CN102174324B - 荧光体和使用荧光体的发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种无机荧光体，其具有发射与用稀土元素活化的常规塞隆荧光体的情况相比具有更长波长的橙色或红色光的荧光性能。本发明涉及白色发光二极管的设计，该白色发光二极管通过采用固溶体结晶相荧光体而富含红色成分和具有良好显色性，所述荧光体使用具有与CaSiAlN3结晶相相同晶体结构的无机化合物作为基质晶体以及向其中添加M元素(其中M元素是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种或两种或多种元素)作为发光中心。

Description

荧光体和使用荧光体的发光装置
本申请是申请日为2004年11月25日、申请号为200480040967.7、发明名称为“荧光体和使用荧光体的发光装置”的申请的分案申请。
发明领域
本发明涉及主要由无机化合物组成的荧光体及其应用。更具体地，所述应用涉及发光装置如照明装置和图象显示装置以及颜料和紫外线吸收剂，其利用所述荧光体所具有的性能，即发射具有570nm或更长的长波长荧光的特性。
背景技术
荧光体可用于真空荧光显示器(VFD)、场致发光显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)、白色发光二极管(LED)等。在所有这些应用中，为了从荧光体引起发光，必须提供激发该荧光体的能量。通过具有高能量的激发源如真空紫外线、紫外线、电子束、或蓝光激发荧光体以发出可见光。然而，由于荧光体暴露于上述激发源下，出现荧光体的亮度(luminance)降低的问题，因此期望不会显示亮度降低的荧光体。由此，已经提出塞隆(sialon)荧光体作为亮度降低较小的荧光体代替常用的硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体、硫化物荧光体等。
塞隆荧光体通过以下概述的制备方法制成。首先，以预定的摩尔比混合氮化硅(Si3N4)、氮化铝(AlN)、碳酸钙(CaCO3)和氧化铕(Eu2O3)，将该混合物于1atm(0.1MPa)下在氮气中保持在1700℃下1小时，以及通过热压方法焙烧以产生荧光体(例如参见专利文献1)。通过该方法得到的用Eu活化的α-塞隆据报导是由450-500nm的蓝光激发以发射550-600nm黄光的荧光体。然而，在使用紫外线LED作为激发源的白光LED和等离子体显示器的应用中，要求荧光体发出不仅显示黄色、而且显示橙色和红色的光。此外，在使用蓝光LED作为激发源的白光LED中，为了提高显色性(color-renderingproperties)，希望荧光体发出显示橙色和红色的光。
至于发出红色光的荧光体，在学术文献(参见非专利文献1)中已经报导通过用Eu活化Ba2Si5N8晶相得到的无机物质(Ba2-xEuxSi5N8：x=0.14-1.16)。此外，在出版物“On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials”(参见非专利文献2)的第2章中，已经报导使用具有多种组成的碱金属和硅的三元氮化物，MxSiyNz(M=Ca、Sr、Ba、Zn；x、y和z代表各种值)作为基质的荧光体。类似地，在美国专利6682663(专利文献2)中已经报导MxSiyNz：Eu(M=Ca、Sr、Ba、Zn；z=2/3x+4/3y)。
至于其他的塞隆、氮化物或氧氮化物荧光体，有在JP-A-2003-206481(专利文献3)中已知的用MSi3N5、M2Si4N7、M4Si6N11、M9Si11N23、M16Si15O6N32、M13Si18Al12O18N36、MSi5Al2ON9和M3Si5AlON10(其中M代表Ba、Ca、Sr、或稀土元素)作为基质晶体(host crystals)的荧光体，其用Eu或Ce活化。其中，也已经报导发射红色光的荧光体。此外，采用这些荧光体的LED发光元件是已知的。另外，JP-A-2002-322474(专利文献4)已经报导其中用Ce活化Sr2Si5N8或SrSi7N10结晶相的荧光体。
在JP-A-2003-321675(专利文献5)中，描述LxMyN(2/3x+4/3y)：Z(L是二价元素如Ca、Sr、或Ba，M是四价元素如Si或Ge，Z是活化剂如Eu)荧光体以及其描述了添加极少量Al显示抑制余辉(afterglow)的作用。此外，已知略带红色的暖色白光发射装置，其中使该荧光体与蓝光LED组合。另外，JP-A-2003-277746(专利文献6)报导由L元素、M元素和Z元素以LxMyN(2/3x+4/3y)：Z荧光体的多种组合组成的荧光体。JP-A-2004-10786(专利文献7)描述了关于L-M-N：Eu，Z体系的许多组合，但是在将特定的组合物或结晶相用作基质的情况下没有显示改进发光性能的效果。
上述专利文献2-7中代表性的荧光体包含二价元素和四价元素的氮化物作为基质晶体，而且已经报导采用多种不同结晶相作为基质晶体的荧光体。发射红色光的荧光体也是已知的，但是红色的发光亮度通过用蓝色可见光激发是不足的。此外，其在某些组成中是化学上不稳定的，因此其耐久性成问题。
[非专利文献1]
H.A.Hoppe及其他四人，“Journal of Physics and Chemistry ofSolids”2000，卷61，第2001-2006页
[非专利文献2]
“On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials”，J.W.H.van Krevel著，TU Eindhoven 2000，ISBN，90-386-2711-4
[专利文献1]
JP-A-2002-363554
[专利文献2]
美国专利6682663
[专利文献3]
JP-A-2003-206481
[专利文献4]
JP-A-2002-322474
[专利文献5]
JP-A-2003-321675
[专利文献6]
JP-A-2003-277746
[专利文献7]
JP-A-2004-10786
至于照明装置的传统技术，已知其中将蓝色发光二极管元件和吸收蓝光的黄色发光荧光体组合的白色发光二极管，而且已经将其实际用于多种照明应用中。其典型实例包括日本专利2900928(专利文献8)的“发光二极管”、日本专利2927279(专利文献9)的“发光二极管”、日本专利3364229(专利文献10)的“波长转换模塑材料及其制备方法，和发光元件”，等等。最常用于这些发光二极管中的荧光体是以通式：(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12：Ce3+表示的用铈活化的钇·铝·石榴石类荧光体。
然而，存在以下问题：包含蓝色发光二极管元件和钇·铝·石榴石类荧光体的白色发光二极管由于不充足的红色成分而具有发射带蓝色的白光的特性，因此在显色性方面显示偏差。
基于上述背景，已经研究白色发光二极管，其中在钇·铝·石榴石类荧光体中不足的红色成分，以另一种红色荧光体通过使该两种荧光体混合和分散而得到补充。至于上述发光二极管，可以例举JP-A-10-163535(专利文献11)的“白色发光二极管”、JP-A-2003-321675(专利文献5)的“氮化物荧光体及其制备方法”，等等。然而，有关显色性有待改进的问题仍然存在于在这些发明中，因此希望开发出将该问题解决的发光二极管。JP-A-10-163535(专利文献11)中描述的红色荧光体含镉，因而存在环境污染的问题。虽然在JP-A-2003-321675(专利文献5)中描述的包括Ca1.97Si5N8：Eu0.03作为典型实例的红光发射荧光体不含镉，但是由于该荧光体的亮度低，希望进一步提高其发光强度。
[专利文献8]
日本专利2900928
[专利文献9]
日本专利2927279
[专利文献10]
日本专利3364229
[专利文献11]
JP-A-10-163535
发明内容
本发明意欲回应上述需求，以及本发明目的在于提供一种无机荧光体，其发射波长长于比常规的以稀土元素活化的塞隆荧光体发出的光的波长的橙色或红色光，具有高亮度，以及在化学上稳定。此外，本发明的另一目的在于提供采用所述荧光体的显色性优异的照明装置，耐久性优异的图像显示装置，颜料，以及紫外线吸收剂。
在上述情况下，本发明人已经对采用除了二价A元素如Ca和四价D元素如Si以外还包含三价E元素如Al作为主要金属元素的无机多元氮化物结晶相作为基质的荧光体进行细致研究，而且已经发现采用具有特定组成或特定晶体结构的无机结晶相作为基质的荧光体，发射波长长于常规的以稀土元素活化的塞隆荧光体发出的光的波长的橙色或红色光，以及还显示比迄今为止所报导的含氮化物或氧氮化物作为基质晶体的红色荧光体高的亮度。
换句话说，由于对主要由包含成为发光离子的M元素(其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu的一种或两种或多种元素)以及二价A元素(其中A是选自Mg、Ca、Sr、和Ba的一种或两种或多种元素)、四价D元素(其中D是选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、和Hf的一种或两种或多种元素)、三价E元素(其中E是选自B、Al、Ga、In、Sc、Y、和La的一种或两种或多种元素)、和X元素(其中X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素)的氮化物或氧氮化物组成的无机化合物的广泛研究，已经发现具有特定组成区域范围和特定结晶相的那些可形成发射波长为570nm或更长的橙色光或波长为600nm或更长的红色光的荧光体。
此外，已经发现，在上述组成中，包含具有与CaAlSiN3结晶相相同晶体结构的无机化合物以及结合有光学活性元素(active element)M、特别是Eu作为发光中心(emission center)的固溶体结晶相可形成发射具有特别高亮度的橙色或红色光的荧光体。另外，已经发现可以通过采用该荧光体得到具有高发射效率、富含红色成分以及显示良好显色性的白色发光二极管。
通过采用与包括LxMyN(2/3x+4/3y)作为代表的迄今为止所报导的含二价和四价元素的三元氮化物完全不同的、其中将包括Al作为代表的三价元素用作主要结构金属元素(main constitutive metal element)的所述多元氮化物，本发明的荧光体的基质晶体获得显示空前亮度的红色发光。此外，本发明是新型荧光体，其采用具有与迄今为止在专利文献3等中报导的塞隆如M13Si18Al12O18N36、MSi5Al2ON9和M3Si5AlON10(其中M代表Ca、Ba、Sr等)以及非专利文献2第11章中所述的Ca1.47Eu0.03Si9Al3N16作为基质的完全不同的组成和晶体结构的结晶相。另外，与专利文献5中所述的以大约几百ppm的量包含Al的结晶相不同，它是采用其中包括Al为代表的三价元素作为基质晶体主要构成元素的结晶相作为基质的荧光体。
一般而言，其中用Mn或稀土金属作为发光中心元素M活化无机基质晶体的荧光体根据M元素周围的电子状态而改变发光颜色和亮度。例如，在包含二价Eu作为发光中心的荧光体中，通过改变基质晶体已经报导蓝色、绿色、黄色或红色的光发射。也就是，即使在组成相似的情况下，当改变基质的晶体结构或者晶体结构中与M结合的原子位置时，发光颜色和亮度也变得完全不同，因而将所得到的荧光体看作不同的荧光体。在本发明中，将与包含二价和四价元素的常规三元氮化物不同的含二价-三价-四价元素的多元氮化物用作基质晶体，而且，将具有与迄今为止报导的塞隆组成完全不同的晶体结构的结晶相用作基质。因而，迄今为止未有报导过具有上述结晶相作为基体的荧光体。另外，包含本发明的组成和晶体结构作为基质的荧光体显示具有比包含常规晶体结构作为基质的那些更高亮度的红色发光。
上述CaAlSiN3结晶相自身是氮化物，其在焙烧Si3N4-AlN-CaO原料过程中的形成由ZHEN-KUN-HUANG等为针对耐热材料而得到证实。在学术文献(参照非专利文献3)中已明确报导所述形成的工艺和该形成的机理，该文献已经先于本申请公开发表。
[非专利文献3]
ZHEN-KUN-HUANG及其他两人，“Journal of Materials ScienceLetters”1985，卷4，第255-259页。
如上所述，CaAlSiN3结晶相自身在塞隆的研究进展中得以证实。此外，由所述的情形，上述文献中所述报导的内容仅仅提及耐热性能，以及该文献没有描述可以将光学活性元素固溶在结晶相中以及可以将该溶解的结晶相用作荧光体的任何内容。此外，从那时起至本发明的期间，没有研究将其用作荧光体。换句话说，通过将光学活性元素溶解在CaAlSiN3结晶相中得到的物质是新的物质，以及其可用作能够以紫外线和可见光激发且显示具有高亮度的橙色或红色光发射的荧光体，上述重要发现由本发明人首次得到。由于基于该发现的进一步广泛研究，本发明人已经成功通过下列(1)至(24)中所述的方案提供在特定波长区域中以高亮度显示发光现象的荧光体。此外，他们也已经通过在下列(25)至(37)中使用该荧光体的所述的方案提供具有优异特性的照明装置和图像显示装置。另外，通过将所述无机化合物作为荧光体应用于下列(38)至(39)中所述的方案，他们也已经成功提供颜料和紫外线吸收剂。换句话说，由于基于上述发现的一系列试验和研究，本发明已经成功提供在长波长区域中以高亮度发光的荧光体以及采用该荧光体的照明装置、图像显示装置、颜料和紫外线吸收剂。上述方案如下列(1)至(39)中所述。
(1)一种包含无机化合物的荧光体，该化合物的组成至少包含M元素、A元素、D元素、E元素、和X元素(其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素)以及其具有与CaAlSiN3相同的晶体结构。
(2)上述项(1)的荧光体，其包含由组成式MaAbDcEdXe(其中a+b=1以及M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素)表示的无机化合物，该化合物由其中参数a、c、d和e满足以下所有条件的组成表示：
0.00001≤a≤0.1………………………………(i)
0.5≤c≤4………………………………………(ii)
0.5≤d≤8………………………………………(iii)
0.8×(2/3+4/3×c+d)≤e……………………(iv)
e≤1.2×(2/3+4/3×c+d)……………………(v)，
以及其具有与CaAlSiN3相同的晶体结构。
(3)上述项(2)的荧光体，其中所述参数c和d满足0.5≤c≤1.8和0.5≤d≤1.8的条件。
(4)上述项(2)或(3)的荧光体，其中所述参数c、d和e为c=d=1和e=3。
(5)上述项(1)-(4)中任一项的荧光体，其中A是选自Mg、Ca、Sr和Ba的一种或两种或多种元素，D是选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf的一种或两种或多种元素，以及E是选自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、和Lu的一种或两种或多种元素。
(6)上述项(1)-(5)中任一项的荧光体，其至少在M元素中包含Eu、在A元素中包含Ca、在D元素中包含Si、在E元素中包含Al、以及在X元素中包含N。
(7)上述项(1)-(6)中任一项的荧光体，其中具有与CaAlSiN3相同的晶体结构的无机化合物是CaAlSiN3结晶相或CaAlSiN3结晶相的固溶体。
(8)上述项(1)-(7)中任一项的荧光体，其中M元素是Eu、A元素是Ca、D元素是Si、E元素是Al、以及X元素是N或N和O的混合物。
(9)上述项(1)-(7)中任一项的荧光体，其至少在A中包含Sr。
(10)上述项(9)的荧光体，其中包含在所述无机化合物中的Ca和Sr的原子数满足0.02≤(Ca原子数)/{(Ca原子数)+(Sr原子数)}＜1。
(11)上述项(1)-(10)中任一项的荧光体，其至少在X中包含N和O。
(12)上述项(11)的荧光体，其中包含在所述无机化合物中的O和N的原子数满足0.5≤(N原子数)/{(N原子数)+(O原子数)}≤1。
(13)上述项(11)或(12)的荧光体，其包含由MaAbD1-xE1+xN3-xOx(其中a+b=1以及0＜x≤0.5)表示的无机化合物。
(14)上述项(1)-(13)中任一项的荧光体，其中所述无机化合物是具有0.1μm-20μm平均粒度的粉末以及该粉末是单晶颗粒或单晶的聚集体。
(15)上述项(1)-(14)中任一项的荧光体，其中包含在所述无机化合物中的Fe、Co和Ni杂质元素的总量是500ppm或更少。
(16)一种荧光体，其由上述项(1)-(15)中任一项的包含无机化合物的荧光体以及其他结晶相或非晶相的混合物组成，以及其中上述项(1)-(15)中任一项的包含无机化合物的荧光体的含量是20重量%或更多。
(17)上述项(16)的荧光体，其中所述其他结晶相或非晶相是具有导电性的无机物质。
(18)上述项(17)的荧光体，其中所述具有导电性的无机物质是包含选自Zn、Al、Ga、In、和Sn的一种或两种或多种元素的氧化物、氧氮化物、或氮化物，或其混合物。
(19)上述项(16)的荧光体，其中所述其他结晶相或非晶相是与上述项(1)-(15)中任一项的荧光体不同的无机荧光体。
(20)上述项(1)-(19)中任一项的荧光体，其通过用激发源照射而发射在570nm-700nm的波长范围中具有峰的荧光。
(21)上述项(20)的荧光体，其中所述激发源是具有100nm-600nm波长的紫外线或可见光。
(22)上述项(20)的荧光体，其中具有与CaAlSiN3相同的晶体结构的无机化合物是CaAlSiN3结晶相以及Eu固溶(dissolved)于该结晶相中，以及当用100nm-600nm的光照射时其发射具有600nm-700nm波长的荧光。
(23)上述项(20)的荧光体，其中所述激发源是电子束或X-射线。
(24)上述项(20)-(23)中任一项的荧光体，其中在用激发源照射下发射的颜色作为CIE色度坐标上(x，y)的值满足下列条件：
0.45≤x≤0.7。
(25)一种由发光光源和荧光体构成的照明装置，其中至少使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体。
(26)上述项(25)的照明装置，其中所述发光光源是发射具有330-500nm波长的光的LED。
(27)上述项(25)或(26)的照明装置，其中所述发光光源是发射具有330-420nm波长的光的LED，并且通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体、以330-420nm的激发光在420nm-500nm波长处具有发光峰的蓝色荧光体、和以330-420nm的激发光在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体，通过混合红色、绿色和蓝色光该照明装置发射白光。
(28)上述项(25)或(26)的照明装置，其中所述发光光源是发射具有420-500nm波长的光的LED，以及通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体和以420-500nm的激发光在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体，该照明装置发射白光。
(29)上述项(25)或(26)的照明装置，其中所述发光光源是发射具有420-500nm波长的光的LED，以及通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体和以420-500nm的激发光在550nm-600nm波长处具有发光峰的黄色荧光体，该照明装置发射白光。
(30)上述项(29)的照明装置，其中所述黄色荧光体是Eu固溶于其中的Ca-α塞隆。
(31)一种由激发源和荧光体构成的图像显示装置，其中至少使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体。
(32)上述项(31)的图像显示装置，其中所述激发源是发射具有330-500nm波长的光的LED。
(33)上述项(31)或(32)的图像显示装置，其中所述激发源是发射具有330-420nm波长的光的LED，并且通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体、以330-420nm的激发光在420nm-500nm波长处具有发光峰的蓝色荧光体、和以330-420nm的激发光在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体，混合红色、绿色和蓝色光，其发射白光。
(34)上述项(31)或(32)的图像显示装置，其中所述激发源是发射具有420-500nm波长的光的LED，以及通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体和以420-500nm的激发光在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体，其发射白光。
(35)上述项(31)或(32)的图像显示装置，其中所述激发源是发射具有420-500nm波长的光的LED，以及通过使用上述项(1)-(24)中任一项的荧光体和以420-500nm的激发光在550nm-600nm波长处具有发光峰的黄色荧光体，其发射白光。
(36)上述项(35)的图像显示装置，其中所述黄色荧光体是Eu固溶于其中的Ca-α塞隆。
(37)上述项(31)-(36)的图像显示装置，其中所述图像显示装置是真空荧光显示器(VFD)、场致发光显示器(filed emission display)(FED)、等离子体显示板(PDP)和阴极射线管(CRT)中的任一种。
(38)一种包含上述项(1)-(24)中任一项的无机化合物的颜料。
(39)一种包含上述项(1)-(24)中任一项的无机化合物的紫外线吸收剂。
本发明的荧光体作为主要成分包含含有二价元素、三价元素和四价元素的多元氮化物，特别是由CaAlSiN3表示的结晶相，具有与之相同晶体结构的另一结晶相、或这些结晶相的固溶体，以及由此与常规塞隆和氧氮化物荧光体的情况下相比在更长的波长下显示光发射，以致本发明的荧光体作为橙色或红色荧光体是优异的。甚至当暴露于激发源下时，所述荧光体不会显示亮度降低，因而提供适合用于VFD、FED、PDP、CRT、白光LED等中的有用的荧光体。此外，在所述荧光体中，由于特定无机化合物的基质具有红色以及该化合物吸收紫外线，其适于作为红色颜料以及紫外线吸收剂。
附图简要说明
图1-1是CaAlSiN3的X-射线衍射图。
图1-2是用Eu活化的CaAlSiN3(实施例1)的X-射线衍射图。
图2是说明CaAlSiN3晶体结构模型的图。
图3是说明具有与CaAlSiN3结晶相类似结构的Si2N2O的晶体结构模型的图。
图4是荧光体(实施例1-7)的发射光谱图。
图5是荧光体(实施例1-7)的激发光谱图。
图6是荧光体(实施例8-11)的发射光谱图。
图7是荧光体(实施例8-11)的激发光谱图。
图8是荧光体(实施例12-15)的发射光谱图。
图9是荧光体(实施例12-15)的激发光谱图。
图10是荧光体(实施例16-25)的发射光谱图。
图11是荧光体(实施例16-25)的激发光谱图。
图12是荧光体(实施例26-30)的发射光谱图。
图13是荧光体(实施例26-30)的激发光谱图。
图14是本发明照明装置(LED照明装置)的示意图。
图15是本发明图像显示装置(等离子体显示板)的示意图。
在这方面，关于图中的标记，1代表本发明的红色荧光体与黄色荧光体的混合物，或本发明的红色荧光体、蓝色荧光体和绿色荧光体的混合物，2代表LED芯片，3和4代表导电端子，5代表引线接合(wire bond)，6代表树脂层，7代表容器(container)，8代表本发明的红色荧光体，9代表绿色荧光体，10代表蓝色荧光体，11、12和13代表紫外线发光单元(ultraviolet-rayemitting cell)，14、15、16和17代表电极，18和19代表介电层，20代表保护层，以及21和22代表玻璃基底。
实施发明的最佳方式
以下将参照本发明的实例详细描述本发明。
本发明的荧光体包含无机化合物，该无机化合物是(1)至少包含M元素、A元素、D元素、E元素、和X元素的组成(其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N和F的一种或两种或多种元素)；以及是(2)(a)由化学式CaAlSiN3表示的结晶相，(b)具有与所述结晶相相同晶体结构的另一结晶相，或(c)这些结晶相(下文中将这些结晶相共同称为“CaAlSiN3族结晶相”)的固溶体。本发明的上述荧光体特别显示高亮度。
M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素。M优选是选自Mn、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、和Yb的一种或两种或多种元素。M更优选包含Eu以及进一步优选M是Eu。
A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素。特别地，A优选是选自Mg、Ca、Sr、和Ba的一种或两种或多种元素，以及更优选A是Ca。
D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素。特别地，D优选是选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、和Hf的一种或两种或多种元素，以及更优选D是Si。
E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素。特别地，E优选是选自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、和Lu的一种或两种或多种元素，以及更优选E是Al。
X是选自O、N和F的一种或两种或多种元素。特别是，X优选由N或N和O组成。
所述组成由组成式MaAbDcEdXe表示。组成式是构成该物质的原子数之比，以及由任意数与a、b、c、d和e相乘(multiplying)得到的物质也具有相同组成。因此，在本发明中，对于通过对a、b、c、d和e再计算而得到的物质确定下列条件以使a+b=1。
在本发明中，从满足下列所有条件的数值中选择a、c、d和e的值：
0.00001≤a≤0.1………………………………(i)
0.5≤c≤4………………………………………(ii)
0.5≤d≤8………………………………………(iii)
0.8×(2/3+4/3×c+d)≤e……………………(iv)
e≤1.2×(2/3+4/3×c+d)……………………(v)。
a表示成为发光中心的M元素的添加量以及荧光体中M和(M+A)原子数之比(其中a=M/(M+A))适宜地是0.00001-0.1。当a值小于0.00001时，成为发光中心的M的数量少，因此发光亮度降低。当a值大于0.1时，由于M离子间的干扰而出现浓度消光(concentration quenching)，以致亮度降低。
特别地，在M是Eu的情况下，a值优选是0.002-0.03，这是因为发光亮度高。
c值是D元素如Si的含量以及是由0.5≤c≤4表示的量。该值优选是0.5≤c≤1.8，更优选c=1。当c值小于0.5以及当该值大于4时，发光亮度降低。在0.5≤c≤1.8范围内，发光亮度高，以及特别地，在c=1时发光亮度尤其高。其原因在于以下所要描述的CaAlSiN3族结晶相的形成比例提高。
d值是E元素如Al的含量以及是由0.5≤d≤8表示的量。该值优选是0.5≤d≤1.8，更优选d=1。当d值小于0.5以及当该值大于8时，发光亮度降低。在0.5≤d≤1.8范围内，发光亮度高，以及特别地，在d=1时发光亮度尤其高。其原因在于以下所要描述的CaAlSiN3族结晶相的形成比例提高。
e值是X元素如N的含量以及是由0.8×(2/3+4/3×c+d)至1.2×(2/3+4/3×c+d)所表示的量。更优选地，e=3。当e值在上述范围以外时，发光亮度降低。其原因在于以下所要描述的CaAlSiN3族结晶相的形成比例提高。
上述组成中，显示高发光亮度的组成是至少在M元素中包含Eu、在A元素中包含Ca、在D元素中包含Si、在E元素中包含Al、以及在X元素中包含N的那些。特别地，所述组成是其中M元素是Eu、A元素是Ca、D元素是Si、E元素是Al、以及X元素是N或N和O的混合物的那些。
上述CaAlSiN3结晶相是斜方晶系以及是这样的物质，其特征在于以下结晶相，其具有
Figure GDA00002003945300131
和
Figure GDA00002003945300132
的晶格常数以及具有在X-射线衍射中于图1-1的图和表4中所述晶面指数(indices ofcrystal plane)。
根据由本发明人进行的CaAlSiN3结晶相的晶体结构分析，本发明的结晶相属于Cmc21(国际结晶学表International Tables  for Crystallography的第36空间群)以及占据表5中所示的原子坐标位置。在这方面，通过会聚光束电子衍射确定空间群以及通过X-射线衍射结果的Rietveld分析来确定原子坐标。
所述结晶相具有图2中所示的结构以及具有与Si2N2O结晶相(矿物名称：氮氧硅石)相似的骨架。即，所述结晶相是其中Si2N2O结晶相中Si的位置由Si和Al占据以及N和O的位置由N占据、和Ca作为隙间元素(interstitialelement)结合到由Si-N-O形成的骨架空隙中的结晶相，以及具有其中原子坐标随着元素的替换而改变成表5中所示的位置的结构。Si和Al在Si2N2O结晶相中以不规则分布(无序)状态占据Si位置。因而，将该结构命名为氮氧硅石型塞隆结构。
具有与本发明中所示的CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物意味着是上述CaAlSiN3族结晶相的无机化合物。具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物，除了显示与CaAlSiN3的X-射线衍射结果相同的衍射的物质以外，还包括具有通过以其他元素替换其构成元素而改变的晶格常数的那些。例如，可以提及CaAlSiN3结晶相、CaAlSiN3结晶相的固溶体等。这里，其中以其他元素替换构成元素的物质指的是这样的结晶相：其中，例如在CaAlSiN3结晶相的情况下，该结晶相中的Ca以M元素(其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素)和/或M元素与选自除Ca以外的二价金属元素(优选选自Mg、Sr、和Ba)的一种或两种或多种元素代替，Si以选自除Si以外的四价金属元素(优选选自Ge、Sn、Ti、Zr和Hf)的一种或两种或多种元素代替，Al以选自除Al以外的三价金属元素(优选选自B、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、和Lu)的一种或两种或多种元素代替，以及N以选自O和F的一种或两种或多种元素代替。关于这一点，可以通过X-射线衍射或中子射线衍射来识别本发明的CaAlSiN3族结晶相。
通过以其他元素替换作为构成成分的Ca、Si、Al、或N或者通过金属元素如Eu的溶解而使CaAlSiN3族结晶相在晶格常数方面改变，但是由晶体结构、原子所占据的位置(site)及其坐标所决定的原子位置没有改变至使得骨架原子之间的化学键断裂的那么大的程度。在本发明中，由通过X-射线衍射和中子射线衍射结果以Cmc21空间群的Rietveld分析所确定的原子坐标和晶格常数计算出的Al-N和Si-N的化学键长度(相邻原子之间的距离)，与从表5中所示的CaAlSiN3的晶格常数和原子坐标计算出的化学键长度相比在±15%以内，在此情况下，定义所述结晶相具有相同的晶体结构。以这种方式，判断结晶相是否为CaAlSiN3族结晶相。该判断标准基于以下事实：当化学键长度变化超过±15%时，该化学键断裂并形成另一种结晶相。
此外，当固溶量小时，下列方法可以作为CaAlSiN3族结晶相的便利判断方法。当由对新物质测量的X-射线衍射结果计算出的晶格常数以及用表4中的晶面指数计算的衍射峰位置(2θ)对主要峰而言一致时，可以将晶体结构视为相同。至于主要峰，适当的是对大约10个显示强衍射强度的峰进行判断。在该意义上，表4是识别CaAlSiN3族结晶相的标准，因而是重要的。此外，就CaAlSiN3族结晶相的晶体结构而言，也可以用另一种晶系如单斜晶系或六方晶系定义近似的结构。如果是那样的话，所述表达可以是采用不同空间群、晶格常数和晶面指数的表达，但是X-射线衍射的结果没有改变以及其识别方法和使用该方法的识别结果是相同的。因此，在本发明中，作为斜方晶系进行X-射线衍射分析。将在以下所要描述的实施例1中具体叙述基于表4的物质的识别方法，此处仅进行概略的说明。
通过用M(其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素)活化CaAlSiN3族结晶相而得到荧光体。在所述CaAlSiN3族结晶相中具有特别高亮度的荧光体是包含使用A为Ca、D为Si、E为Al和X为N的组合的CaAlSiN3结晶相作为基质的荧光体。
使用作为通过用Sr代替一部分Ca而得到的结晶相的CaxSr1-xAlSiN3(其中0.02≤x＜1)结晶相或其固溶体作为基质的荧光体，即，其中在无机化合物中所含Ca和Sr的原子数满足0.02≤(Ca原子数)/{(Ca原子数)+(Sr原子数)}＜1的荧光体，与使用具有该范围组成的CaAlSiN3结晶相作为基质的荧光体相比，变成显示较短波长的荧光体。
使用包含氮和氧的无机化合物作为基质的荧光体在高温空气中耐久性优异。在这种情况下，在所述无机化合物中包含的O和N原子数满足0.5≤(N原子数)/{(N原子数)+(O原子数)}≤1的组成下，高温耐久性特别优异。
在将含有氮和氧的无机化合物用作基质的情况下，由于在以MaAbD1-xE1+xN3-xOx(其中a+b=1和0＜x≤0.5)表示的组成下CaAlSiN3族结晶相的形成比例提高，发光亮度高。这是因为该组成中以与用三价E元素代替四价D元素的原子数量相同的数量来用二价O代替三价N，由此保持了电荷中性，以使得形成稳定的CaAlSiN3族结晶相。
在将包含具有与本发明的CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物的荧光体作为粉末使用的情况下，考虑到进入树脂中的分散性和粉末的流动性，该无机化合物的平均粒度优选是0.1μm-20μm。此外，该粉末是单晶颗粒或单晶的聚集体，但是通过使用具有0.1μm-20μm的平均粒度的单晶颗粒可进一步提高发光亮度。
为了获得显示高发光亮度的荧光体，包含在所述无机化合物中的杂质含量优选尽可能地小。特别地，由于大量Fe、Co和Ni杂质元素的污染抑制光发射，适合的是选择原料粉末以及控制合成步骤以使得这些元素总计不超过500ppm。
在本发明中，从荧光发射的观点，理想的是所述氮化物以高纯度和尽可能多地包含CaAlSiN3族结晶相作为该氮化物的构成成分，以及其可能由单一相组成，但是其可以由该结晶相与其他结晶相或非晶相在特性不会降低的范围内的混合物构成。在这种情况下，理想的是所述CaAlSiN3族结晶相的含量是20重量%或更多以获得高亮度。进一步优选地，当其含量是50重量%或更多时，使亮度显著提高。在本发明中，作为主要成分的范围是CaAlSiN3族结晶相的含量是至少20重量%或更多。可以经由X-射线衍射测量从CaAlSiN3族结晶相和其他结晶相的相应相中最强峰的强度比例确定CaAlSiN3族结晶相的含量比例。
在将本发明的荧光体用于以电子束激发的应用的情况下，可以通过将所述荧光体与具有导电性的无机物质混合而赋予其导电性。作为具有导电性的无机物质，可以提及包含选自Zn、Al、Ga、In和Sn的一种或两种或多种元素的氧化物、氮氧化物或氮化物，或其混合物。
本发明的荧光体可以通过与特定基质晶体和活化元素结合而发射红色光，但是在必须与其他颜色如黄色、绿色和蓝色混合的情况下，可以根据需要混合发射这些颜色的光的无机荧光体。
本发明的荧光体根据组成显示不同的激发光谱和荧光光谱，因此可以通过适当地选择和将其组合而设定在具有各种发射光谱的那些。可以将实施方式基于应用适当地设定在所需的光谱处。特别地，其中以0.0001≤(Eu原子数)/{(Eu原子数)+(Ca原子数)}≤0.1的组成将Eu添加到CaAlSiN3结晶相中的荧光体，当用具有100nm-600nm、优选200nm-600nm范围内波长的光激发时，显示在600nm-700nm波长范围内具有峰的光的发射，以及作为红色荧光显示优异的发光特性。
如上得到的本发明荧光体的特征在于，与常规氧化物荧光体和现有塞隆荧光体相比，其具有从电子束或X-射线和紫外线到可见光、即具有100nm-600nm波长的紫外线或可见光的宽的激发范围，发射570nm或更长的橙色至红色光，以及特别地在特定组成下显示600nm-700nm的红色，以及在CIE色坐标上(x，y)的值方面其显示在0.45≤x≤0.7范围内的红色光。由于上述发射特性，其适用于照明装置、图像显示装置、颜料和紫外线吸收剂。另外，由于它们即使暴露于高温下时也不会退化，其耐热性优异，以及在氧化氛围下和在潮湿环境下其在长期稳定性方面也是优异的。
本发明的荧光体不限定制备方法，然而可以通过下列方法制备显示高亮度的荧光体。
通过在含氮的惰性气氛中于1200℃-2200℃的温度范围内焙烧原料混合物而得到高亮度荧光体，所述原料混合物是金属化合物的混合物以及通过焙烧该混合物可以构成由M、A、D、E和X表示的组成。
在合成用Eu活化的CaAlSiN3的情况下，使用氮化铕或氧化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝的粉末混合物作为原料是适合的。
此外，在合成含锶组成的情况下，除了上述原料以外氮化锶的组合提供稳定的(Ca,Sr)AlSiN3结晶相，其中用锶代替该结晶相中的部分钙原子，由此获得高亮度荧光体。
在合成使用其中用氧代替结晶相中的部分氮原子的CaAlSi(O,N)3作为基质以及用Eu活化的荧光体的情况下，氮化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝的混合物原料优选是以氧含量小的组成，因为该材料具有高反应性，以及可能实现高收率的合成。在这种情况下，将包含于氮化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝的粉末原料中的氧杂质用作氧。
在合成用CaAlSi(O,N)3作为基质以及用Eu活化的氧含量大的荧光体的情况下，将下列物质的混合物用作原料时：氮化铕或氧化铕或两者混合物，氮化钙、氧化钙或碳酸钙的任一种或其混合物，氮化硅，和氮化铝或氮化铝与氧化铝的混合物，该材料具有高反应性以及可能实现高收率的合成。
适当的是使上述金属化合物的混合粉末在保持体积填充率为40%或更小的状态下焙烧。关于这一点，可以根据(混合粉末的堆积密度)/(混合粉末的理论密度)×100[%]来确定所述体积填充率。至于容器，氮化硼烧结制品由于其与所述金属化合物的低反应性而是适合的。
使所述粉末在保持体积填充率为40%或更小的状态下焙烧的原因在于，在原料粉末周围存在自由空间的状态下焙烧，由于作为反应产物的CaAlSiN3族结晶相在自由空间中生长以及因此所述结晶相自身的接触减少而使得能够合成表面缺陷少的结晶相。
其次，通过在含氮的惰性气氛中于1200℃-2200℃的温度范围内焙烧所得到的金属化合物的混合物而合成荧光体。由于所述焙烧在高温下进行以及焙烧氛围是含氮的惰性气氛，用于焙烧中的炉子是金属电阻器电阻加热型的或石墨电阻加热型的炉子以及采用碳作为炉子高温部件材料的电炉是适合的。至于焙烧方法，由于进行焙烧同时将体积填充率保持在40%或更小，优选没有外部施加机械压力的烧结方法，如常压烧结法或气体压力烧结法。
在通过焙烧获得的粉末聚集体强烈附着的情况下，通过工业上常用的粉碎机如球磨机或喷射研磨机等将其粉碎。进行粉碎直至平均粒度达到20μm或更小为止。特别优选0.1μm-5μm的平均粒度。当平均粒度超过20μm时，粉末的流动性和其进入到树脂中的分散性变差以及当结合发光元件形成发射装置时发光强度变得各处不均匀。当粒径变成0.1μm或更小时，荧光体粉末表面上的缺陷变大以及因此在某些荧光体组成中发光强度降低。
在本发明的荧光体中，也可以通过下列方法制备使用含氮和氧的无机化合物作为基质的荧光体。
该方法为，使待焙烧的原料中存在氧，以使得当焙烧包含M元素的单质和/或化合物、A元素的氮化物、D元素的氮化物和E元素的氮化物的原料混合粉末时，在1200℃-1750℃的焙烧温度下堆积密度为0.05g/cm3-1g/cm3的状态下，待焙烧原料中氧的摩尔数与氮和氧的总摩尔数之比(百分数)(以下称为“原料中氧的存在比例”)成为1%-20%。
原料中氧的存在比例指的是焙烧时待焙烧的原料中氧的摩尔数与氮和氧的总摩尔数之比(百分数)，待焙烧原料中的氮是源自原料粉末的氮，而所述氧除了预先包含在原料粉末中的氧以外还包括焙烧时从焙烧气氛中混入到待焙烧材料中的氧。可以通过使用氧氮分析仪的测量来确定原料中氧的存在比例。原料中氧的存在比例优选是2%-15%。
使得焙烧时氧以上述的原料中氧的存在比例存在的方法包括：
