JPH0737238A

JPH0737238A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0737238A
Application number: JP17794293A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Yuichi Arizaka; 裕一蟻坂; Koji Naruse; 宏治成瀬
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-07-19
Filing date: 1993-07-19
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【構成】非磁性支持体上の一主面に金属磁性薄膜より
なる磁性層が形成され、前記磁性層が形成されている面
とは反対側の主面にバックコート層が形成されており、
このバックコート層表面には、イソシアネート基を有す
る硬化剤及び潤滑剤を含有する混合液が塗布されてい
る。【効果】バックコート層の耐久性を向上させ、苛酷な
環境下でも保存特性、走行耐久性に優れた磁気記録媒体
となる。テープの機械強度の劣化を小さく抑えながらも
テープの薄膜化が可能となる。また、ドロップアウトや
エラーレートを低く抑えるので、ディジタル画像信号の
記録に適したものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、いわゆる金属薄膜型の
磁気記録媒体に関するものであり、特に、例えば、ハイ
バンド８ミリビデオ用の磁気テープ、ディジタルＶＴＲ
等の短波長磁気記録信号の記録再生用の磁気テープ等と
して好適な磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等
の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，
ポリエステル樹脂，ウレタン樹脂，ポリウレタン樹脂等
の有機結合剤中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥す
ることにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く使
用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くできる為、
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性
層中に非磁性材であるその結合剤を混入する必要が無い
ため磁性材料の充填密度を高めることができることな
ど、数々の利点を有している。

【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】また一方、一般に画像
情報を記録再生する低域変換方式のビデオテープレコー
ダにおいては、長波長域のカラー特性も重要であるた
め、使用するテープの残留磁束密度Ｂｒのみならず、エ
ネルギー積なるパラメータの最適化が必要となってい
る。

【０００７】前記エネルギー積は、残留磁束密度をＢ
ｒ、磁性層の厚みをδ、抗磁力をＨｃとしたときにＢｒ
・δ・Ｈｃ（Gauss ・cm・Oe）なる式で与えられるもの
であって、通常は輝度特性、クロマ特性の両特性を満足
するように磁性層の厚みδが決定されている。

【０００８】これに対して、ディジタル画像信号を記録
するディジタルＶＴＲにおいては、長波長領域の特性よ
りむしろ、短波長特性を重視した設計が必要となる。特
に、ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような形で
圧縮して記録するディジタルＶＴＲ等においては、電磁
変換特性が高く、且つエラーレートが低いことが必須の
要件である。これを実現するためには当然前記エネルギ
ー積を最適に設計することに加えて、エラーレートを左
右するドロップアウトを小さくしたり再生波形の位相歪
を小さく押さえる等の点を考慮する必要がある。

【０００９】更に、記録再生装置の小型化の傾向が強ま
る中、カセットの小型化がシステムとして必要になり高
密度記録化の流れと合いまって磁気テープのより一層の
薄物化が必要となっている。一般的にテープを薄型化す
る場合非磁性支持体の厚さを薄くすることで対応してき
ているが非磁性支持体の厚さがうすくなることでテープ
の機械的な強度が弱くなるため非磁性支持体の材質を変
更するなどの対策を施すことがおこなわれてきた。

【００１０】この様な中でテープ厚さが薄くなってくる
とテープ全厚におけるバックコート層の厚みがしめる割
合がおおきくなり薄塗のバックコートの開発が必要とな
ってきた。この薄塗技術の開発によりテープの機械強度
の劣化を小さく抑えながらテープの薄型化が可能となり
記録再生装置の小型化または長時間化に寄与することと
なる。しかし、従来のバックコートの塗料組成による薄
塗ではカーボン等の顔料の脱落が多くなり信頼性を確保
することが難しかった。

【００１１】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、バックコート層を薄くしても
顔料の脱落等が起こすことのない耐久性に優れたものと
し、走行耐久性に優れた高密度磁気記録に最適な磁気記
録媒体を提供することを目的とする。また、ディジタル
画像信号を記録するディジタルＶＴＲ、特にディジタル
画像信号を再生歪みが少ないような形で圧縮して記録で
きるように、高い電磁変換特性が得られ且つエラーレー
トが改善されたディジタル画像信号用の磁気記録媒体を
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、非磁性支持体上
の一主面に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成され、前
記磁性層が形成されている面とは反対側の主面にバック
コート層が形成されてなる磁気記録媒体において、上記
バックコート層表面にはイソシアネート基を有する硬化
剤が保持されているものである。

