WO2012017498A1 - 有機el表示パネルとその製造方法 - Google Patents
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- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Definitions
- the present invention relates to an organic EL display panel using an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as “organic EL element”) and a method for manufacturing the same, and particularly prevents ink color mixing when an organic light emitting layer or the like is formed in a coating process. Regarding technology.
- the organic EL element is a current-driven light emitting element and has a basic structure in which an organic light emitting layer containing an organic light emitting material is disposed between an anode and a cathode. During driving, a voltage is applied between the electrodes, and holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are recombined in the organic light emitting layer, and an electroluminescence phenomenon associated therewith is utilized.
- Organic EL elements are self-luminous, have high visibility, and are completely solid elements, so they have excellent impact resistance.
- organic EL elements there is a coating type in which an ink containing a polymer material or a low molecule with good thin film formability is prepared and applied to a substrate by an inkjet method or the like to form an organic light emitting layer or a charge injection layer. is there.
- organic EL display panels in which a plurality of coating-type organic EL elements are arranged in a matrix along the matrix direction on a substrate on which TFT wiring portions are formed have been put to practical use as various displays and image display devices. Has been.
- Each organic EL element arranged on the organic EL display panel is partitioned individually or by a fixed number of the same color by banks (partitions) having a predetermined shape.
- a line-shaped bank is extended on a substrate in a column (vertical) direction and arranged in parallel in a row (horizontal) direction. Between adjacent banks, a certain number of organic EL elements of the same color are arranged at regular intervals, and organic EL elements of any of the RGB colors are arranged along the row direction across the banks. As a result, color display is performed on the entire panel.
- the bank has a shape (so-called pixel bank) for partitioning and regulating each organic EL element.
- a substrate to be coated is placed on a stage, and the ink-jet head is moved so as to scan the substrate along any direction of the matrix direction.
- a solution hereinafter referred to as “ink”
- the ink jet head is driven by a driving method such as a piezo method.
- the method using the ink application method described above is advantageous in comparison with other methods using a vapor deposition process in terms of mass production and large screen, but also has the above specific problems. There is a need to solve such problems for commercialization of organic EL display panels.
- FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of an organic EL display panel having a line bank structure immediately after the coating process in the prior art.
- a depression 131 that is naturally formed by heat shrinkage is provided in advance at the top of the bank 13L.
- the amount of ink 8X applied to the element formation region is usually much larger than the inner volume of the recess 13L as shown in the figure. For this reason, when the substrate after ink application is transported from the inkjet apparatus, if the substrate is subjected to vibration or acceleration, the ink reservoir 10X held in the recess 131 can easily get over the recess 131 of the bank 13L. As shown in the figure, color mixing may occur with the adjacent ink 8X.
- the present invention has been made in view of the above problems, and an excellent image can be obtained by appropriately preventing the problem of color mixing caused by ink such as an organic light emitting material flowing into different element formation regions beyond a bank.
- ink such as an organic light emitting material flowing into different element formation regions beyond a bank.
- a coating type organic EL display panel that can be expected to have display performance and a method for manufacturing the same.
- an organic EL display panel which is one embodiment of the present invention includes a substrate, an interlayer insulating layer disposed to face the substrate, an interlayer insulating layer, and a row direction and a column direction.
- a first electrode provided corresponding to each of the plurality of element formation regions arranged along the row, a partition wall extending in the column direction so as to partition each element formation region arranged along the row direction,
- An organic light-emitting layer disposed to include organic light-emitting materials that have different emission colors in the element formation regions adjacent to each other in the row direction, the organic light-emitting layers disposed to face each organic light-emitting layer,
- a second electrode having a different polarity, and the interlayer insulating layer is provided with a first opening in accordance with a position between adjacent first electrodes in the row direction, and extends in the column direction Are buried between the first electrodes adjacent in the row direction and in the first opening, A body portion integrally formed by protruding from the portion, and the top portion of
- the embedded portion of the partition wall is embedded in the first opening formed between the first electrodes adjacent in the row direction and in the interlayer insulating layer (planarization film), and A first recess is formed at the top of the main body along the shape of the first opening and between the first electrodes adjacent in the row direction.
- the first recess is formed at a depth corresponding to the depth of the first opening. For example, if the depth of the first opening is adjusted in advance, the first recess having a sufficient depth is formed. Can be formed appropriately.
- the first dent portion is formed.
- the depth of can be adjusted significantly deeply and accurately.
- the ink overflowing from the element formation region has a sufficient depth even if vibration or acceleration accompanying conveyance or the like is applied to the substrate. It can hold
- the partition wall is firmly disposed on the substrate side by a so-called spike effect. Is done. For this reason, the edge part of the 1st electrode is pressed to the board
- the first electrode can be securely fixed.
- the buried portion is interposed between the adjacent first electrodes, the buried portion can reliably insulate the first electrodes from each other, and the operation reliability of the organic EL display panel can be expected to be improved.
- FIG. 1 is a top view showing a configuration of an organic EL display panel (line bank structure) according to Embodiment 1.
- FIG. 3 is a partial enlarged view showing a configuration of an organic EL display panel according to Embodiment 1.
- FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an organic EL display panel according to Embodiment 1.
- FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration around a contact hole of the organic EL display panel according to Embodiment 1.
- FIG. FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an organic EL display panel (a coating type HIL layer) according to a second embodiment.
- FIG. 6 is a schematic top view showing a configuration of an organic EL display panel (line bank structure) according to a third embodiment and a partial cross-sectional view showing a configuration around a bank.
- FIG. 10 is a partial enlarged view showing a configuration of an organic EL display panel (line bank structure) according to a fourth embodiment.
- FIG. 10 is a partial enlarged view showing a configuration of an organic EL display panel (pixel bank structure) according to a fifth embodiment.
- FIG. 10 is a partial enlarged view showing a configuration of an organic EL display panel (pixel bank structure) according to a sixth embodiment.
- FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a configuration around a contact hole of an organic EL display panel (pixel bank structure) according to a seventh embodiment.
- FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the effect of Embodiment 1 (preventing ink color mixing). It is sectional drawing for demonstrating the conventional subject (ink color mixture generation
- An organic EL display panel includes a substrate, an interlayer insulating layer disposed to face the substrate, a plurality of element formation regions facing the interlayer insulating layer and arranged in the row direction and the column direction.
- the interlayer insulating layer is provided with a first opening in accordance with the position between the first electrodes adjacent in the row direction, and the partition wall extending in the column direction is between the first electrodes adjacent in the row direction.
- a buried portion of the partition wall is buried in the first opening formed between the first electrodes adjacent in the row direction and in the interlayer insulating layer (planarization film), A first recess is formed at the top of the main body along the shape of the first opening and between the first electrodes adjacent in the row direction. For this reason, since the depth of the first depression is adjusted according to the depth of the interlayer insulating layer, the first depression having a sufficient depth can be achieved by adjusting the depth of the first opening in advance. Can be formed.
- the depth of the recess can be set much deeper and more accurately than in the prior art, so that vibrations and accelerations associated with conveyance and the like are added to the substrate, and ink applied to the element formation region overflows. Ink overflowed in the first depression having a sufficient depth can be held well. Therefore, it is possible to manufacture an organic EL display panel satisfactorily while preventing color mixing between inks.
- the partition wall is firmly formed on the substrate side by the spike effect. Therefore, the end of the first electrode is pressed to the substrate side under the pressing force of the lower surface of the main body formed integrally with the embedded portion. As a result, the adhesion between the first electrode and the interlayer insulating layer is improved, and the first electrode is prevented from floating or peeling off the surface of the interlayer insulating layer, so that the first electrode can be reliably disposed. Furthermore, since the buried portion is interposed between the adjacent first electrodes, the first electrodes can be reliably insulated from each other, and improvement in operation reliability can be expected.
- the organic light emitting layer may be formed by applying an ink containing an organic light emitting material to the element formation region and drying the ink.
- the first depression formed in the main body can appropriately hold the ink overflowing from the element formation region, and the occurrence of ink color mixing is appropriate. Can be prevented.
- the partition walls extending in the column direction can be arranged in parallel in the row direction at predetermined intervals.
- each bank is sandwiched by providing the first depression at the top of the main body.
- the first recess may be formed along the column direction at the top of the main body of each partition wall.
- the first dent By forming the first dent in this manner, the first dent having a sufficient volume can be formed, so that the ink overflowing from the element formation region can be retained abundantly, and the ink color mixing can be further improved. Can be prevented.
- the partition may be extended in the column direction and the row direction so as to surround each element formation region.
- the interlayer insulating layer is provided with a second opening in accordance with the position between the first electrodes adjacent in the column direction, and is provided extending in the row direction.
- the partition wall includes a buried portion that is filled between adjacent element formation regions in the column direction and in the second opening, and a main body portion that is integrally formed by protruding from the buried portion.
- the top of each may have a configuration in which a second depression formed by depression along the shape of the second opening is present between element formation regions adjacent in the column direction.
- the organic EL display panel having the pixel bank structure by forming the depressions (the first depression and the second depression) with respect to the main body of any partition in the matrix direction, In addition to preventing color mixing of inks of different light emission colors, it is also possible to prevent the ink from flowing in any direction of the matrix in each element formation region, so that the effect of equalizing the amount of ink in each element formation region is also expected. it can.
- the first indented portion may have a higher lyophilic property than the surface of the main body portion surrounding the first indented portion.
- the second dent portion may be configured to have higher lyophilicity than the surface of the main body portion surrounding the second dent portion.
- the ink containing the organic light emitting material when at least one of the first depression and the second depression has lyophilicity, when the ink containing the organic light emitting material overflows into the depression, the ink is lyophilic.
- the ink wells are appropriately formed by being well adapted to the surface of the first depression or the second depression. As a result, abundant ink is held in the lyophilic first indentation or second indentation, and the occurrence of ink color mixture can be more effectively prevented.
- lyophilic refers to lyophilicity with respect to ink containing an organic light emitting layer material. Specifically, when the ink is water-based, “lyophilic” refers to “hydrophilic”.
- At least one of the first depression or the second depression has lyophilicity, and the surface of the other main body has relatively liquid repellency, so that the surface of the main body Ink can be prevented from adhering widely. For this reason, the ink can be satisfactorily held in the area surrounded by the adjacent partition walls, and the effect of preventing the ink from overflowing from the element forming area can be expected.
- one or more functional layers are provided between the first electrode and the organic light emitting layer, and the functional layer injects or transports charges.
- the charge injecting and transporting layer is stacked so as to be in direct contact with the first electrode, and is arranged so as to cover the first electrodes adjacent to each other in the row direction and the inner peripheral surface of the first opening. It can also be set as the structure provided.
- both the first electrode and the charge injecting and transporting layer are formed integrally with the embedded part by providing the embedded part of the partition wall inside the first opening.
- the lower surface of the main body is prevented from being lifted or peeled by being pressed toward the substrate side.
- one or a plurality of functional layers are provided between the first electrode and the organic light emitting layer, and the functional layer injects or transports charges.
- the partition may be arranged so as to be in contact with the first electrodes adjacent to each other in the row direction and the inner peripheral surface of the first opening.
- the charge injecting and transporting layer that is not in contact with the inside of the first opening can be formed by applying the material ink in the same manner as the organic light emitting layer.
- the first depression may have a depth corresponding to 10% or more and 100% or less of the height of the main body from the surface of the interlayer insulating layer.
- the second depression may have a depth corresponding to 10% or more and 100% or less of the height of the main body from the surface of the interlayer insulating layer.
- an interlayer insulating layer forming step for forming an interlayer insulating layer on the substrate, and a plurality of element forming regions arranged along the row direction and the column direction so as to face the interlayer insulating layer
- a second electrode forming step in which a second electrode having a different polarity is provided, wherein the interlayer insulating layer forming step includes a second electrode adjacent in the row direction based on a photoresist method.
- a first opening is provided in accordance with the position between one electrode.
- organic light emitting layers made of organic light emitting layer materials of different emission colors are disposed in adjacent element forming regions in the row direction, and in the partition forming step, the interlayer insulating layer is formed.
- the top part of the main body part is recessed between the first electrodes adjacent in the row direction and along the shape of the first opening part to form a first recess part.
- a lyophilic treatment may be performed so that the first dent portion has higher lyophilicity than the main body portion surrounding the dent portion. it can.
- the lyophilic process can be performed by a halftone exposure process or an ultraviolet irradiation process.
- the method includes a functional layer forming step of forming one or a plurality of functional layers on the upper surface of each first electrode between the first electrode disposing step and the partition forming step,
- the charge injecting and transporting layer which is a functional layer, is stacked in contact with the first electrode and covers the first electrodes adjacent in the row direction and the inner peripheral surface of the first opening. Can also be provided.
- an interlayer insulating layer forming step of forming an interlayer insulating layer on the substrate, and a plurality of element forming regions arranged along the row direction and the column direction so as to face the interlayer insulating layer A first electrode disposing step of providing a first electrode corresponding to each of the above, and a partition forming step of providing a partition extending in the column direction so as to partition each element forming region disposed along the row direction
- a second electrode forming step in which a second electrode having a different polarity is provided.
- a metal film is formed to face the interlayer insulating layer.
- a first opening is formed by excavating an interlayer insulating layer at a position between adjacent first electrodes in the row direction.
- an element forming region adjacent in the row direction is formed.
- organic light-emitting layers made of organic light-emitting layer materials of different emission colors are disposed, and in the partition forming step, the embedded portions are filled between the first electrodes adjacent to each other in the row direction and the first opening.
- a 1st hollow part can also be formed by hollowing along a shape.
- lyophilic treatment can be performed on the first dent so as to have higher lyophilicity than the main body surrounding the dent. .
- the lyophilic process can be performed by a halftone exposure process or an ultraviolet irradiation process.
- the method includes a functional layer forming step of forming one or a plurality of functional layers facing each first electrode between the first electrode disposing step and the partition forming step,
- charge injection as a functional layer is performed so as to be in contact with the first electrode and cover the first electrodes adjacent to each other along the row direction and the inner peripheral surface of the first opening.
- a transport layer can also be provided.
- FIG. 1 is a top view showing a configuration of a top emission type organic EL display panel 100 (hereinafter simply referred to as “panel 100”) according to Embodiment 1 of the present invention.
- FIG. 2 is a partially enlarged view around one organic EL element arranged on the panel 100.
- the configuration of the second electrode, the sealing layer, and the like disposed above the organic light emitting layer 8 is omitted for explanation.
- the outline of the first electrode 6 is indicated by a dotted line
- the outline of the contact hole 5 is indicated by a two-dot chain line.
- the organic EL elements 15R, 15G, and 15B are arranged in a matrix corresponding to the element formation regions arranged in the column (X) direction and the row (Y) direction. ing.
- organic EL elements 15 (15R, 15B, 15G) each having an organic light emitting layer 8 corresponding to any one of RGB emission colors are repeatedly arranged as subpixels.
- a combination of subpixels of three colors adjacent in the row (Y) direction functions as one pixel (pixel).
- reference numeral 20 shown in FIG. 1 denotes a sealing material disposed around the panel 100.
- a front panel (not shown) is overlaid on the panel 100 and attached using a sealing material 20.
- the panel 100 employs a so-called line bank structure, and banks 10L extending in a line shape in the column (X) direction are arranged side by side in a stripe shape in the row (Y) direction.
- a plurality of organic EL elements 15R, 15B, and 15G of the same color are arranged between each pair of adjacent banks 10L. Between adjacent pairs of banks 10L, adjacent organic EL elements 15 of the same color are partitioned by a pixel regulating layer 11 that forms a non-light emitting region as shown in FIG.
- FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the panel 100 (a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2) showing a laminated structure around one organic EL element.
- 4 is a partial cross-sectional view of the panel 100 (a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 2).
- the panel 100 includes a TFT wiring portion (TFT layer) 2 and a planarization film (interlayer insulating layer) with respect to one side main surface of the TFT substrate 1 (hereinafter simply referred to as “substrate 1”). 4, a first electrode (anode) 6 and a charge injection / transport layer 7 are sequentially laminated.
- the bank 10L is formed on the surface of the charge injection / transport layer 7 in the panel 100. However, when the charge injection / transport layer 7 is provided after the bank 10L is laminated, or when the charge injection / transport layer 7 is not provided, the bank 10L is flat. The bank 10L can also be provided directly on the conversion film 4.
- an organic light emitting layer 8 In an element formation region between a pair of adjacent banks 10L, an organic light emitting layer 8, a second electrode (cathode) (not shown), and a sealing resin are sequentially stacked on the surface of the charge injection / transport layer 7.
- the substrate 1 is a base portion of the panel 100, and includes alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, boric acid glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, It can be formed using any known material such as polyester, silicone resin, or insulating material such as alumina.
- the TFT wiring part 2 is formed on the surface of the substrate 1 in order to drive all the organic EL elements 15R, 15G, and 15B arranged on the panel 100 by an active matrix method.
- the planarizing film (interlayer insulating layer) 4 is made of an organic material such as polyimide having excellent heat resistance and insulating properties, and covers a portion of the TFT wiring portion 2 excluding the feeding electrode (transparent electrode portion) 3 so as to cover the substrate surface. Is arranged to flatten the surface. As shown in FIG. 4, the planarizing film 4 has a circular bottom surface formed by digging down the corresponding portion along the thickness (Z) direction in order to expose the power supply electrode 3 and make an electrical connection with the lower electrode 6. A hole (contact hole 5) is formed.
- two or more contact holes 5 can be provided in one element formation region.
- a shape it is not limited to the shape which has a circular bottom face like FIG. 2, The shape which has a polygonal bottom face may be sufficient.
- the planarizing film 4 has a certain depth at a position corresponding to the position between the first electrodes 6 and 6 adjacent to each other in the row (Y) direction, which is the arrangement position of the bank 10L.
- a deepened opening 41 is formed.
- the opening 41 is formed as a groove along the column (X) direction.
- the first electrode 6 is a strip-shaped electrode (anode) having a certain length, and is arranged in a matrix for each element formation region with the column (X) direction as the longitudinal direction as shown in FIGS.
- the Each first electrode 6 is configured by laminating a transparent conductive film on the surface of a reflective metal film. Most of the lower surface of the first electrode 6 is in contact with the surface of the planarizing film 4, but a part of the first electrode 6 enters the contact hole 5 and is electrically connected to the power supply electrode 3.
- the reflective metal film is a metal material (aluminum or aluminum alloy) having a good visible light reflectance so as to supply power to the organic light emitting layer side and to efficiently extract light generated in the organic light emitting layer 8 from above.
- the “aluminum alloy” here refers to an alloy obtained by adding at least one of iron, copper, manganese, zinc, nickel, magnesium, palladium, cobalt, and neodymium to aluminum.
- the transparent conductive film is made of a known transparent conductive material such as ITO or IZO, covers the reflective metal film, shields the reflective metal film from oxygen in the atmosphere, and reflects the reflective metal film by forming an unnecessary film. The rate and conductivity are prevented from decreasing.
- the pixel regulation layer (PCL) 11 is a layer made of an insulating material such as SiON, and as shown in FIGS. 1 and 2, charge injection transport between adjacent element formation regions along the column (X) direction. On the surface of the layer 7, it is formed so as to be orthogonal to the longitudinal (X) direction of the bank 10L.
- the region where the pixel restricting layer 11 is provided becomes a non-light emitting region (so-called pixel restricting region) when the first electrode 6 or the second electrode (not shown) is cut off from the light emitting layer 8 during driving.
- the charge injecting and transporting layer 7 is one of functional layers provided between the first electrode 6 and the organic light emitting layer 8, and efficiently transports charges (holes) supplied from the anode side during driving to produce organic light emission. It is provided for injection into the layer 8 side. Examples of materials include known materials such as (molybdenum and tungsten oxides).
- the charge injecting and transporting layer 7 is disposed here by vapor deposition. In this case, as shown in FIG. 3, the first electrodes 6 are stacked so as to be in direct contact with each other and cover the inner peripheral surface of the first opening 41 of the planarizing film 4 between the adjacent first electrodes in the row direction. It is provided as follows.
- the functional layer is provided as a laminate of one or more layers between the first electrode and the organic light emitting layer 8. For this reason, another functional layer may be laminated in addition to the charge injecting and transporting layer 7. Instead of the charge injection / transport layer 7, two functional layers of the charge injection layer and the charge transport layer may be laminated in the same order from the surface side of the first electrode 6.
- the organic light emitting layer 8 is configured by applying an ink containing a predetermined organic light emitting material corresponding to one of RGB emission colors to the surface of the charge injection transport layer 7 and drying it.
- a known material can be used.
- the bank (partition wall) 10L is made of an insulating organic material (for example, acrylic resin, polyimide resin, novolac type phenol resin, etc.), and is arranged in a row so as to partition between adjacent element formation regions in the row (Y) direction.
- X) is stretched in a line along the direction, and is arranged in parallel in the row (Y) direction at regular intervals.
- the bank 10 ⁇ / b> L is embedded by embedding a bank material between the first electrodes 6 adjacent in the row (Y) direction and the first openings 41 formed in the planarization film 4. And a main body portion 103 that is raised above the embedded portion 102.
- the bank material forming the embedded portion 102 is dropped into the top portion of the main body portion 103 between the first electrodes 6 adjacent in the row (Y) direction and the inside of the first opening 41 of the planarizing film 4. As a result of the depression, the depression 101 is formed.
- the hollow portion 101 is a groove formed in a line shape along the longitudinal direction (column (X) direction) of the bank 10L as a whole.
- the depression 101 is overflowed from the element forming region.
- the ink is appropriately held and disposed for the purpose of preventing the inks from mixing with each other between the element formation regions of different emission colors separated from the bank 10L.
- the inner surface of the depression 101 is subjected to a lyophilic process so that the ink overflowing from the element formation region can be satisfactorily retained as the ink reservoir 9X (see FIG. 22).
- the surface of the main body 103 excluding the depression 101 is water-repellent so that the ink can be dried with a uniform coating film in the element formation region.
- the depth (the amount of the hollow portion) of the hollow portion 101 is proportional to the depth of the opening portion 41.
- the depth of the depression 101 is desirably a sufficient depth to appropriately hold the overflowed ink. For example, it is appropriate to set the depth corresponding to a value of 10% to 100% of the height of the main body from the surface of the planarizing film 4.
- the second electrode (cathode) laminated on the organic light emitting layer 8 is made of, for example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or the like. Since the panel 100 has a top emission type structure, it is necessary to use a light transmissive material as a material of the second electrode.
- a known sealing layer is provided on the second electrode.
- the sealing layer is formed of a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride), for example, and suppresses deterioration of the organic light emitting layer 8 due to contact with moisture or air.
- This sealing layer is also made of a light transmissive material.
- FIG. 21 is a diagram illustrating a configuration of a display device 200 using the panel 100.
- the display device 200 includes a panel 100 and a drive control unit 120 connected thereto.
- the drive control unit 120 includes four drive circuits 121 to 124 and a control circuit 125.
- FIG. 22 is an external shape showing an example of a television system using the display device 200. (About various effects which the panel 100 has)
- the organic light emitting layer 8 disposed in each of the organic EL elements 15R to 15B and having a different emission color uses the recess 101 of the bank 10L in the manufacturing process, thereby providing an organic light emitting material.
- the ink containing the ink is applied, color formation is prevented and it is formed well, and has excellent image display performance.
- the organic light emitting layer 8 is usually formed by applying an ink containing an organic material and a solvent and evaporating and drying the solvent component in an application process by an ink jet method.
- the depression 101 is not simply formed by utilizing the volume shrinkage at the time of baking the bank 10L, but between the opening 41 of the planarization film 4 and the first electrode 6 adjacent in the row (Y) direction. It is formed to have a sufficient depth (volume) according to the shape. For this reason, as shown in FIG. 22, even if a large amount of ink applied to each element formation region overflows to the outside due to acceleration or vibration accompanying the conveyance of the substrate, it has a sufficient depth (volume). It flows into the depression 101 and is appropriately retained as a liquid pool 9X.
- the ink As a result, it is possible to prevent the ink from overcoming the bank 10L and flowing into other element formation regions. Therefore, it is possible to prevent color mixing between the inks having different emission colors applied across the bank 10L.
- the organic light emitting layer 8 is formed well, and the panel 100 having excellent image display performance is realized.
- a buried portion 102 is disposed in an opening 41 having a sufficient depth formed in the planarizing film 4 between the first electrodes 6 and 6 adjacent in the row (Y) direction. Yes.
- the bank 10L is firmly arranged on the substrate side by a so-called spike effect, so that the pressing force from the lower surface portion (surface portion along the substrate 1) of the main body portion 103 formed integrally with the embedded portion 102 is reduced.
- the end portions of the first electrode 6 and the charge injecting and transporting layer 7 are pressed toward the substrate side.
- the first electrode 6 (charge injection transport layer 7) is prevented from being lifted or peeled off from the surface of the planarization film 4 (first electrode 6), and the first electrode 6 and the planarization film 4,
- Each adhesiveness of the 1st electrode 6 and the electric charge injection transport layer 7 can be improved, and these can be arrange
- the charge injection / transport layer 7 is covered on the inner peripheral surface of the opening 41, and accordingly, the buried portion 102 can ensure a wide contact area with the charge injection / transport layer 7. For this reason, the charge injecting and transporting layer 7 can stably maintain a state in which the charge injecting and transporting layer 7 is in good contact with both the embedded portion 102 and the first electrode 6.
- the panel 100 has a configuration in which the buried portion 102 is interposed between the first electrodes 6 and 6 adjacent in the row (Y) direction, so that the first electrodes 6 and 6 can be reliably insulated from each other, and the operation reliability can be improved. We can expect improvement.
- Such a depression 101 can be formed to have a sufficient depth and shape by adjusting the depth of the opening 41 formed in the planarization film 4. Details of the adjustment of the depth of the recess 101 will be discussed later.
- FIGS. Metal for manufacturing organic EL display panel 100
- FIGS. An overall manufacturing method of the organic EL display panel 100 will be exemplified with reference to FIGS.
- illustration of the substrate 1, the TFT layer 2, and the power supply electrode 3 is omitted for simplification of explanation.
- 11 to 13 YZ sectional views of the peripheral region of the bank 10L (recessed portion) 101 are shown on the left side in the drawing. Further, on the right side of the drawing, an XZ sectional view of the peripheral region of the contact hole 5 is shown.
- the panels 100A to 100E can be basically manufactured in the same manner.
- Board preparation process First, the substrate 1 is prepared and placed in the chamber of the sputter deposition apparatus. Then, a predetermined sputtering gas is introduced into the chamber, and the TFT layer 2 and the feeding electrode 3 are formed based on the reactive sputtering method as shown in FIG.
- planarizing film forming step; first method Next, based on the photoresist method, an organic material (planarization film material 4X) containing a well-known photo-curing resin having an excellent insulating property facing the TFT layer 2 and the feeding electrode 3 and having a final thickness of about 4 ⁇ m. (FIG. 11 (a)).
- a predetermined photomask PM1 is disposed opposite to the surface of the applied planarization film material 4X.
- a halftone window is disposed in a portion where the opening 41 is formed, and an opening window is disposed in a portion where the contact hole 5 is formed.
- an exposure process is performed from the outside (FIG. 11B).
- development processing is performed, a recess having a certain depth is formed in a portion where the opening 41 is formed, and an opening is formed in a portion where the contact hole 5 is formed (FIG. 11C).
- the halftone window is a means for adjusting the depth of the opening, and the depth of the opening can be deeply adjusted by increasing the exposure amount of the halftone window.
- the transmittance of the halftone window of the photomask PM1 the transmittance
- the planarization film 4 can be formed in the same manner as described above by adjusting the depth and shape of the opening 41 to be formed in advance. (First electrode forming step; first method) Subsequently, a metal film 6X having a thickness of about 50 nm is uniformly formed on the planarizing film 4 on the basis of a vacuum deposition method or a sputtering method (FIG. 11E).
- a resist PR1 containing a photodegradable resin is uniformly applied so as to face this (FIG. 11 (f)), and exposure is performed through a photomask PM2 having an opening window at a position corresponding to the opening 41.
- Process FIG. 11 (g)
- the resist PR1 at a position corresponding to the opening 41 is peeled off.
- Etching is performed in this state (FIG. 11 (i)), and if the remaining resist PR1 is peeled off, the end of the metal film 61X facing the opening 41 is cut off so that the inside of the contact hole 5 is covered.
- the provided first electrode 6 is completed (FIG. 11 (j)).
- the following 2nd method can also be taken as a planarization film
- the surface of the flattened film 4 once formed flat is etched in accordance with the patterning of the first electrode 6 to provide an opening 41.
- the planarizing film material 4X is uniformly applied so as to face the TFT layer 2 and the feeding electrode 3 so that the final thickness is about 4 ⁇ m.
- the resist PR1 is uniformly formed thereon, and the exposure process is performed through the photomask PM2 (see FIG. 11E).
- the metal film 6X at the position where the opening 41 is formed is exposed (FIG. 12H).
- a first etching process (wet etching) is performed, and the metal film 6X is patterned to form the first electrode 6 (FIG. 12 (i)).
- a second etching process (wet etching or dry etching) is performed, and the exposed planarizing film 4 is excavated in the thickness direction (FIG.
- the depth of the opening can be increased in proportion to the strength and processing time of the second etching process.
- the process proceeds to the functional layer forming step.
- an inorganic oxide (insulator) such as SiON is uniformly formed facing the substrate surface by a method such as vacuum deposition.
- the photoresist method uses the photoresist method on the surface of the inorganic oxide, the pixel regulation layer 11 is formed between the element formation regions adjacent in the column (X) direction.
- a resist material containing a photodegradable resin is uniformly applied facing the substrate surface on which the functional layer is formed.
- a photomask is provided so as to arrange an opening window at a position other than the position corresponding to the element formation region, and an exposure process is performed.
- a development process is performed, a resist film is formed along the row (Y) direction so as to expose a region other than between the element formation regions.
- a charge injecting and transporting layer 7 is formed as a functional layer so as to face the upper surface of the first electrode 6.
- film formation based on the reactive sputtering method is performed.
- a metal material such as molybdenum or tungsten is used as a sputtering source (target), and argon gas as a sputtering gas and oxygen gas as a reactive gas are introduced into the chamber, respectively, to form a film (FIG. 13A).
- a charge injection / transport layer 7 made of an oxide of molybdenum or tungsten is formed (FIG. 13B).
- the charge injection / transport layer 7 is uniformly formed on the inner peripheral surface of the opening 41 and the surface of the first electrode 6 in the contact hole 5.
- the bank material for example, a fluorine-based or acrylic-based resist material containing a photocurable resin is prepared. This is applied uniformly across the surface of the charge injecting and transporting layer 7 (FIG. 13C). At this time, the resist material applied to the opening 41 and the contact hole 5 falls along the shape of the opening 41 and the contact hole 5 (FIG. 13C).
- a photomask PM3 is disposed on the applied resist material 10X, and an exposure process is performed so that light is irradiated to a position corresponding to the opening 41 through the opening window (FIG. 13D). Thereafter, by performing development processing, the resist material 10X other than the position corresponding to the opening 41 is removed (FIG. 13E) After that, when baking processing is performed, the embedded portion 102, the main body portion 103, and the depression A line-shaped bank 10L having the portion 101 is completed (FIG. 13F).
- the bank material falls along the openings 41 having the predetermined depth and shape formed earlier (FIG. 13C), and the predetermined depressions 101 and 101X are formed. , 101Y, etc., banks 10P, 10L are formed.
- a resist PR2 containing a photodegradable resin is applied to the surface of the bank 10L formed so as to face the pair (FIG. 14A).
- a photomask PM4 having an opening window is disposed at a position corresponding to the recess 101, and exposure processing is performed (FIG. 14B). Thereafter, development processing is performed to remove the uncured resist, so that only the hollow portion 101 is exposed to the outside (FIG. 14C).
- ultraviolet irradiation for example, 1000 mJ irradiation using high-pressure mercury or the like
- the resist PR2 is removed, and the processing is completed (FIG. 14E).
- the lyophilic process performed to the hollow part 101 is not limited to this.
- an ink containing an organic light emitting layer material is applied using an inkjet apparatus system (printing apparatus).
- FIG. 15 is a schematic view showing a coating process (organic light emitting layer forming process). In the figure, the progress of the process is shown from the left side to the right side.
- an organic material which is an organic light emitting layer material, and a solvent are mixed at a predetermined ratio to prepare ink.
- This ink is supplied to the ink jet head of the ink jet apparatus system shown in FIG.
- the application target substrate is placed on the stage of the printing apparatus.
- an ink jet head disposed on an XY arm is scanned to apply ink so as to face the charge injection transport layer 7 in each element formation region (FIG. 15A). )).
- This coating process is performed in the same manner over all element formation regions finally disposed on the substrate by sequentially refilling three types of inks having different emission colors.
- the lift-up pin is actuated to lower the application target substrate from the stage of the printing apparatus (FIG. 15B).
- the substrate to be coated is transported into the drying apparatus by horizontal transport using a robot arm or a roller, and the substrate to be coated is placed on a hot plate in the chamber.
- the inside of the chamber is set to a nitrogen atmosphere or a vacuum (reduced pressure) atmosphere, and the ink is dried (FIG. 15C).
- the substrate is transferred to a baking apparatus by horizontal transfer using a robot arm or a roller, and a baking process is performed in a nitrogen atmosphere or a vacuum (decompressed) atmosphere to complete the organic light emitting layer 8.
- the application target substrate on which the ink application has been completed is transported from the stage of the printing apparatus to the drying apparatus, vibration and acceleration are applied to the substrate, and the applied ink may overflow from a predetermined element formation region.
- the depression 101 having a sufficient depth (volume) is formed at the top of the bank 10L, even if the ink 8X is in the row (Y Even if the ink overflows in the direction), the ink becomes an ink reservoir 9X inside the depression 101 and is appropriately held. For this reason, it is possible to prevent the color mixing of inks that can occur between the element forming regions coated with inks having different emission colors, and to form the organic light emitting layer satisfactorily.
- the surface of the main body portion 103 excluding the recess portion 101 has a relatively liquid repellency compared to the recess portion 101, thereby preventing ink from adhering widely to the surface of the main body portion 103. Is done. Therefore, since the ink can be satisfactorily held between a pair of adjacent banks 10L, an effect of preventing the ink from overflowing from the element formation region can be expected.
- a film such as ITO, IZO or the like is used and deposited by a vacuum deposition method so as to face the surface of each of the formed organic light emitting layers 8. Thereby, the second electrode 10 is formed.
- a sealing layer is formed on the surface of the second electrode 10 by depositing a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride) by a vacuum deposition method.
- FIG. 5 is a partial cross-sectional view of panel 100A according to Embodiment 2 (corresponding to FIG. 3 related to panel 100).
- the panel 100A is characterized in that the charge injecting and transporting layer 7 is formed using an organic material such as PEDOT (polyethylenedioxythiophene) and disposed as a coating type. That is, the charge injecting and transporting layer 7 of the panel 100A is formed by applying ink to the surface of the first electrode 6 between adjacent banks 10L and drying it in the functional layer forming step.
- the embedded portion 102 of the bank 10 ⁇ / b> L is disposed so as to be in direct contact with each side surface of the adjacent first electrode 6 and the inner peripheral surface of the opening 41 of the planarizing film 4.
- FIG. 6A is a schematic front view showing the configuration of panel 100B according to the third exemplary embodiment.
- the amount of depression of the bank 10L in the panel peripheral region indicated by “B” is adjusted to be larger than the amount of depression of the bank 10L in the panel central region indicated by “A”.
- the panel peripheral area B has an in-plane distribution in which ink color mixing is relatively easy compared to the panel central area A.
- the reason for this is that, after applying ink to the panel, when the substrate to be applied is moved and transported, the angle with respect to the horizontal direction is relatively likely to fluctuate in the panel peripheral region B. The reason is that it is easy to induce overflow.
- the panel 100B takes this problem into consideration, and as shown in FIG. 6B, in the panel central region A, the depth of the embedded portion 102 is D1, and the depth of the recessed portion 101 (the amount of the recessed portion) is H1. Set. On the other hand, in the panel peripheral region B, as shown in FIG. 6C, the depth D2 of the embedded portion 102 is set to be deeper than D1, and the hollow portion 101 having a sufficient depth H2 is formed. As an example of setting numerical values, when D1 is 1000 nm, H1 can be set to about 250 nm. When D2 is 3000 nm, H2 can be set to about 750 nm.
- Such adjustment methods for H1, H2, D1, and D2 are such that, for example, in the above-described planarization film forming process, the light transmission is performed so that the exposure amount for the planarization film material 4X differs between the panel central region A and the peripheral region B. This can be done by performing an exposure process using a predetermined halftone mask (photomask PM1) whose rate is adjusted.
- photomask PM1 a predetermined halftone mask
- the depths D ⁇ b> 1 and D ⁇ b> 2 of the embedded portion 102 are actually the sum of the depth of the opening 41 of the planarizing film 4 and the thicknesses of the first electrode 6 and the charge injection / transport layer 7. It corresponds to. However, since the thickness of the planarization film 4 is normally sufficiently thick with respect to the thicknesses of the first electrode 6 and the charge injecting and transporting layer 7, the thickness of the planarization film 4 is adjusted in adjusting the depth of the buried portion 102. Conditions seem to be dominant.
- the pattern of the central region A provided on the panel 100B is not limited to the elliptical shape shown in FIG. 6A of the front view, and may be another pattern (for example, a rectangular pattern).
- the minimum widths L1 and R1 of the peripheral region B can also be changed.
- the minimum width L1 is in the range of 10% to 20% of the length in the row (Y) direction of the panel 100B
- the minimum width R1 is the column (X ) It can be appropriately set in the range of 10% to 20% of the direction length.
- FIG. 7 is a partially enlarged view around the element in the panel 100C according to the fourth embodiment (corresponding to FIG. 2 showing the panel 100).
- the bank 10L of the panel 100C is provided with a long recess 101 intermittently in accordance with the position of each element formation region.
- the arrangement position of the depression 101 corresponds to the light emitting region of each organic EL element 15R, 15G, 15B (that is, a region where no pixel restricting layer is provided).
- FIG. 8 is a partial enlarged view of the periphery of the element of panel 100D according to Embodiment 5 (corresponding to FIG. 2 relating to panel 100).
- the panel 100D has a so-called pixel bank structure, and bank portions 110X and 110Y are arranged along the matrix direction so as to surround each element formation region, thereby forming a cross-shaped bank 10P.
- the bank part 110X has substantially the same configuration as the bank 10L of the first embodiment, and is configured by forming a main body part on a buried part (not shown), along the row (X) direction on the top part of the main body part.
- FIG. 9 is a partial enlarged view (corresponding to FIG. 2 related to the panel 100) around the element of the panel 100E according to the sixth embodiment.
- Panel 100E is based on panel 100D of the fifth embodiment, and has a configuration in which depressions 101Y are formed along the row (Y) direction with respect to the top of bank unit 110Y.
- FIG. 10 is a cross-sectional view (corresponding to FIG. 3 related to the panel 100) around the contact hole of the panel 100F according to the seventh embodiment.
- the panel 100F has substantially the same configuration as the panel E, but the main feature is that the X-direction width of the main body 104 in the bank 110Y extending in the row (Y) direction is expanded to the region including the contact hole 5.
- the same effect as that of the panel 100E can be obtained, and by having the wide bank portion 110Y, the ink applied to each element formation region can be applied to other element formation regions adjacent in the column (X) direction. Inflow is effectively suppressed, which is advantageous in forming the organic light emitting layer 8 having a uniform film thickness.
- the bank portion 110Y can be patterned together with the structure around the contact hole, the bank patterning in the bank formation process can be performed relatively easily, and the panel 100F can be manufactured with good manufacturing efficiency. ⁇ About the depth of the recess> Next, the relationship between the depth of the opening of the planarizing film (the amount of depression) and the depth of the depression of the bank formed thereby will be described.
- FIG. 16 is a graph showing the relationship between the depth of the opening (dent amount) formed in the planarizing film and the depth of the recess of the bank.
- 17 to 19 are measurement diagrams showing the cross-sectional shape of the bank when the recess of the opening of the planarizing film is changed. The amount of recess in the opening was adjusted by changing the exposure amount using a known halftone mask after a flattening film was uniformly formed.
- the depth of the recess in the main body is in a substantially linear proportional relationship with the amount of recess in the opening of the planarizing film.
- the depth of the recess can be adjusted in proportion to the depth of the opening.
- the amount of depression in the opening does not directly become the depth of the depression in the main body, but has a slight opening (straight line in FIG. 16). It is considered that the relationship between the amount of depression in the opening and the depth of the depression in the main body varies depending on the type and characteristics (viscosity, hardness, etc.) of the resist material used for the bank.
- FIG. 19 shows data using the contact hole peripheral structure instead of the opening, but it seems that the same result can be obtained even if the opening is used.
- the organic light emitting layer 8 is exemplified by a configuration (coating type) obtained by applying ink and drying it, but the organic light emitting layer is not limited to the coating type and may be formed by other methods. For example, it can be formed by a so-called vacuum process using a vacuum deposition method, a sputtering method, an electron beam method, or the like.
- the effect of preventing color mixing of ink is irrelevant, but the bank 10L is formed by the embedded portion 103 and the main body portion 102 embedded in the opening 41, so that the first electrode 6 and the electric charges are formed on the lower surface of the main body portion 102. It is possible to expect the effect of suppressing the injection transport layer 7 and the like to the substrate side and appropriately preventing peeling and lifting. Moreover, the effect of reliably preventing the short-circuit between the adjacent first electrodes 6 and 6 by the interposition of the embedded portion 103 is also achieved.
