JP3317330B2 - 半導体鏡面ウェーハの製造方法 - Google Patents

半導体鏡面ウェーハの製造方法

Info

Publication number
JP3317330B2
JP3317330B2 JP35321096A JP35321096A JP3317330B2 JP 3317330 B2 JP3317330 B2 JP 3317330B2 JP 35321096 A JP35321096 A JP 35321096A JP 35321096 A JP35321096 A JP 35321096A JP 3317330 B2 JP3317330 B2 JP 3317330B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
mirror
polished
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP35321096A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1154463A (ja
Inventor
輝明 深見
寿 桝村
清 鈴木
秀雄 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to TW085112441A priority Critical patent/TW348092B/zh
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP35321096A priority patent/JP3317330B2/ja
Priority to EP96120881A priority patent/EP0782179A3/en
Priority to KR1019960071165A priority patent/KR100418442B1/ko
Priority to US08/773,379 priority patent/US5821167A/en
Priority to MYPI96005476A priority patent/MY116451A/en
Publication of JPH1154463A publication Critical patent/JPH1154463A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3317330B2 publication Critical patent/JP3317330B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造のための基板となる半導体鏡面ウェーハ、特に単結晶
シリコン鏡面ウェーハ（以下、単に鏡面ウェーハという
ことがある）の製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】一般に、半導体鏡面ウェーハの製造方法
は、図２１に示すように、単結晶引上装置によって引き
上げられた単結晶インゴットをスライスして薄円板状の
ウェーハを得るスライス工程Ａと、該スライス工程Ａに
よって得られたウェーハの割れや欠けを防ぐためにその
外周エッジ部を面取りする面取り工程Ｂと、面取りされ
たウェーハをラッピングしてこれを平面化するラッピン
グ工程Ｃと、面取り及びラッピングされたウェーハに残
留する加工歪を除去するエッチング工程Ｄと、エッチン
グされたウェーハの片面を一次鏡面研磨する片面一次鏡
面研磨工程Ｅ１と、一次鏡面研磨されたウェーハの該片
面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面研磨工程Ｇと、
片面仕上げ鏡面研磨されたウェーハを洗浄してこれに付
着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程Ｈが含まれる。
【０００３】ところで、前記エッチング工程Ｄでのエッ
チング処理には、混酸等の酸エッチング液を用いる酸エ
ッチングと、ＮａＯＨ等のアルカリエッチング液を用い
るアルカリエッチングとがある。そして、酸エッチング
では、高いエッチング速度が得られ、ウェーハ表面には
図２２に示すように周期１０μｍ以下、Ｐ−Ｖ(Peakto
Valley) 値０．６μｍ以下の細かな粗さの凹凸が観察
されるのに対し、アルカリエッチングでは、エッチング
速度は遅く、ウェーハ表面には図２３に示すように周期
１０〜２０μｍの大きな粗さの凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５
μｍを超えるものもある）が観察される。しかし、アル
カリエッチングは酸エッチングに比較してより高い平坦
度のウェーハが得られるため、今後より使われる傾向に
ある。
【０００４】図２１に示した諸工程を経て製造される半
導体鏡面ウェーハにおいては、その裏面に関しエッチン
グ面が最後まで残るため、以下のような弊害が発生して
いた。
【０００５】即ち、ウェーハの表面は次の表面研磨工程
で鏡面研磨されるために問題はないが、エッチング面の
ままの表面粗さの大きな該ウェーハ裏面においてはその
凹凸の鋭利な先端部がチッピングによって欠け、多数の
パーティクルが発生する、いわゆる発塵という現象が起
こりデバイスの歩留りが低下するという問題が発生す
る。これは、特にアルカリエッチングされたウェーハに
顕著である。
【０００６】そこで、ウェーハの表裏両面を鏡面研磨す
れば、ウェーハ裏面には大きな粗さの凹凸が存在しない
ために発塵が抑えられ、上記問題は解消される。
【０００７】ところが、上記両面鏡面研磨方法によれ
ば、鏡面研磨の工程が倍加する他、ウェーハの裏面も鏡
面となるため、表裏の判別がつかず、プロセス装置のセ
ンサーが働かないとか搬送中にウェーハがすべってしま
うという問題がある。しかしながら、今までのところ半
導体鏡面ウェーハ面を低輝度化研磨する有効な手段は存
在しなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑みてなされたもので、ウェーハの製造にあたり、ウェ
ーハ裏面の低輝度化研磨処理を可能とし、センサーによ
るウェーハの表裏の検知が可能であって、発塵性を低下
せしめることによって裏面のチッピングによる発塵を抑
えてデバイスの歩留りを高めることができ、しかもより
高い平坦度を有する半導体鏡面ウェーハを製造すること
ができ、かつ工程の簡略化を図ることにより、生産性の
向上を達成することができるようにした新規な半導体鏡
面ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第１の態
様は、半導体鏡面ウェーハの製造工程における研磨工程
において、ウェーハの両面を１次鏡面研磨する両面１次
鏡面研磨と、両面を１次鏡面研磨されたウェーハの片面
を低輝度化研磨する裏面低輝度化研磨と、片面を低輝度
化研磨されたウェーハの残りの片面を仕上げ鏡面研磨す
る表面仕上げ鏡面研磨を含む半導体鏡面ウェーハの製造
方法であって、上記裏面低輝度化研磨において用いられ
る研磨剤としてシリカ含有研磨剤を主成分としポリオレ
フィン系微粒子材料を添加してなる半導体ウェーハ研磨
用研磨剤を用いることを特徴とする。
【００１０】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の
第２の態様は、半導体鏡面ウェーハの製造工程における
研磨工程において、ウェーハの両面を低輝度化研磨する
両面低輝度化研磨と、両面を低輝度化研磨されたウェー
ハの片面を仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨含む
半導体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記両面低輝
度化研磨において用いられる研磨剤としてシリカ含有研
磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添加し
てなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用いることを特徴
とする。
【００１１】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の
第１及び第２の態様における半導体鏡面ウェーハの製造
工程としては、単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程に
よって得られたウェーハの外周を面取りする面取り工程
と、面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程
と、面取り及びラッピングされたウェーハの加工歪を除
去するエッチング工程と、エッチングされたウェーハの
面を研磨する研磨工程とからなる工程が好適に採用され
る。
【００１２】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の
第３の態様は、単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程に
よって得られたウェーハの外周を面取りする面取り工程
と、面取りされたウェーハの両面を１次鏡面研磨する両
面１次鏡面研磨工程と、両面を１次鏡面研磨されたウェ
ーハの片面を低輝度化研磨する裏面低輝度化研磨工程
と、片面を低輝度化研磨されたウェーハの残りの片面を
仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨工程を含む半導
体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記裏面低輝度化
研磨工程において用いられる研磨剤としてシリカ含有研
磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添加し
てなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用いることを特徴
とする。
【００１３】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の
第４の態様は、単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程に
よって得られたウェーハの外周を面取りする面取り工程
と、面取りされたウェーハの両面を低輝度化研磨する両
面低輝度化研磨工程と、両面を低輝度化研磨されたウェ
ーハの片面を仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨工
程を含む半導体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記
裏面低輝度化研磨工程において用いられる研磨剤として
シリカ含有研磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子
材料を添加してなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用い
ることを特徴とする。
【００１４】上記シリカ含有研磨剤としてはコロイダル
シリカ研磨剤を挙げることでき、また上記ポリオレフィ
ン系微粒子材料としてはポリオレフィン水性ディスパー
ジョンが好適である。上記ポリオレフィン系微粒子材料
の添加量は、研磨剤の総量に対して０．０１〜１ｗｔ
％、好ましくは０．０１〜０．５ｗｔ％、さらに好まし
くは０．０１〜０．１ｗｔ％の範囲とする。
【００１５】上記ポリオレフィン系粒子材料又はポリオ
レフィン水性ディスパージョンとしては、特開平４−４
６９０４号公報、同４−８８０２５〜６号公報、同４−
８９８３０〜２号公報及び同４−２１８５４８〜９号公
報に開示された水分散体を用いることができ、またケミ
パール（ポリオレフィン水性ディスパージョンの商品
名、三井石油化学工業株式会社製）が好適である。
【００１６】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法
は、シリカ含有研磨剤中にポリオレフィン系微粒子材料
を添加して半導体ウェーハ面を研磨することにより、直
径５０〜５００μｍ、高さ０．０５〜０．５μｍ程度の
半球面状の小突起を形成させ研磨面を低輝度化すること
ができるという知見を基として完成されたものである。
【００１７】該ポリオレフィン系微粒子材料を添加した
シリカ含有研磨剤を用いて、ウェーハ表面を鏡面研磨及
びウェーハ裏面を上記低輝度化研磨することによって、
ウェーハの表裏両面に輝度差が発生し、センサーによる
ウェーハの表裏の検知が可能となる。尚、輝度とは、完
全鏡面を１００としたときの反射率の割合を言うもので
ある。
【００１８】本明細書でいう「低輝度化研磨」とは「メ
カノケミカルの研磨を行う際に研磨材に特定の物質を添
加することにより被加工物に加工歪を与えずに研磨面に
微小な凹凸を形成すること」を意味する。
【００１９】そして、上記のポリオレフィン系微粒子材
料を添加したシリカ含有研磨剤を用いて低輝度化研磨さ
れたウェーハ面の発塵性は低く抑えられており、例えば
デバイス工程中のフォトリソグラフィー工程においてウ
ェーハをその裏面で吸着した場合、裏面のチッピングに
よる発塵が抑えられ、これによってもデバイスの歩留り
が高められる。
【００２０】また、従来の前記鏡面ウェーハ加工工程の
場合、スライス工程で導入された加工歪及びスライス時
の非常に悪い平坦度（ＴＴＶ；Total Thickness Variat
ion）の修正の為にラッピング工程が行われている。ま
た、ラッピング工程自体数μｍの加工歪を発生させ、こ
の加工歪を除去する為にエッチング工程を導入してい
た。本発明者の研究の結果、スライス工程での加工歪除
去と非常に悪い平坦度（ＴＴＶ）の修正も両面研磨で行
うことが可能であり、しかも両面研磨自体による加工歪
はほとんどないため、当然エッチング工程は不要とな
り、さらに、これに前記ポリオレフィン系微粒子材料を
加えたシリカ含有研磨剤を用いた低輝度研磨を組み合わ
せることにより、極めて簡略化された工程で上記のすぐ
れた特性を持つ鏡面ウェーハが得られるという知見を
得、本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第３、第
４の態様に到達したものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に本発明方法の実施の形態を
添付図面中、図１〜図４、図１６及び図１７とともに説
明する。図１〜図４、図１６及び図１７において、図２
１と同一又は類似工程は同一符号で示す。
【００２２】図１は本発明の半導体鏡面ウェーハの製造
方法の第１の実施の形態を含む鏡面ウェーハ製造工程の
一例を示すフローチャートである。
【００２３】まず、スライス工程Ａでは、不図示の単結
晶引上装置によって引き上げられた単結晶インゴットが
棒軸方向に対して直角あるいはある角度をもってスライ
スされて複数の薄円板状のウェーハが得られる。
【００２４】上記スライス工程Ａによって得られたウェ
ーハは、割れや欠けを防ぐために、その外周エッジ部が
次の面取り工程Ｂで面取りされ、この面取りされたウェ
ーハは、ラッピング工程Ｃで不図示のラップ盤を用いて
ラッピングされて平面化される。
【００２５】平面化された上記ウェーハは、次のエッチ
ング工程Ｄで、例えばＮａＯＨの４５％水溶液をアルカ
リエッチング液として用いたアルカリエッチングを受
け、これに蓄積された加工歪が除去される。このとき、
ウェーハの両面には、周期１０〜２０μｍの大きな粗さ
の凹凸（Ｐ−Ｖ値が１．５ミクロンを超えるものもあ
る）が発生する。
【００２６】ところで、従来は、図２１に示すように、
上記エッチング工程Ｄによって加工歪を除去されたウェ
ーハは、そのまま表面一次鏡面研磨工程Ｅ１及び表面仕
上げ鏡面研磨工程Ｇにおいて、その表面のみが鏡面研磨
されていたため、エッチングによってウェーハ表面に発
生した微細な凹凸はウェーハ裏面には最後までそのまま
残り、このために前述のような弊害が発生していた。
【００２７】そこで、本発明の半導体鏡面ウェーハの製
造方法の第１の実施の形態では、上記エッチング工程Ｄ
の後に行われる通常の研磨工程のかわりに図１６に示す
ように両面一次鏡面研磨工程Ｅ２、裏面低輝度化研磨工
程Ｆ１及び表面仕上げ研磨工程Ｇを行うものである。
【００２８】上記両面一次鏡面研磨工程Ｅ２では、エッ
チング処理されたウェーハは、図１４及び図１５に示し
た両面研磨装置２２及び研磨剤を用いて、その両面が一
次鏡面研磨される。
【００２９】上記裏面低輝度化研磨工程Ｆ１では、例え
ば図５に示した研磨装置１０により、ポリオレフィン系
微粒子材料を加えたシリカ含有研磨剤、例えば、後述す
る実験例１に示した低輝度化研磨剤を用いて、実験例１
の研磨条件で上記両面一次鏡面研磨処理されたウェーハ
の裏面の低輝度化研磨を行う。
【００３０】この裏面を低輝度化研磨されたウェーハ
は、次いで表面仕上げ鏡面研磨工程Ｇにおいて図５と同
様の研磨装置及び通常の研磨剤を用いてその表面が鏡面
研磨され、次の洗浄工程Ｈにおいて洗浄され、このウェ
ーハに付着している研磨剤やパーティクルが除去され
る。
【００３１】図１の例では、ウェーハ裏面は低輝度化研
磨処理されているため、その輝度は９５％程度に抑えら
れており、ウェーハ両面の輝度差に基づいてウェーハの
表裏をセンサーで検知することが可能である。また、低
輝度化研磨処理されたウェーハ裏面の発塵性は図１０に
示したように低く抑えられる（パーティクル数で３００
個程度）。従って、例えば、デバイス工程中のフォトリ
ソグラフィー工程においてウェーハをその裏面で吸着し
た場合、裏面のチッピングによる発塵が抑えられ、これ
によってもデバイスの歩留りが高められる。
【００３２】図２は本発明の半導体鏡面ウェーハの製造
方法の第２の実施の形態を含むウェーハ製造工程の一例
を示すフローチャートである。
【００３３】図２において、スライス工程Ａ−面取り工
程Ｂ−ラッピング工程Ｃ−エッチング工程Ｄまでは、図
１に示すのと同じ従来の工程である。
【００３４】本発明の第２の実施の形態では、上記エッ
チング工程Ｄの後に行われる通常の研磨工程のかわり
に、図１７に示すように両面低輝度化研磨工程Ｆ２及び
表面仕上研磨工程Ｇを実施するものである。
【００３５】上記両面低輝度化研磨工程Ｆ２では、図１
４及び図１５に示したような両面研磨装置により、ポリ
オレフィン系微粒子材料を加えたシリカ含有研磨剤、例
えば、後述する実験例１に示した低輝度化研磨剤を用い
て、実験例１の研磨条件で上記エッチング処理されたウ
ェーハの両面の低輝度化研磨を行う。次いで表面仕上げ
鏡面研磨工程Ｇ及び洗浄工程Ｈが行われることは、図１
の例と同じである。
【００３６】図２の例でも、工程順が異なるにしてもウ
ェーハ裏面は低輝度化研磨処理されているため、その輝
度は９５％程度に抑えられており、ウェーハ両面の輝度
差に基づいてウェーハの表裏をセンサーで検知すること
が可能である。また、低輝度化研磨処理されたウェーハ
裏面の発塵性は図１０に示したように低く抑えられる
（パーティクル数で３００個程度）。また、ウェーハの
表面は仕上げ鏡面研磨処理がなされ、従来と同様の鏡面
が形成されている。
【００３７】図３は本発明の半導体鏡面ウェーハの製造
方法の第３の実施の形態を示すフローチャートである。
【００３８】図３において、スライス工程Ａ−面取り工
程Ｂは従来と同様になされるが、ラッピング工程Ｃ及び
エッチング工程Ｄは省略される。
【００３９】本発明の第３の実施の形態では、上記面取
り工程Ｂの後に、両面一次鏡面研磨工程Ｅ２及び裏面低
輝度化研磨工程Ｆ１の２工程が行われ、次いで表面仕上
げ鏡面研磨工程Ｇ及び洗浄工程Ｈが行われる。
【００４０】図３の例でも、工程順が異なるにしてもウ
ェーハ裏面は低輝度化研磨処理されているため、その輝
度は９５％程度の抑えられており、ウェーハ両面の輝度
差に基づいてウェーハの表裏をセンサーで検知すること
が可能である。また、低輝度化研磨処理されたウェーハ
裏面の発塵性は図１０に示したように低く抑えられる
（パーティクル数で３００個程度）。また、ウェーハの
表面は仕上げ鏡面研磨処理がなされ、従来と同様の鏡面
が形成されている。
【００４１】図４は本発明の半導体鏡面ウェーハの製造
方法の第４の実施の形態を示すフローチャートである。
【００４２】図４において、スライス工程Ａ−面取り工
程Ｂを行うが、ラッピング工程Ｃ及びエッチング工程Ｄ
は省略されることは図３の例と同様である。
【００４３】本発明の第４の実施の形態では、上記面取
り工程Ｂの後に、両面一次鏡面研磨工程Ｅ２及び裏面低
輝度化研磨工程Ｆ１の２工程を行う替わりに、両面低輝
度化研磨工程Ｆ２の１工程を実施し、次いで表面仕上げ
鏡面研磨工程Ｇ及び洗浄工程Ｈを行うものである。
【００４４】図４の例でも、工程順が異なるにしてもウ
ェーハ裏面は低輝度化研磨処理されているため、その輝
度は９５％程度に抑えられており、ウェーハ両面の輝度
差に基づいてウェーハの表裏をセンサーで検知すること
が可能である。また、低輝度化研磨処理されたウェーハ
裏面の発塵性は図１０に示したように低く抑えられる
（パーティクル数で３００個程度）。また、ウェーハの
表面は仕上げ鏡面研磨処理がなされ、従来と同様の鏡面
が形成されている。
【００４５】以下に本発明における低輝度化研磨処理に
ついて具体例を挙げかつ図５〜図１３とともにさらに詳
細に説明する。
【００４６】図５は低輝度化研磨処理の実験例及び比較
実験例に使用した片面研磨装置の１例を示す側面図であ
る。図５において、片面研磨装置１０は、回転定盤１２
とウェーハホルダー１３と研磨剤供給装置１４からなっ
ている。回転定盤１２は回転定盤本体１５と該回転定盤
本体１５の上面に貼付された研磨パッド１６とを有して
いる。回転定盤１２は回転軸１７により所定の回転速度
で回転される。
【００４７】ウェーハホルダー１３は真空吸着等により
その下面にウェーハＷを保持し、回転シャフト１８によ
り回転されると同時に所定の荷重で研磨パッド１６にウ
ェーハＷを押しつける。研磨剤供給装置１４は所定の流
量で研磨剤１９を研磨パッド１６上に供給し、この研磨
剤１９がウェーハＷと研磨パッド１６の間に供給される
ことによりウェーハＷが研磨される。
【００４８】下記する実験例は両面研磨装置を用いても
行ったが、その両面研磨装置の１例を図１４及び図１５
に示した。図１４は両面研磨装置の断面的説明図及び図
１５は両面研磨装置の上定盤を取り外した状態を示す上
面説明図である。
【００４９】図１４において、両面研磨装置２２は上下
方向に相対向して設けられた下定盤２４及び上定盤２６
を有している。該下定盤２４の上面には下研磨布２４ａ
が布設され、また上定盤２６の下面には上研磨布２６ａ
がそれぞれ布設されている。該下定盤２４及び上定盤２
６は不図示の駆動手段によって互いに逆方向に回転せし
められる。
【００５０】該下定盤２４はその中心部上面に中心ギア
２８を有し、その周縁部には環状のインターナルギア３
０が隣接して設けられている。
【００５１】３２は円板状のキャリアで、該下定盤２４
の下研磨布２４ａの上面と該上定盤２６の上研磨布２６
ａの下面との間に挟持され、該中心ギア２８及びインタ
ーナルギア３０の作用により、自転及び公転しつつ該下
研磨布２４ａと該上研磨布２６ａとの間を摺動する。
【００５２】該キャリア３２には複数個のウェーハ受け
穴３４が穿設されている。研磨すべきウェーハＷは該ウ
ェーハ受け穴３４内に配置される。該ウェーハＷを研磨
する場合には、研磨剤はノズル３６から上定盤２６に設
けられた貫通孔３８をとおしてウェーハＷと研磨布２４
ａ及び２６ａの間に供給され、該キャリア３２の自転及
び公転とともに該ウェーハＷは自転及び公転して該下研
磨布２４ａと該上研磨布２６ａとの間を摺動し、ウェー
ハＷの両面が研磨される。
【００５３】
【実施例】以下に実験例及び実施例をあげて説明する。 （実験例１）試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１
００＞、１５０ｍｍφ、スライスシリコンウェーハ 研磨パッド：不織布（ベロアタイプ）、硬度８０（アス
カーＣ硬度、ＪＩＳＫ−６３０１） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ2 ２ｗｔ％、ｐＨ１
１、コロイダルシリカ研磨剤原液の商品名、日産化学工
業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋ポリオレフィン系微粒
子材料〔ケミパールＳ６５０（ポリオレフィン水性ディ
スパージョンの商品名、三井石油化学工業株式会社
製）〕＋純水（残部） 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分
【００５４】上記研磨条件において、ポリオレフィン系
微粒子材料の添加量（ｗｔ％）を、０．０２５、０．
１、０．４５及び１．０と変化させ、また純水添加量に
ついても、研磨剤の総量が１００ｖｏｌ％になるように
変化させ、図５に示した片面研磨装置１０を用いて試料
ウェーハ（各２０枚）を研磨し、研磨中の研磨速度を測
定した。その結果を図８に示した。
【００５５】図８の結果から明らかなごとく、ポリオレ
フィン系微粒子材料の未添加レベルに比較して、０．０
１〜０．１ｗｔ％の添加量であれば研磨速度の低下する
ことはほとんどなく、また０．０１〜１％の範囲であれ
ば、研磨速度の大幅な低下を招くことなく研磨できるこ
とが確認された。
【００５６】（実験例２）上記実験例１における研磨条
件において、ケミパールＳ６５０（ポリオレフィン水性
ディスパージョンの商品名、三井石油化学工業株式会社
製）を０．０２５ｗｔ％添加し、その他の条件は同様に
して試料ウェーハを研磨加工した。この研磨ウェーハ表
面の顕微鏡写真をとり、図６に示した。また、同じく研
磨ウェーハの別の表面部分の顕微鏡写真をとり、その表
面の平坦度を測定し、その結果を顕微鏡写真とともに図
７に示した。
【００５７】さらに、この研磨ウェーハの輝度を測定
し、その結果を図９に示した。図６及び図７から明らか
なように直径２００〜３００μｍ、高さ０．１〜０．２
μｍ程度の半球面状小突起が形成され、輝度は図９に示
すように９５％で低輝度化が達成されていた。
【００５８】さらに、図１１に示すように、評価用鏡面
ウェーハＷ１の清浄鏡面Ｗｍにこの試料研磨ウェーハＷ
の評価面Ｗｅを当接せしめて１ｋｇ／ｃｍ2 で加圧し
た。この加圧によって、試料研磨ウェーハＷの評価面Ｗ
ｅから評価用鏡面ウェーハＷ１の清浄鏡面Ｗｍに転写さ
れた異物の数（０．１μｍを超えるパーティクル数）を
パーティクルカウンターによって測定し、試料研磨ウェ
ーハＷの低輝度研磨面Ｗｅの発塵性の評価を行ない、そ
の結果を図１０に示した。
【００５９】図１０から明らかなように、低輝度研磨面
Ｗｅのパーティクル数は３００個程度であり、後記する
鏡面研磨処理面のパーティクル数の２００個程度に近い
数値であり、極めて低い発塵性を有することが確認でき
た。
【００６０】（実験例３）上記した片面研磨装置１０の
かわりに図１４及び図１５に示した両面研磨装置２２を
用いて、実験例１及び２と同様の実験を行ったところ同
様の結果が得られたことを確認した。
【００６１】（比較実験例１）上記実験例１における研
磨条件において、研磨剤としてＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ
2 ２ｗｔ％、ｐＨ１１、コロイダルシリカ研磨剤原液の
商品名、日産化学工業株式会社製〕１０ｖｏｌ％＋純水
９０ｖｏｌ％を使用し（ポリオレフィン水性ディスパー
ジョンの添加なし）、その他の条件は同様にして試料ウ
ェーハを鏡面研磨加工をした。
【００６２】この鏡面研磨ウェーハの表面の顕微鏡写真
をとり、図１２に示した。また、実験例２と同様に輝度
を測定し、その結果を図９に示し、実験例２と同様の手
法で発塵性評価を行い、その結果を図１０に示した。図
１２から明らかなように、大きな粗さの凹凸は存在せ
ず、輝度は図９に示すようにすべて１００％であった。
発塵性評価におけるパーティクル数は平均２００個程度
と極めて低い数値を示した。
【００６３】（比較実験例２）上記実験例１と同様の試
料ウェーハを酸エッチング処理した。この酸エッチング
処理した試料ウェーハの表面を顕微鏡写真にとり、図１
３に示した。図１３から明らかなように、試料ウェーハ
表面には周期１０μｍ以下、Ｐ−Ｖ（Peak toValley）
値０．６μｍ以下の細かな粗さの凹凸が形成されてい
た。また、酸エッチング処理した試料ウェーハについて
輝度を測定し、その結果を図９に示し、実験例２と同様
の手法で発塵性評価を行い、その結果を図１０に示し
た。この酸エッチング処理ウェーハの輝度は平均６０％
程度で、実験例２のものよりも低輝度であるが、発塵性
評価におけるパーティクル数は平均７００個程度であ
り、実験例２に比較して発塵性がかなり高いことが分か
った。
【００６４】（比較実験例３）上記実験例１と同様の試
料ウェーハをアルカリエッチング処理した。このアルカ
リエッチング処理した試料ウェーハについて輝度を測定
し、その結果を図９に示した。また、実験例２と同様の
手法で発塵性評価を行い、その結果を図１０に示した。
このアルカリエッチング処理ウェーハの輝度は３０％
で、比較実験例２のものよりもさらに低輝度であるが、
発塵性評価におけるパーティクル数は１５００個であ
り、比較実験例２よりもはるかに高い発塵性を示すこと
が分かった。
【００６５】（実施例１） 工程：エッチングウェーハ→両面１次鏡面研磨→裏面低
