TWI511116B - 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 - Google Patents

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Description

脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
本發明關於脈衝輸出電路、移位暫存器和具有該移位暫存器的顯示裝置、半導體裝置以及電子設備。本發明特別關於由單一導電型薄膜電晶體(TFT)構成的脈衝輸出電路、移位暫存器和顯示裝置、半導體裝置以及電子設備。
近年來，對使用由在絕緣體上，特別是在玻璃、塑膠基底上的半導體薄膜而形成的薄膜電晶體(以下，也稱為TFT)來形成電路的顯示裝置，特別是對主動矩陣型顯示裝置的研究開發正在加步進行。使用TFT而形成的主動矩陣型顯示裝置具有數十萬至數百萬個配置為矩陣狀的像素，並且利用配置在每個像素中的TFT控制每個像素的電荷，來顯示圖像。
而且，最近的技術已經發展到在形成構成像素部的像素TFT的同時，在像素部的週邊也使用TFT形成驅動電路的方式。這些技術大大促進了裝置的輕量化、薄型化、 小型化和低耗電量化。因而，對近年其應用領域顯著擴大的攜帶型資訊終端的顯示部等來說，TFT已經必不可少。
一般地，使用組合N型TFT和P型TFT而形成的CMOS電路作為構成顯示裝置的驅動電路的電路。關於CMOS電路的特徵，可以舉出如下兩點：由於只當邏輯變化(從H(High(高))水平到L(Low(低))水平，或者從L水平到H水平)時電流才流過，並且當某種邏輯被保持時，理想的是電流不流過(實際上有微小的漏電流)，所以可以使整體上電路的耗電量非常低；由於具有不同極性的TFT互補性地工作，所以可以進行高速工作。
然而，當考慮到製造步驟時，由於CMOS電路的離子摻雜步驟等很複雜，因此其繁多的步驟數量直接影響到製造成本。於是，提出了如下的電路：通過使用具有N型和P型中的任一個的單極性的TFT來構成現有的由CMOS電路構成的電路，並且實現與CMOS電路相同程度的高速工作(例如，參照專利文件1)。
在專利文件1所記載的電路中，如圖7A至7C所示，可以通過使電連接到輸出端子的TFT2050的閘極電極成為暫時的浮動狀態，來利用TFT2050的閘極和源極之間的電容耦合，而使其閘極電極的電位高於電源電位。結果，不產生TFT2050的閾值所引起的電壓下降，而可以得到沒有振幅衰減的輸出。符號2010、2020、2030、2040、以及2060表示TFT，符號2070表示電容，符號 2100表示第一振幅補償電路，符號2200表示第二振幅補償電路。
這種在TFT2050中的工作稱為靴帶式操作(bootstrap operation)。通過利用這種工作，不產生TFT的閾值所引起的電壓下降，而可以得到輸出脈衝。
此外，圖7A至7C所記載的電路由於在沒有脈衝的輸入/輸出的期間中使TFT2050、2060的閘極電極都成為浮動狀態，而使在節點α中產生如噪音那樣的電位的變動。為了解決該問題，提出了如下電路：通過在沒有脈衝的輸入/輸出的期間中使TFT1020、1060在接通的狀態下成為浮動狀態，來減少產生在節點α中的噪音(參照圖8A至8C)(例如，參照專利文件2)。符號1010、1030、1040、以及1050表示TFT，符號1070表示電容，符號1100表示第一振幅補償電路，符號1200表示第二振幅補償電路。
[專利文件1]專利公開2002-335153號公報
[專利文件2]專利公開2004-226429號公報
在圖8A至8C中，對SROut1來說，在輸出脈衝後，CK1馬上從H水平變化到L水平。跟著，SROut1的電位也開始下降。另一方面，在CK2成為H水平的同時，也在第二階段中執行與上述類似的工作，而脈衝被輸出到SROut2。該脈衝在第一階段中被輸入到輸入端子3，而使 TFT1030接通。由此，TFT1020、1060的閘極電極的電位上升而接通。相應地，TFT1050的閘極電極的電位以及SROut1的電位下降。然後，當SROut2的輸出從H水平變化到L水平時，TFT1030截止。由此，此時TFT1020、1060的閘極電極成為浮動狀態。以後，在第一階段中這種狀態繼續到下一個脈衝被輸入。
如此，在圖8A和8B的電路中，節點β在沒有脈衝的輸入/輸出的期間中處於浮動狀態。例如，當圖8A和8B的電路用作掃描驅動器(scan driver)時，在大約一個幀中，需要保持節點β的電位。TFT1040和TFT1060的通道寬度比較大，所以TFT1040和TFT1060的截止電流也成為高。此時，有可能由於TFT1040和TFT1060的截止電流，節點β的電位降低，而使TFT1060截止。結果，電路有可能由於與時鐘信號電容耦合而錯誤工作。
此外，當從TFT1050輸出脈衝時，節點β處於浮動狀態。因此，當節點γ的電位從L水平上升到H水平時，有可能由於電容耦合，節點β的電位增加。其結果，有可能TFT1020接通而進行錯誤的工作。該電位的變動與正常的脈衝振幅相比非常小，所以只要電位的變動小於TFT1020的閾值，就沒有問題。但是，當電位的變動大於TFT1020的閾值時，節點α的電位降低，而有可能發生錯誤的工作。特別是，當將非晶矽使用於TFT時，大多使用氮化膜作為閘極絕緣膜，所以有可能發生閾值的變動。結果，脈衝輸出電路進行錯誤工作的可能性高了。
此外，當將非晶矽使用於TFT時，因為與使用多晶矽的TFT相比其電氣特性差，所以難以得到足夠的驅動能力，並且由於電壓條件，而使閾值移動。因此，通過利用使用了非晶矽的TFT來形成驅動像素的驅動電路的電路技術是一個問題。
本說明書所公開的發明的目的在於通過解決一個或多個上述問題，來提供減少電路內的錯誤工作且保證更正確的工作的脈衝輸出電路、移位暫存器和顯示裝置。
本發明的脈衝輸出電路規律地應電位給處於浮動狀態的電晶體的閘極電極，以致於當不輸出脈衝時在非選擇期間開啟閘極電極。此外，藉由使其他電晶體規律地開啟或關閉，來對電晶體的閘極電極供給電位。
此外，驅動本發明的移位暫存器，並使從第m脈衝輸出電路輸出的脈衝和從第(m+1)脈衝輸出電路輸出的脈衝一半(1/2周期)重疊。以下說明本發明的移位暫存器及脈衝輸出電路的具體結構。
本發明的移位暫存器包括：多個脈衝輸出電路，至少包含第(m-2)脈衝輸出電路、第(m-1)脈衝輸出電路、第m脈衝輸出電路、第(m+1)脈衝輸出電路以及第(m+2)脈衝輸出電路(m≧3)；輸出時鐘信號的第一信號線至第四信號線，其中，各脈衝輸出電路包括第一輸入端子至第六輸入端子和輸出端子，並且，在第m脈衝輸出電路中，第一輸入端子至第三輸入端子電連接到第一信號線至第四信號線中的任一個，第四輸入端子電連接到第 (m-2)脈衝輸出電路的輸出端子，第五輸入端子電連接到第(m-1)脈衝輸出電路的輸出端子，第六輸入端子電連接到第(m+2)脈衝輸出電路的輸出端子，輸出端子電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的第六輸出端子、第(m+1)脈衝輸出電路的第五輸入端子以及第(m+2)脈衝輸出電路的第四輸入端子。
本發明的脈衝輸出電路包括第一電晶體至第九電晶體，其中，在第一電晶體中，第一電極電連接到第一電源線，第二電極電連接到第三電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第四輸入端子；在第二電晶體中，第一電極電連接到第二電源線，第二電極電連接到第三電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第四電晶體的閘極電極；在第三電晶體中，第一電極電連接到第一輸入端子，第二電極電連接到輸出端子；在第四電晶體中，第一電極電連接到第三電源線，第二電極電連接到輸出端子；在第五電晶體中，第一電極電連接到第四電源線，第二電極電連接到第二電晶體的閘極電極以及第四電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第四輸入端子；在第六電晶體中，第一電極電連接到第四電源線，第二電極電連接到第二電晶體的閘極電極以及第四電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第五輸入端子；在第七電晶體中，第一電極電連接到第五電源線，第二電極電連接到第二電晶體的閘極電極以及第四電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第六輸入端子；在第八電晶體中，第一電極電連接到第五電源線，第二電極電連接 到第九電晶體的第二電極，閘極電極電連接到第二輸入端子；在第九電晶體中，第一電極電連接到第二電晶體的閘極電極以及第四電晶體的閘極電極，閘極電極電連接到第三輸入端子。
本發明的顯示裝置包括：像素；驅動像素的移位暫存器，其中，移位暫存器包括：多個脈衝輸出電路，至少包含第(m-2)脈衝輸出電路、第(m-1)脈衝輸出電路、第m脈衝輸出電路、第(m+1)脈衝輸出電路以及第(m+2)脈衝輸出電路(m≧3)；輸出時鐘信號的第一信號線至第四信號線，並且，各脈衝輸出電路包括第一輸入端子至第六輸入端子和輸出端子，並且，在第m脈衝輸出電路中，第一輸入端子至第三輸入端子電連接到第一信號線至第四信號線中的任一個，第四輸入端子電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的輸出端子，第五輸入端子電連接到第(m-1)脈衝輸出電路的輸出端子，第六輸入端子電連接到第(m+2)脈衝輸出電路的輸出端子，輸出端子電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的第六輸出端子、第(m+1)脈衝輸出電路的第五輸入端子以及第(m+2)脈衝輸出電路的第四輸入端子。
本發明可以藉由在不輸入/輸出脈衝的非選擇期間對處於浮動狀態的電晶體的閘極電極規律地供給電位，來抑制脈衝輸出電路的錯誤工作。
此外，可以藉由使用使從第m脈衝輸出電路輸出的脈衝和從第(m+1)脈衝輸出電路輸出的脈衝一半(1/2 周期)重疊的驅動方法，來提供能承受很大負荷並以高頻率工作的脈衝輸出電路。
10-1 至10-n ‧‧‧脈衝輸電路
11‧‧‧第一信號線
12‧‧‧第二信號線
13‧‧‧第三信號線
14‧‧‧第四信號線
21‧‧‧第一輸入端子
22‧‧‧第二輸入端子
23‧‧‧第三輸入端子
24‧‧‧第四輸入端子
25‧‧‧第五輸入端子
26‧‧‧第六輸入端子
27‧‧‧第一輸出端子
28‧‧‧第二輸出端子
31‧‧‧第一電源線
32‧‧‧第二電源線
33‧‧‧第三電源線
34‧‧‧第四電源線
35‧‧‧第五電源線
36‧‧‧第六電源線
37‧‧‧第七電源線
38‧‧‧第八電源線
39‧‧‧第九電源線
101‧‧‧第一電晶體
102‧‧‧第二電晶體
103‧‧‧第三電晶體
104‧‧‧第四電晶體
105‧‧‧第五電晶體
106‧‧‧第六電晶體
107‧‧‧第七電晶體
108‧‧‧第八電晶體
109‧‧‧第九電晶體
111‧‧‧第一電容
112‧‧‧第二電容
201‧‧‧第十電晶體
202‧‧‧第十一電晶體
203‧‧‧第十二電晶體
204‧‧‧第十三電晶體
211‧‧‧第三電容
1010‧‧‧TFT
1020‧‧‧TFT
1030‧‧‧TFT
1040‧‧‧TFT
1050‧‧‧TFT
1060‧‧‧TFT
1070‧‧‧電容
1100‧‧‧第一振幅補償電路
1101‧‧‧像素
1102‧‧‧像素部
1103‧‧‧信號線驅動電路
1104‧‧‧第一掃描線驅動電路
1105‧‧‧第二掃描線驅動電路
1106‧‧‧FPC
1107‧‧‧基底
1111‧‧‧移位暫存器
1112‧‧‧第一佇鎖電路
1113‧‧‧第二佇鎖電路
1114‧‧‧移位暫存器
1115‧‧‧緩衝器
1117‧‧‧緩衝器
1200‧‧‧第二振幅補償電路
2010‧‧‧TFT
2020‧‧‧TFT
2030‧‧‧TFT
2040‧‧‧TFT
2050‧‧‧TFT
2060‧‧‧TFT
2070‧‧‧電容
2100‧‧‧第一振幅補償電路
2200‧‧‧第二振幅補償電路
3601‧‧‧信號線驅動電路
3602‧‧‧像素部
3603‧‧‧第二掃描線驅動電路
3604‧‧‧密封基底
3605‧‧‧密封劑
3606‧‧‧第一掃描線驅動電路
3607‧‧‧間隔器
3608‧‧‧佈線
3609‧‧‧可撓電路
3610‧‧‧基底
3611‧‧‧開關TFT
3612‧‧‧驅動TFT
3613‧‧‧第一電極
3614‧‧‧絕緣物
3616‧‧‧層
3617‧‧‧第二電極
3618‧‧‧IC晶片
3619‧‧‧IC晶片
3620‧‧‧N通道型TFT
3621‧‧‧P通道型TFT
4200‧‧‧基底
4201‧‧‧信號線驅動電路
4202‧‧‧像素部
4203‧‧‧第二掃描線驅動電路
4204‧‧‧第一掃描線驅動電路
4205‧‧‧FPC
4206‧‧‧IC晶片
4207‧‧‧IC晶片
4208‧‧‧密封基底
4209‧‧‧密封劑
4210‧‧‧基底
4211‧‧‧信號線驅動電路
4212‧‧‧像素部
4213‧‧‧第一掃描線驅動電路
4214‧‧‧第二掃描線驅動電路
4215‧‧‧FPC
4216‧‧‧IC晶片
4217‧‧‧IC晶片
4218‧‧‧密封基底
4219‧‧‧密封劑
4401‧‧‧基底
4402‧‧‧陽極
4403‧‧‧電洞注入層
4404‧‧‧電洞傳輸層
4405‧‧‧發光層
4406‧‧‧電子傳輸層
4407‧‧‧電子注入層
4408‧‧‧陰極
4500‧‧‧基底
4501‧‧‧驅動TFT
4502‧‧‧第一電極
4503‧‧‧層
4504‧‧‧第二電極
4505‧‧‧基底膜
4600‧‧‧基底
4601‧‧‧驅動TFT
4602‧‧‧基底膜
4603‧‧‧第一電極
4604‧‧‧層
4605‧‧‧第二電極
4606B‧‧‧藍色濾光片
4606G‧‧‧綠色濾光片
4606R‧‧‧紅色濾光片
6001‧‧‧機殼
6002‧‧‧支撐台
6003‧‧‧顯示部分
6004‧‧‧揚聲器部分
6005‧‧‧視頻輸入端子
6101‧‧‧主體
6102‧‧‧顯示部分
6103‧‧‧影像接收部分
6104‧‧‧操作鍵
6105‧‧‧外部連接埠
6106‧‧‧快門按鈕
6201‧‧‧主體
6202‧‧‧機殼
6203‧‧‧顯示部分
6204‧‧‧鍵盤
6205‧‧‧外部連接埠
6206‧‧‧指向裝置
6301‧‧‧主體
6302‧‧‧顯示部分
6303‧‧‧開關
6304‧‧‧操作鍵
6305‧‧‧紅外線埠
6401‧‧‧主體
6402‧‧‧機殼
6403‧‧‧顯示部分A
6404‧‧‧顯示部分B
6405‧‧‧記錄媒體讀出部分
6406‧‧‧操作鍵
6407‧‧‧揚聲器部分
6501‧‧‧主體
6502‧‧‧顯示部分
6503‧‧‧臂部分
6601‧‧‧主體
6602‧‧‧顯示部分
6603‧‧‧機殼
6604‧‧‧外部連接埠
6605‧‧‧遙控接收部
6606‧‧‧影像接收部分
6607‧‧‧電池
6608‧‧‧聲音輸入部分
6609‧‧‧操作鍵
6610‧‧‧目鏡部
6701‧‧‧主體
6702‧‧‧機殼
6703‧‧‧顯示部分
6704‧‧‧聲音輸入部分
6705‧‧‧聲音輸入部分
6706‧‧‧操作鍵
6707‧‧‧外部連接埠
6708‧‧‧天線
圖1A顯示本發明的移位暫存器的實施例，圖1B及1C均顯示本發明的脈衝輸出電路。
圖2是顯示本發明的脈衝輸出電路的操作實施例。
圖3A至3D均顯示本發明的脈衝輸出電路的操作實施例。
圖4A至4D均顯示本發明的脈衝輸出電路的操作實施例。
圖5A顯示本發明的脈衝輸出電路的操作，圖5B顯示傳統的脈衝輸出電路的操作，二者相比較。
圖6A顯示本發明的移位暫存器的實施例，圖6B及6C均顯示本發明的脈衝輸出電路。
圖7A顯示傳統的移位暫存器的實施例，圖7B顯示傳統的脈衝輸出電路的實施例，以及圖7C顯示傳統的衝輸出電路的操作實施例。
圖8A顯示傳統的移位暫存器的實施例，圖8B顯示傳統的脈衝輸出電路的實施例，以及圖8C顯示傳統的衝輸出電路的操作實施例。
圖9A至9C是顯示設置有本發明的移位暫存器的顯示裝置的實施例。
圖10A和10B是顯示設置有本發明的移位暫存器的 顯示裝置的實施例。
圖11A和11B是顯示設置有本發明的移位暫存器的顯示裝置的實施例。
圖12A至12C是顯示設置有本發明的移位暫存器的顯示裝置的實施例。
圖13是顯示設置有本發明的移位暫存器的顯示裝置的實施例。
圖14A至14H是顯示設置有本發明的移位暫存器的電子設備的實施例。
圖15A和15B是顯示設置有本發明的移位暫存器的顯示裝置的顯示元件的實施例。
下述，關於本發明的實施方式參照附圖而說明。但是，本發明可以以多個不同方式來實施，所屬技術領域的普通人員可以很容易地理解一個事實，就是其方式及詳細內容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發明的宗旨及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的本發明的結構中，在不同附圖中共同使用表示相同部分的符號。
實施方式1
在本實施方式中，參照附圖而說明本發明的脈衝輸出電路、包括該脈衝輸出電路的移位暫存器的一個例子。
本實施方式所表示的移位暫存器包括第一至第n脈衝輸出電路10_1 至10_n (n≧3)、以及輸出時鐘信號的第一信號線11至第四信號線14(參照圖1A)。第一信號線11輸出第一時鐘信號(CK1)，第二信號線12輸出第二時鐘信號(CK2)，第三信號線13輸出第三時鐘信號(CK3)，第四信號線14輸出第四時鐘信號(CK4)。
時鐘信號(CK)是以一定間隔反復H(High)信號和L(Low)信號的信號，在此，第一時鐘信號(CK1)至第四時鐘信號(CK4)依次延遲了1/2周期。在本實施方式中，藉由利用第一時鐘信號(CK1)至第四時鐘信號(CK4)，來進行脈衝輸出電路的驅動的控制等。
第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 中的每一者均包括第一輸入端子21、第二輸入端子22、第三輸入端子23、第四輸入端子24、第五輸入端子25、第六輸入端子26、輸出端子27(參照圖1B)。
第一輸入端子21、第二輸入端子22以及第三輸入端子23分別電連接到第一信號線11至第四信號線14中的任一個。例如，在圖1A至1C中，在第一脈衝輸出電路10_1 中，第一輸入端子21電連接到第一信號線11，並第二輸入端子22電連接到第二信號線12，且第三輸入端子23電連接到第三信號線13。此外，在第二脈衝輸出電路10_2 中，第一輸入端子21電連接到第二信號線12，並且第二輸入端子22電連接到第三信號線13，且第三輸入端子23電連接到第四信號線14。
此外，在本實施方式所示的移位暫存器的第m脈衝輸出電路(m≧3)中，第四輸入端子24電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的輸出端子27以及第(m-1)脈衝輸出電路的第五輸入端子25，第五輸入端子25電連接到第(m-1)脈衝輸出電路的輸出端子27以及第(m+1)脈衝輸出電路的第四輸入端子24，第六輸入端子26電連接到第(m+2)脈衝輸出電路的輸出端子27，輸出端子27電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的第六輸入端子26、第(m+1)脈衝輸出電路的第五輸入端子25以及第(m+2)脈衝輸出電路的第四輸入端子24且將信號輸出到OUT(m)。
舉例而言，在第三脈衝輸出電路10_3 中，第四輸入端子24電連接到第一脈衝輸出電路10_1 的輸出端子以及第二脈衝輸出電路10_2 的第五輸入端子，第五輸入端子25電連接到第二脈衝輸出電路10_2 的輸出端子以及第四脈衝輸出電路10_4 的第四輸入端子，第六輸入端子26電連接到第五脈衝輸出電路10_5 的輸出端子，輸出端子電連接到第一脈衝輸出電路10_1 的第六輸入端子、第四脈衝輸出電路10_4 的第五輸入端子、以及第五脈衝輸出電路10_5 的第四輸入端子。此外，在第三脈衝輸出電路10_3 中，從第一脈衝輸出電路10_1 的輸出端子輸出的信號被輸入到第四輸入端子24，從第二脈衝輸出電路10_2 的輸出端子輸出的信號被輸入到第五輸入端子25，從第五脈衝輸出電路10_5 的輸出端子輸出的信號被輸入到第 六輸入端子26，從輸出端子27輸出的信號被輸入到第一脈衝輸出電路10_1 的第六輸入端子、第四脈衝輸出電路10_4 的第五輸入端子以及第五脈衝輸出電路10_5 的第四輸入端子。