- the “row direction” and the “column direction” referred to in the present invention are exemplary directions that indicate two directions orthogonal to each other along the surface of the organic EL display panel. Accordingly, the notation of “row direction” and “column direction” described in this specification is not strictly strict, and these directions may be interchanged.
- the present invention can be used as a display device for a mobile phone, a display device such as a television, an organic EL device used for various light sources, an organic EL display panel using the same, and a manufacturing method thereof.
- a display device such as a television
- an organic EL device used for various light sources such as a television
- an organic EL display panel using the same such as a television
- a manufacturing method thereof it is possible to expect an organic EL element or an organic EL display panel that can exhibit good light emission characteristics or image display performance with little display unevenness.
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Abstract
有機発光材料等のインクがバンクを超えて異なる素子形成領域に流れ込み、混色を発生する問題を適切に防止して、優れた画像表示性能を期待できる塗布型の有機EL表示パネルとその製造方法を提供する。 具体的には、平坦化膜4に開口部41を形成し、開口部41に埋設部102を埋設するとともに、埋設部103と一体的に本体部103を形成してバンク10Lを形成する。このとき、行(Y)方向で隣接する第1電極6間と開口部41の形状に沿って、本体部103の頂部に十分な深さを持つ窪み部101を形成する。有機発光材料を含むインクを塗布する際、素子形成領域から溢れ出たインクを窪み部101で保持し、インクの混色を防ぐ。
Description
本発明は、有機電界発光素子(以下「有機EL素子」と称する)を用いた有機EL表示パネルとその製造方法に関し、特に有機発光層等を塗布工程で形成する際のインクの混色を防止する技術に関する。
有機EL素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極と陰極の間に有機発光材料を含む有機発光層が配設された基本構造を有する。駆動時には前記電極間に電圧印加し、陽極から注入されるホールと、陰極から注入される電子を有機発光層で再結合させ、これに伴う電界発光現象を利用する。有機EL素子は自己発光型で視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性にも優れる。
有機EL素子には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含むインクを調整し、これをインクジェット方式等で基板に塗布し、有機発光層や電荷注入層を形成してなる塗布型がある。近年、TFT配線部を形成した基板上に、塗布型の複数の有機EL素子を行列方向に沿ってマトリクス状に配設してなる有機EL表示パネルが、各種ディスプレイや画像表示装置等として実用化されている。
有機EL表示パネルに配された各有機EL素子は、所定形状を持つバンク(隔壁)によって、個々または同色一定数毎に区画される。代表的なラインバンク構造のパネルでは、基板上にライン状のバンクを列(垂直)方向に延伸し、行(水平)方向に複数にわたり並設する。隣接するバンク間には、同色一定数の有機EL素子が一定間隔をおいて配列され、バンクを隔てた行方向に沿って、RGBのいずれかの発光色の有機EL素子が配列される。これにより、パネル全体でカラー表示がなされる。なお、バンクとしては上記のほか、有機EL素子毎に区画・規制する形状(いわゆるピクセルバンク)がある。
代表的なインクジェット方式による塗布工程では、ステージの上に塗布対象基板を載置し、当該基板上を行列方向のいずれかの方向に沿って走査するようにインクジェットヘッドを移動させる。基板上に配された各有機EL素子形成領域(以下、「素子形成領域」と称する。)に合わせ、有機発光層や電荷注入層の有機材料と溶媒を含む溶液(以下、「インク」と称する。)の液滴をノズルから吐出させる(特許文献1を参照)。インクジェットヘッドはピエゾ方式等の駆動方式で駆動される。
ところで上記したインクの塗布工程では、インクを塗布した後に基板を移動または搬送する際に、基板に加速や振動等が加わることで、素子形成領域に塗布したインクがバンクを乗り越えて溢れ出すおそれがある。仮にインクが溢れ出た場合には、溢れ出たインクは、異なる発光色の素子形成領域に流れ込み、混色を生じてしまい、正しく素子を形成することが困難となる。
上記したインク塗布方工程を用いる方式は、量産化・大画面化の点において、蒸着工程などを用いる他の方式に較べても有利であるとされているが、上記のような特有の課題も内在しており、このような課題を解決することが有機EL表示パネルの事業化に向けて求められる。
この課題に対して、たとえば特許文献1に示すように、塗布したバンク材料の焼成工程において、バンク材料が熱収縮する現象を利用してバンクの頂部に窪み部を設け、素子形成領域から溢れ出たインクを窪み部内に保持することで、インクの混色発生を防止する対応策が考えられる。
しかしながら実際には、上記従来技術によってもインクの混色の問題を十分に防止できるとは言い難い状況にある。この問題を図示して説明する。
図23は従来技術における、塗布工程直後のラインバンク構造の有機EL表示パネルの模式的な断面図である。当図に示すように、バンク13Lの頂部には熱収縮によって自然形成される窪み部131が予め設けられている。しかし、窪み部13Lの内容積と比較して、通常、素子形成領域に塗布されるインク8Xの量は図のように格段に多い。このため、インク塗布後の基板をインクジェット装置から搬送する際に、基板に振動や加速が加わると、窪み部131に保持されたインク溜まり10Xは比較的容易にバンク13Lの窪み部131を乗り越える。そして当図のように、隣接するインク8Xと混色を生じることがある。
なお、このように溢れ出たインクがバンクを乗り越え、他の素子形成領域に流れ込む問題は、ラインバンク構造の有機EL表示パネルだけでなく、ピクセルバンク構造の有機EL表示パネルにおいても同様に発生しうる。さらに有機発光層材料のインク、その他のホール輸送層材料等のインクを素子形成領域に塗布する場合にも、同様に起こりうる。このため、解決が早急に望まれている。
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、有機発光材料等のインクがバンクを超えて異なる素子形成領域に流れ込み、混色を発生する問題を適切に防止することにより、優れた画像表示性能を期待できる塗布型の有機EL表示パネルとその製造方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の一態様である有機EL表示パネルは、基板と、基板に対向して配された層間絶縁層と、層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第1電極と、行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、各第1電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、各有機発光層に対向して配設され、第1電極と極性が異なる第2電極と、を含み、前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部が設けられ、前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪んでなる第1の窪み部が存在する構成とした。
以上の構成を持つ有機EL表示パネルでは、行方向で隣接する第1電極間、及び、層間絶縁層(平坦化膜)に形成された第1の開口部に隔壁の埋設部が埋設され、且つ、行方向で隣接する第1電極間と第1の開口部の形状に沿って、本体部の頂部に第1の窪み部が形成される。これにより第1の窪み部は第1の開口部の深さに応じた深さで形成されるので、たとえば第1の開口部の深さを予め深く調節すれば、十分な深さの第1の窪み部を適切に形成することができる。従って、従来のように平坦な層間絶縁層の表面にバンクのレジスト材料を塗布し、ベーク時の自然収縮を利用してわずかな深さの窪み部を形成する方法に比べ、第1の窪み部の深さを格段に深く、且つ、正確に調整できる。このような工夫により、塗布工程において有機発光層材料を含むインクを基板に塗布した後、搬送等に伴う振動や加速が基板に加わっても、素子形成領域から溢れ出たインクを十分な深さを持つ第1の窪み部で良好に保持できる。このため、インク同士の混色の発生を防いで良好に有機EL表示パネルを製造することが可能である。
また、隣接する第1電極間の層間絶縁層に形成された十分な深さを持つ第一の開口部に埋設部を配設すれば、隔壁はいわゆるスパイク効果によって、基板側に強固に配設される。このため、埋設部と一体的に形成されている、本体部の基板に沿った面部によって、第1電極の端部が基板側に押圧される。これにより隔壁の本体部の前記面部と、これに近接位置する第1電極と層間絶縁層の密着性が向上し、層間絶縁層の表面に対する第1電極の浮きや剥離の発生が抑制されるので、第1電極を確実に固定できる。また、埋設部が隣接する第1電極間に介在するので、埋設部によって第1電極同士の確実な絶縁を図り、有機EL表示パネルの作動信頼性の向上を期待することもできる。
<発明の態様>
本発明の一態様における有機EL表示パネルは、基板と、基板に対向して配された層間絶縁層と、層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第1電極と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、各第1電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、各有機発光層に対向して配設され、第1電極と極性が異なる第2電極と、を含み、
前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部が設けられ、前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪んでなる第1の窪み部が存在する構成とする。
本発明の一態様における有機EL表示パネルは、基板と、基板に対向して配された層間絶縁層と、層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第1電極と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、各第1電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、各有機発光層に対向して配設され、第1電極と極性が異なる第2電極と、を含み、
前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部が設けられ、前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪んでなる第1の窪み部が存在する構成とする。
このような構成を持つ有機EL表示パネルでは、行方向で隣接する第1電極間、及び、層間絶縁層(平坦化膜)に形成された第1の開口部に隔壁の埋設部が埋設され、且つ、行方向で隣接する第1電極間と第1の開口部の形状に沿って、本体部の頂部に第1の窪み部が形成される。このため第1の窪み部の深さは、層間絶縁層の深さに応じて調節されるので、予め第1の開口部の深さを調節すれば、十分な深さの第1の窪み部を形成できる。これにより、従来に比べて窪み部の深さを格段に深く、且つ、正確に設定できるので、基板に搬送等にともなう振動や加速が加わり、素子形成領域に塗布されたインクが溢れ出ても、十分な深さを持つ第1の窪み部で溢れ出たインクを良好に保持することができる。従って、インク同士の混色の発生を防いで良好に有機EL表示パネルを製造することが可能である。
さらに上記効果に加え、隣接する第1電極間の層間絶縁層に形成された十分な深さを持つ開口部の内部に埋設部を配設すれば、隔壁はスパイク効果によって、基板側に強固に配設されるため、埋設部と一体的に形成された本体部の下面部の押圧力を受けて、第1電極の端部が基板側に押圧される。これにより第1電極と層間絶縁層の密着性が向上し、層間絶縁層の表面に対する第1電極の浮きや剥離の発生が抑制されるので、第1電極を確実に配設できる。さらに、埋設部が隣接する第1電極間に介在するため、第1電極同士の確実な絶縁を図ることができ、作動信頼性の向上が期待できる。
また本発明の別態様として、前記有機発光層は、素子形成領域に有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥してなる構成とすることもできる。
このようにインクを塗布して有機発光層を形成する場合には、本体部に形成した第1の窪み部が素子形成領域から溢れ出たインクを適切に保持でき、インクの混色の発生を適切に防止できる。
また本発明の別態様として、列方向に延伸して設けられた前記隔壁が、行方向に所定間隔毎に並設されている構成とすることもできる。
このように、同方向に延伸された隔壁が並設されてなる、いわゆるラインバンク構造の有機EL表示パネルの構成において、本体部の頂部に第1の窪み部を設けることで、各バンクを挟んで隣接する素子形成領域間におけるインクの混色の発生を適切に防止することができる。
また本発明の別態様として、前記第1の窪み部は、各隔壁の本体部の頂部において、列方向に沿って形成されている構成とすることもできる。
このように第1の窪み部を形成すれば、十分な容積の第1の窪み部を形成できるので、素子形成領域から溢れ出たインクを豊富に保持でき、インクの混色の発生を一層、効果的に防止することが可能となる。
また、本発明の別態様として、前記隔壁は、各素子形成領域を取り囲むように、列方向及び行方向に延伸されている構成とすることもできる。
このように、隔壁が行列方向に井桁状に形成された、いわゆるピクセルバンク構造の有機EL表示パネルの構成において、本体部に第1の窪み部を形成することで、異なる発光色の素子形成領域に塗布されたインクの混色を防止できる。
また、この場合の本発明の別態様として、前記層間絶縁層には、列方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第2の開口部が設けられ、前記行方向に延伸して設けられた隔壁は、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第2の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第2の開口部の形状に沿って窪んでなる第2の窪み部が存在する構成とすることもできる。
この構成によれば、ピクセルバンク構造の有機EL表示パネルにおいて、行列方向のいずれの隔壁の本体部に対しても窪み部(第1の窪み部と第2の窪み部)を形成することで、異なる発光色のインクの混色を防止できるほか、各素子形成領域において、行列いずれの方向に対してもインクの流れ込みを防止できるため、各素子形成領域におけるインクの量が均一化される効果も期待できる。
さらに、本発明の別態様として、前記第1の窪み部は、当該第1の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する構成とすることもできる。
或いは本発明の別の態様として、前記第2の窪み部は、当該第2の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する構成とすることもできる。
このように、第1の窪み部または第2の窪み部の少なくともいずれかが親液性を有することで、有機発光材料を含むインクが窪み部内に溢れ込んだ場合にはインクが親液性の第1の窪み部または第2の窪み部の表面によく馴染み、適切にインク溜まりが形成される。その結果、親液性の第1の窪み部または第2の窪み部内に豊富なインクが保持され、インクの混色の発生を一層効果的に防止することができる。
なお、ここで言う「親液性」とは、有機発光層材料を含むインクに対する親液性を指す。具体的にいえば、当該インクが水系の場合、「親液性」とは「親水性」を指す。
なお、前記第1の窪み部または前記第2の窪み部の少なくともいずれかが親液性を有し、これ以外の本体部の表面が相対的に撥液性を有することで、本体部表面にインクが広く付着するのを防止できる。このため、隣接する隔壁に囲まれた領域にインクを良好に保持でき、インクが素子形成領域から溢れ出すのを未然に防止できる効果も期待できる。
また、本発明の別の態様として、前記第1の電極と前記有機発光層の間には、1または複数の機能層が設けられ、前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、前記電荷注入輸送層は、前記第1電極に直接接するように積層され、且つ、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように配設されている構成とすることもできる。
このように電荷注入輸送層を設ければ、隔壁の埋設部が第1開口部の内部に設けられることにより、第1の電極及び電荷注入輸送層の双方が、埋設部と一体的に形成された本体部の下面によって、基板側に押圧され、浮き上がりや剥離を発生するのが防止される。
また、本発明の別態様として、前記第1の電極と前記有機発光層との間には、1または複数の機能層が設けられ、前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、前記隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面に接するように配されている構成とすることもできる。
このように、第1開口部の内部に接しない電荷注入輸送層は、有機発光層と同様に、材料のインクを塗布して形成することができる。
また、本発明の別態様として、前記第1の窪み部は、層間絶縁層表面からの本体部の高さの10%以上100%以下に相当する深さを有する構成とすることもできる。
このように第1の窪み部の深さを調節することで、素子形成領域から溢れ出たインクを適切に保持することが可能である。なお、これと同様に、第2の窪み部についても、層間絶縁層表面からの本体部の高さの10%以上100%以下に相当する深さを有する構成とすることもできる。
また、本発明の別態様として、基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、層間絶縁層に対向するように、行方向及び列方向に沿って配される複数の素子形成領域の各々に対応して第1電極を設ける第1電極配設工程と、行方向に沿って配される各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、各第1電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、有機発光層に対向して、第1電極と極性が異なる第2電極を配設する第2電極形成工程とを経る有機EL表示パネルの製造方法であって、前記層間絶縁層形成工程では、フォトレジスト法に基づき、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部を有するように層間絶縁層を形成し、前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することで、列方向に延伸された隔壁を形成し、前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪ませることで第1の窪み部を形成するものとする。
この製造方法によれば、有機発光材料を含んだインクを各第1電極の上方に塗布した後、基板に搬送などによる振動や加速が加わり、インクが溢れ出しても、本体部の頂部に設けられた第1の窪み部において、溢れ出たインクが効果的に保持されるので、異なる発光色の素子形成領域に塗布されたインクの混色の発生を防止することができる。
ここで、本発明の別態様として、前記隔壁形成工程後に、第1の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施することもできる。
また、本発明の別態様として、前記親液性処理を、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理で実施することもできる。
また、本発明の別態様として、前記第1電極配設工程と前記隔壁形成工程の間において、各々の第1電極の上面に1または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、当該機能層形成工程において、第1電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設することもできる。
また、本発明の別態様として、基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層に対向して、行方向及び列方向に沿って配される複数の素子形成領域の各々に対応して第1電極を設ける第1電極配設工程と、行方向に沿って配される各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、各第1電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、有機発光層に対向して、第1電極と極性が異なる第2電極を配設する第2電極形成工程とを経る有機EL表示パネルの製造方法であって、前記第1電極配設工程では、層間絶縁層に対向して金属膜を成膜し、これをエッチング処理により第1電極をパターニングし、且つ、前記エッチング処理で、行方向で隣接する第1電極間の位置の層間絶縁層を掘削することにより第1の開口部を形成し、前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することにより、列方向に延伸された隔壁を形成し、前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪ませることにより第1の窪み部を形成することもできる。
ここで本発明の別態様として、前記隔壁形成工程後に、第1の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施することもできる。
また本発明の別態様として、前記親液性処理を、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理で実施することもできる。
また、本発明の別態様として、第1電極配設工程と隔壁形成工程の間において、各々の第1電極に対向して1または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第1電極に接して積層し、且つ、行方向に沿って隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設することもできる。
当該機能層形成工程において、第1電極に接して積層し、且つ、行方向に沿って隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設することもできる。
<実施の形態1>
(有機EL表示パネル100の構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係るトップエミッション型の有機EL表示パネル100(以下、単に「パネル100」と称する。)の構成を示す上面図である。図2はパネル100上に配された一の有機EL素子周辺の部分拡大図である。なお図1、2では説明のため、有機発光層8より上方に配置される第2電極、封止層等の構成を省略している。図2では、第1電極6の輪郭を点線で示し、コンタクトホール5の輪郭を二点鎖線で示している。
(有機EL表示パネル100の構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係るトップエミッション型の有機EL表示パネル100(以下、単に「パネル100」と称する。)の構成を示す上面図である。図2はパネル100上に配された一の有機EL素子周辺の部分拡大図である。なお図1、2では説明のため、有機発光層8より上方に配置される第2電極、封止層等の構成を省略している。図2では、第1電極6の輪郭を点線で示し、コンタクトホール5の輪郭を二点鎖線で示している。
パネル100では、図1に示すように、列(X)方向及び行(Y)方向にわたり配された各素子形成領域に対応して、各有機EL素子15R、15G、15Bがマトリクス状に配列されている。この配列のうち行(Y)方向には、RGBのいずれかの発光色に対応する有機発光層8を有する有機EL素子15(15R、15B、15G)が、それぞれサブピクセルとして繰り返し配設されている。パネル100では行(Y)方向に沿って隣接する3色のサブピクセルの組み合わせが1画素(ピクセル)として機能する。なお図1に示す20はパネル100の周囲に配されたシール材である。パネル100の上方には、図示しないフロントパネルが重ね合わされ、シール材20を用いて貼着される。
パネル100はいわゆるラインバンク構造を採用しており、列(X)方向にライン状に延伸されたバンク10Lが、行(Y)方向にストライプ状に並設されている。隣接する各一組のバンク10Lの各間に、同色の発光色の有機EL素子15R、15B、15Gが複数にわたり配列される。隣接する一対のバンク10Lの間において、隣接する同色の各有機EL素子15の間は、図2のように、非発光領域を形成する画素規制層11により区画されている。
図3は、一の有機EL素子周辺の積層構造を示す、パネル100の部分断面図(図2のA-A‘線断面図)である。図4は、パネル100の部分断面図(図2のB-B‘線断面図)である。
図3に示すように、パネル100は、TFT基板1(以下、単に「基板1」と称する。)の片側主面に対し、TFT配線部(TFT層)2、平坦化膜(層間絶縁層)4、第1電極(陽極)6、電荷注入輸送層7が順次積層されてなる。バンク10Lは、パネル100では電荷注入輸送層7の表面に形成されているが、バンク10Lを積層した後に電荷注入輸送層7を設ける場合、または、電荷注入輸送層7を設けない場合は、平坦化膜4の上にバンク10Lを直接設けることもできる。
隣接する一対のバンク10L間における素子形成領域には、電荷注入輸送層7の表面に、さらに有機発光層8と、図示しない第2電極(陰極)、封止樹脂が順次積層形成される。
基板1はパネル100におけるベース部分であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料のいずれかの公知材料を用いて形成することができる。
TFT配線部2は、当該基板1の表面において、パネル100に配された全ての有機EL素子15R、15G、15Bをアクティブマトリクス方式で駆動するために形成されている。
平坦化膜(層間絶縁層)4は、耐熱性及び絶縁性に優れるポリイミド等の有機材料で構成され、TFT配線部2における給電電極(透明電極部)3を除く部分を被覆して、基板表面を平坦化するために配設される。なお、図4に示すように、平坦化膜4には、給電電極3を露出させて下部電極6と電気接続させるため、対応部分を厚み(Z)方向に沿って掘り下げてなる円形の底面を持つ孔(コンタクトホール5)が形成されている。
なお、コンタクトホール5は、一の素子形成領域において2個以上設けることもできる。また、形状としては図2のように、円形底面を有する形状に限定されず、多角状の底面を有する形状であってもよい。
さらに、平坦化膜4には図3に示すように、バンク10Lの配設位置である、行(Y)方向で隣接する第1電極6、6間に対応する位置において、一定の深さに掘り下げられた開口部41が形成されている。開口部41は、パネル100では列(X)方向に沿った溝として形成される。
第1電極6は、一定の長さを持つ短冊状の電極(陽極)であり、図1、2に示すように、列(X)方向を長手として、素子形成領域毎にマトリクス状に配置される。各第1電極6は、反射金属膜の表面に透明導電膜を積層して構成される。第1電極6の下面の大部分は平坦化膜4の表面と接しているが、コンタクトホール5の内部に第1電極6の一部が入り込み、給電電極3と電気接続されている。
反射金属膜(反射陽極)は有機発光層側に給電を行うとともに、有機発光層8で発生した光を効率よく上方から取り出せるように、良好な可視光反射率を有する金属材料(アルミニウムまたはアルミニウム合金)を用いて構成される。ここで言う「アルミ合金」とは、アルミニウムに対し、鉄、銅、マンガン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、パラジウム、コバルト、ネオジムの少なくともいずれかを加えてなる合金を指す。
透明導電膜は、ITO、IZO等の公知の透明導電材料で構成され、反射金属膜を被覆して、反射金属膜を大気中の酸素等から遮断し、不要な被膜形成により反射金属膜の反射率や導電性が低下するのを防止する。
画素規制層(PCL)11は、SiON等の絶縁性材料から構成された層であり、図1、2に示すように列(X)方向に沿って隣接する素子形成領域の間における電荷注入輸送層7の表面において、バンク10Lの長手(X)方向と直交するように形成される。画素規制層11を設けた領域は、駆動時に第1電極6、や図示しない第2電極から発光層8への通電が遮断されることで非発光領域(いわゆる画素規制領域)となる。
電荷注入輸送層7は、第1電極6と有機発光層8の間に設けられる機能層の一つであって、駆動時に陽極側から供給される電荷(ホール)を効率よく輸送し、有機発光層8側に注入するために設けられる。材料例としては公知材料、たとえば(モリブデンやタングステンの酸化物)が挙げられる。電荷注入輸送層7は、ここでは蒸着法により配設される。この場合は図3のように、各第1電極6の上面を直接接するように積層され、行方向で隣接する第1電極間及び平坦化膜4の第1開口部41の内周面を覆うように設けられる。
なお、機能層は第1電極と有機発光層8の間において、1または複数の層の積層体として設けられる。このため、電荷注入輸送層7の他に別の機能層を積層してもよい。また、電荷注入輸送層7の代わりに、第1電極6の表面側から、電荷注入層、電荷輸送層の2層の機能層を同順に積層してもよい。
有機発光層8は、電荷注入輸送層7の表面に対し、RGBのいずれかの発光色に対応する所定の有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥させて構成されている。この有機発光材料としては、公知材料が利用できる。たとえば特開平5-163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2-ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
バンク(隔壁)10Lは、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなり、行(Y)方向で隣接する素子形成領域間を区画するように列(X)方向に沿ってライン状に延伸され、行(Y)方向に一定間隔をおいてストライプ状に並設される。ここでパネル100の特徴として、バンク10Lは、行(Y)方向で隣接する第1電極6間と平坦化膜4に形成された第1開口部41に対してバンク材料を埋設してなる埋設部102と、当該埋設部102の上方に隆起して設けられた本体部103とで構成されている。そして、本体部103の頂部には、行(Y)方向で隣接する第1電極6間と平坦化膜4の第1開口部41の内部に沿って、埋設部102をなすバンク材料を落ち込ませて窪ませることで、窪み部101が形成されている。
窪み部101は、全体的にはバンク10Lの長手方向(列(X)方向)に沿って、ライン状に形成された溝である。この窪み部101は、パネル100の製造工程において、各素子形成領域に有機発光層8の材料として、有機発光層材料を含むインクを塗布した際において、素子形成領域よりインクが溢れ出た場合に当該インクを適切に保持し、バンク10Lを隔てた異なる発光色の素子形成領域間で、インク同士が混色を生じるのを防止する目的で配されたものである。窪み部101の内面には、素子形成領域から溢れ出たインクをインク溜まり9X(図22参照)として良好に保持できるように、親液性処理が施される。一方、窪み部101を除く本体部103の表面は撥水性とされ、インクが素子形成領域において均一な塗膜で乾燥できるようになされている。
なお窪み部101の形状は、第1電極間の形状と開口部41の形状に沿って決定されるため、窪み部101の深さ(窪み量)は、開口部41の深さと比例関係にある。窪み部101の深さとしては、上記溢れ出たインクを適切に保持できる程度の十分な深さが望ましい。例えば、平坦化膜4の表面からの本体部の高さの10%以上100%以下の値に相当する深さに設定することが適切である。
次に、有機発光層8に積層される第2電極(陰極)は、例えばITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等で構成される。パネル100ではトップエミッション型構造を採るため、第2電極の材料に光透過性材料を用いる必要がある。
なお、第2電極の上には公知の封止層が設けられる。封止層は、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料で形成され、有機発光層8が水分や空気等に触れて劣化するのを抑制する。この封止層も光透過性材料で構成する。
(表示装置の構成例)
図21は、パネル100を利用してなる表示装置200の構成を示す図である。
(表示装置の構成例)
図21は、パネル100を利用してなる表示装置200の構成を示す図である。
表示装置200は、パネル100と、これに接続された駆動制御部120とから構成されている。駆動制御部120は、4つの駆動回路121~124と制御回路125で構成されている。
図22は、表示装置200を用いたテレビシステムの一例を示す外観形状である。
(パネル100が有する諸効果について)
以上の構成を有するパネル100は、各有機EL素子15R~15Bに配される、互いに異なる発光色の有機発光層8が、製造工程においてバンク10Lの窪み部101を利用することで、有機発光材料を含むインクを塗布する際に混色発生を防止して良好に形成されており、優れた画像表示性能を有している。
(パネル100が有する諸効果について)
以上の構成を有するパネル100は、各有機EL素子15R~15Bに配される、互いに異なる発光色の有機発光層8が、製造工程においてバンク10Lの窪み部101を利用することで、有機発光材料を含むインクを塗布する際に混色発生を防止して良好に形成されており、優れた画像表示性能を有している。
具体的に有機発光層8は、通常はインクジェット方式による塗布工程において、有機材料及び溶媒を含むインクを塗布し、溶媒成分を蒸発・乾燥させて形成される。ここで窪み部101は、単にバンク10Lのベーク形成時における体積収縮を利用して形成するのではなく、平坦化膜4の開口部41及び行(Y)方向で隣接する第1電極6間の形状に合わせて十分な深さ(容積)を持つように形成されている。このため図22に示すように、各素子形成領域に塗布された豊富な量のインクが、基板の搬送に伴う加速や振動により外部に溢れ出したとしても、十分な深さ(容積)を持つ窪み部101に流れ込み、その内部で適切に液溜まり9Xとなって保持される。これによりインクは、それ以上にバンク10Lを乗り越えて他の素子形成領域に流れ込むことが抑制されるので、バンク10Lを隔てて塗布された、互いに発光色が異なるインク同士の混色が防止され、各有機発光層8が良好に形成されて、優れた画像表示性能を有するパネル100が実現される。
さらにパネル100では、行(Y)方向で隣接する第1電極6、6間の平坦化膜4に形成された、十分な深さを持つ開口部41に対して埋設部102を配設している。これによりバンク10Lは、いわゆるスパイク効果によって基板側に強固に配設されるので、埋設部102と一体的に形成された本体部103の下面部(基板1に沿った面部)からの押圧力を受けて、第1電極6及び電荷注入輸送層7の各端部は基板側に押圧される。従って、平坦化膜4(第1電極6)の表面に対して第1電極6(電荷注入輸送層7)が浮きや剥離を発生するのが抑制され、第1電極6と平坦化膜4、第1電極6及び電荷注入輸送層7の各密着性を向上させて、これらを良好に配設することができる。
なお、パネル100では、開口部41の内部周面に電荷注入輸送層7が被覆されており、その分、埋設部102は電荷注入輸送層7に対する接触面積を広く確保することができる。このため電荷注入輸送層7は、埋設部102と第1電極6の双方に対して良好に密着した状態を安定して保つことができる。
さらにパネル100は、埋設部102が行(Y)方向で隣接する第1電極6、6間に介在する構成となるため、第1電極6、6同士の確実な絶縁が図れ、作動信頼性の向上を期待することもできる。
なお、このような窪み部101は、平坦化膜4に形成した開口部41の深さを調節することで、十分な深さと形状を持つように形成できる。窪み部101の深さの調整については、後に詳細を検討する。
(有機EL表示パネル100の製造方法)
ここでは、先に有機EL表示パネル100の全体的な製造方法を図11~14を用いて例示する。これらの図では説明簡単化のため、基板1、TFT層2、給電電極3の図示を省略している。図11~13では、図中左側にバンク10L(窪み部)101の周辺領域のYZ断面図を示す。また、図中右側には、コンタクトホール5の周辺領域のXZ断面図を示す。
ここでは、先に有機EL表示パネル100の全体的な製造方法を図11~14を用いて例示する。これらの図では説明簡単化のため、基板1、TFT層2、給電電極3の図示を省略している。図11~13では、図中左側にバンク10L(窪み部)101の周辺領域のYZ断面図を示す。また、図中右側には、コンタクトホール5の周辺領域のXZ断面図を示す。
なお、当然ながら以下の製造方法は例示にすぎず、これ以外の製造方法も勿論適用可能である。また、ここではパネル100の製造方法を主に説明するが、パネル100A~100Eについても基本的に同様に製造できる。
(基板準備工程)
まず、基板1を準備し、スパッタ成膜装置のチャンバー内に載置する。そしてチャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタ法に基づき、図3に示すように、TFT層2及び給電電極3を形成する。
(平坦化膜形成工程;第1の方法)
次にフォトレジスト法に基づき、TFT層2及び給電電極3の上に対向して、絶縁性に優れる公知の光硬化型樹脂を含む有機材料(平坦化膜材料4X)を、最終厚みが約4μmになるように一様に塗布する(図11(a))。
(基板準備工程)
まず、基板1を準備し、スパッタ成膜装置のチャンバー内に載置する。そしてチャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタ法に基づき、図3に示すように、TFT層2及び給電電極3を形成する。
(平坦化膜形成工程;第1の方法)
次にフォトレジスト法に基づき、TFT層2及び給電電極3の上に対向して、絶縁性に優れる公知の光硬化型樹脂を含む有機材料(平坦化膜材料4X)を、最終厚みが約4μmになるように一様に塗布する(図11(a))。
次に、塗布した平坦化膜材料4Xの表面にに対向して所定のフォトマスクPM1を配置する。開口部41を形成する部分にはハーフトーン窓を配置させ、コンタクトホール5を形成する部分には開口窓を配置させる。この状態で、外部から露光処理を行う(図11(b))。その後、現像処理を行うと、開口部41を形成する部分には一定の深さの窪みが形成され、コンタクトホール5を形成する部分には開口部が形成される(図11(c))。なお、ハーフトーン窓は、開口部の深さを調節するための一手段であり、ハーフトーン窓の露光量を増大させると開口部の深さを深く調節できる。開口部を形成した後、ベーク処理を経ると、開口部41及びコンタクトホール5が形成され、平坦化膜4が完成する(図11(d))。
なお後述するように、ラインバンク構造を有するパネル100A、100B、100C、及びピクセルバンク構造を有するパネル100D、100E、100Fの各々については、フォトマスクPM1のハーフトーン窓の位置(パターン)、透過率それぞれ調節し、形成すべき開口部41の深さ、形状を予め調節しておくことで、上記と同様に平坦化膜4を形成することができる。
(第1電極形成工程;第1の方法)
続いて、平坦化膜4の上に対向して、真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み50nm程度の金属膜6Xを一様に成膜する(図11(e))。次に、この上に対向して光分解性樹脂を含むレジストPR1を一様に塗布し(図11(f))、開口部41に対応する位置に開口窓を持つフォトマスクPM2を介して露光処理する(図11(g))。その後、現像処理を行うと(図11(h))、開口部41に対応する位置のレジストPR1が剥離される。この状態でエッチング処理を実施し(図11(i))、残存するレジストPR1を剥離すれば、開口部41に臨む金属膜61Xの端部が切除され、コンタクトホール5の内部を覆うように配設された、第1電極6が完成する(図11(j))。
(第1電極形成工程;第1の方法)
続いて、平坦化膜4の上に対向して、真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み50nm程度の金属膜6Xを一様に成膜する(図11(e))。次に、この上に対向して光分解性樹脂を含むレジストPR1を一様に塗布し(図11(f))、開口部41に対応する位置に開口窓を持つフォトマスクPM2を介して露光処理する(図11(g))。その後、現像処理を行うと(図11(h))、開口部41に対応する位置のレジストPR1が剥離される。この状態でエッチング処理を実施し(図11(i))、残存するレジストPR1を剥離すれば、開口部41に臨む金属膜61Xの端部が切除され、コンタクトホール5の内部を覆うように配設された、第1電極6が完成する(図11(j))。
なお、平坦化膜形成工程と第1電極形成工程としては、次の第2の方法を採ることもできる。この方法の特徴として、一旦平坦に形成した平坦化膜4の表面を、第1電極6のパターニング時に合わせてエッチングし、開口部41を設ける。
(平坦化膜形成工程;第2の方法)
(図11(a))と同様に、フォトレジスト法に基づき、TFT層2及び給電電極3の上に対向して、平坦化膜材料4Xを最終厚みが約4μmになるように一様に塗布する(図12(a))。
(平坦化膜形成工程;第2の方法)
(図11(a))と同様に、フォトレジスト法に基づき、TFT層2及び給電電極3の上に対向して、平坦化膜材料4Xを最終厚みが約4μmになるように一様に塗布する(図12(a))。
次に、塗布した平坦化膜材料4Xの表面に、コンタクトホール5を形成する位置に開口窓を配置し、開口部41を形成する位置を完全に遮光するようにフォトマスクPM1を配設し、外部から露光処理を行う(図12(b))。その後、現像処理を行うと、開口部41を形成する部分には未だ平坦性が維持され、コンタクトホール5を形成する部分に開口部が形成される(図12(c))。ベーク処理を経ると、コンタクトホール5が形成され、平坦化膜4が完成する(図12(d))。
(第1電極形成工程;第2の方法)
続いて、図11(e)~(g)と同様の手順で、金属膜6Xの成膜を行い、その上にレジストPR1を一様に形成し、フォトマスクPM2を介して露光処理を行う(図12(e)~(g))。現像処理を経ると、開口部41の形成位置における金属膜6Xが露出する(図12(h))。次に、第1のエッチング処理(ウェットエッチング)を行い、金属膜6Xをパターニングして、第1電極6を形成する(図12(i))。このとき、Y方向で隣接する第1電極6間の平坦化膜4が露出する。続いて、第2のエッチング処理(ウェットエッチングまたはドライエッチング)を行い、前記露出した平坦化膜4を厚み方向に掘削する(図12(j))。ここで、第2のエッチング処理の強度や処理時間に比例して、開口部の深さを深くすることができる。その後、レジストPR1を剥離すると、図11(j)と同様に、開口部41が形成され、且つ第1電極6が形成された基板が得られる(図12(k))。
(第1電極形成工程;第2の方法)
続いて、図11(e)~(g)と同様の手順で、金属膜6Xの成膜を行い、その上にレジストPR1を一様に形成し、フォトマスクPM2を介して露光処理を行う(図12(e)~(g))。現像処理を経ると、開口部41の形成位置における金属膜6Xが露出する(図12(h))。次に、第1のエッチング処理(ウェットエッチング)を行い、金属膜6Xをパターニングして、第1電極6を形成する(図12(i))。このとき、Y方向で隣接する第1電極6間の平坦化膜4が露出する。続いて、第2のエッチング処理(ウェットエッチングまたはドライエッチング)を行い、前記露出した平坦化膜4を厚み方向に掘削する(図12(j))。ここで、第2のエッチング処理の強度や処理時間に比例して、開口部の深さを深くすることができる。その後、レジストPR1を剥離すると、図11(j)と同様に、開口部41が形成され、且つ第1電極6が形成された基板が得られる(図12(k))。
上記した第1の方法または第2の方法のいずれかを経た後、機能層形成工程に移る。
(画素規制層形成工程)
次に、SiON等の無機酸化物(絶縁物)を真空蒸着等の方法により基板表面に対向して一様に形成する。そして前記無機酸化物の表面にフォトレジスト法を用い、列(X)方向で隣接する素子形成領域間に画素規制層11を形成する。具体的には、前記機能層を形成した基板表面に対向して一様に光分解性樹脂を含むレジスト材料を塗布する。そして、前記素子形成領域間に相当する位置以外に開口窓を配置させるように、フォトマスクを配設し、露光処理を実施する。その後、現像処理を経ると、行(Y)方向に沿って、帯状に各素子形成領域間以外が露出したレジスト膜が形成される。
(画素規制層形成工程)
次に、SiON等の無機酸化物(絶縁物)を真空蒸着等の方法により基板表面に対向して一様に形成する。そして前記無機酸化物の表面にフォトレジスト法を用い、列(X)方向で隣接する素子形成領域間に画素規制層11を形成する。具体的には、前記機能層を形成した基板表面に対向して一様に光分解性樹脂を含むレジスト材料を塗布する。そして、前記素子形成領域間に相当する位置以外に開口窓を配置させるように、フォトマスクを配設し、露光処理を実施する。その後、現像処理を経ると、行(Y)方向に沿って、帯状に各素子形成領域間以外が露出したレジスト膜が形成される。
次にエッチング処理を行い、前記各素子形成領域以外の前記無機酸化物を除去した後、レジスト膜を剥離することで、図2に示すパターンを持つ画素規制層11が形成される。
(機能層形成工程)
次に、第1電極6の上面に対向して、機能層として、電荷注入輸送層7を成膜する。ここでは反応性スパッタ法に基づいた成膜を行う。モリブデンやタングステン等の金属材料をスパッタ源(ターゲット)として用い、スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをそれぞれチャンバー内に導入し、成膜を行う(図13(a))。その後、アニール処理を経ると、モリブデンやタングステンの酸化物からなる電荷注入輸送層7が形成される(図13(b))。いわゆる薄膜形成法の一種である反応性スパッタ法を用いることで、電荷注入輸送層7は開口部41の内周面、及びコンタクトホール5内の第1電極6の表面にも一様に形成される。
(バンク形成工程)
次に、バンク材料として、例えば光硬化性樹脂を含む、フッ素系もしくはアクリル系のレジスト材料を用意する。これを電荷注入輸送層7の表面に対向して一様に塗布する(図13(c))。このとき、開口部41及びコンタクトホール5に対して塗布したレジスト材料は、開口部41及びコンタクトホール5の形状に沿って落ち込む(図13(c))。
(機能層形成工程)
次に、第1電極6の上面に対向して、機能層として、電荷注入輸送層7を成膜する。ここでは反応性スパッタ法に基づいた成膜を行う。モリブデンやタングステン等の金属材料をスパッタ源(ターゲット)として用い、スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをそれぞれチャンバー内に導入し、成膜を行う(図13(a))。その後、アニール処理を経ると、モリブデンやタングステンの酸化物からなる電荷注入輸送層7が形成される(図13(b))。いわゆる薄膜形成法の一種である反応性スパッタ法を用いることで、電荷注入輸送層7は開口部41の内周面、及びコンタクトホール5内の第1電極6の表面にも一様に形成される。
(バンク形成工程)
次に、バンク材料として、例えば光硬化性樹脂を含む、フッ素系もしくはアクリル系のレジスト材料を用意する。これを電荷注入輸送層7の表面に対向して一様に塗布する(図13(c))。このとき、開口部41及びコンタクトホール5に対して塗布したレジスト材料は、開口部41及びコンタクトホール5の形状に沿って落ち込む(図13(c))。
この状態で、塗布したレジスト材料10Xの上にフォトマスクPM3を配設し、開口部41に対応する位置に開口窓を介して光を照射するように露光処理を行う(図13(d)。その後、現像処理を行うことにより、開口部41に対応する位置以外のレジスト材料10Xが除去される(図13(e))。その後、ベーク処理を行うと、埋設部102及び本体部103、窪み部101を有する、ライン状のバンク10Lが完成する(図13(f))。
なお、後述するパネル100A~100Fについては、それぞれ先に形成した所定の深さ及び形状を持つ開口部41に沿って、バンク材料が落ち込み(図13(c))、所定の窪み部101、101X、101Y等を有するバンク10P、10Lが形成される。
(親液性処理工程)
次に、上記形成したバンク10Lの表面に対に対向して、光分解性樹脂を含むレジストPR2を塗布する(図14(a))。次に、窪み部101に対応する位置に開口窓を有するフォトマスクPM4を配設し、露光処理を行う(図14(b))。その後、現像処理を行い、未硬化のレジストを除去すると、窪み部101のみが外部に露出する(図14(c))。この状態で紫外線照射(例えば高圧水銀等を用いて1000mJ照射)を行い、窪み部101の表面に存在するフッ素成分を除去することで、親液性処理を実施する(図14(d))。その後はレジストPR2を除去し、処理を完了する(図14(e))。
(親液性処理工程)
次に、上記形成したバンク10Lの表面に対に対向して、光分解性樹脂を含むレジストPR2を塗布する(図14(a))。次に、窪み部101に対応する位置に開口窓を有するフォトマスクPM4を配設し、露光処理を行う(図14(b))。その後、現像処理を行い、未硬化のレジストを除去すると、窪み部101のみが外部に露出する(図14(c))。この状態で紫外線照射(例えば高圧水銀等を用いて1000mJ照射)を行い、窪み部101の表面に存在するフッ素成分を除去することで、親液性処理を実施する(図14(d))。その後はレジストPR2を除去し、処理を完了する(図14(e))。
なお、窪み部101に施す親液性処理はこれに限定されない。例えばハーフトーン窓を有するフォトマスクPM4を用い、図13(e)の工程の後、追加露光することで親液性処理を行うことが可能である。
(塗布工程による有機発光層形成工程)
次に、インクジェット装置システム(印刷装置)を用いて有機発光層材料を含むインクを塗布する。図15は塗布工程(有機発光層形成工程)を示す模式図である。図中、左側から右側に向けて工程の進行を示す。
(塗布工程による有機発光層形成工程)
次に、インクジェット装置システム(印刷装置)を用いて有機発光層材料を含むインクを塗布する。図15は塗布工程(有機発光層形成工程)を示す模式図である。図中、左側から右側に向けて工程の進行を示す。
まず、有機発光層材料である有機材料と溶媒を所定比率で混合し、インクを調整する。このインクを、図15に示すインクジェット装置システムのインクジェットヘッドに供給する。印刷装置のステージに、塗布対象基板を載置する。そして、公知のインクジェット方式によるウェットプロセスに基づき、XYアームに配置したインクジェットヘッドを走査して、インクを各素子形成領域の電荷注入輸送層7の上に対向するように塗布する(図15(a))。この塗布工程は、発光色の異なる3種のインクを順次詰め替えることで、最終的に基板上に配された全ての素子形成領域にわたって、同様に実施する。
全ての発光色のインクの塗布が完了したら、リフトアップピンを作動させ、印刷装置のステージから塗布対象基板を下す(図15(b))。
次に、ロボットアームまたはローラーを用いた水平搬送により、塗布対象基板を乾燥装置内に搬送し、チャンバー内においてホットプレート上に塗布対象基板を載置する。チャンバー内を窒素雰囲気または真空(減圧)雰囲気に設定し、インクを乾燥させる(図15(c))。その後、基板をロボットアームまたはローラーを用いた水平搬送によってベーク装置に搬送し、窒素雰囲気または真空(減圧)雰囲気においてベーク処理を行い、有機発光層8を完成する。
ここで、インクの塗布を完了した塗布対象基板を印刷装置のステージから乾燥装置まで搬送する際、振動や加速が基板に加わり、塗布されたインクが所定の素子形成領域から溢れ出るおそれがある。この問題に対して本実施の形態1では、図22に示すように、バンク10Lの頂部に十分な深さ(容積)を有する窪み部101が形成されているので、たとえインク8Xが行(Y)方向に溢れ出たとしても、インクは窪み部101の内部でインク溜まり9Xとなり、適切に保持される。このため、特に異なる発光色のインクが塗布された素子形成領域間において発生しうるインクの混色を防止して、良好に有機発光層を形成することが可能である。
またバンク10Lでは、窪み部101を除く本体部103の表面が窪み部101に比べて相対的に撥液性を有しており、本体部103の表面に対してインクが広く付着するのが防止される。従って、隣接する一対のバンク10Lの間でインクを良好に保持できるため、インクが素子形成領域から溢れ出すのを未然に防止できる効果も期待できる。
(第2電極形成工程)
次に、上記形成された各有機発光層8の表面に対向して、ITO、IZO等の材料を用い、真空蒸着法で成膜する。これにより第2電極10が形成される。
(その他の工程)
第2電極10の表面に対し、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料を真空蒸着法で成膜することで、封止層を形成する。
(第2電極形成工程)
次に、上記形成された各有機発光層8の表面に対向して、ITO、IZO等の材料を用い、真空蒸着法で成膜する。これにより第2電極10が形成される。
(その他の工程)
第2電極10の表面に対し、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料を真空蒸着法で成膜することで、封止層を形成する。
以上の工程を経ることにより、全ての有機EL素子15R~15Bが形成され、有機EL表示パネル100が完成する。
次に、本発明の別の実施の形態について、それぞれの主たる特徴部分を中心に説明する。
<実施の形態2>
図5は、実施の形態2に係るパネル100Aの部分断面図(パネル100に係る図3に相当)である。パネル100Aの特徴は、電荷注入輸送層7を、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)などの有機材料を用いて構成し、塗布型として配設した点にある。すなわち、パネル100Aの電荷注入輸送層7は、機能層形成工程において、隣接するバンク10Lの間の第1電極6の表面にインクを塗布し、これを乾燥させることで形成されている。この構成によって、バンク10Lの埋設部102は、隣接する第1電極6の各側面と、平坦化膜4の開口部41の内周面に直接接するように配される。
<実施の形態2>
図5は、実施の形態2に係るパネル100Aの部分断面図(パネル100に係る図3に相当)である。パネル100Aの特徴は、電荷注入輸送層7を、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)などの有機材料を用いて構成し、塗布型として配設した点にある。すなわち、パネル100Aの電荷注入輸送層7は、機能層形成工程において、隣接するバンク10Lの間の第1電極6の表面にインクを塗布し、これを乾燥させることで形成されている。この構成によって、バンク10Lの埋設部102は、隣接する第1電極6の各側面と、平坦化膜4の開口部41の内周面に直接接するように配される。
このような構成を持つパネル100Aにおいても、パネル100とほぼ同様に、インクの混色を防いで良好に有機発光層8を形成できるほか、埋設部102と一体的に形成された本体部103の下面部が第1電極6を基板側に押圧することで、第1電極6の浮きや剥離の発生を抑制できる。また、埋設部102の存在によって、行(Y)方向で隣接する第1電極6同士の短絡を防止する効果も期待できる。
<実施の形態3>
図6(a)は、実施の形態3に係るパネル100Bの構成を示す、模式的な正面図である。図中、「B」で示されるパネル周辺領域でのバンク10Lの窪み量が、「A」で示されるパネル中央領域でのバンク10Lの窪み量よりも大きくなるように調整されている。
<実施の形態3>
図6(a)は、実施の形態3に係るパネル100Bの構成を示す、模式的な正面図である。図中、「B」で示されるパネル周辺領域でのバンク10Lの窪み量が、「A」で示されるパネル中央領域でのバンク10Lの窪み量よりも大きくなるように調整されている。
塗布対象基板に対してインクを塗布した場合、パネル周辺領域Bがパネル中央領域Aに比べて、比較的インクの混色を生じ易いという、面内分布を生じる問題がある。この原因としては、パネルにインクを塗布した後、塗布対象基板を移動・搬送する際に、水平方向に対する角度がパネル周辺領域Bにおいて比較的変動し易く、その結果、パネル周辺領域Bにおいてインクが溢れを誘発し易い等の理由が考えられる。
パネル100Bはこの問題を考慮したものであり、図6(b)に示すように、パネル中央領域Aにおいては埋設部102の深さをD1、窪み部101の深さ(窪み量)をH1に設定する。一方、パネル周辺領域Bにおいては図6(c)に示すように、埋設部102の深さD2をD1よりも深く設定し、十分な深さH2を持つ窪み部101を形成する。数値の設定例として、D1を1000nmとする場合、H1を250nm程度に設定することができる。また、D2を3000nmとする場合には、H2を750nm程度に設定することができる。このようなH1、H2、D1、D2の各調節方法は、例えば前述した平坦化膜形成工程において、平坦化膜材料4Xに対する露光量がパネル中央領域Aと周辺領域Bとで異なるように光透過率を調節した所定のハーフトーンマスク(フォトマスクPM1)を用い、露光処理を実施することで行える。
なお図6に示すように、埋設部102の深さD1、D2は、実際には平坦化膜4の開口部41の深さと、第1電極6及び電荷注入輸送層7の各厚み分の合計に相当する。しかしながら、通常は第1電極6及び電荷注入輸送層7の各厚みに対して平坦化膜4の膜厚が十分に厚いため、埋設部102の深さ調整においては、平坦化膜4の膜厚条件が支配的になると思われる。
なお、パネル100Bに設ける中央領域Aのパターンは、正面図の図6(a)に示す楕円形に限定されず、その他のパターン(例えば矩形パターン)にすることもできる。また、周辺領域Bの最小幅L1、R1もそれぞれ変更が可能であるが、例えば最小幅L1はパネル100Bの行(Y)方向長の10%~20%の範囲、最小幅R1は列(X)方向長の10%~20%の範囲に適宜設定できる。
このような工夫を行うことで、パネル100Bでは実施の形態1と同様の効果が奏されるのに加え、従来はインクの混色を生じ易かった周辺領域Bにおいても、各素子形成領域から溢れたインクが十分な深さH2を有する窪み部101において適切に保持される。このため、互いに異なる発光色のインクの混色の発生をより効果的に防止できる。
<実施の形態4>
図7は、実施の形態4に係るパネル100Cにおける、素子周辺の部分拡大図(パネル100を示す図2に相当)である。
<実施の形態4>
図7は、実施の形態4に係るパネル100Cにおける、素子周辺の部分拡大図(パネル100を示す図2に相当)である。
当図に示すように、パネル100Cのバンク10Lには、各素子形成領域の位置に合わせて断続的に長尺状の窪み部101を設けている。この窪み部101の配設位置は、各有機EL素子15R、15G、15Bの発光領域(すなわち画素規制層を設けていない領域)に合わせたものである。このような工夫により、有機発光層形成工程において、インク塗布後には、少なくとも発光領域に対応した位置でインクが外部に溢れ出て混色を生じる問題が防止される。このため、実質的には実施の形態1とほぼ同様の効果が奏され、主として発光領域で異なる発光色同士のインクの混色が防止され、良好な画像表示性能を持つPDP100Cが実現される。なお、窪み部101の形状としてはこのほか、より細かなドット状の形状として、列(X)方向に断続的に設けることも可能である。
<実施の形態5>
図8は、実施の形態5に係るパネル100Dの素子周辺の部分拡大図(パネル100に係る図2に相当)である。
<実施の形態5>
図8は、実施の形態5に係るパネル100Dの素子周辺の部分拡大図(パネル100に係る図2に相当)である。
パネル100Dはいわゆるピクセルバンク構造を有し、各素子形成領域を取り囲むように、行列方向に沿ってバンク部110X、110Yが配され、井桁状のバンク10Pが形成されている。ここでバンク部110Xは実施の形態1のバンク10Lとほぼ同様の構成であり、図示しない埋設部の上に本体部を形成して構成され、本体部の頂部に、列(X)方向に沿って、バンク材料を図示しない埋設部側に窪ませることで形成された窪み部101Xが存在する。
このような構成を持つパネル100Dにおいても、実施の形態1のパネル100と同様の効果が奏され、異なる発光色の混色を防止して、良好に有機発光層8を形成することで、優れた画像表示性能を持つパネル100Dが得られる。
<実施の形態6>
図9は、実施の形態6に係るパネル100Eの素子周辺の部分拡大図(パネル100に係る図2に相当)である。パネル100Eは実施の形態5のパネル100Dを基本とし、さらにバンク部110Yの頂部に対し、行(Y)方向に沿って窪み部101Yを形成した構成を有する。
<実施の形態6>
図9は、実施の形態6に係るパネル100Eの素子周辺の部分拡大図(パネル100に係る図2に相当)である。パネル100Eは実施の形態5のパネル100Dを基本とし、さらにバンク部110Yの頂部に対し、行(Y)方向に沿って窪み部101Yを形成した構成を有する。
このような構成を有するパネル100Eにおいては、パネル100Dが有する効果と同様の効果に加え、さらにバンク部110Yに設けた窪み部101Yの内部で溢れたインクを保持できるので、列(X)方向へのインクの不要な流れを防止し、均一な膜厚で有機発光層8を形成できる利点もある。なお、このようなパネル100Eの窪み部101Yも、窪み部101と同様に、平坦化膜4に形成した開口部(開口部41に相当するもの)を形成し、バンク材料を列(X)方向で隣接する第1電極6,6間及び前記開口部内に落ち込ませることで形成することができる。
<実施の形態7>
図10は、実施の形態7に係るパネル100Fのコンタクトホール周辺の断面図(パネル100に係る図3に相当)である。
<実施の形態7>
図10は、実施の形態7に係るパネル100Fのコンタクトホール周辺の断面図(パネル100に係る図3に相当)である。
パネル100FはパネルEとほぼ同様の構成であるが、行(Y)方向に延びるバンク部110Yにおける本体部104のX方向幅をコンタクトホール5を含めた領域にまで拡大した点に主な特徴を有する。このような構成によって、パネル100Eと同様の効果を奏するほか、幅広のバンク部110Yを有することで、各素子形成領域に塗布されたインクが列(X)方向で隣接する他の素子形成領域に流れ込むことが効果的に抑制され、均一な膜厚を持つ有機発光層8を形成する上で有利となる。さらに、バンク部110Yをコンタクトホール周辺の構造と併せてパターニングできるため、バンク形成工程におけるバンクのパターニングを比較的容易に行え、良好な製造効率でパネル100Fを製造できる利点もある。
<窪み部の深さについて>
次に、平坦化膜の開口部の深さ(凹み量)と、これによって形成されるバンクの窪み部の深さとの関係について述べる。
<窪み部の深さについて>
次に、平坦化膜の開口部の深さ(凹み量)と、これによって形成されるバンクの窪み部の深さとの関係について述べる。
図16は、平坦化膜に形成した開口部の深さ(凹み量)と、バンクの窪み部の深さとの関係を示すグラフである。図17~19は、平坦化膜の開口部の凹みを変化させたときのバンクの断面形状を示す測定図である。開口部の凹み量は、平坦化膜を一様に形成した後、公知のハーフトーンマスクを用いて露光量を変化させることで調節した。
ます図16に示すように、本体部の窪み部の深さは、平坦化膜の開口部の凹み量とほぼリニアな比例関係にある。開口部の深さが平坦化膜の厚み範囲に収まる場合、開口部の深さに比例して窪み部の深さを調節することができる。しかしながら、開口部の凹み量が、そのまま本体部の窪み部の深さになるわけではなく、若干の開きがあること(図16の直線の傾き)に留意する。このような開口部の凹み量と本体部の窪み部の深さの関係は、バンクに用いるレジスト材料の種類、特性(粘度や硬度等)によって変化するものと考えられる。
一例として、図16のデータ測定時の結果を説明する。この測定実験においては、図6(b)、(c)に示したように、開口部の深さをD、窪み部の深さをHとすると、開口部深さDが0nmのときは本体部に窪み部が存在しないが(図17)、開口部深さDを240nmに設定すると、深さHが100nm程度の窪み部が形成された(図17)。さらに、開口部の深さDを、平坦化膜の厚みとほぼ同等(4000nm)に設定すると、窪み部の深さHが本体部の高さ(1000nm)と同等になった。このような結果から、平坦化膜の開口部の深さDに応じた本体部の窪み部の深さを予め調べておくことで、窪み部の深さを目的値に合わせて細かく設定できることが分かる。なお、図19は開口部の代わりにコンタクトホール周辺構造を利用したデータであるが、開口部を用いても同様の結果が得られると思われる。
発明者らが行った実験結果によれば、開口部の深さDを100nm~4000nmの範囲で変化させることで、窪み部の深さHを25nm~1000nmの範囲で調節できることが分かった。
<その他の事項>
有機発光層8はインクを塗布し、これを乾燥してなる構成(塗布型)を例示したが、有機発光層は塗布型に限定されず、これ以外の方法で形成してもよい。例えば、真空蒸着法やスパッタリング法、電子ビーム法等を用いた、いわゆる真空プロセスで形成することもできる。この場合、インクの混色防止に関する効果は無関係となるが、開口部41に埋設された埋設部103及び本体部102でバンク10Lを形成することで、本体部102の下面で第1電極6や電荷注入輸送層7等を基板側に抑え、剥離や浮き上がりを適切に防止する効果を期待できる。また、隣接する第1電極6、6同士を埋設部103の介在によって確実に短絡防止する効果も奏される。
<その他の事項>
有機発光層8はインクを塗布し、これを乾燥してなる構成(塗布型)を例示したが、有機発光層は塗布型に限定されず、これ以外の方法で形成してもよい。例えば、真空蒸着法やスパッタリング法、電子ビーム法等を用いた、いわゆる真空プロセスで形成することもできる。この場合、インクの混色防止に関する効果は無関係となるが、開口部41に埋設された埋設部103及び本体部102でバンク10Lを形成することで、本体部102の下面で第1電極6や電荷注入輸送層7等を基板側に抑え、剥離や浮き上がりを適切に防止する効果を期待できる。また、隣接する第1電極6、6同士を埋設部103の介在によって確実に短絡防止する効果も奏される。
なお、本発明において言及する「行方向」及び「列方向」とは、あくまで有機EL表示パネルの表面に沿って、互いに直交する2方向を指す、例示的な方向である。従って、本明細書で記載する「行方向」と「列方向」との表記自体に厳密な意味はなく、これらの方向を互いに入れ替えてもよい。
本発明は、携帯電話用のディスプレイやテレビなどの表示素子、各種光源などに使用される有機EL素子及びこれを利用した有機EL表示パネルとその製造方法として利用可能である。いずれの用途においても、表示ムラの少ない良好な発光特性または画像表示性能を発揮することのできる有機EL素子や有機EL表示パネルを期待することが可能である。
PR1、PR2 フォトレジスト
PM1~PM4 フォトマスク
1 基板
2 TFT配線部(薄膜トランジスタ層)
3 給電電極
4 平坦化膜(層間絶縁層)
4X 平坦化膜材料
5 コンタクトホール
6 第1電極(陽極)
6X 金属膜
7 電荷注入輸送層(HIL)
8 有機発光層
9 第2電極(陰極)
10L バンク(ラインバンク)
10P バンク(ピクセルバンク)
10X レジスト材料
11 画素規制層(PIL)
15、15R、15G、15B 有機EL素子(サブピクセル)
100、100A~100F 有機EL表示パネル
101、101X、101Y 窪み部
102、105 埋設部
103、104 本体部
110X、110Y バンク部
200 表示装置
PM1~PM4 フォトマスク
1 基板
2 TFT配線部(薄膜トランジスタ層)
3 給電電極
4 平坦化膜(層間絶縁層)
4X 平坦化膜材料
5 コンタクトホール
6 第1電極(陽極)
6X 金属膜
7 電荷注入輸送層(HIL)
8 有機発光層
9 第2電極(陰極)
10L バンク(ラインバンク)
10P バンク(ピクセルバンク)
10X レジスト材料
11 画素規制層(PIL)
15、15R、15G、15B 有機EL素子(サブピクセル)
100、100A~100F 有機EL表示パネル
101、101X、101Y 窪み部
102、105 埋設部
103、104 本体部
110X、110Y バンク部
200 表示装置
Claims (19)
- 基板と、
基板に対向して配された層間絶縁層と、
層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第1電極と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、
各第1電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、
各有機発光層に対向して配設され、第1電極と極性が異なる第2電極と、を含み、
前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部が設けられ、
前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、
前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪んでなる第1の窪み部が存在する
ことを特徴とする、有機EL表示パネル。 - 前記有機発光層は、素子形成領域に有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥してなる
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 列方向に延設された前記隔壁が、行方向に所定間隔毎に並設されている
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1の窪み部は、各隔壁の本体部の頂部において、列方向に沿って形成されている
請求項3に記載の有機EL表示パネル。 - 前記隔壁は、各素子形成領域を取り囲むように、列方向及び行方向に延設されている請求項1に記載の有機EL表示パネル。
- 前記層間絶縁層には、列方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第2の開口部が設けられ、
前記行方向に延伸して設けられた隔壁は、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第2の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、
前記本体部の頂部には、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第2の開口部の形状に沿って窪んでなる第2の窪み部が存在する
請求項5に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1の窪み部は、当該第1の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する
ことを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第2の窪み部は、当該第2の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する
ことを特徴とする、請求項6に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1の電極と前記有機発光層の間には、1または複数の機能層が設けられ、
前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、
前記電荷注入輸送層は、前記第1電極に直接接するように積層され、且つ、前記行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように配設されている
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1の電極と前記有機発光層との間には、1または複数の機能層が設けられ、
前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、
前記隔壁は、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面に接するように配されている
請求項1に記載の有機EL表パネル。 - 第1の窪み部は、層間絶縁層表面からの本体部の高さの10%以上100%以下に相当する深さを有する
請求項1に記載の有機EL表示パネル。 - 基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層に対向するように、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して第1電極を設ける第1電極配設工程と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に隔壁を延設する隔壁形成工程と、
各第1電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
有機発光層に対向して、第1電極と極性が異なる第2電極を配設する第2電極形成工程とを経る有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記層間絶縁層形成工程では、フォトレジスト法に基づき、行方向で隣接する第1電極間の位置に合わせて第1の開口部を有するように層間絶縁層を形成し、
前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、
前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することで、列方向に隔壁を延設し、
前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪ませることで第1の窪み部を形成する
有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記隔壁形成工程後に、第1の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施する
請求項12に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記親液性処理は、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理である
請求項13に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記第1電極配設工程と前記隔壁形成工程の間において、各々の第1電極の上面に1または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第1電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設する
請求項12に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層に対向して、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して第1電極を設ける第1電極配設工程と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、
各第1電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
有機発光層に対向して、第1電極と極性が異なる第2電極を配設する第2電極形成工程とを経る有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記第1電極配設工程では、層間絶縁層に対向して金属膜を成膜し、これをエッチング処理して第1電極をパターニングし、且つ、前記エッチング処理により、行方向で隣接する第1電極間の位置の層間絶縁層を掘削することにより第1の開口部を形成し、
前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、
前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することにより、列方向に隔壁を延設し、
前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1の開口部の形状に沿って窪ませることにより第1の窪み部を形成する
有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記隔壁形成工程後に、第1の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施する
請求項16に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記親液性処理は、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理である
請求項17に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 第1電極配設工程と隔壁形成工程の間において、各々の第1電極に対向して、1または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第1電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第1電極間及び前記第1開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設する
請求項16に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
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---|---|---|---|
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
CN103889087A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
US20150263284A1 (en) * | 2012-06-21 | 2015-09-17 | Osram Oled Gmbh | Method for closely connecting an organic optoelectronic component to a connection piece, connection structure for force-locking connecting, and optoelectronic component device |
JP2016085923A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20160129188A (ko) * | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20180013469A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
CN108878472A (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110010778A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-12 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
JP2019133959A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2021039956A (ja) * | 2020-12-08 | 2021-03-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2021213439A1 (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
KR20220103079A (ko) * | 2015-02-06 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2023133916A1 (zh) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5745046B2 (ja) | 2011-06-08 | 2015-07-08 | 株式会社Joled | 発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム |
JP6135427B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
KR102201827B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법 |
CN104882468B (zh) * | 2015-06-09 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN105140236B (zh) * | 2015-07-31 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件及其制备方法以及显示装置 |
CN108022942B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-06-30 | 上海和辉光电有限公司 | 一种阵列基板和有机发光显示面板 |
KR102546420B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2023-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
CN108074950B (zh) * | 2016-11-11 | 2021-11-23 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备及其制造方法 |
CN108074951A (zh) * | 2016-11-14 | 2018-05-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光面板 |
KR102676858B1 (ko) * | 2016-12-16 | 2024-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN108364987B (zh) * | 2018-02-24 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
JP7076135B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-05-27 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法 |
CN109148533B (zh) * | 2018-08-21 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器 |
KR102693172B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2024-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20200134368A (ko) | 2019-05-21 | 2020-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
CN110112203B (zh) | 2019-05-30 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制备方法和显示装置 |
CN110224010B (zh) | 2019-06-13 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、显示面板、oled显示基板的制备方法 |
CN110534548A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
CN110993646B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制备方法及oled背板 |
CN111192905A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-05-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极体显示器件及其制造方法 |
US11424270B2 (en) * | 2020-06-02 | 2022-08-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
CN112103322B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112701148B (zh) * | 2020-12-28 | 2024-04-30 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 顶发射显示面板、显示装置及其制作方法 |
GB2610326A (en) * | 2021-03-24 | 2023-03-01 | Boe Technology Group Co Ltd | Display panel, manufacturing method therefor, and display apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111166A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 有機el素子用バンク付き基板 |
JP2006058751A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
JP2007095520A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2009272276A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
US7488986B2 (en) * | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7230592B2 (en) * | 2002-03-04 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
KR100508002B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-08-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법 |
JP2006032010A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2006032198A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 隔壁構造体、電気光学装置、カラーフィルタ、回路基板、及びデバイス |
US7888867B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Organic el device having bank with groove, organic el display panel, and method for manufacturing the organic el device |
JP2010165612A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2010
- 2010-08-06 WO PCT/JP2010/004988 patent/WO2012017498A1/ja active Application Filing
- 2010-08-06 JP JP2012527475A patent/JP5677435B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-10 US US13/709,445 patent/US8816339B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111166A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 有機el素子用バンク付き基板 |
JP2006058751A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
JP2007095520A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2009272276A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9941473B2 (en) * | 2012-06-21 | 2018-04-10 | Osram Oled Gmbh | Method for closely connecting an organic optoelectronic component to a connection piece, connection structure for force-locking connecting, and optoelectronic component device |
US20150263284A1 (en) * | 2012-06-21 | 2015-09-17 | Osram Oled Gmbh | Method for closely connecting an organic optoelectronic component to a connection piece, connection structure for force-locking connecting, and optoelectronic component device |
JPWO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-07-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルとその製造方法 |
WO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
US9698347B2 (en) | 2012-08-02 | 2017-07-04 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method for manufacturing same |
CN103889087A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其制造方法 |
JP2014123527A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US9716208B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2016085923A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20220103079A (ko) * | 2015-02-06 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102633850B1 (ko) | 2015-02-06 | 2024-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20230060493A (ko) * | 2015-02-06 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
US11923375B2 (en) | 2015-02-06 | 2024-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
KR102525052B1 (ko) | 2015-02-06 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20160129188A (ko) * | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102495986B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2023-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102574594B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2023-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
KR20180013469A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
CN108878472A (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN108878472B (zh) * | 2017-05-12 | 2021-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
US11018209B2 (en) | 2017-05-12 | 2021-05-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate |
US10943962B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-03-09 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
CN110010778B (zh) * | 2017-12-14 | 2022-03-22 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
CN110010778A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-12 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示设备 |
JP2019133959A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2021213439A1 (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
US11882731B2 (en) | 2020-04-21 | 2024-01-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device, display panel and manufacturing method thereof |
JP2022103406A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-07-07 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2021039956A (ja) * | 2020-12-08 | 2021-03-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2023133916A1 (zh) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US8816339B2 (en) | 2014-08-26 |
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JP5677435B2 (ja) | 2015-02-25 |
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