(1)使用包含所需氧浓度的原料氮化物作为待焙烧原料的方法，
(2)通过在含氧气氛下预先加热原料氮化物而使该原料氮化物包含所需氧浓度的方法，
(3)将原料氮化物粉末与含氧化合物粉末混合以形成待焙烧原料的方法，
(4)通过在原料氮化物的焙烧时在焙烧气氛中包含氧以及焙烧时氧化该原料氮化物而将氧引入到待焙烧的原料中的方法，等等。为了制备工业上稳定的高亮度荧光体，优选(1)使用包含所需氧浓度的原料氮化物作为待焙烧原料的方法或(3)将原料氮化物粉末与含氧化合物粉末混合以形成待焙烧原料的方法。特别地，更优选的是使用包含所需氧浓度的原料氮化物作为待焙烧原料以及还将原料氮化物粉末与含氧化合物粉末混合以形成待焙烧原料的方法，其是上述方法(1)和(3)的组合。
在这种情况下，所述含氧化合物粉末选自焙烧时形成金属氧化物的物质。至于这些物质，可以使用相应金属、即构成所述原料氮化物的金属的氧化物、无机酸盐如硝酸盐、硫酸盐和碳酸盐等、其有机酸盐如草酸盐和乙酸盐、含氧的有机金属化合物等。然而，从易于控制氧浓度以及可以使焙烧气氛中杂质气体的引入抑制在低水平的观点，优选使用金属氧化物。
通过进行所有原料的化学分析可以容易地确定原料中氧的存在比例。特别地，可以通过分析氮和氧的浓度来确定氮与氧的比例。
待用作原料的M元素的单质和/或化合物可以是任意物质，只要在高温下将M元素结合到所述荧光体的晶体基质中，其包括M元素的金属(单质)、氧化物、氮化物、硫化物、卤化物、氢化物以及无机酸盐如硝酸盐、硫酸盐和碳酸盐、有机酸盐如草酸盐和乙酸盐、有机金属化合物等，以及对其种类没有限制。然而，从与其他氮化物原料的良好反应性的观点，优选M元素的金属、氧化物、氮化物和卤化物，以及由于原料可低价得到以及可以降低荧光体合成温度而特别优选氧化物。
在至少将Eu用作M元素的情况下，可以使用含Eu作为构成元素的Eu金属、铕氧化物如EuO和Eu2O3、以及多种化合物如EuN、EuH3、Eu2S3、EuF2、EuF3、EuCl2、EuCl3、Eu(NO3)3、Eu2(SO4)3、Eu2(CO3)3、Eu(C2O4)3、Eu(O-i-C3H7)3中的一种或两种或多种，但是优选Eu卤化物如EuF2、EuF3、EuCl2、和EuCl3，因为它们具有促进晶体生长的作用。此外，也优选Eu2O3和Eu金属，因为可以从它们合成具有优异特性的荧光体。其中，特别优选Eu2O3，其原料价格便宜，潮解性小，以及使得能够在相对低的温度下合成高亮度荧光体。
至于用于除M元素以外的元素的原料，即用于A、D和E元素的原料，通常使用其氮化物。A元素的氮化物的实例包括Mg3N2、Ca3N2、Sr3N2、Ba3N2、Zn3N2等中的一种或两种或多种，D元素的氮化物的实例包括Si3N4、Ge3N4、Sn3N4、Ti3N4、Zr3N4、Hf3N4等中的一种或两种或多种，以及E元素的氮化物的实例包括AlN、GaN、InN、ScN等中的一种或两种或多种。由于可以制成具有优异发射特性的荧光体而优选使用其粉末。
特别地，相对于氮和氧的总摩尔数具有1-20%氧摩尔数的高活性和高反应性氮化物材料作为A元素的原料使用，显著促进氮化物原料混合粉末间的固相反应，以及因此，可以在焙烧时降低焙烧温度和氛围气体压力而无需使该原料混合粉末受压缩成型。为了同样理由，优选使用相对于氮和氧的总摩尔数尤其具有2-15%氧摩尔数的氮化物材料作为A元素的原料。
当所述原料混合粉末的堆积密度太小时，由于粉末原料间的接触面积小而难以进行固相反应，以及因此可能大量保留无法导致优选荧光体合成的杂质相。另一方面，堆积密度太大时，所得到的荧光体可能变成坚硬的烧结体，其不仅需要焙烧后长时间的粉碎步骤，而且倾向于降低荧光体的亮度。因此，所述堆积密度优选是0.15g/cm3-0.8g/cm3。
当原料混合粉末的焙烧温度太低时，难以进行固相反应以及不能合成所需的荧光体。另一方面，当温度太高时，不仅消耗徒然的焙烧能量，而且来自原料和所制成物质的氮的发散增加，因此存在这样的倾向：无法制成所需的荧光体，除非构成氛围气体一部分的氮气压力增加至非常高的压力。因此，焙烧温度优选是1300℃-1700℃。原料混合粉末的焙烧氛围原则上是惰性气氛或还原性气氛，但是由于可以在相对低的温度下合成荧光体而优选使用其中氧浓度为0.1-10ppm的含极少量氧的气氛。
此外，焙烧时氛围气体的压力通常是20atm(2MPa)或更低。对于超过20atm的压力需要包括坚固的耐热容器的高温焙烧装置，因此焙烧所需的成本变高，所以氛围气体的压力优选是10atm(1MPa)或更低。为了防止空气中氧气的污染，压力优选稍高于1atm(0.1MPa)。在焙烧炉的气密性出问题的情况下，当压力是1atm(0.1MPa)或更低时，大量氧气将氛围气体污染，因此难以得到具有优异特性的荧光体。
此外，焙烧时在最大温度下的保持时间通常是1分钟-100小时。当保持时间太短时，原料混合粉末间的固相反应不能充分进行以及无法得到所需的荧光体。当保持时间太长时，不仅消耗徒然的焙烧能量，而且使氮从荧光体表面脱除以及使荧光特性劣化。由于同样的理由，保持时间优选是10分钟-24小时。
如上所说明的，本发明的CaAlSiN3族结晶相荧光体显示比常规塞隆荧光体高的亮度，由于当所述荧光体暴露于激发源下时其亮度降低小，它是适用于VFD、FED、PDP、CRT、白光LED等的荧光体。
通过至少使用发光光源以及本发明的荧光体，构成本发明的照明装置。至于照明装置，可以提及LED照明装置、荧光灯等。可以通过如在JP-A-5-152609、JP-A-7-99345、日本专利2927279等中所述的已知方法制备LED照明装置。在这种情况下，所述发光光源优选是发射具有330-500nm波长的光的光源，以及特别优选是330-420nm的紫外(或紫色)LED发光元件或420-500nm的蓝色LED发光元件。
至于这些发光元件，存在包含氮化物半导体如GaN或InGaN等的元件，通过调整其组成，可以将其用作发射具有预定波长的光的发光光源。
在所述照明装置中，除了单独使用本发明荧光体的方法以外，通过其与具有其他发光特性的荧光体的组合使用，可以构成发射所需颜色的照明装置。作为一个实例，组合330-420nm的紫外LED发光元件与在该波长下得以激发以及在420nm-500nm波长处具有发光峰的蓝色荧光体、在330-420nm的波长处激发且在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体以及本发明的荧光体。可以提及BaMgAl10O17：Eu作为蓝色荧光体和BaMgAl10O17：Eu，Mn作为绿色荧光体。在该结构中，当用LED发射的紫外线照射荧光体时，发出红色、绿色和蓝色光以及通过混合这些光形成白色照明装置。
作为可供选择的方法，组合420-500nm的蓝色LED发光元件与在该波长下得以激发以及在550nm-600nm波长处具有发光峰的黄色荧光体以及本发明的荧光体。至于所述黄色荧光体，可以提及在日本专利2927279中所述的(Y，Gd)2(Al，Ga)5O12：Ce和在JP-A-2002-363554中所述的α-塞隆：Eu。其中，由于高的发光亮度而优选Eu溶解于其中的Ca-α-塞隆。在该结构中，当用LED发出的蓝色光照射荧光体时，发出具有红色和黄色的两种光以及使所述光与LED自身的蓝色光混合以形成显示白色或略带红色的灯光颜色的照明装置。
作为另一种方法，组合420-500nm的蓝色LED发光元件与在该波长下得以激发以及在500nm-570nm波长处具有发光峰的绿色荧光体以及本发明的荧光体。至于所述绿色荧光体，可以提及Y2Al5O12：Ce。在该结构中，当用LED发出的蓝色光照射荧光体时，发出具有红色和绿色的两种光以及使所述光与LED自身的蓝色光混合以形成白色照明装置。
本发明的图像显示装置至少由激发源和本发明的荧光体构成，以及包括真空荧光显示器(VFD)、场致发光显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)等。本发明的荧光体经证实通过用100-190nm的真空紫外线、190-380nm的紫外线、电子束等激发而发光。因此，通过任意的这些激发源与本发明的荧光体的组合，可以构成上述的图像显示装置。
由于本发明的特定无机化合物具有红色的目标色，可以将其用作红色颜料或红色荧光颜料。当以日光、荧光灯等的照明来照射本发明的无机化合物时，观察到红色的目标色，由于良好的着色以及经过长时间没有劣化，该化合物适于作为无机颜料。因此，当其用于加入到塑料制品中的涂料、油墨、色料(colors)、釉料和着色剂中时，具有经过长时间也不褪色的优点。本发明的氮化物吸收紫外线以及因此适于作为紫外线吸收剂。因此，当所述氮化物用作涂料或施用于塑料制品的表面上或捏合到制品中时，防护紫外线的作用高以及由此保护制品不受紫外线降解的作用高。
实施例
以下将参照下列实施例进一步详细描述本发明，但是仅仅为了本发明易于理解而公开这些实施例，以及本发明不限于这些实施例。
实施例1
使用平均粒度0.5μm、氧含量0.93重量%和α-型含量92%的氮化硅粉末、比表面积3.3m2/g和氧含量0.79%的氮化铝粉末、氮化钙粉末以及通过在氨中氮化金属铕而合成的氮化铕作为原料粉末。
为了获得由组成式：Eu0.008Ca0.992AlSiN3表示的化合物(表1显示设计组成的参数，表2显示设计组成(重量%)，以及表3显示原料粉末的混合组成)，称取氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化钙粉末和氮化铕粉末以使得分别为33.8578重量%、29.6814重量%、35.4993重量%和0.96147重量%，接着通过玛瑙研钵和研杵混合30分钟。此后，使所得到的混合物通过500μm的筛子自由落入由氮化硼制成的坩埚中从而用粉末充满坩埚。粉末的体积填充率约为25%。就此而言，粉末的称重、混合和成型的相应步骤都在能够维持湿气含量为1ppm或更小以及氧含量为1ppm或更小的氮气氛的手套箱中进行。
将经混合的粉末放在氮化硼制成的坩埚中并放在石墨电阻加热型电炉中。如下进行焙烧操作：首先通过扩散泵将焙烧气氛抽真空，以每小时500℃的速率从室温加热至800℃，800℃下通过引入纯度为99.999体积%的氮气加压至1MPa，以每小时500℃的速率升高温度至1800℃并在1800℃下保持2小时。
焙烧后，粗略地粉碎所得到的焙烧产物，然后用由氮化硅烧结块制成的坩埚和研钵手工粉碎，接着过滤通过具有30μm筛目的筛子，当测量粒子分布时，平均粒度为15μm。
根据下列步骤识别所得到的合成粉末的构成结晶相(constitutive crystalphase)。首先，为了得到不含M元素的纯CaAlSiN3作为标准物质，称取氮化硅粉末、氮化铝粉末和氮化钙粉末以使得分别为34.088重量%、29.883重量%和36.029重量％，接着通过手套箱中的玛瑙研钵和研杵混合30分钟。然后，将混合物放在氮化硼制成的坩埚中并放在石墨电阻加热型电炉中。如下进行焙烧操作：首先通过扩散泵将焙烧气氛抽真空，以每小时500℃的速率从室温加热至800℃，在800℃下通过引入纯度为99.999体积%的氮气加压至1MPa，以每小时500℃的速率升高温度至1800℃并在1800℃下保持2小时。借助于玛瑙研钵粉碎所合成的试样，然后用Cu的Kα线进行粉末X-射线衍射的测量。结果，所得到的图显示图1-1中所表明的图案，以及基于表4中所示的指数判断该化合物是CaAlSiN3结晶相。该结晶相是斜方晶系，其具有
Figure GDA00002003945300231
和的晶格常数。通过使用TEM的会聚光束电子衍射确定空间群是Cmc21(国际结晶学表的第36空间群)。此外，使用该空间群通过Rietveld分析确定的各元素的原子坐标位置如表5中所示。X-射线衍射的实测强度与从原子坐标通过Rietveld方法计算出的计算强度如表4中所示显示良好的一致性。
其次，借助于玛瑙研钵粉碎由组成式：Eu0.008Ca0.992AlSiN3表示的合成化合物，然后用Cu的Kα线进行粉末X-射线衍射的测量。结果，所得到的图显示于图1-2中，以及基于表4中所示的指数判断该化合物是CaAlSiN3族结晶相。
通过以下方法进行粉末的组成分析。首先，将50mg试样放在铂坩埚中，向其中加入0.5g碳酸钠和0.2g硼酸，接着加热并完全熔化。其后，将该熔体溶解在2ml盐酸中，定容至100ml，由此制成测量用的溶液。通过使液体试样进行ICP发射光谱测定，定量确定所述粉末试样中Si、Al、Eu和Ca的含量。此外，将20mg试样装入到锡胶囊中，然后将其放在镍篮中。随后，用LECO制造的TC-436型氧和氮分析仪，定量测定粉末试样中的氧和氮。测量结果如下：Eu：0.86±0.01重量%，Ca：28.9±0.1重量%，Si：20.4±0.1重量%，Al：19.6±0.1重量%，N：28.3±0.2重量%，O：2.0±0.1重量%。与表2中所示的设计组成中指出的重量%相比，氧含量特别高。其原因在于用作原料的氮化硅、氮化铝和氮化钙中所含的杂质氧。在该组成中，N和O的原子数比例，N/(O+N)相当于0.942。从所有元素的分析结果计算出的该合成的无机化合物的组成是Eu0.0078Ca0.9922Si0.9997Al0.9996N2.782O0.172。在本发明中，其中用O代替一部分N的物质也包括在本发明的范围内，以及即使在那样的情况下，也得到高亮度的红色荧光体。
作为所述粉末用发射具有365nm波长的光的灯照射的结果，证实红色光的发射。作为粉末的发射光谱(图4)和激发光谱(图5)测量的结果，使用荧光分光光度计就激发和发射光谱的峰波长而言(表6)，发现激发光谱的峰位于449nm处，以及它是以449nm处的激发下在发射光谱中653nm的红色光处具有峰的荧光体。该峰的发射强度是10655计数(counts)。关于这一点，由于计数值根据测量装置和条件而变化，其单位是任意单位。此外，以449nm处的激发下从发射光谱确定的CIE色度是x=0.6699和y=0.3263的红色。
表1设计组成的参数
表2设计组成(重量%)
  实施例   Eu   Mg   Ca   Sr   Ba   Si   Al   N
  1   0.88056   0   28.799   0   0   20.3393   19.544   30.4372
  2   0.51833   0   0   0   58.0887   11.9724   11.5042   17.9163
  3   0.56479   0   3.69436   0   50.6371   13.0457   12.5356   19.5225
  4   0.62041   0   8.11634   0   41.7178   14.3304   13.77   21.4451
  5   0.68818   0   13.5044   0   30.8499   15.8958   15.2742   23.7876
  6   0.77257   0   20.2139   0   17.3165   17.8451   17.1473   26.7047
  7   0.82304   0   24.2261   0   9.2238   19.0107   18.2673   28.449
  8   0.85147   0   25.063   6.08788   0   19.6674   18.8984   29.4318
  9   0.82425   0   21.5659   11.7864   0   19.0386   18.2941   28.4907
  10   0.79871   0   18.2855   17.1319   0   18.4487   17.7273   27.608
  11   0.7747   0   15.2022   22.156   0   17.8943   17.1945   26.7783
  12   0.7521   0   12.2989   26.887   0   17.3722   16.6929   25.997
  13   0.73078   0   9.56019   31.3497   0   16.8797   16.2196   25.26
  14   0.69157   0   4.52361   39.5568   0   15.974   15.3494   23.9047
  15   0.65635   0   0   46.928   0   15.1605   14.5677   22.6874
  16   0.89065   1.76643   26.2163   0   0   20.5725   19.768   30.7862
  17   0.90098   3.57383   23.5736   0   0   20.8111   19.9973   31.1432
  18   0.91155   5.42365   20.869   0   0   21.0553   20.2319   31.5086
  19   0.92238   7.3174   18.1001   0   0   21.3052   20.4722   31.8828
  20   0.93346   9.25666   15.2646   0   0   21.5612   20.7181   32.2659
  21   0.94481   11.2431   12.3602   0   0   21.8235   20.9701   32.6583
  22   0.95645   13.2784   9.3843   0   0   22.0922   21.2283   33.0604
  23   0.96837   15.3645   6.33418   0   0   22.3676   21.4929   33.4725
  24   0.98059   17.5033   3.20707   0   0   22.6499   21.7642   33.895
  25   0.99313   19.6967   0   0   0   22.9394   22.0425   34.3283
表3混合组成(重量%)
  实施例   EuN   Mg3N2   Ca3N2   Sr3N2   Ba3N2   Si3N4   AlN
  1   0.96147   0   35.4993   0   0   33.8578   29.6814
  2   0.56601   0   0   0   62.0287   19.932   17.4733
  3   0.61675   0   4.55431   0   54.0709   21.7185   19.0395
  4   0.67747   0   10.0054   0   44.546   23.8569   20.9142
  5   0.75146   0   16.6472   0   32.9406   26.4624   23.1982
  6   0.84359   0   24.9176   0   18.4896   29.7068   26.0424
  7   0.89868   0   29.863   0   9.84853   31.6467   27.7431
  8   0.92972   0   30.8943   6.73497   32.7397   28.7012
  9   0.9   0   26.5838   13.0394   0   31.6931   27.7837
  10   0.87212   0   22.5403   18.9531   0   30.7114   26.9231
  11   0.84592   0   18.7397   24.5116   0   29.7886   26.1142
  12   0.82124   0   15.1609   29.7457   0   28.9197   25.3524
  13   0.79797   0   11.785   34.6832   0   28.1   24.6339
  14   0.75516   0   5.57638   43.7635   0   26.5926   23.3124
  15   0.71671   0   0   51.9191   0   25.2387   22.1255
  16   0.97249   2.44443   32.3156   0   0   34.2459   30.0216
  17   0.98377   4.94555   29.058   0   0   34.6429   30.3697
  18   0.99531   7.50535   25.724   0   0   35.0493   30.726
  19   1.00712   10.1259   22.3109   0   0   35.4654   31.0907
  20   1.01922   12.8095   18.8158   0   0   35.8914   31.4642
  21   1.03161   15.5582   15.2356   0   0   36.3278   31.8467
  22   1.04431   18.3747   11.5674   0   0   36.7749   32.2387
  23   1.05732   21.2613   7.80768   0   0   37.2332   32.6404
  24   1.07067   24.2208   3.9531   0   0   37.7031   33.0523
  25   1.08435   27.256   0   0   0   38.1849   33.4748
表4-1X-射线衍射结果(No.1)
Figure GDA00002003945300281
表4-1(续)X-射线衍射结果(No.1)
Figure GDA00002003945300291
表4-2X-射线衍射结果(No.2)
表4-2(续)X-射线衍射结果(No.2)
Figure GDA00002003945300311
表4-3X-射线衍射结果(No.3)
Figure GDA00002003945300321
表4-3(续)X-射线衍射结果(No.3)
Figure GDA00002003945300331
表4-4X-射线衍射结果(No.4)
Figure GDA00002003945300341
表4-4(续)X-射线衍射结果(No.4)
Figure GDA00002003945300351
表4-5X-射线衍射结果(No.5)
Figure GDA00002003945300361
表4-5(续)X-射线衍射结果(No.5)
Figure GDA00002003945300371
表4-6X-射线衍射结果(No.6)
Figure GDA00002003945300381
表5CaAlSiN3晶体结构的数据
CaAlSiN3
空间群(#36)Cmc21
晶格常数
Figure GDA00002003945300391
  a   b   c
  9.8007(4)   5.6497(2)   5.0627(2)
  位置   x   y   z
  Si/Al   8(b)   0.1734(2)   0.1565(3)   0.0504(4)
  N1   8(b)   0.2108(4)   0.1205(8)   0.3975(2)
  N2   4(a)   0   0.2453(7)   0.0000(10)
  Ca   4(a)   0   0.3144(3)   0.5283
SiN2O
空间群(#36)Cmc21
晶格常数
Figure GDA00002003945300392
  a   b   C
  8.8717   5.4909   4.8504
  位置   x   y   z
  Si/Al   8(b)   0.1767   0.1511   0.0515
  N   8(b)   0.2191   0.1228   0.3967
  O   4(a)   0   0.2127   0
表6激发·发射光谱的峰波长和强度
Figure GDA00002003945300401
比较例1：
使用实施例1中所述原料粉末，为获得不含M元素的纯的CaAlSiN3，称取氮化硅粉末、氮化铝粉末和氮化钙粉末以使得分别为34.088重量%、29.883重量%和36.029重量%，以与实施例1中相同的方法制备粉末。根据X-射线衍射的测定，证实所合成的粉末是CaAlSiN3。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，在570nm-700nm范围内没有观察到任何明显的发光峰。
实施例2-7：
制备具有其中部分或全部的Ca用Ba代替的组成的无机化合物作为实施例2-7。
除表1、2和3中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备无机化合物。根据X-射线衍射的测定，证实所合成粉末是具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如图4和5以及表6中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。顺便提及的是，由于发光亮度随Ba的添加量增加而降低，优选在Ba添加量小的范围内的组成。
实施例8-15：
制备具有其中部分或全部的Ca用Sr代替的组成的无机化合物作为实施例8-15。
除表1、2和3中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成粉末是具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如图6和7(实施例8-11)、图8和9(实施例12-15)以及表6中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。顺便提及的是，发光亮度随Sr的添加量增加而降低，但是与仅仅添加Ca相比发光峰的波长移至较短波长一侧。因此，在希望得到于600nm-650nm范围内具有峰波长的荧光体的情况下，有效的是用Sr替换部分Ca。
实施例16-25：
制备具有其中部分或全部的Ca用Mg代替的组成的无机化合物作为实施例16-25。
除表1、2和3中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成粉末是具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如图10和11以及表6中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。顺便提及的是，由于发光亮度随Mg的添加量增加而降低，优选在Mg添加量小的范围内的组成。
实施例26-30：
制备具有其中部分的N用O代替的组成的无机化合物作为实施例26-30。在这种情况下，由于N和O之间的价数不同，简单的替换无法导致总电荷的中性。因此，研究组成：Ca6Si6-xAl6+xOxN18-x(0＜x≤3)，它是其中用Al-O代替Si-N的组成。
除表7和8所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成粉末是具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如图12和13中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。顺便提及的是，由于发光亮度随氧的添加量增加而降低，优选在氧添加量小的范围内的组成。
表7设计组成的参数
Figure GDA00002003945300421
表8混合组成(重量%)
  实施例   Si3N4   AlN   Al2O3   Ca3N2   EuN
  26   31.02   30.489   2.05   35.48   0.961
  27   28.184   31.297   4.097   35.461   0.96
  28   25.352   32.103   6.143   35.442   0.96
  29   22.523   32.908   8.186   35.423   0.959
  30   16.874   34.517   12.266   35.385   0.958
实施例31-37：
使用与实施例1中相同的原料粉末，为得到无机化合物(表9中显示的原料粉末的混合组成和表10中的组成参数)，称取氮化硅粉末、氮化铝粉末和氮化钙和氮化铕粉末，接着通过玛瑙研钵和研杵混合30分钟。其后，用模具通过施加20MPa的压力来模压所得到的混合物以形成直径12mm和厚度5mm的模制品。就此而言，粉末的称重、混合和成型的相应步骤都在能够维持湿气含量为1ppm或更小以及氧含量为1ppm或更小的氮气氛的手套箱中进行。
将所述模制品放在氮化硼制成的坩埚中并放在石墨电阻加热型电炉中。如下进行焙烧操作：首先通过扩散泵将焙烧气氛抽真空，以每小时500℃的速率从室温加热至800℃，在800℃下通过引入纯度为99.999体积%的氮气而加压至1MPa，以每小时500℃的速率升高温度至1800℃并在1800℃下保持2小时。
焙烧后，作为所得到的烧结块的构成结晶相的识别结果，判断其为CaAlSiN3族结晶相。作为所述粉末用发射具有365nm波长的光的灯照射的结果，证实其发射红色光。当用荧光分光光度计测量所述粉末的激发光谱和发射光谱时，如表11所示，证实它是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。顺便提及的是，由于这些实施例中的测量采用与其他实施例中所用的不同的设备来进行，仅仅在实施例31-37的范围内可以比较其计数值。
表9原料粉末的混合组成(单位：重量%)
  Si3N4   AlN   Ca3N2   EuN
  实施例31   34.07348   29.870475   35.995571   0.060475
  实施例32   34.059016   29.857795   35.962291   0.120898
  实施例33   34.030124   29.832467   35.895818   0.241591
  实施例34   33.518333   29.383806   34.718285   2.379577
  实施例35   33.185606   29.092121   33.952744   3.769529
  实施例36   32.434351   28.433534   32.224251   6.907864
  实施例37   31.418284   27.542801   29.886478   11.152437
表10设计组成的参数
  a(Eu)   b(Ca)   c(Si)   d(Al)   e(N)
  实施例31   0.0005   0.9995   1   1   3
  实施例32   0.001   0.999   1   1   3
  实施例33   0.002   0.998   1   1   3
  实施例34   0.02   0.98   1   1   3
  实施例35   0.032   0.968   1   1   3
  实施例36   0.06   0.94   1   1   3
  实施例37   0.1   0.9   1   1   3
表11基于荧光测量的激发和发射光谱的峰波长和强度
Figure GDA00002003945300441
实施例38-56和60-76：
制备无机化合物作为实施例38-56和60-76，该化合物具有其中改变了EuaCabSicAldNe组成中的c、d和e参数的组成。除表12和13中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成的粉末是包含具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物的粉末。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如表14中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。
表12设计组成的参数
  实施例   a值(Eu)   b值(Ca)   c值(Si)   d值(Al)   e值(N)
  38   0.002   0.998   1   1   3
  39   0.004   0.996   1   1   3
  40   0.008   0.992   1   1   3
  41   0.01   0.99   1   1   3
  42   0.06   0.94   1   1   3
  43   0.2   0.8   1   1   3
  44   0.0107   0.9893   1   2   3
  45   0.0133   0.9867   1   3   3
  46   0.016   0.984   1   4   3
  47   0.0187   0.9813   1   5   3
  48   0.0213   0.9787   1   6   3
  49   0.0107   0.9893   2   1   3
  50   0.0133   0.9867   2   2   3
  51   0.016   0.984   2   3   3
  52   0.0187   0.9813   2   4   3
  53   0.0213   0.9787   2   5   3
  54   0.024   0.976   2   6   3
  55   0.0133   0.9867   3   1   3
  56   0.016   0.984   4   1   3
  60   0.016   0.984   3   2   3
  61   0.019   0.981   3   3   3
  62   0.013   2.987   1   1   3
  63   0.013   1.987   2   1   3
  64   0.016   2.984   2   1   3
  65   0.016   1.984   3   1   3
  66   0.019   2.981   3   1   3
  67   0.013   1.987   1   2   3
  68   0.016   2.984   1   2   3
  69   0.019   2.981   2   2   3
  70   0.019   1.981   3   2   3
  71   0.021   2.979   3   2   3
  72   0.016   1.984   1   3   3
  73   0.019   2.981   1   3   3
  74   0.019   1.981   2   3   3
  75   0.021   2.979   2   3   3
  76   0.021   1.979   3   3   3
表13原料粉末的混合组成(单位：重量%)
  实施例   Si3N4   AlN   Ca3N2   EuN
  38   34.01   29.81   35.94   0.24
  39   33.925   29.74   35.855   0.48
  40   33.765   29.595   35.68   0.96
  41   33.685   29.525   35.595   1.195
  42   31.785   27.86   33.59   6.77
  43   27.45   24.06   29.01   19.485
  44   25.99   45.56   27.465   0.985
  45   21.125   55.55   22.325   1
  46   17.795   62.39   18.805   1.01
  47   15.37   67.365   16.245   1.02
  48   13.53   71.15   14.295   1.025
  49   50.365   22.07   26.61   0.955
  50   41.175   36.09   21.755   0.975
  51   34.825   45.785   18.4   0.99
  52   30.17   52.89   15.94   1
  53   26.615   58.32   14.06   1.01
  54   23.805   62.6   12.58   1.015
  55   60.235   17.6   21.22   0.95
  56   66.775   14.635   17.64   0.95
  60   51.135   29.88   18.015   0.97
  61   44.425   38.94   15.65   0.98
  62   19.63   17.205   62.235   0.93
  63   39.705   17.4   41.96   0.94
  64   32.765   14.36   51.94   0.93
  65   49.61   14.495   34.955   0.94
  66   42.175   12.325   44.57   0.93
  67   20.35   35.675   43.01   0.965
  68   16.72   29.315   53.015   0.95
  69   28.615   25.08   45.36   0.95
  70   43.27   25.285   30.485   0.955
  71   37.505   21.915   39.635   0.945
  72   17.24   45.34   36.44   0.98
  73   14.565   38.295   46.175   0.965
  74   29.37   38.615   31.04   0.975
  75   25.395   33.39   40.255   0.96
  76   38.37   33.63   27.03   0.97
表14基于荧光测量的激发和发射光谱的峰波长和强度
Figure GDA00002003945300471
实施例77-84：
制备无机化合物作为实施例77-84，该化合物具有其中改变了EuaCabDcEdXe组成中的D、E和X元素的组成。
除表15和16中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成的粉末是包含具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物的粉末。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如表17中所示，证实它们是用350nm-600nm的紫外线或可见光激发的在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体。
表15设计组成的参数
Figure GDA00002003945300481
表16原料粉末的混合组成(单位：重量%)
Figure GDA00002003945300482
表17基于荧光测量的激发和发射光谱的峰波长和强度
Figure GDA00002003945300491
实施例85-92：
制备无机化合物作为实施例85-92，该化合物具有其中改变了MaCabSicAld(N,O)e组成中的M元素的组成。
除表18和19中所示的组成以外，以与实施例1中相同的方法制备荧光体。根据X-射线衍射的测定，证实所合成的粉末是包含具有与CaAlSiN3相同晶体结构的无机化合物的粉末。当测量该合成的无机化合物的激发和发射光谱时，如表17中所示，证实除了实施例89的荧光体以外它们是在570nm-700nm范围内具有发光峰的红色荧光体，其用350nm-600nm的紫外线或可见光激发。在实施例89中，观察到具有550nm峰波长的发射。
Figure GDA00002003945300511
表20基于荧光测量的激发和发射光谱的峰波长和强度
Figure GDA00002003945300521
实施例101
作为原料粉末，使用Eu2O3粉末、由相对于氮和氧总摩尔数的氧摩尔数来表示的氧含量为9mol%的Ca3N2粉末、如上所述的氧含量为2mol%的Si3N4粉末和如上所述的氧含量为2mol%的AlN粉末。称取相应粉末以使得金属元素组成比例(摩尔比例)为Eu:Ca:Al:Si=0.008:0.992:1:1，以及将其混合得到原料混合粉末。在原料混合粉末中，由相对于氮和氧总摩尔数的氧摩尔数来表示的氧含量为5mol%。就此而言，所述Ca3N2粉末是使用仅包含所需氧浓度的待焙烧材料通过容许氧存在而得到的粉末，所述Si3N4粉末是使用仅包含所需氧浓度的待焙烧材料通过容许氧存在而得到的粉末，所述AlN粉末是使用仅包含所需氧浓度的待焙烧材料通过容许氧存在而得到的粉末。
将原料混合粉末在没有压缩下放在氮化硼制成的坩埚中以使得堆积密度为0.35g/cm3，以及用电炉在氧浓度10ppm或更小的非常纯的氮气氛围中于1.1atm氮气压力下在1600℃焙烧10小时。此时，焙烧时原料中氧的存在比例从各原料中的氧浓度和各原料的混合比例来计算是5mol%。
作为通过粉末X-射线衍射法对所得荧光体中形成的结晶相的识别结果，证实形成CaAlSiN3族结晶相。当使用荧光分光光度计测定该荧光体以465nm波长激发下的荧光性能时，在将市场上可购得的用Ce活化的钇铝石榴石基荧光体的峰强度视为100的情况下，所得到的荧光体显示的峰强度为128，表明高的发射强度，以及观察到具有652nm峰波长的红色光。此外，将20mg所得荧光体试样装入锡胶囊中，然后将其放在镍篮中。随后，当使用LECO制造的TC-436型氧和氮分析仪来分析该粉末试样中的氧和氮浓度时，在氮和氧的总数中，包含94mol%氮和6mol%氧。
实施例102
除了用EuF3而不是Eu2O3以外，以与实施例101中相同的方法得到荧光体粉末。在原料混合粉末中，由相对于氮和氧总摩尔数的氧摩尔数来表示的氧含量为5mol%。此外，焙烧时原料中氧的存在比例从各原料中的氧浓度和各原料的混合比例来计算是5mol%。
作为通过粉末X-射线衍射法对所得荧光体中形成的结晶相的识别结果，证实形成CaAlSiN3族结晶相。当使用荧光分光光度计测定该荧光体以465nm波长激发下的荧光性能时，在将市场上可购得的用Ce活化的钇铝石榴石基荧光体的峰强度视为100的情况下，所得到的荧光体显示的峰强度为114，表明高的发射强度，以及观察到具有650nm峰波长的红色光。此外，将20mg该荧光体试样装入锡胶囊中，然后将其放在镍篮中。随后，当使用LECO制造的TC-436型氧和氮分析仪来分析该粉末试样中的氧和氮浓度时，在氮和氧的总数中，包含95mol%氮和5mol%氧。
实施例103
除了用EuN而不是Eu2O3以及将焙烧时间改为2小时以外，以与实施例101中相同的方法得到荧光体粉末。在原料混合粉末中，由相对于氮和氧总摩尔数的氧摩尔数来表示的氧含量为5mol%。此外，焙烧时原料中氧的存在比例从各原料中的氧浓度和各原料的混合比例来计算是5mol%。
作为通过粉末X-射线衍射法对所得荧光体中形成的结晶相的识别结果，证实形成CaAlSiN3族结晶相。当使用荧光分光光度计测定该荧光体以465nm波长激发下的荧光性能时，在将市场上可购得的用Ce活化的钇铝石榴石基荧光体的峰强度视为100的情况下，所得到的荧光体显示的峰强度为112，表明高的发射强度，以及观察到具有649nm峰波长的红色光。此外，将20mg所得荧光体试样装入锡胶囊中，然后将其放在镍篮中。随后，当使用LECO制造的TC-436型氧和氮分析仪来分析该粉末试样中的氧和氮浓度时，在氮和氧的总数中，包含95mol%氮和5mol%氧。
实施例104
除了用EuN而不是Eu2O3、将氮气压力改为10atm以及将焙烧时间改为2小时以外，以与实施例101中相同的方法得到荧光体粉末。在原料混合粉末中，由相对于氮和氧总摩尔数的氧摩尔数来表示的氧含量为5mol%。此外，焙烧时原料中氧的存在比例从各原料中的氧浓度和各原料的混合比例来计算是5mol%。
作为通过粉末X-射线衍射法对所得荧光体中形成的结晶相的识别结果，证实形成CaAlSiN3族结晶相。当使用荧光分光光度计测定该荧光体以465nm波长激发下的荧光性能时，在将市场上可购得的用Ce活化的钇铝石榴石基荧光体的峰强度视为100的情况下，所得到的荧光体显示的峰强度为109，表明高的发射强度，以及观察到具有650nm峰波长的红色光。此外，将20mg该荧光体试样装入锡胶囊中，然后将其放在镍篮中。随后，当使用LECO制造的TC-436型氧和氮分析仪来分析该粉末试样中的氧和氮浓度时，在氮和氧的总数中，包含95mol%氮和5mol%氧。
实施例101-104的结果概括于表A中。
Figure GDA00002003945300551
以下将说明使用包含本发明氮化物的荧光体的照明装置。图14显示作为照明装置的白光LED的结构示意图。采用450nm的蓝光LED 2作为发光元件，将本发明实施例1的荧光体和具有组成Ca0.75Eu0.25Si8.625Al3.375O1.125N14.875的Ca-α塞隆：Eu黄色荧光体分散在树脂层中以形成用所得到的树脂层覆盖所述蓝光LED 2的结构。当使电流通过导电端子时，LED 2发出450nm的光以及用该光使所述黄色荧光体和红色荧光体激发而发射黄色和红色光，由此将LED的光与该黄色和红色光混合以用作发射灯色(lamp-colored)光的照明装置。
可以展示通过与上述组合不同的组合设计而制成的照明装置。首先，采用380nm的紫外LED作为发光元件，将本发明实施例1的荧光体，蓝色荧光体(BaMgAl10O17：Eu)和绿色荧光体(BaMgAl10O17：Eu，Mn)分散在树脂层中以形成用所得到的树脂层覆盖所述紫外LED的结构。当使电流通过导电端子时，该LED发出380nm的光以及用该光使所述红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体激发而发射红色、绿色和蓝色光，由此将这些光混合以用作发射白色光的照明装置。
可以展示通过与上述组合不同的组合设计而制成的照明装置。首先，采用450nm的蓝色LED作为发光元件，将本发明实施例1的荧光体和绿色荧光体(BaMgAl10O17：Eu，Mn)分散在树脂层中以形成用所得到的树脂层覆盖所述紫外LED的结构。当使电流通过导电端子时，该LED发出450nm的光以及用该光使所述红色荧光体和绿色荧光体激发而发射红色和绿色光，由此将LED的蓝色光与该绿色和红色光混合以用作发射白色光的照明装置。
以下将说明使用本发明荧光体的图像显示装置的设计实例。图15是作为图像显示装置的等离子显示板的原理示意图。分别在单元11、12和13的内表面上施加本发明实施例1的红色荧光体、绿色荧光体(Zn2SiO4：Mn)和蓝色荧光体(BaMgAl10O17：Eu)。当使电流通过电极14、15、16和17时，通过Xe放电在所述单元中产生真空紫外线，由此激发所述荧光体以发射红色、绿色和蓝色可见光。经过保护层20、介电层19和玻璃基底22从外侧观察到所述光线，由此该装置可用作图像显示器。
虽然已经详细地以及参照其具体实施方式描述了本发明，对于本领域技术人员显而易见的是在不背离本发明精神和范围的情况下可以进行多种变化和改动。
本申请基于2003年11月26日提交的日本专利申请No.2003-394855、2004年2月18日提交的日本专利申请No.2004-41503、2004年5月25日提交的日本专利申请No.2004-154548和2004年5月28日提交的日本专利申请No.2004-159306，其内容通过引用并入本文。
工业实用性
本发明的氮化物荧光体显示在与常规塞隆和氧氮化物荧光体相比长的波长下发光，以及作为红色荧光体是优异的。此外，由于当所述荧光体暴露于激发源下时其亮度降低小，它是适合用于VFD、FED、PDP、CRT、白光LED等的氮化物荧光体。今后，预期该荧光体可广泛用于多种显示装置的材料设计中以及因此有助于工业发展。

Claims (10)

1.一种荧光体，其包含无机化合物，该无机化合物的组成至少包含M元素、A元素、D元素、E元素、和X元素，其中M元素是Eu，A元素是Ca及Sr，D元素是Si，E元素是Al，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素，且至少含有N，以及该无机化合物具有与CaAlSiN3相同的晶体结构，
其通过用激发源照射而发射在570nm-700nm的波长范围中具有峰的荧光。
2.权利要求1的荧光体，其中，所述荧光为红色。
3.权利要求1的荧光体，其由组成式MaAbDcEdXe表示，其中a+b=1，且参数a、c、d和e满足以下所有条件：
0.00001≤a≤0.1………………………………(i)
0.5≤c≤1.8………………………………………(ii)
0.5≤d≤1.8………………………………………(iii)
0.8×(2/3+4/3×c+d)≤e……………………(iv)
e≤1.2×(2/3+4/3×c+d)……………………(v)。
4.权利要求1的荧光体，其中包含在所述无机化合物中的Ca和Sr的原子数满足0.02≤(Ca原子数)/{(Ca原子数)+(Sr原子数)}＜1。
5.权利要求1或2的荧光体，其至少在X中包含N和O。
6.权利要求1或2的荧光体，其中在用激发源照射下发光的颜色作为CIE色度坐标上(x，y)的值满足下列条件：
0.45≤x≤0.7。
7.一种由发光光源和荧光体构成的照明装置，其中至少使用权利要求1或2的荧光体。
8.权利要求7的照明装置，其中所述发光光源是发射具有330-500nm波长的光的LED。
9.一种由激发源和荧光体构成的图像显示装置，其中至少使用权利要求1或2的荧光体。
10.权利要求9的图像显示装置，其中所述激发源是发射具有330-500nm波长的光的LED。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110055061A (zh) * 2019-05-06 2019-07-26 北京科技大学 一种红色长余辉氮化物发光材料及其制备方法

Families Citing this family (299)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4568894B2 (ja) 2003-11-28 2010-10-27 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 複合導体および超電導機器システム
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP5016187B2 (ja) * 2004-07-14 2012-09-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
US7830472B2 (en) * 2004-04-26 2010-11-09 Mitsubishi Chemical Corporation Blue color composition for color filter, color filter, and color image display device
JP4128564B2 (ja) * 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7391060B2 (en) 2004-04-27 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ
JP4491585B2 (ja) 2004-05-28 2010-06-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属ペーストの製造方法
JP4414821B2 (ja) 2004-06-25 2010-02-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
JP2006019409A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
JP4565141B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP5226929B2 (ja) 2004-06-30 2013-07-03 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
EP1780592A4 (en) 2004-06-30 2014-07-09 Mitsubishi Chem Corp LIGHT-EMITTING COMPONENT, BACKLIGHT UNIT, DISPLAY UNIT AND DISPLAY UNIT
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4422653B2 (ja) 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
CN101023150B (zh) * 2004-07-28 2012-05-16 同和电子科技有限公司 荧光体及其制造方法以及光源
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP4933739B2 (ja) * 2004-08-02 2012-05-16 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP2006063214A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
JP4729278B2 (ja) * 2004-08-30 2011-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4356563B2 (ja) * 2004-08-31 2009-11-04 昭栄化学工業株式会社 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
JP4543253B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US8148886B2 (en) * 2005-01-31 2012-04-03 Ube Industries, Ltd. Red nitride phosphor and production method thereof
DE602006009768D1 (de) * 2005-02-21 2009-11-26 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit strahlenquelle und lumineszierendem material
JP4892193B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
JP5145934B2 (ja) * 2005-03-04 2013-02-20 三菱化学株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US8269410B2 (en) 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
DE602006015175D1 (de) 2005-03-22 2010-08-12 Nat Inst For Materials Science Leuchtstoff und herstellungsverfahren dafür
KR100987086B1 (ko) 2005-03-22 2010-10-11 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법 및 발광 기구
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
KR101471883B1 (ko) 2005-04-01 2014-12-12 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 무기 기능재 원료용 합금 분말 및 형광체
WO2006117984A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nichia Corporation 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4892861B2 (ja) * 2005-04-27 2012-03-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP5066786B2 (ja) * 2005-04-27 2012-11-07 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4975269B2 (ja) 2005-04-28 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
US8003011B2 (en) 2005-05-12 2011-08-23 National Institute For Materials Science β type sialon fluorescent substance
EP1887067B1 (en) * 2005-05-24 2014-04-16 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
KR101118459B1 (ko) 2005-07-01 2012-04-12 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법 및 조명 기구
JP4794235B2 (ja) * 2005-08-02 2011-10-19 シャープ株式会社 発光装置
US7262439B2 (en) 2005-11-22 2007-08-28 Lumination Llc Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications
US7859182B2 (en) 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor
JP4832995B2 (ja) * 2005-09-01 2011-12-07 シャープ株式会社 発光装置
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
EP1929502A4 (en) * 2005-09-30 2010-03-24 Univ California CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
US8159126B2 (en) * 2005-11-07 2012-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material
JP2011091414A (ja) * 2005-11-30 2011-05-06 Sharp Corp 発光装置
JP4769132B2 (ja) * 2005-11-30 2011-09-07 シャープ株式会社 発光装置
DE602006021342D1 (de) 2005-12-08 2011-05-26 Nat Inst For Materials Science Leuchtstoff, herstellungsverfahren dafür sowie lumineszenzvorrichtung
JP5206941B2 (ja) 2005-12-08 2013-06-12 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP5234781B2 (ja) 2006-02-24 2013-07-10 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
EP1990396A4 (en) * 2006-02-28 2011-05-11 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOROLE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING AN ALLOY FOR PHOSPHOROUS RAW MATERIAL
WO2007105631A1 (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体および発光装置
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP5403134B2 (ja) * 2006-03-27 2014-01-29 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP5239182B2 (ja) * 2006-03-27 2013-07-17 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを使用した発光装置
TW200807104A (en) 2006-04-19 2008-02-01 Mitsubishi Chem Corp Color image display device
US8123980B2 (en) * 2006-05-19 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Nitrogen-containing alloy and method for producing phosphor using same
JP4805026B2 (ja) * 2006-05-29 2011-11-02 シャープ株式会社 発光装置、表示装置及び発光装置の制御方法
JP4911578B2 (ja) 2006-06-06 2012-04-04 シャープ株式会社 酸窒化物蛍光体および発光装置
JP5431636B2 (ja) * 2006-07-14 2014-03-05 株式会社小糸製作所 車両用標識灯
JP2008050496A (ja) 2006-08-25 2008-03-06 Sony Corp 発光組成物、光源装置、及び表示装置
JP5227503B2 (ja) * 2006-09-29 2013-07-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体、蛍光体シート及び蛍光体の製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
DE102006051756A1 (de) 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Lichtquelle
DE102006051757A1 (de) * 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Leuchtstoffe
JP4785711B2 (ja) * 2006-11-14 2011-10-05 シャープ株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5594924B2 (ja) * 2006-11-22 2014-09-24 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、照明装置、及び蛍光体の製造方法
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
JP2008163078A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Stanley Electric Co Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
KR100946015B1 (ko) * 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈
WO2008084848A1 (ja) 2007-01-12 2008-07-17 National Institute For Materials Science 蛍光体、その製造方法および発光器具
JP5412710B2 (ja) * 2007-01-31 2014-02-12 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体又は酸窒化物系蛍光体
RU2459855C2 (ru) 2007-02-06 2012-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Люминесцентные материалы красного свечения
DE102007018099A1 (de) 2007-04-17 2008-10-23 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
EP2135920B1 (en) 2007-04-18 2016-12-21 Mitsubishi Chemical Corporation Process for producing inorganic compound, fluorescent material, fluorescent-material-containing composition, luminescent device, illuminator, and image display
CN101663371B (zh) 2007-04-20 2013-02-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有改进的颜色稳定性的白色发光光源和发光材料
JP2008283155A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sharp Corp 発光装置、照明機器および液晶表示装置
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
JP5463495B2 (ja) * 2007-05-18 2014-04-09 三星電子株式会社 蛍光体の製造方法及び発光装置
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP5105353B2 (ja) * 2007-07-27 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 複合窒化物蛍光体
JP5200741B2 (ja) * 2007-08-01 2013-06-05 三菱化学株式会社 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料
EP2180031A4 (en) 2007-08-01 2011-05-25 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHORUS AND METHOD OF PREPARATION THEREOF, CRYSTALLINE SILICONIUM NITRIDE AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF, PHOSPHORUS COMPOSITION, LIGHT-EMITTING COMPONENT WITH THE PHOSPHORIC, IMAGE DISPLAY DEVICE AND LIGHTING APPARATUS
JP5578597B2 (ja) 2007-09-03 2014-08-27 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP5395342B2 (ja) * 2007-09-18 2014-01-22 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
JP2009081187A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
EP2225347A1 (en) * 2007-12-19 2010-09-08 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Red emitting sia1on-based material
JP2009215336A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置
JP5111181B2 (ja) * 2008-03-19 2012-12-26 根本特殊化学株式会社 蛍光体および発光装置
US8038497B2 (en) 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
US20090283721A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Intematix Corporation Nitride-based red phosphors
US8274215B2 (en) * 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
TW201006913A (en) * 2008-08-08 2010-02-16 Kangnung Nat University Industry Academy Cooperation Group Red phosphor and forming method thereof for use in solid state lighting
JP4869317B2 (ja) * 2008-10-29 2012-02-08 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
US8287759B2 (en) * 2009-05-15 2012-10-16 Cree, Inc. Luminescent particles, methods and light emitting devices including the same
US9464225B2 (en) * 2008-11-17 2016-10-11 Cree, Inc. Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same
US9428688B2 (en) * 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
JP5641384B2 (ja) 2008-11-28 2014-12-17 独立行政法人物質・材料研究機構 表示装置用照明装置及び表示装置
KR20100068078A (ko) * 2008-12-12 2010-06-22 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US8007686B2 (en) * 2008-12-29 2011-08-30 Korea Institute Of Energy Research Nitride red phosphors and white light emitting diode using rare-earth-co-doped nitride red phosphors
DE102009010705A1 (de) * 2009-02-27 2010-09-02 Merck Patent Gmbh Co-dotierte 2-5-8 Nitride
US20120019127A1 (en) * 2009-03-26 2012-01-26 Naoto Hirosaki Phosphor, method for producing same, light-emitting device, and image display apparatus
KR20120039631A (ko) 2009-06-16 2012-04-25 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 옥시플루오라이드 형광체들 및 옥시플루오라이드 형광체를 포함하는 고체 조명 제품용 백색 발광 다이오드들
CN102473815B (zh) 2009-07-02 2015-04-29 夏普株式会社 发光装置
JP2009256681A (ja) * 2009-07-21 2009-11-05 Dowa Electronics Materials Co Ltd 白色ｌｅｄ
DE102009037730A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
CN102405538A (zh) 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
JP4415065B1 (ja) * 2009-10-15 2010-02-17 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びその発光波長のシフト方法、並びに光源およびｌｅｄ
JP2013509483A (ja) 2009-10-30 2013-03-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 酸化フッ化物に基づく固溶体蛍光体および固体白色光用途のために蛍光体を含む白色発光ダイオード
CN102666373A (zh) 2009-11-12 2012-09-12 太平洋水泥株式会社 碱金属氮化物或碱土金属氮化物的制造方法
JP4991834B2 (ja) * 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
DE102009055185A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff
JP5651493B2 (ja) * 2010-02-08 2015-01-14 太平洋セメント株式会社 多種アルカリ土類金属窒化物複合体の製造方法
JP5232815B2 (ja) * 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5190475B2 (ja) * 2010-02-19 2013-04-24 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
EP2540798A4 (en) 2010-02-26 2014-04-30 Mitsubishi Chem Corp Halophosphate Phosphorus and White Light Output Device
JP4930649B1 (ja) 2011-02-25 2012-05-16 三菱化学株式会社 ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
JP5791034B2 (ja) 2010-02-26 2015-10-07 国立研究開発法人物質・材料研究機構 発光装置
US9991427B2 (en) 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP5059208B2 (ja) * 2010-04-07 2012-10-24 シャープ株式会社 照明装置および車両用前照灯
CN101805610B (zh) * 2010-04-07 2013-08-28 江苏博睿光电有限公司 一种led氮化物荧光粉及其制备方法
KR101484068B1 (ko) 2010-05-14 2015-01-19 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 옥시카본나이트라이드 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들
US8512599B2 (en) 2010-05-14 2013-08-20 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride based phosphors and light emitting devices using the same
US8733996B2 (en) 2010-05-17 2014-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp
JP2012060097A (ja) 2010-06-25 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
JP2010265463A (ja) * 2010-07-06 2010-11-25 Dowa Electronics Materials Co Ltd 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
CN101864309B (zh) * 2010-07-16 2013-06-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于蓝光激发的氮氧化物荧光粉及其制备方法
CN101958316B (zh) 2010-07-20 2013-01-16 上海亚明灯泡厂有限公司 Led集成封装光源模块
US20120019126A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 General Electric Company Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument
JP5783512B2 (ja) 2010-07-26 2015-09-24 シャープ株式会社 発光装置
KR20130098322A (ko) 2010-08-04 2013-09-04 우베 고산 가부시키가이샤 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
JP4825923B2 (ja) * 2010-08-18 2011-11-30 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
WO2012026592A1 (ja) 2010-08-27 2012-03-01 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、照明器具および画像表示装置
JP5273108B2 (ja) * 2010-09-06 2013-08-28 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
CN101921592B (zh) * 2010-09-09 2012-12-26 江苏博睿光电有限公司 一种白光led红色荧光粉及其制造方法
JP5779651B2 (ja) 2010-09-10 2015-09-16 ライトスケープ マテリアルズ インコーポレイテッド ケイ素カルビドニトリドベースの蛍光体およびこれを使用する発光素子
TWI393763B (zh) * 2010-10-15 2013-04-21 Chi Mei Corp A phosphor and a light emitting device
CN102443391B (zh) 2010-09-30 2014-07-16 奇美实业股份有限公司 控制烧成的荧光体结构成分比例的方法、荧光体及发光装置
TWI393764B (zh) * 2010-10-15 2013-04-21 Chi Mei Corp A phosphor and a light emitting device
CN102453484B (zh) * 2010-10-15 2015-03-25 奇美实业股份有限公司 荧光体及发光装置
JP5849961B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-03 三菱化学株式会社 共沈原料を用いた窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体、及びその原料
CN102082226B (zh) * 2010-10-21 2012-09-05 罗维鸿 用于自然光led及其荧光粉
CN102453485A (zh) * 2010-10-27 2012-05-16 奇美实业股份有限公司 荧光体及发光装置
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
CN108456516A (zh) * 2010-11-09 2018-08-28 奇美实业股份有限公司 荧光体的制造方法
JP5331089B2 (ja) * 2010-11-15 2013-10-30 シャープ株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5917482B2 (ja) * 2010-11-25 2016-05-18 シャープ株式会社 植物栽培用ｌｅｄ光源
CN103314072A (zh) 2010-12-01 2013-09-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 发射红光的发光材料
WO2012077042A1 (en) 2010-12-08 2012-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Orange to red emitting silicion- oxyntirde luminescent materials
CN102061171A (zh) * 2010-12-23 2011-05-18 烟台希尔德新材料有限公司 一种发光二极管用红色氮化物荧光粉及其制备方法
JP5676653B2 (ja) 2011-01-18 2015-02-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
TW201219543A (en) 2011-04-01 2012-05-16 Chi Mei Corp having the formula of Ii-Mm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr and providing the high luminance and durability
KR101290678B1 (ko) * 2011-04-15 2013-07-29 한국에너지기술연구원 알루미늄이 결핍된 α-ＳｉＡｌＯＮ계 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 ＬＥＤ 칩 패키지
JP5259770B2 (ja) * 2011-05-02 2013-08-07 株式会社東芝 赤色蛍光体の製造方法
WO2012163417A1 (de) 2011-05-31 2012-12-06 Osram Ag Optoelektronisches halbleiterbauelement
US8906263B2 (en) * 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
EP2717337B1 (en) * 2011-06-03 2018-02-21 Citizen Electronics Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, exhibit irradiation illumination device, meat irradiation illumination device, vegetable irradiation illumination device, fresh fish irradiation illumination device, general-use illumination device, and semiconductor light-emitting system
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
TWI421328B (zh) * 2011-09-06 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 螢光材料與白光發光裝置
DE102011115879A1 (de) * 2011-10-12 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe
CN103045256B (zh) 2011-10-17 2014-08-27 有研稀土新材料股份有限公司 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
KR101626229B1 (ko) 2011-11-07 2016-05-31 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 형광체, 그 제조 방법, 발광 장치 및 화상 표시 장치
JP5851214B2 (ja) * 2011-11-16 2016-02-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP2015507318A (ja) * 2011-12-12 2015-03-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ プラズマディスプレイパネル及びガス放電ランプ用の赤色発光蛍光体
US9017574B2 (en) 2011-12-19 2015-04-28 Lightscape Materials, Inc. Carbidonitride phosphors and LED lighting devices using the same
WO2013102222A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Intematix Corporation Nitride phosphors with interstitial cations for charge balance
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP2013142134A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体及び発光装置
JP5912580B2 (ja) * 2012-01-27 2016-04-27 デンカ株式会社 蛍光体、その製造方法及びその用途
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
CN103843163A (zh) 2012-03-30 2014-06-04 三菱化学株式会社 半导体发光装置和照明装置
CN102660284B (zh) * 2012-04-18 2013-11-27 烟台建塬光电技术有限公司 一种led用氮化物红色荧光粉的制造方法
WO2013157524A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 株式会社カネカ 蛍光体及びその製造方法
JP5713305B2 (ja) 2012-05-31 2015-05-07 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
CN104080886B (zh) 2012-06-27 2017-05-24 国立研究开发法人物质·材料研究机构 荧光体及其制备方法、发光装置及图像显示装置
JP2012207228A (ja) * 2012-07-09 2012-10-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
US20140015400A1 (en) * 2012-07-13 2014-01-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Phosphor and light emitting devices comprising same
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
KR101688337B1 (ko) 2012-07-25 2016-12-20 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 형광체 및 그 제조 방법, 형광체를 사용한 발광 장치, 화상 표시 장치, 안료 및 자외선 흡수제
DE102012213373A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement
DE102012213371A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, zugehöriger Leuchtstoff und zugehöriges optoelektronisches Bauelement
JP5578739B2 (ja) 2012-07-30 2014-08-27 住友金属鉱山株式会社 アルカリ土類金属シリケート蛍光体及びその製造方法
US20140062287A1 (en) * 2012-08-29 2014-03-06 Lightscape Materials, Inc. Oxycarbidonitride phosphor and devices using same
US8815121B2 (en) 2012-08-31 2014-08-26 Lightscape Materials, Inc. Halogenated oxycarbidonitride phosphor and devices using same
JP6068914B2 (ja) 2012-10-09 2017-01-25 デンカ株式会社 蛍光体の製造方法
CN102911662B (zh) * 2012-10-24 2015-05-20 江苏博睿光电有限公司 一种氮化物荧光粉及其制备方法
EP2933660A4 (en) * 2012-12-12 2016-07-27 Tokuyama Corp NEUTRON SCINTILLATOR, NEUTRON DETECTION METHOD, AND NEUTRON DETECTOR
CN102994079A (zh) 2012-12-21 2013-03-27 北京有色金属研究总院 氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件
EP2966148A4 (en) * 2013-03-08 2016-11-30 Ube Industries PROCESS FOR PRODUCING NITRIDED LUMINOPHORE, SILICON NITRIDE POWDER FOR NITRIDED LUMINOPHORE AND NITRIDED LUMINOPHORE
US9219202B2 (en) * 2013-04-19 2015-12-22 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
WO2014175385A1 (ja) 2013-04-25 2014-10-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6102763B2 (ja) 2013-04-26 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
WO2014185415A1 (ja) 2013-05-14 2014-11-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
EP2803715B1 (en) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
DE102013105056A1 (de) 2013-05-16 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement
JP6094377B2 (ja) * 2013-05-21 2017-03-15 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置
CN104178142A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 锰掺杂碱土氮铝硅盐发光薄膜、制备方法及其应用
CN103320130B (zh) * 2013-06-21 2018-08-14 北京有色金属研究总院 氮化物荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置
WO2015001860A1 (ja) * 2013-07-03 2015-01-08 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
CN105914287B (zh) 2013-10-08 2019-02-26 欧司朗光电半导体有限公司 发光材料、用于制造发光材料的方法和发光材料的应用
JP6169468B2 (ja) * 2013-10-09 2017-07-26 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 蛍光体
CN104673287A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 一种长波长高亮度氮化物红色荧光粉及其制备方法
JP6287268B2 (ja) * 2014-01-29 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6528418B2 (ja) 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2015196708A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置
DE102014107972B9 (de) 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
JP6354325B2 (ja) * 2014-05-21 2018-07-11 宇部興産株式会社 窒化物蛍光体粉末の製造方法、および顔料の製造方法
JP6323177B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6405738B2 (ja) * 2014-06-19 2018-10-17 三菱ケミカル株式会社 発光装置
CN104017579B (zh) * 2014-06-19 2015-09-23 江苏博睿光电有限公司 一种led红色荧光粉及其制备方法
JP6406109B2 (ja) 2014-07-08 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法
WO2016021705A1 (ja) 2014-08-07 2016-02-11 三菱化学株式会社 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置
US9200198B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic phosphor and light emitting devices comprising same
US9315725B2 (en) 2014-08-28 2016-04-19 Lightscape Materials, Inc. Method of making EU2+ activated inorganic red phosphor
US9200199B1 (en) 2014-08-28 2015-12-01 Lightscape Materials, Inc. Inorganic red phosphor and lighting devices comprising same
DE112015005609B4 (de) 2014-12-16 2024-04-25 Denka Company Limited Leuchtstoff, lichtemittierendes element und lichtemittierende vorrichtung
JP6401047B2 (ja) * 2014-12-25 2018-10-03 京セラ株式会社 光合成促進光源
KR20160081091A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 일진엘이디(주) 형광체 혼합체 및 이를 포함하는 백색 발광소자
JP6519824B2 (ja) * 2015-05-15 2019-05-29 国立研究開発法人物質・材料研究機構 発光器具および画像表示装置
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
DE102016115924B4 (de) 2015-08-28 2024-07-04 Koito Manufacturing Co., Ltd. Leuchtstoff
EP3135746B1 (en) 2015-08-28 2019-05-29 Nichia Corporation Method for producing nitride fluorescent material
JP6856890B2 (ja) 2015-08-28 2021-04-14 株式会社小糸製作所 蛍光体
JP6202154B2 (ja) 2015-08-28 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
JP6620022B2 (ja) 2016-01-15 2019-12-11 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
CN105623657B (zh) * 2016-01-29 2017-04-26 江苏博睿光电有限公司 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件
CN105623658B (zh) * 2016-01-29 2017-04-12 江苏博睿光电有限公司 一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件
CN107200587B (zh) * 2016-03-18 2020-10-20 深圳光峰科技股份有限公司 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
CN107200588B (zh) * 2016-03-18 2020-10-20 深圳光峰科技股份有限公司 一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
WO2017170453A1 (ja) 2016-03-28 2017-10-05 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
CN107285745B (zh) * 2016-04-12 2020-11-17 深圳光峰科技股份有限公司 一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
CN108138045B (zh) 2016-07-04 2022-04-26 松下知识产权经营株式会社 荧光体以及发光装置
WO2018008284A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プロジェクター装置
WO2018008282A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
EP3480903B1 (en) 2016-07-04 2020-09-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Fiber light source, endoscope, and endoscope system
WO2018008281A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
JP6206696B1 (ja) 2016-07-04 2017-10-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
CN105950144B (zh) * 2016-07-08 2017-12-08 福建江夏学院 一种Dy3+、Eu3+掺杂的TiAlON荧光材料及其制备方法
JP6583201B2 (ja) * 2016-09-29 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018065502A1 (en) 2016-10-06 2018-04-12 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
JP2020109850A (ja) * 2016-10-31 2020-07-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6669147B2 (ja) * 2016-10-31 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106520120B (zh) * 2016-11-08 2019-04-23 河北利福光电技术有限公司 一种led氮化物红色荧光粉及其制备方法
JP2020012010A (ja) * 2016-11-15 2020-01-23 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
WO2018143217A1 (ja) 2017-01-31 2018-08-09 三菱ケミカル株式会社 ガドリニウム酸硫化物焼結体、並びにガドリニウム酸硫化物焼結体を含むシンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、及び放射線検査装置
JP7141047B2 (ja) 2017-02-28 2022-09-22 株式会社小糸製作所 蛍光体
DE102017104135A1 (de) 2017-02-28 2018-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6902368B2 (ja) * 2017-03-15 2021-07-14 デンカ株式会社 赤色蛍光体の製造方法
EP3637158A4 (en) * 2017-06-06 2020-06-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. WAVELENGTH CONVERTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE WAVELENGTH CONVERTER
JP7042457B2 (ja) 2017-06-06 2022-03-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
JP6997799B6 (ja) * 2017-09-30 2022-06-07 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 窒化物蛍光物質および当該蛍光物質を含む発光装置
WO2019073864A1 (ja) 2017-10-10 2019-04-18 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
JP7310977B2 (ja) * 2017-10-25 2023-07-19 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP7155507B2 (ja) * 2017-10-25 2022-10-19 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP7108841B2 (ja) 2017-12-08 2022-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
EP3728269B1 (en) 2017-12-19 2022-03-09 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
JP7022931B2 (ja) 2018-01-31 2022-02-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
US11485907B2 (en) * 2018-02-12 2022-11-01 Grirem Advanced Materials Co., Ltd. Nitride luminescent material and light emitting device comprising same
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device
JP7282745B2 (ja) * 2018-03-29 2023-05-29 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
JP7282757B2 (ja) 2018-05-18 2023-05-29 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
BR102018013644A2 (pt) 2018-07-03 2020-01-14 Bozel Brasil S A liga de cálcio, alumínio e silício, bem como processo para a produção da mesma
US11377594B2 (en) * 2018-09-12 2022-07-05 Denka Company Limited Phosphor and light-emitting device
KR102686650B1 (ko) 2018-09-12 2024-07-22 덴카 주식회사 형광체 및 발광 장치
DE102018128536A1 (de) 2018-11-14 2020-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselemente umfassend eine Infiltrationsmatrix
WO2020203053A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および電子機器
US11898080B2 (en) 2019-04-03 2024-02-13 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same and light emitting element
KR20210150450A (ko) 2019-04-09 2021-12-10 덴카 주식회사 질화물 형광체 및 발광 장치
JP7361346B2 (ja) * 2019-04-24 2023-10-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた医療システム、電子機器及び検査方法
JP6684412B1 (ja) 2019-06-27 2020-04-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光装置
US20230348780A1 (en) * 2020-03-30 2023-11-02 Denka Company Limited Phosphor powder, composite, light-emitting device, and method for producing phosphor powder
WO2022013116A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2022012810A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Merck Patent Gmbh Phosphor
WO2022090444A1 (en) 2020-11-02 2022-05-05 Merck Patent Gmbh Phosphor
US11993739B2 (en) 2021-03-30 2024-05-28 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for producing same
US20240240081A1 (en) 2021-05-21 2024-07-18 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device
KR20220164291A (ko) 2021-06-04 2022-12-13 이성원 운전자를 위한 시각장애인 인지용 led 신호등
CN113480311A (zh) * 2021-06-29 2021-10-08 南通大学 一种发射暖白光的Ce:YAG荧光陶瓷的制备方法
CN117940532A (zh) * 2021-09-08 2024-04-26 电化株式会社 荧光体粉末、及发光装置
WO2023037727A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 デンカ株式会社 蛍光体粉末、及び発光装置
EP4293732A4 (en) 2022-01-20 2024-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation PHOSPHOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND INDICATOR LIGHT FOR VEHICLES
EP4293733A4 (en) 2022-01-20 2024-04-17 Mitsubishi Chemical Corporation PHOSPHORUS, LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND VEHICLE DISPLAY LAMP
CN114752383B (zh) * 2022-03-31 2023-09-01 陕西师范大学 La2Ca3Si4N4O8晶体及荧光粉和制备方法

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2786034A (en) 1951-03-03 1957-03-19 Sylvania Electric Prod Calcium-strontium phosphate phosphors
US4266160A (en) 1979-06-22 1981-05-05 Gte Products Corporation Strontium-calcium fluorapatite phosphors and fluorescent lamp containing the same
US6949505B1 (en) 1991-03-11 2005-09-27 Curis, Inc. Morphogen-induced dendritic growth
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP3257942B2 (ja) * 1996-01-22 2002-02-18 化成オプトニクス株式会社 蓄光性蛍光体
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH1093143A (ja) 1996-09-18 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ駆動回路
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2001058820A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Sony Corp 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP3726131B2 (ja) * 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
JP3668770B2 (ja) * 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP4214768B2 (ja) 2002-11-29 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
SG185827A1 (en) * 2002-03-22 2012-12-28 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP4218328B2 (ja) 2002-11-29 2009-02-04 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
JP4009828B2 (ja) * 2002-03-22 2007-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4207489B2 (ja) * 2002-08-06 2009-01-14 株式会社豊田中央研究所 α−サイアロン蛍光体
CN1175081C (zh) 2002-08-13 2004-11-10 北京大学 紫光发光二极管激发的三基色荧光粉和合成方法
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
WO2004021461A2 (en) 2002-08-30 2004-03-11 Gelcore Llc Phosphor-coated led with improved efficiency
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
JP4415547B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP2004277663A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP3837551B2 (ja) * 2003-06-20 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP3914987B2 (ja) * 2003-06-20 2007-05-16 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン蛍光体とその製造方法
JP4834827B2 (ja) 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
TWI359187B (en) 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4362625B2 (ja) * 2004-02-18 2009-11-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体の製造方法
JP3931239B2 (ja) 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP5016187B2 (ja) 2004-07-14 2012-09-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
TWI262609B (en) 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP2005302920A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Shoei Chem Ind Co 発光装置
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US7391060B2 (en) 2004-04-27 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP2005336450A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置
JP4414821B2 (ja) 2004-06-25 2010-02-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
WO2006012234A2 (en) 2004-06-25 2006-02-02 Sarnoff Corporation Nitride phosphors and devices
JP4565141B2 (ja) 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP4511885B2 (ja) 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4422653B2 (ja) 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP4933739B2 (ja) 2004-08-02 2012-05-16 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
US7138756B2 (en) * 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
US20060181192A1 (en) 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
JP4524470B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP2006063214A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
US7476338B2 (en) * 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP2006282872A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体、及びその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
JP4543250B2 (ja) 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4729278B2 (ja) 2004-08-30 2011-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4543251B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び光源
JP4356563B2 (ja) 2004-08-31 2009-11-04 昭栄化学工業株式会社 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
JP4543253B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4892193B2 (ja) * 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
WO2006095285A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
DE102005050937A1 (de) 2005-10-21 2007-05-03 Vodafone Holding Gmbh Austausch von Informationen in einem Kommunikationssystem

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-363554A 2002.12.18
JP特开2003-124527A 2003.04.25

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110055061A (zh) * 2019-05-06 2019-07-26 北京科技大学 一种红色长余辉氮化物发光材料及其制备方法

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Publication number Publication date
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