JP2894208B2 - シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 - Google Patents

シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハ（以
下単にウェーハということがある）研磨用研磨剤及びウ
ェーハの研磨方法の改良に関する。
【０００２】
【関連技術】通常、ウェーハの研磨加工は、平坦度の改
善と表面粗さの改善を目的として行われる。ウェーハの
平坦度という点からは、軟質の研磨パッドを用いると平
坦度が悪化するため、硬質の研磨パッドが使用される。
しかし、硬質の研磨パッドを使用した場合、ウェーハ表
面粗さが悪化してしまうという問題がある。この悪化し
たウェーハの表面粗さを改善するため、軟質の研磨パッ
ドを用いて、もう一度研磨加工を行う必要がある。この
ように、従来は少なくとも硬質研磨パッドによる粗研磨
加工と軟質研磨パッドによる仕上げ研磨加工という２段
階の研磨加工が必要であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、硬質の研磨パッドを用いて
研磨しても良好な平坦度を得ると同時に仕上げ加工面と
同等の表面粗さの小さい滑らかな加工面を得ることを可
能とした新規なシリコンウェーハ研磨用研磨剤を提供
し、かつこの新規な研磨剤とともに硬質研磨布を用いて
一段階の研磨加工で平坦度および表面粗さの良好な研磨
加工を可能としたシリコンウェーハの研磨方法を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のシリコンウェーハ研磨用研磨剤が、コロイ
ダルシリカ研磨剤にエチルシリケートモノマー及び／又
はエチルシリケートポリマーを含有するようにしたもの
である。
【０００５】上記エチルシリケートモノマー及び／又は
エチルシリケートポリマーの含有量は、研磨剤の総量に
対して、０．１〜１０．０ｖｏｌ％であることが好まし
く、０．１〜５．０ｖｏｌ％がさらに好ましく、１．０
〜５．０ｖｏｌ％が最も好ましい。このエチルシリケー
トモノマーとエチルシリケートポリマーは、それぞれ単
独で用いることができるし、また任意の割合で混合して
用いることもできる。
【０００６】本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、
上記したシリコンウェーハ研磨用研磨剤を用いて、硬質
の研磨パッドにより、研磨するようにしたものである。
この研摩パッドの硬度は、アスカーＣ硬度で８０〜９５
が好ましい。
【０００７】
【作用】本発明において用いられるエチルシリケート
（アルコール性シリカゾルで、モノマー及び／又はポリ
マーを指す）は粘結剤として利用されており、粉粒体と
混合すると、これらの粉粒体を包み込み間隙を埋める形
でＳｉＯ2 膜が形成される作用を有している。
【０００８】そこで、本発明者は、コロイダルシリカ研
磨剤にエチルシリケートを添加するとコロイダルシリカ
表面やシリコンウェーハ表面にその間隙を埋める形でＳ
ｉＯ 2 膜が形成され、コロイダルシリカ粒子とシリコン
との接触をやわらげる働き（緩衝作用）を行ない、硬質
な研磨パッドを用いても滑らかな加工面が得られる可能
性に着目した。
【０００９】さらに、本発明者は、コロイダルシリカ研
磨剤にエチルシリケートを添加してウェーハを研磨する
技術課題についての研究を続けた結果、硬質研磨パッド
のみを使用する場合でも、仕上げ加工した面と同等の滑
らかな面を得ることが可能なことを見い出し本発明を完
成した。
【００１０】
【実施例】以下に実施例をあげて説明する。
【００１１】（実施例１） 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１００＞、１５
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：不織布（ベロアタイプ）、硬度８５（アス
カーＣ硬度） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋
エチルシリケート２８〔エチルシリケートモノマーの商
品名、（株）コルコート製〕２．５ｖｏｌ％＋純水８
７．５ｖｏｌ％ 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分
【００１２】上記条件にて試料ウェーハを研磨加工し
た。得られた研磨ウェーハの表面粗さを、光学干渉式粗
さ計（ＷＹＫＯ社製ＷＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、２５０μ
ｍ□）で測定（平均二乗粗さ）し、その結果を図１に示
した。また、得られた研磨ウェーハの表面の平坦度（最
大厚さと最小厚さの差、ＴＴＶ）をＴＴＶ測定装置（Ａ
ＤＥ社製ＡＤＥマイクロスキャン８３００）により測定
し、その結果を図２に示した。
【００１３】（実施例２） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋
エチルシリケート４０〔エチルシリケートポリマーの商
品名、（株）コルコート製〕２．５％ｖｏｌ＋純水８
７．５ｖｏｌ％
【００１４】実施例１の研磨剤の代わりに上記研磨剤を
用いた以外は、実施例１と同様にして試料ウェーハを研
磨加工し、その表面粗さ及び平坦度（ＴＴＶ）を測定
し、その結果をそれぞれ図１及び図２に示した。
【００１５】（比較例１） 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕１０ｖｏｌ％＋純水
９０ｖｏｌ％
【００１６】実施例１の研磨剤のかわりにコロイダルシ
リカ研磨剤のみの上記研磨剤を用いた以外は、実施例１
と同様にして試料ウェーハを研磨加工した。得られた研
磨ウェーハの表面粗さ及び平坦度（ＴＴＶ）を測定し、
その結果をそれぞれ図１及び図２に示した。
【００１７】上記した実施例１及び２に示した結果か
ら、本発明の研磨剤を用いて研磨したウェーハの研磨面
は、表面粗さ及び平坦度（ＴＴＶ）において仕上げ加工
面レベルに達していることが確認された。
【００１８】比較例１のコロイダルシリカ研磨剤のみを
用いて研磨したウェーハの研磨面は、平坦度においては
実施例１及び２と遜色がないものの、表面粗さにおいて
実施例１及び２に大きく劣ることがわかる。
【００１９】（実施例３、４及び比較例２） 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１００＞、１５
０ｍｍφ、シリコンウェーハ 研磨パッド：不織布（ベロアタイプ）、硬度８５（アス
カーＣ硬度） 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 研磨剤：ＡＪ−１３２５〔コロイダルシリカ研磨剤原液
の商品名、日産化学工業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋
エチルシリケート２８〔エチルシリケートモノマーの商
品名、（株）コルコート製〕＋純水
【００２０】上記の研磨条件において、エチルシリケー
ト２８〔エチルシリケートモノマーの商品名、（株）コ
ルコート製〕の添加量（ｖｏｌ％）を無添加（比較例
２）、０．５（実施例３）、及び２．５（実施例４）と
変化させ、また純水添加量についても、研磨剤の総量が
１００ｖｏｌ％になるように変化させて、試料ウェーハ
（各５枚）を研磨し、研磨後の各ウェーハの表面粗さを
実施例１と同様に測定し、その結果を図３に示した。図
３の結果から、エチルシリケート２８〔エチルシリケー
トモノマーの商品名、（株）コルコート製〕を添加した
場合には無添加の場合に比較して、いずれの添加量にお
いても研磨ウェーハの表面粗さが大きく改善されている
ことが確認された。なお、実施例においてはｐ型ウェー
ハを使用したが、これはｎ型ウェーハでもその効果は全
く同様であることを確認している。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、硬
質研磨パッドによるシリコンウェーハの研磨加工におい
て、良好な平坦度を得るとともに軟質研磨パッドによる
ものと同等の仕上げ加工レベルの研磨面の表面粗さを保
つことができるので、表面粗さを改善する為に、従来の
工程で採用されていた軟質研磨パッドによる仕上げ研磨
加工が不要になり、研磨加工プロセスの簡略化を図るこ
とが可能となるという大きな効果が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１、２及び比較例１において研磨された
ウェーハの表面粗さを示すグラフである。
【図２】実施例１、２及び比較例１において研磨された
ウェーハの表面の平坦度を示すグラフである。
【図３】実験例１におけるエチルシリケート添加量と研
磨ウェーハの表面粗さの関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/00 C09K 3/14 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コロイダルシリカ研磨剤がエチルシリケ
    ートモノマー及び／又はエチルシリケートポリマーを含
    有することを特徴とするシリコンウェーハ研磨用研磨
    剤。
  2. 【請求項２】 上記エチルシリケートモノマー及び／又
    はエチルシリケートポリマーの含有量が０．１〜１０．
    ０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載のシリ
    コンウェーハ研磨用研磨剤。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のシリコンウェーハ
    研磨用研磨剤を用いて、シリコンウェーハを研磨するに
    際し、硬質の研磨パッドにより、研磨することを特徴と
    するシリコンウェーハの研磨方法。
  4. 【請求項４】 上記研磨パッドの硬度が、アスカーＣ硬
    度で８０〜９５であることを特徴とする請求項３記載の
    シリコンウェーハの研磨方法。
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