TWI392907B

TWI392907B - 液晶顯示裝置

Info

Publication number: TWI392907B
Application number: TW094132596A
Authority: TW
Inventors: Yukito Saitoh
Original assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2004-09-22
Filing date: 2005-09-21
Publication date: 2013-04-11
Also published as: KR101199279B1; JP2006091251A; WO2006033463A1; KR20070059163A; US20090033851A1; US8059240B2; TW200615624A; JP4663285B2; CN101069123A; CN101069123B

Description

液晶顯示裝置

本發明關於一種視角特徵改良之液晶顯示裝置。

液晶顯示器包括液晶胞及偏光板。偏光板通常具有保護膜及偏光膜，而且一般藉由將由聚乙烯醇薄膜組成之偏光膜以碘染色，拉伸，及以保護膜堆疊在其兩個表面上而得。穿透性液晶顯示裝置通常在液晶胞兩側上包括偏光板，有時包括一或多片光學補償膜。反射性液晶顯示裝置通常依序包括反射板、液晶胞、一或多片光學補償膜、及偏光板。液晶胞包括液晶分子、兩片將液晶分子封包於其間之基板、及對液晶分子施加電壓之電極層。液晶胞視液晶分子定向之變動而切換顯示開及關，而且已提議對穿透型及反射型液晶均可應用之顯示模式包括TN(扭轉向列)、ISP(面內切換)、OCB(光學補償彎曲)、VA(垂直配向)、及ECB(電控制雙折射)。

這些LCD中，在需要高解晰度顯示之應用中最廣泛地使用為使用具有正介電各向異性之向列液晶分子，以薄膜電晶體驅動之90°扭轉向列液晶顯示器(以下稱為「TN模式」)。TN模式具有如前方觀看時確保優良顯示特徵之視角特徵，但是在歪斜觀看時顯示特徵退化，如造成低對比或灰階反轉(灰階影像之亮度反轉)，而強烈地需要改良。

近年來已提議一種垂直配向向列液晶顯示裝置(以下稱為「VA模式」)作為可改良視角特徵之LCD模式，其中使用具有負介電各向異性之向列液晶分子，其中液晶分子在未施加電壓下定向而將其長軸指向幾乎正交基板，及以薄膜電晶體驅動(參見日本公開專利公告”Tokkai”第hei 2－176625號)。VA模式不僅類似TN模式前方觀看顯示特徵優良，經由採用視角補償用遲滯膜亦可呈現較寬之視角特徵。VA模式藉由在液晶胞上下側上使用兩片負單軸遲滯膜，具有正交膜面之光軸而成功地得到較寬視角特徵，而且亦已知藉由另外應用面內遲滯值為50奈米及正折射率各向向異性之單軸定向遲滯膜，可得到更寬之視角特徵(參見SID 97 DIGEST，第845－848頁)。

然而，使用兩片遲滯膜(SID 97 DIGEST，第845－848頁)不僅造成成本增加，亦由於需要黏結多層薄膜而造成良率比例降低，其中使用多層薄膜引起厚度增加之問題，其對於使裝置變薄為不利的。用於堆疊經拉伸薄膜之黏著層在不同之溫度及濕度下可能收縮，而且可能造成如薄膜分離或捲曲之失敗。改良這些缺點之揭示方法包括一種減少遲滯膜數量之方法(日本公開專利公告”Tokkai”第hei 11－95208號)及一種使用膽固醇液晶層之方法(日本公開專利公告”Tokkai”第2003－15134號、同上”Tokkai”第hei 11－95208號)。然而，這些方法仍需要黏結多層薄膜，而且就變薄及成本降低而言不足。另一個問題在於，在可見光區域無法完全地抑制黑色狀態歪斜方向之偏光板漏光，結果無法完全改良視角。其在黑色狀態亦難以完全地補償在偏光板上歪斜入射之全波長可見光，結果顏色隨視角偏移。亦已提議控制遲滯膜遲滯之波長分散性以降低漏光(日本公開專利公告”Tokkai”第2002－221622號)，但是如此僅造成不足之降低漏光之效果。又一個問題為未完全考慮液晶層雙折射率變化之影響，使得此裝置仍視液晶層雙折射而無法成功地得到充分效果。

本發明之一個目的為提供一種液晶顯示裝置，特別是VA模式液晶顯示裝置，其中液晶胞在光學上正確地補償而具有高對比。更特別地，本發明之一個目的為提供一種液晶顯示裝置，特別是VA模式液晶顯示裝置，其在黑色狀態不產生或僅產生小的歪斜入射光漏光，而且改良視角對比。

本發明之第一具體實施例係關於一種液晶顯示裝置，其包括：液晶胞，其包括一對彼此面對而配置之基板，該對基板至少之一其上具有電極，及保持在該對基板之間之液晶層，其包括向列液晶材料，其分子在黑色狀態係幾乎正交該對基板之表面而排列，其間安置該液晶胞之第一及第二偏光膜；及至少兩片光學各向異性膜，其各配置於該液晶層與各該第一及該第二偏光膜之間，其中，假設該液晶層之厚度為d(奈米)，該液晶層在波長λ(奈米)處之折射率各向異性為△n(λ)，及該光學補償膜在波長λ處之面內遲滯為Re(λ)，則在380奈米至780奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(I)至(IV)： (II)Rth(λ)/λ＝Ax△n(λ)xd/λ＋B；(III)Re(λ)/λ＝Cxλ/{△n(λ)xd}＋D；及

較佳為該光學補償膜之面內遲相軸及配置於較接近該光學補償膜之該第一或該第二偏光膜之穿透軸係實質上彼此平行。

關係(I)至(IV)較佳為在至少兩個相差50奈米以上之波長處滿足，而且更佳為在450奈米、550奈米及650奈米波長處均滿足。

本發明之第二具體實施例係關於一種液晶顯示裝置，其包括：液晶胞，其包括一對彼此面對而配置之基板，該對基板至少之一其上具有電極，及保持在該對基板之間之液晶層，其包括向列液晶材料，其分子在黑色狀態係幾乎正交該對基板之表面而排列，其間安置該液晶胞之第一及該第二偏光膜；及配置於該液晶層與該第一及該第二偏光膜之一之間之光學各向異性膜，其中，假設該液晶層之厚度為d(奈米)，在波長λ(奈米)處之折射率各向異性為△n(λ)，及該光學補償膜在波長λ處之面內遲滯為Re(λ)，則在380奈米至780奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(V)至(VIII)(V)200△n(λ)xd1000；(VI)Rth(λ)/λ=Ex△n(λ)xd/λ；(VII)Re(λ)/λ=Fxλ/{△n(λ)xd}+G；及(VIII)0.726E0.958，0.0207F0.0716；及G=0.032。

第二具體實施例之裝置可進一步在不相鄰該光學補償膜之第一及第二偏光膜之一與該液晶胞之間包括透明薄膜。透明薄膜希望為具有0奈米Rth<60奈米之厚度方向遲滯Rth。

對於第二具體實施例，較佳為該光學補償膜之面內遲相軸及配置於較接近該光學補償膜之該第一或該第二偏光膜之穿透軸係實質上彼此平行。

對於第二具體實施例，關係(V)至(VIII)較佳為在至少兩個相差50奈米以上之波長處滿足，而且更佳為在450奈米、550奈米及650奈米波長處均滿足。

應注意，在本說明書之內文中，「平行」、「正交」及「垂直」可相對精確角度有小於±5°之公差。對精確角度之差較佳為小於4°，而且更佳為小於3°。關於角度，”+”係對應順時鐘方向，及”-“係對應反時鐘方向。「遲相軸」表示折射率最大之方向。「可見光區域」表示380奈米至780奈米之波長範圍。折射率之測量波長為可見光區域之λ=550奈米，除非另有指示。

在本說明書中，名詞「偏光板」不僅表示大小適合用於液晶之偏光板，亦為切割前之長偏光板。在本說明書中，名詞「偏光膜」異於名詞「偏光板」，而且名詞「偏光板」係用於任何其少包括「偏光膜」與至少一片保護膜之層合體。

在本說明書中，聚合物薄膜之Re(λ)及Rth(λ)各表示在波長λ處之面內遲滯及厚度方向遲滯。Re(λ)係使用KOBRA－21ADH(Oji Scientific Instruments製造)在膜面正交方向測量波長λ奈米之入射光。Rth(λ)係使用KOBRA 21ADH基於三個遲滯值；第一為以上所得之Re(λ)，第二為在相對薄膜正交方向圍繞面內遲相軸(轉動軸)轉動＋40°方向測量波長λ奈米之入射光之遲滯值，及第三為在相對薄膜正交方向圍繞面內遲相軸(轉動軸)轉動－40°方向測量波長λ奈米之入射光之遲滯值；薄膜之假設平均折射率及輸入之厚度值而計算。各種材料之平均折射率係敘述於出版之文件，如”聚合物手冊(POLYMER HANDBOOK)”(JOHN WILEY & SONS,INC)，及目錄。如果此值未知，則可藉可貝(Abbe)折射計等測量。以下例示主要光學薄膜之平均折射率：醯化纖維素(1.48)、環烯烴聚合物(1.52)、聚碳酸酯(1.59)、聚甲基丙烯酸甲酯(1.49)、聚苯乙烯(1.59)。

在將假設平均折射率及厚度值輸入KOBRA 21ADH時，計算nx、ny及nz。Nz，其等於(nx－nz)/(nx－ny)，係基於計算之nx、ny及nz而計算。

依照本發明，藉由適當地選擇材料或製造薄膜之方法而將光學補償膜之面內遲滯及厚度方向遲滯各調整至最適範圍內。因此，此光學補償膜可在全範圍可見光區域特別地補償VA模式液晶胞之黑色狀態視角。本發明之液晶顯示裝置在黑色狀態不產生或產生小的歪斜入射光漏光，而且明顯地改良任意波長處之視角對比。本發明之液晶顯示裝置亦在黑色狀態在可見光區域之任意波長處不產生或產生小的歪斜入射光漏光，即使是在液晶層雙折射變動之情形。

以下段落參考附圖敘述本發明之操作。

第1圖為顯示一般VA模式液晶顯示裝置之組態之略示圖。VA模式液晶顯示裝置包括具有液晶層之液晶胞3，其中液晶分子在未施加電壓下或在黑色狀態係正交基板表面而定向，及配置以將液晶胞3保持在其間且具有彼此垂直之各穿透軸(如第1圖之線條所示)之偏光板1與偏光板2。第1圖係表現使入射光自偏光板1側進入。在未施加電壓下，正交入射光或沿z軸方向之入射光通過偏光板1與液晶胞3，同時其線形偏光狀態保持不變，而且被偏光板2完全阻擋。因此可顯示高對比影像。

然而，對於如第2圖所示之歪斜入射光為不同之狀況。在來自z軸方向以外之方向(即，來自偏光板1與2之偏光方向傾斜方向(所謂之離軸方向))之光通過液晶胞3之垂直排列液晶層時，光受歪斜方向之遲滯影響，而且改變其偏光狀態。此外，偏光板1及偏光板2之視穿透軸自垂直排列偏移。因為這兩個因素，離軸入射光不被偏光板2完全阻擋，因而造成漏光及降低之對比。

現在定義偏光角及方位角。偏光角為偏離膜面上正交線方向(即，第1圖及第2圖所示之z軸，例如，使得膜面上正交線方向在偏光角＝0°之方向)之傾斜角度。方位角表示相對x軸之正向逆時鐘方向轉動之方位，其中，例如，x軸之正向可表現成方位角＝0°，及y軸之正向可表現成方位角＝90°。上述離軸狀態之歪斜方向主要指以偏光角不為0°且方位角＝45°、135°、225°、與315°表現之方向。

第3圖顯示用於解釋本發明之一個具體實施例之操作之例示組態之略示圖。除了第1圖所示之組態，第3圖所示之液晶顯示裝置進一步包括配置於液晶胞3與偏光板1之間之光學補償膜4，及配置於液晶胞3與偏光板2之間之光學補償膜5。在此具體實施例之液晶顯示裝置中，使液晶胞之液晶層之厚度為d(「奈米」，以下亦適用)及在波長λ(「奈米」，以下亦適用)處之折射率各向異性為△n(λ)，則光學補償膜4與5在波長λ處之面內遲滯Re(λ)及厚度方向遲滯Rth(λ)在380奈米至780奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(I)至(IV)： (II)Rth(λ)/λ＝Ax△n(λ)xd/λ＋B；(III)Re(λ)/λ＝Cxλ/{△n(λ)xd}＋D；及

第4圖顯示用於解釋本發明之另一個具體實施例之操作之例示組態之略示圖。除了第1圖所示之組態，第4圖所示之液晶顯示裝置進一步包括配置於液晶胞3與偏光板1之間之光學補償膜6。此光學補償膜係配置於液晶胞3與偏光板2之間。在此具體實施例之液晶顯示裝置中，使液晶胞之液晶層之厚度為d(「奈米」，以下亦適用)及在波長λ(「奈米」，以下亦適用)處之折射率各向異性為△n(λ)，則此光學補償膜在波長λ處之面內遲滯Re(λ)及厚度方向遲滯Rth(λ)在380奈米至780奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(V)至(VIII)： (VI)Rth(λ)/λ＝Ex△n(λ)xd/λ；(VII)Re(λ)/λ＝Fxλ/{△n(λ)xd}＋G；及

在本發明中，滿足關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)任一組之液晶層與光學補償膜之組合可基於適應具有可見光區域中預定波長之光之遲相軸遲滯進行光學補償，即使光係來自歪斜方向。因此，相較於習知液晶裝置可獨特地改良黑色狀態之目視對比，而且亦獨特地調和黑色狀態之視角變色。此液晶顯示裝置在至少兩個波長處滿足關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)。較佳為關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)在至少兩個相差50奈米以上之波長處滿足。滿足上述關係之波長處係依液晶顯示裝置之使用目的而不同，其中選擇最主要影響顯示特徵之波長及波長範圍。液晶顯示裝置通常較佳為在650奈米、550奈米及450奈米波長處滿足關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)，其為對應三個主色紅(R)、綠(G)及藍(B)之波長。R、G及B之波長並非始終以上述波長表示，而是視為指定呈現本發明效果之光學特徵之適當波長。

下段詳述本發明之補償原理。

本發明之一個特點為Re/λ及Rth/λ之範圍，其為遲滯與波長之比例。Re/λ及Rth/λ表現雙折射率之幅度，而且為決定偏光狀態相轉移之重要參數。此外，Re/λ與Rth/λ之比例Re/Rth決定歪斜傳播通過雙軸雙折射介質之光之兩個固有偏光軸。第5圖顯示兩個固有偏光軸之一之角度與Re/Rth間關係之例示結果，其係計算光在雙軸雙折射介質上歪斜地入射之情形。假設光傳播方向為方位角＝45°及偏光角＝34°。由第5圖所示之結果發現，如果已知Re/Rth則自動地決定一個固有偏光軸。Re/λ及Rth/λ亦具有改變兩個固有偏光相之功能。

在先行技藝中，補償VA模式胞之薄膜之波長分散性已由Re、Rth及Re/Rth決定。而本發明係基於新發現之原理，VA模式胞可在波長λ處藉由使Re/λ及Rth/λ聚焦以使參數非尺寸化而補償，而不使用如Re、Rth及Re/Rth之值。本發明人亦考量欲補償液晶層之雙折射波長分散性△nd，及深入地調查光學補償膜之Re及Rth之波長分散性與欲補償液晶層之雙折射波長分散性△nd間之關係，而且發現在滿足關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)時可獨特地改良液晶顯示裝置之視角特徵。滿足關係(I)至(IV)或關係(V)至(VIII)之本發明液晶顯示裝置可確保正確之液晶胞光學補償且可避免降低對比，即使是在光係來自歪斜方向，結果受液晶層歪斜方向遲滯影響，及一對上下偏光板之視穿透軸不對齊之兩個因素下。

VA模式胞包括在未施加電壓下或在黑色狀態在其中垂直排列之液晶分子，使得由防止在黑色狀態來自正交線方向之光之偏光狀態受光學補償膜之遲滯影響之觀點，較佳為光學補償膜之面內遲相軸係垂直或平行配置於較接近光學補償膜之偏光板穿透軸。

第6圖顯示解釋第3圖所示具體實施例中之補償機構之圖式，其使用鮑英卡勒(Poincare)球。光傳播方向在此係以方位角＝45°及偏光角＝34°表現。在第6圖中，軸S2通常自此側穿透片至背面，及第6圖為由軸S2之正向觀看之圖。雖然二維表現之第6圖在圖式中使用直線箭頭表示各偏光狀態變化前後之點位移，光因通過液晶層或光學補償膜造成之任何偏光狀態實際變化可在鮑英卡勒球上藉由圍繞對應個別光學特徵而決定之指定軸轉動指定角度而表現。

第3圖所示通過偏光板1之入射光偏光狀態係對應第6圖之點1，及第3圖所示被偏光板2之吸收軸阻擋之光之偏光狀態係對應第6圖之點2。在VA模式液晶顯示器中，歪斜方向之離軸漏光可歸因於此點1與點2之不一致。光學補償膜通常用於造成入射光偏光狀態由點1變成點2，其包括液晶層偏光狀態之變化。液晶胞3之液晶層具有正折射率各向異性且使用垂直定向，因此通過液晶層造成之人射光偏光狀態之變化係以鮑英卡勒球上之下降箭頭表現，其表示圍繞軸S2轉動(自點A轉至點B)。此轉動角度係與將液晶層在波長λ處之歪斜方向有效遲滯除以波長而得之△n’d’/λ值成正比。為了補償液晶層，本具體實施例採用光學補償膜4及5。有關光學補償膜4及5之下降箭頭之長度(圖式中自點1至點A之箭頭長度，及自點B至點2之箭頭長度)或轉動角度幾乎與各光學補償膜4及5之Rth/λ成正比，而且箭頭之轉動軸係由Re/Rth決定，如上所述。由第6圖可了解，為了藉光學補償膜4及5之助成功地光學補償包括具有大△n’d’/λ之液晶層之VA模式液晶胞，必須增加光學補償膜4及5之Rth/λ以增加自點1至點A之箭頭長度及自點B至點2之箭頭長度，而且必須減小光學補償膜4及5之Re/Rth，換言之，減小Re/λ，以使自點1至點A之歪斜下降箭頭及自點B至點2之歪斜下降箭頭較急劇地上升。在此具體實施例中，光學補償膜之Re/λ及Rth/λ係依液晶層之△n’d’/λ而決定，同時條件上滿足關係(I)至(IV)，以確保正確之光學補償。在此具體實施例中，如果已知欲補償液晶層在波長處λ之△nd則決定△n’d’/λ，而且其可使用顯示滿足上述關係之Re/λ及Rth/λ之光學補償膜。第3圖所示之具體實施例使用總共兩片光學補償膜，一在上側上及另一在下側上。在上下光學薄膜具有相同特徵之特殊情形，應了解，基於對稱性，液晶層之下降箭頭在鮑英卡勒球上轉移通過S1＝0，及液晶層之下降箭頭之起點與終點對稱地位於鮑英卡勒球之上半球與下半球而置於其間之赤道。

第7圖為解釋第4圖所示具體實施例之補償機構之圖式，其使用鮑英卡勒球。以如第6圖之相同參考號碼所示之點及軸係與上述相同而省略詳細解釋。由第7圖應了解，為了藉光學補償膜6之助成功地光學補償包括具有大△n’d’/λ之液晶層之VA模式液晶胞，必須增加光學補償膜6之Rth/λ以增加自點1至點A之箭頭長度，而且必須減小光學補償膜6之Re/Rth，換言之，減小Re/λ，以使自點1至點A之歪斜下降箭頭較急劇地上升。在此具體實施例中，光學補償膜之Re/λ及Rth/λ係依液晶層之△n’d’/λ而決定，同時條件上滿足關係(V)至(VIII)，以確保正確之光學補償。在此具體實施例中，如果已知欲補償液晶層在波長處λ之△nd則決定△n’d’/λ，而且其可使用顯示滿足上述關係之Re/λ及Rth/λ之光學補償膜。

第7圖所示之組態未注意由偏光板2組成之偏光膜保護膜之光學特徵，而作為偏光膜保護膜之任何聚合物薄膜等之預定厚度方向遲滯Rth亦可能影響光學補償。第8圖顯示一種光學補償機構，其中第4圖所示具體實施例中之偏光板2之保護膜(配置於液晶胞3側上之保護膜)具有Rth＝38奈米之厚度方向遲滯。考量表示歸因於通過保護膜之偏光狀態轉移之向下轉動(自點B’轉至點2)，正確光學補償係藉由組合液晶胞3與滿足關係(V)至(VIII)之光學補償膜6而確定。在此具體實施例中，配置於偏光板2(其為不相鄰光學補償膜之偏光板)之液晶胞側上保護膜之厚度方向遲滯Rth較佳為0至60奈米，而且更佳為0至30奈米。

如上所述，本發明視所採用光源之光譜範圍及光譜分布而將所謂之VA模式液晶層之雙折射率△nd/λ與補償其之光學薄膜之Re/λ及Rth/λ間之關係最適化。然而，本發明異於關於光學補償VA模式胞之先行技藝在於，其係理論上討論及澄清最適範圍。液晶層與光學補償膜組合以滿足關係(I)至(VI)或關係(V)至(VIII)可補償液晶層之波長分散性及光學補償膜之波長分散性。結果可大幅度地調和VA模式面板之對比之視角依附性。亦可在任意波長範圍抑制黑色狀態之漏光，而且其表示在指定波長範圍因漏光造成之視角依附性色偏減小。

在本發明中，薄膜之最適值係由以上方程式表現，而且效果經後述之相關實例證實。確保本發明效果之範圍係在上述關係中以一組參數A、B、C、與D，或一組參數E、F與G指定。為了方便，B與D，或G，為最適合表現薄膜效果範圍之值之設定常數，而且僅A與C，或E與F以特定範圍而得以表現得到本發明效果之範圍。

本發明提供一種在液晶之任意雙折射率及波長分散性下，可大幅地降低VA模式面板之對比之視角依附性及視角依附性色偏之光學補償膜，同時，本發明亦可應用於使用不同R、G及B波長之液晶胞。例如，基於上述關係之光學補償在將本發明薄膜應用於具有不同R、G及B液晶胞之投影型液晶胞之情形亦有效，結果擴大視角而確保所需之對比。即使是對於使用其中混合數個波長之一般光源之液晶面板，藉由表現具G波長之液晶面板之特徵，及藉由使用符合本發明關係之光學補償膜，仍可得到擴大視角之效果而確保所需之對比。

本發明之範圍不限制液晶層之顯示模式，而且可應用於使用任何其他顯示模式之液晶顯示裝置，其包括VA模式、IPS模式、ECB模式、TN模式、及OCB模式。下段進一步詳述可應用於本發明之光學補償膜之光學特徵、來源材料、製造方法等。

[光學補償膜]

可應用於本發明之光學補償膜促成改良視角而確保所需之對比，及視液晶顯示裝置(特別是VA模式液晶顯示裝置)之視角而降低色偏。在本發明中，光學補償膜可配置於觀看者側之偏光板與液晶胞之間，或背側之偏光板與液晶胞之間，或兩側上。亦可將薄膜如獨立組件併入液晶顯示裝置中，或對保護偏光膜之保護膜賦與光學特徵以將其本身功能化成為光學補償膜，及將薄膜如偏光板組件之一併入液晶顯示裝置中。

如上所述，光學補償膜在光源之任意波長λ處具有所需之Re/λ及Rth/λ範圍，或如用於觀看者側時，在可見光波長區域中視液晶層具體實施例之模式及波長λ而不同。在薄膜係用於在波長λ＝550奈米處光學補償VA模式液晶胞之例示情形(例如，包括厚度d(微米)與折射率各向異性△n之積△n．d為0.2至1.0微米之液晶層之VA模式液晶胞)，Re/λ較佳為在0.04至0.13奈米，更佳為0.05至0.1奈米，而且仍更佳為0.06至0.09奈米之範圍。Rth/λ較佳為在0.05至1.1奈米，更佳為0.1至1.0奈米，而且仍更佳為0.13至0.91奈米之範圍。

光學補償膜具有三個各在彼此正交之x－、y－及z－軸方向之主要折射率nx、ny及nz。這三個值為光學補償膜之固有折射率，而且Re及Rth係由這些值及薄膜之厚度d₁ 決定。滿足上述光學特徵之光學補償膜可藉由適當地選擇來源材料、材料複合量、及製造條件，以將這些值調整至所需範圍而製造。nx、ny及nz值因波長而不同，使得Re及Rth亦因波長而不同。光學補償膜可利用此特點而製造。

在本發明中，對於用於製造光學補償膜之材料並無特殊限制。例如，此薄膜可為經拉伸雙折射聚合物薄膜，或藉由將液晶化合物分子按預定定向固定而形成之光學各向異性層。光學補償膜不限於具有單層結構者，亦可具有包括其中多疊多層薄膜之堆疊結構。組成堆疊結構之個別層之材料未必相同，而且一般可為包括聚合物薄膜與由包括液晶化合物之組成物形成之光學各向異性層之堆疊。在堆疊結構之具體實施例中，考量厚度，塗覆型堆疊結構，其包括藉塗覆形成之層，優於包括多層聚合物經拉伸薄膜之堆疊。

液晶分子可按各種模式排列狀態排列，因此對於將液晶化合物用於製造光學補償膜之情形，藉由將液晶分子按排列狀態固定而製造之其光學各向異性層，其為單層或多層堆疊之形式，可呈現所需之光學特徵。具體而言，光學補償膜可包括撐體及一或多層形成於撐體上之光學各向異性層。如此具體化之光學補償膜之總遲滯可藉光學各向異性層之光學各向異性調整。液晶化合物可基於其分子形狀分成棒狀液晶化合物及碟狀液晶化合物。各液晶化合物進一步包括低分子型及高分子型。在使用液晶化合物製造光學補償膜時，較佳為使用棒狀液晶化合物或碟狀液晶化合物，而且更佳為使用具有可聚合基之棒狀液晶化合物或具有可聚合基之碟狀液晶化合物。

光學補償膜可由組成聚合物薄膜組成。聚合物薄膜可為經拉伸聚合物薄膜或可為經塗覆聚合物薄膜與聚合物薄膜之組合。通常用於組成聚合物之材料包括合成聚合物(例如，聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、降莰烯樹脂、及三乙醯纖維素)。亦較佳為使用醯化纖維素為主薄膜，其中薄膜係由含醯化纖維素且添加含芳環棒狀化合物(更特定言之，具有兩個芳環之芳族化合物)之組成物製成。具有所需光學特徵之聚合物薄膜可藉由調整芳族化合物之物種、化合物加入量、及薄膜拉伸條件而製造。

<<醯化纖維素薄膜>>

以下進一步詳述可應用於本發明之醯化纖維素薄膜。

適當地調整具芳環之芳族化合物(更特定言之，具有兩個芳環之芳族化合物)之物種、其加入量及製造條件(例如，薄膜拉伸條件)可製造可滿足本發明透明薄膜之光學特徵之醯化纖維素薄膜。應注意，偏光板之保護膜通常由醯化纖維素薄膜組成。使用上述醯化纖維素薄膜作為偏光板之保護膜之一可對偏光板加入光學補償功能，而不增加偏光板之組分數量。

組合使用二或更多種在UV光譜之最大吸收波長各為250奈米以下之由棒形成化合物成功地得到因波長而不同之Re/Rth。

醯化纖維素之來源棉可為眾所周知者(例如，參見JIII Journal of Technical Disclosure No.2001－1745)。醯化纖維素之合成亦可依照眾所周知之方法進行(參見”Mokuzai Kagaku(Wood Chemistry)”，Migita等人編著，第180－190頁，Kyoritsu Shuppan Co.,Ltd.出版，1968)。醯化纖維素之黏度平均聚合程度較佳為在200至700，更佳為250至500，而且最佳為250至350之範圍內。關於以凝膠穿透層析術測量之Mw/Mn(Mw為重量平均分子量，及Mn為數量平均分子量)，用於本發明之醯化纖維素酯較佳為具有窄分子量分布。Mw/Mn之指定值較佳為1.5至5.0，更佳為2.0至4.5，而且最佳為3.0至4.0。

對於醯化纖維素薄膜中之醯基並無特殊限制，其中較佳實例包括乙醯基及丙醯基，而且特佳為乙醯基。全部之醯基取代程度較佳為2.7至3.0，而且更佳為2.8至2.95。本專利說明書中所述之醯基取代程度係指依照ASTM D817計算之值。對於使用具有乙醯基作為其醯基之乙酸纖維素之情形，乙醯化程度較佳為在59.0至62.5%，而且更佳為59.0至61.5%之範圍。調節至這些範圍內之乙醯化程度成功地防止Re由於流延散佈期間之轉移張力而增加超過所需值，降低其面內變動，及抑制依溫度與濕度之遲滯值變動。就抑制Re及Rth變動而言，較佳為將在6－位置處之醯基取代程度調整至0.9以上。

亦可基於混合使用兩種在預定範圍內乙醯化程度不同之乙酸纖維素物種可調整遲滯之波長分散性特徵之事實，調整波長分散性特徵。在此方法中，如日本公開專利公告”Tokkai”第2001－253971號所詳述，較佳為將具最大乙醯化程度(Ac1)之乙酸纖維素與具最小乙醯化程度(Ac2)之乙酸纖維素間之乙醯化程度差異(Ac1－Ac2)調整至2.0至6.0%之範圍內(2.0%Ac1－Ac26.0%)。全部混合物之平均乙醯化程度較佳為在55.0至61.5%之範圍內。乙酸纖維素之最大黏度平均聚合程度(P1)與最小黏度平均聚合程度(P2)之比例(P1/P2)較佳為1以上及2以下(1P1/P2<2)。全部混合物之黏度平均聚合程度較佳為在250至500，而且更佳為250至400之範圍內。

<<遲滯控制劑>>

醯化纖維素薄膜較佳為含具有至少兩個芳環之棒狀化合物作為遲滯控制劑。棒狀化合物較佳為具有直線形分子結構。直線形分子結構在此表示棒狀化合物顯示成為熱力學上最安定結構之直線形分子結構。熱力學上最安定結構可由結晶結構分析或分子軌域計算決定。例如，可使用分子軌域計算軟體(例如，WinMOPAC2000，FUJITSU之產品)經由分子軌域計算決定使化合物之形成熱最小之結晶結構。線形分子結構表示，在如此計算之熱力學上最安定結構中，分子結構中之主鏈形成140。以上之角度。

具有至少兩個芳環之棒狀化合物較佳為由下式(1)表示者：式(1)：Ar¹ －L¹ －Ar²

在上式(1)中，Ar¹ 與Ar² 各獨立地表示芳族基，及L¹ 表示選自伸烷基、伸烯基、伸炔基、－O－、－CO－、及其任何組合之二價鍵聯基。

在本說明書中，名詞「芳族基」係用於任何芳基(芳族烴基)、任何經取代芳基、任何芳族雜環基、或任何經取代芳族雜環基。

芳基與經取代芳基優於芳族雜環基與經取代芳族雜環基。芳族雜環基之雜環基通常為不飽和。芳族雜環較佳為五員環、六員環或七員環，而且更佳為五員環或六員環。芳族雜環通常具有最多雙鍵數量。雜原子較佳為氮原子、氧原子或硫原子，而且更佳為氮原子或硫原子。芳族雜環之實例包括呋喃環、噻吩環、吡咯環、噁唑環、異噁唑環、噻唑環、異噻唑環、咪唑環、吡唑環、呋呫環、三唑環、哌喃環、吡啶環、嗒井環、嘧啶環、吡井環、與1,3,5－三井環。

芳族基之芳環較佳為苯環、呋喃環、噻吩環、吡咯環、噁唑環、噻唑環、咪唑環、三唑環、吡啶環、嘧啶環、或嗒井環，其中特佳為苯環。

經取代芳基與經取代芳族雜環基之取代基之實例包括鹵素原子(F、Cl、Br、I)、羥基、羧基、氰基、胺基、烷基胺基(例如，甲族基、乙胺基、丁胺基、二甲胺基)、硝基、硫基、胺甲醯基、烷基胺甲醯基(例如，N－甲基胺甲醯基、N－乙基胺甲醯基、N,N－二甲基胺甲醯基)、胺磺醯基、烷基胺磺醯基(例如，N－甲基胺磺醯基、N－乙基胺磺醯基、N,N－二甲基胺磺醯基)、脲基、烷基脲基(例如，N－甲脲基、N,N－二甲脲基、N,N,N’－三甲脲基)、烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基、辛基、異丙基、第二丁基、第三戊基、環己基、環戊基)、烯基(例如，乙烯基、烯丙基、己烯基)、炔基(例如，乙炔基、丁炔基)、醯基(例如，甲醯基、乙醯基、丁醯基、己醯基、月桂醯基)、醯氧基(例如，乙醯氧基、丁醯氧基、己醯氧基、月桂醯氧基)、烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、庚氧基、辛氧基)、芳氧基(例如，苯氧基)、烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、庚氧基羰基)、芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基)、烷氧基羰基胺基(例如，丁氧基羰基胺基、己氧基羰基胺基)、烷硫基(例如，甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、庚硫基、辛硫基)、芳硫基(例如，苯硫基)、烷基磺醯基(例如，甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、丁基磺醯基、戊基磺醯基、庚基磺醯基、辛基磺醯基)、醯胺基(例如，乙醯胺基、丁醯胺基、己醯胺基、月桂醯胺基)、及非芳族雜環基(例如，嗎啉基、哌井基)。

經取代芳基及經取代芳族雜環基之取代基較佳為鹵素原子、氰基、羧基、羥基、胺基、經烷基取代胺基、醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基羰基、烷氧基、烷硫基、或烷基。

烷基部份及烷基胺基、烷氧基羰基、烷氧基、與烷硫基之烷基可進一步包括取代基。烷基部份及烷基之取代基之實例包括鹵素原子、羥基、羧基、氰基、胺基、烷基胺基、硝基、硫基、胺甲醯基、烷基胺甲醯基、胺磺醯基、烷基胺磺醯基、脲基、烷基脲基、烯基、炔基、醯基、醯氧基、烷氧基、芳氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基胺基、烷硫基、芳硫基、烷基磺醯基、醯胺基、與非芳族雜環基。烷基部份及烷基之取代基較佳為鹵素原子、羥基、胺基、烷基胺基、醯基、醯氧基、醯基胺基、烷氧基羰基、或烷氧基。

L¹ 表示選自伸烷基、伸烯基、伸炔基、－O－、－CO－、及基於其任何組合之基之二價鍵聯基。

伸烷基可具有環形結構。環形伸烷基較佳為環己基，而且特佳為1,4－環伸己基。至於鏈形伸烷基，直鏈伸烷基優於分支伸烷基。

伸烷基之碳原子數量較佳為1至20個，更佳為1至15個，仍更佳為1至10個，進一步更佳為1至8個，而且最佳為1至6個。

伸烯基與伸炔基較佳為具有線形結構而非環形結構，而且較佳為具有直線形結構而非分支結構。伸烯基與伸炔基之碳原子數量較佳為2至10個，更佳為2至8個，仍更佳為2至6個，進一步更佳為2至4個，而且最佳為2個(伸乙烯基或伸乙炔基)。伸芳基之碳原子數量較佳為6至20個，更佳為6至16個，而且仍更佳為6至12個。

以下列出基於組合之二價鍵聯基之實例：L－1：－O－CO－伸烷基－CO－O－ L－2：－CO－O－伸烷基－O－CO－ L－3：－O－CO－伸烯基－CO－O－ L－4：－CO－O－伸烯基－O－CO－ L－5：－O－CO－伸炔基－CO－O－ L－6：－CO－O－伸炔基－O－CO－ L－7：－O－CO－伸芳基－CO－O－ L－8：－CO－O－伸芳基－O－CO－ L－9：－O－CO－伸芳基－CO－O－ L－10：－CO－O－伸芳基－O－CO－

在由式(1)表示之分子結構中，將L¹ 置於其間之Ar¹ 與Ar² 間之角度較佳為140°以上。至於棒狀化合物，更佳為由下式(2)表示者：在由式(1)表示之分子結構中，將L¹ 置於其間之Ar¹ 與Ar² 間之角度較佳為140°以上。至於棒狀化合物，更佳為由下式(2)表示者：式(2)：Ar¹ －L² －X－L³ －Ar²

在上式(2)中，Ar¹ 與Ar² 各獨立地表示芳族基。芳族基之定義及實例與式(1)中之Ar¹ 與Ar² 相同。

在式(2)中，L² 與L³ 各獨立地表示選自伸烷基、－O－、－CO－、及其任何組合之二價鍵聯基。伸烷基較佳為具有鏈形結構而非環形結構，而且更佳為具有直鏈結構而非分支結構。

伸烷基之碳原子數量較佳為1至10個，更佳為1至8個，仍更佳為1至6個，仍更佳為1至4個，而且最佳為1或2個(亞甲基或伸乙基)。特佳為L² 與L³ 表示－O－CO－或－CO－O－。

在式(2)中，X表示1,4－環伸己基、伸乙烯基或伸乙炔基。

以下顯示由式(1)表示之化合物之指定實例。

指定實例(1)至(34)、(41)、(42)在環己烷環之1－位置及4－位置處具有兩個不對稱碳原子。應注意，具有對稱內消旋形式分子結構之指定實例(1)、(4)至(34)、(41)、(42)不具有光學異構物(光學活性)，而且可僅存在幾何異構物(反式形式及順式形式)。以下列出指定實例1之反式形式(1－反式)及順式形式(1－順式)異構物。

如上所述，棒狀化合物較佳為具有線形分子結構。因此，反式形式優於順式形式。指定實例(2)及(3)除了幾何異構物亦具有光學異構物(總共4種異構物)。至於幾何異構物，類似以上所述，反式形式優於順式形式。至於光學異構物並無指定之優先順序，其中可為D－、L－及消旋化合物。指定實例(43)至(45)因中央伸乙烯基鍵而具有反式形式及順式形式，其中基於上述之原因，反式形式優於順式形式。

以下列出可應用於遲滯控制劑之其他較佳化合物：

至於遲滯控制劑，較佳為組合使用二或更多種棒狀化合物，在紫外線吸收光譜中各顯示小於250奈米之最大吸收波長(λmax)之溶液樣品。棒狀化合物可依照其他文獻中所述之方法合成。此文獻包括Mol.Crysta.Liq.Cryst.第53卷，第229頁(1979)，同上，第89卷，第93頁(1982)，同上，第145卷，第111頁(1987)，同上，第170卷，第43頁(1989)，J.Am.Chem.Soc.，第113卷，第1349頁(1991)，同上，第118卷，第5346頁(1996)，同上，第92卷，第1582頁(1970)，J.Org.Chem.，第40卷，第420頁(1975)，及Tetrahedron，第48頁，第16期，第3437頁(1992)。

遲滯控制劑之加入量較佳為聚合物之量之0.1至30重量%，而且更佳為0.5至20重量%。

芳族化合物係以每100重量份之醯化纖維素為0.01至20重量份之範圍內使用。芳族化合物較佳為以每100重量份之醯化纖維素為0.05至15重量份之量，而且更佳為0.1至10重量份之量使用。亦可混合使用二或更多種之化合物。

[波長分散性調整劑]

以下敘述可控制醯化纖維素薄膜之波長分散性之化合物。醯化纖維素薄膜之波長分散性可藉各種方法調整至較佳範圍內。例如，醯化纖維素薄膜之波長分散性可藉由加入在200至400奈米之UV範圍中具有吸收之化合物而調整至較佳範圍內。上述化合物之量可視化合物型式或調整程度而決定。

醯化纖維素薄膜之Re及Rth值通常顯示如在長波長側較在短波長側大之波長分散性。因此需要藉由使在短波長側之Re及Rth增加相對較小值而使波長分散性平穩。另一方面，在200至400奈米之紫外線區域中具有吸收之化合物顯示如在長波長側較在短波長側較有較大吸收之波長分散性特徵。如果化合物本身可各向同性地分布於醯化纖維素薄膜中，則預期化合物本身之雙折射，結果及Re及Rth之波長分散性，在短波長側較大，類似吸收性之波長分散性。

因此藉由使用上述在200至400奈米之紫外線區域中具有吸收，而且化合物本身之Re及Rth在短波長側較大之化合物，可調整醯化纖維素薄膜之Re及Rth之波長分散性。此類化合物在紫外線區域中之吸收帶較佳為在200至400奈米，更佳為220至395奈米，而且仍更佳為240至390奈米之範圍。因此，用於調整波長分散性之化合物亦必須與醯化纖維素完全相容。

這些年來，對於電視機、筆記型個人電腦及行動終端機等之液晶顯示器，需要以低電力消耗得到高亮度，結果需要用於液晶顯示器之光學材料具有較高之穿透率。由此觀點，加入醯化纖維素薄膜之化合物必須光譜穿透率優良。醯化纖維素薄膜較佳為在380奈米波長處具有45至95%(均含)之光譜穿透率，及在350奈米波長處為10%以下之光譜穿透率。

由揮發性之觀點，波長分散性調整劑較佳為具有250至1000，更佳為260至800，仍更佳為270至800，而且特佳為300至800之分子量。試劑可具有單體結構，或可具有由多種此種單體單元彼此鍵結而組成之寡聚物結構或聚合物結構；只要其分子量在上述範圍內。

對於藉涉及加熱程序製造醯化纖維素薄膜之情形，如溶劑流延法，較佳為波長分散性調整劑在塗布漆之流延散佈、乾燥等程序中不揮發。

波長分散性調整劑之量較佳為醯化纖維素之0.01至30重量%，更佳為0.1至30重量%，仍更佳為0.1至20重量%，而且特佳為0.2至10重量%。

波長分散性調整劑可獨立地使用，或以基於任意比例混合二或更多種化合物之混合方式使用。

波長分散性調整劑應何時加入並未特別地限制。對於藉溶劑流延法製造醯化纖維素薄膜之情形，視劑可在塗布漆製備程序期間，或在塗布漆製備程序結束後加入。

較佳地用於本發明之波長分散性調整劑之指定實例包括苯并三唑系化合物、二苯基酮系化合物、含氰基化合物、氧基二苯基酮系化合物、柳酸酯系化合物、及鎳錯合物鹽系化合物，其至中本發明絕不限於這些化合物。

波長分散性調整劑之較佳實例為由下式(3)表示者：式(3)Q¹ －Q² －OH其中Q¹ 表示含氮芳族雜環，及Q² 表示芳環。

由Q¹ 表示之含氮芳族雜環較佳為五至七員含氮芳族雜環，而且更佳為五或六員含氮芳族雜環，其實例包括咪唑、吡唑、三唑、四唑、噻唑、噁唑、硒唑、苯并三唑、苯并噻唑、苯并噁唑、苯并硒唑、噻二唑、噁二唑、萘噻唑、萘噁唑、氮苯并咪唑、嘌呤、吡啶、吡井、嘧啶、嗒井、三井、三氮茚、與四氮茚。其中，較佳為此員含氮芳族雜環，其指定實例包括咪唑、吡唑、三唑、四唑、噻唑、噁唑、苯并三唑、苯并噻唑、苯并噁唑、噻二唑、與噁二唑。特佳為苯并三唑。由Q¹ 表示之含氮芳族雜環可進一步具有取代基，其中可應用下述之取代基T作為取代基。對於具有多個取代基之情形，個別取代基可彼此鍵結因而形成縮合環。

由Q² 表示之芳環可為芳族烴環或可為芳族雜環。芳環可為單環，或可進一步與其他環形成縮合環。芳族烴環較佳為碳原子數量為6至30個之單環或雙環芳族烴環(例如，苯環、萘環)，更佳為碳原子數量為6至20個之芳族烴環，仍更佳為碳原子數量為6至12個之芳族烴環，而且進一步更佳為苯環。

芳族雜環較佳為含氮原子或硫原子之芳族雜環。芳族雜環之指定實例包括噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡井、嗒井、三唑、三井、吲哚、茚唑、嘌呤、噻唑啉、噻唑、噻二唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞井、奈啶、喹噁啉、喹唑啉、啈啉、喋啶、吖啶、啡啉、啡井、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、與四氮茚。芳族雜環較佳為吡啶、三井或喹啉。

Q² 較佳為表示芳族烴環，更佳為表示萘環或苯環，而且特佳為表示苯環。

各Q及Q² 可進一步具有取代基，其較佳為選自下列之取代基T。

取代基T：烷基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₂ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 烷基)，如甲基、乙基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十六碳基、環丙基、環戊基、或環己基；烯基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₂ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₂ 烯基)，如乙烯基、烯丙基、2－丁烯基、或3－戊烯基；炔基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₂ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₂ 炔基)，如炔丙基或3－戊炔基；芳基(希望為C₆ _－ ₃ ₀ ，更希望為C₆ _－ ₂ ₀ ，而且極希望為C₆ _－ ₁ ₂ 芳基)，如苯基、對甲基苯基或萘基；芳烷基(希望為C₇ _－ ₃ ₀ ，更希望為C₇ _－ ₂ ₀ ，而且極希望為C₇ _－ ₁ ₂ 芳烷基)，如苄基、苯乙基或3－苯基丙基；經取代或未取代胺基(希望為C₀ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₀ _－ ₁ ₀ ，而且極希望為C₀ _－ ₆ 胺基)，如未取代胺基、甲族基、二甲胺基、二乙胺基、或苯胺基；烷氧基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₀ 烷氧基)，如甲氧基、乙氧基或丁氧基；烷氧基羰基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₀ 烷氧基羰基)，如甲氧基羰基或乙氧基羰基；醯氧基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₀ 醯氧基)，如乙醯氧基或苯甲醯氧基；醯基胺基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₀ 醯基胺基)，如乙醯基胺基或苯甲醯基胺基；烷氧基羰基胺基(希望為C₂ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₂ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₂ _－ ₁ ₂ 烷氧基羰基胺基)，如甲氧基羰基胺基；芳氧基羰基胺基(希望為C₇ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₇ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₇ _－ ₁ 2芳氧基羰基胺基)，如苯氧基羰基胺基；磺醯基胺基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 磺醯基胺基)，如甲磺醯基胺基或苯磺醯基胺基：磺醯胺基(希望為C₀ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₀ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₀ _－ ₁ ₂ 磺醯胺基)，如未取代磺醯胺基、甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、或苯基磺醯胺基；胺甲醯基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 胺甲醯基)，如未取代胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、或苯基胺甲醯基；烷硫基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 烷硫基)，如甲硫基或乙硫基；芳硫基(希望為C₆ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₆ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₆ _－ ₁ ₂ 芳硫基)，如苯硫基；磺醯基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 磺醯基)，如甲磺醯基或甲苯磺醯基；亞磺醯基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 亞磺醯基)，如甲亞磺醯基或苯亞磺醯基；脲基(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 脲基)，如未取代脲基、甲基脲基或苯基脲基；磷酸醯胺(希望為C₁ _－ ₂ ₀ ，更希望為C₁ _－ ₁ ₆ ，而且極希望為C₁ _－ ₁ ₂ 磷酸醯胺)，如二乙基磷酸醯胺或苯基磷酸醯胺；羥基，巰基，鹵素原子，如氟、氯、溴、或碘；氰基、硫基、羧基、硝基、氫肟酸基、亞硫醯基、肼基、亞胺基、雜環基(希望為C₁ _－ ₃ ₀ 而且更希望為C₁ _－ ₁ ₂ 雜環基，其包括至少一個如氮、氧或硫之雜原子)，如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、或苯并噻唑基；及矽烷基(希望為C₃ _－ ₄ ₀ ，更希望為C₃ _－ ₃ ₀ ，而且極希望為C₃ _－ ₂ ₄ 矽烷基)，如三甲基矽烷基或三苯基矽烷基)。

這些取代基可經至少一個選自其中之取代基取代。在選擇兩個取代基時，其可為相同或彼此不同。如果可行，二或更多個可彼此鍵結形成環。

由式(3)表示之化合物中，較佳為由式(3－A)表示之三唑化合物。

在式中，R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、與R⁸ 各表示氫原子或取代基。

由R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、或R⁸ 表示之取代基係選自上述之取代基T。取代基可經至少一個取代基取代，或彼此鍵結形成縮合環。

較佳為R¹ 與R³ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R¹ 與R³ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R¹ 與R³ 各表示氫原子或C₁ _－ ₁ ₂ 烷基；而且極佳為R¹ 與R³ 各表示C₁ _－ ₁ ₂ (較佳為C₄ _－ ₁ ₂ )烷基。

較佳為R² 與R⁴ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R² 與R⁴ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R² 與R⁴ 各表示氫原子或C₁ _－ ₁ ₂ 烷基；極佳為R² 與R⁴ 各表示氫原子或甲基；而且最佳為R² 與R⁴ 各表示氫原子。

較佳為R⁵ 與R⁸ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R⁵ 與R⁸ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R⁵ 與R⁸ 各表示氫原子或C₁ _－ ₁ ₂ 烷基；極佳為R⁵ 與R⁸ 各表示氫原子或甲基；而且最佳為R⁵ 與R⁸ 各表示氫原子。

較佳為R⁶ 與R⁷ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R⁶ 與R⁷ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R⁶ 與R⁷ 各表示氫原子或鹵素原子；而且極佳為R⁶ 與R⁷ 各表示氫原子或氯。

由式(3)表示之化合物中，更佳為由式(3－B)表示之化合物。

在式中，R¹ 、R³ 、R⁶ 、與R⁷ 各與式(3－A)相同，而且其較佳範圍亦相同。

以下顯示由式(3)表示之化合物之實例，然而，本發明不限於此。

上示作為實例之苯并三唑化合物中，保持力之觀點，分子量不大於320之化合物較佳地用於製造醯化纖維素薄膜。

波長分散性調整劑之其他較佳實例之一為由下式(4)表示之化合物。

在式中，Q¹ 與Q² 獨立地表示芳環，及X表示NR(R為氫原子或取代基)、氧原子或硫原子。

由Q¹ 與Q² 表示之芳環可為芳族烴環或可為芳族雜環。芳環可為單環或可進一步與其他環形成縮合環。由Q¹ 與Q² 表示之芳族烴環較佳為碳原子數量為6至30個之單環或雙環芳族烴環(例如，苯環、萘環)，更佳為碳原子數量為6至20個之芳族烴環，仍更佳為碳原子數量為6至12個之芳族烴環，而且進一步更佳為苯環。由Q¹ 與Q² 表示之芳族雜環可為較佳地含氧原子、氮原子與硫原子至少之一之芳族雜環。雜環之指定實例包括呋喃、吡咯、噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡井、嗒井、三唑、三井、吲哚、茚唑、嘌呤、噻唑啉、噻唑、噻二唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞井、奈啶、喹噁啉、喹唑啉、啈啉、喋啶、吖啶、啡啉、啡井、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、與四氮茚。芳族雜環較佳為吡啶、三井或喹啉。Q¹ 與Q² 各較佳為表示芳族烴環，更佳為碳原子數量為6至10個之芳族烴環，而且仍更佳為經取代或未取代苯環。Q¹ 與Q² 各可進一步具有取代基。取代基較佳為選自上列之取代基T，但是絕不含羧酸、磺酸或四級銨鹽。多個取代基可彼此結合產生環形結構。

X較佳為NR(R表示氫原子或取代基。上述取代基T可應用於取代基)、氧原子(O)、或硫原子(S)，其中X較佳為NR(R較佳為醯基或磺醯基，而且這些取代基可進一步經取代)或O，而且特佳為O。

由式(4)表示之化合物中較佳為由式(4－A)表示之化合物。

在式中，R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子或取代基。

由R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 、或R⁹ 表示之取代基係選自上述之取代基T。取代基可經至少一個取代基取代，或彼此鍵結形成縮合環。

較佳為R¹ 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R¹ 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R¹ 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子或C₁ _－ ₁ ₂ 烷基；極佳為R¹ 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子或甲基；而且最佳為R¹ 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁸ 、與R⁹ 各表示氫原子。

較佳為R² 表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R² 表示氫原子、C₁ _－ ₂ ₀ 烷基、C₀ _－ ₂ ₀ 胺基、C₁ _－ ₂ ₀ 烷氧基、C₆ _－ ₁ ₂ 芳氧基、或羥基；仍更佳為R² 表示C₁ _－ ₂ ₀ 烷氧基；而且極佳為R² 表示具有C₁ _－ ₁ ₂ 烷氧基。

較佳為R⁷ 表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R⁷ 表示氫原子、C₁ _－ ₂ ₀ 烷基、C₀ _－ ₂ ₀ 胺基、C₁ _－ ₂ ₀ 烷氧基、C₆ _－ ₁ ₂ 芳氧基、或羥基；仍更佳為R⁷ 表示氫原子或C₁ _－ ₂ ₀ (希望為C₁ _－ ₁ ₂ ，更希望為C₁ _－ ₈ 烷基，極希望為甲基)烷基；而且極佳為R⁷ 表示氫原子或甲基。

由式(4－A)表示之化合物中，較佳為由式(4－B)表示之化合物。

在式中，R¹ ⁰ 表示氫原子、經取代或未取代烷基、經取代或未取代烯基、經取代或未取代炔基、或經取代或未取代芳基。由R¹ ⁰ 表示之取代基係選自上示之取代基T。

較佳為R¹ ⁰ 表示經取代或未取代烷基；更佳為R¹ ⁰ 表示C₅ _－ ₂ ₀ 經取代或未取代烷基；仍更佳為R¹ ⁰ 表示C₅ _－ ₁ ₂ 經取代或未取代烷基，如正己基、2－乙基己基、正辛基、正癸基、正十二碳基、或苄基；而且極佳為R¹ ⁰ 表示C₆ _－ ₁ ₂ 經取代或未取代烷基，如2－乙基己基、正辛基、正癸基、正十二碳基、或苄基。

由式(4)表示之化合物可藉日本公開專利公告”Tokkai”第11－12219號所揭示之已知方法合成。

以下列出由式(4)表示之化合物之指定實例，其中本發明絕不限於下列之指定實例。

波長分散性調整劑之其他較佳實例之一為由下式(5)表示之含氰基化合物。

在式中，Q¹ 與Q² 獨立地表示芳環。X¹ 與X² 各表示氫原子或取代基，其中其至少任一表示氰基、羰基、磺醯基、或芳族雜環。由Q¹ 與Q² 表示之芳環可為芳族烴環或芳族雜環。其可為單環或可進一步與其他環形成縮合環。

芳族烴環較佳為碳原子數量為6至30個之單環或雙環芳族烴環(例如，苯環、萘環)，更佳為碳原子數量為6至20個之芳族烴環，更佳為碳原子數量為6至12個之芳族烴環，而且仍更佳為苯環。

芳族雜環較佳為含氮原子或含硫原子之芳族雜環。雜環之指定實例包括噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡井、嗒井、三唑、三井、吲哚、茚唑、嘌呤、噻唑啉、噻唑、噻二唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞井、奈啶、喹噁啉、喹唑啉、啈啉、喋啶、吖啶、啡啉、啡井、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、與四氮茚。芳族雜環較佳為吡啶、三井或喹啉。

Q¹ 與Q² 各較佳為表示芳族烴環，而且更佳為苯環。Q¹ 與Q² 各可進一步具有取代基，其中取代基較佳為選自上述之取代基T。

X¹ 與X² 各表示氫原子或取代基，其中其至少任一表示氰基、羰基、磺醯基、或芳族雜環。上述取代基T可應用於由X¹ 與X² 表示之取代基。由X¹ 與X² 表示之取代基可進一步經其他取代基取代，或者X¹ 與X² 可彼此縮合而形成環結構。

X¹ 與X² 各較佳為氫原子、烷基、芳基、氰基、硝基、羰基、磺醯基、或芳族雜環，更佳為氰基、羰基、磺醯基、或芳族雜環，仍更佳為氰基或羰基，而且特佳為氰基或烷氧基羰基(－C(＝O)OR，其中R為碳原子數量為1至20個之烷基、碳原子數量為6至12個之芳基、及其組合)。

由式(5)表示之化合物中，較佳為由式(5－A)表示之化合物。

在式中，R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子或取代基。取代基係選自上示之取代基T。取代基可經至少一個取代基取代，或藉由彼此鍵結形成縮合環。X¹ 及X² 各具有如式(5)之相同意義，而且較佳範圍亦相同較佳為R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；仍更佳為R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子或C₁ _－ ₁ ₂ 烷基；極佳為R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子或甲基；而且最佳為R¹ 、R² 、R⁴ 、R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁹ 、與R¹ ⁰ 各表示氫原子。

較佳為R³ 與R⁸ 各表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更佳為R³ 與R⁸ 各表示氫原子、C₁ _－ ₂ ₀ 烷基、C₀ _－ ₂ ₀ 胺基、C₁ _－ ₂ ₀ 烷氧基、C₆ _－ ₁ ₂ 芳氧基、或羥基；仍更佳為R³ 與R⁸ 各表示氫原子、C₁ _－ ₁ ₂ 烷基、或C₁ _－ ₁ ₂ 烷氧基；而且最佳為R³ 與R⁸ 各表示氫原子。

由式(5－A)表示之化合物中，更佳為由式(5－B)表示之化合物。

在式中，R³ 與R⁸ 各與式(5－A)相同，而且較佳範圍亦相同。X³ 表示氫原子或取代基。取代基係選自上示之取代基T。取代基可經至少一個其他取代基取代，或藉由彼此鍵結形成縮合環。

較佳為X³ 表示氫原子、烷基、芳基、氰基、硝基、羰基、磺醯基、或芳基雜環基；更佳為X³ 表示氰基、羰基、磺醯基、或芳基雜環基；仍更佳為X³ 表示氰基或羰基；而且極佳為X³ 表示氰基或烷氧基羰基，換言之，－C(＝O)OR，其中R表示C₁ _－ ₂ ₀ 烷基、C₆ _－ ₁ ₂ 芳基、或其組合。

由式(5－B)表示之化合物中，仍更佳為由式(5－C)表示之化合物。

在式中，R³ 與R⁸ 各與式(5－A)相同，而且較佳範圍亦相同。R² ¹ 表示C₁ _－ ₂ ₀ 烷基在R³ 與R⁸ 均為氫原子時，R² ¹ 較佳為表示C₂ _－ ₁ ₂ 烷基，更佳為表示C₄ _－ ₁ ₂ 烷基，仍更佳為表示C₆ _－ ₁ ₂ 烷基，極佳為表示正辛基、第三辛基、2－乙基己基、正癸基、或正十二碳基，而且最佳為表示2－乙基己基。

在R³ 與R⁸ 均不為氫原子時，R² ¹ 較佳為選自具有20個以下之碳原子，使得由式(5－C)表示之化合物之分子量不小於300之烷基。

由式(5)表示之化合物可藉Journal of American Chemical Society，第63卷，第3452頁(1941)所述之方法合成。

以下列出由式(5)表示之化合物之指定實例，其中本發明絕不限於下列之指定實例。

<<醯化纖維素薄膜之製備>>

醯化纖維素薄膜較佳為藉溶劑流延法製備。在溶劑流延法中，薄膜係使用藉由將醯化纖維素溶於有機溶劑中而得之溶液(塗布漆)製造。有機溶劑較佳為含選自碳原子數量為3至12個之醚、碳原子數量為3至12個之酮、碳原子數量為3至12個之酯、及碳原子數量為1至6個之鹵化烴之溶劑。醚、酮或酯可具有環形結構。任何具有二或更多個醚、酮或酯官能基(即，－O－、－CO－或－COO－)之化合物亦可作為有機溶劑。有機溶劑可具有其他之官能基，如醇系羥基。如果其碳原子數量在具有任何這些官能基之化合物指定之範圍內，則具有二或更多個官能基之有機溶劑為可接受的。

碳原子數量為3至12個之醚之實例包括二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4－二噁烷、1,3－二噁烷、四氫呋喃、甲氧苯、與苯基乙基醚。碳原子數量為3至12個之酮之實例包括丙酮、甲乙酮、二乙酮、二異丁酮、環己酮、與甲基環己基酮。碳原子數量為3至12個之酯之實例包括甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、與乙酸戊酯。具有二或更多個官能基之有機溶劑之實例包括乙酸2－乙氧基乙酯、2－甲氧基乙醇與2－丁氧基乙醇。鹵化烴之碳原子數量較佳為4或2個，更佳為1個。鹵化烴中之鹵素較佳為氯。鹵化烴中氫原子經鹵素取代之比例較佳為以25至75莫耳%，更佳為30至70莫耳%，仍更佳為35至65莫耳%，而且最佳為40至60莫耳%。二氯甲烷為代表性鹵化烴。亦可混合二或更多種有機溶劑。

醯化纖維素溶液可藉一般方式製備。一般方式表示在0℃以上之溫度(室溫或高溫)處理。溶液可使用在一般溶劑流延法中製備塗布漆之方法及裝置製備。在一般方法中，較佳為使用鹵化烴(特別是二氯甲烷)作為有機溶劑。

醯化纖維素之量係調整成使得其以10至40重量%之量含於所得溶液中。更佳為將醯化纖維素之量調整成10至30重量%。有機溶劑(主溶劑)可事先加入任何後述之添加劑。溶液可藉由在常溫(0至40℃)攪拌醯化纖維素及有機溶劑而製備。較高濃度之溶劑可在加壓及加熱條件下攪拌。更特定言之，將醯化纖維素及有機溶劑置於壓力容器中，密封，及在加壓下攪拌同時將混合物在不低於溶劑之常壓沸點之溫度加熱，但是不使溶劑沸騰。加熱溫度通常為40℃以上，更佳為60至200℃，而且更佳為80至110℃。

個別成分或可在事先及約略地混合後置於容器中，或可連續地置於容器中。容器必須設計成可攪拌。容器可藉由注射如氮氣之惰氣而加壓。亦可利用溶劑在加熱下之蒸氣壓提高。亦可將容器密封，然後在壓力下加入個別成分。加熱較佳為在容器外部進行。可使用外套型加熱裝置。亦可將加熱板配置於容器外部，及藉由使流體流經對其提供之管線而將全部容器加熱。較佳為在容器內部提供攪拌推進器，及使用其攪拌。攪拌推進器較佳為具有長到到達容器壁之長度。為了便於更新容器壁上之液膜，較佳為在攪拌推進器末端處附有刮刀片。亦可將容器裝設如壓力表溫度計等之測量儀器。將個別成分溶於容器內之溶劑中。將製備之塗布漆在冷卻後自容器取出，或先取出然後使用熱交換器等冷卻。

亦可藉冷卻溶解法製備溶液。冷卻溶解法可將醯化纖維素溶入藉一般溶解程序難以溶解之有機溶劑中。冷卻溶解法亦因快速地得到均勻溶液而有利，即使是溶劑藉一般程序可溶解醯化纖維素。在冷卻溶解法中，首先在室溫將醯化纖維素逐漸地攪拌加入有機溶劑中。醯化纖維素之量較佳為調整成使得所得混合物含10至40重量%之量。醯化纖維素之量更佳為10至30重量%。混合物可事先隨任何後述添加劑加入。

其次將混合物冷卻至－100至－10℃(更佳為－80至－10℃，仍更佳為－50至－20℃，而且最佳為－50至－30℃)。冷卻一般可在二乙二醇溶液(－30至－20℃)或乾冰/甲醇浴(－75℃)中冷卻。冷卻可將醯化纖維素與有機溶劑之混合物固化。

冷卻速率較佳為4℃/分鐘以上，更佳為8℃/分鐘以上，而且最佳為12℃/分鐘以上。冷卻速率越快越佳，其中冷卻速率之理論上限為10,000℃/秒，技術上限為1,000℃/秒，及實際上限為100℃/秒。在此亦應了解，冷卻速率指將冷卻前之開始溫度與冷卻後之最終溫度間之差除以冷卻開始至得到最終冷卻溫度之冷卻結束所需時間而得之值。

其次，將混合物加熱0至200℃(更佳為0至150℃，仍更佳為0至120℃，而且最佳為0至50℃之溫度)使醯化纖維素溶於有機溶劑中。溫度上升可藉由僅使混合物在室溫靜置或藉由在熱浴中加熱而得。

加熱速率較佳為4℃/分鐘以上，更佳為8℃/分鐘以上，而且最佳為12℃/分鐘以上。加熱速率越快越佳，其中理論上限為10,000℃/秒，技術上限為1,000℃/秒，及實際上限為100℃/秒。在此亦應了解，加熱速率指將加熱前之開始溫度與加熱後之最終溫度間之差除以加熱開始至得到最終加熱溫度之加熱結束所需時間而得之值。

如此可得均勻溶液。任何未充分溶解可藉重複冷卻及加熱而再溶。溶解是否充分可僅藉由目視觀察溶液外觀而判斷。

在冷卻溶解法中，較佳為使用氣密式容器以防止水進入，其可能因冷卻期間之露形成而造成。在冷卻及加熱操作中，冷卻期間加壓及加熱期間降壓可縮短溶解時間。就進行加壓或減壓而言，較佳為使用壓力容器。

醯化纖維素(乙醯化程度：60.9%，黏度平均聚合程度：299)溶於乙酸甲酯之20重量%溶液之差式掃描熱度測量(DSC)顯示，溶液顯示在約33℃之介於凝膠狀態與溶膠狀態間之假相轉移點。因此必須將溶液儲存在不低於假相轉移點之溫度，而且較佳為比假相轉移點高約10℃之溫度。在此應注意，假相轉移點因醯化纖維素之乙醯化程度與黏度平均聚合程度、溶液濃度、及在此使用之有機溶劑而不同。

醯化纖維素薄膜係藉溶劑流延法使用如此製備之醯化纖維素溶液(塗布漆)製造。

將塗布漆在圓筒或帶上流延及散布，及使溶劑蒸發而形成薄膜。流延前之塗布漆濃度較佳為調整而具有18至35%之固體含量。較佳為將圓筒或帶之表面鏡面修整。溶劑流延法之流延及乾燥敘述於美國專利第2336310、同上2367603、同上2,492,078、同上2492977、同上2492978、同上2607704、同上2739069、與同上2739070號、英國專利第640731與同上736892號之個別專利說明書，及日本經審查專利公告”Tokkosho”第45－4554與同上49－5614號、日本公開專利公告”Tokkaisho”第60－176834、同上60－203430、與同上62－115035號之個別公開專利說明書。

塗布漆較佳為在調節成具有10℃以下之表面溫度之圓筒或帶上流延及散佈。較佳為將流延塗布漆在吹風下乾燥2秒以上。亦可將所得薄膜自圓筒或帶分離，及藉由吹送溫度循序地由100℃改變至160℃之熱風而蒸發殘餘溶劑。此方法敘述於經審查日本專利公告”Tokkohei”第5－17884號。此方法可縮短自流延至分離所需之時間。為了進行此方法，在流延及散佈期間必須將塗布漆在圓筒或帶之表面溫度膠化。

為了改良機械特徵或乾燥速率，醯化纖維素薄膜可添加塑性劑。使用磷酸酯或羧酸酯作為塑性劑。磷酸酯之實例包括磷酸三苯酯(TPP)與磷酸三甲苯酯(TCP)。至於羧酸酯，代表性為酞酸酯與檸檬酸酯。酞酸酯之實例包括酞酸二甲酯(DMP)、酞酸二乙酯(DEP)、酞酸二丁酯(DBP)、酞酸二辛酯(DOP)、酞酸二苯酯(DPP)、與酞酸二乙基己酯(DEHP)。檸檬酸酯之實例包括O－乙醯基檸檬酸三乙酯(OACTE)與O－乙醯基檸檬酸三丁酯(OACTB)。羧酸酯之其他實例包括油酸丁酯、蓖麻油酸甲基乙醯酯、癸二酸二丁酯、及各種偏苯三甲酸酯。較佳為使用酞酸酯為主塑性劑(DMP、DEP、DBP、DOP、DPP、DEHP)。特佳為DEP與DPP。

塑性劑之加入量較佳為調整成纖維素酯之0.1至25重量%，更佳為1至20重量%，而且最佳為3至15重量%。

醯化纖維素薄膜可添加抗退化劑(例如，抗氧化劑、過氧化物分解劑、自由基抑制劑、金屬去活化劑、氧捕獲劑、胺)。抗退化劑敘述於日本公開專利公告”Tokkaihei”第3－199201、同上5－1907073、同上5－194789、同上5－271471、同上6－107854號專利。就呈現抗退化劑之添加效果及抑制滲出至薄膜表面上之觀點，抗退化劑之加入量較佳為調整至所製備溶液(塗布漆)之0.01至1重量%，更佳為0.01至0.2重量%。抗退化劑之特佳實例包括丁基化羥基甲苯(BHT)與三苄胺(TBA)。

<<醯化纖維素薄膜之拉伸>>

醯化纖維素薄膜之遲滯可藉拉伸調整。拉伸比例較佳為3至100%。

對於拉伸方法並無特殊限制，而且可應用任何已知方法。就面內均勻性之觀點，特佳為拉幅機拉伸。用於本發明之醯化纖維素薄膜較佳為具有至少100公分之寬度，及±5奈米，而且更佳為±3奈米之寬度Re值變動。Rth值變動較佳為±10奈米，而且更佳為±5奈米。縱向方向之Re值及Rth值變動亦在寬度變動之相同範圍內。

拉伸可在薄膜形成法期間進行，或可在形成後拉伸捲膜。在前者情形，可拉伸含特定量殘餘溶劑之薄膜，其中薄膜較佳為在2至30%之殘餘溶劑量下拉伸。在此情形，較佳為將薄膜按其縱向方向轉移且在正交縱向方向之方向伴隨地拉伸，因而將薄膜遲相軸按正交其縱向方向之方向排列。

拉伸溫度可適當地依拉伸期間之殘餘溶劑量及厚度而選擇。含殘餘溶劑而拉伸之薄膜較佳為在拉伸後乾燥。乾燥方法可類似上述薄膜製造所採用者。

經拉伸醯化纖維素薄膜之厚度較佳為110微米以下，更佳為40至110微米，仍更佳為60至110微米，而且最佳為80至110微米。

<<醯化纖維素薄膜之表面處理>>

對於將由醯化纖維素薄膜組成之光學補償膜作為偏光板之透明保護膜之情形，醯化纖維素薄膜較佳為經表面處理。表面處理可為電暈放電處理、輝光放電處理、火燄處理、酸處理、鹼處理、或紫外線照射處理。特佳為進行酸處理或鹼處理，其為醯化纖維素之皂化處理。

如上所述，如含具有至少兩個芳環及線形結構之棒狀化合物而拉伸，而且具有40微米至110微米之厚度及本發明光學補償膜所需光學性質之醯化纖維素薄膜，可作為光學補償膜。

下段參考第9圖敘述應用本發明之VA模式液晶顯示裝置之具體實施例。

[液晶顯示裝置]

第9圖所示之液晶顯示裝置包括配置以將液晶胞(16至18)夾持在其間之上偏光膜11及下偏光膜101，其中光學補償膜15係配置於上偏光膜11與液晶胞(16至18)之間，及光學補償膜19係配置於上偏光膜101與液晶胞(16至18)之間。如上所述，視組態而僅可使用光學補償膜15或光學補償膜19之一。各偏光膜11及101係以一對透明薄膜保護，其中第9圖僅顯示配置於較接近液晶胞側上之透明保護膜13及103，而省略配置於距液晶胞較遠之透明保護膜之描述。亦可僅單片薄膜兼具光學補償膜15及透明保護膜13之功能。類似地，亦可僅單片薄膜兼具光學補償膜19及透明保護膜103之功能。

液晶胞包括上基板16及下基板18，而且其間夾持包括液晶分子17之液晶層。各基板16及18均具有形成於其表面上面對液晶分子17之定向膜(未示)(以下有時稱為「內表面」)，因而將液晶分子17控制成在未施加電壓下或在低電壓下係垂直定向。基板16及18之各內表面均具有可施加電壓通過由液晶分子17組成之液晶層之透明電極(未示)形成於其上。在本發明中，將液晶層之厚度d(微米)與折射率各向異性△n之積△n．d調整成更佳為0.2至1.0微米，而且仍更佳為0.2至0.5微米。這些範圍確保在白色程度顯示之高照明度及黑色狀態之低照明度，而且可提供明亮及高對比顯示裝置。對於所使用之液晶材料並無特殊限制，其中在對上下基板16,18之間施加電場之具體實施例中，使用具有負介電各向異性，造成液晶分子17正交所施加電場之回應之任何液晶材料。對於電極僅由基板16或18之一形成，而且電場係平行基板表面而施加之情形，亦可使用具有正介電各向異性之液晶材料。

在液晶胞係設計成VA模式液晶胞之例示情形，例如，可在上下基板16與18之間使用負介電各向異性△ε＝－4.6左右及△n＝0.0813左右之向列液晶材料。液晶層之厚度並未特別地限制，但是對於使用具有上述範圍之性質之液晶之情形，可設定為3.5微米左右。白色狀態之亮度視厚度d與白色狀態之折射率各向異性△n之積△n．d之值而定，使得就得到最大亮度而言，較佳為將△n．d設為0.2至0.5微米之範圍內。

對於VA模式液晶顯示裝置並不常添加對掌性材料，其通常用於TN模式液晶顯示裝置，因為其降低動態回應特徵，但是有時為了降低定向失敗之目的可加入。採用多域結構對於調整每個相鄰域之邊界區域處之液晶分子定向為有利的。多域結構指一種其中將液晶顯示裝置之單一像素分成多域之結構。例如，VA模式胞在白色狀態具有傾斜之液晶分子17，而且其為在傾斜方向及其對稱方向觀看顯示器時，由於在傾斜方向觀看之液晶分子17之雙折射差異而使照明度及顏色色調不均勻之成因，而就改良照明度及顏色色調之視角依附性而言，較佳為採用多域結構。更特定言之，經由將各像素設計成平均具有二或更多(較佳為4至8個)域，其液晶分子之起初定向狀態彼此不同，可降低照明度及顏色色調之視角依附性、不均勻性。類似之效果亦可藉由將各像素設計成使用二或更多個彼此不同之域而得，其中液晶分子之定向方向在施加電壓下可連續地改變。

在單一像素內之多個其液晶分子17之定向方向不同之域一般可藉一種對電極提供縫或凸起，以改變電場方向或在電場中產生不均勻性之方法形成。增加區隔數量可成功地使視角在所有方向相等，其中四份或八份以上足以得到幾乎等化之視角。特別地，較佳為八份，因為可將偏光板之吸收軸設為任意角度。液晶分子17趨於在每個相鄰域之邊界區域處較不回應。如此引起在一般黑色模式中降低照明度之問題，如其中維持黑色狀態之VA模式。因此可對液晶材料添加對掌劑以使每個相鄰域間之邊界區域收縮。另一方面，一般白色模式造成前方觀看對比降低，因為維持白色狀態。因此較佳為提供覆蓋此區域之光攔截層，如黑色基質。

較佳為置於較接近液晶層側之偏光膜11及偏光膜101之保護膜遲相軸13及103實質上彼此平行或正交。正交排列透明保護膜13,103之遲相軸13a,103a可降低通常入射至液晶顯示裝置表面上之光之光學特徵退化，因為兩片光學薄膜之雙折射性質抵消。平行排列遲相軸13a,103a可使用這些保護膜之雙折射性質補償液晶層之任何殘餘遲滯。

偏光膜11,101之吸收軸12,102之方向、保護膜13,103之遲相軸13a,103a之方向、及液晶分子17之定向方向可視用於組成個別組件之材料、顯示模式、及組件之堆疊結構而調整至最適範圍內。即，偏光膜11之吸收軸12及偏光膜101之吸收軸102係實質上彼此垂直。然而，本發明之液晶顯示裝置不限於此組態。

配置於各偏光膜11,101與液晶胞之間之光學補償膜15及19為光學補償膜，而且如上所述，一般由形成於撐體上之雙折射聚合物薄膜或透明撐體與光學各向異性層(其包括液晶分子)之堆疊組成。較佳為光學補償膜15之面內遲相軸15a係實質上垂直置於較接近其之偏光膜11之吸收軸12。類似地，較佳為光學補償膜19之面內遲相軸19a係實質上垂直置於距其較遠之偏光膜101之吸收軸102。在符合這些關係之排列中，光學補償膜15,19對於正交入射光造成遲滯而不造成漏光，及對於歪斜入射光可完全地呈現本發明之效果。

對於偏光板保護膜13及103之Re及Rth值均不為0奈米之情形，保護膜可具有光學補償力。在此情形，亦可補償光學補償膜之Re及Rth。

在未對液晶胞基板16,18之個別透明電極(未示)施加電壓之非操作狀態時，液晶層中之液晶分子17係針對基板16,18之表面幾乎垂直地排列，使得通過之光之偏光狀態幾乎不改變。因為吸收軸12及102係彼此正交，來自下側(例如，電極背側上)之光被偏光膜101偏光，同時維持偏光狀態而通過液晶胞基板16至18，及被偏光膜11阻擋。即，第9圖所示之液晶顯示裝置在未施加或低電壓時可為黑色狀態。相反地，將驅動電壓施加至透明電極(未示)，則液晶分子17對基板16,18之表面傾斜，使得通過之光因如此傾斜之液晶分子17而改變其偏光狀態。因此，來自下側(例如，來自電極背側)之光被偏光膜101偏光，在通過液晶胞基板16至18後進一步改變其偏光狀態，及可通過偏光膜11。即，施加電壓而得到白色狀態。

VA模式之一個優點為高對比。然而，習知VA模式液晶顯示裝置已遭受歪斜觀看為低對比之問題，儘管前方觀看為高對比。黑色狀態之液晶分子17係針對基板16,18之表面垂直地排列，使得液晶分子17在前方觀看幾乎不顯示雙折射且產生低穿透率而確保高對比。然而，液晶分子17在歪斜觀看顯示雙折射。此外，在前方觀看似為以90°正交之上下偏光膜11,101之吸收軸12,102之交叉角在歪斜觀看變大而超過90°。由於這些因素，習知顯示裝置具有在歪斜方向造成漏光及低對比之問題。相反地，如第9圖所示之本發明液晶顯示裝置使用具有滿足關於液晶層7光學特徵之光學特徵之光學補償膜15,19，因而成功地在黑色狀態降低歪斜方向漏光，及改良對比。

本發明之液晶顯示裝置不限於具有第8圖所示之組態者，而且可包括其他組件。例如，可將彩色濾光片配置於液晶胞與偏光膜之間。在將此裝置用於穿透性裝置時，亦可在其背側上配置使用冷陰極管或熱陰極螢光管、光二極管、場發射裝置、或電發光裝置之背光。

本發明之液晶顯示裝置包括直接觀看影像型、投射影像型、及光調變型。本發明之一個特別有效之具體實施例為使得將三端或二端半導體裝置，如TFT或MIM，應用於主動基質液晶顯示裝置。當然，亦有效為一個其中將本發明裝置應用於被動基質液晶顯示裝置(代表為基於時間共用操作之STN型裝置)之具體實施例。

下段進一步詳述用於本發明液晶顯示裝置之光學特徵、來源材料、製造方法等、或其他各種組件。

[偏光板]

在本發明中，可使用包括偏光膜及一對將偏光膜夾持於其間之保護膜之偏光板。例如，可使用藉由將一般由聚乙烯醇薄膜製成之偏光膜以碘染色，拉伸，及以保護膜堆疊在其兩個表面上而得之偏光板。偏光板係配置於液晶胞外部。較佳為配置一對偏光板，其各包括偏光膜及一對將偏光膜夾持於其間之保護膜，以將液晶夾持於其間。

<<保護膜>>

可應用於本發明之偏光板為如具有一對保護膜堆疊在偏光膜之兩個表面上者。對於保護膜物種並無特殊限制，其可應用實例包括纖維素酯，如乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素與丙酸纖維素；聚碳酸酯；聚烯烴、聚苯乙烯、及聚酯。如上所述，亦可使用滿足光學補償膜所需光學特徵之聚合物薄膜，以使其兼具光學補償膜及保護膜之功能。

保護膜通常以捆形式供應，使得較佳為將其連續地黏結至長偏光膜，同時使兩者之縱向方向間保持一致。保護膜之定向軸(遲相軸)可以對齊任何方向，其中為了操作方便，較佳為平行縱向方向而排列。

將偏光膜夾持在其間之保護膜亦可設計成使遲相軸實質上與使面內平均折射率最大之方向一致。更特別地，保護膜至少之一可為具有三個各在彼此正交之x－、y－及z－軸方向之平均折射率nx、ny與nz，nx與ny為面內平均折射率，及nz為厚度方向平均折射率，其滿足nx,ny＝nx,nx>ny之關係之薄膜；或可為滿足nx＝ny,nz,nx>nz之薄膜。對於保護膜具有上述光學補償功能之情形，較佳為Re及Rth在450奈米處之比例Re/Rth(450奈米)為在550奈米處之Re/Rth(550奈米)之0.4至0.95倍，及在650奈米處之Re/Rth(650奈米)為Re/Rth(550奈米)之1.05至1.9倍，而且在550奈米處之厚度方向遲滯Rth範圍為70奈米至400奈米。

另一方面，在不使保護膜具有作為光學補償膜之功能之具體實施例中，透明保護膜之遲滯較佳為小。在其中偏光膜之穿透軸及透明保護膜之定向軸不平行之具體實施例中，由於偏光軸與透明保護膜定向軸(遲相軸)之橢圓失調，一般據信大於預定值之透明保護膜遲滯值不利地將線性偏光轉變成橢圓偏光。因此較佳為透明保護膜在632.8奈米處之遲滯一般為10奈米以下，而且更佳為5奈米以下。在此可應用之具有小遲滯之聚合物薄膜包括聚烯烴，如三乙酸纖維素、Zeonex、Zeonor(均得自Zeon Corporation)及ARTON(得自JSR Corporation)。其他之較佳實例包括非雙折射光學樹脂材料，例如，如日本公開專利公告”Tokkaihei”第8－110402或同上11－293116號所述者。對於包括撐體及由液晶化合物形成之光學各向異性層形成於撐體上之堆疊之情形，保護膜亦可作為光學各向異性層之撐體。

保護膜較佳為黏結至偏光膜，使得保護膜(在併入液晶顯示裝置中時配置於較接近液晶胞者)至少之一之遲相軸(定向軸)與偏光膜之吸收軸(拉伸軸)交叉。更特別地，偏光膜之吸收軸與保護膜之遲相軸間之角度較佳為在10°至90°，更佳為20°至70°，仍更佳為40°至50°，而且特佳為43°至47°之範圍。對於其他保護膜之遲相軸與偏光膜之吸收軸間之角度並無特殊限制，而且可依偏光板之目的而適當地設定，其中較佳為滿足上述範圍，而且亦較佳為保護膜對之遲相軸彼此一致。

平行排列保護膜之遲相軸與偏光膜之吸收軸對於改良偏光板之機械安定性為有利的，如防止尺寸改變及捲曲。如果偏光膜及一對保護膜之三片薄膜之至少兩個軸，即，一片保護膜之遲相軸及偏光膜之吸收軸、或兩片保護膜之遲相軸，係實質上彼此平行，則可得相同之效果。

<<黏著劑>>

對於用於偏光膜與保護膜之間之黏著劑並無特殊限制，其中較佳實例包括PVA系樹脂(包括經乙醯乙醯基、磺酸基、羧酸基、氧伸烷基等修改之經修改PVA)及硼化合物水溶液等，較佳為PVA系樹脂。黏著劑之乾膜厚度較佳為0.01至10微米，而且特佳為0.05至5微米。

<<偏光膜及透明保護膜之連續製法>>

可應用於本發明之偏光膜係藉由將用於製造偏光膜之薄膜拉伸，及使其收縮以減少揮發性內含物而製造，其中較佳為在乾燥之後或期間在其至少一個表面上黏結透明保護膜，及使此堆疊接受後加熱。在其中透明保護膜亦作為光學各向異性層(其作為光學補償膜)之撐體之具體實施例中，後加熱較佳為在將透明保護膜黏結至偏光膜之表面上之後進行，而且將具有光學各向異性層形成於其上之透明撐體黏結至相反表面上。指定之黏結方法包括一種在薄膜乾燥程序期間使用黏著劑將透明保護膜黏結至偏光膜，同時夾持其兩個邊緣而在乾燥後切除之方法；及一種乾燥用於製造偏光膜之薄膜，在乾燥後將薄膜自邊緣夾持器釋放，切除薄膜之兩個邊緣，及黏結透明保護膜之方法。切除方法可為一般應用者，而且包括使用刀刃及雷射輔助切割之方法。在黏結後，較佳為將產物加熱以將黏著劑乾燥及改良偏光性質。加熱條件可視黏著劑而不同，其中水系黏著劑偏好30℃以上之溫度，更佳為40℃至100℃，而且仍更佳為50℃至90℃。由產物性能及製造效率之觀點，這些程序步驟更佳為以連續生產線進行。

<<偏光板之性能>>

包括透明保護膜、偏光片與透明撐體之本發明偏光板之光學性質及耐久性(短期及長期儲存力)較佳為等於或優於市售超高對比產品(例如，得自Sanritz Corporation之HLC2－5618)。更特定言之，偏光板較佳為具有42.5%以上之可見光穿透率，{(Tp－Tc)/(Tp＋Tc)}¹ ^/ ² 0.9995之偏光程度(其中，Tp為平行穿透率，及Tc為正交穿透率)，在60℃，90% RH靜置500小時及在80℃無水大氣中靜置500小時前後以絕對值計為3%以下，更佳為1%以下之透光率變化率，及以絕對值計為1%以下，更佳為0.1%以下之偏光程度變化率。

實例

下段參考指定實例而進一步特定地敘述本發明。應注意，以下實例所示之材料、試劑、使用量及比例、操作等可適當地修改而不背離本發明之精神。因此，本發明之範圍不限於下述之指定實例。

[實例1]

製造類似第9圖所示組態之液晶顯示裝置。更特別地，液晶顯示裝置係設計成自觀看者側(頂部)觀看依序堆疊之上偏光板(保護膜(未示)、偏光膜11、保護膜13)、光學補償膜15(亦作為保護膜13)、液晶胞(上基板16、液晶層17、下基板18)、光學補償膜19(亦作為保護膜103)、下偏光板(偏光膜101、保護膜(未示))，而且另外對其配置背光光源(未示)，及使裝置接受光學模擬以證實效果。光學計算係使用得自Shintech,Inc.之LCD Master第6.08版進行。液晶胞、電極、基板、偏光板等為習知上用於液晶顯示裝置者。在此使用之液晶胞、電極、基板、偏光板等之值為習如上已使用者而無限制。在此使用之液晶材料為具有△ε＝－4.2之負介電各向異性者。在此使用之液晶胞為前傾斜角為89.9°而幾乎垂直定向，基板間胞隙為3.6微米，及液晶層遲滯值(即，液晶層厚度d(微米)與折射率各向異性△n之積△n．d之值)在450奈米處為318奈米，在550奈米處為300奈米，及在650奈米處為295奈米者。將光學補償膜15及19在個別波長之Re及Rth之值設定成如表1所列。在此使用之光源為LCD Master所附之C光。

應注意，如果背光與觀看者間之位置關係上下相反，設計如第9圖所示之液晶顯示裝置仍可產生完全相同之效果。

至於比較例，類似上述而設計液晶顯示裝置，除了使用將Re及Rth無關波長而保持固定之光學補償膜15及19，而且使裝置類似地接受光學模擬。比較例可視為先行技藝，因為習知光學補償技術不考量光學補償膜之Re及Rth之波長分散性。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表1。在表1中，液晶顯示裝置1號對應上述比較例，及液晶顯示裝置2至6號對應實例。

由表1所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置1號，所有本發明液晶顯示裝置2至6號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.707之液晶層及Re/λ＝0.056至0.113且Rth/λ＝0.291至0.329之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.454之液晶層及Re/λ＝0.089至0.129且Rth/λ＝0.165至0.189之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表1所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.073且Rth/λ＝0.311，在550奈米處為Re/λ＝0.095且Rth/λ＝0.233，及在650奈米處為Re/λ＝0.108且Rth/λ＝0.177下得到最小穿透率。

由表1所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(I)至(IV)之液晶顯示裝置2至6號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置1號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

[實例2]

在類似實例1之條件下，使用LCD Master計算液晶顯示裝置之光學特徵，除了將遲滯值改成在450奈米處為371奈米，在550奈米處為350奈米，及在650奈米處為344奈米。光學補償膜15及19之Re及Rth列於表2。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表2。在表2中，液晶顯示裝置7號對應上述比較例，及液晶顯示裝置8至12號對應實例。

由表2所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置7號，所有本發明液晶顯示裝置8至12號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.824之液晶層及Re/λ＝0.044至0.089且Rth/λ＝0.355至0.405之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.529之液晶層及Re/λ＝0.078至0.115且Rth/λ＝0.216至0.233之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表2所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.067且Rth/λ＝0.38，在550奈米處為Re/λ＝0.082且Rth/λ＝0.28，及在650奈米處為Re/λ＝0.097且Rth/λ＝0.225下得到最小穿透率。

由表2所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(I)至(IV)之液晶顯示裝置8至12號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置7號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

[實例3]

使用LCD Master計算設計成類似第9圖所示之液晶顯示裝置之光學特徵，除了不使用光學補償膜15。更特別地，自觀看者側(頂部)觀看依序配置上偏光板(保護膜(未示)、偏光膜11、保護膜13)、液晶胞(上基板16、液晶層17、下基板18)、光學補償膜19(亦作為保護膜103)、及下偏光板(偏光膜101、保護膜(未示))，而且另外配置背光光源(未示)。光學補償膜19之Re及Rth如表3所列。將上偏光板之保護膜3調整成具有Rth＝38奈米及Re＝0奈米。應注意，如果背光與觀看者間之位置關係上下相反，將光學補償膜配置於背光側之實例3仍可產生完全相同之效果。其他條件與實例1相同。

至於比較例，類似上述而設計液晶顯示裝置，除了使用將Re及Rth無關波長而保持固定之光學補償膜19，而且使裝置類似地接受光學模擬。比較例可視為先行技藝，因為習知光學補償技術不考量光學補償膜之Re及Rth之波長分散性。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表3。在表3中，液晶顯示裝置13號對應上述比較例，及液晶顯示裝置14至18號對應實例。

由表3所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置13號，所有本發明液晶顯示裝置14至18號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.707之液晶層及Re/λ＝0.082至0.133且Rth/λ＝0.513至0.531之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.454之液晶層及Re/λ＝0.123至0.163且Rth/λ＝0.332至0.357之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表3所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.107且Rth/λ＝0.54，在550奈米處為Re/λ＝0.125且Rth/λ＝0.424，及在650奈米處為Re/λ＝0.146且Rth/λ＝0.351下得到最小穿透率。

由表3所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(V)至(VIII)之液晶顯示裝置14至18號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置13號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

[實例4]

在類似實例3之條件下，使用LCD Master計算液晶顯示裝置之光學特徵，除了將遲滯值改成在450奈米處為371奈米，在550奈米處為350奈米，及在650奈米處為344奈米。光學補償膜19之Re及Rth列於表4。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表4。在表4中，液晶顯示裝置19號對應上述比較例，及液晶顯示裝置20至24號對應實例。

由表4所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置19號，所有本發明液晶顯示裝置20至24號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.824之液晶層及Re/λ＝0.059至0.115且Rth/λ＝0.643至0.69之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.529之液晶層及Re/λ＝0.099至0.141且Rth/λ＝0.416至0.427之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表4所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.087且Rth/λ＝0.662，在550奈米處為Re/λ＝0.105且Rth/λ＝0.507，及在650奈米處為Re/λ＝0.12且Rth/λ＝0.422下得到最小穿透率。

由表4所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(V)至(VIII)之液晶顯示裝置20至24號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置19號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

[實例5]

使用LCD Master計算設計成類似第9圖所示之液晶顯示裝置之光學特徵，除了不使用光學補償膜15。更特別地，自觀看者側(頂部)觀看依序配置上偏光板(保護膜(未示)、偏光膜11)、液晶胞(上基板16、液晶層17、下基板18)、光學補償膜19(亦作為保護膜103)、及下偏光板(偏光膜101、保護膜(未示))，而且另外配置背光光源(未示)。光學補償膜19之Re及Rth如表5所列。其他組件與實例1所述相同，其中上偏光板之保護膜3係以具有極小遲滯之薄膜提供，Rth及Re幾乎為0奈米。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表5。在表5中，液晶顯示裝置25號對應上述比較例，及液晶顯示裝置26至30號對應實例。

由表5所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置25號，所有本發明液晶顯示裝置26至30號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.707之液晶層及Re/λ＝0.067至0.116且Rth/λ＝0.624至0.669之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.454之液晶層及Re/λ＝0.098至0.142且Rth/λ＝0.411至0.422之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表5所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.089且Rth/λ＝0.651，在550奈米處為Re/λ＝0.104且Rth/λ＝0.5，及在650奈米處為Re/λ＝0.12且Rth/λ＝0.415下得到最小穿透率。

由表5所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(V)至(VIII)之液晶顯示裝置26至30號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置25號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

[實例6]

在類似實例5之條件下，使用LCD Master計算液晶顯示裝置之光學特徵，除了將遲滯值改成在450奈米處為371奈米，在550奈米處為350奈米，及在650奈米處為344奈米。光學補償膜19之Re及Rth列於表6。

<液晶顯示裝置漏光之測量>

使用上述值基於光學模擬之漏光之計算結果示於表6。在表6中，液晶顯示裝置31號對應上述比較例，及液晶顯示裝置32至36號對應實例。

由表6所示之結果可了解，相較於對應比較例之液晶顯示裝置31號，所有本發明液晶顯示裝置32至36號，其包括在450奈米處為△nd/λ＝0.824之液晶層及Re/λ＝0.057至0.104且Rth/λ＝0.73至0.79之光學補償膜，而且包括在650奈米處為△nd/λ＝0.529之液晶層及Re/λ＝0.089至0.126且Rth/λ＝0.483至0.493之光學補償膜，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。由表6所示之結果亦可了解，在450奈米處為Re/λ＝0.08且Rth/λ＝0.76，在550奈米處為Re/λ＝0.095且Rth/λ＝0.585，及在650奈米處為Re/λ＝0.107且Rth/λ＝0.488下得到最小穿透率。

由表6所示模擬之結果亦可了解，所有滿足關係(V)至(VIII)之液晶顯示裝置32至36號，相較於不滿足此關係之液晶顯示裝置31號，在黑色狀態在偏光角＝60°呈現較小穿透率。

相關申請案之參照

本申請案請求2004年9月22日提出之日本專利申請案第2004－274770號之優先權。

用於圖式之參考號碼如下：

1．．．偏光板

2．．．偏光板

3．．．液晶胞

4,5,6．．．光學補償膜

11,101．．．偏光膜

12,102．．．吸收膜

13,103．．．保護膜

13a,103a．．．面內遲相軸

15,19．．．光學補償膜

15a,19a．．．面內遲相軸

16,18．．．基板

17．．．液晶分子

第1圖為解釋習知VA模式液晶顯示裝置之例示組態之略示圖；第2圖為解釋習知VA模式液晶顯示裝置之例示組態之略示圖；第3圖為解釋依照本發明之一個具體實施例之VA模式液晶顯示裝置之例示組態之略示圖；第4圖為解釋依照本發明之另一個具體實施例之VA模式液晶顯示裝置之例示組態之略示圖；第5圖為顯示用於本發明之例示光學補償膜之光學特徵之圖表；第6圖為用於解釋本發明之一個例示液晶顯示裝置之入射光偏光狀態之鮑英卡勒球之略示圖；第7圖為用於解釋本發明之另一個例示液晶顯示裝置之入射光偏光狀態之鮑英卡勒球之略示圖；第8圖為用於解釋本發明之另一個例示液晶顯示裝置之入射光偏光狀態之鮑英卡勒球之略示圖；第9圖為本發明液晶顯示裝置之一個例示組態之略示圖。

1．．．偏光板

2．．．偏光板

3．．．液晶胞

4,5,6．．．光學補償膜

11,101．．．偏光膜

12,102．．．吸收膜

13,103．．．保護膜

13a,103a．．．面內遲相軸

15,19．．．光學補償膜

15a,19a．．．面內遲相軸

16,18．．．基板

17．．．液晶分子

Claims

一種液晶顯示裝置，其包括：液晶胞，其包括一對彼此面對而配置之基板，該對基板至少之一其上具有電極，及保持在該對基板之間之液晶層，其包括向列液晶材料，其分子在黑色狀態係幾乎正交該對基板之表面而排列，其間安置該液晶胞之第一偏光膜及第二偏光膜；及至少兩片光學補償膜，其各配置於該液晶層與各該第一偏光膜及該第二偏光膜之間，其中，假設該液晶層之厚度為d(奈米)，該液晶層在波長λ(奈米)處之折射率各向異性為△n(λ)，及該至少2片光學補償膜在波長λ處之面內遲滯為Re(λ)，該至少2片光學補償膜在波長λ處之厚度方向的遲滯為Rth(λ)，則在380奈米至780奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(I)至(IV)：(I)200△n(λ)×d1000；(II)Rth(λ)/λ=A×△n(λ)×d/λ+B；(III)Re(λ)/λ=C×λ/{△n(λ)×d}+D；及(IV)0.488A0.56，B=-0.0567，-0.041C0.016；及D=0.0939；該光學補償膜之Re(λ)/λ值為0.06至0.09；及其中該至少兩片光學補償膜滿足Re(450)<Re(550)，及其中該光學補償膜之面內遲相軸及配置於較接近該光學補償膜之該第一或該第二偏光膜之穿透軸係實質上彼此平行。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其使用VA模式。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該關係(I)至(IV)在至少兩個相差50奈米以上之波長處滿足。
如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該關係(I)至(IV)在450奈米、550奈米及650奈米波長處均滿足。
一種液晶顯示裝置，其包括：液晶胞，其包括一對彼此面對而配置之基板，該對基板至少之一其上具有電極，及保持在該對基板之間之液晶層，其包括向列液晶材料，其分子在黑色狀態係幾乎正交該對基板之表面而排列，其間安置該液晶胞之第一偏光膜及該第二偏光膜；及配置於該液晶層與該第一及該第二偏光膜之一之間之光學補償膜，其中，假設該液晶層之厚度為d(奈米)，在波長λ(奈米)處之折射率各向異性為△n(λ)，及該光學補償膜在波長λ處之面內遲滯為Re(λ)，該至少2片光學補償膜在波長λ處之厚度方向的遲滯為Rth(λ)，則在380奈米至780 奈米波長範圍之至少兩個不同波長處滿足以下關係(V)至(VIII)：(V)200△n(λ)×d1000；(VI)Rth(λ)/λ=E×△n(λ)×d/λ；(VII)Re(λ)/λ=F×λ/{△n(λ)×d}+G；及(VIII)0.726E0.958，0.0207F0.0716；及G=0.032，該光學補償膜之Re(λ)/λ值為0.05至0.1；及其中該至少兩片光學補償膜滿足Re(450)<Re(550)，及其中該光學補償膜之面內遲相軸及配置於較接近該光學補償膜之該第一或該第二偏光膜之穿透軸係實質上彼此平行。
如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其進一步在不相鄰該光學補償膜之第一及第二偏光膜之一與該液晶胞之間包括透明薄膜，該透明薄膜具有0奈米Rth<60奈米之厚度方向遲滯Rth。
如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其使用VA模式。
如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中該至少光學補償膜之Re(λ)/λ值為0.06至0.09。
如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中該關係(V)至(VIII)在至少兩個相差50奈米以上之波長處滿足。
如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中該關係(V)至(VIII)在450奈米、550奈米及650奈米波長處均滿足。