CN107858642B - 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107858642B
CN107858642B CN201710872210.3A CN201710872210A CN107858642B CN 107858642 B CN107858642 B CN 107858642B CN 201710872210 A CN201710872210 A CN 201710872210A CN 107858642 B CN107858642 B CN 107858642B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
mask
resin
openings
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710872210.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107858642A (zh
Inventor
武田利彦
小幡胜也
落合洋光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority claimed from CN201480020615.9A external-priority patent/CN105143497B/zh
Publication of CN107858642A publication Critical patent/CN107858642A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107858642B publication Critical patent/CN107858642B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B23K26/0661—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks disposed on the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种即使在大型化的情况下，也可以满足高精细化及轻质化二者，且可在保持强度的同时，形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模、及可简便地制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模的制造方法；蒸镀掩模准备体；以及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。叠层设有多个缝隙(15)的金属掩模(10)和树脂掩模(20)，在树脂掩模(20)上设有用于构成多个画面所必要的开口部(25)，开口部(25)与要蒸镀制作的图案相对应，各缝隙(15)设于与至少1个画面整体相重叠的位置。

Description

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半 导体元件的制造方法
本申请是申请日为2014年3月24日、申请号为201480020615.9的中国发明申请“蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法”的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法。
背景技术
目前，在有机EL元件的制造中，形成有机EL元件的有机层或阴极电极时，使用例如在应蒸镀的区域以微小间隔平行排列多个微细缝隙而成的金属制蒸镀掩模。在使用该蒸镀掩模的情况下，在应蒸镀的基板表面载置蒸镀掩模，从背面使用磁铁来保持，但是，由于缝隙的刚性极小，所以在将蒸镀掩模保持在基板表面时，容易在缝隙处发生变形，妨碍高精细化或缝隙长度大的制品大型化。
对于用于防止缝隙变形的蒸镀掩模，已进行各种检讨，例如在专利文献1中公开了一种蒸镀掩模，其具备：具有多个开口部的兼作第一金属掩模的底板、在覆盖上述开口部的区域具备多个微细缝隙的第二金属掩模、在向缝隙的长度方向拉伸的状态下使第二金属掩模位于底板上的掩模拉伸保持装置。即，公开了一种组合有2种金属掩模的蒸镀掩模。根据该蒸镀掩模，不会在缝隙处发生变形，而可确保缝隙精度。
但是，近年来随着使用有机EL元件的制品的大型化或基板尺寸的大型化，对于蒸镀掩模，大型化的要求不断增高，制造金属制蒸镀掩模时所使用的金属板也逐渐大型化。但是，在现在的金属加工技术中，难以在大型金属板上高精度地形成缝隙，即使通过上述专利文献1所公开的方法等可防止缝隙部变形，也无法对应缝隙的高精细化。另外，在形成为仅由金属构成的蒸镀掩模的情况下，随着大型化，其质量也增大，包含框架的总质量也增大，因此会在处理时造成障碍。
在上述所公开的蒸镀掩模中，为实现蒸镀掩模的轻质化，需要使由金属构成的蒸镀掩模的厚度变薄。但是，在使由金属构成的蒸镀掩模的厚度变薄的情况下，存在蒸镀掩模的强度降低、且蒸镀掩模发生变形的情况，或存在难以处理等新的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003～332057号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于如上的状况而进行的，其主要课题在于，提供一种在大型化的情况下，也能够满足高精细化及轻质化二者，而且可在保持强度的同时，形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模；提供可简便地制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模准备体；以及提供可高精度地制造有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
用于解决上述课题的本发明提供一种用于同时形成多个画面的蒸镀图案的蒸镀掩模，其特征在于，叠层有树脂掩模和设有多个缝隙的金属掩模，在所述树脂掩模上设有用于构成多个画面所必要的开口部，所述开口部与要蒸镀制作的图案相对应，各所述缝隙设于与至少1个画面整体相重叠的位置。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种蒸镀掩模，其特征在于，将设有1个贯通孔的金属掩模和设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模叠层，所述多个开口部全部设于与所述1个贯通孔重叠的位置。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种用于获得蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体，其特征在于，在树脂板的一面叠层设有缝隙的金属掩模而成，各所述缝隙设于与构成最终设于所述树脂板的1个画面的开口部整体相重叠的位置，所述蒸镀掩模叠层有树脂掩模和设有多个缝隙的金属掩模，在所述树脂掩模上设有用于构成多个画面所必要的开口部，且所述开口部与要蒸镀制作的图案相对应，各所述缝隙设于与至少1个画面整体相重叠的位置。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种用于获得蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体，其特征在于，在树脂板的一面叠层设有缝隙的金属掩模而成，各所述1个贯通孔设于与最终设于所述树脂板的开口部整体相重叠的位置，所述蒸镀掩模叠层有设有1个贯通孔的金属掩模和设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，所述多个开口部全部设于与所述1个贯通孔重叠的位置。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，具备：准备叠层有树脂板和设有多个缝隙的金属掩模的带树脂板的金属掩模的工序；从所述金属掩模侧照射激光，从而在所述树脂板上形成用于构成多个画面所必要的开口部的树脂掩模形成工序；作为所述金属掩模，使用在与所述多个画面中的至少1个画面整体相重叠的位置设有缝隙的金属掩模。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，具备：准备叠层有树脂板和设有1个贯通孔的金属掩模的带树脂板的金属掩模的工序；从所述金属掩模侧照射激光，从而在所述树脂板的与所述1个贯通孔重叠的位置形成多个开口部的树脂掩模形成工序。
另外，在上述制造方法中，也可以在框架上固定了所述带树脂板的金属掩模后，进行所述树脂掩模形成工序。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：使用框架上固定有蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序；在所述形成蒸镀图案的工序中，固定于所述框架的所述蒸镀掩模叠层有树脂掩模和设有多个缝隙的金属掩模，在所述树脂掩模上设有用于构成多个画面所必要的开口部，各所述缝隙设于与至少1个画面整体相重叠的位置。
另外，用于解决上述课题的本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：使用框架上固定有蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序，在所述形成蒸镀图案的工序中，固定于所述框架的上述蒸镀掩模叠层有设有1个贯通孔的金属掩模和设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，所述多个开口部全部设于与所述1个贯通孔重叠的位置。
发明的效果
根据本发明的蒸镀掩模，在大型化的情况下，也可以满足高精细化及轻质化二者，且可在保持蒸镀掩模整体的强度的同时，形成高精细的蒸镀图案。另外，根据本发明的蒸镀掩模准备体、或蒸镀掩模的制造方法，可简便地制造上述特征的蒸镀掩模。另外，根据本发明的有机半导体元件的制造方法，可高精度地制造有机半导体元件。
附图说明
图1是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图2是图1所示的蒸镀掩模的局部放大剖面图；
图3是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图4是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图5是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图6是实施方式(A)的蒸镀掩模的局部放大剖面图；
