JP2007043049A - セル、スタンダードセル、スタンダードセル配置方法、スタンダードセルライブラリ、ならびに半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】セル面積削減を図り、チップ面積を縮小できる半導体集積回路の提供。
【解決手段】本発明のセルは、入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子を有し、半導体集積装置を設計するうえでの最小単位となるセルであって、前記複数の端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状、例えば、前記端子の長辺寸法を(X方向に沿った配線グリッド間隔+配線幅)とした形状にする。これにより、セル面積削減を図り、チップ面積を縮小する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のセルは、入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子を有し、半導体集積装置を設計するうえでの最小単位となるセルであって、前記複数の端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状、例えば、前記端子の長辺寸法を(X方向に沿った配線グリッド間隔+配線幅)とした形状にする。これにより、セル面積削減を図り、チップ面積を縮小する。
【選択図】図1
Description
本発明は、高集積化、小面積化に対して有効なスタンダードセル、スタンダードセルライブラリおよびスタンダードセル配置方法に関する。
オングリッド設計の自動配置配線ツールによるLSIのレイアウト設計では、入出力信号を伝達可能なセル端子を、X方向に並ぶ配線グリッドとY方向に並ぶ配線グリッド交点に存在させる必要がある。これを満足させるためには、セル高さをY方向に並ぶ配線グリッド間隔の整数倍、セル幅をX方向に並ぶ配線グリッド間隔の整数倍にしておく必要がある。そうでなければ、セルを隙間無く密に並べた際に、端子をグリッドの交点に配置できない場合が発生する。なお、ここで、スタンダードセルの電源配線に沿った方向をX方向、電源配線に垂直な方向をY方向とする。
従来のスタンダードセルの設計方法では、セルを隙間無く密に並べた際に端子が必ずグリッド交点に位置するようにするために、セル高さ、セル幅を配線グリッド間隔の整数倍としている。その上で、自動配置配線ツールは、端子位置が配線グリッド交点にくるようにセルの配置位置を決定している。
図17は、従来の技術におけるスタンダードセルのレイアウト図である。図17において、C41,C42,C43はスタンダードセル、Tはスタンダードセルにおける入力信号または出力信号を伝達可能な端子、Gはゲート電極である。電源配線の方向がX方向であるので、ゲート電極Gの方向はY方向となっている。図17は、X方向に沿うセル幅LcがX方向配線グリッド間隔Lxの整数倍になっていない状態では、端子Tの位置が配線グリッドの交点に配置できないことを示す。
図17で上側に位置するセルC41,C42,C43は、セル幅がX方向配線グリッド間隔Lxの整数倍になっていない。この例では説明を簡単にするためにセルC41,C42,C43が同一のセルの場合を挙げている。この場合、セルC41,C43の端子Tはグリッドの交点に配置されているが、セルC42の端子Tはグリッドの交点に配置されない。つまり、自動配置配線時に、セルC42の端子Tには接続できない。これを回避するために、図17の下側に位置するセルC51,C52,C53のように、セル幅を配線グリッド間隔の整数倍に合わせ込むための領域R1,R2,R3を設けることが一般に行われる。この合わせ込みの結果、セルC51,C52,C53の各原点O51,O52,O53は、X、Yの両方向に沿って隣接する配線グリッド間の中点に配置される。この結果、全端子Tを配線グリッド上に配置することが可能となる(特許文献1参照)。
しかしながら、上記従来技術における合わせ込みのための領域R1,R2,R3は、本来不必要な領域であり、トランジスタ、配線などの回路に必要なデバイスは一切含まれていない。その結果、セル面積が大きくなり、ひいてはチップ面積の縮小を阻害する要因の一つとなる。
また、従来の技術においてはオングリッド設計の自動配置配線ツールのうち自動配置の際には、各セルについては配線グリッドを基準として配置が行われる。したがって、図17で上側に示すセルC41,C42,C43のようにセル幅が配線グリッド間隔の整数倍になっていない場合には実際には図17の上側に示すようにセルを隙間なく配置することはできず、自動配置の際には図17の下側に示すような配置となる。図17に示す例ではセルC41,C42,C43が同一のセルの場合であるので、セルC41,C42,C43の幅を配置の際に使用する配置グリッドとして自動配置の際にはその配置グリッドを基準として図17の上側に示すようなセルの配置を得ることも可能である。しかしながら、配置すべきセル群が異なるセルを含み、かつそれらのセル幅がそれぞれ任意のセル幅で設計されるとそのような自動配置をすることもできない。
さらに、プロセスが微細化していくと、ゲート電極のパターンにおいてゲート電極の間隔やゲート長が規則的でない場合には、光近接効果によって最終的に得られるゲート電極の仕上り寸法の精度が低くなってしまう。ゲート電極の仕上がり寸法の精度が低くなると、半導体集積回路の各トランジスタの性能のばらつきが大きくなり、ひいては半導体集積回路の性能のばらつきが大きくなり、歩留まりが低下する。
上記不具合を解消するために、従来からトランジスタ毎にOPC(Optical Proximity effect Correction)を行うことが広く行われているが、トランジスタ毎にOPCを実施することは処理時間の増大を招く。そのため、従来から各スタンダードセルでゲート電極の間隔やゲート長を規則的にすることによってOPCを各スタンダードセル単体で行うことが行われている(特許文献2参照)。
図17に示すスタンダードセルに上記従来技術を適用したものが図18である。図18において図17と同じものには同じ記号を付している。図18で上側に位置するスタンダードセルC41’,C42’,C43’それぞれのセル枠上にはさらにダミーゲート電極DGが備えられている。これらダミーゲート電極DGは、隣接するスタンダードセル間で共有されている。ゲート電極Gおよびダミーゲート電極DGは等間隔に配置されており、それぞれのゲート長は等しい。このことにより、図18で上側に位置するスタンダードセルC41’,C42’,C43’では、そのセル内部だけでなく、そのセル間においても、ゲート電極パターン,ゲート長,ゲート間隔(特にゲート電極パターン)は一定となっており、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができる。
さらに各スタンダードセル単体での状態と、それを隣接して配置した状態とを比較して、ゲート電極のゲート長やゲート間隔のパターンは同一となっており、このことからわかるように、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
なお、ダミーゲート電極DGがない図17の構成で上側に位置するスタンダードセルC41,C42,C43でも、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。これは、各スタンダードセルのセル枠から最近傍のゲート電極までの距離が一定の場合には、各スタンダードセルのセル枠から最近傍のゲート電極までの距離と、隣接するスタンダードセルのセル枠から最近傍のゲート電極までの距離とを一定にできるためである。
特開昭61−44444号
特開平10−32253号
しかしながら、前述したようにセル幅を配線グリッド間隔の整数倍に合わせ込むための領域R1,R2,R3を設けた場合には、スタンダードセルのセル枠上に備えられたゲート電極を共有することができず、セル枠上のダミーゲートDG同士がデザインルールで許容される最小間隔未満に配置される可能性があり、デザインルールエラーが発生する可能性がある。このようなデザインルールエラーを回避するために、たとえば図18の構成で下側に位置するダミーゲート電極DG2のようにゲート長を大きくする等の処理が必要となる。
しかしながらこのような処理を実施すれば、各スタンダードセルに備えられるゲート間隔を一定に保つことができるものの、ゲート長はダミーゲート電極DG2において不規則な状態となり、ゲート電極の仕上がり寸法の精度は低下する。さらには、各スタンダードセル単体におけるダミーゲート電極DGと、それに隣接するダミーゲート電極DG2とのゲート長が異なることになり、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができない。これにより、OPCを半導体集積回路全体で実施しなくてはならなくなる。
なお、ダミーゲート電極DG,DG2がない図17の下側に位置するスタンダードセルC51,C52,C53でも、スタンダードセルのセル枠からセル内の最近傍のゲートまでの距離を一定とした場合でも、領域R1,R2,R3を設けることによって次の不都合が生じる。すなわち、元々各スタンダードセルのセル枠からセル内の最近傍のゲート電極までの距離を一定としていたにも関わらず、領域R1,R2,R3を設けることによってセル枠位置が変更されることになり、セル枠から最近傍のゲートまでの距離が一定にならず、そのため、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができない。
以上の従来技術の課題を解決するために、本発明は、セル面積削減を図り、チップ面積を縮小できる半導体集積回路を提供することを目的とする。さらに、本発明の他の目的は、プロセスが微細化してもゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができ、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる半導体集積回路の技術を提供することである。
上述した課題を解決するために本発明によるスタンダードセルは、入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子を有し、半導体集積装置を設計するうえでの最小単位となるセルであって、前記複数の端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状を有する。
好ましくは、前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、(X方向に沿う配線グリッド間隔+前記配線幅)以上で前記X方向に沿う当該セルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下である。
さらに好ましくは、前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は(X方向に沿う配線グリッド間隔+前記配線幅)である。
なお、上述した本発明の各記述には、後述する実施の形態1の説明を参照することが可能である。
これによれば、セル原点の位置につき、そのY座標を配線グリッドの中点におくこととした場合、そのX座標をどこにおいたとしても、端子を少なくとも1箇所のグリッド交点に配置することが可能となる。すなわち、各セル原点のX座標をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。したがって、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要性をなくすことができる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生することがなくなる。その結果として、チップサイズを小さくすることができる。
また、前記端子はそのサイズにおいて、短辺寸法が自動配置配線での配線幅であり、長辺寸法が前記X方向に沿った前記スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さとしてもよい。その場合は、スタンダードセル配置方法は、そのスタンダードセルの配置を行うステップと、配置した前記スタンダードセルを接続情報に従って仮配線するステップと、前記スタンダードセルに含まれる端子レイアウトのうち配線に不要な部分を削除するステップとを含むものとなる。なお、ここでの記述には、後述する実施の形態4の説明を参照することが可能である。
これによれば、全端子を配線グリッド上に配置する上で、セル原点のX座標をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。したがって、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要性をなくすことができる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生することがなくなる。その結果として、チップサイズを小さくすることができる。さらには、端子縮小により配線リソースが増加し、その配線リソースを最大限に活かす状態でスタンダードセルどうしの配線処理を行うことができる。それゆえに、全配線長を短くすることができ、配線容量削減、遅延時間削減、配線リソース増による設計TAT(Turn Around Time)の短縮を期待することができる。
本発明では、機能マクロレイアウトを合成するためのスタンダードセルライブラリを、セル幅が配線グリッド間隔の整数倍の寸法とは相違するスタンダードセルを含むものとする。なお、これには、後述する実施の形態2の説明を参照することが可能である。
これによれば、セル配置におけるセル原点のX座標を配線グリッド上または隣接グリッド間の中点にする必要がなくなり、最小サイズのスタンダードセルを用いて、隙間なく配置することが可能となり、ロジック部の面積を小さくすることができる。
また、本発明のスタンダードセル配置方法は、スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、少なくとも一つのスタンダードセルのセル原点のY座標を、自動配置配線での隣接配線グリッド間の中点または配線グリッド上に配置し、前記スタンダードセルのセル原点のX座標を、前記隣接配線グリッド間の中点または前記配線グリッド上とは相違する位置に配置する。
ここで、前記スタンダードセルとしては、上記のいずれかのスタンダードセルを用いるものとする。なお、これには、後述する実施の形態1〜4の説明を参照することが可能である。
これによれば、セルの配置において、セル原点のX座標は配線グリッド上または隣接グリッド間の中点でなくてもよく、最小サイズのスタンダードセルを用いて、隙間なく配置することが可能となり、ロジック部の面積を小さくできる。
また、本発明によるスタンダードセル配置方法は、スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、前記スタンダードセルを仮配置したうえで、仮配置した前記スタンダードセルのセル原点のY座標が、自動配置配線での隣接配線グリッド間の中点または配線グリッド上に位置するとともに、前記セル原点のX座標が、前記隣接配線グリッド間の中点または前記配線グリッド上に位置する場合には、前記セル原点を、当該セル原点を有する前記スタンダードセルが隣接スタンダードセルに当接する位置に移動させる。ここで、前記スタンダードセルとしては、上述した本発明のスタンダードセルを用いることができる。なお、これには、後述する実施の形態3の説明を参照することが可能である。
これによれば、各セル原点のX座標をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。そのため、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生しなくなる。その結果として、半導体集積回路の設計上の占有面積をロジック部の面積に反映させることができ、さらには結果としてチップ面積を縮小することができる。
また、本発明によるスタンダードセル配置方法は、スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、前記スタンダードセルを仮配置したうえで、仮配置した前記スタンダードセルに、各セル幅が自動配置配線での配線グリッド間隔の整数倍である第1のセル群が含まれる場合には、前記第1のセル群を、セル幅が必ずしも前記配線グリッド間隔の整数倍でない第2のセル群に置換する。
ここで、前記第2のセル群としては、上述した本発明のセルライブラリに含まれるものを用いることが可能である。この置換方法は、自動配置配線ツールが、セル幅が必ずしも配線グリッドの整数倍でないセルを扱えない場合を想定した方法であって、置換後に移動させることになる。
これによれば、同じ論理回路を実現しつつ、スタンダードセルの面積の総和が小さくなるため、配線リソース増に基づいた設計TATの短縮化を期待することができる。
また、本発明によるスタンダードセル配置方法は、自動配置配線での配線幅の短辺寸法と、X方向に沿ったセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さの長辺寸法をもつスタンダードセルを配置するステップと、配置した前記スタンダードセルを当該スタンダードセルの接続情報に従って仮配線するステップと、前記スタンダードセルに含まれる端子レイアウトのうち配線に不要な部分を削除するステップとを備えるものである。なお、これには、後述する実施の形態4の説明を参照することが可能である。
これによれば、全端子を配線グリッド上に配置する上で、セル原点のX座標をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。したがって、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生しなくなる。その結果、チップサイズを小さくすることができるようになる。さらには、端子縮小により配線リソースが増加し、その配線リソースを最大限に活かす状態でスタンダードセルどうしの配線処理を行うことができる。それゆえに、全配線長を短くすることができ、配線容量削減、遅延時間削減、配線リソース増に基づいた設計TATの短縮化を期待することができる。
また、本発明によるスタンダードセルは、ゲート電極を複数備えたスタンダードセルであって、当該スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅は、X方向に並ぶ配線グリット間隔とは異なる数値の整数倍とされている。
また、本発明によるスタンダードセルは、ゲート電極を複数備えたスタンダードセルであって、前記ゲート電極の幾つかが有するゲートピッチは、前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿って設定された前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定されており、前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿ったセル幅は、前記X方向に沿って設定された前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定された前記ゲート電極のゲートピッチのうちの最小値の整数倍に設定されている。
これによれば、セル幅を最小のゲートピッチの整数倍とすることにより、この最小のゲートピッチを基準にして自動配置によってセル間を隙間なく配置することができる。そのため、チップ面積を縮小するとともに、セル間を隙間なく配置することができる。したがって、ゲート電極のパターンを、そのゲート長やゲート間隔ともに規則的なものとすることができる。したがって、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができるとともに、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
また、本発明によるスタンダードセルは、ゲート電極とダミーゲート電極とをそれぞれ複数備え、スタンダードセルの電源配線に平行なX方向のセル幅がX方向に並ぶ配線グリッド間隔とは異なる前記ゲート電極および前記ダミーゲート電極のゲートピッチのうちの最小のゲートピッチの整数倍である。
これによれば、セル幅を最小のゲートピッチの整数倍とすることにより、この最小のゲートピッチを基準とすることによって自動配置によってセル間を隙間なく配置することができる。そのため、チップ面積を縮小するとともに、セル間を隙間なく配置することができる。したがって、ゲート電極のパターンはそのゲート長、ゲート間隔ともに規則性を有するものにすることができ、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができて、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。また、ダミーゲート電極を備えることによりゲート長、ゲート間隔の規則性をさらに向上させることができる。これは、OPCを各スタンダードセル単体で行うことをより容易にすることに大いに寄与する。
なお、上記スタンダードセルのゲートピッチは全て等しいのが好ましい。そうすれば、ゲート電極のパターンはそのゲートピッチを完全に規則性を有するものとすることができ、ゲート電極の仕上がり寸法の精度をさらに高くすることができる。
また、上記スタンダードセルのゲート電極の少なくとも一つのゲート長は他と異なるのが好ましい。そうすれば、ゲート電極のパターンの一部について規則性をなくすことにより、スタンダードセルの設計自由度を確保しつつ、チップ面積の縮小、ゲート電極の仕上がり寸法の精度向上、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
また、入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子をさらに備え、前記端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状を有するのが好ましい。
なお、さらには、前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、X方向に沿った配線グリッド間隔以上で前記X方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下であるのが好ましい。
さらには、前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、(X方向に沿った配線グリッド間隔+配線幅)以上で前記X方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下であるのが好ましい。
この場合、さらには、前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は(X方向配線グリッド間隔+配線幅)であるのが好ましい。
これによれば、チップ面積の縮小、ゲート電極の仕上がり寸法の精度向上、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる、といった効果に加えて、次の効果がある。すなわち、セル原点のY座標を配線グリッドの中点におけば、セル原点のX座標をどこにおいたとしても、端子を少なくとも1箇所のグリッド交点に配置することが可能となる。すなわち、各セル原点のX座標をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。したがって、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生することがなくなる。そのため、チップサイズを小さくすることができる。
本発明では、このようなスタンダードセルを含んでスタンダードセルライブラリを構成してもよい。そうすれば、半導体集積回路の設計を行ううえで、チップ面積の縮小、ゲート電極の仕上がり寸法の精度向上、各スタンダードセル単体でのOPCの実施を実現することができる。
また、本発明では、このようなスタンダードセルを含んで半導体集積回路を構成してもよい。そうすれば、チップ面積の縮小、ゲート電極の仕上がり寸法の精度向上、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる半導体集積回路を得ることができる。
また、本発明のスタンダードセル配置方法は、スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、少なくとも一つのスタンダードセルのセル原点のY座標を、自動配置配線での隣接グリッド間の中点または配線グリッド上に配置し、前記スタンダードセルのセル原点のX座標を、前記隣接グリッドとは異なるゲートピッチグリッドの中点またはゲートピッチグリッド上に配置する。ここで、前記スタンダードセルとしては、上述したいずれかのスタンダードセルを用いることができる。
これによれば、セルの配置において、セル原点のX座標はゲートピッチを基準として配置することができる。そのため、チップ面積を縮小化することができるとともに、セル間を隙間なく配置することができる。したがって、ゲート電極のパターンを、そのゲート長、ゲート間隔ともに規則性のあるものとすることができる。したがって、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができ、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、全端子を配線グリッド上に配置するためにセル内に余分な領域を設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域が発生しなくなる。その結果、チップサイズを小さくすることができる。
さらには、ゲート電極のパターンを規則性のあるものとすることができるため、プロセスが微細化してもゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができ、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
以下、本発明にかかわるスタンダードセル配置方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるスタンダードセルのレイアウト図である。ここで、スタンダードセルの電源配線に沿った方向をX方向、電源配線Sに対して垂直な方向をY方向とする。なお、図例の電源配線Sはその一例であって電源配線Sはこのような位置に限定されない。
図1は、本発明の実施の形態1におけるスタンダードセルのレイアウト図である。ここで、スタンダードセルの電源配線に沿った方向をX方向、電源配線Sに対して垂直な方向をY方向とする。なお、図例の電源配線Sはその一例であって電源配線Sはこのような位置に限定されない。
図1において、x1〜x13は自動配置配線で用いられるX方向に並ぶ配線グリッド、y1〜y8はY方向に並ぶ配線グリッド、C1,C2,C3はスタンダードセル、O1,O2,O3はC1,C2,C3の原点、TはスタンダードセルCi(i=1,2…)の入力信号または出力信号を伝達可能な端子、Gはゲート電極である。
自動配置配線ツールは、セル、ブロックの配置と端子間の配線経路を決定する自動設計処理ツールである。自動設計処理ツールは、コンピュータでその演算処理が実行されるプログラムから構成されており、予めコンピュータにインストールされたうえで使用される。
このような自動配置配線ツールを用いることで、X方向、Y方向の配線グリッド上に最小配線幅で配線することが可能となる。配線される配線グリッドどうしは、X方向にLxの等間隔、Y方向にLyの等間隔に配置される。X方向での配線とY方向での配線とは、基本的に別の配線層を使用し、異なる配線層間は層間接続により接続される。
端子Tを構成する配線は、X方向に沿って横長の矩形形状(長方形)を有する。端子Tの短辺寸法は、自動配置配線での配線幅Wとなっている。また、長辺寸法は、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)以上となっている。
自動配置配線ツールを用いて端子Tに配線接続を行うためには、端子Tはグリッド交点(配線グリッドの交点)を含まなければならない(黒丸●参照)。実施の形態1では、端子Tを横長(X方向に長い)矩形状とし、Y方向に並ぶ配線グリッドyi(i=1,2…)上に配置している。
実施の形態1とは逆に、図3に示すように、端子Tを構成する配線をY方向に縦長(Y方向に長い)矩形状にした場合、楕円で囲んだ部分のように、グリッド交点に配置されない端子Tが存在する。これは、従来技術の図17と同じ状況である。
実施の形態1のように、端子Tの長辺寸法を(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)とした横長矩形状とすることで、図2の端子T11,T17に例示されるように、端子Tは、配線グリッドの交点と最大2箇所で交差する。さらには、端子T11,T17の状態からX方向にずれた場合でも、端子T12〜T16に例示されるように、少なくとも1個のグリッド交点と交差する。
実施の形態1によれば、セル配置位置をY方向では限定するものの、X方向では任意位置としても、少なくとも1箇所の配線グリッド交点に端子Tを配置することができる。したがって、全端子Tを配線グリッド上に配置するために、図17の従来技術のセルC51,C52,C53に示すように、各セル原点をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。つまり、全端子Tを配線グリッド上に配置するための余分な領域R1,R2,R3をセル内に設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域R1,R2,R3が発生することがなくなる。以上の結果として、チップサイズを小さくすることができるようになる。
なお、端子Tを構成する配線の長辺寸法の上限値は、実質上、X方向に沿うセルCのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下となる。また、上述したように、面積効率からみて、端子Tを構成する配線の長辺寸法は、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)とするのが好ましい。しかしながら、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)の値は、端子Tを構成する配線の長辺寸法の下限値として見なしてもよい。
以上説明した実施の形態1では、ロジックブロックを合成して設計する際のスタンダードセルにおいて本発明を実施した。しかしながら、実施の形態1では、ゲートピッチが予め設定されているゲートアレイセルにおいても同様に実施することができる。この場合、ゲートアレイセルの端子形状を上述したスタンダードセルの端子形状と同様にすればよく、図面上の構成は全く変わらない。そうすれば、スタンダードセルの場合と同様のセル面積縮小効果が得られる。あるいは、ゲートアレイセルのゲートピッチまで配線グリットを拡大することによるブロック面積の増大を抑えることができる。
ここで、図1は、実施の形態1で説明したセルを用いて設計された半導体集積回路の一部でもある。上述のセルを使用することで、集積回路の小面積化が実現できることはいうまでもない。
なお、図4に示すように、実施の形態1では、必ずしもセル幅がLxの整数倍でないセルの原点を隣接するX方向配線グリッド間の中点に配置する必要性は必ずしもない。図4に示す構成としても上述した実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
(実施の形態2)
図5は、本発明の実施の形態2におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
図5は、本発明の実施の形態2におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
この自動配置配線方法を実行する自動配置配線装置は、論理回路の接続情報を外部から獲得する接続情報入力手段と、論理回路の設計規約を外部から獲得する設計規約入力手段と、スタンダードセルのレイアウト情報を外部から獲得するレイアウト情報入力手段と、獲得した接続情報に基づいて各セル群を仮配置する仮配置手段と、仮配置した各セル群を面積小になるように再配置する再配置手段とを備える。このような構成を有する自動配置配線装置は複数のスタンダードセルを含む状態で論理回路を配置配線する。
まず、予め、複数のスタンダードセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要となる設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを図示しない記憶装置に格納しておく。ここで記憶装置に格納されるレイアウト情報は、セルC21,C22,C23として、実施の形態1で説明した構造を有するセルのレイアウト情報である。
そのうえで、自動配置配線装置は、データ読み込み工程S1において、上述した回路接続情報、設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを記憶装置から読み出す。
次に、自動配置配線装置は、仮配置工程S2において、図6に示すように、第1のスタンダードセルC21,C22,C23の原点O21,O22,O23がX方向の隣接配線グリッド間の中点およびY方向の隣接配線グリッド間の中点に位置するように、回路接続情報に基づいてセルC21,C22,C23を仮配置する。ここで第1のスタンダードセルC21,C22,C23とは、実施の形態1で説明した構造を有するセルであって、各セル幅が必ずしも自動配置配線での配線グリッド間隔の整数倍ではないセルのことである。
次いで、自動配置配線装置は、再配置工程S3において、まず、仮配置したスタンダードセルのセル原点のY座標が、自動配置配線での隣接配線グリッド間の中点または配線グリッド上に位置するとともに、セル原点のX座標が、隣接配線グリッド間の中点または前記配線グリッド上に位置するセルを抽出する。図6の例では、セルC21,C22,C23が抽出される。
次いで、自動配置配線装置は、再配置工程S3において、抽出したセルC21,C22,C23を、隣接する余分な領域R21,R22,R23をなくすようにX方向に移動して互いのセル枠が当接してロジック部の面積が小さくなるように、セルC21,C22,C23を再配置する。
その後、自動置配線装置は、実配線処理工程S4において、それぞれ配置されたセルC21,C22,C23どうしの配線処理を行う。
再配置工程S3を実行することで、仮配置工程S2での領域R21,R22(斜線部)を省略することができ、ロジック面積を小さくし、ひいては、チップサイズを小さくすることができるようになる。
(実施の形態3)
図7は、本発明の実施の形態3におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
図7は、本発明の実施の形態3におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
この自動配置配線方法を実行する自動配置配線装置は、論理回路の接続情報を外部から獲得する接続情報入力手段と、論理回路の設計規約を外部から獲得する設計規約入力手段と、スタンダードセルのレイアウト情報を外部から獲得するレイアウト情報入力手段と、獲得した接続情報に基づいて各セル群を配置する配置手段と、各セルの端子を接続する配線の仮配線を行う仮配線処理手段と、端子を形成する端子形状処理手段と、実配線処理手段とを備える。
まず、予め、複数のスタンダードセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要となる設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを図示しない記憶装置に格納しておく。ここで記憶装置に格納されるレイアウト情報は、セルC11,C12,C13として、実施の形態1で説明した構造を有するセルのレイアウト情報に基本的に類似した構造を有するレイアウト情報であるが、その詳細については次に説明する。
そのうえで、自動配置配線装置は、データ読み込み工程S11において、複数のセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要な設計規約、および各セルのレイアウトデータを記憶装置から読み出す。このとき読み出されるレイアウトデータは、上述したように基本的には、実施の形態1で説明した構造を有するものの、図8に示すように、端子Tの長辺寸法はX方向に沿ったセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さに設定されている。なお、端子Tの長辺寸法は後の工程で短縮される。また、セル幅は、必ずしも自動配置配線での配線グリッド間隔の整数倍ではない。
次に、自動配置配線装置は、スタンダードセルの配置工程S12において、セル原点O31,O32,O33がY方向の隣接配線グリッド間の中点に位置するように、回路接続情報に基づいてセルC31,C32,C33を配置する。
次いで、自動配置配線装置は、仮配線処理工程S13において、回路接続情報に基づいて複数の端子Tを配線で接続する。このとき、端子Tの形状がX方向に長細いので、仮配線する際に自由度が上がり、全配線長を短くすることができる。
その後、自動配置配線装置は、端子形状処理工程S14において、有効な接続にとって必要な端子形状寸法を自動で認識し、端子Tにおいて不要な部分を削除し、端子形状の縮小を行う。
最後に、自動配置配線装置は、実配線処理工程S15において、スタンダードセルどうしの配線処理を行う。端子形状処理工程S14での端子縮小により配線リソースが増加しているので、その配線リソースを最大限に活かす状態でスタンダードセルどうしの配線処理を行う。
上記の工程S11〜S15を実行することで、結果として全配線長を短くすることができ、配線容量削減、遅延時間削減、配線リソース増による設計TATの短縮を実現できる。
また、全端子Tを配線グリッド上に配置するために、図17の従来技術のセルC51,C52,C53のように各セル原点をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。つまり、全端子Tを配線グリッド上に配置するための領域R1,R2,R3をセル内に設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に領域R1,R2,R3が発生しなくなる。以上の結果として、チップサイズを小さくすることができる。
(実施の形態4)
図9は、本発明の実施の形態4におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
図9は、本発明の実施の形態4におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わす。
この自動配置配線方法を実行する自動配置配線装置は、論理回路の接続情報を外部から獲得する接続情報入力手段と、論理回路の設計規約を外部から獲得する設計規約入力手段と、セル幅が配線グリッド間隔の整数倍であるスタンダードセルライブラリのレイアウト情報およびセル幅が必ずしも配線グリッド間隔の整数倍でないスタンダードセルライブラリのレイアウト情報を外部から獲得するレイアウト情報入力手段と、セル幅が配線グリッド間隔の整数倍であるスタンダードセルライブラリのセルを上記接続情報に基づいて配置する配置手段と、配置された各セルをセル幅が必ずしも配線グリッド間隔の整数倍ではないスタンダードセルライブラリの同じ論理のセルに置換するセル置換手段と、セル配置面積を圧縮するために各セルを再配置する再配置手段と、再配置されたセル同士を上記接続情報に基づいて配線により接続する実配線処理手段とを備える。
なお、セル幅が配線グリッド間隔の整数倍であるスタンダードセルのグループを、以下第1のセル群といい、セル幅が必ずしも配線グリッド間隔の整数倍でないスタンダードセルのグループを第2のセル群という。
まず、予め、複数のスタンダードセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要となる設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを図示しない記憶装置に格納しておく。ここで記憶装置に格納されるレイアウト情報は、セルC11,C12,C13として、実施の形態1で説明した構造を有するセルのレイアウト情報に基本的に類似した構造を有するレイアウト情報である。ただし、このレイアウト情報は、第1のセル群のレイアウト情報と、第2のセル群のレイアウト情報とを含む。
そのうえで、自動配置配線装置は、データ読み込み工程S21において、複数のスタンダードセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要な設計規約、第1のセル群のレイアウトデータ、および第2のセル群のレイアウトデータを記憶装置から読み出す。
次に、自動配置配線装置は、仮配置工程S22においては、図10に示すように、レイアウト情報を読み出した第1のセルCb11,Cb12,Cb13を、その原点Ob11,Ob12,Ob13がX方向の隣接配線グリッド間の中点およびY方向の隣接配線グリッド間の中点に位置するように、回路接続情報に基づいて仮配置する。
次に、セル置換工程S23においては、第1のセルCb11,Cb12,Cb13を、それぞれ同じ論理で、第2のセルCb21,Cb22,Cb23に置換する。このとき、第2のセルCb21,Cb22,Cb23の原点Ob21,Ob22,Ob23を、セルCb11,Cb12,Cb13の原点Ob11,Ob12,Ob13と同一の座標にする。
次いで、再配置工程S24においては、トータルのセル配置面積が小さくなるように、第2のセルCb21,Cb22,Cb23をX方向に移動させる再配置を行なう。その移動量は、隣接するセル同士のセル枠が接するところを最大とする。
その後、実配線処理工程S25においては、回路接続情報に基づき、再配置された第2のセルCb21,Cb22,Cb23同士の配線処理を行う。
以上のようなフローにより、セル幅が必ずしも配線グリッド間隔の整数倍でない第2のセルを直接扱えない自動配置配線ツールにおいても、図10に示される領域Rb21,Rb22(斜線部)を省略することができる。そのため、スタンダードセルで構成されるロジック面積を小さくし、ひいては、チップサイズを小さくすることができる。
(実施の形態5)
図11は、本発明の実施の形態5におけるスタンダードセルのレイアウト図である。ここで、スタンダードセルの電源配線に沿った方向をX方向、電源配線Sに対して垂直な方向をY方向とする。なお、図例の電源配線Sはその一例であって電源配線Sはこのような位置に限定されない。
図11は、本発明の実施の形態5におけるスタンダードセルのレイアウト図である。ここで、スタンダードセルの電源配線に沿った方向をX方向、電源配線Sに対して垂直な方向をY方向とする。なお、図例の電源配線Sはその一例であって電源配線Sはこのような位置に限定されない。
図11において、x1〜x13は自動配置配線で用いられる、Y方向に平行に配置されて互いにX方向に並ぶ配線グリッド、y1〜y8はX方向に平行に配置されて互いにY方向に並ぶ配線グリッド、gx1〜gx10は自動配置配線に用いられるY方向に平行に配置されて互いにX方向に並ぶゲートピッチのグリッド、C61,C62,C63はスタンダードセル、O61,O62,O63はスタンダードセルC61,C62,C63の原点、TはスタンダードセルCi(i=1,2…)における入力信号または出力信号を伝達可能な端子、Gはゲート電極、DGはダミーゲート電極である。
さらにスタンダードセルC61,C62,C63においては、ゲート電極G,ダミーゲート電極DGのゲート長、ゲート間隔は互いに一定となっており、かつ各スタンダードセルC61,C62,C63のX方向のセル幅はゲートピッチGx(ゲートピッチはゲート長にゲート間隔を足した値)の最小値の整数倍となっている(図11においては、スタンダードセルC61,C62,C63のセル幅はGxの3倍となっている)。
自動配置配線ツールは、セル、ブロックの配置と端子間の配線経路を決定する自動設計処理ツールである。自動配置配線ツールは、上述した各実施の形態とその構成は同一である。
自動配置配線ツールの配置の際においては、各セルのX方向のセル幅がゲートピッチGxの整数倍となっているため、各セルのX方向の配置をゲートピッチのグリッドの位置に配置することができる。
自動配置配線ツールを用いることで、X方向、Y方向の配線グリッド上に最小配線幅で配線を配置することができる。配線グリッドは、X方向にゲートピッチGxとは異なるLxの等間隔、Y方向にLyの等間隔となっている。X方向での配線とY方向での配線とは、基本的に別の配線層を使用し、異なる配線層間は層間接続により接続される。
端子Tを構成する配線は、X方向に沿って横長の矩形形状(長方形)を有する。端子Tの短辺寸法は、自動配置配線での配線幅Wとなっている。また、長辺寸法は、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)以上となっている。
自動配置配線ツールを用いて端子Tに配線接続を行うためには、端子Tはグリッド交点(配線グリッドの交点)を含まなければならない(黒丸●参照)。実施の形態6では、端子Tを横長(X方向に長い)矩形状とし、Y方向に並ぶ配線グリッドyi(i=1,2…)に配置している。
実施の形態6とは逆に、図13に示すように、端子Tを構成する配線をY方向に縦長(Y方向に長い)矩形状にした場合、楕円で囲んだ部分のように、グリッド交点に配置されない端子Tが存在する。これは、従来技術の図17と同じ状況である。
実施の形態6のように、端子Tの長辺寸法を(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)とした横長矩形状とすることで、図12の端子T11,T17に例示されるように、端子Tは、配線グリッド交点と最大2箇所で交差する。さらには、端子T11,T17の状態からX方向にずれた場合でも、端子T12〜T16に例示されるように、少なくとも1個のグリッド交点と交差する。
実施の形態6によれば、セル配置位置をY方向では限定するものの、X方向では配線グリッドLxと異なるゲートピッチGxの整数倍の位置としても、少なくとも1箇所の配線グリッド交点に端子Tを配置することができる。したがって、全端子Tを配線グリッド上に配置するために、図19の従来技術のセルC51,C52,C53に示すように、各セル原点をX方向でのグリッド間中点に配置する必要がなくなる。つまり、全端子Tを配線グリッド上に配置するための余分な領域R1,R2,R3をセル内に設ける必要がなくなる。あるいは、セル間に無駄な領域R1,R2,R3が発生することがなくなる。以上の結果として、チップサイズを小さくすることができるようになる。
さらには、スタンダードセルC61,C62,C63の内部だけでなく、これらスタンダードセルC61,C62,C63どうしを比較しても、そのゲート電極、ダミーゲート電極のパターンはゲート長、ゲート間隔ともに同一となっている。これにより、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができる。さらに各スタンダードセル単体で見た場合と、それを隣接して配置した状態とではゲート電極、ダミーゲート電極のゲート長、ゲート間隔のパターンが同一となっており、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