【００１３】上記イソシアネート基を有する硬化剤は、
この硬化剤と潤滑剤とを含有する混合液をバックコート
層表面に塗布されることによって保持されることが好ま
しい。

【００１４】上述のようにして、バックコート層表面に
イソシアネート基を有する硬化剤を保持させることによ
り、バックコート層の耐久性を向上させることが可能と
なり、走行耐久性に優れた磁気記録媒体とすることがで
きる。また、潤滑剤を保持させることにより、走行時の
摩擦を小さくして走行安定性に優れたものとすることが
できる。

【００１５】上記バックコート層に保持させる硬化剤と
しては、一般に使用されるものであればいずれも使用可
能であり、特に限定されるものではないが、例えば、
２、４トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ：商品名コロ
ネートＬ−５０）や、トリメチロールプロパンに上記コ
ロネートＬ−５０を付加したもの，４、４ジフェニルメ
タンジイソシアネート（ＭＤＩ）やヘキサンジイソシア
ネート（ＨＤＩ）等を付加させた物等が挙げられる。

【００１６】また、同様に、上記バックコート層に保持
させる潤滑剤も、磁気テープ用として一般に使用されて
いるものであればいずれも使用可能である。例えば、主
骨格がフルオロカーボン系、アルキルアミン、アルキル
エステル等であるものが好ましい。

【００１７】なお、上記バックコート層に塗布される混
合液における硬化剤及び潤滑剤の添加量は、バックコー
ト層に含有される結合剤１００重量部に対して、それぞ
れ０．０１〜１０重量部とすることが好ましい。硬化
剤、潤滑剤の添加量が０．０１重量部未満であるとその
効果が発揮されない。一方、硬化剤が１０重量部を超え
るとこの硬化剤自身が磁性層と粘着を起こしドロップア
ウトやエラーレートの発生を増加させてしまう。また、
潤滑剤が１０重量部を超えるとこの潤滑剤が磁性層に転
写してドラムやガイドとの張り付きを起こしてしまう。

【００１８】さらに、本発明の磁気記録媒体は、入力デ
ィジタル画像信号を複数の画素データからなるブロック
単位のデータに変換してブロック化し、該ブロック化さ
れたデータをブロック単位に圧縮符号化し、該圧縮符号
化されたデータをチャンネル符号化し、該チャンネル符
号化されたデータを回転ドラムに装着された磁気ヘッド
により記録されるものであり、且つ、磁性層の残留磁束
密度、厚さ及び抗磁力の積であるエネルギー積が７５Ga
uss ・cm・Oe以上であることが好ましい。

【００１９】上記エネルギー積が７５Gauss ・cm・Oe以
上とすることにより電磁変換特性に優れたものとなる。
また、上述のようにバックコート層表面に硬化剤を保持
させることによりドロップアウトが抑えられ、エラーレ
ートの低いものとすることが可能となり、ディジタル画
像信号記録再生用の磁気記録媒体としても好適なものと
なる。

【００２０】本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁
性材料よりなる非磁性支持体上に磁性層として金属磁性
薄膜を設けてなる金属薄膜型の磁気テープ（いわゆる蒸
着テープ）である。

【００２１】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
を直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として
形成されているがこの金属磁性材料としては、通常の蒸
着テ−プに使用されるものであれば如何なるものであっ
てもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁性
金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。これらの
単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。

【００２２】さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、
並びに抗磁力の制御等のため、下地層または、中間層を
設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改
善等のために酸化物となっていてもよい。

【００２３】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行う
イオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲
気中でグロー放電を越こし生じたアルゴンイオンでター
ゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆる
ＰＶＤ技術によればよい。

【００２４】また、上記非磁性支持体上に形成された強
磁性金属材料上には保護膜層が形成されていても良いが
この材料としては、通常の金属磁性薄膜用保護膜として
一般に使用されるものであれば如何なるものであっても
よい。例示すれば、カーボン、ＣｒＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，
ＢＮ，Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｏ₄ ，Ｓ
ｉＮ_x ，ＳｉＣ，ＳｉＮ_x −ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，Ｔｉ
Ｏ₂ ，ＴｉＣ等があげられる。これらの単層膜であって
もよいし多層膜、あるいは複合膜であってもよい。

【００２５】もちろん、本発明にかかる磁気テープの構
成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲での変更、例えば必要に応じて非磁性支持
体上に下塗層を形成したり、潤滑剤、防錆剤などの層を
形成することは何等差し支えない。この場合、バックコ
ート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤あるいは潤滑
剤、防錆剤に含まれる材料としては従来公知のものがい
ずれも使用できる。

【００２６】例えば、非磁性顔料としては、カーボンの
ほかに、必要に応じて、ヘマタイト、雲母、シリカゲ
ル、酸化マグネシウム、硫化亜鉛、炭化タングステン、
窒化ホウ素、デンプン、酸化亜鉛、カオリン、タルク、
粘土、硫酸鉛、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マ
グネシウム、ベーム石（γ−Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ），ア
ルミナ、硫化タングステン、酸化チタン、ポリテトラフ
ルオロエチレン粉末、ポリエチレン粉末、ポリ塩化ビニ
ル粉末、金属粉等を併用してもよい。

【００２７】また、結合剤としては、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアル
コール共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸
共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化
ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステ
ル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−
塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−スチ
レン共重合体、熱可塑性ポリウレタン樹脂、フェノキシ
樹脂、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体、ブタジエン−アクリロニトリル−メタクリル酸共重
合体、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチ
レン−ブタジェン共重合体、ポリエステル樹脂、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリウレタン樹脂、
尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、尿素−ホルム
アルデヒド樹脂またはこれらの混合物等があげられる。

【００２８】なかでも柔軟性を付与するとされているポ
リウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体等が好ましい。これらは、イソシ
アネート化合物を架橋剤として使用し、より耐久性を向
上させたり、適当な極性基を導入した物であってもよ
い。

【００２９】溶剤としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、等の
ケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、
乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエステル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロラ
イド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒド
リン、ジクロロベンゼン等の有機塩素化合物系溶剤があ
げられる。

【００３０】

【作用】バックコート層表面にイソシアネート基を有す
る硬化剤を保持させることにより、バックコート層の耐
久性を向上させることが可能となり、走行耐久性に優れ
た磁気記録媒体となる。また、高温多湿といった苛酷な
環境下でも保存特性、走行耐久性に優れたものとなる。
テープの機械強度の劣化を小さく抑えながらテープの薄
型化が可能となり記録再生装置の小型化または長時間化
に寄与することとなる。

【００３１】また、ドロップアウトを抑え、エラーレー
トを低く抑えることも可能となるため、ディジタル画像
信号記録用の磁気記録媒体として好適なものとなる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではない
ことはいうまでもない。

【００３３】先ず、本実施例において金属磁性薄膜を形
成するために使用した蒸着装置の構成について説明す
る。

【００３４】図１に示す様に、この製造装置において
は、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気口９５から排
気されて内部が真空状態となされた真空室８１内に、図
中ａ方向に定速回転する送りロール８３と、図中ｂ方向
に定速回転する巻取りロール８４とが設けられ、これら
送りロール８３から巻取りロール８４にテープ状の非磁
性支持体８２が順次走行するようになされている。

【００３５】これら送りロール８３から巻取りロール８
４側に上記非磁性支持体８２が走行する中途部には、上
記各ロール８３、８４の径よりも大径となされた冷却キ
ャン８５が設けられている。この冷却キャン８５は、上
記非磁性支持体８２を図中下方に引き出す様に設けら
れ、図中ｃ方向に定速回転する構成とされる。

【００３６】尚、上記送りロール８３、巻取りロール８
４、及び、冷却キャン８５は、それぞれ非磁性支持体８
２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、
また上記冷却キャン８５には、内部に図示しない冷却装
置が設けられ、上記非磁性支持体８２の温度上昇による
変形等を抑制し得るようになされている。