图7是从树脂掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图8是表示阴影和金属掩模的厚度的关系的概略剖面图；
图9是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图；
图10是用于说明实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法的例子的工序图，需要说明的是，(a)～(c)全为剖面图；
图11是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图；
图12是图11所示的蒸镀掩模的局部放大剖面图；
图13是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图；
图14是图13所示的蒸镀掩模的局部放大剖面图；
图15是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图；
图16是实施方式(B)的蒸镀掩模的局部放大剖面图；
图17是表示阴影和金属掩模的厚度的关系的概略剖面图；
图18是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图；
图19是用于说明实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法的例子的工序图，需要说明的是，(a)～(c)为剖面图；
图20是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模的正面图；
图21是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模的正面图。
标记说明
100 蒸镀掩模
10 金属掩模
15 缝隙、贯通孔
20 树脂掩模
25 开口部
28 槽
60 金属框架
200 带框架的蒸镀掩模
具体实施方式
以下，将本发明一实施方式的蒸镀掩模100分为实施方式(A)、实施方式(B)并使用附图进行具体说明。
＜实施方式(A)的蒸镀掩模＞
如图1～图7、图9所示，实施方式(A)的蒸镀掩模100是用于同时形成多个画面的蒸镀图案的蒸镀掩模，其特征在于：由设有多个缝隙15的金属掩模10和树脂掩模20叠层而成，在树脂掩模20上设有用于构成多个画面所必要的开口部25，各缝隙15被设在与至少1个画面整体相重叠的位置。此外，图1、图3～图5、图9是从金属掩模侧观察实施方式(A)的蒸镀掩模的正面图，图2、图6是图1所示的蒸镀掩模的局部放大概略剖面图。
实施方式(A)的蒸镀掩模100是用于同时形成多个画面的蒸镀图案而使用的蒸镀掩模，可利用1个蒸镀掩模100同时形成与多个制品相对应的蒸镀图案。本案说明书中所说的“开口部”是指要使用实施方式(A)、及实施方式(B)的蒸镀掩模制作的图案，例如在将该蒸镀掩模用于形成有机EL显示器中的有机层的情况下，开口部25的形状为该有机层的形状。在实施方式(A)、及实施方式(B)的蒸镀掩模100中，由蒸镀源放出的蒸镀材料通过开口部25，由此，在蒸镀对象物形成与开口部25相对应的蒸镀图案。另外，“1个画面”是指由与1个制品相对应的开口部25的集合体构成，在该1个制品为有机EL显示器的情况下，形成1个有机EL显示器所必要的有机层的集合体，即成为有机层的开口部25的集合体为“1个画面”。而且，实施方式(A)的蒸镀掩模100是为了同时形成多个画面的蒸镀图案而在树脂掩模20上隔开规定间隔配置有多个上述“1个画面”。即，在树脂掩模20上设有用于构成多个画面所必要的开口部25。
实施方式(A)的蒸镀掩模的特征在于，在树脂掩模的一面上叠层设有多个缝隙15的金属掩模10，金属掩模10的各缝隙分别被设在与至少1个画面整体相重叠的位置。换言之，其特征在于，在构成1个画面所必要的开口部25之间，在以横向邻接的开口部25之间不存在与缝隙15的纵向长度为相同长度且具有与金属掩模10相同厚度的金属线部分，或在以纵向邻接的开口部间25不存在与缝隙15的横向长度为相同长度且具有与金属掩模10相同厚度的金属部分。以下，有时将与缝隙15的纵向长度为相同长度且具有与金属掩模10相同厚度的金属线部分、或与缝隙15的横向长度为相同长度且具有与金属掩模10相同厚度的金属线部分总的简称为金属部分。
根据实施方式(A)的蒸镀掩模100，在使构成1个画面所必要的开口部25的大小、或构成1个画面的开口部25之间的间距变窄的情况下，例如为了进行超过400ppi的画面的形成，即使在使开口部25的大小、或开口部25之间的间距极为微小的情况下，也能够防止因上述金属部分所造成的干扰，能够形成高精细的图像。此外，在1个画面通过多个缝隙被分割的情况下，换言之，在构成1个画面的开口部25之间存在金属线部分的情况下，伴随构成1个画面的开口部25之间的间距变窄的情况，需要使存在于开口部25之间的金属部分细线化。但是，在使存在于构成1个画面的开口部25之间的金属部分细线化的情况下，该金属部分断裂的频率变高，有时断裂的金属部分在蒸镀时造成不良影响。
另外，在构成1个画面的开口部25之间存在有金属部分的情况下，该金属部分引起阴影的产生而难以形成高精细的画面。需要说明的是，阴影是指由蒸镀源放出的蒸镀材料的一部分冲撞金属掩模10的缝隙15的内壁面而未到达蒸镀对象物，从而产生成为膜厚比目的蒸镀膜厚更薄的未蒸镀部分的现象。尤其是，伴随开口部25的形状微细化，存在于1个画面内的开口部25之间的金属部分造成的阴影的影响会变大。即，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，在与至少1个画面整体相重叠的位置设置缝隙，即，在构成1个画面的开口部25之间不存在金属部分，由此提高蒸镀掩模的耐久性、或防止阴影的影响。
另外，根据实施方式(A)的蒸镀掩模100，与现有的蒸镀掩模相比较，可实现轻质化。具体而言，若将实施方式(A)的蒸镀掩模100的质量、和目前公知的仅由金属所构成的蒸镀掩模的质量进行比较(假定蒸镀掩模整体的厚度相同)，仅将目前公知的蒸镀掩模的金属材料的一部分置换成树脂材料，则实施方式(A)的蒸镀掩模100的质量轻。另外，为了使用仅由金属构成的蒸镀掩模来实现轻质化，必须要使该蒸镀掩模的厚度变薄等，但是在使蒸镀掩模的厚度变薄的情况下，在将蒸镀掩模大型化时，会发生蒸镀掩模发生变形的情况、或耐久性降低的情况。另一方面，根据实施方式(A)的蒸镀掩模，即使在为了防止大型化时的变形、或满足耐久性而加厚蒸镀掩模整体的厚度的情况下，由于存在树脂掩模20，从而也能够实现比仅由金属形成的蒸镀掩模更为轻质化。以下，分别进行具体说明。这对于后述的实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
(形成实施方式(A)的蒸镀掩模的树脂掩模)
形成实施方式(A)的蒸镀掩模的树脂掩模20可适当选择使用目前公知的树脂材料，其材料没有特别限定，但优选使用可通过激光加工等而形成高精细的开口部25，且热或经时的尺寸变化率或吸湿率小、且轻质的材料。作为这样的材料，可举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯腈树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-乙烯醇共聚物树脂、乙烯甲基丙烯酸共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、赛璐玢、离子聚合物树脂等。在上述所例示的材料中，优选其热膨胀系数为16ppm/℃C以下的树脂材料，优选为吸湿率为1.0％以下的树脂材料，特别优选为具备该两个条件的树脂材料。通过设为使用该树脂材料的树脂掩模，可使开口部25的尺寸精度提高，且可以减小热或经时的尺寸变化率或吸湿率。在实施方式(A)的蒸镀掩模中，树脂掩模20如上所述与金属材料进行比较，由可形成高精细的开口部25的树脂材料构成。因此，可形成为具有高精细的开口部25的蒸镀掩模100。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
树脂掩模20的厚度也没有特别限定，在使用实施方式(A)的蒸镀掩模100进行蒸镀时，为了防止产生膜厚比目的蒸镀膜厚更薄的蒸镀部分，即所谓的阴影，树脂掩模20优选为尽可能薄。但是，在树脂掩模20的厚度低于3μm的情况下，容易产生针孔等缺陷，而且变形等风险增高。另一方面，若超出25μm，则可能产生阴影。考虑到这一点，树脂掩模20的厚度优选为3μm以上且25μm以下。通过将树脂掩模20的厚度设为该范围内，可降低针孔等缺陷或变形等风险，且可有效防止阴影的产生。尤其是，通过使树脂掩模20的厚度为3μm以上且10μm以下，更优选为4μm以上且8μm以下，可更有效地防止形成超出400ppi的高精细图案时的阴影的影响。另外，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，即使在使树脂掩模20的厚度薄至上述优选范围的情况下，由于存在设于树脂掩模20上的金属掩模10，从而也可以使蒸镀掩模100整体的耐久性、或处理性得到满足。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
此外，在实施方式(A)的蒸镀掩模100中，金属掩模10和树脂掩模20可直接接合，也可以通过粘接剂层接合，但在通过粘接剂层接合金属掩模10和树脂掩模20的情况下，考虑上述阴影这一点，优选以树脂掩模20和粘接剂层的合计厚度为3μm以上且25μm以下，更优选为3μm以上且10μm以下，特别优选为4μm以上且8μm以下的范围内的方式进行设定。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
另外，实施方式(A)的蒸镀掩模100采用由上述树脂掩模20和金属掩模10叠层而成的构成，因此，由于金属掩模10的存在而实现蒸镀掩模整体的耐久性的提高，由此，实现处理性能、或防止断裂、变形。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
接着，参照图1、图3～图6说明构成1个画面的开口部25的一例。需要说明的是，在图示的方式中，由虚线封闭的区域为1个画面。在图示的方式中，为便于说明，将少数开口部25的集合体设为1个画面，但不限于该方式，例如，在将1个开口部25设为1像素时，也可以在1个画面存在数百万像素的开口部25。
在图1所示的方式中，通过以纵向、横向设有多个开口部25而成的开口部25的集合体，构成1个画面。在图3所示的方式中，通过横向设有多个开口部25而成的开口部25的集合体，构成1个画面。另外，在图4所示的方式中，通过纵向设有多个开口部25而成的开口部25的集合体构成1个画面。接着，在图1、图3、图4中，在与1个画面整体相重叠的位置设有缝隙15。
如上述说明，金属掩模10的缝隙15可以设于仅与1个画面重叠的位置，也可以如图5(a)、图5(b)所示，缝隙15设于与2个以上的画面整体相重叠的位置。在图5(a)中，在图1所示的树脂掩模中，在与以横向连续的2个画面整体相重叠的位置设有缝隙15。在图5(b)中，在与以纵向连续的3个画面整体相重叠的位置设有缝隙15。此外，在将多个画面整体与1个缝隙重叠的情况下，相对于金属掩模10的整个表面，缝隙15所占区域的比例越多，设于树脂掩模上的金属部分所占比例越低，蒸镀掩模100整体的耐久性越低。因此，在将多个画面整体与1个缝隙重叠的情况下，需要考虑蒸镀掩模100整体的耐久性来作适当设定。
接着，以图1所示的方式为例，对构成1个画面的开口部25之间的间距、画面间的间距进行说明。关于构成1个画面的开口部25之间的间距、或开口部25的大小，没有特别限定，可根据进行蒸镀制作的图案进行适当设定。例如，在形成400ppi的高精细蒸镀图案的情况下，就构成1个画面的开口部25而言，相邻接的开口部25的横向间距(P1)、纵向间距(P2)为60μm左右。另外，开口部的大小为500μm2～1000μm2左右。另外，1个开口部25不限于与1像素相对应，例如也可以通过像素排列，将多个像素汇总形成为1个开口部25。
对于画面间的横向间距(P3)、纵向间距(P4)也没有特别限定，如图1所示，在1个缝隙15设在与1个画面整体相重叠的位置的情况下，在各画面间存在金属部分。因此，在各画面间的横向间距(P3)、纵向间距(P4)比设于1个画面内的开口部25的横向间距(P1)、纵向间距(P2)小的情况、或大致相等的情况下，存在于各画面间的金属部分变得容易断线。因此，若考虑到这一点，则画面间的间距(P3、P4)优选比构成1个画面的开口部25之间的间距(P1、P2)更宽。作为画面间的间距(P3、P4)的一例，为1mm～100mm左右。需要说明的是，画面间的间距是指在1个画面、和与该1个画面相邻接的其它画面中，相邻接的开口部间的间距。
此外，如图5所示，在1个缝隙15设在与2个以上的画面整体相重叠的位置的情况下，在设于1个缝隙15内的多个画面间不存在金属部分。因此，该情况下，设于与1个缝隙15重叠的位置的2个以上的画面间的间距也可以与构成1个画面的开口部25之间的间距大致相等。
对于开口部25的剖面形状也没有特别限定，也可以为形成开口部25的树脂掩模的相向端面间彼此大致平行，但更优选为如图2、图6所示，开口部25其剖面形状为朝向蒸镀源变宽的形状。换言之，优选具有朝向金属掩模10侧变宽的锥面。通过将开口部25的剖面形状形成为该构成，在使用实施方式(A)的蒸镀掩模进行蒸镀时，可防止在进行蒸镀作成的图案上产生阴影。关于锥角θ，可考虑树脂掩模20的厚度等适当设定，但将树脂掩模的开口部中的下底前端和相同的树脂掩模的开口部中的上底前端相连结的直线、和树脂掩模20的底面构成的角度，换言之，在树脂掩模20的构成开口部25的内壁面的厚度方向剖面，开口部25的内壁面和树脂掩模20的与金属掩模10不相接的侧的面(在图示的方式中为树脂掩模的下面)构成的角度(θ)优选在5°～85°的范围内，更优选在15°～80°的范围内，进一步优选在25°～65°的范围内。尤其是，在该范围内，还优选为小于所使用的蒸镀机的蒸镀角度的角度。另外，在图2、图6中，形成开口部25的端面呈直线形状，但不限于此，也可以形成为凸向外的弯曲形状，即开口部25的整体形状形成为木碗形状。具有这种剖面形状的开口部25例如可通过适当调整形成开口部25时激光的照射位置、或激光的照射能量、或者进行使照射位置阶段性改变的多阶段激光照射来形成。此外，图2、图6是表示图1所示的方式的蒸镀掩模100的一例的局部放大剖面图。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同，只要将图2、图6分别改为图12、图16即可。
树脂掩模20使用树脂材料，因此，不采用以往金属加工时所采用的加工法、例如蚀刻加工法或切削等加工方法，即可形成开口部25。即，对于开口部25的形成方法，没有特别限定，可使用各种加工方法，例如可形成高精细的开口部25的激光加工法、或精密冲压加工、光刻加工等来形成开口部25。关于通过激光加工法等来形成开口部25的方法如后所述。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
作为蚀刻加工法，可使用例如将蚀刻材料从喷射喷嘴以规定的喷雾压力进行喷雾的喷射蚀刻法、浸渍在填充有蚀刻材料的蚀刻液中的浸渍蚀刻法、滴加蚀刻材料的旋转蚀刻法等湿式蚀刻法、或利用气体、等离子等干式蚀刻法。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
另外，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，使用树脂掩模20作为蒸镀掩模100的构成，因此，在使用该蒸镀掩模100进行蒸镀时，在树脂掩模20的开口部25施加非常高的热，从树脂掩模20的形成开口部25的端面25a(参照图6)产生气体，可能会使蒸镀装置内的真空度降低等。因此，若考虑这一点，如图6所示，优选在树脂掩模20的形成开口部25的端面25a设置阻挡层26。通过形成阻挡层26，可以防止由树脂掩模20的形成开口部25的端面25a产生气体。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同，只要将图6改为图16即可。
阻挡层26可以使用无机氧化物或无机氮化物、金属的薄膜层或蒸镀层。作为无机氧化物，可使用铝或硅、铟、锡、镁的氧化物，作为金属，可使用铝等。阻挡层26的厚度更优选为0.05μm～1μm左右。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
另外，阻挡层26优选覆盖树脂掩模20的蒸镀源侧表面(未图示)。通过用阻挡层26覆盖树脂掩模20的蒸镀源侧表面，阻挡性进一步提高。阻挡层在为无机氧化物、及无机氮化物的情况下，优选通过各种PVD(physical vapor deposition)法、CVD(chemical vapordeposition)法来形成。在金属的情况下，优选通过溅射法、离子镀敷法、真空蒸镀法等各种PVD法，尤其是真空蒸镀法来形成。此外，在此所说的树脂掩模20的蒸镀源侧表面可以为树脂掩模20的蒸镀源侧的表面整体，也可以仅为在树脂掩模20的蒸镀源侧的表面从金属掩模露出的部分。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
另外，在使用实施方式(A)的蒸镀掩模对蒸镀对象物进行蒸镀时，在蒸镀对象物后方配置磁铁等，通过磁力来吸引蒸镀对象物前方的蒸镀掩模100，由此使实施方式(A)的蒸镀掩模和蒸镀对象物密合的情况下，优选在树脂掩模20的与金属掩模10未相接的侧的面设置由磁性材料构成的磁性层(末图示)。通过设置磁性层，通过磁力来吸引该磁性层和蒸镀对象物，可使实施方式(A)的蒸镀掩模和蒸镀对象物无间隙地充分密合，可防止因实施方式(A)的蒸镀掩模和蒸镀对象物的间隙所产生的蒸镀图案增大。具体而言，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，由于在构成1个画面的开口部25之间不存在金属部分，所以在与1个画面相对应的区域，不能使实施方式(A)的蒸镀掩模100和蒸镀对象物密合。另一方面，在设置磁性层的情况下，在设有该磁性层的区域，也可以使实施方式(A)的蒸镀掩模100和蒸镀对象物密合，因此，通过在树脂掩模20的与1个画面相对应的区域设置磁性层，可以使实施方式(A)的蒸镀掩模100和蒸镀对象物的密合性更为良好。蒸镀图案增大是指形成比作为目的的蒸镀图案更大的形状的蒸镀图案的现象。需要说明的是，在使用通过磁力来吸引实施方式(A)的蒸镀掩模100和蒸镀对象物的以外的方法使其密合的情况下，不特别需要设置磁性层。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
作为磁性层的材料，可举出例如铁、镍、或钴、或者包含这些金属的合金等。磁性层的厚度没有特别限定，但优选为0.05μm以上且1μm以下。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
图7是树脂掩模的其它方式的正面图。如图7所示，优选在树脂掩模20上形成向树脂掩模20的纵向、或横向(图7的情况下为纵向)延伸的槽28。在蒸镀时加热的情况下，树脂掩模20热膨胀，由此，开口部25的尺寸或位置可能发生变化，但是，通过形成该槽28，可吸收树脂掩模的膨胀，可防止因在树脂掩模的各处产生的热膨胀累积而使树脂掩模20整体朝规定方向膨胀导致的开口部25的尺寸或位置改变。槽28的形成位置没有限定，可设在构成1个画面的开口部25之间、或与开口部25重叠的位置，但优选设在各画面间。另外，槽可仅设在树脂掩模的一面，例如与金属掩模相接的一侧的面，也可以仅设在与金属掩模未相接的侧的面。或者，也可以设在树脂掩模20的两面。
图7中，在邻接的画面间形成有朝纵向延伸的槽28，但不限定于此，也可以在邻接的画面间形成向横向延伸的槽。此外，也可以以将它们组合的方式形成槽。
槽28的深度或其宽度没有特别限定，在槽28的深度过深的情况、或宽度过宽的情况下，有树脂掩模20的刚性降低的倾向，因此，需要考虑到这一点来进行设定。另外，关于槽的剖面形状，也没有特别限定，只要为U字形状或V字形状等考虑到加工方法等来任意选择即可。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
(形成实施方式(A)的蒸镀掩模的金属掩模)
形成实施方式(A)的蒸镀掩模的金属掩模10由金属构成，设有多个缝隙15。在实施方式(A)的蒸镀掩模中，如上述说明，各缝隙15被设于与至少1个画面整体相重叠的位置。换言之，构成1个画面的开口部25被设于与1个缝隙15重叠的位置。
接着，使用图8(a)～图8(c)，对阴影的产生、和因金属掩模10的厚度而可能引起的阴影的产生、或在与至少1个画面整体相重叠的位置设有缝隙的实施方式(A)的蒸镀掩模l00的优势进行说明。需要说明的是，图8(a)是构成1个画面内的开口部25a由多个缝隙15a分割的蒸镀掩模的局部放大剖面图，图8(b)是在图8(a)所示的蒸镀掩模中，表示加厚金属掩模的厚度的状态的局部放大剖面图。图8(c)是表示l个缝隙15设在与1个画面整体相重叠的位置的实施方式(A)的蒸镀掩模100的一例的局部放大剖面图，图8(d)是表示在图8(c)中的蒸镀掩模100中加厚金属掩模10的厚度的状态的局部放大剖面图。另外，在图示的方式中，将沿横向设有5个开口部(纵向为任意)的开口部25的集合体设为1个画面。
如图8(a)所示，在构成1个画面的开口部25a以多个缝隙15a分割的情况下，在相邻接的开口部25a的一部分存在形成缝隙15a的壁面的金属部分。在为了进行高精细的蒸镀图案的形成，而将开口部25a的间距、或开口部25a的形状微细化的情况下，在构成1个画面的开口部25a间存在金属部分时，该金属部分妨碍由蒸镀源放出的蒸镀材料通过至开口部25a内，难以进行高精细的蒸镀图案的制作。另外，在使金属掩模10a的厚度变薄的情况下，蒸镀掩模整体的耐久性也会降低。为了使蒸镀掩模整体的耐久性提高，而如图8(b)所示加厚金属掩模10a的厚度的情况下，由蒸镀源放出的蒸镀材料更容易冲撞该金属部分的内壁面。冲撞内壁面的蒸镀材料的量越多，不能到达至蒸镀对象物的蒸镀材料的量越多，阴影的产生更为显著。另外，在使开口部25a间的间距变窄的情况下，需要使存在于该开口部25a间的金属部分细线化，金属部分的断线风险变高。此外，在金属部分断线的情况下，蒸镀掩模整体的耐久性会降低。
