JP3379412B2 - パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム - Google Patents
パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JP3379412B2 JP3379412B2 JP31015397A JP31015397A JP3379412B2 JP 3379412 B2 JP3379412 B2 JP 3379412B2 JP 31015397 A JP31015397 A JP 31015397A JP 31015397 A JP31015397 A JP 31015397A JP 3379412 B2 JP3379412 B2 JP 3379412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- plating film
- palladium plating
- seconds
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
- C25D3/52—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals characterised by the organic bath constituents used
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パラジウムめっき
用のめっき液に関し、特にはんだぬれ性・耐熱性等が要
求される電気・電子部品等の材料としてのパラジウムめ
っき皮膜とその皮膜が得られるパラジウムめっき液およ
びそのめっき液を用いて形成されたパラジウムめっき皮
膜を有する半導体装置用リードフレームに関する。
用のめっき液に関し、特にはんだぬれ性・耐熱性等が要
求される電気・電子部品等の材料としてのパラジウムめ
っき皮膜とその皮膜が得られるパラジウムめっき液およ
びそのめっき液を用いて形成されたパラジウムめっき皮
膜を有する半導体装置用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】パラジウムめっき液は古くから広く研究
されており、そのめっき皮膜の特性は、耐食性、耐磨耗
性及び電気特性等に優れ、電気接点、コネクタ、回路基
板等の電気・電子部品関係の用途において、金めっきよ
り安価であることから金めっきの代替めっきとして利用
されている。
されており、そのめっき皮膜の特性は、耐食性、耐磨耗
性及び電気特性等に優れ、電気接点、コネクタ、回路基
板等の電気・電子部品関係の用途において、金めっきよ
り安価であることから金めっきの代替めっきとして利用
されている。
【０００３】パラジウムめっき液は、パラジウム塩化物
とピリジンを使用したもの（特公昭４２−２０１６４号
公報、特開昭６０−２４３２９６号公報）、硫酸塩を使
用したもの（特公昭５８−３０３９５号公報）、亜硝酸
塩を使用したもの（特開昭５６−２９６８９公報）など
各種開発されている。しかし、これらのパラジウムめっ
き液を用いても、めっき皮膜の内部応力が高くなりやす
いために、めっきの厚付けが困難であったり、充分な延
性が得られなかった。更に、電子部品用めっきとして重
要なボンディング性、耐熱後のはんだぬれ性が十分でな
い実用上の課題に対して、内部応力の問題や光沢性の改
善のためセレンを添加したもの（特開昭６３−１１１１
９４号公報）、セリウムを添加したもの（特開平２−４
３３９３号公報）、尿素を添加したもの（特開平７−１
１４７５号公報）、フッ素系界面活性剤を添加したもの
（特開平７−２７８８７０号公報）が知られている。
とピリジンを使用したもの（特公昭４２−２０１６４号
公報、特開昭６０−２４３２９６号公報）、硫酸塩を使
用したもの（特公昭５８−３０３９５号公報）、亜硝酸
塩を使用したもの（特開昭５６−２９６８９公報）など
各種開発されている。しかし、これらのパラジウムめっ
き液を用いても、めっき皮膜の内部応力が高くなりやす
いために、めっきの厚付けが困難であったり、充分な延
性が得られなかった。更に、電子部品用めっきとして重
要なボンディング性、耐熱後のはんだぬれ性が十分でな
い実用上の課題に対して、内部応力の問題や光沢性の改
善のためセレンを添加したもの（特開昭６３−１１１１
９４号公報）、セリウムを添加したもの（特開平２−４
３３９３号公報）、尿素を添加したもの（特開平７−１
１４７５号公報）、フッ素系界面活性剤を添加したもの
（特開平７−２７８８７０号公報）が知られている。
【０００４】また、表面にＰｄあるいはＰｄ−Ｎｉ合金
（特公昭６３−４９３８２号公報）、Ｐｄ−Ｂｉ合金
（特開平４−２８７０８９）、Ｐｄ−Ｘ（Ｘ＝ホウ素、
リン、ヒ素、セレン、テルル、アンチモン：特開平６−
２３２３１１号公報）、ＰｄあるいはＰｄ合金皮膜上に
Ａｕめっき皮膜を有するもの（特開平４−１１５５５８
号公報）が知られている。
（特公昭６３−４９３８２号公報）、Ｐｄ−Ｂｉ合金
（特開平４−２８７０８９）、Ｐｄ−Ｘ（Ｘ＝ホウ素、
リン、ヒ素、セレン、テルル、アンチモン：特開平６−
２３２３１１号公報）、ＰｄあるいはＰｄ合金皮膜上に
Ａｕめっき皮膜を有するもの（特開平４−１１５５５８
号公報）が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術では、はんだぬれ性、耐熱性、ボンディ
ング性の実用的課題を充分に解決するものではなかっ
た。近年では、各種電子機器などにおいて、その性能が
より高度化され、それに用いられる半導体装置にはその
特性に年々厳しい要求がなされている。そのため、これ
らに用いられるパラジウムめっき材料は、より高性能の
安定した物性のものでなくてはならず、そのためパラジ
ウムめっき液の改善の要求が強くなってきている。
うな従来の技術では、はんだぬれ性、耐熱性、ボンディ
ング性の実用的課題を充分に解決するものではなかっ
た。近年では、各種電子機器などにおいて、その性能が
より高度化され、それに用いられる半導体装置にはその
特性に年々厳しい要求がなされている。そのため、これ
らに用いられるパラジウムめっき材料は、より高性能の
安定した物性のものでなくてはならず、そのためパラジ
ウムめっき液の改善の要求が強くなってきている。
【０００６】たとえば、半導体装置のチップ搭載用の部
品であるリードフレームの分野においても、パラジウム
めっき液が利用されているが、次に述べるようにめっき
に関して改善すべき課題が残っている。
品であるリードフレームの分野においても、パラジウム
めっき液が利用されているが、次に述べるようにめっき
に関して改善すべき課題が残っている。
【０００７】図４はリードフレームの一般的な例を示す
平面図、図５は図４のリードフレームの断面図である。
図４及び図５において、チップ搭載部１の周りにインナ
リード部２が形成され、タイバー部４を介してアウター
リード部３が設けられている。そして、チップ搭載部１
には半導体チップ５を搭載して接着剤６によってこれを
固定し、更に半導体チップ５の上面の電極７とインナリ
ード部２との間をワイヤー８によってボンディングする
とともに封止樹脂９によって封止している。
平面図、図５は図４のリードフレームの断面図である。
図４及び図５において、チップ搭載部１の周りにインナ
リード部２が形成され、タイバー部４を介してアウター
リード部３が設けられている。そして、チップ搭載部１
には半導体チップ５を搭載して接着剤６によってこれを
固定し、更に半導体チップ５の上面の電極７とインナリ
ード部２との間をワイヤー８によってボンディングする
とともに封止樹脂９によって封止している。
【０００８】図示のリードフレームの製造では、Ｎｉめ
っきをした基板全体を更にパラジウムめっきし、チップ
搭載部１に半導体チップ５を接合し、半導体チップ５の
端子とインナーリード部２をワイヤー８でボンディング
し、さらに、アウターリード部３以外の全体を封止樹脂
９で封止する工程が順に行なわれる。
っきをした基板全体を更にパラジウムめっきし、チップ
搭載部１に半導体チップ５を接合し、半導体チップ５の
端子とインナーリード部２をワイヤー８でボンディング
し、さらに、アウターリード部３以外の全体を封止樹脂
９で封止する工程が順に行なわれる。
【０００９】なお、図４に示したリードフレームの平面
図は、半導体チップ５の接合、ワイヤー８によるボンデ
ィング、封止樹脂９による封止を実施する前のリードフ
レームのみを示したものであり、実際には、半導体チッ
プ５の接合、ワイヤー８によるボンディング、封止樹脂
９による封止を施した後、対応するインナーリード部２
とアウターリード部３とが電気的に接続し、且つ、隣接
するインナーリード部２どうし、アウターリード部３ど
うしが短絡しないような状態になるように、リードフレ
ームを切断する。この後、アウターリード部３は、他の
電子部品とはんだで接合され、用いられる。
図は、半導体チップ５の接合、ワイヤー８によるボンデ
ィング、封止樹脂９による封止を実施する前のリードフ
レームのみを示したものであり、実際には、半導体チッ
プ５の接合、ワイヤー８によるボンディング、封止樹脂
９による封止を施した後、対応するインナーリード部２
とアウターリード部３とが電気的に接続し、且つ、隣接
するインナーリード部２どうし、アウターリード部３ど
うしが短絡しないような状態になるように、リードフレ
ームを切断する。この後、アウターリード部３は、他の
電子部品とはんだで接合され、用いられる。
【００１０】ここで、パラジウムは金と同様に貴金属で
化学的に安定な材料であり、パラジウムめっき皮膜への
半導体チップ５の接合性、ワイヤーボンディング性には
特に問題は発生しない。しかしながら、パラジウムめっ
き皮膜への半導体チップ５の接合時に高温に熱すること
によって、パラジウムめっき皮膜は酸化反応を起こし、
後工程でのはんだぬれ性の低下を招く。このことによ
り、封止樹脂９による封止後に外部に露出するアウター
リード部３のはんだ付け性能に支障が生じる。すなわ
ち、ぬれ速度が低下し、要求されるはんだぬれ面積をカ
バーするのが困難となり、このためはんだ槽への浸漬時
間が増大して作業効率が低下し、甚だしい場合にははん
だが全くぬれないという問題点を有していた。特に、近
年の半導体装置の高密度化に伴いアウターリード３間の
間隔が狭くなり、表面実装におけるクリームはんだによ
るリフロー（再溶解）接合時において、はんだのぬれ性
が悪いためクリームはんだが基板の横方向に流れてしま
い、配線間にブリッジが発生し回路が短絡してしまうと
いう問題点があった。クリームはんだの塗布量を減らす
ことによりある程度のブリッジ発生は減少させることは
可能であるが、逆に、クリームはんだ塗布量の減少によ
りクリームはんだの塗布高さが低くなり、アウターリー
ド３の基板との隙間のばらつきにより全く接合しない場
合が生じ回路がオープンになってしまうことが発生す
る。
化学的に安定な材料であり、パラジウムめっき皮膜への
半導体チップ５の接合性、ワイヤーボンディング性には
特に問題は発生しない。しかしながら、パラジウムめっ
き皮膜への半導体チップ５の接合時に高温に熱すること
によって、パラジウムめっき皮膜は酸化反応を起こし、
後工程でのはんだぬれ性の低下を招く。このことによ
り、封止樹脂９による封止後に外部に露出するアウター
リード部３のはんだ付け性能に支障が生じる。すなわ
ち、ぬれ速度が低下し、要求されるはんだぬれ面積をカ
バーするのが困難となり、このためはんだ槽への浸漬時
間が増大して作業効率が低下し、甚だしい場合にははん
だが全くぬれないという問題点を有していた。特に、近
年の半導体装置の高密度化に伴いアウターリード３間の
間隔が狭くなり、表面実装におけるクリームはんだによ
るリフロー（再溶解）接合時において、はんだのぬれ性
が悪いためクリームはんだが基板の横方向に流れてしま
い、配線間にブリッジが発生し回路が短絡してしまうと
いう問題点があった。クリームはんだの塗布量を減らす
ことによりある程度のブリッジ発生は減少させることは
可能であるが、逆に、クリームはんだ塗布量の減少によ
りクリームはんだの塗布高さが低くなり、アウターリー
ド３の基板との隙間のばらつきにより全く接合しない場
合が生じ回路がオープンになってしまうことが発生す
る。
【００１１】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、はんだぬれ性が良好で、はんだぬれ速度が大き
く、特にこれらの特性が高熱環境下で劣化しない優れた
はんだ付け性能を備えたパラジウムめっき皮膜を得るた
めのパラジウムめっき液及びめっき皮膜を提供すること
を目的とする。
であり、はんだぬれ性が良好で、はんだぬれ速度が大き
く、特にこれらの特性が高熱環境下で劣化しない優れた
はんだ付け性能を備えたパラジウムめっき皮膜を得るた
めのパラジウムめっき液及びめっき皮膜を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のパラジウムめっ
き液は、可溶性パラジウム塩と、４級化された化合物と
を含有したものである。この構成を基本として、更にピ
リジンの誘導体あるいはその塩を加える。更にまた、塩
化アンモニウム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモ
ニウム、硫酸アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸
から選ばれる少なくとも１つ、あるいは、可溶性セレン
塩を加える。
き液は、可溶性パラジウム塩と、４級化された化合物と
を含有したものである。この構成を基本として、更にピ
リジンの誘導体あるいはその塩を加える。更にまた、塩
化アンモニウム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモ
ニウム、硫酸アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸
から選ばれる少なくとも１つ、あるいは、可溶性セレン
塩を加える。
【００１３】以上の構成により、はんだぬれ性が良好
で、はんだぬれ速度が大きく、特にこれらの特性が高熱
環境下で劣化しない優れたはんだ付け性能を備えたパラ
ジウムめっき皮膜およびその皮膜を得るためのパラジウ
ムめっき液を提供することができる。
で、はんだぬれ速度が大きく、特にこれらの特性が高熱
環境下で劣化しない優れたはんだ付け性能を備えたパラ
ジウムめっき皮膜およびその皮膜を得るためのパラジウ
ムめっき液を提供することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、可溶性
パラジウム塩と、４級化された化合物と、を含有し、前
記４級化された化合物が前掲の一般式（化１）で示され
る化合物であることを特徴とするパラジウムめっき液で
あり、これを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜
は、高温環境下において４級化された化合物が酸化され
ることでパラジウムの酸化を防止するため、めっき皮膜
の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用を
有する。
パラジウム塩と、４級化された化合物と、を含有し、前
記４級化された化合物が前掲の一般式（化１）で示され
る化合物であることを特徴とするパラジウムめっき液で
あり、これを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜
は、高温環境下において４級化された化合物が酸化され
ることでパラジウムの酸化を防止するため、めっき皮膜
の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用を
有する。
【００１５】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
発明において、前記４級化された化合物がＺ濃度に換算
して、金属パラジウム当たり１０〜３０００ｐｐｍ含有
されたことを特徴とするパラジウムめっき液であり、こ
れを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜は、高温環
境下において４級化された化合物が酸化されることでパ
ラジウムの酸化を防止するため、めっき皮膜の表面にお
けるはんだのぬれ性を向上するという作用を有する。
発明において、前記４級化された化合物がＺ濃度に換算
して、金属パラジウム当たり１０〜３０００ｐｐｍ含有
されたことを特徴とするパラジウムめっき液であり、こ
れを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜は、高温環
境下において４級化された化合物が酸化されることでパ
ラジウムの酸化を防止するため、めっき皮膜の表面にお
けるはんだのぬれ性を向上するという作用を有する。
【００１６】請求項３に記載の発明は、請求項１〜２の
いずれかに記載の発明において、前記可溶性パラジウム
塩が、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パラ
ジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩、パラジウムの
亜硫酸塩、パラジウムの亜硝酸塩、パラジウムのエチレ
ンジアミン四酢酸塩のうちから選ばれた少なくとも１つ
であることを特徴とするパラジウムめっき液であり、こ
れを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径
を細かくすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にす
ることができるので高温環境下において酸化しにくく、
また、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上
するという作用を有する。
いずれかに記載の発明において、前記可溶性パラジウム
塩が、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パラ
ジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩、パラジウムの
亜硫酸塩、パラジウムの亜硝酸塩、パラジウムのエチレ
ンジアミン四酢酸塩のうちから選ばれた少なくとも１つ
であることを特徴とするパラジウムめっき液であり、こ
れを用いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径
を細かくすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にす
ることができるので高温環境下において酸化しにくく、
また、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上
するという作用を有する。
【００１７】請求項４に記載の発明は、請求項１〜２の
いずれかに記載の発明において、前記可溶性パラジウム
塩をパラジウムに換算して０．１〜５０．０ｇ／ｌ含有
することを特徴とするパラジウムめっき液であり、これ
を用いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を
細かくすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にする
ことができるので高温環境下において酸化しにくく、ま
た、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上す
るという作用を有する。
いずれかに記載の発明において、前記可溶性パラジウム
塩をパラジウムに換算して０．１〜５０．０ｇ／ｌ含有
することを特徴とするパラジウムめっき液であり、これ
を用いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を
細かくすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にする
ことができるので高温環境下において酸化しにくく、ま
た、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上す
るという作用を有する。
【００１８】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４に
記載の発明において、ピリジン誘導体を含有することを
特徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形
成したパラジウムのめっき皮膜の表面を平滑にすること
ができるので高温環境下において酸化しにくく、また、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上すると
いう作用、および光沢を持たせるという作用を有する。
記載の発明において、ピリジン誘導体を含有することを
特徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形
成したパラジウムのめっき皮膜の表面を平滑にすること
ができるので高温環境下において酸化しにくく、また、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上すると
いう作用、および光沢を持たせるという作用を有する。
【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の発明において、前記ピリジンの誘導体がピリジンスル
ホン酸、ピリジンカルボン酸のいずれかであることを特
徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形成
したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくするこ
とができ、めっき皮膜の表面を平滑にすることができる
ので高温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮
膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用
を有する。
の発明において、前記ピリジンの誘導体がピリジンスル
ホン酸、ピリジンカルボン酸のいずれかであることを特
徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形成
したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくするこ
とができ、めっき皮膜の表面を平滑にすることができる
ので高温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮
膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用
を有する。
【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
の発明において、前記ピリジンスルホン酸が、ピリジン
３スルホン酸であることを特徴とするパラジウムめっき
液であり、これを用いて形成したパラジウムのめっき皮
膜の結晶粒径を細かくすることができ、めっき皮膜の表
面を平滑にすることができるので高温環境下において酸
化しにくく、また、めっき皮膜の表面におけるはんだの
ぬれ性を向上するという作用を有する。
の発明において、前記ピリジンスルホン酸が、ピリジン
３スルホン酸であることを特徴とするパラジウムめっき
液であり、これを用いて形成したパラジウムのめっき皮
膜の結晶粒径を細かくすることができ、めっき皮膜の表
面を平滑にすることができるので高温環境下において酸
化しにくく、また、めっき皮膜の表面におけるはんだの
ぬれ性を向上するという作用を有する。
【００２１】請求項８に記載の発明は請求項６に記載の
発明において、前記ピリジンカルボン酸が、ピコリン
酸、ニコチン酸、キノリン酸、ルチジン酸、２，６，−
ジピコリン酸のうちから選ばれた少なくとも１つである
ことを特徴とするパラジウムめっき液であり、これを用
いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細か
くすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にすること
ができるので高温環境下において酸化しにくく、また、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上すると
いう作用を有する。
発明において、前記ピリジンカルボン酸が、ピコリン
酸、ニコチン酸、キノリン酸、ルチジン酸、２，６，−
ジピコリン酸のうちから選ばれた少なくとも１つである
ことを特徴とするパラジウムめっき液であり、これを用
いて形成したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細か
くすることができ、めっき皮膜の表面を平滑にすること
ができるので高温環境下において酸化しにくく、また、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上すると
いう作用を有する。
【００２２】請求項９に記載の発明は、請求項５に記載
の発明において、前記ピリジンの誘導体の塩が、前記ピ
リジンの誘導体のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリ
ウム塩の中から選ばれた少なくとも１つであることを特
徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形成
したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくするこ
とができ、めっき皮膜の表面を平滑にすることができる
ので高温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮
膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用
を有する。
の発明において、前記ピリジンの誘導体の塩が、前記ピ
リジンの誘導体のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリ
ウム塩の中から選ばれた少なくとも１つであることを特
徴とするパラジウムめっき液であり、これを用いて形成
したパラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくするこ
とができ、めっき皮膜の表面を平滑にすることができる
ので高温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮
膜の表面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用
を有する。
【００２３】請求項１０に記載の発明は、請求項５〜９
のいずれかに記載の発明において、前記ピリジンの誘導
体、前記ピリジンの誘導体の塩のいずれかを０．１〜２
０．０ｇ／ｌ含有することを特徴とするパラジウムめっ
き液であり、これを用いて形成したパラジウムのめっき
皮膜の結晶粒径を細かくすることができ、めっき皮膜の
表面を平滑にすることができるので高温環境下において
酸化しにくく、また、めっき皮膜の表面におけるはんだ
のぬれ性を向上するという作用を有する。
のいずれかに記載の発明において、前記ピリジンの誘導
体、前記ピリジンの誘導体の塩のいずれかを０．１〜２
０．０ｇ／ｌ含有することを特徴とするパラジウムめっ
き液であり、これを用いて形成したパラジウムのめっき
皮膜の結晶粒径を細かくすることができ、めっき皮膜の
表面を平滑にすることができるので高温環境下において
酸化しにくく、また、めっき皮膜の表面におけるはんだ
のぬれ性を向上するという作用を有する。
【００２４】請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１
０のいずれかに記載の発明において、塩化アンモニウ
ム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸のうちから選
ばれた少なくとも１つが含有されていることを特徴とす
るパラジウムめっき液であり、これを用いて形成したパ
ラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくすることがで
き、めっき皮膜の表面を平滑にすることができるので高
温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮膜の表
面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用、およ
び、めっき液の緩衝性を改善してめっき皮膜を均一に形
成し、更に、導電性を高めるという作用を有する。ただ
し、緩衝性とは、めっき液のｐＨの安定化のことであ
る。
０のいずれかに記載の発明において、塩化アンモニウ
ム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸
アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸のうちから選
ばれた少なくとも１つが含有されていることを特徴とす
るパラジウムめっき液であり、これを用いて形成したパ
ラジウムのめっき皮膜の結晶粒径を細かくすることがで
き、めっき皮膜の表面を平滑にすることができるので高
温環境下において酸化しにくく、また、めっき皮膜の表
面におけるはんだのぬれ性を向上するという作用、およ
び、めっき液の緩衝性を改善してめっき皮膜を均一に形
成し、更に、導電性を高めるという作用を有する。ただ
し、緩衝性とは、めっき液のｐＨの安定化のことであ
る。
【００２５】請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１
１に記載のパラジウムめっき液を用いて形成したことを
特徴とするパラジウムめっき皮膜であり、これを用いて
形成したパラジウムのめっき皮膜は、パラジウムのめっ
き皮膜の結晶粒径が細かく、めっき皮膜の表面が平滑で
あり、高温環境下において４級化された化合物が酸化さ
れることでパラジウムの酸化を防止できるので、めっき
皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するという作
用を有する。
１に記載のパラジウムめっき液を用いて形成したことを
特徴とするパラジウムめっき皮膜であり、これを用いて
形成したパラジウムのめっき皮膜は、パラジウムのめっ
き皮膜の結晶粒径が細かく、めっき皮膜の表面が平滑で
あり、高温環境下において４級化された化合物が酸化さ
れることでパラジウムの酸化を防止できるので、めっき
皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するという作
用を有する。
【００２６】請求項１３に記載の発明は、請求項１２記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面のＸ
線光電子分光分析によるＰｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下で
あることを特徴とする請求項１２に記載のパラジウムめ
っき皮膜であり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が
細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４
５℃で３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が
酸化されることでパラジウムの酸化を防止でき、Ｘ線光
電子分光分析によるＰｄＯ値が小さく抑えられるので、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上すると
いう作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面のＸ
線光電子分光分析によるＰｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下で
あることを特徴とする請求項１２に記載のパラジウムめ
っき皮膜であり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が
細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４
５℃で３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が
酸化されることでパラジウムの酸化を防止でき、Ｘ線光
電子分光分析によるＰｄＯ値が小さく抑えられるので、
めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上すると
いう作用を有する。
【００２７】請求項１４に記載の発明は、請求項１２記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いて、４級化された化合物のカチオン中心元素ＺがＸ線
光電子分光分析で１％以上観測されることを特徴とする
請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜であり、パラ
ジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の
表面が平滑であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処
理をすると４級化された化合物が酸化され、４級化され
た化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に偏在することに
より、その結果パラジウムの酸化を防止できるので、め
っき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するとい
う作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いて、４級化された化合物のカチオン中心元素ＺがＸ線
光電子分光分析で１％以上観測されることを特徴とする
請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜であり、パラ
ジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の
表面が平滑であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処
理をすると４級化された化合物が酸化され、４級化され
た化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に偏在することに
より、その結果パラジウムの酸化を防止できるので、め
っき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するとい
う作用を有する。
【００２８】請求項１５に記載の発明は、請求項１２記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いてＸ線光電子分光分析で観察された４級化された化合
物のカチオン中心元素Ｚが、エッチング処理後にはＸ線
光電子分光分析分析で１％未満になることを特徴とする
請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜であり、パラ
ジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の
表面が平滑であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処
理をすると４級化された化合物が酸化され、４級化され
た化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に偏在することに
より、その結果パラジウムの酸化を防止できるので、め
っき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するとい
う作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いてＸ線光電子分光分析で観察された４級化された化合
物のカチオン中心元素Ｚが、エッチング処理後にはＸ線
光電子分光分析分析で１％未満になることを特徴とする
請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜であり、パラ
ジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の
表面が平滑であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処
理をすると４級化された化合物が酸化され、４級化され
た化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に偏在することに
より、その結果パラジウムの酸化を防止できるので、め
っき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上するとい
う作用を有する。
【００２９】請求項１６に記載の発明は、請求項１２記
載のパラジウムめっき皮膜は、４級化された化合物のカ
チオン成分が飛行時間型二次イオン質量分析で、３４５
℃で３０秒間の熱処理後には炭酸化物に変化することを
特徴とする請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜で
あり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめ
っき皮膜の表面が平滑であり、表面に存在していた４級
化された化合物が大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理
をすると酸化され、パラジウムの酸化を防止できるの
で、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上す
るという作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、４級化された化合物のカ
チオン成分が飛行時間型二次イオン質量分析で、３４５
℃で３０秒間の熱処理後には炭酸化物に変化することを
特徴とする請求項１２に記載のパラジウムめっき皮膜で
あり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かくてめ
っき皮膜の表面が平滑であり、表面に存在していた４級
化された化合物が大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理
をすると酸化され、パラジウムの酸化を防止できるの
で、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性が向上す
るという作用を有する。
【００３０】請求項１７に記載の発明は、請求項１〜１
１に記載されたパラジウムめっき液を用いて形成された
パラジウムめっき皮膜が少なくともアウターリード部に
形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフ
レームであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細
かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、高温環境下にお
いて４級化された化合物が酸化されることでパラジウム
の酸化を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるは
んだのぬれ性が向上するという作用を有する。
１に記載されたパラジウムめっき液を用いて形成された
パラジウムめっき皮膜が少なくともアウターリード部に
形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフ
レームであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細
かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、高温環境下にお
いて４級化された化合物が酸化されることでパラジウム
の酸化を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるは
んだのぬれ性が向上するという作用を有する。
【００３１】請求項１８に記載の発明は、請求項１７記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面のＸ
線光電子分光分析によるＰｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下で
あるパラジウムめっき皮膜が少なくともアウターリード
部に形成されていることを特徴とする請求項１７に記載
の半導体装置用リードフレームであり、パラジウムのめ
っき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の表面が平滑
であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をすると
４級化された化合物が酸化されることでパラジウムの酸
化を防止でき、Ｘ線光電子分光分析によるＰｄＯ値が小
さく抑えられるので、めっき皮膜の表面におけるはんだ
のぬれ性が向上するという作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面のＸ
線光電子分光分析によるＰｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下で
あるパラジウムめっき皮膜が少なくともアウターリード
部に形成されていることを特徴とする請求項１７に記載
の半導体装置用リードフレームであり、パラジウムのめ
っき皮膜の結晶粒径が細かくてめっき皮膜の表面が平滑
であり、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をすると
４級化された化合物が酸化されることでパラジウムの酸
化を防止でき、Ｘ線光電子分光分析によるＰｄＯ値が小
さく抑えられるので、めっき皮膜の表面におけるはんだ
のぬれ性が向上するという作用を有する。
【００３２】請求項１９に記載の発明は、請求項１７記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いて、４級化された化合物のカチオン中心元素ＺがＸ線
光電子分光分析で１％以上観測されるパラジウムめっき
皮膜が少なくともアウターリード部に形成されているこ
とを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リード
フレームであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が
細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４
５℃で３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が
酸化され、４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚが
表面に偏在することにより、その結果パラジウムの酸化
を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるはんだの
ぬれ性が向上するという作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いて、４級化された化合物のカチオン中心元素ＺがＸ線
光電子分光分析で１％以上観測されるパラジウムめっき
皮膜が少なくともアウターリード部に形成されているこ
とを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リード
フレームであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が
細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４
５℃で３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が
酸化され、４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚが
表面に偏在することにより、その結果パラジウムの酸化
を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるはんだの
ぬれ性が向上するという作用を有する。
【００３３】請求項２０に記載の発明は、請求項１７記
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いてＸ線光電子分光分析で観察された４級化された化合
物のカチオン中心元素Ｚが、エッチング処理後にはＸ線
光電子分光分析で１％未満になるパラジウムめっき皮膜
が少なくともアウターリードに形成されていることを特
徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リードフレー
ムであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かく
てめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４５℃で
３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が酸化さ
れ、４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に
偏在することにより、その結果パラジウムの酸化を防止
できるので、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性
が向上するという作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、大気中で３４５℃で３０
秒間の熱処理をした後のパラジウムめっき皮膜表面にお
いてＸ線光電子分光分析で観察された４級化された化合
物のカチオン中心元素Ｚが、エッチング処理後にはＸ線
光電子分光分析で１％未満になるパラジウムめっき皮膜
が少なくともアウターリードに形成されていることを特
徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リードフレー
ムであり、パラジウムのめっき皮膜の結晶粒径が細かく
てめっき皮膜の表面が平滑であり、大気中で３４５℃で
３０秒間の熱処理をすると４級化された化合物が酸化さ
れ、４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚが表面に
偏在することにより、その結果パラジウムの酸化を防止
できるので、めっき皮膜の表面におけるはんだのぬれ性
が向上するという作用を有する。
【００３４】請求項２１に記載の発明は、請求項１７記
載のパラジウムめっき皮膜は、４級化された化合物のカ
チオン成分が飛行時間型二次イオン質量分析で、３４５
℃で３０秒間の熱処理後には炭酸化物に変化するパラジ
ウムめっき皮膜が少なくともアウターリード部に形成さ
れていることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装
置用リードフレームであり、パラジウムのめっき皮膜の
結晶粒径が細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、表
面に存在していた４級化された化合物が大気中で３４５
℃で３０秒間の熱処理をすると酸化され、パラジウムの
酸化を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるはん
だのぬれ性が向上するという作用を有する。
載のパラジウムめっき皮膜は、４級化された化合物のカ
チオン成分が飛行時間型二次イオン質量分析で、３４５
℃で３０秒間の熱処理後には炭酸化物に変化するパラジ
ウムめっき皮膜が少なくともアウターリード部に形成さ
れていることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装
置用リードフレームであり、パラジウムのめっき皮膜の
結晶粒径が細かくてめっき皮膜の表面が平滑であり、表
面に存在していた４級化された化合物が大気中で３４５
℃で３０秒間の熱処理をすると酸化され、パラジウムの
酸化を防止できるので、めっき皮膜の表面におけるはん
だのぬれ性が向上するという作用を有する。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】以上のように、基本的に、可溶性パラジウ
ム塩は、パラジウムめっきのための基本的原料である。
４級化された化合物は、高温環境下では自らが酸化・分
解されて、Ｐｄの酸化を防止することで、めっき表面の
はんだぬれ性を良くする。ピリジンの誘導体あるいはそ
の塩は、結晶粒を細かくし、めっき表面を平滑にする役
割がある。塩化アンモニウム、リン酸水素アンモニウ
ム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、臭化アンモ
ニウム、ホウ酸は、めっき液の緩衝性を改善してめっき
皮膜を均一に形成し、更に、導電性を高めるという役割
を有する。また、可溶性セレン塩によって、めっき膜の
内部応力を緩和し、光沢を持たせることができる。
ム塩は、パラジウムめっきのための基本的原料である。
４級化された化合物は、高温環境下では自らが酸化・分
解されて、Ｐｄの酸化を防止することで、めっき表面の
はんだぬれ性を良くする。ピリジンの誘導体あるいはそ
の塩は、結晶粒を細かくし、めっき表面を平滑にする役
割がある。塩化アンモニウム、リン酸水素アンモニウ
ム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、臭化アンモ
ニウム、ホウ酸は、めっき液の緩衝性を改善してめっき
皮膜を均一に形成し、更に、導電性を高めるという役割
を有する。また、可溶性セレン塩によって、めっき膜の
内部応力を緩和し、光沢を持たせることができる。
【００４０】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。本発明に用いることができる可溶性パラジウム塩と
しては、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パ
ラジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩、パラジウム
の亜硫酸塩、パラジウムの亜硝酸塩、パラジウムのエチ
レンジアミン四酢酸塩のうちから選ばれた少なくとも１
つであり、例えばジクロロアンミンパラジウム、ジクロ
ロテトラアンミンパラジウム、ジブロモアンミンパラジ
ウム、ジブロモテトラアンミンパラジウム、ジニトロジ
アミンパラジウム、ジニトロテトラアンミンパラジウム
等があげられる。上記のパラジウム塩をパラジウム金属
濃度として０．１〜５０．０ｇ／ｌ、好ましくは５．０
〜３０．０ｇ／ｌが良い。０．１ｇ／ｌより少ないと正
常皮膜を得るためにはめっき速度が小さ過ぎ、電流密度
を大きくしてめっき速度を速くすると焼けが発生し正常
皮膜が得られず実用的でない。また、５０ｇ／ｌより多
いと、液の汲み出しによるパラジウム金属の消耗が多く
経済的ではない。また、これらの塩は、単独で用いても
良く２種類以上併用しても良い。
る。本発明に用いることができる可溶性パラジウム塩と
しては、パラジウムの塩化物、パラジウムの硫酸塩、パ
ラジウムの硝酸塩、パラジウムのリン酸塩、パラジウム
の亜硫酸塩、パラジウムの亜硝酸塩、パラジウムのエチ
レンジアミン四酢酸塩のうちから選ばれた少なくとも１
つであり、例えばジクロロアンミンパラジウム、ジクロ
ロテトラアンミンパラジウム、ジブロモアンミンパラジ
ウム、ジブロモテトラアンミンパラジウム、ジニトロジ
アミンパラジウム、ジニトロテトラアンミンパラジウム
等があげられる。上記のパラジウム塩をパラジウム金属
濃度として０．１〜５０．０ｇ／ｌ、好ましくは５．０
〜３０．０ｇ／ｌが良い。０．１ｇ／ｌより少ないと正
常皮膜を得るためにはめっき速度が小さ過ぎ、電流密度
を大きくしてめっき速度を速くすると焼けが発生し正常
皮膜が得られず実用的でない。また、５０ｇ／ｌより多
いと、液の汲み出しによるパラジウム金属の消耗が多く
経済的ではない。また、これらの塩は、単独で用いても
良く２種類以上併用しても良い。
【００４１】４級化された化合物が下記一般式（化１）
で示される化合物としては、式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
は、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等）、アルケニル基（例えばビニル基、プ
ロペニル基、アリル基等）、アリール基（例えばフェニ
ル基、ナフチル基等）、あるいはアラルキル基（ベンジ
ル基、フェネチル基等）を表し、これらの基は置換され
ていても良く、置換基としては例えばハロゲン原子（例
えば塩素、臭素等）、アルキル基（例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等）、ニトロ基等があげ
られる。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は互いに環を形成しても良
い。Ｚは窒素原子、リン原子、ヒ素原子あるいはアンチ
モン原子を表し、Ｘ−はアニオンを表す。Ｘ−によって
示されるアニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化
物イオン、ヨウ化物イオン、亜硝酸イオン、次亜塩素酸
イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、水酸化物イオン等
があげられる。
で示される化合物としては、式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
は、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等）、アルケニル基（例えばビニル基、プ
ロペニル基、アリル基等）、アリール基（例えばフェニ
ル基、ナフチル基等）、あるいはアラルキル基（ベンジ
ル基、フェネチル基等）を表し、これらの基は置換され
ていても良く、置換基としては例えばハロゲン原子（例
えば塩素、臭素等）、アルキル基（例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等）、ニトロ基等があげ
られる。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は互いに環を形成しても良
い。Ｚは窒素原子、リン原子、ヒ素原子あるいはアンチ
モン原子を表し、Ｘ−はアニオンを表す。Ｘ−によって
示されるアニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化
物イオン、ヨウ化物イオン、亜硝酸イオン、次亜塩素酸
イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、水酸化物イオン等
があげられる。
【００４２】一般式（化１）で示される化合物の具体的
な代表例としては、一般式（化２）から（化１７）
な代表例としては、一般式（化２）から（化１７）
【００４３】
【化２】
【００４４】
【化３】
【００４５】
【化４】
【００４６】
【化５】
【００４７】
【化６】
【００４８】
【化７】
【００４９】
【化８】
【００５０】
【化９】
【００５１】
【化１０】
【００５２】
【化１１】
【００５３】
【化１２】
【００５４】
【化１３】
【００５５】
【化１４】
【００５６】
【化１５】
【００５７】
【化１６】
【００５８】
【化１７】
【００５９】等があげられるが、本発明に使用する化合
物はこれらに限定されるものではない。
物はこれらに限定されるものではない。
【００６０】上記一般式（化１）で示される化合物は、
めっき液中濃度がＺ濃度に換算して、金属パラジウム当
たり１０〜３０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜１０００
ｐｐｍが良い。上記一般式（化１）で示される化合物が
１０ｐｐｍより少ないと効果がなく、３０００ｐｐｍよ
り多いとめっきの表面状態が悪くなる。また、上記一般
式（化１）で示される化合物は、単独で用いても良く２
種類以上併用しても良い。
めっき液中濃度がＺ濃度に換算して、金属パラジウム当
たり１０〜３０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜１０００
ｐｐｍが良い。上記一般式（化１）で示される化合物が
１０ｐｐｍより少ないと効果がなく、３０００ｐｐｍよ
り多いとめっきの表面状態が悪くなる。また、上記一般
式（化１）で示される化合物は、単独で用いても良く２
種類以上併用しても良い。
【００６１】ピリジンスルホン酸あるいはその塩として
は、例えばピリジン３スルホン酸、ピリジン３スルホン
酸アンモニウム、ピリジン３スルホン酸カリウム等があ
げられる。また、ピリジンカルボン酸あるいはその塩と
しては、例えばピコリン酸、ニコチン酸、キノリン酸、
ルチジン酸、２、６ジピコリン酸及びこれらのアンモニ
ウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等があげられる。上
記のピリジンスルホン酸あるいはその塩、ピリジンカル
ボン酸あるいはその塩は、めっき液中濃度が０．１〜２
０．０ｇ／ｌ、好ましくは、１．０〜１０．０ｇ／ｌが
良い。ピリジンスルホン酸あるいはその塩、ピリジンカ
ルボン酸あるいはその塩の濃度が０．１ｇ／ｌより少な
いか２０．０ｇ／ｌより多い場合は、めっきの表面状態
が悪く実用的でない。また、上記ピリジン系化合物は、
単独で用いても良く２種類以上併用しても良い。
は、例えばピリジン３スルホン酸、ピリジン３スルホン
酸アンモニウム、ピリジン３スルホン酸カリウム等があ
げられる。また、ピリジンカルボン酸あるいはその塩と
しては、例えばピコリン酸、ニコチン酸、キノリン酸、
ルチジン酸、２、６ジピコリン酸及びこれらのアンモニ
ウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等があげられる。上
記のピリジンスルホン酸あるいはその塩、ピリジンカル
ボン酸あるいはその塩は、めっき液中濃度が０．１〜２
０．０ｇ／ｌ、好ましくは、１．０〜１０．０ｇ／ｌが
良い。ピリジンスルホン酸あるいはその塩、ピリジンカ
ルボン酸あるいはその塩の濃度が０．１ｇ／ｌより少な
いか２０．０ｇ／ｌより多い場合は、めっきの表面状態
が悪く実用的でない。また、上記ピリジン系化合物は、
単独で用いても良く２種類以上併用しても良い。
【００６２】可溶性セレン塩としては、亜セレン酸、そ
のアルカリ塩、青酸錯塩等があげられる。上記可溶性セ
レン塩をセレンに換算して０．０００１〜２．０ｇ／
ｌ、好ましくは０．０００５〜０．０１ｇ／ｌが良い。
０．０００１ｇ／ｌより少ないと効果が小さくなり、
２．０ｇ／ｌより多いとめっきの表面状態が悪く実用的
でない。また、上記可溶性セレン塩は、単独で用いても
良く２種類以上併用しても良い。
のアルカリ塩、青酸錯塩等があげられる。上記可溶性セ
レン塩をセレンに換算して０．０００１〜２．０ｇ／
ｌ、好ましくは０．０００５〜０．０１ｇ／ｌが良い。
０．０００１ｇ／ｌより少ないと効果が小さくなり、
２．０ｇ／ｌより多いとめっきの表面状態が悪く実用的
でない。また、上記可溶性セレン塩は、単独で用いても
良く２種類以上併用しても良い。
【００６３】また、本発明では、めっき液に導電性と緩
衝性を付与するために、塩化アンモニウム、リン酸水素
アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、
ホウ酸等が添加される。これらの化合物は、単独で用い
ても良く２種類以上併用しても良い。
衝性を付与するために、塩化アンモニウム、リン酸水素
アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、
ホウ酸等が添加される。これらの化合物は、単独で用い
ても良く２種類以上併用しても良い。
【００６４】更に、本発明では、めっき液の温度は３０
〜７０℃、好ましくは４５〜５５℃であり、めっき液の
ｐＨは６〜１２、好ましくは７〜９の範囲にアンモニア
水で調製し、陰極電流密度は、１〜１５Ａ／ｄｍ2、好
ましくは５〜１０Ａ／ｄｍ2で行われる。
〜７０℃、好ましくは４５〜５５℃であり、めっき液の
ｐＨは６〜１２、好ましくは７〜９の範囲にアンモニア
水で調製し、陰極電流密度は、１〜１５Ａ／ｄｍ2、好
ましくは５〜１０Ａ／ｄｍ2で行われる。
【００６５】
【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。なお、以
下の例で説明するリードフレームの形状やその他の部材
との構成は、先に図４及び図５に示したものと同様とし
てよい。
下の例で説明するリードフレームの形状やその他の部材
との構成は、先に図４及び図５に示したものと同様とし
てよい。
【００６６】（実施例１）下記化合物を容器に順次混合
し、純水を規定量まで添加し、調製しためっき液を撹拌
しながら５０℃に加温後、アンモニア水にてｐＨを７．
５〜８．０に調製する。陽極として白金−チタン（Ｐｔ
／Ｔｉ）電極を用い、予め２．０μｍのニッケル下地め
っきを施した銅素材のリードフレームに、陰極電流密度
６Ａ／ｄｍ 2、めっき時間３秒でパラジウムめっきを行
い、０．１μｍのパラジウムめっき皮膜を得た。得られ
ためっき皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はな
く、４００℃で２分間の耐熱性試験においても変色は発
生しなかった。また、得られためっき皮膜を３４５℃で
３０秒加熱後、リードフレームのアウターリード部のみ
を装置に切断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡
法によるはんだ付け試験方法により、はんだ表面と試料
が最初に接触する時点の作用力零値が浮力を受けた後に
ぬれ始めることで再び零値となる時点の時間であるゼロ
クロスタイムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性
を得た。
し、純水を規定量まで添加し、調製しためっき液を撹拌
しながら５０℃に加温後、アンモニア水にてｐＨを７．
５〜８．０に調製する。陽極として白金−チタン（Ｐｔ
／Ｔｉ）電極を用い、予め２．０μｍのニッケル下地め
っきを施した銅素材のリードフレームに、陰極電流密度
６Ａ／ｄｍ 2、めっき時間３秒でパラジウムめっきを行
い、０．１μｍのパラジウムめっき皮膜を得た。得られ
ためっき皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はな
く、４００℃で２分間の耐熱性試験においても変色は発
生しなかった。また、得られためっき皮膜を３４５℃で
３０秒加熱後、リードフレームのアウターリード部のみ
を装置に切断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡
法によるはんだ付け試験方法により、はんだ表面と試料
が最初に接触する時点の作用力零値が浮力を受けた後に
ぬれ始めることで再び零値となる時点の時間であるゼロ
クロスタイムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性
を得た。
【００６７】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ホウ酸 １０ｇ／ｌ
（化１０） ３００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例２）下記化合物を容器に順次混合し、純水を規
定量まで添加し、調製しためっき液を撹拌しながら５０
℃に加温後、アンモニア水にてｐＨを７．５〜８．０に
調製する。陽極として白金−チタン（Ｐｔ／Ｔｉ）電極
を用い、予め２．０μｍのニッケル下地めっきを施した
銅素材のリードフレームに、陰極電流密度６Ａ／ｄ
ｍ 2、めっき時間３秒でパラジウムめっきを行い、０．
１μｍのパラジウムめっき皮膜を得た。得られためっき
皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００
℃で２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかっ
た。また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱
後、リードフレームのアウターリード部のみを装置に切
断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるは
んだ付け試験方法により、はんだ表面と試料が最初に接
触する時点の作用力零値が浮力を受けた後にぬれ始める
ことで再び零値となる時点の時間であるゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
定量まで添加し、調製しためっき液を撹拌しながら５０
℃に加温後、アンモニア水にてｐＨを７．５〜８．０に
調製する。陽極として白金−チタン（Ｐｔ／Ｔｉ）電極
を用い、予め２．０μｍのニッケル下地めっきを施した
銅素材のリードフレームに、陰極電流密度６Ａ／ｄ
ｍ 2、めっき時間３秒でパラジウムめっきを行い、０．
１μｍのパラジウムめっき皮膜を得た。得られためっき
皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００
℃で２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかっ
た。また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱
後、リードフレームのアウターリード部のみを装置に切
断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるは
んだ付け試験方法により、はんだ表面と試料が最初に接
触する時点の作用力零値が浮力を受けた後にぬれ始める
ことで再び零値となる時点の時間であるゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００６８】
ジブロモジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
臭化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化２） ２０００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例３）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００６９】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化８） ２０００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例４）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７０】
ジブロモジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
臭化アンモニウム ６０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ６０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化９） ５００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例５）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７１】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１０） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例６）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７２】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１１） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例７）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７３】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１４） ８００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例８）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７４】
ジブロモジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
臭化アンモニウム ６０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ６０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１７） ６００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例９）めっき液の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜は、
金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で２分
間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。ま
た、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、リ
ードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・装
着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ付
け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイム
を測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７５】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
亜セレン酸 １０ｐｐｍ
（化１０） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例１０）めっき液の組成以外は実施例１の記載内
容と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜
は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で
２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。
また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、
リードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・
装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ
付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
容と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜
は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で
２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。
また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、
リードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・
装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ
付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７６】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
亜セレン酸 １０ｐｐｍ
（化１４） ８００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例１１）めっき液の組成以外は実施例１の記載内
容と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜
は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で
２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。
また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、
リードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・
装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ
付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
容と同様に評価を実施した結果、得られためっき皮膜
は、金ワイヤーボンディングに問題はなく、４００℃で
２分間の耐熱性試験においても変色は発生しなかった。
また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加熱後、
リードフレームのアウターリード部のみを装置に切断・
装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法によるはんだ
付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロスタイ
ムを測定し、２秒以下の良好なはんだぬれ性を得た。
【００７７】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ホウ酸 １０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１０） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（実施例１２）めっき液の組成以外は実施例１の記載内
容と同様にめっき皮膜を作製した。得られためっき皮膜
表面について、Ｘ線光電子分光分析（以下、「ＸＰＳ」
と記す）を行った（分析装置：アルバックファイ社製
ＥＳＣＡ ５４００ＭＣ）。また、同様に３４５℃で３
０秒加熱したパラジウムめっき皮膜表面について、ＸＰ
Ｓを行った。測定条件は、アノード：ＭｇＫα、出力：
１５ｋＶ３００Ｗ、分解能：０．９７ｅＶ（ｆｏｒ Ａ
ｇ３ｄ５／２）で行った。
容と同様にめっき皮膜を作製した。得られためっき皮膜
表面について、Ｘ線光電子分光分析（以下、「ＸＰＳ」
と記す）を行った（分析装置：アルバックファイ社製
ＥＳＣＡ ５４００ＭＣ）。また、同様に３４５℃で３
０秒加熱したパラジウムめっき皮膜表面について、ＸＰ
Ｓを行った。測定条件は、アノード：ＭｇＫα、出力：
１５ｋＶ３００Ｗ、分解能：０．９７ｅＶ（ｆｏｒ Ａ
ｇ３ｄ５／２）で行った。
【００７８】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ホウ酸 １０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１０） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（表１）は実施例１２と比較例（後述）における金属パ
ラジウムＰｄと酸化パラジウムＰｄＯについて、Ｐｄと
ＰｄＯの存在量の割合、ゼロクロスタイムの加熱前後の
変化を示した。図１は比較例における金属Ｐｄと酸化パ
ラジウムＰｄＯの加熱前後のＸＰＳスペクトル図、図２
は実施例１２における金属Ｐｄと酸化パラジウムＰｄＯ
の加熱前後のＸＰＳスペクトルを示した図。（表１）、
図１に示すように、比較例での従来のパラジウムめっき
皮膜は加熱前にはほとんど観察されないＰｄＯ成分が加
熱後には大きくなり、前記パラジウム皮膜が酸化するこ
とによりはんだぬれ性が低下している。一方、図２に示
すように本発明の実施例１２のパラジウムめっき皮膜
は、加熱後でもＰｄＯが大きくならず、前記パラジウム
皮膜が耐酸化性を保持することで良好なはんだぬれ性が
保たれている。尚、３３４．６ｅＶのスペクトルは金属
パラジウムの結合エネルギー（原子内における内殻電子
の束縛エネルギー）、３３６．２ｅＶのスペクトルは酸
化パラジウムの結合エネルギーであり、Ｐｄカウント
数、ＰｄＯカウント数は、それぞれ１秒当たりの光電子
強度（ｃｐｓ：ｃｏｕｎｔｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）
で示した。
ラジウムＰｄと酸化パラジウムＰｄＯについて、Ｐｄと
ＰｄＯの存在量の割合、ゼロクロスタイムの加熱前後の
変化を示した。図１は比較例における金属Ｐｄと酸化パ
ラジウムＰｄＯの加熱前後のＸＰＳスペクトル図、図２
は実施例１２における金属Ｐｄと酸化パラジウムＰｄＯ
の加熱前後のＸＰＳスペクトルを示した図。（表１）、
図１に示すように、比較例での従来のパラジウムめっき
皮膜は加熱前にはほとんど観察されないＰｄＯ成分が加
熱後には大きくなり、前記パラジウム皮膜が酸化するこ
とによりはんだぬれ性が低下している。一方、図２に示
すように本発明の実施例１２のパラジウムめっき皮膜
は、加熱後でもＰｄＯが大きくならず、前記パラジウム
皮膜が耐酸化性を保持することで良好なはんだぬれ性が
保たれている。尚、３３４．６ｅＶのスペクトルは金属
パラジウムの結合エネルギー（原子内における内殻電子
の束縛エネルギー）、３３６．２ｅＶのスペクトルは酸
化パラジウムの結合エネルギーであり、Ｐｄカウント
数、ＰｄＯカウント数は、それぞれ１秒当たりの光電子
強度（ｃｐｓ：ｃｏｕｎｔｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）
で示した。
【００７９】
【表１】
【００８０】次に、図１、図２のスペクトルを装置付属
の波形分離ソフトにより波形分離を行い、金属パラジウ
ムと酸化パラジウムのスペクトル強度から、パラジウム
皮膜の耐酸化性を評価した。（表２）に示すように、
（表１）と同様に前記のパラジウムめっき皮膜は、従来
のパラジウム皮膜に比べて加熱による酸化を非常に受け
にくいことが解る。
の波形分離ソフトにより波形分離を行い、金属パラジウ
ムと酸化パラジウムのスペクトル強度から、パラジウム
皮膜の耐酸化性を評価した。（表２）に示すように、
（表１）と同様に前記のパラジウムめっき皮膜は、従来
のパラジウム皮膜に比べて加熱による酸化を非常に受け
にくいことが解る。
【００８１】
【表２】
【００８２】図３は実施例１２におけるりん原子Ｐの加
熱前後のＸＰＳスペクトルを示した図。前記のパラジウ
ム皮膜に存在する（化１０）のＺ原子であるリン原子に
おいて、図３に示すように加熱前では分析装置の検出限
界１％未満で観測されなかったリン原子は、３４５℃で
３０秒の加熱後約４３００カウントが得られ、加熱によ
りリン原子が表面に移動し偏在したと考えられる。すな
わち、めっき皮膜表面近くに存在する４級化合物のリン
原子Ｐは、めっき皮膜が加熱されると表面に偏析して酸
化され、金属パラジウムＰｄの酸化を抑制していると考
えられる。尚、リンの結合エネルギーは、１３３．１ｅ
Ｖ（２ｐ３／２）を用いた。次に、この前記パラジウム
皮膜を表面をスパッタエッチング処理により５０〜１０
０Å程度エッチング除去すると、リン原子は分析装置の
検出限界１％未満となり観察されなかった。
熱前後のＸＰＳスペクトルを示した図。前記のパラジウ
ム皮膜に存在する（化１０）のＺ原子であるリン原子に
おいて、図３に示すように加熱前では分析装置の検出限
界１％未満で観測されなかったリン原子は、３４５℃で
３０秒の加熱後約４３００カウントが得られ、加熱によ
りリン原子が表面に移動し偏在したと考えられる。すな
わち、めっき皮膜表面近くに存在する４級化合物のリン
原子Ｐは、めっき皮膜が加熱されると表面に偏析して酸
化され、金属パラジウムＰｄの酸化を抑制していると考
えられる。尚、リンの結合エネルギーは、１３３．１ｅ
Ｖ（２ｐ３／２）を用いた。次に、この前記パラジウム
皮膜を表面をスパッタエッチング処理により５０〜１０
０Å程度エッチング除去すると、リン原子は分析装置の
検出限界１％未満となり観察されなかった。
【００８３】（比較例）めっき液の組成以外は実施例１
の記載内容と同様に評価を実施した結果、得られためっ
き皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はなかった
が、４００℃で２分間の耐熱性試験において変色が発生
した。また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加
熱後、リードフレームのアウターリード部のみを装置に
切断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法による
はんだ付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロ
スタイムを測定したが、１０秒以上ではんだぬれ性は不
良であった。
の記載内容と同様に評価を実施した結果、得られためっ
き皮膜は、金ワイヤーボンディングに問題はなかった
が、４００℃で２分間の耐熱性試験において変色が発生
した。また、得られためっき皮膜を３４５℃で３０秒加
熱後、リードフレームのアウターリード部のみを装置に
切断・装着し、ＪＩＳ Ｃ００５３規定の平衡法による
はんだ付け試験方法により、実施例１と同様にゼロクロ
スタイムを測定したが、１０秒以上ではんだぬれ性は不
良であった。
【００８４】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
ホウ酸 １０ｇ／ｌ
亜セレン酸 １０ｐｐｍ
（実施例１３）めっき液の組成以外は実施例１の記載内
容と同様にめっき皮膜を作製した。得られためっき皮膜
について、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−Ｓ
ＩＭＳ）を行った。飛行時間型二次イオン質量分析は、
試料表面にイオンビームを照射することでスパッタリン
グにより試料表面の原子が放出され、そのイオン化した
粒子を飛行時間型（ＴＯＦ）の質量分析計により、試料
極表面に含まれる元素の種類や濃度を高感度で測定する
方法である。飛行時間型二次イオン質量分析では、イオ
ン化した２次イオンの数に相当するカウント数が、その
質量数に対応した原子・分子の存在量を示す。測定条件
は、一次イオン種：Ｇａ+、二次イオン種：陽イオン／
陰イオン、一次イオンエネルギー（ｋｅＶ）：１２／１
８、一次イオン電流量（ｐＡ）：〜６００、ラスター面
積：６０μｍ×６０μｍ、分析領域：６０で行った。
容と同様にめっき皮膜を作製した。得られためっき皮膜
について、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−Ｓ
ＩＭＳ）を行った。飛行時間型二次イオン質量分析は、
試料表面にイオンビームを照射することでスパッタリン
グにより試料表面の原子が放出され、そのイオン化した
粒子を飛行時間型（ＴＯＦ）の質量分析計により、試料
極表面に含まれる元素の種類や濃度を高感度で測定する
方法である。飛行時間型二次イオン質量分析では、イオ
ン化した２次イオンの数に相当するカウント数が、その
質量数に対応した原子・分子の存在量を示す。測定条件
は、一次イオン種：Ｇａ+、二次イオン種：陽イオン／
陰イオン、一次イオンエネルギー（ｋｅＶ）：１２／１
８、一次イオン電流量（ｐＡ）：〜６００、ラスター面
積：６０μｍ×６０μｍ、分析領域：６０で行った。
【００８５】
ジクロロジアミンパラジウム １０ｇ／ｌ（金属Ｐｄとして）
塩化アンモニウム ８０ｇ／ｌ
リン酸水素二アンモニウム ８０ｇ／ｌ
ホウ酸 １０ｇ／ｌ
ピリジン３スルホン酸 ２ｇ／ｌ
（化１０） ４００ｐｐｍ（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度
として）
（表３）は（化１０）のカチオン成分である質量数３３
９のテトラフェニルホスホニウム（Ｃ6Ｈ5）4Ｐと、
（化１０）カチオン成分のテトラフェニルホスホニウム
が加熱分解で生成するＣＰＯとの存在量比較を実施例１
３と比較例についてそれぞれ示した。（表３）に示すよ
うに、本発明の実施例１３のパラジウムめっき皮膜表面
には、（化１０）のカチオン成分である質量数３３９の
テトラフェニルホスホニウムのカウント数が、ブランク
に相当する従来のパラジウムめっき皮膜である比較例の
パラジウムめっき皮膜のカウント数の１０００倍以上で
あり、（化１０）のカチオン成分である質量数３３９の
テトラフェニルホスホニウムが存在している。また、本
発明の実施例１３のパラジウムめっき皮膜を３４５℃で
３０秒間加熱すると、（表３）に示す（化１０）のカチ
オン成分である質量数３３９のテトラフェニルホスホニ
ウムのカチオン成分の炭酸化物分解物である質量数５９
のＣＰＯのカウント数がブランクに相当する従来のパラ
ジウムめっき皮膜である比較例のパラジウムめっき皮膜
のカウント数の２倍程度であり、（化１０）のカチオン
成分の炭酸化物分解物である質量数５９のＣＰＯが存在
している。すなわち、実施例１３のパラジウムめっき皮
膜表面は、加熱前にはテトラフェニルホスホニウムとし
て存在していたリン化合物が、加熱後には分解され炭酸
化物ＣＰＯに変化することで、パラジウムの酸化を抑制
していると考えられる。
９のテトラフェニルホスホニウム（Ｃ6Ｈ5）4Ｐと、
（化１０）カチオン成分のテトラフェニルホスホニウム
が加熱分解で生成するＣＰＯとの存在量比較を実施例１
３と比較例についてそれぞれ示した。（表３）に示すよ
うに、本発明の実施例１３のパラジウムめっき皮膜表面
には、（化１０）のカチオン成分である質量数３３９の
テトラフェニルホスホニウムのカウント数が、ブランク
に相当する従来のパラジウムめっき皮膜である比較例の
パラジウムめっき皮膜のカウント数の１０００倍以上で
あり、（化１０）のカチオン成分である質量数３３９の
テトラフェニルホスホニウムが存在している。また、本
発明の実施例１３のパラジウムめっき皮膜を３４５℃で
３０秒間加熱すると、（表３）に示す（化１０）のカチ
オン成分である質量数３３９のテトラフェニルホスホニ
ウムのカチオン成分の炭酸化物分解物である質量数５９
のＣＰＯのカウント数がブランクに相当する従来のパラ
ジウムめっき皮膜である比較例のパラジウムめっき皮膜
のカウント数の２倍程度であり、（化１０）のカチオン
成分の炭酸化物分解物である質量数５９のＣＰＯが存在
している。すなわち、実施例１３のパラジウムめっき皮
膜表面は、加熱前にはテトラフェニルホスホニウムとし
て存在していたリン化合物が、加熱後には分解され炭酸
化物ＣＰＯに変化することで、パラジウムの酸化を抑制
していると考えられる。
【００８６】
【表３】
【００８７】以上の実施例はリードフレームへのパラジ
ウムめっきについてのみ記述したが、本発明はこれ以外
に、コネクター、基板端子等にも効果を発揮するもので
ある。
ウムめっきについてのみ記述したが、本発明はこれ以外
に、コネクター、基板端子等にも効果を発揮するもので
ある。
【００８８】
【発明の効果】本発明によれば、可溶性パラジウム塩
と、４級化された化合物とを含有し、更に、ピリジンの
誘導体あるいはその塩を含有し、また更に、塩化アンモ
ニウム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモニウム、
硫酸アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸から選ば
れる少なくとも１つ、あるいは、可溶性セレン塩を加え
ることにより、はんだぬれ性が良好で、はんだぬれ速度
が大きく、特にこれらの特性が高熱環境下で劣化しない
優れたはんだ付け性能を備えたパラジウムめっき皮膜を
得ることができるとともに、めっきが最適化されたリー
ドフレームが得られるという有利な効果が得られる。
と、４級化された化合物とを含有し、更に、ピリジンの
誘導体あるいはその塩を含有し、また更に、塩化アンモ
ニウム、リン酸水素アンモニウム、硝酸アンモニウム、
硫酸アンモニウム、臭化アンモニウム、ホウ酸から選ば
れる少なくとも１つ、あるいは、可溶性セレン塩を加え
ることにより、はんだぬれ性が良好で、はんだぬれ速度
が大きく、特にこれらの特性が高熱環境下で劣化しない
優れたはんだ付け性能を備えたパラジウムめっき皮膜を
得ることができるとともに、めっきが最適化されたリー
ドフレームが得られるという有利な効果が得られる。
【図１】比較例における金属Ｐｄと酸化パラジウムＰｄ
Ｏの加熱前後のＸＰＳスペクトル図
Ｏの加熱前後のＸＰＳスペクトル図
【図２】実施例１２における金属Ｐｄと酸化パラジウム
ＰｄＯの加熱前後のＸＰＳスペクトル図
ＰｄＯの加熱前後のＸＰＳスペクトル図
【図３】実施例１２におけるりん原子Ｐの加熱前後のＸ
ＰＳスペクトル図
ＰＳスペクトル図
【図４】リードフレームの一般的な例を示す平面図
【図５】図４のリードフレームの断面図
１ チップ搭載部
２ インナーリード部
３ アウターリード部
４ タイバー部
５ 半導体チップ
６ 接着剤
７ 電極パッド
８ ワイヤー
９ 封止樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−278870（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−209164（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−221392（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−163294（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−243296（ＪＰ，Ａ)
特許2609349（ＪＰ，Ｂ２)
特許2539394（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平８−26472（ＪＰ，Ｂ２)
特公 昭57−60438（ＪＰ，Ｂ２)
特公 昭54−5772（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C25D 3/50
C25D 7/12
H01L 23/50
Claims (21)
- 【請求項１】可溶性パラジウム塩と、４級化された化合
物と、を含有し、前記４級化された化合物が一般式（化
１） 【化１】 で示される化合物であることを特徴とするパラジウムめ
っき液。 - 【請求項２】前記４級化された化合物がＺ濃度に換算し
て、金属パラジウム当たり１０〜３０００ｐｐｍ含有さ
れたことを特徴とする請求項１記載のパラジウムめっき
液。 - 【請求項３】前記可溶性パラジウム塩が、パラジウムの
塩化物、パラジウムの硫酸塩、パラジウムの硝酸塩、パ
ラジウムのリン酸塩、パラジウムの亜硫酸塩、パラジウ
ムの亜硝酸塩、パラジウムのエチレンジアミン四酢酸塩
のうちから選ばれた少なくとも１つであることを特徴と
する請求項１〜２のいずれかに記載のパラジウムめっき
液。 - 【請求項４】前記可溶性パラジウム塩をパラジウムに換
算して０．１〜５０．０ｇ／ｌ含有することを特徴とす
る請求項１〜２のいずれかに記載のパラジウムめっき
液。 - 【請求項５】ピリジン誘導体あるいはピリジン誘導体の
塩のいずれかを含有することを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載のパラジウムめっき液。 - 【請求項６】前記ピリジンの誘導体がピリジンスルホン
酸、ピリジンカルボン酸のいずれかであることを特徴と
する請求項５に記載のパラジウムめっき液。 - 【請求項７】前記ピリジンスルホン酸が、ピリジン３ス
ルホン酸であることを特徴とする請求項６に記載のパラ
ジウムめっき液。 - 【請求項８】前記ピリジンカルボン酸が、ピコリン酸、
ニコチン酸、キノリン酸、ルチジン酸、２，６，−ジピ
コリン酸のうちから選ばれた少なくとも１つであること
を特徴とする請求項６に記載のパラジウムめっき液。 - 【請求項９】前記ピリジンの誘導体の塩が、前記ピリジ
ンの誘導体のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム
塩の中から選ばれた少なくとも１つであることを特徴と
する請求項５に記載のパラジウムめっき液。 - 【請求項１０】前記ピリジンの誘導体、前記ピリジンの
誘導体の塩のいずれかを０．１〜２０．０ｇ／ｌ含有す
ることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のパ
ラジウムめっき液。 - 【請求項１１】塩化アンモニウム、リン酸水素アンモニ
ウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、臭化アン
モニウム、ホウ酸のうちから選ばれた少なくとも１つが
含有されていることを特徴とする請求項１〜１０のいず
れかに記載のパラジウムめっき液。 - 【請求項１２】請求項１〜１１に記載されたパラジウム
めっき液を用いて形成したことを特徴とするパラジウム
めっき皮膜。 - 【請求項１３】請求項１２記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面のＸ線光電子分光分析によるＰ
ｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下であることを特徴とする請求
項１２に記載のパラジウムめっき皮膜。 - 【請求項１４】請求項１２記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面において、４級化された化合物
のカチオン中心元素ＺがＸ線光電子分光分析で１％以上
観測されることを特徴とする請求項１２に記載のパラジ
ウムめっき皮膜。 - 【請求項１５】請求項１２記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面においてＸ線光電子分光分析で
観察された４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚ
が、エッチング処理後にはＸ線光電子分光分析で１％未
満になることを特徴とする請求項１２に記載のパラジウ
ムめっき皮膜。 - 【請求項１６】請求項１２記載のパラジウムめっき皮膜
は、４級化された化合物のカチオン成分が飛行時間型二
次イオン質量分析で、３４５℃で３０秒間の熱処理後に
は炭酸化物に変化することを特徴とする請求項１２に記
載のパラジウムめっき皮膜。 - 【請求項１７】請求項１〜１１に記載されたパラジウム
めっき液を用いて形成されたパラジウムめっき皮膜が少
なくともアウターリード部に形成されていることを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項１８】請求項１７記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面のＸ線光電子分光分析によるＰ
ｄＯ／Ｐｄ値が０．８以下であるパラジウムめっき皮膜
が少なくともアウターリード部に形成されていることを
特徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リードフレ
ーム。 - 【請求項１９】請求項１７記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面において、４級化された化合物
のカチオン中心元素ＺがＸ線光電子分光分析で１％以上
観測されるパラジウムめっき皮膜が少なくともアウター
リード部に形成されていることを特徴とする請求項１７
に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２０】請求項１７記載のパラジウムめっき皮膜
は、大気中で３４５℃で３０秒間の熱処理をした後のパ
ラジウムめっき皮膜表面においてＸ線光電子分光分析で
観察された４級化された化合物のカチオン中心元素Ｚ
が、エッチング処理後にはＸ線光電子分光分析で１％未
満になるパラジウムめっき皮膜が少なくともアウターリ
ードに形成されていることを特徴とする請求項１７に記
載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２１】請求項１７記載のパラジウムめっき皮膜
は、４級化された化合物のカチオン成分が飛行時間型二
次イオン質量分析で、３４５℃で３０秒間の熱処理後に
は炭酸化物に変化するパラジウムめっき皮膜が少なくと
もアウターリード部に形成されていることを特徴とする
請求項１７に記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31015397A JP3379412B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-11-12 | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム |
| US09/082,550 US6159623A (en) | 1997-05-30 | 1998-05-21 | Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film |
| TW087108252A TW524896B (en) | 1997-05-30 | 1998-05-27 | Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film |
| MYPI98002383A MY117408A (en) | 1997-05-30 | 1998-05-28 | Palladium plating solution, palladium plating film formed using the solution and lead frame for semiconductor apparatuses having the palladium plating film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14193997 | 1997-05-30 | ||
| JP9-141939 | 1997-05-30 | ||
| JP31015397A JP3379412B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-11-12 | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1143796A JPH1143796A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3379412B2 true JP3379412B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=26474100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31015397A Expired - Fee Related JP3379412B2 (ja) | 1997-05-30 | 1997-11-12 | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6159623A (ja) |
| JP (1) | JP3379412B2 (ja) |
| MY (1) | MY117408A (ja) |
| TW (1) | TW524896B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2382353B (en) * | 1999-10-27 | 2004-10-27 | Kojima Chemicals Co Ltd | Palladium Plating Solution |
| KR100485762B1 (ko) * | 2001-12-13 | 2005-04-28 | 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 | 팔라듐 도금액 |
| JP2005021880A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Nissan Motor Co Ltd | 排ガス浄化用触媒及び排ガス浄化用触媒システム |
| JP4598782B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2010-12-15 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | パラジウムめっき液 |
| TWI354716B (en) * | 2007-04-13 | 2011-12-21 | Green Hydrotec Inc | Palladium-containing plating solution and its uses |
| ITFI20120098A1 (it) * | 2012-05-22 | 2013-11-23 | Bluclad Srl | Bagno galvanico a base di palladio e fosforo, suo uso in processi galvanici e leghe ottenute applicando il processo galvanico a detti bagni. |
| WO2016189752A1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| RU2645822C2 (ru) * | 2015-07-07 | 2018-02-28 | Открытое акционерное общество "Красноярский завод цветных металлов имени В.Н. Гулидова" | Способ платинирования титана |
| CN105441998A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-03-30 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 含亚硝酸钠、四正丙基溴化铵的钯电镀镀及其电镀方法 |
| CN105332021A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 含亚硝酸钠、四苯基溴化砷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105420773A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含四苯基溴化锑的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105420772A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含四苯基溴化锑的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105332022A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含亚硝酸钠、溴化异丙基三苯基磷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105316722A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-10 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含四苯基溴化砷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105332023A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含四正丙基溴化铵的钯电镀液及其电镀方法 |
| CN105332024A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含溴化异丙基三苯基磷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
| IT201700084504A1 (it) * | 2017-07-25 | 2019-01-25 | Valmet Plating S R L | Bagno galvanico, procedimento di elettrodeposizione utilizzante detto bagno galvanico e lega metallica ottenibile tramite detto procedimento |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3972787A (en) * | 1974-06-14 | 1976-08-03 | Lea-Ronal, Inc. | Palladium electrolyte baths utilizing quaternized pyridine compounds as brighteners |
| US4463060A (en) * | 1983-11-15 | 1984-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solderable palladium-nickel coatings and method of making said coatings |
| US4849303A (en) * | 1986-07-01 | 1989-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Alloy coatings for electrical contacts |
| JP2543619B2 (ja) * | 1990-09-05 | 1996-10-16 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
| JPH04287089A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| JP3560250B2 (ja) * | 1993-02-02 | 2004-09-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH06349382A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 接点の開閉信号検知装置 |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP31015397A patent/JP3379412B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-21 US US09/082,550 patent/US6159623A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-27 TW TW087108252A patent/TW524896B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-28 MY MYPI98002383A patent/MY117408A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY117408A (en) | 2004-06-30 |
| TW524896B (en) | 2003-03-21 |
| JPH1143796A (ja) | 1999-02-16 |
| US6159623A (en) | 2000-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3379412B2 (ja) | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム | |
| EP0146152B1 (en) | Solderable palladium-nickel coatings | |
| CN101540303B (zh) | 抗磨损和晶须的涂覆系统和方法 | |
| US5098485A (en) | Method of making electrically insulating metallic oxides electrically conductive | |
| US20030059642A1 (en) | Method of making lead-free solder and solder paste with improved wetting and shelf life | |
| JP2002100718A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| KR20070028265A (ko) | 금속 이중층과 방법 | |
| JP5874827B2 (ja) | 接合用部材 | |
| CA1250963A (en) | Nickel/indium plated cover for hermetically sealed container for electronic device | |
| US20100089613A1 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| EP1538709A1 (en) | Terminal having surface layer formed of snag-cu alloy | |
| JPH04337657A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| EP1852525B1 (en) | Palladium plating solution | |
| JP2006508252A (ja) | 電気めっきを行う間の表面酸化の低減 | |
| JP3545549B2 (ja) | 電気・電子回路部品 | |
| JPH07326701A (ja) | 電気電子部品用導電材、リードフレ−ム及びそれを使用した半導体集積回路 | |
| JPH0553879B2 (ja) | ||
| JP2001262390A (ja) | パラジウムめっき液 | |
| JP2003147542A (ja) | 無電解置換型金メッキ液 | |
| JPH04323396A (ja) | 電子部品用材料およびその製造方法 | |
| JP2000280066A (ja) | 非鉛系接合部材の形成方法 | |
| JP2533911B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US20060240276A1 (en) | Underlayer for reducing surface oxidation of plated deposits | |
| KR920000559B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPH07120610B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |