JP2001148291A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

表示装置及びその製造方法

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JP2001148291A JP32981099A JP32981099A JP2001148291A JP 2001148291 A JP2001148291 A JP 2001148291A JP 32981099 A JP32981099 A JP 32981099A JP 32981099 A JP32981099 A JP 32981099A JP 2001148291 A JP2001148291 A JP 2001148291A
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organic
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wiring
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Tetsuo Urabe
哲夫 占部
Tatsuya Sasaoka
龍哉 笹岡
Mitsunobu Sekiya
光信 関谷
Machio Yamagishi
万千雄 山岸
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 上面光取出し型の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を画素としてマトリックス状に配列し表示装置
において、基板の表面側にも光を遮断する構造物として
隔壁が配置される場合に、より高い開口率の実装構造を
実現する。 【解決手段】 表示装置は、基板１と、その上に形成さ
れた複数の画素と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁６
とを有する。各画素は、基板１上に形成された配線Ｘ，
Ｙ，Ｍを含む下層部ＬＬと、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子ＯＬＥＤを含む上層部ＵＬと、下層部ＬＬ及び
上層部ＵＬを互いに電気的に絶縁する中層部ＭＬとを含
む。有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤは中層
部ＭＬに開口したコンタクトホールＣＯＮを介して配線
Ｍに接続している。隔壁６は、有機エレクトロルミネッ
センス素子ＯＬＥＤの形成に適さないコンタクトホール
ＣＯＮを含む領域と重なるように上層部ＵＬに配されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置及びその製造方法に
関する。具体的には、発光を上面の陰極側で取り出す有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の高
開口率化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子は、
例えばアクティブマトリクス型の表示装置の画素に利用
できる。有機エレクトロルミネッセンス素子を画素とし
た有機エレクトロルミネッセンスディスプレイは、液晶
ディスプレイに変わる次世代フラットパネルディスプレ
イとして有望視されている。図７に、従来の有機エレク
トロルミネッセンス素子の構成を示す。ガラス基板１の
上に透明導電膜からなる陽極Ａを形成し、その上に有機
層１０を積層したあと、金属からなる陰極Ｋを形成す
る。これにより、ダイオード構造の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子が得られる。陰極Ｋは例えばアルミニウ
ムやマグネシウムと銀の合金からなりその厚みは例えば
１００ｎｍ程度である。有機層１０は基本的に正孔輸送
層、発光層及び電子輸送層を積層したものである。係る
構成において、陰極Ｋ及び陽極Ａから夫々電子と正孔を
注入し、電子輸送層及び正孔輸送層を介して、発光層で
電子と正孔が再結合し発光する。この場合、発光はガラ
ス基板１側から取り出されることになり、所謂下面光取
り出し構造となる。このように有機層１０を陰極Ｋ及び
陽極Ａで挟んだ発光素子は有機発光ダイオードでありＯ
ＬＥＤと呼ばれている。
【０００３】ＯＬＥＤは応答速度が１μ秒以下であるの
で、表示装置に応用する場合、単純マトリクスによるデ
ューティー駆動も可能である。しかし、画素数が大きく
なって高デューティーになった場合、十分な輝度を確保
するためにはＯＬＥＤに対して瞬間的に大電流を供給す
る必要がある。
【０００４】一方、アクティブマトリクス駆動では、各
画素毎に薄膜トランジスタと保持容量を形成し、信号電
圧を保持するので、一フレームの間常に信号電圧に応じ
て駆動電流をＯＬＥＤに印加できる。従って、単純マト
リクスのように瞬間的に大電流を供給する必要がなく、
ＯＬＥＤに対するダメージが少ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子に用いたアク
ティブマトリクス方式でパネルを設計する場合、ＴＦＴ
をガラス基板１の上に集積形成するので、図７に示した
下面光取り出し型の場合ＯＬＥＤから光を取り出すため
の開口面積がＴＦＴで狭められ、開口率が低下するとい
う問題がある。これを回避するために、ガラス基板１に
対して上側にある陰極Ｋから発光を取り出す、所謂上面
光取り出し型のデバイス構造が有効であり、これを図８
に示す。図示するように、ガラス基板１の上に反射層１
１０を形成しその上に例えばＩＴＯ等の透明導電膜から
なる陽極Ａを形成する。その上に、有機層１０を重ねた
あと、金属層１１を形成する。この場合、光を透過可能
にするため、金属層１１の厚みは例えば１０ｎｍ以下で
ある。その上に、ＩＴＯ等からなる透明導電層１２を形
成する。発光の取り出しは上部から行われるため、陰極
Ｋは透過率が高く、且つ電子が効率的に注入できるよう
に、仕事関数の低い金属薄膜が用いられる。例えば、仕
事関数の低いアルミニウムとリチウムの合金或いはマグ
ネシウムと銀の合金を１０ｎｍ程度に薄く成膜する。更
にその上に、透明導電膜１２を例えば１００ｎｍの厚み
で成膜しておく。この透明導電膜１２は、薄い金属層１
１の保護と、配線抵抗の低抵抗化の役目を果たす。
【０００６】この様な上面光取出し型のデバイス構造
は、下面光取出し型のデバイス構造に比べ、原理的に画
素の開口率を高くすることができる。しかし、上面光取
出し型のデバイスを画素としてマトリクス状に配列し表
示装置を構成した場合、基板の表面側にも光を遮断する
隔壁等の構造体が配置される場合が多く、より高い開口
率が得られる実装構造の開発が急務になっている。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為、以下の手段を講じた。即ち、本発明は、
基板と、その上に形成された複数の画素と、隣り合う画
素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装置であって、該
画素は、基板上に形成された配線を含む下層部と、有機
エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、下層部
及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部とを含み、
該有機エレクトロルミネッセンス素子は該中層部に開口
したコンタクトホールを介して該配線に接続しており、
該隔壁は該コンタクトホールを含む領域と重なるように
該上層部に配されていることを特徴とする。具体的に
は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、該配線
と接続した反射性の陽極と、表面に位置する透明な陰極
と、陽極及び陰極の間に保持された有機層とからなり、
前記有機層は該陽極から供給される正孔と該陰極から供
給される電子との再結合によって発光し、これを表面の
陰極から取り出す。この場合、前記有機層は、該隔壁を
介して基板の上に配されたマスクを用いて選択的に堆積
された積層膜からなる。又、前記下層部は、画素を選択
するための走査配線と、画素を駆動するための輝度情報
を与えるデータ配線と、走査配線によって制御され且つ
データ配線から与えられた輝度情報を画素に書き込む機
能を有する第一の能動素子と、該書き込まれた輝度情報
に応じて該有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を
供給しその発光を制御する機能を有する第二の能動素子
とを含む。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る表示装
置の構成を示す部分断面図の一例であり、一画素分を表
わしている。図示する様に、本表示装置は基板１と、そ
の上に形成された画素と、この画素を隣の画素から隔て
る隔壁６とを有する。画素は下から順に下層部ＬＬと中
層部ＭＬと上層部ＵＬに分かれている。下層部ＬＬは基
板１上に形成されたデータ配線Ｙや接続配線Ｍなどの配
線を含む。上層部ＵＬは有機エレクトロルミネッセンス
素子ＯＬＥＤを含む。中層部ＭＬは下層部ＬＬ及び上層
部ＵＬを互いに電気的に絶縁するものであり、層間絶縁
膜５０からなる。有機エレクトロルミネッセンス素子Ｏ
ＬＥＤは中層部ＭＬを構成する層間絶縁膜５０に開口し
たコンタクトホールＣＯＮを介して接続配線Ｍに電気接
続している。特徴事項として、隔壁６はコンタクトホー
ルＣＯＮを含む領域（以下、コンタクト領域）と重なる
様に上層部ＵＬに配されている。このコンタクト領域は
配線が複雑に入り組んでおり起伏が激しくＯＬＥＤの形
成に適していない。仮に、ここにＯＬＥＤを設けても画
面の表示に有効な発光が得られない。そこで、このコン
タクト領域には元々発光には寄与しない構造物である隔
壁６を設ける様にしている。係る構造により、画素面積
を有効活用することが可能になり従来に比し開口率を改
善することができる。本構造により５０％を超える開口
率が達成できる。
【０００９】本実施形態では有機エレクトロルミネッセ
ンス素子ＯＬＥＤは上面光取出し型となっており、配線
Ｍと接続した反射性の陽極Ａと、表面に位置する透明な
陰極Ｋと、陽極Ａ及び陰極Ｋの間に保持された有機層１
０とからなる。有機層１０は陽極Ａから供給される正孔
と陰極Ｋから供給される電子との再結合によって発光
し、これを表面の陰極Ｋから取り出す。図示する様に、
有機層１０はコンタクト領域を除く比較的平坦な部分に
亘って可能な限り広く形成することで、画素開口率を高
くしている。有機層１０の形成に不適当なコンタクト領
