WO2022097520A1 - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

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film
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etching
thickness
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仁 小杉
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium.
  • Patent Document 1 discloses an apparatus for measuring the film thickness of a thin film at the same timing as the etching of the thin film is progressing in order to control the film thickness (etching amount) of the thin film.
  • the device includes an optical probe configured to detect an interference state between the reflected light from the thin film surface and the reflected light from the substrate surface, and a control configured to calculate the film thickness based on the interference state. It has a department.
  • the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of accurately measuring the thickness of a film formed on the surface of a substrate.
  • An example of a substrate processing apparatus is a rotation holding portion configured to hold and rotate a substrate having a film formed on its surface, and an etching solution is supplied to the surface of the substrate while the substrate is rotated by the rotation holding portion.
  • the chemical solution supply unit configured as described above
  • the rinse liquid supply unit configured to supply the rinse liquid to the surface of the substrate during the rotation of the substrate by the rotation holding unit, and the measurement head located near the surface of the substrate.
  • a measuring unit configured to measure the thickness of the film in a state, and a driving unit configured to move the measuring head horizontally with respect to the surface of the substrate during measurement by the measuring unit. It is provided with an auxiliary supply unit configured to supply the rinse liquid to the gap between the measurement head and the surface of the substrate during the measurement by the unit and fill the gap with the rinse liquid.
  • the substrate processing apparatus According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it is possible to accurately measure the thickness of the film formed on the surface of the substrate.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 is a side view schematically showing an example of the processing unit.
  • FIG. 3 is a perspective view schematically showing a part of the processing unit of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a part of the processing unit of FIG.
  • FIG. 5 is a block diagram showing an example of a main part of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the hardware configuration of the controller.
  • FIG. 7 (a) is a cross-sectional view showing an example of a film thickness profile in which the film thickness is relatively small in the central portion of the substrate, and FIG.
  • FIG. 7 (b) is a cross-sectional view showing an example of the film thickness profile in which the film thickness is relatively large in the central portion of the substrate.
  • FIG. 7 (c) is a cross-sectional view showing an example of a film thickness profile
  • FIG. 7 (c) is a cross-sectional view showing an example of a film thickness profile having a substantially uniform film thickness over the entire substrate.
  • FIG. 8 is a flowchart for explaining an example of the processing procedure of the substrate.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining an example of the processing procedure of the substrate.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the subsequent steps of FIG.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining another example of the processing procedure of the substrate.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the subsequent steps of FIG.
  • FIG. 13 is a side view schematically showing another example of the processing unit.
  • the board processing device 1 includes a loading / unloading station 2, a processing station 3, and a controller Ctr (control unit).
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 may be arranged in a row in the horizontal direction, for example.
  • the substrate W may have a disk shape or a plate shape other than a circle such as a polygon.
  • the substrate W may have a notch portion that is partially cut out.
  • the notch portion may be, for example, a notch (a groove having a U-shape, a V-shape, or the like) or a straight portion extending linearly (so-called orientation flat).
  • the substrate W may be, for example, a semiconductor substrate (silicon wafer), a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or various other substrates.
  • the diameter of the substrate W may be, for example, about 200 mm to 450 mm.
  • the loading / unloading station 2 includes a loading section 4, a loading / unloading section 5, and a shelf unit 6.
  • the mounting unit 4 includes a plurality of mounting tables (not shown) arranged in the width direction (vertical direction in FIG. 1). Each mounting table is configured so that the carrier 7 (container) can be mounted.
  • the carrier 7 is configured to accommodate at least one substrate W in a sealed state.
  • the carrier 7 includes an opening / closing door (not shown) for loading / unloading the substrate W.
  • the loading / unloading section 5 is arranged adjacent to the loading section 4 in the direction in which the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are lined up (left-right direction in FIG. 1).
  • the carry-in / carry-out section 5 includes an opening / closing door (not shown) provided corresponding to the mounting section 4. With the carrier 7 mounted on the loading section 4, both the opening / closing door of the carrier 7 and the opening / closing door of the loading / unloading section 5 are opened, so that the inside of the loading / unloading section 5 and the inside of the carrier 7 communicate with each other. do.
  • the carry-in / carry-out unit 5 has a built-in transport arm A1 and a shelf unit 6.
  • the transport arm A1 is configured to be capable of horizontal movement in the width direction (vertical direction in FIG. 1) of the carry-in / carry-out portion 5, vertical movement in the vertical direction, and swivel movement around the vertical axis.
  • the transfer arm A1 is configured to take out the substrate W from the carrier 7 and pass it to the shelf unit 6, and also receive the substrate W from the shelf unit 6 and return it to the carrier 7.
  • the shelf unit 6 is located in the vicinity of the processing station 3 and is configured to mediate the transfer of the substrate W between the loading / unloading unit 5 and the processing station 3.
  • the processing station 3 includes a transport unit 8 and a plurality of processing units 10.
  • the transport unit 8 extends horizontally, for example, in the direction in which the carry-in / out station 2 and the processing station 3 are lined up (left-right direction in FIG. 1).
  • the transport unit 8 has a built-in transport arm A2.
  • the transport arm A2 is configured to be capable of horizontal movement in the longitudinal direction (left-right direction in FIG. 1) of the transport portion 8, vertical movement in the vertical direction, and swivel movement around the vertical axis.
  • the transfer arm A2 is configured to take out the substrate W from the shelf unit 6 and pass it to each processing unit 10, and also receives the substrate W from each processing unit 10 and returns it to the inside of the shelf unit 6.
  • the plurality of processing units 10 are arranged in a row on both sides of the transport unit 8 along the longitudinal direction of the transport unit 8 (left-right direction in FIG. 1).
  • the processing unit 10 is configured to perform a predetermined process (for example, a cleaning process) on the substrate W. Details of the processing unit 10 will be described later.
  • the controller Ctr is configured to partially or wholly control the substrate processing device 1. The details of the controller Ctr will be described later.
  • the processing unit 10 includes a rotation holding unit 20, a chemical liquid supply unit 30, a rinse liquid supply unit 40, a drive unit 50, an auxiliary supply unit 60, a measurement unit 70, and a drive unit 80.
  • the rotation holding portion 20 includes a rotating portion 21, a shaft 22, and a holding portion 23.
  • the rotating unit 21 operates based on an operation signal from the controller Ctr and is configured to rotate the shaft 22.
  • the rotating portion 21 may be a power source such as an electric motor.
  • the holding portion 23 is provided at the tip end portion of the shaft 22, and has a disk shape, for example.
  • the holding portion 23 may be configured to suck and hold the entire back surface of the substrate W by, for example, suction. In this case, even if the substrate W is warped or the like, the substrate W is corrected so as to be substantially horizontal along the surface of the holding portion 23. That is, the rotation holding portion 20 may be configured to rotate the substrate W around a central axis (rotation axis) perpendicular to the surface of the substrate W while the posture of the substrate W is substantially horizontal. As illustrated in FIG. 2, the rotation holding portion 20 may rotate the substrate W counterclockwise when viewed from above.
  • the holding unit 23 has a plurality of heating units 24 and 25 built-in.
  • the heating units 24 and 25 may be a heat source such as a resistance heating heater.
  • the heating unit 24 is located at the center of the holding unit 23. Therefore, the heating unit 24 is configured to heat the central portion of the substrate W while the substrate W is held by the rotation holding portion 20.
  • the heating portion 25 has an annular shape so as to surround the heating portion 24, and is located on the outer peripheral portion of the holding portion 23. Therefore, the heating unit 25 is configured to heat the outer peripheral portion of the substrate W while the substrate W is held by the rotation holding unit 20. In other words, the heating units 24 and 25 are configured to partially heat the substrate W, respectively.
  • the chemical solution supply unit 30 is configured to supply the etching solution L1 to the substrate W.
  • the etching solution L1 is, for example, a chemical solution for etching a film F (for example, a thin film such as a silicon oxide film) arranged on the surface Wa of the substrate W.
  • the etching solution L1 contains, for example, an alkaline chemical solution, an acidic chemical solution, and the like.
  • the alkaline chemical solution contains, for example, SC-1 solution (a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and pure water), hydrogen peroxide solution, and the like.
  • Acidic chemicals include, for example, SC-2 solution (mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide and pure water), HF solution (hydrofluoric acid), DHF solution (dilute hydrofluoric acid), HNO 3 + HF solution (nitric acid and hydrofluoric acid). Mixture solution) and the like.
  • the chemical liquid supply unit 30 includes a liquid source 31, a pump 32, a valve 33, a nozzle 34, and a pipe 35.
  • the liquid source 31 is a supply source of the etching liquid L1.
  • the pump 32 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to send the etching liquid L1 sucked from the liquid source 31 to the nozzle 34 via the pipe 35 and the valve 33.
  • the valve 33 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to transition between an open state that allows the flow of fluid in the pipe 35 and a closed state that hinders the flow of the fluid in the pipe 35.
  • the nozzle 34 is arranged above the substrate W so that the ejection port faces the surface Wa of the substrate W.
  • the nozzle 34 is configured to discharge the etching solution L1 delivered from the pump 32 from the discharge port.
  • the pipe 35 connects the liquid source 31, the pump 32, the valve 33, and the nozzle 34 in this order from the upstream side.
  • the rinse liquid supply unit 40 is configured to supply the rinse liquid L2 to the substrate W.
  • the rinsing liquid L2 is, for example, a cleaning liquid for washing away the dissolved components of the film F by the etching liquid L1 and the etching liquid L1 supplied to the surface Wa of the substrate W from the surface Wa.
  • the rinse liquid L2 contains, for example, pure water (DIW: deionized water) or the like.
  • the rinse liquid supply unit 40 includes a liquid source 41, a pump 42, a valve 43, a nozzle 44, and a pipe 45.
  • the liquid source 41 is a supply source of the rinse liquid L2.
  • the pump 42 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to send the rinse liquid L2 sucked from the liquid source 41 to the nozzle 44 via the pipe 45 and the valve 43.
  • the valve 43 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to transition between an open state that allows the flow of fluid in the pipe 45 and a closed state that hinders the flow of the fluid in the pipe 45.
  • the nozzle 44 is arranged above the substrate W so that the ejection port faces the surface Wa of the substrate W.
  • the nozzle 44 is configured to discharge the rinse liquid L2 delivered from the pump 42 from the discharge port.
  • the pipe 45 connects the liquid source 41, the pump 42, the valve 43, and the nozzle 44 in this order from the upstream side.
  • the drive unit 50 includes a holding portion 51 and a drive mechanism 52.
  • the holding portion 51 is configured to hold the nozzles 34 and 44.
  • the drive mechanism 52 operates based on the signal from the controller Ctr, and is configured to move the holding portion 51 in the horizontal direction and the vertical direction. Therefore, the nozzles 34 and 44 move in the horizontal direction and the vertical direction as the holding portion 51 moves.
  • the auxiliary supply unit 60 is configured to supply the rinse liquid L2 to the substrate W. It includes a liquid source 61, a pump 62, a valve 63, a nozzle 64, and a pipe 65.
  • the liquid source 61 is a supply source of the rinse liquid L2.
  • the pump 62 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to send the rinse liquid L2 sucked from the liquid source 61 to the nozzle 64 via the pipe 65 and the valve 63.
  • the valve 63 operates based on an operation signal from the controller Ctr, and is configured to transition between an open state that allows the flow of fluid in the pipe 65 and a closed state that hinders the flow of the fluid in the pipe 65.
  • the nozzle 64 is arranged above the substrate W so that the ejection port faces the surface Wa of the substrate W.
  • the nozzle 64 is configured to discharge the rinse liquid L2 delivered from the pump 62 from the discharge port.
  • the pipe 65 connects the liquid source 61, the pump 62, the valve 63, and the nozzle 64 in this order from the upstream side.
  • the measuring unit 70 is configured to measure the thickness of the film F arranged on the surface Wa of the substrate W (hereinafter, simply referred to as “film thickness”) and transmit the measured value to the controller Ctr.
  • the measuring unit 70 may be configured to measure the film thickness with reference to the surface Wa of the substrate W.
  • the measuring unit 70 may be, for example, a film thickness measuring device using a spectroscopic interferometry.
  • the measuring unit 70 is, for example, an irradiation unit that irradiates light toward the surface Wa of the substrate W, light reflected by the irradiation unit on the surface Wa of the substrate W, and light from the irradiation unit is the film F. It may include a light receiving unit that receives multiple reflected light, which is a superposition of light reflected on the surface of the above.
  • the measuring unit 70 includes a measuring head 71 arranged in the vicinity of the surface Wa of the substrate W when measuring the film thickness. Therefore, during the measurement of the film thickness, a gap G exists between the tip of the measuring head 71 and the surface Wa of the substrate W.
  • the drive unit 80 includes a holding unit 81 and a drive mechanism 82 (drive unit).
  • the holding portion 81 is configured to hold the nozzle 64 and the measuring head 71.
  • the nozzle 64 and the measuring head 71 may be adjacent to each other while the nozzle 64 and the measuring head 71 are held by the holding portion 81.
  • the tip (lower end) of the measuring head 71 is more on the surface Wa of the substrate W than the lower end of the nozzle 64. It may be located near.
  • the measuring head 71 may be located radially outward from the nozzle 64. In a state where the nozzle 64 and the measurement head 71 are held by the holding portion 81, the measurement head 71 may be located on the downstream side in the rotation direction of the substrate W with respect to the nozzle 64. In a state where the nozzle 64 and the measuring head 71 are held by the holding portion 81, the measuring head 71 is located on the downstream side of the rotating substrate W where the rinse liquid L2 discharged from the nozzle 64 flows through the surface Wa. It may be located (see FIG. 3).
  • the drive mechanism 82 operates based on a signal from the controller Ctr, and is configured to move the holding portion 81 in the horizontal direction and the vertical direction. Therefore, the nozzle 64 and the measuring head 71 move in the horizontal direction and the vertical direction as the holding portion 81 moves.
  • the controller Ctr has a reading unit M1, a storage unit M2, a processing unit M3, and an indicating unit M4 as functional modules.
  • These functional modules merely divide the functions of the controller Ctr into a plurality of modules for convenience, and do not necessarily mean that the hardware constituting the controller Ctr is divided into such modules.
  • Each functional module is not limited to that realized by executing a program, but is realized by a dedicated electric circuit (for example, a logic circuit) or an integrated circuit (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) that integrates the circuits. You may.
  • the reading unit M1 is configured to read a program from a computer-readable recording medium RM.
  • the recording medium RM records a program for operating each part of the substrate processing apparatus 1 including the processing unit 10.
  • the recording medium RM may be, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or an optical magnetic recording disk.
  • the storage unit M2 is configured to store various data.
  • the storage unit M2 may store, for example, a program read from the recording medium RM by the reading unit M1, setting data input from the operator via an external input device (not shown), and the like.
  • the storage unit M2 may store, for example, the measured value of the film thickness received from the measuring unit 70, the target value of the film thickness, the processing conditions for the etching process of the film F, and the like.
  • the processing conditions may be composed of a combination of a plurality of set values for operating each part of the processing unit 10 during the etching process.
  • the set values are, for example, the position of the nozzle 34 with respect to the surface Wa of the substrate W, the discharge flow rate of the etching solution L1, the ejection time of the etching solution L1, the temperature of the etching solution L1, the rotation speed of the substrate W, and the temperatures of the heating units 24 and 25. Etc. may be included.
  • the storage unit M2 may store in advance the film thickness profile in the plane of the substrate W, that is, the processing conditions corresponding to the fluctuation state of the film thickness in the plane of the substrate W. For example, the etching rate of the outer peripheral portion of the substrate W becomes higher than that of the central portion corresponding to the first film thickness profile (see FIG. 7A) in which the film thickness at the central portion of the substrate W is smaller than that of the outer peripheral portion.
  • the first processing condition configured by the combination of such set values may be stored in advance in the storage unit M2. For example, the etching rate of the outer peripheral portion of the substrate W is smaller than that of the central portion corresponding to the second film thickness profile (see FIG.
  • the second processing condition configured by the combination of such set values may be stored in advance in the storage unit M2.
  • the third processing condition configured by the above may be stored in advance in the storage unit M2.
  • the processing unit M3 is configured to process various data.
  • the processing unit M3 is, for example, based on various data stored in the storage unit M2, and each unit of the substrate processing device 1 (for example, a rotating unit 21, a heating unit 24, 25, a pump 32, 42, 62, a valve 33, 43, 63, drive mechanism 52, 82) may be generated to operate the signal.
  • each unit of the substrate processing device 1 for example, a rotating unit 21, a heating unit 24, 25, a pump 32, 42, 62, a valve 33, 43, 63, drive mechanism 52, 82
  • the instruction unit M4 drives the operation signal generated by the processing unit M3 into each unit of the substrate processing device 1 (for example, the rotating unit 21, the heating unit 24, 25, the pump 32, 42, 62, the valve 33, 43, 63,). It is configured to transmit to the mechanisms 52, 82).
  • the hardware of the controller Ctr may be configured by, for example, one or a plurality of control computers. As shown in FIG. 6, the controller Ctr may include the circuit C1 as a hardware configuration.
  • the circuit C1 may be composed of an electric circuit element (circuitry).
  • the circuit C1 may include, for example, a processor C2, a memory C3, a storage C4, a driver C5, and an input / output port C6.
  • the processor C2 is configured to realize each of the above-mentioned functional modules by executing a program in cooperation with at least one of the memory C3 and the storage C4 and executing input / output of a signal via the input / output port C6. It may have been done.
  • the memory C3 and the storage C4 may function as the storage unit M2.
  • the driver C5 may be a circuit configured to drive each part of the substrate processing device 1.
  • the input / output port C6 may be configured to mediate the input / output of a signal between the driver C5 and each part of the board processing device 1.
  • the board processing device 1 may include one controller Ctr, or may include a controller group (control unit) composed of a plurality of controller Ctrs.
  • each of the above functional modules may be realized by one controller Ctr, or may be realized by a combination of two or more controller Ctrs. ..
  • the controller Ctr is composed of a plurality of computers (circuit C1)
  • each of the above functional modules may be realized by one computer (circuit C1), or two or more computers (circuit C1). ) May be realized.
  • the controller Ctr may have a plurality of processors C2. In this case, each of the above functional modules may be realized by one processor C2 or may be realized by a combination of two or more processors C2.
  • the controller Ctr controls the transfer arms A1 and A2 to take out one substrate W from the carrier 7 and transfer it to one of the processing units 10.
  • the substrate W conveyed into the processing unit 10 is placed on the holding portion 23.
  • the controller Ctr controls the rotating portion 21 and the holding portion 23 (rotating holding portion 20) to suck and hold the back surface of the substrate W by the holding portion 23 and rotate the substrate W.
  • the controller Ctr controls the pumps 42, 62 and the valves 43, 63 (rinse liquid supply unit 40 and auxiliary supply unit 60).
  • the rinse liquid L2 is supplied to each of the surface Wa and the gap G of the substrate W.
  • the rinse liquid L2 discharged from the nozzle 44 may be supplied toward the substantially central portion of the surface Wa of the substrate W.
  • the rinse liquid L2 discharged from the nozzle 44 flows through the entire surface Wa from the central portion of the substrate W toward the peripheral edge due to the rotation of the substrate W, and then is shaken off to the outside. Therefore, the thin film R1 of the rinse liquid L2 (see FIGS. 4 and 9 (a)) is formed on the entire surface Wa of the substrate W. Therefore, the appearance of the dry region is suppressed on the surface Wa of the substrate W.
  • the thickness of the thin film R1 formed on the surface Wa of the substrate W by the rinse liquid L2 discharged from the nozzle 44 may be, for example, about 0.1 mm to 0.4 mm.
  • the rinse liquid L2 supplied from the nozzle 64 to the gap G flows from the liquid landing position on the surface Wa of the substrate W toward the peripheral edge of the substrate W due to the rotation of the substrate W, and then is shaken off to the outside. Therefore, a thick film R2 of the rinse liquid L2 (see FIGS. 4 and 9 (a)) is formed in the vicinity of the gap G.
  • the thickness of the thick film R2 may be, for example, about 1 mm to 3 mm.
  • the controller Ctr controls the drive mechanism 82 to transfer the measurement head 71 (holding portion 81) to the substrate W. It is moved substantially horizontally along the surface Wa.
  • the film thickness of the film F in the plane of the substrate W is measured by the measuring unit 70, and the measured value is stored in the storage unit M2 (see steps S1 and 9 (a) in FIG. 8).
  • the instruction unit M4 may execute a process of controlling the drive mechanism 82 so that the measurement head 71 (holding unit 81) is moved in the substantially horizontal direction along the radial direction of the substrate W.
  • the instruction unit M4 may execute a process of controlling the drive mechanism 82 so that the measurement head 71 (holding unit 81) is moved from the central portion of the substrate W toward the peripheral edge.
  • the instruction unit M4 may execute a process of controlling the drive mechanism 82 so that the measurement head 71 (holding unit 81) is moved from the peripheral edge of the substrate W toward the central portion.
  • the controller Ctr selects one processing condition from the plurality of processing conditions stored in the storage unit M2 based on the measured value of the film thickness measured in step S1 (see step S2 in FIG. 8). ..
  • processing conditions suitable for etching the film F are selected based on the measured value of the film thickness before etching. Therefore, for example, even when the film thickness before etching fluctuates in the plane of the substrate W, the film thickness after etching can be made uniform.
  • the controller Ctr may select a processing condition such that the thickness of the film F after the etching process is equal to or less than a predetermined target value and is almost flat as a whole. For example, when the measured value measured in step S1 indicates the first film thickness profile (see FIG. 7A), the controller Ctr may select the first processing condition from the storage unit M2. When the measured value measured in step S1 indicates a second film thickness profile (see FIG. 7B), the controller Ctr may select the second processing condition from the storage unit M2. When the measured value measured in step S1 is indicated by the third film thickness profile (see FIG. 7C), the controller Ctr may select the third processing condition from the storage unit M2.
  • the controller Ctr controls the rotation holding unit 20 to rotate the substrate W sucked and held by the holding unit 23 at a predetermined rotation speed.
  • the controller Ctr controls the pump 32 and the valve 33 (chemical liquid supply unit 30) based on the processing conditions selected in step S2, and the etching solution L1 is transferred to the substrate at a predetermined discharge flow rate, discharge time, and temperature. It is supplied to the surface Wa of W (see step S3 and FIG. 9B in FIG. 8). Even if the etching liquid L1 is started to be supplied while the rinse liquid L2 supplied in step S1 covers the surface Wa of the substrate W in order to suppress the appearance of the dry region on the surface Wa of the substrate W. good. Therefore, the supply of the rinse liquid L2 from the nozzles 44 and 64 may be stopped after the supply of the etching liquid L1 is started.
  • the controller Ctr may set other parts of the processing unit 10 by using a plurality of setting values included in the processing conditions selected in step S2. For example, when the first processing condition is selected, the controller Ctr may control the heating units 24 and 25 so that the temperature of the heating unit 25 is higher than that of the heating unit 24. In this case, since the etching rate at the outer peripheral portion of the substrate W is higher than that at the central portion, the film F at the outer peripheral portion of the substrate W is more likely to be etched. When the second processing condition is selected, the controller Ctr may control the heating units 24 and 25 so that the temperature of the heating unit 24 is higher than that of the heating unit 25. In this case, since the etching rate in the central portion of the substrate W is higher than that in the outer peripheral portion, the film F in the central portion of the substrate W is more likely to be etched.
  • the etching solution L1 discharged from the nozzle 34 may be supplied toward the substantially central portion of the surface Wa of the substrate W.
