JPS61142499A - Radiation image conversion panel and manufacture thereof - Google Patents
Radiation image conversion panel and manufacture thereofInfo
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- JPS61142499A JPS61142499A JP26691584A JP26691584A JPS61142499A JP S61142499 A JPS61142499 A JP S61142499A JP 26691584 A JP26691584 A JP 26691584A JP 26691584 A JP26691584 A JP 26691584A JP S61142499 A JPS61142499 A JP S61142499A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
XMI像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX#!画像を得ろために、被写体を
透過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、
これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。
しかし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍
光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるように
なった。
この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線二ネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍范を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭5
5−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線をR尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するらので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーをM積させて潜像を形成し、しかる後にこ
のXll[尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することに
よって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させて
これを光に蕎換し、この光の強弱による光信号により画
像を得るものである。この最終的な画像はハードコピー
として再生してしも良いし、CRT上に再生しても良い
。
さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射MiiI像変換パネルは、前述の蛍光
スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線
吸収率及ゾ尤変換率(両者を含めて以下「放射線感度」
という)が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く
、しかも高鮮鋭性?あることが要求される。
ところが、輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルは粒径1〜30μ論程度の粒子状の輝尽性蛍光体と有
機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に塗
布・乾燥して形成されるので、輝尽性蛍光体の充填密度
が低く(九項率50%)、放射線感度を充分高くするに
は第5図(亀)に示すように輝尽性蛍光体層の層厚を厚
くする必要があった。
同図から明らかなようにX11尽性蛍光体層の層厚20
0μ−のときに輝尽性蛍光体の耐着量は50mg/c、
zであり、層厚が350μ11までは放射線感度は直線
的に増大して450μ−以上で飽和する。尚、放射線感
度が飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると
、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の飲6Lのため輝尽
性蛍光体層内部でのElf尽発光発光部に出てこなくな
るためである。
一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第5図(b)に示すように、放射#X1il
像変換パネルの輝尽発光体層の層厚が薄いほど高い傾向
にあり、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄
層化が必要であった。
また、前記放射m*像変換方法における画像の粒状性は
、放射#l量子敗の場所的ゆらぎ(fi量子モトルある
いは放射#1画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的
6Lれ(構造モトル)等によって決定されるので、輝尽
性蛍光体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収
される放射線量子数が減少して量子モトルが増加した’
) ltN造的乱れが顕在化して構造モトルが増加した
りして画質の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上
させるためには輝尽性蛍光体層の/!厚は厚い必要があ
った。
即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と画像の鮮鋭性とが
輝尽性蛍光体層の層厚に灯してまったく逆の傾向を示す
ので、前記放射線画像変換パネルは放射Hに対する感度
と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によってイヤ威され
てきた。
ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光(放射線照射時の発
光)の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射#
!画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによりて決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射R画像変換パネルに薔1された放射線画像情報は時系
列化されて取!)出されるので、ある時間(ti)に照
射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全で採
光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル
上のある画1t(x+wy+)からの出力として記録さ
れるが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広
がり、照射画素(xi+yi)の外部1こ存在する輝尽
性蛍光体をも励起してしまうと、上記(xLyi)なる
画素からの出力としてその画素よりも広い頭載がらの出
力が記!lされてしまうからである。従って・あるII
fil(ti)に照射された輝尽励起光にょる輝尽性蛍
光が・その時間(ti)に輝尽励起光が真に照射されて
いり該パネル上の画素(に1tyi)からの発光のみで
あれば・その発光がいかなる広がりを持つものであろう
と得られる画像の鮮鋭性には影響がない。
このような情況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて米だ0例えば特開昭55−1
48447号記載の放JtIiil像変換パネルを輝尽
性蛍光体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭55−
163500号記載の放射#i画像変換パネルの輝尽性
蛍光体の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記E
l!ll尽性蛍光体性蛍光体[尽発光波長領域における
平均反射率よりも小さくなるように着色する方法等であ
る。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良すると必然的
に感度が着しく低下していまい、好ましい方法とは言え
ない。
一方これに対し本出願人は既に待顧昭59−19636
5号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射#
Ii[!ii像変換パネルにおける従来の欠点を改良し
た新規な放射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層
が結着剤を含有しない放射線画像変換パネルを提案して
いる。これによれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層が結着剤を含有しないのでlfl尽性蛍光体の充
填率が茗しく向上すると共にjlIlll尽性蛍光体層
性蛍光体層向上するので、前記放射線画像変換パネルの
放射線に対する感度と画像の粒状性が改善されると同時
に、画像の鮮鋭性も改善される。
しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことな(且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって来ている。Radiographic images such as XMI images are often used for disease diagnosis. This X#! In order to obtain an image, X-rays that have passed through the subject are irradiated onto a phosphor layer (fluorescent screen).
This generates visible light, which is then irradiated onto a film using silver salt to develop it, in the same way as when taking ordinary photographs, in what is called radiography. However, in recent years, methods have been devised to directly extract images from the phosphor layer without using a film coated with silver salt. In this method, the radiation transmitted through the object is absorbed by a phosphor, and then this phosphor is excited with light or thermal energy, so that the phosphor emits the radiation energy accumulated by the absorption as fluorescence. However, there is a method to detect and image these fluorescens. Specifically, for example, U.S. Pat.
No. 5-12144 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared rays as R-excitation light. This method uses a radiation image conversion panel with a stimulable phosphor layer formed on a support, so radiation that has passed through the object is applied to the stimulable phosphor layer of this radiation image conversion panel to visualize each part of the object. A latent image is formed by multiplying the radiation energy corresponding to the radiation transmittance M, and then the radiation energy accumulated in each part is radiated by scanning this This is converted into light, and an image is obtained using an optical signal based on the intensity of this light. This final image may be reproduced as a hard copy or on a CRT. Now, the radiation Miii image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in this radiation image conversion method has a radiation absorption rate and a phosphor conversion rate (both of which are Including "radiation sensitivity" below
It goes without saying that the image quality is high, the graininess of the image is good, and the sharpness is also high. something is required. However, in a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, a dispersion containing a particulate stimulable phosphor with a particle size of about 1 to 30 μm and an organic binder is coated on a support or a protective layer.・Since it is formed by drying, the packing density of the stimulable phosphor is low (nine term ratio 50%), and in order to obtain sufficiently high radiation sensitivity, the stimulable phosphor must be used as shown in Figure 5 (turtle). It was necessary to increase the thickness of the layers. As is clear from the figure, the layer thickness of the X11-exhaustive phosphor layer is 20
At 0 μ-, the adhesion resistance amount of stimulable phosphor is 50 mg/c,
z, and the radiation sensitivity increases linearly up to a layer thickness of 350 μl and saturates above 450 μl. The reason why the radiation sensitivity becomes saturated is that when the stimulable phosphor layer becomes too thick, Elf exhaustion occurs inside the stimulable phosphor layer due to the amount of stimulable luminescence between the stimulable phosphor particles. This is because the light does not come out to the light emitting part. On the other hand, the sharpness of the image in the radiation image conversion method is as shown in FIG.
The thinner the layer thickness of the stimulable phosphor layer of the image conversion panel, the higher the sharpness, and in order to improve the sharpness, it was necessary to make the stimulable phosphor layer thinner. In addition, the graininess of the image in the radiation m* image conversion method is caused by local fluctuations of the radiation #1 quantum failure (fi quantum mottles) or structural 6L fluctuations (structural fluctuations) of the stimulable phosphor layer of the radiation #1 image conversion panel. As the layer thickness of the stimulable phosphor layer becomes thinner, the number of radiation quanta absorbed by the stimulable phosphor layer decreases and the quantum mottle increases.
) ltN structural disturbances become apparent and structural mottles increase, resulting in a decrease in image quality. Therefore, in order to improve the graininess of the image, /! of the stimulable phosphor layer is necessary. It needed to be thick. That is, as mentioned above, in the conventional radiation image conversion panel, the sensitivity to radiation, the graininess of the image, and the sharpness of the image exhibit completely opposite trends depending on the layer thickness of the stimulable phosphor layer. Said radiation image conversion panels have been discouraged by their sensitivity to radiation H and by some sacrifice in graininess and sharpness. By the way, it is well known that the sharpness of images in conventional radiography is determined by the spread of instantaneous light emission (light emission during radiation irradiation) of the phosphor in the fluorescent screen. Radiation using exhaustible phosphor#
! The sharpness of the image in the image conversion method is not determined by the spread of the stimulated luminescence of the stimulable phosphor in the radiation image conversion panel, but rather by the spread of the luminescence of the phosphor as in radiography. It depends on the spread of the stimulated excitation light within the panel. This is because, in this radiation image conversion method, the radiation image information stored in the radiation image conversion panel is converted into a time series. ), therefore, the stimulated luminescence due to the stimulated excitation light irradiated at a certain time (ti) is preferably fully illuminated and the image 1t(x+wy+ ), but if the stimulable excitation light spreads within the panel due to scattering etc. and also excites the stimulable phosphor that exists outside the irradiated pixel (xi + yi), the above-mentioned (xLyi) is the output from a pixel that is wider than that pixel! This is because you will be ignored. Therefore, certain II
The photostimulable fluorescence caused by the photostimulative excitation light irradiated on the fil(ti) is that the photostimulable excitation light is truly irradiated at that time (ti) and only light is emitted from the pixel (in 1tyi) on the panel. If so, the sharpness of the image obtained is not affected no matter how wide the light emission is. Under these circumstances, several methods have been devised to improve the sharpness of radiographic images.
48447, a method of mixing white powder into the stimulable phosphor layer of the radiated JtIII image conversion panel, JP-A No. 1983-
The average reflectance in the stimulated excitation wavelength region of the photostimulable phosphor of the radiation #i image conversion panel described in No. 163500 is the E
l! Exhaustible phosphor phosphor [This is a method of coloring the phosphor so that the average reflectance in the exhaustible emission wavelength region is lower than the average reflectance. However, in these methods, improving the sharpness inevitably leads to a drastic decrease in sensitivity, and therefore cannot be said to be a preferable method. On the other hand, the present applicant has already received
Radiation # using a stimulable phosphor as described above in No. 5
Ii [! ii) A radiation image conversion panel in which the stimulable phosphor layer does not contain a binder is proposed as a new radiation image conversion panel that improves the drawbacks of conventional image conversion panels. According to this, since the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel does not contain a binder, the filling rate of the stimulable phosphor is sharply improved, and the phosphor layer of the stimulable phosphor layer is also improved. Therefore, the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation and the graininess of the image are improved, and at the same time, the sharpness of the image is also improved. However, in the radiation image conversion method, the sensitivity,
The demand for image quality that does not impair graininess (and has excellent sharpness) is becoming more and more severe.
【発明の目的]
本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関遅し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射#il像変換パネルを提供
することにある。
本発明の他の目的は粒状性が向上すると共に、鮮鋭性の
高い画像を与える放射縁画像変換パネルを提供すること
にある。
また前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を満
足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。
【発明の構成】
前記本発明の目的は、輝尽性蛍光体層を有する放射#!
画像変換パネルに於いて、支持体表面に、多数分布する
微小タイル状板と該微小タイル状板夫々を取り囲んでな
り夫々を区画する#IIIA網と該微小タイル状板上に
厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱状ブロック構造
の輝尽性蛍光体層とを有することを特徴とする放射線画
像変換パネル及び前記放射#を画像変換パネルの構成を
具現させる製造方法によって達成される。
次に本発明を具体的に説明する。
第1図(A)は本発明の放射M画像変換パネル(以後意
味明晰の場合にはパネルと略称することがある)の厚み
方向の断面図である。同図(b)は前記微細柱状ブロッ
ク構造を有する輝尽性蛍光体刑をまだ設けていない時の
、前記微小タイル状板と該微小タイル状板を取り囲んで
区画している前記#IIR網を設けた支持体の、また同
図(e)は更に該ma網をまだ設けず微小タイル状板の
みを有する支持体の厚み方向の断面図である。
前記微小タイル状板の支持体上に於る分布パターンは任
意であってよい、第2図に該微小タイル状板の分布パタ
ーンの例として(a)l(b)及び(c)として示した
。
尚、第1図及び1:IS2図に於いて同記号は機能的に
互いに同義である。
第1図に於いて10は本発明のパネル、l1ijは支持
体面の一つ一つの厚みdなる微小タイル状板、(lli
j)は該微小タイル状板を取り囲む亀裂、溝或は窪み等
の形態の間隙である。12ijは前記(llij)を充
填して形成され夫々の1lijを区画する高さhの#!
I #! 1512の縄籾であり、h≧dであることが
好ましい。
13ijは微小タイル板11ij上に堆積された輝尽性
蛍光体の微細柱状ブロックの一つ一つであり、(13i
j)は@細柱状ブロック13ij間の間隙である。13
ij及び(13ij)によって本発明に関わる微細柱状
ブロック構造を有する111尽性蛍光体1f!i13が
形成される。
15は設けることが好ましい保護層である。14は支持
体である。
前記微小タイル状板11ijの平均的径は1〜400μ
諭が好ましく、また間隙(llij)平均的間隔は0.
01〜20μ−であることが好ましい。
輝尽性蛍光体7113の厚みはパネルの放射線に対する
感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、10〜
1000μ論であることが好ましく20〜800μ−で
あることメ・C更に好ましい。
尚、本発明に謂う間隙(13ij)は輝尽性蛍光体層表
面に於いて実質的な間隙を与えない単なる亀裂を形成す
るに留まる場合を含み従って微細柱状ブロック構造には
微細多角錐状ブロック構造を含んでいる。
また前記微小タイル状及V細線網上には必要に応じ輝尽
性蛍光体の接着を助けるための接着層、或は輝尽励起光
及び/又は輝尽発光の反射層或は吸収層を設けてもよい
。
前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に師!−励起尤が入射すると、該
励起光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状
ブロック内面で反射を繰り返しながら外に散逸すること
な(柱状ブロックの底にまで到達し、吸収されるか或は
反射されて再び柱状ブロック内面で反射を繰り返しなが
ら柱状ブロックの柱状方向に出る。従って輝尽励起の機
会を増大しながら輝尽発光による画像の鮮鋭性は着しく
増大される。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、a械的、化学的または電気的等の刺
激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー
の放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは500n−以上の輝尽
励起光によりて輝尽発光を示す蛍光体である1本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されて−す
るBaS O4:A X(但しAはDy、Tb及V T
mのうち少な(とも1種であり、Xはo、oot≦x
<1モル%である。)C表される蛍光体、特開昭48−
80488号記載のMg5Q、:Ax(但しAはHO或
いはり、のうちν1ずれかであり、0.001≦X≦1
モル%である)で表される蛍光体、特開昭48−804
89号に記載されてνするSrS○、:A x(但しA
はD y t T b及びTl11のうち少なくとも1
種でありXは0.001≦×く1モル%ある。)で表わ
されている蛍光体、特開昭51−29889号に記載さ
れているN a2S O+−CaS O4及V B I
LS 04等にMn、Dy及びTbのうち少なくとも1
種を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記R
されて〜するBeO、L iF MgS O<及びCa
F z等の蛍光体、特開昭53−39277号に記a
されているL i 2 B 40 フ: Cu IAg
等の蛍光体、特開昭54−47883号に記載されて(
するL izo ・(B 202)X:Cu(IuしX
は2<x≦3)、及びL izo ・(B 20 z)
x:Cu+Ag(但し×は2く×≦3)′:!fの蛍光
体、米国特、iT3,859.527号に記載Zaでい
るSrS:Ce、Sm、 SrS:Eu、Sm、 t、
a2o2S:EuwS−及び(Z n t Cd )
S : M n + X (但しXは/10デン)で表
わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55−12
142号に記載されているZnS:Cu、Pb蛍光体、
一般式がB ao ・xA 1,0 *:E u(但し
0.8≦X≦10)で表わされるアルミン酸バリウム蛍
光体、及び一般式がM ” O・xS io 2:A
(但しMlはMg+Cav S r= Z n、Cd又
はBaであワAはCe−T b、 E u。
TmtPbtTI、Bi及びMnのうち少なくとも1種
であり、Xは0.5≦X≦2.5である。)で表わされ
るアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また
、一般式が
(Bi Mg Ca )FX:eEu”1
−x−yxy
(但しXはBr及びCIの中の少なくとも1つであり、
X+F及びeはそれぞれO’<x+y≦o、e、xy≠
0及び101≦e≦5X10−”なる条件を満たす数で
ある。)で表されるアルカリ土類弗化/%ロデン化物蛍
光体、特開昭55−12144号に記載されている。一
般式がL no X :xA
(但しLnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも1つ
を、XはC1及び/又はBrを、AはCe及び/又はT
bを、×は0<x<0.1を満足する数を表す、)で表
される蛍光体、特開昭55−12145号に記載されて
いる一般式が
(但しMXは、M g+ Cat S rt Z n及
びCdのうちの少なくとも1つを、XはCI、Br及び
工のうち少なくとも1つを、AはEutTbtCe+T
mtDy+PrtHo+Nd、Yb及びErのうちの少
なくとも1つを、X及びyは0≦X≦0.6及び0≦y
≦0.2なる条件を満たす数を表す、)で表される蛍光
体、特開昭55−84389号に記載されている一般式
がBaFX:xce*yA(但し、XはCI、Br及び
■のうちの少なくとも1つ、AはI n、T I、Gd
、8輪及びZrのうちの少な・くとも1つであり、X及
びyはそれぞれ0<x≦2X10−’及びO<7≦5X
10−”である、)で表される蛍光体、特開昭55−1
60078号に記載されている一般式がMxFX−xA
:yLn
(但しMlはM gt Ca+ B at S re
Z n及びCdのうちの少なくとも1!11、AはB
e Os M g Ot Ca Ov Sro *B
to−ZnO、A I20 z−Y *02−LazO
x−I n20 sts io ztT io ztZ
ro ztGeo 、、S no 、、N b。
0、、TazOs及VThozのうちの少なくとも1!
11、LnはE、Tb、Ce、TmtDytPrtHo
、Nd、Yb5ErtS論及びGdのうちの少な(とも
1種であり、XはCI、Br及びIのうちの少なくとも
1種であり、X及びyはそれぞれ5 X 10−’≦X
≦0.5及VO<y≦0.2なる条件を満たす数である
。)で表される希土類元素付活2価金属フルオロハライ
ド蛍光体、一般式がZnS :A−(ZnwCd)S
:A、CdS :A%ZnS :A 、X及(/CdS
:A、X(但しAはCu v A g t A u を
又はMnであり、Xはハロゲンである。)で表され。
る蛍光体、特開昭57−148285号に記載されてい
る一般式(1)又は(II)、
一般式(1) x?1(PO4)z’NXz:yA
一般式(II) Mコ(P O、)!・yA(式
中、M及びNはそれぞれMg、Ct、Sr、BatZn
及(/Cdのうち少なくとも1種、XはF、CI。
Br+及びIのうち少なくとも1種、AはE ul T
beCetTmtDytPrtHo*NdtErtS
b*TlvMn及びSnのうち少なくとも1種を表す、
また、X及Vyは0<x≦6.0≦y≦1なる条件を満
たす数である。)で表される蛍光体、一般式(III)
又は(■)一般式(I[[) nReX5・+*A
X’2:xEu一般式(IV) nReX3・mA
X’2:xEu、ysm(式中、ReはLa、Gd、Y
、Luのうち少なくとも1種、Aはアルカリ土類金属、
Ba、Sr、Caのうち少なくとも1種、X及rlX’
I!F、CI、B「のうち少なくとも1種を表わす、
また、X及びyは、lXl0− ’<x< 3 Xl
0− ’、I X 10− ’< y< I X
10−1なる条件を満たす数であり、n/+sはI X
10−’ < n/箇<7X10−’なる条件を満た
す、)で表される蛍光体、及び
一般式
%式%:
(但し、MXはLi、Na、に、Rb、及びCsから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、MXはB
erMg*CawSryBatZn*CdyCu及びN
iから選ばれる少なくとも一種の二価金属である0M貫
はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Ss、E
u、Gd、Tb。
Dy、Ho、ErtTstYb、Lu、A’l、Ga、
及びInから選ばれる少なくとも一種の二価金属である
e XtX′及びX”はF、CI、Br及1/Iから
選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。AはEu、
TbtCetTmtDytPrtHotNd、Yb5E
rtS論、LuwS+*tYtTl+Na+Ag+Cu
及びM、から選ばれる少なくとも一種の金属である。
またaはO≦a<0.5範囲の数値であり、bはO≦b
<o、sの範囲の数値であり、Cは0<c≦0.2の範
囲の数値である。)で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸
着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。
しかし、本発明の放射#I画像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽
蛍光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよ
い。
本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい、ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれろ輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてらよい。
本発明の放射#1画像変換パネルにおいて、用いられる
支持体としては各種高分子材料、〃う入金風等が用いら
れる。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のあ
るシートあるし1はウェブ番こ加工できるものが好適で
あり、この点から例え1!セルロースアセテートフイル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレー
トフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム
、トリアセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム
等のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄+ Wg
1クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有
する金属シーシが好ましい。
また、これら支持体の層厚は用しする支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には80μII〜1000μ−
であり、取り扱い上の点からさらに好ましくは80μ−
〜500μ−である。
本発明の放射R画像変換パネルにおり1ては、一般的に
前記1!ll尽性蛍光性蛍光露呈する面に、輝尽性蛍光
体層群を物理的にあるν1は化学的に保護するための保
!llFMを設けることが好ましい、この保護層は、保
護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよ−1し、あるνtはあらかじめ別途形成した保護
層をtIlll尽性蛍光体性蛍光体層上1てもよい、保
wINの材料としては酢酸セルロース。
二トロセlレロース、ポリメチルメタク1ル−ト、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニlレホルマール、ボ17カ
ーボネート、ポリエステlし、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、塩化ビニ+7デン、ナイロン等の
通常の保護層用材料力ぜ用警1られる。
また、この保護層は真空蒸着法、スノ(フタ法等i二よ
り、S iC=S io z*s iN 、A I20
−などの無機物質を積層して形成してもよし1゜
これら保、l!層の層厚は一般番こけ0.1μ懐〜10
0μ論程度が好ましys。
次に本発明のパネルの製造方法1こつν1で説明する。
本発明は第1図に於(1て同図(e)→(b)→(a)
の順に製造工程が進められる。
工程(C):微小タイル状板11ij及び間隙(11i
Dの分布パターン
プラスチックフィルム、金属シート或1土金属酸化物被
覆層を有する金属シート等の支持体表面に分布させる微
小タイル状板の表面は後続の工程でその上に堆積させろ
輝尽性蛍光体との接着親和性がよく、また電気的地検性
のある誘電体もしくは半導体であることが好まし警1.
従って前記条件を儂九しかも支持体表面に前記分布パタ
ーンを構成しうる写真蝕刻法で常用される各種レジスト
樹脂を塗設することが一つの方法として選ばれる。
この際支持体に金属酸化物被覆層を有する金属シートを
用いれば前記レジスト樹脂との接着親和性もよ(好都合
である。
尚該金属酸化物被覆層は〕)−ドアオドマスク、透明電
導膜作成等の技術分野で常用される、金属面に金属酸化
物を積層させる技術、例えば化学的には塗布法、スプレ
ー法或はCV D (ChemicilV apor
D eposition)法、物理的にはRFイオンプ
レーテング法、RFスパッタリング法或は真空蒸着法等
を流用することができる。
前記レジスト樹脂としては、7オトレジスト、深紫外線
レノスト、電子線レジストt x siレジストのポジ
型・ネガ型の各種レノスト樹脂が使用できる・例えば7
オトレノストク(脂としてはす7トキ/ン7ノト或はベ
ンゾキ/ンアジト等をノポップク樹脂にエステル化反応
させたもの等が挙げられる。
まづ支持体に前記レノスト樹脂を塗布し、微小タイル状
板パターンを焼き付け、現像し、更に支持体表面が裸出
する深′!−まで湿式法または乾式法でエツチングすれ
ば所望の微小タイル状板と間隙の織りなす分布パターン
層11が得られる。
また前記レノスト樹脂を用いた写真蝕刻法の外に支持体
としてアルミニウム板を月いる場合には、陽極酸化によ
って表面に生成する多孔質の酸化アルミニウムの封孔処
理続いて熱処理を加えることによって簡単に微小タイル
状板の分布パターンを作ることができる。
前記本発明に適用する方法はアルミニツム表面処理技術
分野で常用される方法である。
まプアルミニウム支持体表面の陽極酸化処理は、例えば
0.5諺論程度の厚みを有するアルミニウム板の輝尽性
蛍光体を堆積させる側を8%蓚酸溶液中で約2時間、I
A/cm’の通電を行うと多孔質の酸化フルミニツムか
ら成る陽極酸化被覆層が生成する。
次いで該被膜層を水洗し、続いて沸騰水中で約1時間煮
沸すると、前記多孔a酸化アルミニウムは結晶水を取り
込み膨張して緻密な結晶から成る被膜層となる。
この操作が所謂封孔処理である。
封孔処理後250℃以上の熱処理を行なうと、前記結晶
水を有する酸化アルミニウムは該結晶水を失って種線し
、収縮による亀裂によって生じた間隙に取り囲まれ相互
に隔絶された微小タイル状板が敷外つぬられた如きパタ
ーが形成される。
この際酸化アルミニウム被覆層の厚みは数μm以上ある
ことが好ましく、薄い場合には微小タイル状板が大軽く
なり易いので、陽極酸化の工程の条件を最適に選ぶ必要
がある。
このようにして輝尽性蛍光体の気相堆積に物理的及V/
又は化学的に好都合な島状微細区[1(タイル状板)が
、気相堆積が進行し難しい微細な筋状、溝状、凹部或は
亀裂に取り囲*へだ形態の分布パターン層が得られる。
工程(b):#I線綱網1
2記微小タイル状板11ijの夫々を1M12ijで取
り囲み間隙(llij)を充填して構成された$I#l
網12の素材としではjllI尽性蛍光性蛍光体条件の
異なる又は/及び熱膨張等物性の異なるものが好ましく
、実用的には金属であることが好ましい、該金属よりな
る#[#X網は例えば公知の電気メツキ法で作成される
。
従って誘電体であるプラスチックを支持体とする時には
その表面は金属或は酸化インジウム等の導電層を真空蒸
着その他の方法で設けておき前記工程(c)を行い、エ
ツチングによって該導電層を裸出させておく必要がある
。金属酸化物被M屑を有する′&属レシート場合も同様
である。
上記条件を整えた支持体に対して常法に上りで気メッキ
を行い、例えばニッケル或はクロム等から成る細#l網
12が形成される。この際微小タイル状板11ijの上
に輝尽性蛍光体を微細柱状ブロックとして都合よく堆積
させるには細線lAl2の細線12ijの亮さhは導電
性支持体表面からの微小タイル状板の厚みdと等しいか
大さい方が好都合である。
工程(t):微細柱状プロツク構造を有するXIII尽
性蛍光性蛍光体
層13細柱状ブロック構造を有する輝尽性蛍光体層の形
成方法としては、気相堆積法が該柱状ブロックの形成の
確実性及び感度の面から最も好ましい。
気相堆積法の第1の方法として真空蒸着法がある。該方
法に於いては、まず支持体を蒸着装置内に装置した後装
置内を排気して10−’Torr程度の真空度とする6
次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトaビーム法等の方法で加熱然発させて前記
支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。
この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好しくけ保護層を設は本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。
尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。
また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。
さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物(支持体あるいは保護層)を冷却あるいは加熱
してもよい、*た、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。
第2の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して10−’ T orr程度の真空
度とし、次いでスパッタ用のガスとしてAr、Ne等の
不活性γスをスパッタ装置内に導入して10−’Tor
r程度のガス圧とする。
次に前記輝尽性蛍光体をターデッドとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。
前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターデッ
ドを用いて、同時あるいは順次、前記ターデッドをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。
スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。
前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ター2ツトして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて02
.H2等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。
さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
して被蒸着物(支持体あるいは保護層)を冷却あろいは
加熱してもよい、またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。
第3の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。
第3図(、)は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層単位厚層厚に対応
するt!![尽性蛍光体附着量と放射線感度の関係の一
例を表している。
本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層ハ結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着量(充填率)が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約2倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が
向上し放射線に対して高感度となるぽかりか、画像の粒
状性が向上する。
更に前記気相堆積法によるl*尽注性蛍光体層透明性に
優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高(、
従来の塗設法によるa!ll尽性蛍光性蛍光体層厚を厚
くすることが可能であり、放射線に対して一層高感度と
なる。
前記のようにしで得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第3
図(b)に示す。
本発明のパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効果に
より、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し
、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従来の
パネルの特性を示す!@5図(b)と比較すると明らか
なように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光体
の層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下を小さくすること
が可能である。
本発明の放射線画像変換/<ネルはMS4図1二概略的
に示される放射線画像変換パネルこ用−・ちれた場合、
優れてた鮮鋭性粒状性及び感度を与える。すなわち、第
4図において、41は放射線発生装置。
42は被写体、43は本発明の放射線画像変換パネル、
44は輝尽励起光源、45は該放射am像変換パネルよ
り放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、46は
45で検出された信号を画像として再生する装置47は
再生された画像を表示する装置、48は輝尽励起光と輝
尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルタ
ーである。尚45以降は43からの光情報を何らかの形
で画像として再生で“きるものであればよく、上記に限
定されるものではない。
第4図に示されるように放射線透過像fi41からの放
射線は被写体42を通して本発明の放射#lW像変換パ
ネル43に入射する。この入射した放射線は放射#1画
像変換パネル43の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され放射線透過像の蓄積像が形成される
0次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光
で励起してtIII尽発光として放出せしめる0本発明
の放射線画像変換パネル43は、輝尽性蛍光体層が微細
柱状ブロック構造を有しているため、上記ll!尽励起
光による走査の際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で
拡散するのが抑制される。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装W145で光電変換し、画像再生装置i
46によって画像として再生し画像表示装置47によっ
て表示することにより、被写体の[Object of the Invention] The present invention relates to the above-mentioned proposed radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, and further improves the same.
An object of the present invention is to provide a radiation #il image conversion panel that has improved sensitivity to radiation and provides images with high sharpness. Another object of the present invention is to provide a radial edge image conversion panel that provides images with improved graininess and high sharpness. Another object of the present invention in addition to the above object is to provide a method for manufacturing a radiation image conversion panel that satisfies the above object. [Structure of the Invention] The object of the present invention is to provide a radiation #! having a stimulable phosphor layer.
In the image conversion panel, a large number of micro tile-like plates distributed on the surface of the support, a #IIIA net surrounding and dividing each of the micro tile-like plates, and a #IIIA mesh extending in the thickness direction on the micro tile-like plates. The present invention is achieved by a radiation image conversion panel characterized by having a stimulable phosphor layer having a fine columnar block structure of a stimulable phosphor, and a manufacturing method for embodying the structure of the image conversion panel. Next, the present invention will be specifically explained. FIG. 1(A) is a sectional view in the thickness direction of a radiation M image conversion panel (hereinafter sometimes referred to as a panel for clarity) of the present invention. Figure (b) shows the micro tile-like plate and the #IIR net surrounding and dividing the micro tile-like plate when the stimulable phosphor layer having the fine columnar block structure is not yet provided. FIG. 6(e) is a cross-sectional view in the thickness direction of the support having only the micro tile-like plates without the ma-net provided thereon. The distribution pattern of the micro tile-like plate on the support may be arbitrary. Examples of the distribution pattern of the micro tile-like plate are shown in FIG. 2 as (a), l, (b) and (c). . Note that the same symbols in FIG. 1 and FIG. 1:IS2 are functionally synonymous with each other. In FIG. 1, 10 is a panel of the present invention, l1ij is a micro tile-like plate each having a thickness of d on the support surface, (lli
j) is a gap in the form of a crack, groove or depression surrounding the micro tile-like plate. 12ij is formed by filling the above (llij) and partitions each 1lij with #! of height h.
I#! 1512 rope rice, and it is preferable that h≧d. 13ij is each fine columnar block of stimulable phosphor deposited on the fine tile plate 11ij, (13i
j) is the gap between the thin columnar blocks 13ij. 13
111 exhaustive phosphor 1f having a fine columnar block structure according to the present invention by ij and (13ij)! i13 is formed. 15 is a protective layer that is preferably provided. 14 is a support. The average diameter of the micro tile-like plate 11ij is 1 to 400μ.
llij is preferred, and the average gap (llij) is 0.
It is preferable that it is 01 to 20 μ-. The thickness of the stimulable phosphor 7113 varies depending on the sensitivity of the panel to radiation, the type of stimulable phosphor, etc.
It is preferably 1000μ, and more preferably 20 to 800μ. Incidentally, the gap (13ij) referred to in the present invention includes the case where the surface of the stimulable phosphor layer is merely a crack that does not provide a substantial gap.Therefore, the fine columnar block structure includes a fine polygonal pyramidal block. Contains structure. Further, an adhesive layer for assisting the adhesion of the stimulable phosphor, or a reflective layer or an absorbing layer for stimulated excitation light and/or stimulated luminescence may be provided on the micro tile-like or V-wire network, if necessary. It's okay. Based on the above-mentioned stimulable phosphor layer having a fine columnar block structure that is optically independent from each other! - When the excitation light is incident, the excitation light is repeatedly reflected on the inner surface of the columnar block due to the light guiding effect of the fine columnar block structure, and does not dissipate to the outside (reaching the bottom of the columnar block and being absorbed, or It is reflected and exits in the columnar direction of the columnar block while repeating reflection on the inner surface of the columnar block.Therefore, the sharpness of the image due to stimulated luminescence is steadily increased while increasing the chance of stimulated excitation.Radiation image of the present invention In a conversion panel, a stimulable phosphor is a phosphor that is first irradiated with light or high-energy radiation and then stimulated (stimulated excitation) thermally, mechanically, chemically, or electrically. It refers to a phosphor that exhibits stimulated luminescence corresponding to the irradiation amount of light or high-energy radiation, but from a practical standpoint, it is preferably a phosphor that exhibits stimulated luminescence with stimulated excitation light of 500 n- or more. 1. The stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel of the present invention is, for example, BaSO4:AX (where A is Dy, Tb and V T
The least of m (both are one type, X is o, oot≦x
<1 mol%. ) Phosphor represented by C, JP-A-48-
Mg5Q described in No. 80488, :Ax (where A is either HO or ν1, and 0.001≦X≦1
Phosphor expressed as mol%), JP-A-48-804
SrS○, which is described in No. 89 and has ν:A x (However, A
is at least one of D y t T b and Tl11
The species X is 0.001≦×1 mol%. ), Na2SO+-CaSO4 and VBI described in JP-A-51-29889
At least one of Mn, Dy and Tb in LS 04 etc.
Phosphor with added seeds, described in JP-A No. 52-30487
BeO, LiF MgSO< and Ca
Phosphors such as Fz, described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-39277 a
L i 2 B 40 : Cu IAg
phosphors such as those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-47883 (
Lizo ・(B 202)X:Cu(IushiX
is 2<x≦3), and L izo ・(B 20 z)
x: Cu+Ag (where x is 2×≦3)′:! SrS:Ce, Sm, SrS:Eu, Sm, t,
a2o2S: EuwS- and (Z n t Cd )
Examples include a phosphor represented by S: M n + X (where X is /10 den). Also, JP-A-55-12
ZnS:Cu, Pb phosphor described in No. 142,
A barium aluminate phosphor whose general formula is represented by B ao ・xA 1,0 *:E u (however, 0.8≦X≦10), and a barium aluminate phosphor whose general formula is M ” O・xS io 2:A
(However, Ml is Mg+CavSr=Zn, Cd or Ba, A is Ce-Tb, Eu. TmtPbtTI, at least one of Bi and Mn, and X is 0.5≦X≦2. 5) is mentioned. Also, the general formula is (Bi Mg Ca )FX:eEu”1
-x-yxy (where X is at least one of Br and CI,
X+F and e are respectively O'<x+y≦o, e, xy≠
0 and 101≦e≦5X10-”) is described in JP-A-55-12144.The general formula is L no X : xA (However, Ln is at least one of La, Y, Gd and Lu,
b is a number satisfying 0<x<0.1), the general formula described in JP-A-55-12145 is S rt Z at least one of n and Cd, X at least one of CI, Br, and engineering; A is EutTbtCe+T
mtDy+PrtHo+Nd, at least one of Yb and Er, where X and y are 0≦X≦0.6 and 0≦y
The general formula for the phosphor represented by ), which represents a number satisfying the condition of ≦0.2, is BaFX:xce*yA (where X is CI, Br, and At least one of A is I n, T I, Gd
, 8 wheels, and at least one of Zr, and X and y are 0<x≦2X10-' and O<7≦5X, respectively.
10-” phosphor represented by ), JP-A-55-1
The general formula described in No. 60078 is MxFX-xA
:yLn (However, Ml is M gt Ca+ B at S re
At least 1!11 of Z n and Cd, A is B
e Os M g Ot Ca Ov Sro *B
to-ZnO, A I20 z-Y *02-LazO
x-I n20 sts io ztT io ztZ
ro ztGeo,, S no ,, N b. 0, at least one of TazOs and VThoz!
11, Ln is E, Tb, Ce, TmtDytPrtHo
, Nd, Yb5ErtS theory, and Gd (both are one type, X is at least one type of CI, Br, and I, and X and y are each 5 X 10-'≦X
This number satisfies the conditions of ≦0.5 and VO<y≦0.2. ) A rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor with the general formula ZnS:A-(ZnwCd)S
:A, CdS :A%ZnS :A, X and (/CdS
: A, X (where A is Cu v A g t A u or Mn, and X is a halogen). phosphor, general formula (1) or (II) described in JP-A-57-148285, general formula (1) x? 1 (PO4)z'NXz:yA
General formula (II) Mko(PO,)!・yA (where M and N are Mg, Ct, Sr, BatZn, respectively)
and (/Cd, X is F, CI. At least one of Br+ and I, A is Eul T
beCetTmtDytPrtHo*NdtErtS
b* Represents at least one of TlvMn and Sn;
Further, X and Vy are numbers that satisfy the condition 0<x≦6.0≦y≦1. ), a phosphor represented by general formula (III)
or (■) general formula (I[[) nReX5・+*A
X'2:xEu general formula (IV) nReX3・mA
X'2: xEu, ysm (wherein, Re is La, Gd, Y
, at least one of Lu, A is an alkaline earth metal,
At least one of Ba, Sr, and Ca, X and rlX'
I! F, CI, B "Represents at least one of the following,
Moreover, X and y are lXl0-'<x<3
0-', IX 10-'<y< IX
It is a number that satisfies the condition of 10-1, and n/+s is I
10-'<n/items<7X10-'), and the general formula %: It is a kind of alkali metal, and MX is B
erMg*CawSryBatZn*CdyCu and N
At least one divalent metal selected from i is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Ss, E
u, Gd, Tb. Dy, Ho, ErtTstYb, Lu, A'l, Ga,
and In, XtX' and X'' are at least one type of halogen selected from F, CI, Br, and 1/I. A is Eu,
TbtCetTmtDytPrtHotNd, Yb5E
rtS theory, LuwS+*tYtTl+Na+Ag+Cu
and M. Also, a is a numerical value in the range of O≦a<0.5, and b is a value in the range of O≦b
C is a numerical value in the range of <o, s, and C is a numerical value in the range of 0<c≦0.2. ) and the like can be mentioned. In particular, alkali halide phosphors are preferred because they facilitate the formation of a stimulable phosphor layer by methods such as vacuum evaporation and sputtering. However, the stimulable phosphor used in the radiation #I image conversion panel of the present invention is not limited to the above-mentioned phosphor, and when irradiated with radiation and then irradiated with stimulable excitation light, the stimulable phosphor emits stimulable fluorescence. Any phosphor may be used as long as it shows the phosphor. The radiation image conversion panel of the present invention may be a stimulable phosphor layer group consisting of one or more stimulable phosphor layers containing at least one kind of the above-mentioned stimulable phosphors; The stimulable phosphors contained in each stimulable phosphor layer may be the same or different. In the radiation #1 image conversion panel of the present invention, various polymeric materials, deposits, etc. can be used as the support. Particularly in terms of handling as an information recording material, it is preferable that the flexible sheet or paper 1 be one that can be processed with a web plate.From this point of view, example 1! Plastic films such as cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film, polycarbonate film, aluminum, iron + Wg
A metal sheet made of chromium 1 or the like or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide is preferred. The layer thickness of these supports varies depending on the material of the support used, but is generally 80 μII to 1000 μ-II.
from the viewpoint of handling, more preferably 80 μ-
~500μ-. The radiation R image conversion panel of the present invention generally includes the above-mentioned 1! The stimulable phosphor layer group is physically present on the surface exposed to the stimulable fluorescent light. It is preferable to provide llFM. This protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer on the stimulable phosphor layer. Cellulose acetate may be used as a material for the protective WIN layer on the exhaustible phosphor layer. Typical protective layer materials such as Nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl reformal, carbon 17 carbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinyl chloride + 7 densine, nylon, etc. It will be done. Moreover, this protective layer can be formed by vacuum evaporation method, snow (lid method, etc.), S iC=S io z*s iN , A I20
- It may be formed by laminating inorganic substances such as 1° These hold, l! The layer thickness is general moss 0.1μ~10
Preferably around 0μ theory. Next, one trick ν1 of the panel manufacturing method of the present invention will be explained. The present invention is shown in FIG.
The manufacturing process proceeds in this order. Step (C): Micro tile-like plate 11ij and gap (11i
Distribution pattern D The stimulable phosphor is distributed on the surface of a support such as a plastic film, a metal sheet, or a metal sheet with a metal oxide coating layer, and the surface of the micro tile-like plate is deposited thereon in a subsequent step. Preferably, it is a dielectric material or semiconductor material that has good adhesion affinity with the material and has electrical ground detectability.
Therefore, one method is to meet the above conditions and coat the surface of the support with various resist resins commonly used in photolithography that can form the distribution pattern. In this case, if a metal sheet having a metal oxide coating layer is used as the support, it will have good adhesion affinity with the resist resin. Techniques for laminating metal oxides on metal surfaces, which are commonly used in the technical field of
Physically, an RF ion plating method, an RF sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like can be used. As the resist resin, various positive and negative type renost resins such as 7 otoresist, deep ultraviolet ray nost, and electron beam resist t x si resist can be used. For example, 7
Otrenostok (as a fat, esterification reaction of lotus 7/n 7note or benzoquin/an azide to Nopopok resin is mentioned.) First, apply the renost resin to a support and form a micro tile-like plate pattern. By baking, developing, and etching using a wet or dry method to a depth where the surface of the support is exposed, a desired distribution pattern layer 11 of fine tile-like plates and gaps can be obtained. When using an aluminum plate as a support in addition to the photolithography method using photolithography, it is possible to easily create a micro tile-like plate by sealing the porous aluminum oxide produced on the surface by anodizing, followed by heat treatment. The method applied to the present invention is a method commonly used in the field of aluminum surface treatment technology.The anodizing treatment of the surface of the aluminum support can be performed, for example, with a The side of the thick aluminum plate on which the stimulable phosphor is to be deposited is soaked in an 8% oxalic acid solution for about 2 hours.
When a current of A/cm' is applied, an anodic oxidation coating layer made of porous fluorite oxide is formed. Next, the coating layer is washed with water and then boiled in boiling water for about 1 hour, so that the porous aluminum oxide absorbs crystal water and expands to form a coating layer consisting of dense crystals. This operation is the so-called sealing process. When heat treatment is performed at 250° C. or higher after the sealing treatment, the aluminum oxide containing the crystal water loses the crystal water and forms seed lines, forming micro tile-like plates surrounded by gaps created by shrinkage cracks and isolated from each other. A putter is formed that looks like it has been smeared off the pad. At this time, the thickness of the aluminum oxide coating layer is preferably several μm or more, and if it is thin, the micro tile-like plate tends to be very light, so it is necessary to optimally select the conditions for the anodization process. In this way, the vapor phase deposition of the stimulable phosphor is
Or a chemically favorable island-like micro-section [1 (tile-like plate) surrounded by fine streaks, grooves, depressions or cracks in which vapor phase deposition is difficult to progress can get. Step (b): $I#l is constructed by surrounding each of #I wire net 1 and 2 micro tile-like plates 11ij with 1M12ij and filling the gap (llij).
The material for the net 12 is preferably a material with different exhaustible fluorescent phosphor conditions and/or different physical properties such as thermal expansion. Practically speaking, metal is preferable. For example, it is created by a known electroplating method. Therefore, when a dielectric plastic is used as a support, a conductive layer of metal or indium oxide or the like is provided on the surface by vacuum evaporation or other method, and the above step (c) is carried out, and the conductive layer is exposed by etching. I need to let it happen. The same applies to the case of receipts containing metal oxide-covered M chips. The support under the above conditions is subjected to air plating in a conventional manner to form a thin mesh 12 made of, for example, nickel or chromium. At this time, in order to conveniently deposit the stimulable phosphor as fine columnar blocks on the micro tile-like plate 11ij, the brightness h of the thin wire 12ij of the thin wire lAl2 is determined by the thickness d of the micro tile-like plate from the surface of the conductive support. It is better if it is greater than or equal to . Step (t): XIII stimulable phosphor layer 13 having a fine columnar block structure As a method for forming the stimulable phosphor layer having a fine columnar block structure, a vapor deposition method is used to ensure the formation of the columnar blocks. It is most preferable from the viewpoint of performance and sensitivity. A first method of vapor phase deposition is a vacuum evaporation method. In this method, first, the support is placed in a vapor deposition apparatus, and then the inside of the apparatus is evacuated to a vacuum level of about 10-'Torr.6 Next, at least one of the stimulable phosphors is resistance heated. The stimulable phosphor is deposited on the surface of the support to a desired thickness by heating and emitting it by a method such as a method or an electro-a beam method. As a result, a stimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer in multiple steps in the vapor deposition process. Further, in the vapor deposition step, it is also possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or an electro beam. After the vapor deposition is completed, a protective layer is optionally provided on the side of the stimulable phosphor layer opposite to the support, and the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured. Note that a step may be taken in which the support is provided after forming the stimulable phosphor layer on the protective layer. In addition, in the vacuum evaporation method, the stimulable phosphor raw material is codeposited using a plurality of resistance heaters or an electron beam, and the desired stimulable phosphor is synthesized on the support while the stimulable phosphor is simultaneously evaporated. It is also possible to form a phosphor layer. Furthermore, in the vacuum evaporation method, the object to be evaporated (support or protective layer) may be cooled or heated as necessary during evaporation, or the stimulable phosphor layer may be heat-treated after evaporation. Good too. A second method is a sputtering method. In this method, like the vapor deposition method, the support is placed in a sputtering device, the inside of the device is once evacuated to a vacuum level of about 10-' Torr, and then a non-containing gas such as Ar or Ne is used as a sputtering gas. Activated γ gas is introduced into the sputtering equipment and heated to 10-'Tor.
The gas pressure is set to about r. Next, the stimulable phosphor is made tarded and sputtered to deposit the stimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness. In the sputtering process, it is possible to form the stimulable phosphor layer in multiple steps as in the vacuum evaporation method, or it is possible to form the stimulable phosphor layer in multiple steps at the same time by using multiple terded layers each made of a different stimulable phosphor. Alternatively, it is also possible to form a stimulable phosphor layer by sequentially sputtering the tarded materials. After the sputtering is completed, a protective layer is preferably provided on the opposite side of the stimulable phosphor layer from the support side, if necessary, similarly to the vacuum evaporation method, and the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured. Note that a step may be taken in which the support is provided after forming the stimulable phosphor layer on the protective layer. In the sputtering method, a plurality of stimulable phosphor raw materials are used as a target and sputtered simultaneously or sequentially to synthesize the desired stimulable phosphor on a support and at the same time produce stimulable phosphor. It is also possible to form a body layer. In addition, in the sputtering method, 02
.. Reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as H2. Furthermore, in the sputtering method, the material to be deposited (support or protective layer) may be cooled or heated as necessary during sputtering, and the stimulable phosphor layer may be heat-treated after sputtering. Good too. A third method is the CVD method. This method involves decomposing a target photostimulable phosphor or an organometallic compound containing a photostimulable phosphor raw material with energy such as heat or high-frequency power, thereby producing a photostimulable material on a support that does not contain a binder. Obtain a fluorescent phosphor layer. FIG. 3 (,) shows t! corresponding to the unit thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel of the present invention obtained by the vapor deposition method. ! [This shows an example of the relationship between the amount of attached exhaustible phosphor and radiation sensitivity. Since the stimulable phosphor layer formed by the vapor deposition method according to the present invention does not contain a binder, the adhesion resistance (filling rate) of the stimulable phosphor is lower than that of the conventional stimulable phosphor coated layer. The thickness of the stimulable phosphor layer is approximately twice that of the stimulable phosphor layer, and the radiation absorption rate per unit thickness of the stimulable phosphor layer is improved, resulting in high sensitivity to radiation and improved graininess of the image. Furthermore, the l*exhaustible phosphor layer formed by the vapor deposition method has excellent transparency, and has high transmittance to stimulated excitation light and stimulated luminescence.
A by conventional coating method! It is possible to increase the thickness of the exhaustible fluorescent phosphor layer, resulting in higher sensitivity to radiation. An example of the sharpness of the panel of the present invention having a stimulable phosphor layer with a fine columnar block structure obtained as described above is shown in the third example.
Shown in Figure (b). Due to the light guiding effect of the fine columnar block structure, the panel of the present invention exhibits the characteristics of conventional panels because the stimulated excitation light is repeatedly reflected on the inner surface of the columnar block and is less likely to be dissipated outside the columnar block! @5 As is clear from the comparison with Figure (b), it is possible to improve the sharpness of the image and to reduce the decrease in sharpness due to an increase in the layer thickness of the stimulable phosphor. The radiation image conversion panel of the present invention is schematically shown in FIG.
Provides excellent sharpness, graininess and sensitivity. That is, in FIG. 4, 41 is a radiation generating device. 42 is a subject, 43 is a radiation image conversion panel of the present invention,
44 is a stimulated excitation light source, 45 is a photoelectric conversion device that detects stimulated luminescence emitted from the radiation am image conversion panel, and 46 is a device that reproduces the signal detected by 45 as an image.47 is a device that reproduces the reproduced image. The display device 48 is a filter that separates stimulated excitation light and stimulated luminescence and allows only stimulated luminescence to pass through. Note that the elements after 45 are not limited to the above, as long as they can reproduce the optical information from 43 as an image in some form.As shown in FIG. 4, the radiation from the radiation transmission image fi41 Radiation enters the #lW image conversion panel 43 of the present invention through the subject 42. This incident radiation is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation #1 image conversion panel 43, and its energy is accumulated to accumulate a radiation transmission image. The radiation image conversion panel 43 of the present invention has a stimulable phosphor layer, in which an image is formed, and this accumulated image is excited with the stimulable excitation light from the stimulable excitation light source 44 to emit it as tIII stimulated luminescence. has a fine columnar block structure, which suppresses the photostimulation excitation light from diffusing in the stimulable phosphor layer during scanning with the above-mentioned ll! exhaustion excitation light.Emitted photostimulation Since the strength of the light emission is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device W145 such as a photomultiplier tube, and the image reproduction device i
46 as an image and displaying it on the image display device 47.
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例1
500μ−厚のアルミニウム板を前記の方法により陽極
酸化処理、封孔処理及び加熱処理してタイル状板が微細
な溝により互いに隔絶されて敷鯵つめられたごとき表面
構造とした。
該タイル状板の平均径は63μ箇であり、厚さdは10
μ糟であった。続いて前記処理を施したアルミニウム板
にニッケルメッキを施すことにより、前記微小タイル状
板を取り囲んで夫々を区画する#1線網を形成し支持体
とした。細線網の高さhは16μ−であった。
次にこの支持体を蒸着器中に設置し、抵抗加熱用のタン
グステンボート中にアルカリ11ライド輝尽性蛍光体(
0,9RbB r ・0.ICsF :0.OIT I
)を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を
排気して2 X 10−’T orrの真空度とした。
次にタングステンボードに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリ/1ライド輝尽性蛍光体を蒸 。
発させ前記支持体上に輝尽性蛍光体層の層厚が300μ
−の厚さになるまで堆積させ、本発明の放射線画像変換
パネルAを得た。
このようなして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Aに管電圧80KVpのX線をIon R照射した後、
He−Neシレーザ光(633nm)で輝尽励起し、輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器(光電
子増倍管)で光電変換し、この信号を画像再生装置によ
って画像としで再生し、銀塩フィルム上に記録した。信
号の大きさより、放射線画像変換パネルAのX#1に対
する感度を調べ、*た得られた画像より、画像の変調伝
達関数(MTF’)及び粒状性を調べ第1表に示す。
第1表において、X Rl: Hする感度は本発明の散
財#iii像変換パネルAを100として相対値で示し
である。*た、変調伝達量fi(MTF)は、空間周波
数が2サイクル/lll1の時の値であり、粒状性は(
良い、普通、悪い)をそれぞれ(○、Δ+X)で示しで
ある。
実施例2
実施例1において、輝尽性蛍光体層の層厚を150μ−
とした以外は実施例1と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルBを得た。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Bは、実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に併
記する。
実施例3
実施例1において、支持体のタイル状板の平均径を11
5μ糟とした以外は実施例1と同様にして本発明の放射
線画像変換パネルCを得た。
このようにしで得られた本発明の放射線画像変換パネル
Cは、実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に併
記する。
実施例4
実施例1において、支持体の細線網の^さhを11μI
とした以外は実施例1と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルDを得た。
本発明の放射線画像変換パネルDは、実施例1と同様に
して、評価し、結果を第1表に併記する。
実施例5
実施例1において、支持体として500μ謹厚のアルミ
ニウム板を実施例1と同様の方法により処理して、前記
アルミニウム板表面の微小タイル状を取り囲んで夫々を
区画するarm網を形成した後、金属アルミニウムを0
.1μm厚となるように真空蒸着して用いた支持体を用
いた以外は実施例1と同様にして本発明の放射#tm像
変換パネルEを得た。
このように金属アルミニウムを薄く蒸着することにより
、支持体のタイル状板表面は黒化する。
本発明の放射線画像変換パネルEは、実施例1と同様に
して評価し、結果を第1表に併記する。
実施例6
実施例1において、支持体として500μ鶴厚のアルミ
ニウム板を実施例1と同様の方法により処理して、前記
アルミニウム板表面の微小タイル状板を取り囲んで夫々
を区画する紹#l#!を形成した後、金属アルミニウム
を1μ+1厚となるように真空蒸着して用いた以外は実
施例1と同様にして本発明の放射#Il像変換パネルF
を得た。このように金属アルミニウムを厚く蒸着するこ
とにより、支持体のタイル状板表面の反射率は約20%
向上した。
本発明の放射線画像変換パネルFは、実施例1と同様に
して評価し、結果を第1表に併記する実施例7
実施例1において、支持体として500μM厚のアルミ
ニウム板に7オトレノスト樹脂を塗布し、微小タイル状
板のパターンを焼き付け、現像し、更に乾燥して微小タ
イル状板を形成して用いた以外は実施例1と同様にして
本発明の放射線画像変換パネルを得た。
微小タイル状板の大きさは1辺100μAの正方形であ
り厚さdは10μ惰であった。また間隙の幅は10μ。
であった。
このようにして得られた本発明の放射#X画像変換パネ
ルGは実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に併
記する。
比較例1
アルカリハライド輝尽性蛍光体(0,9RbBr・0、
ICsF :00OIT l)8重量部とポリビニルブ
チラール用I!′!?1重量部と溶剤(シクロヘキサノ
ン)5重量部を用いて混合・分散し、輝尽性蛍光体層用
塗布液を調整した0次にこの塗布液を水平に置いた。
300μ謹厚の支持体としての黒色ポリエチレンナフタ
レートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて30
0μ−厚の輝尽性蛍光体層を形成した。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルP
は実施例1と一様にして評価し、結果を第1表に併記す
る。
比較例2
比較例1において輝尽性蛍光体層の層厚な150μ瞳と
した以外は比較例1と同様にして比較の放射線画像変換
パネルQを得た。
このようにして得られた比較の放射mg像変換パネルQ
は実施例1と同様にして評価し、結果を第1表より明ら
かなように本発明の放射線画像変換パネルA−Gは、そ
れぞれ相当する輝尽性蛍光体層厚を有する比較の放射#
1画像変換パネルP。
Qに比べてX#i感度が約2倍高くしがも画像の粒状性
が優れていた。これは本発明の放射線画像変換パネルは
輝尽性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体
の充填率が比較のパネルに比べて高くX線の吸収率が良
いためである。
また、本発明の放射Mll像変換パネルA−Gはそれぞ
れ相当する輝尽性蛍光体層厚を有する比較の放射線画像
変換パネルP、Qに比べてX#I感度が高いにもかがわ
らず鮮鋭性の点でも優れていた。
これは、本発明の放射114.M像変換パネルにおいて
は支持体の間隙によって輝尽性蛍光体層中にも亀裂を入
れ、これによってt!i尽性蛍光体層を細分化した微細
柱状ブロック構造とすることに上り、輝尽性蛍光体層中
での輝尽励起光であるHe−Neレーザの散6Lが抑制
・減少するためである。
【発明の効果1
以上述べて軽たように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散8Lが着しく減少し、その結果画
像の鮮鋭性を向上されることが可能である。
また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層を大きく
することにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく放
射線感度を向上させることが可能である。
また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大き
くすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく
画像の粒状性を向上させることが可能である。
また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。
本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。Next, the present invention will be explained by examples. Example 1 A 500 .mu.-thick aluminum plate was anodized, sealed and heated by the method described above to obtain a surface structure in which the tile-like plates were separated from each other by fine grooves and packed together. The average diameter of the tile-like plate is 63μ, and the thickness d is 10
It was mu. Subsequently, the aluminum plate subjected to the above treatment was nickel plated to form a #1 wire network that surrounded the micro tile-like plates and partitioned them, and was used as a support. The height h of the fine wire network was 16μ. Next, this support was placed in an evaporator, and the alkali-11-ride stimulable phosphor (
0.9RbB r ・0. ICsF: 0. OIT I
) and set it on the resistance heating electrode, and then the evaporator was evacuated to a degree of vacuum of 2×10-' Torr. Next, a current was applied to the tungsten board, and the alkali/1-ride stimulable phosphor was evaporated using the resistance heating method. The thickness of the stimulable phosphor layer on the support is 300 μm.
The radiation image conversion panel A of the present invention was obtained by depositing until the thickness reached -. After irradiating the thus obtained radiation image conversion panel A of the present invention with X-rays at a tube voltage of 80 KVp using Ion R,
Stimulated excitation is performed using He-Ne laser light (633 nm), and the stimulated luminescence emitted from the stimulable phosphor layer is photoelectrically converted by a photodetector (photomultiplier tube), and this signal is converted into an image by an image reproducing device. It was then reproduced and recorded on silver halide film. The sensitivity of the radiation image conversion panel A to X#1 was investigated based on the signal magnitude, and the modulation transfer function (MTF') and graininess of the image were investigated from the obtained images, which are shown in Table 1. In Table 1, the sensitivity to X Rl: H is shown as a relative value, with the #iii image conversion panel A of the present invention being taken as 100. *The modulation transfer amount fi (MTF) is the value when the spatial frequency is 2 cycles/lll1, and the granularity is (
Good, average, bad) are indicated by (○, Δ+X), respectively. Example 2 In Example 1, the layer thickness of the stimulable phosphor layer was changed to 150 μ-
A radiation image conversion panel B of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. The thus obtained radiation image conversion panel B of the present invention was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Example 3 In Example 1, the average diameter of the tile-like plate of the support was 11
A radiation image conversion panel C of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1, except that the 5 μm paste was used. The radiation image conversion panel C of the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Example 4 In Example 1, the thickness h of the fine wire network of the support was 11 μI.
A radiation image conversion panel D of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. The radiation image conversion panel D of the present invention was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Example 5 In Example 1, an aluminum plate with a thickness of 500 μm was treated as a support in the same manner as in Example 1 to form an arm net that surrounded and partitioned the microtiles on the surface of the aluminum plate. After that, remove the metal aluminum to 0
.. A radiation #tm image conversion panel E of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1, except that a support was vacuum-deposited to a thickness of 1 μm. By depositing metal aluminum thinly in this manner, the surface of the tile-like plate of the support is blackened. The radiation image conversion panel E of the present invention was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Example 6 In Example 1, an aluminum plate with a thickness of 500 μm was treated as a support in the same manner as in Example 1, and the micro tile-like plates on the surface of the aluminum plate were surrounded and partitioned. ! The radiation #Il image conversion panel F of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1, except that after forming, metal aluminum was vacuum-deposited to a thickness of 1μ+1.
I got it. By depositing metal aluminum thickly in this way, the reflectance of the tile-like plate surface of the support is approximately 20%.
Improved. The radiation image conversion panel F of the present invention was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Example 7 In Example 1, 7 Otrenost resin was applied to a 500 μM thick aluminum plate as a support. A radiation image conversion panel of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1, except that the pattern of the micro tile-like plate was printed, developed, and further dried to form a micro-tile-like plate. The size of the micro tile-like plate was a square of 100 μA on each side, and the thickness d was 10 μA. Also, the width of the gap is 10μ. Met. The thus obtained radiation #X image conversion panel G of the present invention was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Comparative Example 1 Alkali halide stimulable phosphor (0,9RbBr・0,
ICsF: 00OIT l) 8 parts by weight and I for polyvinyl butyral! ′! ? 1 part by weight and 5 parts by weight of a solvent (cyclohexanone) were mixed and dispersed to prepare a coating solution for a stimulable phosphor layer.This coating solution was then placed horizontally. It was coated uniformly on a black polyethylene naphthalate film as a support with a thickness of 300 μm and air-dried for 30 μm.
A 0 μ-thick stimulable phosphor layer was formed. Comparative radiation image conversion panel P obtained in this way
was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1. Comparative Example 2 A comparative radiation image conversion panel Q was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the stimulable phosphor layer was increased to 150 μm. Comparative radiation mg image conversion panel Q obtained in this way
were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1. As is clear from Table 1, radiation image conversion panels A to G of the present invention were compared to the comparative radiation image converting panels A to G having corresponding photostimulable phosphor layer thicknesses.
1 Image conversion panel P. Compared to Q, the X#i sensitivity was about twice as high, but the image graininess was excellent. This is because the radiation image conversion panel of the present invention does not contain a binder in the stimulable phosphor layer, and the filling rate of stimulable phosphor is higher than that of comparative panels, and the X-ray absorption rate is good. It is. In addition, the radiation Mll image conversion panels A to G of the present invention are sharper despite having higher X#I sensitivity than comparative radiation image conversion panels P and Q having corresponding stimulable phosphor layer thicknesses. They were also superior in terms of sex. This is the radiation 114. of the present invention. In the M image conversion panel, cracks are created in the stimulable phosphor layer due to the gaps in the support, and this causes t! This is because the i-stimulable phosphor layer is made into a fine columnar block structure in which it is subdivided, and the dispersion of the He-Ne laser, which is the stimulable excitation light, in the stimulable phosphor layer is suppressed and reduced. . Effects of the Invention 1 As mentioned above, according to the present invention, since the stimulable phosphor layer has a fine columnar block structure, the diffusion of 8L of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer is reduced. The sharpness of the image can be significantly reduced, resulting in improved image sharpness. Furthermore, according to the present invention, the decrease in image sharpness due to an increase in the stimulable phosphor layer is small, so by increasing the stimulable phosphor layer, radiation sensitivity can be increased without reducing image sharpness. It is possible to improve. Further, according to the present invention, the decrease in image sharpness due to an increase in the stimulable phosphor layer is small, so by increasing the stimulable phosphor layer thickness, the image sharpness can be improved without decreasing the image sharpness. It is possible to improve graininess. Further, according to the present invention, it is possible to stably manufacture the radiation image conversion panel of the present invention at low cost. The present invention has extremely great effects and is industrially useful.
第1図は本発明の放射線画像変換パネル及V51造工程
中の支持体面の一部を示す断面図である。
第2図は微小タイル状板の分布パターンの例を示す平面
図である。第3図(、)は本発明の一例に関する放射線
画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び耐着量と
放射線に対する感度とを示す図であり、(b)は前記放
射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層及び晴着伝
達関数(MTF)とを示す図である。第4図は本発明に
用いられる放射#lH像変換方法の概略図であろ、第5
図(a)は従来の放射#i[像変換パネルにおける輝尽
性蛍光体層及び耐着量と放射線に対する感度とを示す図
であり、(b)は前記従来の放射#1iii像変換パネ
ルにおける輝尽性蛍光体層厚及び耐着量と空間周波数が
2サイクル/閣−にお(する変調イ云達関fi(MTF
)とを示す図である。
10・・・パネル
11・・・分布パターン層
11ij・・・微小タイル状板
(llij)・・・間隙
12・・・細R網
12ij・・・綱線
13・・・輝尽性蛍光体層
13ij・・・微細柱状ブロック
14・・・支持体
15・・・保ili層
代理人 弁理士 野 1)a 親
第1図
第2図
第3図
0 200 40
0 ツタ74ζン・−ン第4図
第5図
(b)
手続補正書
昭和61年3月14日FIG. 1 is a sectional view showing a part of the support surface during the manufacturing process of the radiation image conversion panel and V51 of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing an example of the distribution pattern of the micro tile-like plates. FIG. 3(,) is a diagram showing the stimulable phosphor layer thickness, adhesion resistance, and sensitivity to radiation in a radiation image conversion panel according to an example of the present invention, and FIG. 3(b) is a diagram showing the radiation sensitivity in the radiation image conversion panel. FIG. 2 is a diagram showing an exhaustible phosphor layer and a solar transfer function (MTF). FIG. 4 is a schematic diagram of the radiation #lH image conversion method used in the present invention.
Figure (a) is a diagram showing the photostimulable phosphor layer and adhesion resistance in the conventional radiation #i [image conversion panel] and sensitivity to radiation, and (b) is a diagram showing the sensitivity to radiation in the conventional radiation #1iii image conversion panel. The thickness of the stimulable phosphor layer, the adhesion resistance, and the spatial frequency are modulated by 2 cycles/temperature (MTF).
). 10... Panel 11... Distribution pattern layer 11ij... Micro tile-like plate (llij)... Gap 12... Fine R mesh 12ij... Wire 13... Stimulable phosphor layer 13ij... Fine columnar block 14... Support 15... Protective layer agent Patent attorney Field 1)a Parent Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 0 200 40
0 Ivy 74ζn-n Figure 4 Figure 5 (b) Procedural amendment March 14, 1985
Claims (1)
パネルに於いて、多数の微小タイル状板と該微小タイル
状板夫々を取り囲んでなり夫々を区画する細線網と該微
小タイル状板上に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細
柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層とを有することを特
徴とする放射線画像変換パネル。 2)輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製
造方法に於いて、支持体面に、多数分布する微小タイル
状板及び該微小タイル状板夫々を取り囲み夫々を区画す
る細線網を形成し、更に前記微小タイル状板上に輝尽性
蛍光体を厚み方向に堆積させて伸ばし微細柱状ブロック
構造を有する輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とす
る放射線画像変換パネルの製造方法。[Scope of Claims] 1) In a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, a large number of micro tile-like plates and thin lines surrounding and dividing each of the micro tile-like plates are provided. 1. A radiation image conversion panel comprising a net and a stimulable phosphor layer having a fine columnar block structure of stimulable phosphor extending in the thickness direction on the micro tile-like plate. 2) In a method for producing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, a large number of micro tile-like plates and a fine wire network surrounding and dividing each of the micro tile-like plates are formed on the support surface. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, further comprising depositing a stimulable phosphor on the micro tile-like plate in the thickness direction and stretching the stimulable phosphor to form a stimulable phosphor layer having a fine columnar block structure.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26691584A JPS61142499A (en) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Radiation image conversion panel and manufacture thereof |
DE8585309128T DE3578359D1 (en) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | SCREEN FOR SAVING A RADIATION IMAGE. |
EP19850309128 EP0185534B1 (en) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | Radiation image storage panel |
US07/065,150 US4769549A (en) | 1984-12-17 | 1987-06-12 | Radiation image storage panel and process for making the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26691584A JPS61142499A (en) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Radiation image conversion panel and manufacture thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61142499A true JPS61142499A (en) | 1986-06-30 |
Family
ID=17437435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26691584A Pending JPS61142499A (en) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Radiation image conversion panel and manufacture thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61142499A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5270784A (en) * | 1976-12-16 | 1977-06-13 | Toshiba Corp | Fluorescent screen |
JPS54120576A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Toshiba Corp | Input screen of image multiplication tube |
JPS59202100A (en) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | コニカ株式会社 | Radiation image conversion panel and manufacture thereof |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26691584A patent/JPS61142499A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5270784A (en) * | 1976-12-16 | 1977-06-13 | Toshiba Corp | Fluorescent screen |
JPS54120576A (en) * | 1978-03-13 | 1979-09-19 | Toshiba Corp | Input screen of image multiplication tube |
JPS59202100A (en) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | コニカ株式会社 | Radiation image conversion panel and manufacture thereof |
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