KR830005757A - 유도성부하를 사용한 전력출력장치용 잠금방지회로 - Google Patents

유도성부하를 사용한 전력출력장치용 잠금방지회로 Download PDF

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KR830005757A
KR830005757A KR1019810000621A KR810000621A KR830005757A KR 830005757 A KR830005757 A KR 830005757A KR 1019810000621 A KR1019810000621 A KR 1019810000621A KR 810000621 A KR810000621 A KR 810000621A KR 830005757 A KR830005757 A KR 830005757A
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transistor
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diode
power output
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KR1019810000621A
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카를 센델웩 진
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글렌 에이취. 브뤼스틀
알 씨 에이 코오포레이션
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Abstract

내용 없음

Description

유도성부하를 사용한 전력출력장치용 잠금방지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리에 의해 구성된 비잠금회로의 개요도.
제2도는 제1도의 부분 개요도.

Claims (1)

  1. 제어신호를 수신하도록 결합된 베이스 전극을 포함하는 트랜지스터 및 콜렉터-에미터 통로가 형성된 제2및 제3트랜지스터 전극들과.
    상기 제3트랜지스터 전극에 결합된 제1전극과 기준전위점에 결합된 제2전극을 가지며 상기 제3트랜지스터 전극과 상기 기준위점 간에 상기 트랜지스터의 에미터-콜렉터 전류를 도통시키도록 극화되며 도통될 때 상기 제1 및 제2전극 간의 제1 전압차를 나타내는 제1 다이오드와.
    상기 제3트랜지스터 전극에 결합된 제1 전극과 상기 제2 트랜지스터 전극에 결합된 제2전극을 가지며 상기 제3트랜지스터 전극으로부터 상기 제2트랜지스터 전극으로 전류를 도통시키도록 극화되며 도통될 때 상기 제2 다이오드의 상기 제1 및 제2전극간의 제2 전압차를 나타내는 제2 다이오드 및,
    상기 제2 및 제3트랜지스터 전극들 간에 유도성 부하를 결합시키기 위한 장치를 포함하는 유도성 부하에 의해 발생된 전압펄스에 기인하여 잠금으로부터 방지되는 전력출력회로에 있어서.
    상기 제2다이오드 및 상기 유도성 부하는 상기 제2트래지스터 전극에서 상기 전압펄스에 의해 발생된 전류를 도통시키기 위해 루프회로를 형성하며, 상기 제2다이오드는 상기 전압펄스레벨이 생기 제1 및 제2전압차간의 차이를 초과할 때 도통되는 유도성 부하를 사용한 전력출력장치용 잠금방지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019810000621A 1980-02-28 1981-02-25 유도성부하를 사용한 전력출력장치용 잠금방지회로 KR830005757A (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58151814A (ja) * 1982-03-04 1983-09-09 株式会社東芝 過電流保護回路付きhスイツチ回路
US4594633A (en) * 1983-07-07 1986-06-10 Motorola, Inc. Integrated circuit protection circuit
US4581673A (en) * 1984-02-02 1986-04-08 Motorola, Inc. Apparatus and method for protection and recovery from latch-up of integrated circuits
US4691262A (en) * 1985-04-03 1987-09-01 Sprague Electric Company Circuit for protecting a power transistor against a short-circuited load
US4791521A (en) * 1987-04-07 1988-12-13 Western Digital Corporation Method and apparatus for reducing transient noise by premagnetization of parasitic inductance
US5142171A (en) * 1988-04-05 1992-08-25 Hitachi, Ltd. Integrated circuit for high side driving of an inductive load
IT1230289B (it) * 1989-06-15 1991-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo di protezione contro le sovratensioni per circuiti elettronici integrati, particolarmente per applicazioni in campo automobilistico.
US5138516A (en) * 1990-03-26 1992-08-11 Motorola, Inc. Fault sensing and driving system for output driver device
US5039952A (en) * 1990-04-20 1991-08-13 International Business Machines Corp. Electronic gain cell
US5543747A (en) * 1993-12-27 1996-08-06 Nippondenso Co., Ltd. Bipolar integrated device having parasitic current detector
US7554399B1 (en) * 2007-09-27 2009-06-30 Cirrus Logic, Inc. Protection circuit and method for protecting switching power amplifier circuits during reset
US7570118B1 (en) 2007-09-27 2009-08-04 Cirrus Logic, Inc. Thermal overload protection circuit and method for protecting switching power amplifier circuits
US7554409B1 (en) 2007-09-27 2009-06-30 Cirrus Logic, Inc. Over-current protection circuit and method for protecting switching power amplifier circuits
JP5599684B2 (ja) * 2010-09-22 2014-10-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 信号増幅装置、ブリッジ接続型信号増幅装置、信号出力装置、ラッチアップ阻止方法、及びプログラム
JP5766992B2 (ja) * 2011-03-24 2015-08-19 トランスフォーム・ジャパン株式会社 スイッチング回路装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3015781A (en) * 1957-10-30 1962-01-02 Eklov David Device for the protection of electrical apparatus against excess voltage
US3390346A (en) * 1964-08-31 1968-06-25 Rca Corp Transistor protection circuit
DE1247404B (de) * 1965-05-26 1967-08-17 Int Standard Electric Corp Schaltungsanordnung zum Schutz von Leistungsendstufen gegen Stoerspannungen oder zurUEberwachung von Spannungspruengen
DE1287144B (de) * 1967-07-28 1969-01-16 Telefunken Patent Ausgangsseitige UEberlastungsschutzeinrichtung fuer mehrstufige, transistorisierte Verstaerker, insbesondere Traegerfrequenz-Leitungsverstaerker
US3522480A (en) * 1968-02-02 1970-08-04 Us Navy Protection circuit for power transistor
GB1306330A (ko) * 1971-10-07 1973-02-07
US4023074A (en) * 1975-11-21 1977-05-10 Electrohome Limited Loudspeaker protection network
DE2638177C2 (de) * 1976-08-25 1985-10-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Schutzvorrichtung gegen Spannungsumpolung und Überspannungen für eine Halbleiterschaltung
US4158178A (en) * 1978-05-15 1979-06-12 Rca Corporation Anti-latch circuit for amplifier stage including bipolar and field-effect transistors
GB2049330B (en) * 1979-05-02 1983-05-18 Rca Corp Antilatch circuit for power output devices using inductive loads

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Publication number Publication date
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DE3107536C2 (de) 1984-10-11
US4322770A (en) 1982-03-30
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IT1135577B (it) 1986-08-27
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FR2477338B1 (ko) 1984-04-20
ES499893A0 (es) 1982-02-01
GB2070876B (en) 1983-11-16

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