另一方面，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，如图8(c)所示，1个画面整体、即设于1个画面内的全部开口部25被设于与1个缝隙15重叠的位置。因此，如图8(c)所示，可以不浪费地使蒸镀材料通过开口部25内，可防止阴影发生。另外，如图8(d)所示，即使在以一定程度加厚金属掩模10的厚度的情况下，也可以形成阴影的影响小且高精细的蒸镀图案。尤其是，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，即使在使金属掩模10的厚度形成为100μm左右的情况下，也可以防止阴影发生。通过加厚金属掩模10的厚度，蒸镀掩模100整体的耐久性提高，因此，在实施方式(A)的蒸镀掩模中，可一边形成高精细的蒸镀图案，一边通过适当设定该厚度来使耐久性提高。
金属掩模10的厚度没有特别限定，但为了更有效地防止位于缝隙15的内壁面附近的开口部25中的阴影发生，优选为100μm以下，更优选为50μm以下，特别优选为35μm以下。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同，只要将缝隙15改为贯通孔即可。
另外，在实施方式(A)的蒸镀掩模100中，另外，为了充分防止阴影发生，如图2、图6所示，优选将缝隙15的剖面形状形成具有朝向蒸镀源变宽的形状。通过形成为这样的剖面形状，即使出于防止蒸镀掩模100上可能产生的变形、或提高耐久性的目的而加厚蒸镀掩模整体厚度的情况下，从蒸镀源放出的蒸镀材料也不会冲撞缝隙15的该表面、或缝隙15的内壁面等，而能够使蒸镀材料到达蒸镀对象物。具体而言，在将金属掩模10的缝隙15中的下底前端和相同的金属掩模10的缝隙15中的上底前端连结的直线与金属掩模10的底面所成的角度，换言之，在金属掩模10的构成缝隙15的内壁面的厚度方向剖面，缝隙l5的内壁面和金属掩模10的与树脂掩模20相接的一侧的面(在图示的方式中为金属掩模的下面)所成的角度优选在5°～85°的范围内，更优选为在15°～80°的范围内，进一步优选为在25°～65°的范围内。尤其是，在该范围内时，也优选为小于所使用的蒸镀机的蒸镀角度的角度。通过形成这样的剖面形状，即使出于防止蒸镀掩模100可能产生的变形、或提高耐久性的目的而使金属掩模10的厚度较厚的情况下，由蒸镀源放出的蒸镀材料也不会冲撞缝隙15的内壁面等，而能够使蒸镀材料到达蒸镀对象物。由此，能够更有效地防止阴影发生。此外，树脂掩模20的开口部25的相向的端面也可以大致平行，但如上述说明，金属掩模10的缝隙15、及树脂掩模20的开口部25均优选以其剖面形状形成朝向蒸镀源侧变宽的形状。
金属掩模10的材料没有特别限定，可在蒸镀掩模的领域适当选择使用现有公知的材料，例如可举出不锈钢、铁镍合金、铝合金等金属材料。其中，由于作为铁镍合金的因瓦合金材料因热所造成的变形较少，所以也可以适宜使用。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
另外，在使用实施方式(A)的蒸镀掩模100对基板上进行蒸镀时，在需要于基板后方配置磁铁等而通过磁力来吸引基板前方的蒸镀掩模100的情况下，优选由磁性体形成金属掩模10。作为磁性体的金属掩模10，可举出铁镍合金、纯铁、碳钢、钨(W)钢、铬(Cr)钢、钴(Co)钢、包含钴·钨·铬·碳的铁的合金即KS钢、以铁·镍·铝为主成分的MK钢、在MK钢中添加了钴·钛的NKS钢、Cu-Ni-Co钢、铝(Al)-铁(Fe)合金等。另外，在形成金属掩模10的材料本身不是磁性体的情况下，也可以使上述磁性体的粉末分散在该材料中而对金属掩模10赋予磁性。对于实施方式(B)的蒸镀掩模也相同。
图9是表示实施方式(A)的蒸镀掩模100的其它方式的正面图。如图9所示，在由蒸镀掩模100的金属掩模10侧观察到的正面图中，也可以在横向交错配置构成1个画面的开口部25。即，也可以在纵向错开配置横向相邻的开口部25。通过这样进行配置，即使在树脂掩模20热膨胀的情况下，也可以通过开口部25吸收在各处所产生的膨胀，可防止膨胀累积而产生较大的变形。
＜实施方式(B)的蒸镀掩模＞
如图11、图12所示，就实施方式(B)的蒸镀掩模而言，将设有1个贯通孔15的金属掩模10、和设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模20叠层，该多个开口部25全部被设于与设于金属掩模10的1个贯通孔重叠的位置。此外，图11是从金属掩模侧观察实施方式(B)的蒸镀掩模的正面图，图12是图11所示的蒸镀掩模的局部放大概略剖面图。
根据实施方式(B)的蒸镀掩模100，在树脂掩模20上设有金属掩模10，因此，可提高蒸镀掩模100的耐久性、或处理性。此外，在无须在树脂掩模20上设置金属掩模10，而形成为仅由树脂掩模构成的蒸镀掩模的情况下，蒸镀掩模的耐久性、或处理性降低。尤其是，为了形成高精细的蒸镀图案，树脂掩模的厚度更优选为较薄，在使树脂掩模的厚度变薄的情况下，仅由树脂掩模构成的蒸镀掩模的耐久性、或处理性能进一步降低。
根据实施方式(B)的蒸镀掩模，如上述，即使在使树脂掩模20的厚度变薄的情况下，由于金属掩模10的存在，从而也可以对蒸镀掩模100赋予充分的耐久性、及处理性。
另外，在实施方式(B)的蒸镀掩模中，在具有多个开口部25的树脂掩模20上设有具有1个贯通孔15的金属掩模10，且多个开口部25全部被设于与该1个贯通孔15重叠的位置。在具有该结构的实施方式(B)的蒸镀掩模100中，由于在开口部25之间不存在金属部分，因此不会受到金属部分的干扰，而可以按照设于树脂掩模20的开口部25的尺寸形成高精细的蒸镀图案。
以下，使用图17具体说明实施方式(B)的蒸镀掩模的优势。此外，图17(a)是通过多个贯通孔15a分割树脂掩模20a所具有的开口部25a，在开口部25a间存在形成贯通孔15a的壁面的金属部分的蒸镀掩模的局部放大剖面图。另外，图17(b)是在图17(a)中，加厚金属掩模10a的厚度的蒸镀掩模的局部放大剖面图。
如图17(a)、(b)所示，在开口部25a间存在形成贯通孔15a的壁面的金属部分的情况下，在形成使用图17(a)、(b)所示的蒸镀掩模的蒸镀图案时，从蒸镀源放出的蒸镀材料冲撞该金属部分，因阴影的影响，所形成的蒸镀图案的精度降低。此外，阴影是指由于从蒸镀源放出的蒸镀材料的一部分冲撞金属掩模的贯通孔的壁面而未到达蒸镀对象物，从而在蒸镀图案上产生成为膜厚比作为目的的蒸镀膜厚更薄的未蒸镀部分的现象。就蒸镀材料对金属部分的冲撞而言，金属部分的厚度越厚，换言之，越加厚金属掩模10a的厚度，越为明显产生。
为了防止阴影的产生，如图17(a)所示使金属掩模10a的厚度变薄的对策为有效的，但在为了形成高精细的蒸镀图案，而使开口部25a的大小、或开口部25a间的间距微细化的情况下，即使使金属掩模10a的厚度变薄，且使存在于开口部25a间的金属部分的厚度变薄，也会受到阴影影响，难以形成高精细的蒸镀图案。另外，通过使金属掩模10a的厚度变薄，蒸镀掩模整体的耐久性也会降低。而且，在使开口部25a间的间距变窄的情况下，需要使存在于该开口部25a间的金属部分细线化，金属部分的断线风险变高。
另一方面，在实施方式(B)的蒸镀掩模100中，如图17(c)、(d)所示，由于在开口部25之间不存在形成贯通孔15的壁面的金属部分，所以不会受到阴影影响，而可以形成高精细的蒸镀图案。换言之，由于形成贯通孔15的壁面的金属部分位于蒸镀掩模100的端部附近，因此不会对蒸镀图案的形成造成影响，而可以进行高精细的蒸镀图案的形成。此外，如图17(d)所示，即使在加厚金属掩模10的厚度的情况下，也几乎不会受到阴影影响，因此，可加厚金属掩模10的厚度至可充分满足耐久性或处理性为止，可以形成高精细的蒸镀图案，并且可以使耐久性或处理性提高。
(形成实施方式(B)的蒸镀掩模的树脂掩模)
形成实施方式(B)的蒸镀掩模的树脂掩模20由树脂构成，如图12所示，在与1个贯通孔15重叠的位置设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部25。开口部25与要蒸镀制作的图案相对应，通过使从蒸镀源放出的蒸镀材料通过开口部25，在蒸镀对象物上形成与开口部25相对应的蒸镀图案。在图示的方式中，以纵横配置多列开口部的例子进行说明，但也可以仅以纵向或横向进行配置。实施方式(A)的蒸镀掩模100在与至少由设于树脂掩模的开口部的集合体构成的1个画面重叠的位置设有金属掩模10的缝隙15，与之相对，实施方式(B)的蒸镀掩模100在金属掩模10的贯通孔15位于与设于树脂掩模的全部开口部重叠的位置这一点上与实施方式(A)的蒸镀掩模不同。除该不同之处以外，可适当选择在上述实施方式(A)的蒸镀掩模中所说明的方式。以下以不同之处为中心进行说明。
对于开口部25的形状、大小没有特别限定，只要为与要蒸镀制作的图案相对应的形状、大小即可。另外，如图11所示，对于邻接的开口部25的纵向间距P1、或横向间距P2，也可以按照进行蒸镀制作的图案进行适当设定。例如，在进行400ppi的高精细的蒸镀图案的形成的情况下，在构成1个画面的开口部25中相邻接的开口部25的纵向间距(P1)、横向间距(P2)为60μm左右。另外，开口部的大小为500μm2～1000μm2左右。另外，1个开口部25不限于与1像素相对应，例如也可以通过像素排列，将多个像素汇总形成为1个开口部25。
实施方式(B)的蒸镀掩模100可以用于形成与1个画面相对应的蒸镀图案，也可以用于同时形成与2个以上的画面相对应的蒸镀图案。该情况下，如图15所示，优选按每个画面单位隔开规定间隔设置开口部25。此外，图15中，将由虚线封闭的区域设为“1个画面”。图15中，由12个开口部25构成1个画面，但不限于该方式，例如，在将1个开口部25设为1像素时，也可以由数百万个开口部25构成1个画面。作为画面间的间距的一例，纵向间距、横向间距均为1mm～100mm左右。此外，画面间的间距是指在1个画面、和与该1个画面邻接的其它画面中，相邻接的开口部间的间距。
图18是表示实施方式(B)的蒸镀掩模100的其它方式的正面图。如图18所示，在从蒸镀掩模100的金属掩模10侧观察的正面图中，也可以在横向交错配置开口部25。即，也可以在纵向错开配置以横向相邻的开口部25。通过如上述进行配置，即使在树脂掩模20热膨胀的情况下，也可以通过开口部25来吸收在各处产生的膨胀，可防止膨胀累积而产生较大的变形。
(形成实施方式(B)的蒸镀掩模的金属掩模)
形成实施方式(B)的蒸镀掩模的金属掩模10由金属所构成，具有1个贯通孔15。而且，在实施方式(B)的蒸镀掩模中，该1个贯通孔15在从金属掩模10的正面观察时，被配置在与全部开口部25重叠的位置，换言之为能看到被配置在树脂掩模20的全部开口部25的位置。
构成金属掩模10的金属部分、即贯通孔15以外的部分可以如图11所示沿着蒸镀掩模100的外缘设置，也可以如图13所示使金属掩模10的大小比树脂掩模20小，使树脂掩模20的外周部分露出。此外，图14是图13所示的蒸镀掩模的局部放大概略剖面图。另外，也可以使金属掩模10的大小大于树脂掩模20，使金属部分的一部分向树脂掩模的横向外侧、或纵向外侧突出。此外，在任何情况下，贯通孔15的大小构成为小于树脂掩模20的大小。
形成图11所示的金属掩模10的贯通孔的壁面的金属部分的横向宽度(W1)、或纵向宽度(W2)没有特别限定，但随着W1、W2的宽度变窄，耐久性或处理性有降低的倾向。因此，W1、W2优选为形成为可充分满足耐久性或处理性的宽度。可按照金属掩模10的厚度适当设定宽度，但作为优选的宽度的一例，W1、W2均为1mm～100mm左右。
另外，为了充分防止位于贯通孔15的内壁面附近的开口部25中的阴影发生，优选将贯通孔15的剖面形状形成为朝向蒸镀源变宽的形状。通过形成为这样的剖面形状，在位于贯通孔15的内壁面附近的开口部25，也可以不浪费地使从蒸镀源放出的蒸镀材料通过。具体而言，将金属掩模10的贯通孔15的下底前端和相同的金属掩模10的贯通孔15的上底前端相连结的直线、与金属掩模10的底面构成的角度优选为25°～65°的范围内。尤其是，在该范围内时，也优选为小于所使用的蒸镀机的蒸镀角度的角度。
以上，对本发明的实施方式(B)的蒸镀掩模100，以在金属掩模10上仅设有1个贯通孔15的例子为中心进行说明，但也可以在金属掩模10设有多个贯通孔15。此外，该情况下，以多个贯通孔15中的1个贯通孔15设于与设在树脂掩模20的全部开口部25重叠的位置为必须条件。
(实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法)
接着，说明本发明实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法。实施方式(A)的蒸镀掩模100的制造方法如图10(a)所示，其特征在于，具有：准备由设有多个缝隙15的金属掩模10和树脂板30叠层而成的带树脂板的金属掩模的工序；如图10(b)所示从金属掩模侧照射激光而在树脂板30上形成用于构成多个画面所必要的开口部25的树脂掩模形成工序，作为构成带树脂板的金属掩模的金属掩模10，使用设有与多个画面的中的至少1个画面整体相重叠的缝隙15的金属掩模。以下，具体说明实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法。
(准备带树脂板的金属掩模的工序)
在准备图10(a)所示的由设有缝隙的金属掩模10和树脂板30叠层而成的带树脂板的金属掩模时，首先，准备设有多个缝隙15的金属掩模。在实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法中，在此所准备的金属掩模10使用在上述实施方式(A)的蒸镀掩模100中所说明的设有缝隙15的金属掩模10，所述缝隙15与设在至少1个画面整体的开口部25整体相重叠。
用于形成为带树脂板的金属掩模的金属掩模与树脂板的贴合方法、或形成方法也没有特别限定，例如也可以预先准备通过对成为金属掩模的金属板涂敷树脂层而形成的叠层体，在叠层体的状态下，在金属板上形成缝隙15，由此获得带树脂板的金属掩模。在实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法中，在构成带树脂板的金属掩模的树脂板上也包含有如上所述通过涂敷而形成的树脂层。即，树脂板可以为预先准备的树脂板，也可以为通过现有公知的涂敷法等形成的树脂板。另外，金属掩模10和树脂板可使用各种粘接剂贴合，也可以使用具有自粘接性的树脂板。需要说明的是，金属掩模10和树脂板30的大小也可以相同。若考虑之后任意进行的对框架的固定，使树脂板30的大小小于金属板10，形成为金属掩模10的外周部分露出的状态，则金属掩模10与框架的焊接变得较为容易，故而较优选。对于实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法也相同，只要将缝隙改为1个贯通孔即可。
作为设有缝隙15的金属掩模10的形成方法，在金属板的表面涂敷掩模部件、例如抗蚀剂材料，将规定部位曝光、显影，由此最终形成残留有供形成缝隙15的位置的抗蚀剂图案。作为用作掩模部件的抗蚀剂材料，优选处理性好、且具有所希望的析像性的材料。接着，使用该抗蚀剂图案作为耐蚀刻掩模，通过蚀刻法来进行蚀刻加工。蚀刻结束后，将抗蚀剂图案洗净去除。由此，得到设有多个缝隙15的金属掩模10。用于形成缝隙15的蚀刻可以从金属板的单面侧进行，也可以从两面进行。另外，使用在金属板上设有树脂板的叠层体于金属板上形成缝隙15的情况下，在金属板的与树脂板未相接的一侧的表面涂敷掩模部件之后，形成抗蚀剂图案，接着，通过来自单面侧的蚀刻，形成缝隙15。此外，在树脂板相对于金属板的蚀刻材料具有耐蚀刻性的情况下，虽然不需要将树脂板的表面遮蔽，但在树脂板不具有对金属板的蚀刻材料的耐性的情况下，需要在树脂板的表面涂敷掩模部件。另外，上述中，以抗蚀剂材料作为掩模部件为中心来进行说明，但也可以叠层干膜抗蚀剂，进行同样的构图来取代涂敷抗蚀剂材料。对于实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法也相同，只要将缝隙改为1个贯通孔即可。
(在框架上固定带树脂板的金属掩模的工序)
该工序是实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法中的任意工序，但并非将已完成的蒸镀掩模固定在框架上，而是对被固定于框架的状态的带树脂板的金属掩模从后设置开口部，因此，可以使位置精度特别地高。需要说明的是，在将已完成的蒸镀掩模100固定在框架上的情况下，由于将已决定了开口的金属掩模一边对框架拉伸一边固定，所以与具有本工序的情况相比，开口位置坐标精度会降低。
在框架上固定带树脂板的金属掩模的方法没有特别限定，只要适当采用例如点焊等目前公知的工序方法即可。
(从金属掩模侧照射激光，在带树脂板的金属掩模的树脂板上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的工序)
接着，如图10(b)所示，从带树脂板的金属掩模的金属掩模10侧通过缝隙15照射激光，在上述树脂板30上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部25，制成树脂掩模20。在此所使用的激光装置没有特别限定，只要使用现有公知的激光装置即可。由此，获得图10(c)所示的实施方式(A)的蒸镀掩模100。
此外，在实施方式(A)的制造方法中，使用预先在与1个画面整体、或2个以上的画面整体相重叠的位置设有缝隙15的金属掩模10，因此，在本工序中，在1个缝隙15内形成有构成1个画面所必要的开口部25、或构成2个以上的画面所必要的开口部25。即，1个缝隙15以与构成1个画面整体的开口部、或构成2个以上的画面整体的开口部25重叠的方式设置。
另外，也可以在固定于框架的带树脂板的金属掩模的树脂板设置开口部25时，准备预先设有进行蒸镀制作的图案、即与应形成的开口部25相对应的图案的基准板(未图示)，将该基准板在贴合于树脂板的未设有金属掩模10的一侧的面上的状态下，从金属掩模10侧进行与基准板的图案相对应的激光照射。根据该方法，可在一边观察贴合于带树脂板的金属掩模的基准板的图案一边进行激光照射的所谓的相向的状态下，形成开口部25，可形成开口的尺寸精度极高的高精细的开口部25。另外，该方法在被固定在框架的状态下进行开口部25的形成，因此，可以形成不仅尺寸精度，而且位置精度也优异的蒸镀掩模。
此外，在使用上述方法的情况下，必须可以从金属掩模10侧隔着树脂板30，利用激光照射装置等来辨识基准板的图案。作为树脂板，在具有一定程度的厚度的情况下，必须使用具有透明性的树脂板，但如上述说明，在形成为考虑到阴影的影响的优选厚度，例如3μm～25μm左右的厚度的情况下，即使为经着色的树脂板，也可以辨识基准板的图案。对于实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法，也可以使用同样的方法。
对于带树脂板的金属掩模与基准板的贴合方法也没有特别限定，例如在金属掩模10为磁性体的情况下，可在基准板的后方配置磁铁等，吸引带树脂板的金属掩模的树脂板30及基准板来进行贴合。除此之外，也可以使用静电吸附法等来进行贴合。作为基准板，例如可举出具有规定的开口图案的TFT基板、或光掩模等。对于实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法，也可以使用同样的方法。
另外，也可以在上述说明的工序间、或工序后进行薄型化工序。例如，作为最终成为树脂掩模20的树脂板30、或金属掩模10，使用比上述说明的优选厚度更厚的材料的情况下，在制造工序中，在单独输送金属掩模10或树脂板30时等情况下，可赋予优异的耐久性或输送性。另一方面，为了防止阴影发生等，优选实施方式(A)的制造方法中得到的蒸镀掩模100的厚度为最适厚度。薄型化工序是对在制造工序间、或工序后满足耐久性或输送性，并且将蒸镀掩模100的厚度最适化的情况有用的工序。
金属掩模10的薄型化可通过在上述说明的工序间、或工序后，将金属掩模10的与树脂板30未相接的一侧的面、或金属掩模10的与树脂板30或树脂掩模20未相接的一侧的面，使用可蚀刻金属掩模10的蚀刻材料进行蚀刻来实现。
对于成为树脂掩模20的树脂板30、或树脂掩模20的薄型化、即树脂板30、树脂掩模20的厚度的最适化也相同，可通过在上述说明的任何工序间、或工序后，将树脂板30的与金属掩模10未相接的一侧的面、或树脂掩模20的与金属掩模10未相接的一侧的面，使用可蚀刻树脂板30或树脂掩模20的材料的蚀刻材料进行蚀刻来实现。另外，在形成蒸镀掩模100后，将金属掩模10、树脂掩模30这二者进行蚀刻加工，由此，也可以将二者的厚度最适化。上述薄型化工序在实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法中也可以直接应用。
(实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法)
接着，说明本发明实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法。实施方式(B)的蒸镀掩模100的制造方法如图19所示，其特征在于，具备：准备由设有1个贯通孔的金属掩模10和树脂板30叠层而成的带树脂板的金属掩模的工序(参照图19(a))、及从金属掩模10侧照射激光而在树脂板30的与1个贯通孔15重叠的位置形成多个开口部25的树脂掩模形成工序(参照图19(b))。以下，具体说明实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法。
