JPH11266082A - Multilayer printed wiring board - Google Patents
Multilayer printed wiring boardInfo
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- JPH11266082A JPH11266082A JP6706498A JP6706498A JPH11266082A JP H11266082 A JPH11266082 A JP H11266082A JP 6706498 A JP6706498 A JP 6706498A JP 6706498 A JP6706498 A JP 6706498A JP H11266082 A JPH11266082 A JP H11266082A
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- layer
- filler
- resin
- hole
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板に関し、特に、充填材の硬化収縮を抑制してスルーホ
ールとバイアホールの接続信頼性を確保した多層プリン
ト配線板について提案する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board, and more particularly, to a multilayer printed wiring board which suppresses curing shrinkage of a filler to secure connection reliability between a through hole and a via hole.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ICチップを実装するパッケージ
基板は、電子工業の進歩に伴う電子機器の小型化あるい
は高速化に対応し、ファインパターンによる高密度化お
よび信頼性の高いものが求められている。2. Description of the Related Art In recent years, a package substrate on which an IC chip is mounted has been required to have a high density and high reliability by a fine pattern in response to the miniaturization or high speed of electronic equipment accompanying the progress of the electronics industry. I have.
【0003】このようなパッケージ基板として、例え
ば、特開平5−243728号公報には、めっきスルーホール
に導電ペーストを充填し、この導電ペーストを被覆する
導体層を形成したものが開示されている。As such a package substrate, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-243728 discloses a package substrate in which a conductive paste is filled in a plated through hole and a conductive layer covering the conductive paste is formed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上掲の従来
技術に係るパッケージ基板では、導電ペーストを使用し
ているので、樹脂を硬化収縮させて導電性を生じさせる
必要があった。このため、かかるパッケージ基板では、
充填材の硬化収縮に起因した隙間が導電ペーストとスル
ーホール内壁の導体との間に生じやすく、高温、多湿条
件下に曝すと、導電ペーストを被覆する導体層が剥離し
たり、スルーホールとバイアホールと間で断線が発生す
るといった問題が生じた。However, in the above-described package substrate according to the prior art, since a conductive paste is used, it is necessary to cure and shrink the resin to generate conductivity. Therefore, in such a package substrate,
Gap due to curing shrinkage of the filler is likely to occur between the conductive paste and the conductor on the inner wall of the through-hole, and when exposed to high temperature and high humidity conditions, the conductive layer covering the conductive paste may peel off, or the through-hole and the via may be removed. A problem such as disconnection between the holes occurred.
【0005】そこで、本発明は、充填材の硬化収縮を抑
制してスルーホールとバイアホールの接続信頼性を確保
したプリント配線板を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a printed wiring board which suppresses curing shrinkage of a filler and secures connection reliability between a through hole and a via hole.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、下記内容を要旨構成とす
る発明に想到した。 (1) 本発明の多層プリント配線板は、導体層を有する基
板上に、層間樹脂絶縁層と導体層を交互に積層して内外
層の導体層どうしをバイアホールにて接続したビルドア
ップ配線層が形成されている多層プリント配線板におい
て、前記基板には、表面および裏面を電気的に接続する
スルーホールが形成され、そのスルーホールには金属粒
子を含む非導電性の充填材が充填され、さらにその充填
材のスルーホールからの露出面を覆う導体層が形成され
ていることを特徴とする。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have intensively studied for realizing the above-mentioned object, and as a result, have arrived at an invention having the following contents as the gist. (1) A multilayer printed wiring board according to the present invention has a build-up wiring layer in which an interlayer resin insulating layer and a conductive layer are alternately laminated on a substrate having a conductive layer and inner and outer conductive layers are connected to each other via holes. In the multilayer printed wiring board in which is formed, the substrate is formed with a through hole for electrically connecting the front surface and the back surface, and the through hole is filled with a non-conductive filler containing metal particles, Furthermore, a conductive layer is formed to cover the exposed surface of the filler from the through hole.
【0007】なお、上記多層プリント配線板において、
充填材を覆う前記導体層にはバイアホールが接続されて
いることが好ましく、前記充填材は、金属粒子、樹脂お
よび平均粒径が好ましくは1〜1000nmの無機超微粉末か
らなることが好ましい。また、前記充填材は、比抵抗が
1MΩ・cm以上、より望ましくは1×108 Ω・cm以上
であり、前記金属粒子は、その平均粒径が 0.1〜30μm
であることが好ましい。[0007] In the above multilayer printed wiring board,
Via holes are preferably connected to the conductor layer covering the filler, and the filler is preferably made of metal particles, a resin, and an inorganic ultrafine powder having an average particle size of preferably 1 to 1000 nm. The filler has a specific resistance of 1 MΩ · cm or more, more preferably 1 × 10 8 Ω · cm or more, and the metal particles have an average particle diameter of 0.1 to 30 μm.
It is preferred that
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】このような本発明の多層プリント
配線板は、スルーホールを埋める材料として金属粒子を
含む充填材を使用しているので、充填材とその充填材を
覆う導体層との密着性に優れ、また非導電性の充填材を
使用しているので、金属粒子を含む充填材に導電性をも
たせるための硬化収縮を付与する必要がなく、スルーホ
ール内壁導体からの充填材の剥離を防止することができ
る。このような剥離が存在すると、高温多湿条件下では
水が溜り、この水が揮発する際に導体層を押し上げて剥
離させてしまうからである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In such a multilayer printed wiring board of the present invention, a filler containing metal particles is used as a material for filling a through hole. Excellent adhesion and non-conductive fillers are used, so there is no need to impart hardening shrinkage to impart conductivity to the fillers containing metal particles. Peeling can be prevented. If such peeling is present, water accumulates under high-temperature and high-humidity conditions, and when the water evaporates, the conductor layer is pushed up and peeled.
【0009】特に本発明では、充填材として、金属粒
子、樹脂、および平均粒径が好ましくは1〜1000nm(よ
り好ましくは2〜100nm)の無機超微粉末からなる組成物
を用いることが望ましい。この理由は、無機超微粉末の
分子間力によって形成される網目状構造が金属粒子をト
ラップし、その金属粒子は沈降することがない。このた
め、充填材表面に金属粒子が突出し、この金属粒子とそ
れを被覆する導体層が一体化してその密着性を向上させ
ることができるからである。これにより、充填材とスル
ーホール導体層との剥離を防止し、高温多湿条件下でも
充填材とこの充填材を被覆する導体層との剥離が発生し
なくなる。Particularly, in the present invention, it is desirable to use, as the filler, a composition comprising metal particles, a resin, and an inorganic ultrafine powder having an average particle size of preferably 1 to 1000 nm (more preferably 2 to 100 nm). The reason is that the network structure formed by the intermolecular force of the inorganic ultrafine powder traps metal particles, and the metal particles do not settle. For this reason, the metal particles protrude from the surface of the filler, and the metal particles and the conductor layer covering the metal particles are integrated to improve the adhesion. This prevents separation between the filler and the through-hole conductor layer, and prevents separation between the filler and the conductor layer covering the filler even under high-temperature and high-humidity conditions.
【0010】ここで、前記充填材を構成する金属粒子と
しては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタ
ン、クロム、すず/鉛、パラジウムなどが使用できる。
この金属粒子は、樹脂との密着性を改善するために、そ
の表面に錯化剤などの金属表面改質剤などを付与しても
よい。この金属粒子は、その平均粒径が 0.1〜30μmで
あることが好ましい。この理由は、充填材を被覆する導
体層との密着性を確保できる範囲だからである。また、
この金属粒子の配合量は、充填材の全固形分に対して30
〜90重量%とすることが望ましい。この理由は、密着性
および印刷性を同時に確保できる範囲だからである。Here, as the metal particles constituting the filler, copper, gold, silver, aluminum, nickel, titanium, chromium, tin / lead, palladium and the like can be used.
The metal particles may be provided with a metal surface modifier such as a complexing agent on the surface thereof in order to improve the adhesion to the resin. The metal particles preferably have an average particle size of 0.1 to 30 μm. The reason for this is that the adhesiveness with the conductor layer covering the filler can be ensured. Also,
The mixing amount of the metal particles is 30% based on the total solid content of the filler.
It is desirable to set it to 90% by weight. The reason for this is that the adhesiveness and printability can be simultaneously secured.
【0011】また、前記充填材を構成するマトリックス
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いるこ
とができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂から選ばれるいずれか少
なくとも1種の樹脂がよい。熱可塑性樹脂としては、ポ
リテトラフルオロエチレン(PTFE)、4フッ化エチ
レン6フッ化プロピレン共重合体(FEP)、4フッ化
エチレンパーフロロアルコキシ共重合体(PFA)等の
フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、
ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニレンスルフィド
(PPS)、熱可塑型ポリフェニレンエーテル(PP
E)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリエーテ
ルイミド(PEI)、ポリフェニレンスルフォン(PP
ES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエ
ーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリオレフィン系
樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種がよい。As the matrix resin constituting the filler, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used. As the thermosetting resin, at least one resin selected from an epoxy resin, a polyimide resin, and a phenol resin is preferable. As the thermoplastic resin, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP), and tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PFA), polyethylene terephthalate ( PET),
Polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic polyphenylene ether (PP
E), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PP
ES), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), and at least one selected from polyolefin resins.
【0012】特に、充填材に用いられる最適樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂およびノボラック型
エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種がよ
い。この理由は、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、A
型、F型などの樹脂を適宜選択することにより、希釈溶
媒を使用しなくともその粘度を調整でき、またノボラッ
ク型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性や耐薬品性に優
れ、無電解めっき液のような強塩基性溶液中でも分解せ
ず、また熱分解しないからである。前記ビスフェノール
型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂から選ばれるい
ずれか少なくとも1種を用いることが望ましい。なかで
も、ビスフェノールF型エポキシ樹脂は、低粘度で無溶
剤で使用することができるため有利である。前記ノボラ
ック型エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂か
ら選ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望ま
しい。このような樹脂の中で、ノボラック型エポキシ樹
脂とビスフェノール型エポキシ樹脂を配合して用いる場
合、その配合割合は、重量比で1/1〜1/100 が望ま
しい。この理由は、粘度の上昇を抑制しつつ、金属粒子
の沈降を防止できる範囲だからである。In particular, as the optimum resin used for the filler, at least one selected from bisphenol type epoxy resin and novolak type epoxy resin is preferable. The reason for this is that bisphenol type epoxy resin has A
The viscosity can be adjusted without using a diluting solvent by appropriately selecting the resin such as mold and F-type. Novolak-type epoxy resin has high strength, excellent heat resistance and chemical resistance, This is because it does not decompose even in a strongly basic solution such as described above, and does not thermally decompose. As the bisphenol-type epoxy resin, it is desirable to use at least one selected from a bisphenol A-type epoxy resin and a bisphenol F-type epoxy resin. Among them, bisphenol F type epoxy resin is advantageous because it can be used with low viscosity and without solvent. As the novolak type epoxy resin, it is desirable to use at least one selected from a phenol novolak type epoxy resin and a cresol novolak type epoxy resin. When a novolak type epoxy resin and a bisphenol type epoxy resin are blended and used among such resins, the blending ratio is desirably 1/1 to 1/100 by weight. The reason for this is that the sedimentation of metal particles can be prevented while suppressing an increase in viscosity.
【0013】前記充填材を構成する無機超微粒子として
は、シリカ、アルミナ、炭化珪素、ムライトを用いるこ
とが望ましい。なかでもシリカが最適である。この無機
超微粒子の平均粒径は、1〜1000nm、より好ましくは2
〜100nm とする。この理由は、粒子径が微細であるた
め、スルーホールの充填性を損なうことなく、また水素
結合と推定される結合を網目状に形成でき、粒子状物質
をトラップできる範囲だからである。この無機超微粉末
の配合量は、充填材の全固形分に対して 0.1〜5重量%
とすることが望ましい。この理由は、充填性を損なうこ
となく、硬化収縮を防止できる範囲だからである。It is desirable to use silica, alumina, silicon carbide, or mullite as the inorganic ultrafine particles constituting the filler. Among them, silica is most suitable. The average particle size of the inorganic ultrafine particles is 1 to 1000 nm, more preferably 2 to 1000 nm.
100100 nm. The reason for this is that, since the particle diameter is fine, it is possible to form a network assumed to be a hydrogen bond without impairing the filling property of the through hole and to trap particulate matter. The amount of the inorganic ultrafine powder is 0.1 to 5% by weight based on the total solid content of the filler.
It is desirable that The reason for this is that curing shrinkage can be prevented without impairing the filling property.
【0014】なお、このような樹脂組成物に使用される
硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化
剤、アミン系硬化剤が望ましい。硬化収縮が小さいから
である。硬化収縮を抑制することにより、充填材とそれ
を被覆する導体層との一体化してその密着性を向上させ
ることができる。The curing agent used in such a resin composition is preferably an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, or an amine curing agent. This is because curing shrinkage is small. By suppressing the curing shrinkage, the filler can be integrated with the conductor layer covering the filler to improve the adhesion.
【0015】また、このような硬化前の樹脂組成物は、
必要に応じて溶剤で希釈することができる。この溶剤と
しては、NMP(ノルマルメチルピロリドン)、DMD
G(ジエチレングリコールジメチルエーテル)、グリセ
リン、水、1−又は2−又は3−のシクロヘキサノー
ル、シクロヘキサノン、メチルセルソルブ、メチルセル
ソルブアセテート、メタノール、エタノール、ブタノー
ル、プロパノールなどがある。The resin composition before curing is as follows:
If necessary, it can be diluted with a solvent. Examples of the solvent include NMP (normal methylpyrrolidone), DMD
G (diethylene glycol dimethyl ether), glycerin, water, 1- or 2- or 3-cyclohexanol, cyclohexanone, methylcellosolve, methylcellosolve acetate, methanol, ethanol, butanol, propanol and the like.
【0016】本発明では、充填材の比抵抗を、106 Ω・
cm以上、より好ましくは108 Ω・cm以上とし、非導電性
とする。この理由は、充填材を導電性にすると、その樹
脂組成物を硬化したのち研磨する際に、研磨くずが導体
回路間に付着し、ショートの原因となるからである。ま
た、上記樹脂組成物は、導電性を付与するには硬化収縮
させる必要があるが、硬化収縮させることは充填材を被
覆する導体層との剥離を招くことになるので好ましくな
いからである。In the present invention, the specific resistance of the filler is set to 10 6 Ω ·
cm or more, more preferably 10 8 Ω · cm or more, and non-conductive. The reason for this is that when the filler is made conductive, when the resin composition is cured and then polished, polishing debris adheres between the conductor circuits and causes a short circuit. Further, the resin composition needs to be cured and shrunk in order to impart conductivity, but it is not preferable that the resin composition is cured and shrunk, since it causes peeling from the conductor layer covering the filler.
【0017】本発明では、スルーホールおよび充填材を
覆う導体層上にバイアホールが接続されていてもよい。
この理由は、スルーホールによるデッドスペースを無く
すことができるからである。In the present invention, the via hole may be connected to the conductor layer covering the through hole and the filler.
The reason for this is that dead space due to through holes can be eliminated.
【0018】本発明では、配線密度を高くするために、
基板の内層に導体層が形成されていることが望ましい。
このとき、基板は、導体層とプリプレグを交互に積層し
て形成されてなる。例えば、基板は、ガラス繊維やアラ
ミド繊維の布あるいは不織布に樹脂を含浸させてBステ
ージとしたプリプレグを、銅箔や回路基板と交互に積層
し、加熱プレスして一体化することにより形成される。In the present invention, in order to increase the wiring density,
It is desirable that a conductor layer be formed on the inner layer of the substrate.
At this time, the substrate is formed by alternately laminating conductor layers and prepregs. For example, the substrate is formed by alternately laminating a prepreg made of glass fiber or aramid fiber cloth or non-woven fabric with a resin and impregnating the resin into a B stage with a copper foil or a circuit board, and heat-pressing and integrating them. .
【0019】本発明では、充填材が充填されるスルーホ
ールの内壁導体表面に粗化層が形成されていることが望
ましい。この理由は、充填材とスルーホールとが粗化層
を介して密着し隙間が発生しないからである。もし、充
填材とスルーホールとの間に空隙が存在すると、その直
上に電解めっきで形成される導体層は、平坦なものとな
らなかったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥
離を引き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まっ
てマイグレーションやクラックの原因となったりする。
この点、粗化層が形成されているとこのような不良発生
を防止することができる。In the present invention, it is preferable that a roughened layer is formed on the inner wall conductor surface of the through hole filled with the filler. The reason for this is that the filler and the through hole are in close contact with each other via the roughened layer, and no gap is generated. If there is a gap between the filler and the through-hole, the conductor layer formed by electrolytic plating directly above it will not be flat, or the air in the gap will thermally expand, causing cracks and peeling. Or cause water to accumulate in the voids, causing migration or cracks.
In this regard, the formation of the roughened layer can prevent such defects from occurring.
【0020】また、本発明において、充填材を覆う導体
層の表面には、スルーホール内壁の導体表面に形成した
粗化層と同様の粗化層が形成されていることが有利であ
る。この理由は、粗化層により層間樹脂絶縁層やバイア
ホールとの密着性を改善することができるからである。
特に、導体層の側面に粗化層が形成されていると、導体
層側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。In the present invention, it is advantageous that a roughened layer similar to the roughened layer formed on the conductor surface on the inner wall of the through hole is formed on the surface of the conductor layer covering the filler. The reason for this is that the roughened layer can improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer and via holes.
In particular, if the roughened layer is formed on the side surface of the conductor layer, cracks generated toward the interlayer resin insulation layer starting from the interface due to insufficient adhesion between the conductor layer side surface and the interlayer resin insulation layer can be suppressed. Can be.
【0021】このようなスルーホール内壁や導体層の表
面に形成される粗化層の厚さは、0.1〜10μmがよい。
この理由は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄
すぎると被着体との密着力が低くなるからである。この
粗化層としては、スルーホール内壁の導体あるいは導体
層の表面を、酸化(黒化)−還元処理して形成したも
の、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形成し
たもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめっき
処理にて形成したものがよい。The thickness of the roughened layer formed on the inner wall of the through hole or the surface of the conductor layer is preferably 0.1 to 10 μm.
The reason for this is that if it is too thick, it causes interlayer short-circuit, and if it is too thin, the adhesion to the adherend decreases. The roughened layer is formed by subjecting the conductor on the inner wall of the through hole or the surface of the conductor layer to an oxidation (blackening) -reduction treatment, or a treatment formed with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex. Alternatively, a material formed by plating a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy is preferable.
【0022】これらの処理のうち、酸化(黒化)−還元
処理による方法では、NaOH(20g/l)、NaClO2(50g
/l)、Na3PO4(15.0g/l)を酸化浴(黒化浴)、Na
OH(2.7g/l)、NaBH4 ( 1.0g/l)を還元浴とす
る。Among these treatments, in the method by oxidation (blackening) -reduction treatment, NaOH (20 g / l), NaClO 2 (50 g
/ L), Na 3 PO 4 (15.0 g / l) in an oxidation bath (blackening bath), Na
OH (2.7 g / l) and NaBH 4 (1.0 g / l) are used as the reducing bath.
【0023】また、有機酸−第二銅錯体の水溶液を用い
た処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件
下で次のように作用し、導体回路である銅などの金属箔
を溶解させる。 Cu+Cu(II)An →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O2 +nAH(エアレーション) →2Cu(II)An +n/2H2 O Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数であ
る。In the treatment using an aqueous solution of an organic acid-cupric acid complex, a metal foil such as copper, which is a conductive circuit, is dissolved under the coexistence conditions of oxygen such as spraying and bubbling as follows. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) A n / 2 2Cu (I) A n / 2 + n / 4O 2 + nAH (aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O A is a complexing agent (chelate) N acts as a coordination number.
【0024】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、2−メチ
ルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、1〜15重量%がよい。
この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れるから
である。The cupric complex used in this treatment is preferably an azole cupric complex. The cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, diazole, triazole,
Tetrazole is preferred. Among them, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferable. The content of the cupric complex of azoles is preferably 1 to 15% by weight.
This is because, when it is in this range, solubility and stability are excellent.
【0025】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも1種がよい。この有機酸の含有量は、 0.1〜30
重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶
解安定性を確保するためである。なお、発生した第一銅
錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体
となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸に加
えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加して
もよい。The organic acid is added to dissolve copper oxide. Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, apple At least one selected from acids and sulfamic acids is preferred. The content of this organic acid is 0.1-30
% By weight is good. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the solubility stability. The generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. Further, in addition to the organic acid, an inorganic acid such as borofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid may be added.
【0026】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量%がよい。こ
の範囲内にあれば、形成された粗化層は層間樹脂絶縁層
との密着性に優れるからである。In order to assist the dissolution of copper and the oxidizing action of azoles, a halogen ion, for example, a fluorine ion, a chlorine ion or a bromine ion is added to the etching solution comprising the organic acid-cupric complex. Is also good. The halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, or the like. The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because if it is within this range, the formed roughened layer has excellent adhesion to the interlayer resin insulating layer.
【0027】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸(必要に
応じてハロゲンイオン)を、水に溶解して調製する。The etching solution comprising the organic acid-cupric complex is prepared by dissolving a cupric complex of an azole and an organic acid (halogen ion if necessary) in water.
【0028】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケ
ル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン
酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤
0.01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いること
が望ましい。In the plating of a needle-shaped alloy consisting of copper-nickel-phosphorus, copper sulfate 1-40 g / l, nickel sulfate 0.1-6.0 g / l, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-100 g / l, boric acid 10-40 g / l, surfactant
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of 0.01 to 10 g / l.
【0029】本発明において、ビルドアップ配線層で使
用される層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合
体を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性
ポリフェニレンエーテル(PPE)などが使用できる。
熱可塑性樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン
(PTFE)、4フッ化エチレン6フッ化プロピレン共
重合体(FEP)、4フッ化エチレンパーフロロアルコ
キシ共重合体(PFA)等のフッ素樹脂、ポリエチレン
テレフタレート(PET)、ポリスルフォン(PS
F)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、熱可塑型
ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポ
リフェニレンスルフォン(PPES)、ポリエチレンナ
フタレート(PEN)、ポリエーテルエーテルケトン
(PEEK)、ポリオレフィン系樹脂などを使用でき
る。熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体としては、エ
ポキシ樹脂−PES、エポキシ樹脂−PSF、エポキシ
樹脂−PPS、エポキシ樹脂−PPESなどが使用でき
る。In the present invention, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used as the interlayer resin insulating layer used in the build-up wiring layer. As the thermosetting resin, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a thermosetting polyphenylene ether (PPE), or the like can be used.
As the thermoplastic resin, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP), and tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PFA), polyethylene terephthalate ( PET), polysulfone (PS)
F), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic polyphenylene ether (PPE), polyether sulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PPES), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone ( PEEK), polyolefin resins, and the like. As a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, epoxy resin-PES, epoxy resin-PSF, epoxy resin-PPS, epoxy resin-PPES, or the like can be used.
【0030】本発明では、層間樹脂絶縁層としてガラス
クロス含浸樹脂複合体を用いることができる。このガラ
スクロス含浸樹脂複合体としては、ガラスクロス含浸エ
ポキシ、ガラスクロス含浸ビスマレイミドトリアジン、
ガラスクロス含浸PTFE、ガラスクロス含浸PPE、
ガラスクロス含浸ポリイミドなどがある。In the present invention, a glass cloth impregnated resin composite can be used as the interlayer resin insulating layer. As the glass cloth impregnated resin composite, glass cloth impregnated epoxy, glass cloth impregnated bismaleimide triazine,
Glass cloth impregnated PTFE, glass cloth impregnated PPE,
Examples include glass cloth impregnated polyimide.
【0031】また本発明において、層間樹脂絶縁層とし
ては、無電解めっき用接着剤を用いることができる。こ
の無電解めっき用接着剤としては、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理に
よって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性
樹脂中に分散されてなるものが最適である。この理由
は、酸や酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成できるからである。粗化面の深さは、0.01
〜20μmがよい。密着性を確保するためである。また、
セミアディティブプロセスにおいては、 0.1〜5μmが
よい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去でき
る範囲だからである。In the present invention, an adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating layer. As the adhesive for electroless plating, heat-resistant resin particles that are soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin that becomes hardly soluble in an acid or an oxidizing agent by the curing treatment. Is best. The reason for this is that by treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface. The depth of the roughened surface is 0.01
~ 20 µm is preferred. This is to ensure adhesion. Also,
In the semi-additive process, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.
【0032】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が2μm以
下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜10μ
mの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の耐
熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1種
を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が 0.1〜0.8 μ
mの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μmを超え2μm
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が 0.1〜
1.0 μmの耐熱性樹脂粉末、から選ばれるいずれか少な
くとも1種を用いることが望ましい。これらは、より複
雑なアンカーを形成できるからである。この無電解めっ
き用接着剤で使用される耐熱性樹脂は、前述の熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複
合体を使用できる。In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less, and an average particle size of 2 to 10 μm
m, a pseudo particle obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of the heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm.
m heat resistant resin powder and average particle size exceeding 0.8 μm and 2 μm
Mixture with heat-resistant resin powder of less than 0.1, average particle size 0.1 ~
It is desirable to use at least one selected from heat-resistant resin powder of 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors. As the heat-resistant resin used in the adhesive for electroless plating, the above-mentioned thermosetting resin, thermoplastic resin, or a composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin can be used.
【0033】本発明において、基板上に形成された導体
層(スルーホールに充填された充填材を覆うものを含
む)と層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路は、バイ
アホールで接続することができる。この場合、バイアホ
ールは、めっき膜や導電ペーストで充填されたものがよ
い。In the present invention, the conductive layer formed on the substrate (including the one covering the filler filled in the through hole) and the conductive circuit formed on the interlayer resin insulating layer are connected by a via hole. Can be. In this case, the via hole is preferably filled with a plating film or a conductive paste.
【0034】次に、本発明の多層プリント配線板を製造
する方法について一例を挙げて具体的に説明する。な
お、以下に述べる方法は、セミアディティブ法による多
層プリント配線板の製造方法に関するものであるが、本
発明における多層プリント配線板の製造方法では、フル
アディティブ法やマルチラミネーション法、ピンラミネ
ーション法を採用することができる。Next, the method for producing the multilayer printed wiring board of the present invention will be specifically described by way of an example. The method described below relates to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board by a semi-additive method, but the method of manufacturing a multilayer printed wiring board in the present invention employs a full additive method, a multi-lamination method, and a pin lamination method. can do.
【0035】(1) まず、基板にドリルで貫通孔を明け、
貫通孔の内壁面を含む基板表面に無電解めっきを施して
スルーホールを形成する。基板としては、ガラスエポキ
シ基板やポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン
樹脂基板、フッ素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこ
れらの樹脂の銅張積層板、セラミック基板、金属基板な
どを用いることができる。特に、誘電率を考慮する場合
は、両面銅張フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン
等)基板を用いることが好ましい。この基板は、片面が
粗化された銅箔をフッ素樹脂基板に熱圧着したものであ
る。無電解めっきとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂
基板のようにめっきのつきまわりが悪い基板の場合は、
有機酸などからなる前処理液(商品名:テトラエッチ)
を用いた処理、プラズマ処理などの表面改質を行う。(1) First, a through hole is drilled in the substrate with a drill,
Electroless plating is performed on the substrate surface including the inner wall surface of the through hole to form a through hole. As the substrate, a resin substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin substrate, a fluororesin substrate, or a copper-clad laminate of these resins, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like can be used. In particular, when the dielectric constant is considered, it is preferable to use a double-sided copper-clad fluororesin (polytetrafluoroethylene or the like) substrate. This substrate is obtained by thermocompression bonding copper foil having one surface roughened to a fluororesin substrate. Copper plating is preferred as the electroless plating. For substrates with poor plating coverage, such as fluororesin substrates,
Pretreatment liquid consisting of organic acid, etc. (trade name: Tetra etch)
And surface modification such as plasma treatment.
【0036】(2) 次に、厚付けのために電解めっきを行
う。この電解めっきとしては銅めっきがよい。そしてさ
らに、スルーホール内壁および電解めっき膜表面を粗化
処理して粗化層を設けてもよい。この粗化層には、酸化
(黒化)−還元処理によるもの、有機酸と第二銅錯体の
混合水溶液をスプレー処理(エッチング処理)して形成
したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金めっき
によるものがある。(2) Next, electrolytic plating is performed for thickening. Copper plating is preferable as the electrolytic plating. Further, a roughening layer may be provided by roughening the inner wall of the through hole and the surface of the electrolytic plating film. The roughened layer may be formed by oxidation (blackening) -reduction treatment, formed by spraying (etching) a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, or a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy. Some are by plating.
