JP6344505B2 - フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法 - Google Patents
フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6344505B2 JP6344505B2 JP2017100301A JP2017100301A JP6344505B2 JP 6344505 B2 JP6344505 B2 JP 6344505B2 JP 2017100301 A JP2017100301 A JP 2017100301A JP 2017100301 A JP2017100301 A JP 2017100301A JP 6344505 B2 JP6344505 B2 JP 6344505B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- resin
- resin layer
- vapor deposition
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 219
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 219
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 215
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 215
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 45
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 118
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000000463 material Substances 0.000 description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018084 Al-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018192 Al—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
- B05B12/20—Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/12—Gaseous compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
また、一実施形態の製造方法は、フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法であって、当該製造方法によって製造されるフレーム一体型の樹脂層付き金属マスクは、当該フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクにおける樹脂層に対し、蒸着作成するパターンに対応する開口部を形成することで、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、前記スリットと重なる位置に前記蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクと、が積層されてなる蒸着マスクを製造するために用いられるものであり、金属板の一方の面に樹脂層が設けられてなる樹脂層付き金属板を準備する工程と、前記樹脂層付き金属板における金属板に対し、当該金属板のみを貫通するスリットを形成することにより樹脂層付き金属マスクを形成する工程と、何れかの各前記工程後に、前記樹脂層付き金属板、又は前記樹脂層付き金属マスクをフレームに固定する工程を含むことを特徴とする。
また、一実施形態の蒸着マスクの製造方法は、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクと、が積層されてなる蒸着マスクの製造方法であって、金属板の一方の面に樹脂層が設けられている樹脂層付き金属板を準備する工程と、前記樹脂層付き金属板における金属板に対し、当該金属板のみを貫通するスリットを形成することにより樹脂層付き金属マスクを形成する工程と、その後、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂層に蒸着作製するパターンに対応した開口部を縦横に複数列形成することにより樹脂マスクを形成する工程と、を備えている。
図1は、本発明の蒸着マスクの第1の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)〜(e)はすべて断面図である。
図2は、本発明の蒸着マスクの第2の製造方法を説明するための工程図である。なお(a)〜(e)はすべて断面図である。
また、本発明の製造方法においては、上記で説明した工程間、或いは工程後にスリミング工程を行ってもよい。当該工程は、本発明の製造方法における任意の工程であり、金属マスク66の厚みや、樹脂マスク70の厚みを最適化する工程である。金属マスク66や樹脂マスク70の好ましい厚みとしては、後述する好ましい範囲内で適宜設定すればよく、ここでの詳細な説明は省略する。
図3(a)は、前記第1の製造方法で製造した蒸着マスクの金属マスク側から見た正面図であり、図3(b)は、前記第1の製造方法で製造した蒸着マスク100の拡大断面図である。なお、この図は、金属マスクの設けられたスリットおよび蒸着マスクに設けられた開口部を強調するため、全体に対する比率を大きく記載してある。なお、説明の便宜上、図3〜図6に示す形態では、金属マスクの符号を10として、樹脂マスクの符号を20としているが、金属マスク10は、上記本発明の製造方法で説明した金属マスク66に、また、樹脂マスク20は、上記本発明の製造方法で説明した金属マスク70にそのまま置き換えることができる。
樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図3に示すように、スリット15と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が縦横に複数列配置されている。また、本発明では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、開口部25は、スリットと重なる位置に設けられていればよく、スリット15が、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されている場合には、当該1列のスリット15と重なる位置に開口部25が設けられていればよい。
金属マスク10は、金属から構成され、該金属マスク10の正面からみたときに、開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置されている。なお、図3では、金属マスク10の縦方向に延びるスリット15が横方向に連続して配置されている。また、本発明では、スリット15が縦方向、或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置された例を挙げて説明をしているが、スリット15は、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。
関係について具体的に説明する。図6(a)に示すように、金属マスク10の厚みが薄い場合には、蒸着源から蒸着対象物に向かって放出される蒸着材は、金属マスク10のスリット15の内壁面や、金属マスク10の樹脂マスク20が設けられていない側の表面に衝突することなく金属マスク10のスリット15、及び樹脂マスク20の開口部25を通過して蒸着対象物へ到達する。これにより、蒸着対象物上へ、均一な膜厚での蒸着パターンの形成が可能となる。つまりシャドウの発生を防止することができる。一方、図6(b)に示すように、金属マスク10の厚みが厚い場合、例えば、金属マスク10の厚みが100μmを超える厚みである場合には、蒸着源から放出された蒸着材の一部は、金属マスク10のスリット15の内壁面や、金属マスク10の樹脂マスク20が形成されていない側の表面に衝突し、蒸着対象物へ到達することができない。蒸着対象物へ到達することができない蒸着材が多くなるほど、蒸着対象物に目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる、シャドウが発生することとなる。
図4は、第2の製造方法で製造した蒸着マスクの拡大断面図である。
レジストパターン30は、金属板をエッチングする際にエッチングマスクとして用いたレジストパターンであり、レジスト材によって構成されている。このパターンは、金属マスク10に形成されるスリットと略同一である。なお、レジストパターン30の開口部31の断面形状についても、図4に示すように、蒸着源に向かって広がりをもつような形状とすることが好ましい。
本発明の有機半導体素子の製造方法は、上記で説明した本発明の製造方法で製造された蒸着マスク100を用いて有機半導体素子を形成することを特徴とするものである。蒸着マスク100については、上記で説明した本発明の製造方法で製造された蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の蒸着マスクによれば、当該蒸着マスク100が有する寸法精度の高い開口部25によって、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本発明の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機EL素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機EL素子のR、G、B発光層の製造に好適に用いることができる。
10、66…金属マスク
15…スリット
18…ブリッジ
20、70…樹脂マスク
25…開口部
60…樹脂層付き金属板
61…金属板
62…レジスト材
64…レジストパターン
67…樹脂層
68…樹脂層付き金属マスク
80…蒸着マスク
Claims (1)
- フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法であって、当該製造方法によって製造されるフレーム一体型の樹脂層付き金属マスクは、フレームに、スリットが設けられた金属マスクと、前記金属マスクの表面に位置し、前記スリットと重なる位置に前記蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクが固定された、フレーム一体型の蒸着マスクを製造するために用いられるものであり、
金属板の一方の面に樹脂層が設けられてなる樹脂層付き金属板を準備する工程と、
