JP2839801B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents

ウェーハの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、裏面にポリシリコン層
を有するウェーハの製造方法に関わり、特にウェーハ表
面の平坦度を向上する改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２０は、従来の一般的なウェーハ製造
方法を示す工程図である。この従来法ではまず、円柱状
のシリコン単結晶インゴットをスライス加工し、薄い円
板状のウェーハを作成し、ウェーハ周縁を面取加工す
る。
【０００３】次に、ウェーハをラッピング盤にセット
し、遊離砥粒を用いてウェーハ両面をラッピングし、さ
らにウェーハをエッチング液に浸漬してその両面の加工
ダメージを除去する。エッチングののち洗浄されたウェ
ーハの裏面を、ワックスを用いてキャリアプレートに接
着し、研磨盤にセットして、粗研磨および仕上げ研磨を
行う。研磨されたウェーハを洗浄した後、検査して製品
ウェーハとする。
【０００４】ところで最近では、シリコンウェーハのゲ
ッタリング能力を向上するため、ウェーハの裏面にポリ
シリコン層を形成する技術が提案されている。ゲッタリ
ングとは、ウェーハ裏面に汚染物質の吸収源を設け、ウ
ェーハの素子活性領域から重金属等の汚染物質を除去す
ることであり、例えば、特開昭５９ー１８６３３１号公
報には、シリコンウェーハの裏面にポリシリコン層を
０．０５〜５μｍ以上の厚さで形成することにより、優
れたゲッタリング能力を得る技術が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、このゲ
ッタリング技術を前述のウェーハ製造技術に適用し、近
年需要が拡大しつつある大径（８インチ）ウェーハの製
造を試みた。すなわち、図２０におけるエッチング工程
の後、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によりウェーハ裏
面にポリシリコン層を形成し、後は図２０と同様の処理
を施してウェーハを製造した。
【０００６】なお、８インチウェーハの製造において
は、径の小さいウェーハの製造に比してウェーハの平坦
度に対する要求が著しく高くなる。特に、光リソグラフ
ィーを用いる場合には、露光線幅が小さくなるにつれ焦
点深度が浅くなるため、露光線幅の縮小に追うして要求
される平坦度がいっそう高くなる。例えば、ウェーハ表
面の２５ｍｍ×２５ｍｍの領域内で０．５μｍ以下にも
なる。
【０００７】ところが、前述したウェーハ製造方法で
は、裏面にポリシリコン層を有するウェーハ表面の平坦
度を十分に高め難いことが判明した。また前記ウェーハ
を鏡面研磨した後洗浄すると、ポリシリコン層を有しな
い鏡面ウェーハに比べてパーティクルの発生が多いこと
も判明している。本発明者らがその原因を詳細に検討し
たところ、ワックスを用いてウェーハ裏面をキャリアプ
レートに接着する際に、ウェーハ裏面に形成されたポリ
シリコン層の一部が剥離してパーティクルとなり、この
パーティクルがウェーハ裏面とキャリアプレートとの間
に挟まり、このパーティクルが研磨により表面に転写さ
れディンプル不良となり、一部の測定箇所で平坦度不良
となることが多いという事実が判明した。
【０００８】ポリシリコン層によるゲッタリング効果
は、熱膨張係数の異なる単結晶ウェーハとポリシリコン
層との間に歪み場が形成され、ポリシリコン粒界に不純
物元素が吸着するためとされている。
【０００９】ウェーハのエッチングは前工程の結晶歪み
を除去することが目的であるが、このエッチング面はピ
ラミッド状のエッチピットから形成されリップルが激し
く、またウェーハ表面へのエッチング液の供給が完全に
は一様でなく山脈状のうねりも存在する。
【００１０】このエッチング面にＣＶＤ法によりポリシ
リコンを成膜すると、ほぼ同一のリップルとなりウェー
ハ面から柱状晶が発達している。しかし、凸部には膜生
成ガスが多く供給されるため膜生長が大きくなるためリ
ップルが大きくなりまた山の斜面からの膜生長は粒状晶
となる傾向がある。この粒状晶は裏面に接触する搬送用
のベルトやフォークにより容易に剥離しパーティクルと
なる可能性がある。
【００１１】そこで、本発明者らは、ウェーハ平坦度を
向上しかつパーティクル発生を低減するため、８インチ
ウェーハの製造工程におけるポリシリコン層形成工程の
直前に、ウェーハ裏面を軽くメカノケミカル研磨するこ
とを試みた。その結果、ウェーハ表面におけるディンプ
ル不良は低減し、しかも鏡面研磨洗浄後のパーティクル
が減少することが見いだされた。この事実から、エッチ
ング表面の凸部分に形成されたポリシリコン層の剥離
が、パーティクル発生の主原因であることが判明した。
また鏡面を魔鏡検査した結果、裏面のうねりに起因する
魔鏡像も消えた。
【００１２】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、ウェーハ表面におけるディンプル不良を低減すると
ともに、研磨洗浄以降のパーティクル発生を減少するこ
とができるウェーハの製造方法を提供することを課題と
している。また、現行のデバイスへの影響は未だ不明で
あるが、将来の高集積度大面積デバイスでは問題になる
と想定される、魔鏡レベルの長周期のうねりも減少でき
るウェーハの製造方法をも提供することを課題としてい
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以下、本発明に係るウェ
ーハの製造方法の具体例を説明する。 （請求項１に係わるウェーハ製造方法）図１は本発明の
請求項１に係るウェーハ製造方法の一例を示す工程図で
ある。この方法ではまず、円柱状のシリコン単結晶イン
ゴットをスライス加工し、薄い円板状のウェーハを作成
した後、ウェーハ周縁を面取加工する。
【００１４】ウェーハをラッピング盤にセットし、遊離
砥粒を用いてウェーハ両面をラッピングするかまたは研
削砥石により研削し、さらにウェーハをエッチング液に
浸漬して、その両面のラッピングまたは研削によって生
じたダメージの除去を除去する。この時のエッチング量
は、ウェーハ両表面のダメージが完全に除去できる厚さ
とされ、通常は片面２０μｍ程度に設定される。このよ
うなエッチングを経ると、ウェーハの表面粗さはＲa
０．３〜０．３５μｍ、Ｒｍａｘ２〜３μｍとなる。
【００１５】ウェーハに、化学的気相成長法（ＣＶＤ
法）により、ゲッタリング効果を得るためのポリシリコ
ン層を形成する。図２は、エッチングの完了したウェー
ハ１にポリシリコン層２を形成した状態を示す断面拡大
説明図である。ＣＶＤ法によれば、ポリシリコン層２は
ウェーハ表面のリップルにほぼ倣って、リップルの度合
いは大きくなって形成される。
【００１６】ＣＶＤ法によるポリシリコンをウェーハに
成膜すると、ＣＶＤ炉内で生成するシリコン粒子が成膜
中にウェーハ表面に落下したり、ウェーハと石英ボート
の接触部から剥離するポリシリコンが起点となる異常成
長がおこり、突起となる現象がある。また冷却過程の高
温でウェーハに付着したパーティクルは固着力が大きく
除去が困難である。この異常突起はマウンドクラッシャ
ーで潰すことが一般化しているが、この際パーティクル
が大量に発生ししかも跡がつきがちである。この突起ま
たは突起跡はウェーハを研磨プレートに接着して研磨す
るとディンプル不良の原因となり、平坦度を悪化させ
る。
【００１７】ポリシリコン層２の平均厚さＴ１は０．１
〜５μｍであることが望ましく、より好ましくは０．５
〜２μｍとされる。０．５μｍ未満では、デバイス工程
中に酸化されポリシリコン層が部分的に酸化除去されて
単結晶が一部露出するおそれがあり、その場合にはゲッ
タリング効果がなくなる。また、５μｍより厚い必要は
ない。
【００１８】次に、ウェーハを枚葉研磨装置の上定盤に
固定した後、下定盤に固定された研磨布をウェーハの裏
面に当接させ、ＳｉＯ2（コロイダルシリカ）等の微細
な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供給しつつ、
各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨を行う。こ
の段階のメカノケミカル研磨は、後のウェーハ表面に対
する鏡面研磨の仕上研磨に相当するが、以下、ライトポ
リッシング加工と称する。
【００１９】このライトポリッシング加工装置では、研
磨布の下に１ｍｍの発泡樹脂製のシートを取り付け、研
磨布を下定盤上面に直接貼付した場合より沈み込みを大
きくなり、ウェーハの凸部分が研磨布により強く押し込
まれメカノケミカル反応が促進されて凸部が優先的に研
磨除去し、ゲッタリング効果の大きい柱状晶ポリシリコ
ンは除去しないようにしてある。したがって、メカノケ
ミカル研磨され易い異常突起部分も研磨布に強く押し込
まれ研磨除去される。
【００２０】ライトポリッシング加工時のポリシリコン
層の平均除去量Ｔ２は、０．０２〜０．１μｍ程度で十
分である。これにより平均粗さＲａはほぼ半分になり、
最大粗さＲｍａｘも２／３となる。０．０２μｍ未満で
は裏面が表面に転写されて微小うねりが生じ、０．１μ
ｍ以上では研磨時間が長くなり、スクラッチによる傷が
発生するおそれがある。
【００２１】研磨布に対する当接圧力は５０〜４００ｇ
ｆ／ｃｍ2程度、研磨液のｐＨ濃度は１０〜１１、コロ
イダルシリカ粒子の平均粒径は０．０１〜０．０２μｍ
程度が好ましい。これらの範囲を外れるといずれの場合
にもウェーハ裏面の研磨むらや異常突起が潰れてパーテ
ィクルとなりスクラッチが生じて本発明の効果が得られ
難い。ライトポリッシング加工が完了した時点におけ
る、ウェーハ裏面の断面拡大図を図３に示す。このよう
に、ポリシリコン層を形成した後にライトポリッシング
した場合には、ポリシリコン層をＣＶＤで形成する時に
生じた異常突起をマウンドクラッシャーにて潰した場合
研磨面に生じるディンプルも見られない。
【００２２】次に、ライトポリッシングにより平坦化さ
れたポリシリコン層を、ワックス等の接着剤により研磨
盤のキャリアプレート上に接着する。そして、キャリア
プレートを研磨盤にセットして、従来法と同様にウェー
ハ表面の粗研磨および仕上研磨で鏡面加工を行う。具体
的には、キャリアプレートに固定されたウェーハの表面
を、他方の定盤に固定された研磨布に当接させ、ＳｉＯ
2等の微細な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供
給しつつ、各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨
を行なえばよい。
【００２３】こうして仕上げ研磨が完了したら、ウェー
ハをキャリアプレートから剥離させ、洗浄および乾燥し
た後、所定の品質検査を行って製品ウェーハとする。
【００２４】上記構成からなるウェーハ製造方法によれ
ば、ウェーハ裏面に形成したポリシリコン層の凸部をラ
イトポリッシング加工で除去することによって、後の鏡
面研磨加工の際にディンプルがウェーハが表面に発生す
ることを防止し、ウェーハの全面の平坦度を高める。さ
らに裏面が平坦化されてキャリアプレートにワックスで
接着して鏡面研磨を行うことにより平坦度が向上し、ま
た裏面が平坦化することにより、平坦度検査装置におけ
る真空チャックのチャッキングが安定する効果もある。
ポリシリコン層の凸部と共にエッチング時に存在した山
脈状のうねりもライトポリッシング加工で除去すること
によって魔鏡観察による表面の長周期のうねりも無くな
る。
【００２５】また、ポリシリコン層の凸部を除去するこ
とにより、ウェーハの搬送時などに、これら凸部の粒状
晶の多い剥離し易いパーティクルとなる部分を除去する
ことにより、パーティクルに起因するデバイス工程での
不良発生率を減少できる。したがって、８インチウェー
ハ等のような大径のウェーハにおいても、素子製造上の
厳しい要求に十分応えることが可能となる。
【００２６】（請求項２に係わるウェーハ製造方法）次
に、図４は本発明の請求項２に係るウェーハ製造方法の
一例を示す工程図である。この方法が先の請求項１の方
法と異なるところは、エッチングを終えたウェーハの裏
面をライトポリッシングした後に、ウェーハ裏面にポリ
シリコン層を形成する点にある。すなわち、請求項１の
方法とは、ライトポリッシングとポリシリコン層形成の
順序が逆である点のみが異なる。その他の工程は前記請
求項１の方法と全く同様でよい。
【００２７】請求項２に係る方法では、ライトポリッシ
ング加工時のウェーハ裏面の除去量は、０．０１〜０．
２μｍ程度である。除去量が０．０２μｍ未満ではエッ
チング面の凸部および山脈状部分の除去が不十分とな
り、裏面が表面に転写されて微小うねりが生じ、０．２
μｍ以上ではエッチング面凹部も研磨され、ポリシリコ
ン層とウェーハとの界面でのゲッタリング効果が低下す
る恐れがある。
【００２８】研磨布に対するウェーハの当接圧力、研磨
液のｐＨ，コロイダルシリカ粒子の平均粒径等は前記請
求項１の方法と同様でよいが、ポリシリコンにくらべ、
単結晶シリコンの方が研磨レートが小さいため強め、よ
り長時間側の方が好ましい。
【００２９】次に、ライトポリッシングにより平坦化さ
れたウェーハに、ポリシリコン層をＣＶＤ法により形成
する。エッチング面の凸部が平坦化されたため成膜時に
柱状晶が発達し表面部分の粒状晶が減少する。ポリシリ
コン層を形成した後は、請求項１の方法におけるライト
ポリッシング加工後と同様の処理を行えばよい。
【００３０】上記構成からなる請求項２に係るウェーハ
製造方法によれば、エッチング後のウェーハ裏面の凸部
をライトポリッシュにより除去した後、ポリシリコン層
を形成することによって、前記請求項１の方法と同様
に、ワックス接着時のパーティクル噛み込みが減少し、
またポリシリコン層の異常突起に対してもワックス接着
前の直前洗浄を超音波を重畳した高圧水洗浄などの措置
により低減すれば、前記請求項１の方法と同様に、後の
鏡面研磨加工の際にディンプルがウェーハ表面に発生す
ることを低減し、ウェーハの平坦度を十分に高めること
が可能である。
【００３１】さらに裏面が平坦化されてキャリアプレー
トにワックスで接着して鏡面研磨を行うことにより平坦
度が向上し、また裏面が平坦化することにより、平坦度
検査装置における真空チャックのチャッキングが安定す
る効果もある。さらに、エッチング面の山脈状のうねり
を除去することにより魔鏡で観察される微小なうねりも
除去される。この効果は、裏面にポリシリコン層を形成
したウェーハだけでなく、通常の裏面エッチング仕上げ
の鏡面ウェーハの製造に際しても同様である。
【００３２】また、ポリシリコン層の凸部の粒状晶が少
ないことは、ウェーハの搬送時などに、これら凸部の粒
状晶の多い剥離し易いパーティクルとなる部分を除去す
ることにより、パーティクルに起因するデバイス工程で
の不良発生率を減少できる。したがって、８インチウェ
ーハ等のような大径のウェーハにおいても、素子製造上
の厳しい要求に十分応えることが可能となる。
【００３３】なお、本発明者らは、ライトポリッシング
によりエッチング後のウェーハ表面の凸部を除去した後
にポリシリコン層を形成したもの、並びに、ポリシリコ
ン層を形成した後、ポリシリコン層の凸部をライトポリ
ッシングにより除去したもののそれぞれについて、ゲッ
タリング能力を検査し、これらのゲッタリング能力は、
ライトポリッシングしない従来のポリシリコン層を有す
るウェーハと全く変わらないことを検証した。このこと
から、ポリシリコン層に発生する凸部は、ゲッタリング
に寄与しないことが判明した。
【００３４】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明の効果を実証す
る。 （請求項１に係る方法の実施例１）８インチ径のシリコ
ン単結晶インゴットをスライス加工し、厚さ０．８ｍｍ
のウェーハを作成し、このウェーハの両面を＃２０００
のダイヤモンド砥石を用いて砥石で研削および面取加工
した。
【００３５】前記ウェーハ両面を、さらにエッチング液
（ＨＮＯ3＋ＨＦ＋ＣＨ3ＣＯＯＨ）に浸漬してその両面
のダメージを除去した。エッチング完了時点でのウェー
ハの表面粗さを（株）東京精密社製接触式粗さ計により
測定した結果を示すグラフを図５に示し、この平均粗さ
Ｒａ０．３１μｍ、最大粗さＲｍａｘ２．２２μｍであ
った。
【００３６】エッチングを完了したウェーハの裏面に、
ＣＶＤ法によりポリシリコン層を１．５μｍの厚さに形
成した。図６はエッチング後と前記接触式粗さ計による
ポリシリコン層の粗さグラフでＲａ０．２８μｍ、Ｒｍ
ａｘ２．３７μｍとなり、ポリシリコンを成膜すること
により、平均のリップルは小さくなるが凸部には成膜ガ
スの到達量が大きいため山と谷の差は大きくなってい
る。
【００３７】次いで、ポリシリコン層にライトポリッシ
ング加工を行った。研磨液としては、平均粒径０．０２
μｍのＳｉＯ2粒子を含有するアルカリ性研磨液（ｐＨ
１０．５）を使用し、研磨布に対する当接圧力は１５０
ｇｆ／ｃｍ2とした。研磨時間は２分４０秒に設定し、
ライトポリッシング加工におけるポリシリコン層の厚さ
をナノスペックにより９点／ウェーハ測定した６枚の平
均除去量は０．０４μｍとなった。
【００３８】図７はポリシリコン層のライトポリッシン
グ加工後の表面粗さを前記接触式粗さ計により測定した
結果を示すグラフでＲａ０．１９μｍ、Ｒｍａｘ１．５
０μｍとなり、図６と図７の対比すれば明らかなように
中心線より上の凸部は研磨除去されているが、凹部は変
化が少なく、図３に模式的に示された加工がなされてい
ることが明らかである。
【００３９】平坦化したポリシリコン層を、ワックスを
介して研磨盤のキャリアプレート上に接着し、このキャ
リアプレートを研磨盤にセットして粗研磨および仕上げ
研磨を行った。粗研磨には平均粒径０．０２μｍのコロ
イダルシリカ粒子を分散させた前記同様のアルカリ性研
磨液、仕上げ研磨には平均粒径０．０２μｍのコロイダ
ルシリカ粒子を分散させた同様のアルカリ性研磨液をそ
れぞれ用いた。仕上げ研磨完了後、ウェーハをキャリア
プレートから剥離し、洗浄および乾燥して実施例１のウ
ェーハとした。
【００４０】（本発明の請求項２に係る実施例２）図８
は、前記実施例１の方法と同様にエッチングまでを終了
した後、ウェーハ裏面にライトポリッシングを行い、前
記接触式粗さ計で測定した測定した結果を示すグラフで
Ｒａ０．１６μｍ、Ｒｍａｘ１．４９μｍとなり、ポリ
シリコン層をライトポリッシングしたのと同様で凸部が
研磨除去されている。さらにポリシリコン層を形成し、
後は前記同様にウェーハを作成した。ライトポリッシン
グ加工およびポリシリコン層形成の条件は、いずれも前
記実施例と同一にした。
【００４１】（比較例）一方、比較例として、上記ライ
トポリッシング加工を行わない点のみが上記実施例１と
異なるウェーハを作成した。
【００４２】（比較実験１）得られた３種のウェーハに
ついて、ウェーハ表面上の２０ｍｍ角領域毎にＳＴＩＲ
（一定領域内の指定された基準面からの最大値と最小値
の絶対値）を測定した。実施例１の代表的な結果を図９
および図１０に、実施例２で異常突起によるディンプル
（右上および左下）のあるものを図１１、図１２、比較
例の結果を図１３、１４、１５、１６に示す。
【００４３】前記得られた３種のウェーハについて魔鏡
写真（白黒反転）を図１７、１８、１９に示す。実施例
１の図１７では殆ど何も見えないが、実施例２の図１８
ではディンプルからの反射による白点が見られ、比較例
の図１９では白点の外に微小な長周期のうねりを示す模
様が見られる。
【００４４】（比較実験２） 実施例１、２および比較例のウェーハとＣＯＰ (Crysta
l Oriented Particle)の生じないパーティクルモニター
用ウェーハを純水中でカセット内に向かい合わせに配置
して、超音波を１０分かけた際に発生するパーティクル
量を測定するプロセスシミュレーションを行った。
【００４５】３種のウェーハを乾燥しパーティクルカウ
ンタ（装置機種 ＬＳ６０００）で０．１３μｍパーテ
ィクルを測定した所、実施例は５００〜１、０００ケ／
ウェーハであるのに対して比較例は１０，０００〜１０
０，０００ケ／ウェーハであり、本発明品ではパーティ
クルが発生しにくくなったことが明白である。
【００４６】（実施例３）次に、ライトポリッシング加
工によって、ゲッタリング能力が失われるか否かを調べ
るため、上記３種のウェーハのそれそれの面に１０ｐｐ
ｍの銅イオンを含む溶液をつけ銅原子を付着させたう
え、各ウェーハを９００℃で熱処理し、ウェーハ表面を
ＳＩＭＳ分析したが、いずれのウェーハにおいても銅は
検出されなかった。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウェ
ーハの製造方法によれば、ウェーハ裏面に形成したポリ
シリコン層の平坦度を高めることにより、鏡面研磨され
たポリシリコン層を有するウェーハ表面の平坦度の向上
が図れる。したがって、８インチ以上の大径ウェーハの
製造においても、半導体素子製造上の厳しい要求に十分
応えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の請求項１に係るウェーハの製造方法の
一例の工程図である。
【図２】同方法においてポリシリコン層を形成したウェ
ーハ裏面を示す断面拡大模式図である。
【図３】同方法においてライトポリッシング加工後のウ
ェーハ裏面を示す断面拡大模式図である。
【図４】本発明の請求項２に係るウェーハの製造方法の
一例の工程図である。
【図５】本発明の請求項１に係る実施例１におけるポリ
シリコン層形成前のエッチング面の表面粗さの測定結果
である。
【図６】本発明の請求項１に係る実施例１におけるポリ
シリコン層形成直後のウェーハの表面粗さの測定結果で
ある。
【図７】同実施例１のポリシリコン層のライトポリッシ
ング加工後のウェーハの表面粗さの測定結果である。
【図８】本発明の請求項２に係る実施例２におけるエッ
チング面をライトポリッシング加工したウェーハの表面
粗さの測定結果である。
【図９】本発明の請求項１に係る実施例１のウェーハ表
面のＳＴＩＲの測定結果を示すグラフである。
【図１０】本発明の請求項１に係る実施例１のウェーハ
表面のＳＴＩＲの測定結果を示すグラフである。
【図１１】本発明の請求項２に係る実施例２のウェーハ
表面のＳＴＩＲの測定結果を示すグラフである。
【図１２】本発明の請求項２に係る実施例２のウェーハ
表面のＳＴＩＲの測定結果を示すグラフである。
【図１３】比較例のウェーハ表面のＳＴＩＲの測定結果
を示すグラフである。
【図１４】比較例のウェーハ表面のＳＴＩＲの測定結果
を示すグラフである。
【図１５】比較例のウェーハ表面のＳＴＩＲの測定結果
を示すグラフである。
【図１６】比較例のウェーハ表面のＳＴＩＲの測定結果
を示すグラフである。
【図１７】本発明の請求項１に係る実施例１のウェーハ
表面の魔鏡写真である。
【図１８】本発明の請求項２に係る実施例２のウェーハ
表面の魔鏡写真である。
【図１９】比較例のウェーハ表面の魔鏡写真である。
【図２０】従来のウェーハの製造方法の一例の工程図で
ある。
【符号の説明】 １ シリコンウェーハ ２ ポリシリコン層 Ｔ１ ポリシリコン層の平均厚さ Ｔ２ 軽ポリッシング加工によるポリシリコン層の除去
量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹村 雅則 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三菱マテリアルシリコン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−14449（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】単結晶インゴットから切り出したウェーハ
    の両面を、研削加工またはラッピング加工したうえエッ
    チングし、このウェーハの裏面にのみゲッタリング効果
    を得るためのポリシリコン層をエッチング後のウェーハ
    の裏面形状に沿って形成し、このポリシリコン層に対し
    てメカノケミカル研磨を行い、ポリシリコン層の凸部を
    除去して平坦化した後、このポリシリコン層を研磨盤の
    キャリアプレートに接着し、ウェーハの表面を鏡面研磨
    することを特徴とするウェーハの製造方法。
  2. 【請求項２】単結晶インゴットから切り出したウェーハ
    の両面を、研削加工またはラッピング加工したうえエッ
    チングし、さらにウェーハ裏面にメカノケミカル研磨を
    施し、エッチングにより生じたウェーハ裏面の凸部を除
    去して平坦化した後、ウェーハの裏面にのみゲッタリン
    グ効果を得るためのポリシリコン層を形成し、このポリ
    シリコン層を研磨盤のキャリアプレートに接着し、ウェ
    ーハの表面を鏡面研磨することを特徴とするウェーハの
    製造方法。
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