【００３７】従って、上記非磁性支持体８２は、送りロ
ール８３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン８
５の周面を通過し、巻取りロール８４に巻取られていく
ようになされている。尚、上記送りロール８３と上記冷
却キャン８５との間及び該冷却キャン５と上記巻取りロ
ール８４との間にはそれぞれガイドロール８６、８７が
配設され、上記送りロール８３から冷却キャン８５及び
該冷却キャン８５から巻取りロール８４にわたって走行
する非磁性支持体８２に所定のテンションをかけ、該非
磁性支持体８２が円滑に走行するようになされている。

【００３８】また、上記真空室内には、上記冷却キャン
８５の下方にルツボ８８が設けられ、このルツボ８８内
に金属磁性材料８９が充填されている。このルツボ８８
は、上記冷却キャン８５の幅と略同一の幅を有してな
る。

【００３９】一方、上記真空室８１の側壁部には、上記
ルツボ８８内に充填された金属磁性材料８９を加熱蒸発
させるための電子銃９０が取り付けられる。この電子銃
９０は、当該電子銃９０より放出される電子線Ｘが上記
ルツボ８８内の金属磁性材料８９に照射されるような位
置に配設される。そして、この電子銃９０によって蒸発
した金属磁性材料８９が上記冷却キャン８５の周面を定
速走行する非磁性支持体８２上に磁性層として被着形成
されるようになっている。

【００４０】また、上記冷却キャン８５と上記ルツボ８
８との間であって該冷却キャン８５の近傍には、シャッ
タ９１が配設されている。このシャッタ９１は、上記冷
却キャン８５の周面を定速走行する非磁性支持体８２の
所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ９１により
上記蒸発せしめられた金属磁性材料８９が上記非磁性支
持体８２に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるよ
うになっている。

【００４１】更に、このような蒸着に際し、上記真空室
８１の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口９２
を介して非磁性支持体８２の表面に酸素ガスが供給さ
れ、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られてい
る。

【００４２】実施例１〜８上述のような構成を有する蒸着装置を用いて金属磁性薄
膜を形成し磁気テープを作成した。なお、以下に主な製
造条件を示す。

【００４３】ベース：ポリエチレンテレフタレート６μｍ１５０ｍｍ幅下塗：アクリル酸エステルを主成分とす
る水溶性ラテックスを塗布密度１０００万個／ｍｍ²

【００４４】蒸着条件インゴット：Ｃｏ90−Ｎｉ10ｗｔ％入射角：４５〜９０° 酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³／ｓｅｃ蒸着時真空度：７ｘ１０^-2Ｐａ

【００４５】バックコート：カーボン、及びウレ
タンバインダーを混合したものを０．３μｍ厚塗布また
塗布時に硬化剤を混合した。顔料：カーボン１００重量部結合剤：ウレタン１００重量部硬化剤：コロネートＬ５０５重量部トップコート：磁性面にパーフルオロポリエーテ
ルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００４６】上述の条件に従って非磁性支持体上に金属
磁性薄膜を形成し、バックコート層を塗布し乾燥させた
後、バックコート層の表面に硬化剤及び潤滑剤を溶剤に
溶かした混合液を塗布した。そして、８ミリ幅に裁断し
て磁気テープを作成し、実施例１〜８のサンプルテープ
とした。

【００４７】上記硬化剤としてはコロネートＬ−５０を
用い、潤滑剤としてはフルオロカーボンを主骨格とし第
３アミンにより変成したものを使用した。なお、上記潤
滑剤において、フルオロカーボンとしては商品名デムナ
ムを使用し、第３アミンとしてはジメチルデシルアミン
を使用し、塩構造をとるように合成した。

【００４８】各サンプルテープにおいて、使用された硬
化剤及び潤滑剤の添加量、溶剤の種類は表１に示される
とおりである。なお、上記硬化剤及び潤滑剤の添加量
は、バックコート層に含有しているウレタンバインダー
を１００重量部としたときの硬化剤の重量部及び潤滑剤
の添加量として重量部で示している。

【００４９】

【表１】

【００５０】上述のようにして作成された各サンプルテ
ープの磁気特性は、Ｈｃが１２２０Ｏｅ，Ｂｒが４３０
０Ｇであり、また、磁性層の膜厚は２００ｎｍである。

【００５１】そして、上記実施例１〜８のサンプルテー
プに対して、２５℃，湿度５０％の環境下でデジタル画
像信号の記録を行い、４５℃，湿度９０％の環境下に２
４時間放置した後、ドロップアウト及びエラーレートを
測定した。

【００５２】比較例１バックコート層の表面に塗布される硬化剤及び潤滑剤を
溶剤に溶かした混合液において、硬化剤の添加量を多く
した以外は、上記実施例と同様にして磁気テープを作成
し、これを比較例１のサンプルテープとした。そして、
このサンプルテープについても上記実施例と同様にして
ドロップアウト及びエラーレートを測定した。

【００５３】比較例２バックコート層の表面に塗布される硬化剤及び潤滑剤を
溶剤に溶かした混合液において、潤滑剤の添加量を多く
した以外は、上記実施例と同様にして磁気テープを作成
し、これを比較例２のサンプルテープとした。そして、
このサンプルテープについても上記実施例と同様にして
ドロップアウト及びエラーレートを測定した。

【００５４】比較例３また、硬化剤及び潤滑剤を溶剤に溶かした混合液を塗布
しなかった以外は、上記実施例と同様にして磁気テープ
を作成し、これを比較例３のサンプルテープとした。そ
して、また、比較例３のサンプルテープに対して２５
℃，湿度５０％の環境下でデジタル画像信号を記録し、
ドロップアウト及びエラーレートを測定した。

【００５５】比較例４さらに、上記比較例３のサンプルテープに対して２５
℃，湿度５０％の環境下でデジタル画像信号を記録した
後、４５℃，湿度９０％の環境下に２４時間放置してか
ら、ドロップアウト及びエラーレートを測定した。。

【００５６】特性の評価上述した実施例１〜８、比較例１〜４において測定され
たドロップアウト及びエラーレートを表１に併せて示
す。

【００５７】なお、上記ドロップアウトの測定はソニー
製ＥＶＳ−９００改造機を用い、記録信号は白５０％を
使用し、−１６ｄＢ１０μ秒以上のものを測定した。ま
た、上記エラーレートとしてはディジタルＶＴＲによる
画像情報の記録再生時のエラーレートを示した。

【００５８】比較例３と比較例４を比べると、高温多湿
環境下に長時間保存することにより、バックコート層に
含まれる顔料や未架橋成分の結合剤が剥離し磁性層側に
粘着するため、ドロップアウトが増加し、エラーレート
が著しく劣化することがわかる。

【００５９】一方、実施例１〜８より、バックコート層
形成後に硬化剤及び潤滑剤を溶剤に溶かした混合液を塗
布すると、顔料等の剥離が防止でき、ドロップアウト、
エラーレートともに劣化を抑えられることがわかる。

【００６０】しかし、比較例１のように硬化剤の添加量
が多すぎると、硬化剤自身が磁性層と粘着を起こしドロ
ップアウトやエラーレートを増加させてしまう。また、
比較例２のように潤滑剤の添加量が多すぎると、潤滑剤
が磁性層に転写し、ドラムやガイドとはりつきを起こし
易くなる。したがって、硬化剤の添加量は１０重量部以
下、潤滑剤の添加量も同様に１０重量部以下とすること
が好ましいことがわかる。

【００６１】以上の結果より、バックコート層表面に硬
化剤及び潤滑剤を適当量含む混合液を塗布することによ
り、バックコート層表面の未架橋結合剤や分散性の悪い
顔料が磁性層側に転写することを防止し、ドロップアウ
トやエラーレートの発生を抑えることができることがわ
かった。

【００６２】ここで、エラーレートを測定したデジタル
ＶＴＲの記録再生系について説明する。カラービデオ信
号をディジタル化して磁気テープ等の記録媒体に記録す
るディジタルＶＴＲとしては、放送局用のＤ１フォーマ
ットのコンポーネント形ディジタルＶＴＲ及びＤ２フォ
ーマットのコンポジット形ディジタルＶＴＲが実用化さ
れている。

【００６３】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。

【００６４】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００６５】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。

【００６６】したがって、例えばＤ１フォーマットのデ
ィジタルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用して
も高々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家
庭用のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００６７】そこで本実施例においては、例えば５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
するようにし、記録密度１．２５μｍ2 ／ｂｉｔを実現
するとともに、記録情報を再生歪みが少ないような形で
圧縮する方法を併用することによって、テープ幅が８mm
あるいはそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時
間の記録・再生が可能なディジタルＶＴＲに適用するも
のとする。

【００６８】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。ａ．信号処理部先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。

【００６９】図２は記録側の構成全体を示すものであ
り、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例え
ばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂから
形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号
Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のクロックレー
トはＤ１フォーマットの各コンポーネント信号の周波数
と同一とされる。すなわち、それぞれのサンプリング周
波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこ
れらの１サンプル当たりのビット数が８ビットとされて
いる。

【００７０】したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに
供給される信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂｐｓ
となる。この信号のうちブランキング時間のデータを除
去し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路
２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００７１】そして、上記有効情報抽出回路２の出力の
うちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換
される。周波数変換回路３としては、例えば間引きフィ
ルタが使用され、折り返し歪みが生じないようになされ
ている。この周波数変換回路３の出力信号は、ブロック
化回路５に供給され、輝度データの順序がブロックの順
序に変換される。ブロック化回路５は、後段に設けられ
たブロック符号化回路８のために設けられている。

【００７２】図４は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図４において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００７３】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。

【００７４】このサブサンプリング及びサブライン回路
４によってサブサンプル及びサブライン化された信号の
画素構成を図５に示す。図５中、○は第１の色差信号Ｕ
のサブサンプリング画素を示し、△は第２の色素信号Ｖ
のサンプリング画素を示し、×はサブサンプルによって
間引かれた画素の位置を示す。

【００７５】上記サブサンプリング及びサブライン回路
４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路６に供給
される。ブロック化回路６では一方のブロック化回路５
と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色差データ
がブロックの順序のデータに変換される。このブロック
化回路６は、一方のブロック化回路５と同様に、色差デ
ータを（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構
造に変換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロ
ック化回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００７６】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、この合成回路７の出力信号がブロック符号化回
路８に供給される。ブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅＣｏｓｉｎｅＴｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。前記ブロック符号化回路８からの出力
信号は、さらにフレーム化回路９に供給され、フレーム
構造のデータに変換される。このフレーム化回路９で
は、画素系のクロックと記録系のクロックとの乗り換え
が行われる。

【００７７】次いで、フレーム化回路９の出力信号がエ
ラー訂正符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラ
ー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回路
１０の出力信号はチャンネルエンコーダ１１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ１１
の出力信号が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ１１に供給される。

【００７８】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路８で圧
縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮され、
その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情報を
加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓとな
る。

【００７９】次に、再生側の構成について図３を参照し
ながら説明する。再生の際には、図３に示すように、先
ず磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ１４Ａ，１４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ１５に供給される。チャンネルデコーダ１５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ１５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）１６に供給される。このＴＢＣ回路１６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路１６からの再生データがＥＣＣ回路１７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路１７の出力信号がフレーム分解回路
１８に供給される。

【００８０】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００８１】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００８２】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００８３】ｂ．ブロック符号化図２におけるブロック符号化回路８としては、ＡＤＲＣ
（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃＲａｎｇｅＣｏ
ｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエン
コーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの最
大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値ＭＡ
Ｘ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレンジ
ＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応した
符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ないビ
ット数により、再量子化を行うものである。ブロック符
号化回路８の他の例としては、各ブロックの画素データ
をＤＣＴ（ＤｉｓｃｒｅｔｅＣｏｓｉｎｅＴｒａｎ
ｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数データ
を量子化し、量子化データをランレングス・ハフマン符
号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００８４】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図６を参照しながら説明する。図６におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図２の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００８５】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。

【００８６】減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のしき
い値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）のし
きい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回路
３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ供
給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量子
化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定値
としてもよい。

【００８７】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００８８】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、この減算回路４１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００８９】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００９０】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００９１】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００９２】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００９３】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。

【００９４】量子化回路４４では、ダイナミックレンジ
ＤＲ´と割り当てビット数ｎとを用いて遅延回路４９を
介された最小値除去後のデータＰＤＩがエッジマッチン
グの量子化により、コード信号ＤＴに変換される。量子
化回路４４は、例えばＲＯＭで構成されている。

【００９５】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００９６】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ次に、図２のチャンネルエンコーダ１１及びチャンネル
デコーダ１５について説明する。

【００９７】チャンネルエンコーダ１１においては、図
７に示すように、パリティ発生回路１０の出力が供給さ
れる適応型スクランブル回路で、複数のＭ系列のスクラ
ンブル回路５１が用意され、その中で入力信号に対し最
も高周波成分及び直流成分の少ない出力が得られるよう
なＭ系列が選択されるように構成されている。パーシャ
ルレスポンス・クラス４検出方式のためのプリコーダ５
２で、１／１−Ｄ2 （Ｄは単位遅延用回路）の演算処理
がなされる。このプリコーダ５２の出力を記録アンプ１
２Ａ，１３Ａを介して磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂによ
り、記録再生し、再生出力を再生アンプ１４Ａ，１４Ｂ
によって増幅するようになされている。

【００９８】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図８に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。

【００９９】このビタビ複号回路５４の出力がディスク
ランブル回路５５に供給され、記録側のスクランブル処
理によって並び変えられたデータが元の系列に戻されて
原データが復元される。この実施例において用いられる
ビタビ複号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場
合よりも、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【０１００】ｄ．走行系磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂは、図９に示す
ように、一体構造とされた形でドラム７６に取付けられ
る。ドラム７６の周面には、１８０°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ（図示
せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド１３
Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。

【０１０１】また、前記磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッ
ド１３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド１３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド１３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【０１０２】図１０及び図１１は、磁気ヘッド１３Ａ，
１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム７６に一体構造の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂが取り付けられ、下ドラム７７が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ７８の巻き付け角θは１６
６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【０１０３】したがって、磁気テープ７８には、１フィ
ールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【０１０４】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【０１０５】なお、本発明の磁気記録媒体は、上述した
実施例に限定されるものではなく、材料、製造条件等、
種々の変形変更が可能である。例えば、本実施例におい
ては、バックコート層を形成し乾燥させた後、上記硬化
剤及び潤滑剤を含む混合液を塗布したが、この塗布の時
期はバックコート層の乾燥工程が終了した後でも、乾燥
工程を行なう前でもよい。

【０１０６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、バッ
クコート層表面にイソシアネート基を主成分とする硬化
剤及び潤滑剤を含む混合液を塗布することにより、バッ
クコートの耐久性を向上させることができる。また、高
温多湿環境下のような苛酷な環境でも保存特性、走行耐
久性に優れた高密度磁気記録に最適な磁気記録媒体を提
供することができる。また、テープの機械強度の劣化を
小さく抑えながらテープの薄型化が可能となり記録再生
装置の小型化または長時間化に寄与することとなる。

【０１０７】さらに、上述のような磁気記録媒体は、ド
ロップアウトやエラーレートを低く抑えられるので、デ
ィジタル画像信号の記録に適したものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】蒸着装置の一構成例を示す模式図である。

【図２】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図３】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図４】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図５】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図６】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図７】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図８】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図９】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面図
である。

【図１０】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１１】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。

【符号の説明】

１Ｙ，１Ｕ，１Ｖ・・・コンポーネント信号の入力端子５，６・・・・ブロック化回路８・・・・・ブロック符号化回路１１・・・・チャンネルエンコーダ１３Ａ，１３Ｂ・・・・磁気ヘッド１５・・・・チャンネルデコーダ１９・・・・ブロック復号回路２１，２２・・・・ブロック分解回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上の一主面に金属磁性薄膜
よりなる磁性層が形成され、前記磁性層が形成されてい
る面とは反対側の主面にバックコート層が形成されてな
る磁気記録媒体において、上記バックコート層表面にはイソシアネート基を有する
硬化剤が保持されていることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】イソシアネート基を有する硬化剤及び潤
滑剤を含有する混合液がバックコート層表面に塗布され
てなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】入力ディジタル画像信号を複数の画素デ
ータからなるブロック単位のデータに変換してブロック
化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮
符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号
化し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに
装着された磁気ヘッドにより記録されるものであり、且つ、磁性層の残留磁束密度、厚さ及び抗磁力の積であ
るエネルギー積が７５Gauss ・cm・Oe以上であることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。