KR20140147161A - Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device which includes: a semiconductor light emitting chip which includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer which is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generates light by using the recombination of electrons and holes, a first electrode which is electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode which is electrically connected the second semiconductor layer, and is located in the lower part of the first electrode and the second electrode; a first encapsulation layer which is located in the circumference of the semiconductor light emitting device chip in a side at which the first electrode and the second electrode are located; and a second encapsulation part which covers the semiconductor light emitting device chip and the first encapsulation part.

Description

반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 복층구조의 봉지부를 구비하는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device including a sealing portion of a multilayer structure and a method of manufacturing the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다. Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and exposed. The buffer layer 200 may be omitted.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901), 전극막(902) 및 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, An active layer 400 for generating light through recombination of holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 100, An electrode film 901, an electrode film 902 and an electrode film 903 are formed in three layers. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300 have.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 제2 반도체층(500)에 제1 반도체층(300)으로 빛을 반사시키기 위한 금속 반사막(910)이 형성되어 있고, 지지 기판(930) 측에 전극(940)이 형성되어 있다. 금속 반사막(910)과 지지 기판(930)은 웨이퍼 본딩층(920)에 의해 결합된다. 제1 반도체층(300)에는 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다. FIG. 3 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip). The semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 300 that generates light through recombination of electrons and holes, A second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is sequentially deposited on the first semiconductor layer 500 and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is deposited on the second semiconductor layer 500, A reflective film 910 is formed, and an electrode 940 is formed on the side of the supporting substrate 930. The metal reflective film 910 and the supporting substrate 930 are joined by the wafer bonding layer 920. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300.

도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 플립 칩의 형태로, 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있으며, 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 봉지제(1000)가 형성되어 있다. 반사막(950)은 도 2에서와 같이 금속층으로 이루어질 수 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, SiO2/TiO2로 된 DBR(Distributed Bragg Reflector)과 같은 절연체 반사막으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광소자는 전기 배선(820,960)이 구비된 PCB(1200; Printed Circuit Board)에 도전 접착제(830,970)를 통해 장착된다. 봉지제(1000)에는 주로 형광체가 함유된다. 여기서 반도체 발광소자는 봉지제(1000)를 포함하므로, 구분을 위해, 봉지제(1000)를 제외한 반도체 발광소자 부분을 반도체 발광소자 칩이라 부를 수 있다. 이러한 방법으로 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 발광소자 칩에 봉지제(1000)가 도포될 수 있다.4 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044, wherein a semiconductor light emitting device is formed on a substrate 100 and a substrate 100 in the form of a flip chip, An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the first semiconductor layer 300, A reflective film 950 for reflecting light is formed on the substrate 100 side and an electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The substrate 100, An encapsulant 1000 is formed to surround the semiconductor layers 300, 400 and 500. The reflective layer 950 may be formed of a metal layer as shown in FIG. 2, but may be formed of an insulator reflective layer such as DBR (Distributed Bragg Reflector) made of SiO 2 / TiO 2 , as shown in FIG. The semiconductor light emitting device is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) 1200 provided with electric wiring 820, 960 through conductive adhesive 830, 970. The encapsulant 1000 mainly contains a phosphor. Here, since the semiconductor light emitting device includes the sealing agent 1000, the semiconductor light emitting element portion excluding the sealing agent 1000 may be referred to as a semiconductor light emitting element chip. In this way, the encapsulant 1000 can be applied to the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG.

도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer (not shown) grown on the buffer layer 200, 300, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500, A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다.6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a semiconductor light emitting device chip 20 is mounted on a mounting surface 10 made of a film or a plate. Lt; / RTI > Next, a stencil mask 80 having a partition 82 and an opening 81 is placed on the mounting surface 10 such that the semiconductor light emitting device chip 20 is exposed. Next, after the encapsulant 40 is put into the opening 81, the encapsulant 40 is cured for a certain period of time, and then the stencil mask 80 is separated from the mounting surface 10. The stencil mask 80 is mainly made of a metal material.

도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 도시된 반도체 발광소자 칩(1)가 장착된 패키지를 도시하고 있다. 패키지는 리드 프레임(4,5), 리드 프레임(4,5)을 고정하고 오목부(7)를 형성하는 몰드(6)를 구비한다. 반도체 발광소자(1; 반도체 발광소자 칩)가 리드 프레임(4)에 장착되어 있으며, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록 봉지제(1000)가 오목부(7)를 채우고 있다. 주로 봉지제(1000)는 형광체를 포함한다. 이 경우에, 기판(100)이 아래에 놓이게 되며, 기판(100)의 두께가 80~150um에 이르게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 이보다 높은 위치에 놓이게 되어, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광할 수 있게 되며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기할 수 있게 된다. 그러나 도 2에 도시된 반도체 발광소자가 패키지에 장착되는 경우에, 기판(100)이 위를 향하게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 패키지 바닥으로부터 20um를 넘지 않는 범위 내에 위치하게 되며, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광하기가 쉽지 않으며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기하기가 쉽지 않게 된다. 따라서 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩이 사용되는 경우에, 도 8에서와 같이 디스펜서를 이용한 봉지제의 형성보다는 도 4에서와 같이 봉지제(1000)가 반도체 발광소자 칩을 균일하게 덮을 수 있는 방안이 고려되어야 한다.FIG. 8 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device, which shows a package on which the semiconductor light emitting device chip 1 shown in FIG. 1 is mounted. The package has a mold 6 for fixing the lead frames 4 and 5 and the lead frames 4 and 5 and forming the recesses 7. The semiconductor light emitting element 1 (semiconductor light emitting element chip) is mounted on the lead frame 4 and the sealing agent 1000 fills the recessed portion 7 so as to cover the semiconductor light emitting element chip 1. The sealing agent 1000 mainly includes a phosphor. In this case, since the substrate 100 is placed under the substrate 100 and the thickness of the substrate 100 reaches 80 to 150 mu m, the active layer 400 that generates light is placed at a higher position, The phosphor can be excited well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. However, when the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2 is mounted on the package, since the substrate 100 faces upward, the active layer 400 that generates light is positioned within a range not exceeding 20 mu m from the bottom of the package, It is not easy to emit light uniformly throughout the portion 7 and it is difficult to excite the phosphor well when the encapsulant 1000 is provided with a phosphor. Therefore, when the flip chip as shown in FIG. 2 is used, the encapsulant 1000 can uniformly cover the semiconductor light emitting device chip as shown in FIG. 4, rather than forming the encapsulant using the dispenser as shown in FIG. The plan should be considered.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하는 반도체 발광소자 칩; 제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 측에서 반도체 발광소자 칩의 둘레에 위치하는 제1 봉지부; 및 제1 봉지부 및 반도체 발광소자 칩을 덮는 제2 봉지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the active layer is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor light emitting device chip in which one electrode and a second electrode are positioned below; A first encapsulant positioned around the semiconductor light emitting device chip on a side where the first electrode and the second electrode are located; And a second encapsulation part covering the first encapsulation part and the semiconductor light emitting device chip.

본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트 위에 고정하는 단계; 반도체 발광소자 칩 둘레의 플레이트의 상면을 덮도록 제1 봉지부를 형성하는 단계; 제1 봉지부 및 반도체 발광소자 칩을 덮도록 제2 봉지부를 형성하는 단계; 및 반도체 발광소자의 경계를 따라, 제1 봉지부 및 제2 봉지부를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다. According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, An active layer interposed between the second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, Fixing the light emitting device chip on the plate such that the first electrode and the second electrode are positioned at the bottom; Forming a first sealing part to cover an upper surface of the plate around the semiconductor light emitting device chip; Forming a second sealing part to cover the first sealing part and the semiconductor light emitting device chip; And cutting the first encapsulation part and the second encapsulation part together along the boundary of the semiconductor light emitting device.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 14 내지 도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 22는 도 21의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면,
도 23은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 24는 도 23의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip)
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
5 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
8 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 to 19 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
20 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
21 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 22 is a partially exploded view of the semiconductor light emitting device of FIG. 21,
23 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 24 is a partially exploded view of the semiconductor light emitting element of FIG. 23; FIG.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면이며, 도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이고, 도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이며, 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. FIG. 9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, FIG. 10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure FIG. 12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 13 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자는, 도 9에 나타낸 것과 같이, 금속 기판(110), 반도체 발광소자 칩(150), 제1 봉지부(160) 및 제2 봉지부(170)를 포함한다. The semiconductor light emitting device according to the present disclosure includes a metal substrate 110, a semiconductor light emitting device chip 150, a first sealing portion 160, and a second sealing portion 170, as shown in FIG.

금속 기판(110)은 절연부(113) 및 이 절연부(113)를 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 구비한다. 금속 기판(110)은 상면(116)과 상면(116)에 대향하는 하면(117)을 구비한다. 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112) 사이에 위치하는 절연부(113)가 상면(116)으로부터 하면(117)으로 이어지며, 따라서 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)가 절연부(113)에 의해 전기적으로 절연된다. The metal substrate 110 includes an insulating portion 113 and a first conductive portion 111 and a second conductive portion 112 disposed to face each other with the insulating portion 113 interposed therebetween. The metal substrate 110 has a top surface 116 and a bottom surface 117 facing the top surface 116. The insulating portion 113 located between the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 extends from the upper surface 116 to the lower surface 117 and thus the first conductive portion 111 and the second conductive The portion 112 is electrically insulated by the insulating portion 113.

제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)의 재질은 도전성 금속 또는 전도성 반도체라면 특별한 제한이 없으며, 이러한 재료로 W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si 등과 같은 재료 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 형태를 들 수 있고, 전기 전도성, 열 전도성, 반사율 등을 고려했을 때, Al을 적합한 예로 들 수 있다. 물론, 도전성 재료라면 특별한 제한이 없으며, 도전성을 가진다면 비금속 재료 또한 사용될 수 있을 것이다. The material of the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 is not particularly limited as long as it is a conductive metal or a conductive semiconductor and a material such as W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, And alloys including at least one of them. Al is a suitable example in consideration of electrical conductivity, thermal conductivity, reflectance, and the like. Of course, there is no particular restriction as long as it is a conductive material, and a non-metallic material having conductivity can also be used.

절연부(113)는 백색, 유색 또는 투명의 절연재료로 이루어진다. 절연부(113)는 점착성을 가지는 절연접착제로 이루어질 수도 있다. 절연부(113)는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 전기적으로 절연하는 역할 뿐만 아니라, 금속 기판(110)을 형성할 때 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 서로 접합시키는 역할 또한 수행할 수 있다. The insulating portion 113 is made of an insulating material of white, colored or transparent. The insulating portion 113 may be made of an insulating adhesive having adhesiveness. The insulating part 113 not only electrically insulates the first conductive part 111 from the second conductive part 112 but also functions to electrically isolate the first conductive part 111 and the second conductive part 112 when forming the metal substrate 110. [ It is also possible to perform the function of bonding the portions 112 to each other.

금속 기판(110)은 경면처리된 상면(116)을 구비할 수 있으며, 이 경우 금속 기판(110)의 상면(116)은 더 높은 반사율을 가지게 된다. The metal substrate 110 may have a mirror surface top surface 116 where the top surface 116 of the metal substrate 110 has a higher reflectivity.

한편, 금속 기판(110)은, 높은 반사율을 제공하기 위한 것으로서, 금속 기판(110)의 상면(116)을 표면처리 없이 그대로 사용하거나 경면처리하는 대신에, 도 10에 나타낸 것과 같이, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)의 상면을 덮도록 형성되는 Ag층(114)을 더 포함할 수 있다. Instead of using the upper surface 116 of the metal substrate 110 without using the surface treatment or mirror-finishing the metal substrate 110, the metal substrate 110 may be provided with a first conductive layer And an Ag layer 114 formed to cover the upper surface of the first conductive portion 112 and the second conductive portion 112.

반도체 발광소자 칩(150)은 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode) 일 수 있으며, 도 2, 도 4 및 도 5에 예시된 플립 칩 형태로 제공될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(150)은 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층(종래도면 참조), 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층(종래도면 참조), 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층(종래도면 참조), 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(151), 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(152)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(150)은, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 하부에 위치하여 금속 기판(110)의 상면(116)과 마주하도록 배치된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 또한 제1 전극(151) 및 제2 전극(152) 반대편, 즉 상부에 위치하는 사파이어 기판을 구비할 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 150 may be a light emitting diode (LED), and may be provided in the form of a flip chip as illustrated in FIGS. 2, 4, and 5. The semiconductor light emitting device chip 150 may include a first semiconductor layer having a first conductivity (for example, n-type) (refer to a conventional drawing) and a second semiconductor layer having a second conductivity An active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light by recombination of electrons and holes (see a conventional drawing), a first electrode 151 electrically connected to the first semiconductor layer And a second electrode 152 electrically connected to the second semiconductor layer. The semiconductor light emitting device chip 150 is disposed such that the first electrode 151 and the second electrode 152 are located at the lower portion and face the upper surface 116 of the metal substrate 110. The semiconductor light emitting device chip 150 may further include a sapphire substrate disposed on the opposite side of the first electrode 151 and the second electrode 152, that is, on the upper side.

반도체 발광소자 칩(150)은 금속 기판(110)의 상면(116) 측에서 절연부(113)에 걸쳐서 위치하게 된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 넓은 면적에 걸쳐 접촉하게 되며, 따라서 반도체 발광소자 칩(150)에서 발생한 열은 금속 기판(110)을 통해 효과적으로 방출될 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the insulating portion 113 from the upper surface 116 side of the metal substrate 110. The semiconductor light emitting device chip 150 is brought into contact with the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 over a large area so that the heat generated in the semiconductor light emitting device chip 150 is transferred to the metal substrate 110 Lt; / RTI >

한편, 본 개시에 따른 반도체 발광소자는, 도 11에 나타낸 것과 같이, 금속 기판(110)이 생략된 구조, 즉 반도체 발광소자 칩(150), 제1 봉지부(160) 및 제2 봉지부(170) 만을 포함하는 구조로 이루어질 수도 있다. 이때, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)은 반도체 발광소자의 하부로 노출된다. 11, the semiconductor light emitting device according to the present disclosure has a structure in which the metal substrate 110 is omitted, that is, the semiconductor light emitting device chip 150, the first sealing portion 160, and the second sealing portion 170 may be formed. At this time, the first electrode 151 and the second electrode 152 are exposed to the bottom of the semiconductor light emitting device.

제1 봉지부(160)는 반도체 발광소자 칩(150) 둘레의 금속 기판(110)의 상면(116)을 덮도록 형성된다. 즉, 제1 봉지부(160)는 반도체 발광소자 칩(150)의 둘레에 소정의 높이를 가지도록 형성된다. 제2 봉지부(170)는 제1 봉지부(160) 및 반도체 발광소자 칩(150)을 덮도록 형성되며, 또한 컨포멀한 외형을 가지도록 형성될 수 있다. 그러나, 외형이 반드시 컨포멀한 형태일 필요는 없다. The first encapsulant 160 is formed to cover the upper surface 116 of the metal substrate 110 around the semiconductor light emitting device chip 150. That is, the first sealing part 160 is formed to have a predetermined height around the semiconductor light emitting device chip 150. The second encapsulant 170 may be formed to cover the first encapsulant 160 and the semiconductor light emitting device chip 150 and may have a conformal outer shape. However, the appearance need not necessarily be a conformal form.

제1 봉지부(160)는 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)의 높이에 대응하는 두께를 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)의 높이는 대략 2㎛ 내지 7㎛ 범위 이내의 높이를 가지게 되며, 제1 봉지부(160) 또한 대략 2㎛ 내지 7㎛ 범위 이내에서 결정되는 두께를 가지게 된다. 물론, 제1 봉지부(160)의 두께는 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)의 높이보다 조금 두꺼울 수도 있고 조금 얇을 수도 있다. The first encapsulant 160 may have a thickness corresponding to the height of the first electrode 151 and the second electrode 152. For example, the heights of the first electrode 151 and the second electrode 152 are within a range of approximately 2 μm to 7 μm, and the first sealing portion 160 is also within a range of approximately 2 μm to 7 μm And has a determined thickness. Of course, the thickness of the first sealing portion 160 may be slightly thicker than the height of the first electrode 151 and the second electrode 152, or may be slightly thinner.

제1 봉지부(160)는 실리콘 등과 같은 투명재질의 수지로 이루어질 수 있으며, 제2 봉지부(170)는 실리콘 등과 같은 투명재질의 수지와 형광체(171)로 이루어질 수 있다. 이와 같이 제1 봉지부(160)가 형광체를 포함하지 않음에 따라, 고가인 형광체의 사용량 감소로 원가절감 효과를 얻을 수 있다. The first encapsulant 160 may be made of a transparent resin such as silicone and the second encapsulant 170 may be made of a transparent material such as silicone and a fluorescent material 171. [ Since the first encapsulant 160 does not include the fluorescent material, the cost reduction effect can be obtained by reducing the amount of the expensive fluorescent material.

제1 봉지부(160)는 제2 봉지부(170)를 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)의 높이만큼 띄우는 역할을 한다. 좀 더 상세히 설명하면, 형광체(171)를 포함하는 제2 봉지부(170)는 형성시 일반적으로 4시간 내지 7시간 정도의 경화과정을 거치게 되는데, 경화 도중에 형광체가 제2 봉지부(170) 전체에 균일하게 분포하는 것이 아니라, 아래로 침강하게 된다. 즉, 형광체는 제2 봉지부(170)의 아래쪽으로 조밀하게 분포하게 되고, 위로 갈수록 듬성듬성 분포하게 된다. 제2 봉지부(170) 아래에 제1 봉지부(160)가 없다면, 형광체(171)는 반도체 발광소자 칩(150)의 둘레에서 바닥까지 침강하게 되어, 반도체 발광소자 칩(150)을 구성하는 복수의 반도체층 보다 아래쪽의 영역에 조밀하게 분포하게 된다. 이 경우, 복수의 반도체층과 사파이어 기판의 측면으로부터 방출되는 청색광과 만나지 못하는 형광체가 많아지게 되어, 보는 방향에 따라 색좌표 편차가 발생할 수 있다. 반면, 상기한 바와 같이 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)의 높이를 고려하여 결정되는 두께를 가지는 제1 봉지부(160)가 제2 봉지부(170) 아래에 구비되면, 제2 봉지부(170)가 제1 봉지부(160)의 두께만큼 높아지고, 제2 봉지부(170)에 포함되는 형광체(171)는 반도체 발광소자 칩(150)의 둘레에서 제1 봉지부(160)보다 위쪽의 영역에 분포하게 된다. 즉, 복수의 반도체층 및 사파이어 기판의 측면과 마주하는 빛이 방출되는 영역에 형광체(171)가 분포하게 된다. 따라서, 복수의 반도체층과 사파이어 기판의 측면으로부터 방출되는 청색광이 더 많은 형광체(171)와 잘 만나게 되어, 방사 특성을 개선하고 형광체의 효율을 상승시킬 수 있다. The first encapsulant 160 serves to float the second encapsulant 170 by the height of the first electrode 151 and the second electrode 152. In detail, the second encapsulant 170 including the phosphor 171 is generally cured for about 4 hours to 7 hours. When the fluorescent material is cured during the curing process, the second encapsulant 170 But is precipitated downward. That is, the phosphor is densely distributed downwardly of the second encapsulant 170, and the phosphor is more uniformly distributed in the upward direction. If the first encapsulant 160 is not present under the second encapsulant 170, the phosphor 171 will sink from the periphery to the bottom of the semiconductor light emitting device chip 150, And is densely distributed in a region below the plurality of semiconductor layers. In this case, the number of phosphors that can not meet the blue light emitted from the side surfaces of the plurality of semiconductor layers and the sapphire substrate increases, and color coordinate deviations may occur along the viewing direction. On the other hand, when the first encapsulant 160 having a thickness determined in consideration of the height of the first electrode 151 and the second electrode 152 is provided below the second encapsulant 170, The second encapsulant 170 is increased in thickness by the thickness of the first encapsulant 160 and the fluorescent material 171 contained in the second encapsulant 170 rises around the first encapsulant 160 ) In the upper region. That is, the phosphors 171 are distributed in a region where light is emitted, which faces the side surfaces of the plurality of semiconductor layers and the sapphire substrate. Therefore, the blue light emitted from the side surfaces of the plurality of semiconductor layers and the sapphire substrate closely contacts with the larger number of the phosphors 171, thereby improving the radiation characteristics and increasing the efficiency of the phosphors.

한편, 본 개시에 따른 반도체 발광소자는, 도 12에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)의 상면(156)과 제2 봉지부(170) 사이에 형성되는 제3 봉지부(180)를 더 포함할 수 있다. 제3 봉지부(180)는 제1 봉지부(160)와 마찬가지로 실리콘 등과 같은 투명재질의 수지로 이루어질 수 있다. 제3 봉지부(180) 역시 형광체를 포함하지 않음에 따라, 고가인 형광체의 사용량 감소로 원가절감 효과를 얻을 수 있다. 12, the semiconductor light emitting device according to the present disclosure includes a third encapsulant 180 formed between the upper surface 156 of the semiconductor light emitting device chip 150 and the second encapsulant 170, . The third sealing part 180 may be made of a transparent resin such as silicone or the like as the first sealing part 160. Since the third encapsulant 180 also does not include the phosphor, the cost reduction effect can be obtained by reducing the amount of the expensive phosphor.

제3 봉지부(180)는 도 12에 나타낸 바와 같이 일정한 두께를 가질 수도 있지만, 도 13에 나타낸 바와 같이, 볼록한 단면 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제3 봉지부(180)가 볼록한 단면 형상을 가질 경우, 렌즈 효과에 의해 광추출 효율의 향상을 기대할 수 있다.
The third sealing portion 180 may have a constant thickness as shown in Fig. 12, but may be formed to have a convex cross-sectional shape as shown in Fig. When the third sealing portion 180 has a convex cross-sectional shape, the light extraction efficiency can be expected to be improved by the lens effect.

상기한 바와 같은 반도체 발광소자는 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다. The semiconductor light emitting device as described above can be manufactured by the following method.

도 14 내지 도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면이다. FIGS. 14 to 19 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 14에 나타낸 것과 같이, 복수의 도전판(101)을 절연접착제(103) 등과 같은 절연재료를 사용하여 접착하는 방식으로 반복 적층하여 적층체(105)를 준비한다. As shown in Fig. 14, the laminated body 105 is prepared by repeatedly laminating a plurality of conductive plates 101 by using an insulating material such as an insulating adhesive 103 or the like.

이와 같은 적층체(105)를 절단하여, 도 15에 나타낸 것과 같이, 절연접착제(103)로 이루어진 절연부(113') 및 도전판(101)으로 이루어진 도전부(111',112')가 반복되는 구조의 원판 형태의 금속 기판(110')을 형성한다. 이와 같은 금속 기판(110')에서, 도전부(111')와 도전부(112') 사이에 절연부(113')가 위치하게 되며, 인접한 두 도전부(111',112')는 절연부(113')에 의해 전기적으로 절연된다. 금속 기판(110')은 상면(116') 및 상면(116')에 대향하는 하면(117')을 구비하게 되며, 절연부(113')는 금속 기판(110')의 상면(116')으로부터 하면(117')으로 이어지게 된다. 15, the insulating portion 113 'made of the insulating adhesive 103 and the conductive portions 111' and 112 'made of the conductive plate 101 are repeatedly formed To form a metal substrate 110 'in the form of a disk. In this type of metal substrate 110 ', the insulating portion 113' is positioned between the conductive portion 111 'and the conductive portion 112', and the adjacent two conductive portions 111 'and 112' Lt; RTI ID = 0.0 > 113 '. ≪ / RTI > The metal substrate 110 'has a top surface 116' and a bottom surface 117 'opposite to the top surface 116' and the insulating portion 113 'is formed on the top surface 116' of the metal substrate 110 ' To the lower surface 117 '.

이와 같이 준비된 금속 기판(110') 위에, 도 16에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150)이 고정된다. 반도체 발광소자 칩(150)은, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 하부에 위치하여 금속 기판(110')의 상면(116')과 마주하도록 배치된다. 반도체 발광소자 칩(150)은 절연부(113')에 걸쳐서 위치하게 된다. On the metal substrate 110 'thus prepared, the semiconductor light emitting device chip 150 is fixed, as shown in FIG. The semiconductor light emitting device chip 150 is disposed such that the first electrode 151 and the second electrode 152 are positioned below and face the upper surface 116 'of the metal substrate 110'. The semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the insulating portion 113 '.

구체적으로, 금속 기판(110')의 상면(116')에서, 제1 전극(151)은 절연부(113') 좌측의 도전부(111') 상면(116')에 접합되고, 제2 전극(152)은 절연부(113) 우측의 도전부(112') 상면(116')에 접합된다. 이러한 접합은 Ag 페이스트와 같은 도전성 접착제를 이용하여 수행되거나, 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법(eutectic, Au stud bonding 등)이 사용될 수 있다. Specifically, on the upper surface 116 'of the metal substrate 110', the first electrode 151 is bonded to the upper surface 116 'of the conductive portion 111' on the left side of the insulating portion 113 ' (152) is bonded to the upper surface (116 ') of the conductive part (112') on the right side of the insulating part (113). Such bonding may be performed using a conductive adhesive such as an Ag paste, or various methods (eutectic, Au stud bonding, etc.) already known in the field of semiconductor light emitting devices may be used.

다음으로, 도 17에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(150) 주변의 금속 기판(110')의 상면(116')을 덮도록 제1 봉지부(160')를 형성한다. 이와 같은 제1 봉지부(160')를 형성하는 과정에서 모든 반도체 발광소자 칩(150)의 상면(156)을 덮도록 제3 봉지부(180)가 동시에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 봉지부(160')와 제3 봉지부(180)는 액상의 투명재질의 수지를 금속 기판(110')의 상면 측에서 스프레이 방식으로 분사하여 동시에 형성될 수 있다. 이와 같은 스프레이 방식을 통해 제1 봉지부(160')가 2㎛ 내지 7㎛ 범위 이내의 얇은 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 이때, 제3 봉지부(180)는, 도 12에 나타낸 것과 같이 일정한 두께를 가질 수도 있지만, 도 13에 나타낸 것과 같이 표면장력에 의해 볼록한 단면 형상을 가질 수도 있다. 또한, 스프레이 방식으로 제1 봉지부(160')와 제3 봉지부(180)를 함께 형성하는 과정에서 열을 가할 수 있다. 이와 같이 열을 가하게 되면 표면장력이 증가하여, 제3 봉지부(180)가 더욱 볼록한 단면 형상을 가지도록 할 수 있다. 한편, 스프레이 공정의 특성상 제1 봉지부(160')와 제3 봉지부(180)를 형성하기 위한 분사 도중에 투명재질의 수지가 반도체 발광소자 칩 측면의 위쪽에 묻을 수도 있을 것이다. 17, the first encapsulant 160 'is formed to cover the upper surface 116' of the metal substrate 110 'around the semiconductor light-emitting device chip 150. Next, as shown in FIG. In the process of forming the first encapsulation part 160 ', the third encapsulation part 180 may be simultaneously formed to cover the upper surface 156 of all the semiconductor light emitting device chips 150. Specifically, the first encapsulation unit 160 'and the third encapsulation unit 180 may be formed simultaneously by spraying a transparent liquid resin on the upper surface side of the metal substrate 110' by a spray method. The first sealing portion 160 'may be formed to have a thin thickness within the range of 2 탆 to 7 탆 through such a spraying method. At this time, the third sealing portion 180 may have a constant thickness as shown in Fig. 12, but may have a convex cross-sectional shape due to surface tension as shown in Fig. In addition, heat can be applied in the process of forming the first encapsulant 160 'and the third encapsulant 180 together by spraying. When the heat is applied in this manner, the surface tension is increased, so that the third sealing portion 180 can have a more convex cross-sectional shape. On the other hand, due to the nature of the spraying process, a transparent resin may be deposited on the upper side of the side of the semiconductor light emitting device chip during the injection for forming the first sealing part 160 'and the third sealing part 180.

이어서, 도 18에 나타낸 것과 같이, 제1 봉지부(160'), 반도체 발광소자 칩(150)의 측면(158) 및 제3 봉지부(180)를 덮도록 제2 봉지부(170')를 형성한다. 제2 봉지부(170')는 실리콘 등과 같은 액상의 투명재질의 수지와 형광체를 포함할 수 있다. 18, the second encapsulation portion 170 'is formed so as to cover the first encapsulation portion 160', the side surface 158 of the semiconductor light emitting device chip 150, and the third encapsulation portion 180 . The second encapsulant 170 'may include a liquid transparent resin such as silicone and a fluorescent material.

제2 봉지부(170')의 경화가 완료된 후, 도 19에 나타낸 것과 같이, 평면상에서 반도체 발광소자의 예정된 경계(A)를 따라 경화된 제1 봉지부(160'), 제2 봉지부(170') 및 금속 기판(110')를 함께 절단하여, 개별적인 반도체 발광소자로 완성된다. After the completion of the curing of the second encapsulation part 170 ', as shown in FIG. 19, the first encapsulation part 160' and the second encapsulation part 160 ', which are cured along the predetermined boundary A of the semiconductor light- 170 'and the metal substrate 110' are cut together to complete an individual semiconductor light emitting device.

도 9에 나타낸 것과 같은 완성된 반도체 발광소자에서, 원판 형태의 금속 기판(110')은 금속 기판(110)을 이루게 되며, 금속 기판(110)은 절연부(113) 및 절연부(113)를 사이에 두고 절연부(113)에 의해 절연되는 제1 도전부(111)와 제2 도전부(112)를 구비하게 된다. 이때 제1 도전부(111)는 금속 기판(110')에 포함된 도전부들(111',112') 중 절연부(113') 일측에 위치하는 도전부(111')의 일부분으로 이루어지고, 제2 도전부(112)는 절연부(113')를 사이에 두고 도전부(111') 맞은편에 위치하는 도전부(112')의 일부분으로 이루어질 것이다.
In the completed semiconductor light emitting device as shown in FIG. 9, the metal substrate 110 'in the form of a disk forms a metal substrate 110, and the metal substrate 110 includes an insulating portion 113 and an insulating portion 113 And the first conductive part 111 and the second conductive part 112 are insulated by the insulating part 113 between the first conductive part 111 and the second conductive part 112. Here, the first conductive part 111 is a part of the conductive part 111 'located at one side of the insulating part 113' among the conductive parts 111 'and 112' included in the metal substrate 110 ' The second conductive part 112 may be a part of the conductive part 112 'located on the opposite side of the conductive part 111' with the insulating part 113 'therebetween.

한편, 도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예로서, 도 15에 나타낸 것과 같은 금속 기판(110')을 사용하지 않고, 내열 테이프, 내열 시트 등으로 이루어질 수 있는 플레이트(210)를 사용하여 반도체 발광소자를 제조할 수 있다. 20 shows an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a metal plate 110 'as shown in FIG. 15 is not used and a plate (not shown) made of a heat resistant tape, 210 may be used to fabricate the semiconductor light emitting device.

금속 기판(110') 대신에 플레이트(210)가 사용된다는 점, 이 플레이트(210)가 절단 공정 이전에 제거된다는 점, 결과적으로 도 11에 나타낸 것과 같은 금속 기판(110)이 생략된 구조의 반도체 발광소자가 형성된다는 점을 제외하면, 이상의 반도체 발광소자를 제조하는 방법과 유사하다. The reason why the plate 210 is used instead of the metal substrate 110 'is that the plate 210 is removed before the cutting process. As a result, the semiconductor substrate 110 having the structure in which the metal substrate 110 is omitted Is similar to the above-described method of manufacturing a semiconductor light emitting element, except that a light emitting element is formed.

구체적으로, 도 20에 나타낸 것과 같이, 준비된 플레이트(210) 위에 접착제 등을 이용하여 반도체 발광소자 칩(150)이 고정되며, 이어서 제1 봉지부(160')와 제3 봉지부(180)가 형성된 다음 제2 봉지부(170')가 형성되고, 경화가 완료되면 플레이트(210)가 제거되고, 플레이트(210)가 제거된 후 제1 봉지부(160') 및 제2 봉지부(170')를 함께 절단하여, 개별적인 반도체 발광소자로 완성된다.
20, the semiconductor light emitting device chip 150 is fixed on the prepared plate 210 using an adhesive or the like, and then the first encapsulation unit 160 'and the third encapsulation unit 180 The plate 210 is removed and the first encapsulant 160 'and the second encapsulant 170' are removed after the plate 210 is removed. After the second encapsulant 170 'is formed, ) Are cut together to complete an individual semiconductor light emitting device.

도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면이고, 도 22는 도 21의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면이다. FIG. 21 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 22 is a partially exploded view showing the semiconductor light emitting device of FIG.

반도체 발광소자는 금속 기판(110)과 반도체 발광소자 칩(150) 사이에서 절연부(113)를 덮는 비도전성 반사막(130)을 더 포함할 수 있다. The semiconductor light emitting device may further include a non-conductive reflective film 130 covering the insulating portion 113 between the metal substrate 110 and the semiconductor light emitting device chip 150.

금속 기판(110)의 상면(116)은 반도체 발광소자 칩(150)이 놓이게 되는 부분으로서, 금속 기판(110)을 구성하는 절연부(113) 또한 상면(116)으로 부분적으로 노출된다. 절연부(113)의 금속 기판(110) 상면(116)으로 노출되는 부분은 반도체 발광소자 칩(150)에서 방출되는 강한 빛에 노출되는 부분으로서, 탈색 및 변색에 취약하다. 절연부(113)가 탈색되거나 변색되면, 반도체 발광소자 칩(150)에서 방출된 빛의 금속 기판(110) 상면(116)에서의 반사효율이 저하될 수 있다. The upper surface 116 of the metal substrate 110 is a portion where the semiconductor light emitting device chip 150 is placed and the insulating portion 113 constituting the metal substrate 110 is also partially exposed by the upper surface 116. The portion of the insulating portion 113 exposed to the upper surface 116 of the metal substrate 110 is exposed to strong light emitted from the semiconductor light emitting device chip 150 and is vulnerable to discoloration and discoloration. When the insulating portion 113 is discolored or discolored, the reflection efficiency of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 150 on the upper surface 116 of the metal substrate 110 may be lowered.

비도전성 반사막(130)은, 절연부(113)의 탈색 및 변색에 따른 반사효율 저하를 개선할 수 있도록 한 것으로서, 금속 기판(110)의 상면(116) 측에서 절연부(113)를 덮도록 형성된다. 제조 공정 중에, 이와 같은 비도전성 반사막(130)은, 반도체 발광소자 칩(150)을 원판 형태의 금속 기판(110')의 상면 측에 고정하기 이전에, 금속 기판(110')의 상면 측에서 절연부(113')를 덮는 방식으로 형성될 수 있다. The nonconductive reflective film 130 is formed to cover the insulating portion 113 on the upper surface 116 side of the metal substrate 110 so as to improve deterioration of the reflection efficiency due to discoloration and discoloration of the insulating portion 113. [ . During the manufacturing process, the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface side of the metal substrate 110 'before the semiconductor light emitting device chip 150 is fixed to the upper surface side of the disk-shaped metal substrate 110' And cover the insulating portion 113 '.

비도전성 반사막(130)은 절연부(113)을 덮어 절연부(113)의 탈색 및 변색을 방지함으로써 금속 기판(110) 상면(116)에서의 반사효율 저하를 방지할 뿐만아니라, 비도전성 반사막(130) 자체에 의한 반사효율 향상효과를 얻을 수 있도록 한다. The nonconductive reflective film 130 covers the insulating portion 113 to prevent discoloration and discoloration of the insulating portion 113 so as to prevent a reduction in reflection efficiency on the upper surface 116 of the metal substrate 110, 130) itself to improve the reflection efficiency.

비도전성 반사막(130)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 비도전성 반사막(150)은 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2, SiN, SiON, Al2O3 등과 같은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 비도전성 반사막(130)은, 예를 들어, SiOx, 및 TiOx 등과 같은 투광성 유전체 물질로 구성되는 단일 유전체 막, 굴절율이 다른 이질적인 복수의 유전체 막(예: SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O5, SiO2/TiO2/Ta2O5 등), 바람직하게는 예를 들어 SiO2와 TiO2의 조합으로 된 단일의 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg Reflector: DBR) 또는 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터의 조합 등 다양한 구조로 이루어질 수 있다. The non-conductive reflective film 130 preferably functions as a reflective film, and is preferably made of a light transmitting material to prevent absorption of light. The non-conductive reflective film 150 may be made of a transparent dielectric material such as SiO x , TiO x , Ta 2 O 5 , MgF 2 , SiN, SiON, Al 2 O 3, and the like. The non-conductive reflective film 130 may include a single dielectric film made of a light transmissive dielectric material such as SiO x and TiO x , a plurality of heterogeneous dielectric films having different refractive indices (e.g., SiO 2 / TiO 2 , SiO 2 / Ta 2 O 5 , SiO 2 / TiO 2 / Ta 2 O 5, etc.), preferably a single distributed Bragg Reflector (DBR) or combination of SiO 2 and TiO 2 , And a combination of Bragg reflectors.

분포 브래그 리플렉터는 보다 많은 양의 빛을 반사시킬 수 있으며 특정 파장에 대한 설계가 가능하여 발생되는 빛의 파장에 대응하여 효과적으로 반사시킬 수 있다. 따라서, 비도전성 반사막(130)이 분포 브래그 리플렉터를 포함할 경우, 반사효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 분포 브래그 리플렉터는, 예를 들어 TiO2/SiO2의 조합으로 이루어지는 반복 적층 구조를 구비할 수 있으며, 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성될 수 있다. Distribution Bragg reflectors can reflect more light and can be designed for specific wavelengths, effectively reflecting the wavelength of light generated. Therefore, when the non-conductive reflective film 130 includes the distributed Bragg reflector, the reflection efficiency can be further improved. The distributed Bragg reflector may have a repetitive laminated structure composed of, for example, a combination of TiO 2 / SiO 2 and may be formed by physical vapor deposition (PVD), in particular, E-Beam Evaporation or sputtering Sputtering) or thermal evaporation (thermal evaporation).

예를 들어, 분포 브래그 리플렉터가 TiO2층/SiO2층의 조합으로 구성되는 경우, 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 기본적으로 가지도록 설계되지만, 빛의 입사 각도에 대한 영향과 패키지 안에서 발생할 수 있는 빛의 파장(blue, Green, yellow, red 등)을 고려하여 최적설계가 되면 각 층의 광학 두께는 1/4을 정확하게 유지할 필요는 없으며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 조합의 수가 너무 적으면 분포 브래그 리플렉터의 반사효율이 떨어지고, 조합의 수가 너무 많으면 두께가 과도하게 두꺼워지기 때문이다. 한편, 각 층은 기본적으로 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되지만, 고려 대상의 파장 대역에 따라서 주어진 파장의 1/4 보다 큰 광학 두께를 가지도록 설계될 수 있다. 이와 더불어, 분포 브래그 리플렉터는 각기 다른 광학 두께를 가지는 TiO2층/SiO2층의 조합들로 설계될 수도 있다. 정리하면, 분포 브래그 리플렉터는 반복 적층되는 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합을 포함할 수 있고 하며, 복수의 TiO2층/SiO2층의 조합은 각각 서로 다른 광학 두께를 가질 수 있다. For example, if the distributed Bragg reflector is composed of a combination of TiO 2 layer / SiO 2 layers, each layer is designed to have essentially an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, Considering the light wavelengths (blue, green, yellow, red, etc.) that can occur in the package, it is not necessary to keep 1/4 of the optical thickness of each layer optimally when designing. pairs are suitable. If the number of combinations is too small, the reflection efficiency of the distributed Bragg reflector is deteriorated, and if the number of combinations is too large, the thickness becomes excessively thick. On the other hand, each layer is basically designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, but may be designed to have an optical thickness greater than 1/4 of a given wavelength depending on the wavelength band of interest. In addition, distributed Bragg reflectors may be designed with combinations of TiO 2 / SiO 2 layers having different optical thicknesses. To summarize, the distributed Bragg reflector may comprise a combination of multiple TiO 2 layers / SiO 2 layers that are repeatedly laminated, and combinations of a plurality of TiO 2 layers / SiO 2 layers may each have a different optical thickness.

금속 기판(110)은 경면 처리된 상면(116)을 구비하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 기판(110)을 구성하는 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)가 Al로 이루어지고, 폴리싱(polishing) 등과 같은 방법으로 경면 처리가 수행되면, 금속 기판(110)의 상면(116)은 높은 반사율을 가지게 된다. 이와 같은 금속 기판(110)의 경면 처리는, 비도전성 반사막(130)의 형성에 앞서, 원판 형태의 금속 기판(110')의 상면(116)을 경면 처리하는 방식으로 수행될 수 있다. The metal substrate 110 preferably has a mirror finished top surface 116. For example, when the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 constituting the metal substrate 110 are made of Al and the mirror surface treatment is performed by a method such as polishing or the like, 110 has a high reflectance. The mirror surface treatment of the metal substrate 110 may be performed by mirror-polishing the upper surface 116 of the disk-shaped metal substrate 110 'prior to the formation of the non-conductive reflective film 130.

한편, 경면처리를 하는 대신에, 금속 기판(110)은 Al 재질의 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)의 상면을 덮는 반사율이 높은 Ag층(114)을 포함할 수도 있다. Ag층(114)은 증착 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 금속 기판(110)이 Ag층을 구비하는 경우, 경면처리를 생략하더라도 금속 기판(110)의 상면(116)은 높은 반사율을 가지게 된다.Instead of the mirror surface treatment, the metal substrate 110 may include the first conductive portion 111 made of Al and the Ag layer 114 having a high reflectance covering the upper surfaces of the second conductive portions 112 . The Ag layer 114 may be formed by a method such as deposition. In the case where the metal substrate 110 includes the Ag layer, the upper surface 116 of the metal substrate 110 has a high reflectance even if the mirror surface treatment is omitted.

따라서, 금속 기판(110)의 상면(116) 측에서, 비도전성 반사막(130)에 의해 절연부(113)의 탈색 또는 변색이 방지됨에 따라 절연부(113)의 탈색 또는 변색으로 인한 반사효율 저하가 방지되고, 비도전성 반사막(130)으로 덮인 영역의 경우 비도전성 반사막(130) 자체에 의해 높은 반사율을 가지게 되며, 이와 더불어 비도전성 반사막(130)으로 덮이지 않은 영역의 경우에도 금속 기판(110)의 상면(116)이 경면 처리되거나 Ag층으로 덮여 향상된 반사율을 가지게 됨에 따라, 반도체 발광소자는 더욱 향상된 반사효율을 가지게 된다. Therefore, as the insulating portion 113 is prevented from being discolored or discolored by the non-conductive reflective film 130 on the upper surface 116 side of the metal substrate 110, the reflection efficiency due to discoloration or discoloration of the insulating portion 113 is lowered And the area covered with the non-conductive reflective film 130 has a high reflectance due to the non-conductive reflective film 130. In addition, in the case of the area not covered with the non-conductive reflective film 130, ) Is mirror-finished or covered with an Ag layer to have an improved reflectivity, the semiconductor light emitting device has a further improved reflection efficiency.

이때, 반도체 발광소자 칩(150)은 비도전성 반사막(130)에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 금속 기판(110)의 상면(116)에서, 제1 전극(151)은 비도전성 반사막(130) 좌측의 제1 도전부(111)에 접합되고, 제2 전극(152)은 비도전성 반사막(130) 우측의 제2 도전부(112)에 접합된다. 따라서, 비도전성 반사막(130)은, 금속 기판(110)의 상면(116) 위에서, 제1 전극(151)과 제2 전극(152) 사이에 위치하게 된다. At this time, the semiconductor light emitting device chip 150 is positioned over the non-conductive reflective film 130. The first electrode 151 is bonded to the first conductive portion 111 on the left side of the nonconductive reflective film 130 and the second electrode 152 is bonded to the first conductive portion 111 on the left side of the non- And is bonded to the second conductive portion 112 on the right side of the reflective film 130. The nonconductive reflective film 130 is positioned between the first electrode 151 and the second electrode 152 on the upper surface 116 of the metal substrate 110. [

비도전성 반사막(130)이 구비되는 경우, 제1 봉지부(160)는 반도체 발광소자 칩(150) 주변의 금속 기판(110)의 상면, 반도체 발광소자 칩(150) 주변으로 노출되는 비도전성 반사막(130)의 상면 및 반도체 발광소자 칩(150)의 상면을 덮도록 형성된다.When the non-conductive reflective film 130 is provided, the first encapsulant 160 is formed on the upper surface of the metal substrate 110 around the semiconductor light emitting device chip 150, The upper surface of the semiconductor light emitting device chip 130 and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 150.

도 23은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이고, 도 24는 도 23의 반도체 발광소자를 부분적으로 분해하여 나타내는 도면이다. FIG. 23 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 24 is a partially exploded view showing the semiconductor light emitting device of FIG.

비도전성 반사막(130)은 금속 기판(110)의 상면(116) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 각각 제1 도전부(111) 및 제2 도전부(112)와 전기적으로 연결될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 비도전성 반사막(130)은 제1 도전부(111)를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍(121) 및 제2 도전부(112)를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍(122)를 구비한다. 제1 관통구멍(121)과 제2 관통구멍(122)은 각각 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 삽입될 수 있도록 하기 위해, 제1 전극(151) 및 제2 전극(152)이 놓일 위치에 제1 전극(151) 및 제2 전극(152) 보다 조금 크게 형성된다. 이와 같이, 비도전성 반사막(130)이 금속 기판(110)의 상면(116)에 넓게 형성됨으로써, 더욱 향상된 반사효율을 달성할 수 있다. The non-conductive reflective film 130 may be formed to cover the entire upper surface 116 of the metal substrate 110. The first electrode 151 and the second electrode 152 may be electrically connected to the first conductive portion 111 and the second conductive portion 112 respectively. The first through hole 121 partially exposing the first conductive part 111 and the second through hole 122 partially exposing the second conductive part 112 are provided. The first through hole 121 and the second through hole 122 are formed in the first electrode 151 and the second electrode 152 in order to allow the first electrode 151 and the second electrode 152 to be inserted, The first electrode 151 and the second electrode 152 are formed slightly larger than the first electrode 151 and the second electrode 152, respectively. As described above, since the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the metal substrate 110, it is possible to achieve a further improved reflection efficiency.

한편, 금속 기판(110)이 경면 처리된 상면(116)을 구비하거나 Ag층(114)을 구비하고, 이러한 경면 처리된 금속 기판(110)의 상면(116) 또는 Ag층(114) 위에 비도전성 반사막(130)이 형성될 경우, 경면 처리되지 않은 금속 기판(110)의 상면(116)에 비도전성 반사막(130)이 형성될 경우와 비교하여, 상대적으로 얇은 두께의 비도전성 반사막(130)으로도 동등한 반사효율을 달성할 수 있다. 즉, 금속 기판(110)의 상면(116)을 경면 처리하거나 Ag층(114)을 구비함으로써, 비도전성 반사막(130)을 얇게 구성할 수 있게 된다. On the other hand, when the metal substrate 110 has the mirror-finished upper surface 116 or the Ag layer 114, and a non-conductive property (not shown) is formed on the upper surface 116 or the Ag layer 114 of the mirror- When the reflective film 130 is formed, a relatively thin non-conductive reflective film 130 is formed as compared with a case where the non-conductive reflective film 130 is formed on the upper surface 116 of the non- The same reflection efficiency can be achieved. That is, the non-conductive reflective film 130 can be made thin by mirror-finishing the upper surface 116 of the metal substrate 110 or providing the Ag layer 114.

이와 같이 비도전성 반사막(130)이 금속 기판(110)의 상면(116) 전체를 덮도록 형성되는 경우, 제1 봉지부(160)는 반도체 발광소자 칩(150) 주변으로 노출되는 비도전성 반사막(130)의 상면 및 반도체 발광소자 칩(150)의 상면을 덮도록 형성되며, 제1 봉지부(160)의 두께는 비도전성 반사막(130)의 두께만큼 얇게 형성될 수 있을 것이다.
When the non-conductive reflective film 130 is formed to cover the entire upper surface 116 of the metal substrate 110, the first encapsulant 160 is electrically connected to the non-conductive reflective film (not shown) 130 and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 150. The thickness of the first encapsulant 160 may be thinner than the thickness of the non-conductive reflective layer 130.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 제2 봉지부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the second encapsulant comprises a phosphor.

(2) 제1 봉지부는 제1 전극 및 제2 전극의 높이에 대응하는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (2) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the first sealing portion has a thickness corresponding to a height of the first electrode and the second electrode.

(3) 반도체 발광소자 칩의 상면과 제2 봉지부 사이에 형성되는 제3 봉지부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (3) a third encapsulant formed between the upper surface of the semiconductor light emitting device chip and the second encapsulation part.

(4) 제3 봉지부는 볼록한 단면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (4) The semiconductor light emitting device according to (4), wherein the third sealing portion has a convex cross-sectional shape.

(5) 절연부 및 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면과 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어진 금속 기판;으로서, 제1 도전부가 제1 전극과 접합되고, 제2 도전부가 제2 전극과 접합되도록, 반도체 발광소자 칩 및 제1 봉지부 하부에 위치하는 금속 기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (5) A metal substrate having a first conductive portion and a second conductive portion that are electrically insulated by an insulating portion and an insulating portion, the insulating portion having a top surface and a bottom surface opposed to the top surface and extending from the top surface to the bottom surface, Further comprising a metal substrate located below the semiconductor light emitting device chip and the first encapsulation part such that the conductive part is bonded to the first electrode and the second conductive part is bonded to the second electrode.

(6) 금속 기판과 반도체 발광소자 칩 사이에서 절연부를 덮는 비도전성 반사막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (6) The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a non-conductive reflective film covering the insulating portion between the metal substrate and the semiconductor light emitting device chip.

(7) 비도전성 반사막은 금속 기판의 상면 전체를 덮고, 제1 도전부를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 도전부를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍을 구비하며, 제1 전극은 제1 관통구멍을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 제2 관통구멍을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (7) The non-conductive reflective film has a first through hole for partially exposing the first conductive portion and a second through hole for partially exposing the second conductive portion, covering the entire upper surface of the metal substrate, And the second electrode is electrically connected to the second conductive part through the second through hole. The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the second conductive part is electrically connected to the first conductive part through the through hole.

(8) 금속 기판은 제1 도전부와 제2 도전부의 상면을 덮도록 형성되는 Ag층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device according to (8), further comprising an Ag layer formed to cover the upper surfaces of the first conductive portion and the second conductive portion.

(9) 제2 봉지부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (9) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the second encapsulant comprises a phosphor.

(10) 제1 봉지부를 형성하는 단계는 플레이트의 상면 측에서 스프레이하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (10) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the step of forming the first sealing portion is performed in a spraying manner on the upper surface side of the plate.

(11) 제1 봉지부를 형성하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩의 상면과 제2 봉지부 사이에 위치하는 제3 봉지부가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (11) In the step of forming the first encapsulation part, a third encapsulation part positioned between the upper surface of the semiconductor light-emitting device chip and the second encapsulation part is formed at the same time.

(12) 제1 봉지부를 형성하는 단계에서, 제3 봉지부가 볼록한 단면 형상을 가지도록 열을 가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (12) In the step of forming the first encapsulation part, heat is applied so that the third encapsulation part has a convex cross-sectional shape.

(13) 절단하는 단계에 앞서 수행되는, 플레이트를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (13) removing the plate, which is performed prior to the step of cutting. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >

(14) 플레이트는, 절연부 및 절연부에 의해 서로 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 금속 기판이며, 제1 도전부가 제1 전극과 접합되고, 제2 도전부가 제2 전극과 접합되며, 절단하는 단계에서, 금속 기판은 제1 봉지부 및 제2 봉지부와 함께 절단되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(14) The plate is a metal substrate having a first conductive portion and a second conductive portion electrically insulated from each other by an insulating portion and an insulating portion, the insulating portion having a lower surface opposed to the upper surface and the upper surface, , The first conductive portion is bonded to the first electrode, the second conductive portion is bonded to the second electrode, and the metal substrate is cut along with the first sealing portion and the second sealing portion in the cutting step. Lt; / RTI >

(15) 반도체 발광소자 칩을 금속 기판의 상면 측에 고정하기 이전에, 금속 기판의 상면 측에서 절연부를 덮도록 비도전성 반사막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(15) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a non-conductive reflective film on an upper surface side of a metal substrate so as to cover an insulating portion before fixing a semiconductor light emitting device chip on an upper surface side of the metal substrate; How to.

(16) 비도전성 반사막을 형성하는 단계 이전에, 금속 기판의 상면을 경면 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(16) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising the step of mirror-finishing the upper surface of the metal substrate before the step of forming the non-conductive reflective film.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 높은 광추출 효율을 달성할 수 있다. According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, high light extraction efficiency can be achieved.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 방사 특성을 개선하고 형광체의 효율을 상승시킬 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the radiation characteristic can be improved and the efficiency of the phosphor can be increased.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 비도전성 반사막을 통해 반사 효율 저하를 방지할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to prevent a reduction in reflection efficiency through a non-conductive reflective film.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 형광체의 사용량을 줄여 원가절감을 가능하게 한다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to reduce the amount of the phosphor used to reduce the cost.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 광추출 효율이 높은 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to the method for manufacturing a single semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having high light extraction efficiency can be provided.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 방사 특성이 우수하고 형광체의 효율이 높은 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to provide a semiconductor light emitting device having excellent radiation characteristics and high efficiency of a phosphor.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 용이하게 반도체 발광소자를 대량생산할 수 있다. According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, mass production of a semiconductor light emitting device can be easily performed.

101: 도전판 103: 절연접착제
105: 적층체 110: 금속 기판
111: 제1 도전부 112: 제2 도전부
113: 절연부 121: 제1 관통구멍
122: 제2 관통구멍 130: 비도전성 반사막
150: 반도체 발광소자 칩 151: 제1 전극
152: 제2 전극 160: 제1 봉지부
170: 제2 봉지부 180: 제3 봉지부101: conductive plate 103: insulating adhesive
105: laminate 110: metal substrate
111: first conductive part 112: second conductive part
113: insulation part 121: first through hole
122: second through hole 130: non-conductive reflective film
150: semiconductor light emitting device chip 151: first electrode
152: second electrode 160: first sealing portion
170: second sealing part 180: third sealing part

Claims (18)

제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하는 반도체 발광소자 칩;
제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 측에서 반도체 발광소자 칩의 둘레에 위치하는 제1 봉지부; 및
제1 봉지부 및 반도체 발광소자 칩을 덮는 제2 봉지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode and the second electrode are positioned below the semiconductor light emitting device chip;
A first encapsulant positioned around the semiconductor light emitting device chip on a side where the first electrode and the second electrode are located; And
And a second encapsulation part covering the first encapsulation part and the semiconductor light emitting device chip. 청구항 1에 있어서,
제2 봉지부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
And the second encapsulant comprises a phosphor. 청구항 2에 있어서,
제1 봉지부는 제1 전극 및 제2 전극의 높이에 대응하는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 2,
Wherein the first encapsulant has a thickness corresponding to a height of the first electrode and the second electrode. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩의 상면과 제2 봉지부 사이에 형성되는 제3 봉지부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
And a third encapsulation part formed between the upper surface of the semiconductor light emitting device chip and the second encapsulation part. 청구항 4에 있어서,
제3 봉지부는 볼록한 단면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 4,
And the third sealing portion has a convex cross-sectional shape. 청구항 1에 있어서,
절연부 및 절연부에 의해 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면과 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어진 금속 기판;으로서, 제1 도전부가 제1 전극과 접합되고, 제2 도전부가 제2 전극과 접합되도록, 반도체 발광소자 칩 및 제1 봉지부 하부에 위치하는 금속 기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
A metal substrate having a first conductive portion and a second conductive portion that are electrically insulated by an insulating portion and an insulating portion, the insulating portion having a top surface and a bottom surface opposed to the top surface and extending from the top surface to the bottom surface, And a metal substrate located below the semiconductor light emitting device chip and the first encapsulation part so that the second conductive part is bonded to the first electrode and the second conductive part is bonded to the second electrode. 청구항 6에 있어서,
금속 기판과 반도체 발광소자 칩 사이에서 절연부를 덮는 비도전성 반사막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 6,
And a non-conductive reflective film covering the insulating portion between the metal substrate and the semiconductor light emitting device chip. 청구항 7에 있어서,
비도전성 반사막은 금속 기판의 상면 전체를 덮고, 제1 도전부를 부분적으로 노출시키는 제1 관통구멍 및 제2 도전부를 부분적으로 노출시키는 제2 관통구멍을 구비하며,
제1 전극은 제1 관통구멍을 통해 제1 도전부에 전기적으로 연결되고,
제2 전극은 제2 관통구멍을 통해 제2 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method of claim 7,
The non-conductive reflective film has a first through hole partially covering the entire upper surface of the metal substrate and partially exposing the first conductive portion and a second through hole partially exposing the second conductive portion,
The first electrode is electrically connected to the first conductive portion through the first through hole,
And the second electrode is electrically connected to the second conductive portion through the second through hole. 청구항 6에 있어서,
금속 기판은 제1 도전부와 제2 도전부의 상면을 덮도록 형성되는 Ag층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 6,
Wherein the metal substrate further comprises an Ag layer formed to cover the upper surfaces of the first conductive portion and the second conductive portion. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을, 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트 위에 고정하는 단계;
반도체 발광소자 칩 둘레의 플레이트의 상면을 덮도록 제1 봉지부를 형성하는 단계;
제1 봉지부 및 반도체 발광소자 칩을 덮도록 제2 봉지부를 형성하는 단계; 및
반도체 발광소자의 경계를 따라, 제1 봉지부 및 제2 봉지부를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the first electrode and the second electrode being fixed on the plate so that the first electrode and the second electrode are positioned below ;
Forming a first sealing part to cover an upper surface of the plate around the semiconductor light emitting device chip;
Forming a second sealing part to cover the first sealing part and the semiconductor light emitting device chip; And
And cutting the first sealing portion and the second sealing portion together along the boundary of the semiconductor light emitting device. 청구항 10에 있어서,
제2 봉지부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 10,
And the second encapsulant comprises a fluorescent material. 청구항 10에 있어서,
제1 봉지부를 형성하는 단계는 플레이트의 상면 측에서 스프레이하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 10,
Wherein the step of forming the first sealing portion is performed in a manner of spraying on the upper surface side of the plate. 청구항 12에 있어서,
제1 봉지부를 형성하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩의 상면과 제2 봉지부 사이에 위치하는 제3 봉지부가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 12,
Wherein a third sealing portion located between the upper surface of the semiconductor light emitting device chip and the second sealing portion is formed at the same time in the step of forming the first sealing portion. 청구항 13에 있어서,
제1 봉지부를 형성하는 단계에서, 제3 봉지부가 볼록한 단면 형상을 가지도록 열을 가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 14. The method of claim 13,
Wherein the step of forming the first sealing portion applies heat so that the third sealing portion has a convex cross-sectional shape. 청구항 10에 있어서,
절단하는 단계에 앞서 수행되는, 플레이트를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. The method of claim 10,
And removing the plate, wherein the step is performed prior to the step of cutting. 청구항 10에 있어서,
플레이트는, 절연부 및 절연부에 의해 서로 전기적으로 절연되는 제1 도전부와 제2 도전부를 구비하며, 상면 및 상면에 대향하는 하면을 가지고, 절연부가 상면으로부터 하면으로 이어지는 금속 기판이며,
제1 도전부가 제1 전극과 접합되고, 제2 도전부가 제2 전극과 접합되며,
절단하는 단계에서, 금속 기판은 제1 봉지부 및 제2 봉지부와 함께 절단되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 10,
The plate is a metal substrate having a first conductive portion and a second conductive portion electrically insulated from each other by an insulating portion and an insulating portion, the insulating portion having a lower surface opposed to the upper surface and the upper surface,
The first conductive part is bonded to the first electrode, the second conductive part is bonded to the second electrode,
Wherein the metal substrate is cut together with the first encapsulation part and the second encapsulation part in the cutting step. 청구항 16에 있어서,
반도체 발광소자 칩을 금속 기판의 상면 측에 고정하기 이전에, 금속 기판의 상면 측에서 절연부를 덮도록 비도전성 반사막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.18. The method of claim 16,
And forming a nonconductive reflective film on the upper surface of the metal substrate so as to cover the insulating portion before fixing the semiconductor light emitting device chip on the upper surface side of the metal substrate. 청구항 17에 있어서,
비도전성 반사막을 형성하는 단계 이전에, 금속 기판의 상면을 경면 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.18. The method of claim 17,
Further comprising the step of mirror-finishing the upper surface of the metal substrate before the step of forming the non-conductive reflective film.
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