域には元々発光に寄与しない隔壁６を設ける様にしてい
る。尚、画素の開口寸法Ｌは例えば１７０乃至１８０μ
ｍであり、隔壁６の幅寸法Ｗは例えば３０乃至４０μｍ
である。又、隔壁６の高さ寸法Ｈは例えば３乃至５μｍ
である。ここで、有機層１０は、隔壁６を介して基板１
の上に配されたマスク５を用いて選択的に堆積された積
層膜からなる。換言すると、隔壁６はＯＬＥＤを形成す
る際、基板１とマスク５との間のスペーサとしての役割
を果たし、マスク５がＯＬＥＤの形成面に誤って接触す
ることを防ぐ為に配されている。本表示装置はアクティ
ブマトリクス型であり、下層部ＬＬには、画素を選択す
る為の走査配線Ｘと、画素を駆動する為の輝度情報を与
えるデータ配線Ｙと、走査配線Ｘによって制御され且つ
データ配線Ｙから与えられた輝度情報を画素に書き込む
機能を有する第一の能動素子と、書き込まれた輝度情報
に応じ有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤに電
流を供給しその発光を制御する機能を有する第二の能動
素子とを含む。図１では、第二の能動素子として基板１
の上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴが示されてい
る。このＴＦＴはボトムゲート構造を有し、ゲート電極
Ｇとその上に形成されたゲート絶縁膜３１とその上に形
成された半導体薄膜３２とからなる。この半導体薄膜３
２はゲート電極Ｇと整合するチャネル領域に加え、その
両側にソース領域Ｓとドレイン領域Ｄを備えている。係
る構成を有するＴＦＴは層間絶縁膜３３によって被覆さ
れており、その上に前述したデータ配線Ｙや接続配線Ｍ
が形成されている。図には表れていないが、データ配線
Ｙは層間絶縁膜３３に開口したコンタクトホールを介し
てＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続している。同様に接
続配線Ｍも層間絶縁膜３３に開口したコンタクトホール
を介してＴＦＴのドレイン領域Ｄに接続している。係る
構成により、ＯＬＥＤの陽極Ａは接続配線Ｍを介しＴＦ
Ｔのドレイン領域Ｄに電気接続していることになる。
【００１０】引き続き図１を参照して、本発明に係る表
示装置の製造方法を説明する。まず、ガラスなどからな
る基板１の表面に導電材料を成膜した後、所定の形状に
パタニングして画素電極Ｇを形成する。同一の導電材料
を用いて走査配線Ｘなども同時に形成する。導電材料と
しては、不純物を高濃度に注入した多結晶シリコン、シ
リサイド又は高融点金属（Ｗ、Ｍｏ他）などを用いるこ
とができる。続いてＣＶＤ法などによりゲート絶縁膜３
１を成膜する。このゲート絶縁膜３１としてはＳｉＯ2
又はＳｉＮなどを用いることができる。このゲート絶縁
膜３１の上に半導体薄膜３２を成膜する。例えば、ＣＶ
Ｄ法で非晶質シリコンを堆積し、固相成長法もしくはレ
ーザアニール法を用いて多結晶シリコンに転換する。こ
の様にして得られた半導体薄膜３２に選択的に不純物を
注入してソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成した
後、素子領域の形状に合わせてパタニングする。この様
にして得られたボトムゲート構造の薄膜トランジスタＴ
ＦＴを被覆する様に、例えばＳｉＯ2 からなる層間絶縁
膜３３を形成する。この層間絶縁膜３３に、ＴＦＴのソ
ース領域Ｓやドレイン領域Ｄに連通するコンタクトホー
ルを開口する。この後層間絶縁膜３３の上に、スパッタ
リングなどで金属薄膜を形成し、所定の形状にパタニン
グしてデータ配線Ｙや接続配線Ｍを設ける。金属薄膜と
しては一般にアルミニウムが使用される。場合によって
は、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの
多層構造もしくはＡｌＳｉ及びＡｌＣｕなどの合金層を
用いることができる。以上により、画素の下層部ＬＬが
形成される。この上に、中層部ＭＬとしてＳｉＯ2 など
からなる層間絶縁膜５０を成膜する。これにコンタクト
ホールＣＯＮをエッチングで開口した後、金属からなる
光反射性の陽極Ａを形成する。この陽極Ａの上にＳｉＯ
2 などからなる絶縁層１５を成膜した後、エッチングに
より窓部を開口する。この窓部にＯＬＥＤが形成される
ことになる。図から明らかな様に、窓部はコンタクトホ
ールＣＯＮを含むコンタクト領域を除外した部分に設け
られている。この段階で、残された絶縁層１５の上に隔
壁６を形成する。この隔壁６は有機もしくは無機の絶縁
材料からなる。本実施形態では、ＳｉＯ2 をスパッタで
３乃至５μｍの厚みに堆積して隔壁６を設けた。図から
明らかな様に、隔壁６はコンタクトホールＣＯＮを含む
コンタクト領域に形成されている。この後、隔壁６をス
ペーサとしてマスク５を配置し、蒸着により有機層１０
を成膜する。この際、隔壁６はマスク５が基板１の表面
に接触しない様にスペーサとしての役割を果たす。有機
層１０を蒸着した後、透明な陰極Ｋを基板１の表面全体
に成膜する。この陰極Ｋは全ての画素に亘って共通電位
に保持される。以上で各画素の上層部ＵＬが完成する。
【００１１】図２は、図１に示した表示装置の模式的な
平面図の一例である。図示する様に、データ配線Ｙは画
面の縦方向に配設され、走査配線Ｘは横方向に配設され
ている。又、上下に隣り合う画素ＰＸＬを互いに隔てる
隔壁６も横方向に配設されており、図１で説明した様に
コンタクト領域と重なる部分に設けられている。画素Ｐ
ＸＬのハッチングを付した部分がＯＬＥＤの形成された
領域であり、有効な発光面積となっている。
【００１２】図３は、参考として基板１とマスク５の相
対的な位置関係を示す模式的な平面図の一例である。本
例は、基板１にＲＧＢ三原色の画素を真空蒸着で形成す
る場合を表している。基板１の表面には予め隔壁６がス
トライプ状に形成されている。この隔壁６は有機若しく
は無機の絶縁物からなり、例えばスクリーン印刷又はス
パッタリングにより基板１の表面に形成できる。ストラ
イプ状に形成された各隔壁６の間に、ＲＧＢ三原色に分
かれた画素を形成する。このため、マスク５は図示のよ
うなパタン８を有し、ハッチングが施されていない部分
に矩形の開口が開いている。図示の状態では、マスク５
のパタン８は基板１側の画素Ｒに対応している。この状
態で、真空蒸着を行うことにより、画素Ｒを構成すべき
有機物質が選択的に蒸着される。このあと、マスク５を
右側に一画素分シフトすることで、パタン８は画素Ｇの
領域に整合することになる。ここで有機物質を代えて再
び真空蒸着を行うことにより、画素Ｇを形成することが
できる。同様にして、マスク５を更に右側に一画素分シ
フトし、画素Ｂを形成する。
【００１３】図示の例では、隔壁６の配列間隔は例えば
３００μｍに設定されている。これに対し、マスク５に
形成された開口パタン８の寸法は、例えば７０×２００
μｍである。又、マスク５は例えばステンレススチール
からなり、その厚みは例えば５０μｍ程度である。これ
に対し、基板１とマスク５の間隙寸法を規定する隔壁６
の厚みは例えば５μｍ程度である。
【００１４】次に、図４を参照して、図３に示したマス
クを用いてガラス基板の上にエレクトロルミネッセンス
素子からなる画素を形成する方法の一例を、具体的に説
明する。先ず（Ａ）に示すように、予めコンタクトホー
ルＣＯＮを形成した層間絶縁膜５０の上に、クロム（Ｃ
ｒ）を膜厚２００ｎｍでＤＣスパッタリングにより成膜
する。尚、層間絶縁膜５０よりしたの層は図示を省略し
ている。スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用い
て、圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗとした。通
常のリソグラフィー技術を用いて、所定の形状にパタニ
ングする。エッチング液としてＥＴＣＨ−１（三洋化成
工業（株）製）を用いて、加工する。所定の形状の陽極
Ａが得られる。クロムは前記エッチング液により高精度
かつ再現性よく加工できる。さらに、加工精度が要求さ
れる場合は、ドライエッチングによる加工も可能であ
る。エッチングガスとしては、塩素（Ｃ１２）と酸素
（Ｏ２）の混合ガスを用いることができる。特に、リア
クティブイオンエッチング（ＲｌＥ）を用いれば、高精
度な加工ができ、かつエッチング面の形状の制御が可能
である。所定の条件でエッチングすれば、テーパー状の
加工が可能で、陰極−陽極間ショートを低減できる。続
いて、クロムが所定のパタンに加工された層間絶縁膜５
０の上に絶縁層１５を成膜する。絶縁層１５に用いる材
料は特に限定はないが、本実施例では二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ２）を用いている。Ｓｉ０２はスパッタリングにより
膜厚２００ｎｍに形成する。成膜方法に、特に限定はな
い。通常のリソグラフィー技術を用いて、クロム上に開
口を設ける様にＳｉ０２を加工する。Ｓｉ０２のエッチ
ングには、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を使う
ことができる。また。ドライエッチングによる加工も可
能である。前記開口部が、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光部分となる。尚、前記絶縁層１５は本発明
に必要不可欠なものでないが、陽極−陰極間ショートを
防ぐためには設置することが望ましい。この後、前記開
口部の両側に隔壁６を、例えばスパッタリングで形成す
る。
【００１５】次に（Ｂ）に示すように、隔壁６を介して
層間絶縁膜５０の上にマスク５を装着する。尚、マスク
５に形成された開口パタン８は、前述した絶縁層１５の
開口部に整合するよう、位置決めされている。このよう
にマスク５を組み込んだ基板を真空蒸着装置に投入し、
有機層１０及び陰極Ｋの金属層１１を蒸着により形成す
る。ここで有機層１０は、正孔注入層１０１として４，
４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、正孔輸送層
１０２としてビス（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベン
ジジン（α−ＮＰＤ）、発光層１０３として８−キノリ
ノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）を用いた。陰極Ｋの
金属層１１には、マグネシウムと銀の合金（Ｍｇ：Ａ
ｇ）を用いた。有機層１０に属する各材料は、それぞれ
０．２ｇを抵抗加熱用のボートに充填して真空蒸着装置
の所定の電極に取り付ける。金属層１１のマグネシウム
は０．１ｇ、銀は０．４ｇをボートに充填して、真空蒸
着装置の所定の電極に取り付ける。真空チャンバを、
１．０ｘ１０−４Ｐａまで減圧した後、各ボートに電圧
を印加し、順次加熱して蒸着させる。蒸着には、蒸着マ
スクを用いることにより所定の部分のみ有機層１０およ
びＭｇ：Ａｇからなる金属層１１を蒸着させた。所定の
部分とは、クロムが露出している部分である。クロムの
露出している部分だけに高精度に蒸着することは困難で
あるので、クロムの露出している部分全体を覆うように
（絶縁層１５の縁にかかるように）蒸着マスクを設計し
た。まず、正孔注入層１０１としてＭＴＤＡＴＡを３０
ｎｍ、正孔輸送層１０２としてα−ＮＰＤを２０ｎｍ、
発光層１０３としてＡｌｑを５０ｎｍ蒸着した。さら
に、マグネシウムおよび銀の共蒸着を行なうことによ
り、有機層１０上に陰極Ｋの金属層１１としてＭｇ：Ａ
ｇを成膜する。マグネシウムと銀は、成膜速度の比を
９：１としている。Ｍｇ：Ａｇの膜厚をｌ０ｎｍとし
た。
【００１６】最後に、（Ｃ）に示すように、別の真空チ
ャンバに移し、同じマスクを通して透明導電層１２を成
膜する。成膜にはＤＣスパッタリングを用いる。本実施
例では、透明導電層１２として室温成膜で良好な導電性
を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を用いる。成膜条
件は、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（体積比Ａｒ：Ｏ２＝１０００：５）を用い、圧力０．
３Ｐａ、ＤＣ出力４０Ｗとした。膜厚２００ｎｍで成膜
した。
【００１７】最後に、一画素分の等価回路の一例を図５
に示す。画素ＰＸＬは有機エレクトロルミネッセンス素
子ＯＬＥＤ、第一の能動素子としての薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１、第二の能動素子としての薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２及び保持容量Ｃｓからなる。有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は多くの場合整流性があるため、ＯＬＥ
Ｄ（有機発光ダイオード）と呼ばれることがあり、図で
はダイオードの記号を用いている。図示の例では、ＴＦ
Ｔ２のソースＳを基準電位（接地電位）とし、ＯＬＥＤ
の陰極ＫはＶｄｄ（電源電位）に接続される一方、陽極
ＡはＴＦＴ２のドレインＤに接続されている。一方、Ｔ
ＦＴ１のゲートＧは走査配線Ｘに接続され、ソースＳは
データ配線Ｙに接続され、ドレインＤは保持容量Ｃｓ及
びＴＦＴ２のゲートＧに接続されている。
【００１８】ＰＸＬを動作させるために、まず、走査配
線Ｘを選択状態とし、データ配線Ｙに輝度情報を表すデ
ータ電位Ｖｄａｔａを印加すると、ＴＦＴ１が導通し、
保持容量Ｃｓが充電又は放電され、ＴＦＴ２のゲート電
位はデータ電位Ｖｄａｔａに一致する。走査配線Ｘを非
選択状態とすると、ＴＦＴ１がオフになり、ＴＦＴ２は
電気的にデータ配線Ｙから切り離されるが、ＴＦＴ２の
ゲート電位は保持容量Ｃｓによって安定に保持される。
ＴＦＴ２を介して有機エレクトロルミネッセンス素子Ｏ
ＬＥＤに流れる電流は、ＴＦＴ２のゲート／ソース間電
圧Ｖｇｓに応じた値となり、ＯＬＥＤはＴＦＴ２から供
給される電流量に応じた輝度で発光し続ける。
【００１９】上述したように、図５に示した画素ＰＸＬ
の回路構成では、一度Ｖｄａｔａの書き込みを行えば、
次に書き換えられるまで一フレームの間、ＯＬＥＤは一
定の輝度で発光を継続する。このような画素ＰＸＬを図
６のようにマトリクス状に多数配列すると、アクティブ
マトリクス型表示装置を構成することができる。図６に
示すように、本表示装置は、画素ＰＸＬを選択するため
の走査配線Ｘ１乃至ＸＮと、画素ＰＸＬを駆動するため
の輝度情報（データ電位Ｖｄａｔａ）を与えるデータ配
線Ｙとがマトリクス状に配設されている。走査配線Ｘ１
乃至ＸＮは走査配線駆動回路２１に接続される一方、デ
ータ配線Ｙはデータ配線駆動回路２２に接続される。走
査配線駆動回路２１によって走査配線Ｘ１乃至ＸＮを順
次選択しながら、データ配線駆動回路２２によってデー
タ配線ＹからＶｄａｔａの書き込みを繰り返すことによ
り、所望の画像を表示することができる。単純マトリク
ス型の表示装置では、各画素ＰＸＬに含まれる発光素子
は、選択された瞬間にのみ発光するのに対し、図６に示
したアクティブマトリクス型表示装置では、書き込み終
了後も各画素ＰＸＬの有機エレクトロルミネッセンス素
子が発光を継続するため、単純マトリクス型に比べ有機
エレクトロルミネッセンス素子のピーク輝度（ピーク電
流）を下げられるなどの点で、とりわけ大型高精細のデ
ィスプレイでは有利となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上層部に属するエレクトロルミネッセンス素子と下層部
に属する配線とを接続するコンタクト領域上に隔壁を形
成することで、画素の面積を有効活用可能となり、発光
に寄与する有機エレクトロルミネッセンス素子の領域を
拡大することができる。発光に寄与する領域を拡大する
ことにより、安定な発光特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表示装置の実施形態を示す部分断
面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の実施形態を示す部分平
面図である。
【図３】マスクと基板との関係を示す模式的な平面図で
ある。
【図４】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
を示す工程図である。
【図５】本発明に係る表示装置の一画素分の等価回路を
示す回路図である。
【図６】本発明に係る表示装置の全体構成を示す回路図
である。
【図７】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の一
例を示す断面図である。
【図８】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の他
の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板、５・・・マスク、６・・・隔壁、１０・
・・有機層、１５・・・絶縁層、３１・・・ゲート絶縁
膜、３２・・・半導体薄膜、３３・・・層間絶縁膜、５
０・・・層間絶縁膜、ＵＬ・・・上層部、ＭＬ・・・中
層部、ＬＬ・・・下層部、ＯＬＥＤ・・・有機エレクト
ロルミネッセンス素子、Ａ・・・陽極、Ｋ・・・陰極、
ＣＯＮ・・・コンタクトホール、ＴＦＴ・・・薄膜トラ
ンジスタ、Ｘ・・・走査配線、Ｙ・・・データ配線、Ｍ
・・・接続配線、Ｇ・・・ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10 33/12 33/12 Ｂ 33/14 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ (72)発明者 関谷 光信 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 山岸 万千雄 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BA06 BB00 CA01 CB01 CB03 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 5C094 AA05 AA14 AA60 BA03 BA27 CA19 GB10 5G435 AA01 BB05 CC09 EE11 KK05 KK09

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、その上に形成された複数の画素
    と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有する表示装
    置であって、 該画素は、基板上に形成された配線を含む下層部と、有
    機エレクトロルミネッセンス素子を含む上層部と、下層
    部及び上層部を互いに電気的に絶縁する中層部とを含
    み、 該有機エレクトロルミネッセンス素子は該中層部に開口
    したコンタクトホールを介して該配線に接続しており、 該隔壁は該コンタクトホールを含む領域と重なるように
    該上層部に配されていることを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】 前記有機エレクトロルミネッセンス素子
    は、該配線と接続した反射性の陽極と、表面に位置する
    透明な陰極と、陽極及び陰極の間に保持された有機層と
    からなり、前記有機層は該陽極から供給される正孔と該
    陰極から供給される電子との再結合によって発光し、こ
    れを表面の陰極から取り出すことを特徴とする請求項１
    記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 前記有機層は、該隔壁を介して基板の上
    に配されたマスクを用いて選択的に堆積された積層膜か
    らなることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記下層部は、画素を選択するための走
    査配線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデー
    タ配線と、走査配線によって制御され且つデータ配線か
    ら与えられた輝度情報を画素に書き込む機能を有する第
    一の能動素子と、該書き込まれた輝度情報に応じて該有
    機エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給しその発
    光を制御する機能を有する第二の能動素子とを含むこと
    を特徴とする請求項１記載の表示装置。
  5. 【請求項５】 基板と、その上に形成された複数の画素
    と、隣り合う画素を互いに隔てる隔壁とを有し、該画素
    は、基板上に形成された配線を含む下層部と、有機エレ
    クトロルミネッセンス素子を含む上層部と、下層部及び
    上層部を互いに電気的に絶縁する中層部とを含む表示装
    置の製造方法であって、 該基板の上に配線を含む下層部を形成する下層工程と、 該下層部を被覆するように中層部を形成し、これに配線
    と連通するコンタクトホールを開口する中層工程と、 該中層部の上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形
    成して該中層部に開口したコンタクトホールを介し該下
    層部の配線に接続する上層工程とを行ない、該上層工程
    の中で、該コンタクトホールを含む領域と重なるように
    該隔壁を設けることを特徴とする表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記上層工程は、該配線と接続した反射
    性の陽極と、表面に位置する透明な陰極と、陽極及び陰
    極の間に保持された有機層とからなる有機エレクトロル
    ミネッセンス素子を形成する工程であって、前記有機層
    は該陽極から供給される正孔と該陰極から供給される電
    子との再結合によって発光し、これを表面の陰極から取
    り出すことを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造
    方法。
  7. 【請求項７】 前記上層工程は、該隔壁を介して基板の
    上に配されたマスクを用いて選択的に積層膜を堆積して
    有機層を形成することを特徴とする請求項６記載の表示
    装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記下層工程は、画素を選択するための
    走査配線と、画素を駆動するための輝度情報を与えるデ
    ータ配線と、走査配線によって制御され且つデータ配線
    から与えられた輝度情報を画素に書き込む機能を有する
    第一の能動素子と、該書き込まれた輝度情報に応じて該
    有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給しその
    発光を制御する機能を有する第二の能動素子とを形成す
    ることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方
    法。
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US09/711,880 US6614174B1 (en) 1999-11-19 2000-11-15 Display apparatus using organic electroluminescent element and manufacturing method thereof
EP00310216A EP1102317A3 (en) 1999-11-19 2000-11-17 Organic EL display apparatus and manufacturing method thereof
US10/608,197 US6969291B2 (en) 1999-11-19 2003-06-30 Display apparatus using organic electroluminescent element and manufacturing method thereof

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Cited By (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003036972A (ja) * 2001-07-03 2003-02-07 Lg Electronics Inc 有機ｅｌディスプレイ及び製造方法
WO2003022010A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-13 Fujitsu Limited Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique et dispositif electroluminescent organique correspondant
JP2003076301A (ja) * 2001-09-07 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置
JP2003086382A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及び、それを用いた表示装置
JP2003515909A (ja) * 1999-11-29 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセント装置とその製造方法
JP2003249377A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2003249375A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2003255858A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003257650A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク
JP2003317955A (ja) * 2002-02-22 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、製造装置の操作方法
JP2004006332A (ja) * 2002-04-24 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JP2004281374A (ja) * 2002-10-23 2004-10-07 Toppoly Optoelectronics Corp 反射層を備えるトップ・エミッション発光ディスプレイ
JP2004326130A (ja) * 2004-07-30 2004-11-18 Sony Corp タイリング型表示装置
JP2005521206A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2005521207A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2005340208A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2006010986A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Kyocera Corp 画像表示装置
JP2006019375A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法並びに表示装置
JP2006126817A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、及び表示装置の作製方法
JP2006140140A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
WO2006132226A1 (ja) * 2005-06-09 2006-12-14 Rohm Co., Ltd. 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法
CN1295552C (zh) * 2002-07-11 2007-01-17 株式会社丰田自动织机 显示装置
CN1314127C (zh) * 2001-12-14 2007-05-02 三星Sdi株式会社 具有面板的平板显示器件及其制造方法
US7365487B2 (en) 2004-03-19 2008-04-29 Hitachi Displays, Ltd. Organic electroluminescence display apparatus
WO2008146470A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corporation 有機ｅｌデバイス及び表示装置
JP2009021164A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
EP2105767A1 (en) 2008-03-28 2009-09-30 Fujifilm Corporation Transparent support, optical film, polarizing plate and image display device
KR100931936B1 (ko) * 2002-02-22 2009-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
EP2293334A2 (en) 2009-09-08 2011-03-09 Ricoh Company, Ltd. Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
JP2011096668A (ja) * 2002-04-24 2011-05-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び光源装置
JP2012033497A (ja) * 2004-09-29 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2012068678A (ja) * 2000-09-29 2012-04-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
KR101215852B1 (ko) 2004-10-14 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
JP2013069701A (ja) * 2002-01-24 2013-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8441185B2 (en) 2005-10-17 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with improved pixel arrangement
JP2013529504A (ja) * 2010-06-22 2013-07-22 ナイキ インターナショナル リミテッド 変色部を有する履物および色を変化させる方法
JP2014072189A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Boe Technology Group Co Ltd 有機発光ダイオード、タッチディスプレイ及びその製造方法
US9087964B2 (en) 2012-10-17 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9093404B2 (en) 2012-12-21 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US9209355B2 (en) 2013-03-08 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9231042B2 (en) 2013-02-12 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2016026378A (ja) * 2001-09-21 2016-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9301569B2 (en) 2010-06-22 2016-04-05 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US9356255B2 (en) 2011-04-27 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US9728693B2 (en) 2012-10-17 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising partition including overhang portion
US9923038B2 (en) 2015-12-22 2018-03-20 Japan Display Inc. Organic EL display device
US9929220B2 (en) 2009-01-08 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
CN108269810A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 三星显示有限公司 导电图案和具有其的显示装置
US10109693B2 (en) 2014-02-06 2018-10-23 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US10317598B2 (en) 2013-06-26 2019-06-11 Fujifilm Corporation Optical film, polarization plate, transparent conductive film, surface protection film, and liquid crystal display apparatus having negative birefringence

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6767774B2 (en) * 1999-12-28 2004-07-27 Intel Corporation Producing multi-color stable light emitting organic displays
TW502854U (en) * 2000-07-20 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
JP4333023B2 (ja) * 2000-11-24 2009-09-16 ソニー株式会社 デジタル信号処理回路、これを用いた表示装置および液晶プロジェクタ
US7009203B2 (en) * 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
US6720198B2 (en) * 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2002289347A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
DE10152920A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum großflächigen Aufbringen von mechanisch empfindlichen Schichten auf ein Substrat
DE10152919A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszierendes Display
JP4329022B2 (ja) * 2001-12-18 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 発光装置、電気光学装置、電子機器、および発光装置の製造方法
JP3718770B2 (ja) * 2002-01-11 2005-11-24 株式会社日立製作所 アクティブマトリックス型の表示装置
AU2003212558A1 (en) 2002-03-20 2003-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
CN1299360C (zh) 2002-03-20 2007-02-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵显示装置及其制造
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI290006B (en) * 2002-05-03 2007-11-11 Ritdisplay Corp A method for fabricating LTPS-OLED
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6738113B2 (en) * 2002-06-10 2004-05-18 Allied Material Corp. Structure of organic light-emitting material TFT LCD and the method for making the same
JP2004071554A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
KR20040021222A (ko) * 2002-09-03 2004-03-10 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
US7710019B2 (en) * 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
CN101882668B (zh) * 2002-12-19 2012-05-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US6737800B1 (en) 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
JP4531341B2 (ja) * 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7057208B2 (en) * 2003-03-25 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2004093500A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Fujitsu Limited 有機ｅｌ表示装置
US6961032B2 (en) 2003-05-06 2005-11-01 Eastman Kodak Company Reducing the effects of shorts in pixels of an active matrix organic electroluminescent device
US7002292B2 (en) * 2003-07-22 2006-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
US7492090B2 (en) * 2003-09-19 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
GB0323720D0 (en) * 2003-10-09 2003-11-12 Cambridge Display Tech Ltd Method for an electroluminescent device
US7205716B2 (en) 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7902747B2 (en) * 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
US7170176B2 (en) * 2003-11-04 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006100756A (ja) * 2003-11-07 2006-04-13 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR100621865B1 (ko) * 2003-12-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US7825021B2 (en) * 2004-01-16 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR100570978B1 (ko) * 2004-02-20 2006-04-13 삼성에스디아이 주식회사 표면이 개질된 유기막층을 사용하는 유기 전계 발광디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
KR100755398B1 (ko) * 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
TWI252446B (en) * 2004-08-05 2006-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active matrix organic electro-luminescent display panel and fabrication method thereof
US7811146B2 (en) * 2004-09-24 2010-10-12 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fabrication method of active matrix organic electro-luminescent display panel
KR100678858B1 (ko) * 2004-10-12 2007-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조 방법
KR100700013B1 (ko) * 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
EP1875529A1 (en) * 2005-04-25 2008-01-09 Showa Denko Kabushiki Kaisha Method of producing a display device
KR20070000262A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
KR100745346B1 (ko) * 2005-09-20 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
US8153352B2 (en) 2007-11-20 2012-04-10 Eastman Kodak Company Multicolored mask process for making display circuitry
JP2011204801A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
US8769836B2 (en) 2010-06-22 2014-07-08 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
JP6111399B2 (ja) * 2012-02-08 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネルおよびその製造方法
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20140046331A (ko) * 2012-10-10 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101587822B1 (ko) * 2014-07-03 2016-01-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US10306726B2 (en) 2015-06-19 2019-05-28 Nike, Inc. Method of illuminating an article
US20160366972A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Nike, Inc. Article Incorporating an Illumination Device
CN116437712A (zh) * 2020-03-18 2023-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227276A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH1124606A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
WO1999010862A1 (fr) * 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JPH1165487A (ja) * 1997-08-21 1999-03-05 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス型表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3207751C2 (de) * 1982-03-04 1985-09-05 Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen Schaufelrad-Rückladegerät für Schüttguthalden
DE3210338A1 (de) * 1982-03-20 1983-09-22 Fahrzeugbau Haller Gmbh, 7000 Stuttgart Ladevorrichtung fuer schuettgutbehaelter, insbesondere muellsammelbehaelter
US5121029A (en) * 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
JP2815004B2 (ja) * 1996-10-30 1998-10-27 日本電気株式会社 表示装置およびその製造方法
EP1830342B1 (en) * 1997-02-17 2013-01-23 Seiko Epson Corporation Pixel driving circuit for an electroluminescent display
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6075317A (en) * 1998-07-30 2000-06-13 Alliedsignal Inc. Electroluminescent device having increased brightness and resolution and method of fabrication

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227276A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH1124606A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
WO1999010862A1 (fr) * 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JPH1165487A (ja) * 1997-08-21 1999-03-05 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス型表示装置

Cited By (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003515909A (ja) * 1999-11-29 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセント装置とその製造方法
JP2012068678A (ja) * 2000-09-29 2012-04-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2012093777A (ja) * 2000-09-29 2012-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2012118533A (ja) * 2000-09-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US6884139B2 (en) 2001-07-03 2005-04-26 Lg Electronics Inc. Organic EL display device and method for fabricating the same using shadow mask
JP2003036972A (ja) * 2001-07-03 2003-02-07 Lg Electronics Inc 有機ｅｌディスプレイ及び製造方法
US7694648B2 (en) 2001-07-03 2010-04-13 Lg Display Co., Ltd. Organic EL display device and method for fabricating the same
JPWO2003022010A1 (ja) * 2001-08-30 2004-12-24 富士通株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
WO2003022010A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-13 Fujitsu Limited Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique et dispositif electroluminescent organique correspondant
US8039039B2 (en) 2001-08-30 2011-10-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing organic EL device, and organic EL device
US7131881B2 (en) 2001-08-30 2006-11-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing organic EL device, and organic EL device
JP4522698B2 (ja) * 2001-08-30 2010-08-11 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2003076301A (ja) * 2001-09-07 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置
JP2003086382A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及び、それを用いた表示装置
US10068953B2 (en) 2001-09-21 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2016026378A (ja) * 2001-09-21 2016-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018022695A (ja) * 2001-09-21 2018-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017027073A (ja) * 2001-09-21 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020057620A (ja) * 2001-09-21 2020-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019061255A (ja) * 2001-09-21 2019-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9876062B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876063B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9847381B2 (en) 2001-09-21 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
CN1314127C (zh) * 2001-12-14 2007-05-02 三星Sdi株式会社 具有面板的平板显示器件及其制造方法
JP2003249377A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2003249375A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2013069701A (ja) * 2002-01-24 2013-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US9653519B2 (en) 2002-01-24 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
US9236418B2 (en) 2002-01-24 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100931936B1 (ko) * 2002-02-22 2009-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
US8138670B2 (en) 2002-02-22 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP2003317955A (ja) * 2002-02-22 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、製造装置の操作方法
JP4558277B2 (ja) * 2002-02-22 2010-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003255858A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003257650A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク
JP2005521207A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2005521206A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP4700915B2 (ja) * 2002-03-20 2011-06-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9978811B2 (en) 2002-04-23 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4683825B2 (ja) * 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9362534B2 (en) 2002-04-24 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2011096668A (ja) * 2002-04-24 2011-05-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び光源装置
US9165987B2 (en) 2002-04-24 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2004006332A (ja) * 2002-04-24 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9831459B2 (en) 2002-04-24 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module with white light
US10454059B2 (en) 2002-04-24 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
CN1295552C (zh) * 2002-07-11 2007-01-17 株式会社丰田自动织机 显示装置
JP2004281374A (ja) * 2002-10-23 2004-10-07 Toppoly Optoelectronics Corp 反射層を備えるトップ・エミッション発光ディスプレイ
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
US7365487B2 (en) 2004-03-19 2008-04-29 Hitachi Displays, Ltd. Organic electroluminescence display apparatus
JP2005340208A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US7504656B2 (en) 2004-05-25 2009-03-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
JP2006010986A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Kyocera Corp 画像表示装置
JP4635488B2 (ja) * 2004-06-30 2011-02-23 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法並びに表示装置
JP2006019375A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法並びに表示装置
JP2004326130A (ja) * 2004-07-30 2004-11-18 Sony Corp タイリング型表示装置
JP2006126817A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、及び表示装置の作製方法
JP2012033497A (ja) * 2004-09-29 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US10403697B2 (en) 2004-09-29 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US11778870B2 (en) 2004-09-29 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US10937847B2 (en) 2004-09-29 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US8786178B2 (en) 2004-09-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US9530829B2 (en) 2004-09-29 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
JP2014220256A (ja) * 2004-09-29 2014-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
US10038040B2 (en) 2004-09-29 2018-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US11552145B2 (en) 2004-09-29 2023-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US9893130B2 (en) 2004-09-29 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US9147713B2 (en) 2004-09-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
US11233105B2 (en) 2004-09-29 2022-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic apparatus, and method of fabricating the display device
KR101215852B1 (ko) 2004-10-14 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006140140A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP4699098B2 (ja) * 2005-06-09 2011-06-08 ローム株式会社 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置
JP2006344497A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子、これを用いた有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法
WO2006132226A1 (ja) * 2005-06-09 2006-12-14 Rohm Co., Ltd. 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法
US8018137B2 (en) 2005-06-09 2011-09-13 Rohm Co., Ltd. Organic el element, organic el display device, and process for producing organic el element
US8847483B2 (en) 2005-10-17 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10199612B2 (en) 2005-10-17 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having reduced upper surface shape of a partition in order to improve definition and manufacturing method thereof
US11770965B2 (en) 2005-10-17 2023-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9224792B2 (en) 2005-10-17 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9536932B2 (en) 2005-10-17 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a semiconductor lighting emitting device that prevents defect of the mask without increasing steps
US8441185B2 (en) 2005-10-17 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with improved pixel arrangement
US12127466B2 (en) 2005-10-17 2024-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9893325B2 (en) 2005-10-17 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a structure that prevents defects due to precision, bending and the like of a mask without increasing manufacturing steps
US11171315B2 (en) 2005-10-17 2021-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a structure which prevents a defect due to precision and bending and manufacturing method thereof
JP2013179097A (ja) * 2005-10-17 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
WO2008146470A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corporation 有機ｅｌデバイス及び表示装置
US7683537B2 (en) 2007-05-28 2010-03-23 Panasonic Corporation Organic EL device and display
JPWO2008146470A1 (ja) * 2007-05-28 2010-08-19 パナソニック株式会社 有機ｅｌデバイス及び表示装置
CN101543134B (zh) * 2007-05-28 2012-04-18 松下电器产业株式会社 有机电致发光器件以及显示装置
KR100927296B1 (ko) * 2007-05-28 2009-11-18 파나소닉 주식회사 유기 ｅｌ 디바이스 및 표시장치
JP2009200049A (ja) * 2007-05-28 2009-09-03 Panasonic Corp 有機ｅｌデバイス
JP2009021164A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
EP2105767A1 (en) 2008-03-28 2009-09-30 Fujifilm Corporation Transparent support, optical film, polarizing plate and image display device
US9929220B2 (en) 2009-01-08 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US10361258B2 (en) 2009-01-08 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
EP2293334A2 (en) 2009-09-08 2011-03-09 Ricoh Company, Ltd. Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
US8373170B2 (en) 2009-09-08 2013-02-12 Ricoh Company, Ltd. Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
JP2013529504A (ja) * 2010-06-22 2013-07-22 ナイキ インターナショナル リミテッド 変色部を有する履物および色を変化させる方法
US9301569B2 (en) 2010-06-22 2016-04-05 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US11154111B2 (en) 2010-06-22 2021-10-26 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US9226542B2 (en) 2010-06-22 2016-01-05 Nike, Inc. Color change system for an article of footwear with a color change portion
US11793265B2 (en) 2010-06-22 2023-10-24 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US10021933B2 (en) 2010-06-22 2018-07-17 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US9356255B2 (en) 2011-04-27 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US9871088B2 (en) 2011-04-27 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2014072189A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Boe Technology Group Co Ltd 有機発光ダイオード、タッチディスプレイ及びその製造方法
US9087964B2 (en) 2012-10-17 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9728693B2 (en) 2012-10-17 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising partition including overhang portion
US9093404B2 (en) 2012-12-21 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US9231042B2 (en) 2013-02-12 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9209355B2 (en) 2013-03-08 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US10317598B2 (en) 2013-06-26 2019-06-11 Fujifilm Corporation Optical film, polarization plate, transparent conductive film, surface protection film, and liquid crystal display apparatus having negative birefringence
US11222937B2 (en) 2014-02-06 2022-01-11 Sony Group Corporation Display unit with light emitting layer between first and second electrodes
US10109693B2 (en) 2014-02-06 2018-10-23 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US11778869B2 (en) 2014-02-06 2023-10-03 Sony Group Corporation Display unit and electronic apparatus including functional layer with light-emitting layer and hole injection layer
US9923038B2 (en) 2015-12-22 2018-03-20 Japan Display Inc. Organic EL display device
JP7181687B2 (ja) 2016-12-30 2022-12-01 三星ディスプレイ株式會社 導電パターン及びこれを備える表示装置
JP2018112737A (ja) * 2016-12-30 2018-07-19 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 導電パターン及びこれを備える表示装置
CN108269810B (zh) * 2016-12-30 2023-10-03 三星显示有限公司 导电图案和具有其的显示装置
CN108269810A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 三星显示有限公司 导电图案和具有其的显示装置

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