JP5170964B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents
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Description
第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であり、
薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタの半導体層と接する金属層の積層からなる電極を形成する工程と、
電極の積層の一部を除去して第1領域と、該第1領域より積層数が多い第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との境界線上に段差部とを形成する工程と、
前記第1の電極の段差部及び第2領域を覆う絶縁物を形成する工程と、
前記第1領域上に接してバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
該有機化合物を含む層上に、透光性を有する第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
前記蒸着シールドは、基板の幅Waよりも広い矩形形状であり、蒸着シールドの上面に開口部が複数設けられており、蒸着源から蒸発された蒸着材料は、蒸着シールドに設けられた複数の開口部を通過して基板に蒸着されることを特徴とする蒸着装置である。
薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタの半導体層と接する金属層の積層からなる電極を形成する工程と、
電極の積層の一部を除去した第1領域と、該第1領域より積層数が多い第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との境界線上に段差部とを形成する工程と、
前記第1の電極の段差部及び第2領域を覆う絶縁物を形成する工程と、
成膜室内で基板を移動させ、且つ、基板の移動方向と垂直な方向に第1の蒸着源も移動させて前記第1領域上に接してバッファ層を形成する工程と、
前記成膜室内で基板を移動させると同時に基板の移動方向と垂直な方向に第2の蒸着源も移動させて前記バッファ層上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
該有機化合物を含む層上に、透光性を有する第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
アクティブマトリクス型発光装置の断面図(1画素の一部)を図1に示す。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造の例を図3に示す。図3の構造は、第1の電極がTFTの半導体層と接しているのではなく、電極を介して電気的にTFTの半導体層と接している。また、第1の電極は、金属膜単層からなる第1領域と、3層からなる第2領域と、第1領域と第2領域の間に段差を有する構造となっている。また、開口率を向上させるために、コンタクトホール周辺のみを3層の第1領域とし、それ以外の領域を第2領域としている。
ここではフルカラー表示装置を作製するいくつかの方法を示す。具体的には、3つの発光素子を用いる方法、白色発光素子とカラーフィルターとを組み合わせる方法、青色発光素子と色変換層とを組み合わせる方法、白色発光素子と色変換層と、カラーフィルターとを組み合わせる方法などが挙げられる。
図6に示す製造装置は、有機化合物を有する層の蒸着などを行うマルチチャンバーに封止処理を行うチャンバーが一つのユニットとなっている例である。一つのユニットとすることで水分などの不純物の混入防止やスループット向上を図っている。
ここでは、バッファ層と陽極との接触抵抗に関する実験結果と、光取り出し効率の計算結果を説明する。
本発明の半導体装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図10および図11に示す。
11 下地絶縁膜
12 ゲート絶縁膜
13 ソース領域またはドレイン領域
14 ソース領域またはドレイン領域
15 ゲート電極
16 層間絶縁膜
17a〜17d 電源供給線
18a〜18d 第1の電極
19 絶縁物
20a 第1EL層(バッファ層)
20b 第2EL層(発光層を含む積層)
21 第2の電極
30 基板
31 下地絶縁膜
32 ソース領域及びドレイン領域
33 ゲート絶縁膜
34 配線
35 層間絶縁膜
36a〜36d 第1の電極
37 絶縁物
38a 有機化合物を含む積層
38b 有機化合物を含む積層
39 第2の電極
40 画素部
41a 駆動回路部
41b 駆動回路部
42 端子部
43 接続部
44 シート状接着材
48 封止基板
49 シール材
50 ギャップ保持材
101 受渡室
102 搬送室
103 多段真空加熱室
104a 搬送室
105 受渡室
106R 成膜室
106G 成膜室
106B 成膜室
106F 成膜室
106E 成膜室
107 受渡室
108 搬送室
109 成膜室
110 成膜室
111 受渡室
112 成膜室
113 成膜室
114 搬送室
117 封止基板ロード室
118 搬送室
119 取出室
120 基板投入室
123 ベーク室
124 マスクストック室
130a 基板ストック室
130b 基板ストック室
132 成膜室
141 受渡室
143 硬化処理室
144 貼り合わせ室
145 シール形成室
146 前処理室
147 搬送室
148 搬送ユニット
308a 第1層
308b 第2層
308c 第3層
309 第2の層間絶縁膜
310 絶縁表面を有する基板
311 下地絶縁膜
312 ゲート絶縁膜
313 p型の高濃度不純物領域
314 p型の高濃度不純物領域
315 電極
316 第1の層間絶縁膜
317 電極
318 電極
319 絶縁物
320a 有機化合物を含む積層
320b 有機化合物を含む積層
321 第2の電極
331 p型の高濃度不純物領域
332 p型の高濃度不純物領域
333 高濃度不純物領域
334 高濃度不純物領域
335 LDD領域
336 LDD領域
337 電極
338 電極
339 電極
340 チャネル形成領域
341 電極
342 電極
343 電極
344 電極
345a〜345c 接続電極
701 基板
702 蒸着マスク
703a 蒸着シールド
703b 開口部
704 蒸着源
705 蒸着源の移動方向
706a 基板の搬送方向
706b 昇華方向
707 設置室
708 蒸着源
709 蒸着シールド
900 携帯電話機
901 本体(A)
902 本体(B)
903 筐体
904 操作スイッチ
905 マイクロフォン
906 スピーカ
907 回路基板
908 表示パネル(A)
909 表示パネル(B)
910 蝶番
1901 筐体
1902 支持台
1903 表示部
1904 スピーカー部
1905 ビデオ入力端子
2101 本体
2102 表示部
2104 操作キー
2106 シャッター
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2401 本体
2402 筐体
2403 表示部A
2404 表示部B
2405 記録媒体読込部
2406 操作キー
2407 スピーカー部
Claims (3)
- 絶縁表面を有する基板の上方の方向に光を出射する発光装置の作製方法であって、
前記基板上に薄膜トランジスタの半導体層を形成し、
前記薄膜トランジスタの半導体層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタの半導体層と接する金属層の積層からなる第1の電極を形成し、
前記第1の電極の積層の一部を除去して、第1領域と、該第1領域より積層数が多い第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との境界線上に段差部とを形成し、
前記段差部及び前記第2領域を覆う絶縁物を形成し、
前記第1領域上に接してバッファ層を形成し、
前記バッファ層上に有機化合物を含む層を形成し、
該有機化合物を含む層上に、透光性を有する第2の電極を形成し、
前記第2領域は、前記薄膜トランジスタの半導体層と接する領域を有していることを特徴とすることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記バッファ層は、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記バッファ層は、ホール輸送性を有する有機化合物と、無機化合物とを含む複合材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
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