なお、端子Tを構成する配線の長辺寸法の上限値は、実質上、X方向に沿うセルCのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下となる。また、上述したように、面積効率からみて、端子Tを構成する配線の長辺寸法は、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)とするのが好ましい。しかしながら、(X方向グリッド間隔Lx+配線幅W)の値は、端子Tを構成する配線の長辺寸法の下限値として見なしてもよい。
以上説明した実施の形態5では、ロジックブロックを合成して設計する際のスタンダードセルにおいて本発明を実施した。しかしながら、実施の形態6では、ゲートピッチが予め設定されているゲートアレイセルにおいても同様に実施することができる。この場合、ゲートアレイセルの端子形状を上述したスタンダードセルの端子形状と同様にすればよい。そうすれば、スタンダードセルの場合と同様のセル面積縮小効果が得られる。あるいは、ゲートアレイセルのゲートピッチまで配線グリットを拡大することに起因して生じるブロック面積の増大を抑えることができる。
なお、実施の形態5においては、ゲート電極、ダミーゲート電極は全て同一のゲート長であるとしたが、同一である必要はない。図14にゲート電極、ダミーゲート電極の一部のゲート長が同一でないスタンダードセルの例を示す。
図14において、C81はスタンダードセルである。スタンダードセルC81内にはゲート電極Gと、ダミーゲート電極DGと、さらにはゲート長がゲート電極G、ダミーゲート電極DGとは異なるゲート電極G2が二つ設けられており、スタンダードセルC81のX方向のセル幅はゲートピッチGxの整数倍となるように、ゲート電極G2の幅が設定されている。なお、図14においては、スタンダードセルC81のセル幅はゲートピッチGxの9倍となっている。ここで、G2の幅をこのように設定するのは、一般的に用いられる自動配置配線ツールで配置を行う際において、各セルのX方向のセル幅がゲートピッチGxの整数倍となっている方が各セルのセル幅が任意の値を取る場合に比べて処理速度が速いと予想されるためであり、必ずしもこのようにゲート電極G2の幅を設定する必要はない。なお、説明を簡単にするため、図14では端子を記載していない。
このようにゲート長の異なるゲート電極を有するスタンダードセルを含む場合でも、前述したように端子の長辺寸法を(X方向グリット間隔Lx+配線幅W)とする横長矩形状とすることで、端子が少なくとも1個の配線グリット交点と交差するようにしておけば、X方向のセル配置を自由に設定することができ、セル間に余分な領域が発生することはない。
また、自動配置配線ツールの処理速度を考慮して、各セルのX方向のセル幅がゲートピッチGxの整数倍となるように設定した場合でも同様にセル間に余分な領域が発生することはない。また、ゲート電極、ダミーゲート電極のパターンはゲート長、ゲート間隔において、不均一な部分をスタンダードセル内に持つことができるため、スタンダードセルの設計の自由度が向上する。また、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる効果については他の実施の形態と同様、実施の形態6でも得られる。
以上の説明では、ゲート長が同一ではなく互いに異なるゲート電極を設ける場合について説明したが、ゲート長が異なるダミーゲート電極を設ける場合や、ゲート間隔が異なるゲート電極やダミーゲート電極を設けるセル構成においても同様に実施の形態5を実施することができる。
なお、実施の形態5においては、ダミーゲート電極DGを設けることを前提して説明したが、次の構成において実施の形態5を実施してもその効果を同様に得ることができる。その構成とは、ダミーゲート電極DGを設けない構成において、さらに各スタンダードセルのセル枠からの最近傍のゲート電極までの距離を一定にする構成である。この構成においても、各スタンダードセルのセル枠から最近傍のゲート電極までの距離と、そのスタンダードセルに隣接する他のスタンダードセルのセル枠から最近傍のゲート電極までの距離とは一定になる。そのため、このような構成においても、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができるという実施の形態5の効果を同様に得ることができる。
例えば、前述した図11の構成においてダミーゲート電極DGを設けない構成であっても、各スタンダードセルC61,C62,C63のセル枠から、各スタンダードセルの端部に位置するゲート電極GまでのX方向の距離は(Gx−ゲート長/2)であって一定であり、また、各スタンダードセルの端部に位置するゲート電極Gから、隣接するスタンダードセルの端部に位置するゲート電極GまでのX方向の距離は(2Gx−ゲート長)であって一定である。
(実施の形態6)
図15は、本発明の実施の形態6におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わしている。
図15は、本発明の実施の形態6におけるスタンダードセルの自動配置配線方法の処理フローを表わしている。
この自動配置配線方法を実行する自動配置配線装置は、論理回路の接続情報を入力する接続情報入力手段と、設計規約入力手段と、スタンダードセルのレイアウト情報入力手段と、各セル群を接続情報に基づいて配置する配置手段とを備えている。このような構成を有する自動配置配線装置は複数のスタンダードセルを含む状態で論理回路を配置配線する。
まず、予め、複数のスタンダードセルどうしを互いに接続するための論理回路の回路接続情報、自動配置配線を行う際に必要となる設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを図示しない記憶装置に格納しておく。ここで記憶装置に格納されるレイアウト情報は、セルC21,C22,C23として、実施の形態5で説明した構造を有するセルのレイアウト情報である。
そのうえで、自動配置配線装置は、データ読み込み工程S31において、上述した論理回路の回路接続情報、設計規約、および各スタンダードセルのレイアウトデータを記憶装置から読み出す。
次に、自動配置配線装置は、配置工程S32において、回路接続情報に基づいてセルC91,C92,C93を配置する。ここで、セルC91,C92,C93は、図16に示すように、X方向にはセル幅を規定するゲートピッチGxの整数倍のグリッド位置に、Y方向にはY方向の隣接配線グリッド間の中点に位置するように配置される。
その後、自動配置配線装置は、実配線処理工程S33において、配置したセルC91,C92,C93どうしの配線処理を行う。
実施の形態6では、配置工程S32で実施するセル配置において、各セルをX方向にはセル幅を規定するゲートピッチGxの整数倍のグリッド位置に配置することで配置面積を小さくして、チップサイズを小さくすることができる。
さらには、実施の形態6では、スタンダードセルとして実施の形態1や実施の形態5で説明したスタンダードセルを使用している。これにより、配置されたスタンダードセルC91,C92,C93のゲート電極のパターンはゲート長、ゲート間隔ともに一定となっており、ゲート電極の仕上がり寸法の精度を高くすることができる。このようなゲート電極の仕上がり精度の向上は、スタンダードセルC91,C92,C93内だけでなく、スタンダードセルの間においても得られる。
さらに各スタンダードセル単体で見た場合と、それを隣接して配置した状態とではゲート電極のゲート長、ゲート間隔のパターンが同一となるため、OPCを各スタンダードセル単体で行うことができる。
なお、実施の形態6に示すスタンダードセルの自動配置配線方法は、データ読み込み工程S21、配置工程S22、実配線処理工程S23などをCPUなどにおいて演算処理を行わせることで実現できる。そうすれば、設計者はキーボードなどを使用して設計規約等を記憶装置に入力して記憶させたうえで、設計途中においては、モニター画面などを通じて設計の途中段階のデータの確認や、配線処理後のデータの確認などをすることができる。このようにして本実施形態はハードウェア上で実現することができる。
このように本発明は、配線長を短く設計できて、チップの小面積化に対して有効である。さらには、電源降下の低減による遅延時間の短縮化、ばらつき削減などにおいて有効である。
C1〜C3,C11〜C13,C21〜C23,C31〜C33 スタンダードセル
O1〜O3,O11〜O13,O21〜O23,O31〜O33 原点
G ゲート電極LxのX方向グリッド間隔
Ly Y方向グリッド間隔
R21,R22 余分な(無駄な)領域
T 入出力信号を伝達可能な端子
W セル幅
x1〜x13 X方向配線グリッド
y1〜y8 Y方向配線グリッ
O1〜O3,O11〜O13,O21〜O23,O31〜O33 原点
G ゲート電極LxのX方向グリッド間隔
Ly Y方向グリッド間隔
R21,R22 余分な(無駄な)領域
T 入出力信号を伝達可能な端子
W セル幅
x1〜x13 X方向配線グリッド
y1〜y8 Y方向配線グリッ
Claims (33)
- 入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子を有し、半導体集積装置を設計するうえでの最小単位となるセルであって、
前記複数の端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状を有する、
ことを特徴とするセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、X方向に沿う配線グリッド間隔以上で前記X方向に沿う当該セルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下である、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、(X方向に沿う配線グリッド間隔+前記配線幅)以上で前記X方向に沿う当該セルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下である、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は(X方向に沿った配線グリッド間隔+配線幅)である、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、前記X方向に沿った当該セルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さである、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 当該セルはスタンダードセルである、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 当該セルはゲートアレイセルである、
ことを特徴とする請求項1記載のセル。 - 請求項1のセルと、
前記セルを実装する回路基板と、
を備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 機能マクロレイアウトを合成するためのスタンダードセルライブラリであって、当該ライブラリは、セル幅が配線グリッド間隔の整数倍の寸法とは相違するスタンダードセルを含む、
スタンダードセルライブラリ。 - 前記スタンダートセルはゲート電極を複数備えており、
前記ゲート電極の幾つかが有するゲートピッチは、前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿って設定された前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定されており、
前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿うセル幅は、前記X方向に沿う前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定された前記ゲート電極のゲートピッチのうちの最小値の整数倍に設定されている、
ことを特徴とする請求項9記載のスタンダードセルライブラリ。 - スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、
少なくとも一つのスタンダードセルのセル原点のY座標を、自動配置配線での隣接配線グリッド間の中点または配線グリッド上に配置し、
前記スタンダードセルのセル原点のX座標を、前記隣接配線グリッド間の中点または前記配線グリッド上とは相違する位置に配置する、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - 前記スタンダードセルとして、請求項1のセルを用いる、
ことを特徴とする請求項11記載のスタンダードセル配置方法。 - スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、
前記スタンダードセルを仮配置したうえで、
仮配置した前記スタンダードセルのセル原点のY座標が、自動配置配線での隣接配線グリッド間の中点または配線グリッド上に位置するとともに、前記セル原点のX座標が、前記隣接配線グリッド間の中点または前記配線グリッド上に位置する場合には、
前記セル原点を、当該セル原点を有する前記スタンダードセルが隣接スタンダードセルに当接する位置に移動させる、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - 前記スタンダードセルとして、請求項1のスタンダードセルを用いる、
ことを特徴とする請求項13記載のスタンダードセル配置方法。 - スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、
前記スタンダードセルを仮配置したうえで、
仮配置した前記スタンダードセルに、各セル幅が自動配置配線での配線グリッド間隔の整数倍である第1のセル群が含まれる場合には、
前記第1のセル群を、セル幅が必ずしも前記配線グリッド間隔の整数倍でない第2のセル群に置換する、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - 前記第2のセル群として、請求項9のセルライブラリに含まれるものを用いる、
ことを特徴とする請求項15記載のスタンダードセル配置方法。 - 請求項5のスタンダードセルを配置するステップと、
配置した前記スタンダードセルを、当該スタンダードセルの接続情報に従って仮配線するステップと、
前記スタンダードセルに含まれる端子レイアウトのうち配線に不要な部分を削除するステップと、
を含む、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - ゲート電極を複数備えたスタンダードセルであって、
当該スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅は、X方向に並ぶ配線グリット間隔とは異なる数値の整数倍である、
ことを特徴とするスタンダードセル。 - ゲート電極を複数備えたスタンダードセルであって、
前記ゲート電極の幾つかが有するゲートピッチは、前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿って設定された前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定されており、
前記スタンダードセルの電源配線に平行なX方向に沿ったセル幅は、前記X方向に沿って設定された前記配線グリッド間隔とは異なる値に設定された前記ゲート電極のゲートピッチのうちの最小値の整数倍に設定されている、
ことを特徴とするスタンダードセル。 - 前記ゲート電極は、ダミーゲート電極を含む、
ことを特徴とする請求項19記載のスタンダードセル。 - 前記ゲートピッチは全て等しい、
ことを特徴とする請求項19記載のスタンダードセル。 - 前記ゲート電極の少なくとも一つのゲート長は、他のゲート電極のゲート長と異なる、
ことを特徴とする請求項19記載のスタンダードセル。 - 入力信号または出力信号を伝達可能な複数の端子をさらに備え、
前記端子は、自動配置配線で用いられるセルの電源配線に垂直な方向であるY方向に並ぶ配線グリッド上に配置され、かつ前記電源配線に平行な方向であるX方向に沿って長い形状を有する、
ことを特徴とする請求項19記載のスタンダードセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、X方向に沿った配線グリッド間隔以上で前記X方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下である、
ことを特徴とする請求項23記載のスタンダードセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、(X方向に沿った配線グリッド間隔+配線幅)以上で前記X方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さ以下である、
ことを特徴とする請求項23記載のスタンダードセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は(X方向配線グリッド間隔+配線幅)である、
ことを特徴とする請求項23記載のスタンダードセル。 - 前記端子の短辺寸法は自動配置配線での配線幅であり、前記端子の長辺寸法は、前記X方向に沿った当該スタンダードセルのセル幅から配線の最小間隔を差し引いた長さである、
ことを特徴とする請求項23記載のスタンダードセル。 - 請求項19のスタンダードセルを含む、
ことを特徴とするスタンダードセルライブラリ。 - 請求項19のスタンダードセルと、
前記スタンダードセルを実装する回路基板と、
を備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - スタンダードセルを用いて機能マクロレイアウトを合成する設計手法であって、
少なくとも一つのスタンダードセルのセル原点のY座標を、自動配置配線での隣接グリッド間の中点または配線グリッド上に配置し、
前記スタンダードセルのセル原点のX座標を、前記隣接グリッドとは異なるゲートピッチグリッドの中点またはゲートピッチグリッド上に配置する、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - 前記スタンダードセルとして、請求項19のスタンダードセルを用いる、
ことを特徴とする請求項30記載のスタンダードセル配置方法。 - 論理回路の接続情報と、スタンダードセルのレイアウト情報と、前記スタンダードセルの設計規約情報とを記憶装置に記憶させるステップと、
前記記憶装置から設計対象とするスタンダードセルに関する前記情報を読み出すステップと、
読み出した前記情報に基づいて前記スタンダードセルを配置するステップと、
配置した前記スタンダードセルを実配線するステップと、
を含み、
これらのステップを演算回路で実施する、
ことを特徴とするスタンダードセル配置方法。 - 前記スタンダードセルとして、請求項19のスタンダードセルを用いる、
ことを特徴とする請求項32のスタンダードセル配置方法。
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US11/305,191 US7503026B2 (en) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | Cell, standard cell, standard cell library, a placement method using standard cell, and a semiconductor integrated circuit |
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012505526A (ja) * | 2008-07-16 | 2012-03-01 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | 動的アレイアーキテクチャにおけるセル位相整合及び配置の方法及びその実施 |
US8426978B2 (en) | 2009-02-17 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion and a via including the bending portion |
US8816402B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-08-26 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with gate level feature layout channel including single transistor |
US8823062B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-09-02 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit with offset line end spacings in linear gate electrode level |
US8839175B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-09-16 | Tela Innovations, Inc. | Scalable meta-data objects |
JP2014220498A (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-20 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd. | 公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル |
US8951916B2 (en) | 2007-12-13 | 2015-02-10 | Tela Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
US9009641B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-04-14 | Tela Innovations, Inc. | Circuits with linear finfet structures |
US9035359B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-05-19 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods |
US9122832B2 (en) | 2008-08-01 | 2015-09-01 | Tela Innovations, Inc. | Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication |
US9159627B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-10-13 | Tela Innovations, Inc. | Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same |
US9202779B2 (en) | 2008-01-31 | 2015-12-01 | Tela Innovations, Inc. | Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect |
US9230910B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-01-05 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology |
US9240413B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-01-19 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
US9269702B2 (en) | 2009-10-13 | 2016-02-23 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the same |
US9336344B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-05-10 | Tela Innovations, Inc. | Coarse grid design methods and structures |
US9390215B2 (en) | 2008-03-27 | 2016-07-12 | Tela Innovations, Inc. | Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same |
JP2016225648A (ja) * | 2007-08-02 | 2016-12-28 | テラ イノヴェイションズ インク | 集積回路デバイス |
US9563733B2 (en) | 2009-05-06 | 2017-02-07 | Tela Innovations, Inc. | Cell circuit and layout with linear finfet structures |
US9633987B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-04-25 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit cell library for multiple patterning |
US9673825B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-06-06 | Tela Innovations, Inc. | Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic |
WO2017145906A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
US9754878B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-09-05 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including a chip level based on a layout that includes both regular and irregular wires |
US10410917B2 (en) | 2016-03-03 | 2019-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including standard cell and electronic design automation method thereof |
JP2023522522A (ja) * | 2021-03-17 | 2023-05-31 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 集積回路及びそのレイアウト方法 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070101279A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Chaudhri Imran A | Selection of user interface elements for unified display in a display environment |
JP2008021001A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン修正装置、パターン最適化装置及び集積回路設計装置 |
US7577933B1 (en) * | 2006-11-17 | 2009-08-18 | Sun Microsystems, Inc. | Timing driven pin assignment |
JP2008235350A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
US8037441B2 (en) * | 2007-09-25 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Gridded-router based wiring on a non-gridded library |
JP4448535B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2010-04-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
US8004014B2 (en) * | 2008-07-04 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor integrated circuit device having metal interconnect regions placed symmetrically with respect to a cell boundary |
US20100057473A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Hongwei Kong | Method and system for dual voice path processing in an audio codec |
US8600166B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-12-03 | Sony Corporation | Real time hand tracking, pose classification and interface control |
US8495551B2 (en) * | 2009-12-17 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Shaping ports in integrated circuit design |
US9646958B2 (en) * | 2010-03-17 | 2017-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits including dummy structures and methods of forming the same |
US8370786B1 (en) * | 2010-05-28 | 2013-02-05 | Golden Gate Technology, Inc. | Methods and software for placement improvement based on global routing |
US8451026B2 (en) * | 2011-05-13 | 2013-05-28 | Arm Limited | Integrated circuit, method of generating a layout of an integrated circuit using standard cells, and a standard cell library providing such standard cells |
JP2013030602A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Panasonic Corp | 半導体集積回路装置 |
US20130320451A1 (en) | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("Tsmc") | Semiconductor device having non-orthogonal element |
CN103838895B (zh) * | 2012-11-26 | 2017-08-11 | 北京华大九天软件有限公司 | 一种平板显示器设计中的窄边框布线实现方法‑翼状布线 |
US9501600B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Standard cells for predetermined function having different types of layout |
US9811626B2 (en) * | 2014-09-18 | 2017-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of designing layout of semiconductor device |
US9767248B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-09-19 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Semiconductor having cross coupled structure and layout verification method thereof |
US10026661B2 (en) | 2014-09-18 | 2018-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device for testing large number of devices and composing method and test method thereof |
KR102423878B1 (ko) * | 2014-09-18 | 2022-07-22 | 삼성전자주식회사 | 다수의 소자 측정이 가능한 테스트용 반도체 장치 및 그것의 제조 방법 및 테스트 방법 |
US10095825B2 (en) | 2014-09-18 | 2018-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Computer based system for verifying layout of semiconductor device and layout verify method thereof |
US9704862B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
US9698056B2 (en) * | 2015-04-09 | 2017-07-04 | Samsung Electronics., Ltd. | Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same |
KR102321605B1 (ko) | 2015-04-09 | 2021-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 레이아웃 설계 방법 및 그를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10380307B1 (en) * | 2016-03-30 | 2019-08-13 | Silicon Technologies, Inc. | Analog design tool, cell set, and related methods, systems and equipment |
US10605859B2 (en) * | 2016-09-14 | 2020-03-31 | Qualcomm Incorporated | Visible alignment markers/landmarks for CAD-to-silicon backside image alignment |
KR102678555B1 (ko) * | 2016-10-05 | 2024-06-26 | 삼성전자주식회사 | 변형 셀을 포함하는 집적 회로 및 그 설계 방법 |
KR102699046B1 (ko) | 2016-12-15 | 2024-08-27 | 삼성전자주식회사 | 수직형 트랜지스터를 구비하는 집적 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR102373540B1 (ko) * | 2018-04-19 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 표준 셀들을 포함하는 집적 회로, 이를 제조하기 위한 방법 및 컴퓨팅 시스템 |
CN109345607B (zh) * | 2018-10-11 | 2023-02-28 | 广州前实网络科技有限公司 | 一种自动标记epc图片方法 |
US11024509B2 (en) | 2019-01-18 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
KR20210041737A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치, 반도체 장치의 레이아웃 디자인 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US11842994B2 (en) * | 2020-04-30 | 2023-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Semiconductor device having staggered gate-stub-size profile and method of manufacturing same |
DE102020132921A1 (de) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GESTUFTEM GATESTUMPFGRÖßENPROFIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON |
CN115249002A (zh) * | 2021-04-26 | 2022-10-28 | 联华电子股份有限公司 | 集成电路布局 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63224237A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置の機能ブロツク自動生成方法 |
JPH05136356A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH0677323A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Nec Corp | 自動レイアウトシステム |
JPH0722598A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Denki Eng Kk | 半導体集積回路 |
JP2001015602A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | スタンダードセル、スタンダードセル列、スタンダードセルの配置配線装置および配置配線方法 |
JP2004342757A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及びその設計方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55115353A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Cell rotatable by 90 |
JPH0691156B2 (ja) | 1984-08-09 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
JPS6247148A (ja) | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
US5168342A (en) * | 1989-01-30 | 1992-12-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of the same |
JP2810181B2 (ja) | 1990-01-08 | 1998-10-15 | 株式会社日立製作所 | セルレイアウト方法 |
JP3266644B2 (ja) * | 1991-04-08 | 2002-03-18 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | ゲートアレイ装置 |
US6084256A (en) * | 1996-04-10 | 2000-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device |
JPH1041398A (ja) | 1996-04-10 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH09289251A (ja) | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路のレイアウト構造およびその検証方法 |
JP3311244B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 基本セルライブラリ及びその形成方法 |
US5977574A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-02 | Lsi Logic Corporation | High density gate array cell architecture with sharing of well taps between cells |
JP3160586B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2001-04-25 | 松下電子工業株式会社 | Cmosインバータ及びそれを用いたスタンダードセル |
US6207479B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Place and route method for integrated circuit design |
US6525350B1 (en) * | 1999-07-16 | 2003-02-25 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor integrated circuit basic cell semiconductor integrated circuit using the same |
US6445214B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
JP4794030B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-10-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US6567967B2 (en) * | 2000-09-06 | 2003-05-20 | Monterey Design Systems, Inc. | Method for designing large standard-cell base integrated circuits |
JP3996735B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2007-10-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4416384B2 (ja) | 2002-07-19 | 2010-02-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路 |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005353654A patent/JP2007043049A/ja active Pending
- 2005-12-19 US US11/305,191 patent/US7503026B2/en active Active
-
2009
- 2009-01-26 US US12/359,615 patent/US20090138840A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63224237A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置の機能ブロツク自動生成方法 |
JPH05136356A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH0677323A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Nec Corp | 自動レイアウトシステム |
JPH0722598A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Denki Eng Kk | 半導体集積回路 |
JP2001015602A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | スタンダードセル、スタンダードセル列、スタンダードセルの配置配線装置および配置配線方法 |
JP2004342757A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及びその設計方法 |
Cited By (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9917056B2 (en) | 2006-03-09 | 2018-03-13 | Tela Innovations, Inc. | Coarse grid design methods and structures |
US9905576B2 (en) | 2006-03-09 | 2018-02-27 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures |
US10230377B2 (en) | 2006-03-09 | 2019-03-12 | Tela Innovations, Inc. | Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic |
US8823062B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-09-02 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit with offset line end spacings in linear gate electrode level |
US10217763B2 (en) | 2006-03-09 | 2019-02-26 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip having region including gate electrode features of rectangular shape on gate horizontal grid and first-metal structures of rectangular shape on at least eight first-metal gridlines of first-metal vertical grid |
US10186523B2 (en) | 2006-03-09 | 2019-01-22 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip having region including gate electrode features formed in part from rectangular layout shapes on gate horizontal grid and first-metal structures formed in part from rectangular layout shapes on at least eight first-metal gridlines of first-metal vertical grid |
US8839175B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-09-16 | Tela Innovations, Inc. | Scalable meta-data objects |
US10141334B2 (en) | 2006-03-09 | 2018-11-27 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first-metal structures |
US10141335B2 (en) | 2006-03-09 | 2018-11-27 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor CIP including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures |
US9859277B2 (en) | 2006-03-09 | 2018-01-02 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
US9754878B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-09-05 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including a chip level based on a layout that includes both regular and irregular wires |
US9741719B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-08-22 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
US9711495B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-07-18 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology |
US9673825B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-06-06 | Tela Innovations, Inc. | Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic |
US9589091B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-03-07 | Tela Innovations, Inc. | Scalable meta-data objects |
US9425273B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-08-23 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit including at least five gate level conductive structures having particular spatial and electrical relationship and method for manufacturing the same |
US8921896B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-12-30 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including linear gate electrode structures having different extension distances beyond contact |
US8921897B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-12-30 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit with gate electrode conductive structures having offset ends |
US8946781B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-02-03 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including gate electrode conductive structures with different extension distances beyond contact |
US9425145B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-08-23 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology |
US8952425B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-02-10 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including at least four linear-shaped conductive structures having extending portions of different length |
US9425272B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-08-23 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit including four transistors of first transistor type and four transistors of second transistor type with electrical connections between various transistors and methods for manufacturing the same |
US9009641B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-04-14 | Tela Innovations, Inc. | Circuits with linear finfet structures |
US9035359B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-05-19 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods |
US9336344B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-05-10 | Tela Innovations, Inc. | Coarse grid design methods and structures |
US9443947B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-09-13 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region having integrated circuit transistor gate electrodes formed by various conductive structures of specified shape and position and method for manufacturing the same |
US9240413B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-01-19 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
US9230910B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-01-05 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology |
US10074640B2 (en) | 2007-03-05 | 2018-09-11 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit cell library for multiple patterning |
US9633987B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-04-25 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit cell library for multiple patterning |
US9595515B2 (en) | 2007-03-07 | 2017-03-14 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit defined within dynamic array section |
US9910950B2 (en) | 2007-03-07 | 2018-03-06 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same |
US9424387B2 (en) | 2007-03-07 | 2016-08-23 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same |
US8966424B2 (en) | 2007-03-07 | 2015-02-24 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same |
JP2018050072A (ja) * | 2007-08-02 | 2018-03-29 | テラ イノヴェイションズ インク | 集積回路デバイス |
JP2016225648A (ja) * | 2007-08-02 | 2016-12-28 | テラ イノヴェイションズ インク | 集積回路デバイス |
US10734383B2 (en) | 2007-10-26 | 2020-08-04 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
US9818747B2 (en) | 2007-12-13 | 2017-11-14 | Tela Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
US9281371B2 (en) | 2007-12-13 | 2016-03-08 | Tela Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
US10461081B2 (en) | 2007-12-13 | 2019-10-29 | Tel Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
US8951916B2 (en) | 2007-12-13 | 2015-02-10 | Tela Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
US9202779B2 (en) | 2008-01-31 | 2015-12-01 | Tela Innovations, Inc. | Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect |
US9530734B2 (en) | 2008-01-31 | 2016-12-27 | Tela Innovations, Inc. | Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect |
US8835989B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-09-16 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with gate electrode placement specifications |
US8866197B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-10-21 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with at least two gate electrodes electrically connected to each other through another transistor forming gate level feature |
US10658385B2 (en) | 2008-03-13 | 2020-05-19 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit defined on four gate electrode tracks |
US9117050B2 (en) | 2008-03-13 | 2015-08-25 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with gate contact position and offset specifications |
US10020321B2 (en) | 2008-03-13 | 2018-07-10 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit defined on two gate electrode tracks |
US9536899B2 (en) | 2008-03-13 | 2017-01-03 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same |
US10651200B2 (en) | 2008-03-13 | 2020-05-12 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit defined on three gate electrode tracks |
US8872283B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-10-28 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with shared diffusion regions on opposite sides of two-transistor-forming gate level feature |
US9208279B2 (en) | 2008-03-13 | 2015-12-08 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including digital logic circuit including linear-shaped conductive structures having electrical connection areas located within inner region between transistors of different type and associated methods |
US9081931B2 (en) | 2008-03-13 | 2015-07-14 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit having diffusion regions of common node on opposing sides of same gate electrode track and gate node connection through single interconnect layer |
US9213792B2 (en) | 2008-03-13 | 2015-12-15 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including digital logic circuit including at least six transistors with some transistors forming cross-coupled transistor configuration and associated methods |
US8847329B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-09-30 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit defined having diffusion regions of common node on opposing sides of same gate electrode track with at least two non-inner positioned gate contacts |
US8816402B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-08-26 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with gate level feature layout channel including single transistor |
US10727252B2 (en) | 2008-03-13 | 2020-07-28 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same |
US8836045B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-09-16 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor circuit having diffusion regions of common node on opposing sides of same gate electrode track |
US9245081B2 (en) | 2008-03-13 | 2016-01-26 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including digital logic circuit including at least nine linear-shaped conductive structures collectively forming gate electrodes of at least six transistors with some transistors forming cross-coupled transistor configuration and associated methods |
US9871056B2 (en) | 2008-03-13 | 2018-01-16 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same |
US8853793B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-10-07 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit including gate electrode level region including cross-coupled transistors having gate contacts located over inner portion of gate electrode level region and offset gate level feature line ends |
US8847331B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-09-30 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region having cross-coupled transistor configuration with offset electrical connection areas on gate electrode forming conductive structures and at least two different inner extension distances of gate electrode forming conductive structures |
US8853794B2 (en) | 2008-03-13 | 2014-10-07 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit within semiconductor chip including cross-coupled transistor configuration |
US9779200B2 (en) | 2008-03-27 | 2017-10-03 | Tela Innovations, Inc. | Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same |
US9390215B2 (en) | 2008-03-27 | 2016-07-12 | Tela Innovations, Inc. | Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same |
JP2014199934A (ja) * | 2008-07-16 | 2014-10-23 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | 動的アレイアーキテクチャにおけるセル位相整合及び配置の方法及びその実施 |
JP2017143307A (ja) * | 2008-07-16 | 2017-08-17 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | 動的アレイアーキテクチャにおけるセル位相整合及び配置の方法及びその実施 |
JP2012505526A (ja) * | 2008-07-16 | 2012-03-01 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | 動的アレイアーキテクチャにおけるセル位相整合及び配置の方法及びその実施 |
JP2016136650A (ja) * | 2008-07-16 | 2016-07-28 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | 動的アレイアーキテクチャにおけるセル位相整合及び配置の方法及びその実施 |
US9122832B2 (en) | 2008-08-01 | 2015-09-01 | Tela Innovations, Inc. | Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication |
US8841774B2 (en) | 2009-02-17 | 2014-09-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion a via |
US8426978B2 (en) | 2009-02-17 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including a first wiring having a bending portion and a via including the bending portion |
US10446536B2 (en) | 2009-05-06 | 2019-10-15 | Tela Innovations, Inc. | Cell circuit and layout with linear finfet structures |
US9563733B2 (en) | 2009-05-06 | 2017-02-07 | Tela Innovations, Inc. | Cell circuit and layout with linear finfet structures |
US9269702B2 (en) | 2009-10-13 | 2016-02-23 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the same |
US9530795B2 (en) | 2009-10-13 | 2016-12-27 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell boundary encroachment and semiconductor devices implementing the same |
US9159627B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-10-13 | Tela Innovations, Inc. | Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same |
US9704845B2 (en) | 2010-11-12 | 2017-07-11 | Tela Innovations, Inc. | Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same |
US11544437B2 (en) | 2013-05-02 | 2023-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for designing integrated circuit layout and method of making the integrated circuit layout |
US9659129B2 (en) | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Standard cell having cell height being non-integral multiple of nominal minimum pitch |
US10289789B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for designing integrated circuit layout and method of making the integrated circuit layout |
US10867099B2 (en) | 2013-05-02 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System for designing integrated circuit layout and method of making the integrated circuit layout |
JP2014220498A (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-20 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd. | 公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル |
JP2016189489A (ja) * | 2013-05-02 | 2016-11-04 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd. | 公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル |
WO2017145906A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
JPWO2017145906A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2018-12-27 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
US10410917B2 (en) | 2016-03-03 | 2019-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including standard cell and electronic design automation method thereof |
JP2023522522A (ja) * | 2021-03-17 | 2023-05-31 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 集積回路及びそのレイアウト方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7503026B2 (en) | 2009-03-10 |
US20090138840A1 (en) | 2009-05-28 |
US20060136848A1 (en) | 2006-06-22 |
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