前記樹脂層に開口部が設けられていない段階で、前記樹脂層付き金属板における金属板に対し、当該金属板のみを貫通するスリットを形成することにより樹脂層付き金属マスクを形成する工程と、
前記樹脂層に開口部が設けられていない段階で、前記で形成した樹脂層付き金属マスクをフレームに固定する工程を含む、
ことを特徴とするフレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012004486 | 2012-01-12 | ||
JP2012004486 | 2012-01-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013117237A Division JP6186897B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-06-03 | 樹脂層付き金属マスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018098985A Division JP6566086B2 (ja) | 2012-01-12 | 2018-05-23 | 蒸着マスクの製造方法、樹脂層付き金属板の製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017145512A JP2017145512A (ja) | 2017-08-24 |
JP6344505B2 true JP6344505B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=48781585
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013003072A Active JP5288073B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-01-11 | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2013117237A Active JP6186897B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-06-03 | 樹脂層付き金属マスクの製造方法 |
JP2017100301A Active JP6344505B2 (ja) | 2012-01-12 | 2017-05-19 | フレーム一体型の樹脂層付き金属マスクの製造方法 |
JP2018098985A Active JP6566086B2 (ja) | 2012-01-12 | 2018-05-23 | 蒸着マスクの製造方法、樹脂層付き金属板の製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2019141038A Active JP6725890B2 (ja) | 2012-01-12 | 2019-07-31 | 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2020108948A Withdrawn JP2020172705A (ja) | 2012-01-12 | 2020-06-24 | 蒸着マスクの製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013003072A Active JP5288073B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-01-11 | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2013117237A Active JP6186897B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-06-03 | 樹脂層付き金属マスクの製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018098985A Active JP6566086B2 (ja) | 2012-01-12 | 2018-05-23 | 蒸着マスクの製造方法、樹脂層付き金属板の製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2019141038A Active JP6725890B2 (ja) | 2012-01-12 | 2019-07-31 | 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2020108948A Withdrawn JP2020172705A (ja) | 2012-01-12 | 2020-06-24 | 蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US9203028B2 (ja) |
JP (6) | JP5288073B2 (ja) |
KR (6) | KR102097574B1 (ja) |
CN (10) | CN105779935A (ja) |
TW (8) | TWI572729B (ja) |
WO (1) | WO2013105643A1 (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105322101B (zh) * | 2012-01-12 | 2019-04-05 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
CN105779935A (zh) * | 2012-01-12 | 2016-07-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
KR102354233B1 (ko) * | 2012-01-12 | 2022-01-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 스텝 앤드 리피트 증착 마스크의 제조 방법, 이것에 의해 얻어지는 스텝 앤드 리피트 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
JP6142194B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク |
JP5958824B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-08-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法 |
JP6142386B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法 |
JP6078747B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置 |
US10597766B2 (en) * | 2013-03-26 | 2020-03-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element |
CN107858642B (zh) * | 2013-04-12 | 2020-04-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 |
TWI624557B (zh) | 2013-04-12 | 2018-05-21 | 大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法 |
JP6331312B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-05-30 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスク準備体 |
JP5780350B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2015-09-16 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP6357312B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-07-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク |
CN103882375B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
JP6511908B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-05-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの引張方法、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び引張装置 |
JP6255592B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2018-01-10 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク、成膜マスクの製造方法及びタッチパネルの製造方法 |
CN103981485B (zh) * | 2014-05-09 | 2016-07-06 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
CN110331365B (zh) * | 2014-06-06 | 2021-10-01 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法 |
KR102382753B1 (ko) | 2014-06-06 | 2022-04-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
JP6394879B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-09-26 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP6594615B2 (ja) * | 2014-10-06 | 2019-10-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着用マスク及びそれを用いた有機el表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法 |
CN106795618B (zh) * | 2014-10-15 | 2019-08-27 | 夏普株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀装置、蒸镀方法以及蒸镀掩模的制造方法 |
JP5994952B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法 |
WO2016125815A1 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法 |
JP6079911B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2017-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板およびその製造方法 |
JP6112130B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2017-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | 静電ノズル、吐出装置及び半導体モジュールの製造方法 |
JP6163586B2 (ja) * | 2015-04-17 | 2017-07-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着パターンの形成方法、押さえ板一体型の押し込み部材、蒸着装置及び有機半導体素子の製造方法 |
CN112176284B (zh) * | 2015-07-03 | 2023-09-01 | 大日本印刷株式会社 | 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 |
JP6160747B2 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-07-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク |
WO2017013903A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 凸版印刷株式会社 | メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 |
KR101968033B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2019-04-10 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크 |
KR102341450B1 (ko) | 2015-07-17 | 2021-12-21 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크 기재의 관리 방법, 메탈 마스크, 및, 메탈 마스크의 제조 방법 |
CN107406963B (zh) | 2015-07-17 | 2018-11-20 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀用金属掩模基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 |
JP6714995B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2020-07-01 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスクの製造方法 |
CN108884555B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-02-09 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
WO2017138166A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法 |
JP6681739B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-04-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | シャドーマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
JP6906652B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2021-07-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
CN107849682B (zh) | 2016-04-14 | 2019-04-19 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法 |
CN106048521B (zh) * | 2016-06-12 | 2018-09-18 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种金属掩膜板的制备方法及金属掩膜板 |
TWI678824B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 掩膜及其製備方法 |
CN109689922B (zh) * | 2016-09-30 | 2021-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模制备体、蒸镀图案形成方法、有机半导体元件的制造方法、有机el显示装置的制造方法 |
WO2018066611A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
KR102716296B1 (ko) * | 2016-11-02 | 2024-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 이의 제조 방법 |
KR20180071695A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 주식회사 티씨케이 | 층간 경계를 덮는 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
JP6428903B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-11-28 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
CN113737128A (zh) * | 2017-01-31 | 2021-12-03 | 堺显示器制品株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
WO2018181969A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法 |
JP6319505B1 (ja) | 2017-09-08 | 2018-05-09 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法 |
KR102341448B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2021-12-21 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크 |
JP6299921B1 (ja) * | 2017-10-13 | 2018-03-28 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
US11121321B2 (en) * | 2017-11-01 | 2021-09-14 | Emagin Corporation | High resolution shadow mask with tapered pixel openings |
CN110512172A (zh) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 蒸镀遮罩的制造方法及有机发光材料的蒸镀方法 |
TWI694164B (zh) * | 2018-05-21 | 2020-05-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法 |
KR20200055871A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 식각 방법 |
KR20200056525A (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 마스크 제조 방법 |
JP6838693B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2021-03-03 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク群、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2020158843A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 日立金属株式会社 | メタルマスク用クラッド板材およびメタルマスク |
CN115003851A (zh) * | 2020-02-05 | 2022-09-02 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模中间体、蒸镀掩模、掩模装置及蒸镀掩模的制造方法 |
KR20220081406A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 제조 방법 및 마스크를 포함하는 증착 설비 |
KR20220091647A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리의 제작 방법 |
KR102615023B1 (ko) * | 2021-06-22 | 2023-12-19 | (주)휴넷플러스 | 대면적 다중 박막 초고해상도 증착용 마스크 |
KR20230020035A (ko) * | 2021-08-02 | 2023-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086127A (en) * | 1977-07-01 | 1978-04-25 | Westinghouse Electric Corporation | Method of fabricating apertured deposition masks used for fabricating thin film transistors |
JPS5976868A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | Showa Denko Kk | 溶射用マスク |
JPS6376859A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスクとその製造法 |
JPH07300664A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Fujitsu Ltd | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
DE69618162T2 (de) * | 1995-08-24 | 2002-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Herstellungsverfahren eines Reflektors |
JPH09143758A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-03 | Nippon Steel Corp | 容器用樹脂被覆金属板およびその樹脂被覆金属板を有する缶体 |
JP2001113667A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Taiyo Kagaku Kogyo Kk | スクリーン印刷用メタルマスクとその製造方法 |
JP4092914B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP4635348B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | パターン形成用マスクおよびそれを使用したパターン形成装置 |
JP4491574B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-06-30 | 大日本印刷株式会社 | Hdd用サスペンション及びその製造方法 |
KR20030002947A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 el 표시소자 및 제조방법 |
CA2426641C (en) * | 2001-08-24 | 2010-10-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multi-face forming mask device for vacuum deposition |
JP4862236B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2012-01-25 | 大日本印刷株式会社 | 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置 |
JP2003332057A (ja) | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置 |
JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
KR100490534B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
EP1469353A4 (en) * | 2002-01-25 | 2007-09-19 | Jsr Corp | TWO LAYER FILM AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE SAME |
US6897164B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
KR100469252B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 풀칼라 유기 el 표시소자 |
US6878208B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-04-12 | Tohoku Pioneer Corporation | Mask for vacuum deposition and organic EL display manufactured by using the same |
KR100813832B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법 |
KR100480705B1 (ko) * | 2002-07-03 | 2005-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 제작용 새도우 마스크 및 그 제조 방법 |
TW545081B (en) * | 2002-08-16 | 2003-08-01 | Lightronik Technology Inc | Bilayer metal shadow mask structure and fabrication process |
JP4104964B2 (ja) | 2002-12-09 | 2008-06-18 | 日本フイルコン株式会社 | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP4170179B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2008-10-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機elパネルの製造方法および有機elパネル |
KR100534580B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법 |
KR100525819B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2005-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 이엘 디스플레이 패널 제조용 새도우 마스크 |
CN100549819C (zh) * | 2003-05-29 | 2009-10-14 | 中国科学院光电技术研究所 | 金属掩模板 |
US9236279B2 (en) * | 2003-06-27 | 2016-01-12 | Lam Research Corporation | Method of dielectric film treatment |
JP2005042147A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク |
US7592207B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
EP1548147A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method |
JP4512772B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-07-28 | 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン | 導電性ボール定置用マスクの製造方法 |
CN1763239A (zh) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 悦城科技股份有限公司 | 蒸镀遮罩 |
JP4438710B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2010-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | マスク、マスクチップ、マスクの製造方法及びマスクチップの製造方法 |
US7615501B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-11-10 | 3M Innovative Properties Company | Method for making a thin film layer |
JP5008849B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2012-08-22 | ソニーモバイルディスプレイ株式会社 | レーザ加工方法及び透明樹脂層を有する表示装置の製造方法 |
US20070148337A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Nichols Jonathan A | Flame-perforated aperture masks |
TWI458648B (zh) * | 2006-04-07 | 2014-11-01 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | A method for manufacturing a photographic mask for printing a resin, and a screen printing mask for resin |
JP2008121060A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 樹脂付き真空成膜用マスクの作製方法及び樹脂付き真空成膜用マスク |
KR20080051555A (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치 |
JP2008255433A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sumco Corp | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN100580905C (zh) * | 2007-04-20 | 2010-01-13 | 晶能光电(江西)有限公司 | 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法 |
JP2009041054A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法 |
JP4915312B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2012-04-11 | ソニー株式会社 | 蒸着用マスクの製造方法 |
JP4985227B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法 |
JP2009052073A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着マスク付シート、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク付シートの製造方法 |
JP2009111226A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 吸着ヘッド |
CN100560782C (zh) * | 2008-01-22 | 2009-11-18 | 电子科技大学 | 一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法 |
JP5239800B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-07-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール |
JP5379717B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2013-12-25 | 株式会社アルバック | 蒸着用マスク |
JP2013021165A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法 |
KR102354233B1 (ko) * | 2012-01-12 | 2022-01-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 스텝 앤드 리피트 증착 마스크의 제조 방법, 이것에 의해 얻어지는 스텝 앤드 리피트 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
CN105779935A (zh) * | 2012-01-12 | 2016-07-20 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
CN105322101B (zh) * | 2012-01-12 | 2019-04-05 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
KR101978190B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2019-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자 및 이의 제조방법 |
-
2013
- 2013-01-11 CN CN201610206491.4A patent/CN105779935A/zh active Pending
- 2013-01-11 TW TW105100279A patent/TWI572729B/zh active
- 2013-01-11 CN CN201610206229.XA patent/CN105870325B/zh active Active
- 2013-01-11 TW TW108140308A patent/TWI705150B/zh active
- 2013-01-11 KR KR1020197037459A patent/KR102097574B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 KR KR1020207009331A patent/KR102201790B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 CN CN201380005299.3A patent/CN104041185B/zh active Active
- 2013-01-11 TW TW109129916A patent/TWI810479B/zh active
- 2013-01-11 KR KR1020147016828A patent/KR101930378B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 CN CN201610206316.5A patent/CN105821375A/zh active Pending
- 2013-01-11 WO PCT/JP2013/050423 patent/WO2013105643A1/ja active Application Filing
- 2013-01-11 CN CN201610206129.7A patent/CN105810850B/zh active Active
- 2013-01-11 TW TW106125578A patent/TWI647322B/zh active
- 2013-01-11 TW TW105139938A patent/TWI601838B/zh active
- 2013-01-11 JP JP2013003072A patent/JP5288073B2/ja active Active
- 2013-01-11 CN CN201610206130.XA patent/CN105821374B/zh active Active
- 2013-01-11 TW TW107138046A patent/TWI677587B/zh active
- 2013-01-11 CN CN201610206421.9A patent/CN105779934B/zh active Active
- 2013-01-11 KR KR1020217000354A patent/KR102242389B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 TW TW103117886A patent/TWI526562B/zh active
- 2013-01-11 KR KR1020147016633A patent/KR101439219B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 KR KR1020187036059A patent/KR20180136569A/ko active Application Filing
- 2013-01-11 CN CN201610206420.4A patent/CN105789487B/zh active Active
- 2013-01-11 CN CN201610206232.1A patent/CN105803388B/zh active Active
- 2013-01-11 CN CN201610206515.6A patent/CN105870326A/zh active Pending
- 2013-01-11 TW TW102101283A patent/TWI461098B/zh active
- 2013-01-11 US US14/370,875 patent/US9203028B2/en active Active
- 2013-06-03 JP JP2013117237A patent/JP6186897B2/ja active Active
-
2015
- 2015-10-27 US US14/923,497 patent/US9379324B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-19 US US15/158,951 patent/US20160268511A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-03-10 US US15/455,409 patent/US20170186955A1/en not_active Abandoned
- 2017-05-19 JP JP2017100301A patent/JP6344505B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-23 JP JP2018098985A patent/JP6566086B2/ja active Active
- 2018-05-29 US US15/991,211 patent/US20180277763A1/en not_active Abandoned
- 2018-12-18 US US16/223,625 patent/US20190123280A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-07-31 JP JP2019141038A patent/JP6725890B2/ja active Active
- 2019-08-06 US US16/532,911 patent/US20190363257A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-06-24 JP JP2020108948A patent/JP2020172705A/ja not_active Withdrawn
- 2020-11-16 US US17/098,720 patent/US20210066601A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6566086B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、樹脂層付き金属板の製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP5288072B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6123301B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6217197B2 (ja) | 蒸着マスク、樹脂層付き金属マスク、および有機半導体素子の製造方法 | |
JP6167526B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6304425B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6620831B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6315140B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6822529B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP2019214794A (ja) | 蒸着マスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6344505 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |