KR927003551A - 활성산소 억제제 - Google Patents

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요우이찌 야부우찌
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오오쓰까 아끼히꼬
오오쓰까세이야꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

활성산소 억제제
[도면의 간단한 설명]
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (55)

  1. 하기 일반식(A)로 표시되는 티아졸 유도체 또는 그의 염;
    상기식에서, RA는 수소원자 또는 수산기를 표시하고; R1A및 R2A는 각각 메톡시기 또는 에톡시기를 표시하며; R3A는 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시하고; RA는 페닐 환 상의 4위치 또는 6위치에서 결합되는 것으로 하며; 단 R1A및 R2A는 동시에 메톡시기이어서는 안된다.
  2. 하기 일반식(B)으로 표시되는 티아졸 유도체 또는 그의 염;
    상기식에서, R1B는 페닐 환 상에 치환기로서 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬렌 디 옥시기를 가지는 페닐기, 옥소기를 가질 수 있는 피리딜기, 티에닐기, 카르보스티릴기, 피라질기, 피롤릴기, 옥소기를 가질 수 있는 퀴놀릴기 또는 3,4-디히드로 카르보스티릴기를 표시하고; R2B는 수소원자를 표시하며; R3B는 하기 식의 기;
    [여기서, R4B는 알콕시기; 트리-저급알킬기-치환 실릴 옥시기; 저급 알킬기; 수산기; 저급 알케닐 옥시기; 저급 알킬 티오기; 티아졸릴 환상에 치환기로서, 페닐 환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기를 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬 술피닐기; 저급 알킬 술포닐기; 할로겐 원자; 니트로기; 하기식의 기
    (식중의 A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐 -저급 알킬기를 표시하고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 또는 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시 카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 -저급 알콕시기, 수산기-, 또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기; 저급 알카노일-치환 저급 알킬기; 카르복시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 -저급 알콕시 카르보닐기; 하기식의 기
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐 저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급알콕시카르보닐 저급 알콕시-치환 저급 알킬기; 치환기로서 저급알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시; -치환 저급 알킬기 치환 저급 알킬기; 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기 및 저급 알콕시 -치환 저급 알콕시 카르보닐기를 표시하며; m은 0,1 또는 2를 표시한다) 또는 페닐 환상에 치환기로서 저급 알카노일 옥시기, 히드록시술포닐 옥시기, 시아노기, 아미디노기, 니트로기, 저급 알킬 티오기, 저급 알킬 술포닐기, 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 저급 알콕시기, 수산기 -또는 저급 알카노일 옥시기 -치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드록피라닐옥시기, 티아졸릴 환 상에 치환기로서, 페닐 환 상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 및 하기식의 기
    (R21및 R22상기와 같다)인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지는 페닐기; 저급 알킬렌디옥시기를 가지는 페닐기; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있도록 있거나 저급 알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐 저급 알킬기 또는 아다만틸기를 표시하며; 단 R4B의 적어도 하나가 카르복실기, 저급 알콕시 카르보닐기-치환 저급 알킬기 또는 카르복시-치환 저급 알킬기를 표시할때 m은 2를 표시하는 것으로 한다.
  3. 하기 일반식(C)로 표시되는 티아졸 유도체 또는 그의 염:
    상기 식에서, R1C는 페닐 환 상에 치환기로서 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기를 표시하고; R2C는 수소원자를 표시하며; R3C는 다음식의 기;
    (여기서, R4C는 수소원자, 저급 알킬기, 페닐-저급 알킬기, 또는 저급 알콕시-치환 저급 알킬기를 표시하며; R5C는 아미노기, 저급 알콕시기-치환 저급 알킬기, 알킬기, 나트로기, 저급 알케닐기, 저급 알카노일기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 페닐-저급 알콕시기, 할로겐 원자 또는 수산기-치환 저급 알킬기를 표시하고; n은 2를 표시한다)를 표시한다.
  4. 하기 일반식(D)의 티아졸 유도체 또는 그의 염 :
    상기식에서, R1D는 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기를 표시하고; R2D는 수소원자를 표시하고; R3D는 다음식의 기;
    (여기서, R4D는 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시하고; R5D는 아미노기, 저급 알콕시 카르보닐-저급 알콕시기, 니트로기, 저급 알케닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알카노일옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노카르보닐티오기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오카르보닐옥시기, 카르복시-치환 저급 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포늄옥시기를 표시한다)을 표시한다.
  5. 하기 일반식(E)의 티아졸 유도체 또는 그의 염:
    상기식에서, R1은 페닐 환 상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴 옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐 옥시기, 저급 알킬 티오기, 티아졸릴 환 상에 치환기로서, 페닐 환 상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬 술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 기
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐 저급 알킬기를 표시하고 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 또는 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시 카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 -저급 알콕시기, 수산기-, 또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노카르보닐 티오기; 저급 알카노일-치환 저급 알킬기; 카르복시기; 하기식의 기
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하고, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐 -저급 알콕시 카르보닐기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시 -치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 및 페닐 -저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기; 질소원자, 산소원자 또는 황 원자를 1∼2개 가지는 5∼15원 환의 단환, 2항 환(bicyclic) 또는 3항 환(tricyclic)의 복소환 잔기[그 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알칼기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시 카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기 :
    (A는 상기와 같고; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 표시하며; R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6 원환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐 아미노 티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기인 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]; 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐 환 상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페리디닐 저급 알킬기 또는 아다만틸기를 표시하고; R2E는 수소원자를 표시하며; R3E는 질소원자, 산소원자 또는 황 원자를 1∼2개 가지는 5∼15원 환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환잔기[그 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시 카르보닐기, 저급 알킬 티오기, 하기식의 기;
    (A는 상기와 같고; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 표시하고, 또한 -R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6 원환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐 아미노티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]를 표시한다.
  6. 하기 일반식(F)의 티아졸 유도체 또는 그의 염 :
    상기식에서, R1은 상기와 같고; R2F는 수소원자를 표시하며, R3F는 하기식의 기:
    (여기서, A, ℓ, 및 m은 상기와 같고; R8F및 R9F는 동일 또는 상이하며, 각각 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 표시하며; 또한 R8F및 R9F는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋고; R4F는 수산기 이외의 상기 R4B와 같다.
  7. 제2항에 있어서, R1B가 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기 또는 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그이 염.
  8. 제2항에 있어서, R1B가 옥소기를 가질 수 있는 피리딜기, 티에닐기, 카르보스티릴기, 피라질기, 피롤릴기, 옥소기를 가질 수 있는 퀴놀릴기 또는 3,4-디 히드로 카르보 스티릴기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  9. 제7항에 있어서, R3B가 하기식의 기
    (여기서, R4B및 m은 상기에서 정의한 바와 같다)인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  10. 제8항에 있어서, R3B가 하기식의 기
    (식중의 R4B및 m은 상기와 같다)인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서, R3B가 페닐 환상에 치환기로서 저급 알카노일 옥시기, 히드록시술포닐옥시기, 시아노기, 아미디노기, 니트로기, 저급 알킬 티오기, 저급 알킬 술포닐기, 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐-저급 알콕시기, 수산기-또는 저급 알카노일 옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질수 있는 테트라 히드로 피라닐옥시기, 티아졸릴 환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 하기식의 기;
    (R21및 R22는 상기와 같다)로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서, R3B가 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐; 카르바모일 저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐 저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐 저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐 저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐 저급 알킬기 또는 아다만틸기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, RB가 수산기, 카르복시기, 저급 알케닐기 또는 저급 알킬기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서, R4B가 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴 옥시기, 저급 알케닐 옥시기, 저급 알킬 티오기, 티아졸릴 환 상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬 술피닐기; 저급 알킬 술포닐기; 할로겐 원자; 니트로기; 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알킬기 또는 피페리디닐 저급 알킬기를 표시하고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 또는 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시 카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 -저급 알콕시기, 수산기-, 또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기; 저급 알카노일-치환 저급 알킬기; 치환기로서 저급 알킬기를 가지질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기; 하기식의 기
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알콕시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가지질 수 있는 아미노-저급 알콕시-치환 저급 알킬기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기 및 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  15. 제3항에 있어서, R4C가 수소원자인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  16. 제3항에 있어서, R4C가 저급 알킬기, 페닐-저급 알킬기, 또는 저급 알콕시-치환 저급 알킬기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  17. 제5항에 있어서, R1은 페닐 환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴 옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐옥시기, 저급알킬티오기, 티아졸릴환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬 술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 기
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하고, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알킬기 또는 피페리디닐 저급 알킬기를 표시하고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐-저급 알콕시기, 수산기-, 또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기; 저급 알카노일-치환 저급 알킬기; 카르복시기; 하기식의 기
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기, 할로겐원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 및 페닐-저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  18. 제5항에 있어서, 질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 가지는 5∼15원환의 단환, 2항환 또는 2항환 복소환 잔기[그 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기 저급 알킬티오기, 하기식의 기;
    (A는 상기와 같고; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 표시하며; R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 벗이 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐아미노티오카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알콕시카르보닐기인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  19. 제5항에 있어서, R1이 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐환 상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐 저급 알킬기 또는 아다만틸기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  20. 제17항에 있어서, R1이 알콕시기 또는/및 수산기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  21. 제18항에 있어서, 복소환 잔기가 피롤리디닐, 피페리디닐, 피페라지닐, 모르폴리노, 피리딜, 1, 2, 5, 6-테트라히드로피리딜, 티에닐, 퀴놀릴, 1,4-디히드로퀴놀릴, 벤조티아졸틸, 피라질, 피리미딜, 피리다질 티에닐, 피롤릴, 카르보스티릴, 3,4-디히드로카르보스티릴, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴놀릴, 인돌릴, 이소인돌릴, 인돌리닐, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 이미다졸리디닐, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 신놀리닐, 프탈라지닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 크로마닐, 이소인돌리닐, 이소크로마닐, 파라졸릴, 이미다졸릴, 피라졸리디닐, 페노티아지닐, 벤조푸릴, 2, 3-디히드로벤조[b]푸릴, 벤조티에닐, 페녹시티이닐, 페녹사지닐, 4H-크로메닐, 1H-인다졸릴, 페나지닐, 크산테닐, 티안트레닐, 이소인돌리닐, 2-이미다졸리닐, 2-피롤리딘, 푸릴, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 피라닐, 피라졸리리디닐, 2-피라졸리닐, 퀴누클리디닐, 1,4-벤조옥시지닐, 3, 4-디히드로-2H-1, 4-벤조옥사지닐, 3,4-디히드로-2H-1, 4-벤조티아지닐, 1,4-벤조티아지닐, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴녹살리닐, 1, 3-디티아-2, 4-디히드로나프탈레닐, 페난트리디닐, 1, 4-디티아나프탈레닐, 디벤즈[b, e]아제핀 또는 6, 11-디히드로-5H-디벤조[b, e]아제핀인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  22. 제20항에 있어서, R1이 저급 알콕시기를 1∼3개를 가질 수 있는 페놀기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  23. 제22항에 있어서, R3E의 복소환 잔기가 피롤리디닐, 피페리디닐, 피페라지닐, 모르폴리노, 피리딜, 1, 2, 5, 6-테트라히드로피리딜, 티에닐, 퀴놀릴, 1,4-디히드로퀴놀릴, 벤조티아졸틸, 피라질, 피리미딜, 피리다질티에닐, 피롤릴, 카르보스티릴, 3,4-디히드로카르보스티릴, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴놀릴, 인돌릴, 이소인돌릴, 인돌리닐, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 이미다졸리디닐, 이소퀴놀릴, 퀴나졸리디닐, 퀴논살리닐, 신놀리닐, 프탈라지닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 크로마닐, 이소인돌리닐, 이소크로마닐, 파라졸릴, 이미다졸릴, 피라졸리디닐, 페노티아지닐, 벤조푸릴, 2, 3-디히드로벤조 [b]푸릴, 벤조티에닐, 페녹사티이닐, 페녹사디닐, 4H-크로메닐, 1H-인다졸릴, 페나지닐, 크산테닐, 티안트레닐, 이소인돌리닐, 2-이미다졸리닐, 2-피롤리딘, 푸릴, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 피라닐, 피라졸리디닐, 2-피라졸리닐, 퀴누클리디닐, 1,4-벤조옥사시지닐, 3, 4-디히드로-2H-1, 4-벤조옥사지닐, 3,4-디히드로-2H-1, 4-벤조티아지닐, 1,4-벤조티아지닐, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴녹살리닐, 1, 3-디티아-2, 4-디히드로나프탈레닐, 페난트리디닐, 1, 4-디티아나프탈레닐, 디벤즈[b, e]아제핀, 또는 6, 11-디히드로-5H-디벤조[b, e]아제핀인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  24. 제23항에 있어서, 복소환이 피리딜기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  25. 제6항에 있어서, R1은 페닐 환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐 옥시기, 저급 알킬 티오기, 티아졸릴 환상에 치환기로서, 페닐 환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬 술포닐기, 할로겐원자, 니트로기, 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 표시하고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 또는 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기, 저급 알킬노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기, 저급 알카노일 옥시기, 알콕시카르보닐기, 시아노기, 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 -저급 알콕시기, 수산기 또는 저급 알카노일 옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기, 아미디노기, 히드록시술포닐옥시기, 저급알콕시 카르보닐-치환 저급 알콕시기, 카르복시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 저급 알케닐기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 티오카르보닐옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기, 하기의 식:
    (R21및 R22는 동일 또는 다르게 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기, 할로겐원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 및 페닐-저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.:
  26. 제6항에 있어서, R1질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 가지는 5∼15원환의 단 환, 2항환 또는 3항환 복소한 잔기[그 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시 카르보닐기 저급 알킬티오기, 하기식의 기:
    (A는 상기와 같고; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 표시하며; R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐아미노티오카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알콕시카르보닐기인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  27. 제6항에 있어서, R1이 저급 알킬기; 저급 라콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기;치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐환 상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기 또는 아다만틸기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  28. 제25항에 있어서, R1이 알콕시기 또는/및 수산기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  29. 제26항에 있어서, 복소환 잔기가 피롤리디닐, 피페리디닐, 피페라지닐, 모르폴리노, 피리딜, 1, 2, 5, 6-테트라히드로피리딜, 티에닐, 퀴놀릴, 1, 4-디히드로퀴놀릴, 벤조티아졸릴, 피라질, 피리미딜, 피리다질티에닐, 피롤릴, 카르보스티릴, 3, 4-디히드로카르보스티릴, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴놀릴, 인돌릴, 이소인돌릴, 인돌리닐, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 이미다졸리디닐, 이소퀴놀릴, 퀴나졸리디닐, 퀴녹살리닐, 신놀리닐, 프탈라지닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 크로마닐, 이소인돌리닐, 이소크로마닐, 파라조릴, 이미다졸릴, 피라졸리디닐, 페노티아지닐, 4H-크로메닐, 1H-인다졸릴, 페나지닐, 크산테닐, 티안트레닐, 이소인돌리닐, 2-이미다졸리 닐, 2-피롤리딘, 푸릴, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 피라닐, 피라졸리디닐, 2-피라졸리닐, 퀴누클리디닐, 1, 4-벤조옥사지닐, 3, 4-디히드로-2H-1, 4-벤조옥사지닐, 3, 4-디히드로-2H-1, 4-벤조티아지닐, 1, 4-벤조티아지닐, 1, 2, 3, 4-테트라히드로퀴녹살리닐, 1, 3-디티아-2, 4-디히드로나프탈레닐, 페난트리디닐, 1,4-디티아나프탈레닐, 디벤즈 [b, e]아제핀 또는 6, 11-디히드로-5H-디벤조 [b, e]아제핀인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  30. 제28항에 있어서, R1이 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페놀기인 티아졸 유도체 또는 그의 염.
  31. 하기 일반식(G)의 티아졸 유도체 또는 그의 염 :
    상기식에서, R1및 R2는 동일 또는 상이하고, 각각 페닐환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급알킬기-치환 실릴옥시기, 저급알킬기, 수산기, 저급알케닐옥시기, 저급알킬티오기, 티아졸릴환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬 술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 표시하며; 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 저급 알카노일기, 저급 알카노일옥시기, 알콕시카르보닐기, 시아노기. 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 -저급 알콕시기, 수산기-, 또는 저급 알카노일 옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기, 아미디노기, 히드록시술포닐옥시기, 저급알콕시 카르보닐-치환 저급 알콕시기, 카르복시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 저급 알케닐기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 티오카르보닐 옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기, 하기의 식:
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기, 할로겐원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 및 페닐-저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 가지는 페닐기; 질소원자, 산소원자 또는 황 원자를 1∼2개 가지는 5∼15원 환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환 잔기[그 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시 카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기 :
    (A는 상기와 같으며; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 표시하며; R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 다른 질소원자나, 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6 원환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐아미노티오카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알콕시 카르보닐기인 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐 저급 알킬기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기 또는 아다만틸기를 표시하고; R3는 상기 이외에 수소원자를 표시하여도 좋으며; R2는 산소원자, 페닐기, 할로겐원자, 저급 알콕시 카르보닐기, 저급 알킬기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 디히드로카보스트릴기를 표시하고:
    또한 R2및 R3는 결합하여 기또는 기
    을 형성하여도 좋다.
  32. 하기 일반식(H)의 티아졸 유도체 또는 그의 염:
    식중, R1은 상기와 같으며; R2H및 R3H는, 서로 결합하여
    또는 기형성한다.
  33. 2-(3, 4-디에톡시페닐)-4-(3-카르복시-4-히드록시페닐)티아졸.
  34. 2-(3,4-디에톡시페닐)-4-[3-카르복시-4-히드록시-5-(2-메틸-2-프로페닐)페닐]티아졸.
  35. 2-(3,4-디에톡시페닐)-4-(3-카르복시-4-히드록시-5-메틸페닐)티아졸.
  36. 2-(3,4-디에톡시페닐)-4-(2-카르복시-6-피리딜)티아졸.
  37. 하기 일반식(I)의 아졸 유도체 또는 그의 염을 함유함을 특징으로 하는 활성산소 억제제:
    상기식에서, R1및 R3은, 동일 또는 상이하며 각각 페닐환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐옥시기, 저급알킬티오기, 티아졸릴환상에 치환기로서, 페닐 환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬술피닐기, 저급알킬술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 나타내고; 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐-저급 알콕시기, 수산기-이거나, 저급 알카노일옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일 옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기; 하기식의 기:
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기, 및 페닐-저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 갖는 페닐기; 질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 가지는 5∼15원 환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환 잔기[이 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기 :
    (A는 상기와 같고; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 나타내고; -R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐 아미노티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기]로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다); 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐 -저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일 -저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐 -저급 알킬기; 또는 아다만틸기를 나타내고; R3은 상기 외에도 수소원자를 나타내고 있어도 좋으며; R2는, 수소원자, 페닐기, 할로겐원자, 저급알콕시 카르보닐기, 저급 알킬기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 디히드로카르보스티릴기를 나타내며;
    또는 R2및 R3는 결합하여 기또는 기
    을 형성해도 좋으며; X는 황원자 또는 산소원자를 나타낸다.
  38. 제37항에 있어서, 하기 일반식(A)의 티아졸 유도체 또는 그의 염을 함유하는 활성산소 억제제;
    상기식에서, RA는 수소원자 또는 수산기를 나타내고; R1A및 R2A는 각각 메톡시기 또는 에톡시기를 나타내며; R3A는 수소원자 또는 저급알킬기를 나타내고; RA는 페닐환상의 4 위치 또는 6 위치에서 치환되는 것으로 한다.
    단 R1A및 R2A는 동시에 메톡시기여서는 안된다.
  39. 제37항에 있어서, 하기 일반식(B)의 티아졸 유도체 또는 그의 염을 함유하는 활성산소 억제제:
    상기식에서, R1B는 페닐환상에 치환기로서 저급알콕시기를 l∼3개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 옥소기를 가질 수 있는 피리딜기; 티에닐기; 카르보스티릴기; 피라질기; 피롤릴기; 옥소기를 가질 수 있는 퀴놀릴기; 또는 3,4-디히드로카르보스티릴기를 나타내고; R2B는 수소원자를 나타내며; R3B는 하기식의 기;
    [R4B는 알콕시기; 트리-저급 알킬기-치환 실릴옥시기; 저급 알킬기; 수산기; 저급 알케닐 옥시기; 저급 알킬 티오기; 티아졸릴 환상에 치환기로서, 페닐 환 상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된기를 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬 술피닐기; 저급 알킬 술포닐기; 할로겐 원자; 니트로기; 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 나타내고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐-저급 알콕시기, 수산기- 또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급알킬기 및 저급 알카노일옥시기인 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기; 저급 알카노일-치환 저급 알킬기; 카르복시기; 하기식의 기
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 할로겐원자를 가질 수 있는 저급 알킬술포닐옥시기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기; 할로겐 원자를 가지는 저급 알케닐기; 및 페닐-저급 알콕시기를 나타내고; m은 0, 1 또는 2를 나타낸다]; 또는 페닐 환상에 치환기로서, 저급 알카노일옥시기, 히드록시 술포닐옥시기, 시아노기, 아미디노기, 니트로기, 저급 알킬티오기, 저급알킬술포닐기, 치환기로서 수산기, 저급알콕시 카르보닐기, 페닐저급 알콕시기, 수산기-또는 저급 알카노일옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기로 이루어진 군에서 선택된기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라 히드로 피라닐옥시기, 티아졸릴 환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질수 있는 페닐기를 갖는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어진 군에서 선택된기를 가질 수 있는 페닐기, 수산기를 갖는 저급 알킬기, 하기식의 기:
    (R21및 R22는 상기와 같다)
    로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 갖는 페닐기; 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급알킬기 상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐 저급 알킬기; 페닐환상에 치화기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기 또는 아다만틸기를 나타내고; 단, RB의 적어도 히나가 카르복실기, 저급 알콕시카르보닐기-치환 저급 알킬기 또는 카르복시-치환 저급 알킬기를 나타낼때, m은 2를 나타내는 것으로 한다.
  40. 제37항에 있어서, 하기 일반식(D)의 티아졸 또는 그의 염을 함유하는 활성산소 억제제:
    상기식에서, R1C는 페닐환상에 치환기로서 저급알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기를 나타내고; R2C는 수소원자를 나타내며; R3C는 하기식의 기:
    (여기서, R4C는 수소원자, 저급알킬기, 페닐저급 알킬기 또는 저급알콕시-치환 저급 알킬기를 나타내며; R5C는 아미노기, 저급 알콕시기-치환 저급 알킬기, 저급 알킬기, 니트로기, 저급 알케닐기, 저급 알카노일기, 할로겐을 갖는 저급 알케닐기, 페닐 저급 알콕시기, 할로겐원자 또는 수산기-치환 저급 알킬기를 나타내며; n은 2를 나타낸다)를 나타낸다.
  41. 제37항에 있어서, 하기 일반식(D)의 티아졸 유도체 또는 그의 염을 함유하는 활성산소 억제제;
    상기식, R1D는 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 1∼3개 가질 수 있는 페닐기를 나타내고; R2D는 수소원자를 나타내며; R3D는 하기식의 기:
    (식중, R4D는 수소원자 또는 저급 알킬기를 나타내고; R5D는 아미노기, 저급 알콕시 카르보닐-저급 알콕시기, 니트로기, 저급 알케닐옥시기, 저급알콕시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알카노일옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐티오기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오카르보닐옥시기, 카르복시-치환저급 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐옥시기를 나타낸다)를 나타낸다.
  42. 제37항에 있어서, 하기 일반식(E)의 티아졸 유도체 또는 그의 염을 함유하는 활성산소 억제제:
    상기식에서, R1은 동일 또는 상이하고, 페닐 환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기 치환 실릴 옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐 옥시기, 저급 알킬티오기, 티아졸릴 환 상에 치환기로서, 페닐 환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬 술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 식:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알킬기 또는 피페리디닐 -저급 알킬기를 나타내고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 함께, 다른 질소원자, 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합되어 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서, 저급알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다), 저급 알카노일기, 저급알카노일옥시기, 저급 알콕시카르보닐기, 시아노기, 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐저급 알콕시기, 수산기-또는 저급 알카노일 옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로 피라닐옥시기, 아미디노기, 히드록시 술포닐옥시기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알콕시기, 카르복시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알콕시 치환 저급 알콕시기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 저급 알케닐기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기, 하기식의 기:
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 나타낸다), 페닐저급 알콕시 카르보닐기, 시클로 알킬기, 저급 알키닐기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기, 카르복시-치환 저급 알킬기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알케닐기, 카르복시-치환 저급 알케닐기, 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐옥시기 및 저급 알콕시-치환저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 갖는 저급 알케닐기 및 페닐-저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 갖는 페닐기; 질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 갖는 5∼15원 환의 단환, 2 항환 또는 3항환의 복소환잔기[이 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬 티오기, 하기식의 기 :
    (A는 상기와 같으며; R23및 R24는 동일 또는 상이하며 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 나타내고; R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 더불어 함께, 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6 원환의 포화의 복소환을 형성해도 좋으며; 이 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 갖고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 갖는 저급 알킬기, 페닐아미노티오카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 저급 알콕시카르보닐기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 갖고있어도 좋다]; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급알케닐기; 피페라진 환상에 치환기로서저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기; 또는 아다만틸기를 나타내고; R2E는 수소원자를 나타내며; R3E는 질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 갖는 5∼15원환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환잔기[이 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기;
    (A는 상기와 같으며; R23및 R24는 동일 또는 상이하고 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 나타내고; R23및 R24는, 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자나 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여, 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성하여도 좋으며; 이 복소환에는, 치환기로서 저급 알킬기를 갖고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 저급 알킬기, 페닐아미노티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 갖을 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 가지고 있어도 좋다]를 나타낸다.
  43. 제37항에 있어서, 하기 일반식(F)의 티아졸 유도체 또는 그의 염을 함유하는 활성 산소 억제제:
    상기식에서, R1은 동일 또는 상이하고, 페닐 환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기 치환 실릴 옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐옥시기, 저급 알킬티오기, 티아졸 환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 가지는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급 알킬 술피닐기, 저급 알킬술포닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하고 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐 저급 알킬기를 나타내고, 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고, 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성해도 좋으며, 이 복소환에는 치환기로서, 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다). 저급 알카노일기, 저급 알카노일 옥시기, 저급 알콕시 카르보닐기, 시아노기, 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐 저급 알콕시기, 수산기-또는 저급 알카노일 옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라 히드로피라닐옥시기, 아미디노기, 히드록시 술포닐옥시기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알콕시기, 카르복시-치환 저급 알콕시기, 머캅토기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기, 수산기를 갖는 저급 알킬기, 저급 알케닐기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 티오 카르보닐 옥시기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기, 하기식의 기:
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 나타낸다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기, 시클로 알킬기, 저급 알키닐기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기, 카르복시-치환 저급 알킬기, 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알케닐기, 카르복시-치환 저급 알케닐기, 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬술포닐 옥시기 및 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 갖는 저급 알케닐기 및 페닐저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 질소원자, 산소원자 또는 황원자를 1∼2개 갖는 5∼15원 환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환잔기[이 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알케닐기, 벤조일기, 저급 알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기 :
    (A 및은 상기와 같으며; R23및 R24는 동일 또는 상이하고, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 나타내고, R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하는 일이 없이 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성해도 좋으며; 이 복소환에는, 치환기로서 저급 알킬기를 갖고 있어도 좋다), 시아노기, 수산기를 갖는 저급 알킬기, 페닐아미노티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시카르보닐기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 갖고 있어도 좋다]; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로 인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐저급 알킬기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐 환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알케닐기; 피페라진환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기 또는 아다만틸기를 나타내고; R2F는 수소원자를 나타내며; R3F는 하기식의 기;
    (식중, A,는 상기와 같고; R8F및 R9F는 동일 또는 상이하고, 각각 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐 저급 알킬기를 나타내며; 또한 RF및 R9F는 이들이 결합하는 질소원자와 함께, 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여, 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성해도 좋으며; 이 복소환에는 치환기로서, 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋으며; R4F는 수산기 이외의 상기 R4B와 같다).
  44. 제37항에 있어서, X가 황원자인 활성산소 억제제.
  45. 제37항에 있어서, X가 산소원자인 활성산소 억제제.
  46. 제44항에 있어서, R2가 수소원자인 활성산소 억제제.
  47. 제44항에 있어서, R2가 페닐기, 할로겐원자, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 디히드로카르보시트릴기인 활성산소 억제제.
  48. 제44항에 있어서, R2및 R3에 서로 결합하여
    또는 기
    를 형성하고 있는 활성산소 억제제.
  49. 2-(3,4-디에톡시페닐)-4-(3-카르복시-4-히드록시 페닐) 티아졸을 함유하는 것을 특징으로 하는 활성 산소 억제제.
  50. 2-(3,4-디에톡시페닐)-[3-카르복시-4-히드록시-5-(2-메틸-2-프로페닐)페닐]티아졸을 함유하는 것을 특징으로 하는 활성 산소 억제제,
  51. 2-(3,4-에톡시페닐)-4-(3-카르복시-4-히드록시-5-메틸페닐)티아졸을 함유하는 것을 특징으로 하는 활성 산소 억제제.
  52. 2-(3,4-디에톡시페닐)-4-(2-카르복시-6-피리딜)티아졸을 함유하는 것을 특징으로 하는 활성 산소 억제제.
  53. 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물과 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물을 적당한 용매중에서 가열반응 시켜므로서 하기 일반식(1)로 표시되는 아졸 유도체 또는 그이 염을 제조하는 방법:
    상기식에서, R1및 R3은 동일 또는 상이하며 각각 페닐 환상에 치환기로서 알콕시기, 트리-저급 알킬기-치환 실릴옥시기, 저급 알킬기, 수산기, 저급 알케닐옥시기, 저급알킬티오기, 티아졸환상에 치환기로서, 페닐환상에 저급 알콕시기를 가질 수 있는 페닐기를 갖는 티아졸릴기, 카르복실기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 가질 수 있는 페닐기, 저급알킬술피닐기, 저급알킬술포닐기, 할로겐원자, 니트로기, 하기식의 기:
    (여기서, A는 저급 알킬렌기 또는 기를 표시하고;은 0 또는 1을 표시하며; R8및 R9은 동일 또는 상이하고 각각 수소원자, 저급 알킬기, 저급 알카노일기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 피페리디닐-저급 알킬기를 나타내고; 또한 R8및 R9은 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화 또는 불포화의 복소환을 형성하여도 좋으며, 그 복소환에는 치환기로서 저급 알카노일기 또는 저급 알킬기를 가지고 있어도 좋다); 저급 알카노일기; 저급 알카노일 옥시기; 알콕시카르보닐기; 시아노기; 치환기로서 수산기, 저급 알콕시 카르보닐기, 페닐-저급 알콕시기, 수산기-이거나, 저급 알카노일옥시기-치환 저급 알킬기 및 저급 알카노일 옥시기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼4개 가질 수 있는 테트라히드로 피라닐옥시기; 아미디노기; 히드록시술포닐옥시기; 저급알콕시카르보닐-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 카르복시-치환 저급 알콕시기; 머캅토기; 저급 알콕시-치환 저급 알콕시기; 수산기를 가지는 저급 알킬기; 저급 알케닐기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노티오 카르보닐 옥시기; 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노 카르보닐 티오기, 저급 알카노일-치환 저급 알킬기, 카르복시기; 하기식의 기:
    (R21및 R22는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자 또는 저급 알킬기를 표시한다); 페닐-저급 알콕시 카르보닐기; 시클로 알킬기; 저급 알키닐기; 저급 알콕시 카르보닐-치환 저급 알킬기; 카르복시-치환 저급 알킬기; 저급 알콕시카르보닐-치환 저급 알케닐기; 카르복시-치환 저급 알케닐기; 할로겐 원자를 가질 수 있는 저급 알킬 술포닐 옥시기, 저급 알콕시-치환 저급 알콕시 카르보닐기, 할로겐 원자를 갖는 저급 알케닐기, 및 페닐 저급 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택된 기를 1∼5개 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬렌 디옥시기를 갖는 페닐기; 질소원자, 산소원자, 또는 황원자를 1∼2개 갖는 5∼15원 환의 단환, 2항환 또는 3항환의 복소환 잔기[이 복소환에는 치환기로서 옥소기, 알킬기, 벤조일기, 저급알카노일기, 수산기, 카르복시기, 저급 알콕시카르보닐기, 저급 알킬티오기, 하기식의 기 :
    (A 및은 상기와 같으며; R23및 R24는 동일 또는 상이하며, 각각 수소원자, 또는 저급 알킬기를 나타내고; -R23및 R24는 이들이 결합하는 질소원자와 함께 다른 질소원자 또는 산소원자를 통하거나 통하지 않고 서로 결합하여 5∼6원 환의 포화의 복소환을 형성해도 좋으며; 그 복소환에는 치환기로서 저급 알킬기를 가질수 있다), 시아노기, 수산기를 가지는 저급 알킬기, 페닐 아미노티오 카르보닐기 및 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알콕시 카르보닐기로 이루어진 군에서 선택된 기를 1∼3개 갖고 있어도 좋다]; 저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐-저급 알킬기; 저급 알콕시 카르보닐기; 카르바모일-저급 알킬기; 치환기로서 옥소기 또는/및 수산기를 가질 수 있는 2, 3-디히드로인데닐기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있거나 저급 알킬기상에 치환기로서 수산기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알콕시기를 가질 수 있는 벤조일기; 페닐환상에 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 피페라지닐-저급 알킬기; 또는 아다만틸기를 나타내고; R3은 상기외에도 수소원자를 나타내고 있어도 좋으며; R2;는, 수소원자, 페닐기, 할로겐원자, 저급알콕시 카르보닐기, 저급 알킬기, 치환기로서 저급 알킬기를 가질 수 있는 아미노-저급 알킬기 또는 디히드로카르보스티릴기를 나타내며;
    또한 R2및 R3는 결합하여 기또는 기
    를 형성해도 좋으며; X는 황원자 또는 산소원자를 나타내고; Y는 할로겐원자를 나타낸다.
  54. 하기 일반식(2);
    [식중, R2, R3및 X는 상기와 같다]
    로 표시되는 화합물과 하기 일반식(4);
    R1-COOH (4)
    [식중, R1은 상기와 같다]
    로 표시되는 화합물을 적당한 용매중에 염기성 화합물을 적당한 용매중에 화합물의 존재하에 반응시키므로서,
    하기 일반식(5);
    [식중, R1, R2및 R3은 상기와 같다]
    로 표시되는 화합물을 제조하고, 이어서 화합물(5)를 적당한 용매중에 알모니아 수 또는 암모늄염의 존재하에 가열 반응시키므로서 일반식(la);
    [식중, R1, R2및 R3은 상기와 같다]
    로 표시되는 옥사졸 유도체 및 그이 염을 제조하는 방법.
  55. 하기 일반식(6):
    [식중, R2및 R3은 상기와 같다]
    로 표시되는 화합물과 하기 일반식 (4):
    R1-COOH (4)
    [식중, R1은 상기와 같다]
    로 표시되는 화합물을 반응시키므로서, 하기 일반식(7);
    [식증, R1, R2및 R3은 상기와 같다.]
    로 표시되는 화합물을 제조하고, 이어서, 화합물(7)을 무용매하에, 또는 적당한 용매중에, 2, 4-비스(4-메톡시페닐)-1,3-디티아-2,4-디포스페탄-2,4-디설피드(Lawesson's Reagent), 5황화인 등의 황화제의 존재중에서 반응시키므로, 하기 일반식 (1b);
    [식중, R1, R2및 R3은 상기와 같다]
    로 표시되는 티아졸 유도체 및 그이 염을 제조하는 방법.
    ※ 참고사항 ; 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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