JP2003317955A5 - 発光装置の作製方法 - Google Patents

発光装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2003317955A5
JP2003317955A5 JP2003044046A JP2003044046A JP2003317955A5 JP 2003317955 A5 JP2003317955 A5 JP 2003317955A5 JP 2003044046 A JP2003044046 A JP 2003044046A JP 2003044046 A JP2003044046 A JP 2003044046A JP 2003317955 A5 JP2003317955 A5 JP 2003317955A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporation
emitting device
forming
anode
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003044046A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4558277B2 (ja
JP2003317955A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2003044046A priority Critical patent/JP4558277B2/ja
Priority claimed from JP2003044046A external-priority patent/JP4558277B2/ja
Publication of JP2003317955A publication Critical patent/JP2003317955A/ja
Publication of JP2003317955A5 publication Critical patent/JP2003317955A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4558277B2 publication Critical patent/JP4558277B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【特許請求の範囲】
【請求項1】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項2】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項3】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上にスパッタ法で透明導電膜からなる陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項4】
請求項3において、前記透明導電膜は酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記金属材料からなる蒸着材料は、周期表の1族もしくは2族に属する金属元素を含む合金材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項6】
請求項1において、前記陰極は、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項7】
請求項2乃至請求項4のいずれか一において、前記陰極の下層は、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項8】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項9】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の下層を形成し、
前記陽極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項10】
請求項8または請求項9において、前記金属材料からなる蒸着材料は、Pt、Cr、W、Ni、Zn、Sn、Inから選ばれた一種または複数の元素を含む導電性材料であることを特徴とする発光装置の作製方法
【請求項11】
請求項1乃至請求項10のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置の作製方法
まず、前処理として陽極3のクリーニングを行う。陽極表面のクリーニングとしては、真空中での紫外線照射、または酸素プラズマ処理を行い、陽極表面をクリーニングする。また、酸化処理としては、100〜120℃で加熱しつつ、酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射すればよく、陽極がITOのような酸化物である場合に有効である。また、加熱処理としては、真空中で基板が耐えうる50℃以上の加熱温度、好ましくは65〜150℃の加熱を行えばよく、基板に付着した酸素や水分などの不純物や、基板上に形成した膜中の酸素や水分などの不純物を除去する。特に、EL材料は、酸素や水などの不純物により劣化を受けやすいため、蒸着前に真空中で加熱することは有効である。
なお、蒸着源ホルダ5に備えられた抵抗加熱は、マイクロコンピュータにより成膜速度を制御できるようにしておくと良い。
また、基板53と蒸着源ホルダ57との間隔距離dを代表的には20cm以下、好ましくは5cm〜15cmに狭めるため、蒸着マスク54も加熱される恐れがある。従って、蒸着マスク54は、熱によって変形されにくい低熱膨張率を有する金属材料(例えば、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルもしくはモリブデンといった高融点金属もしくはこれらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイといった材料を用いることが望ましい。また、加熱される蒸着マスクを冷却するため、蒸着マスクに冷却媒体(冷却水、冷却ガス)を循環させる機構を備えてもよい。

JP2003044046A 2002-02-22 2003-02-21 発光装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4558277B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003044046A JP4558277B2 (ja) 2002-02-22 2003-02-21 発光装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-46816 2002-02-22
JP2002046816 2002-02-22
JP2003044046A JP4558277B2 (ja) 2002-02-22 2003-02-21 発光装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003317955A JP2003317955A (ja) 2003-11-07
JP2003317955A5 true JP2003317955A5 (ja) 2006-03-30
JP4558277B2 JP4558277B2 (ja) 2010-10-06

Family

ID=29551880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003044046A Expired - Fee Related JP4558277B2 (ja) 2002-02-22 2003-02-21 発光装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4558277B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623229B1 (ko) 2003-11-29 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5170964B2 (ja) * 2005-02-18 2013-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5008357B2 (ja) * 2005-08-12 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7838347B2 (en) 2005-08-12 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
WO2011114919A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107894427B (zh) * 2017-12-19 2024-04-16 苏州精濑光电有限公司 一种新型的金属遮罩的支撑平台及检测装置
CN108007936B (zh) * 2017-12-19 2024-04-16 苏州精濑光电有限公司 一种金属遮罩的支撑平台及检测装置
CN109537057A (zh) * 2019-01-07 2019-03-29 无锡奥特维科技股份有限公司 退火炉设备
US11242595B1 (en) 2021-04-03 2022-02-08 King Faisal University Method of making metal nanostructures using low temperature deposition

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02145384A (ja) * 1988-11-28 1990-06-04 Canon Inc 光学的記録媒体の作成方法
JPH0855974A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Tdk Corp 完全密着型イメージセンサ及び有機エレクトロルミネセンス素子
JPH10162959A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3856510B2 (ja) * 1996-12-05 2006-12-13 出光興産株式会社 有機el素子の製造方法
JP3571171B2 (ja) * 1997-05-08 2004-09-29 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1154287A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3203227B2 (ja) * 1998-02-27 2001-08-27 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
JP2000104172A (ja) * 1998-07-28 2000-04-11 Toshiba Corp 成膜方法,成膜装置及び固形原料
JP4066547B2 (ja) * 1999-01-25 2008-03-26 松下電器産業株式会社 表示装置
JP4312289B2 (ja) * 1999-01-28 2009-08-12 キヤノンアネルバ株式会社 有機薄膜形成装置
JP3576857B2 (ja) * 1999-03-12 2004-10-13 三星エスディアイ株式会社 有機薄膜el素子とその製造方法
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kim et al. Doped ZnO thin films as anode materials for organic light-emitting diodes
Kim et al. Anode material based on Zr-doped ZnO thin films for organic light-emitting diodes
US9209427B2 (en) Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP4890654B2 (ja) 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
JP2004052102A (ja) 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4785269B2 (ja) 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
JP5528727B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス
CN100401550C (zh) 发光装置及其制造方法
JP2003317955A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2001085158A (ja) 有機電界発光素子
TW200303699A (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP4110752B2 (ja) 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
TW201213569A (en) Method for evaporation and evaporation apparatus
JP2022075784A (ja) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP2010165999A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法
JP2007188870A (ja) 有機発光素子の製造方法および蒸着装置
JP2007214319A (ja) 薄膜トランジスタ及びその電子ディスプレー
JP2014170826A (ja) 配線構造、配線形成方法および電子デバイス
JP4882262B2 (ja) 透明導電膜積層体の製造方法
JP5042363B2 (ja) Cdte/cds薄膜太陽電池における非整流バック接点の形成方法
JP2004071558A5 (ja)
TWI658621B (zh) 有機發光顯示裝置
US20210226151A1 (en) Electrode and manufacturing method thereof and organic electroluminescent device
JPWO2005062678A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、導電積層体及び表示装置
US9914283B2 (en) Bonding method for thin film diamond providing low vapor pressure at high temperature