology, Inc. | Backscatter interrogators, communication systems and backscatter communication methods |
US6905578B1 (en) | 1998-04-27 | 2005-06-14 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure |
US6214061B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-04-10 | Polyplus Battery Company, Inc. | Method for forming encapsulated lithium electrodes having glass protective layers |
US6420961B1 (en) | 1998-05-14 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Wireless communication systems, interfacing devices, communication methods, methods of interfacing with an interrogator, and methods of operating an interrogator |
US6075973A (en) | 1998-05-18 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system |
US6115616A (en) | 1998-05-28 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Hand held telephone set with separable keyboard |
JP3126698B2 (ja) | 1998-06-02 | 2001-01-22 | 富士通株式会社 | スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
US6093944A (en) | 1998-06-04 | 2000-07-25 | Lucent Technologies Inc. | Dielectric materials of amorphous compositions of TI-O2 doped with rare earth elements and devices employing same |
US7854684B1 (en) * | 1998-06-24 | 2010-12-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wearable device |
KR100287176B1 (ko) | 1998-06-25 | 2001-04-16 | 윤종용 | 고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법 |
US6058233A (en) | 1998-06-30 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Waveguide array with improved efficiency for wavelength routers and star couplers in integrated optics |
GB9814123D0 (en) | 1998-07-01 | 1998-08-26 | British Gas Plc | Electrochemical fuel cell |
EP0969521A1 (de) | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft | Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
DE19831719A1 (de) | 1998-07-15 | 2000-01-20 | Alcatel Sa | Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur |
US6358810B1 (en) | 1998-07-28 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes |
US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
US6579728B2 (en) | 1998-08-03 | 2003-06-17 | Privicom, Inc. | Fabrication of a high resolution, low profile credit card reader and card reader for transmission of data by sound |
US6129277A (en) | 1998-08-03 | 2000-10-10 | Privicon, Inc. | Card reader for transmission of data by sound |
US6160373A (en) | 1998-08-10 | 2000-12-12 | Dunn; James P. | Battery operated cableless external starting device and methods |
KR100305903B1 (ko) | 1998-08-21 | 2001-12-17 | 박호군 | 수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법 |
JP2000067852A (ja) | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Pioneer Electronic Corp | リチウム二次電池 |
JP3386756B2 (ja) | 1998-08-31 | 2003-03-17 | 松下電池工業株式会社 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
US6210832B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-04-03 | Polyplus Battery Company, Inc. | Mixed ionic electronic conductor coatings for redox electrodes |
US6192222B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Backscatter communication systems, interrogators, methods of communicating in a backscatter system, and backscatter communication methods |
JP4014737B2 (ja) | 1998-09-17 | 2007-11-28 | 昭和電工株式会社 | 熱重合性組成物及びその用途 |
US6236793B1 (en) | 1998-09-23 | 2001-05-22 | Molecular Optoelectronics Corporation | Optical channel waveguide amplifier |
US6159635A (en) | 1998-09-29 | 2000-12-12 | Electrofuel Inc. | Composite electrode including current collector |
US7323634B2 (en) * | 1998-10-14 | 2008-01-29 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
KR100282487B1 (ko) | 1998-10-19 | 2001-02-15 | 윤종용 | 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US6605228B1 (en) | 1998-10-19 | 2003-08-12 | Nhk Spring Co., Ltd. | Method for fabricating planar optical waveguide devices |
JP4126711B2 (ja) | 1998-10-23 | 2008-07-30 | ソニー株式会社 | 非水電解質電池 |
JP3830008B2 (ja) | 1998-10-30 | 2006-10-04 | ソニー株式会社 | 非水電解質電池 |
US6157765A (en) | 1998-11-03 | 2000-12-05 | Lucent Technologies | Planar waveguide optical amplifier |
KR100280705B1 (ko) | 1998-11-05 | 2001-03-02 | 김순택 | 리튬 이온 폴리머 전지용 전극 활물질 조성물 및 이를 이용한리튬 이온 폴리머 전지용 전극판의 제조방법 |
CN1330019C (zh) | 1998-11-06 | 2007-08-01 | 株式会社杰士汤浅 | 非水二次电解质电池 |
EP1001666B1 (en) | 1998-11-09 | 2006-07-12 | Ballard Power Systems Inc. | Electrical contacting device for an electrochemical fuel cell |
US6384573B1 (en) | 1998-11-12 | 2002-05-07 | James Dunn | Compact lightweight auxiliary multifunctional reserve battery engine starting system (and methods) |
US6117279A (en) | 1998-11-12 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition |
CA2319460C (en) | 1998-12-03 | 2010-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lithium storage battery |
WO2000036665A1 (en) | 1998-12-16 | 2000-06-22 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
JP2000188099A (ja) | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型電池の製造方法 |
US6599662B1 (en) | 1999-01-08 | 2003-07-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Electroactive material for secondary batteries and methods of preparation |
GB9900396D0 (en) | 1999-01-08 | 1999-02-24 | Danionics As | Arrangements of electrochemical cells |
JP4074418B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-04-09 | 三菱化学株式会社 | 薄膜型リチウム二次電池 |
US6379835B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-04-30 | Morgan Adhesives Company | Method of making a thin film battery |
US6290822B1 (en) | 1999-01-26 | 2001-09-18 | Agere Systems Guardian Corp. | Sputtering method for forming dielectric films |
US6302939B1 (en) | 1999-02-01 | 2001-10-16 | Magnequench International, Inc. | Rare earth permanent magnet and method for making same |
US6306265B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave |
DE60044384D1 (de) | 1999-02-25 | 2010-06-24 | Kaneka Corp | Photoelektrische Dünnschicht-Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Abscheidung durch Zerstäubung |
US6210544B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic film forming method |
US6603391B1 (en) | 1999-03-09 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator |
US6356764B1 (en) | 1999-03-09 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system |
EP1037293B1 (en) | 1999-03-16 | 2007-05-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Non-aqueous electrolyte and lithium secondary battery using the same |
US6277520B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-08-21 | Ntk Powerdex, Inc. | Thin lithium battery with slurry cathode |
US6280875B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-08-28 | Teledyne Technologies Incorporated | Rechargeable battery structure with metal substrate |
ATE240589T1 (de) | 1999-03-25 | 2003-05-15 | Kaneka Corp | Verfahren zum herstellen von dünnschicht- solarzellen-modulen |
US6160215A (en) | 1999-03-26 | 2000-12-12 | Curtin; Lawrence F. | Method of making photovoltaic device |
US6148503A (en) | 1999-03-31 | 2000-11-21 | Imra America, Inc. | Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply |
US6242129B1 (en) | 1999-04-02 | 2001-06-05 | Excellatron Solid State, Llc | Thin lithium film battery |
US6398824B1 (en) | 1999-04-02 | 2002-06-04 | Excellatron Solid State, Llc | Method for manufacturing a thin-film lithium battery by direct deposition of battery components on opposite sides of a current collector |
US6168884B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-01-02 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Battery with an in-situ activation plated lithium anode |
US6855441B1 (en) | 1999-04-14 | 2005-02-15 | Power Paper Ltd. | Functionally improved battery and method of making same |
CA2366540A1 (en) | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Baruch Levanon | Functionally improved battery and method of making same |
US6416598B1 (en) | 1999-04-20 | 2002-07-09 | Reynolds Metals Company | Free machining aluminum alloy with high melting point machining constituent and method of use |
KR100296741B1 (ko) | 1999-05-11 | 2001-07-12 | 박호군 | 트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법 |
US6281142B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Dielectric cure for reducing oxygen vacancies |
JP3736205B2 (ja) | 1999-06-04 | 2006-01-18 | 三菱電機株式会社 | バッテリ蓄電装置 |
US6046081A (en) | 1999-06-10 | 2000-04-04 | United Microelectronics Corp. | Method for forming dielectric layer of capacitor |
US6133670A (en) | 1999-06-24 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Compact electrostatic comb actuator |
US6413676B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-07-02 | Lithium Power Technologies, Inc. | Lithium ion polymer electrolytes |
JP2001021744A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光導波路基板の製造方法 |
JP2001020065A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料 |
JP2001025666A (ja) | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 積層体およびその製造方法 |
US6290821B1 (en) | 1999-07-15 | 2001-09-18 | Seagate Technology Llc | Sputter deposition utilizing pulsed cathode and substrate bias power |
KR100456647B1 (ko) * | 1999-08-05 | 2004-11-10 | 에스케이씨 주식회사 | 리튬 이온 폴리머 전지 |
US6249222B1 (en) | 1999-08-17 | 2001-06-19 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for generating color based alerting signals |
US6344795B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-02-05 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for generating temperature based alerting signals |
US6356230B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of monitoring movement of a radio frequency identification device, methods of monitoring movement of a remote communication device and movement monitoring methods |
US6414626B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of operating a wireless communication system, and methods of determining range of a remote communication device |
US6664006B1 (en) | 1999-09-02 | 2003-12-16 | Lithium Power Technologies, Inc. | All-solid-state electrochemical device and method of manufacturing |
US6537428B1 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Veeco Instruments, Inc. | Stable high rate reactive sputtering |
US6645675B1 (en) | 1999-09-02 | 2003-11-11 | Lithium Power Technologies, Inc. | Solid polymer electrolytes |
US6392565B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-21 | Eworldtrack, Inc. | Automobile tracking and anti-theft system |
US6528212B1 (en) | 1999-09-13 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Lithium battery |
US6344366B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-02-05 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing |
US6296949B1 (en) | 1999-09-16 | 2001-10-02 | Ga-Tek Inc. | Copper coated polyimide with metallic protective layer |
JP4240679B2 (ja) | 1999-09-21 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
US6296967B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-10-02 | Electrofuel Inc. | Lithium battery structure incorporating lithium pouch cells |
TW457767B (en) * | 1999-09-27 | 2001-10-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo response semiconductor switch having short circuit load protection |
US6368275B1 (en) | 1999-10-07 | 2002-04-09 | Acuson Corporation | Method and apparatus for diagnostic medical information gathering, hyperthermia treatment, or directed gene therapy |
DE19948839A1 (de) | 1999-10-11 | 2001-04-12 | Bps Alzenau Gmbh | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6500287B1 (en) | 1999-10-14 | 2002-12-31 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Color-modifying treatment of thin films |
US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
US6623861B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-09-23 | Battelle Memorial Institute | Multilayer plastic substrates |
US20070196682A1 (en) | 1999-10-25 | 2007-08-23 | Visser Robert J | Three dimensional multilayer barrier and method of making |
US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
US6413284B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-07-02 | Polyplus Battery Company | Encapsulated lithium alloy electrodes having barrier layers |
US6413285B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-07-02 | Polyplus Battery Company | Layered arrangements of lithium electrodes |
US6271793B1 (en) | 1999-11-05 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Radio frequency (RF) transponder (Tag) with composite antenna |
EP1183750A2 (en) | 1999-11-11 | 2002-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lithium battery comprising a gel-eletrolyte |
JP3999424B2 (ja) | 1999-11-16 | 2007-10-31 | ローム株式会社 | 端子基板、端子基板を備えた電池パック、および端子基板の製造方法 |
US6797428B1 (en) | 1999-11-23 | 2004-09-28 | Moltech Corporation | Lithium anodes for electrochemical cells |
US6733924B1 (en) | 1999-11-23 | 2004-05-11 | Moltech Corporation | Lithium anodes for electrochemical cells |
US6511516B1 (en) * | 2000-02-23 | 2003-01-28 | Johnson Research & Development Co., Inc. | Method and apparatus for producing lithium based cathodes |
US7247408B2 (en) * | 1999-11-23 | 2007-07-24 | Sion Power Corporation | Lithium anodes for electrochemical cells |
US6582481B1 (en) | 1999-11-23 | 2003-06-24 | Johnson Research & Development Company, Inc. | Method of producing lithium base cathodes |
US6350353B2 (en) * | 1999-11-24 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage |
US6426863B1 (en) | 1999-11-25 | 2002-07-30 | Lithium Power Technologies, Inc. | Electrochemical capacitor |
US6294288B1 (en) | 1999-12-01 | 2001-09-25 | Valence Technology, Inc. | Battery cell having notched layers |
CA2389347A1 (en) | 1999-12-02 | 2001-06-07 | Tony C. Kowalczyk | Photodefinition of optical devices |
US6344419B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-05 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement |
JP3611765B2 (ja) | 1999-12-09 | 2005-01-19 | シャープ株式会社 | 二次電池及びそれを用いた電子機器 |
JP2001176464A (ja) | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非水電解質電池 |
US6426163B1 (en) | 1999-12-21 | 2002-07-30 | Alcatel | Electrochemical cell |
US6576546B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications |
US6534809B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks |
CN1307376A (zh) | 2000-01-27 | 2001-08-08 | 钟馨稼 | 一种可反复充放电的铬氟锂固体动力电池 |
US6372383B1 (en) | 2000-01-31 | 2002-04-16 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for preparing electrodes for Ni/Metal hydride secondary cells using Cu |
US6627056B2 (en) | 2000-02-16 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ionized plasma deposition |
TW523615B (en) | 2000-02-17 | 2003-03-11 | L3 Optics Inc | Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component |
WO2001061657A1 (en) | 2000-02-18 | 2001-08-23 | Cypak Ab | Method and device for identification and authentication |
EP1259992B1 (en) | 2000-02-23 | 2011-10-05 | SRI International | Biologically powered electroactive polymer generators |
TW584905B (en) | 2000-02-25 | 2004-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for depositing films |
US6410471B2 (en) | 2000-03-07 | 2002-06-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparation of sintered body of rare earth oxide |
EE200200509A (et) * | 2000-03-09 | 2004-04-15 | ISOVOLTA �sterreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft | Meetod õhukesekihilise fotogalvaanilise mooduli valmistamiseks |
JP2001259494A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-25 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 薄膜形成方法 |
WO2001073957A2 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Cymbet Corporation | Battery-operated wireless-communication apparatus and method |
US6387563B1 (en) | 2000-03-28 | 2002-05-14 | Johnson Research & Development, Inc. | Method of producing a thin film battery having a protective packaging |
JP4106644B2 (ja) | 2000-04-04 | 2008-06-25 | ソニー株式会社 | 電池およびその製造方法 |
US6423106B1 (en) | 2000-04-05 | 2002-07-23 | Johnson Research & Development | Method of producing a thin film battery anode |
US6709778B2 (en) | 2000-04-10 | 2004-03-23 | Johnson Electro Mechanical Systems, Llc | Electrochemical conversion system |
GB2361244B (en) | 2000-04-14 | 2004-02-11 | Trikon Holdings Ltd | A method of depositing dielectric |
US6365319B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-04-02 | Eastman Kodak Company | Self-contained imaging media comprising opaque laminated support |
US20010052752A1 (en) | 2000-04-25 | 2001-12-20 | Ghosh Amalkumar P. | Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices |
KR100341407B1 (ko) | 2000-05-01 | 2002-06-22 | 윤덕용 | 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법 |
US6433465B1 (en) | 2000-05-02 | 2002-08-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Energy-harvesting device using electrostrictive polymers |
US6423776B1 (en) | 2000-05-02 | 2002-07-23 | Honeywell International Inc. | Oxygen scavenging high barrier polyamide compositions for packaging applications |
US6261917B1 (en) | 2000-05-09 | 2001-07-17 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | High-K MOM capacitor |
US6760520B1 (en) | 2000-05-09 | 2004-07-06 | Teralux Corporation | System and method for passively aligning and coupling optical devices |
US6384473B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
JP4432206B2 (ja) | 2000-05-18 | 2010-03-17 | 株式会社ブリヂストン | 積層膜の形成方法 |
US6436156B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-08-20 | The Gillette Company | Zinc/air cell |
EP1160900A3 (en) * | 2000-05-26 | 2007-12-12 | Kabushiki Kaisha Riken | Embossed current collector separator for electrochemical fuel cell |
US6284406B1 (en) | 2000-06-09 | 2001-09-04 | Ntk Powerdex, Inc. | IC card with thin battery |
US6524750B1 (en) * | 2000-06-17 | 2003-02-25 | Eveready Battery Company, Inc. | Doped titanium oxide additives |
US6432577B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-08-13 | Sandia Corporation | Apparatus and method for fabricating a microbattery |
JP2002026173A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ic装置、基板、およびic組付基板 |
US20040247921A1 (en) | 2000-07-18 | 2004-12-09 | Dodsworth Robert S. | Etched dielectric film in hard disk drives |
US6524466B1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-02-25 | Applied Semiconductor, Inc. | Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures |
JP3608507B2 (ja) | 2000-07-19 | 2005-01-12 | 住友電気工業株式会社 | アルカリ金属薄膜部材の製造方法 |
KR100336407B1 (ko) | 2000-07-19 | 2002-05-10 | 박호군 | 박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟제조방법 |
US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
US6402796B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-06-11 | Excellatron Solid State, Llc | Method of producing a thin film battery |
EP1342395A2 (en) | 2000-08-15 | 2003-09-10 | WORLD PROPERTIES, INC, an Illinois Corporation | Multi-layer circuits and methods of manufacture thereof |
US6572173B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-06-03 | Mueller Hermann-Frank | Sun shield for vehicles |
KR100387121B1 (ko) | 2000-08-31 | 2003-06-12 | 주식회사 애니셀 | 수직 방향으로 집적된 다층 박막전지 및 그의 제조방법 |
US6866963B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-03-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Cathode active material and lithium battery employing the same |
US6632563B1 (en) | 2000-09-07 | 2003-10-14 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and method of manufacture |
US7056620B2 (en) | 2000-09-07 | 2006-06-06 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and method of manufacture |
EP1364424A2 (de) | 2000-09-14 | 2003-11-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrochemisch aktivierbare schicht oder folie |
US6628876B1 (en) | 2000-09-15 | 2003-09-30 | Triquint Technology Holding Co. | Method for making a planar waveguide |
TW448318B (en) | 2000-09-18 | 2001-08-01 | Nat Science Council | Erbium, Yttrium co-doped Titanium oxide thin film material for planar optical waveguide amplifier |
DE10165080B4 (de) * | 2000-09-20 | 2015-05-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit |
US6637916B2 (en) | 2000-10-05 | 2003-10-28 | Muellner Hermann-Frank | Lamp for vehicles |
US6660660B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
JP4532713B2 (ja) | 2000-10-11 | 2010-08-25 | 東洋鋼鈑株式会社 | 多層金属積層フィルム及びその製造方法 |
KR100389655B1 (ko) | 2000-10-14 | 2003-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 우수한 사이클링 안정성과 높은 이온 전도도를 갖는리튬-이온 이차 박막 전지 |
US6622049B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-09-16 | Remon Medical Technologies Ltd. | Miniature implantable illuminator for photodynamic therapy |
US6488822B1 (en) | 2000-10-20 | 2002-12-03 | Veecoleve, Inc. | Segmented-target ionized physical-vapor deposition apparatus and method of operation |
US6525976B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-02-25 | Excellatron Solid State, Llc | Systems and methods for reducing noise in mixed-mode integrated circuits |
US6863699B1 (en) | 2000-11-03 | 2005-03-08 | Front Edge Technology, Inc. | Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material |
US6413382B1 (en) | 2000-11-03 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Pulsed sputtering with a small rotating magnetron |
JP3812324B2 (ja) | 2000-11-06 | 2006-08-23 | 日本電気株式会社 | リチウム二次電池とその製造方法 |
US6494999B1 (en) | 2000-11-09 | 2002-12-17 | Honeywell International Inc. | Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode |
DE60129196T2 (de) | 2000-11-18 | 2007-10-11 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Dünnschicht Anode für Lithium enthaltende Sekundärbatterie |
KR100389908B1 (ko) | 2000-11-18 | 2003-07-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 2차 전지용 음극 박막 |
US20020106297A1 (en) | 2000-12-01 | 2002-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-base target and method of producing the same |
NL1016779C2 (nl) * | 2000-12-02 | 2002-06-04 | Cornelis Johannes Maria V Rijn | Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs. |
JP4461656B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子 |
US20020071989A1 (en) | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Verma Surrenda K. | Packaging systems and methods for thin film solid state batteries |
US20020091929A1 (en) | 2000-12-19 | 2002-07-11 | Jakob Ehrensvard | Secure digital signing of data |
US6444336B1 (en) | 2000-12-21 | 2002-09-03 | The Regents Of The University Of California | Thin film dielectric composite materials |
AU2002241654A1 (en) | 2000-12-21 | 2002-07-01 | Moltech Corporation | Lithium anodes for electrochemical cells |
US6620545B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-09-16 | Visteon Global Technologies, Inc. | ETM based battery |
US6650000B2 (en) | 2001-01-16 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit |
US6533907B2 (en) | 2001-01-19 | 2003-03-18 | Symmorphix, Inc. | Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications |
US6673716B1 (en) * | 2001-01-30 | 2004-01-06 | Novellus Systems, Inc. | Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques |
US6558836B1 (en) | 2001-02-08 | 2003-05-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Structure of thin-film lithium microbatteries |
US6589299B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electrode |
US20020139662A1 (en) | 2001-02-21 | 2002-10-03 | Lee Brent W. | Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process |
US20020164441A1 (en) | 2001-03-01 | 2002-11-07 | The University Of Chicago | Packaging for primary and secondary batteries |
US7048400B2 (en) | 2001-03-22 | 2006-05-23 | Lumimove, Inc. | Integrated illumination system |
US7164206B2 (en) | 2001-03-28 | 2007-01-16 | Intel Corporation | Structure in a microelectronic device including a bi-layer for a diffusion barrier and an etch-stop layer |
US6797137B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
US7914755B2 (en) | 2001-04-12 | 2011-03-29 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders using chelate precursors |
US7033406B2 (en) | 2001-04-12 | 2006-04-25 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
US7595109B2 (en) | 2001-04-12 | 2009-09-29 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
US6677070B2 (en) | 2001-04-19 | 2004-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same |
US6782290B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-08-24 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device with rechargeable thin-film microbattery power source |
US7744735B2 (en) | 2001-05-04 | 2010-06-29 | Tokyo Electron Limited | Ionized PVD with sequential deposition and etching |
US6743488B2 (en) * | 2001-05-09 | 2004-06-01 | Cpfilms Inc. | Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide |
JP2002344115A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜方法及びプリント基板の製造方法 |
US6650942B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-11-18 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device with dual cell power source |
US6517968B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-02-11 | Excellatron Solid State, Llc | Thin lithium film battery |
US6752842B2 (en) | 2001-06-18 | 2004-06-22 | Power Paper Ltd. | Manufacture of flexible thin layer electrochemical cell |
JP3737389B2 (ja) | 2001-06-19 | 2006-01-18 | 京セラ株式会社 | バッテリー |
JP3929839B2 (ja) | 2001-06-28 | 2007-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 電池及び電池パック |
US6768855B1 (en) | 2001-07-05 | 2004-07-27 | Sandia Corporation | Vertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom |
US7469558B2 (en) | 2001-07-10 | 2008-12-30 | Springworks, Llc | As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture |
US20030029715A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
US6758404B2 (en) * | 2001-08-03 | 2004-07-06 | General Instrument Corporation | Media cipher smart card |
US7335441B2 (en) | 2001-08-20 | 2008-02-26 | Power Paper Ltd. | Thin layer electrochemical cell with self-formed separator |
US7022431B2 (en) * | 2001-08-20 | 2006-04-04 | Power Paper Ltd. | Thin layer electrochemical cell with self-formed separator |
US6500676B1 (en) | 2001-08-20 | 2002-12-31 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for depositing magnetic films |
DE60228599D1 (de) * | 2001-08-24 | 2008-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Maskeneinrichtung zur bildung mehrerer seiten für die vakuumablagerung |
KR100382767B1 (ko) * | 2001-08-25 | 2003-05-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법 |
EP1422727A4 (en) | 2001-08-28 | 2009-01-21 | Tdk Corp | COMPOSITION FOR THIN FILM CAPACITIVE DEVICE, HIGH DIELECTRIC CONSTANT INSULATION LAYER, THIN FILM CAPACITIVE DEVICE, AND THIN FILM MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR |
JP4249616B2 (ja) | 2001-09-03 | 2009-04-02 | パナソニック株式会社 | 電気化学素子の製造方法 |
US7118825B2 (en) | 2001-09-05 | 2006-10-10 | Omnitek Partners Llc | Conformal power supplies |
US6637906B2 (en) | 2001-09-11 | 2003-10-28 | Recot, Inc. | Electroluminescent flexible film for product packaging |
WO2003022564A1 (en) | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Itn Energy Systems, Inc. | Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration |
TW560102B (en) | 2001-09-12 | 2003-11-01 | Itn Energy Systems Inc | Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design |
US6838209B2 (en) * | 2001-09-21 | 2005-01-04 | Eveready Battery Company, Inc. | Flexible thin battery and method of manufacturing same |
US7115516B2 (en) | 2001-10-09 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a material layer |
JP2003124491A (ja) | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
JP4015835B2 (ja) | 2001-10-17 | 2007-11-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6666982B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-23 | Tokyo Electron Limited | Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation |
FR2831318B1 (fr) | 2001-10-22 | 2006-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces |
US6750156B2 (en) | 2001-10-24 | 2004-06-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate |
KR100424637B1 (ko) | 2001-10-25 | 2004-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 박막 전극 및 그 제조방법 |
US7404877B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-07-29 | Springworks, Llc | Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD |
US6805999B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-10-19 | Midwest Research Institute | Buried anode lithium thin film battery and process for forming the same |
KR100425585B1 (ko) | 2001-11-22 | 2004-04-06 | 한국전자통신연구원 | 가교 고분자 보호박막을 갖춘 리튬 고분자 이차 전지 및그 제조 방법 |
US20030097858A1 (en) | 2001-11-26 | 2003-05-29 | Christof Strohhofer | Silver sensitized erbium ion doped planar waveguide amplifier |
US6830846B2 (en) | 2001-11-29 | 2004-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Discontinuous cathode sheet halfcell web |
US20030109903A1 (en) | 2001-12-12 | 2003-06-12 | Epic Biosonics Inc. | Low profile subcutaneous enclosure |
US6683749B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-01-27 | Storage Technology Corporation | Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width |
US6737789B2 (en) | 2002-01-18 | 2004-05-18 | Leon J. Radziemski | Force activated, piezoelectric, electricity generation, storage, conditioning and supply apparatus and methods |
US20040081415A1 (en) | 2002-01-22 | 2004-04-29 | Demaray Richard E. | Planar optical waveguide amplifier with mode size converter |
US20030143853A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Celii Francis G. | FeRAM capacitor stack etch |
US20030152829A1 (en) | 2002-02-12 | 2003-08-14 | Ji-Guang Zhang | Thin lithium film battery |
JP3565207B2 (ja) | 2002-02-27 | 2004-09-15 | 日産自動車株式会社 | 電池パック |
US6713987B2 (en) | 2002-02-28 | 2004-03-30 | Front Edge Technology, Inc. | Rechargeable battery having permeable anode current collector |
US7081693B2 (en) | 2002-03-07 | 2006-07-25 | Microstrain, Inc. | Energy harvesting for wireless sensor operation and data transmission |
US20030175142A1 (en) | 2002-03-16 | 2003-09-18 | Vassiliki Milonopoulou | Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications |
US20030174391A1 (en) | 2002-03-16 | 2003-09-18 | Tao Pan | Gain flattened optical amplifier |
US6884327B2 (en) | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
US7378356B2 (en) | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
US6885028B2 (en) | 2002-03-25 | 2005-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transistor array and active-matrix substrate |
TWI283031B (en) | 2002-03-25 | 2007-06-21 | Epistar Corp | Method for integrating compound semiconductor with substrate of high thermal conductivity |
US6792026B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-09-14 | Joseph Reid Henrichs | Folded cavity solid-state laser |
JP2003282142A (ja) | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜積層体、薄膜電池、コンデンサ、及び薄膜積層体の製造方法と製造装置 |
KR100454092B1 (ko) | 2002-04-29 | 2004-10-26 | 광주과학기술원 | 급속 열처리법을 이용한 박막전지용 양극박막의 제조방법 |
DE10318187B4 (de) | 2002-05-02 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verkapselungsverfahren für organische Leuchtdiodenbauelemente |
US6949389B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for organic light emitting diodes devices |
JP4043296B2 (ja) | 2002-06-13 | 2008-02-06 | 松下電器産業株式会社 | 全固体電池 |
US6700491B2 (en) | 2002-06-14 | 2004-03-02 | Sensormatic Electronics Corporation | Radio frequency identification tag with thin-film battery for antenna |
US6780208B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making printed battery structures |
US6818356B1 (en) | 2002-07-09 | 2004-11-16 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Thin film battery and electrolyte therefor |
US7410730B2 (en) | 2002-07-09 | 2008-08-12 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Thin film battery and electrolyte therefor |
US7362659B2 (en) * | 2002-07-11 | 2008-04-22 | Action Manufacturing Company | Low current microcontroller circuit |
US6835493B2 (en) | 2002-07-26 | 2004-12-28 | Excellatron Solid State, Llc | Thin film battery |
US6770176B2 (en) | 2002-08-02 | 2004-08-03 | Itn Energy Systems. Inc. | Apparatus and method for fracture absorption layer |
JP2004071305A (ja) | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Hitachi Maxell Ltd | 非水電解質二次電池 |
JP3729164B2 (ja) | 2002-08-05 | 2005-12-21 | 日産自動車株式会社 | 自動車用電池 |
US6916679B2 (en) | 2002-08-09 | 2005-07-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices |
US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US20080003496A1 (en) * | 2002-08-09 | 2008-01-03 | Neudecker Bernd J | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
KR20040017478A (ko) | 2002-08-21 | 2004-02-27 | 한국과학기술원 | 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판 |
AU2003261463A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-19 | Symmorphix, Inc. | Optically coupling into highly uniform waveguides |
US20040048157A1 (en) | 2002-09-11 | 2004-03-11 | Neudecker Bernd J. | Lithium vanadium oxide thin-film battery |
US6994933B1 (en) | 2002-09-16 | 2006-02-07 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Long life thin film battery and method therefor |
US20040081860A1 (en) | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Stmicroelectronics, Inc. | Thin-film battery equipment |
JP2004149849A (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属薄膜の形成方法及び電極付基板 |
US20040085002A1 (en) | 2002-11-05 | 2004-05-06 | Pearce Michael Baker | Method and apparatus for an incidental use piezoelectric energy source with thin-film battery |
JP2004158268A (ja) | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Sony Corp | 成膜装置 |
WO2004042868A1 (en) | 2002-11-07 | 2004-05-21 | Fractus, S.A. | Integrated circuit package including miniature antenna |
KR100682883B1 (ko) | 2002-11-27 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 고체 전해질, 그의 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지 및 박막전지 |
JP4777593B2 (ja) | 2002-11-29 | 2011-09-21 | 株式会社オハラ | リチウムイオン二次電池の製造方法 |
ATE348204T1 (de) | 2002-12-16 | 2007-01-15 | Basf Ag | Verfahren zur gewinnung von lithium |
JP4072049B2 (ja) | 2002-12-25 | 2008-04-02 | 京セラ株式会社 | 燃料電池セル及び燃料電池 |
TWI261045B (en) | 2002-12-30 | 2006-09-01 | Ind Tech Res Inst | Composite nanofibers and their fabrications |
US6906436B2 (en) | 2003-01-02 | 2005-06-14 | Cymbet Corporation | Solid state activity-activated battery device and method |
US7067197B2 (en) | 2003-01-07 | 2006-06-27 | Cabot Corporation | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
US20040135160A1 (en) * | 2003-01-10 | 2004-07-15 | Eastman Kodak Company | OLED device |
IL153895A (en) | 2003-01-12 | 2013-01-31 | Orion Solar Systems Ltd | Solar cell device |
KR100513726B1 (ko) | 2003-01-30 | 2005-09-08 | 삼성전자주식회사 | 고체 전해질, 이를 채용한 전지 및 그 고체 전해질의 제조방법 |
DE10304824A1 (de) | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Varta Microbattery Gmbh | Dünne elektronische Chipkarte |
RU2241281C2 (ru) | 2003-02-10 | 2004-11-27 | Институт химии и химической технологии СО РАН | Способ получения тонких пленок кобальтата лития |
JP2004273436A (ja) | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 全固体薄膜積層電池 |
CN1756856B (zh) | 2003-02-27 | 2011-10-12 | 希莫菲克斯公司 | 电介质阻挡层膜 |
US6936407B2 (en) | 2003-02-28 | 2005-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Thin-film electronic device module |
KR100590376B1 (ko) | 2003-03-20 | 2006-06-19 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 집합전지 |
CN1274052C (zh) | 2003-03-21 | 2006-09-06 | 比亚迪股份有限公司 | 锂离子二次电池的制造方法 |
US6955986B2 (en) | 2003-03-27 | 2005-10-18 | Asm International N.V. | Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits |
US20070141468A1 (en) | 2003-04-03 | 2007-06-21 | Jeremy Barker | Electrodes Comprising Mixed Active Particles |
WO2004090982A1 (ja) | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電池搭載集積回路装置 |
WO2004093223A2 (en) | 2003-04-14 | 2004-10-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Integrated thin film batteries on silicon integrated circuits |
KR100508945B1 (ko) | 2003-04-17 | 2005-08-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬전지 |
US7088031B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-08-08 | Infinite Power Solutions, Inc. | Method and apparatus for an ambient energy battery or capacitor recharge system |
US7045246B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-05-16 | The Aerospace Corporation | Integrated thin film battery and circuit module |
US6936377B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-08-30 | C. Glen Wensley | Card with embedded IC and electrochemical cell |
US8728285B2 (en) * | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
US7238628B2 (en) | 2003-05-23 | 2007-07-03 | Symmorphix, Inc. | Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides |
US6886240B2 (en) | 2003-07-11 | 2005-05-03 | Excellatron Solid State, Llc | Apparatus for producing thin-film electrolyte |
US6852139B2 (en) | 2003-07-11 | 2005-02-08 | Excellatron Solid State, Llc | System and method of producing thin-film electrolyte |
US20050070097A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-31 | International Business Machines Corporation | Atomic laminates for diffusion barrier applications |
US7230321B2 (en) | 2003-10-13 | 2007-06-12 | Mccain Joseph | Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode |
US20050079418A1 (en) | 2003-10-14 | 2005-04-14 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for thin film battery fabrication |
US7211351B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-05-01 | Cymbet Corporation | Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method |
FR2861218B1 (fr) | 2003-10-16 | 2007-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Couche et procede de protection de microbatteries par une bicouche ceramique-metal |
US7674360B2 (en) | 2003-12-12 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target |
EP1544917A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-22 | Dialog Semiconductor GmbH | Integrated battery pack with lead frame connection |
JP2005196971A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リチウム二次電池用負極とその製造方法ならびにリチウム二次電池 |
JP2007518246A (ja) | 2004-01-06 | 2007-07-05 | シンベット コーポーレーション | 境界を有する1若しくはそれ以上の層を備える層状のバリア構造及び該バリア構造の製造方法 |
TWI302760B (en) | 2004-01-15 | 2008-11-01 | Lg Chemical Ltd | Electrochemical device comprising aliphatic nitrile compound |
JP3859645B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2006-12-20 | Necラミリオンエナジー株式会社 | フィルム外装電気デバイス |
US7968233B2 (en) | 2004-02-18 | 2011-06-28 | Solicore, Inc. | Lithium inks and electrodes and batteries made therefrom |
US7624499B2 (en) | 2004-02-26 | 2009-12-01 | Hei, Inc. | Flexible circuit having an integrally formed battery |
DE102004010892B3 (de) | 2004-03-06 | 2005-11-24 | Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel | Chemisch stabiler fester Lithiumionenleiter |
JP4418262B2 (ja) | 2004-03-12 | 2010-02-17 | 三井造船株式会社 | 基板・マスク固定装置 |
US7052741B2 (en) | 2004-05-18 | 2006-05-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of fabricating a fibrous structure for use in electrochemical applications |
US7195950B2 (en) * | 2004-07-21 | 2007-03-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Forming a plurality of thin-film devices |
US7645246B2 (en) | 2004-08-11 | 2010-01-12 | Omnitek Partners Llc | Method for generating power across a joint of the body during a locomotion cycle |
JP4892180B2 (ja) | 2004-08-20 | 2012-03-07 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル、その製造方法およびその外観検査方法 |
US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
US7670724B1 (en) | 2005-01-05 | 2010-03-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Alkali-hydroxide modified poly-vinylidene fluoride/polyethylene oxide lithium-air battery |
US20060155545A1 (en) | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Hosanna, Inc. | Multi-source powered audio playback system |
CN101507023A (zh) | 2005-01-19 | 2009-08-12 | 亚利桑那州大学董事会 | 具有砜基电解液的电流产生装置 |
DE102005014427B4 (de) | 2005-03-24 | 2008-05-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements |
EP1713024A1 (en) | 2005-04-14 | 2006-10-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | A card, a method of manufacturing the card, and a thin type battery for the card |
US20060237543A1 (en) | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Card, manufacturing method of card, and thin type battery for card |
US8182661B2 (en) | 2005-07-27 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Controllable target cooling |
US7400253B2 (en) | 2005-08-04 | 2008-07-15 | Mhcmos, Llc | Harvesting ambient radio frequency electromagnetic energy for powering wireless electronic devices, sensors and sensor networks and applications thereof |
MX2008002074A (es) | 2005-08-09 | 2008-04-22 | Polyplus Battery Co Inc | Estructuras de sello flexible para anodos de metal activo protegidos. |
US7838133B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
US7553582B2 (en) | 2005-09-06 | 2009-06-30 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Getters for thin film battery hermetic package |
US7202825B2 (en) | 2005-09-15 | 2007-04-10 | Motorola, Inc. | Wireless communication device with integrated battery/antenna system |
US7345647B1 (en) | 2005-10-05 | 2008-03-18 | Sandia Corporation | Antenna structure with distributed strip |
US20070187836A1 (en) | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Texas Instruments Incorporated | Package on package design a combination of laminate and tape substrate, with back-to-back die combination |
DE102006009789B3 (de) | 2006-03-01 | 2007-10-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse |
US8155712B2 (en) | 2006-03-23 | 2012-04-10 | Sibeam, Inc. | Low power very high-data rate device |
DE102006025671B4 (de) | 2006-06-01 | 2011-12-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen |
JP4058456B2 (ja) | 2006-10-23 | 2008-03-12 | 富士通株式会社 | 情報処理装置用機能拡張装置 |
DE102006054309A1 (de) | 2006-11-17 | 2008-05-21 | Dieter Teckhaus | Batteriezelle mit Kontaktelementenanordnung |
JP4466668B2 (ja) | 2007-03-20 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7915089B2 (en) | 2007-04-10 | 2011-03-29 | Infineon Technologies Ag | Encapsulation method |
DE102007030604A1 (de) | 2007-07-02 | 2009-01-08 | Weppner, Werner, Prof. Dr. | Ionenleiter mit Granatstruktur |
KR101606183B1 (ko) | 2008-01-11 | 2016-03-25 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화 |
JP2012500610A (ja) | 2008-08-11 | 2012-01-05 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | 電磁エネルギー獲得ための統合コレクタ表面を有するエネルギーデバイスおよびその方法 |
US8389160B2 (en) | 2008-10-07 | 2013-03-05 | Envia Systems, Inc. | Positive electrode materials for lithium ion batteries having a high specific discharge capacity and processes for the synthesis of these materials |
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