KR930015106A - 제너 다이오드 - Google Patents

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KR930015106A
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후베르투스 마루티누스 마리아 퀸트 요하네스
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜 파브리켄
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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Abstract

제너 다이오드는 반도체 몸체(1)를 가지며, 상기 반도체 몸체(1)는 1018원자/cc 이상으로 도우핑된 표면구역(1')을 갖고, 표면구역(1')내에는 동일 농도의 도우핑 원자를 가진 적어도 두개의 영역(2),(3)이 확산에 의해 제공되며, 두 영역(2),(3)은 상기 표면구역(1')의 표면(4)과 인접하며 표면구역(1')과 함께 p-n접합부(5),(6)를 형성하며, 제1영역(2)은 제2영역(3)보다 작은 측방향 단면 및 깊이를 가지며, 두 영역(2),(3) 모두는 표면(4) 상에 제공된 제1접속전극(7),(8)에 접속되고, 두 영역(2),(3)이 제공된 쪽과 반대쪽의 반도체 몸체(1)상에는 제2접속전극(9)이 제공된다. 본 발명에 따르면, 제1영역은 제2영역(3)이 적어도 부분적으로 없는 곳에 측방향 확산에 의해 형성되는 연부(10)를 갖는다. 연부(10)때문에, 제너 다이오드의 동작중, 접합부(5)내에 국부적으로 보다 큰 전계가 생기게 된다. 그 결과 제너 다이오드의 전류-전압 특성은 더욱 가파르게 된다.

Description

제너 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제너 다이오드의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 제너 다이오드의 또다른 실시태양의 단면도,
제3도는 제1도에 따른 제너 다이오드의 평면도.

Claims (7)

  1. 반도체 몸체를 가지되, 상기 반도체 몸체는 1018원자/cc 이상으로 도우핑된 표면구역을 갖고, 표면구역내에는 동일 농도의 도우핑 원자를 가진 적어도 두개의 영역이 확산에 의해 제공되며, 두 영역은 상기 표면구역의 표면과 인접하며 표면구역과 함께 p-n접합부를 형성하며, 상기 영역들 중의 제1영역은 상기 영역들 중의 제2영역보다 작은 측방향 단면 및 깊이를 가지며, 상기 두 영역은 상기 표면상에 제공된 제1접속전극에 접속되고, 상기 두 영역이 제공된 쪽과 반대쪽의 반도체 몸체상에는 제2접속전극이 제공된 다이오드가 있어서, 상기 제1영역은 상기 제2영역이 적어도 부분적으로 없는 곳에 측방향 확산에 의해 형성되는 연부를 갖는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2영역은 상기 제1영역을 에워싸며 상기 제1영역과 부분적으로 중첩하며, 상기 제1영역이 밑에 위치되는 함몰부는 상기 연부가 상기 제1영역의 밑으로 돌출하게 되는 정도의 깊이로 상기 표면 밑에 놓이게 되는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 함몰부는 0.5 내지 2 미크론의 깊이를 갖고, 상기 제1영역은 0.5 내지 1.5미크론의 깊이를 가지며, 상기 제2영역은 1.5 내지 3 미크론의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1영역의 측방향 단면은 각진 모서리부들을 갖는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 단면은 정삼각형 또는 정사각형인 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 각진 모서리부들은 0.5 내지 5㎛의 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
  7. 제1항에 있어서, 강하게 도우핑된 폴리실리콘층은 상기 제1및 제2영역위에 제공되며, 상기 제1접속 전극으로서 작용하는 것을 특징으로 하는 제너다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024038A 1991-12-16 1992-12-12 제너 다이오드 KR100253951B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2666743B2 (ja) * 1994-11-22 1997-10-22 日本電気株式会社 定電圧ダイオード
US5661069A (en) * 1995-06-06 1997-08-26 Lsi Logic Corporation Method of forming an MOS-type integrated circuit structure with a diode formed in the substrate under a polysilicon gate electrode to conserve space
US6791161B2 (en) * 2002-04-08 2004-09-14 Fabtech, Inc. Precision Zener diodes
US7361406B2 (en) * 2003-04-29 2008-04-22 Qi Wang Ultra-high current density thin-film Si diode
US8415765B2 (en) 2009-03-31 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor device including a guard ring or an inverted region
JP5671867B2 (ja) 2010-08-04 2015-02-18 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099998A (en) * 1975-11-03 1978-07-11 General Electric Company Method of making zener diodes with selectively variable breakdown voltages
JPS54139489A (en) * 1978-04-21 1979-10-29 Hitachi Ltd Zener diode
DE2916114A1 (de) * 1978-04-21 1979-10-31 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung
NL7907680A (nl) * 1979-10-18 1981-04-22 Philips Nv Zenerdiode.
NL187942C (nl) * 1980-08-18 1992-02-17 Philips Nv Zenerdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JPS5742978A (en) * 1980-08-28 1982-03-10 Teijin Ltd Hydrophilic treatment of synthetic fiber
FR2501914A1 (fr) * 1981-03-13 1982-09-17 Thomson Csf Diode zener 4 a 8 volts fonctionnant en avalanche a faible niveau de courant et procede de fabrication
GB2113907B (en) * 1981-12-22 1986-03-19 Texas Instruments Ltd Reverse-breakdown pn junction devices
JPS58125875A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Mitsubishi Electric Corp 定電圧ダイオ−ド
EP0109888A3 (en) * 1982-11-12 1987-05-20 FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION Subsurface zener diode
JPS6089921A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4732866A (en) * 1984-03-12 1988-03-22 Motorola Inc. Method for producing low noise, high grade constant semiconductor junctions
US4771011A (en) * 1984-05-09 1988-09-13 Analog Devices, Incorporated Ion-implanted process for forming IC wafer with buried-Zener diode and IC structure made with such process
JPS61228677A (ja) * 1985-04-01 1986-10-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
US4672403A (en) * 1985-09-23 1987-06-09 National Semiconductor Corporation Lateral subsurface zener diode
JPS6412779A (en) * 1987-07-07 1989-01-17 Pioneer Electronic Corp Information recording and reproducing system
US4857811A (en) * 1988-03-31 1989-08-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Evacuation pump control for a centrifuge instrument
FR2636474B1 (fr) * 1988-09-09 1990-11-30 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'une diode de regulation et de protection
US4999683A (en) * 1988-12-30 1991-03-12 Sanken Electric Co., Ltd. Avalanche breakdown semiconductor device
JPH02202071A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Toshiba Corp 半導体受光素子及びその製造方法
JPH05152585A (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 Nec Corp 定電圧ダイオード

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JPH0685290A (ja) 1994-03-25
US5336924A (en) 1994-08-09
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EP0547675B1 (en) 1998-12-30
DE69228046D1 (de) 1999-02-11
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