此外，在第一脈衝輸出電路中，第一起始脈衝(SP1)被輸入到第四輸入端子24，並且第二起始脈衝(SP2)被輸入到第五輸入端子25。
下面，將說明第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 的具體結構。
第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 中的每一者均具有第一電晶體101至第九電晶體109、第一電容111和第二電容112(參照圖1C)。此外，從第一電源線31至第六電源線36將信號除了供給於上述第一輸入端子21至第六輸入端子26以及輸出端子27以外，還供給於第一電晶體101至第九電晶體109。
在第一電晶體101中，第一電極(源極電極和汲電極中的一個)電連接到第一電源線31，第二電極(源極電極和汲極電極中的另一個)電連接到第三電晶體103的閘極電極以及第二電容112的第二電極，閘極電極電連接到第四輸入端子24。在第二電晶體102中，第一電極電連接到第二電源線32，第二電極電連接到第三電晶體103的閘極電極，閘極電極電連接到第四電晶體104的閘極電極。在第三電晶體103中，第一電極電連接到第一輸入端子21，第二電極電連接到輸出端子27。在第四電晶體 104中，第一電極電連接到第三電源線33，第二電極電連接到輸出端子27。在第五電晶體105中，第一電極電連接到第四電源線34，第二電極電連接到第二電晶體102的閘極電極以及第四電晶體104的閘極電極，閘極電極電連接到第四輸入端子24。在第六電晶體106中，第一電極電連接到第四電源線34，第二電極電連接到第二電晶體102的閘極電極以及第四電晶體104的閘極電極，閘極電極電連接到第五輸入端子25。在第七電晶體107中，第一電極電連接到第五電源線35，第二電極電連接到第二電晶體102的閘極電極以及第四電晶體104的閘極電極，閘極電極電連接到第六輸入端子26。在第八電晶體108中，第一電極電連接到第五電源線35，第二電極電連接到第九電晶體109的第二電極，閘極電極電連接到第二輸入端子22。在第九電晶體109中，第一電極電連接到第二電晶體102的閘極電極以及第四電晶體104的閘極電極，閘極電極電連接到第三輸入端子23。在第一電容111中，第一電極電連接到第六電源線36，第二電極電連接到第二電晶體102的閘極電極以及第四電晶體104的閘極電極。在第二電容112中，第一電極電連接到輸出端子27，第二電極電連接到第一電晶體101的第二電極以及第三電晶體103的閘極電極。
在圖1C中，第一電晶體101的第二電極、第二電晶體102的第二電極、第三電晶體103的閘極電極以及第二電容112的第二電極的連接的地方是節點A。此外，第二 電晶體102的閘極電極、第四電晶體104的閘極電極、第五電晶體105的第二電極、第六電晶體106的第二電極、第七電晶體107的第二電極、第九電晶體109的第一電極以及第一電容111的第二電極的連接的地方是節點B。此外，第三電晶體103的第二電極、第四電晶體104的第二電極、第二電容112的第一電極以及輸出端子27的連接的地方是節點C。
下面，參照圖2至圖4D說明圖1所示的移位暫存器的工作。具體地說，在圖2的時序圖中分割為第一期間51、第二期間52、第三期間53、第四期間54以及第五期間55來說明。注意，在下面的說明中，第一電晶體101至第九電晶體109是N通道型薄膜電晶體，並且當閘極和源極之間的電壓(Vgs)大於閾值電壓(Vth)時，成為接通狀態。
此外，在此，對第二脈衝輸出電路10_2 的輸出進行說明。在第二脈衝輸出電路10_2 中，第一輸入端子21電連接到供給第二時鐘信號(CK2)的第二信號線12，第二輸入端子22電連接到供給第三時鐘信號(CK3)的第三信號線13，第三輸入端子23電連接到供給第四時鐘信號(CK4)的第四信號線14。
注意，V1的電位(VDD)被供給於第一電源線31以及第五電源線35，並且V2的電位(VSS)被供給於第二電源線32至第四電源線34、第六電源線36。在此，V1>V2。此外，第一時鐘信號(CK1)至第四時鐘信號 (CK4)是以一定間隔反復H水平和L水平的信號，使當H水平時電位為VDD，並且當L水平時電位為VSS。此外，在此為了簡化說明，使VSS=0，但是不局限於此。
在第一期間51中，第二起始脈衝(SP2)成為H水平來使電連接到第二脈衝輸出電路10_2 的第四輸入端子24的第一電晶體101和第五電晶體105接通。因為第三時鐘信號(CK3)以及第四時鐘信號(CK4)也是H水平，所以第八電晶體108和第九電晶體109也接通(參照圖3A)。
此時，因為第一電晶體101接通，所以節點A的電位上升。此外，在第五電源線35和第四電源線34之間流過直接穿隧電流(direct tunneling current)，但是藉由調節電晶體的尺寸，來控制節點B的電位以使第二電晶體102成為截止狀態。例如，藉由使第五電晶體105的通道寬度(與在源極區和汲極區中載流子流過的方向垂直的方向上的通道寬度)大於第八電晶體108或第九電晶體109，來實現第二電晶體102的截止狀態。
在第二期間52中，從第一脈衝輸出電路10_1 的輸出端子27(OUT(1))輸出H水平的信號，來使電連接到第二脈衝輸出電路10_2 的第五輸入端子25的第六電晶體106接通。此外，因為第三時鐘信號(CK3)成為L水平來使第八電晶體108成為截止狀態，所以不會有在第一期間51中出現的貫通電流(參照圖3B)。
此時，第一電晶體101的第二電極成為源電極，而節 點A的電位成為第一電源線31的電位減第一電晶體101的閾值電壓的值即V1-Vth101(Vth101是第一電晶體101的閾值電壓)。於是，第一電晶體101截止，而節點A在維持V1-Vth101的狀態下成為浮動狀態。
在此，在第三電晶體103中，閘極電極的電位是V1-Vth101。在第三電晶體103的柵和源之間的電壓大於第三電晶體103的閾值即V1-Vth101-V2>Vth103(Vth103是第三電晶體103的閾值電壓)的情況下，第三電晶體103接通。
在第三期間53中，第二起始脈衝(SP2)成為L水平來使第一電晶體101和第五電晶體105截止。此外，第二時鐘信號(CK2)成為H水平，而H水平的信號被供給於電連接到第一輸入端子21的第三電晶體103的第一電極(參照圖3C)。
在此，因為第三電晶體103接通，所以在源極和汲極之間發生電流，而節點C(輸出端子27(OUT(2)))即第三電晶體103的第二電極(在此情況下，源極電極)的電位開始上升。在第三電晶體103的閘極和源極之間有根據第二電容112的電容耦合，並且伴隨節點C的電位上升，處於浮動狀態的第三電晶體103的閘極電極的電位上升(自舉工作)。最後，第三電晶體103的閘極電極的電位成為比V1+Vth103高，節點C的電位成為等於V1。
注意，雖然通過在第三電晶體103的閘極電極和第二電極之間設置第二電容112，來進行該靴帶式工作，但是 也可以不設置第二電容112，而通過利用第三電晶體103的通道電容以及第三電晶體103的閘極電極和第二電極之間的寄生電容的電容耦合，來進行該自舉工作。
另外，此時，因為第一脈衝輸出電路10_1 的輸出端子27(OUT(1))是H水平，所以第六電晶體106接通而節點B被維持為L水平。因此，當節點C的電位從L水平上升到H水平時，可以抑制由於節點B和節點C的電容耦合導致的故障。
然後，在第三期間53的後半期，第一脈衝輸出電路10_1 的輸出端子27(OUT(1))成為L水平，第六電晶體106截止，而節點B成為浮動狀態。此外，第三時鐘信號(CK3)成為H水平，而第八電晶體108接通(參照圖3D)。
在第四期間54中，第四脈衝輸出電路10_4 的輸出端子27(OUT(4))成為H水平，電連接到該第四脈衝輸出電路10_4 的輸出端子27的第二脈衝輸出電路10_2 的輸入端子26成為H水平，第七電晶體107接通，而節點B也成為H水平。因此，第二電晶體102、第四電晶體104接通，第三電晶體103截止，而輸出端子27(OUT(2))成為L水平。此外，第四時鐘信號(CK4)成為H水平，而第九電晶體109接通(參照圖4A)。
然後，在第四期間54的後半期，第三時鐘信號(CK3)成為L水平，而第八電晶體108截止(參照圖4B)。
在第五期間55中，第四脈衝輸出電路10_4 的輸出端子27(OUT(4))成為L水平，第七電晶體107截止，而節點B在維持H水平的狀態下成為浮動狀態。由此，第二電晶體102、第四電晶體104成為繼續接通的狀態(參照圖4C)。
然後，在第五期間55中的某期間(第三時鐘信號(CK3)以及第四時鐘信號(CK4)都是H水平時)中，第八電晶體108和第九電晶體109接通，而定期性地將H水平的信號供給於節點B(參照圖4D)。
如此，通過採用如下結構，可以抑制脈衝輸出電路的錯誤工作：在將輸出端子27的電位保持為L水平的期間中定期性地將H水平的信號供給於節點B。此外，藉由規律地使第八電晶體108、第九電晶體109接通/截止，可以減少電晶體的閾值偏移。
此外，在第五期間55中，當沒有從第五電源線35將H水平的信號供給於節點B時，有可能由於第五電晶體105以及第六電晶體106的截止電流，節點B的電位降低。然而，通過使第一電容111電連接到節點B，可以緩和節點B的電位的降低。
注意，雖然在本實施方式中示出將第五電源線35設定為與第一電源線31相同的V1的電位(VDD)的情況，但是也可以將第五電源線35設定為比第一電源線31的低(V1>V35>V2，V35是第五電源線35的電位)。結果，可以將第二電晶體102、第四電晶體104的閘極電極的電 位抑制得成為低，並且可以減少該第二電晶體102、第四電晶體104的閾移，來抑制退化。