【0037】これらの処理のなかで、無電解めっきによ
り粗化層を形成する場合は、銅イオン濃度、ニッケルイ
オン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10
-2〜4.1×10-2 mol/l、 2.2×10-3〜4.1 ×10-3 mol
/l、0.20〜0.25 mol/lである組成のめっき水溶液を
用いることが望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶
構造は針状構造になり、アンカー効果に優れるからであ
る。この無電解めっき水溶液には、上記化合物に加えて
錯化剤や添加剤を加えてもよい。また、0.01〜10g/l
の界面活性剤を加えてもよい。この界面活性剤として
は、例えば、日信化学工業製のサーフィノール440 、46
5 、485 などのアセチレン含有ポリオキシエチレン系界
面活性剤を用いることが望ましい。即ち、無電解めっき
により粗化層を形成する場合は、硫酸銅1〜40g/l、
硫酸ニッケル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/
l、次亜リン酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/
l、界面活性剤0.01〜10g/lからなる液組成のめっき
水溶液を用いることが望ましい。When a roughened layer is formed by electroless plating in these treatments, the copper ion concentration, nickel ion concentration and hypophosphite ion concentration are each 2.2 × 10 4
-2 to 4.1 × 10 -2 mol / l, 2.2 × 10 -3 to 4.1 × 10 -3 mol
/ L, an aqueous plating solution having a composition of 0.20 to 0.25 mol / l is desirably used. This is because the crystal structure of the film deposited in this range has a needle-like structure and is excellent in anchor effect. To this aqueous electroless plating solution, a complexing agent or an additive may be added in addition to the above compounds. In addition, 0.01 to 10 g / l
May be added. Examples of the surfactant include Surfynol 440 and 46 manufactured by Nissin Chemical Industry.
It is desirable to use an acetylene-containing polyoxyethylene surfactant such as 5,485. That is, when a roughened layer is formed by electroless plating, copper sulfate 1 to 40 g / l,
Nickel sulfate 0.1-6.0 g / l, citric acid 10-20 g /
l, hypophosphite 10-100 g / l, boric acid 10-40 g /
It is desirable to use an aqueous plating solution having a solution composition of 0.01 to 10 g / l of a surfactant.
【0038】酸化還元処理により粗化層を形成する場合
は、NaOH(20g/l)、NaClO2(50g/l)、Na3PO
4(15.0g/l)を酸化浴とし、NaOH( 2.7g/l)、N
aBH4 (1.0g/l)を還元浴とすることが望ましい。When a roughened layer is formed by oxidation-reduction treatment, NaOH (20 g / l), NaClO 2 (50 g / l), Na 3 PO
4 (15.0 g / l) as oxidation bath, NaOH (2.7 g / l), N
Preferably, aBH 4 (1.0 g / l) is used as the reducing bath.
【0039】有機酸と第二銅錯体の混合水溶液を用いる
エッチング処理により粗化層を形成する場合は、メック
(株)製のCZ8100液に代表されるが、液中に含まれる2
価の銅の酸化力を利用して銅表面を凹凸にする。In the case where a roughened layer is formed by etching using a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, a CZ8100 solution manufactured by Mec Co., Ltd. is typically used.
The copper surface is made uneven using the oxidizing power of copper.
【0040】粗化層は、イオン化傾向が銅より大きくチ
タン以下である金属あるいは貴金属の層で被覆されてい
てもよい。この理由は、前記金属あるいは貴金属の層
は、粗化層を被覆し、層間絶縁層を粗化処理する際に導
体回路の局部電極反応を防止してその導体回路の溶解を
防止するからである。この層の厚さは0.01〜2μmがよ
い。このような金属としては、チタン、アルミニウム、
亜鉛、鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッケ
ル、スズ、鉛、ビスマスから選ばれる少なくとも1種が
ある。また、貴金属としては、金、銀、白金、パラジウ
ムがある。なかでも、スズは、無電解置換めっきにより
薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合は、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩
化スズ−チオ尿素液を使用し、Cu−Snの置換反応により
0.01〜2μm程度のSn層が形成される。一方、貴金属の
場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用される。The roughened layer may be covered with a layer of a metal or a noble metal having an ionization tendency larger than copper and equal to or smaller than titanium. The reason for this is that the metal or noble metal layer covers the roughened layer and prevents local electrode reaction of the conductor circuit when roughening the interlayer insulating layer, thereby preventing the conductor circuit from melting. . The thickness of this layer is preferably 0.01 to 2 μm. Such metals include titanium, aluminum,
There is at least one selected from zinc, iron, indium, thallium, cobalt, nickel, tin, lead and bismuth. The noble metals include gold, silver, platinum and palladium. Among them, tin is advantageous because it can form a thin layer by electroless displacement plating and can follow a roughened layer. In the case of tin, tin borofluoride-thiourea or tin chloride-thiourea solution is used, and the substitution reaction of Cu-Sn is performed.
A Sn layer of about 0.01 to 2 μm is formed. On the other hand, in the case of a noble metal, a method such as sputtering or vapor deposition is adopted.
【0041】(3) 次に、スルーホール内に、前述した構
成の充填材を充填する。具体的には、充填材は、スルー
ホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上に、
印刷法にて塗布することによりスルーホール内に充填さ
れ、充填後、乾燥、硬化される。硬化条件としては、50
〜160 ℃で 0.5〜5時間であることが望ましい。(3) Next, the filler having the above-described structure is filled in the through holes. Specifically, the filler is placed on a substrate on which a mask having an opening in a through-hole portion is placed.
It is filled in the through hole by applying by a printing method, and after filling, it is dried and cured. The curing conditions are 50
It is desirable that the heating time is 0.5 to 5 hours at 160 ° C.
【0042】さらに、スルーホールからはみ出した充填
材および基板の電解めっき膜表面の粗化層を研磨により
除去して、基板表面を平坦化する。この研磨は、ベルト
サンダーやバフ研磨がよい。この研磨により、金属粒子
の一部が表面に露出し、この露出した部分の金属粒子と
導体層のめっき皮膜が一体化して、良好な密着性が発現
する。Further, the filler protruding from the through holes and the roughened layer on the surface of the electrolytic plating film of the substrate are removed by polishing to flatten the substrate surface. This polishing is preferably performed by a belt sander or buff polishing. As a result of this polishing, a part of the metal particles is exposed on the surface, and the metal particles in the exposed portion are integrated with the plating film of the conductor layer, thereby exhibiting good adhesion.
【0043】(4) 前記(3) で平坦化した基板の表面に触
媒核を付与した後、無電解めっきを施し、厚さ 0.1〜5
μm程度の無電解めっき膜を形成し、さらに必要に応じ
て電解めっきを施し、厚さ5〜25μmの電解めっき膜を
設ける。次に、めっき膜の表面に、感光性のドライフィ
ルムを加熱プレスによりラミネートし、パターンが描画
されたフォトマスクフィルム(ガラス製がよい)を載置
し、露光した後、現像液で現像してエッチングレジスト
を設ける。そして、エッチングレジスト非形成部分の導
体をエッチング液で溶解除去することにより、導体回路
部分および充填材を覆う導体層部分を形成する。そのエ
ッチング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶液、過硫
酸アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムな
どの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅の水溶液
がよい。(4) After providing a catalyst nucleus on the surface of the substrate flattened in the above (3), electroless plating is performed to a thickness of 0.1 to 5 mm.
An electroless plating film having a thickness of about μm is formed, and further, if necessary, electrolytic plating is performed to provide an electrolytic plating film having a thickness of 5 to 25 μm. Next, a photosensitive dry film is laminated on the surface of the plating film by a hot press, a photomask film (preferably made of glass) on which a pattern is drawn is placed, exposed, and developed with a developer. An etching resist is provided. Then, the conductor in the portion where the etching resist is not formed is dissolved and removed with an etching solution to form a conductor layer portion covering the conductor circuit portion and the filler. As the etchant, an aqueous solution of sulfuric acid-hydrogen peroxide, an aqueous solution of persulfate such as ammonium persulfate, sodium persulfate, or potassium persulfate, or an aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride is preferable.
【0044】(5) そして、エッチングレジストを剥離し
て、独立した導体回路および導体層とした後、その導体
回路および導体層の表面に、粗化層を形成する。導体回
路および充填材を覆う導体層の表面に粗化層を形成する
と、その導体は、層間樹脂絶縁層との密着性に優れるの
で、導体回路および充填材を覆う導体層の側面と樹脂絶
縁層との界面を起点とするクラックが発生しない。また
一方で、充填材を覆う導体層は、電気的に接続されるバ
イアホールとの密着性が改善される。この粗化層の形成
方法は、前述したとおりであり、酸化(黒化)−還元処
理、針状合金めっき、あるいはエッチングして形成する
方法などがある。さらに、粗化後に、導体回路間に樹脂
を充填し、表面を研磨して平滑化してもよい。この場
合、研磨後に、導体回路表面を粗化することが望まし
い。このときの充填樹脂としては、ビスフェノールF型
エポキシ樹脂、イミダゾール硬化剤および平均粒子径
0.1〜30μmの無機粒子からなる組成物がよい。(5) Then, after the etching resist is peeled off to form independent conductor circuits and conductor layers, a roughened layer is formed on the surfaces of the conductor circuits and conductor layers. If a roughened layer is formed on the surface of the conductor layer covering the conductor circuit and the filler, the conductor has excellent adhesion to the interlayer resin insulation layer, so that the side of the conductor layer covering the conductor circuit and the filler and the resin insulation layer No crack originating from the interface with the metal. On the other hand, the adhesion of the conductor layer covering the filler to via holes that are electrically connected is improved. The method of forming the roughened layer is as described above, and includes a method of forming by oxidation (blackening) -reduction treatment, acicular alloy plating, or etching. Further, after the roughening, a resin may be filled between the conductor circuits, and the surface may be polished and smoothed. In this case, it is desirable to roughen the surface of the conductor circuit after polishing. At this time, the filling resin includes a bisphenol F type epoxy resin, an imidazole curing agent, and an average particle diameter.
A composition comprising inorganic particles of 0.1 to 30 μm is preferred.
【0045】(6) このようにして作製した配線基板の上
に、層間樹脂絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層として
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。また、本発明
では、層間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接
着剤を用いることができる。層間樹脂絶縁層は、これら
の樹脂の未硬化液をロールコータやカーテンコータなど
を用いて塗布したり、フィルム状の樹脂を熱圧着してラ
ミネートすることにより形成される。なお、この状態で
は、導体回路パターン上の層間樹脂絶縁層の厚さが薄
く、大面積を持つ導体回路上の層間樹脂絶縁層の厚さが
厚くなり凹凸が発生していることが多いため、金属板や
金属ロールを用い、加熱しながら押圧して、層間樹脂絶
縁層の表面を平坦化することが望ましい。(6) An interlayer resin insulating layer is formed on the wiring board thus manufactured. As the interlayer resin insulating layer, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used. In the present invention, the above-described adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating material. The interlayer resin insulating layer is formed by applying an uncured liquid of these resins using a roll coater or a curtain coater, or by laminating a film-like resin by thermocompression bonding. In this state, the thickness of the interlayer resin insulation layer on the conductor circuit pattern is small, and the thickness of the interlayer resin insulation layer on the conductor circuit having a large area is large, and irregularities are often generated. It is desirable that the surface of the interlayer resin insulating layer be planarized by using a metal plate or a metal roll and pressing while heating.
【0046】(7) 次に、この層間樹脂絶縁層に被覆され
る下層の導体回路(スルーホール)との電気的接続を確
保するために層間樹脂絶縁層に開口を設ける。この開口
の穿孔は、層間樹脂絶縁層が感光性樹脂からなる場合
は、露光、現像処理にて行い、熱硬化性樹脂や熱可塑性
樹脂からなる場合は、レーザ光にて行う。このとき、使
用されるレーザ光としては、炭酸ガスレーザ、紫外線レ
ーザ、エキシマレーザなどがある。レーザ光にて孔明け
した場合は、デスミア処理を行ってもよい。このデスミ
ア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩などの水溶液から
なる酸化剤を使用して行うことができ、また酸素プラズ
マ、酸素およびCF4 の混合ガスプラズマなどで処理し
てもよい。(7) Next, an opening is provided in the interlayer resin insulating layer in order to secure electrical connection with a lower conductive circuit (through hole) covered by the interlayer resin insulating layer. The opening is formed by exposure and development when the interlayer resin insulating layer is made of a photosensitive resin, and is formed by laser light when the interlayer resin insulating layer is made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. At this time, the laser light used includes a carbon dioxide laser, an ultraviolet laser, an excimer laser, and the like. If holes are formed by laser light, desmearing may be performed. This desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid or permanganate, or may be performed using oxygen plasma, a mixed gas plasma of oxygen and CF 4 , or the like.
【0047】(8) 開口を形成した層間樹脂絶縁層の表面
を必要に応じて粗化する。上述した無電解めっき用接着
剤を層間樹脂絶縁層として使用した場合は、その絶縁層
の表面を酸や酸化剤で処理して耐熱性樹脂粒子のみを選
択的に溶解または分解除去して粗化する。酸としては、
リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸
があるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処
理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を
腐食させにくいからである。酸化剤としては、クロム
酸、過マンガン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)を用
いることが望ましい。また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹
脂を使用した場合でも、クロム酸、過マンガン酸塩など
の水溶液から選ばれる酸化剤による表面粗化処理が有効
である。なお、酸化剤では粗化されないフッ素樹脂(ポ
リテトラフルオロエチレン等)などの樹脂の場合は、プ
ラズマ処理やテトラエッチ(潤工社製の金属ナフタレン
化合物)などにより表面を粗化する。(8) The surface of the interlayer resin insulation layer in which the openings are formed is roughened as necessary. When the above-mentioned adhesive for electroless plating is used as an interlayer resin insulating layer, the surface of the insulating layer is treated with an acid or an oxidizing agent to selectively dissolve or decompose and remove only the heat-resistant resin particles to roughen. I do. As the acid,
There are phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid, and it is particularly preferable to use organic acids. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. As the oxidizing agent, it is desirable to use chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate). Further, even when a thermosetting resin or a thermoplastic resin is used, a surface roughening treatment using an oxidizing agent selected from aqueous solutions such as chromic acid and permanganate is effective. In the case of a resin such as a fluororesin (eg, polytetrafluoroethylene) that is not roughened by an oxidizing agent, the surface is roughened by plasma treatment or tetraetch (metal naphthalene compound manufactured by Junko).
【0048】(9) 次に、前記層間樹脂絶縁層の粗化面に
無電解めっき用の触媒核を付与する。一般に触媒核は、
パラジウム−スズコロイドであり、この溶液に基板を浸
漬、乾燥、加熱処理して樹脂表面に触媒核を固定する。
また、金属核をCVD、スパッタ、プラズマにより樹脂
表面に打ち込んで触媒核とすることができる。この場
合、樹脂表面に金属核が埋め込まれることになり、この
金属核を中心にめっきが析出して導体回路が形成される
ため、粗化しにくい樹脂やフッ素樹脂(ポリテトラフル
オロエチレン等)のように樹脂と導体回路との密着が悪
い樹脂でも、密着性を確保できる。この金属核として
は、パラジウム、銀、金、白金、チタン、銅およびニッ
ケルから選ばれるいずれか少なくとも1種以上がよい。
なお、金属核の量は、20μg/cm2 以下がよい。この量
を超えると金属核を除去しなければならないからであ
る。(9) Next, a catalyst nucleus for electroless plating is applied to the roughened surface of the interlayer resin insulating layer. Generally, the catalyst core is
It is a palladium-tin colloid, and the substrate is immersed in this solution, dried, and heat-treated to fix the catalyst core on the resin surface.
Further, a metal nucleus can be used as a catalyst nucleus by being driven into the resin surface by CVD, sputtering, or plasma. In this case, a metal nucleus is embedded in the resin surface, and plating is deposited around the metal nucleus to form a conductor circuit. Therefore, it is difficult to roughen the resin or fluorine resin (polytetrafluoroethylene or the like). Even if the resin has poor adhesion between the resin and the conductor circuit, the adhesion can be ensured. The metal nucleus is preferably at least one selected from palladium, silver, gold, platinum, titanium, copper and nickel.
The amount of metal nuclei is preferably 20 μg / cm 2 or less. If the amount exceeds this amount, metal nuclei must be removed.
【0049】(10)次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に無電
解めっきを施し、全面に無電解めっき膜を形成する。こ
の無電解めっき膜の厚みは 0.1〜5μm、より望ましく
は 0.5〜3μmである。無電解めっきは、無電解銅めっ
きがよい。そのめっき液としては、常法のものを使用で
き、例えば、29g/lの硫酸銅、25g/lの炭酸ナトリ
ウム、 140g/lの酒石酸塩、40g/lの水酸化ナトリ
ウム、37%ホルムアルデヒド 150ml、pH=11.5から
なる組成のものがよい。(10) Next, electroless plating is performed on the roughened surface of the interlayer resin insulating layer, and an electroless plated film is formed on the entire surface. The thickness of this electroless plating film is 0.1 to 5 μm, more preferably 0.5 to 3 μm. The electroless plating is preferably an electroless copper plating. As the plating solution, a conventional plating solution can be used. For example, 29 g / l copper sulfate, 25 g / l sodium carbonate, 140 g / l tartrate, 40 g / l sodium hydroxide, 37% formaldehyde 150 ml, A composition having a pH of 11.5 is preferred.
【0050】(11)前記(10)で形成した無電解めっき膜上
に、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、前
述のように、感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)を
ラミネートし、露光、現像処理することにより形成され
る。(11) A plating resist is formed on the electroless plating film formed in (10). As described above, the plating resist is formed by laminating a photosensitive resin film (dry film), exposing and developing.
【0051】(12)さらに、めっきレジスト非形成部分に
電解めっきを施し、導体回路部分(バイアホール部分を
含む)を厚付けする。ここで、上記電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましく、その厚みは、5
〜30μmがよい。また、前記バイアホール内には、電解
めっき膜を充填していわゆるフィルドビアを形成するこ
とが望ましい。この理由は、層間樹脂絶縁層の平坦性を
確保できるからである。さらに、前記バイアホールは、
基板に設けたスルーホールの直上に形成されていてもよ
い。高密度化のためである。(12) Further, electrolytic plating is applied to the portion where the plating resist is not formed, and the conductor circuit portion (including the via hole portion) is thickened. Here, it is preferable to use copper plating as the electrolytic plating, and its thickness is 5
3030 μm is preferred. In addition, it is desirable to form a so-called filled via by filling an electrolytic plating film in the via hole. This is because the flatness of the interlayer resin insulating layer can be ensured. Further, the via hole may include:
It may be formed directly above a through hole provided in the substrate. This is for higher density.
【0052】(13)めっきレジストを剥離した後、そのめ
っきレジスト下の無電解めっき膜を、硫酸と過酸化水素
の混合水溶液、過硫酸ナトリウムや過硫酸アンモニウム
や過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水
溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅の水溶液などのエッチン
グ液で溶解除去し、独立した導体回路(バイアホールを
含む)とする。さらに、露出した粗化面上のパラジウム
触媒核をクロム酸などで溶解除去する。(13) After peeling off the plating resist, the electroless plating film under the plating resist is replaced with a mixed aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, sodium persulfate, ammonium persulfate, sodium persulfate and potassium persulfate. It is dissolved and removed with an etching solution such as a sulfate aqueous solution, an aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride to form an independent conductor circuit (including via holes). Further, the palladium catalyst nuclei on the exposed roughened surface are dissolved and removed with chromic acid or the like.
【0053】(14)そして、この基板上に前述の工程を繰
り返してさらに上層の導体回路を設けることができる。
以下、実施例をもとに説明する。(14) The above steps can be repeated on this substrate to provide a further upper layer conductive circuit.
Hereinafter, description will be made based on embodiments.
【0054】[0054]
EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分 EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 30 minutes at a liquid temperature of 70 ° C.
【0055】ついで、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成した(図1(c)
参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 15 μm (FIG. 1 (c)).
reference). [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Capparaside GL) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0056】(2) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅めっ
き膜からなる導体(スルーホールを含む)を形成した基
板を、水洗いし、乾燥した後、NaOH(20g/l)、NaCl
O2(50g/l)、Na3PO4(15.0g/l)を酸化浴(黒化
浴)、NaOH( 2.7g/l)、NaBH4 ( 1.0g/l)を還
元浴とする酸化還元処理に供し、そのスルーホール3を
含む導体の全表面に粗化層4を設けた(図1(d) 参
照)。(2) A substrate having a conductor (including through holes) formed of an electroless copper plating film and an electrolytic copper plating film formed on the entire surface is washed with water, dried, and then subjected to NaOH (20 g / l), NaCl
Redox using O 2 (50 g / l) and Na 3 PO 4 (15.0 g / l) as an oxidation bath (blackening bath), NaOH (2.7 g / l), and NaBH 4 (1.0 g / l) as a reduction bath A roughening layer 4 was provided on the entire surface of the conductor including the through hole 3 (see FIG. 1 (d)).
【0057】〔スルーホール用充填材の調製〕クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコー
ト152) 3.5重量部、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
(油化シェル製、エピコート807 )14.1重量部、平均粒
子径14nmのシリカ超微粉末(アエロジルR202 ) 1.0重
量部を3本ローラにて混練し、さらに、イミダゾール硬
化剤(四国化成製、2E4MZ-CN) 1.2重量部、平均粒子径
15μmの銅粉 100重量部を加えて3本ローラにて混練
し、これらの混合物の粘度を22±1℃で 200〜1000Pa・
sに調整して、スルーホール用充填材5を調製した。[Preparation of Filler for Through-hole] 3.5 parts by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epikote 152) 14.1 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 807), average particle size 1.0 part by weight of ultrafine silica powder (Aerosil R202) having a diameter of 14 nm is kneaded with three rollers, and further, an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 1.2 parts by weight, average particle diameter
100 parts by weight of 15 μm copper powder was added and kneaded with three rollers, and the viscosity of the mixture was adjusted to 200 to 1000 Pa · s at 22 ± 1 ° C.
s was adjusted to s.
【0058】(3) 調製した充填材5を、スルーホール3
内にスクリーン印刷によって充填し、乾燥した後、80
℃, 100 ℃でそれぞれ1時間づつ、さらに 150℃で1時
間の加熱により硬化させた。そして、導体上面の粗化面
およびスルーホール3からはみ出した充填材5を、#40
0 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサン
ダー研磨により除去し、さらに、このベルトサンダー研
磨による傷を取り除くために、アルミナ砥粒やSiC砥粒
によるバフ研磨を行い、基板表面を平坦化した(図1
(e) 参照)。(3) Fill the prepared filler 5 with the through hole 3
Filled by screen printing into and dried, 80
Curing was carried out by heating for 1 hour at 100 ° C. and 100 ° C., respectively, and further for 1 hour at 150 ° C. Then, the filler 5 protruding from the roughened surface of the conductor upper surface and the through hole 3 is # 40
In order to remove the belt sander by using a belt sanding paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.), and to remove the scratches caused by the belt sanding, buffing is performed with alumina abrasive grains or SiC abrasive grains to flatten the substrate surface. (Fig. 1
(e).)
【0059】(4) 前記(3) で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒(アトテック製)を付与し、前記(1) と同
じ条件で無電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μ
mの無電解銅めっき膜6を形成した(図1(f) 参照)。(4) A palladium catalyst (manufactured by Atotech) is applied to the substrate surface flattened in the above (3), and electroless copper plating is performed under the same conditions as in the above (1).
An electroless copper plating film 6 having a thickness of m was formed (see FIG. 1 (f)).
【0060】(5) ついで、前記(1) と同じ条件で電解銅
めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜7を形成
し、導体回路9となる部分の厚付け、およびスルーホー
ル3に充填された充填材5を覆う導体層(円形のスルー
ホールランド)10となる部分を形成した。(5) Next, electrolytic copper plating is performed under the same conditions as in (1) above to form an electrolytic copper plating film 7 having a thickness of 15 μm. A portion serving as a conductor layer (circular through-hole land) 10 covering the filled filler 5 was formed.
【0061】(6) 導体回路9および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張りつけ、マスクを載置して、 100mJ/cm2 で露光、
0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理し、厚さ15μm
のエッチングレジスト8を形成した(図2(a) 参照)。(6) A commercially available photosensitive dry film is adhered to both sides of the substrate on which the portions to be the conductor circuits 9 and the conductor layers 10 are formed, a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
Developed with 0.8% sodium carbonate solution, thickness 15μm
An etching resist 8 was formed (see FIG. 2A).
【0062】(7) エッチングレジスト8を形成してない
部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合液を用いる
エッチング液で溶解除去して、さらにエッチングレジス
ト8を5%KOHで剥離除去して、独立した導体回路9
および充填材5を覆う導体層10を形成した(図2(b) 参
照)。さらに、酸化還元処理して側面を含む導体表面を
前記(2) と同様にして粗化処理した。(7) The plating film in the portion where the etching resist 8 is not formed is dissolved and removed with an etching solution using a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the etching resist 8 is further stripped and removed with 5% KOH. And independent conductor circuit 9
Then, a conductor layer 10 covering the filler 5 was formed (see FIG. 2B). Further, the surface of the conductor including the side surfaces was subjected to oxidation-reduction treatment and roughened in the same manner as in (2) above.
【0063】〔樹脂充填剤の調製〕 .ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310,YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmでSi
O2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サ
ンノプコ製、ペレノールS4) 1.5重量部を3本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填剤12aを調製した。[Preparation of resin filler] Bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U) 100 parts by weight, silane coupling agent coated on the surface, average particle size 1.6 μm, Si
O 2 spherical particles (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is not more than the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described below) 170 parts by weight, leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) 1.5 The weight of the mixture is kneaded with three rolls and the viscosity of the mixture is 45,000 ~ at 23 ± 1 ° C.
Adjusted to 49,000cps. . Imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 6.5
Parts by weight. These were mixed to prepare a resin filler 12a.
【0064】(8) 調製した樹脂充填剤12aを、基板の片
面にスクリーン印刷にて塗布することにより、導体回路
9または導体層10の間に充填し、70℃, 20分間で乾燥さ
せ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤12aを導
体回路9または導体層10の間に充填し、70℃, 20分間で
乾燥させた。即ち、この工程により、樹脂充填剤12aが
内層銅パターン間に充填される。(8) The prepared resin filler 12a is applied to one surface of the substrate by screen printing to fill the space between the conductor circuits 9 or the conductor layers 10 and dried at 70 ° C. for 20 minutes. Similarly, the resin filler 12a was filled between the conductor circuits 9 or the conductor layers 10 and dried at 70 ° C. for 20 minutes. That is, in this step, the resin filler 12a is filled between the inner layer copper patterns.
【0065】(9) 前記(8) の処理を終えた基板の片面
を、#400 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層銅パターン9,10の表面
に樹脂充填剤12aが残らないように研磨し、次いで、前
記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研
磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面に
ついても同様に行った。次いで、 100℃で1時間、 120
℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤12aを硬化した。(9) The surface of the inner copper patterns 9 and 10 is filled with a resin by polishing one side of the substrate after the processing of the above (8) with a belt sander using # 400 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Polishing was performed so that the agent 12a did not remain, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, at 100 ° C for 1 hour, 120
C. for 3 hours, 150.degree. C. for 1 hour, and 180.degree. C. for 7 hours to cure the resin filler 12a.
【0066】このようにして、導体回路9または導体層
10の間に充填された樹脂充填剤12aの表層部および導体
回路9または導体層10上面の粗化層11を除去して基板両
面を平滑化し、樹脂充填剤12aと導体回路9または導体
層10の側面とが粗化層11を介して強固に密着した基板を
得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤12aの表面と
内層銅パターンの表面が同一平面となる。ここで、充填
した硬化樹脂のTg点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5
×10-6/℃であった。Thus, the conductor circuit 9 or the conductor layer
The resin filler 12a and the conductor circuit 9 or the conductor layer 10 are smoothed by removing the surface layer portion of the resin filler 12a and the roughened layer 11 on the upper surface of the conductor circuit 9 or the conductor layer 10 filled between the resin filler 12a and the conductor filler 9a. A substrate was firmly adhered to the side surface of the substrate through the roughened layer 11. That is, by this step, the surface of the resin filler 12a and the surface of the inner layer copper pattern become flush with each other. Here, the filled resin has a Tg point of 155.6 ° C. and a linear thermal expansion coefficient of 44.5 ° C.
× 10 -6 / ° C.
【0067】(10)次に、導体回路9および充填材5の表
面を覆う導体層10の表面にCu−Ni−P合金からなる厚さ
2.5μmの粗化層(凹凸層)11を形成し、さらにこの粗
化層11の表面に厚さ 0.3μmのSn層を形成した(図2
(c) 参照、Sn層については図示しない)。その形成方法
は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソフト
エッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からな
る触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活
性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/
l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/
l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、pH=9
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路
の表面にCu−Ni−P合金からなる厚さ 2.5μmの粗化層
11を形成した。さらに、0.1 mol/lホウフッ化スズ−
1.0 mol/lチオ尿素液からなるpH=1.2 の無電解ス
ズ置換めっき浴に、温度50℃で1時間浸漬してCu−Sn置
換反応させ、前記粗化層の表面に厚さ 0.3μmのSn層を
設けた(Sn層については図示しない)。(10) Next, the thickness of the Cu—Ni—P alloy on the surface of the conductor layer 10 covering the surfaces of the conductor circuit 9 and the filler 5
A roughened layer (uneven layer) 11 having a thickness of 2.5 μm was formed, and a Sn layer having a thickness of 0.3 μm was formed on the surface of the roughened layer 11 (FIG. 2).
(See (c), Sn layer not shown). The formation method is as follows. That is, the substrate was acid-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst. After activating this catalyst, copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6g /
l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g /
1, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g / l, pH = 9
A 2.5μm thick roughened layer made of Cu-Ni-P alloy on the surface of copper conductor circuit
11 formed. Furthermore, 0.1 mol / l tin borofluoride-
In a 1.0 mol / l thiourea solution, an electroless tin displacement plating bath having a pH of 1.2 was immersed for 1 hour at a temperature of 50 ° C. to cause a Cu-Sn displacement reaction, and the surface of the roughened layer had a thickness of 0.3 μm. A layer was provided (the Sn layer is not shown).
【0068】(11)無電解めっき用接着剤A、Bを次のよ
うに調製した。 A.上層用の無電解めっき用接着剤の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部、感光
性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65) 0.5重量部、N
MPを 3.6重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径 1.0μmを 7.2重量部、平均粒径 0.5μmのものを3.
09重量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(関東化学製、ベンゾフェノン)2重量
部、光増感剤(保土ヶ谷化学製、 EAB) 0.2 重量部、N
MP 1.5重量部を攪拌混合した。これらを混合して上層
用の無電解めっき用接着剤を得た。(11) Adhesives A and B for electroless plating were prepared as follows. A. Preparation of adhesive for electroless plating for upper layer. 35 parts by weight of a 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, molecular weight: 2500), 3.15 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Aronix M315), an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65) 0.5 parts by weight, N
3.6 parts by weight of MP was mixed with stirring. . 12 parts by weight of polyethersulfone (PES), 7.2 parts by weight of an average particle diameter of 1.0 μm of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole), and 3 parts by weight of an average particle diameter of 0.5 μm.
After mixing 9 parts by weight, 30 parts by weight of NMP was further added, and the mixture was stirred and mixed by a bead mill. . 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (benzophenone, manufactured by Kanto Chemical), 0.2 parts by weight of photosensitizer (EAB, manufactured by Hodogaya Chemical), N
1.5 parts by weight of MP was mixed with stirring. These were mixed to obtain an adhesive for electroless plating for the upper layer.
【0069】B.下層用の無電解めっき用接着剤の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部、感光
性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重量
部、消泡剤(サンノプコ製、S−65) 0.5重量部、NM
Pを 3.6重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径 0.5μmのものを 14.49重量部、を混合した後、さら
にNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−
907 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S) 0.2
重量部、NMP 1.5重量部を攪拌混合した。これらを混
合して下層用の無電解めっき用接着剤を得た。B. Preparation of adhesive for electroless plating for lower layer. 35 parts by weight of a 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, molecular weight 2500), 4 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Aronix M315), an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65) 0.5 parts by weight, NM
3.6 parts by weight of P was mixed with stirring. . After mixing 12 parts by weight of polyether sulfone (PES) and 14.49 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, further add 30 parts by weight of NMP and stir with a bead mill. Mixed. . 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photoinitiator (Irgacure I-, manufactured by Ciba-Geigy)
907) 2 parts by weight, photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring. These were mixed to obtain an adhesive for electroless plating for a lower layer.
【0070】(12)前記(11)で調製した無電解めっき用接
着剤B(粘度 1.5〜3.2 Pa・s) と無電解めっき用接着
剤A(粘度5〜20Pa・s) を、基板の両面に、順次ロー
ルコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してか
ら、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ40μmの接着剤層
12b(2層構造)を形成した(図2(d) 参照)。さら
に、この接着剤層12b上に粘着剤を介してポリエチレン
テレフタレートフィルムを貼付した。(12) Adhesive B for electroless plating (viscosity: 1.5 to 3.2 Pa · s) and adhesive A for electroless plating (viscosity: 5 to 20 Pa · s) prepared in (11) above were applied to both sides of the substrate. Then, apply it sequentially using a roll coater, leave it in a horizontal state for 20 minutes, and then dry it at 60 ° C for 30 minutes to obtain a 40 μm thick adhesive layer.
12b (two-layer structure) was formed (see FIG. 2 (d)). Further, a polyethylene terephthalate film was stuck on the adhesive layer 12b via an adhesive.
【0071】(13)前記接着剤層12bを形成した基板の両
面に、85μmφの黒円が印刷されたフォトマスクフィル
ムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光
した。これをDMDG溶液でスプレー現像することによ
り、接着剤層12bに85μmφのバイアホールとなる開口
を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて3000
mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後 150℃で5
時間の加熱処理をすることにより、フォトマスクフィル
ムに相当する寸法精度に優れた開口(バイアホール形成
用開口13)を有する厚さ35μmの接着剤層(層間樹脂絶
縁層)12bを形成した(図2(e) 参照)。なお、バイア
ホールとなる開口には、粗化層を部分的に露出させる。(13) A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the substrate on which the adhesive layer 12b was formed, and was exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp. This was spray-developed with a DMDG solution to form an 85 μmφ via hole in the adhesive layer 12b. Further, the substrate is 3,000
exposed with mJ / cm 2, 1 hour at 100 ° C., thereafter 0.99 ° C. 5
By performing the heat treatment for a long time, an adhesive layer (interlayer resin insulating layer) 12b having a thickness of 35 μm and having an opening (opening 13 for forming a via hole) having excellent dimensional accuracy corresponding to a photomask film was formed (FIG. 2 (e)). Note that the roughened layer is partially exposed in the opening serving as the via hole.
【0072】(14)バイアホール形成用開口13を形成した
基板を、クロム酸に19分間浸漬し、接着剤層表面に存在
するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤層の
表面を粗化し、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸
漬してから水洗した。(14) The substrate on which the via hole forming openings 13 are formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer, so that the surface of the adhesive layer is roughened. After that, it was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and then washed with water.
【0073】(15)粗面化処理(粗化深さ3μm)を行っ
た基板に対し、パラジウム触媒(アトテック製)を付与
することにより、接着剤層12bおよびバイアホール用開
口13の表面に触媒核を付与した。(15) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the substrate that has been subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the surface of the adhesive layer 12 b and the surface of the opening 13 for via hole are formed A nucleus was provided.
【0074】(16)この基板に、前記(1) と同様にして無
電解銅めっきを施し、粗面全体に厚さ0.6μmの無電解
銅めっき膜を形成した(図3(a) 参照)。このとき、め
っき膜が薄いため無電解めっき膜表面には凹凸が観察さ
れた。(16) This substrate was subjected to electroless copper plating in the same manner as in (1) above to form an electroless copper plating film having a thickness of 0.6 μm on the entire rough surface (see FIG. 3 (a)). . At this time, since the plating film was thin, irregularities were observed on the surface of the electroless plating film.
【0075】(17)市販の感光性樹脂フィルム(ドライフ
ィルム)を無電解銅めっき膜14に張り付け、マスクを載
置して、 100mJ/cm2 で露光し、 0.8%炭酸ナトリウム
で現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト16を設けた
(図3(b) 参照)。(17) A commercially available photosensitive resin film (dry film) is stuck on the electroless copper plating film 14, a mask is placed, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, A plating resist 16 having a thickness of 15 μm was provided (see FIG. 3B).
【0076】(18)次に、前記(1) と同様にして電解銅め
っきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜15を形成し、
導体回路部分およびバイアホール部分の厚付けを行った
(図3(c) 参照)。(18) Next, electrolytic copper plating is performed in the same manner as in (1) to form an electrolytic copper plating film 15 having a thickness of 15 μm.
Conductive circuit portions and via hole portions were thickened (see FIG. 3 (c)).
【0077】(19)めっきレジスト16を5%KOHで剥離
除去した後、そのめっきレジスト16下の無電解めっき膜
14を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜14と電解銅めっき膜15から
なる厚さ16μmの導体回路9(バイアホール17を含む)
を形成した(図3(d) 参照)。(19) After stripping and removing the plating resist 16 with 5% KOH, the electroless plating film under the plating resist 16
14 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a 16 μm-thick conductor circuit 9 (including via holes 17) composed of an electroless copper plating film 14 and an electrolytic copper plating film 15
Was formed (see FIG. 3 (d)).
【0078】(20)前記(19)で導体回路9(バイアホール
17を含む)を形成した基板を、硫酸銅8g/l、硫酸ニ
ッケル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナト
リウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/
lからなるpH=9の無電解めっき液に浸漬し、該導体
回路の表面に厚さ3μmの銅−ニッケル−リンからなる
粗化層11を形成した。このとき、粗化層11をEPMA
(蛍光X線分析)で分析したところ、Cu 98mol%、Ni
1.5mol %、P 0.5 mol%の組成比を示した。そしてさ
らに、その基板を水洗いし、0.1mol/lホウふっ化スズ
−1.0mol/lチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき
浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化層11の表面に厚さ0.
05μmのスズ置換めっき層を形成した(但し、スズ置換
めっき層については図示しない)。(20) In the above (19), the conductor circuit 9 (via hole)
17 g), copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g /
1 was immersed in an electroless plating solution having a pH of 9 to form a roughened layer 11 made of copper-nickel-phosphorus having a thickness of 3 μm on the surface of the conductor circuit. At this time, the roughened layer 11 is
(Fluorescence X-ray analysis) showed that 98 mol% of Cu,
The composition ratio was 1.5 mol% and P 0.5 mol%. Further, the substrate is washed with water, immersed in an electroless tin displacement plating bath composed of 0.1 mol / l tin borofluoride-1.0 mol / l thiourea solution at 50 ° C. for 1 hour, and the surface of the roughened layer 11 is Thickness 0.
A tin-substituted plating layer of 05 μm was formed (however, the tin-substituted plating layer is not shown).
【0079】(21) 前記(12)〜(20)の工程を繰り返すこ
とにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層12bと導体回路
9(バイアホール17を含む)を1層積層し、多層配線基
板を得た(図4(a) 参照)。なお、ここでは、導体回路
の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設ける
が、この粗化層11表面にはスズ置換めっき層を形成しな
い。(21) By repeating the above steps (12) to (20), the upper interlayer resin insulating layer 12b and the conductor circuit 9 (including the via hole 17) are further laminated to form a multilayer wiring board. (See FIG. 4 (a)). Here, a roughened layer 11 made of copper-nickel-phosphorus is provided on the surface of the conductor circuit, but no tin-substituted plating layer is formed on the surface of the roughened layer 11.
【0080】(22)一方、DMDGに溶解させた60重量%
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、エピコート1001)14.121重量部、
イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 重量
部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本
化薬製、R604 )1.5 重量部、同じく多価アクリルモノ
マー(共栄社化学製、DPE6A ) 3.0重量部、アクリル酸
エステル重合物からなるレベリング剤(共栄社製、ポリ
フローNo.75 )0.36重量部を混合し、この混合物に対し
て光開始剤としてのイルガキュアI-907(チバガイギー
製) 2.0重量部、光増感剤としてのDETX-S(日本化薬
製) 0.2重量部を加え、さらにDMDG(ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル)1.0 重量部を加えて、粘度を25
℃で1.4±0.3 Pa・sに調整したソルダーレジスト組成
物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、
DVL-B型)で 60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場
合はローターNo.4によった。(22) On the other hand, 60% by weight dissolved in DMDG
Cresol novolak epoxy resin (Nippon Kayaku)
46.67 parts by weight of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) in which 50% of the epoxy groups of the above were acrylated, and 14.121 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) of 80% by weight dissolved in methyl ethyl ketone;
1.6 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 1.5 parts by weight of polyacrylic monomer (R604, manufactured by Nippon Kayaku) as a photosensitive monomer, and 3.0 parts by weight of polyacrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 3.0 Parts by weight, 0.36 parts by weight of a leveling agent composed of an acrylate polymer (manufactured by Kyoeisha Co., Ltd., Polyflow No. 75), 2.0 parts by weight of Irgacure I-907 (manufactured by Ciba Geigy) as a photoinitiator, 0.2 parts by weight of DETX-S (produced by Nippon Kayaku) as a photosensitizer was added, and 1.0 part by weight of DMDG (diethylene glycol dimethyl ether) was added.
A solder resist composition adjusted to 1.4 ± 0.3 Pa · s at ℃ was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki,
(DVL-B type), rotor No. 4 at 60 rpm, rotor No. 4 at 6 rpm.
【0081】(23)前記(21)で得られた多層配線基板の両
面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗
布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口
部の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5
mmのソーダライムガラス基板を、クロム層が形成され
た側をソルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm2 の
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80℃で1
時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時
間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口した(開口径
200μm)ソルダーレジスト層18(厚み20μm)を形成
した。(23) The solder resist composition was applied to both sides of the multilayer wiring board obtained in the above (21) in a thickness of 20 μm. Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and a temperature of 70 ° C. for 30 minutes, a thickness 5 in which a circular pattern (mask pattern) of the solder resist opening is drawn by the chromium layer.
A soda lime glass substrate having a thickness of 2 mm was exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 with the side on which the chromium layer was formed in close contact with the solder resist layer, and subjected to DMTG development treatment. In addition, at 80 ° C
Heat treatment at 100 ° C for 1 hour, 120 ° C for 1 hour, and 150 ° C for 3 hours to open the pad (opening diameter
(200 μm) A solder resist layer 18 (20 μm in thickness) was formed.
【0082】(24)次に、ソルダーレジスト層18を形成し
た基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるpH
=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ5μmのニッケルめっき層19を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化ア
ンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次
亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層19上
に厚さ0.03μmの金めっき層20を形成した。(24) Next, the substrate on which the solder resist layer 18 was formed was treated with a pH of 30 g / l of nickel chloride, 10 g / l of sodium hypophosphite, and 10 g / l of sodium citrate.
= 5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 19 having a thickness of 5 µm at the opening. Further, the substrate was placed on an electroless gold plating solution comprising 2 g / l of potassium gold cyanide, 75 g / l of ammonium chloride, 50 g / l of sodium citrate, and 10 g / l of sodium hypophosphite at 93 ° C. for 23 seconds. By dipping, a gold plating layer 20 having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 19.
【0083】(25)そして、ソルダーレジスト層18の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ(はんだ体)21を形成し、はん
だバンプ21を有する多層プリント配線板を製造した(図
4(b) 参照)。なお、はんだとしては、スズ−銀、スズ
−インジウム、スズ−亜鉛、スズ−ビスマスなどが使用
できる。(25) Then, a solder paste is printed in the opening of the solder resist layer 18 and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 21, and the multilayer printed wiring board having the solder bump 21 is formed. Was produced (see FIG. 4 (b)). In addition, as a solder, tin-silver, tin-indium, tin-zinc, tin-bismuth, or the like can be used.
【0084】(比較例1)スルーホールに導電ペースト
(タツタ電線製、DDペースト XAE1209 )をスクリー
ン印刷して硬化させたこと以外は、実施例1と同様にし
てはんだバンプを有する多層プリント配線板を製造し
た。(Comparative Example 1) A multilayer printed wiring board having solder bumps was prepared in the same manner as in Example 1 except that a conductive paste (manufactured by Tsuta Electric Co., DD paste XAE1209) was screen-printed and cured in the through holes. Manufactured.
【0085】このようにして製造した実施例1と比較例
1の多層プリント配線板について、湿度 100%、温度 1
21℃、2気圧の条件で 200時間放置するPCT(プレッ
シャークッカーテスト)試験を実施し、バイアホールと
スルーホールとの断線の有無を確認した。その結果、実
施例1の配線板では、導体層とスルーホールとの間で断
線が観察されなかったのに対し、比較例1の配線板で
は、その断線が見られた。これは、比較例1の配線板を
スルーホール部でクロスカットして光学顕微鏡で観察し
たところ、導電ペーストが硬化収縮しており、スルーホ
ールとその導電ペーストの硬化体との間に隙間が発生
し、ここに水が溜まって、加熱により気体となってスル
ーホール上の導体層を押し上げ、断線に及んだと推定さ
れる。The multilayer printed wiring boards of Example 1 and Comparative Example 1 thus manufactured were subjected to a humidity of 100% and a temperature of 1%.
A PCT (pressure cooker test) test in which the substrate was left at 200 ° C. for 2 hours under conditions of 21 ° C. and 2 atm was performed to confirm the presence or absence of disconnection between the via hole and the through hole. As a result, in the wiring board of Example 1, no disconnection was observed between the conductor layer and the through hole, whereas in the wiring board of Comparative Example 1, the disconnection was observed. This is because when the wiring board of Comparative Example 1 was cross-cut at the through hole and observed with an optical microscope, the conductive paste was cured and contracted, and a gap was generated between the through hole and the cured body of the conductive paste. Then, it is presumed that water accumulates here and becomes a gas by heating to push up the conductor layer on the through-hole, leading to disconnection.
【0086】[0086]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、充
填材の硬化収縮を抑制してスルーホールとバイアホール
の接続信頼性を確保したプリント配線板を提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a printed wiring board in which the curing reliability of the filler is suppressed and the connection reliability between the through hole and the via hole is ensured.
【図1】(a)〜(f) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。1 (a) to 1 (f) are views showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention.
【図2】(a)〜(e) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。2 (a) to 2 (e) are views showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図3】(a)〜(d) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。FIGS. 3 (a) to 3 (d) are views showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図4】(a),(b) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。FIGS. 4A and 4B are diagrams showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
1 基板 2 銅箔 3 スルーホール 4,11 粗化層 5 充填材 6,14 無電解めっき膜 7,15 電解めっき膜 8 エッチングレジスト 9 導体回路 10 導体層 12a 樹脂充填剤 12b 層間樹脂絶縁層(接着剤層) 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール 18 ソルダーレジスト層 19 ニッケルめっき層 20 金めっき層 21 はんだバンプ(はんだ体) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Copper foil 3 Through hole 4,11 Roughened layer 5 Filler 6,14 Electroless plated film 7,15 Electroplated film 8 Etching resist 9 Conductor circuit 10 Conductive layer 12a Resin filler 12b Interlayer resin insulating layer (adhesion Agent layer) 13 Via hole opening 16 Plating resist 17 Via hole 18 Solder resist layer 19 Nickel plating layer 20 Gold plating layer 21 Solder bump (solder)
Claims (5)
層と導体層を交互に積層して内外層の導体層どうしをバ
イアホールにて接続したビルドアップ配線層が形成され
ている多層プリント配線板において、 前記基板には、表面および裏面を電気的に接続するスル
ーホールが形成され、そのスルーホールには金属粒子を
含む非導電性の充填材が充填され、さらにその充填材の
スルーホールからの露出面を覆う導体層が形成されてい
ることを特徴とする多層プリント配線板。1. A multilayer print in which an interlayer resin insulation layer and a conductor layer are alternately laminated on a substrate having a conductor layer, and a build-up wiring layer is formed by connecting inner and outer conductor layers via via holes. In the wiring board, the substrate is formed with a through hole for electrically connecting the front and back surfaces, the through hole is filled with a non-conductive filler containing metal particles, and the through hole of the filler is further formed. A multilayer printed wiring board, wherein a conductor layer that covers a surface exposed from the substrate is formed.
ルが接続されていることを特徴とする請求項1に記載の
多層プリント配線板。2. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein a via hole is connected to the conductor layer covering the filler.
機超微粉末からなることを特徴とする請求項1または2
に記載の多層プリント配線板。3. The filler according to claim 1, wherein the filler comprises metal particles, a resin and an inorganic ultrafine powder.
2. The multilayer printed wiring board according to item 1.
上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に
記載の多層プリント配線板。4. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the filler has a specific resistance of 1 MΩ · cm or more.
mであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に
記載の多層プリント配線板。5. The metal particles have an average particle size of 0.1 to 30 μm.
5. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein m is m.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6706498A JPH11266082A (en) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | Multilayer printed wiring board |
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Related Child Applications (1)
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JP2002245241A Division JP4275369B2 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Multilayer printed wiring board |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
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-
1998
- 1998-03-17 JP JP6706498A patent/JPH11266082A/en active Pending
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