KR950012740A - 프로그램가능 반도체 장치 및 메모리 - Google Patents

프로그램가능 반도체 장치 및 메모리 Download PDF

Info

Publication number
KR950012740A
KR950012740A KR1019940025520A KR19940025520A KR950012740A KR 950012740 A KR950012740 A KR 950012740A KR 1019940025520 A KR1019940025520 A KR 1019940025520A KR 19940025520 A KR19940025520 A KR 19940025520A KR 950012740 A KR950012740 A KR 950012740A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
surface area
semiconductor
conductivity type
conductive
Prior art date
Application number
KR1019940025520A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100347062B1 (ko
Inventor
제로엔 반 도로트 마르텐
Original Assignee
에프.제이.스미트
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프.제이.스미트, 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 에프.제이.스미트
Publication of KR950012740A publication Critical patent/KR950012740A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100347062B1 publication Critical patent/KR100347062B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5252—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising anti-fuses, i.e. connections having their state changed from non-conductive to conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/91—Diode arrays, e.g. diode read-only memory array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

매트릭스 시스템의 교차부에 필라멘트 혹은 포인트 디이오드를 가지는 프로그램가능 반도체 메모리는 최소치수로 제조될 수 있으며, 자기정렬 공차로 인하여 상당히 높은 밀도로 제조될 수 있다. 가능한 문제는 인접한 다이오들간의 펀치스루로 인하여 프로그래밍 동안 발생될 수 있는 강한 누설전류에 노출된다는 것이다. 형성된 다이오드 영역의 높은 배경 농도를 사용하여 누설전류를 감소시키는 것은 다이오드의 pn 접합 에서의 항복전압이 상당히 크므로 불가능하다. 본 발명에 따라서, 다이오드들간의 상기 영역에 보다 강하게 도핑된 표면지대를 제공하고, 이 지대는 다이오드지점으로부터 적어도 얼마간 떨어진 거리에 위치한다. 특정 실시예에서, 상기 지대는 이 영역으로 다이오드보다 적은 깊이로 연장된다. 본 발명은 다이오드의 굴곡이 심한 곳에서 항복전압이 결정된다는 인식을 근거로 한다. 상기 지대는 상기 누설전류를 고수준으로 억제하고, 반면에 다이오드의 항복 전압은 충분히 높게 유지된다.

Description

프로그램가능 반도체 장치 및 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도제 장치의 평면도.

Claims (6)

  1. 비교적 약하게 도핑된 제1도전형의 표면영역 (surface region)을 가지는 반도체 몸체를 포함하는 프로 그램가능 반도체 장치(programmable semiconductor device)로서, 상기 표면영역을 제2의 반대 도전형과 비교적 높은 도핑 농도를 가지는 다수의 반도체 영역을 차례로 제공하는 유전체층(dielectric layer)으로 덮고, 각 반도체영역을 상기 인접한 유전체층의 일부와 결합하고, 상기 표면영역은 프로그램가능 요소를 형성하여 상기 반도체영역과 상기 표면영역사이에 충분히 높은 전압을 제공하도록 프로그램하고, 따라서 상기 유전체층에 걸친 항복(breakdown)으로 인해 상기 반도체 제2도전형의 지대(zone)가 상기 표면영역에 형성되고, 상기 지대는 상기 반도체영역에 도전성으로 연결되고 상기 반도체영역과 상기 표면영역사이에 정류정합(recifying)을 형성하되, 상기 표면영역에 동일한 도전형과 상기 표면영역보다 높은 도핑농도(dopingconcentration)를 가지는 하나 혹은 다수의 표면 지대가 제공되고, 상기 표면지대는 표면에 보여지는 바와 같이, 상기 반도체 영역사이에 연장되어, 프로그래밍동안 형성된 상기 정류정합의 상기 항복 전압이 적어도 상기 표면영역의 비교적 낮은 도핑농도에 의해 사실상 결정되도록 하고 상기 표면지대에 의해 영향을 받지 않거나 혹은 적어도 사실상 영향받지 않도록, 상기 표면영역내 표면지역(surface area)을 가지는 것을 특징 으로 하는 프로그램가능 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 표면지대는 상기 지대 혹은 상기 제2도 전형지대의 상기 깊이보다 적은 깊이로, 횡방향으로 상기 표면으로부터 상기 반도체 몸체까지 연장되고, 상기 제2도전형지대는 프로그래밍동안 상기 제1도전형의 상기 표면영역에 형성되고 수직벽을 가진 상기 제1도전형의 표면지대와 인접하는 것을 더 포함하는 프로그램가능 반도제 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 표면에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 표면지대는 상호적으로 분리되고, 상기 제2도전형의 반도체 영역에 관련하여 상기 제2도전형 반도체 영역사이에 위치한 상기 표면영역의 영역에 자기정렬 방식으로 제공되는 것을 더 포함하는 프로그램가능 반도체 장치.
  4. 제1 내지 3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1도전형의 상기 표면영역은 이후에 기판이라고 불리우는 pn 접합을 통해 상기 표면에 반대한 측면의 제2도전형 영역으로 합병되고, 상기 표면영역보다 높은 도핑농도를 가지는 제1도전형 매립층은 상기 표면영역과 상기 기판사이에 형성되는 것을 더 포함하는 프로그램가능 반도체 장치.
  5. 제1 내지 4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 표면영역은 상기 제2도전형 기판상에 에피텍셜(epitaxially)로 제공되는 제1도전형층으로 형성되는 것을 더 포함하는 프로그램가능 반도체 장치.
  6. 제1 내지 5항의 어느 한 항에 청구된 반도체 장치를 포함하는 프로그램가능 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940025520A 1993-10-05 1994-10-04 프로그램가능한반도체장치 KR100347062B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE09301040 1993-10-05
BE9301040A BE1007591A3 (nl) 1993-10-05 1993-10-05 Programmeerbare halfgeleiderinrichting alsmede programmeerbaar halfgeleidergeheugen omvattende een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950012740A true KR950012740A (ko) 1995-05-16
KR100347062B1 KR100347062B1 (ko) 2002-11-29

Family

ID=3887389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940025520A KR100347062B1 (ko) 1993-10-05 1994-10-04 프로그램가능한반도체장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5561315A (ko)
EP (1) EP0646966B1 (ko)
JP (1) JP3801222B2 (ko)
KR (1) KR100347062B1 (ko)
BE (1) BE1007591A3 (ko)
DE (1) DE69431782T2 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653733B1 (en) * 1996-02-23 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Conductors in semiconductor devices
US5909049A (en) 1997-02-11 1999-06-01 Actel Corporation Antifuse programmed PROM cell
US7157314B2 (en) 1998-11-16 2007-01-02 Sandisk Corporation Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US8575719B2 (en) 2000-04-28 2013-11-05 Sandisk 3D Llc Silicon nitride antifuse for use in diode-antifuse memory arrays
US6777773B2 (en) * 2000-08-14 2004-08-17 Matrix Semiconductor, Inc. Memory cell with antifuse layer formed at diode junction
US7132350B2 (en) * 2003-07-21 2006-11-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a programmable eraseless memory
JP5015420B2 (ja) * 2003-08-15 2012-08-29 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 プログラマブル消去不要メモリに対するプログラミング方法
US7755162B2 (en) * 2004-05-06 2010-07-13 Sidense Corp. Anti-fuse memory cell
US8735297B2 (en) 2004-05-06 2014-05-27 Sidense Corporation Reverse optical proximity correction method
KR101144218B1 (ko) * 2004-05-06 2012-05-10 싸이던스 코포레이션 분리 채널 안티퓨즈 어레이 구조
US9123572B2 (en) 2004-05-06 2015-09-01 Sidense Corporation Anti-fuse memory cell

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62128556A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62136038A (ja) * 1985-12-09 1987-06-19 Nec Corp 不純物濃度測定方法
US4881114A (en) * 1986-05-16 1989-11-14 Actel Corporation Selectively formable vertical diode circuit element
US4876220A (en) * 1986-05-16 1989-10-24 Actel Corporation Method of making programmable low impedance interconnect diode element
US5416343A (en) * 1992-11-20 1995-05-16 U.S. Philips Corporation Semiconductor device provided with a number of programmable elements
EP0599388B1 (en) * 1992-11-20 2000-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with a programmable element
EP0599390A3 (en) * 1992-11-20 1995-01-18 Koninkl Philips Electronics Nv Semiconductor device with a number of programmable elements.

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07283374A (ja) 1995-10-27
EP0646966A1 (en) 1995-04-05
JP3801222B2 (ja) 2006-07-26
DE69431782T2 (de) 2003-07-03
KR100347062B1 (ko) 2002-11-29
DE69431782D1 (de) 2003-01-09
US5561315A (en) 1996-10-01
BE1007591A3 (nl) 1995-08-16
EP0646966B1 (en) 2002-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5883413A (en) Lateral high-voltage DMOS transistor with drain zone charge draining
EP0110331B1 (en) A mos transistor
KR840006872A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
KR950015799A (ko) 플래시메모리 및 그 제조방법
KR930024191A (ko) 백 게이트 영역과 전하를 교환하는 강복 전압 상승 구역 및 구성을 갖춘 수평형의 공핍형 모스(dmos) 트랜지스터를 구비한 반도체 디바이스
KR950012740A (ko) 프로그램가능 반도체 장치 및 메모리
KR880005693A (ko) Mosfet 구조물 및 이의 제조 방법
KR850004875A (ko) 반도체 메모리 장치
KR950010051A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR970024313A (ko) 불휘발성 반도체기억장치 및 그 제조방법(nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same)
KR930005238A (ko) 반도체 소자
KR100263602B1 (ko) 반도체 장치
KR950015716A (ko) 다수의 불순물층을 포함하고 있는 반도체 장치 및 그 제조방법
KR910010732A (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조방법
US5808341A (en) Semiconductor device having an SOI structure
KR920005250A (ko) 비대칭 비휘발성 메모리 셀 및 어레이와 및 그 제조방법
KR900008674A (ko) 반도체 비휘발성 메모리
KR930015106A (ko) 제너 다이오드
US4665416A (en) Semiconductor device having a protection breakdown diode on a semi-insulative substrate
US5324978A (en) Semiconductor device having an improved breakdown voltage-raising structure
KR940008130A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR980006499A (ko) 이중접합구조를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법
US6597044B2 (en) Semiconductor device having a charge removal facility for minority carriers
KR840007313A (ko) 매입저항(埋入抵抗)을 가진 반도체 집적회로(半導體集積回路)
US20020089011A1 (en) Eeprom cell with a single polysilicon level and a self-algned tunnel area

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110712

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee