TWI736735B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理方法，係包含：基板保持步驟，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；液膜形成步驟，係將除氣後的處理液供給至前述基板之上表面，藉此在前述基板上形成前述處理液之液膜；以及膜厚調整步驟，係以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板的基板處理方法以及基板處理裝置。在成為處理對象的基板中，例如包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等的基板。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製程中係進行從半導體晶圓或液晶顯示用玻璃基板等的基板除去異物的洗淨步驟。例如，在裝配有電晶體(transistor)或電容器(capacitor)等元件的半導體晶圓之表面形成多層配線的後段製程(BEOL：Back End of the Line)中係進行將藉由乾蝕刻(dry etching)或灰化(ashing)所產生的聚合物殘渣(polymer residue)予以除去的聚合物除去步驟。
在聚合物除去步驟中係對金屬配線(例如，銅配線)已露出的基板之表面供給聚合物除去液等的處理液。可是，當氧濃度比較高的處理液供給至基板時，基板上的金屬配 線就會因為正溶解於處理液中的氧(溶解氧)所氧化，且形成金屬氧化物。由於該金屬氧化物係因為被處理液所腐蝕(蝕刻)，所以恐有使由該基板所製作成的元件之品質降低之虞。金屬配線之蝕刻量係伴隨處理液中的氧濃度之增加而增加。又，由於處理液中之溶解氧所致的基板上之金屬配線的氧化，即便是在藉由聚合物除去液以外之處理液所為的基板之處理中仍可能發生。
於是，在下述專利文獻1中已有提出在由旋轉夾盤(spin chuck)所保持的基板、與對向於基板之上表面的阻斷板之間供給惰性氣體，藉此依惰性氣體來置換阻斷板與基板之間的氛圍的技術。藉此，由於基板之周圍的氛圍中的氧濃度會減低，所以能減低溶解於已供給至基板上之處理液中的氧之量。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-77595號公報。
只要可以省略藉由惰性氣體所為的氛圍之置換，就能縮短基板之處理所需的時間，且可以提高產能(throughput)(每一單位時間之基板的處理片數)。
於是，本發明之一目的係在於提供一種在處理具有金屬膜已露出之表面的基板的構成中，不用減低基板之周圍的氛圍中的氧濃度，就可以抑制因處理中之氧所引起的金 屬膜之氧化的基板處理方法以及基板處理裝置。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理方法，係包含：基板保持步驟，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；液膜形成步驟，係將除氣後的處理液供給至前述基板之上表面，藉此在前述基板上形成前述處理液之液膜；以及膜厚調整步驟，係以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。
依據該方法，在液膜形成步驟中得以在基板上形成有處理液之液膜。藉由該液膜來覆蓋已露出於基板之表面的金屬膜。在膜厚調整步驟中，在液膜形成步驟中已形成於基板上的液膜之厚度係調整成為100μm以上。為此，調整後的液膜有足夠的厚度。
由於液膜有足夠的厚度，故而可以藉由液膜暴露於基板之周圍的氛圍中來抑制已溶解於處理液的氧到達基板之上表面。又，由於液膜有足夠的厚度，故而液膜之體積亦足夠大。為此，可以抑制起因於氧溶解於已供給至基板之上表面的處理液中而使液膜中之氧濃度上升。從而，由於與金屬膜反應的氧會減低，所以可以抑制金屬膜之氧化。
因而，無需減低基板之周圍的氛圍中之氧濃度，就可以抑制因處理液中之氧所引起的金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：以前述基板之旋轉速度成為300rpm以下的方式來控制前述基板之旋轉，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該方法，在膜厚調整步驟中係以基板之旋轉速度成為300rpm以下的方式來控制基板之旋轉，藉此能調整液膜之厚度。
在旋轉狀態之基板上形成的液膜係有離心力作用。為此，當基板之旋轉速度變大時，就會增加藉由離心力而往基板外部飛散的處理液之量，而使基板上的處理液之量減少。因此，恐有液膜之厚度變得不足之虞。於是，在膜厚調整步驟中，藉由以基板之旋轉速度變的足夠小的方式(成為300rpm以下的方式)來控制基板之旋轉，就可以使液膜變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：以前述處理液之供給量成為2.0L/min以上的方式來控制前述處理液之供給量，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
如前面所述，藉由離心力作用於旋轉狀態之基板上所形成的液膜，處理液就會往基板外部飛散。為此，當處理液之供給量變少時，基板上的處理液之量就會減少。藉此，恐有液膜之厚度變得不足之虞。
於是，在膜厚調整步驟中，藉由以處理液之供給量變得足夠多的方式(成為2.0L/min以上的方式)來控制處理液之供給量，就可以使液膜變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述液膜形成步驟係包含：朝向前述基板之上表面的旋轉中心供給前述處理液，藉此形成前述液膜的步驟。然後，前述膜厚調整步驟係包含：朝向前述基板之上表面的旋轉中心之側方的位置供給氣體，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該方法，在液膜形成步驟中，藉由朝向基板之上表面的旋轉中心供給處理液就能形成液膜。
在朝向基板之上表面的旋轉中心供給處理液的情況下，在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置(特別是，距離基板之上表面的旋轉中心約20mm的位置與距離基板之上表面的旋轉中心約80mm的位置)，液膜較容易變厚。另一方面，在基板之上表面的周緣附近，液膜較容易變薄。換句話說，在基板之上表面內的液膜之厚度容易發生不均一。
於是，在膜厚調整步驟中，藉由朝向基板之上表面的旋轉中心之側方的位置(例如，距離基板之上表面的旋轉中心約20mm的位置與距離基板之上表面的旋轉中心約80mm的位置之間的位置)供給氣體，除了加上離心力以外，還可以使氣體將處理液朝向基板之周緣側擠出之力作用於位在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置的處理液。藉此，位在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置的處理液往基板之周緣側移動的速度會增大。為此，在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置中的液膜之厚度會減低，且基 板之上表面的周緣附近中的液膜之厚度會增大。藉此，可以減低液膜之厚度的不均一。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理方法係更包含：膜厚測量步驟，係測量在前述膜厚調整步驟中所調整後的前述液膜之厚度。
依據該方法，在膜厚測量步驟中，能測量在膜厚調整步驟中所調整後的液膜之厚度。為此，可以提早偵測在膜厚調整步驟中液膜之厚度從所意圖的值中偏移等之基板處理的異常。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：基於在前述膜厚測量步驟中所測量到的前述液膜之厚度來調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該方法，在膜厚調整步驟中係能基於在膜厚測量步驟中所測量到的液膜之厚度來調整液膜之厚度。為此，在膜厚調整步驟中，可以精度佳地調整液膜之厚度。
本發明係更提供一種基板處理裝置，包含：基板保持單元，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉單元，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；處理液供給單元，係將除氣後的處理液供給至前述基板之上表面；以及控制器，係控制前述基板保持單元、前述基板旋轉單元及前述處理液供給單元。
然後，前述控制器係以執行基板保持步驟、基板旋轉步驟、液膜形成步驟及膜厚調整步驟的方式來程式化，該基板保持步驟係使前述基板保持於前述基板保持單元，該 基板旋轉步驟係使前述基板繞著前述旋轉軸線而旋轉，該液膜形成步驟係將前述處理液供給至前述基板之上表面，藉此在前述基板上形成前述處理液之液膜，該膜厚調整步驟係以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。
依據該構成，在液膜形成步驟中係在基板上形成有處理液之液膜。藉由該液膜來覆蓋已露出於基板之表面的金屬膜。在膜厚調整步驟中，在液膜形成步驟中已形成於基板上的液膜之厚度係調整成為100μm以上。為此，調整後的液膜有足夠的厚度。
由於液膜有足夠的厚度，故而可以藉由液膜暴露於基板之周圍的氛圍中來抑制已溶解於處理液的氧到達基板之上表面。又，由於液膜有足夠的厚度，故而液膜之體積亦足夠大。為此，可以抑制起因於氧溶解於已供給至基板之上表面的處理液中而使液膜中之氧濃度上升。從而，由於與金屬膜反應的氧會減低，所以可以抑制金屬膜之氧化。
因而，無需減低基板之周圍的氛圍中之氧濃度，就可以抑制因處理液中之氧所引起的金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：以前述基板之旋轉速度成為300rpm以下的方式來控制前述基板之旋轉，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該構成，在膜厚調整步驟中係以基板之旋轉速度變得足夠小的方式(成為300rpm以下的方式)來控制基板之 旋轉。為此，可以使液膜變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：以前述處理液之供給量成為2.0L/min以上的方式來控制前述處理液之供給量，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該構成，在膜厚調整步驟中，能以處理液之供給量變得足夠多的方式(成為2.0L/min以上的方式)來控制處理液之供給量。為此，可以使液膜變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜之氧化。
在本發明之一實施形態中，前述液膜形成步驟係包含：朝向前述基板之上表面的旋轉中心供給前述處理液，藉此形成前述液膜的步驟。然後，前述膜厚調整步驟係包含：朝向前述基板之上表面的旋轉中心之側方的位置供給氣體，藉此調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該構成，在液膜形成步驟中，藉由朝向基板之上表面的旋轉中心供給處理液就能形成液膜。在膜厚調整步驟中係能朝向基板之上表面的旋轉中心之側方的位置(例如，距離基板之上表面的旋轉中心約20mm的位置與距離基板之上表面的旋轉中心約80mm的位置之間的位置)供給氣體。藉此，除了加上離心力以外，還可以使氣體將處理液朝向基板之周緣側擠出之力作用於位在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置的處理液。藉此，位在基板之上表面的旋轉中心之側方的位置的處理液往基板之周緣側移動的速度會增大。為此，在基板之上表面的旋轉中心之側方 的位置中的液膜之厚度會減低，且基板之上表面的周緣附近中的液膜之厚度會增大。藉此，可以減低液膜之厚度的不均一。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理裝置更包含能夠測量前述液膜之厚度的膜厚測量單元。然後，前述控制器係藉由控制前述膜厚測量單元來執行測量在前述膜厚調整步驟中所調整後的前述液膜之厚度的膜厚測量步驟。
依據該構成，在膜厚測量步驟中，能測量在膜厚調整步驟中所調整後的液膜之厚度。為此，可以提早偵測在膜厚調整步驟中液膜之厚度從所意圖的值中偏移等之基板處理的異常。
在本發明之一實施形態中，前述膜厚調整步驟係包含：基於在前述膜厚測量步驟中所測量到的前述液膜之厚度來調整前述液膜之厚度的步驟。
依據該構成，在膜厚調整步驟中係能基於在膜厚測量步驟中所測量到的液膜之厚度來調整液膜之厚度。為此，在膜厚調整步驟中，可以精度佳地調整液膜之厚度。
本發明中的前述之、或更進一步之其他的目的、特徵及功效係能參照附圖並藉由以下所述的實施形態之說明而獲得明白。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧杯體
7‧‧‧藥液供給單元
8‧‧‧沖洗液供給單元
9‧‧‧氣體供給單元
10‧‧‧膜厚測量單元
11‧‧‧阻斷板
11a‧‧‧對向面
14‧‧‧腔室
20‧‧‧夾盤銷
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
30‧‧‧藥液噴嘴
31‧‧‧藥液供給管
32‧‧‧藥液供給閥
33‧‧‧藥液流量調整閥
34‧‧‧藥液除氣單元
35‧‧‧藥液噴嘴移動單元
40‧‧‧沖洗液噴嘴
41‧‧‧沖洗液供給管
42‧‧‧沖洗液供給閥
43‧‧‧沖洗液流量調整閥
44‧‧‧沖洗液除氣單元
50‧‧‧氣體噴嘴
51‧‧‧氣體供給管
52‧‧‧氣體供給閥
53‧‧‧氣體流量調整閥
55‧‧‧氣體噴嘴移動單元
56‧‧‧轉動軸
57‧‧‧噴嘴臂
58‧‧‧機械臂驅動機構
60‧‧‧膜厚探針
61‧‧‧膜厚測量器
62‧‧‧連接線
70‧‧‧金屬膜
72‧‧‧層間絕緣膜
73‧‧‧下配線槽
74‧‧‧銅配線
75‧‧‧蝕刻阻止膜
76‧‧‧低介電常數絕緣膜
77‧‧‧上配線槽
78‧‧‧導孔
80‧‧‧液膜
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
C1‧‧‧旋轉中心
CR、IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠口
P1‧‧‧第一位置
P2‧‧‧第二位置
T‧‧‧厚度
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置之內部布局(layout)的圖解俯視圖。
圖2係用以說明備置於前述基板處理裝置的處理單元 之構成例的示意圖。
圖3係用以說明前述基板處理裝置之主要部分的電氣構成的方塊圖。
圖4係用以說明藉由前述基板處理裝置所處理的基板之表面狀態之一例的剖視圖。
圖5係用以說明藉由前述基板處理裝置所為的基板處理之一例的流程圖。
圖6係用以說明藥液處理(圖5之S2)之樣態的圖解剖視圖。
圖7係顯示測量藉由基板之旋轉速度的變化所致的氫氟酸之液膜的厚度之變化後的結果之曲線圖。
圖8係顯示測量藉由氫氟酸之液膜的厚度之變化所致的Cu(銅)膜之蝕刻量的變化後之結果的曲線圖。
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置1之內部布局的圖解俯視圖。
基板處理裝置1係指逐片處理矽晶圓(silicon wafer)等的基板W的單片式之裝置。在本實施形態中，基板W為圓板狀之基板。基板處理裝置1係包含：複數個處理單元2，係用藥液或沖洗液等的處理液來處理基板W；裝載埠口(load port)LP，係可供收容在處理單元2所處理之複數片基板W的載具(carrier)C載置；搬運機器人(robot)IR及CR，係在裝載埠口LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制器3，用以控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在載 具C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2，例如是具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2之構成例的示意圖。
處理單元2係包含：旋轉夾盤(spin chuck)5，係一邊以水平之姿勢保持一片基板W一邊使基板W繞著通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1而旋轉；以及筒狀之杯體(cup)6，係包圍旋轉夾盤5。處理單元2係更包含：藥液供給單元7，係對基板W之上表面(表面)供給藥液；沖洗液供給單元8，係對基板W之上表面供給去離子水(Deionized Water：DIW)等的沖洗液；氣體供給單元9，係對基板W之上表面供給氮(N2)氣等的氣體；以及膜厚測量單元10，係測量已形成於基板W上的處理液等的液膜之厚度。
處理單元2係更包含用以收容杯體6的腔室(chamber)14(參照圖1)。在腔室14係形成有用以將基板W搬入至腔室14內部，或將基板W從腔室14內部搬出的出入口(未圖示)。在腔室14係具備有開閉該出入口的擋門單元(shutter unit)(未圖示)。
旋轉夾盤5係包含夾盤銷(chuck pin)20、旋轉基座(spin base)21、旋轉軸22及電動馬達23。旋轉軸22係沿著旋轉軸線A1而朝向鉛直方向延伸。旋轉軸22之上端係結合於旋轉基座21之下表面中央。
旋轉基座21係具有沿著水平方向的圓盤形狀。在旋轉 基座21之上表面的周緣部，沿著圓周方向隔出間隔地配置有複數個夾盤銷20。旋轉基座21及夾盤銷20係包含於水平地保持基板W的基板保持單元中。基板保持單元亦稱為基板保持具。
電動馬達23係對旋轉軸22提供旋轉力。旋轉軸22藉由電動馬達23而旋轉，藉此基板W可繞著旋轉軸線A1而旋轉。電動馬達23係包含於使基板W繞著旋轉軸線A1而旋轉的基板旋轉單元中。
藥液供給單元7係包含：對基板W之上表面供給藥液的藥液噴嘴30；以及結合於藥液噴嘴30的藥液供給管31。在藥液供給管31係從藥液供給源供給有氫氟酸(氟化氫水：HF)等的藥液。
藥液供給單元7係更包含夾設於藥液供給管31的藥液供給閥32、藥液流量調整閥33及藥液除氣單元34。再者，藥液除氣單元34，亦可為惰性氣體鼓泡(bubbling)藥液櫃(cabinet)。藥液供給閥32係開閉藥液之流路。藥液流量調整閥33係按照其開啟度來調整藥液供給管31內部的藥液之流量。藥液除氣單元34係從藥液中除去氧，該藥液係從藥液供給源供給至藥液供給管31後的藥液。
藥液係不限於氫氟酸，亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF：buffered hydrofluoric acid)、稀氫氟酸(DHF：diluted hydrofluoric acid)、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如，檸檬酸(citric acid)、草酸鹽(oxalic acid)等)、有機鹼(例如，TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide(氫氧化四鉀銨)等)、界面活性劑、防腐劑中之至少一個的液體。作為混合此等所成的藥液之例，可列舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)、SC1(ammonia/hydrogen peroxide mixture；氨氣過氧化氫混合液)、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture；鹽酸過氧化氫混合液)等。
藥液噴嘴30係藉由藥液噴嘴移動單元35而朝向鉛直方向(與旋轉軸線A1平行之方向)及水平方向(垂直於旋轉軸線A1之方向)移動。藥液噴嘴30係可以藉由往水平方向之移動而在中央位置與退避位置之間移動。藥液噴嘴30位於中央位置時，與基板W之上表面的旋轉中心C1對向。藥液噴嘴30位於退避位置時，不與基板W之上表面對向。藥液噴嘴30亦可在位於退避位置時，在俯視觀察下位於杯體6之外方。
基板W之上表面的旋轉中心C1係指與基板W之上表面中的旋轉軸線A1之交叉位置。與本實施形態不同，藥液噴嘴30亦可為固定噴嘴。
沖洗液供給單元8係包含：對基板W之上表面供給沖洗液的沖洗液噴嘴40；以及結合於沖洗液噴嘴40的沖洗液供給管41。在沖洗液供給管41係從沖洗液供給源供給有DIW等的沖洗液。
沖洗液供給單元8係更包含夾設於沖洗液供給管41的沖洗液供給閥42、沖洗液流量調整閥43及沖洗液除氣單元44。沖洗液供給閥42係開閉沖洗液之流路。沖洗液 流量調整閥43係按照其開啟度來調整沖洗液供給管41內部的沖洗液之流量。沖洗液除氣單元44係從沖洗液中除去氧，該沖洗液係從沖洗液供給源供給至沖洗液供給管41後的沖洗液。
沖洗液噴嘴40為固定噴嘴。與本實施形態不同，沖洗液噴嘴40亦可為能夠朝向水平方向及鉛直方向移動的移動噴嘴。
所謂沖洗液係不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)的鹽酸水、包含氨等的鹼性離子水、還原水(氫水)。
氣體供給單元9係包含氣體噴嘴50、氣體供給管51、氣體供給閥52及氣體流量調整閥53。氣體噴嘴50係對基板W之上表面的中央區域供給氮(N2)氣等的氣體。氣體供給管51係結合於氣體噴嘴50。氣體供給閥52係夾設於氣體供給管51，用以開閉氣體之流路。氣體流量調整閥53係夾設於氣體供給管51，用以按照其開啟度來調整氣體供給管51內部的氣體之流量。在氣體供給管51係從氣體供給源供給氮氣等的氣體。
作為從氣體供給源供給至氣體供給管51的氣體，較佳是氮氣等的惰性氣體。惰性氣體係不限於氮氣，亦可為對基板W之上表面及圖案不活性的氣體。作為惰性氣體之例，除了氮氣以外，還可列舉氬(argon)等的稀有氣體類。
氣體噴嘴50係藉由氣體噴嘴移動單元55而朝向鉛直方向及水平向移動。氣體噴嘴50係可以藉由往水平向之移 動而在中央位置與退避位置之間移動。氣體噴嘴50係在位於中央位置時，與基板W之上表面的旋轉中心C1對向。氣體噴嘴50係在位於退避位置時，不與基板W之上表面對向。
氣體噴嘴移動單元55，例如是包含：沿著鉛直方向的轉動軸56；結合於轉動軸56並水平地延伸的噴嘴臂(nozzle arm)57；以及驅動噴嘴臂57的機械臂驅動機構58。機械臂驅動機構58係藉由使轉動軸56繞著鉛直之轉動軸線而轉動來使噴嘴臂57水平地擺動。機械臂驅動機構58係藉由使轉動軸56沿著鉛直方向而升降來使噴嘴臂57上下移動。機械臂驅動機構58，例如是包含：滾珠螺桿機構(未圖示)；以及對該滾珠螺桿機構提供驅動力的電動馬達(未圖示)。
膜厚測量單元10係指用非接觸的方法來測量藥液等的液膜之厚度用的裝置。作為非接觸的方法，例如是可列舉紅外線吸收法或光干涉法等。
膜厚測量單元10係包含：具有發光部及受光部的膜厚探針(probe)60；具有光源及測光部的膜厚測量器61；以及連結膜厚探針60及膜厚測量器61的光纖等的連接線62。膜厚探針60係安裝於噴嘴臂57。為此，膜厚探針60係能夠與氣體噴嘴50一起朝向水平向及鉛直方向移動。
圖3係用以說明基板處理裝置1之主要部分的電氣構成的方塊圖。控制器3係具備微電腦(microcomputer)，且按照預定之控制程式來控制具備於基板處理裝置1中的控制對象。更具體而言，控制器3係包含：處理器(processor)(CPU： Central Processing Unit；中央處理單元)3A、以及儲存有控制程式的記憶體(memory)3B，且以藉由處理器3A執行控制程式來執行基板處理用的各種控制的方式所構成。特別是，控制器3係控制搬運機器人IR、CR、電動馬達23、噴嘴移動單元35、55、膜厚測量器61及閥類(藥液供給閥32、藥劑流量調整閥33、沖洗液供給閥42、沖洗液流量調整閥43、氣體供給閥52、氣體流量調整閥53等)的動作。
圖4係用以說明藉由基板處理裝置1所處理的基板W之表面狀態之一例的剖視圖。
如以下所說明般，搬入至基板處理裝置1的基板W，例如是指聚合物殘渣(乾蝕刻或灰化後的殘渣)附著於表面，且金屬膜70(金屬圖案)已露出的半導體晶圓。
金屬膜70，既可為銅或鎢(tungsten)及其他金屬的單層膜，又可為積層複數個金屬膜所成的多層膜。多層膜，例如亦可為包含銅膜、和積層於該銅膜上的CoWP(cobalt-tungsten-phosphorus；鈷-鎢-磷)膜的積層膜。CoWP膜係指用以防止擴散的帽蓋膜(cap film)。
如圖4所示，在基板W之表面上係形成有層間絕緣膜72。在層間絕緣膜72係從其上表面往下挖而形成有下配線槽73。在下配線槽73係埋設有銅配線74。銅配線74係包含於金屬膜70中。在層間絕緣膜72上係透過蝕刻阻止膜(etch stopper film)75而積層有作為被加工膜之一例的低介電常數絕緣膜76。在低介電常數絕緣膜76係從其上表面往下挖而形成有上配線槽77。更且，在低介電常數絕緣膜 76係形成有從上配線槽77之底面到達銅配線74之表面的導孔(via hole)78。在上配線槽77及導孔78係批量地埋設有銅。
上配線槽77及導孔78係藉由在低介電常數絕緣膜76上形成有硬遮罩(hard mask)之後，進行乾蝕刻處理，且除去從低介電常數絕緣膜76中的硬遮罩所露出的部分所形成。在形成有上配線槽77及導孔78之後，進行灰化處理，能從低介電常數絕緣膜76上除去已變成不需要的硬遮罩。
在乾蝕刻時及灰化時，包含低介電常數絕緣膜76或硬遮罩之成分的反應生成物(聚合物殘渣)，會附著於低介電常數絕緣膜76之表面(包含上配線槽77及導孔78之內面)等。為此，在灰化後，對基板W之表面供給聚合物除去液，並進行從低介電常數絕緣膜76之表面除去聚合物殘渣的聚合物除去步驟。以下，針對從如此的基板W之表面除去聚合物殘渣之處理例加以說明。
圖5係用以說明藉由基板處理裝置1所為的基板處理之一例的流程圖。在藉由基板處理裝置1所為的基板處理中，例如，如圖5所示，基於藉由控制器3所製作成的處理排程(treatment schedule)，而依順序地執行基板搬入(S1)、藥液處理(S2)、沖洗處理(S3)、乾燥處理(S4)及基板搬出(S5)。
在基板處理中，首先是灰化後的基板W藉由搬運機器人IR、CR從載具C搬入至處理單元2，且交付給旋轉夾盤 5(S1)。此後，基板W係在藉由搬運機器人CR所搬出為止的期間，藉由夾盤銷20從旋轉基座21之上表面空出間隔而水平地保持於上方(基板保持步驟)。
其次，在搬運機器人CR退避至處理單元2外部之後，開始藥液處理(S2)。
電動馬達23係使旋轉基座21旋轉。藉此，使水平地保持於旋轉夾盤20的基板W旋轉(基板旋轉步驟)。另一方面，藥液噴嘴移動單元35係將藥液噴嘴30配置於基板W之上方的藥液處理位置。
然後，藥液供給閥32被開啟。藉此，從藥液噴嘴30朝向旋轉狀態的基板W之上表面吐出(供給)藥液。由於藥液噴嘴30位於藥液處理位置，所以從藥液噴嘴30所吐出的藥液會附著於基板W之上表面的旋轉中心C1。所供給的藥液係藉由離心力而遍及於基板W之上表面的整體。藉此，基板W之上表面能藉由藥液所處理。
其次，在一定時間的藥液處理(S2)之後，執行DIW沖洗處理(S3)。在DIW沖洗處理(S3)中，藉由將基板W上的藥液置換成DIW，就能從基板W上排除藥液。
具體而言，藥液供給閥32被關閉，沖洗液供給閥42被開啟。藉此，能從沖洗液噴嘴40朝向基板W之上表面供給(吐出)沖洗液。從沖洗液噴嘴40所吐出的沖洗液係附著於基板W之上表面的中央部。已供給至基板W上的DIW係藉由離心力而遍及於基板W之上表面的整體。藉由該DIW能沖走基板W上的藥液。在此期間，藥液噴嘴移動單 元35會使藥液噴嘴30從基板W之上方往杯體6之側方退避開。
其次，進行使基板W乾燥的乾燥處理(S4)。
具體而言，沖洗液供給閥42被關閉。然後，電動馬達23係以比藥液處理(S2)及沖洗液處理(S3)中的基板W之旋轉速度更快的高旋轉速度(例如3000rpm)使基板W旋轉。藉此，較大的離心力會作用於基板W上之沖洗液，基板W上的沖洗液會朝向基板W之周圍甩開。如此，沖洗液能從基板W除去，且基板W會乾燥。然後，當基板W之高速旋轉開始之後經過預定時間時，電動馬達23就會使藉由旋轉基座21所為的基板W之旋轉停止。
之後，搬運機器人CR會進入處理單元2，並從旋轉夾盤5掬取處理完成的基板W，並往處理單元2外部搬出(S5)。該基板W係從搬運機器人CR往搬運機器人IR交付，且藉由搬運機器人IR來收納於載具C。
其次，針對藥液處理(圖5之S2)之詳細內容加以說明。
圖6係用以說明藥液處理(圖5之S2)之樣態的圖解剖視圖。在藥液處理(圖5之S2)中，藉由對基板W之上表面供給藥液，就能在基板W上形成藥液之液膜80(液膜形成步驟)。
電動馬達23係在基板W上形成有液膜80的狀態下，控制基板W之旋轉(旋轉控制步驟)。具體而言，較佳是以基板W之旋轉速度成為10rpm以上且300rpm以下的方式來控制基板W之旋轉。基板W之旋轉速度，更佳是10rpm 以上且200rpm以下。基板W之旋轉速度，再佳是10rpm以上且100rpm以下。
又，在基板W上形成有液膜80的狀態下，藉由調整藥液流量調整閥33之開啟度，就能控制來自藥液噴嘴30的藥液之供給(藥液量控制步驟)。具體而言，來自藥液噴嘴30的藥液之供給量(供給流量)，較佳是以成為500mL/min以上且10L/min以下的方式來控制藥液之供給。來自藥液噴嘴30的藥液之供給量，更佳是2.0L/min以上且10L/min以下。因藥液之供給量越是大流量就越可以增厚液膜80，故而藥液之供給量較佳是盡可能地大。為了充分地確保藥液之供給量，亦可設置複數個(二、三個)藥液噴嘴30。
如此，能控制基板W之旋轉或藥液之供給。藉此，能以液膜80之厚度T成為100μm以上且1cm以下的方式來調整液膜80之厚度T(膜厚調整步驟)。所謂液膜80之厚度T，係指鉛直方向上的液膜80之寬度。液膜80之厚度T，較佳是200μm以上且1cm以下。液膜80之厚度T，更佳是300μm以上且1cm以下。液膜80係沒有必要覆蓋基板W之上表面的整體，只要至少在基板W之上表面覆蓋金屬膜70所露出的區域即可。
在膜厚調整步驟中，氣體供給閥52亦可被開啟。藉此，氮氣等的氣體就能從氣體噴嘴50朝向基板W之上表面供給(氣體供給步驟)。此時，氣體噴嘴50係配置於能夠將氣體噴吹至基板W之上表面的旋轉中心C1之側方的位置。
所謂基板W之上表面的旋轉中心C1之側方，係指包 含從基板W之上表面的旋轉中心C1離開20mm的第一位置P1、與從基板W之上表面的旋轉中心C1離開80mm的第二位置P2之間的位置的區域。在基板W之上表面的旋轉中心C1之側方亦包含有第一位置P1及第二位置P2。為此，能從氣體噴嘴50朝向基板W之上表面的旋轉中心C1之側方噴出氣體。
在氣體供給步驟中，藉由調整氣體流量調整閥53之開啟度，就能調整來自氣體噴嘴50的氣體之供給量。來自氣體噴嘴50的氣體之供給量，較佳是5L/min以上且50L/min以下。來自氣體噴嘴50的氣體之供給量，更佳是5L/min。
在膜厚形成步驟中所調整後的液膜80之厚度T，亦可藉由膜厚測量單元10來測量(膜厚測量步驟)。亦可基於所測量到的液膜80之厚度T，來控制藥液之供給或基板W之旋轉。藉此，可以基於所測量到的液膜80之厚度T來調整液膜80之厚度T。亦即，即時地調整(控制)液膜80之厚度T。
在所測量到的液膜80之厚度T與所意圖的值不同的情況下，亦可在操作基板處理裝置1的操作面板(未圖示)等上顯示警告顯示。所謂所測量到的液膜80之厚度T與所意圖的值不同的情況，例如是指所測量到的液膜80之厚度T比100μm更小的情況。
氣體噴嘴移動單元55亦可與氣體噴嘴50一起使膜厚探針60朝向水平方向移動。藉此，能夠測量基板W上之各個位置的液膜80之厚度T。
以下係使用後面所述的圖7及圖8，來針對為了測量在藥液處理(圖5之S2)中使用氫氟酸來處理基板W之情況的金屬膜70(Cu膜)之腐蝕量(蝕刻量)所進行的實驗之結果加以說明。
具體而言，在旋轉狀態之基板W上形成氫氟酸之液膜80，且測量了液膜80之厚度T。然後，藉由將液膜80在基板W上保持1分鐘來處理基板W之上表面，之後，測量了Cu膜之蝕刻量。
在此實驗中，半徑為150mm的晶圓被使用作為基板W。此實驗係針對複數個旋轉速度(200rpm、400rpm、600rpm、800rpm及1000rpm)之各個旋轉速度來進行。各個旋轉速度中的液膜80之厚度T的測量係在從旋轉中心C1起算之距離不同的複數個部位中進行。已形成於所旋轉之基板W的液膜80之厚度T的測量係在未對基板W之上表面(液膜80)噴吹氮氣的狀態下進行。在此實驗中所使用的氫氟酸中的氟化氫之濃度為0.05重量%。在此實驗中所使用的氫氟酸之溫度為24℃。
液膜80之厚度T的測量係在將氫氟酸之供給量設為2.0L/min時之雙方的條件下進行。Cu膜之蝕刻量之測量係在將氫氟酸之供給量設為0.5L/min時、和將氫氟酸之供給量設為2.0L/min時之雙方的條件下進行。
圖7係顯示測量藉由基板W之旋轉速度的變化所致的氫氟酸之液膜80的厚度之變化後的結果之曲線圖。
在圖7之曲線圖中，將橫軸設為從基板W之上表面的 旋轉中心C1起算的距離，將縱軸設為位於從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的既定之距離的點上的液膜80之厚度T。圖7係圖示各個旋轉速度中的測量結果，且依每一旋轉速度而圖示從複數個部位之測量結果中所導出的近似曲線。
如圖7所示，在旋轉速度為400rpm以上的情況下，藉由從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離，液膜80之厚度T就變成比100μm更小。另一方面，在旋轉速度為200rpm的情況下，無關於從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離，液膜80之厚度T係超過了100μm。
具體而言，在使基板W以200rpm旋轉的情況下，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約50mm之位置上的液膜80之厚度T約為260μm。另一方面，在使基板W以1000rpm旋轉的情況下，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約50mm之位置上的液膜80之厚度T則低於100μm。
在使基板W以200rpm旋轉的情況下，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約145mm之位置上的液膜80之厚度T約為120μm。另一方面，在使基板W以400rpm以上的旋轉速度旋轉的情況下，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約145mm之位置上的液膜80之厚度T則低於100μm。
圖7所示之二點鏈線的曲線係用電腦模擬(simulation)了在對基板W之上表面(液膜80)噴吹氮氣後的狀態下使基 板W以200rpm旋轉時的液膜80之厚度T的結果。在該模擬中係將氮氣之供給量設為10L/min，將噴吹氮氣的位置設為從基板W之上表面的旋轉中心C1之側方(從旋轉中心C1起算的距離大約20mm至80mm之位置)。
依據該模擬結果，在已噴吹氮氣的位置，亦即從旋轉中心C1起算的距離大約20mm至80mm之位置，液膜80之厚度T會減低，而在從旋轉中心C1起算的距離大約80mm至145mm之位置，液膜80之厚度T則會增大。
詳言之，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約50mm之位置上的液膜80之厚度T，已減低至約260μm至約220μm。然後，從基板W之上表面的旋轉中心C1起算的距離約145mm之位置上的液膜80之厚度T，已增大至約120μm至約170μm。
圖8係顯示測量藉由氫氟酸之液膜80的厚度之變化所致的Cu膜之蝕刻量的變化後之結果的曲線圖。
參照圖8，將在Cu膜所損失的部分之厚度顯示作為Cu膜之蝕刻量。液膜80之厚度T的測量及Cu膜之蝕刻量的測量係在從旋轉中心C1起算的距離不同的四個部位進行。在圖8中，將橫軸設為氫氟酸的液膜80之厚度T，將縱軸設為測量到液膜80之厚度T之位置上的Cu膜之蝕刻量。
在圖8中，測量資料係在基板W之旋轉速度及測量部位等中未被區別，而是在氫氟酸之供給量中做區別。分別顯示將氫氟酸之供給量設為0.5L/min時的測量結果、和將 氫氟酸之供給量設為2.0L/min時的測量結果。以0.5L/min供給氫氟酸時的測量結果是以「□」來顯示。以2.0L/min供給氫氟酸時的測量結果是以「◆」來顯示。
如圖8所示，在液膜80之厚度T比100μm更小時，Cu膜之蝕刻量為1nm至7nm(參照比圖8之虛線更左側)。相對於此，在液膜80之厚度T為100μm以上時，無論是在哪個測量結果中，Cu膜之蝕刻量都約為1nm(參照比圖8之虛線更右側)。
根據該實驗，若液膜80之厚度T為100μm以上，則能推測可以充分地抑制Cu膜之蝕刻量。
在液膜80之厚度T為100μm以上時Cu膜仍損失了約1nm的理由係可認為是基於其他的主因所引起，而非起因於氫氟酸中之溶解氧與Cu膜反應所形成的氧化銅藉由氫氟酸而被蝕刻。
依據本實施形態，在液膜形成步驟中係在基板W上形成有氫氟酸等之藥液的液膜80。藉由該液膜80，能覆蓋已露出於基板W之上表面的金屬膜70。在膜厚調整步驟中係以液膜80之厚度成為100μm以上的方式來調整。為此，調整後的液膜80有足夠的厚度。
因液膜80有足夠的厚度，故而可以藉由液膜80暴露於基板W之周圍的氛圍中來抑制已溶解於藥液的氧到達基板W之上表面。又，因液膜80有足夠的厚度，故而液膜80之體積亦有足夠的大。為此，可以抑制起因於氧溶解於已供給至基板W之上表面的處理液中而使液膜80中之 氧濃度上升。從而，由於與金屬膜70反應的氧會減低，所以可以抑制金屬膜70之氧化。
因而，不用減低基板W之周圍的氛圍中之氧濃度，就可以抑制因藥液中之氧所引起的金屬膜70之氧化。
依據本實施形態，在膜厚調整步驟中係以基板W之旋轉速度成為300rpm以下的方式來控制基板W之旋轉，藉此調整液膜80之厚度T。
在已形成於旋轉狀態之基板W上的液膜80係有離心力作用。為此，當基板W之旋轉速度變大時，藉由離心力而往基板W外部飛散的藥液之量就會增加，且基板W上的藥液之量會減少。藉此，恐有液膜80之厚度T變成不足夠之虞。
於是，在膜厚調整步驟中，藉由以基板W之旋轉速度充分地變小的方式(成為300rpm以下的方式)來控制基板W之旋轉，就可以使液膜80變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜70之氧化。
依據本實施形態，在膜厚調整步驟中係以藥液之供給量成為2.0L/min以上的方式來控制藥液之供給量，藉此調整液膜80之厚度T。
如前面所述般，藉由離心力作用於已形成於旋轉狀態之基板W上的液膜80，藥液就會往基板W外部飛散。為此，當藥液之供給量變少時，基板W上的藥液之量就會減少。藉此，恐有液膜80之厚度T變得不足之虞。
於是，在膜厚調整步驟中，藉由以藥液之供給量變得足夠多的方式(成為2.0L/min以上的方式)來控制處理液之供給量，就可以使液膜80變得足夠厚。從而，可以抑制金屬膜70之氧化。
依據本實施形態，在液膜形成步驟中係朝向基板W之上表面的旋轉中心C1供給藥液，藉此能形成液膜80。
在朝向基板W之上表面的旋轉中心C1供給藥液的情況下，在基板W之上表面的旋轉中心C1之側方的位置(特別是，從基板W之上表面的旋轉中心C1距離約20mm的位置與從基板W之上表面的旋轉中心C1距離約80mm的位置)，液膜80較容易變厚。另一方面，在基板W之上表面的周緣附近，液膜80較容易變薄。換句話說，在基板W之上表面內的液膜80之厚度T容易發生不均一。當在液膜80之厚度T發生不均一時，就有必要使基板W之旋轉速度過度地降低，或使藥液之供給量過度地增大。
於是，在膜厚調整步驟中，藉由朝向基板W之上表面的旋轉中心C1之側方的位置(特別是，從基板W之上表面的旋轉中心C1距離約20mm的位置與從基板W之上表面的旋轉中心C1距離約80mm的位置之間的位置)供給氣體，就可以使除了離心力以外，還可以使氣體將藥液朝向基板W之周緣側擠出之力作用於位在基板W之上表面的旋轉中心C1之側方的位置的藥液。藉此，位在基板W之上表面的旋轉中心C1之側方的位置的藥液往基板W之周緣側移動的速度會增大。為此，在基板W之上表面的旋轉中心 C1之側方的位置中的液膜80之厚度T會減低，且基板W之上表面的周緣附近中的液膜80之厚度T會增大。藉此，可以減低液膜80之厚度T的不均一。
依據本實施形態，在膜厚測量步驟中係測量在膜厚調整步驟中所調整後的液膜80之厚度T。為此，可以提早偵測在膜厚調整步驟中液膜80之厚度T從所意圖的值中偏移等之基板處理的異常。
依據本實施形態，在膜厚調整步驟係能基於在膜厚測量步驟中所測量到的液膜80之厚度T來調整液膜80之厚度T。為此，在膜厚調整步驟中，可以精度佳地調整液膜80之厚度T。
依據本實施形態，因沒有必要用惰性氣體等來置換基板W之周圍的氛圍，故而沒有必要設置具有與基板W對向之對向面11a的阻斷板11(參照圖2之二點鏈線)。為此，容易活用腔室14內部的空間。
與本實施形態不同，即便是在設置有具有與基板W對向之對向面11a的阻斷板11(參照圖2之二點鏈線)的情況下，仍沒有必要為了在藥液處理(圖5之S2)中用惰性氣體來置換基板W之上表面的周圍之氛圍，而使阻斷板11鄰近於基板W。況且，沒有必要為了防止外部的氛圍進入基板W與對向面11a之間的空間，而將朝向鉛直方向延伸的筒狀部設置於阻斷板11。為此，如本實施形態之藥液噴嘴30或氣體噴嘴50的移動噴嘴之水平移動，不會因阻斷板11而受到妨礙。因而，與藉由惰性氣體而進行基板W之上 表面的周圍之氛圍之置換的構成的處理單元相較，係能在處理單元2中提高各構件的構成之自由度。
本發明係可以更進一步以其他的形態來實施，而非被限定於以上所說明的實施形態。
例如，與藉由上述之實施形態的基板處理裝置1所為的基板處理不同，亦可與藥液處理(S2)同樣，在DIW沖洗處理(S3)中，執行液膜形成步驟及膜厚調整步驟。
在上述之實施形態中，雖然已設置有膜厚測量單元10，但是與上述之實施形態不同，也可能有並未設置膜厚測量單元10的情況。
在上述之實施形態中，膜厚測量單元10之膜厚探針60係構成藉由氣體噴嘴移動單元55來與氣體噴嘴50一起移動。但是，與上述之實施形態不同，亦可設置有與氣體噴嘴移動單元55不同的噴嘴移動單元。然後，膜厚探針60亦可構成藉由該噴嘴移動單元而朝向水平方向及鉛直方向移動。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了明白本發明之技術內容所用的具體例，本發明不應被解釋限定於此等的具體例，本發明之範圍係僅藉由所附的申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2017年2月9日在日本特許廳所提出的特願2017-022153號，且本申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。
5‧‧‧旋轉夾盤
8‧‧‧沖洗液供給單元
9‧‧‧氣體供給單元
10‧‧‧膜厚測量單元
20‧‧‧夾盤銷
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸
30‧‧‧藥液噴嘴
50‧‧‧氣體噴嘴
55‧‧‧氣體噴嘴移動單元
57‧‧‧噴嘴臂
60‧‧‧膜厚探針
61‧‧‧膜厚測量器
80‧‧‧液膜
A1‧‧‧旋轉軸線
C1‧‧‧旋轉中心
P1‧‧‧第一位置
P2‧‧‧第二位置
T‧‧‧厚度
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理方法，係包含：基板保持步驟，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；液膜形成步驟，係將除氣後的蝕刻處理液朝向前述基板之前述上表面的旋轉中心供給，藉此在前述基板上形成前述蝕刻處理液之液膜；以及膜厚調整步驟，係朝向距離前述基板之前述上表面的旋轉中心20mm的位置與距離前述基板之前述上表面的旋轉中心80mm的位置之間的位置用10L/min的流量來供給氣體，一邊抑制在距離前述基板之前述上表面的旋轉中心20mm的位置與距離前述基板之前述上表面的旋轉中心80mm的位置之間的位置上的前述液膜之厚度一邊以前述蝕刻處理液之供給流量成為2.0L/min的方式來控制前述蝕刻處理液之供給流量，且以前述基板之旋轉速度成為200rpm的方式來控制前述基板之旋轉，藉此以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述金屬膜為銅膜。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述蝕刻處理液為氫氟酸。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中更包含：膜厚測量步驟，係測量在前述膜厚調整步驟中所調整後的前述液膜之厚度。
  5. 如請求項4所記載之基板處理方法，其中前述膜厚調整步驟係包含：基於在前述膜厚測量步驟中所測量到的前述液膜之厚度來調整前述液膜之厚度的步驟。
  6. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係將具有金屬膜已露出之上表面的基板水平地保持；基板旋轉單元，係使前述基板繞著沿鉛直方向之旋轉軸線而旋轉；處理液供給單元，係將除氣後的蝕刻處理液朝向前述基板之前述上表面的旋轉中心供給；氣體供給單元，係朝向前述基板之前述上表面供給氣體；以及控制器，係控制前述基板保持單元、前述基板旋轉單元及前述處理液供給單元；前述控制器係以執行基板保持步驟、基板旋轉步驟、液膜形成步驟及膜厚調整步驟的方式來程式化，該基板保持步驟係使前述基板保持於前述基板保持單元，該基板旋轉步驟係藉由前述基板旋轉單元使前述 基板旋轉，該液膜形成步驟係將前述蝕刻處理液從前述處理液供給單元供給至前述基板之前述上表面，藉此在前述基板上形成前述蝕刻處理液之液膜，該膜厚調整步驟係從前述氣體供給單元朝向距離前述基板之前述上表面的旋轉中心20mm的位置與距離前述基板之前述上表面的旋轉中心80mm的位置之間的位置用10L/min的流量來供給氣體，一邊抑制在距離前述基板之前述上表面的旋轉中心20mm的位置與距離前述基板之前述上表面的旋轉中心80mm的位置之間的位置上的前述液膜之厚度一邊以前述蝕刻處理液之供給流量成為2.0L/min的方式來控制自前述處理液供給單元所供給的前述蝕刻處理液之流量，且以前述基板之旋轉速度成為200rpm的方式來控制由前述基板旋轉單元所為之前述基板之旋轉，藉此以前述液膜之厚度成為100μm以上的方式來調整前述液膜之厚度。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述金屬膜為銅膜。
  8. 如請求項6或7所記載之基板處理裝置，其中前述蝕刻處理液為氫氟酸。
  9. 如請求項6或7所記載之基板處理裝置，其中更包含能夠測量前述液膜之厚度的膜厚測量單元；前述控制器係以執行膜厚測量步驟的方式來程式化，該膜厚測量步驟係藉由控制前述膜厚測量單元 來測量在前述膜厚調整步驟中所調整後的前述液膜之厚度。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述膜厚調整步驟係包含：基於在前述膜厚測量步驟中所測量到的前述液膜之厚度來調整前述液膜之厚度的步驟。
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