  • the etching solution L1 discharged from the nozzle 34 flows through the entire surface Wa from the central portion of the substrate W toward the peripheral edge due to the rotation of the substrate W, and then is shaken off to the outside. Therefore, the thin film R3 of the etching solution L1 (see FIG. 9B) is formed on the entire surface Wa of the substrate W. Therefore, the appearance of the dry region is suppressed on the surface Wa of the substrate W.
  • the controller Ctr controls each part of the processing unit 10 in the same manner as in step S1 and measures the film thickness of the film F in the plane of the substrate W by the measuring unit 70 (steps S4 and 3 in FIG. 8). 4 and 10 (a)).
  • the rinse liquid L2 from the nozzles 44 and 64 is covered with the etching solution L1 supplied in step S3 while covering the surface Wa of the substrate W. Supply may be started. Therefore, the supply of the etching solution L1 may be stopped after the supply of the rinse solution L2 from the nozzles 44 and 64 is started.
  • the controller Ctr updates the processing conditions based on the measured value of the film thickness measured in step S4, and stores the updated processing conditions in the storage unit M2 (see step S5 in FIG. 8).
  • the measured value indicates the first film thickness profile (see FIG. 7A)
  • At least one of a plurality of setting values may be updated.
  • the etching processing conditions are updated based on the measured value of the film thickness after etching, it is possible to control the etching processing by feedback.
  • the measured value indicates the second film thickness profile (see FIG. 7B)
  • a plurality of processing conditions are included so that the etching rate in the central portion of the substrate W is higher than that in the outer peripheral portion.
  • At least one of the set values may be updated.
  • the controller Ctr determines whether or not the measured value of the film thickness measured in step S4 is equal to or less than a predetermined target value (see step S6 in FIG. 8).
  • the controller Ctr controls the rotation holding unit 20 to the holding unit 23.
  • the substrate W that is attracted and held is rotated at a predetermined rotation speed for a predetermined time.
  • the rinse liquid L2 is shaken off from the surface Wa of the substrate W, and the substrate W is dried (see step S7 and FIG. 10B in FIG. 8).
  • the controller Ctr controls the transport arms A1 and A2 to transport the dried substrate W and return it to the carrier 7.
  • the controller Ctr sets the processing conditions used in step S3. Correct (see step S9 in FIG. 8). That is, the controller Ctr corrects at least one of the plurality of set values included in the processing conditions so that the processing conditions can obtain a larger etching rate.
  • the controller Ctr controls the rotation holding unit 20 based on the processing conditions corrected in step S4, and rotates the substrate W sucked and held by the holding unit 23 at a predetermined rotation speed.
  • the controller Ctr controls the chemical liquid supply unit 30 based on the processing conditions corrected in step S4 to supply the etching liquid L1 to the surface Wa of the substrate W at a predetermined discharge flow rate, discharge time, and temperature. (See step S10 in FIG. 8).
  • the controller Ctr controls the chemical liquid supply unit 30 based on the processing conditions corrected in step S4 to supply the etching liquid L1 to the surface Wa of the substrate W at a predetermined discharge flow rate, discharge time, and temperature. (See step S10 in FIG. 8).
  • the processing conditions may be corrected so that the part is mainly etched in step S9.
  • the film F is re-etched using the corrected processing conditions, so that the film thickness after the re-etching treatment can be made uniform.
  • steps S4 and below are repeatedly executed until the film thickness becomes equal to or less than a predetermined target value. Even if the etching liquid L1 is started to be supplied while the rinse liquid L2 supplied in step S4 covers the surface Wa of the substrate W in order to suppress the appearance of the dry region on the surface Wa of the substrate W. good. Therefore, the supply of the rinse liquid L2 from the nozzles 44 and 64 may be stopped after the supply of the etching liquid L1 is started. Further, the controller Ctr may further update the processing conditions updated in step S5 by using the corrected processing conditions.
  • step S7 the controller Ctr determines whether or not there is a subsequent substrate W to be processed (see step S8 in FIG. 8).
  • step S8 the controller Ctr determines whether or not there is a subsequent substrate W to be processed.
  • step S1 when there is a subsequent substrate W to be processed (when "NO" in step S8 of FIG. 8), that is, when the unprocessed substrate W is housed in the carrier 7, the controller Ctr is the transfer arm A1. , A2 is controlled, one unprocessed substrate W is taken out from the carrier 7, and the substrate W is placed on the holding portion 23. After that, as illustrated in FIG. 8, step S2 or lower may be executed for the substrate W. At this time, in step S2, the processing conditions updated in step S5 may be used. In the substrate W of the same lot, the film thickness profile of the film F formed on the surface Wa tends to be similar. Therefore, by using the processing conditions after the update, step S1 is omitted and the untreated substrate W is used. Etching process can be performed efficiently.
  • the state in which the measuring head 71 is immersed in the rinsing liquid L2 is maintained during the measurement of the film thickness by the measuring unit 70. Therefore, when measuring the film thickness, it is not affected by the surface fluctuation of the rinse liquid L2. Therefore, it is possible to accurately measure the thickness of the film F formed on the surface of the substrate W. Further, when the film thickness is measured by the measuring unit 70, the etching solution L1 does not adhere to the measuring unit 70. Therefore, since it is not necessary to consider the chemical resistance of the measuring unit 70, the cost of the measuring unit 70 can be suppressed, and the film thickness can be measured in substantially the same environment regardless of the type of the etching solution L1. Is possible.
  • a liquid film of the rinse liquid L2 is formed on the entire surface Wa of the substrate W during the measurement of the film thickness by the measuring unit 70. Therefore, the drying of the surface Wa of the substrate W is suppressed by the rinsing liquid L2, so that particles and the like are less likely to adhere to the surface Wa of the substrate W. Therefore, it is possible to improve the quality of the surface treatment of the substrate W.
  • the holding portion 23 is configured to totally adsorb the back surface of the substrate W. Therefore, even if the substrate W is warped, the surface Wa of the substrate W is kept substantially horizontal by being totally adsorbed on the holding portion 23. Therefore, the film thickness can be measured more accurately.
  • the measuring unit 70 is configured to measure the thickness of the film F with reference to the surface Wa of the substrate W. Therefore, even if there is a variation in the thickness of the substrate W in the plane of the substrate W, the film thickness is measured by excluding the influence of the variation. Therefore, the film thickness can be measured more accurately.
  • the heating units 24 and 25 are configured to partially heat the substrate W. Therefore, when the heating units 24 and 25 operate during the etching process, the etching progress rate changes between the partially heated region of the substrate W and the other regions. Therefore, when the thickness of the film F formed on the substrate W is not uniform, the region of the substrate W having a large film thickness is partially heated by the heating portions 24 and 25 to reduce the film thickness after etching. It is possible to make them evenly close.
  • the film thickness is measured by the measuring unit 70 while the rinse liquid L2 is being supplied to the substrate W, that is, in a state where the progress of the etching process of the film F is suppressed by the rinse liquid L2. I was going.
  • the film thickness may be measured by the measuring unit 70 while the etching process of the film F is in progress.
  • the controller Ctr controls the rotation holding unit 20 and the chemical solution supply unit 30 based on predetermined processing conditions, and supplies the etching solution L1 to the surface Wa of the rotating substrate W to the surface Wa of the substrate W. Let me. (See FIG. 11 (a)).
  • the controller Ctr controls the auxiliary supply unit 60 while continuing to discharge the etching liquid L1 from the nozzle 34, so that the etching liquid L1 is also supplied to the gap G (see FIG. 11B). ). That is, in this example, the etching solution L1 is stored in the liquid source 61 of the auxiliary supply unit 60. While the etching solution L1 is being supplied to the surface Wa of the substrate W and the gap G, the controller Ctr controls the drive mechanism 82 to move the measurement head 71 (holding portion 81) substantially horizontally along the surface Wa of the substrate W. Move (see FIG. 11 (b)). As a result, the film thickness of the film F during the etching process is measured by the measuring unit 70, and the measured value is stored in the storage unit M2.
  • the controller Ctr controls the rotation holding unit 20 and the rinsing liquid supply unit 40 to supply the rinsing liquid L2 to the surface Wa of the rotating substrate W ( See FIG. 12 (a)).
  • the etching solution L1 is washed away from the surface Wa of the substrate W by the rinsing solution L2.
  • the substrate W is dried in the same manner as in step S7, and the processing of the substrate is completed (see FIG. 12B).
  • the processing unit 10 may further include a chemical solution supply unit 90 (another chemical solution supply unit) configured to supply the etching solution L1 to the substrate W.
  • a chemical solution supply unit 90 another chemical solution supply unit
  • the progress rate of etching of the film F is different between the region of the substrate W to which the etching solution is supplied from the chemical solution supply unit 30 and the region of the substrate W to which the etching solution L1 is supplied from the chemical solution supply unit 90. Therefore, when the thickness of the film on the surface of the substrate W fluctuates (when the film thickness in the plane of the substrate W is non-uniform), the etching solution L1 is also sent from the chemical solution supply unit 90 in addition to the chemical solution supply unit 30. Is supplied to the surface Wa of the substrate W, so that the film thickness after etching can be made uniform.
  • the controller Ctr when the first processing condition is selected in step S2, the controller Ctr has a discharge flow rate, a discharge time, a temperature, etc. of the etching solution L1 in the chemical solution supply unit 90, which is higher than that of the chemical solution supply unit 30.
  • the chemical solution supply units 30 and 90 may be controlled so as to increase the size. In this case, since the etching rate at the outer peripheral portion of the substrate W is higher than that at the central portion, the film F at the outer peripheral portion of the substrate W is more likely to be etched.
  • the controller Ctr causes the chemical solution supply unit 30 to have a larger discharge flow rate, discharge time, temperature, etc.
  • the chemical supply units 30, 90 may be controlled. In this case, since the etching rate in the central portion of the substrate W is higher than that in the outer peripheral portion, the film F in the central portion of the substrate W is more likely to be etched.
  • the nozzles 34 and 44 are held by the holding portion 51 and are configured to move along with the holding portion 51.
  • the nozzles 34, 44 are connected to separate drive mechanisms and may be configured to move individually.
  • the nozzle 64 and the measuring unit 70 may be connected to separate drive mechanisms and configured to move individually.
  • the nozzles 34, 44, 64 and the measuring unit 70 are configured to move horizontally with respect to the surface Wa of the substrate W.
  • the substrate W may be configured to move horizontally with respect to the nozzles 34, 44, 64 and the measuring unit 70, or both the nozzles 34, 44, 64 and the measuring unit 70 and the substrate W move horizontally. It may be configured to do so.
  • Example 1 An example of a substrate processing apparatus is a rotation holding portion configured to hold and rotate a substrate having a film formed on its surface, and an etching solution is supplied to the surface of the substrate while the substrate is rotated by the rotation holding portion.
  • the chemical solution supply unit configured as described above
  • the rinse liquid supply unit configured to supply the rinse liquid to the surface of the substrate during the rotation of the substrate by the rotation holding unit, and the measurement head located near the surface of the substrate.
  • a measuring unit configured to measure the thickness of the film in a state
  • a driving unit configured to move the measuring head horizontally with respect to the surface of the substrate during measurement by the measuring unit.
  • an auxiliary supply unit configured to supply the rinse liquid to the gap between the measurement head and the surface of the substrate during the measurement by the unit and fill the gap with the rinse liquid.
  • the state in which the measuring head is immersed in the rinsing liquid is maintained during the measurement of the film thickness by the measuring unit. Therefore, when measuring the film thickness, it is not affected by the surface fluctuation of the rinsing liquid. Therefore, it is possible to accurately measure the thickness of the film formed on the surface of the substrate. Further, when the film thickness is measured by the measuring unit, the etching solution does not adhere to the measuring unit. Therefore, since it is not necessary to consider the chemical resistance of the measuring unit, it is possible to reduce the cost of the measuring unit and to measure the film thickness in substantially the same environment regardless of the type of etching solution. Become.
  • the rinse liquid supply unit may be configured to form a liquid film of the rinse liquid on the entire surface of the substrate during the measurement by the measurement unit.
  • the drying of the surface of the substrate is suppressed by the rinsing liquid, it becomes difficult for particles and the like to adhere to the surface of the substrate. Therefore, it is possible to improve the quality of the surface treatment of the substrate.
  • the rotation holding portion may include a holding portion configured to totally adsorb the back surface of the substrate. In this case, even if the substrate is warped, the surface of the substrate is kept substantially horizontal by being totally adsorbed to the holding portion. Therefore, the film thickness can be measured more accurately.
  • the measuring unit may be configured to measure the thickness of the film with reference to the surface of the substrate. In this case, even if there is a variation in the thickness of the substrate in the plane of the substrate, the film thickness is measured by excluding the influence of the variation. Therefore, the film thickness can be measured more accurately.
  • Example 5 The apparatus according to any one of Examples 1 to 4 may further include a heating unit configured to partially heat the substrate.
  • a heating unit configured to partially heat the substrate.
  • the etching progress rate changes between the partially heated region of the substrate and the other regions. Therefore, when the thickness of the film formed on the substrate is not uniform, the film thickness after etching can be made uniform by partially heating the region of the substrate where the film thickness is large by the heating portion. It becomes.
  • Example 6 The apparatus according to any one of Examples 1 to 5 further includes another chemical solution supply unit configured to supply the etching solution to a region other than the central portion of the surface of the substrate during rotation of the substrate by the rotation holding unit.
  • the chemical liquid supply unit may be configured to supply the etching liquid to the central portion of the surface of the substrate during the rotation of the substrate by the rotation holding unit.
  • the progress rate of etching of the film is different between the region of the substrate to which the etching solution is supplied from the chemical solution supply unit and the region of the substrate to which the etching solution is supplied from another chemical solution supply unit. Therefore, when the thickness of the film on the surface of the substrate fluctuates, it is possible to make the film thickness after etching evenly close by supplying the etching solution to the surface of the substrate from another chemical solution supply unit. Become.
  • Example 7 The device according to any one of Examples 1 to 6 further includes a control unit, and the control unit controls the rotation holding unit so as to hold and rotate the substrate, and supplies the etching solution to the surface of the substrate.
  • the substrate is controlled to hold and rotate the substrate while controlling the substrate.
  • the second process of controlling the rinse liquid supply unit and the auxiliary supply unit so as to supply the rinse liquid to the surface and the gap of the surface and the gap, respectively, and the measurement during the supply of the rinse liquid and the rotation of the substrate in the second process.
  • a third process that controls the measuring unit to measure the film thickness while controlling the drive unit so that the head moves relative to the surface of the substrate in the horizontal direction, and the measured value of the film thickness. It may be configured to execute the fourth process of updating the process condition based on the above. In this case, since the etching processing conditions are updated based on the measured value of the film thickness after etching, it is possible to control the etching processing by feedback.
  • Example 8 In the apparatus of Example 7, the control unit controls the rotation holding unit so as to hold and rotate the subsequent substrate on which another film is formed on the surface, and supplies the etching solution to the surface of the succeeding substrate. It may be configured to control the chemical solution supply unit to further perform a fifth process of etching another film based on the process conditions after being updated in the fourth process.
  • the fluctuation state (film thickness profile) of the thickness of the film formed on the surface tends to be similar. Therefore, according to Example 8, when processing the same lot of substrates, the measurement of the film thickness before the etching treatment on the subsequent substrate can be omitted by using the processing conditions after the update. Therefore, it is possible to efficiently perform the subsequent etching process of the substrate.
  • Example 9 In the apparatus of Example 7 or Example 8, the control unit performs a sixth process of determining whether or not the measured value of the film thickness is equal to or less than a predetermined target value, and the measured value of the film thickness is the target value.
  • the film is etched by controlling the rotation holding unit so as to hold and rotate the substrate again and controlling the chemical solution supply unit so as to supply the etching solution to the surface of the substrate. It may be configured to further execute the seventh process. In this case, since the same substrate is etched again, the film can be etched so that the film thickness is equal to or less than a predetermined target value. Therefore, even if the film thickness after etching exceeds a predetermined target value, the substrate on which the film is formed can be effectively used without being discarded.
  • Example 10 In the apparatus of Example 9, in the seventh process, when it is determined that the measured value of a part of the film thickness exceeds the target value, the rotation holding portion is controlled so as to hold and rotate the substrate.
  • the chemical solution supply unit may be controlled so as to supply the etching solution to the surface of the substrate, and a part of the film may be etched. In this case, the portion of the film whose film thickness exceeds the target value is mainly etched. Therefore, it is possible to make the film thickness of the same substrate after the etching process to be uniform.
  • Example 11 The apparatus according to any one of Examples 7 to 10 further includes a control unit and a storage unit configured to store a plurality of processing conditions for etching the film, and the control unit holds the substrate.
  • the measuring unit is controlled to measure the thickness of the film while controlling the drive unit so as to move the measuring head relative to the surface of the substrate in the horizontal direction.
  • the ninth process the tenth process of determining one process condition from a plurality of process conditions based on the measured value of the film thickness, and the tenth process of controlling the rotation holding unit so as to hold and rotate the substrate.
  • the chemical solution supply unit is controlled so as to supply the etching solution to the surface of the substrate, and the eleventh process of etching the film based on one process condition determined in the tenth process is further executed. It may be configured.
  • the etching treatment conditions suitable for etching the film are selected based on the measured value of the film thickness before etching. Therefore, for example, even when the film thickness before etching fluctuates in the plane of the substrate, the film thickness after etching can be made uniform.
  • An example of the substrate processing method is a first step of supplying an etching solution to the surface of a substrate while rotating a substrate having a film formed on the surface to etch the film based on predetermined processing conditions, and a measurement head.
  • the third step includes a fourth step of measuring the thickness of the film while moving the measuring head horizontally with respect to the surface of the substrate while supplying the rinse liquid and rotating the substrate. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 1 can be obtained.
  • the second step may include supplying the rinse liquid to the surface of the substrate so that a liquid film of the rinse liquid is formed on the entire surface of the substrate. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 2 can be obtained.
  • Example 14 in the method of Example 12 or Example 13, the fourth step may include measuring the thickness of the film by a measuring unit with the back surface of the substrate totally adsorbed. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 3 can be obtained.
  • Example 15 in any of the methods of Examples 12 to 14, the fourth step may include measuring the thickness of the film by a measuring unit with reference to the surface of the substrate. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 4 can be obtained.
  • Example 16 In any of the methods of Examples 12 to 15, the first step may include etching the film with the substrate partially heated. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 5 can be obtained.
  • the first step may include supplying the etching solution to the central portion of the surface of the substrate and the region other than the central portion of the surface of the substrate, respectively. .. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 6 can be obtained.
  • Example 18 In any of the methods 12 to 17, the fifth step is to update the processing conditions based on the measured values obtained by measuring the thickness of the film etched in the first step in the fourth step. Further steps may be included. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 7 can be obtained.
  • Example 19 The method of Example 18 is based on the processing conditions after being updated in the fifth step by supplying an etching solution to the surface of the succeeding substrate while rotating the succeeding substrate having another film formed on the surface. It may further include a sixth step of etching another film. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 8 can be obtained.
  • Example 20 The method of Example 18 or Example 19 is a seventh step of determining whether or not the measured value of the film thickness is equal to or less than a predetermined target value, and determining that the measured value of the film thickness exceeds the target value. If this is the case, the eighth step of supplying the etching solution to the surface of the substrate while rotating the substrate again to etch the film may be further included. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 9 can be obtained.
  • Example 21 In the method of Example 20, in the eighth step, when it is determined that the measured value of a part of the film thickness exceeds the target value, the etching solution is supplied to the surface of the substrate while rotating the substrate. , May include etching a portion of the film. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 10 can be obtained.
  • Example 22 The method of any of Examples 12 to 21 is for etching the film based on the measured value obtained by measuring the thickness of the film before being etched in the first step in the fourth step.
  • the ninth step of determining one processing condition from the plurality of processing conditions of the above is further included, and the first step is determined in the ninth step by supplying an etching solution to the surface of the substrate while rotating the substrate. It may include etching the film based on one of the treatment conditions. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 11 can be obtained.
  • Example 23 As an example of a computer-readable recording medium, a program for causing the substrate processing apparatus to execute any of the methods of Examples 12 to 22 may be recorded. In this case, the same effect as that of the apparatus of Example 1 can be obtained.
  • a computer-readable recording medium is a non-transitory computer recording medium (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices) or a propagation signal (transitory computer recording medium) (. For example, a data signal that can be provided via a network) may be included.
  • Substrate processing device 10 ... Processing unit, 20 ... Rotation holding section, 21 ... Rotating section, 23 ... Holding section, 24, 25 ... Heating section, 30 ... Chemical solution supply section, 40 ... Rinse solution supply section, 50 ... Drive Unit, 60 ... Auxiliary supply unit, 70 ... Measurement unit, 71 ... Measurement head, 80 ... Drive unit, 82 ... Drive mechanism (drive unit), 90 ... Chemical solution supply unit (another chemical supply unit), Ctrl ... Controller (control) Part), F ... film (another film), G ... gap, L1 ... etching solution, L2 ... rinsing solution, M2 ... storage unit, RM ... recording medium, W ... substrate (subsequent substrate), Wa ... surface.

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Abstract

本開示は、基板の表面に形成されている膜の厚さを精度よく測定することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。　基板処理装置は、基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、測定ヘッドが基板の表面近傍に位置した状態で膜の厚さを測定するように構成された測定部と、測定部による測定中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように構成された駆動部と、測定部による測定中に、測定ヘッドと基板の表面との間の隙間にリンス液を供給して隙間をリンス液で満たすように構成された補助供給部とを備える。

Description

基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
　本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
　基板（例えば、半導体ウエハ）を微細加工して半導体デバイスを製造するにあたり、基板の表面に形成されている薄膜（例えば、シリコン酸化膜）を薬液（例えば、フッ酸等のエッチング液）で所定の厚さとなるまで除去するエッチング処理が行われている。特許文献１は、薄膜の膜厚（エッチング量）をコントロールするために、薄膜のエッチングが進行しているのと同じタイミングで薄膜の膜厚を測定する装置を開示している。当該装置は、薄膜表面からの反射光と基板表面からの反射光との干渉状態を検出するように構成された光学プローブと、当該干渉状態に基づいて膜厚を算出するように構成された制御部とを備えている。
特開２００３－３３２２９９号公報
　本開示は、基板の表面に形成されている膜の厚さを精度よく測定することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
　基板処理装置の一例は、表面に膜が形成された基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、測定ヘッドが基板の表面近傍に位置した状態で膜の厚さを測定するように構成された測定部と、測定部による測定中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように構成された駆動部と、測定部による測定中に、測定ヘッドと基板の表面との間の隙間にリンス液を供給して隙間をリンス液で満たすように構成された補助供給部とを備える。
　本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板の表面に形成されている膜の厚さを精度よく測定することが可能となる。
図１は、基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 図２は、処理ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図３は、図２の処理ユニットの一部を模式的に示す斜視図である。 図４は、図２の処理ユニットの一部を模式的に示す断面図である。 図５は、基板処理装置の主要部の一例を示すブロック図である。 図６は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図７（ａ）は、基板の中央部において膜厚が相対的に小さい膜厚プロファイルの一例を示す断面図であり、図７（ｂ）は、基板の中央部において膜厚が相対的に大きい膜厚プロファイルの一例を示す断面図であり、図７（ｃ）は、基板の全体にわたって膜厚が略均一な膜厚プロファイルの一例を示す断面図である。 図８は、基板の処理手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図９は、基板の処理手順の一例を説明するための図である。 図１０は、図９の後続の工程を説明するための図である。 図１１は、基板の処理手順の他の例を説明するための図である。 図１２は、図１１の後続の工程を説明するための図である。 図１３は、処理ユニットの他の例を模式的に示す側面図である。
　以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
　まず、図１を参照して、基板Ｗを処理するように構成された基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、例えば水平方向に一列に並んでいてもよい。
　基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。
　搬入出ステーション２は、載置部４と、搬入搬出部５と、棚ユニット６とを含む。載置部４は、幅方向（図１の上下方向）において並ぶ複数の載置台（図示せず）を含んでいる。各載置台は、キャリア７（収容容器）を載置可能に構成されている。キャリア７は、少なくとも一つの基板Ｗを密封状態で収容するように構成されている。キャリア７は、基板Ｗを出し入れするための開閉扉（図示せず）を含む。
　搬入搬出部５は、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において、載置部４に隣接して配置されている。搬入搬出部５は、載置部４に対応して設けられた開閉扉（図示せず）を含む。載置部４上にキャリア７が載置された状態で、キャリア７の開閉扉と搬入搬出部５の開閉扉とが共に開放されることで、搬入搬出部５内とキャリア７内とが連通する。
　搬入搬出部５は、搬送アームＡ１及び棚ユニット６を内蔵している。搬送アームＡ１は、搬入搬出部５の幅方向（図１の上下方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ１は、キャリア７から基板Ｗを取り出して棚ユニット６に渡し、また、棚ユニット６から基板Ｗを受け取ってキャリア７内に戻すように構成されている。棚ユニット６は、処理ステーション３の近傍に位置しており、搬入搬出部５と処理ステーション３との間での基板Ｗの受け渡しを仲介するように構成されている。
　処理ステーション３は、搬送部８と、複数の処理ユニット１０とを含む。搬送部８は、例えば、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において水平に延びている。搬送部８は、搬送アームＡ２を内蔵している。搬送アームＡ２は、搬送アームＡ１は、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ２は、棚ユニット６から基板Ｗを取り出して各処理ユニット１０に渡し、また、各処理ユニット１０から基板Ｗを受け取って棚ユニット６内に戻すように構成されている。
　複数の処理ユニット１０は、搬送部８の両側のそれぞれにおいて、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）に沿って一列に並ぶように配置されている。処理ユニット１０は、基板Ｗに所定の処理（例えば、洗浄処理）を行うように構成されている。処理ユニット１０の詳細については、後述する。
　コントローラＣｔｒは、基板処理装置１を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒの詳細については後述する。
　［処理ユニット］
　続いて、図２～図４を参照して、処理ユニット１０について詳しく説明する。処理ユニット１０は、回転保持部２０と、薬液供給部３０と、リンス液供給部４０と、駆動ユニット５０と、補助供給部６０と、測定部７０と、駆動ユニット８０とを備える。
　回転保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを含む。回転部２１は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させるように構成されている。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。
　保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられており、例えば円板状を呈している。保持部２３は、例えば吸着等により、基板Ｗの裏面全体を吸着保持するように構成されていてもよい。この場合、基板Ｗに反りなどがあっても、保持部２３の表面に沿って基板Ｗが略水平となるように矯正される。すなわち、回転保持部２０は、基板Ｗの姿勢が略水平の状態で、基板Ｗの表面に対して垂直な中心軸（回転軸）周りで基板Ｗを回転させるように構成されていてもよい。図２に例示されるように、回転保持部２０は、上方から見て反時計回りに基板Ｗを回転させてもよい。
　保持部２３は、複数の加熱部２４，２５を内蔵している。加熱部２４，２５は、例えば、抵抗加熱ヒータなどの熱源であってもよい。加熱部２４は、保持部２３の中央部に位置している。そのため、回転保持部２０に基板Ｗが保持された状態において、加熱部２４は、基板Ｗの中央部を加熱するように構成されている。加熱部２５は、加熱部２４を取り囲むように環状を呈しており、保持部２３の外周部に位置している。そのため、回転保持部２０に基板Ｗが保持された状態において、加熱部２５は、基板Ｗの外周部を加熱するように構成されている。換言すれば、加熱部２４，２５はそれぞれ、基板Ｗを部分的に加熱するように構成されている。
　薬液供給部３０は、基板Ｗにエッチング液Ｌ１を供給するように構成されている。エッチング液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに配置された膜Ｆ（例えば、シリコン酸化膜などの薄膜）をエッチング処理するための薬液である。エッチング液Ｌ１は、例えば、アルカリ性の薬液、酸性の薬液などを含む。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水などを含む。酸性の薬液は、例えば、ＳＣ－２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）などを含む。
　薬液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを含む。液源３１は、エッチング液Ｌ１の供給源である。ポンプ３２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源３１から吸引したエッチング液Ｌ１を、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出すように構成されている。
　バルブ３３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管３５における流体の流通を許容する開状態と、配管３５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル３４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出されたエッチング液Ｌ１を吐出口から吐出するように構成されている。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。
　リンス液供給部４０は、基板Ｗにリンス液Ｌ２を供給するように構成されている。リンス液Ｌ２は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給されたエッチング液Ｌ１及びエッチング液Ｌ１による膜Ｆの溶解成分を当該表面Ｗａから洗い流すための洗浄液である。リンス液Ｌ２は、例えば、純水（ＤＩＷ：deionized water）などを含む。
　リンス液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを含む。液源４１は、リンス液Ｌ２の供給源である。ポンプ４２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源４１から吸引したリンス液Ｌ２を、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出すように構成されている。
　バルブ４３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管４５における流体の流通を許容する開状態と、配管４５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル４４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出されたリンス液Ｌ２を吐出口から吐出するように構成されている。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。
　駆動ユニット５０は、保持部５１と、駆動機構５２とを含む。保持部５１は、ノズル３４，４４を保持するように構成されている。駆動機構５２は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて動作し、保持部５１を水平方向及び上下方向に移動させるように構成されている。そのため、ノズル３４，４４は、保持部５１の移動に伴って、水平方向及び上下方向に移動する。
　補助供給部６０は、基板Ｗにリンス液Ｌ２を供給するように構成されている。液源６１と、ポンプ６２と、バルブ６３と、ノズル６４と、配管６５とを含む。液源６１は、リンス液Ｌ２の供給源である。ポンプ６２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源６１から吸引したリンス液Ｌ２を、配管６５及びバルブ６３を介してノズル６４に送り出すように構成されている。
　バルブ６３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管６５における流体の流通を許容する開状態と、配管６５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル６４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル６４は、ポンプ６２から送り出されたリンス液Ｌ２を吐出口から吐出するように構成されている。配管６５は、上流側から順に、液源６１、ポンプ６２、バルブ６３及びノズル６４を接続している。
　測定部７０は、基板Ｗの表面Ｗａに配置された膜Ｆの厚さ（以下、単に「膜厚」という。）を測定し、その測定値をコントローラＣｔｒに送信するように構成されている。測定部７０は、基板Ｗの表面Ｗａを基準として膜厚を測定するように構成されていてもよい。測定部７０は、例えば、分光干渉法を用いた膜厚測定器であってもよい。この場合、測定部７０は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに向けて光を照射する照射部と、照射部からの光が基板Ｗの表面Ｗａで反射した光及び照射部からの光が膜Ｆの表面で反射した光の重ね合わせである多重反射光を受光する受光部とを含んでいてもよい。
　測定部７０は、膜厚の測定に際して基板Ｗの表面Ｗａの近傍に配置される測定ヘッド７１を含む。そのため、膜厚の測定中、測定ヘッド７１の先端と基板Ｗの表面Ｗａとの間には隙間Ｇが存在している。
　駆動ユニット８０は、保持部８１と、駆動機構８２（駆動部）とを含む。保持部８１は、ノズル６４及び測定ヘッド７１を保持するように構成されている。ノズル６４及び測定ヘッド７１が保持部８１に保持された状態において、ノズル６４及び測定ヘッド７１は隣接していてもよい。図２～図４に例示されるように、ノズル６４及び測定ヘッド７１が保持部８１に保持された状態において、測定ヘッド７１の先端（下端）は、ノズル６４の下端よりも基板Ｗの表面Ｗａの近くに位置していてもよい。
　ノズル６４及び測定ヘッド７１が保持部８１に保持された状態において、測定ヘッド７１は、ノズル６４よりも径方向外方に位置していてもよい。ノズル６４及び測定ヘッド７１が保持部８１に保持された状態において、測定ヘッド７１は、ノズル６４よりも基板Ｗの回転方向下流側に位置していてもよい。ノズル６４及び測定ヘッド７１が保持部８１に保持された状態において、測定ヘッド７１は、ノズル６４よりも、回転中の基板Ｗにノズル６４から吐出されたリンス液Ｌ２が表面Ｗａを流れる下流側に位置していてもよい（図３参照）。
　駆動機構８２は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて動作し、保持部８１を水平方向及び上下方向に移動させるように構成されている。そのため、ノズル６４及び測定ヘッド７１は、保持部８１の移動に伴って、水平方向及び上下方向に移動する。
　［コントローラの詳細］
　コントローラＣｔｒは、図５に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
　読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、処理ユニット１０を含む基板処理装置１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
　記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。記憶部Ｍ２は、例えば、測定部７０から受信した膜厚の測定値、膜厚の目標値、膜Ｆのエッチング処理のための処理条件などを記憶していてもよい。
　処理条件は、エッチング処理に際して処理ユニット１０の各部を動作させるための複数の設定値の組み合わせによって構成されていてもよい。設定値は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに対するノズル３４の位置、エッチング液Ｌ１の吐出流量、エッチング液Ｌ１の吐出時間、エッチング液Ｌ１の温度、基板Ｗの回転数、加熱部２４，２５の温度などを含んでいてもよい。
　記憶部Ｍ２は、基板Ｗの面内における膜厚プロファイル、すなわち、基板Ｗの面内における膜厚の高低の変動状況に対応する処理条件を予め記憶していてもよい。例えば、基板Ｗの中央部における膜厚が外周部よりも小さい第１の膜厚プロファイル（図７（ａ）参照）に対応して、基板Ｗの外周部のエッチングレートが中央部よりも大きくなるような設定値の組み合わせによって構成された第１の処理条件が、記憶部Ｍ２に予め記憶されていてもよい。例えば、基板Ｗの中央部における膜厚が外周部よりも大きい第２の膜厚プロファイル（図７（ｂ）参照）に対応して、基板Ｗの外周部のエッチングレートが中央部よりも小さくなるような設定値の組み合わせによって構成された第２の処理条件が、記憶部Ｍ２に予め記憶されていてもよい。例えば、基板Ｗの全体にわたって膜厚が略均一な第３の膜厚プロファイル（図７（ｃ）参照）に対応して、基板Ｗの全体にわたってエッチングレートが略均一となるような設定値の組み合わせによって構成された第３の処理条件が、記憶部Ｍ２に予め記憶されていてもよい。
　処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板処理装置１の各部（例えば、回転部２１、加熱部２４，２５、ポンプ３２，４２，６２、バルブ３３，４３，６３、駆動機構５２，８２）を動作させるための信号を生成してもよい。
　指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を、基板処理装置１の各部（例えば、回転部２１、加熱部２４，２５、ポンプ３２，４２，６２、バルブ３３，４３，６３、駆動機構５２，８２）に送信するように構成されている。
　コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、図６に示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含んでいてもよい。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、例えば、プロセッサＣ２と、メモリＣ３と、ストレージＣ４と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。
　プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを実現するように構成されていてもよい。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能してもよい。ドライバＣ５は、基板処理装置１の各部をそれぞれ駆動するように構成された回路であってもよい。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と基板処理装置１の各部との間で、信号の入出力を仲介するように構成されていてもよい。
　基板処理装置１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。
　［基板処理方法］
　続いて、図８～図１０を参照して、膜Ｆのエッチング処理及び膜厚測定処理を含む基板処理方法について説明する。なお、当該方法の開始前に、載置部４の載置台にキャリア７が予め載置される。当該キャリア７内には、表面Ｗａに膜Ｆが形成された少なくとも一枚の基板Ｗが収容されている。
　まず、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、キャリア７から基板Ｗを１枚取り出し、いずれかの処理ユニット１０内に搬送する。処理ユニット１０内に搬送された基板Ｗは、保持部２３に載置される。
　次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、図３、図４及び図９（ａ）に例示されるように、コントローラＣｔｒがポンプ４２，６２及びバルブ４３，６３（リンス液供給部４０及び補助供給部６０）を制御して、基板Ｗの表面Ｗａ及び隙間Ｇのそれぞれにリンス液Ｌ２を供給させる。
　ノズル４４から吐出されたリンス液Ｌ２は、基板Ｗの表面Ｗａの略中央部に向けて供給されてもよい。この場合、ノズル４４から吐出されたリンス液Ｌ２は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から周縁に向けて表面Ｗａの全体を流れた後、外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａの全体にリンス液Ｌ２の薄膜Ｒ１（図４及び図９（ａ）参照）が形成される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａにおいて、乾燥領域の出現が抑制される。ノズル４４から吐出されたリンス液Ｌ２によって基板Ｗの表面Ｗａに形成される薄膜Ｒ１の厚さは、例えば、０．１ｍｍ～０．４ｍｍ程度であってもよい。
　一方、ノズル６４から隙間Ｇに供給されたリンス液Ｌ２は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの表面Ｗａへの着液位置から基板Ｗの周縁に向けて流れた後、外方に振り切られる。そのため、隙間Ｇの近傍にリンス液Ｌ２の厚膜Ｒ２（図４及び図９（ａ）参照）が形成される。厚膜Ｒ２の厚さは、例えば１ｍｍ～３ｍｍ程度であってもよい。膜厚の測定中において、測定ヘッド７１の先端部が常に厚膜Ｒ２内に位置した状態（常にリンス液Ｌ２に浸漬された状態）が維持される（図３、図４及び図９（ａ）参照）。
　次に、基板Ｗの回転中で且つノズル４４，６４から基板Ｗへのリンス液Ｌ２の供給中に、コントローラＣｔｒが駆動機構８２を制御して、測定ヘッド７１（保持部８１）を基板Ｗの表面Ｗａに沿って略水平方向に移動させる。これにより、基板Ｗの面内における膜Ｆの膜厚が測定部７０によって測定され、その測定値が記憶部Ｍ２に記憶される（図８のステップＳ１及び図９（ａ）参照）。このとき、指示部Ｍ４は、測定ヘッド７１（保持部８１）を基板Ｗの径方向に沿って略水平方向に移動させるように、駆動機構８２を制御する処理を実行してもよい。指示部Ｍ４は、測定ヘッド７１（保持部８１）を基板Ｗの中央部から周縁に向けて移動させるように、駆動機構８２を制御する処理を実行してもよい。指示部Ｍ４は、測定ヘッド７１（保持部８１）を基板Ｗの周縁から中央部に向けて移動させるように、駆動機構８２を制御する処理を実行してもよい。
　次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ１で測定された膜厚の測定値に基づいて、記憶部Ｍ２に記憶されている複数の処理条件から一つの処理条件を選択する（図８のステップＳ２参照）。この場合、エッチング前の膜厚の測定値に基づいて、当該膜Ｆをエッチング処理するのに適した処理条件が選択される。そのため、例えば、エッチング前の膜厚が基板Ｗの面内において変動している場合であっても、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　コントローラＣｔｒは、ステップＳ１における測定値に基づいて、エッチング処理後の膜Ｆの厚さが所定の目標値以下で且つ全体的に平坦に近づくような処理条件を選択してもよい。例えば、ステップＳ１において測定された測定値が第１の膜厚プロファイル（図７（ａ）参照）を示す場合、コントローラＣｔｒは、記憶部Ｍ２から第１の処理条件を選択してもよい。ステップＳ１において測定された測定値が第２の膜厚プロファイル（図７（ｂ）参照）を示す場合、コントローラＣｔｒは、記憶部Ｍ２から第２の処理条件を選択してもよい。ステップＳ１において測定された測定値が第３の膜厚プロファイル（図７（ｃ）参照）が示す場合、コントローラＣｔｒは、記憶部Ｍ２から第３の処理条件を選択してもよい。
　次に、ステップＳ２において選択された処理条件に基づいて、コントローラＣｔｒが回転保持部２０を制御して、保持部２３によって吸着保持されている基板Ｗを、所定の回転数で回転させる。この状態で、ステップＳ２において選択された処理条件に基づいて、コントローラＣｔｒがポンプ３２及びバルブ３３（薬液供給部３０）を制御して、所定の吐出流量、吐出時間及び温度でエッチング液Ｌ１を基板Ｗの表面Ｗａに供給させる（図８のステップＳ３及び図９（ｂ）参照）。なお、基板Ｗの表面Ｗａにおいて乾燥領域の出現を抑制するために、ステップＳ１で供給されたリンス液Ｌ２が基板Ｗの表面Ｗａを覆っている状態で、エッチング液Ｌ１の供給を開始してもよい。そのため、エッチング液Ｌ１の供給開始後に、ノズル４４，６４からのリンス液Ｌ２の供給が停止されてもよい。
　コントローラＣｔｒは、ステップＳ２において選択された処理条件に含まれる複数の設定値を用いて、処理ユニット１０の他の各部を設定してもよい。例えば、第１の処理条件が選択された場合には、コントローラＣｔｒは、加熱部２５の温度が加熱部２４よりも高くなるように、加熱部２４，２５を制御してもよい。この場合、基板Ｗの外周部におけるエッチングレートが中央部よりも高くなるので、基板Ｗの外周部における膜Ｆがよりエッチングされやすくなる。第２の処理条件が選択された場合には、コントローラＣｔｒは、加熱部２４の温度が加熱部２５よりも高くなるように、加熱部２４，２５を制御してもよい。この場合、基板Ｗの中央部におけるエッチングレートが外周部よりも高くなるので、基板Ｗの中央部における膜Ｆがよりエッチングされやすくなる。
　ノズル３４から吐出されたエッチング液Ｌ１は、基板Ｗの表面Ｗａの略中央部に向けて供給されてもよい。この場合、ノズル３４から吐出されたエッチング液Ｌ１は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から周縁に向けて表面Ｗａの全体を流れた後、外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａの全体にエッチング液Ｌ１の薄膜Ｒ３（図９（ｂ）参照）が形成される。したがって、基板Ｗの表面Ｗａにおいて、乾燥領域の出現が抑制される。
　次に、コントローラＣｔｒが、ステップＳ１と同様に処理ユニット１０の各部を制御して、基板Ｗの面内における膜Ｆの膜厚を測定部７０によって測定する（図８のステップＳ４、図３、図４及び図１０（ａ）参照）。なお、基板Ｗの表面Ｗａにおいて乾燥領域の出現を抑制するために、ステップＳ３で供給されたエッチング液Ｌ１が基板Ｗの表面Ｗａを覆っている状態で、ノズル４４，６４からのリンス液Ｌ２の供給を開始してもよい。そのため、ノズル４４，６４からのリンス液Ｌ２の供給開始後に、エッチング液Ｌ１の供給が停止されてもよい。
　次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ４で測定された膜厚の測定値に基づいて、処理条件を更新し、更新後の処理条件を記憶部Ｍ２に記憶させる（図８のステップＳ５参照）。例えば、当該測定値が第１の膜厚プロファイル（図７（ａ）参照）を示す場合、基板Ｗの外周部におけるエッチングレートが中央部よりも高い処理条件となるように、処理条件に含まれる複数の設定値のうち少なくとも一つの設定値を更新してもよい。この場合、エッチング後の膜厚の測定値に基づいてエッチングの処理条件が更新されるので、エッチング処理をフィードバック制御することが可能となる。当該測定値が第２の膜厚プロファイル（図７（ｂ）参照）を示す場合、基板Ｗの中央部におけるエッチングレートが外周部よりも高い処理条件となるように、処理条件に含まれる複数の設定値のうち少なくとも一つの設定値を更新してもよい。
　次に、コントローラＣｔｒは、ステップＳ４で測定された膜厚の測定値が所定の目標値以下であるか否かを判断する（図８のステップＳ６参照）。ステップＳ４で測定された膜厚の測定値が所定の目標値以下である場合（図８のステップＳ６で「ＹＥＳ」の場合）、コントローラＣｔｒが回転保持部２０を制御して、保持部２３に吸着保持されている基板Ｗを、所定の回転数で所定時間回転させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａからリンス液Ｌ２が振り切られ、基板Ｗの乾燥が行われる（図８のステップＳ７及び図１０（ｂ）参照）。その後、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、乾燥処理が行われた基板Ｗを搬送してキャリア７内に戻す。
　一方、ステップＳ４で測定された膜厚の測定値が所定の目標値を上回っていた場合（図８のステップＳ６で「ＮＯ」の場合）、コントローラＣｔｒは、ステップＳ３で用いられた処理条件を補正する（図８のステップＳ９参照）。すなわち、コントローラＣｔｒは、より大きなエッチングレートが得られる処理条件となるように、処理条件に含まれる複数の設定値のうち少なくとも一つの設定値を補正する。
　次に、コントローラＣｔｒが、ステップＳ４において補正された処理条件に基づいて、コントローラＣｔｒが回転保持部２０を制御して、保持部２３によって吸着保持されている基板Ｗを、所定の回転数で回転させる。この状態で、ステップＳ４において補正された処理条件に基づいて、コントローラＣｔｒが薬液供給部３０を制御して、所定の吐出流量、吐出時間及び温度でエッチング液Ｌ１を基板Ｗの表面Ｗａに供給させる（図８のステップＳ１０参照）。これにより、基板Ｗの面内における膜Ｆのうち、少なくとも膜厚が所定の目標値を超えている部分が、再度エッチングされる。この場合、エッチング後の膜厚が所定の目標値を超えていたとしても、同じ基板Ｗを再度エッチング処理することにより、当該基板Ｗを廃棄等することなく有効利用することが可能となる。
　なお、エッチング後の膜Ｆの一部の膜厚が所定の目標値を上回っている場合、ステップＳ９において、当該一部が主としてエッチングされるように処理条件が補正されてもよい。この場合、ステップＳ１０において、補正された当該処理条件を用いて膜Ｆが再度エッチングされることにより、再度のエッチング処理後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　その後は、膜厚が所定の目標値以下となるまで、ステップＳ４以下が繰り返し実行される。なお、基板Ｗの表面Ｗａにおいて乾燥領域の出現を抑制するために、ステップＳ４で供給されたリンス液Ｌ２が基板Ｗの表面Ｗａを覆っている状態で、エッチング液Ｌ１の供給を開始してもよい。そのため、エッチング液Ｌ１の供給開始後に、ノズル４４，６４からのリンス液Ｌ２の供給が停止されてもよい。また、コントローラＣｔｒは、補正後の処理条件を用いて、ステップＳ５で更新された処理条件をさらに更新してもよい。
　ステップＳ７で基板Ｗの乾燥が完了すると、コントローラＣｔｒは、後続の処理対象の基板Ｗがあるか否かを判断する（図８のステップＳ８参照）。後続の処理対象の基板Ｗがない場合（図８のステップＳ８で「ＹＥＳ」の場合）、すなわち、キャリア７内に収容されていた基板Ｗが全て処理された場合、基板処理が終了する。
　一方、後続の処理対象の基板Ｗがある場合（図８のステップＳ８で「ＮＯ」の場合）、すなわち、キャリア７内に未処理の基板Ｗが収容されている場合、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、キャリア７から未処理の基板Ｗを１枚取り出し、当該基板Ｗを保持部２３に載置する。その後、図８に例示されるように、当該基板Ｗに対してステップＳ２以下が実行されてもよい。このとき、ステップＳ２においては、ステップＳ５において更新された後の処理条件が用いられてもよい。同一ロットの基板Ｗにおいては、表面Ｗａに形成される膜Ｆの膜厚プロファイルが類似する傾向があるので、更新後の処理条件を用いることで、ステップＳ１を省略して、未処理の基板Ｗのエッチング処理を効率的に行うことが可能となる。
　［作用］
　以上の例によれば、測定部７０による膜厚の測定中に、測定ヘッド７１がリンス液Ｌ２に浸漬された状態が維持される。そのため、膜厚の測定に際して、リンス液Ｌ２の表面変動の影響を受けない。したがって、基板Ｗの表面に形成されている膜Ｆの厚さを精度よく測定することが可能となる。また、測定部７０による膜厚の測定に際して、測定部７０にエッチング液Ｌ１が付着しない。そのため、測定部７０の耐薬性を考慮する必要がないので、測定部７０のコストを抑制することが可能となると共に、エッチング液Ｌ１の種類によらずに略同じ環境で膜厚を測定することが可能となる。
　以上の例によれば、測定部７０による膜厚の測定中に、基板Ｗの表面Ｗａの全体にリンス液Ｌ２の液膜が形成される。そのため、基板Ｗの表面Ｗａの乾燥がリンス液Ｌ２によって抑制されるので、基板Ｗの表面Ｗａにパーティクル等が付着し難くなる。したがって、基板Ｗの表面処理の品質を高めることが可能となる。
　以上の例によれば、保持部２３は、基板Ｗの裏面を全体的に吸着するように構成されている。そのため、基板Ｗに反りが存在していても、基板Ｗが保持部２３に対して全体的に吸着されることにより、基板Ｗの表面Ｗａが略水平に保たれる。したがって、膜厚をより精度よく測定することが可能となる。
　以上の例によれば、測定部７０は、基板Ｗの表面Ｗａを基準として、膜Ｆの厚さを測定するように構成されている。そのため、基板Ｗの面内において基板Ｗの厚さに変動が存在していても、当該変動の影響を排除して膜厚が測定される。したがって、膜厚をより精度よく測定することが可能となる。
　以上の例によれば、加熱部２４，２５は、基板Ｗを部分的に加熱するように構成されている。そのため、エッチング処理中に加熱部２４，２５が動作することにより、基板Ｗのうち部分的に加熱された領域とそれ以外の領域とで、エッチングの進行速度が変化する。したがって、基板Ｗに形成されている膜Ｆの厚さが均一でない場合に、基板Ｗのうち膜厚が大きい領域を加熱部２４，２５によって部分的に加熱することで、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　［変形例］
　本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
　（１）以上の例では、基板Ｗへのリンス液Ｌ２の供給中に、すなわち、膜Ｆのエッチング処理の進行がリンス液Ｌ２によって抑制されている状態で、測定部７０による膜厚の測定を行っていた。しかしながら、膜Ｆのエッチング処理の進行中に、測定部７０による膜厚の測定を行ってもよい。この場合、まず、所定の処理条件に基づいて、コントローラＣｔｒが回転保持部２０及び薬液供給部３０を制御して、回転中の基板Ｗの表面Ｗａにエッチング液Ｌ１を基板Ｗの表面Ｗａに供給させる。（図１１（ａ）参照）。
　エッチング処理がある程度進行すると、ノズル３４からのエッチング液Ｌ１の吐出を継続したまま、コントローラＣｔｒが補助供給部６０を制御して、隙間Ｇにもエッチング液Ｌ１を供給させる（図１１（ｂ）参照）。すなわち、この例において、補助供給部６０の液源６１にはエッチング液Ｌ１が貯留されている。基板Ｗの表面Ｗａ及び隙間Ｇへのエッチング液Ｌ１の供給中に、コントローラＣｔｒが駆動機構８２を制御して、測定ヘッド７１（保持部８１）を基板Ｗの表面Ｗａに沿って略水平方向に移動させる（図１１（ｂ）参照）。これにより、エッチング処理中の膜Ｆの膜厚が測定部７０によって測定され、その測定値が記憶部Ｍ２に記憶される。
　その後、測定された膜厚が所定の目標値以下となるまで、エッチング処理中の膜厚測定が必要に応じて繰り返し行われる。測定された膜厚が所定の目標値以下となった場合、コントローラＣｔｒが回転保持部２０及びリンス液供給部４０を制御して、回転中の基板Ｗの表面Ｗａにリンス液Ｌ２を供給する（図１２（ａ）参照）。これにより、リンス液Ｌ２によってエッチング液Ｌ１が基板Ｗの表面Ｗａから洗い流される。次に、ステップＳ７と同様に基板Ｗの乾燥が行われ、基板の処理が完了する（図１２（ｂ）参照）。
　（２）図１３に例示されるように、処理ユニット１０は、基板Ｗにエッチング液Ｌ１を供給するように構成された薬液供給部９０（別の薬液供給部）をさらに含んでいてもよい。この場合、薬液供給部３０からエッチング液が供給される基板Ｗの領域と、薬液供給部９０からエッチング液Ｌ１が供給される基板Ｗの領域とにおいて、膜Ｆのエッチングの進行速度が異なる。そのため、基板Ｗの表面における膜の厚さが変動している場合（基板Ｗの面内における膜厚が不均一である場合）、薬液供給部３０に加えて薬液供給部９０からもエッチング液Ｌ１を基板Ｗの表面Ｗａに供給することで、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　図１３の例において、ステップＳ２で第１の処理条件が選択された場合には、コントローラＣｔｒは、薬液供給部９０におけるエッチング液Ｌ１の吐出流量、吐出時間、温度等が薬液供給部３０よりも大きくなるように、薬液供給部３０，９０を制御してもよい。この場合、基板Ｗの外周部におけるエッチングレートが中央部よりも高くなるので、基板Ｗの外周部における膜Ｆがよりエッチングされやすくなる。一方、ステップＳ２で第２の処理条件が選択された場合には、コントローラＣｔｒは、薬液供給部３０におけるエッチング液Ｌ１の吐出流量、吐出時間、温度等が薬液供給部９０よりも大きくなるように、薬液供給部３０，９０を制御してもよい。この場合、基板Ｗの中央部におけるエッチングレートが外周部よりも高くなるので、基板Ｗの中央部における膜Ｆがよりエッチングされやすくなる。
　（３）上記の例では、ノズル３４，４４は、保持部５１に保持されており、保持部５１に随伴して移動するように構成されていた。しかしながら、ノズル３４，４４は、別々の駆動機構に接続されており、個別に移動するように構成されていてもよい。同様に、ノズル６４及び測定部７０は、別々の駆動機構に接続されており、個別に移動するように構成されていてもよい。
　（４）上記の例では、基板Ｗの表面Ｗａに対してノズル３４，４４，６４及び測定部７０が水平移動するように構成されていた。しかしながら、ノズル３４，４４，６４及び測定部７０に対して基板Ｗが水平移動するように構成されていてもよいし、ノズル３４，４４，６４及び測定部７０と基板Ｗとの双方が水平移動するように構成されていてもよい。
　［他の例］
　例１．基板処理装置の一例は、表面に膜が形成された基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、測定ヘッドが基板の表面近傍に位置した状態で膜の厚さを測定するように構成された測定部と、測定部による測定中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように構成された駆動部と、測定部による測定中に、測定ヘッドと基板の表面との間の隙間にリンス液を供給して隙間をリンス液で満たすように構成された補助供給部とを備える。この場合、測定部による膜厚の測定中に、測定ヘッドがリンス液に浸漬された状態が維持される。そのため、膜厚の測定に際して、リンス液の表面変動の影響を受けない。したがって、基板の表面に形成されている膜の厚さを精度よく測定することが可能となる。また、測定部による膜厚の測定に際して、測定部にエッチング液が付着しない。そのため、測定部の耐薬性を考慮する必要がないので、測定部のコストを抑制することが可能となると共に、エッチング液の種類によらずに略同じ環境で膜厚を測定することが可能となる。
　例２．例１の装置において、リンス液供給部は、測定部による測定中に、基板の表面の全体にリンス液の液膜を形成するように構成されていてもよい。この場合、基板の表面の乾燥がリンス液によって抑制されるので、基板の表面にパーティクル等が付着し難くなる。したがって、基板の表面処理の品質を高めることが可能となる。
　例３．例１又は例２の装置において、回転保持部は、基板の裏面を全体的に吸着するように構成された保持部を含んでいてもよい。この場合、基板に反りが存在していても、基板が保持部に対して全体的に吸着されることにより、基板の表面が略水平に保たれる。そのため、膜厚をより精度よく測定することが可能となる。
　例４．例１～例３のいずれかの装置において、測定部は、基板の表面を基準として、膜の厚さを測定するように構成されていてもよい。この場合、基板の面内において基板の厚さに変動が存在していても、当該変動の影響を排除して膜厚が測定される。そのため、膜厚をより精度よく測定することが可能となる。
　例５．例１～例４のいずれかの装置は、基板を部分的に加熱するように構成された加熱部をさらに備えていてもよい。この場合、エッチング処理中に加熱部が動作することにより、基板のうち部分的に加熱された領域とそれ以外の領域とで、エッチングの進行速度が変化する。そのため、基板に形成されている膜の厚さが均一でない場合に、基板のうち膜厚が大きい領域を加熱部によって部分的に加熱することで、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　例６．例１～例５のいずれかの装置は、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面の中心部以外の領域にエッチング液を供給するように構成された別の薬液供給部をさらに備え、薬液供給部は、回転保持部による基板の回転中に、基板の表面の中心部にエッチング液を供給するように構成されていてもよい。この場合、薬液供給部からエッチング液が供給される基板の領域と、別の薬液供給部からエッチング液が供給される基板の領域とにおいて、膜のエッチングの進行速度が異なる。そのため、基板の表面における膜の厚さが変動している場合に、別の薬液供給部からもエッチング液を基板の表面に供給することで、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　例７．例１～例６のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、制御部は、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面にエッチング液を供給させるように薬液供給部を制御して、所定の処理条件に基づいて膜をエッチングする第１の処理と、第１の処理の後に、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面及び隙間にそれぞれリンス液を供給させるように、リンス液供給部及び補助供給部を制御する第２の処理と、第２の処理におけるリンス液の供給中で且つ基板の回転中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように駆動部を制御しつつ、膜の厚さを測定するように測定部を制御する第３の処理と、膜の厚さの測定値に基づいて処理条件を更新する第４の処理とを実行するように構成されていてもよい。この場合、エッチング後の膜厚の測定値に基づいてエッチングの処理条件が更新されるので、エッチング処理をフィードバック制御することが可能となる。
　例８．例７の装置において、制御部は、表面に別の膜が形成された後続の基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、後続の基板の表面にエッチング液を供給させるように薬液供給部を制御して、第４の処理で更新された後の処理条件に基づいて別の膜をエッチングする第５の処理をさらに実行するように構成されていてもよい。ところで、同一ロットの基板においては、表面に形成される膜の厚さの変動状態（膜厚プロファイル）が類似する傾向がある。そのため、例８によれば、同一ロットの基板を処理する場合に更新後の処理条件を用いることで、後続の基板におけるエッチング処理前の膜厚の測定を省略できる。したがって、後続の基板のエッチング処理を効率的に行うことが可能となる。
　例９．例７又は例８の装置において、制御部は、膜の厚さの測定値が所定の目標値以下であるか否かを判定する第６の処理と、膜の厚さの測定値が目標値を超えると判定された場合、再度、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面にエッチング液を供給させるように薬液供給部を制御して、膜をエッチングする第７の処理とをさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、同じ基板が再度エッチング処理されるので、膜厚が所定の目標値以下となるように膜がエッチングされうる。そのため、エッチング後の膜厚が所定の目標値を超えていたとしても、当該膜が形成されている基板を廃棄等することなく有効利用することが可能となる。
　例１０．例９の装置において、第７の処理は、膜のうち一部の厚さの測定値が目標値を超えると判定された場合、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面にエッチング液を供給させるように薬液供給部を制御して、膜の一部をエッチングすることを含んでいてもよい。この場合、膜のうち膜厚が目標値を超える部分が主としてエッチングされる。そのため、同じ基板の再度のエッチング処理後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　例１１．例７～例１０のいずれかの装置は、制御部と、膜のエッチングのための複数の処理条件を記憶するように構成された記憶部とをさらに備え、制御部は、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面及び隙間にそれぞれリンス液を供給させるように、リンス液供給部及び補助供給部を制御する第８の処理と、第８の処理におけるリンス液の供給中で且つ基板の回転中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように駆動部を制御しつつ、膜の厚さを測定するように測定部を制御する第９の処理と、膜の厚さの測定値に基づいて複数の処理条件から一つの処理条件を決定する第１０の処理と、基板を保持して回転させるように回転保持部を制御しつつ、基板の表面にエッチング液を供給させるように薬液供給部を制御して、第１０の処理で決定された一つの処理条件に基づいて膜をエッチングする第１１の処理とをさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、エッチング前の膜厚の測定値に基づいて、当該膜をエッチング処理するのに適したエッチングの処理条件が選択される。そのため、例えば、エッチング前の膜厚が基板の面内において変動している場合であっても、エッチング後の膜厚を均一に近づけることが可能となる。
　例１２．基板処理方法の一例は、表面に膜が形成された基板を回転させつつ、基板の表面にエッチング液を供給して、所定の処理条件に基づいて膜をエッチングする第１の工程と、測定ヘッドを基板の表面の近傍に配置する第２の工程と、基板を回転させつつ、基板の表面と、測定ヘッド及び基板の表面の間の隙間とにそれぞれリンス液を供給する第３の工程と、第３の工程におけるリンス液の供給中で且つ基板の回転中に、測定ヘッドを基板の表面に対して水平方向に相対移動させながら、膜の厚さを測定する第４の工程とを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１３．例１２の方法において、第２の工程は、基板の表面の全体にリンス液の液膜が形成されるように基板の表面にリンス液を供給することを含んでいてもよい。この場合、例２の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１４．例１２又は例１３の方法において、第４の工程は、基板の裏面を全体的に吸着した状態で、測定部により膜の厚さを測定することを含んでいてもよい。この場合、例３の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１５．例１２～例１４のいずれかの方法において、第４の工程は、基板の表面を基準として、測定部により膜の厚さを測定することを含んでいてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１６．例１２～例１５のいずれかの方法において、第１の工程は、基板を部分的に加熱した状態で膜をエッチングすることを含んでいてもよい。この場合、例５の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１７．例１２～例１６のいずれかの方法において、第１の工程は、基板の表面の中心部と、基板の表面の中心部以外の領域とにそれぞれエッチング液を供給することを含んでいてもよい。この場合、例６の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１８．例１２～例１７のいずれかの方法は、第１の工程でエッチングされた膜の厚さを第４の工程で測定することによって得られた測定値に基づいて処理条件を更新する第５の工程をさらに含んでいてもよい。この場合、例７の装置と同様の作用効果が得られる。
　例１９．例１８の方法は、表面に別の膜が形成された後続の基板を回転させつつ、後続の基板の表面にエッチング液を供給して、第５の工程で更新された後の処理条件に基づいて別の膜をエッチングする第６の工程をさらに含んでいてもよい。この場合、例８の装置と同様の作用効果が得られる。
　例２０．例１８又は例１９の方法は、膜の厚さの測定値が所定の目標値以下であるか否かを判定する第７の工程と、膜の厚さの測定値が目標値を超えると判定された場合、再度、基板を回転させつつ、基板の表面にエッチング液を供給して、膜をエッチングする第８の工程とをさらに含んでいてもよい。この場合、例９の装置と同様の作用効果が得られる。
　例２１．例２０の方法において、第８の工程は、膜のうち一部の厚さの測定値が目標値を超えると判定された場合、基板を回転させつつ、基板の表面にエッチング液を供給して、膜の一部をエッチングすることを含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果が得られる。
　例２２．例１２～例２１のいずれかの方法は、第１の工程でエッチングされる前の膜の厚さを第４の工程で測定することによって得られた測定値に基づいて、膜のエッチングのための複数の処理条件から一つの処理条件を決定する第９の工程をさらに含み、第１の工程は、基板を回転させつつ、基板の表面にエッチング液を供給して、第９の工程で決定された一つの処理条件に基づいて膜をエッチングすることを含んでいてもよい。この場合、例１１の装置と同様の作用効果が得られる。
　例２３．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１２～例２２のいずれかの方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録していてもよい。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）又は伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）を含んでいてもよい。
　１…基板処理装置、１０…処理ユニット、２０…回転保持部、２１…回転部、２３…保持部、２４，２５…加熱部、３０…薬液供給部、４０…リンス液供給部、５０…駆動ユニット、６０…補助供給部、７０…測定部、７１…測定ヘッド、８０…駆動ユニット、８２…駆動機構（駆動部）、９０…薬液供給部（別の薬液供給部）、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｆ…膜（別の膜）、Ｇ…隙間、Ｌ１…エッチング液、Ｌ２…リンス液、Ｍ２…記憶部、ＲＭ…記録媒体、Ｗ…基板（後続の基板）、Ｗａ…表面。

Claims (23)

  1. 　表面に膜が形成された基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
    　前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板の表面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、
    　前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板の表面にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
    　測定ヘッドが前記基板の表面近傍に位置した状態で前記膜の厚さを測定するように構成された測定部と、
    　前記測定部による測定中に、前記測定ヘッドを前記基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように構成された駆動部と、
    　前記測定部による測定中に、前記測定ヘッドと前記基板の表面との間の隙間にリンス液を供給して前記隙間をリンス液で満たすように構成された補助供給部とを備える、基板処理装置。
  2. 　前記リンス液供給部は、前記測定部による測定中に、前記基板の表面の全体にリンス液の液膜を形成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
  3. 　前記回転保持部は、前記基板の裏面を全体的に吸着するように構成された保持部を含む、請求項１又は２に記載の装置。
  4. 　前記測定部は、前記基板の表面を基準として、前記膜の厚さを測定するように構成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。
  5. 　前記基板を部分的に加熱するように構成された加熱部をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。
  6. 　前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板の表面の中心部以外の領域にエッチング液を供給するように構成された別の薬液供給部をさらに備え、
    　前記薬液供給部は、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板の表面の中心部にエッチング液を供給するように構成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の装置。
  7. 　制御部をさらに備え、
    　前記制御部は、
    　　前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給させるように前記薬液供給部を制御して、所定の処理条件に基づいて前記膜をエッチングする第１の処理と、
    　　前記第１の処理の後に、前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面及び前記隙間にそれぞれリンス液を供給させるように、前記リンス液供給部及び前記補助供給部を制御する第２の処理と、
    　　前記第２の処理におけるリンス液の供給中で且つ前記基板の回転中に、前記測定ヘッドを前記基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように前記駆動部を制御しつつ、前記膜の厚さを測定するように前記測定部を制御する第３の処理と、
    　　前記膜の厚さの測定値に基づいて前記処理条件を更新する第４の処理とを実行するように構成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の装置。
  8. 　前記制御部は、表面に別の膜が形成された後続の基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記後続の基板の表面にエッチング液を供給させるように前記薬液供給部を制御して、前記第４の処理で更新された後の前記処理条件に基づいて前記別の膜をエッチングする第５の処理をさらに実行するように構成されている、請求項７に記載の装置。
  9. 　前記制御部は、
    　　前記膜の厚さの測定値が所定の目標値以下であるか否かを判定する第６の処理と、
    　　前記膜の厚さの測定値が前記目標値を超えると判定された場合、再度、前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給させるように前記薬液供給部を制御して、前記膜をエッチングする第７の処理とをさらに実行するように構成されている、請求項７又は８に記載の装置。
  10. 　前記第７の処理は、前記膜のうち一部の厚さの測定値が前記目標値を超えると判定された場合、前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給させるように前記薬液供給部を制御して、前記膜の前記一部をエッチングすることを含む、請求項９に記載の装置。
  11. 　制御部と、
    　前記膜のエッチングのための複数の処理条件を記憶するように構成された記憶部とをさらに備え、
    　前記制御部は、
    　　前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面及び前記隙間にそれぞれリンス液を供給させるように、前記リンス液供給部及び前記補助供給部を制御する第８の処理と、
    　　前記第８の処理におけるリンス液の供給中で且つ前記基板の回転中に、前記測定ヘッドを前記基板の表面に対して水平方向に相対移動させるように前記駆動部を制御しつつ、前記膜の厚さを測定するように前記測定部を制御する第９の処理と、
    　　前記膜の厚さの測定値に基づいて前記複数の処理条件から一つの処理条件を決定する第１０の処理と、
    　　前記基板を保持して回転させるように前記回転保持部を制御しつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給させるように前記薬液供給部を制御して、前記第１０の処理で決定された前記一つの処理条件に基づいて前記膜をエッチングする第１１の処理とをさらに実行するように構成されている、請求項７～１０のいずれか一項に記載の装置。
  12. 　表面に膜が形成された基板を回転させつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給して、所定の処理条件に基づいて前記膜をエッチングする第１の工程と、
    　測定部の測定ヘッドを前記基板の表面の近傍に配置する第２の工程と、
    　前記基板を回転させつつ、前記基板の表面と、前記測定ヘッド及び前記基板の表面の間の隙間とにそれぞれリンス液を供給する第３の工程と、
    　前記第３の工程におけるリンス液の供給中で且つ前記基板の回転中に、前記測定ヘッドを前記基板の表面に対して水平方向に相対移動させながら、前記膜の厚さを測定する第４の工程とを含む、基板処理方法。
  13. 　前記第２の工程は、前記基板の表面の全体にリンス液の液膜が形成されるように前記基板の表面にリンス液を供給することを含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 　前記第４の工程は、前記基板の裏面を全体的に吸着した状態で、前記測定部により前記膜の厚さを測定することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
  15. 　前記第４の工程は、前記基板の表面を基準として、前記測定部により前記膜の厚さを測定することを含む、請求項１２～１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 　前記第１の工程は、前記基板を部分的に加熱した状態で前記膜をエッチングすることを含む、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 　前記第１の工程は、前記基板の表面の中心部と、前記基板の表面の中心部以外の領域とにそれぞれエッチング液を供給することを含む、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の方法。
  18. 　前記第１の工程でエッチングされた前記膜の厚さを前記第４の工程で測定することによって得られた測定値に基づいて前記処理条件を更新する第５の工程をさらに含む、請求項１２～１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. 　表面に別の膜が形成された後続の基板を回転させつつ、前記後続の基板の表面にエッチング液を供給して、前記第５の工程で更新された後の前記処理条件に基づいて前記別の膜をエッチングする第６の工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 　前記膜の厚さの測定値が所定の目標値以下であるか否かを判定する第７の工程と、
    　前記膜の厚さの測定値が前記目標値を超えると判定された場合、再度、前記基板を回転させつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給して、前記膜をエッチングする第８の工程とをさらに含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
  21. 　前記第８の工程は、前記膜のうち一部の厚さの測定値が前記目標値を超えると判定された場合、前記基板を回転させつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給して、前記膜の前記一部をエッチングすることを含む、請求項２０に記載の方法。
  22. 　前記第１の工程でエッチングされる前の前記膜の厚さを前記第４の工程で測定することによって得られた測定値に基づいて、前記膜のエッチングのための複数の処理条件から一つの処理条件を決定する第９の工程をさらに含み、
    　前記第１の工程は、前記基板を回転させつつ、前記基板の表面にエッチング液を供給して、前記第９の工程で決定された前記一つの処理条件に基づいて前記膜をエッチングすることを含む、請求項１２～２１のいずれか一項に記載の方法。
  23. 　請求項１２～２２のいずれか一項に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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