JPH0689428A - 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 金属磁性薄膜型磁気記録媒体１６に対して、
非磁性支持体側は円筒キャン１９で冷却し、且つ、磁性
層表面はヒーター３０で加熱しながら、プラズマＣＶＤ
による保護膜形成を行う。上記ヒーター３０は、非磁性
支持体の温度がガラス転移点を越えないようコントロー
ラ２７によって温度調整されている。 【効果】 耐久性に優れた磁気記録媒体が得られるとと
もに生産性も向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属磁性薄膜型の磁気
記録媒体に対して、プラズマＣＶＤにより保護膜を形成
して磁気記録媒体を製造する方法及びその製造装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニルー酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くできる
為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波長
での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に非
磁性材であるそのバインダーを混入する必要が無いため
磁性材料の充填密度を高めることが出来ることなど、数
々の利点を有している。

【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。したがって、前記金属薄膜媒体
は、磁気特性的な優位さ故に今後の高密度磁気記録媒体
の主流になると考えられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】金属磁性薄膜型の磁気
記録媒体は磁性層が通常０．２μｍ程度と非常に薄いた
め耐久性に問題があり、苛酷な条件下での使用には向か
ず、業務用等の分野では実用化されるには至っていな
い。

【０００７】このような状況のなかで耐久性を向上させ
る目的で磁性層表面に保護膜層を形成する技術の検討が
なされてきた。耐摩耗性のよいカーボンやシリコン酸化
物、各種窒化物、セラミックス等を保護膜として用いる
技術がスパッタリング法により検討されてきたが、この
方法では成膜スピードが遅く生産性が悪いため実用化す
るには至っていない。

【０００８】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、耐久性に優れ、しかも生産性の高い
磁気記録媒体を製造する方法、及びその製造装置を提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、プラズマＣ
ＶＤにより保護膜を形成する際、基板の温度調節を行う
ことにより耐久性に優れた磁気記録媒体を製造できるこ
とを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００１０】本発明は係る知見に基づいて提案されたも
のであって、本発明の製造方法は、非磁性支持体上に少
なくとも磁性層が形成された磁気記録媒体に対して、加
熱しながらプラズマＣＶＤによる保護膜形成を行うこと
を特徴とするものである。または、前記磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体側は冷却し、且つ、磁性層表面は
加熱しながら、プラズマＣＶＤによる保護膜形成を行う
ことを特徴とするものである。

【００１１】なお、保護膜形成時の非磁性支持体の温度
はガラス転移点未満であることが好ましい。

【００１２】一方、本発明の製造装置は、非磁性支持体
上に少なくとも磁性層が形成された磁気記録媒体に対し
てプラズマＣＶＤによる保護膜形成を行う成膜手段と、
前記磁気記録媒体に対する加熱手段を有することを特徴
とするものである。さらに、上記装置において、前記磁
気記録媒体の温度を制御するための温度調整手段を有す
ることを特徴とするものである。

【００１３】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
を直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として
形成されているが、この金属磁性材料としては、通常の
蒸着テ−プに使用されるものであれば如何なるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性
金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。

【００１４】これらの単層膜であってもよいし多層膜で
あってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、
並びに抗磁力の制御等のため、下地層または、中間層を
設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改
善等のために酸化物となっていてもよい。金属磁性薄膜
形成の手段としては、真空下で強磁性材料を加熱蒸発さ
せ非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、強磁性金
属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、
アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を越こし
生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によればよい。

【００１５】また、上記非磁性支持体上に形成された強
磁性金属材料上には保護膜層がＣＶＤ法により形成され
るが、この材料としては、通常の金属磁性薄膜用保護膜
として一般に使用されるものであればいかなるものであ
っても良い。例示するならば、カーボン（いわゆるダイ
ヤモンドカーボンや、ダイヤモンドライクカーボンも含
む）、Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＳｉＣ，Ｔ
ｉＣ，ＴｉＮ等が挙げられる。そして、これらの単層膜
であっもよいし多層膜や複合膜であってもよい。

【００１６】上記保護膜を形成するための方法としてプ
ラズマＣＶＤの手法を用いるが、例えば、キャン対向プ
ラズマＣＶＤ，プラズマ照射ＣＶＤ，ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ，トーチ型プラズマＣＶＤ等が適用可能である。本
発明において保護膜形成は、磁性層と保護膜との接着性
を高めるために、磁気記録媒体を加熱、温度調節しなが
ら、上述のようにプラズマＣＶＤによって成膜するもの
である。

【００１７】もちろん、本発明に係わる磁気記録媒体の
構成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコ
ート層を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成し
たり、潤滑剤、防錆剤などの層を形成することは何等差
し支えない。この場合、バックコート層に含まれる非磁
性顔料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれ
る材料としては従来公知のものがいずれも使用できる。

【００１８】

【作用】磁性層上に保護膜を形成する際、磁性層表面を
加熱することにより、保護膜との接着性が高まる。よっ
て、耐久性に優れた磁気記録媒体となる。また、プラズ
マＣＶＤによると、速いテープ送り速度で保護膜が成膜
できるため、生産性が向上する。

【００１９】

【実施例】

【００２０】以下、本発明の具体的な実施例について説
明するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２１】まず、本実施例において磁性薄膜の形成に
使用した蒸着製造装置の構成について説明する。図１に
示す様に、この製造装置においては、頭部と低部にそれ
ぞれ設けられた排気口１から排気されて内部が真空状態
となされた真空室２内に、図中の回り方向に定速回転す
る送りロール３と、同様に図中の時計回り方向に定速回
転する巻取りロール４とが設けられ、これら送りロール
３から巻取りロール４にテープ状の非磁性支持体５が順
次走行するようになされている。

【００２２】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記非磁性支持体５が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた冷却キャン６が設
けられている。この冷却キャン６は、上記非磁性支持体
５を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の時計回り
方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール
３、巻取りロール４、及び冷却キャン６は、それぞれ非
磁性支持体５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記冷却キャン６には、内部に図示しな
い冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体５の温度上昇
による変形等を抑制し得るようになされている。

【００２３】従って、上記非磁性支持体５は、送りロー
ル３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン６の周
面を通過し、巻取りロール４に巻取られていくようにな
されている。尚、上記送りロール３と上記冷却キャン６
との間及び該冷却キャン６と上記巻取りロール４との間
にはそれぞれガイドロール７、８が配設され、上記送り
ロール３から冷却キャン５及び該冷却キャン６から巻取
りロール４にわたって走行する非磁性支持体５に所定の
テンションをかけ、該非磁性支持体５が円滑に走行する
ようになされている。また、上記真空室内には、上記冷
却キャン６の下方にルツボ９が設けられ、このルツボ９
内に金属磁性材料１０が充填されている。このルツボ９
は、上記冷却キャン６の長さと略同一の幅を有してな
る。

【００２４】一方、上記真空室２の側壁部には、上記ル
ツボ９内に充填された金属磁性材料１０を加熱蒸発させ
るための電子銃１１が取り付けられる。この電子銃１１
は、当該電子銃１１より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ９内の金属磁性材料１０に照射されるような位置に配
設される。そして、この電子銃１１によって蒸発した金
属磁性材料１０が上記冷却キャン６の周面を定速走行す
る非磁性支持体５上に磁性層として被着形成されるよう
になっている。

【００２５】また、上記冷却キャン６と上記ルツボ９と
の間であって該冷却キャン６の近傍には、シャッタ１２
が配設されている。このシャッタ１２は、上記冷却キャ
ン６の周面を定速走行する非磁性支持体５の所定領域を
覆う形で形成され、このシャッタ１２により上記蒸発せ
しめられた金属磁性材料１０が上記非磁性支持体５に対
して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになってい
る。更に、このような蒸着に際し、上記真空室２の側壁
部を貫通して設けられる酸素ガス導入口１４を介して非
磁性支持体５の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、
耐久性及び耐候性の向上が図られている。

【００２６】次に、本実施例において使用したキャン対
向電極型プラズマＣＶＤ製造装置の構造について説明す
るが、プラズマＣＶＤの手法を使用した保護膜の成膜方
法はこれに限らない。図２に示す様に、この製造装置に
おいては、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気口から
排気されて内部が真空状態となされた真空室１５内に、
図中の時計回り方向に定速回転する送りロール１７と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール１８と
が設けられ、これら送りロール１７から巻取りロール１
８にテープ状の磁気記録媒体１６が順次走行するように
なされている。

【００２７】これら送りロール１７から巻取りロール１
８側に上記磁気記録媒体１６が走行する中途部には、上
記各ロール１７、１８の径よりも大径となされた円筒キ
ャン１９が設けられている。この円筒キャン１９は、上
記磁気記録媒体１６を図中下方に引き出す様に設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
尚、上記送りロール１７、巻取りロール１８、及び、円
筒キャン１９は、それぞれ磁気記録媒体１６の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記円筒
キャン１９には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体１６の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。

【００２８】従って、上記磁気記録媒体１６は、送りロ
ール１７から順次送り出され、さらに上記円筒キャン１
９の周面を通過し、巻取りロール１８に巻取られていく
ようになされている。尚、上記送りロール１７と上記円
筒キャン１９との間及び該円筒キャン１９と上記巻取り
ロール１８との間にはそれぞれガイドロール２０、２１
が配設され、上記送りロール１７から円筒キャン１９及
び該円筒キャン１９から巻取りロール１８にわたって走
行する磁気記録媒体１６に所定のテンションをかけ、該
磁気記録媒体１６が円滑に走行するようになされてい
る。

【００２９】この送りロールには、ＤＣ電源２５また
は、ＲＦ電源２６によりバイアス電圧が印加できる構造
となっている。また、上記真空室内には、上記円筒キャ
ン１９の左方に円筒キャンと略平行となるように曲面化
された対向電極２２が設けられ、この対向電極２２には
高周波電源２３が接続されている。さらに、この対向電
極２２の側近部には保護膜の原料ガスおよびキャリアガ
スを導入する導入口２４が設けられている。なお、上記
対向電極２２は上記円筒キャン１９の長手方向の幅と略
同一の幅を有してなる。

【００３０】また、バイアス電圧は円筒キャンに印加さ
れる構造となっていてもよい。

【００３１】円筒キャンは一般に１０〜２５℃程度の冷
却水等を用いて冷却されるが、本実施例においては−２
０℃に冷却されている。そして、本実施例においては、
保護膜と磁性膜の接着強度をあげるため磁気記録媒体１
６を加熱するための加熱手段が上記対向電極２２より上
流側に設けられる。

【００３２】このときの加熱手段として、円筒キャン１
９に温媒を循環させる方法や、一般に用いられるニクロ
ム線等のヒーター，遠赤外線ヒーター，ハロゲンランプ
等が使用可能であるが、本実施例では、赤外線ヒーター
によって磁気記録媒体の磁性層表面を加熱した。

【００３３】本実施例において、上記ヒーターは図３に
示すように、外部からパワーコントロールされて磁気記
録媒体１６の温度調節をするようになされている。即
ち、ＡＣ２００Ｖの赤外線ヒーター３０と熱反射板２９
よりなる上記ヒーターは、上記熱反射板２９の開口部が
円筒キャン１９の近傍に配置されることにより磁性層表
面を加熱するようになされており、同じくキャン１９の
近傍に設置された熱電対温度計２８が感知する温度によ
って赤外線ヒーターのパワーをコントロールする加熱コ
ントローラ２７に接続されている。

【００３４】また、図４に示される上記ヒーターは上記
円筒キャン１９の長手方向の幅と略同一の幅を有してな
り、図中、片矢印は磁気記録媒体の走行方向を示し、両
矢印は円筒キャン１９の幅方向を示している。

【００３５】ここで、磁気記録媒体１６の加熱温度を測
定する方法としては、本実施例のように円筒キャン１９
近傍に熱電対温度計を設置する以外にも、赤外線放射温
度計等を使用して予めヒーターのパワーと円筒キャン１
９近傍の温度との関係を調べておく等の手法も用いるこ
とができる。また、温媒を循環させて磁気記録媒体を加
熱する場合は、円筒キャン１９の出入口付近で温媒の温
度を熱電対温度計等で測定すれば良い。キャン１９の熱
容量が大きいため温媒循環を長時間連続的に行うことに
より安定した加熱が可能となる。

【００３６】ここで、このような構成を有する製造装置
を用いて保護膜が形成された磁気記録媒体を作成する。
種々の材質よりなる下塗が施された非磁性支持体上に、
図１に示す装置を用いて酸素雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ合金
を斜め蒸着し、例えば膜厚約０．２μｍの金属磁性薄膜
を磁性層として被着形成した後、バックコート、トップ
コートを施し所定のテープ幅に裁断してサンプルテープ
を作成した。

【００３７】なお、作成条件は以下のとおりである。 ベースフィルム：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ），ポリアミド，ポリイミドから選ばれる一種 １０μｍ，１５０ｍｍ幅 下塗り ：アクリルエステルを主成分とする水溶
性ラテックスを塗布密度 約１０００万個／ｍｍ² バックコート ：カーボン及びウレタンバインダーを混
合したものを０．６μｍ厚塗布 トップコート ：パーフルオロポリエーテルを塗布 スリット幅 ：８ｍｍ幅

【００３８】蒸着は以下の条件で行った。 インゴット ：Ｃｏ₉₅─Ｎｉ₅ 入射角 ：４５−９０° テープ速度 ：０．１７ｍ/sec 磁性層厚み ：０．２μｍ 酸素導入量 ：３．３×１０^-6ｍ³/sec 蒸着時真空度 ：７×１０^-2Ｐａ

【００３９】そして、プラズマＣＶＤによる保護膜形成
は蒸着終了直後に図２の装置を用いて行った。以上のよ
うにして、非磁性支持体の材料や加熱温度の異なる実施
例１〜実施例４、比較例３，４のサンプルテープを作成
した。また、保護膜を形成しないサンプルテープ（比較
例１）や、保護膜をスパッタリング法によって成膜した
サンプルテープ（比較例２）も作成した。

【００４０】表１に上記サンプルテープの条件の違いを
まとめた。

【００４１】

【表１】

【００４２】以下に、プラズマＣＶＤによる成膜の条件
を示す。 方式 ：キャン対向電極型プラズマＣＶＤ 使用ガス ：アルゴン＋エチレン 真空度 ：７〜９Ｐａ 保護膜膜厚 ：０．０１５μｍ

【００４３】同じく、スパッタリングによる成膜の条件
を示す。 方式 ：ＤＣマグネトロンスパッタ ターゲット材 ：カーボン 投入電力 ：５ｗ／cm 使用ガス ：アルゴン

【００４４】本実施例では、保護膜を形成したために劣
化する電磁変換特性の補填のために、即ちスペーシング
ロスを小さくするために、下塗時の製造条件を適宜調整
し、下塗が施された非磁性支持体の表面性（主に突起高
さ）を制御した。なお、保護膜形成時の膜厚は１５ｎｍ
一定とし、その送り速度を変えることで生産性の比較を
行った。

【００４５】上述のサンプルテープに対してスチル耐久
性の測定を行った。スチル耐久性は、ソニー社製，８ｍ
ｍＶＴＲ，商品名 ＥＶＳ−９００改造機を用い、初期
の出力レベルから３ｄＢ出力が減衰するまでの時間を測
定して評価した。

【００４６】また、防錆特性は、ガス腐食試験機を用い
ＳＯ₂ ガス０．３ｐｐｍを含む３０℃９０％ＲＨ雰囲気
中で２４時間保存後、放置による残留磁束密度の劣化率
を式１に基づいて求めることによって調べた。 残留磁束密度の劣化率（％）＝（φs₁−φs₀）／φs₀ ×１００ ・・・１ φs₀ ： 初期残留磁束密度 φs₁ ： 放置後残留磁束密度

【００４７】次に、上述のサンプルテープに対してエラ
ーレートの測定を行った。このシステムについては後述
する。ここでは、４０℃８０％環境下における１００回
走行後のエラーレートの測定を行った。

【００４８】以上のように、各サンプルテープについて
スチル耐久時間、防錆効果、エラーレートの測定を行っ
た結果を表１に併せて示す。

【００４９】表１からも明らかなように、実施例１〜実
施例４はスパッタリング法が用いられた比較例２のサン
プルテープに比べてテープの送り速度が早いが、耐久性
の高さは維持している。これより、本発明の製造方法に
よると生産性に優れた磁気記録媒体が得られることが判
る。また、実施例１〜４のように、磁気記録媒体を加熱
した状態で保護膜を形成したものは、磁性層との接着性
に優れ、耐候性に優れた磁気記録媒体となることが判
る。

【００５０】エラーレートの測定結果からも、実施例１
〜４のサンプルテープが優れていることが判る。比較例
２のサンプルテープは、測定を始めてしばらくは低いエ
ラーレートを保っていたが、多数回の走行を重ねるとエ
ラーレートが増加し始めた。これは接着性の弱さが起因
して保護膜の粉落ちが発生したためと思われる。

【００５１】なお、比較例３，４のサンプルテープは、
非磁性支持体のＴｇ（ガラス転移点）以上で加熱された
状態で保護膜形成を行ったため、非磁性支持体が熱負け
を起こし、形状劣化（長手方向のシワ）のためテープ化
することができなかった。各非磁性支持体のＴｇを以下
に示す。 ポリエチレンテレフタレート：約６９℃ ポリアミド ：約２５０℃ ポリイミド ：約３５０℃

【００５２】このように、磁性層側でＴｇ未満の温度で
加熱を行い、且つ、非磁性支持体側では冷却することに
よって、より安定した製造を行うことが可能である。

【００５３】ここで、上述のエラーレートの測定を行っ
たシステムについて説明しておく。この説明は、下記の
順序で行う。 ａ．信号処理部 ｂ．ブロック符号化 ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダ ｄ．ヘッド・テープ系

【００５４】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図５は記録側の構成全体を示
すものであり、３１Ｙ、３１Ｕ、３１Ｖでそれぞれ示す
入力端子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信
号Ｒ，Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、デ
ィジタル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信
号のクロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネ
ント信号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれ
のサンプリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨ
ｚとされ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が
８ビットとされている。したがって、入力端子３１Ｙ、
３１Ｕ、３１Ｖに供給される信号のデータ量としては、
約２１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブランキング
時間のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す
有効情報抽出回路３２によってデータ量が約１６７Ｍｂ
ｐｓに圧縮される。

【００５５】そして、上記有効情報抽出回路３２の出力
のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３３に供給され、
サンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に
変換される。周波数変換回路３３としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路３３の出力信号は、
ブロック化回路３５に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路３５は、後
段に設けられたブロック符号化回路３８のために設けら
れている。

【００５６】図７は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図７において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００５７】また、有効情報抽出回路３２の出力のう
ち、２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブ
ライン回路３４に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路３４からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路３４によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図８に示す。図
８中、○は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を
示し、△は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。

【００５８】上記サブサンプリング及びサブライン回路
３４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路３６に
供給される。ブロック化回路３６では一方のブロック化
回路３５と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路３６は、一方のブロック化回路３５と同
様に、色差データを（４ライン×４画素×２フレーム）
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路３５及びブロック化回路３６の出力信号が合成回路３
７に供給される。

【００５９】合成回路３７では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに
変換され、この合成回路３７の出力信号がブロック符号
化回路３８に供給される。ブロック符号化回路３８とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ
（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ）回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路３８
からの出力信号は、さらにフレーム化回路３９に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路３９では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。

【００６０】次いで、フレーム化回路３９の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路４０に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路４０の出力信号はチャンネルエンコーダ４１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ４１
の出力信号が記録アンプ４２Ａ，４２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド４３
Ａ，４３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ４１に供給される。

【００６１】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路３８で
圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。

【００６２】次に、再生側の構成について図６を参照し
ながら説明する。再生の際には、図６に示すように、先
ず磁気ヘッド４３Ａ，４３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ４４Ａ，４４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ４５に供給される。チャンネルデコーダ４５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ４５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）４６に供給される。このＴＢＣ回路４６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路４６からの再生データがＥＣＣ回路４７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路４７の出力信号がフレーム分解回路
４８に供給される。

【００６３】フレーム分解回路４８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路４８で分離された各データ
がブロック複号回路４９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路５０に供給される。この分配回路５０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路５１，５２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路５１，５２は、送信側のブ
ロック化回路３５，３６とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。

【００６４】ブロック分解回路５１からの複号輝度信号
が補間フィルタ５３に供給される。補間フィルタ５３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ５３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子５６Ｙに
取り出される。

【００６５】一方、ブロック分解回路５２からのディジ
タル色差信号が分配回路５４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路５４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路５５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路５５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路５５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子５
６Ｕ，５６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００６６】ｂ．ブロック符号化 図５におけるブロック符号化回路３８としては、ＡＤＲ
Ｃ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃ
ｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値Ｍ
ＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレン
ジＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路３８の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒ
ａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００６７】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図８を参照しながら説明する。図８におい
て、入力端子５７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図５の合成回路３７より入力される。入力端子
５７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路
５９及び遅延回路６０に供給される。最大値，最小値検
出回路５９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡ
Ｘを検出する。遅延回路６０からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路６０からの画素データが比較回路６１及び
比較回路６２に供給される。

【００６８】最大値，最小値検出回路５９からの最大値
ＭＡＸが減算回路６３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路６４に供給される。これらの減算回路６３及び加算
回路６４には、ビットシフト回路６５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路６５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路６３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路６４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路６３及び加算回
路６４からのしきい値が比較回路６１，６２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００６９】比較回路６１の出力信号がＡＮＤゲート６
６に供給され、比較回路６２の出力信号がＡＮＤゲート
６７に供給される。ＡＮＤゲート６６及びＡＮＤゲート
６７には、遅延回路６０からの入力データが供給され
る。比較回路６１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート６６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路６２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート６７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００７０】ＡＮＤゲート６６の出力信号が平均化回路
６８に供給され、ＡＮＤゲート６７の出力信号が平均化
回路６９に供給される。これらの平均化回路６８，６９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子７０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路６８，６９
に供給されている。平均化回路６８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路６９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路７１で減算され、この減算回路７１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００７１】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路７２に供
給され、遅延回路７３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路７２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路７４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路７５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路７４に供給される。

【００７２】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００７３】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００７４】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路７６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００７５】バッファリング回路７６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路７７に供給され、遅延回路７８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路７７に供給
される。遅延回路７８は、バッファリング回路７６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路７７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路７５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路７４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路７９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路７４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００７６】遅延回路７８、８０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００７７】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図５のチャンネルエンコーダ４１及びチャンネル
デコーダ４５について説明する。チャンネルエンコーダ
４１においては、図１０に示すように、パリティ発生回
路４０の出力が供給される適応型スクランブル回路で、
複数のＭ系列のスクランブル回路８１が用意され、その
中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少な
い出力が得られるようなＭ系列が選択されるように構成
されている。パーシャルレスポンス・クラス４検出方式
のためのプリコーダ８２で、１／１−Ｄ²（Ｄは単位遅
延用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ８２
の出力を記録アンプ４２Ａ，４２Ｂを介して磁気ヘッド
４３Ａ，４３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再生ア
ンプ４４Ａ，４４Ｂによって増幅するようになされてい
る。

【００７８】一方、チャンネルデコーダ４５において
は、図１１に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス４の再生側の演算処理回路８３は、１＋Ｄの演算が再
生アンプ４４Ａ，４４Ｂの出力に対して行われる。ま
た、いわゆるビタビ複号回路８４においては、演算処理
回路８３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等
を用いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行わ
れる。このビタビ複号回路８４の出力がディスクランブ
ル回路８５に供給され、記録側のスクランブル処理によ
って並び変えられたデータが元の系列に戻されて原デー
タが復元される。この実施例において用いられるビタビ
複号回路８４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００７９】ｄ．テープ・ヘッド系 磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂは、図１２に示
すように、一体構造とされた形でドラム８６に取付けら
れる。ドラム８６の周面には、１８０°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ（図示
せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド４３
Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。

【００８０】また、前記磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッ
ド４３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド４３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド４３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【００８１】図１３及び図１４は、磁気ヘッド４３Ａ，
４３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム８６に一体構造の磁気ヘッド４３
Ａ，４３Ｂが取り付けられ、下ドラム８７が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ８８の巻き付け角θは１６
６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【００８２】したがって、磁気テープ８８には、１フィ
ールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【００８３】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【００８４】ここで、本実施例に用いた磁気ヘッドにつ
いて説明する。図１５に示すように、この磁気ヘッドは
単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトコア１０１Ａ，１０１Ｂ上
にスパッタリング法によって形成されたＦｅ−Ｇａ−Ｓ
ｉ−Ｒｕ系軟磁性層１０２，１０３の間にギャップ１０
４を有している。このギャップ１０４のトラック幅方向
の両側にはガラス１０５，１０６が充填され、これによ
ってトラック幅が例えば約４μｍ幅に規制されている。
１０７は巻線孔であり、この巻線孔１０７に記録用コイ
ル（図示せず）が巻回される。この磁気ヘッドの実効ギ
ャップ長は０．２０μｍである。

【００８５】この磁気ヘッドは、ギャップ１０４の近傍
に飽和磁束密度Ｂｓが１４．５ｋＧのＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系軟磁性層１０２，１０３を用いているため、高
抗磁力の磁気テープに対してもヘッドの磁気飽和を生じ
ることなく記録を行うことができる。

【００８６】以上のような金属磁性薄膜型テープと磁気
ヘッドとを用いることにより、１．２５μｍ²/bit 以下
の記録密度が実現される。即ち、上述のように、５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
することによって、１．２５μｍ²/bit が実現される。
ところが、再生出力のＣ／Ｎは記録波長及びトラック幅
が減少するに従って劣化することがしられており、この
劣化を抑えるために、上述した構成のテープ及びヘッド
が使用されている。

【００８７】本出願人は、１９８８年に８ｍｍ幅の金属
磁性薄膜型テープを使用してトラック幅１５μｍで最短
波長０．５μｍのディジタルＶＴＲを試作したが、この
時は４０ｍｍ径の回転ドラムを使用して６０ｒｐｍでこ
のドラムを回転させ、記録・再生を行った。このシステ
ムでは、記録波長１μｍに対して、５１ｄＢのＣ／Ｎが
得られた。そして、そのシステムのビット・エラーレー
トは４×１０^-5であった。

【００８８】本発明の実施例のように、５μｍ幅のトラ
ックを使用すると、同一の仕様で約４４ｄＢのＣ／Ｎし
か得られず画質が劣化することになる。この７ｄＢのＣ
／Ｎ劣化分を補うために、上述した本発明の実施例の構
造が用いられることになる。

【００８９】即ち、一般に記録及び再生中のテープと磁
気ヘッド間のスペーシングが大きくなれば信号出力レベ
ルが低下することが知られており、このスペーシングの
量はテープの平坦度に依存することも知られている。ま
た、塗布型テープの場合、テープの平坦度は塗布剤に依
存するが、金属磁性薄膜型テープ（いわゆる蒸着テー
プ）の場合はベースそのものの表面平坦度に依存するこ
とが知られている。

【００９０】上述の実施例では、ベースフィルムの表面
粗さを極力小に選定することによりＣ／Ｎが向上すると
いう実験結果が得られた。また、上述した実施例の蒸着
材料、蒸着方法を用いることにより、１９８８年の試作
で用いられた磁気テープに対して大きな電磁変換特性の
向上が実験結果として得られた。実際には、４ｄＢ程度
の向上が確認された。

【００９１】また、本発明では、チャンネル複号にビタ
ビ複号が用いられているため、以前の試作機で使用され
ていたビット毎の複号に対して３ｄＢの上昇が得られる
ことが確認された。以上により、全体として７ｄＢのＣ
／Ｎ劣化分を補うことができ、１．２５μｍ²/bit の記
録密度で１９８８年の試作機と同等のビットエラーレー
トが得られることになる。再生出力に関して、エラー訂
正符号の訂正処理の前の段階でビットエラーレートが１
０^-4以下であることが必要なのは、２０％程度の冗等長
度のエラー訂正符号を使用したときに、訂正可能な程度
の量にエラーを抑えるためである。

【００９２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、金属
磁性薄膜型の磁気記録媒体に保護膜を形成する際、キャ
ン対向電極型プラズマＣＶＤ、プラズマ照射ＣＶＤ、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ、トーチ型ＤＣプラズマＣＶＤ等か
ら選ばれた手法を用い、且つ、保護膜を形成する磁気記
録媒体を加熱、温度調節することにより、生産性に優
れ、耐久性の高い磁気記録媒体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】真空蒸着装置の一例を示す模式図である。

【図２】キャン対向電極型プラズマＣＶＤ装置の一例を
示す模式図である。

【図３】本発明の加熱手段と温度調整手段の構成を示す
模式図である。

【図４】ヒーターの構造の概略を示す斜視図である。

【図５】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図６】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図７】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図８】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図９】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図１０】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブ
ロック図である。

【図１１】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図１２】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。

【図１３】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１４】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。

【図１５】磁気ヘッドの構造の一例を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１５・・・真空室 １６・・・磁気記録媒体 １７・・・送りロール １８・・・巻き取りロール １９・・・円筒キャン ２０，２１・・・ガイドロール ２２・・・対向電極 ２３・・・高周波電源 ２４・・・導入口 ２５・・・ＤＣ電源 ２６・・・ＲＦ電源 ２７・・・コントローラ ２８・・・熱電対温度計 ２９・・・熱反射板 ３０・・・赤外線ヒーター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 研一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 千葉 一信 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に少なくとも磁性層が形
   成されてなる磁気記録媒体に対して、加熱しながらプラ
   ズマＣＶＤによる保護膜形成を行うことを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 非磁性支持体上に少なくとも磁性層を形
   成した後、前記非磁性支持体側を冷却し、且つ、前記磁
   性層表面を加熱しながら、プラズマＣＶＤによる保護膜
   形成を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 保護膜形成時の非磁性支持体の温度がガ
   ラス転移点未満であることを特徴とする請求項１又は請
   求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】非磁性支持体上に少なくとも磁性層が形成
   されてなる磁気記録媒体に対してプラズマＣＶＤにより
   保護膜形成を行う成膜手段と、前記磁気記録媒体に対す
   る加熱手段を有することを特徴とする磁気記録媒体の製
   造装置。
5. 【請求項５】 磁気記録媒体の温度を制御するための温
   度調整手段を有することを特徴とする請求項４記載の磁
   気記録媒体の製造装置。