JPH0684167A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 非磁性支持体上に磁性塗膜，金属磁性薄膜が
順次形成して磁気記録媒体を作製するに際し、磁性塗膜
形成後、金属磁性薄膜の形成に先行して磁性塗膜中の残
留溶剤，未反応低分子を揮発除去するか、中間膜を形成
する。 【効果】 磁性塗膜上に金属磁性薄膜が接着性良く形成
され、走行耐久性，スチル耐久性に優れた磁気記録媒体
を得ることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は非磁性支持体上に磁性塗
膜，金属磁性薄膜が順次形成されてなる磁気記録媒体及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、酸化
物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料と、
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，ポリエステル樹
脂，ウレタン樹脂，ポリウレタン樹脂等の有機結合剤と
を主体とする磁性塗膜が非磁性支持体上に形成されてな
る塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。しか
し、この塗布型の磁気記録媒体は、磁性層が磁性粉末以
外に結合剤や研磨剤，帯電防止剤等の非磁性材料によっ
て構成されるため、その分磁性粉末の充填密度が低くな
っており、特に短波長領域において電磁変換特性が不十
分である。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成技術手
段（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等）によってポリエステルフィルムやポリアミ
ド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着
した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ注目を集めている。この金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体は抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性
に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くでき
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が
無いため磁性材料の充填密度を高めることが出来ること
など、数々の利点を有している。

【０００４】ところが、このような薄膜型の磁気記録媒
体は、磁性層が真空薄膜成膜手段によって形成される
が、真空薄膜成膜手段はその原理上生産効率がわるく、
材料の使用効率も極端に低いため、コスト的に高いもの
となっている。また、上記薄膜型の磁気記録媒体は、短
波長領域の電磁変換特性には優れるものの長波長領域の
特性は不十分であり、長波長領域から短波長領域の広い
範囲の記録信号を扱うには不適当である。

【０００５】そこで、最近、塗布型の磁気記録媒体，薄
膜型の磁気記録媒体の両者の長所を併せ持つようにした
磁気記録媒体として、磁性層が磁性塗膜と金属磁性薄膜
よりなる磁気記録媒体が開発され、長波長領域から短波
長領域に亘る記録信号が扱えるものとして注目を集めて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁性層が磁
性塗膜と金属磁性薄膜よりなる磁気記録媒体は、磁性粉
末と結合剤を主体とする混合物を有機溶媒とともに混練
してなる磁性塗料を非磁性支持体上に塗布、乾燥して磁
性塗膜を形成し、次いでこの磁性塗膜上に金属磁性薄膜
を真空薄膜成膜手段によって成膜することによって作製
される。

【０００７】ところが、このようにして作製される磁気
記録媒体は、磁性塗膜と金属磁性薄膜の接着性が不十分
であり、十分なスチル耐久性が得られない。また、ヘッ
ド等に対して繰り返し走行させると、徐々に金属磁性薄
膜が脱落し、エラーレートが増大するといった不都合が
生じる。

【０００８】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁性塗膜上に金属磁性薄
膜が良好な接着性をもって形成されており、良好なスチ
ル特性，走行耐久性を発揮する磁気記録媒体及びその製
造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、金属磁性
薄薄膜が接着性良く形成されないのは、以下の理由であ
ることを見い出した。

【００１０】すなわち、磁性塗膜中には、乾燥工程にお
いて揮発せず、残存した溶媒あるいは未反応低分子が含
まれている。この残留溶剤，未反応低分子は金属磁性薄
膜成膜時に揮発して、成膜環境の真空度を劣化させる。
このことが、成膜性に悪影響を与え、成膜される金属磁
性薄膜の密着性を低下させている。

【００１１】そこで、磁性塗膜形成後、金属磁性薄膜成
膜を成膜するのに先行して、磁性塗膜中の残留溶剤，未
反応低分子を除去するか、磁性塗膜上に中間膜を形成し
ておき、残留溶剤，未反応低分子の揮発をこの中間膜に
よって抑えたところ、成膜環境の真空度の劣化が防止さ
れ、金属磁性薄膜が密着性良く形成されることが判明し
た。

【００１２】本発明はこのような知見に基づいて完成さ
れたものである。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、
非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤とを主体とする磁
性塗膜、真空薄膜成膜手段により形成された中間膜およ
び金属磁性薄膜が順次積層されてなるものである。ま
た、上記金属磁性薄膜が多層構造であることを特徴とす
るものである。

【００１３】さらに、上記中間膜の膜厚が３〜１５０ｎ
ｍであるこのと特徴とするものである。また、さらに、
非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤とを主体とする磁
性塗膜、真空薄膜成膜手段により形成された中間膜およ
び金属磁性薄膜が順次積層され、さらに上記金属磁性薄
膜上に保護層が設けられてなるものである。

【００１４】また、入力ディジテル画像信号を複数の画
素データからなるブロック単位のデータに変換してブロ
ック化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に
圧縮符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル
符号化し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラ
ムに装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録す
るようにした磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤とを主体
とする磁性塗膜、真空薄膜成膜手段により形成された中
間膜および金属磁性薄膜が順次積層されてなるものであ
る。

【００１５】さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤を主体とする
磁性塗膜を形成し、該磁性塗膜上に真空薄膜成膜手段に
より金属磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を製造するに
際し、上記金属磁性薄膜を形成するのに先行して磁性塗
膜中の残留溶剤を揮発させて除去することを特徴とする
ものである。

【００１６】また、さらに、非磁性支持体上に強磁性粉
末と結合剤とを主体とする磁性塗膜を形成し、該磁性塗
膜上に真空薄膜成膜手段により中間膜、金属磁性薄膜を
順次形成して磁気記録媒体を製造するに際し、上記中間
膜を形成するに先行して、上記磁性塗膜中の残留溶剤を
揮発させて除去することを特徴とするものである。ま
た、残留溶剤の揮発除去を真空環境下で行うことを特徴
とするものである。

【００１７】非磁性支持体上に磁性塗膜，金属磁性薄膜
の２層の磁性層が形成されてなる磁気記録媒体を作製す
るには、まず、磁性粉末を結合剤中に分散してなる混合
物を有機溶媒とともに混練して磁性塗料を調整し、この
磁性塗料を非磁性支持体上に塗布，乾燥して磁性塗膜を
形成する。

【００１８】磁性塗料を構成する磁性粉末，結合剤，溶
媒は、塗布型の磁気テープにおいて使用されるものがい
ずれも使用可能である。例示すれば、磁性粉末としては
γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ ，Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ ，Ｃｏ被着γ
−Ｆｅ₂ Ｏ₃ ，Ｆｅ₃ Ｏ₄ ，Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₃ Ｏ₄ ，
Ｃｏ被着−Ｆｅ₃ Ｏ₄ ，ＣｒＯ₂ 等の酸化物磁性粉末
や、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｖ等の金属磁性粉末があげられる。更に、これらに種々
の特性を改善する目的でＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｃｕ，Ｚｎ等の金属成分が添加されたものであって
もよい。また、バリウムフェライト等の六方晶フェライ
トや窒化鉄等も使用可能である。なお、これら強磁性粉
末の比表面積は、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を
得るには４０ｍ² ／ｇ以上であることが好ましい。

【００１９】また、結合剤としては塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体，塩化ビニル−プロピオン酸共重合体，塩
化ビニル酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、等の
塩化ビニル系樹脂や、ポリエステルポリウレタン、ポリ
エーテルポリウレタン、ポリカーボネートポリウレタ
ン、等のポリウレタン樹脂等が挙げられる。

【００２０】さらに、上記溶媒としては、アセトン，メ
チルエチルケトン，メチルイソブチルケトン，シクロヘ
キサノン等のケトン系、酢酸メチル，酢酸エチル，酢酸
ブチル，乳酸エチル，酢酸グリコールモノエチルエーテ
ル等のエステル系、グリコールジメチルエーテル，グリ
コールモノエチルエーテル，ジオキサン等のグリコール
エーテル系、ベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族
炭化水素、ヘキサン，ヘプタン等の脂肪族炭化水素、メ
チレンクロライド，エチレンクロライド，四塩化炭素，
クロロホルム，エチレンクロルヒドリン，ジクロルベン
ゼン等の塩素化炭化水素等が挙げられる。

【００２１】なお、上記磁性塗料にさらに各種分散剤、
潤滑剤、帯電防止剤、防錆剤等の添加剤を添加しても良
いが、良好な電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体を得
るにはこれら添加剤の添加量等を調整することが好まし
い。これは、磁性塗膜中に添加剤があまり多量に含有さ
れていると、その分磁性粉末の充填密度が低くなり、さ
らには磁性塗膜の表面性が劣化するからである。たとえ
ば、上記添加剤のうち研磨剤の含有量は磁性粉末１００
重量部に対して４重量部以下とすることが望ましい。

【００２２】このようにして磁性塗膜を形成した後、金
属磁性薄膜を真空薄膜成膜手段によって形成するが、本
発明においては、金属磁性薄膜を密着性良く形成するた
めに、金属磁性薄膜の形成に先行して磁性塗膜中に残存
する残留溶剤，未反応低分子を揮発させて除去しておく
か、あるいは磁性塗膜上に中間膜を形成する。これによ
り、金属磁性薄膜成膜時において、残存溶媒，未反応低
分子が揮発するのが抑えられて成膜環境が高真空度に維
持されるようになり、金属磁性薄膜が密着性良く形成さ
れる。

【００２３】まず、残留溶剤，未反応低分子の揮発除去
は、磁性塗膜が形成され、ロールに巻回されたテープロ
ールを再びロールに巻き直すといった簡単な操作を行う
ことができる。さらに、この操作を高温雰囲気下、真空
空間中で行うとより効率良く残留溶剤，未反応低分子が
揮発し、操作の高速化を図る上で有利である。この場
合、雰囲気中の温度等の条件を用いる溶媒の沸点によっ
て適宜選択するとより好ましい。このような揮発除去処
理によって磁性塗膜中の残留溶剤の含有量を０．４重量
％以下、より好ましくは０．２５重量％以下とすると次
工程において密着性に優れた金属磁性薄膜が形成される
こととなる。

【００２４】一方、上記中間膜は、真空薄膜成膜手段に
よって成膜される。真空薄膜成膜手段としては、真空下
で保護膜材料を加熱蒸発させた支持体上に沈着させる真
空蒸着法、保護材料の蒸発を放電空間中で行うイオンプ
レーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグ
ロー放電を起こし生じたアルゴンイオンでターゲット表
面の原子をたたき出すスパッタ法等のいわゆるＰＶＤ法
や、キャン対向電極型プラズマＣＶＤ法、プラズマ照射
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、トーチ型ＤＣプラ
ズマＣＶＤ法、アークジェットプラズマＣＶＤ法などの
ＣＶＤ法等が挙げられる。

【００２５】上記真空薄膜成膜手段によって中間膜とな
る材料としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｚ
ｒ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ等
やこれらの合金が挙げられる。

【００２６】なお、中間膜を形成する場合には、成膜に
先行して磁性塗膜表面を大気中でコロナ処理するかボン
バード処理すると、磁性塗膜表面に中間膜が密着性よく
形成され、耐久性が向上する。このようにして磁性塗膜
中の残留溶剤，未反応低分子を揮発除去し、あるいは中
間膜を形成した後、金属磁性薄膜を真空薄膜成膜手段に
よって形成する。

【００２７】真空薄膜成膜手段としては、中間膜の成膜
において例示したＰＶＤ法，ＣＶＤ法がいずれも採用可
能である。

【００２８】また、金属磁性薄膜となる金属磁性材料と
しては、通常の蒸着テープにおいて使用される金属磁性
材料がいずれも使用可能であり、例えばＦｅ−Ｃｏ，Ｃ
ｏ−Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁性金属，Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃ
ｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ
−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ等の強磁性合金が挙げられる。金属磁性薄膜として
は、これら金属磁性材料の単層膜であってもよく、多層
膜であってもよい。多層膜とする場合には、各層の間に
層同士の付着力を向上させたり、抗磁力を制御するため
の膜を設けると良い。

【００２９】さらに、上記金属磁性薄膜には、耐蝕性改
善等のために表面が酸化物となるような処理を施すよう
にしても良く、またさらに走行耐久性を得るための保護
膜を設けるようにしても良い。

【００３０】上記保護膜としては、金属磁性薄膜型の磁
気記録媒体において、通常使用されている保護膜がいず
れも使用できる。例えば、カーボン，ＣｒＯ₂ ，Ａｌ₂
Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，ＭｇＯ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｏ
₄ ，ＳｉＮ_x ，ＳｉＣ，ＳｉＮ_x −ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂
ＴｉＯ₂ ，ＴｉＣ等を真空薄膜成膜手段によって成膜し
た単層膜，多層膜あるいは複合膜等が挙げられる。な
お、真空薄膜成膜手段としては、中間膜の成膜において
例示した真空薄膜成膜手段がいずれも使用可能である。

【００３１】以上が本発明の基本的な構成であるが、本
発明においては、さらに必要に応じてバックコート層、
下塗層、潤滑剤層，防錆剤層を形成するようにしても良
い。この場合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、
結合剤あるいは潤滑剤，防錆剤層に含まれる材料として
は従来公知のものがいずれも使用できる。

【００３２】

【作用】非磁性支持体上に磁性塗膜，金属磁性薄膜を形
成して磁気記録媒体を作製するに際し、磁性塗膜形成
後、金属磁性薄膜の形成に先行して磁性塗膜中に残存す
る残留溶剤，未反応低分子を揮発させて除去しておく
か、あるいは磁性塗膜上に中間膜を形成すると、金属磁
性薄膜成膜時において、残存溶媒，未反応低分子が揮発
するのが抑えられて成膜環境が高真空度に維持されるよ
うになり、金属磁性薄膜が密着性良く形成される。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。

【００３４】実施例１ 本実施例は、金属磁性薄膜の成膜に先行して中間膜を形
成した例である。

【００３５】以下の材料を表１に示す混合量で秤り採
り、サンドミルにて４時間分散，混合して磁性塗料を調
製した。 磁性塗料の材料 メタル磁性粉末（比表面積５０ｍ² ／ｇ） カーボンブラック アルミナ ポリエステルポリウレタン 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 メチルエチルケトン トルエン

【００３６】

【表１】

【００３７】調製した磁性塗料を厚さ１０μｍ，幅１５
０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ム上に、連続巻取り式グラビアコータを用いて膜厚が３
μｍとなるように塗布し、加熱硬化して磁性塗膜を形成
した。次いで、形成された磁性塗膜表面をカレンダー処
理し、該磁性塗膜上にスパッタ法により表２に示す膜厚
のＴｉ中間膜を形成した。

【００３８】Ｔｉ中間膜形成に使用したスパッタ装置の
構成を図１に示す。上記スパッタ装置は、頭部と底部に
排気口１１５を有する真空室１０１内に、送りロール１
０３，巻き取りロール１０４，円筒キャン１０５よりな
るテープ支持系と、ターゲット１０９が載置され、グロ
ー放電を起こすためのスパッタカソード１０８を有して
なる。

【００３９】上記テープ支持系を構成する送りロール１
０３，巻取りロール１０４はそれぞれ時計回り（図中、
矢印ａ方向）に定速回転するようになされており、保護
膜が形成されるテープ１０２はこれら送りロール１０３
から巻取りロール１０４に亘って掛け渡され、送りロー
ル１０３から巻き取りロール１０４に順次走行する。ま
た、送りロール１０３から巻取りロール１０４に亘って
掛け渡されるテープ１０２の中途位置には、上記各ロー
ル１０３，１０４の径よりも大径となされた上記円筒キ
ャン１０５がテープ原反１０２を下方に引き出すように
配設されている。上記円筒キャン１０５も送りロール１
０３，巻取りロール１０４同様時計回り（図中、矢印Ａ
方向）に定速回転するようになされており、また図示し
ない冷却装置が内蔵され、テープ原反１０２の温度上昇
による変形を防止するようになっている。なお、上記送
りロール１０３，巻取りロール１０４，冷却キャン１０
５の円筒高さは、テープ１０２の幅と略同じである。

【００４０】さらに、上記テープ支持系には、上記送り
ロール１０３と上記円筒キャン１０５の間及び上記円筒
キャン１０５と上記巻取りロールの間にそれぞれガイド
ロール１０６，１０７を有しており、上記送りロール１
０３、円筒キャン１０５、巻取りロール１０４に順次亘
って走行するテープ１０２に所定のテンションがかけら
れ、テープ１０２が円滑に走行するようになされてい
る。

【００４１】また、上記スパッタ装置においては、グロ
ー放電を起こすためのＤＣ電圧またはＲＦバイアス電圧
が上記巻取りロール１０４に印加されるようになってお
り、また円筒キャン１０５の左右及び下方に高周波電源
が接続された上記スパッタカソード１０８が上記円筒キ
ャンと略平行となるように配置されている。これらスパ
ッタカソード１０８の幅もテープ１０２の幅と略同じで
ある。さらに真空室１０１内にスパッタガスを導入する
ためのガス導入管１１４が排出口を上記スパッタカソー
ド１０８の近傍となるように取付けられている。

【００４２】このような構成のスパッタ装置によってテ
ープ１０２に中間膜を形成するには、スパッタカソード
１０８上にターゲット１０９を載置して接着するととも
にテープ原反ロールを送りロール１０３として取り付
け、テープを磁性塗膜側がスパッタカソード側となるよ
うに円筒キャン１０５，巻取りロール１０４に亘って掛
け渡す。そして、排気口１１５から真空室１０１の空気
を排気し、真空室１０１内が所定の真空度となったとこ
ろで、スパッタガスの導入、電圧印加を行う。これによ
り、グロー放電が引き起こってアルゴンイオンガスが発
生し、ターゲットから原子が叩き出されてテープ１０２
上に被着する。このときテープ１０２を走行させること
により、テープ表面に順次叩き出された原子が被着し、
中間膜が成膜されることとなる。

【００４３】以下に中間膜スパッタ条件を示す。 中間膜スパッタ条件 方式 ：ＤＣマグネトロンスパッタ方式 ターゲット材 ：チタン 使用ガス ：アルゴン バックグランド真空度：４×１０^-3Ｐａ 成膜時真空度 ：２Ｐａ テープ速度 ：０．１ｍｍ／秒

【００４４】このようにして中間膜を形成した後、Ｃｏ
₈₀−Ｎｉ₂₀（重量％）よりなる金属磁性薄膜をを形成し
た。

【００４５】金属磁性薄膜形成に使用した真空蒸着装置
の構成を図２に示す。この真空蒸着装置は、頭部と低部
にそれぞれ設けられた排気口１３５から排気されて内部
が真空状態となされた真空室１内に、図中の反時計回り
方向に定速回転する送りロール１２３と、図中の時計回
り方向に定速回転する巻取りロール４とが設けられ、こ
れら送りロール１２３から巻取りロール１２４にテープ
状の非磁性支持体１２２が順次走行するようになされて
いる。

【００４６】これら送りロール１２３から巻取りロール
１２４側に上記非磁性支持体１２２が走行する中途部に
は、上記各ロール１２３、１２４の径よりも大径となさ
れた冷却キャン１２５が設けられている。この冷却キャ
ン１２５は、上記非磁性支持体１２２を図中下方に引き
出す様に設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する
構成とされる。尚、上記送りロール１２３、巻取りロー
ル１２４、及び、冷却キャン１２５は、それぞれ非磁性
支持体１２２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記冷却キャン１２５には、内部に図示
しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１２２の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。

【００４７】従って、上記非磁性支持体１２２は送りロ
ール１２３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン
１２５の周面を通過し、巻取りロール１２４に巻取られ
ていくようになされている。尚、上記送りロール１２３
と上記冷却キャン１２５との間及び該冷却キャン１２５
と上記巻取りロール１２４との間にはそれぞれガイドロ
ール１２６、１２７が配設され、上記送りロール１２３
から冷却キャン１２５及び該冷却キャン１２５から巻取
りロール１２４にわたって走行する非磁性支持体１２２
に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１２２が円
滑に走行するようになされている。また、上記真空室１
２１内には、上記冷却キャン１２５の下方にルツボ１２
８が設けられ、このルツボ１２８内に金属磁性材料１２
９が充填されている。このルツボ１２８は、上記冷却キ
ャン１２５の長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。

【００４８】一方、上記真空室１２１の側壁部には、上
記ルツボ１２８内に充填された金属磁性材料１２９を加
熱蒸発させるための電子銃１３０が取り付けられる。こ
の電子銃１３０は、当該電子銃１３０より放出される電
子線Ｘが上記ルツボ１２８内の金属磁性材料１２９に照
射されるような位置に配設される。そして、この電子銃
１３０によって蒸発した金属磁性材料１２９が冷却キャ
ン１２５の周面を定速走行する非磁性支持体１２２上に
磁性層として被着形成されるようになっている。

【００４９】また、上記冷却キャン１２５と上記ルツボ
１２８との間であって該冷却キャン１２５の近傍には、
シャッタ１３３が配設されている。このシャッタ１３３
は、上記冷却キャンの周面を定速走行する非磁性支持体
１２２の所定領域を覆う形で形成されこのシャッタ１３
３により上記蒸発せしめられた金属磁性材料１２９が上
記非磁性支持体１２２に対して所定の角度範囲で斜めに
蒸着されるようになっている。更に、このような蒸着に
際し、上記真空室１２１の側壁部を貫通して設けられる
酸素ガス導入口１３４を介して非磁性支持体１２２の表
面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐候性
の向上が図られている。

【００５０】この真空蒸着は、真空室１２１を例えば真
空度１×１０^-4Torrに保ちながら、これら真空室１２１
内にガス導入口１３４により酸素ガスを例えば２５０ｃ
ｃ／分の割合で導入しながら行う。この場合、非磁性支
持体１２２に対する蒸着金属の入射膜は例えば４５〜９
０°の範囲とする。また、磁性層は円筒キャン１２５に
おいて例えば２０００Åの厚さに蒸着される。

【００５１】以下に本実施例で採用した金属磁性薄膜蒸
着条件を示す。 金属磁性薄膜蒸着条件 インゴット ：Ｃｏ₈₀−Ｎｉ₂₀（数値は重量％を表
す。） 入射角 ：４５〜９０° テープ速度 ：０．１７ｍ／秒または０．３４ｍ秒 磁性層厚 ：２００ｎｍまたは１００ｎｍ 酸素導入量 ：３．３×１０^-6ｍ³ ／秒 蒸着時真空度：９．５×１０^-2Ｐａ 以上のようにして形成された中間膜の膜厚，金属磁性薄
膜の層構成を表２に示す。

【００５２】

【表２】

【００５３】金属磁性薄膜を形成した後、該金属磁性薄
膜上にスパッタ法により膜厚１５ｎｍの保護膜を形成し
た。なお、保護膜形成に使用したスパッタ装置は中間膜
形成に使用したスパッタ装置と同様のものである。以下
に本実施例で採用した保護膜スパッタ条件を示す。 保護膜スパッタ条件 方式 ：ＤＣマグネトロンスパッタ ターゲット材 ：カーボン 使用ガス ：アルゴン バックグランド真空度：４×１０^-3Ｐａ 成膜時真空度 ：３Ｐａ テープ速度 ：０．２ｍ／秒

【００５４】保護膜を形成した後、以下に示す材料を２
４時間混合，分散してバックコート塗料を調製した。 バックコート塗料の組成 カーボンブラック：１００重量部 ポリウレタン樹脂：１００重量部 そして、このバックコート塗料を保護膜側とは反対側の
表面に塗布，硬化して膜厚０．６μｍのバックコート層
を形成した。

【００５５】さらに、保護膜表面にパーフルオロポリエ
ーテルを塗布してトップコート層を形成し、８ｍｍ幅に
裁断して磁気テープ（サンプルテープ１〜サンプルテー
プ３）を作製した。

【００５６】実施例２ 本実施例は、金属磁性薄膜の成膜に先行して残留溶剤の
揮発除去を行った例である。

【００５７】非磁性支持体上に実施例１と同様にして磁
性塗膜を形成した。ただし、磁性塗料には下記に示す組
成のものを使用した。 磁性塗料の材料 メタル磁性粉末（比表面積５０ｍ² ／ｇ）：１００重量部 カーボンブラック ： ２重量部 アルミナ ： ２重量部 ポリエステルポリウレタン ： ８重量部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ： ８重量部 メチルエチルケトン ：１５０重量部 トルエン ： ７０重量部

【００５８】そして、磁性塗膜中の残留溶剤を表３に示
す方法で揮発除去した。なお、サンプルテープ４の残留
溶剤の揮発除去は次工程の金属磁性薄膜形成で使用する
真空蒸着装置内で行った。次いで、上記磁性塗膜上に実
施例１と同様にして金属磁性薄膜を形成した。金属磁性
薄膜の層構成を併せて表３に示す。

【００５９】

【表３】

【００６０】さらに、保護膜、バックコート層，トップ
コート層を形成して裁断し、磁気テープ（サンプルテー
プ４，サンプルテープ５）を作製した。

【００６１】実施例３ 本実施例は、金属磁性薄膜の成膜に先行して残留溶剤の
揮発除去および中間膜の形成を行った例である。

【００６２】非磁性支持体上に実施例１と同様にして磁
性塗膜を形成した。ただし、磁性塗料には表４に示す組
成のものを使用した。

【００６３】

【表４】

【００６４】そして、磁性塗膜中の残留溶剤を表５に示
す方法で揮発除去した。なお、揮発除去は次工程の中間
膜形成で使用するスパッタ装置内で行った。

【００６５】

【表５】

【００６６】次いで、上記磁性塗膜上に実施例１と同様
にして中間膜を形成し、該中間膜上に金属磁性薄膜を形
成した。中間膜の膜厚，金属磁性薄膜の層構成を表６に
示す。

【００６７】

【表６】

【００６８】さらに、保護膜、バックコート層，トップ
コート層を形成して裁断し、磁気テープ（サンプルテー
プ６〜サンプルテープ）を作製した。

【００６９】比較例１ 中間膜，金属磁性薄膜，保護膜を形成しないこと以外は
実施例１と同様にして磁気テープ（比較テープ１）を作
製した。ただし、磁性塗料には以下に示す組成のもの
を、トップコート層材料には、オレイン酸を使用した。

【００７０】 磁性塗料の組成 メタル磁性粉末（比表面積５０² ｍｍ² ／ｇ）：１００重量部 カーボンブラック ： ８重量部 アルミナ ： ８重量部 オレイン酸 ： １重量部 ポリエステルポリウレタン ： ８重量部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ： ８重量部 メチルエチルケトン ：１５０重量部 トルエン ： ７０重量部

【００７１】比較例２ 磁性塗膜，中間膜，保護膜を形成しないこと以外は実施
例１と同様にして磁気テープ（比較テープ２）を作製し
た。ただし、トップコート層材料には、オレイン酸を使
用した。

【００７２】比較例３ 中間膜，保護膜を形成しないこと以外は実施例１と同様
にして磁気テープ（比較テープ３）を作製した。ただ
し、磁性塗料には以下に示す組成のものを、トップコー
ト層材料には、オレイン酸を使用した。 磁性塗料の組成 メタル磁性粉末（比表面積５０² ｍｍ² ／ｇ）：１００重量部 カーボンブラック ： ８重量部 アルミナ ： ８重量部 オレイン酸 ： １重量部 ポリエステルポリウレタン ： ８重量部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ： ８重量部 メチルエチルケトン ：１５０重量部 トルエン ： ７０重量部

【００７３】このようにして作製した磁気テープについ
て、スチル耐久性，電磁変換特性，金属磁性薄膜の接着
性及びエラーレートを調べた。

【００７４】ここで、スチル耐久性は、温度２５度，相
対湿度５０％環境下においてスチル再生したときに再生
出力が初期の出力レベルより３ｄＢ減衰するまでの時間
（スチル時間）によって評価した。電磁変換特性は、波
長０．５μｍまたは３．０μｍの記録信号を再生したと
きの再生出力によって評価した。これらスチル時間，再
生出力はソニー社製，商品名ＥＶ−Ｓ９００改造機を用
いて測定した。また、金属磁性薄膜の接着性は、２時間
長の磁気テープをヘッドに対して１００回繰り返し走行
（シャトル走行）させた後、ヘッド部における磁気テー
プからの粉落ちの様子を光学式顕微鏡で観察することに
よって評価した。その結果を表７に示す。ただし、表７
中、電磁変換特性にかかる再生出力は比較テープ１の再
生出力を０ｄＢとしたときの再生出力である。

【００７５】

【表７】

【００７６】まず、比較テープ１，比較テープ２の再生
出力を他の磁気テープの再生出力と比較してわかるよう
に、金属磁性薄膜を有さず、磁性塗膜のみを有する場合
には特に短波長信号の再生出力が低く、逆に磁性塗膜を
有さず、金属磁性薄膜のみを有する場合には長波長領域
の再生出力が不足している。したがって、短波長領域か
ら長波長領域に亘る記録信号を扱うには磁性塗膜と金属
磁性薄膜の両方を有することが必要である。

【００７７】一方、磁性塗膜，金属磁性薄膜の両方を有
する磁気記録媒体同士を比較すると、中間膜の形成，残
留溶剤の揮発除去の少なくともいずれかを行ったサンプ
ルテープ１〜サンプルテープ８は、これら処置を施さな
い比較テープ３に比べてシャトル走行後の粉落量が少な
く、スチル耐久性にも優れ、エラーレートも格段に小さ
い。特に、中間膜の形成，残留溶剤の揮発除去の両者を
併用したサンプルテープ６〜サンプルテープ８はこれら
傾向が顕著である。

【００７８】したがって、磁性塗膜上に金属磁性薄膜が
形成された磁気テープを作製するに際し、金属磁性薄膜
の形成に先行して中間膜の形成，残留溶剤の揮発除去を
行うことは耐久性，記録再生特性に優れた磁気記録媒体
を作製する上で有効であることがわかる。

【００７９】しかし、中間膜を設ける場合において、中
間膜の膜厚があまり厚くなるとサンプルテープ３を見て
わかるように再生出力が不十分となる。したがって、中
間膜の膜厚は３〜１５０ｎｍの範囲とすることが好まし
い。

【００８０】本発明は、ディジタルの記録媒体として好
適なものである。そこで、以下このディジタルＶＴＲに
ついて説明する。Ａ．記録再生装置の構成 カラービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルＶＴＲとしては、放送局用
のＤ１フォーマットのコンポーネント形ディジタルＶＴ
Ｒ及びＤ２フォーマットのコンポジット形ディジタルＶ
ＴＲが実用化されている。

【００８１】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。

【００８２】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００８３】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００８４】そこで本実施例においては、例えば５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
するようにし、記録密度８×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上を
実現するとともに、記録情報を再生歪みが少ないような
形で圧縮する方法を併用することによって、テープ幅が
８mmあるいはそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても
長時間の記録・再生が可能なディジタルＶＴＲに適用す
るものとする。

【００８５】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。

【００８６】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図３は記録側の構成全体を示
すものであり、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，
Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタ
ル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとさ
れ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が８ビッ
トとされている。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１
Ｖに供給される信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂ
ｐｓとなる。この信号のうちブランキング時間のデータ
を除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出
回路２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮され
る。

【００８７】そして、上記有効情報抽出回路２の出力の
うちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換
される。周波数変換回路３としては、例えば間引きフィ
ルタが使用され、折り返し歪みが生じないようになされ
ている。この周波数変換回路３の出力信号は、ブロック
化回路５に供給され、輝度データの順序がブロックの順
序に変換される。ブロック化回路５は、後段に設けられ
たブロック符号化回路８のために設けられている。

【００８８】図５は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図５において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００８９】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング
及びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブラ
イン化された信号の画素構成を図６に示す。図６中、○
は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△
は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサ
ブサンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００９０】上記サブサンプリング及びサブライン回路
４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路６に供給
される。ブロック化回路６では一方のブロック化回路５
と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色差データ
がブロックの順序のデータに変換される。このブロック
化回路６は、一方のブロック化回路５と同様に、色差デ
ータを（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構
造に変換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロ
ック化回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００９１】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、この合成回路７の出力信号がブロック符号化回
路８に供給される。ブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。前記ブロック符号化回路８からの出力
信号は、さらにフレーム化回路９に供給され、フレーム
構造のデータに変換される。このフレーム化回路９で
は、画素系のクロックと記録系のクロックとの乗り換え
が行われる。

【００９２】次いで、フレーム化回路９の出力信号がエ
ラー訂正符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラ
ー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回路
１０の出力信号はチャンネルエンコーダ１１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ１１
の出力信号が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ１１に供給される。

【００９３】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路８で圧
縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮され、
その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情報を
加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓとな
る。

【００９４】次に、再生側の構成について図４を参照し
ながら説明する。再生の際には、図４に示すように、先
ず磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ１４Ａ，１４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ１５に供給される。チャンネルデコーダ１５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ１５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）１６に供給される。このＴＢＣ回路１６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路１６からの再生データがＥＣＣ回路１７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路１７の出力信号がフレーム分解回路
１８に供給される。

【００９５】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００９６】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００９７】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００９８】ｂ．ブロック符号化 図３におけるブロック符号化回路８としては、ＡＤＲＣ
（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃｏ
ｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエン
コーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの最
大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値ＭＡ
Ｘ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレンジ
ＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応した
符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ないビ
ット数により、再量子化を行うものである。ブロック符
号化回路８の他の例としては、各ブロックの画素データ
をＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎ
ｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数データ
を量子化し、量子化データをランレングス・ハフマン符
号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００９９】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図７を参照しながら説明する。図７におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図３の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【０１００】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【０１０１】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【０１０２】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、この減算回路４１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【０１０３】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【０１０４】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【０１０５】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【０１０６】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【０１０７】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【０１０８】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【０１０９】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図３のチャンネルエンコーダ１１及びチャンネル
デコーダ１５について説明する。このチャンネルエンコ
ーダ１１においては、図８に示すように、パリティ発生
回路１０の出力が供給される適応型スクランブル回路
で、複数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意され、
その中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の
少ない出力が得られるようなＭ系列が選択されるように
構成されている。パーシャルレスポンス・クラス４検出
方式のためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ² （Ｄは単
位遅延用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ
５２の出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介して磁気ヘ
ッド１３Ａ，１３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再
生アンプ１４Ａ，１４Ｂによって増幅するようになされ
ている。

【０１１０】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図９に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル
回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【０１１１】ｄ．走行系 磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂは、図１０に示
すように、一体構造とされた形でドラム７６に取付けら
れる。ドラム７６の周面には、１８０°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ（図示
せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド１３
Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。

【０１１２】また、前記磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッ
ド１３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド１３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド１３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【０１１３】図１１及び図１２は、磁気ヘッド１３Ａ，
１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム７６に一体構造の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂが取り付けられ、下ドラム７７が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ７８の巻き付け角θは１６
６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【０１１４】したがって、磁気テープ７８には、１フィ
ールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【０１１５】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【０１１６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、磁性塗膜上に金属磁性薄膜を形成するに
際し、磁性塗膜形成後、金属磁性薄膜形成に先行して磁
性塗膜中の残留溶剤，未反応低分子を揮発除去するか、
中間膜を形成するので、長波長領域から短波長領域に亘
って良好な記録再生特性を発揮するとともに磁性塗膜上
に金属磁性薄膜が接着性良く形成され、走行耐久性，ス
チル耐久性に優れた磁気記録媒体を得ることが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】中間膜を形成するのに使用するスパッタ装置の
構成を示す模式図である。

【図２】金属磁性薄膜を形成するのに使用する真空蒸着
装置の構成を示す模式図である。

【図３】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図４】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図５】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図６】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図７】ブロック化符号回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図８】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図９】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図１０】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。

【図１１】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１２】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す側面図である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤と
   を主体とする磁性塗膜、真空薄膜成膜手段により形成さ
   れた中間膜及び金属磁性薄膜が順次積層されてなる磁気
   記録媒体。
2. 【請求項２】 上記金属磁性薄膜が多層構造であること
   を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 上記中間膜の膜厚が３〜１５０ｎｍであ
   る請求項１記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤と
   を主体とする磁性塗膜、真空薄膜成膜手段により形成さ
   れた中間膜及び金属磁性薄膜が順次積層され、さらに上
   記金属磁性薄膜上に保護膜が設けられてなる磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 入力ディジテル画像信号を複数の画素デ
   ータからなるブロック単位のデータに変換してブロック
   化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮
   符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号
   化し、該チャンネル符号化されたデータが回転ドラムに
   装着された磁気ヘッドにより記録されることを特徴とす
   る請求項１記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤を
   主体とする磁性塗膜を形成し、該磁性塗膜上に真空薄膜
   成膜手段により金属磁性薄膜を形成して磁気記録媒体を
   製造するに際し、 磁性塗膜形成後、金属磁性薄膜を形成するのに先行して
   磁性塗膜中の残留溶剤を揮発させて除去することを特徴
   とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 非磁性支持体上に強磁性粉末と結合剤と
   を主体とする磁性塗膜を形成し、該磁性塗膜上に真空薄
   膜成膜手段により中間膜、金属磁性薄膜を順次形成して
   磁気記録媒体を製造するに際し、 磁性塗膜形成後、中間膜を形成するのに先行して、上記
   磁性塗膜中の残留溶剤を揮発させて除去することを特徴
   とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】 残留溶剤の揮発除去を真空環境下で行う
   ことを特徴とする請求項６または請求項７記載の磁気記
   録媒体の製造方法。