此外，如圖5A所示，本實施方式所示的移位暫存器使用如下驅動方法：從第m脈衝輸出電路輸出的脈衝和從第m+1脈衝輸出電路輸出的脈衝一半(1/2周期)重疊。跟現有的移位暫存器的從第m脈衝輸出電路輸出的脈衝和從第m+1脈衝輸出電路輸出的脈衝不重疊的驅動方法(參照圖5B)相比，藉由採用該驅動方法，可以使給佈線充電的時間成為大約兩倍。如此，藉由使用從第m脈衝輸出電路輸出的脈衝和從第m+1脈衝輸出電路輸出的脈衝一半(1/2周期份)重疊的驅動方法，可以提供能夠承受很大負荷且以高頻率工作的脈衝輸出電路。此外，可以放鬆脈衝輸出電路的工作條件。特別是，當將圖5A所示的驅動方法使用於使用了電氣特性差的非晶矽的薄膜電晶體時，非常有效。
注意，可以將本實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路與本說明書中的其他實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路的結構組合來實施。此外，本實施方式的發明也可以適用於半導體裝置。在本說明書中，半導體裝置意味著通過利用半導體特性而發揮作用的裝置。
實施方式2
在本實施方式中，參照附圖將說明與上述實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路不同的結構。
本實施方式所表示的移位暫存器包括第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n (n≧3)、及輸出時鐘信號的第一信號線11至第四信號線14(參照圖6A)。此外，第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 中的每一者均包括第一輸入端子21、第二輸入端子22、第三輸入端子23、第四輸入端子24、第五輸入端子25、第六輸入端子26、第一輸出端子27、第二輸出端子28(參照圖6B)。注意，本實施方式的移位暫存器採用如下結構：在上述實施方式1所示的脈衝輸出電路中新追加了第二輸出端子28。
第一輸入端子21、第二輸入端子22以及第三輸入端子23電連接到第一信號線11至第四信號線14中的任一個。此外，在本實施方式所示的移位暫存器的第m脈衝輸出電路(n≧3)中，第四輸入端子24電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的第一輸出端子27及第(m-1)脈衝輸出電路的第五輸入端子25，第五輸入端子25電連接到第(m-1)脈衝輸出電路的第一輸出端子27及第(m+1)脈衝輸出電路的第四輸入端子24，第六輸入端子26電連接到第(m+2)脈衝輸出電路的第一輸出端子27，第一輸出端子27電連接到第(m-2)脈衝輸出電路的第六輸出端子26、第(m+1)脈衝輸出電路的第五輸入端子25及第(m+2)脈衝輸出電路的第四輸入端子24，第二輸出端子28將信號輸出到OUT(m)。
就是說，本實施方式所示的移位暫存器具有如下結 構：設置第一輸出端子27和第二輸出端子28，即另外設置用來將信號輸出到其他脈衝輸出電路的輸出端子和用來將信號輸出到外部的輸出端子。
下面，將說明本實施方式所示的第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 的具體結構。
第一脈衝輸出電路10_1 至第n脈衝輸出電路10_n 中的每一者均包括第一電晶體101至第九電晶體109、第十電晶體201至第十三電晶體204、第一電容111、第二電容112、第三電容211(參照圖6C)。本實施方式所示的脈衝輸出電路具有如下結構：在上述實施方式1所示的脈衝輸出電路中追加了第十電晶體201至第十三電晶體204、第三電容211。此外，除了從上述實施方式1所示的第一輸入端子21至第六輸入端子26、第一輸出端子27、第一電源線31至第六電源線36以外，也從第二輸出端子28、第七電源線37至第九電源線39將信號供給於電晶體。
在第十電晶體201中，第一電極電連接到第一輸入端子21，第二電極電連接到第二輸出端子28，閘極電極電連接到第一電晶體101的第二電極。在第十一電晶體202中，第一電極電連接到第八電源線38，第二電極電連接到第二輸出端子28，閘極電極電連接到第二電晶體102的閘極電極及第四電晶體104的閘極電極。在第十二電晶體203中，第一電極電連接到第九電源線39，第二電極電連接到第二輸出端子28，閘極電極電連接到第九電晶 體109的閘極電極。在第十三電晶體204中，第一電極電連接到第七電源線37，第二電極電連接到第一輸出端子27，閘極電極電連接到第九電晶體109的閘極電極。在第三電容211中，第一電極電連接到第二輸出端子28，第二電極電連接到第一電晶體101的第二電極及第十電晶體201的閘極電極。
此外，可以採用如下結構：與第二電源線32至第四電源線34、第六電源線36同樣地將V2的電位(VSS)供給於第七電源線37至第九電源線39。
第一輸出端子27和第二輸出端子28被設置為輸出相同信號，並且第十電晶體201對應於第三電晶體103，第十一電晶體202對應於第四電晶體104。就是說，第十電晶體201與第三電晶體103同樣地進行靴帶式工作。注意，雖然通過在第十電晶體201的閘極電極和第二電極之間設置第三電容211，來進行第十電晶體201的靴帶式工作，但是也可以不設置第三電容211，而藉由利用第十電晶體201的通道電容以及第十電晶體201的閘極電極和第二電極之間的寄生電容的電容耦合，來進行該靴帶式工作。
第十二電晶體203和第十三電晶體204被用來縮短掃描線的電位的下降時間。如果通過利用第十二電晶體203和第十三電晶體204可以充分地縮短掃描線的電位的下降時間，則沒必要通過利用第四電晶體104和第十一電晶體202縮短掃描線的電位的下降時間。因此，也可以將第五 電源線35的電位設定為比第一電源線31的電位低。由此，可以減少第四電晶體104、第十一電晶體202、第二電晶體102的閾值偏移。
注意，可以將本實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路與本說明書中的其他實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路的結構組合來實施。此外，本實施方式的發明也可以適用於半導體裝置。
實施方式3
在本實施方式中，將說明與上述實施方式所示的移位暫存器以及脈衝輸出電路不同的結構。
雖然在上述實施方式1、實施方式2所示的結構中，示出了電路都由N通道型薄膜電晶體構成的實施例，但是從使用單極性薄膜電晶體的意義上講，也可以僅僅使用P通道型薄膜電晶體來得到同樣的結構。雖然未圖示，但是在圖1C或圖6C所示的附圖中，使電晶體的連接同樣，並且將電源線的電位的高低設定為與實施方式1及實施方式2所說明的情況相反，即可。此外，採用將被輸入的信號的H水平和L水平都成為相反來進行輸入的結構，即可。注意，本實施方式的發明也可以適用於半導體裝置。
實施方式4
參照附圖說明將上述實施方式所示的移位暫存器設置在顯示裝置中的結構。
在圖9A中，顯示裝置具有在基底1107上多個像素1101被配置為矩陣狀的像素部1102，並且在像素部1102的周邊具有信號線驅動電路1103、第一掃描線驅動電路1104以及第二掃描線驅動電路1105。藉由FPC從外部將信號供給這些驅動電路。
在圖9B中，示出了第一掃描線驅動電路1104以及第二掃描線驅動電路1105的結構。掃描線驅動電路1104、1105具有移位暫存器1114、緩衝器1115。此外，在圖9C中，示出信號線驅動電路1103的結構。信號線驅動電路1103具有移位暫存器1111、第一佇鎖電路1112、第二佇鎖電路1113、緩衝器1117。
可以將本實施方式所示的用作移位暫存器的電路適用於上述移位暫存器1111以及移位暫存器1114的電路。藉由適用上述實施方式所示的用作移位暫存器的電路，即使當使用了非晶矽的薄膜電晶體被用來形成該用作移位暫存器的電路時，也可以以高頻率使該用作移位暫存器的電路工作。
注意，掃描線驅動電路和信號線驅動電路的結構不局限於圖9A至9C所示的結構，例如也可以具備取樣電路、位準偏移電路等。此外，除了上述驅動電路以外，還可以將CPU、控制器等電路與基底1107形成為一體。因此，需要連接的外部電路(IC)的個數減少，而可以實現進一步的輕量、薄型，而這對攜帶型終端等來說是非常重要的。
注意，可以將本實施方式所示的顯示裝置與本說明書中的其他實施方式所示的移位暫存器、脈衝輸出電路或者顯示裝置的結構組合來實施。
實施方式5
在本實施方式中，參照附圖說明用於上述實施方式4所示的顯示裝置的顯示面板的結構。
首先，參照圖10A和10B說明可適用於顯示裝置的顯示面板。注意，圖10A是表示顯示面板的俯視圖，圖10B是沿圖10A的線A-A’的截面圖。該顯示面板包括以虛線表示的信號線驅動電路3601、像素部3602、第二掃描線驅動電路3603和第一掃描線驅動電路3606。此外，該顯示面板還包括密封基底3604、密封劑3605。由密封劑3605圍繞的內側是間隔器3607。
注意，佈線3608是用於傳輸輸入到第二掃描線驅動電路3603、第一掃描線驅動電路3606以及信號線驅動電路3601的信號的佈線。並且，從作為外部輸入端子的FPC(可撓印刷電路)3609接收視頻信號、時鐘信號、起始信號等。在FPC3609和顯示面板的連接部分上，通過COG(玻璃上晶片安裝)等安裝有IC晶片(形成記憶體電路、緩衝器電路等的半導體晶片)3618以及IC晶片3619。注意，儘管在此僅圖示了FPC，但是也可以在該FPC上安裝印刷線路板(PWB)。本說明書中的顯示裝置不僅包括顯示面板的主體，還包括安裝有FPC或PWB的 顯示面板。此外，還包括安裝有IC晶片等的顯示面板。
下面，參照圖10B說明截面結構。在基底3610上形成有像素部3602和其週邊驅動電路(第二掃描線驅動電路3603、第一掃描線驅動電路3606以及信號線驅動電路3601)。在此，示出信號線驅動電路3601和像素部3602。
注意，信號線驅動電路3601由N通道型TFT3620和P通道型TFT3621構成的CMOS電路構成。此外，儘管在本實施方式中，示出了在基底上一體形成有週邊驅動電路的顯示面板，但是本發明不限於此，週邊驅動電路的全部或一部分也可以形成在IC晶片等上並且通過COG等安裝。
此外，像素部3602具有構成像素的多個電路，每個像素包括開關TFT3611和驅動TFT3612。注意，驅動TFT3612的源電極電連接到第一電極3613。此外，形成有覆蓋第一電極3613的端部的絕緣物3614。在此，通過使用正型感光性丙烯樹脂膜，來形成絕緣物3614。
此外，為了改善覆蓋度，將絕緣物3614的上端部分或下端部分形成為具有曲率的曲面。例如，在採用正型感光性丙烯作為絕緣物3614的材料的情況下，較佳地僅僅將絕緣物3614的上端部分形成為具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，關於絕緣物3614，可以使用由於感光性的光而在蝕刻劑中不溶解的負型或者由於光而在蝕刻劑中可溶解的正型。
在第一電極3613上分別形成有包含有機化合物的層3616以及第二電極3617。在此，作為用於用作陽極的第一電極3613的材料，較佳地使用具有高功函數的材料。 例如，除了使用ITO(氧化銦錫)膜、氧化銦鋅(IZO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、鋅膜、鉑膜等的單層膜以外，還可以使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的層合結構，氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。注意，當採用層合結構時，可以降低佈線的電阻，並實現優良的歐姆接觸，且提供作為陽極的功能。
此外，通過使用氣相沈積掩模的氣相沈積法或者噴墨法，來形成包含有機化合物的層3616。關於包含有機化合物的層3616，部分使用元素周期表的第四族的金屬配合物。作為能夠與該金屬配合物組合而使用的材料，可以使用低分子系材料或高分子系材料。此外，通常，作為用於包含有機化合物的層的材料，大多使用單層或層合的有機化合物。但是，在本實施方式中也包括在由有機化合物構成的膜中部分使用無機化合物的結構。再者，也可以使用已知的三重態材料。
再者，關於用於形成在包含有機化合物的層3616上的第二電極(陰極)3617的材料，使用具有低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca，或這些材料的合金諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 ，或氮化鈣)，即可。注意，當在包含有機化合物的層3616中產生的光透過第二電極3617時，較佳地使用使其膜厚成為薄的金屬薄膜和透明導電膜 (ITO(氧化銦錫)、氧化銦和氧化鋅的合金(In2 O3 -ZnO)、或者氧化鋅(ZnO)等)的層合作為第二電極(陰極)3617。
再者，藉由利用密封劑3605將密封基底3604和基底3610貼在一起，得到顯示元件3622被配置在由基底3610、密封基底3604以及密封劑3605圍繞的間隔器3607中的結構。注意，間隔器3607可以填充有惰性氣體(氮、氬等)或密封劑3605。
注意，較佳地使用環氧類樹脂作為密封劑3605。此外，這些材料較佳的是盡可能不使濕氣和氧氣透過的材料。此外，關於密封基底3604，除了使用玻璃基底、石英基底以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯等構成的塑膠基底。
藉由如上所述的方法，可以取得顯示面板。
如圖10A和10B所示，藉由將信號線驅動電路3601、像素部3602、第二掃描線驅動電路3603以及第一掃描線驅動電路3606形成為一體，可以實現顯示裝置的低成本化。
注意，顯示面板的結構不局限於圖10A所示的結構即將信號線驅動電路3601、像素部3602、第二掃描線驅動電路3603以及第一掃描線驅動電路3606形成為一體的結構，並且還可以採用如下結構：在IC晶片上形成相當於信號線驅動電路3601的圖11A所示的信號線驅動電路4201，並且通過COG等將它安裝在顯示面板上。注意， 圖11A中的基底4200、像素部4202、第二掃描線驅動電路4203、第一掃描線驅動電路4204、FPC4205、IC晶片4206，IC晶片4207、密封基底4208、密封劑4209分別相當於圖10A中的基底3610、像素部3602、第二掃描線驅動電路3603、第一掃描線驅動電路3606、FPC3609、IC晶片3618、IC晶片3619、密封基底3604、密封劑3605。
就是說，為了減少耗電量，使用CMOS等在IC晶片上僅形成驅動電路中需要高速工作的信號線驅動電路。而且，藉由使IC晶片為使用矽薄片等形成的半導體晶片，可以實現進一步的高速工作和低耗電量化。
此外，藉由將設置有上述實施方式所示的移位暫存器的第一掃描線驅動電路4203、第二掃描線驅動電路4204與像素部4202形成為一體，可以實現低成本化。
因此，可以實現高清晰度顯示裝置的低成本化。此外，藉由將形成有功能電路(記憶體或緩衝器)的IC晶片安裝在FPC4205和基底4200的連接部分上，可以有效地利用基底面積。
此外，也可以採用如下結構：在IC晶片上形成分別相當於圖10A中的信號線驅動電路3601、第二掃描線驅動電路3603以及第一掃描線驅動電路3606的圖11B中的信號線驅動電路4211、第二掃描線驅動電路4214以及第一掃描線驅動電路4213，並且藉由COG等將它安裝在顯示面板上。在此情況下，可以進一步降低高清晰度顯示裝 置的耗電量。因此，為了進一步降低顯示裝置的耗電量，較佳地使用多晶矽作為用於像素部的電晶體的半導體層。 注意，圖11B中的基底4210、像素部4212、FPC4215、IC晶片4216、IC晶片4217、密封基底4218、密封劑4219分別相當於圖10A中的基底3610、像素部3602、FPC3609、IC晶片3618、IC晶片3619、密封基底3604、密封劑3605。
此外，藉由使用非晶矽作為用於像素部4212的電晶體的半導體層，可以實現低成本化。而且，可以製造大型顯示面板。
圖15A和15B表示可應用於顯示元件3622的顯示元件的例子。換言之，參照圖15A和15B說明可應用於上述實施方式所示的像素的顯示元件的結構。
圖15A中的顯示元件具有如下元件結構，在基底4401上層合陽極4402、由電洞注入材料構成的電洞注入層4403、由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層4404、發光層4405、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層4406、由電子注入材料構成的電子注入層4407和陰極4408。在此，發光層4405有時僅由一種發光材料形成，但也可由兩種以上材料形成。此外，本發明的元件的結構不局限於該結構。
除了採用圖15A和15B所示的層合有各種功能層的層合結構以外，還可以採用如下元件，例如使用高分子化合物的元件、高效元件等，該高效元件利用從三重態激發 發光的三重態發光材料形成其發光層。此外，本發明的元件結構也可以應用於白色顯示元件等，該白色顯示元件通過利用電洞阻擋層控制載流子重新組合區域並且將發光區域劃分為兩個區域來得到。
在圖15A所示的本發明的元件的製造方法中，首先，在配置有陽極4402(ITO)的基底4401上依次氣相沈積電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料。接著，氣相沈積電子傳輸材料、電子注入材料，最後通過氣相沈積形成陰極4408。
以下列舉適合用作電洞注入材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料和發光材料的材料。
關於電洞注入材料，當使用有機化合物時，可以使用卟啉類化合物、酞菁(以下稱為“H2 Pc”)、銅酞菁(以下稱為“CuPc”)等。此外，當其電離電位的值比電洞傳輸材料的小且為具有電洞傳輸功能的材料時，該材料也可以被用作電洞注入材料。電洞注入材料還包括對導電高分子化合物施行了化學摻雜法的材料，例如摻有聚苯乙烯磺酸鹽(以下稱為“PSS”)的聚乙烯二氧噻吩(以下稱為“PEDOT”)、聚苯胺等。此外，由於絕緣體的高分子化合物可以實現陽極的平坦化，所以經常使用聚醯亞胺(以下稱為“PI”)。再者，也可以使用無機化合物，例如氧化鋁(以下，稱為礬土)的超薄薄膜、金屬(例如金或鉑等)薄膜等。
關於電洞傳輸材料，最廣泛使用的是芳香胺類化合物 (就是說，具有苯環-氮鍵的化合物)。作為廣泛使用的 材料，有4,4’-二(二苯胺)-聯苯(以下稱為“TAD”)、它的衍生物諸如4,4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯苯(以下稱為“TPD”)或4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯苯(以下稱為“α-NPD”)。此外，還可以舉出星爆芳香胺化合物諸如4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(以下稱為“TDATA”)或4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(以下稱為“MTDATA”)等。