輝度研磨→表面仕上鏡面研磨 両面１次鏡面研磨条件： ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位〈１００〉、１５０ｍ
ｍφ、エッチングシリコンウェーハ 研磨パッド：ウレタン発泡体 硬度７０（アスカーＣ硬
度、ＪＩＳＫ−６３０１） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ2 ２ｗｔ％、ｐＨ１
１、コロイダルシリカ研磨剤原液の商品名、日産化学工
業（株）製〕１０ｖｏｌ％＋純水９０ｖｏｌ％ 研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ2 試料枚数：１８枚
【００６６】両面１次鏡面研磨を上記研磨条件で行い、
次いで裏面低輝度研磨を実験例１と同様に行い、さらに
表面仕上鏡面研磨を比較実験例１と同様に行った。
【００６７】上記研磨加工を行って得られたウェーハの
平均ＴＴＶは１．２μｍ、平均表面輝度は約１００％、
発塵性評価におけるパーティクル数（以下、裏面パーテ
ィクル数という）は平均約３００個、平均裏面輝度は約
９５％であった。
【００６８】（実施例２） 工程：エッチングウェーハ→両面低輝度化研磨→表面鏡
面研磨
【００６９】両面低輝度化研磨は、研磨剤にポリオレフ
ィン水性ディスパージョンを０．０２５ｗｔ％加えた以
外は、実施例１の両面１次鏡面研磨と同様に行い、表面
仕上鏡面研磨は、比較実験例１と同様に行った。
【００７０】上記研磨加工を行って得られたウェーハの
平均ＴＴＶは１．１μｍ、平均表面輝度は約１００％、
平均裏面パーティクル数は約３００個、平均裏面輝度は
約９５％であった。
【００７１】（実施例３） 工程：スライス→面取→両面１次鏡面研磨→裏面低輝度
化研磨→表面仕上鏡面研磨 両面１次鏡面研磨条件： ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位〈１００〉、１５０ｍ
ｍφ、スライスシリコンウェーハ 研磨パッド：ウレタン発泡体 硬度８０（アスカーＣ硬
度、ＪＩＳＫ−６３０１） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ2 ２ｗｔ％、ｐＨ１
１、コロイダルシリカ研磨剤原液の商品名、日産化学工
業（株）製〕１０ｖｏｌ＋純水９０ｖｏｌ％ 研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ2 試料枚数：１８枚
【００７２】両面１次鏡面研磨を上記研磨条件で行い、
次いで裏面低輝度化研磨を、実験例１と同様に行い、さ
らに表面仕上鏡面研磨を比較実験例１と同様に行った。
【００７３】上記研磨加工を行って得られたウェーハの
平均ＴＴＶは０．７μｍ、平均表面輝度は約１００％、
平均裏面パーティクル数は約３００個、平均裏面輝度は
約９５％であった。
【００７４】（実施例４） 工程：スライス→面取→両面低輝度化研磨→表面仕上鏡
面研磨
【００７５】両面低輝度化研磨は研磨剤にポリオレフィ
ン水性ディスパージョンを０．０２５ｗｔ％加えた以外
は実施例１の両面１次鏡面研磨と同様に行い、さらに表
面仕上鏡面研磨を比較実験例１と同様に行った。
【００７６】上記研磨加工を行って得られたウェーハの
平均ＴＴＶは０．９μｍ、平均表面輝度は約１００％、
平均裏面パーティクル数は約３００個、平均裏面輝度は
約９５％であった。
【００７７】（比較例１） 通常の工程：スライス→面取→ラップ→酸エッチング→
片面１次研磨→片面仕上研磨
【００７８】片面１次研磨は研磨パッドをアスカーＣ硬
度８０にする以外は比較実験例１と同様に行い、さらに
仕上研磨は研磨パッドをアスカーＣ硬度６０にする以外
は比較実験例１と同様に行った。
【００７９】上記研磨加工を行って得られたウェーハの
平均ＴＴＶは２．１μｍ、平均表面輝度は約１００％、
平均裏面パーティクル数は約８００個、平均裏面輝度は
約３０％であった。
【００８０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体鏡面
ウェーハの製造方法によれば、ウェーハ裏面の低輝度化
研磨処理を可能とし、センサーによるウェーハの表裏の
検知が可能であって、発塵性を低下せしめることによっ
て裏面のチッピングによる発塵を抑えてデバイスの歩留
りを高めることができ、しかもより高い平坦度を有する
半導体鏡面ウェーハを製造することができ、かつ工程の
簡略化を図ることにより、生産性の向上を達成すること
ができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第１
の実施の形態を示すフローチャートである。
【図２】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第２
の実施の形態を示すフローチャートである。
【図３】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第３
の実施の形態を示すフローチャートである。
【図４】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第４
の実施の形態を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実験例及び比較実験例に使用した片面
研磨装置を示す側面図である。
【図６】実験例２における低輝度化研磨処理されたウェ
ーハ表面の顕微鏡写真である。
【図７】実験例２における低輝度化研磨処理されたウェ
ーハの別の表面部分の顕微鏡写真とその表面の平坦度を
示すグラフである。
【図８】実験例１におけるポリオレフィン系微粒子材料
の添加量と研磨速度との関係を示すグラフである。
【図９】実験例２及び比較実験例１〜３における各種処
理を受けたウェーハ面の輝度の測定結果を示すグラフで
ある。
【図１０】実験例１及び比較実験例１〜３における各種
処理を受けたウェーハ面の発塵性の評価結果を示すグラ
フである。
【図１１】実験例２及び比較実験例１〜３におけるウェ
ーハ面の発塵性の評価方法を示す説明図である。
【図１２】比較実験例１における鏡面研磨処理されたウ
ェーハ表面の顕微鏡写真である。
【図１３】比較実験例２における酸エッチング処理され
たウェーハ表面の顕微鏡写真である。
【図１４】両面研磨装置の断面的説明図である。
【図１５】両面研磨装置の上定盤を取り外した状態を示
す上面説明図である。
【図１６】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第
１の実施の形態の特徴部分を示すフローチャートであ
る。
【図１７】本発明の半導体鏡面ウェーハの製造方法の第
２の実施の形態の特徴部分を示すフローチャートであ
る。
【図１８】実施例１〜４及び比較例１において研磨加工
されたウェーハ裏面のＴＴＶ（平坦度）を示すグラフで
ある。
【図１９】実施例１〜４及び比較例１において研磨加工
されたウェーハ裏面の発塵性の評価結果を示すグラフで
ある。
【図２０】実施例１〜４及び比較例１において研磨加工
されたウェーハ裏面の輝度の測定結果を示すグラフであ
る。
【図２１】従来の半導体鏡面ウェーハの製造方法の一例
を示すフローチャートである。
【図２２】酸エッチングされたウェーハ表面の粗さ分布
を示す図面である。
【図２３】アルカリエッチングされたウェーハ表面の粗
さ分布を示す図面である。
【符号の説明】
Ａ スライス工程 Ｂ 面取り工程 Ｃ ラッピング工程 Ｄ エッチング工程 Ｅ１ 表面一次鏡面研磨工程 Ｅ２ 両面一次鏡面研磨工程 Ｆ１ 裏面低輝度化研磨工程 Ｆ２ 両面低輝度化研磨工程 Ｇ 表面仕上げ鏡面研磨工程 Ｈ 洗浄工程 １０ 片面研磨装置 ２２ 両面研磨装置
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 清 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (72)発明者 工藤 秀雄 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (56)参考文献 特開 平６−275480（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158684（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45564（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−7987（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−292350（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−197367（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体鏡面ウェーハの製造工程における
    研磨工程において、ウェーハの両面を１次鏡面研磨する
    両面１次鏡面研磨と、両面を１次鏡面研磨されたウェー
    ハの片面を低輝度化研磨する裏面低輝度化研磨と、片面
    を低輝度化研磨されたウェーハの残りの片面を仕上げ鏡
    面研磨する表面仕上げ鏡面研磨を含む半導体鏡面ウェー
    ハの製造方法であって、上記裏面低輝度化研磨において
    用いられる研磨剤としてシリカ含有研磨剤を主成分とし
    ポリオレフィン系微粒子材料を添加してなる半導体ウェ
    ーハ研磨用研磨剤を用いることを特徴とする半導体鏡面
    ウェーハの製造方法。
  2. 【請求項２】 半導体鏡面ウェーハの製造工程における
    研磨工程において、ウェーハの両面を低輝度化研磨する
    両面低輝度化研磨と、両面を低輝度化研磨されたウェー
    ハの片面を仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨を含
    む半導体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記両面低
    輝度化研磨において用いられる研磨剤としてシリカ含有
    研磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添加
    してなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用いることを特
    徴とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記半導体鏡面ウェーハの製造工程が、
    単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを
    得るスライス工程と、該スライス工程によって得られた
    ウェーハの外周を面取りする面取り工程と、面取りされ
    たウェーハを平面化するラッピング工程と、面取り及び
    ラッピングされたウェーハの加工歪を除去するエッチン
    グ工程と、エッチングされたウェーハの面を研磨する研
    磨工程とからなることを特徴とする請求項１又は２記載
    の半導体鏡面ウェーハの製造方法。
  4. 【請求項４】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
    状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程に
    よって得られたウェーハの外周を面取りする面取り工程
    と、面取りされたウェーハの両面を１次鏡面研磨する両
    面１次鏡面研磨工程と、両面を１次鏡面研磨されたウェ
    ーハの片面を低輝度化研磨する裏面低輝度化研磨工程
    と、片面を低輝度化研磨されたウェーハの残りの片面を
    仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨工程を含む半導
    体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記裏面低輝度化
    研磨工程において用いられる研磨剤としてシリカ含有研
    磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子材料を添加し
    てなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用いることを特徴
    とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。
  5. 【請求項５】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
    状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程に
    よって得られたウェーハの外周を面取りする面取り工程
    と、面取りされたウェーハの両面を低輝度化研磨する両
    面低輝度化研磨工程と、両面を低輝度化研磨されたウェ
    ーハの片面を仕上げ鏡面研磨する表面仕上げ鏡面研磨工
    程を含む半導体鏡面ウェーハの製造方法であって、上記
    裏面低輝度化研磨工程において用いられる研磨剤として
    シリカ含有研磨剤を主成分としポリオレフィン系微粒子
    材料を添加してなる半導体ウェーハ研磨用研磨剤を用い
    ることを特徴とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。
  6. 【請求項６】 上記シリカ含有研磨剤がコロイダルシリ
    カ研磨剤であることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
    か１項記載の半導体鏡面ウェーハの製造方法。
  7. 【請求項７】 上記ポリオレフィン系微粒子材料がポリ
    オレフィン水性ディスパージョンであることを特徴とす
    る請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体鏡面ウェー
    ハの製造方法。
  8. 【請求項８】 上記ポリオレフィン系微粒子材料の添加
    量が研磨剤の総量に対して０．０１〜１ｗｔ％の範囲で
    あることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載
    の半導体鏡面ウェーハの製造方法。
JP35321096A 1995-12-27 1996-12-16 半導体鏡面ウェーハの製造方法 Expired - Fee Related JP3317330B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW085112441A TW348092B (en) 1996-12-16 1996-10-11 Process for producing semiconductor mirror wafer
JP35321096A JP3317330B2 (ja) 1995-12-27 1996-12-16 半導体鏡面ウェーハの製造方法
EP96120881A EP0782179A3 (en) 1995-12-27 1996-12-24 Method of manufacturing semiconductor mirror wafers
KR1019960071165A KR100418442B1 (ko) 1995-12-27 1996-12-24 반도체경면웨이퍼의제조방법
US08/773,379 US5821167A (en) 1995-12-27 1996-12-26 Method of manufacturing semiconductor mirror wafers
MYPI96005476A MY116451A (en) 1995-12-27 1996-12-26 Method of manufacturing semiconductor mirror wafers

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35176895 1995-12-27
JP7-351768 1995-12-27
JP35321096A JP3317330B2 (ja) 1995-12-27 1996-12-16 半導体鏡面ウェーハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1154463A JPH1154463A (ja) 1999-02-26
JP3317330B2 true JP3317330B2 (ja) 2002-08-26

Family

ID=26579476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35321096A Expired - Fee Related JP3317330B2 (ja) 1995-12-27 1996-12-16 半導体鏡面ウェーハの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5821167A (ja)
EP (1) EP0782179A3 (ja)
JP (1) JP3317330B2 (ja)
KR (1) KR100418442B1 (ja)
MY (1) MY116451A (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3134719B2 (ja) * 1995-06-23 2001-02-13 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
TW404875B (en) * 1996-07-24 2000-09-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Method for lapping semiconductor wafers
JPH10135165A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製法
JPH10135164A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
WO1999031723A1 (en) * 1997-12-12 1999-06-24 Memc Electronic Materials, Inc. Method of improving the flatness of polished semiconductor wafers
GB2334205B (en) * 1998-02-12 2001-11-28 Shinetsu Handotai Kk Polishing method for semiconductor wafer and polishing pad used therein
US6268641B1 (en) * 1998-03-30 2001-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer having identification indication and method of manufacturing the same
JP3358549B2 (ja) 1998-07-08 2002-12-24 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法ならびにウエーハチャック
JP2000114216A (ja) * 1998-10-01 2000-04-21 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体ウェーハの製造方法
JP3329288B2 (ja) 1998-11-26 2002-09-30 信越半導体株式会社 半導体ウエーハおよびその製造方法
US6214704B1 (en) 1998-12-16 2001-04-10 Memc Electronic Materials, Inc. Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
US6294469B1 (en) 1999-05-21 2001-09-25 Plasmasil, Llc Silicon wafering process flow
DE19943101C2 (de) * 1999-09-09 2002-06-20 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe
JP2001267273A (ja) 2000-01-11 2001-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd 金属用研磨材、研磨組成物及び研磨方法
DE10004578C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante
DE10012840C2 (de) * 2000-03-16 2001-08-02 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben
CN1446142A (zh) * 2000-08-07 2003-10-01 Memc电子材料有限公司 用双面抛光加工半导体晶片的方法
EP1261020A4 (en) * 2000-10-26 2005-01-19 Shinetsu Handotai Kk PROCESS FOR PRODUCING PLATELETS, POLISHING APPARATUS AND PLATELET
US6646830B2 (en) * 2001-06-07 2003-11-11 International Business Machines Corporation Monolithic magnetic read-while-write head apparatus and method of manufacture
JP2004022677A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハ
US20040134418A1 (en) * 2002-11-08 2004-07-15 Taisuke Hirooka SiC substrate and method of manufacturing the same
KR100550491B1 (ko) 2003-05-06 2006-02-09 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 가공 방법
KR100797734B1 (ko) * 2003-12-05 2008-01-24 가부시키가이샤 섬코 편면 경면 웨이퍼의 제조 방법
US8673784B2 (en) 2009-04-13 2014-03-18 Sumco Corporation Method for producing silicon epitaxial wafer
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54110783A (en) * 1978-02-20 1979-08-30 Hitachi Ltd Semiconductor substrate and its manufacture
JPS63283857A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Asahi Chem Ind Co Ltd 研磨布
JPH0446904A (ja) 1990-06-15 1992-02-17 Mitsui Petrochem Ind Ltd 水分散体
JP2984331B2 (ja) 1990-08-01 1999-11-29 三井化学株式会社 水分散体
JP3014727B2 (ja) 1990-08-01 2000-02-28 三井化学株式会社 水分散体
JPH04218548A (ja) 1990-08-01 1992-08-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd 水分散体
JPH0489832A (ja) 1990-08-02 1992-03-24 Mitsui Petrochem Ind Ltd 水分散体
JP2984335B2 (ja) 1990-08-02 1999-11-29 三井化学株式会社 水分散体
JP3051483B2 (ja) 1990-08-30 2000-06-12 三井化学株式会社 水分散体
DE4304849C2 (de) * 1992-02-21 2000-01-27 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2839801B2 (ja) * 1992-09-18 1998-12-16 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの製造方法
JP2853506B2 (ja) * 1993-03-24 1999-02-03 信越半導体株式会社 ウエーハの製造方法
US5389579A (en) * 1993-04-05 1995-02-14 Motorola, Inc. Method for single sided polishing of a semiconductor wafer
JP2894153B2 (ja) * 1993-05-27 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの製造方法、およびその装置
JP2910507B2 (ja) * 1993-06-08 1999-06-23 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP2894208B2 (ja) * 1994-06-02 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
JP2970833B2 (ja) * 1994-09-12 1999-11-02 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0782179A3 (en) 1997-07-30
JPH1154463A (ja) 1999-02-26
KR100418442B1 (ko) 2004-07-27
MY116451A (en) 2004-01-31
US5821167A (en) 1998-10-13
EP0782179A2 (en) 1997-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3317330B2 (ja) 半導体鏡面ウェーハの製造方法
JP3169120B2 (ja) 半導体鏡面ウェーハの製造方法
JP2839801B2 (ja) ウェーハの製造方法
JP6312976B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
KR101862139B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조 방법
TWI567811B (zh) 拋光半導體晶圓兩面的方法
JPH09270400A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
KR20000017512A (ko) 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물
JP5622124B2 (ja) シリコンウェーハの研磨方法
JP2007204286A (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP3828176B2 (ja) 半導体ウェハの製造方法
JP3134719B2 (ja) 半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
JP6027346B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2011165909A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
KR20020017910A (ko) 재생웨이퍼를 반도체웨이퍼로 변환시키는 방법
WO2019043895A1 (ja) シリコンウェーハの両面研磨方法
JP2010040643A (ja) 両面鏡面半導体ウェーハおよびその製造方法
US6969304B2 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JP3473654B2 (ja) 半導体鏡面ウェーハの製造方法
JPH1055990A (ja) 半導体ウェ−ハおよびその製造方法
JP2002025950A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP3750466B2 (ja) 半導体ウェーハの仕上げ研磨方法
JP2004319717A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2009135180A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2003039310A (ja) ウェーハの研磨方法及びウェーハ

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees