JP2016160456A - 銅含有粒子、導体形成組成物、導体の製造方法、導体及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有し、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合が80個%以下である銅含有粒子。
【選択図】なし
Description
<1>銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有し、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合が80個%以下である銅含有粒子。
<2>長軸の長さが70nm以上である銅含有粒子の割合が20個%以上である<1>に記載の銅含有粒子。
<3>長軸の長さの平均値が40nm以上である<1>又は<2>のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
<4>長軸の長さの平均値が300nm以下である<1>〜<3>のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
<5>長軸の長さが5nm〜50nm以下である第一の銅含有粒子の少なくとも1個と、第一の銅含有粒子より長軸が長く、かつ、長軸の長さが30nm〜300nmである第二の銅含有粒子の少なくとも1個と、から形成される複合粒子を含む<1>〜<4>のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
<6><1>〜<5>のいずれか1項に記載の銅含有粒子と、分散媒と、を含む導体形成組成物。
<7><6>に記載の導体形成組成物を加熱する工程を有する導体の製造方法。
<8><1>〜<5>のいずれか1項に記載の銅含有粒子が融着した構造を有する導体。
<9><7>に記載の導体を含む装置。
本発明の銅含有粒子は、銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有し、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合が80個%以下である。本発明において銅含有粒子の長軸とは、銅含有粒子に外接し、互いに平行である二平面の間の距離が最大となるように選ばれる二平面間の距離を意味する。本明細書において長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合は、無作為に選択される200個の銅含有粒子中に占める割合である。例えば、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子が200個中に160個である場合は、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合は80個%である。
銅含有粒子の製造方法は特に制限されない。例えば、銅含有粒子は脂肪酸と銅との金属塩と、還元性化合物と、アルキルアミンと、を含む組成物を加熱する工程を有する方法によって製造される。前記方法は、必要に応じて加熱工程後の遠心分離工程、洗浄工程等の工程を有していてもよい。
脂肪酸は、RCOOHで表される1価のカルボン酸(Rは鎖状の炭化水素基であり、直鎖状であっても分岐を有していてもよい)である。脂肪酸は、飽和脂肪酸又は不飽和脂肪酸のいずれであってもよい。コア粒子を効率的に被覆して酸化を抑制する観点からは、直鎖状の飽和脂肪酸が好ましい。脂肪酸は1種のみでも、2種以上であってもよい。
還元性化合物は、脂肪酸銅と混合した際に両化合物間で錯体等の複合化合物を形成すると考えられる。これにより、還元性化合物が脂肪酸銅中の銅イオンに対する電子のドナーとなり、銅イオンの還元が生じやすくなり、錯体を形成していない状態の脂肪酸銅よりも自発的な熱分解による銅原子の遊離が生じやすくなると考えられる。還元性化合物は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
アルキルアミンは、脂肪酸銅と還元性化合物とから形成される錯体の分解反応の反応媒として機能すると考えられる。更に、還元性化合物の還元作用によって生じるプロトンを捕捉し、反応溶液が酸性に傾いて銅原子が酸化されることを抑制すると考えられる。
脂肪酸銅、還元性化合物及びアルキルアミンを含む組成物を加熱する工程を実施するための方法は特に制限されない。例えば、脂肪酸銅と還元性化合物とを溶媒に混合した後にアルキルアミンを添加して加熱する方法、脂肪酸銅とアルキルアミンとを溶媒と混合した後に更に還元性化合物を添加して加熱する方法、脂肪酸銅の出発物質である水酸化銅、脂肪酸、還元性化合物及びアルキルアミンを溶媒に混合して加熱する方法、脂肪酸銅とアルキルアミンとを溶媒に混合した後に還元性化合物を添加して加熱する方法等を挙げることができる。
本発明の導体形成組成物は、本発明の銅含有粒子と、分散媒とを含む。本発明の導体形成組成物は、低温での導体化能に優れる本発明の銅含有粒子を含むため、低温での導体化が可能である。導体形成組成物としては、導電塗料、導電ペースト、導電インク等が挙げられる。
本発明の導体の製造方法は、本発明の導体形成組成物を加熱する工程(加熱工程)を有する。加熱工程では、導体形成組成物に含まれる銅含有粒子の表面の有機物を熱分解させ、かつ、銅含有粒子を融着させる。本発明の導体形成組成物は低温での導体化が可能であるため、200℃以下、好ましくは150℃以下の温度で加熱工程を行うことができる。
本発明の導体は、本発明の銅含有粒子が融着した構造を有する。導体の形状は特に制限されず、薄膜状、パターン状等を挙げることができる。本発明の導体は、種々の電子部品の配線、被膜等の形成に使用できる。特に、本発明の導体は低温で製造できるため、樹脂等の耐熱性の低い基材上に金属箔、配線パターン等を形成する用途に好適に用いられる。また、通電を目的としない装飾、印字等の用途にも好適に用いられる。
本発明の装置は、本発明の導体を含む。装置の種類は特に制限されない。例えば、本発明の導体からなる配線、被膜等を有する積層板、太陽電池パネル、ディスプレイ、トランジスタ及び半導体パッケージ等の電子部品が挙げられる。また、これらの電子部品を内蔵する電子機器、家電、産業用機械、輸送用機械等も本発明の装置に含まれる。
[1.1]ノナン酸銅の合成
水酸化銅(関東化学株式会社、特級)91.5g(0.94mol)に1−プロパノール(関東化学株式会社、特級)150mLを加えて撹拌し、これにノナン酸(関東化学株式会社、90%以上)370.9g(2.34mol)を加えた。得られた混合物を、セパラブルフラスコ中で90℃、30分間加熱撹拌した。得られた溶液を加熱したままろ過して未溶解物を除去した。その後放冷し、生成したノナン酸銅を吸引ろ過し、洗浄液が透明になるまでヘキサンで洗浄した。得られた粉体を50℃の防爆オーブンで3時間乾燥してノナン酸銅(II)を得た。収量は340g(収率96質量%)であった。
上記で得られたノナン酸銅(II)15.01g(0.040mol)と酢酸銅(II)無水物(関東化学株式会社、特級)7.21g(0.040mol)をセパラブルフラスコに入れ、1−プロパノール10mLとヘキシルアミン(東京化成工業株式会社、純度99%)32.1g(0.32mol)を添加し、オイルバス中で80℃で加熱撹拌して溶解させた。氷浴に移し、内温が5℃になるまで冷却した後、ヒドラジン一水和物(関東化学株式会社、特級)7.72mL(0.16mol)を1−プロパノール12mLに溶解させた溶液を脂肪酸銅の溶液に加え、氷浴中で撹拌した。なお、銅:ヘキシルアミンのモル比は1:4である。次いで、オイルバス中で90℃で加熱撹拌した。その際、発泡を伴う還元反応が進み、30分以内で反応が終了した。セパラブルフラスコの内壁が銅光沢を呈し、溶液が暗赤色に変化した。遠心分離を9000rpm(回転/分)で1分間実施して固体物を得た。固形物を更にヘキサン15mLで洗浄する工程を3回繰り返し、酸残渣を除去して、銅光沢を有する銅含有粒子の粉体を含む銅ケークAを得た。
発泡を伴う還元反応を10分以内で終了させた以外は上記[1.2]と同様にして、銅光沢を有する銅含有粒子の粉体を含む銅ケークBを得た。
前記銅ケークB(60質量部)、テルピネオール(20質量部)、及びイソボルニルシクロヘキサノール(商品名:テルソルブMTPH、日本テルペン化学株式会社)(20質量部)を混合して導電性組成物を調製した。得られた導電性組成物をポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に塗布し、加熱して金属銅の薄膜を形成した。加熱は、圧力500Pa窒素雰囲気のオーブン内、140℃で60分間保持することによって行った。
各実施例、各比較例で得られた金属銅の薄膜の体積抵抗率を、4端針面抵抗測定器で測定した面抵抗値と、非接触表面・層断面形状計測システム(VertScan、株式会社菱化システム)で求めた膜厚とから計算した結果を、表1に示した。
銅ケークA(10質量部)、銅ケークB(30質量部)テルピネオール(13.3質量部)、及びイソボルニルシクロヘキサノール(商品名:テルソルブMTPH、日本テルペン化学株式会社)(13.3質量部)を混合して導電性組成物を調製した。得られた導電性組成物をポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に塗布し、加熱して金属銅の薄膜を形成した。加熱は、圧力500Pa窒素雰囲気のオーブン内、140℃で60分間保持することによって行った。
Claims (9)
- 銅を含むコア粒子と、前記コア粒子の表面の少なくとも一部に存在する有機物と、を有し、長軸の長さが50nm以下である銅含有粒子の割合が80個%以下である銅含有粒子。
- 長軸の長さが70nm以上である銅含有粒子の割合が20個%以上である請求項1に記載の銅含有粒子。
- 長軸の長さの平均値が40nm以上である請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
- 長軸の長さの平均値が300nm以下である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
- 長軸の長さが5nm〜50nm以下である第一の銅含有粒子の少なくとも1個と、第一の銅含有粒子より長軸が長く、かつ、長軸の長さが30nm〜300nmである第二の銅含有粒子の少なくとも1個と、から形成される複合粒子を含む請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の銅含有粒子。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の銅含有粒子と、分散媒と、を含む導体形成組成物。
- 請求項6に記載の導体形成組成物を加熱する工程を有する導体の製造方法。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の銅含有粒子が融着した構造を有する導体。
- 請求項7に記載の導体を含む装置。
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