關於電子傳輸材料，經常使用金屬錯合物。可以使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物諸如Alq、BAlq、三(4-甲基-8-喹啉醇合)鋁(以下稱為“Almq”)、二(10-羥基苯[h]-喹啉)鈹(以下稱為“BeBq”)等。除此之外，也可以使用具有噁唑類配位體或噻唑類配位元體的金屬錯合物諸如二[2-(2-羥基苯基)-苯並噁唑]鋅(以下稱為“Zn(BOX)2 ”)、二[2-(2-羥基苯基)-苯並噻唑]鋅(以下稱為“Zn(BTZ)2 ”)等。而且，除了金屬錯合物以外，噁二唑衍生物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-tert-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(以下稱為“PBD”)或OXD-7等、三唑衍生物諸如TAZ、3-(4-tert-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(以下稱為“p-EtTAZ”)等、菲繞啉衍生物諸如紅菲繞啉(以下稱為“BPhen”)或BCP等具有電子傳輸性。
關於電子注入材料，可以使用上述電子傳輸材料。此 外，經常使用絕緣體的超薄薄膜，例如氟化鈣、氟化鋰、氟化銫等金屬鹵化物或例如氧化鋰等鹼金屬氧化物。此外，鹼金屬配合物諸如乙醯丙酮鋰(以下稱為“Li(acac)”)或8-喹啉醇合-鋰(以下稱為“Liq”)也是有效的。
關於發光材料，除了使用金屬錯合物諸如Alq、Almq、BeBq、BAlq、Zn(BOX)2 、Zn(BTZ)2 等以外，還可以利用各種熒光色素。作為熒光色素，有藍色的4,4’-二(2,2-二苯基-乙烯基)-聯苯、橙紅色的4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃等。此外，也可以使用三重態發光材料，其主體是以鉑或銥為中心金屬的配合物。作為三重態發光材料，三(2-苯基吡啶)銥、二(2-(4’-tryl)吡啶醇-N,C2’ )乙醯丙酮銥(以下稱為“acacIr(tpy)2 ”)、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H卟啉-鉑等是已知的。
可以通過將上述具有各功能的材料分別組合，來製造可靠性高的顯示元件。
此外，當藉由改變具有上述實施方式所示的像素結構的驅動電晶體的極性而使其成為N通道型電晶體，並且反轉顯示元件的相對電極的電位和電源線的電位的高低時，可以使用以與圖15A相反的順序形成有層的顯示元件。也就是如圖15B所示的元件結構：在基底4401上層合陰極4408、由電子注入材料構成的電子注入層4407、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層4406、發光層4405、由電洞 傳輸材料構成的電洞傳輸層4404、由電洞注入材料構成的電洞注入層4403、以及陽極4402。
此外，為了提取發光，顯示元件的陽極和陰極中的至少一個是透明的，即可。接著，在基底上形成TFT和顯示元件。顯示元件有頂部發射結構、底部發射結構和雙面發射結構的顯示元件，其中頂部發射結構是從與基底相反的表面提取發光的，底部發射結構是從基底一側的表面提取發光的，而雙面發射結構是從基底一側的表面及與基底相反的表面提取發光的。上述實施方式所示的像素結構可以應用於具有任一種發射結構的顯示元件。
參照圖12A說明具有頂部發射結構的顯示元件。
在基底4500上中間夾著基底膜4505形成驅動TFT4501，並與驅動TFT4501的源電極接觸地形成第一電極4502，且在其上形成包含有機化合物的層4503和第二電極4504。
此外，第一電極4502是顯示元件的陽極，第二電極4504是顯示元件的陰極。換言之，包含有機化合物的層4503由第一電極4502和第二電極4504夾持的部分成為顯示元件。
在此，關於用於用作陽極的第一電極4502的材料，較佳的使用具有高功函數的材料。例如，除了使用氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、鋅膜、鉑膜等的單層膜以外，還可以使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的層合結構，氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。注 意，當採用層合結構時，可以降低佈線的電阻，並實現優良的歐姆接觸，且提供作為陽極的功能。可以通過使用反射光的金屬膜，來形成不使光透過的陽極。
此外，關於用於用作陰極的第二電極4504的材料，較佳地使用由具有低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca，或這些材料的合金諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 ，或氮化鈣)構成的金屬薄膜和透明導電膜(ITO(氧化銦錫)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等)的層合。如此，可以藉由使用薄的金屬薄膜和具有透明性的透明導電膜，來形成能夠使光透過的陰極。
據此，如圖12A中的箭頭指示，可以將來自顯示元件的光提取到頂部表面。換言之，在將顯示元件應用於圖10A和10B所示的顯示面板的情況下，光發射到密封基底3604一側。因此，當將具有頂部發射結構的顯示元件使用於顯示裝置時，使用具有光透過性的基底作為密封基底3604。
此外，在提供光學薄膜的情況下，可以在密封基底3604上設置光學薄膜。
下面，參照圖12B說明具有底部發射結構的顯示元件。因為除發射結構之外的結構與圖12A相同，所以使用與圖12A中相同的符號來說明。
在此，關於用於用作陽極的第一電極4502的材料，較佳地使用具有高功函數的材料。例如，可以使用透明導電膜諸如ITO(氧化銦錫)膜或氧化銦鋅(IZO)膜等。 可以通過使用具有透明性的透明導電膜，來形成能夠使光透過的陽極。
此外，關於用於用作陰極的第二電極4504的材料，較佳地使用由具有低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca，或這些材料的合金諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 ，或氮化鈣)構成的金屬膜。如此，可以通過使用反射光的金屬膜，來形成不使光透過的陰極。
據此，如圖12B中的箭頭指示，可以將來自顯示元件的光提取到底部表面。換言之，在將顯示元件應用於圖10A和10B所示的顯示面板的情況下，光發射到基底3610一側。因此，當將具有底部發射結構的顯示元件使用於顯示裝置時，使用具有光透過性的基底作為基底3610。
此外，在提供光學薄膜的情況下，較佳地在基底3610上設置光學薄膜。
下面，參照圖12C說明具有雙面發射結構的顯示元件。因為除發射結構之外的結構與圖12A相同，所以使用與圖12A中相同的符號來說明。
在此，作為用於用作陽極的第一電極4502的材料，較佳地使用具有高功函數的材料。例如，可以使用透明導電膜諸如ITO(氧化銦錫)膜或氧化銦鋅(IZO)膜等。 可以藉由使用具有透明性的透明導電膜，來形成能夠使光透過的陽極。
此外，關於用於用作陰極的第二電極4504的材料， 較佳地使用由具有低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca，或這些材料的合金諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 ，或氮化鈣)構成的金屬薄膜以及透明導電膜(ITO(氧化銦錫)、氧化銦和氧化鋅的合金(In2 O3 -ZnO)、或者氧化鋅(ZnO)等)的層合。如此，可以藉由使用很薄的金屬薄膜以及具有透明性的透明導電膜，來形成能夠使光透過的陰極。
據此，如圖12C中的箭頭指示，可以將來自顯示元件的光提取到雙面。換言之，在將顯示元件應用於圖10A和10B所示的顯示面板的情況下，光發射到基底3610一側和密封基底3604一側。因此，當將具有雙面發射結構的顯示元件使用於顯示裝置時，使用具有光透過性的基底作為基底3610以及密封基底3604。
此外，在提供光學薄膜的情況下，較佳地在基底3610以及密封基底3604雙方上設置光學薄膜。
此外，可以將本發明適用於通過利用白色顯示元件和顏色濾光片實現全彩色顯示的顯示裝置。
例如，如圖13所示，也可以採用如下結構：在基底4600上形成基底膜4602，在其上形成驅動TFT4601，以及形成與驅動TFT4601的源極電極相接觸的第一電極4603，在其上形成包含有機化合物的層4604和第二電極4605。
此外，第一電極4603是顯示元件的陽極，第二電極4605是顯示元件的陰極。換言之，包含有機化合物的層 4604由第一電極4603和第二電極4605夾持的部分成為顯示元件。在圖13所示的結構中，發射白色光。並且，在顯示元件的上部分別設置有紅色濾光片4606R、綠色濾光片4606G、藍色濾光片4606B，以可以實現全彩色顯示。此外，設置有隔離這些顏色濾光片的黑矩陣(也稱為“BM”)4607。
可以將上述顯示元件的結構組合而使用，並且可以適當地使用於使用本發明的脈衝輸出電路或移位暫存器來驅動的顯示裝置。此外，上述顯示面板的結構和顯示元件僅是舉例說明，當然可以適用另外的結構。
實施方式6
本發明可以適用於各種各樣的電子設備。具體地說，本發明可以適用於電子設備的顯示部分的驅動。此種電子設備的實施例包含：攝影機或數位相機等的影像拍攝裝置、護目鏡型顯示器、導航系統、聲音再現裝置(汽車音響或音響元件等)、電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(移動電腦、手機、攜帶型遊戲機或電子書等)、具備記錄媒體的影像再現裝置(具體地說，再生記錄媒體諸如數位多樣式光碟(DVD)等且具備能夠顯示其影像的發光裝置的裝置)等。
圖14A顯示發光裝置，它包括機殼6001、支撐台6002、顯示部分6003、揚聲器部分6004、視頻輸入端子6005等。可以將本發明的顯示裝置使用於顯示部分 6003。注意，發光裝置包括用於個人電腦、電視廣播接收、廣告顯示等的顯示資訊的所有發光裝置。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6003，來實現耗電量的降低。
圖14B表示照相機，它包括主體6101、顯示部分6102、影像接收部分6103、操作鍵6104、外部連接埠6105、快門按鈕6106等。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6102，來實現耗電量的降低。
圖14C表示電腦，它包括主體6201、機殼6202、顯示部分6203、鍵盤6204、外部連接埠6205、指向裝置6206等。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6203，來實現耗電量的降低。
圖14D表示移動電腦，它包括主體6301、顯示部分6302、開關6303、操作鍵6304、紅外線埠6305等。可以通過利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6302，來實現耗電量的降低。
圖14E表示具備記錄媒體的攜帶型影像再生裝置(具體地說，DVD再生裝置)，它包括主體6401、機殼6402、顯示部分A6403和B6404、記錄媒體(DVD等)讀出部分6405、操作鍵6406、揚聲器部分6407等。顯示部分A6403主要顯示圖像資訊，顯示部分B6404主要顯示文字資訊。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分A6403和顯示部分B6404，來實現耗電量的降低。
圖14F表示護目鏡型顯示器，它包括主體6501、顯 示部分6502、臂部分6503。可以通過利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6502，來實現耗電量的降低。
圖14G表示攝像機，它包括主體6601、顯示部分6602、機殼6603、外部連接埠6604、遙控接收部分6605、影像接收部分6606、電池6607、聲音輸入部分6608、操作鍵6609、目鏡部6610等。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6602，來實現耗電量的降低。
圖14H表示手機，它包括主體6701、機殼6702、顯示部分6703、聲音輸入部分6704、聲音輸出部分6705、操作鍵6706、外部連接埠6707、天線6708等。可以藉由利用本發明的移位暫存器驅動顯示部分6703，來實現耗電量的降低。
如此，可以將本發明適用於所有電子設備。
本說明書根據2006年10月17日在日本專利局受理的日本專利申請編號2006-282931而製作，於此一併列入參考。
21‧‧‧第一輸入端子
22‧‧‧第二輸入端子
23‧‧‧第三輸入端子
24‧‧‧第四輸入端子
25‧‧‧第五輸入端子
26‧‧‧第六輸入端子
27‧‧‧第一輸出端子
31‧‧‧第一電源線
32‧‧‧第二電源線
33‧‧‧第三電源線
34‧‧‧第四電源線
35‧‧‧第五電源線
36‧‧‧第六電源線
101‧‧‧第一電晶體
102‧‧‧第二電晶體
103‧‧‧第三電晶體
104‧‧‧第四電晶體
105‧‧‧第五電晶體
106‧‧‧第六電晶體
107‧‧‧第七電晶體
108‧‧‧第八電晶體
109‧‧‧第九電晶體
111‧‧‧第一電容
112‧‧‧第二電容
A、B、C‧‧‧節點

Claims (23)

  1. 一種半導體裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；第五電晶體；第六電晶體；第七電晶體；第八電晶體；以及第九電晶體；其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的閘極，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的該閘極，其中，該第三電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第四電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第四電晶體的閘極電連接到該第二電晶體的閘極，其中，該第五電晶體的閘極電連接到該第一電晶體的閘極，其中，該第五電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第六電晶體的源極和汲極的其中一個電連接 到該第二電晶體的該閘極，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第六電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第七電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第八電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第七電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第八電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第九電晶體的源極和汲極的其中一個，以及其中，該第九電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的該閘極。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第一端子，其中，該第八電晶體的閘極電連接到第二端子，其中，該第九電晶體的閘極電連接到第三端子，其中，該第一電晶體的閘極電連接到第四端子，其中，該第六電晶體的閘極電連接到第五端子，其中，該第七電晶體的閘極電連接到第六端子，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個電連接到第七端子，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第一電源線，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連 接到第二電源線，其中，該第四電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第三電源線，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第四電源線，以及其中，該第七電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第五電源線。
  3. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，另外包括：第一電容，其中，該第一電容的第一電極電連接到該第三電晶體的該閘極，以及其中，該第一電容的第二電極電連接到該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個。
  4. 如申請專利範圍第3項的半導體裝置，另外包括：第二電容，其中，該第二電容的第一電極電連接到該第二電晶體的該閘極，以及其中，該第二電容的第二電極電連接到第六電源線。
  5. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，另外包括：第十電晶體；第十一電晶體；第十二電晶體；以及第十三電晶體；其中，該第十電晶體的閘極電連接到該第三電晶體的 該閘極，其中，該第十一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第十電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第十一電晶體的閘極電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第十二電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第十電晶體的該源極和該汲極的其中一個，其中，該第十二電晶體的閘極電連接到該第九電晶體的閘極，其中，該第十三電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個，以及其中，該第十三電晶體的閘極電連接到該第九電晶體的該閘極。
  6. 如申請專利範圍第5項的半導體裝置，另外包括：第三電容，其中，該第三電容的第一電極電連接到該第十電晶體的該閘極，以及其中，該第三電容的第二電極電連接到該第十電晶體的該源極和該汲極的其中一個。
  7. 如申請專利範圍第5項的半導體裝置，其中，該第十電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第十三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第七電源線， 其中，該第十一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第八電源線，以及其中，該第十二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第九電源線。
  8. 一種顯示裝置，包括：在基板上的像素部；以及在該基板上的驅動電路；該驅動電路包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；第五電晶體；第六電晶體；第七電晶體；第八電晶體；以及第九電晶體；其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的閘極，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的該閘極，其中，該第三電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第四電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第四電晶體的閘極電連接到該第二電晶體的閘極， 其中，該第五電晶體的閘極電連接到該第一電晶體的閘極，其中，該第五電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第六電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第六電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第七電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第八電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第七電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第八電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第九電晶體的源極和汲極的其中一個，以及其中，該第九電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的該閘極。
  9. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第一端子，其中，該第八電晶體的閘極電連接到第二端子，其中，該第九電晶體的閘極電連接到第三端子，其中，該第一電晶體的閘極電連接到第四端子，其中，該第六電晶體的閘極電連接到第五端子，其中，該第七電晶體的閘極電連接到第六端子， 其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個電連接到第七端子，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第一電源線，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第二電源線，其中，該第四電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第三電源線，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第四電源線，以及其中，該第七電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第五電源線。
  10. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中，該驅動電路另外包含第一電容，其中，該第一電容的第一電極電連接到該第三電晶體的該閘極，以及其中，該第一電容的第二電極電連接到該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個。
  11. 如申請專利範圍第10項的顯示裝置，其中，該驅動電路另外包含第二電容，其中，該第二電容的第一電極電連接到該第二電晶體的該閘極，以及其中，該第二電容的第二電極電連接到第六電源線。
  12. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置， 其中，該驅動電路另外包括第十電晶體、第十一電晶體、第十二電晶體、以及第十三電晶體，其中，該第十電晶體的閘極電連接到該第三電晶體的該閘極，其中，該第十一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第十電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第十一電晶體的閘極電連接到該第二電晶體的該閘極，其中，該第十二電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第十電晶體的該源極和該汲極的其中一個，其中，該第十二電晶體的閘極電連接到該第九電晶體的閘極，其中，該第十三電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第三電晶體的該源極和該汲極的其中一個，以及其中，該第十三電晶體的閘極電連接到該第九電晶體的該閘極。
  13. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置，其中，該驅動電路另外包含第三電容，其中，該第三電容的第一電極電連接到該第十電晶體的該閘極，以及其中，該第三電容的第二電極電連接到該第十電晶體的該源極和該汲極的其中一個。
  14. 如申請專利範圍第12項的顯示裝置，其中，該第十電晶體的該源極和該汲極的另一個電連 接到該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個，其中，該第十三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第七電源線，其中，該第十一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第八電源線，以及其中，該第十二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第九電源線。
  15. 一種包括如申請專利範圍第8項的顯示裝置的電子設備，其中，該電子設備另外包含至少選自操作鍵、電池、以及天線所組成的族群中的其中一個。
  16. 一種半導體裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；以及第五電晶體；其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到第一輸入端子，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到輸出端子，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到第一電源線，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連 接到該輸出端子，其中，該第三電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到第二電源線，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的閘極，其中，該第三電晶體的閘極電連接到第四輸入端子，其中，該第四電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第五電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第四電晶體的閘極電連接到第二輸入端子，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的該閘極，以及其中，該第五電晶體的閘極電連接到第三輸入端子。
  17. 一種半導體裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；以及第五電晶體；其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到第一輸入端子，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到輸出端子，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一個組態為 被供給第一電位，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該輸出端子，其中，該第三電晶體的源極和汲極的其中一個組態為被供給第二電位，其中，該第三電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的閘極，其中，該第三電晶體的閘極電連接到第四輸入端子，其中，該第四電晶體的源極和汲極的其中一個電連接到該第五電晶體的源極和汲極的其中一個，其中，該第四電晶體的閘極電連接到第二輸入端子，其中，該第五電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到該第二電晶體的該閘極，以及其中，該第五電晶體的閘極電連接到第三輸入端子。
  18. 如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置，其中，各該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體及該第五電晶體包含矽。
  19. 如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置，其中，各該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體及該第五電晶體包含非晶矽。
  20. 如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置，其中，該第三電晶體的通道寬度大於該第四電晶體的通道寬度及該第五電晶體的通道寬度。
  21. 如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置，其中，該第二電晶體的該閘極組態為經由該第四電晶體及該第五電晶體而被供給電位。
  22. 如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置，其中，該第四電晶體的該源極和該汲極的另一個電連接到第三電源線。
  23. 一種顯示裝置，包含：在基板上的像素部；以及在該基板上的驅動電路，該驅動電路包含如申請專利範圍第16或17項的半導體裝置。
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