JPH064851A

JPH064851A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH064851A
Application number: JP18614892A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤; Yuichi Arizaka; 裕一蟻坂; Tsutomu Takeda; 勉武田; Yukari Yamada; ゆかり山田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-06-19
Filing date: 1992-06-19
Publication date: 1994-01-14

Abstract

(57)【要約】【目的】優れた表面性並びに十分な耐久性を有する磁
気記録媒体を提供し、ディジタル画像信号を再生したと
きのビットエラーレート（エラー訂正前）を１×１０^-4
以下に低減する。【構成】非磁性支持体に金属磁性薄膜よりなる磁性層
を形成し、磁性層の面内方向で測定した残留磁束密度と
厚さと抗磁力の積であるエネルギー積を７５ＧｃｍＯｅ
以上とする。また、磁性体の表面粗さを中心線平均粗さ
Ｒａで０．００３μｍ以下とし、表面に無機材料または
カーボンより選ばれた材料よりなる保護膜を形成する。
保護膜の形成方法としては、スパッタまたはＣＶＤであ
る。前記磁気記録媒体に対して、入力ディジタル画像信
号をブロック化、圧縮符号化、チャンネル符号化して回
転ドラムに装着された磁気ヘッドにより記録を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディジタルビデオ信号
等のディジタル画像信号を記録する為に用いて好適な磁
気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カラ−ビデオ信号をディジタル化
して磁気テ−プ等の記録媒体に記録するディジタルＶＴ
Ｒとしては、放送局用のＤ１フォ−マットのコンポ−ネ
ント型のディジタルＶＴＲおよびＤ２フォ−マットのコ
ンポジット型のディジタルＶＴＲが実用化されている。

【０００３】前者のＤ１フォ−マットのディジタルＶＴ
Ｒは、輝度信号および第一、第二の色差信号をそれぞれ
１３．５ＭＨｚ，６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数
でＡ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行なって磁気テ
−プ上に記録するもので、これらコンポ−ネント成分の
サンプリング周波数の比が４：４：２であることから、
４：４：２方式とも称されている。

【０００４】後者のＤ２フォ−マットのディジタルＶＴ
Ｒは、コンポジットカラ−ビデオ信号をカラ−副搬送波
信号の周波数ｆｓｃの４倍の周波数の信号でサンプリン
グを行なってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行なった
後、磁気テ−プに記録するようにしている。これらディ
ジタルＶＴＲは、共に、放送局用に使用されることを前
提にして設計されているため、画質最優先とされ、１サ
ンプルが例えば８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタル
カラ−ビデオ信号を実質的に圧縮することなしに、記録
するようにしている。

【０００５】一例として、前者のＤ１フォ−マットのデ
ィジタルＶＴＲについて説明する。カラ−ビデオ信号の
情報量は、上述のサンプリング周波数で、各サンプルあ
たり８ビットでＡ／Ｄ変換した場合に、約２１６Ｍｂｐ
ｓ（メガビット／秒）の情報量となる。このうち、水平
および垂直のブランキング期間のデ−タをのぞくと、１
水平期間の輝度信号の有効画素数が７２０、色差信号の
有効画素数が３６０となり、各フィ−ルドの有効走査線
数がＮＴＳＣ方式（５２５／６０）では２５０となるの
で、１秒間の映像信号のデ−タ量Ｄｖは、Ｄｖ＝（７２０＋３６０＋３６０）×８×２５０×６０＝１７２．８Ｍｂｐｓとなる。

【０００６】ＰＡＬ方式（６２５／５０）でもフィ−ル
ド毎の有効走査線数が３００で、１秒間でのフィ−ルド
数が５０であることを考慮すると、そのデ−タ量がＮＴ
ＳＣ方式と等しくなることがわかる。これらのデ−タに
エラ−訂正およびフォ−マット化のための冗長成分を加
味すると、映像デ−タのビットレ−トが合計で約２０
５．８Ｍｂｐｓとなる。

【０００７】また、オ−ディオ・デ−タＤａは約１２．
８Ｍｂｐｓとなり、さらに編集用のギャップ、プリアン
プル、ポストアンプル等の付加デ−タＤｏが約６．６Ｍ
ｂｐｓとなるので、記録デ−タ全体の情報量Ｄｔは以下
の通りとなる。Ｄｔ＝Ｄｖ＋Ｄａ＋Ｄｏ＝１７２．８＋１２．８＋６．６＝２２５．２Ｍｂｐｓ

【０００８】この情報量を有するデ−タを記録するた
め、Ｄ１フォ−マットのディジタルＶＴＲでは、トラッ
クパタ−ンとして、ＮＴＳＣ方式では１フィ−ルドで１
０トラック、また、ＰＡＬ方式では１２トラックを用い
るセグメント記録方式が採用されている。また、記録テ
−プとしては、１９ｍｍ幅のものが使用され、テ−プ厚
さは、１３μｍと１６μｍの２種類があり、これを収納
するカセットには大、中、小の３種類のものが用意され
ている。これらのテ−プに上述したフォ−マットで情報
デ−タを記録しているため、デ−タの記録密度としては
約２０．４μｍ²／ｂｉｔ程度となっている。

【０００９】以上のパラメ−タを総合すると、Ｄ１フォ
−マットのディジタルＶＴＲの各サイズのカセットの再
生時間は下記の通りとなる。

【００１０】このように、Ｄ１フォ−マットのディジタ
ルＶＴＲは放送局のＶＴＲとして、画質最優先の性能を
求めたものとしては、十分のものではあるが、１９ｍｍ
幅を有するテ−プを装着した大型のカセットを使用して
も、高々、１．５時間程度の再生時間しか得られず、家
庭用のＶＴＲとして使用するには、頗る不適当なものと
いえる。

【００１１】一方、例えば５μｍのトラック幅に対して
最短波長０．５μｍの信号を記録するようにすれば、
１．２５μｍ²／ｂｉｔの記録密度を実現することがで
き、記録情報量を再生歪みが少ないような形で圧縮する
方法を併用することによって、テ−プ幅が８ｍｍあるい
はそれ以下の幅狭の磁気テ−プを使用しても長時間の記
録再生が可能となる。

【００１２】しかしながら、記録密度を上述の様に１．
２５μｍ²／ｂｉｔ程度に高めると、電磁変換特性不足
による磁気記録媒体の再生時のビットエラ−レ−トが非
常に高くなってしまうという問題があった。

【００１３】また、一方において磁気記録媒体の開発研
究も盛んに行われており、従来からの磁気記録媒体とし
ては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁
性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニルー酢酸ビニル系共
重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタ
ン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を
塗布、乾燥することにより作成される塗布型の磁気記録
媒体が広く使用されている。

【００１４】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
は抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に
優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くでき
る為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材であるそのバインダーを混入す
る必要が無いため磁性材料の充填密度を高めることが出
来ることなど、数々の利点を有している。

【００１５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。この斜方蒸着技術を使用したいわ
ゆる蒸着テ−プを使用することで前述の電磁変換特性の
不足を補うということも検討されている。

【００１６】しかし、これら金属薄膜型の磁気記録媒体
は耐久性、耐錆性に問題があると言われており、従来よ
りコーティングによる潤滑剤、防錆剤などの有機材料の
検討や微粒子を磁性層形成前に非磁性支持体上に塗布す
るいわゆる、下塗技術の検討がなされてきた。しかし、
これらの技術では、特殊な環境下に於ける使用や業務用
の仕様に充分に満足できる特性を実現できないため新た
な手法として真空薄膜形成手段による表面保護膜の検討
が行われてきた。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な高い記録密度で記録を行うための磁気テープとして、
金属蒸着テープ（ＭＥテープ）の採用が検討されてい
る。従来、このＭＥテープの表面設計においては、磁性
層の支持体となるベースに内添されたフィラーとベース
表面の有機物（高分子エマルジョン等）または無機物
（SiＯ₂等）との突起高さの異なる二種類の粒子を存在
させるようにしていた。

【００１８】しかし、ベースに内添されたフィラーによ
る大きな突起とベース表面の粒子による小さな突起との
間に高さの差がありすぎると、磁気テープの摺動により
磁気ヘッドの耐摩耗性に劣る部分（例えば、ガラスやセ
ンダスト合金で構成された部分）の摩耗が生じたり、磁
気テープと磁気ヘッドとの間にスペーシングが生じたり
して、磁気テープからの再生出力のレベルダウン量が多
く、電磁変換特性の劣化が生じていた。

【００１９】従って、この発明の目的は、磁気記録媒体
に記録されたディジタル画像信号の再生出力のエラー訂
正を行う前のビットエラーレートを１×１０^-4以下に低
減することができるディジタル画像信号の磁気記録用の
磁気記録媒体を提供することにある。また、この発明の
他の目的は、磁気記録媒体の耐久性の向上をはかり、電
磁変換特性の劣化を抑えることができるディジタル画像
信号の磁気記録用の磁気記録媒体を提供することにあ
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非磁性支持体に金属磁性薄膜よりなる磁
性層を形成し、磁性層の面内方向で測定した残留磁束密
度と厚さと抗磁力との積よりなるエネルギ−積は７５Ｇ
ｃｍＯｅ以上であり、表面粗さは中心線平均粗さで０．
００３μｍ以下であるとともに、無機材料またはカーボ
ンより選ばれた１種または複数の材料からなる保護膜を
有することを特徴とするものである。

【００２１】また、本発明は、入力ディジタル画像信号
を複数の画素データからなるブロック単位のデータに変
換してブロック化し、該ブロック化されたデータをブロ
ック単位に圧縮符号化し、該圧縮符号化されたデータを
チャンネル符号化し、該チャンネル符号化されたデータ
を回転ドラムに装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒
体に記録するようにしたディジタル画像信号の磁気記録
装置で使用される磁気記録媒体において、当該磁気記録
媒体は非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層を
形成してなり、磁性層の面内方向で測定した残留磁束密
度と厚さと抗磁力との積よりなるエネルギ−積は７５Ｇ
ｃｍＯｅ以上であり、磁気記録媒体の表面粗さは中心線
平均粗さで０．００３μｍ以下であるとともに、磁性層
表面に無機材料またはカ−ボンより選ばれた１種または
複数の材料からなる保護膜を形成することを特徴とす
る。

【００２２】本発明に係わる保護膜の形成手段は真空薄
膜形成手段により形成された磁性薄膜媒体を走行させな
がらスパッタ法またはＣＶＤ法のいずれかより選ばれた
成膜手段により保護膜を作成することを特徴とする。本
発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性材料よりなる
非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を設けてな
る金属薄膜型の磁気テープ（いわゆる蒸着テープ）であ
り、かつ、その表面にスパッタ法により保護膜が形成さ
れたものである。

【００２３】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
を直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として
形成されているがこの金属磁性材料としては、通常の蒸
着テ−プに使用されるものであれば如何なるものであっ
てもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁性
金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。これらの
単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さらに
は、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、あるいは多層膜の
場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等
のため、下地層または、中間層を設けてもよい。また、
例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物と
なっていてもよい。

【００２４】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行う
イオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲
気中でグロー放電を越こし生じたアルゴンイオンでター
ゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆる
ＰＶＤ技術によればよい。

【００２５】また、上記非磁性支持体上に形成された強
磁性金属材料上にはスパッタ法により保護膜層が形成さ
れているがこの材料としては、通常の金属磁性薄膜用保
護膜として一般に使用されるものであれば如何なるもの
であってもよい。例示すれば、カーボン、ＣｒＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂、Ｚｒ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔａ、ＣｒＴｉ合金、Ｃ
ｒＺｒ合金、ＣｒＮｂ合金、ＣｒＴａ合金、ＣｒＡｌ合
金、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｒ−Ｆｅ合金等があげられる。これ
らの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。あ
るいは、前記保護膜層をＣＶＤ法によって形成してもよ
く、この場合にはカーボン、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ等が使用可能であ
る。

【００２６】もちろん、本発明にかかる磁気テープの構
成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコー
ト層を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成した
り、潤滑剤、防錆剤などの層を形成することは何等差し
支えない。この場合、バックコート層に含まれる非磁性
顔料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれる
材料としては従来公知のものがいずれも使用できる。

【００２７】

【作用】磁気記録媒体の磁性層の面内方向で測定したエ
ネルギ−積が７５ＧｃｍＯｅ以上であり、磁気記録媒体
の表面粗さは中心線平均粗さで０．００３μｍ以下であ
るとともに、無機材料またはカーボンより選ばれた１種
または複数の材料からなりスパッタあるいはＣＶＤによ
り成膜された保護膜を有することにより、デ−タの記録
密度を１μｍ²／ｂｉｔ程度に高めても、磁気記録媒体
に記録されたディジタル画像信号の再生出力のエラ−訂
正を行なう前のビットエラ−レ−トを１×１０^-4以下に
低減することができるとともに、耐久性に優れた磁気記
録媒体を提供することができる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。この説明は、下記の順序に従ってなされる。ａ．信号処理部ｂ．ブロック符号化ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダｄ．ヘッド・テープ系ｅ．電磁変換系

【００２９】ａ．信号処理部まず、この一実施例のディジタルＶＴＲの信号処理部に
ついて説明する。図１は記録側の構成を全体として示す
ものである。符号１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力
端子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号
Ｒ、Ｇ、Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディ
ジタル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号
のクロックレートは上述のＤ１フォーマットの各コンポ
ーネント信号の周波数と同一とされる。すなわち、それ
ぞれのサンプリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５
ＭＨｚとされ、かつこれらの１サンプル当たりのビット
数が８ビットとされている。従って、入力端子１Ｙ、１
Ｕ、１Ｖに供給される信号のデータ量としては、上述し
たように、約２１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブ
ランキング期間のデータを除去し、有効領域の情報のみ
を取り出す有効情報抽出回路２によってデータ量が約１
６７Ｍｂｐｓに圧縮される。有効情報抽出回路２の出力
のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サ
ンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変
換される。この周波数変換回路３としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。周波数変換回路３の出力信号がブロック
化回路５に供給され、輝度データの順序がブロックの順
序に変換される。ブロック化回路５は、後段に設けられ
たブロック符号化回路８のために設けられている。

【００３０】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームにまたがる画面を分割することにより、図３に示
すように、（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブ
ロックが多数形成される。図３において、実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００３１】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
二つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、二つのデ
ィジタル色差信号が交互にライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。従って、このサブサンプ
リング及びサブライン回路４からは線順次化されたディ
ジタル色差信号が得られる。この回路４によってサブサ
ンプル及びサブライン化された信号の画素構成を図４に
示す。図４において、○は第１の色差信号Ｕのサンプリ
ング画素を示し、△は第２の色差信号Ｖのサンプリング
画素を示し、×はサブサンプルによって間引かれた画素
の位置を示す。

【００３２】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次出力信号がブロック化回路６に供給される。ブロ
ック化回路６では、ブロック化回路５と同様に、テレビ
ジョン信号の走査の順序の色差データがブロックの順序
のデータに変換される。このブロック化回路６は、ブロ
ック化回路５と同様に、色差データを（４ライン×４画
素×２フレーム）のブロック構造に変換する。ブロック
化回路５及び６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００３３】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、合成回路７の出力信号がブロック符号化回路８
に供給される。このブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する）、ＤＣＴ回路等が適
用できる。ブロック符号化回路８の出力信号がフレーム
化回路９に供給され、フレーム構造のデータに変換され
る。このフレーム化回路９では、画像系のクロックと記
録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００３４】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ、１２Ｂ及び回転トランス（図示せ
ず）を介して磁気ヘッド１３Ａ、１３Ｂに供給され、磁
気テープに記録される。

【００３５】なお、図示は省略するが、オーディオ信号
は、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チャンネルエ
ンコーダに供給される。

【００３６】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出することによ
って約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換と
サブサンプル及びサブラインとによって、これが８４Ｍ
ｂｐｓに減少される。このデータは、ブロック符号化回
路８で圧縮符号化することにより約２５Ｍｂｐｓに圧縮
され、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な
情報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐ
ｓ程度となる。

【００３７】次に、再生側の構成について図２を参照し
て説明する。図２において磁気ヘッド１３Ａ、１３Ｂか
らの再生データが回転トランス（図示せず）及び再生ア
ンプ２１Ａ、２１Ｂを介してチャンネルデコーダ２２に
供給される。チャンネルデコーダ２２において、チャン
ネルコーディングの復調がされ、チャンネルデコーダ２
２の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）２３に供
給される。このＴＢＣ回路２３において、再生信号の時
間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回路２３からの再生
データがＥＣＣ回路２４に供給され、エラー訂正符号を
用いたエラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回
路２４の出力信号がフレーム分解回路２５に供給され
る。

【００３８】フレーム分解回路２５によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されると共に、記
録系のクロックから画像系のクロックへの乗り換えがな
される。フレーム分解回路２５で分離された各データが
ブロック復号回路２６に供給され、各ブロック単位に原
データと対応する復元データが復号され、復号データが
分配回路２７に供給される。この分配回路２７で、復号
データが輝度信号と色差信号とに分離される。これらの
輝度信号及び色差信号がブロック分解回路２８及び２９
にそれぞれ供給される。ブロック分解回路２８及び２９
は、送信側のブロック化回路５及び６と逆に、ブロック
の順序の復号データをラスター走査の順に変換する。

【００３９】ブロック分解回路２８からの復号輝度信号
が補間フィルタ３０に供給される。補間フィルタ３０で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆs から４ｆs
（４ｆs ＝１３．５ＭＨｚ) に変換される。補間フィル
タ３０からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子３３Ｙに
取り出される。

【００４０】一方、ブロック分解回路２９からのディジ
タル色差信号が分配回路３１に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ、Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路３１からのディジ
タル色差信号Ｕ及びＶが補間回路３２に供給され、それ
ぞれ補間される。補間回路３２は、復元された画素デー
タを用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間す
るもので、この補間回路３２からは、サンプリングレー
トが４ｆs のディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出
力端子３３Ｕ、３３Ｖにそれぞれ取り出される。

【００４１】ｂ．ブロック符号化上述の図１におけるブロック符号化回路８としては、先
に本出願人が出願した特願昭５９−２６６４０７号、特
願昭５９−２６９８６６号等に示されるＡＤＲＣ(Adapt
ive Dynamic Range Coding) エンコーダが用いられる。
このＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複数
の画素データの最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮを検出
し、これらの最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロッ
クのダイナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミッ
クレンジＤＲに適応した符号化を行い、原画素データの
ビット数よりも少ないビット数により、再量子化を行う
ものである。ブロック符号化回路８の他の例として、各
ブロックの画素データをＤＣＴ(Discrete Cosine Trans
form) した後、このＤＣＴで得られた係数データを量子
化し、量子化データをランレングス・ハフマン符号化し
て圧縮符号化する構成を用いても良い。

【００４２】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照して説明する。図５において、
符号４１で示す入力端子に、例えば１サンプルが８ビッ
トに量子化されたディジタルビデオ信号（或いはディジ
タル色差信号）が図１の合成回路７より入力される。

【００４３】入力端子４１からのブロック化データが最
大値、最小値検出回路４３及び遅延回路４４に供給され
る。最大値、最小値検出回路４３は、ブロック毎に最小
値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸを検出する。遅延回路４４は、
最大値及び最小値が検出されるのに要する時間、入力デ
ータを遅延させる。遅延回路４４からの画素データが比
較回路４５及び比較回路４６に供給される。

【００４４】最大値、最小値検出回路４３からの最大値
ＭＡＸが減算回路４７に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路４８に供給される。これらの減算回路４７及び加算
回路４８には、ビットシフト回路４９から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化をした場合の１量子化
ステップ幅の値（Δ＝（１／１６）ＤＲ）が供給され
る。ビットシフト回路４９は、（１／１６）の割算を行
うように、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトす
る構成とされている。減算回路４７からは、（ＭＡＸ−
Δ）のしきい値が得られ、加算回路４８からは、（ＭＩ
Ｎ＋Δ）のしきい値が得られる。これらの減算回路４７
及び加算回路４８からのしきい値が比較回路４５及び４
６にそれぞれ供給される。

【００４５】なお、このしきい値を規定する値Δは、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としても良い。比較回路４５の出力信号がＡＮＤゲー
ト５０に供給され、比較回路４６の出力信号がＡＮＤゲ
ート５１に供給される。ＡＮＤゲート５０及び５１に
は、遅延回路４４からの入力データが供給される。比較
回路４５の出力信号は、入力データがしきい値より大き
い時にハイレベルとなり、従って、ＡＮＤゲート５０の
出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範
囲に含まれる入力データの画素データが抽出される。比
較回路４６の出力信号は、入力データがしきい値より小
さい時にハイレベルとなり、従って、ＡＮＤゲート５１
の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル
範囲に含まれる入力データの画素データが抽出される。

【００４６】ＡＮＤゲート５０の出力信号が平均化回路
５２に供給され、ＡＮＤゲート５１の出力信号が平均化
回路５３に供給される。これらの平均化回路５２及び５
３は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子５４
からブロック周期のリセット信号がこれらの平均化回路
５２及び５３に供給されている。平均化回路５２から
は、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範囲に属する
画素データの平均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路５３
からは、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル範囲に属
する画素データの平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値Ｍ
ＡＸ´から平均値ＭＩＮ´が減算回路５５で減算され、
減算回路５５からダイナミックレンジＤＲ´が得られ
る。

【００４７】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路５６に供
給され、遅延回路５７を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路５６において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路５８
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を伝送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路５９において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路５８に供給される。

【００４８】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が伝送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが伝送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００４９】このような可変長ＡＤＲＣでは、しきい値
Ｔ１〜Ｔ４を変えることにより、発生情報量を制御する
こと（いわゆるバッファリング）ができる。従って、１
フィールド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所
定値にすることが要求されるこの発明のディジタルＶＴ
Ｒのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを適用でき
る。

【００５０】図５において、符号６０は、発生情報量を
所定値にするためのしきい値Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッ
ファリング回路を示す。バッファリング回路６０では、
しきい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば
３２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメ
ータコードＰｉ（ｉ＝０、１、２、・・、３１）により
区別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくな
るに従って、発生情報量が単調に減少するように設定さ
れている。但し、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００５１】バッファリング回路６０からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路６１に供給され、遅延回路６２を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路６１に供給
される。遅延回路６２は、バッファリング回路６０でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路６１では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路５９に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路５８で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路６３を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路５８は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００５２】遅延回路６２及び６４をそれぞれ介して修
整されたダイナミックレンジＤＲ´及び平均値ＭＩＮ´
が出力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示
すパラメータコードＰｉが出力される。この例では、一
旦ノンエッジマッチ量子化された信号が新たなダイナミ
ックレンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されて
いるためにダビングした時の画像劣化は少ないものとさ
れる。

【００５３】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダ次に、図１のチャンネルエンコーダ１１及びチャンネル
デコーダ２２について説明する。これらの回路の詳細に
ついては、本出願人が出願した特願平１−１４３４９１
号にその具体構成が開示されているが、その概略構成に
ついて図６及び図７を参照して説明する。

【００５４】図６において、符号７１は、図１のパリテ
ィ発生回路１０の出力が供給される適応型スクランブル
回路で、複数のＭ系列のスクランブル回路が用意され、
その中で入力信号に対し高周波成分及び直流成分の最も
少ない出力が得られるようなＭ系列が選択されるように
構成されている。符号７２がパーシャルレスポンス・ク
ラス４検出方式のためのプリコーダで１／１−Ｄ2 （Ｄ
は単位遅延用回路）の演算処理がなされる。このプリコ
ーダ出力を記録アンプ１２Ａ、１２Ｂを介して磁気ヘッ
ド１３Ａ、１３Ｂにより記録・再生し、再生出力を再生
アンプ２１Ａ、２１Ｂによって増幅するようになされて
いる。

【００５５】チャンネルデコーダ２２の構成を示す図７
において、符号７３がパーシャルレスポンス・クラス４
の再生側の演算処理回路を示し、１＋Ｄの演算が再生ア
ンプ２１Ａ、２１Ｂの出力に対して行われる。符号７４
がいわゆるビタビ復号回路を示し、演算処理回路７３の
出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用いた演
算により、ノイズに強いデータの復号が行われる。この
ビタビ復号回路７４の出力がディスクランブル回路７５
に供給され、記録側でのスクランブル処理によって並び
かえられたデータが元の系列に戻されて原データが復元
される。この実施例において用いられるビタビ復号回路
７４によって、ビット毎の復号を行う場合よりも、再生
Ｃ／Ｎ換算で３ｄＢの改善がなされる。

【００５６】ｄ．テープ・ヘッド系上述の磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂは、図８Ａに示すよ
うに、回転ドラム７６に対して、１８０°の対向間隔で
取りつけられている。或いは図８Ｂに示すように、磁気
ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが一体構造とされた形でドラム
７６に取りつけられる。ドラム７６の周面には、１８０
°よりやや大きいか、またはやや少ない巻き付け角で磁
気テープ（図示せず）が斜めに巻きつけられている。図
８Ａに示すヘッド配置では、磁気テープに対して磁気ヘ
ッド１３Ａ及び１３Ｂがほぼ交互に接し、図８Ｂに示す
ヘッド配置では、磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが同時に
磁気テープを走査する。

【００５７】磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂのそれぞれの
ギャップの延長方向（アジマス角と称する）が異ならさ
れている。例えば図９に示すように、磁気ヘッド１３Ａ
と１３Ｂとの間に、±２０°のアジマス角が設定されて
いる。このアジマス角の相違により、磁気テープには、
図１０に示すような記録パターンが形成される。この図
１０からわかるように、磁気テープ上に形成された隣合
うトラックＴＡ及びＴＢは、アジマス角が相違した磁気
ヘッド１３Ａ及び１３Ｂによりそれぞれ形成されたもの
となる。従って、再生時には、アジマス損失により、隣
合うトラック間のクロストーク量を低減することができ
る。

【００５８】図１１Ａ及び図１１Ｂは、磁気ヘッド１３
Ａ、１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッ
ド）とした場合のより具体的な構成を示す。例えば１５
０rps（ＮＴＳＣ方式）の高速で回転される上ドラム７
６に対して、一体構造の磁気ヘッド１３Ａ及び１３Ｂが
取りつけられ、下ドラム７７が固定とされている。従っ
て、磁気テープ７８には、１フィールドのデータが５本
のトラックに分割して記録される。このセグメント方式
により、トラックの長さを短くすることができ、トラッ
クの直線性のエラーを小さくできる。磁気テープ７８の
巻き付け角θは例えば１６６°とされ、ドラム径φは１
６．５mmとされている。

【００５９】また、ダブルアジマスヘッドを使用し、同
時記録を行っている。通常、上ドラム７６の回転部の偏
心等により、磁気テープ７８の振動が生じ、トラックの
直線性のエラーが発生する。図１２Ａに示すように、磁
気テープ７８が下側に押さえつけられ、また、図１２Ｂ
に示すように、磁気テープ７８が上側に引っ張られ、こ
れにより磁気テープ７８が振動し、トラックの直線性が
劣化する。しかしながら、ダブルアジマスヘッドで同時
記録を行うことにより、１８０°で一対の磁気ヘッドが
対向配置されたものと比較して、この直線性のエラー量
を小さくすることができる。さらに、ダブルアジマスヘ
ッドは、ヘッド間の距離が小さいので、ペアリング調整
をより正確に行うことができるという利点がある。この
ようなテープ・ヘッド系により、狭い幅のトラックの記
録・再生を行うことができる。

【００６０】ｅ．電磁変換系次にこの発明に用いられる電磁変換系について説明す
る。まず、本実施例において使用した蒸着テープの製造
装置の構成について説明する。図１３に示す様に、この
製造装置においては、頭部と低部にそれぞれ設けられた
排気口８１から排気されて内部が真空状態となされた真
空室８２内に、図中時計回り方向に定速回転する送りロ
ール８３と、同じく図中の時計回り方向に定速回転する
巻取りロール８４とが設けられ、これら送りロール８３
から巻取りロール８４にテープ状の非磁性支持体８５が
順次走行するようになされている。

【００６１】これら送りロール８３から巻取りロール８
４側に上記非磁性支持体８５が走行する中途部には、上
記各ロール８３、８４の径よりも大径となされた冷却キ
ャン８６が設けられている。この冷却キャン８６は、上
記非磁性支持体８５を図中下方に引き出す様に設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
尚、上記送りロール８３、巻取りロール８４、及び、冷
却キャン８６は、それぞれ非磁性支持体８５の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記冷却
キャン８６には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体８５の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。

【００６２】従って、上記非磁性支持体８５は、送りロ
ール８３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン８
６の周面を通過し、巻取りロール８４に巻取られていく
ようになされている。尚、上記送りロール８３と上記冷
却キャン８６との間及び該冷却キャン８６と上記巻取り
ロール８４との間にはそれぞれガイドロール８７、８８
が配設され、上記送りロール８３から冷却キャン８６及
び該冷却キャン８６から巻取りロール８４にわたって走
行する非磁性支持体８５に所定のテンションをかけ、該
非磁性支持体８５が円滑に走行するようになされてい
る。また、上記真空室内には、上記冷却キャン８６の下
方にルツボ８９が設けられ、このルツボ８９内に金属磁
性材料９０が充填されている。このルツボ８９は、上記
冷却キャン８６の長さと略同一の幅を有してなる。

【００６３】一方、上記真空室８２の側壁部には、上記
ルツボ８９内に充填された金属磁性材料９０を加熱蒸発
させるための電子銃９１が取り付けられる。この電子銃
９１は、当該電子銃９１より放出される電子線Ｘが上記
ルツボ８９内の金属磁性材料９０に照射されるような位
置に配設される。そして、この電子銃９１によって蒸発
した金属磁性材料９０が上記冷却キャン８６の周面を定
速走行する非磁性支持体８５上に磁性層として被着形成
されるようになっている。

【００６４】また、上記冷却キャン８６と上記ルツボ８
９との間であって該冷却キャン８６の近傍には、シャッ
タ９２が配設されている。このシャッタ９２は、上記冷
却キャン８６の周面を定速走行する非磁性支持体８５の
所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ９２により
上記蒸発せしめられた金属磁性材料９０が上記非磁性支
持体２に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるよう
になっている。更に、このような蒸着に際し、上記真空
室８２の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口９
３を介して非磁性支持体８５の表面に酸素ガスが供給さ
れ、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られてい
る。

【００６５】次に、本実施例において使用したスパッタ
製造装置の構成について説明する。図１４に示す様に、
この製造装置においては、頭部と低部にそれぞれ設けら
れた排気口１１１から排気されて内部が真空状態となさ
れた真空室１１２内に、図中計回り方向に定速回転する
送りロール１１３と、同じく図中の時計回り方向に定速
回転する巻取りロール１１４とが設けられ、これら送り
ロール１１３から巻取りロール１１４にテープ状の非磁
性支持体１１５が順次走行するようになされている。

【００６６】これら送りロール１１３から巻取りロール
１１４側に上記非磁性支持体１１５が走行する中途部に
は、上記各ロール１１３、１１４の径よりも大径となさ
れた円筒キャン１１６が設けられている。この円筒キャ
ン１１６は、上記非磁性支持体１１５を図中下方に引き
出す様に設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する
構成とされる。尚、上記送りロール１１３、巻取りロー
ル１１４、及び、円筒キャン１１６は、それぞれ非磁性
支持体１１５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記円筒キャン１１６には、内部に図示
しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１１５の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。

【００６７】従って、上記非磁性支持体１１５は、送り
ロール１１３から順次送り出され、さらに上記冷却キャ
ン１１６の周面を通過し、巻取りロール１１４に巻取ら
れていくようになされている。尚、上記送りロール１１
３と上記円筒キャン１１６との間及び該冷却キャン１１
６と上記巻取りロール１１４との間にはそれぞれガイド
ロール１１７、１１８が配設され、上記送りロール１１
３から円筒キャン１１６及び該円筒キャン１１６から巻
取りロール１１４にわたって走行する非磁性支持体１１
５に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１１５が
円滑に走行するようになされている。また、上記真空室
内には、上記円筒キャン１１６の下方にカソードターゲ
ット１１９が設けられ、このカソードターゲット１１９
表面に保護膜材料１２０が接着されている。このカソー
ドターゲット１１９は、上記円筒キャン１１６の長さと
略同一の幅を有してなる。尚、本実施例では、円筒キャ
ンは冷却されているが、保護膜と磁性膜の接着強度をあ
げるため適宜加熱した状態でもよい。

【００６８】さらに、本実施例において使用したキャン
対抗電極型プラズマＣＶＤ製造装置の構成について説明
する。図１５に示す様に、この製造装置においては、頭
部と低部にそれぞれ設けられた排気口１２１から排気さ
れて内部が真空状態となされた真空室１２２内に、図中
の時計回り方向に定速回転する送りロール１２３と、同
じく図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール１
２４とが設けられ、これら送りロール１２３から巻取り
ロール１２４にテープ状の非磁性支持体１２５が順次走
行するようになされている。

【００６９】これら送りロール１２３から巻取りロール
１２４側に上記非磁性支持体１２５が走行する中途部に
は、上記各ロール１２３、１２４の径よりも大径となさ
れた円筒キャン１２６が設けられている。この円筒キャ
ン１２６は、上記非磁性支持体１２５を図中下方に引き
出す様に設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する
構成とされる。尚、上記送りロール１２３、巻取りロー
ル１２４、及び、円筒キャン１２６は、それぞれ非磁性
支持体１２５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記円筒キャン１２６には、内部に図示
しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１２５の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。

【００７０】従って、上記非磁性支持体１２５は、送り
ロール１２３から順次送り出され、さらに上記冷却キャ
ン１２６の周面を通過し、巻取りロール１２４に巻取ら
れていくようになされている。尚、上記送りロール１２
３と上記円筒キャン１２６との間及び該冷却キャン１２
６と上記巻取りロール１２４との間にはそれぞれガイド
ロール１２７、１２８が配設され、上記送りロール１２
３から円筒キャン１２６及び該円筒キャン１２６から巻
取りロール１２４にわたって走行する非磁性支持体１２
５に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１２５が
円滑に走行するようになされている。

【００７１】この送りロールにはＤＣ電源１２９また
は、ＲＦ電源１３０によりバイアス電圧が印加できる構
造となっている。また、上記真空室１２２内には、上記
円筒キャン１２６の左方に円筒キャンと略平行となるよ
うに曲面化された対向電極１３１が設けられ、この対向
電極１３１には高周波電源１３２が接続されている。さ
らに、この対抗電極１３１の側近部には保護膜の原料ガ
スおよびキャリアガスを導入する導入口１３３が設けら
れている。

【００７２】この対抗電極１３１は、上記円筒キャン１
２６の長さと略同一の幅を有してなる。尚、本実施例で
は、円筒キャン１２６は冷却されているが、保護膜と磁
性膜の接着強度をあげるため適宜加熱した状態でもよ
い。また、バイアス電圧は円筒キャン１２６に印加され
る構造となっていてもよい。

【００７３】そこで、このような構成を有する製造装置
を用いて、下記に示す材質よりなる下塗が施された非磁
性支持体上に、酸素雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ合金を斜め蒸
着し、例えば膜厚約０．２μｍの金属磁性薄膜を磁性層
として被着形成（蒸着条件は下記の表１の通り。）した
後、バックコート、トップコートをほどこし所定のテー
プ幅に裁断してサンプルテープを作成した。スパッタ及
びＣＶＤによる保護膜作成は、蒸着終了直後に図１４ま
たは図１５の装置を用い、条件Ａまたは条件Ｂなる条件
にて行った。本実施例では、保護膜を形成した為に劣化
する電磁変換特性の補填の為に（スペーシングロスを小
さくする目的）、下塗時の乾燥条件を適宜調整し、下塗
が施された非磁性支持体の表面性をコントロールした。
本実施例−１ではスパッタ法による保護膜形成を行い、
実施例ー２ではＣＶＤ法による保護膜形成を行った。

【００７４】

【表１】

【００７５】＜サンプルテープの作製＞ベース：ポリエチレンテレフタレート１０
μｍ１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布密度約１０００万個／ｍｍ² バックコート：カーボン、及びウレタンバインダ
ーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００７６】＜条件Ａ＞方式：ＤＣマグネトロンスパッタターゲット材：カーボン投入電力：５ｗ／ｃｍ使用ガス：アルゴン真空度：２Ｐａテープ速度：０．１ｍ／ｓｅｃ保護膜膜厚：０．０１５μｍ

【００７７】＜条件Ｂ＞方式：キャン対向電極型プラズマＣＶＤ使用ガス：アルゴン＋エチレン真空度：９Ｐａテープ速度：０．５ｍ／ｓｅｃ保護膜膜厚：０．０１５μｍ

【００７８】スチル耐久性の測定はソニー製ＥＶ−Ｓ９
００改造機を用い、初期の出力レベルから３ｄＢ出力が
減衰するまでの時間とした。また、耐錆性の測定はガス
腐食試験機を用いＳＯ₂ガス０．３ｐｐｍ．を含む３０
℃、９０％ＲＨ雰囲気中で２４時間保存後の磁気特性
（φｓ）の劣化量（Δφｓ）を測定し、下記の数１によ
り求めた。

【００７９】

【数１】

【００８０】表面粗さの測定は、通常ＪＩＳＢ０６０
１により行われるが、今回の測定は下記条件により行っ
た。測定機：タリステップ（ランクテーラーホブソン社製）針径：０．２×０．２μｍ角型針針圧：２ｍｇハイパスフィルター：０．３３Ｈｚ

【００８１】表２にＶＳＭにより測定した各テープの面
内方向の磁気特性及び表面粗さのデータを、表３に測定
した結果を示す。

【００８２】

【表２】

【００８３】

【表３】

【００８４】図１６はこの発明に用いられる磁気ヘッド
の一例を示す。図１６に示すように、この磁気ヘッド
は、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトコア１０１Ａ、１０１
Ｂ上にスパッタ法により形成されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−
Ｒｕ系軟磁性層１０２、１０３の間にギャップ１０４を
有している。このギャップ１０４のトラック幅方向の両
側にはガラス１０５、１０６が充填され、これによって
トラック幅が例えば約４μｍ幅に規制されている。１０
７は巻線孔であり、この巻線孔１０７に記録用コイル
（図示せず）が巻装される。この磁気ヘッドの実効ギャ
ップ長は０．２０μｍである。

【００８５】この磁気ヘッドは、ギャップ１０４の近傍
に飽和磁束密度Ｂs が１４．５ｋＧのＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系軟磁性層１０２、１０３を用いているため、高
抗磁力の磁気テープに対してもヘッドの磁気飽和を生じ
ることなく記録を行うことができる。以上のようなＭＥ
テープと磁気ヘッドとを用いることにより、１．２５μ
ｍ²／ｂｉｔ以下の記録密度が実現される。

【００８６】すなわち、上述のように、５μｍのトラッ
ク幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録すること
によって１．２５μｍ²／ｂｉｔが実現される。ところ
が、再生出力のＣ／Ｎは記録波長及びトラック幅が減少
するに従って劣化することが知られており、この劣化を
おさえるために、上述した構成のテープ及びヘッドが使
用されている。

【００８７】本出願人は、１９８８年に８mm幅のＭＥテ
ープを使用してトラックピッチ１５μｍで最短波長０．
５μｍのディジタルＶＴＲを試作したが、この時は４０
mm径の回転ドラムを使用して６０ｒｐｍでこのドラムを
回転させ、記録・再生を行った。このシステムでは、記
録波長１μｍに対して、５ｌｄＢのＣ／Ｎが得られた。
そして、そのシステムのビット・エラーレートは４×１
０^-5であった。

【００８８】この発明の実施例のように、５μｍ幅のト
ラックを使用すると、同一の仕様で約４４ｄＢのＣ／Ｎ
しか得られず画質が劣化することになる。この７ｄＢの
Ｃ／Ｎの劣化分を補うために、上述したこの発明の実施
例の構成が用いられることになる。

【００８９】すなわち、一般に記録及び再生中のテープ
と磁気ヘッドとの間のスペーシングが大きくなれば信号
出力レベルが低下することが知られており、このスペー
シングの量はテープの平坦度に依存することも知られて
いる。また、塗布型テープの場合、テープの平坦度は塗
布剤に依存するが、ＭＥテープの場合は、ベースそのも
のの表面平坦度に依存することが知られている。上述の
実施例では、ベースフィルムの表面粗さを極力小に選定
することによりＣ／Ｎが向上するという実験結果が得ら
れた。また、上述した実施例の蒸着材料、蒸着方法を用
いることにより、１９８８年の時の試作で用いられた磁
気テープに対して大きな電磁変換特性の向上が実験結果
として得られた。実験結果としては、４ｄＢ程度の向上
が確認された。

【００９０】また、この発明では、チャンネル復号にビ
タビ復号が用いられているため、以前の試作機で使用さ
れていたビット毎の復号に対して３ｄＢの上昇が得られ
ることが確認された。以上により、全体として７ｄＢの
Ｃ／Ｎ劣化分を補うことができ、１．２５μｍ²／ｂｉ
ｔの記録密度で１９８８年の試作機と同等のビットエラ
ーレートが得られることになる。再生出力に関して、エ
ラー訂正符号の訂正処理の前の段階のビットエラーレー
トが１０^-4以下であることが必要なのは、２０％程度の
冗長度のエラー訂正符号を使用した時に、訂正可能な程
度の量にエラーを抑えるためである。

【００９１】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
データの記録密度を１μｍ²／ｂｉｔ程度に高めても、
磁気記録媒体に記録されたディジタル画像信号の再生出
力のエラー訂正を行う前のビットエラーレートを１×１
０^-4以下に低減することができる。

【００９２】また、蒸着テープの表面性を向上させるこ
とで磁気ヘッドの偏摩耗が生じたり、磁気記録媒体と磁
気ヘッドとの間にスペーシングが生じたりすることがな
くなることから、磁気記録媒体からの再生出力のレベル
ダウン量を少なくすることができ、電磁変換特性の向上
を図ることができる。しかも、保護膜を磁性層表面に形
成することにより走行信頼性が大幅に向上し多数回走行
時のエラーレート増加も問題無いレベルとなり信頼性の
高い蒸着テープが実現できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるディジタルＶＴＲに
おける信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る略線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図であ
る。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】ヘッド配置の説明に用いる略線図である。

【図９】ヘッドのアジマスの説明に用いる略線図であ
る。

【図１０】記録パターンの説明に用いる略線図である。

【図１１】テープ・ヘッド系の一例を示す上面図及び側
面図である。

【図１２】ドラムの偏心でテープの振動が生じることを
説明するための略線図である。

【図１３】蒸着装置の一例を示す模式図である。

【図１４】スパッタ装置の一例を示す模式図である。

【図１５】対向電極型プラズマＣＶＤ装置の一例を示す
模式図である。

【図１６】磁気ヘッドの構造の一例を示す斜視図である

【符号の説明】

１Ｙ・・・コンポーネント信号の入力端子１Ｕ・・・コンポーネント信号の入力端子１Ｖ・・・コンポーネント信号の入力端子５・・・・ブロック化回路６・・・・ブロック化回路８・・・・ブロック符号化回路１１・・・チャンネルエンコーダ１３Ａ・・磁気ヘッド１３Ｂ・・磁気ヘッド２２・・・チャンネルデコーダ２６・・・ブロック復号回路２８・・・ブロック分解回路２９・・・ブロック分解回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者武田勉東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者山田ゆかり東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体に金属磁性薄膜よりなる磁
性層を形成し、磁性層の面内方向で測定した残留磁束密
度と厚さと抗磁力との積よりなるエネルギ−積は７５Ｇ
ｃｍＯｅ以上であり、表面粗さは中心線平均粗さで０．
００３μｍ以下であるとともに、無機材料またはカーボ
ンより選ばれた１種または複数の材料からなる保護膜を
有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】入力ディジタル画像信号を複数の画素デ
ータからなるブロック単位のデータに変換してブロック
化し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮
符号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号
化し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに
装着された磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録するよ
うにしたディジタル画像信号記録用の磁気記録媒体にお
いて、上記磁気記録媒体は、非磁性支持体に金属磁性薄膜より
なる磁性層を形成し、磁性層の面内方向で測定した残留
磁束密度と厚さと抗磁力との積よりなるエネルギ−積は
７５ＧｃｍＯｅ以上であり、磁気記録媒体の表面粗さは
中心線平均粗さで０．００３μｍ以下であるとともに、
無機材料またはカーボンより選ばれた１種または複数の
材料からなる保護膜を有することを特徴とする磁気記録
媒体。
【請求項３】保護膜の成膜法がスパッタまたはＣＶＤ
のいずれかより選ばれた成膜法であることを特徴とする
請求項１または２記載の磁気記録媒体
【請求項４】保護膜の成膜法がスパッタであり、保護
膜材料がカーボン、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ
酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ_X−ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＺｒ合金、ＣｒＮｂ合金、Ｃｒ
Ｔａ合金、ＣｒＡｌ合金、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｒ−Ｆｅ合金
から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請
求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】保護膜の成膜法がＣＶＤである、保護膜
材料がカーボン、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、
ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮから選ばれた少なくとも１種で
あることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録
媒体。