JPS58224489A - Device for specifying address of memory - Google Patents

Device for specifying address of memory

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JPS58224489A
JPS58224489A JP10820782A JP10820782A JPS58224489A JP S58224489 A JPS58224489 A JP S58224489A JP 10820782 A JP10820782 A JP 10820782A JP 10820782 A JP10820782 A JP 10820782A JP S58224489 A JPS58224489 A JP S58224489A
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address
counter
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memory
data
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    • GPHYSICS
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    • G11B20/00Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/10Digital recording or reproducing
    • G11B20/18Error detection or correction; Testing, e.g. of drop-outs
    • G11B20/1806Pulse code modulation systems for audio signals
    • G11B20/1809Pulse code modulation systems for audio signals by interleaving

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Abstract

PURPOSE:To execute interleaving and deinterleaving at the memory capacity close to really required memory capacity, by folding the address specfying method of a memory in the memory. CONSTITUTION:The gate circuit 21 of a writing address specifying circuit 20 for deinterleaving is controlled by a control circuit 23 and an up/down counter 22 counts up writing clocks and outputs the counted result to a selector 14 as a line address of a memory 40. When the counted value of the counter 22 reaches a prescribed number, the circuit 21 is actuated by a control signal A from the circuit 23 and the counter 22 starts to count down. A subtractor 27 to output a saw address signal is also actuated by the signal A and subtracts a prescribed number through a counter 26, etc. to change the saw address with is fixed during the up-counting of the counter 22. The reading of deinterleaving and the address specification of interleaving are executed in the same manner. Thus, the interleaving and deinterleaving enabled to prevent burst errors are executed by using a memory having capacity close to the really required memory capacity.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はメモリのアドレス指定装蓋に関し、特に1フ
レームデータのブロック単位でインターリーブまたはゲ
インターリーブを行なう場合に用いられるメモリのアド
レス指定装置に関づる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory addressing device, and more particularly to a memory addressing device used when interleaving or gain interleaving is performed in blocks of one frame data.

最近、PCM録音機やPCMオーディオディスクには、
高品質の再生音を得るために、誤り訂正符号が用いられ
ている。この誤り訂正符号方式は、アナログ信号をザン
ブリングして得た標本化信号ワード列を複数ワードまた
はフレームのブロックに区切り、各ブロックに誤り訂正
ワードを付加して1つの誤り訂正ブロックを構成し、伝
送路上で誤ったワードに対して再生時に訂正を行なう方
式である。しかし、このような誤り訂正符号方式には限
界があり、伝送路上でバースト誤りが生じることによっ
て、1つの誤り訂正ブロック内のほとんどのワードが誤
ったときには訂正不可能となる。
Recently, PCM recorders and PCM audio discs have
Error correction codes are used to obtain high quality reproduced sound. This error correction coding method divides a sampled signal word sequence obtained by zumbling an analog signal into blocks of multiple words or frames, adds an error correction word to each block to form one error correction block, and then transmits the data. This method corrects incorrect words on the road during playback. However, such an error correction code system has a limit, and when most of the words in one error correction block are erroneous due to burst errors occurring on the transmission path, correction becomes impossible.

従来、バースト誤りの対策としては、記録時に訂正ブ【
コック内の各ワードを分散させるインターリーブを行な
い、記録媒体上で各ワードを成る間隔をおいて記録し、
再生時にもとの配列に戻すディンターリーブを行なうこ
とによって、誤り訂正が行なわれていた。
Conventionally, as a countermeasure against burst errors, a correction block [
performing interleaving to disperse each word in the cock, recording each word on a recording medium at intervals;
Error correction was performed by performing dinterleaving to restore the original arrangement during playback.

第1図はこの発明の背景となるインターリーブおよびデ
ィンターリーブの処理を説明するためのデータフォーマ
ットの図解図である。図示では、1フレームを1ブロツ
クとしたとき、1ブロツクがDo〜D7の8ワードから
なり、第N番目のブロック(フレーム)のデータを誤り
訂正ブロックとした場合を示す。この場合において、1
は標本化信号ワードに誤り訂正符号を付加したDO〜D
8の8ワードからなる第N番目の誤り訂正ブロックを示
す。但し、Nは整数である。、2は1ブロツク内の各ワ
ードDo、D1.D2〜D7の遅延量0、d 、2d〜
7dと定められる。但し、dは整数の単位遅延量を示し
、たとえば1ワードのデータ伝送時間に選ばれる。イン
ターリーブに際しては、標本化信号ワード列の各ワード
Do−D7が各ワードに対応する遅延量だけ遅延される
。3はインターリーブ後の1ブロツクのワード構成を示
す。インターリーブの処理後にJ3いて、各ワードは異
なった誤り訂正ブロックのワードで構成され、記録媒体
に記録される。4は、前述のごとくインターリーブされ
たデータをディンターリーブする場合における各ワード
ごとの遅延量を示す。ディンターリーブの遅延量は、イ
ンターリーブの遅延量に逆比例した値に選ばれる。たと
えば、インターリーブの処理がワードDo、Di〜D7
のそれぞれにつき遅延量0.d〜7dに選ばれた場合は
、ディンターリーブの遅延量が76.68〜Oに選ばれ
る。5は、ディンターリーブの処理が行なわれた後の1
訂正ブロツクのフォーマットを示す。
FIG. 1 is an illustrative diagram of a data format for explaining interleave and dinterleave processing, which is the background of this invention. In the figure, when one frame is one block, one block consists of eight words Do to D7, and the data of the Nth block (frame) is used as an error correction block. In this case, 1
is DO~D with an error correction code added to the sampled signal word.
8 shows the Nth error correction block consisting of 8 words. However, N is an integer. , 2 are each word Do, D1 . Delay amount of D2 to D7 0, d, 2d~
7d. However, d indicates an integer unit delay amount, and is selected, for example, as the data transmission time of one word. During interleaving, each word Do-D7 of the sampled signal word string is delayed by a delay amount corresponding to each word. 3 shows the word structure of one block after interleaving. After the interleaving process, each word is composed of words of different error correction blocks and is recorded on the recording medium. 4 indicates the amount of delay for each word when interleaved data is dinterleaved as described above. The amount of delay in dinterleaving is selected to be inversely proportional to the amount of delay in interleaving. For example, the interleaving process is for words Do, Di to D7.
The delay amount is 0. If d to 7d is selected, the dinterleave delay amount is selected to be 76.68 to 0. 5 is 1 after the dinterleaving process is performed.
This shows the format of the correction block.

図示から明らかなように、各ワードDO−07は、すべ
てN−7d番目の誤り訂正ブロックのワードと等しくな
り、遅延117dがある点を除いてインターリーブ前の
組合Uに戻ったことになる。
As is clear from the illustration, each word DO-07 is all equal to the word of the N-7dth error correction block, and has returned to the combination U before interleaving, except for the delay 117d.

第1図に示すようなインターリーブの処理およびディン
ターリーブの処理を行なうと、伝送路上でバースト誤り
が生じて、3で示すブロックの8ワードに誤りが生じた
としても、ディンターリーブの処理を行なうことにより
誤ったワードが分散されるので、ディンターリーブの処
理によって得られたブロックではD7.I’m−dのみ
の誤りとなり、訂正が可能どなる。このようなインター
リーブおよびディンターリーブの遅延処理を実現する5
− ためには、1ブロツクのワードデータをメモリに一旦蓄
えておき、所望のワードを読出す方法が用いられる。以
下には、第1図における遅延量のd−16の場合におけ
るディンターリーブを行なう際のメモリアドレス制御を
説明する。
When performing interleave processing and dinterleave processing as shown in Figure 1, even if a burst error occurs on the transmission path and an error occurs in 8 words of the block indicated by 3, the dinterleave processing is performed. By doing this, erroneous words are dispersed, so in the block obtained by the dinterleaving process, D7. Only I'm-d is an error, and correction is not possible. 5 to realize such delay processing of interleave and dinterleave
- To do this, a method is used in which one block of word data is temporarily stored in a memory and the desired word is read out. Memory address control when performing dinterleaving in the case of the delay amount d-16 in FIG. 1 will be explained below.

第2図はインターリーブおよびディンターリーブ処理を
行なう場合における従来のメモリのアドレス指定装置の
ブロック図である。図において、アドレス指定装置10
は、書込アドレス指定回路および読出アドレス指定回路
を含む。以下に、アドレス指定装置10の具体的な構成
を説明する。
FIG. 2 is a block diagram of a conventional memory addressing device when performing interleave and dinterleave processing. In the figure, addressing device 10
includes write addressing circuitry and read addressing circuitry. The specific configuration of the addressing device 10 will be described below.

入力端子11aには、書込サンプルクロック(以下クロ
ックWS)が与えられる。このクロックWSは、カウン
タ12の加算入力端子に与えられる。
A write sample clock (hereinafter referred to as clock WS) is applied to the input terminal 11a. This clock WS is applied to the addition input terminal of the counter 12.

カウンタ12は、3ピツト出力を有し、クロックWSの
与えられるごとに加算動作して、その計数値を1ブロツ
クのワードの書込アドレスデータとして導出する。入力
端子11bには、書込ブロック変更クロック(以下クロ
ックWB)が与えられる。このクロックWBは、カウン
タ12のリセッ6− ト入力端子に与えられるとともに、カウンタ13の加算
入力端子に与えられる。このカウンタ12の出力は、メ
モリ(図示せず)の下位3ビツトの書込アドレスデータ
としてセレクタ14に与えられる。カウンタ13の出力
は、メモリの上位アドレスを指定する書込アドレスデー
タとしてセレクタ14に与えられる。
The counter 12 has a 3-pit output, performs an addition operation every time the clock WS is applied, and derives the counted value as write address data of one block of words. A write block change clock (hereinafter referred to as clock WB) is applied to the input terminal 11b. This clock WB is applied to the reset input terminal of the counter 12 and also to the addition input terminal of the counter 13. The output of this counter 12 is given to a selector 14 as write address data for the lower 3 bits of a memory (not shown). The output of the counter 13 is given to the selector 14 as write address data specifying the upper address of the memory.

入力端子110には、続出サンプルクロック(以下クロ
ックR8)が与えられる。このクロックR8は、1訂正
ブロツク内の8ワードに対応する。クロックR8は、カ
ウンタ15の加算入力端子に与えられるとともに、カウ
ンタ16に与えられる。カウンタ15は、3ピツ1へ出
力を有し、クロックR8が与えられるごとに加算動作し
、入力端子11dへ入力されるクロックRBによってリ
セットされる。クロックRBは、読出ブロック変更クロ
ックであって、訂正ブ白ツクが進むとともに1クロツク
ずつ与えられるニドのクロックRBは、カウンタ17の
加算入力端子に与えられる。
A continuous sample clock (hereinafter referred to as clock R8) is applied to the input terminal 110. This clock R8 corresponds to 8 words in one correction block. The clock R8 is applied to the addition input terminal of the counter 15 and also to the counter 16. The counter 15 has an output to the 3-bit 1, performs an addition operation every time the clock R8 is applied, and is reset by the clock RB input to the input terminal 11d. The clock RB is a read block change clock, and is applied one clock at a time as the correction block advances.The clock RB is applied to the addition input terminal of the counter 17.

カウンタ17は、4ビツト出力を有し、キャリー出力を
カウンタ18の加算入力端子に与える。カウンタ18は
、その計数値をカウンタ16の並列入力として与える。
Counter 17 has a 4-bit output and provides a carry output to the addition input terminal of counter 18. Counter 18 provides its count value as a parallel input to counter 16.

カウンタ16には、入力端子11eに与えられるロード
信号(LD)が入力される。これらのカウンタ15〜1
7の出力によってメモリの読出アドレスが決定される。
A load signal (LD) applied to the input terminal 11e is input to the counter 16. These counters 15-1
The read address of the memory is determined by the output of 7.

すなわち、カウンタ15の出力は下位3ビツトのアドレ
スを指定する読出アドレスデータとして導出される。
That is, the output of the counter 15 is derived as read address data specifying the address of the lower 3 bits.

カウンタ16および17の出力はメモリの上位のアドレ
スを指定する続出アドレスデータとして導出される。こ
れらの読出アドレスデータがセレクタ14に与えられる
The outputs of counters 16 and 17 are derived as successive address data specifying an upper address in the memory. These read address data are given to the selector 14.

セレクタ14は、入力端子11fに与えられるセレクト
信号によって、書込アドレスまたは読出アドレスを切替
えて導出するものである。このセレクタ14で選択され
た書込アドレスデータまたは読出アドレスデータは、メ
モリのアドレスデータとして出力端子11′gから導出
されて、メモリに与えられる。
The selector 14 switches and derives a write address or a read address in response to a select signal applied to an input terminal 11f. The write address data or read address data selected by the selector 14 is derived from the output terminal 11'g and applied to the memory as memory address data.

初期設定回路19には、カウンタ17および18の出力
が入力される。この初期設定回路19は、カウンタ17
および18の出力で決まる値(すなわち続出上位ビット
の計数値)がOのとき、カウンタ13を遅延旙7dに設
定する出力を発生するものである。
The outputs of counters 17 and 18 are input to initial setting circuit 19 . This initial setting circuit 19 has a counter 17
When the value determined by the outputs of and 18 (ie, the count value of successive upper bits) is O, an output is generated to set the counter 13 to delay 7d.

第3図は書込アドレス指定回路の動作を説明するための
タイムチャートである。
FIG. 3 is a time chart for explaining the operation of the write address designation circuit.

第4図は続出アドレス指定回路の動作を説明するための
タイムチャートである。
FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the successive addressing circuit.

第5図は1ワードデータを記憶するための1ビツトあた
りのメモリマツプを図解的に示した図である。図におい
て、横軸には下位3ビツトのアドレス値が示され、縦軸
には上位アドレス値が示される。この縦軸および横軸の
アドレスの組合せによって、メモリのアドレスが指定さ
れる。なお、第5図における丸印は続出データを示し、
三角印は書込データを示す。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a memory map per 1 bit for storing 1 word data. In the figure, the horizontal axis shows the address value of the lower three bits, and the vertical axis shows the upper address value. A memory address is specified by a combination of addresses on the vertical and horizontal axes. In addition, the circles in Figure 5 indicate successive data,
Triangular marks indicate written data.

次に、第2図、第3図および第5図を参照して、第3図
のタイムチャートに沿って書込アドレス指定回路の動作
を説明する。なお、図示の例では、9− 1伝送ブロツク(第1図に示す3)中の8ワードが上位
アドレスを一定としかつ下位アドレスを0〜7まで変化
させて書込み、次のブロックがクロックWBによって上
位アドレスを1だけ進めて書込まれる場合を示す。
Next, with reference to FIGS. 2, 3, and 5, the operation of the write address designation circuit will be described along the time chart of FIG. 3. In the illustrated example, 8 words in the 9-1 transmission block (3 in Figure 1) are written with the upper address constant and the lower address changed from 0 to 7, and the next block is written by the clock WB. This shows the case where the upper address is incremented by 1 and written.

時刻t1において、カウンタ12はクロックWBによっ
てリセットされる。このため、カウンタ12の出力がO
になるとともに、カウ〕/夕13の出力が7d−1から
7dに変化する。
At time t1, counter 12 is reset by clock WB. Therefore, the output of the counter 12 is O
At the same time, the output of the counter 13 changes from 7d-1 to 7d.

時刻t2において、カウンタ12はクロックWSが与え
られることに応じてその計数値を1だけ歩進して1を出
力する。このとき、第N番目の先頭のワードDo、Nの
データは、時刻t1と時刻t2の期間において、上位ア
ドレス値を蒙、下位アドレス値をnどしたとき(m 、
 n )のアドレスで指定されるエリアに書込まれる。
At time t2, the counter 12 increments its count value by 1 and outputs 1 in response to being supplied with the clock WS. At this time, the data of the Nth leading word Do,N is calculated by multiplying the upper address value by n and the lower address value by n during the period between time t1 and time t2 (m,
n) is written to the area specified by the address.

この場合は、カウンタ13の出力(7d)が上位アドレ
ス値(+n)となり、カウンタ12の出力(0)がnア
ドレス値となるので、アドレス(7d 、O)へ先頭ワ
ードのデータが書込まれることになる。次の10− ワードD1.N−dのデータは、アドレス(7d。
In this case, the output (7d) of the counter 13 becomes the upper address value (+n), and the output (0) of the counter 12 becomes the n address value, so the data of the first word is written to the address (7d, O). It turns out. Next 10- Word D1. The data of N-d is the address (7d.

1)に−込まれる。以後同様にして、下位3ピツ1への
アドレスが1ワードごとに1ずつアップして、カウンタ
13の出力とカウンタ12の出力とで決定される書込ア
ドレスへワードD2〜D7のデータが書込まれる。
1). Thereafter, in the same manner, the address to the lower three bits 1 is incremented by 1 for each word, and the data of words D2 to D7 is written to the write address determined by the output of the counter 13 and the output of the counter 12. It will be done.

そして、時刻[3において、8ワードのデータの書込み
が終了すると、クロックWBが与えられる。このため、
カウンタ13の計数値が1だけ歩進されて、上位アドレ
ス(m )が(7d+1>となり、次のブロック(N+
1)の各ワードのデータが順次書込まれる。
Then, at time [3], when writing of 8 words of data is completed, the clock WB is applied. For this reason,
The count value of the counter 13 is incremented by 1, the upper address (m) becomes (7d+1>), and the next block (N+
The data of each word of 1) is sequentially written.

次に、第2図、第4図および第5図を参照して、第4図
のタイムチ1フートに沿って続出アドレス指定回路の動
作を説明する。
Next, with reference to FIGS. 2, 4, and 5, the operation of the successive addressing circuit will be described along the time chain foot of FIG. 4.

時刻t1において、クロックRBが入力されるので、カ
ウンタ15の計数値がOになる。このとぎ、カウンタ1
3は初期設定回路19によって初期設定されて、mビッ
トの上位アドレスは読出系が書込系よりも7dだけ遅れ
るように設定されている。このため、上位続出カウント
値がOどなる。
At time t1, the clock RB is input, so the count value of the counter 15 becomes O. At this point, counter 1
3 is initialized by the initial setting circuit 19, and the m-bit upper address is set so that the read system lags the write system by 7d. For this reason, the count value of the higher rankings becomes O.

時刻t4において、ロードクロックが入力端子11eに
与えられるので、カウンタ゛16にはOがロードされる
。このため、呼出アドレスは(0゜0)となる。このと
きのメモリの出力は、第5図に示すように、Do、Nに
対して7dブロツクだ番プ前のデータであるDO,N−
7dが出力される。
At time t4, the load clock is applied to the input terminal 11e, so O is loaded into the counter 16. Therefore, the calling address becomes (0°0). The output of the memory at this time is, as shown in FIG.
7d is output.

時刻t5において、クロックR3が与えられると、カウ
ンタ15の出力が1となる。これど同時に、カウンタ1
6が1だけ歩進し、上位読出アドレス値がdだ番プ歩進
される。このため、メモリの読出アドルスは(d、1)
となり、DI、N−d−66(=D1.11−76 )
のデータがメモリから読出される。
At time t5, when clock R3 is applied, the output of counter 15 becomes 1. At the same time, counter 1
6 is incremented by 1, and the upper read address value is incremented by d. Therefore, the memory read address is (d, 1)
So, DI, N-d-66 (=D1.11-76)
data is read from memory.

以後同様に1ノで、カウンタ15および16の81数値
を1ずつ歩進させて、両針数値で指定されるアドレスに
記憶されているデータを読出すことによって最終的には
第1図の5で示す第N−7d番目の訂正ブロックのワー
ド配列を得ることができる。
Thereafter, in the same way, the 81 values of counters 15 and 16 are incremented by 1, and the data stored in the address specified by the numerical values of both hands is read out, finally reaching 5 in Figure 1. The word arrangement of the N-7dth correction block can be obtained as shown in FIG.

以上のような動作が書込系と読出系の同期をとりながら
、しかもワードD7のデータを書込んでから読出づよう
にクロックの位相を合せてメモリを順次アドレス指定づ
”ることにより、連続的にディンターリーブが行なわれ
る。第1図の例では、3に示すブロックのデータを上位
アドレス値7(1に書込んだ後、次のブロックのデータ
を上位アドレス値がOの番地に讃込み、読出アドレスが
(7d、7)のデータ(D7.N−76)を読出した後
、次の訂正ブIコックの先頭ワードのデータ(DO,N
−7d+1)をアドレス(1,0)から読み始めること
により、ワードの1ピツ1〜あたり8x(7d+−l)
ピッ1−のメモリを巡回してディンターリーブを行なう
ことができる。
The above operations can be performed continuously by synchronizing the write system and the read system, and by sequentially addressing the memory by matching the clock phase so that the data of word D7 is written and then read. In the example shown in Figure 1, after writing the data of the block shown in 3 to the upper address value 7 (1), the data of the next block is written to the address whose upper address value is O. After reading the data (D7.N-76) whose read address is (7d, 7), read the data (DO, N-76) of the first word of the next correction block I cock.
-7d+1) starting from address (1,0), 8x(7d+-l) per 1 bit of word
Dinterleaving can be performed by cycling through the memory of pin 1-.

ところが、第2図に示すような従来のアドレス指定装笥
は、回路構成が簡単である反面、ゲインターリーブに必
要なメモリ容量がワードの1ビツトあたり28dである
のに対し、8x(7d+1)ビット使用するため、メモ
リ容量が大きくなるという欠点があった。
However, while the conventional addressing device shown in Fig. 2 has a simple circuit configuration, the memory capacity required for gain interleaving is 28 d per bit of a word, whereas it is 8 x (7 d + 1) bits. The disadvantage is that the memory capacity increases due to the use of

13− それゆえに、この発明は、上述のような従来のものの欠
点を除去するためになされたもので、従来方式のメモリ
容量の約半分でディンターリーブを行なうことができ、
安価なアドレス指定装置を提供することを目的とする。
13- Therefore, this invention was made to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional method, and it is possible to perform dinterleaving with about half the memory capacity of the conventional method,
The purpose is to provide an inexpensive addressing device.

この発明は、要約すれば、サンプル対応のアドレスを途
中で折返すとともに、上位アドレスも変化させるように
したものである。
To summarize, this invention is such that the address corresponding to the sample is turned back midway, and the upper address is also changed.

以下に、図面を参照して、この発明の具体的な実施例を
説明する。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第6図はこの発明の一実施例のメモリのアドレス指定装
置のブロック図である。図において、ディンターリーブ
のためのメモリのアドレスを指定する装置は、書込アド
レス指定回路20.続出アドレス指定回路30およびセ
レクタ14を含んで構成される。書込アドレス指定装@
20は、ゲート回路21.カウンタ22.制御回路23
.カウンタ24〜26.減算器27および初期設定回路
28を含んで構成される。このゲート回路21および−
」御回路23によって、刺部手段が構成され14− る。jyウンタ22は、mビットのアドレスを発生ずる
第1のアドレスデータ発生手段として働く。
FIG. 6 is a block diagram of a memory addressing device according to an embodiment of the present invention. In the figure, the device for specifying the memory address for dinterleaving is a write addressing circuit 20. It is configured to include a successive addressing circuit 30 and a selector 14. Write address specification device @
20 is a gate circuit 21. Counter 22. Control circuit 23
.. Counters 24-26. It is configured to include a subtracter 27 and an initial setting circuit 28. This gate circuit 21 and -
The control circuit 23 constitutes a barb means 14-. The jy counter 22 functions as a first address data generating means for generating an m-bit address.

カウンタ24〜26および減算器27によって、nピッ
1〜のアドレスデータを発生するための第2のアドレス
データ発生手段が構成される。
The counters 24 to 26 and the subtracter 27 constitute a second address data generating means for generating address data of n pips 1 to 1.

次に、−込アドレス指定回路20の具体的な構成を説明
する。グー1〜回路21は、クロックWS。
Next, a specific configuration of the -include address designation circuit 20 will be explained. Goo 1 to circuit 21 are clocks WS.

制御回路23の出力a、bが入力される。このゲート回
路21は、第7図に示すように2つのオアゲー1〜21
1.212から構成される。カウンタ22は、2ビツト
出力を有するアップダウンカウンタであって、ゲート回
路11の一方の出力Cが加算入力端子に与えられ、他方
の出力dが減算入力端子に与えられる。カウンタ22の
リセット端子には、クロックWBが入力される。
Outputs a and b of the control circuit 23 are input. This gate circuit 21 connects two OR games 1 to 21 as shown in FIG.
1.212. The counter 22 is an up/down counter having a 2-bit output, and one output C of the gate circuit 11 is applied to an addition input terminal, and the other output d is applied to a subtraction input terminal. A clock WB is input to the reset terminal of the counter 22.

カウンタ24は、4ビツトカウンタであって、クロック
WSによって歩進され、初期設定回路28によって初期
設定される。カウンタ25は、カウンタ24のキャリー
出力を入力とし、初期設定回路28の出力でプリセット
される。カウンタ26は、ゲート回路21の出力dが加
算入力端子に与えられ、パラレルロード入力としてカウ
ンタ25の出力が与λられる。カウンタ26は、入力端
子11fを介して入力される書込ロードク[1ツク(以
下クロックWL)が与えられるごどに、カウンタ25の
出力をロードする。減算器27は、制御回路23の出力
aが1(ハイレベル)のときOlまたはその出力aがO
(ローレベル)のとぎ4+1を、カウンタ2牡26の出
力4二↓〒減算するものである。このカウンタ22の出
力がnピッ]・の書込アドレスとしてセレクタ14に与
λ、られ、減算器27の出ノ〕がmビットの書込アドレ
スデータとしてセレクタ14に与えられる。したがって
、メモリ(図示せず)はカウンタ22の計数値によって
下位2ビツトの書込アドレスが指定され、減算器27の
出力によって上位書込アドレスが指定される。
The counter 24 is a 4-bit counter, is incremented by the clock WS, and is initialized by the initial setting circuit 28. The counter 25 receives the carry output of the counter 24 as an input, and is preset by the output of the initial setting circuit 28. In the counter 26, the output d of the gate circuit 21 is applied to an addition input terminal, and the output λ of the counter 25 is applied as a parallel load input. The counter 26 loads the output of the counter 25 every time a write load clock (hereinafter referred to as clock WL) is applied via the input terminal 11f. When the output a of the control circuit 23 is 1 (high level), the subtracter 27 outputs O1 or its output a.
(low level) 4+1 is subtracted from the output 42↓ of the counter 226. The output of the counter 22 is applied to the selector 14 as an n-bit write address, and the output of the subtracter 27 is applied to the selector 14 as m-bit write address data. Therefore, in a memory (not shown), the lower two bits of the write address are specified by the count value of the counter 22, and the upper write address is specified by the output of the subtracter 27.

次に、読出アドレス指定回路30の具体的な構成は、初
期設定回路28がない点を除いて続出アドレス指定回路
20と同様に回路構成される。そこで、図示では、十の
位の参照番号を30番台で示す。読出アドレス指定回路
30に含まれる減算器37は、制御回路33の出力aが
1のどきO9出ノ〕aがOのとき3+1をカウンタ34
と36で示される直から減算するように働く。それ以外
の構成は続出アドレス指定回路?0ど同様であるため、
詳細な説明を省略する。
Next, the specific configuration of the read address designation circuit 30 is the same as that of the subsequent read address designation circuit 20 except that the initial setting circuit 28 is not provided. Therefore, in the illustration, reference numbers in the tens digit are shown in the 30s. When the output a of the control circuit 33 is 1, the subtracter 37 included in the read address designation circuit 30 outputs 3+1 when the output a of the control circuit 33 is 0.
It works to subtract from the direct shown by 36. Is the other configuration a continuous addressing circuit? Since it is the same as 0,
Detailed explanation will be omitted.

第7図は第6図のグー1−回路21および制御回路23
の詳細くr回路図である。制御回路23の具体的な構成
を説明すると、ナントゲート231はカウンタ22の出
力aを入力として受(−1,3を検出するど0くロー1
ノベル)を出力するものである。
Figure 7 shows the goo 1 circuit 21 and control circuit 23 in Figure 6.
FIG. 2 is a detailed circuit diagram of FIG. To explain the specific configuration of the control circuit 23, the Nant gate 231 receives the output a of the counter 22 as an input (when it detects -1 and 3, it outputs 0 and 1).
novel).

オアゲート232は、ナンドゲ−1〜231の出力とク
ロックWSが入力されて、その出力をD形フリップ70
ツブ(以下DFF>233のクロック入力端子に与える
。DFF233のリセット入力端子には、クロックW 
Bがパノjされる。0FF233のD入力端子は′pl
源(V)に接続される。DFF233の出力Oおよびナ
ントゲート231の出力は、ナントゲート234に与え
られる。
The outputs of the NAND games 1 to 231 and the clock WS are input to the OR gate 232, and the output is sent to the D-type flip 70.
The clock input terminal (hereinafter DFF>233) is supplied to the clock input terminal of DFF233.
B is panned. The D input terminal of 0FF233 is 'pl
connected to the power source (V). The output O of the DFF 233 and the output of the Nantes gate 231 are given to the Nantes gate 234.

=17− 第8図はゲート回路21および制御回路23のタイムチ
ャートを示す。次に、書込アト[ノス指定回路20おJ
:び読出アドレス指定回路30の動作説明に先立ち、第
7図および第8図を参照して制御回路23おJ:びゲー
ト回路21の動作を説明覆る。
=17- FIG. 8 shows a time chart of the gate circuit 21 and the control circuit 23. Next, write at [nos designation circuit 20
Prior to explaining the operations of the control circuit 23 and read addressing circuit 30, the operations of the control circuit 23 and the gate circuit 21 will be explained with reference to FIGS. 7 and 8.

時刻t1において、クロックWBがローしノベルになる
と、カウンタ22および0FF233がリセットされる
。このため、ナントゲート231の出力eおよびDFF
の反転出力aがともにハイレベルとなり、ナントゲート
234の出力すかローレベルどなる。以後、り0ツクW
Sはオアゲート211を介してカウンタ22の加算入)
〕端子に与えられる。
At time t1, when the clock WB goes low and becomes novel, the counter 22 and 0FF 233 are reset. Therefore, the output e of the Nant gate 231 and the DFF
The inverted outputs a of both become high level, and the output of the Nantes gate 234 becomes low level. From then on, RI0TSUKW
S is the addition input of the counter 22 via the OR gate 211)
] given to the terminal.

時刻t6において、オアゲーi−211の出力Cの立下
がりで、カウンタ22の計数値が3となり、ナントゲー
ト231の出力eがローレベルとなる。
At time t6, the output C of the OR game i-211 falls, the count value of the counter 22 becomes 3, and the output e of the Nant gate 231 becomes low level.

時刻t7において、Aアゲ−1−232の出力fによっ
て、DFFの反転出力aがハイレベルからローレベルに
変化する。このため、ナントゲート18− 234の出力すが時刻t6から次のクロックWBの変化
のある時刻t3の期間中ハイレベルとなり、出力aが時
刻t7から時刻t3までの期間中ローレベルとなる。こ
れによって、オアゲー)−211は時刻t1〜t6の期
間に入力されたクロックWSを出力する。オアゲート2
12は、時刻【7〜t3の間に入力されたり[1ツクW
Sを出力する。
At time t7, the inverted output a of the DFF changes from high level to low level due to the output f of A-1-232. Therefore, the output of the Nantes gate 18-234 becomes high level during the period from time t6 to time t3 when the next clock WB changes, and the output a becomes low level during the period from time t7 to time t3. As a result, ORGAME)-211 outputs the clock WS input during the period from time t1 to time t6. or gate 2
12 is input between time [7 and t3]
Output S.

したがって、カウンタ22の出力は0から3までカウン
トアツプし、計数値3を2クロック間維持した後、0ま
でダウンカウントするような動作を繰返す。
Therefore, the output of the counter 22 repeatedly counts up from 0 to 3, maintains the count value 3 for two clocks, and then counts down to 0.

第9図は書込アドレス指定回路20の動作を説明するた
めのタイムチャートである。
FIG. 9 is a time chart for explaining the operation of the write address designating circuit 20.

第10図はこの発明の書込アドレス指定回路20によっ
て書込アドレスが指定され、または続出アドレス指定回
路30によって読出アドレスが指定されるメモリのマツ
プを図解的に示した図である。図において、横軸には下
位ンビットのアドレスが示され、縦軸には上位アドレス
が示される。
FIG. 10 is a diagram schematically showing a memory map to which a write address is designated by the write address designation circuit 20 or a read address is designated by the successive address designation circuit 30 of the present invention. In the figure, the horizontal axis shows the address of the lower bit, and the vertical axis shows the upper address.

図中の丸印は読出アドレスデータを示し、三角印は書込
アドレスデータを示づ。
Circle marks in the figure indicate read address data, and triangular marks indicate write address data.

次に、第6図、第9図および第10図を参照して、第9
図のタイムチャートに沿って書込アドレス指定回路20
の動作を説明する。
Next, with reference to FIGS. 6, 9, and 10,
Write address designation circuit 20 according to the time chart in the figure.
Explain the operation.

時刻t1において、クロックWBがローレベルとなり、
カウンタ22の出力がローレベルとなる。
At time t1, clock WB becomes low level,
The output of the counter 22 becomes low level.

これと同時に、カウンタ24および25で構成される上
位アドレスを指定するためのカウント値が1だけアップ
し、7d+1となる。
At the same time, the count value for designating the upper address made up of counters 24 and 25 increases by 1, and becomes 7d+1.

時刻t8において、ローレベルのクロックWSが与えら
れるど、カウンタ26にはカウンタ25の値がロードさ
れる。このとき、減算器28の減数はOであるので、−
込アドレスが(7d−11゜0)となる。このため、第
N番目のブロックのワードDoのデータが時刻18〜t
2の期間において、アドレス(7d+1.O)へ書込ま
れる。
At time t8, when the low level clock WS is applied, the value of the counter 25 is loaded into the counter 26. At this time, the subtracted number of the subtracter 28 is O, so -
The included address will be (7d-11°0). Therefore, the data of word Do of the Nth block is from time 18 to t.
In period 2, it is written to address (7d+1.O).

時刻t2において、クロックWSの立上がりでカウンタ
22の計数値が1となる。このため、次のワードD1の
データがアドレス(V d→−1,1)へ書込まれる。
At time t2, the count value of the counter 22 becomes 1 at the rising edge of the clock WS. Therefore, the data of the next word D1 is written to the address (V d→-1,1).

以後同様にして、クロックWSが与えられるごとに、カ
ウンタ22の計数値が1ずつ歩進し、下位2ピツI〜の
アドレスが変化する。
Thereafter, in the same manner, each time the clock WS is applied, the count value of the counter 22 increments by 1, and the addresses of the lower two bits I~ change.

そして、時刻+7において、制御回路23の出力ah<
Oどなり、減綽数が4d+1となるため、アドレスが(
36,3)に変化する。したがって、D4.、ll−4
dのデータがアドレス(3d 、3)へ書込まれる。
Then, at time +7, the output ah< of the control circuit 23
The address is (
36,3). Therefore, D4. ,ll-4
The data of d is written to address (3d, 3).

時刻t9にあい−(、ゲー[・回路21の出力dとして
、クロックWSがカウンタ22およびカウンタ26の減
算入力として与えられる。このため、クロックWSがロ
ーレベルからハイレベルに変化すると、下位アドレスが
1だけダウンするとともに、カウンタ26の計数値が1
だけダウン(すなわち上位アドレスがdだけダウン)す
る。これによって、D5.N−56のデータがアドレス
(2d、2)へ、D6.If−66のデータがアドレス
(d、1)へ、D7.N−7dのデータがアドレス(0
,O)へ順次書込まれる。このようにして時刻【1から
[3までの期間において、1ブロツクのデータ書込が終
了する。なお、時刻t3以後21− は、前述の動作と同様にして上位hラント直が1だけア
ップ(すなわち7d→−2)して、次の10ツクの各ワ
ードのデータ書込が行なわれる。
At time t9, the clock WS is given as the output d of the circuit 21 and as the subtraction input of the counter 22 and the counter 26. Therefore, when the clock WS changes from low level to high level, the lower address The count value of the counter 26 decreases by 1 and the count value of the counter 26 decreases by 1.
(that is, the upper address is down by d). With this, D5. N-56 data goes to address (2d, 2), D6. If-66 data goes to address (d, 1), D7. The data of N-7d is the address (0
, O) sequentially. In this manner, writing of one block of data is completed during the period from time [1 to time [3]. Note that after time t3 at 21-, the high-order h runt is incremented by 1 (ie, 7d→-2) in the same way as in the above-described operation, and the data of each of the next 10 words is written.

第11図は読出アドレス指定回路30の動作を説明する
ためのタイムチャートである。次に、第6図、第10図
および第11図を参照して、第11図のり、イムチャー
トに沿って読出アドレス指定回路30の動作を説明する
FIG. 11 is a time chart for explaining the operation of the read addressing circuit 30. Next, with reference to FIGS. 6, 10, and 11, the operation of the read address designating circuit 30 will be described along the time chart of FIG.

時刻t1において、クロックRBがローレベルになると
、カウンタ32の引数値がOになるとともに、カウンタ
34および35で構成される上位読出カウント値が1だ
けアップし、0から1に蚊化する。ここで、読出系と書
込系のアドレスを対比すると、上位読出カウント値がO
のとき、初期設定回路28によって上位書込カウント値
が7dに設定されている。また、クロックWBとクロッ
クRBとが同一周波数に選ばれているため、上位書込カ
ウンi・値が7d〜11のとぎ、上位続出カウント値が
1どなる。
At time t1, when the clock RB becomes low level, the argument value of the counter 32 becomes O, and the upper read count value constituted by the counters 34 and 35 increases by 1, changing from 0 to 1. Here, if we compare the read-related and write-related addresses, the upper read count value is 0.
At this time, the upper write count value is set to 7d by the initial setting circuit 28. Further, since the clock WB and the clock RB are selected to have the same frequency, when the upper write count i value is between 7d and 11, the upper successive count value becomes 1.

時刻t4において、ロードクロックがカウンタ22− 36に与えられると、カウンタ36はOをロードする。At time t4, the load clock reaches counter 22- 36, counter 36 loads O.

したか−)で、このとき指定されるアドレスは(1,O
)となる。アドレスが(1,0)のときのデータ(jl
、アドレスが<76+1.1)のデータ(Do、N)よ
りも7dだ番プ前のブロックのデータであるため、メモ
リからはDO,N−76のデータが読出される。
The address specified at this time is (1, O
). Data (jl) when address is (1,0)
Since the data is in a block 7d earlier than the data (Do, N) whose address is <76+1.1), the data DO, N-76 is read from the memory.

時刻t5において、グー1−回路31の出力dによって
、カウンタ32の81数値が1となり、カウンタ36の
g1数値が1だけアップする。このとぎ指定されるアド
レスは、(d+l、1)となる。
At time t5, the 81 value of the counter 32 becomes 1 due to the output d of the goo 1-circuit 31, and the g1 value of the counter 36 increases by 1. The specified address is (d+l, 1).

メモリから読出されるデータは、Dl、N−d −6d
  (−DI、I”17d )のデータである。このよ
うな動作が03.N−7dのデータを読出すまで繰返さ
れる。
The data read from the memory is Dl, N-d -6d
(-DI, I"17d). Such operations are repeated until data 03.N-7d is read out.

時刻t10以後は、制御回路33の出′jJaによって
、減算器37の減数が3d+1となる。このため、アド
レスが(0,釦と□なり、D4.N−7dのデータがメ
モリから読出される。
After time t10, the subtracted number of the subtracter 37 becomes 3d+1 due to the output 'jJa of the control circuit 33. Therefore, the address becomes (0, button and □), and the data of D4.N-7d is read from the memory.

時刻【5において、カウンタ32のみが1だけダウンし
、アドレスが(0,2>となる。このアドレス(0,2
)で指定される05.N−7dのデータがメモリから読
出される。以後同様にして、クロックR8が与えられる
ごとに、カウンタ32の値が1ずつダウンして、D6.
N−7dのデータおよび07.1l−7dのデータが順
次読出される。
At time [5], only the counter 32 goes down by 1, and the address becomes (0, 2>.
) 05. N-7d data are read from memory. Thereafter, in the same manner, each time the clock R8 is applied, the value of the counter 32 decreases by 1 until D6.
Data of N-7d and data of 07.11-7d are read out sequentially.

時刻t12において、第N−di目の誤り訂正ブロック
の8ワードの読出が終了する。
At time t12, reading of 8 words of the N-di-th error correction block is completed.

第12図はセレクタ14の動作を説明するだめのタイム
チャートである。第12図では、入力端子11fに与え
られるセレクト信号によって、セレクタ14が続出アド
レスと書込アトlメスとを選択的に切替えてメモリに与
える場合を示乃。
FIG. 12 is a time chart for explaining the operation of the selector 14. FIG. 12 shows a case where the selector 14 selectively switches between the successive address and the write address and supplies the selected address to the memory in response to the select signal applied to the input terminal 11f.

たとえば、セレクト信号がハイレベルの揚台は、書込ア
ドレスが選択されて、出力端子11oを介してメモリに
与えられる。一方、セレクト信号がローレベルのとき、
読出アドレスが選択されて、出力端子11(Iを介しχ
メモリに与えられる。このように、クロックWBとクロ
ックRBとが1iYJ −周期て〜あり、1ブロツク内
に時分割によってメtりの書込または読出を1°工ない
、ブロック変史勺るどどもに、上位カウント値を歩進し
てメモリの指定)7ドレスを巡回させることによって、
連続的にディンターリーブを行なうことができる。
For example, for a platform whose select signal is at a high level, a write address is selected and applied to the memory via the output terminal 11o. On the other hand, when the select signal is low level,
The read address is selected and output terminal 11 (χ
given to memory. In this way, the clock WB and the clock RB have a cycle of 1iYJ-, and the upper count is calculated by those who talk about the block modification history that requires 1 degree of writing or reading by time division within one block. By incrementing the value and cycling through the 7 addresses (memory specification),
Dinterleaving can be performed continuously.

なお、書込アト1ノスが選択された場合と読出アドレス
が選択された場合におけるメモリの指定アドレス値は、
第12図を参照づ−れば容易に叩解できるので”、その
詳細な説明を省略する。
Note that the specified memory address value when write at 1 no. is selected and when read address is selected is as follows.
Since the beating can be easily carried out by referring to FIG. 12, detailed explanation thereof will be omitted.

ところで、上述の実施例では、カウンタ22および32
をOか1うスタートさける場合を説明したが、3からス
タートさせる場合は次のように構成すればよい。すなわ
ち、第1に、カウンタ22および32のアップ入力とダ
ウン入力を入替え、第2に制御回路23.32に含まれ
る3を検出するナンドゲ−1−に代えてOを検出するオ
アゲートを用いることにより、ディンターリーブを行な
うことができる。また、インターリーブの場合は、カウ
ンタ26をアップカウンタに置換え、カウンタ36をダ
ウンカウンタに置換え、初期設定を0と25− し、減算器27の減算数を15d+1とし、減算器37
の減算数を166とすることによって実現できる。
By the way, in the above embodiment, the counters 22 and 32
We have explained the case where you want to avoid starting from 0 or 1, but if you want to start from 3, you can configure it as follows. That is, firstly, by replacing the up input and down input of the counters 22 and 32, and secondly, by using an OR gate that detects 0 in place of the NAND game 1 that detects 3 included in the control circuit 23.32. , dinterleave can be performed. In the case of interleaving, the counter 26 is replaced with an up counter, the counter 36 is replaced with a down counter, the initial settings are set to 0 and 25-, the number of subtractions of the subtracter 27 is set to 15d+1, and the subtracter 37 is set to 0 and 25-.
This can be realized by setting the number of subtractions to 166.

以上のように、この発明によれば、従来のものに比べて
、ワードの1ビツトあたり4(7d+2)ビット(従来
の約半分)のメモリ容量でインターリーブを行なうこと
ができ、装置を安価に製作できるなどの効果がある。こ
の発明の効果は、信号処理部をLSI化し、メモリを外
付とづ−るような構成の場合に、一層顕著となる。
As described above, according to the present invention, interleaving can be performed with a memory capacity of 4 (7d + 2) bits per word (about half of the conventional one) compared to the conventional one, and the device can be manufactured at a lower cost. There are effects such as being able to. The effects of the present invention become even more remarkable in the case of a configuration in which the signal processing section is implemented as an LSI and the memory is externally attached.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の背景となるインターリーブおよびゲ
インターリーブを説明するためのデータフォーマットの
図解図である。第2図は従来のメモリアドレス指定回路
のブロック図である。第3図は第2図の回路の書込動作
を説明するためのタイムチャートである。第4図は第2
図の回路の読出動作を説明するためのタイムチャートで
ある。 第5図は従来のメモリアドレス指定回路のメモリマツプ
を図解的に示した図である。第6図はこの26一 発明の一実施例のメモリアドレス指定装置の回路図であ
る。第7図はグー1〜回路および制御回路の詳細な回路
図である。第8図は第7図の動作を説明するためのタイ
ムチt1−1〜である。第9図は第6図の回路の書込動
作を説明するためのタイムチャー1〜である。第10図
はこの発明に適用されるメモリマツプを図解的に示した
図である。第11図は第6図の回路の読出動作を説明す
るためのタイムチャートである。第12図はセレクタの
動作を説明するためのタイムチャートである。 図において、10は従来のメモリアドレス指定装置、2
0は読出アドレス指定回路、30は書込アドレス指定回
路、21.31はゲート回路、22.24〜26,32
.34〜36はカウンタ、23.33は制御回路、27
.37は減算器、28は初期設定回路、14はセレタク
を示す。 代理人  葛 野 信 −(外1名) 27− 城 −626− VンC(コ− ≧               ≧ 昭和  年  月  日 特許庁長官殿 1、事件の表示    特願昭57−108207号2
、発明の名称 メモリのアドレス指定方法およびその装置3、補正をす
る者 (1) 6、補正の対象 明細書全文および図面 7、補正の内容 (1) 明細書の発明の名称の「メモリのアトシティ 
ソウチ レス 指 定 装 置」を[メモリのアドレスシティ 
ホウホウ      ソウチ 指 定 方 法 およびその !!i  @Jに訂正し
ます。 (2) 明細書を別紙のとおり全文訂正します。 (3) 図面の第1図ないし第12図を別紙のとおり訂
正します。 (4) 図面の第13図ないし第22図を別紙のとおり
追加します。 以上 2− 全文訂正明細書 1、発明の名称 メモリのアドレス指定方法およびその装置2、特許請求
の範囲 法であって、 LLI’i’−Bずつ口 するステップと、 あり、 定方法。 5−− −の 方法。 あり、 3− 数多ヨ一 定方法。 4− ていて 1        か       だけ定」
L置ニー であり、 指定装置。 (14) 前記所定整数値B、EおよびFは正の値であ
り、 定!fil!。 (15) 前記所定整数値B、DおよびGは正の値であ
り、 11I!!!   −は の であ であり、 であり、 指定装置。 3、発明の詳細な説明 この発明は、メモリのアドレス指定方法およびその装置
に関し、特に、メモリを用いてデータを7− ブロック単位でインターリーブまたはディンターリーブ
する場合のメモリのアドレス指定方法およびその装置に
関する。 最近、PCM録音機やPCMオーディオディスクには、
高品質の再生音を得るために、誤り訂正符号が用いられ
ている。この誤り訂正符号を用いる誤り訂正方式は、ア
ナログ信号をサンプリングして得た標本化信号のワード
列を複数ワードまたは複数フレームのブロック単位に区
切り、各ブロックに誤り訂正ワードを付加して1つの誤
り訂正ブロックを構成し、伝送路上で誤ったワードに対
して再生時に訂正を行なう方式である。しかし、このよ
うな誤り訂正方式には限界があり、伝送路上でバースト
誤りが生じることによって、1つの誤り訂正ブロック内
のほとんどのワードが誤ったときには訂正不可能どなる
。 従来、バースト誤りの対策としては、記録時に誤り訂正
ブロック内の各ワードを分散させるインターリーブ方式
を行ない、記録媒体上で各ワードをある間隔をおいて記
録し、再生時にもとの配列8− に戻すディンターリーブを行なうことによって、誤り訂
正が行なわれていた。 第1図は、この発明のを景となるインターリーブおよび
ディンターリーブの処理を説明するためのデータフォー
マットの図解図である。図示では、1フレームを1ブロ
ツクとし、1ブロツクがり。 〜D7の8ワードからなる誤り訂正ブロックを示す。こ
の場合において、グループ1は標本化信号ワードに誤り
訂正符号を付加したDo〜D7の8ワードからなる第N
番目の誤り訂正ブロックを示す。たとえば、ワードDo
−D5がデータであり、ワードD6およびD7が誤り訂
正符号である。但し、Nは整数である。グループ2は1
ブロツク内の各ワードDo、DI、D2〜D7の遅延量
を示し、それはQ、d 、 2d〜7dと定められてい
る。 但し、dは整数の単位遅延量を示し、たとえば1ワード
のデータ伝送時間に選シれる。以下の説明においては、
−例としてd−16としている。インターリーブに際し
ては、コブロック内の各ワードDo−D7が、各ワード
に対応する遅延量だけ遅延される。グループ3はインタ
ーリーブ後の1ブロツクのワード構成を示す。インター
リーブの処理後において、各ブロックは、異なった番号
の誤り訂正ブロック内にあったワードで構成され、それ
がレコード盤等の記録媒体に記録される。グループ4は
、前述のごとくインターリーブされたデータをディンタ
ーリーブする場合における各ワードごとの遅延量を示す
。ディンターリーブの際の遅延量は、インターリーブの
際の遅延量に逆比例した値に選ばれる。たとえば、イン
ターリーブ時の遅延量がワードDo、D1〜D7のそれ
ぞれにつきO,d〜7dに選ばれた場合は、ディンター
リーブ時の遅延量はそれぞれ7d 、6d −0に選ば
れる。グループ5は、ゲインターリーブの処理が行なわ
れた後の1誤り訂正ブロックのフォーマットを示す。図
示から明らかなように、各ワードDo〜D7は、すべて
N、−7d番目の誤り訂正1゜ ブロックのワードと等しくなり、遅延量7dがある点を
除いてインターリーブ前の組合せに戻ったことになる。 第゛1図に示すようなインターリーブの処理およびディ
ンターリーブの処理を行なうと、伝送路上でバースト誤
りが生じて、グループ3で示すブロックの8ワ一ド分の
長さの誤りが生じたとしても、ディンターリーブの処理
を行なうことにより誤ったワードが分散されるので、デ
ィンターリーブの処理によって得られた1ブロツク内で
は1ワードのみの誤りとなり、訂正が可能となる。この
ようなインターリーブおよびゲインターリーブの処理を
実現するため(二は、1ブロツクのワートデータをメモ
リに一旦蓄え、その袋所定の順序で各ワードを読出す方
法が用いられる。以下に、インターリーブおよびディン
ターリーブを行なう際のメモリのアドレス制御を説明す
る。 まず、ディンターリーブを行なう場合につき説明する。 第2図は、ディンターリーブ処理を行なう場合における
従来のメモリのアドレス指定装置のブロック図である。 図におい゛(、アドレス指定装w110は、書込アドレ
ス指定回路101および読出ア11− ドレス指定回路102を含む。以下に、アドレス指定装
置10の具体的な構成を説明する。入力端子11aには
、書込サンプルクロックWS(以下り[IツクWSと言
う。)が与えられる。このクロックWSは、カウンタ1
2の加算入力端子UPに与えられる。カウンタ12は、
3ビツト出力を有し、クロックWSの与えられるごとに
加算動作して、イの目数値を1ブロツク内のワードに対
応する書込アドレスデータとして導出する。入力端子1
1bには、書込ブロック変更クロックWB(以下り【コ
ックWBと言う。)が与えられる。このクロックWBは
、カウンタ12のリセット端子Rに与えられるとともに
、カウンタ13の加算入力端子UPに与えられる。これ
らのカウンタ12および13の出力によってメモリ40
の書込アドレスが決定される。ずなわら、カウンタ12
の出力は、メモリ40の下位、3ビツトを指定する書込
アドレス制御タど()でセレクタ14に与えられる。カ
ウンタ13の出力は、メモリ40の上位アドレスを指定
づ−る書込アドレスデータとしてセレクタ1412− に与えられる。 入力端子11Gには、続出サンプルクロックR8(以下
クロックR8と言う。)が与えられる。 このクロックR8は1誤り訂正ブロック内の8ワードに
対応する。りロックR8は、カウンタ15の加算入力端
子UPに与えられるとともに、カウンタ16の加算入力
端子UPにも与えられる。カウンタ15は、3ビツト出
力を有し、クロックR8が与えられるごとに加算動作し
、入力端子11dへ入力されるクロックRBによってリ
セットされる。クロックRBは、続出ブロック変更クロ
ックであって、誤り訂正ブロックの番号が進むとともに
1クロツクずつ与えられる。このクロックRBは、カウ
ンタ17の加算入力端子UPに与えられる。カウンタ1
7は、4ビツト出力を有し、キャリー出力端子OAから
キャリー出力をカウンタ18の加算入力端子UPに与え
る。カウンタ18は、その計数値をカウンタ16のパラ
レルロード入力として与える。カウンタ16には、入力
端子11eに与えられるロードクロックLDが入力され
る。これらのカウンタ15〜17の出力によってメモリ
40の続出アドレスが決定される。すなわち、カウンタ
15の出力は下位3ビツトのアドレスを指定する読出ア
ドレスデータとして導出される。カウンタ16および1
7の出力はメモリの上位のアドレスを指定する続出アド
レスデータとして導出される。これらの読出アドレスデ
ータがセレクタ14に与えられる。 レレクタ14は、入力端子111’に与えられるセレク
ト信号SLによって、書込アドレスまたは続出アドレス
を切換えて導出するものである。このセレクタ14で選
択された書込アドレスデータまたは読出アドレスデータ
は、メモリのアドレスデータとして出力端子11gから
導出されて、メモリ40に与えられる。 初期設定回路19には、カウンタ17および18の出力
が入力される。この初期設定回路19は、カウンタ17
および1゛8の出力で決まる値がOのとき、カウンタ1
3のカウント値を7dに設定する出力を発生するもので
ある。 第2図に示すアドレス指定装置の動作を詳細に説明する
前に、第3図を用いてその概略的な動作を説明する。第
3図は、ディンターリーブを行なう際の1ワード内の1
ビツトあたりのメモリマツプを図解的に示した図である
。行アドレスとして上位アドレス値が選ばれており、列
アドレスとして下位3ビツトのアドレス値が選ばれてい
る。三角印は書込データを示し、丸印は読出データを示
す。データの書込は、行アドレスを所定値に保ちつつ、
列アドレスをOから7に1ずつ変化させて行なう。同様
のことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。図
では、行アドレス7d、列アドレスO〜7にデータ(D
o、N)、(Dl、N−d )、(D2.N−2d )
、(03,N−3d )、(D4.N−46)、(D5
.N−56)。 (D6.N−66)および(D7.N−76)がそれぞ
れ順に書込まれている場合を示す。データの読出は、書
込時のアドレスから7dだけ減拝して得られる行アドレ
スにdを加算するごとに列アドレスをOから7に1ずつ
変化させて行なう。同15一 様のことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。 図では、アドレス(0,1)、(6,1)。 (2d、2)、(36,3)、(46,4)。 (5d、5)、(6d、6)、15よび(76,7)の
データ(Do、7−76 )、(Dl、N−7d )、
(D2.N−7d )、(D3.N−7d )。 (D4.N−76)、(D5.N−76)、(D6、N
−76)および(D7.N−7d)が順に読出される場
合を示す。この読出されたデータが、ディンターリーブ
されたものである。 さて、第2図に示すアドレス指定装置の動作を、第3図
ないし第5図を用いて詳細に説明する。第4図は、−込
アドレス指定回路101の動作を説明するためのタイム
チャートである。第5図は、読出アドレス指定回路10
2の動作を説明するためのタイムチャートである。 まず、主に第4図のタイムチャートに沿って書込アドレ
ス指定回路101の動作を説明する。なお、図示の例で
は、1伝送ブロツク(第1図に示すグループ3)中の8
ワードが上位アドレスを−16一 定とし、かつ下位アドレスをO〜7まで変化させて書込
まれ、次のブロックがクロックWBによって上位アドレ
スを1だけ進めて書込まれる場合を示す。 時刻t1において、クロックWBによってカウンタ12
がリセットされるとともにカウンタ13は1だけ加締さ
れる。このため、カウンタ12の出力0UT12が0に
なるとどもに、カウンタ13の出力0LIT13はその
直前の値、たとえば7d−1から7dに変化する。 時刻t2において、カウンタ12は、クロックWSが与
えられるとその計数値を1だけ歩進して1を出力する。 このとき、書込データWDATAのうち、第N1目のブ
ロック内の先頭のワード(Do、N)のデータが、時刻
t1ど時刻t2の期間においてメモリに書込まれる。そ
のアドレスは、上位アドレス値をm、下位、アドレス値
をnとしたとき、(m、n)であり、1こ1の場合は、
カウンタ13の出力0UT13の1a7dが上位アドレ
ス値mとなり、カウンタ12の出力Oが下位アドレス値
nとなるので、アドレスは(7d 、O)である。次の
ワード<Dl、 If−d )のデータは、アドレス(
7d、1)に書込まれる。以後同様にして、下位3ビツ
トのアドレスが1ワードごとに1ずつアップして、カウ
ンタ13の出力0UT13とカウンタ12の出力0UT
12とで決定される書込アドレスへワードD2〜D7の
データが書込まれる。 そして、時刻t3において、8ワードのデータの書込が
終了すると、クロックWBが与えられる。 このため、カウンタ13の計数値が1だけ歩進されて、
上位アドレスmが7d+1となり、次のN十11目のブ
ロック内の各ワードのデータが順次書込まれる。なお、
実際は、この場合はカウンタ13のカウント値が上限に
達し、カラン1〜値はOに巡回し、上位アドレスIも0
に巡回する。 次に、主に第5図のタイムチャートに沿って読出アドレ
ス指定回路102の動作を説明する。 時&1Jt1において、クロックRBが入力されると、
カウンタ15はリセットされ、その出力0U15はOに
なる。これにより、下位続出アドレスは0となる。一方
このとき、カウンタ13は初期設定回路19によって7
dなる値が初期設定されて、読出アドレス指定回路10
1の上位アドレスが書込アドレス指定回路102のそれ
よりも7dだけ遅れるように設定されている。このため
、書込アドレス指定回路101の上位アドレスが7dの
どぎは、カウンタ17のカウント値およびカウンタ18
のカウント値で構成される上位読出カウント値URCV
は0である。すなわち、初期設定回路19は、メモリの
書込アドレスと読出アドレスがぶつからないようにする
ためのものである。 もし初期設定回路19がないと、電源投入により、書込
、続出の両アドレスがランダムなアドレスから始まり、
読出のデータの組合せが正規のものとならない。初期設
定回路19において初期値7dが一度設定されると、書
込および続出のフレーム周波数が同一の場合、書込およ
び続出の両アドレスが一定の関係を保ちつつメモリを巡
回する。 時刻t4において、ロードクロックLDが入力=19一 端子11eに与えられると、カウンタ16にはOがロー
ドされる。これにより上位アドレスmはOになり、その
結果続出アドレスは(0,0)となる。このときメモリ
40からは、第3図に示すように、データ(Do、N)
に対して7dブロツクだけ前のデータであるデータ(D
o、N−7d )が読出される。 時刻t5において、クロックR8が与えられると、カウ
ンタ15の出力0UT15が1となる。 これと同時に、カウンタ16が1だけ歩進される。 このことは上位続出アドレスmがdだけ歩進されること
に相当する。このため、メモリの読出アドレスは(6,
1)どなり、データ(Dl、N−d−66) ” (D
 1 、 N−7d )がメ干り40から読出される1
゜ 以後同様にして、クロックR8によりカウンタ15およ
び16のC1数値を1ずつ歩進させて、両針数値で指定
されるアドレスに記憶されているデータを読出すことに
よって最終的には第1図のグループ5で示す第N−7d
番目の誤り訂正ブロツ20− りのワード配列を得ることができる。 以上のような動作を、書込系と続出系の同期をとりなが
ら、しかもワードD7のデータは書込んでから読出すよ
うにクロックの位相を合わせて行なわせることにより連
続的にゲインターリーブが行なわれる。第1図の例では
、グループ3に示すブロックのデータを上位アドレス7
dに書込んだ後、次のブロックのデータを上位アドレス
0の番地に書込み、読出アドレス(76,7)のデータ
(D7.N−76)を読出した後、次の誤り訂正ブロッ
クの先頭ワードのデータ(Do、N−76+1)をアド
レス(1,0)から読み始めることにより、ワード内の
1ビツトあたり8x (7d 十1)ピッ1へのメモリ
を巡回してディンターリーブを行なうことができる(8
は下位アドレス数に相当し、7d+1は上位アドレス数
に相当する。第3図参照。)。 以上に、ディンターリーブを行なう際のメモリのアドレ
ス制御につき説明した。インターリーブを行なう際のメ
モリのアドレス制御についても、以上の説明から容易に
理解されるであろうけれども、明確化のため以下に簡単
に説明する。 第6図は、インターリーブを行なう際の19−ド内の1
ビツトあたりのメモリマツプを図解的に示した図である
。第3図との相違点を主に説明する。データの書込は、
行アドレスを所定値に保ちつつ、列アドレスをOから7
に1ずつ変化させて行なう。同様のことを、行アドレス
を1ずつ更新しながら行なう。それらは、ディンターリ
ーブの場合と同様である。図では、行アドレス7d、列
アドレスO〜7にデータ(Do、N)、(DI。 N)、(02,N)、(D3.N)、(D4.N)、(
D5.N>、(D6.N)および(D7.N)がそれぞ
れ順に書込まれている場合を示ず。データの読出は、書
込時の行アドレスからdを減算するごとに列アドレスを
Oから7に1ずつ変化させて行なう。同様のことを、行
アドレスを1ずつ更新しながら行なう。図では、アドレ
ス(7d 、O)     ’、(6d、1)、(5d
、2>、(4d、3)。 (36,4)、(2d、5)、(d、6)および(0,
7)から、そこにそれぞれ書込まれていたデータ(Do
、N)、(01,N−d )、(D2゜N−2d >、
(D3.N−36)、(D4.N−46)、(05,N
−56)、(D6.N−66)および(D7.N−76
)が順に読出される場合を示す。以上により、第1図の
グループ2に示した遅延量が得られ、インターリーブが
行なわれる。 以上のようなインターリーブを第2図に示したアドレス
指定装置を用いて行なうためには、カウンタ16をダウ
ンカウンタに変更するのみでよい。 したがって、インターリーブを行なう際の第2図のアド
レス指定装置の動作の詳細は、以上の変更点を考慮に入
れながら、第4図および第5図およびそれらに関連する
説明を再度参照されたい。 しかしながら、第1図に示したようなインターリーブま
たはディンターリーブを行なう場合、ワード内の1ビツ
トあたりに真に必要なメモリ容量は、各遅延量O〜7d
の合計である28dビツトであるのに対して、第2図に
示した従来のアドレス指定装置を用いる場合は、先に説
明したように、−23= ワード内の1ビツトあたり8x (7d +1 >ビッ
トのメモリ容量が必要であった。すなわち、真に必要と
するメモリ容量の約2倍のメモリ容量を必要としており
不経済であった。それゆえ、真に必要とするメモリ容量
に近いメモリ容量でインターリーブおよびゲインターリ
ーブを行なうことができるようなメモリのアドレス指定
方法およびその装置が要望されていた。 それゆえ、この発明は、メモリを用いてデータをインタ
ーリーブまたはディンターリーブする場合、真に必要と
するメモリ容量に近いメモリ容量でインターリーブおよ
びディンターリーブを行なうことができるようなメモリ
のアドレス指定方法およびその装置を提供することを目
的とする。 この発明は、要約すれば、メモリのアドレス指定方法を
、いわばメモリ内で折返すようにしたものである。 以下、この発明の実施例を図面に基づき説明する。 第7図は、この発明の一実施例を示すブロック24− 図である。この実施例は、略言すれば、メモリ40ヘデ
ータを書込むどきにアドレス指定する書込アドレス指定
回路20.前記書込アドレス指定回路20に接続されて
いて、初期読出し行アドレスを与える初期設定回路50
.前記初期設定回路50に接続されていて、メモリ40
からデータを読出ずときにアドレス指定する読出アドレ
ス指定回路30および癲込アドレス指定回路20および
続出アドレス指定回路30に接続されていて、それらの
うちのいずれ一方を切換えてメモリ40に接続するセレ
クタ14を備える。書込アドレス指定回路20は、行ア
ドレスを正の所定整数値Aに保ちつつ列アドレスを所定
整数値Bずつ加算する第1のアドレス指定手段1列アド
レスが正の所定整数値Cに達したことに応答して行アド
レスを所定整数値りだけ減算する第2のアドレス指定手
段および行アドレスを所定整数値1ずつ減算するととも
に、それに歩調を合わせて列アドレスを前記所定整数(
illBずつ減算する第3のアドレス指定手段を備える
。続出アドレス指定手段30は、前記初期読出し行アド
レスに前記所定整数WiEずつ加算するとともに、それ
に歩調を合わ「て列アドレスをも前記所定整数1ilI
Bずつ加算する第4のアドレス指定手段1列アドレスが
前記所定整数値Cに達したことに応答して行アドレスを
所定整数値Gだけ減算する第5のアドレス指定手段およ
び行アドレスを正の所定整数値Hに保ちつつ列アドレス
を前記所定整数値Bずつ減算する第6のアドレス指定手
段を備える。 次に、第7図に示すアドレス指定装置の詳細な構成およ
び動作につき説明する。第7図は、第2図の場合と同様
に、ディンターリーブを行なう場合のブロック図である
(なお、インターリーブを行なう場合については、後で
説明する。)。 書込アドレス指定回路20は、ゲート回路21゜カウン
タ22.制御回路23.カウンタ24〜26および減算
器27を備える。ゲート回路21は、クロックWSおよ
び制御回路23の出力A、Bが入力される。このゲート
回路21は、後に第8図に示すように2つのオアゲート
211,212から構成される。カウンタ22は、2ビ
ツト出力を有するアップダウンカウンタであって、ゲー
ト回路21の一方の出力Cが加算入力端子UPに与えら
れ、他方の出力りが減算入力端子ONに与えられる。カ
ウンタ22のリセット端子Rには、クロックWBが入力
される。カウンタ24は、4ビツトカウンタであって、
クロックWBによって歩進され、初期設定回路50によ
って初期設定される。 カウンタ25は、カウンタ24のキャリー出力を入力と
し、初期設定回路50の出ノjでプリセットされる。カ
ウンタ26は、ゲート回路21の出力りが減算入力端子
DNに与えられ、パラレルロード入力としてカウンタ2
5の出力が与えられる。 カウンタ26は、入力端子11「を介して入力される書
込ロードクロック(以下クロックWLという。)が与え
られるごとに、カウンタ25の出力をロードする。減算
器27は、制御回路23の出力へが1′(ハイレベル)
のとぎOを、またはその出力Aが’O”(ローレベル)
のとき4d+1を、カウーンタ24の出力とカウンタ2
6の出力27− とで構成される値から減算するものである。このカウン
タ22の出力がnビットの書込アドレスとしてセレクタ
14に与えられ、減算器27の出力がmビットの書込ア
ドレスデータとしてセレクタ14に与えられる。したが
って、メモリ40はカウンタ22の計数値によって下位
2ビツトの書込アドレスが指定され、減算器27の出力
によって上位書込アドレスが指定される。 読出アドレス指定回路30は、書込アドレス指定回路2
0と同様の構成であり、ゲー[・回路31゜カウンタ3
2.制御回路33.カウンタ34〜36および減算器3
7を備える。減算器37は、制御回路33の出力Aが1
″のときOを、出力AがO′′のとき3d+1をカウン
タ34の出力とカウンタ36の出力とで構成される値か
ら減算するように働く。それ以外の構成は続出アドレス
指定回路20と同様であるため、詳細な説明を省略する
。 書込アドレス指定回路20および続出アドレス指定回路
30の動作の詳細な説明をする前に、ゲ28− −1〜回路21.制御回路23.減算器27および初期
設定回路28の個々の構成および動作につき説明覆る。 第8図は第7図のゲート回路21および制御回路23の
詳細な回路図である。制御回路23の具体的な構成を説
明すると、ナントゲート231は、カウンタ22の出力
0UT22を入力として受け、3(すなわち、2進法の
11)が入力されるとII O11(ローレベル)を出
力するものである。オアゲート232は、ナントゲート
231の出力とクロックWSが入力されて、その出力F
をD型フリップフロップ(以下OFFという。)233
のクロック入力端子下に与える。DFF233のリセッ
ト入力端子Rには、クロックWBが入力される。0FF
233の入力端子りは電源Vに接続される。DFF23
3の反転出力端子0からの反転出力Aおよびナントゲー
ト231からの出力Eは、ナントゲート234に与えら
誉る。 第8図および第9図を参照してゲート回路21および制
御回路23の動作を説明する。第9図はゲート回路21
および制御回路23の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。 時刻t1において、クロックWBがローレベルになると
、カウンタ22およびDFF233がリセットされる。 このため、ナンドゲ−1〜231の出力EおよびDFF
233の反転出力Aが共にハイレベルとなり、ナンドゲ
ーh 234の出力Bがローレベルとなる。以後、クロ
ックWSはオアゲ−i−211を介してカウンタ22の
加算入力端子UPに与えられる。 時刻t6において、オアゲート211の出力Cの立下が
りで、カウンタ22の出力0UT22が3となり、ナン
トゲート231の出力Fがローレベルとなる。 時刻t7において、オアゲート232の出力Fによって
、DFF233の反転出力Aがハイレベルからローレベ
ルに変化する。このため、ナントゲート234の出力B
は、時刻t6から次のクロックWBが変化する時刻t3
までの期間中ハイレベルとなり、DFF233の出力A
は、時刻t7から時刻t3までの期間中ローレベルとな
る。これによって、オアゲート211は、時刻t1〜t
6の期間に入力されたクロックWSを出力する。 オアゲート212は、時刻t7〜t3の間に入力された
クロックWSを出力する。したがって、カウンタ22は
、その出力0UT22をOから3までカウントアツプし
、計数値3を2クロック間維持した後、0までダウンカ
ウントするような動作を繰返ず。 第10図は、減算器27を示すブロック図である。減算
器27は、4ビツトの加算器271.11I−4ビツト
の加算器272および補数設定器273を備える。加算
器271にはカウンタ24の出力0UT24が入力され
、加算器272にはカウンタ26の出力0UT26が入
力される。カウンタ271および272の出力0UT2
7は、mビットのアドレスデータとしてセレクタ14に
与えられる。補数設定器273は、減算器27において
減算すべき1II4d+1の補数[4d+11を設定し
、制御回路23の出力Aが1″のときOを31− 出力し、出力AがO″のとき補数[4d→−1]を出力
する。加算器271および272は、カウンタ24の出
力0UT24とカウンタ26の出力0UT26とで構成
される値にOまたは補数[4d+1]を加算する。但し
、メモリのアドレスは巡回するので、加算結果が桁上げ
になった場合は、桁上げ分は無視する。したがって減算
器27は、制御回路23の出力Aが゛1パのときOを、
出力AがO″のとき4d+1を、カウンタ24の出力0
UT24とカウンタ26の出力0UT26とで構成され
る値から減算する。なお、減算器33についても、減算
する値が3d+1である以外は、減算器27と同様であ
る。 第11図は、初期設定回路50を示すブロック図である
。初期設定回路50は、0検出回路51゜アンドゲート
52およびインバータ53を備える。 0検出回路51は、たとえば、mビットの入力端子を有
するナントゲートで構成される。O検出回路51には、
カウンタ34の出力0UT34およびカウンタ35の出
力0UT35で構成される■32− ピッ1−の鎗が入力される。O検出回路51は、その人
力がOのとき1″をアンドゲート52に対して出力する
。インバータ53にはクロックRB(負論理)か入力さ
れ、そこにおいて極性の反転されたクロックRBはアン
トゲ−1〜52に与えられる。したがって、カウンタ3
4の出力0LIT34およびカウンタ35の出力0UT
35で構成される値が0のどきにクロックRBが入力さ
れるとアンドゲート52は1″を出力する。アンドゲー
ト52からの“1″の出力はカウンタ24およびカウン
タ25に与えられ、それによりカウンタ24の出力およ
びカウンタ25の出力で構成される値を7dに強制的に
初期設定する。 第7図に示すアドレス指定装置の動作を詳細に説明する
前に、第12図を用いてその概略的な動作を説明する。 第12図は、ディンターリーブを行なう際の1ワード内
の1ビ?トあたりのメモリマツプを図解的に示した図で
ある。行アドレスとして上位アドレスが選ばれており、
列アドレスとして下位2ビツトのアドレスが選ばれてい
る。列アドレスが2ビツトであることが第3図との大ぎ
な相違点である。玉角印は書込データを示し、丸印は読
出データを示覆。データの書込は、次のステップで行な
う。まず、行アドレスを所定値、たとえば7d+1に保
ちつつ列アドレスをOから3に1ずつ変化させる。図で
は、行アドレス7d+1、列アドレスO〜3にデータ(
DO,N)。 (Di、N−d )、(02,N−2d )および(D
a、N−36)がそれぞれ順に書込まれている場合を示
す。次に、列アドレスが3に達すると行アドレスを4d
+1だけ減算する。その後、行アドレスをdずつ減算す
るとともに、それに歩調を合わせて列アドレスをも3か
らOに1ずつ減算する。図では、アドレス(3d、3)
、(2d。 2)、(6,1)および(0,0)にデータ(D4、N
−4d >、(D5.N−5d )、(06゜N−66
)および(D7.N−7d )がそれぞれ順に書込まれ
ている場合を示す。以上と同様のことを、行アドレスを
1ずつ更新しながら行なう。 データの読出は、次のステップで行なう。まず、書込時
の行アドレスから7dだけ減算して得られる行アドレス
にdを加算するごとに列アドレスを0から3に1ずつ変
化させる。図では、アドレス(1,0)、(d+1.1
)、(2d+1.2)および(3d +1.3)のデー
タ(Do、N−7d )、(Dl、N−76)、(D2
.N−7d )および(Da、N−76)が順に読出さ
れる場合を示す。次に、列アドレスが3に達すると行ア
ドレスを3d+1だけ減算する。その後、行アドレスを
Oに保ちつつ列アドレスを3からOに1ずつ減算する。 図では、アドレス(0,3)、(0゜2)、(0,1)
および(0,0)のデータ(D4、  N−76)、 
  (D5.  N−76>、   (Da。 N−7d )および(D7.N−76)が順に読出され
る場合を示す。以上と同様のことを、行アドレスを1ず
つ更新しながら行なう。以上により、第1図のグループ
4に示した遅延量が得られ、ディンターリーブが行なわ
れる。 さて、第7図に示すアドレス指定装置の動作を、第13
図ないし第15図を用いて詳細に説明する。 35− 第13図は、書込アドレス指定回路20の動作を説明す
るためのタイムチャートである。第14図は、読出アド
レス指定回路30の動作を説明するためのタイムチャー
トである。第15図は、セレクタ14の動作を説明する
ためのタイムチャートである。 まず、主に第13図のタイムチャートに沿って書込アド
レス指定回路20の動作を説明する。 時刻t1において、クロックWBがローレベルとなると
、カウンタ22の出力0UT22がOとなる。これと同
時に、カウンタ24の出力および25の出力で構成され
る上位アドレスlを指定するだめの上位カウントmuw
cvが1だけアップされる。これにより、上位カウント
値uwcvは、その直前の値、たとえば7dから7d+
1に変化する。 時刻t8において、ローレベルのクロックWLが与えら
れると、カウンタ26にはカウンタ25の値がロードさ
れる。このとき、制御回路23の出力Aは1″であり(
第9図参照)、減算器236− 7の減算数はOであるので、書込アドレスは(7d斗1
,0)どなる。このため、書込データWDATへのうち
、第N1目のブロック内のワード(Do、N)のデータ
が時刻t8〜E2の期間において、アドレス(7d+1
.0)へ書込まれる。 時刻t2において、クロックWSの立上がりCカウンタ
22の許1数値が1となる。このため、次のワード(D
I、N−d )のデータがアドレス(7d+1.1)へ
書込まれる。以後同様にして、クロックWSが与えられ
るごとに、カウンタ22の計数値が1ずつ歩進し、下位
2ビツトのアドレスが変化する。 そして、時刻t7において、カウンタ22の出力0LI
T22は3になる。そして、第9図で説明したように制
御回路23の出力へが“0″となり、減算器27の減算
数が4d+1となるため、アドレスが(3d、3)に変
化する。したがって、ワード(D4.N−/ld )の
デニ々がアドレス(3d、3)へ書込まれる。 時刻t9において、クロックWSが、ゲート回路210
出力りとなり、カウンタ22およびカウンタ26の減算
入力端子DNに与えられる。このため、クロックWSが
ローレベルからハイレベルに変化すると、カウンタ22
の出力0tJT22が1だけダウンし、下位アドレスが
1だけダウンするとともに、カウンタ26の計数値も1
だけダウン(すなわち上位アドレス…がdだけダウン)
する。これによって、ワード(D5.N−5d)のデー
タがアドレス(2d、2)へ書込まれる。以後同様にし
てワード<I)6.N−6(1>のデータがアドレス(
d、1)へ、ワード(D7. If−7d)のデータが
アドレス(0,0)へ順次書込まれる。このようにして
、時刻t1からt3までの期間において、1ブロツクの
データ書込が終了する。なお、時刻t3以後は、前述の
動作と同様にして上位カウント値uwcvが1だけアッ
プし“(。 (すなわち7d+2となり)、次のブロックの各ワード
のデータの書込が行なわれる。なお、実際は、この場合
は、カウンタ24およびカウンタ25の値が上限に達し
、上位カラン1〜値uwcvは0に巡回する。 次に、主に第14図のタイムチャートに沿って読出アド
レス指定回路30の動作を説明する。 時刻t1において、クロックRBがローレベルになると
、それによってカウンタ32はリセットされ、ぞの出力
0LJT32はOになる。それとともに、カウンタ34
の出力および35の出力で構成される上位読出カウント
値IJRcVが1だけアップし、その直前の値Aから1
に変化する。ここで、続出アドレス指定回路20と書込
アドレス指定回路30の上位アドレスmを対比すると、
上位続出カウント値URCVがOのとき、初期設定回路
50によって上位書込カウント値tJ W CVが7d
に設定されている(第11図およびそれの説明を参照さ
れたい。)。また、クロックWBとクロックRBとが同
一周波数に遍ばれているため、上位書込カウント値LI
WCVが7d+1のとき、上位読出カウント(iltJ
RcVが1となる。すなわち、初期設定回路50は、メ
モリの書込アドレスと続出アドレスがぶつからないよう
にするためのもの39− である。もし初期設定回路50がないと、電源投入によ
り、書込、読出の両アドレスがランダムなアドレスから
始まり、続出のデータの組合せが正規のものとならない
。初期設定回路50において初期値7dが一度設定され
ると、書込および続出のフレーム周波数が同一の場合、
書込および読出の両アドレスが一定の関係を保ちつつメ
モリを巡回する。 時刻t4において、ロードクロックL Dがカウンタ3
6に与えられると、カウンタ36はカウンタ35の出力
である0をロードする。このとき、制御回路33の出力
Aは1″であり、減算器37の減算はOであるので、指
定されるアドレスは(1,0)となる。アドレスが(1
,0)のときのデータは、アドレスが(7d+1.0)
のデータ([)O,N)よりも7dだU前のブロックの
データであるため、メモリ40からの出力データRDA
TAは、ワード(Do、N−76)のデータとなる。 時刻t5において、ゲート回路31の出力Cに40− よって、カウンタ32の出力0UT32が1どなり、カ
ウンタ36の計数膣が1だけアップする。 すなわち、上位アドレスmがdだけアップする。 このとき指定されるアドレスは、(d+1.1)となる
。したがって、メモリ40から読出されるデータは、ワ
ード(D 1 、 N −d −6d ) −(Dl、
N−76)のデータである。このような動作がワード(
D3.N−76)の1−夕を読出すまで繰返される。 時刻t10以後は、制御回路33の出力Aが“O11に
なることによって、減算器37の減数が3d+1どなる
。このため、アドレスが(0,3)となり、ワード(D
4.N−76)のデータがメモリから読出される。 時刻t11において、カウンタ32のみが1だけダウン
し、アドレスが(0,2>と4る。このアドレス(0,
2)で指定されるワード(D5゜N−76)のデータが
メモリメへ読出される。以後同様にして、クロックR3
が与えられるごとに、カウンタ32の値が1ずつタウン
して、ワード(D6.N−7d>のデータおよびワード
(D 7 。 N−7d >のデータが順次読出される。 時刻t12において、第N−7d番目の誤り訂正ブロッ
クの8ワードの読出が終了する。 第15図はセレクタ14の動作を説明するためのタイム
チャー1〜である。入力端子11fに与えられるセレク
ト信号S Lによって、セレクタ14は書込アドレスW
ADと続出アドレスRADとを選択的に切換えてメモリ
40に与える。たとえば、セレクト信号SLがハイレベ
ルの場合は、書込アドレスWADが選択されて、メモリ
の指定アドレスSADとして、出力端子11fllを介
してメモリ40に与えられる。一方、けレクタ信号S 
Lがローレベルのとき、読出アドレスRADが選択され
て、メモリの指定アドレスSADとして、出力端子11
(+を介してメモリ40に与えられる。書込アドレスW
ADが選択された場合と、続出アドレスRADが選択さ
れた場合とにおけるメモリの指定アドレスSADは、第
15図を参照すれば容易に理解できるであろうから、そ
の詳細な説明は省略づる。第15図のように、クロック
WBとクロックRBとを同一周期とし、かつまた、クロ
ックWSとクロックR3とを同一周期とし、書込アドレ
スWADど読出アドレスRADとをセレク1へ信号SL
により切換えることにより、連続的にディンターリーブ
を行なうことができる。 なお、ディンターリーブを行なう場合、メモリのアドレ
ス指定方法は、前述したものに限らない。 他のアトしノス指定方法を以下に筒中に説明しでおく。 第16図ないし第18図は、ディンターリーブを行なう
際に他のアドレス指定方法を用いる場合のメモリマツプ
を図解的に示した図である。三角印は店込データを示し
、丸印は読出データを示す。 第16図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを所定値たとえば7d+1に保ちつ
つ、列アドレスを3からOに1ずつ変化させる。次に、
列アドレスがOに達すると、行アドレスを46+1だ番
]減IIづ゛る。ぞの後、行アドレスをdずつ減算する
とともに、それに歩調=43− を合わゼで列アドレスをOから3に1ずつ加算する。以
上と同様のことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行
なう。データの続出は次のステップで行なう。まず、書
込時の行アドレスから7dだけ減算して得られる行アド
レスにdを加算するとともに、それに歩調を合わせて列
アト1ノスを33からOに1ずつ変化させる。次に、列
アドレスがOに達すると行アドレスを3d+1だけ減算
する。 その後、行アドレスをOに保ちつつ列アドレスを0から
3に1ずつ加算する。以上と同様のことを、行アドレス
を1ずつ更新しながら行なう。以上のようなアドレス指
定方法を第7図に示したアドレス指定装置を用いて行な
うためには、それに次のような小さな変更を加えればよ
い。 (1) カウンタ22および32の加算入力端子LIP
と減算入力端子ONとを入替える。 (2) カウンタ22および32のリセット端子Rは不
要であり、両カウンタは、それぞれ、クロックWBIB
よびR8により3をセットする。 (3)i制御回路23および33に含まれてい44− る3を検出するナントゲートに代えてOを検出するAア
ゲートを用いる。 第17図の場合、デ〜りの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを7dからdずつ減11(るととも
に、それに歩調を合わせて列アドレスをOから3に1ず
つ加算する。次に、列アドレスが3に達すると、行アド
レスに3d+1を加算する。その後行アドレスを7d+
1に保ちつつ、列アドレスを3からOに1ずつ変化させ
る。以上と同様のことを、行アドレスを1ずつ更新しな
がら行なう。データの読出は、次のステップで行なう。 まず、行アドレスをOに保ちつつ、列アドレスをOから
3に1ずつ変化させる。次に、列アドレスが3に達する
と、行アドレスに4d+1を加算する。その後、行アド
レスをdずつ加算するとともに、それに歩調を合わせて
列アドレスを3からOに1ずつ減算する。以上と同様の
ことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。以上
のようなアドレス指定方法を第7図に示したアドレス指
定装置を用いて行なうためには、それに次のような小さ
な変更を加えればよい。 (4) カウンタ26の減算入力端子DNにゲート回路
21の出力Cを入力する。 (5) カウンタ36の加算入力端子UPにゲート回路
31の出力りを入力する。 第18図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを7dからdずつ減算”するととも
に、それに歩調を合わせて列アドレスを3からOに1ず
つ減fiI!1′る。次に、列アドレスが0に達すると
、行アドレスに3d+1を加算する。その後、行アドレ
スを7d+1に保ちつつ、列アドレスを0から3に1ず
つ変化させる。以上と同様のことを、行アドレスを1ず
つ更新しながら行なう。データの読出は次のステップで
行なう。 まず、行アドレスをOに保ちつつ、列アドレスを3から
0に1ずつ変化させる。次に、列アドレスがOに達する
と、行アドレスに4d+1を加眸する。その後、行アド
レスをd!rつ加算するとともに、それに歩調を合わせ
て列アドレスを0から3に1ずつ加算する。以上と同様
のことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。以
上のようなアドレス指定方法を第7図に示したアドレス
指定装置を用いて行なうためには、それに前記(1)〜
(5)の変更を加えればよい。 以上に、ディンターリーブを行なう際のメモリのアドレ
ス制御につき詳細に説明した。インターリーブを行なう
際のメモリのアドレス制御についても、以」−の説明か
ら容易に理解されるであろうけれども、明確化のため以
下に簡単に説明する。 第19図ないし第22図は、インターリーブを行なう場
合のメモリマツプを図解的に示した図である。三角印は
書込データを示し、丸印は読出データを示す。 第19図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを7d+1に保ちつつ、列アドレス
をOから3に1ずつ変化させる。 次に、列アドレスが3に達すると、行アドレスを3d+
1だけ減算する。その後、行アドレスをdずつ加算する
とともに、それに歩調を合わせて列アドレスを3からO
に1ずつ減算する。以上と同一47= 様のことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。 データの読出は次のステップで行なう。まず、書込時の
行アドレス7d+1からdずつ減算するごとに、それに
歩調を合わせて列アドレスを0から3に1ずつ変化させ
る。次に列アト1ノスが3に達するど行アドレスを4d
+1だけ減算プる。 その後、行アドレスをOに保ちつつ、列アドレスを3か
ら0に1ずつ減算する。以上と同様のことを、行アドレ
スを1ずつ更新しながら行なう。以上により、第1図の
グループ2に示した理延量が得られ、インターリーブが
行なわれる。以上のようなアドレス指定方法を第7図に
示したアドレス指定装置を用いて行かうためには、それ
に次のような小ざな変更を加えればよい。その動作の詳
細は、その変更を考虞に入れながら前記説明を再度参照
されたい。 (1) カウンタ26の減算入力端子DNを加算入力端
子UPに変更する。 (2) カウンタ32の加算入力端子UPを減算入力端
子DNに変更する。 48− 第20図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを76+1に保ちつつ、列アドレス
を3からOに1ずつ変化させる。 次に、列アドレスがOに達すると、行アドレスを3d→
−1だけ減算する。その後、行アドレスをdずつ加算す
るとともに、それに歩調を合わせて列アドレスをOから
3に1ずつ加算する。以上と同様のことを、行アドレス
を1ずつ更新しながら行なう。データの読出は、次のス
テップで行なう。 まず、書込時の行アドレス7d+1からdずつ減算する
ごとに、それに歩調を合わせて列アドレスをも3から0
に1ずつ変化させる。次に、列アドレスがOに達すると
、行アドレスを4d+1だけ減算する。その後、行アド
レスをOに保ちつつ列アドレスをOから3に1ずつ加算
する。以上と同様のことを、行アドレスを1ずつ更新し
ながら行なう。以上のようなアドレス指定方法を第7図
に示したアドレス指定装置を用いて行なうためには、そ
れに次のような小さな変更を加えればよい。 (3) 上記(1)、(2)の変更およびディンターリ
ーブの場合の(1)〜(3)の変更。 第21図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスをOからdずつ加算するとともに、
それに歩調を合わせて列アドレスをも0から3に1ずつ
加算する。次に、列アドレスが3に達すると、行アドレ
スに4d+1を加算する。その後、行アドレスを7d+
1に保ちつつ、列アドレスを3からOに1ずつ変化させ
る。以上と同様のことを、行アドレスを1ずつ更新しな
がら行なう。データの続出は次のステップで行なう。 まず、行アドレスをOに保ちつつ、列アドレスをOから
3に1ずつ変化させる。次に、列アドレスが3に達する
と、行アドレスに3d+1を加算する。その後、行アド
レスをdずつ減算するとともに、それに歩調を合わせて
列アドレスを3からOに1ずつ減算する。以上と同様の
ことを、行アドレスを1ずつ更新しながら行なう。以上
のようなアドレス指定方法を第7図に示したアドレス指
定装置を用いて行なうためには、それに次のJ:うな小
さな変更を加えればよい。 (4) 上記<1)、(2)の変更およびディンターリ
ーブの場合の(4)、(5)の変更。 第22図の場合、データの書込は次のステップで行なう
。まず、行アドレスを0からdずつ加算するとともに、
それに歩調を合わせて列アドレスを3からOに1ずつ減
算する。次に列アドレスが0に達すると、行アドレスに
4d+1を加算する。 その後、行アドレスを7d+1に保ちつつ列アドレスを
Oから3に1ずつ変化させる。以上と同様のことを、行
アドレスを1ずつ更新しながら行なう。データの続出は
次のステップで行なう。まず、行アドレスを0に保ちつ
つ、列アドレスを3から0に1ずつ変化させる。次に、
列アドレスがOに達すると、行アドレスに3d+1を加
算する。その後、行アドレスをdずつ減算するとともに
、それに歩調を合わせて列アドレスをOから3に1ずつ
加算する。以上と同様のことを、行アドレスを1ずつ更
新しながら行なう。以上のようなアドレス指定方法を第
7図に示したアドレス指定装置を用いて行なうためには
、それに次のような小さな51− 変更を加えればよい。 (5) 上記(3)および(4)の変更。 以上のように、たとえば第3図と第12図とを対比すれ
ば明らかなように、この発明によれば、従来のアドレス
指定装置を用いた場合の約半分のメモリ容量でインター
リーブまたはディンターリーブを行なうことができる。 すなわち、従来のアドレス指定装置を用いる場合は、先
に説明したように、ワード内の1ビツトあたりsx (
7d +1 )ビットのメモリ容量が必要であった。し
かし、この発明による場合は、ワード内の1ビツトあた
り4X (7d +2)ビットのメモリ容量でよい(4
は下位アドレス数に相当し、7d+2は上位アドレス数
に相当する。第12図参照。)。この場合、インターリ
ーブまたはディンターリーブを行なう場合、ワード内の
1ビツトあたりに真に必要なメモリ容量は、各遅延量0
〜7dの合計である28dビツトであるので、この発明
によれば、真に必要とするメモリ容量に近いメモリ容量
でインターリーブおよびディンターリーブを行なうこと
がで52− ぎる。 さらにこの発明によれば、メモリ容量が従来の約半分で
済むため経済的であり、さらに、装置の小形化、低消費
電力化をも図ることができる。特に、この発明の効果は
、アドレス指定装置部分をLSI化し、メモリを外付【
プとするような構成の場合に、一層顕著となる。 4、図面の簡単な説明 第1図は、この発明の背景となるインターリーブおよび
ゲインターリーブの処理を説明するだめのデータフォー
マットの図解図である。第2図は、ディンターリーブ処
理を行なう場合における従来のメモリのアドレス指定装
置のブロック図である。 第3図は、ディンターリーブを行なう際の1ワード内の
1ビツトあたりのメモリマツプを図解的に示した図であ
る。第4図は、書込アドレス指定回路101の動作を説
明するためのタイムチャートである。第5図は続出アド
レス指定回路102の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。第6図は、インターリーブを行なう際の1
ワード内の1ビツトあたりのメモリマツプを図解的に示
した図である。第7図は、この発明の一実施例を示すブ
ロック図である。第8図は、第7図のゲート回路21お
よび制御回路23の詳細な回路図である。第9図は、ゲ
ート回路21おJ:び制−回路23の動作を説明するた
めのタイムチャートである。 第10図は、減算器27を示すブロック図である。 第11図は、初期設定回路50を示すブロック図である
。第12図は、ディンターリーブを行なう際の1ワード
内の1ビツトあたりのメモリマツプを図解的に示した図
である。第13図は、書込アドレス指定回路20の動作
を説明するためのタイムチャートである。第14図は、
続出アドレス指定回路30の動作を説明するためのタイ
ムチャートである。第15図は、セレクタ14の動作を
説明するためのタイムチャートである。第16図ないし
第18図は、ディンターリーブを行なう際に他のアドレ
ス指定方法を用いる場合のメモリマツプを図解的に示し
た図である。第19図ないし第22図は、インターリー
ブを行なう場合のメモリマツプを図解的に示した図であ
る。 図において、14はセレクタ、20は書込アドレス指定
回路、21はゲート回路、22はカウンタ、23は制御
回路、24ないし26はカウンタ、27は減算器、30
は続出アドレス指定回路、31はゲート回路、32はカ
ウンタ、33は制御回路、34ないし36はカウンタ、
37は減算器、40はメモリ、50は初期設定回路であ
る。 代理人 葛 野 信 −(外1名) 55− °0  v  口  0  ℃  ℃ 0 ℃  (N   CQ  J  Ln  (D  
h月−υト21−ハ区 OO≦ 」    Σ         工 J−1呈トエ吐   1− j−4すj−i2K O−6 −L−1gl’−*−Δビ   ゝ
FIG. 1 is an illustrative diagram of a data format for explaining interleaving and gain interleaving, which are the background of this invention. FIG. 2 is a block diagram of a conventional memory addressing circuit. FIG. 3 is a time chart for explaining the write operation of the circuit of FIG. 2. Figure 4 is the second
3 is a time chart for explaining a read operation of the circuit shown in the figure. FIG. 5 is a diagram schematically showing a memory map of a conventional memory addressing circuit. FIG. 6 is a circuit diagram of a memory addressing device according to an embodiment of the 26-1 invention. FIG. 7 is a detailed circuit diagram of the Goo 1 circuit and control circuit. FIG. 8 is a time chart starting from t1-1 for explaining the operation of FIG. 7. FIG. 9 is a time chart 1 to explain the write operation of the circuit of FIG. 6. FIG. 10 is a diagram schematically showing a memory map applied to the present invention. FIG. 11 is a time chart for explaining the read operation of the circuit of FIG. 6. FIG. 12 is a time chart for explaining the operation of the selector. In the figure, 10 is a conventional memory addressing device;
0 is a read address designation circuit, 30 is a write address designation circuit, 21.31 is a gate circuit, 22.24 to 26, 32
.. 34 to 36 are counters, 23.33 is a control circuit, 27
.. 37 is a subtracter, 28 is an initial setting circuit, and 14 is a selector. Agent Nobu Kuzuno - (1 other person) 27- Jyo-626- VnC (Ko- ≧ ≧ Showa year month/day Mr. Commissioner of the Japan Patent Office 1, Indication of case Patent application No. 108207/1989 2
, Name of the invention Memory addressing method and apparatus 3, Person making the amendment (1) 6. Full text of the specification to be amended and drawings 7, Contents of the amendment (1) Memory addressability of the name of the invention in the specification
``Souch-less specified device'' is set to ``Memory Address City''.
How to specify the method and its method! ! I will correct it to @J. (2) The entire statement will be corrected as shown in the attached document. (3) Figures 1 to 12 of the drawings will be corrected as shown in the attached sheet. (4) Figures 13 to 22 of the drawings will be added as attached. Above 2 - Full text corrected specification 1, Title of invention Memory addressing method and device 2, Claims method, including the step of inputting LLI'i'-B by LLI'i'-B, and the method for determining. 5-- Method. Yes, 3- Many fixed methods. 4- I'm sure it's only 1.
L knee and designated device. (14) The predetermined integer values B, E, and F are positive values, and constant! fil! . (15) The predetermined integer values B, D and G are positive values, and 11I! ! ! − is at the end of , is , and is the designated device. 3. Detailed Description of the Invention The present invention relates to a memory addressing method and device, and particularly to a memory addressing method and device when data is interleaved or dinterleaved in blocks using a memory. Regarding. Recently, PCM recorders and PCM audio discs have
Error correction codes are used to obtain high quality reproduced sound. The error correction method using this error correction code divides the word string of the sampled signal obtained by sampling the analog signal into blocks of multiple words or multiple frames, and adds an error correction word to each block to correct one error. This is a method in which correction blocks are configured to correct words that are erroneous on the transmission path during reproduction. However, such an error correction method has a limit, and when most of the words in one error correction block are erroneous due to burst errors occurring on the transmission path, correction becomes impossible. Conventionally, as a countermeasure against burst errors, an interleaving method is used to disperse each word in an error correction block during recording, and each word is recorded at a certain interval on the recording medium, and when reproduced, it is returned to the original arrangement 8-. Error correction was performed by performing dinterleaving. FIG. 1 is an illustrative diagram of a data format for explaining interleave and dinterleave processing that is the basis of the present invention. In the illustration, one frame is one block, and one block is divided. An error correction block consisting of 8 words of ~D7 is shown. In this case, group 1 is the Nth word consisting of 8 words Do to D7, which are sampled signal words and error correction codes added.
Indicates the th error correction block. For example, the word Do
-D5 is data and words D6 and D7 are error correction codes. However, N is an integer. Group 2 is 1
It shows the amount of delay of each word Do, DI, D2-D7 in the block, which is defined as Q, d, 2d-7d. However, d indicates an integer unit delay amount, and is selected, for example, as the data transmission time of one word. In the following explanation,
- As an example, it is d-16. During interleaving, each word Do-D7 in the coblock is delayed by a delay amount corresponding to each word. Group 3 shows the word structure of one block after interleaving. After the interleaving process, each block consists of the words that were in different numbered error correction blocks and is recorded on a recording medium such as a vinyl record. Group 4 shows the amount of delay for each word when interleaved data is dinterleaved as described above. The amount of delay during dinterleaving is selected to be inversely proportional to the amount of delay during interleaving. For example, if the amount of delay during interleaving is selected to be O, d to 7d for words Do and D1 to D7, respectively, the amount of delay during dinterleaving is selected to be 7d and 6d -0, respectively. Group 5 shows the format of one error correction block after gain interleaving processing is performed. As is clear from the diagram, each word Do to D7 is all equal to the word of the N, -7d-th error correction 1° block, and the combinations before interleaving are returned to, except that there is a delay amount of 7d. Become. When interleaving processing and dinterleaving processing as shown in Fig. 1 are performed, a burst error occurs on the transmission path, and an error of the length of 8 words of the block shown in group 3 occurs. However, since the erroneous words are dispersed by performing the dinterleaving process, there is only one error in one word within one block obtained by the dinterleaving process, and correction is possible. In order to realize such interleave and gain interleave processing (second), a method is used in which one block of word data is temporarily stored in a memory and each word is read out in a predetermined order. Memory address control when performing interleaving will be explained. First, the case of performing dinterleaving will be explained. Figure 2 is a block diagram of a conventional memory addressing device when performing dinterleaving processing. In the figure, the addressing device w110 includes a write address designating circuit 101 and a read address designating circuit 102.The specific configuration of the addressing device 10 will be described below.Input terminal 11a is given a write sample clock WS (hereinafter referred to as I-k WS). This clock WS is
2 is applied to the addition input terminal UP. The counter 12 is
It has a 3-bit output, performs an addition operation every time the clock WS is applied, and derives the value of the digits of A as write address data corresponding to a word within one block. Input terminal 1
1b is given a write block change clock WB (hereinafter referred to as "cock WB"). This clock WB is applied to the reset terminal R of the counter 12 and also to the addition input terminal UP of the counter 13. The outputs of these counters 12 and 13 cause memory 40
The write address of is determined. Zunawara, counter 12
The output is given to the selector 14 by a write address control bit ( ) that specifies the lower 3 bits of the memory 40. The output of the counter 13 is given to the selector 1412- as write address data specifying the upper address of the memory 40. A continuous sample clock R8 (hereinafter referred to as clock R8) is applied to the input terminal 11G. This clock R8 corresponds to 8 words within one error correction block. The lock R8 is applied to the addition input terminal UP of the counter 15 and also to the addition input terminal UP of the counter 16. The counter 15 has a 3-bit output, performs an addition operation every time the clock R8 is applied, and is reset by the clock RB input to the input terminal 11d. Clock RB is a successive block change clock, and is applied one clock at a time as the error correction block number advances. This clock RB is applied to the addition input terminal UP of the counter 17. counter 1
7 has a 4-bit output, and provides a carry output from the carry output terminal OA to the addition input terminal UP of the counter 18. Counter 18 provides its count value as a parallel load input to counter 16. The counter 16 receives the load clock LD applied to the input terminal 11e. The next address in the memory 40 is determined by the outputs of these counters 15-17. That is, the output of the counter 15 is derived as read address data specifying the address of the lower 3 bits. counters 16 and 1
The output of 7 is derived as successive address data specifying an upper address in the memory. These read address data are given to the selector 14. The selector 14 switches and derives a write address or a subsequent address in response to a select signal SL applied to an input terminal 111'. The write address data or read address data selected by the selector 14 is derived from the output terminal 11g as memory address data and is applied to the memory 40. The outputs of counters 17 and 18 are input to initial setting circuit 19 . This initial setting circuit 19 has a counter 17
And when the value determined by the output of 1゛8 is O, the counter 1
It generates an output that sets the count value of 3 to 7d. Before explaining in detail the operation of the addressing device shown in FIG. 2, its general operation will be explained using FIG. Figure 3 shows 1 in 1 word when performing dinterleaving.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a memory map per bit. The upper address value is selected as the row address, and the lower 3 bit address value is selected as the column address. Triangular marks indicate write data, and circles indicate read data. Data is written while keeping the row address at a predetermined value.
This is done by changing the column address from 0 to 7 in increments of 1. The same thing is done while updating the row addresses one by one. In the figure, data (D
o, N), (Dl, N-d), (D2.N-2d)
, (03,N-3d), (D4.N-46), (D5
.. N-56). The case where (D6.N-66) and (D7.N-76) are written in order is shown. Data is read by changing the column address from 0 to 7 by 1 each time d is added to the row address obtained by subtracting 7d from the address at the time of writing. The same procedure as in step 15 is performed while updating the row addresses one by one. In the figure, addresses (0,1), (6,1). (2d, 2), (36, 3), (46, 4). Data of (5d, 5), (6d, 6), 15 and (76,7) (Do, 7-76), (Dl, N-7d),
(D2.N-7d), (D3.N-7d). (D4.N-76), (D5.N-76), (D6,N
-76) and (D7.N-7d) are read out in sequence. This read data has been dinterleaved. Now, the operation of the addressing device shown in FIG. 2 will be explained in detail with reference to FIGS. 3 to 5. FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the -include address designation circuit 101. FIG. 5 shows the read address designation circuit 10.
2 is a time chart for explaining the operation of No. 2. First, the operation of the write address designation circuit 101 will be explained mainly along the time chart of FIG. In the illustrated example, 8 out of 1 transmission block (group 3 shown in FIG. 1)
A case is shown in which a word is written with the upper address constant at -16 and the lower address changed from O to 7, and the next block is written with the upper address advanced by 1 by the clock WB. At time t1, the counter 12 is activated by the clock WB.
is reset and the counter 13 is incremented by one. Therefore, as soon as the output 0UT12 of the counter 12 becomes 0, the output 0LIT13 of the counter 13 changes from the previous value, for example, 7d-1 to 7d. At time t2, the counter 12 increments its count value by 1 and outputs 1 when the clock WS is applied. At this time, among the write data WDATA, data of the first word (Do, N) in the N1-th block is written to the memory during the period from time t1 to time t2. The address is (m, n) where the upper address value is m and the lower address value is n, and if 1 is 1, then
Since 1a7d of the output 0UT13 of the counter 13 becomes the upper address value m, and the output O of the counter 12 becomes the lower address value n, the address is (7d, O). The data of the next word <Dl, If-d) is stored at the address (
7d, 1). Thereafter, in the same way, the address of the lower 3 bits is incremented by 1 for each word, and the output of counter 13 is 0UT13 and the output of counter 12 is 0UT.
The data of words D2 to D7 are written to the write address determined by 12 and 12. Then, at time t3, when writing of 8 words of data is completed, a clock WB is applied. Therefore, the count value of the counter 13 is incremented by 1,
The upper address m becomes 7d+1, and the data of each word in the next N111th block is sequentially written. In addition,
Actually, in this case, the count value of the counter 13 reaches the upper limit, the callan 1 to value circulates to O, and the upper address I also goes to 0.
touring. Next, the operation of the read address designation circuit 102 will be explained mainly along the time chart of FIG. When clock RB is input at time &1Jt1,
Counter 15 is reset and its output 0U15 becomes O. As a result, the lower succeeding address becomes 0. On the other hand, at this time, the counter 13 is set to 7 by the initial setting circuit 19.
The value d is initialized and the read address designation circuit 10
The upper address of 1 is set to lag behind that of the write address designation circuit 102 by 7d. Therefore, when the upper address of the write address designation circuit 101 is 7d, the count value of the counter 17 and the counter 18
The upper read count value URCV is composed of the count value of
is 0. That is, the initial setting circuit 19 is provided to prevent the write address and read address of the memory from colliding. If there is no initial setting circuit 19, both write and successive addresses will start from random addresses when the power is turned on.
The combination of read data is not legal. Once the initial value 7d is set in the initial setting circuit 19, if the frame frequencies of writing and successive writing are the same, both the writing and successive writing addresses circulate through the memory while maintaining a constant relationship. At time t4, when the load clock LD is applied to the input=19-terminal 11e, O is loaded into the counter 16. As a result, the upper address m becomes O, and as a result, the subsequent address becomes (0, 0). At this time, data (Do, N) is output from the memory 40 as shown in FIG.
The data (D
o, N-7d) are read out. At time t5, when the clock R8 is applied, the output 0UT15 of the counter 15 becomes 1. At the same time, the counter 16 is incremented by one. This corresponds to the higher succeeding address m being incremented by d. Therefore, the memory read address is (6,
1) Roar, Data (Dl, N-d-66) ” (D
1, N-7d) is read from the grid 40.
゜Thereafter, in the same manner, the C1 values of counters 15 and 16 are incremented by 1 by clock R8, and the data stored in the address specified by the two-hand value is read out, and finally the data shown in Fig. 1 is obtained. No. N-7d shown in group 5 of
It is possible to obtain a word array for the th error correction block 20-. Gain interleaving can be performed continuously by synchronizing the write system and the continuous output system and synchronizing the clock phases so that the data of word D7 is written and then read. It will be done. In the example of FIG. 1, the data of the block shown in group 3 is sent to the upper address 7.
After writing to D, write the data of the next block to the upper address 0, and after reading the data (D7.N-76) of the read address (76, 7), write the data of the next block to the first word of the next error correction block. By starting to read the data (Do, N-76+1) from address (1,0), it is possible to perform dinterleaving by cycling through the memory to 8x (7d 11) pins per 1 bit in the word. I can (8
corresponds to the number of lower addresses, and 7d+1 corresponds to the number of upper addresses. See Figure 3. ). The memory address control when performing dinterleave has been described above. Memory address control when performing interleaving will also be easily understood from the above explanation, but for clarity, it will be briefly explained below. Figure 6 shows 1 in the 19th code when performing interleaving.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a memory map per bit. The differences from FIG. 3 will be mainly explained. Writing data is
While keeping the row address at a predetermined value, change the column address from O to 7.
This is done by changing the value by 1. The same thing is done while updating the row addresses one by one. They are similar to those of dinterleaves. In the figure, data (Do, N), (DI.N), (02,N), (D3.N), (D4.N), (
D5. The case where N>, (D6.N) and (D7.N) are written in order is not shown. Data is read by changing the column address from 0 to 7 by 1 each time d is subtracted from the row address at the time of writing. The same thing is done while updating the row addresses one by one. In the figure, addresses (7d, O)', (6d, 1), (5d
, 2>, (4d, 3). (36,4), (2d,5), (d,6) and (0,
7), the data (Do
, N), (01,N-d), (D2゜N-2d>,
(D3.N-36), (D4.N-46), (05,N
-56), (D6.N-66) and (D7.N-76
) are read out in order. As described above, the delay amounts shown in group 2 in FIG. 1 are obtained, and interleaving is performed. In order to perform the above interleaving using the addressing device shown in FIG. 2, it is only necessary to change the counter 16 to a down counter. Accordingly, for details of the operation of the addressing device of FIG. 2 when interleaving, taking into account the above changes, reference is again made to FIGS. 4 and 5 and their associated descriptions. However, when performing interleaving or dinterleaving as shown in FIG.
28d bits, whereas when using the conventional addressing device shown in FIG. 2, -23 = 8x (7d +1 > A memory capacity of bits was required.In other words, it required a memory capacity that was approximately twice the memory capacity that was truly required, which was uneconomical.Therefore, the memory capacity was close to the memory capacity that was truly required. There is a need for a method and apparatus for addressing a memory that can perform interleaving and gain interleaving with a An object of the present invention is to provide a memory addressing method and device capable of performing interleaving and dinterleaving with a memory capacity close to that of a memory capacity. The method is folded back in the memory, so to speak. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Fig. 7 is a block 24 diagram showing an embodiment of the present invention. Briefly speaking, this embodiment consists of a write address designation circuit 20 that designates an address when writing data to the memory 40, and an initialization circuit that is connected to the write address designation circuit 20 and provides an initial read row address. 50
.. The memory 40 is connected to the initial setting circuit 50 .
a selector 14 which is connected to a read address designation circuit 30, an input address designation circuit 20, and a subsequent address designation circuit 30, which designates an address when data is not read from the memory 40; Equipped with The write address designating circuit 20 uses a first addressing means for adding a column address by a predetermined integer value B while keeping the row address at a predetermined positive integer value A. When the first column address reaches a predetermined positive integer value C, a second addressing means for subtracting the row address by a predetermined integer value in response to the subtracting the row address by a predetermined integer value (1);
A third addressing means for subtracting by illB is provided. The successive address specifying means 30 adds the predetermined integer WiE to the initial read row address, and in step with this, also adds the column address to the predetermined integer 1ilI.
A fourth addressing means for adding up the row address by a predetermined integer value G in response to the one column address reaching the predetermined integer value C; A sixth addressing means is provided for subtracting the column address by the predetermined integer value B while maintaining the integer value H. Next, the detailed configuration and operation of the addressing device shown in FIG. 7 will be explained. FIG. 7 is a block diagram when dinterleaving is performed, as in the case of FIG. 2 (the case where interleaving is performed will be explained later). The write address designation circuit 20 includes a gate circuit 21.degree. counter 22. Control circuit 23. It includes counters 24 to 26 and a subtracter 27. The gate circuit 21 receives the clock WS and the outputs A and B of the control circuit 23 as input. This gate circuit 21 is composed of two OR gates 211 and 212 as shown later in FIG. The counter 22 is an up/down counter having a 2-bit output, and one output C of the gate circuit 21 is applied to an addition input terminal UP, and the other output is applied to a subtraction input terminal ON. A clock WB is input to the reset terminal R of the counter 22. The counter 24 is a 4-bit counter,
It is stepped by the clock WB and initialized by the initial setting circuit 50. The counter 25 receives the carry output of the counter 24 as an input, and is preset by the output j of the initial setting circuit 50. In the counter 26, the output of the gate circuit 21 is given to the subtraction input terminal DN, and the counter 26 receives the output from the gate circuit 21 as a parallel load input.
5 outputs are given. The counter 26 loads the output of the counter 25 every time a write load clock (hereinafter referred to as clock WL) input via the input terminal 11 is given. is 1' (high level)
Notogi O or its output A is 'O' (low level)
When 4d+1 is output from counter 24 and counter 2
6 and the output 27-. The output of this counter 22 is given to the selector 14 as an n-bit write address, and the output of the subtracter 27 is given to the selector 14 as m-bit write address data. Therefore, in the memory 40, the lower two bits of the write address are specified by the count value of the counter 22, and the upper write address is specified by the output of the subtracter 27. The read address designation circuit 30 is the write address designation circuit 2.
It has the same configuration as 0, and the circuit 31° counter 3
2. Control circuit 33. Counters 34-36 and subtractor 3
Equipped with 7. The subtracter 37 is configured so that the output A of the control circuit 33 is 1.
When the output A is O'', O is subtracted, and when the output A is O'', 3d+1 is subtracted from the value composed of the output of the counter 34 and the output of the counter 36.Other than that, the configuration is the same as the successive addressing circuit 20. Therefore, a detailed explanation will be omitted. Before giving a detailed explanation of the operations of the write address designation circuit 20 and the successive address designation circuit 30, the following will be explained. 8 is a detailed circuit diagram of the gate circuit 21 and control circuit 23 shown in FIG. 7.The specific structure of the control circuit 23 will be explained below. The Nant gate 231 receives the output 0UT22 of the counter 22 as an input, and outputs II O11 (low level) when 3 (that is, 11 in binary) is input. The output of F and the clock WS are input, and the output F
is a D-type flip-flop (hereinafter referred to as OFF) 233
Give it below the clock input terminal. The clock WB is input to the reset input terminal R of the DFF 233. 0FF
The input terminal of 233 is connected to the power supply V. DFF23
The inverted output A from the inverted output terminal 0 of No. 3 and the output E from the Nantes gate 231 are given to the Nantes gate 234. The operations of the gate circuit 21 and the control circuit 23 will be explained with reference to FIGS. 8 and 9. Figure 9 shows the gate circuit 21
and a time chart for explaining the operation of the control circuit 23. At time t1, when the clock WB becomes low level, the counter 22 and the DFF 233 are reset. For this reason, the output E and DFF of Nando games 1 to 231
Both the inverted outputs A of the NAND game h 233 become high level, and the output B of the NAND game h 234 becomes low level. Thereafter, the clock WS is applied to the addition input terminal UP of the counter 22 via the ORG-i-211. At time t6, the output C of the OR gate 211 falls, the output 0UT22 of the counter 22 becomes 3, and the output F of the Nant gate 231 becomes low level. At time t7, the output F of the OR gate 232 causes the inverted output A of the DFF 233 to change from high level to low level. Therefore, the output B of the Nant gate 234
is the time t3 when the next clock WB changes from time t6
The output A of DFF233 remains high during the period up to
is at a low level during the period from time t7 to time t3. As a result, the OR gate 211 operates from time t1 to t.
The clock WS input during period 6 is output. OR gate 212 outputs clock WS input between times t7 and t3. Therefore, the counter 22 does not repeat the operation of counting up the output 0UT22 from 0 to 3, maintaining the count value 3 for two clocks, and then counting down to 0. FIG. 10 is a block diagram showing the subtracter 27. The subtracter 27 includes a 4-bit adder 271, a 4-bit adder 272, and a complement setter 273. The output 0UT24 of the counter 24 is input to the adder 271, and the output 0UT26 of the counter 26 is input to the adder 272. Output 0UT2 of counters 271 and 272
7 is given to the selector 14 as m-bit address data. The complement setter 273 sets the complement [4d+11] of 1II4d+1 to be subtracted in the subtracter 27, outputs O when the output A of the control circuit 23 is 1'', and outputs the complement [4d+11] when the output A of the control circuit 23 is O''. →-1] is output. Adders 271 and 272 add O or the complement [4d+1] to the value formed by the output 0UT24 of the counter 24 and the output 0UT26 of the counter 26. However, since memory addresses are circulated, if the result of addition is a carry, the carry is ignored. Therefore, the subtracter 27 outputs O when the output A of the control circuit 23 is 1p,
When the output A is O'', the output of the counter 24 is 0.
It is subtracted from the value formed by UT24 and the output 0UT26 of counter 26. Note that the subtracter 33 is similar to the subtracter 27 except that the value to be subtracted is 3d+1. FIG. 11 is a block diagram showing the initial setting circuit 50. The initial setting circuit 50 includes a 0 detection circuit 51, an AND gate 52, and an inverter 53. The 0 detection circuit 51 is composed of, for example, a Nant gate having an m-bit input terminal. The O detection circuit 51 includes
The spear of 32-pi1- consisting of the output 0UT34 of the counter 34 and the output 0UT35 of the counter 35 is input. The O detection circuit 51 outputs 1'' to the AND gate 52 when the human power is O.The clock RB (negative logic) is input to the inverter 53, and the clock RB whose polarity is inverted is input to the AND gate 52. 1 to 52. Therefore, counter 3
4 output 0LIT34 and counter 35 output 0UT
When the clock RB is inputted when the value consisting of 35 is 0, the AND gate 52 outputs 1''. A value consisting of the output of the counter 24 and the output of the counter 25 is forcibly initialized to 7d.Before explaining the operation of the addressing device shown in FIG. Figure 12 is a diagram schematically showing a memory map per bit in one word when performing dinterleaving.The upper address is selected as the row address. ,
The lower two bits of the address are selected as the column address. The major difference from FIG. 3 is that the column address is 2 bits. The square mark indicates the written data, and the round mark indicates the read data. Data writing is performed in the next step. First, while keeping the row address at a predetermined value, for example 7d+1, the column address is changed from 0 to 3 by 1. In the figure, data (
DO, N). (Di, N-d), (02, N-2d) and (D
a, N-36) are written in order. Next, when the column address reaches 3, change the row address to 4d.
Subtract +1. Thereafter, the row address is subtracted by d, and in keeping with this, the column address is also subtracted from 3 to O by 1. In the figure, address (3d, 3)
, (2d. 2), (6,1) and (0,0) with data (D4,N
-4d >, (D5.N-5d), (06°N-66
) and (D7.N-7d) are respectively written in order. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Data reading is performed in the next step. First, each time d is added to the row address obtained by subtracting 7d from the row address at the time of writing, the column address is changed by 1 from 0 to 3. In the figure, addresses (1,0), (d+1.1
), (2d+1.2) and (3d +1.3) data (Do, N-7d ), (Dl, N-76), (D2
.. The case where N-7d) and (Da, N-76) are read out in sequence is shown. Next, when the column address reaches 3, the row address is subtracted by 3d+1. Thereafter, while keeping the row address at O, the column address is subtracted from 3 to O by 1. In the figure, addresses (0,3), (0°2), (0,1)
and (0,0) data (D4, N-76),
(D5.N-76>, (Da.N-7d) and (D7.N-76) are read out in order. The same thing as above is done while updating the row address one by one. As a result, the delay amount shown in group 4 in FIG. 1 is obtained, and dinterleaving is performed. Now, the operation of the addressing device shown in FIG.
This will be explained in detail with reference to FIGS. 15 to 15. 35- FIG. 13 is a time chart for explaining the operation of the write address designation circuit 20. FIG. 14 is a time chart for explaining the operation of the read addressing circuit 30. FIG. 15 is a time chart for explaining the operation of the selector 14. First, the operation of the write address designation circuit 20 will be explained mainly along the time chart of FIG. At time t1, when the clock WB becomes low level, the output 0UT22 of the counter 22 becomes O. At the same time, a high-order count muw that specifies the high-order address l consisting of the output of the counter 24 and the output of the counter 25 is used.
cv is increased by 1. As a result, the upper count value uwcv changes from the previous value, for example 7d to 7d+
Changes to 1. At time t8, when the low level clock WL is applied, the value of the counter 25 is loaded into the counter 26. At this time, the output A of the control circuit 23 is 1'' (
9), the number of subtractions by the subtractor 236-7 is O, so the write address is (7d do 1).
,0) yell. Therefore, among the write data WDAT, the data of the word (Do, N) in the N1-th block is transferred to the address (7d+1) during the period from time t8 to E2.
.. 0). At time t2, when the clock WS rises, the count value of the C counter 22 becomes 1. Therefore, the next word (D
I, N-d) data is written to address (7d+1.1). Thereafter, in the same manner, each time the clock WS is applied, the count value of the counter 22 increments by 1, and the address of the lower two bits changes. Then, at time t7, the output of the counter 22 is 0LI.
T22 becomes 3. Then, as explained with reference to FIG. 9, the output of the control circuit 23 becomes "0" and the subtraction number of the subtracter 27 becomes 4d+1, so the address changes to (3d, 3). Therefore, the data of word (D4.N-/ld) is written to address (3d, 3). At time t9, the clock WS is activated by the gate circuit 210.
The output signal is applied to the subtraction input terminals DN of the counters 22 and 26. Therefore, when the clock WS changes from low level to high level, the counter 22
The output 0tJT22 goes down by 1, the lower address goes down by 1, and the count value of the counter 26 also goes down by 1.
(i.e., the upper address... is down by d)
do. As a result, data of word (D5.N-5d) is written to address (2d, 2). From then on, word <I)6. N-6 (1> data is address (
The data of the word (D7.If-7d) is sequentially written to the address (0,0). In this way, one block of data writing is completed during the period from time t1 to time t3. Note that after time t3, the upper count value uwcv increases by 1 in the same manner as in the above-mentioned operation, and the data of each word of the next block is written. , in this case, the values of the counters 24 and 25 reach their upper limits, and the upper curns 1 to uwcv cycle to 0. Next, the operation of the read address designating circuit 30 is performed mainly along the time chart of FIG. At time t1, when the clock RB becomes low level, the counter 32 is reset and its output 0LJT32 becomes O. At the same time, the counter 34
The upper read count value IJRcV, which is composed of the output of
Changes to Here, when comparing the upper address m of the successive address designation circuit 20 and the write address designation circuit 30,
When the upper successive count value URCV is O, the upper write count value tJWCV is set to 7d by the initial setting circuit 50.
(see FIG. 11 and its explanation). In addition, since the clock WB and the clock RB are distributed at the same frequency, the upper write count value LI
When WCV is 7d+1, upper read count (iltJ
RcV becomes 1. That is, the initial setting circuit 50 is for preventing the write address of the memory from colliding with the subsequent address 39-. If the initial setting circuit 50 were not present, both write and read addresses would start from random addresses when the power is turned on, and the subsequent data combinations would not be normal. Once the initial value 7d is set in the initial setting circuit 50, if the writing and subsequent frame frequencies are the same,
Both write and read addresses circulate through the memory while maintaining a constant relationship. At time t4, the load clock LD reaches counter 3.
6, counter 36 loads the output of counter 35 with 0. At this time, the output A of the control circuit 33 is 1'', and the subtraction of the subtracter 37 is O, so the specified address is (1, 0).
, 0), the address is (7d+1.0)
Since the data is from a block 7d U before the data ([)O,N), the output data RDA from the memory 40
TA becomes data of word (Do, N-76). At time t5, the output 0UT32 of the counter 32 becomes 1 due to the output C of the gate circuit 31, and the count value of the counter 36 increases by 1. That is, the upper address m is increased by d. The address specified at this time is (d+1.1). Therefore, the data read from memory 40 is word (D 1 , N - d - 6d ) - (Dl,
N-76) data. This kind of behavior is the word (
D3. This process is repeated until 1-76) is read out. After time t10, the output A of the control circuit 33 becomes "O11," so that the subtractor of the subtracter 37 becomes 3d+1. Therefore, the address becomes (0, 3) and the word (D
4. N-76) data is read from the memory. At time t11, only the counter 32 decrements by 1, and the address becomes 4 (0, 2>).
The data of the word (D5°N-76) specified by 2) is read out to the memory. Thereafter, in the same manner, the clock R3
is given, the value of the counter 32 is incremented by 1, and the data of word (D6.N-7d> and the data of word (D7.N-7d>) are sequentially read out. At time t12, Reading of 8 words of the N-7d-th error correction block is completed. Fig. 15 is a time chart 1 to explain the operation of the selector 14. The select signal S L applied to the input terminal 11f causes the selector to 14 is the write address W
AD and the subsequent address RAD are selectively switched and provided to the memory 40. For example, when the select signal SL is at a high level, the write address WAD is selected and provided to the memory 40 via the output terminal 11fll as the memory designated address SAD. On the other hand, the deflector signal S
When L is at a low level, the read address RAD is selected and output from the output terminal 11 as the designated address SAD of the memory.
(Given to the memory 40 via +.Write address W
The designated address SAD of the memory when AD is selected and when the subsequent address RAD is selected can be easily understood by referring to FIG. 15, so a detailed explanation thereof will be omitted. As shown in FIG. 15, clock WB and clock RB have the same period, clock WS and clock R3 have the same period, and write address WAD and read address RAD are sent to select 1 by signal SL.
By switching, dinterleaving can be performed continuously. Note that when performing dinterleaving, the memory addressing method is not limited to the one described above. Other methods of specifying Atoshinos will be explained below. FIGS. 16 to 18 are diagrams schematically showing memory maps when other addressing methods are used when performing dinterleaving. Triangular marks indicate in-store data, and circles indicate read data. In the case of FIG. 16, data writing is performed in the next step. First, while keeping the row address at a predetermined value, for example 7d+1, the column address is changed from 3 to O one by one. next,
When the column address reaches O, the row address is decreased by 46+1]. After that, the row address is subtracted by d, and the step=43- is added to it, and the column address is added from O to 3 by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Successive output of data is performed in the next step. First, d is added to the row address obtained by subtracting 7d from the row address at the time of writing, and in step with this, the column At 1 No is changed from 33 to O by 1. Next, when the column address reaches O, the row address is subtracted by 3d+1. Thereafter, while keeping the row address at O, the column addresses are added from 0 to 3 one by one. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. In order to carry out the addressing method described above using the addressing device shown in FIG. 7, the following minor changes may be made to it. (1) Addition input terminal LIP of counters 22 and 32
and subtraction input terminal ON. (2) Reset terminals R of counters 22 and 32 are not required, and both counters are connected to clock WBIB.
and set 3 by R8. (3) An A agate that detects O is used in place of the Nant gate that detects 3 included in the i control circuits 23 and 33. In the case of FIG. 17, data writing is performed in the next step. First, the row address is decreased by d from 7d to 11 (and at the same time, the column address is added from O to 3 by 1. Next, when the column address reaches 3, 3d+1 is added to the row address. .Then the row address is 7d+
While keeping it at 1, change the column address from 3 to O by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Data reading is performed in the next step. First, while keeping the row address at O, the column address is changed from O to 3 by one. Next, when the column address reaches 3, 4d+1 is added to the row address. Thereafter, the row address is added by d, and in step with this, the column address is subtracted from 3 to O by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. In order to carry out the addressing method described above using the addressing device shown in FIG. 7, the following minor changes may be made to it. (4) Input the output C of the gate circuit 21 to the subtraction input terminal DN of the counter 26. (5) Input the output of the gate circuit 31 to the addition input terminal UP of the counter 36. In the case of FIG. 18, data writing is performed in the next step. First, the row address is subtracted by d from 7d, and at the same time, the column address is decreased from 3 to O by 1 fiI!1'.Next, when the column address reaches 0, the row address is decreased by 3d+1. Then, while keeping the row address at 7d+1, change the column address from 0 to 3 by 1. Do the same thing as above while updating the row address by 1. Reading data is the next step. First, while keeping the row address at O, change the column address from 3 to 0 by 1. Next, when the column address reaches O, add 4d+1 to the row address. After that, change the row address to At the same time as adding d!r, the column address is added from 0 to 3 by 1 at the same pace.The same thing as above is done while updating the row address by 1.The above addressing method is used. In order to perform this using the addressing device shown in FIG.
Just make the change in (5). The memory address control when performing dinterleaving has been described above in detail. Memory address control when performing interleaving will be easily understood from the explanation below, but for clarity, it will be briefly explained below. FIGS. 19 to 22 are diagrams schematically showing memory maps when interleaving is performed. Triangular marks indicate write data, and circles indicate read data. In the case of FIG. 19, data writing is performed in the next step. First, while keeping the row address at 7d+1, the column address is changed from O to 3 by 1. Then, when the column address reaches 3, change the row address to 3d+
Subtract 1. After that, the row address is added by d, and the column address is increased from 3 to 0 at the same time.
Subtract one by one. The same 47= as above is performed while updating the row addresses one by one. Data reading is performed in the next step. First, each time d is subtracted from the row address 7d+1 during writing, the column address is changed by 1 from 0 to 3 in step with it. Next, when the column at 1 nos reaches 3, change the row address to 4d
Subtract +1. Thereafter, while keeping the row address at O, the column address is subtracted from 3 to 0 by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. As a result of the above, the spread amount shown in group 2 in FIG. 1 is obtained, and interleaving is performed. In order to carry out the above addressing method using the addressing device shown in FIG. 7, the following minor changes may be made to it. For details of its operation, please refer back to the above description, taking into account the changes. (1) Change the subtraction input terminal DN of the counter 26 to the addition input terminal UP. (2) Change the addition input terminal UP of the counter 32 to the subtraction input terminal DN. 48- In the case of FIG. 20, data writing is performed in the next step. First, while keeping the row address at 76+1, the column address is changed from 3 to O by 1. Next, when the column address reaches O, change the row address to 3d→
-1 is subtracted. Thereafter, the row address is added by d, and in step with this, the column address is added from O to 3 by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Data reading is performed in the next step. First, every time d is subtracted from the row address 7d+1 at the time of writing, the column address is also changed from 3 to 0 at the same pace.
change by 1. Next, when the column address reaches O, the row address is subtracted by 4d+1. Thereafter, while keeping the row address at O, the column address is incremented by 1 from O to 3. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. In order to carry out the addressing method described above using the addressing device shown in FIG. 7, the following minor changes may be made to it. (3) Changes in (1) and (2) above and changes in (1) to (3) in the case of dinterleave. In the case of FIG. 21, data writing is performed in the next step. First, add the row address by d from O, and
At the same time, the column address is also incremented by 1 from 0 to 3. Next, when the column address reaches 3, 4d+1 is added to the row address. Then change the row address to 7d+
While keeping it at 1, change the column address from 3 to O by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Successive output of data is performed in the next step. First, while keeping the row address at O, the column address is changed from O to 3 by one. Next, when the column address reaches 3, 3d+1 is added to the row address. Thereafter, the row address is subtracted by d, and in step with this, the column address is subtracted from 3 to O by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. In order to carry out the addressing method described above using the addressing device shown in FIG. 7, it is only necessary to make the following small changes to it. (4) Changes in <1) and (2) above and changes in (4) and (5) in the case of dinterleave. In the case of FIG. 22, data writing is performed in the next step. First, add the row address from 0 to d, and
In step with this, the column address is subtracted from 3 to O by 1. Next, when the column address reaches 0, 4d+1 is added to the row address. Thereafter, the column address is changed from O to 3 by 1 while keeping the row address at 7d+1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. Successive output of data is performed in the next step. First, while keeping the row address at 0, the column address is changed from 3 to 0 by 1. next,
When the column address reaches O, 3d+1 is added to the row address. Thereafter, the row address is subtracted by d, and in step with this, the column address is added from O to 3 by 1. The same thing as above is performed while updating the row addresses one by one. In order to carry out the addressing method described above using the addressing device shown in FIG. 7, the following small changes 51- may be made to it. (5) Changes to (3) and (4) above. As described above, as is clear from comparing, for example, FIG. 3 and FIG. can be done. That is, when using a conventional addressing device, sx (
A memory capacity of 7d + 1) bits was required. However, according to the present invention, a memory capacity of 4X (7d + 2) bits per bit in a word is sufficient (4
corresponds to the number of lower addresses, and 7d+2 corresponds to the number of upper addresses. See Figure 12. ). In this case, when performing interleaving or dinterleaving, the memory capacity truly required per 1 bit in a word is
Since the total of .about.7d is 28d bits, according to the present invention, interleaving and dinterleaving can be performed with a memory capacity close to the truly required memory capacity. Further, according to the present invention, the memory capacity is only about half that of the conventional device, which is economical, and furthermore, the device can be made smaller and consume less power. In particular, the effect of this invention is that the addressing device part is integrated into an LSI, and the memory is externally connected.
This is even more noticeable when the configuration is such that the 4. Brief Description of the Drawings FIG. 1 is an illustrative diagram of a data format for explaining the interleaving and gain interleaving processes that form the background of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a conventional memory addressing device when performing dinterleave processing. FIG. 3 is a diagram schematically showing a memory map per one bit in one word when dinterleaving is performed. FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of write address designation circuit 101. FIG. 5 is a time chart for explaining the operation of the successive addressing circuit 102. Figure 6 shows 1 when performing interleaving.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a memory map per bit in a word. FIG. 7 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. FIG. 8 is a detailed circuit diagram of the gate circuit 21 and control circuit 23 of FIG. 7. FIG. 9 is a time chart for explaining the operation of the gate circuit 21 and control circuit 23. FIG. 10 is a block diagram showing the subtracter 27. FIG. 11 is a block diagram showing the initial setting circuit 50. FIG. 12 is a diagram schematically showing a memory map for each bit in one word when dinterleaving is performed. FIG. 13 is a time chart for explaining the operation of the write address designation circuit 20. Figure 14 shows
3 is a time chart for explaining the operation of the successive address designation circuit 30. FIG. FIG. 15 is a time chart for explaining the operation of the selector 14. FIGS. 16 to 18 are diagrams schematically showing memory maps when other addressing methods are used when performing dinterleaving. FIGS. 19 to 22 are diagrams schematically showing memory maps when interleaving is performed. In the figure, 14 is a selector, 20 is a write address designation circuit, 21 is a gate circuit, 22 is a counter, 23 is a control circuit, 24 to 26 are counters, 27 is a subtracter, 30
31 is a gate circuit, 32 is a counter, 33 is a control circuit, 34 to 36 are counters,
37 is a subtracter, 40 is a memory, and 50 is an initial setting circuit. Agent Shin Kuzuno - (1 other person) 55- °0 v mouth 0 ℃ ℃ 0 ℃ (N CQ J Ln (D
h month-υto21-ha-kuOO≦''

Claims (1)

【特許請求の範囲】 メモリのアドレスを一ビットとnビットに分けてアドレ
ス指定する装置であって、 前記メモリのアドレスを歩進させるためのクロック信号
を発生するクロック信号発生手段、前記クロック信号が
与えられるごとにnビットのアドレスを第1の数ずつ加
算する第1の計数手段を含み、第1の計数手段の計数値
をnビットアドレスデータとして発生する第1のアドレ
スデータ発生手段、 前記クロック信号が与えられるごとにmビットのアドレ
スを第2の数ずつ加算する第2の計数手段を含み、mビ
ットアドレスデータを発生する第2のアドレスデータ発
生手段、および 前記第1のアドレスデータ発生手段と前記第2のアドレ
スデータ発生手段を制御する制御手段を備え、 前記制御手段は、 前記第1の計数手段の出ノ〕に基づいて、前記nビット
アドレスが所定アドレスに達したことを検出する所定ア
ドレス検出手段と、 前記所定アドレス検出手段のあった後、前記クロック信
号が与えられるごとに前記第1の計数手段を第1の数ず
つ減算させる手段と、前記所定アドレス検出手段出力に
応答して、前記第2の計数手段を不能動化させる不能動
化手段とを含み、 前記第2のアドレスデータ発生手段は、前記所定アドレ
ス検出手段出力に応答し′C1前lk!mビットアドレ
スデータをそのときのmビットアドレスと第3の数との
和の値に変化させる手段をさらに含む、メモリのアドレ
ス指定装置。
[Scope of Claim] A device for specifying a memory address by dividing it into one bit and n bits, comprising a clock signal generating means for generating a clock signal for incrementing the memory address, the clock signal being a first address data generating means that includes a first counting means that adds an n-bit address by a first number each time the clock is given, and generates a count value of the first counting means as n-bit address data; a second address data generating means that generates m-bit address data, including a second counting means that adds the m-bit address by a second number each time a signal is applied; and the first address data generating means and a control means for controlling the second address data generation means, the control means detecting that the n-bit address has reached a predetermined address based on the output of the first counting means. predetermined address detection means; means for causing the first counting means to subtract a first number each time the clock signal is applied after the predetermined address detection means; and means responsive to the output of the predetermined address detection means. and disabling means for disabling the second counting means, the second address data generating means responding to the output of the predetermined address detecting means 'C1 before lk!' A memory addressing device further comprising means for changing the m-bit address data to a value that is the sum of the current m-bit address and a third number.
JP10820782A 1981-12-18 1982-06-21 Device for specifying address of memory Granted JPS58224489A (en)

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JP10820782A JPS58224489A (en) 1982-06-21 1982-06-21 Device for specifying address of memory
US06/446,403 US4516219A (en) 1981-12-18 1982-12-02 Address designating method of memory and apparatus therefor
DE3249898A DE3249898C2 (en) 1981-12-18 1982-12-14
DE19823246254 DE3246254A1 (en) 1981-12-18 1982-12-14 STORAGE ADDRESS PROCEDURE

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