(准备带树脂板的金属掩模的工序)
本工序是将设有1个贯通孔15的金属掩模10与树脂板30相贴合，由此准备叠层金属掩模10及树脂板30而成的带树脂板的金属掩模的工序。
(在框架上固定带树脂板的金属掩模的工序)
该工序是实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法中的任选工序，可照原样使用上述实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法中所说明的方法，在此省略详细的说明。
(从金属掩模侧照射激光，在带树脂板的金属掩模上形成与1个贯通孔重叠的多个开口部的工序)
接着，如图19(b)所示，从金属掩模10侧通过1个贯通孔15照射激光，在上述树脂板30上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部25，制成树脂掩模20。在该工序中，通过1个贯通孔15进行激光照射，因此，最终在与1个贯通孔15重叠的位置形成多个开口部25。对于在此使用的激光装置没有特别限定，只要使用目前公知的激光装置即可。由此，获得图19(c)所示的实施方式(B)的蒸镀掩模100。
(蒸镀掩模准备体)
接着，说明本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体。本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体是用于获得蒸镀掩模，其特征在于，在树脂板的一面上叠层设有缝隙的金属掩模而成，各缝隙被设于与最终设于树脂板的构成1个画面的开口部整体相重叠的位置，所述蒸镀掩模叠层有树脂掩模和设有多个缝隙的金属掩模，在树脂掩模上设有用于构成多个画面所必要的开口部，开口部与要蒸镀制作的图案相对应，各缝隙设于与至少1个画面整体相重叠的位置。
本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体除在树脂板未设有开口部25以外，与上述说明的实施方式(A)的蒸镀掩模100共通，省略具体的说明。作为一实施方式的蒸镀掩模准备体的具体构成，可举出在上述实施方式(A)的蒸镀掩模的制造方法中的准备工序中准备的带树脂板的金属掩模(参照图10(a))。
根据上述一实施方式的蒸镀掩模准备体，提供在该蒸镀掩模准备体的树脂板上形成开口部，即使在大型化的情况下，也可以满足高精细化与轻质化这双方，可得到可形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模。
其它实施方式的蒸镀掩模准备体用于获得蒸镀掩模，其特征在于，在树脂板的一面上叠层设有1个贯通孔的金属掩模，1个贯通孔被设于与最终设于树脂板的全部开口部重叠的位置，所述蒸镀掩模叠层有设有1个贯通孔的金属掩模和设有多个与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，多个开口部全部被设于与1个贯通孔重叠的位置。
其它实施方式的蒸镀掩模准备体除在树脂板未设有开口部25以外，与上述说明的实施方式(B)的蒸镀掩模100共通，省略具体说明。作为其它实施方式的蒸镀掩模准备体的具体构成，可举出在上述实施方式(B)的蒸镀掩模的制造方法中的准备工序中准备的带树脂板的金属掩模(参照图19(a))。
根据上述其它实施方式的蒸镀掩模准备体，提供在该蒸镀掩模准备体的树脂板上形成开口部，由此即使在大型化的情况下，也可以满足高精细化与轻质化这双方，可得到可形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模。
(有机半导体元件的制造方法)
接着，说明本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法。本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法的特征在于，具有：通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法形成蒸镀图案的工序，在形成该有机半导体元件的工序中，使用以下的带框架的蒸镀掩模。
具有通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法来形成蒸镀图案的工序的一实施方式的有机半导体元件的制造方法具有：在基板上形成电极的电极形成工序、有机层形成工序、对向电极形成工序、密封层形成工序等，在各任意工序中，通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法，在基板上形成蒸镀图案。例如，在有机EL元件的R、G、B各色的发光层形成工序中分别应用使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法的情况下，在基板上形成各色发光层的蒸镀图案。此外，本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法不限于这些工序，可适用于制造使用蒸镀法的目前公知的有机半导体元件时的任意工序。
本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法的特征在于，在形成上述蒸镀图案的工序中，固定于框架的上述蒸镀掩模为上述说明的实施方式(A)的蒸镀掩模、或实施方式(B)的蒸镀掩模。
对于构成带框架的蒸镀掩模的蒸镀掩模，仍可使用上述说明的实施方式(A)、或实施方式(B)的蒸镀掩模100，在此省略详细说明。根据使用包含上述说明的本发明的实施方式(A)的蒸镀掩模、或实施方式(B)的蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法，可形成具有高精细图案的有机半导体元件。作为本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法所制造的有机半导体元件，例如可举出有机EL元件的有机层、发光层、或阴极电极等。尤其是，本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法可适用于制造要求高精细的图案精度的有机EL元件的R、G、B发光层。
用于制造有机半导体元件的带框架的蒸镀掩模只要满足在框架上固定有上述说明的实施方式(A)、或实施方式(B)的蒸镀掩模的条件即可，对于其它条件没有特别限定。对于框架没有特别限定，只要为可支承蒸镀掩模的部件即可，可使用例如金属框架或陶瓷框架等。其中，金属框架在容易与蒸镀掩模的金属掩模进行焊接，变形等的影响较小这一点上优选。以下，以使用金属框架作为框架的例子为中心来进行说明。例如，可使用如图20所示，在金属框架60上固定1个蒸镀掩模100而成的带金属框架的蒸镀掩模200，也可以使用如图21所示，在金属框架60上以纵向或横向排列固定(在图示的方式中为横向排列固定)多个蒸镀掩模(在图示的方式中为4个蒸镀掩模)的带金属框架的蒸镀掩模200。此外，图20、图21是从树脂掩模20侧观察一实施方式的带金属框架的蒸镀掩模200的正面图。
金属框架60是大致矩形形状的框部件，具有用于使设于最终被固定的蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25在蒸镀源侧露出的开口。对于金属框架的材料没有特别限定，但刚性大的金属材料，例如SUS或因瓦合金材等较为适合。
对于金属框架的厚度也没有特别限定，但从刚性等方面来看，优选为10mm～30mm左右。金属框架的开口的内周端面和金属框架的外周端面间的宽度只要为可固定该金属框架、及蒸镀掩模的金属掩模的宽度，就没有特别限定，可例示例如10mm～50mm左右的宽度。
另外，也可以在不妨碍构成蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25的露出的范围内，在金属框架的开口存在补强框架65等。换言之，也可以具有金属框架60所具有的开口通过补强框架等分割的构成。在图20所示的方式中，沿纵向配置多个以横向延伸的补强框架65，但也可以取代该补强框架65，或连同其一起沿横向配置多列沿纵向延伸的补强框架。另外，在图21所示的方式中，沿横向配置有多个沿纵向延伸的补强框架65，但也可以取代该补强框架65，或连同其一起沿纵向配置多个沿横向延伸的补强框架。通过使用配置有补强框架65的金属框架60，在金属框架60上沿纵向、及横向排列固定多个上述说明的实施方式(A)、或者实施方式(B)的蒸镀掩模100时，即使在该补强框架和蒸镀掩模重叠的位置，也可以在金属框架60上固定蒸镀掩模。
对于金属框架60和上述说明的实施方式(A)或实施方式(B)的蒸镀掩模100的固定方法，也没有特别限定，可使用通过激光等来进行固定的点焊、粘接剂、螺丝等来进行固定。

Claims (40)

1.一种蒸镀掩模，其用于同时形成多个画面份的蒸镀图案，
所述蒸镀掩模叠层有树脂掩模和金属掩模，所述树脂掩模具有用于形成多个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部，
所述金属掩模具有多个与所述树脂掩模的开口部中用于形成至少1个画面整体的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部分别重叠的金属掩模的开口部。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述多个金属掩模的开口部分别与用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部相重叠。
3.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述多个金属掩模的开口部分别与用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部相重叠。
4.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模的厚度为4μm以上且8μm以下的范围。
5.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模的开口部的大小为500μm2以上且1000μm2以下的范围。
6.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模具有用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部，
将用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部与用于形成另1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部之间的间距中，其距离最短的间距设为画面间的间距时，所述画面间的间距比用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部中相邻的各树脂掩模的开口部间的间距长。
7.根据权利要求6所述的蒸镀掩模，其中，
所述画面间的间距为1mm以上且100mm以下的范围。
8.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模具有用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部，
在用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部的集合体与用于形成另1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部的集合体之间形成有槽。
9.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述多个金属掩模的开口部分别与在纵向及横向这两个方向上排列配置的树脂掩模的开口部重叠。
10.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述多个金属掩模的开口部分别与仅在纵向及横向中的任一方向上排列配置的树脂掩模的开口部相重叠。
11.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
与所述多个金属掩模的开口部分别相重叠的所述多个树脂掩模的开口部在纵向上排列有多列、且相邻的列彼此之间的树脂掩模的开口部相互在纵向上错开配置，或者在横向上排列有多行、且相邻的行彼此之间的树脂掩模的开口部相互在横向上错开配置。
12.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述多个金属掩模的开口部分别与在纵向及横向的任一方向、或者这两个方向上排列配置的用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部的多个集合体相重叠。
13.一种蒸镀掩模，其叠层有树脂掩模和金属掩模，
所述树脂掩模具有用于形成蒸镀图案所必要的多个树脂掩模的开口部，
所述金属掩模具有1个与用于形成蒸镀图案所必要的全部所述多个树脂掩模的开口部相重叠的金属掩模的开口部。
14.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述蒸镀掩模所具有的所述用于形成蒸镀图案所必要的多个树脂掩模的开口部是用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部。
15.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述蒸镀掩模所具有的所述用于形成蒸镀图案所必要的多个树脂掩模的开口部是用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部。
16.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模的厚度为4μm以上且8μm以下的范围。
17.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模的开口部的大小为500μm2以上且1000μm2以下的范围。
18.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模具有用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部，
将用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部与用于形成另1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部之间的间距中，其距离最短的间距设为画面间的间距时，所述画面间的间距比用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部中相邻的各树脂掩模的开口部间的间距长。
19.根据权利要求18所述的蒸镀掩模，其中，
所述画面间的间距为1mm以上且100mm以下的范围。
20.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂掩模具有用于形成2个以上画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部，
在用于形成1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部的集合体与用于形成另1个画面份的蒸镀图案所必要的树脂掩模的开口部的集合体之间形成有槽。
21.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述1个金属掩模的开口部与在纵向及横向这两个方向上排列配置的多个树脂掩模的开口部相重叠。
22.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
所述1个金属掩模的开口部与仅在纵向及横向中的任一方向上排列配置的多个树脂掩模的开口部相重叠。
23.根据权利要求13所述的蒸镀掩模，其中，
与所述1个金属掩模的开口部相重叠的所述多个树脂掩模的开口部在纵向上排列有多列、且相邻的列彼此之间的树脂掩模的开口部相互在纵向上错开配置，或者在横向上排列有多行、且相邻的行彼此之间的树脂掩模的开口部相互在横向上错开配置。
24.一种蒸镀掩模的制造方法，其是用于制造权利要求1所述的蒸镀掩模的方法，该制造方法包括下述工序：
通过从所述金属掩模侧照射激光，从而形成与所述多个金属掩模的开口部分别重叠的所述树脂掩模的开口部。
25.一种蒸镀掩模的制造方法，其是用于制造权利要求13所述的蒸镀掩模的方法，该制造方法包括下述工序：
通过从所述金属掩模侧照射激光，从而形成与所述1个金属掩模的开口部重叠的所述多个树脂掩模的开口部。
26.一种蒸镀掩模的制造方法，其是用于制造权利要求1所述的蒸镀掩模的方法，该制造方法依次具备：
准备金属板和树脂板的叠层体的工序；
在所述金属板上形成所述多个金属掩模的开口部的工序；以及
在所述树脂板上形成所述树脂掩模的开口部的工序。
27.根据权利要求26所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，对金属板通过涂敷而形成树脂层。
28.根据权利要求26所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，贴合金属板和树脂板。
29.一种蒸镀掩模的制造方法，其是用于制造权利要求13所述的蒸镀掩模的方法，该方法依次具备：
准备金属板和树脂板的叠层体的工序；
在所述金属板上形成所述1个金属掩模的开口部的工序；以及
在所述树脂板上形成所述多个树脂掩模的开口部的工序。
30.根据权利要求29所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，对金属板通过涂敷而形成树脂层。
31.根据权利要求29所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，贴合金属板和树脂板。
32.一种蒸镀掩模的制造方法，其是用于同时形成多个画面份的蒸镀图案的蒸镀掩模的制造方法，该制造方法具备：
准备树脂板和金属板的叠层体的工序；
对所述叠层体的所述金属板的一部分进行蚀刻的工序；以及
通过从所述叠层体的所述金属板侧照射激光，从而在所述叠层体的所述树脂板上形成用于形成多个画面份的蒸镀图案所必要的开口部的工序，
在上述的3个工序之后，所述叠层体的所述金属板具有与所述开口部中用于形成至少1个画面整体的蒸镀图案所必要的开口部分别重叠的多个经蚀刻的部分。
33.根据权利要求32所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，对金属板通过涂敷而形成树脂层。
34.根据权利要求32所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，贴合金属板和树脂板。
35.一种蒸镀掩模的制造方法，该制造方法具备：
准备树脂板和金属板的叠层体的工序；
对所述叠层体的所述金属板的一部分进行蚀刻的工序；以及
通过从所述叠层体的所述金属板侧照射激光，从而在所述叠层体的所述树脂板上形成用于形成蒸镀图案所必要的多个开口部的工序，
在上述的3个工序之后，所述叠层体的所述金属板具有与用于形成蒸镀图案所必要的全部所述多个开口部相重叠的1个经蚀刻的部分。
36.根据权利要求35所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，对金属板通过涂敷而形成树脂层。
37.根据权利要求35所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过准备金属板和树脂板的叠层体的所述工序，贴合金属板和树脂板。
38.一种蒸镀掩模准备体，其用于权利要求24至37中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，该蒸镀掩模准备体是所述金属掩模和树脂板的叠层体。
39.一种图案的形成方法，其是通过蒸镀制作的图案的形成方法，该形成方法使用权利要求1或13所述的蒸镀掩模。
40.一种有机半导体元件的制造方法，该制造方法使用权利要求1或13所述的蒸镀掩模。
CN201710872210.3A 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 Active CN107858642B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-084277 2013-04-12
JP2013084277 2013-04-12
JP2013084276 2013-04-12
JP2013-084276 2013-04-12
CN201480020615.9A CN105143497B (zh) 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480020615.9A Division CN105143497B (zh) 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107858642A CN107858642A (zh) 2018-03-30
CN107858642B true CN107858642B (zh) 2020-04-21

Family

ID=51937473

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710872210.3A Active CN107858642B (zh) 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN201710872255.0A Pending CN107855641A (zh) 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710872255.0A Pending CN107855641A (zh) 2013-04-12 2014-03-24 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (4) JP6327048B2 (zh)
CN (2) CN107858642B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107858642B (zh) * 2013-04-12 2020-04-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
TWI624557B (zh) 2013-04-12 2018-05-21 大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
JP6769692B2 (ja) * 2015-01-14 2020-10-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6467931B2 (ja) * 2015-01-14 2019-02-13 大日本印刷株式会社 蒸着パターン形成方法、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着装置
CN104966791B (zh) * 2015-07-01 2018-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板及其制造方法、oled器件封装方法
KR102430444B1 (ko) * 2015-12-18 2022-08-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10501841B2 (en) 2016-02-23 2019-12-10 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, method for manufacturing the same, and method for manufacturing organic EL display apparatus
CN108004501A (zh) * 2016-10-27 2018-05-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀遮罩
CN108277455B (zh) * 2018-04-25 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 掩模板组件及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
JP2004043898A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2004190057A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Nippon Filcon Co Ltd パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
CN101220452A (zh) * 2008-01-22 2008-07-16 电子科技大学 一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法
CN100431191C (zh) * 2001-12-05 2008-11-05 三星Sdi株式会社 用于真空沉积有机电致发光器件薄膜的张力掩模组件
CN100468824C (zh) * 2001-01-26 2009-03-11 精工爱普生株式会社 掩模的制造方法
JP2010242141A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Bonmaaku:Kk 蒸着マスク及びその製造方法
CN104041185A (zh) * 2012-01-12 2014-09-10 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN104053813A (zh) * 2012-01-12 2014-09-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143677A (ja) * 1995-11-20 1997-06-03 Toppan Printing Co Ltd 透明導電膜の形成方法
JP2003332057A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
KR100534580B1 (ko) * 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
JP2005042147A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP2005163099A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置
JP2005232474A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 蒸着用マスク
JP2009041054A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法
JP4985227B2 (ja) * 2007-08-24 2012-07-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法
JP2010244917A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Seiko Epson Corp 成膜用マスク、電気光学装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法
JP2012042141A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Hitachi Appliances Inc 空気調和機の室外機
JP2013021165A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Sony Corp 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法
JP5515025B2 (ja) * 2011-10-06 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示用基板の製造方法
CN107858642B (zh) * 2013-04-12 2020-04-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
CN100468824C (zh) * 2001-01-26 2009-03-11 精工爱普生株式会社 掩模的制造方法
CN100431191C (zh) * 2001-12-05 2008-11-05 三星Sdi株式会社 用于真空沉积有机电致发光器件薄膜的张力掩模组件
JP2004043898A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2004190057A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Nippon Filcon Co Ltd パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
CN101220452A (zh) * 2008-01-22 2008-07-16 电子科技大学 一种有机电致发光器件的新型掩膜体系及制作方法
JP2010242141A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Bonmaaku:Kk 蒸着マスク及びその製造方法
CN104041185A (zh) * 2012-01-12 2014-09-10 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN104053813A (zh) * 2012-01-12 2014-09-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN105870326A (zh) * 2012-01-12 2016-08-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6940828B2 (ja) 2021-09-29
JP6327196B2 (ja) 2018-05-23
CN107855641A (zh) 2018-03-30
JP2014218750A (ja) 2014-11-20
JP2015165051A (ja) 2015-09-17
JP6327048B2 (ja) 2018-05-23
JP2019196549A (ja) 2019-11-14
JP6569880B2 (ja) 2019-09-04
JP2018119218A (ja) 2018-08-02
CN107858642A (zh) 2018-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107858642B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
US20210269913A1 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
TWI609978B (zh) 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
KR101439218B1 (ko) 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP6394877B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP2020002471A (ja) 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant