JP2000022334A - Multilayer printed wiring board and its manufacture - Google Patents
Multilayer printed wiring board and its manufactureInfo
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板およびその製造方法に関し、特に、配線やスルーホー
ルの高密度化を容易に実現でき、しかも、耐ヒートサイ
クル特性に優れる多層プリント配線板について提案す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board and a method of manufacturing the same, and more particularly to a multilayer printed wiring board which can easily realize high density wiring and through holes and has excellent heat cycle resistance. suggest.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、両面多層プリント配線板におけ
るコア基板には、表面と裏面を電気的に接続するための
スルーホールが形成される。ところが、このスルーホー
ルがデッドスペースとなり、配線の高密度化が著しく阻
害される。2. Description of the Related Art Generally, a through hole for electrically connecting a front surface and a back surface is formed in a core substrate of a double-sided multilayer printed wiring board. However, this through hole becomes a dead space, and the increase in wiring density is significantly impaired.
【0003】また、コア基板に形成したスルーホールと
バイアホールとの接続は、スルーホールのランドに、バ
イアホールを接続するためのパッドを設けることにより
行われる。ところが、このパッドが邪魔になってスルー
ホールのピッチを小さくすることができず、スルーホー
ルの高密度化が著しく阻害される。The connection between the via hole and the via hole formed in the core substrate is performed by providing a pad for connecting the via hole on a land of the through hole. However, this pad hinders the pitch of the through-holes from being reduced, and the density of the through-holes is significantly impaired.
【0004】そこで、出願人は先に、配線やスルーホー
ルの形成密度向上のために、基板上に、層間樹脂絶縁層
を介して導体回路が形成されてなり、該基板にはスルー
ホールが設けられ、そのスルーホールには充填材が充填
された構造を有する多層プリント配線板において、前記
スルーホールの直上には、充填材のスルーホールからの
露出面を覆う導体層が形成され、この導体層上に、バイ
アホールが接続されてなる多層プリント配線板を提案し
た。[0004] In order to improve the formation density of wiring and through holes, the applicant has first formed a conductor circuit on a substrate via an interlayer resin insulating layer, and provided the substrate with through holes. In a multilayer printed wiring board having a structure in which a filler is filled in the through hole, a conductor layer is formed immediately above the through hole to cover an exposed surface of the filler from the through hole. Above, we proposed a multilayer printed wiring board with via holes connected.
【0005】この提案にかかる多層プリント配線板で
は、まず、コア基板にスルーホールを形成して酸化還元
処理などにより粗面化した後、このスルーホール内に充
填材を充填して平坦化し、次いで、めっき(ふためっ
き)を施してエッチングすることにより、充填材のスル
ーホールからの露出面を覆う導体層(以下、単に「ふた
めっき層」という)と導体回路を形成し、さらに、これ
らの導体表面に酸化還元処理などによる粗化層を形成し
て導体間の凹部に充填材を充填し、この充填材表面を研
磨してフラット化した後、インタープレート(荏原ユー
ジライトのCu−Ni−Pからなる合金粗化めっき)などに
よる粗化めっきを施してから、その上に層間樹脂絶縁層
を形成していた(図1参照)。[0005] In the multilayer printed wiring board according to this proposal, first, a through hole is formed in a core substrate, the surface is roughened by an oxidation-reduction treatment or the like, and then a filler is filled in the through hole to make it flat. , Plating (lid plating) and etching to form a conductor layer (hereinafter simply referred to as a “lid plating layer”) and a conductor circuit that cover the exposed surface of the filler from the through-hole, and furthermore, these conductors After forming a roughened layer on the surface by redox treatment or the like, filling the recesses between the conductors with a filler, polishing the filler surface and flattening the surface, then using an interplate (Cu-Ni-P of Ebara Uzilite) After roughening plating such as alloy roughening plating made of an alloy, an interlayer resin insulating layer is formed thereon (see FIG. 1).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、充填材を埋め込んだ後に行う平坦化のための研
磨処理で、ふためっき層が欠損するという問題があっ
た。また、この方法で製造した多層プリント配線板で
は、導体回路表面の粗化層がインタープレートによる合
金めっき粗化層からなり、導体回路側面の粗化層が黒化
還元処理層からなる場合、これらの粗化層を介して導体
に接合された層間樹脂絶縁層は、その粗化層の形態が異
なるために、ヒートサイクル試験などによってクラック
が発生するという問題があった。However, in this method, there is a problem that the lid plating layer is damaged by the polishing treatment for planarization performed after the filling material is embedded. Further, in the multilayer printed wiring board manufactured by this method, when the roughened layer on the surface of the conductor circuit is composed of a roughened alloy plating layer by an interplate, and the roughened layer on the side surface of the conductor circuit is composed of a blackening reduction layer, The interlayer resin insulating layer joined to the conductor via the roughened layer has a problem that cracks are generated by a heat cycle test or the like because the form of the roughened layer is different.
【0007】本発明は、上述した問題を解消するために
なされたものであり、その主たる目的は、ふためっき層
の欠損を招くことなく、配線やスルーホールの高密度化
を実現し得る多層プリント配線板の製造方法を提案する
ことにある。また、本発明の他の目的は、ヒートサイク
ルなどの条件下での耐クラック性に優れる多層プリント
配線板を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and a main object of the present invention is to provide a multilayer print capable of realizing a high density of wirings and through holes without causing loss of a lid plating layer. It is to propose a method for manufacturing a wiring board. Another object of the present invention is to provide a multilayer printed wiring board having excellent crack resistance under conditions such as a heat cycle.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする本発明を完成するに至った。 (1) 本発明の多層プリント配線板は、基板上に、層間樹
脂絶縁層を介して導体回路が形成されてなり、該基板に
はスルーホールが設けられ、そのスルーホールには充填
材が充填された構造を有する多層プリント配線板におい
て、前記スルーホールの直上には、充填材のスルーホー
ルからの露出面を覆う導体層が形成され、この導体層お
よびこれと同層に位置する導体回路には、側面を含む全
表面に粗化層が形成され、この粗化層の表面には、導体
間の凹部を充填し、その表面が平坦な層間樹脂絶縁層が
形成されていることを特徴とする。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies for realizing the above-mentioned object, and as a result, have completed the present invention having the following constitution as a summary. (1) The multilayer printed wiring board of the present invention is formed by forming a conductor circuit on a substrate via an interlayer resin insulating layer, the substrate is provided with through holes, and the through holes are filled with a filler. In the multilayer printed wiring board having the structure described above, a conductor layer covering the exposed surface of the filler from the through hole is formed immediately above the through hole, and the conductor layer and a conductor circuit located on the same layer as the conductor layer are formed on the conductor layer. Is characterized in that a roughened layer is formed on the entire surface including the side surfaces, and the surface of the roughened layer is filled with concave portions between conductors, and an interlayer resin insulating layer having a flat surface is formed. I do.
【0009】(2) 本発明の多層プリント配線板の製造方
法は、少なくとも下記〜の工程、即ち、.基板に
スルーホールを形成する工程、 .前記スルーホールの内壁に粗化層を設ける工程、 .前記スルーホールに充填材を充填する工程、 .前記スルーホールの直上に、充填材のスルーホール
からの露出面を覆う導体層を形成する工程、 .前記導体層およびこれと同層に位置する導体回路の
側面を含む全表面に、粗化層を設ける工程、 .未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を設け、この層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスしてその表面を平坦化し、その
後、硬化処理して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする。(2) The method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention comprises at least the following steps: Forming a through hole in the substrate; Providing a roughened layer on the inner wall of the through hole; Filling the through hole with a filler; Forming a conductor layer directly above the through hole so as to cover an exposed surface of the filler from the through hole; Providing a roughened layer on the entire surface including the side of the conductor layer and the conductor circuit located on the same layer; Providing a layer of an uncured interlayer resin insulating agent, heat-pressing the layer of the interlayer resin insulating agent to flatten its surface, and then performing a curing process to form an interlayer resin insulating layer; Forming a conductor circuit on the interlayer resin insulation layer,
It is characterized by including.
【0010】なお、上記(2) に記載の製造方法におい
て、工程における粗化層は酸化還元処理層であること
が好ましい。前記工程において、感光性の層間樹脂絶
縁層を形成する場合には、加熱プレス前に層間樹脂絶縁
剤の層表面に透光性フィルムを貼付し、この透光性フィ
ルムを介して層間樹脂絶縁剤の層表面を加熱プレスによ
り平坦化したのち露光硬化し、その後、その透光性フィ
ルムを除去して現像処理することが好ましい。前記工程
における加熱プレスは、層間樹脂絶縁剤の層を加熱し
ながら金属板または金属ロールを押圧して行うことが好
ましい。前記工程において、エポキシ樹脂を主成分と
する層間樹脂絶縁剤の層の加熱プレスは、温度40〜60
℃、圧力 3.5〜6.5kgf/cm2 、プレス時間30〜90秒間の
条件にて行うことが好ましい。また、前記層間樹脂絶縁
層には、前記スルーホール直上に位置する部分に開口を
設けて、導体回路およびバイアホールを形成することが
好ましい。さらに、前記充填材としては、金属粒子、熱
硬化性または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなるもの
を用いることが好ましい。In the manufacturing method described in the above (2), the roughened layer in the step is preferably an oxidation-reduction treated layer. In the above step, when a photosensitive interlayer resin insulating layer is formed, a light-transmitting film is attached to a layer surface of the interlayer resin insulating material before hot pressing, and the interlayer resin insulating material is interposed through the light-transmitting film. It is preferred that the surface of the layer is flattened by a heat press, cured by exposure, and then the light-transmitting film is removed and developed. The heating press in the above step is preferably performed by pressing a metal plate or a metal roll while heating the layer of the interlayer resin insulating material. In the step, the heating press of the layer of the interlayer resin insulating material containing an epoxy resin as a main component is performed at a temperature of 40 to 60.
° C., a pressure 3.5~6.5kgf / cm 2, it is preferable to carry out under conditions of press time 30 to 90 seconds. Further, it is preferable that an opening is provided in the interlayer resin insulating layer at a portion located immediately above the through hole to form a conductor circuit and a via hole. Further, as the filler, it is preferable to use a filler composed of metal particles, a thermosetting or thermoplastic resin and a curing agent.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明は、導体間の凹部に充填材
を充填することなく、凹凸を有する基板の表面に直に層
間樹脂絶縁層を塗布などの方法によって形成した点に特
徴がある。また本発明では、凹凸を有する基板の表面に
未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を形成した後、金属板や金
属ロールなどで加熱プレスして、得られる層間樹脂絶縁
層の表面を平坦化している点に特徴がある。より好まし
くは、凹凸を有する基板の表面に、エポキシ樹脂を主成
分とする感光性の層間絶縁樹脂を塗布してからPETフ
ィルムなどの透光性フィルムをラミネートし、温度40〜
60℃、圧力 3.5〜6.5kgf/cm2 、プレス時間30〜90秒間
の条件にてプレスして、その表面を平坦化している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is characterized in that an interlayer resin insulation layer is formed directly on the surface of a substrate having irregularities by a method such as coating without filling a recess between conductors with a filler. . Further, in the present invention, after forming a layer of an uncured interlayer resin insulating agent on the surface of the substrate having irregularities, heat pressing with a metal plate or a metal roll or the like is performed to flatten the surface of the obtained interlayer resin insulating layer. There is a feature in the point. More preferably, on a surface of a substrate having irregularities, a photosensitive interlayer insulating resin containing an epoxy resin as a main component is applied, and then a light-transmitting film such as a PET film is laminated, and the temperature is 40 to
The surface is flattened by pressing under the conditions of 60 ° C., a pressure of 3.5 to 6.5 kgf / cm 2 , and a pressing time of 30 to 90 seconds.
【0012】これにより、基板表面を平坦化するための
研磨工程が省略でき、ふためっき層が欠損するという問
題が解消できる。しかも、研磨によるゴミや異物の混入
を防止することができる。また、本発明では、層間樹脂
絶縁層表面の凹凸が原因となって、露光現像によるバイ
アホール形成用開口の形成不良を招いたり、ICチップ
などの実装不良などの実装不良を招くこともない。さら
には、層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付して露光
硬化を行っているので、酸素による硬化反応の阻害が防
止される結果、その後に現像処理しても膜減りを防止で
き、また粗化処理して浅い粗化層を形成してもピール強
度の低下を招くことはない。Thus, the polishing step for flattening the substrate surface can be omitted, and the problem that the lid plating layer is lost can be solved. In addition, it is possible to prevent dust and foreign matter from being mixed by polishing. Further, according to the present invention, due to the unevenness of the surface of the interlayer resin insulating layer, the formation of the opening for forming the via hole due to the exposure and the development does not occur, and the mounting failure such as the mounting failure of the IC chip or the like does not occur. Furthermore, since the light-transmitting film is attached to the interlayer resin insulating layer and exposed and cured, the inhibition of the curing reaction by oxygen is prevented, so that the film can be prevented from being reduced even after the development processing. Even if the roughening treatment is performed to form a shallow roughened layer, the peel strength does not decrease.
【0013】また本発明は、導体回路と層間樹脂絶縁層
との界面が全て同一の粗化層で構成されている点に他の
特徴がある。これにより、導体回路と層間樹脂絶縁層と
の界面において、導体の表面と側面の粗化形態の違いが
原因となるクラックが防止できる。Another feature of the present invention resides in that the interface between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer is all constituted by the same roughened layer. This can prevent cracks at the interface between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer due to the difference in the roughened form of the surface and side surfaces of the conductor.
【0014】このように、本発明では、導体間の凹部に
充填材を充填することなく、しかも導体表面の粗化を一
工程で行っているので、製造工程が大幅に短縮される。
これにより、多層プリント配線板の製造コストが低減で
きる。As described above, according to the present invention, since the surface of the conductor is roughened in one step without filling the recess between the conductors with the filler, the manufacturing process is greatly reduced.
Thereby, the manufacturing cost of the multilayer printed wiring board can be reduced.
【0015】ここで、基板の層間樹脂絶縁剤の層表面を
プレスにより平坦化する理由は以下のとおりである。即
ち、基板の凹凸面に未硬化の層間樹脂絶縁剤の層をロー
ルコータなどで直に塗布すると、形成される層間樹脂絶
縁層にもまた表面凹凸が生じるからである。例えば、図
2に示すように、導体回路の面積が広い領域に形成され
る層間樹脂絶縁層は、その厚みが相対的に厚く、導体回
路の面積が狭い領域(導体回路パターン領域)に形成さ
れる層間樹脂絶縁層は、パターン間に層間樹脂絶縁剤が
入り込むので、その厚みが薄くなる。つまり、層間樹脂
絶縁層は、その厚みが内層導体回路の表面凹凸により変
化し、その表面に凹凸が発生するのである。Here, the reason why the surface of the interlayer resin insulating layer of the substrate is flattened by pressing is as follows. That is, when an uncured interlayer resin insulating layer is directly applied to the uneven surface of the substrate by a roll coater or the like, the formed interlayer resin insulating layer also has surface unevenness. For example, as shown in FIG. 2, an interlayer resin insulating layer formed in a region where the area of the conductor circuit is large is formed in a region where the thickness of the conductor circuit is relatively large and the area of the conductor circuit is small (conductor circuit pattern region). The interlayer resin insulating layer becomes thin because the interlayer resin insulating agent enters between the patterns. That is, the thickness of the interlayer resin insulation layer changes due to the surface irregularities of the inner conductor circuit, and irregularities occur on the surface.
【0016】また、この平坦化処理におけるプレス条件
を、温度:40〜60℃、圧力: 3.5〜6.5kgf/cm2 、時
間:30〜90秒とする理由は以下のとおりである。即ち、
そのプレス条件を、40℃未満、圧力3.5Kgf/cm2 未満、
プレス時間30秒未満にすると、充分な平坦性が得られな
い。一方、プレス温度が60℃を超えると、露光,現像前
に層間樹脂絶縁剤の硬化が進んでしまうおそれがあり、
プレス圧力が6.5Kgf/cm2を超えると、層間絶縁樹脂が基
板から流れ出してしまうおそれがあり、プレス時間が90
秒を超えると、従来の露光時間やポストベーク時間を考
慮した場合、生産性が落ちると予想されるからである。The pressing conditions in this flattening treatment are as follows: temperature: 40 to 60 ° C., pressure: 3.5 to 6.5 kgf / cm 2 , and time: 30 to 90 seconds. That is,
The press conditions are less than 40 ° C, pressure less than 3.5Kgf / cm 2 ,
If the pressing time is less than 30 seconds, sufficient flatness cannot be obtained. On the other hand, if the pressing temperature exceeds 60 ° C., the curing of the interlayer resin insulating agent may proceed before exposure and development,
If the pressing pressure exceeds 6.5 kgf / cm 2 , the interlayer insulating resin may flow out of the substrate, and the pressing
If the time exceeds 2 seconds, the productivity is expected to decrease in consideration of the conventional exposure time and post-bake time.
【0017】このような本発明において、スルーホール
内壁の導体表面には、粗化層、より好ましくは酸化還元
処理による粗化層が形成されていることが好ましい。こ
の理由は、充填材とスルーホールとがその粗化層を介し
て密着し隙間が発生しないからである。もし、充填材と
スルーホールとの間に空隙が存在すると、その直上に電
解めっきで形成される導体層が、平坦なものとならなか
ったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥離を引
き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まってマイ
グレーションやクラックの原因となったりする。この
点、粗化層が形成されているとこのような不良発生を防
止することができる。In the present invention, it is preferable that a roughened layer, more preferably, a roughened layer formed by an oxidation-reduction treatment is formed on the conductor surface of the inner wall of the through hole. The reason for this is that the filler and the through-hole are in close contact with each other via the roughened layer, and no gap is generated. If there is a gap between the filler and the through hole, the conductor layer formed by electrolytic plating directly above it will not be flat, or the air in the gap will thermally expand, causing cracks and peeling. Or cause water to accumulate in the voids, causing migration or cracks. In this regard, the formation of the roughened layer can prevent such defects from occurring.
【0018】例えば、酸化還元処理による粗化層は、酸
化浴として、NaOH(20g/l)、NaCl02(50g/l)、
Na3PO4(15.0g/l)の水溶液、還元浴として、NaOH
( 2.7g/l)、NaBH4 ( 1.0g/l)の水溶液を用い
て形成される。For example, the roughened layer formed by the oxidation-reduction treatment may be used as an oxidation bath such as NaOH (20 g / l), NaClO 2 (50 g / l),
Na 3 PO 4 (15.0 g / l) aqueous solution, NaOH
(2.7 g / l), formed using an aqueous solution of NaBH 4 (1.0 g / l).
【0019】また、本発明において、スルーホール内充
填材の露出面を覆う導体層(ふためっき層)とこの導体
層と同層に位置する他の導体回路の表面には、Cu−Ni−
Pからなる合金めっき粗化層(例えば、荏原ユージライ
トのインタープレート)や、酸化−還元処理による粗化
層、あるいはメック社製「メックエッチボンド」なるエ
ッチング液で処理形成された粗化層が形成されている。
この理由は、この粗化層により層間樹脂絶縁層やバイア
ホールとの密着性を改善することができるからである。
特に本発明では、前記導体の側面にも同一の粗化層が形
成されている。これにより、導体の表面と側面の粗化層
の相違に起因した層間樹脂絶縁層との密着不足によりこ
れらの界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて垂直に
発生するクラックを抑制することができる。In the present invention, the surface of the conductor layer (lid plating layer) covering the exposed surface of the filler in the through-hole and the surface of another conductor circuit located on the same layer as the conductor layer are provided with Cu-Ni-
A roughened layer of alloy plating made of P (for example, Ebara Uzilite Interplate), a roughened layer formed by oxidation-reduction treatment, or a roughened layer formed by processing with an etching solution called “Mech etch bond” manufactured by Mec Co., Ltd. Is formed.
The reason is that the roughened layer can improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer and the via hole.
In particular, in the present invention, the same roughened layer is also formed on the side surface of the conductor. Thereby, cracks that are generated perpendicularly toward the interlayer resin insulating layer from these interfaces due to insufficient adhesion to the interlayer resin insulating layer due to the difference between the roughened layer on the surface and the side surface of the conductor can be suppressed. .
【0020】これらの粗化層のうち、Cu−Ni−Pからな
る合金めっき粗化層は、針状合金層であり、例えば、硫
酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケル 0.1〜6.0 g/l、
クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜100 g/l、
ホウ酸10〜40g/l、アセチレン含有ポリオキシエチレ
ン系界面活性剤0.01〜10g/lの水溶液からなる液組成
のめっき浴を用いて形成される。Among these roughened layers, the roughened alloy plating layer made of Cu-Ni-P is a needle-shaped alloy layer, for example, 1 to 40 g / l of copper sulfate and 0.1 to 6.0 g / l of nickel sulfate. ,
Citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-100 g / l,
It is formed using a plating bath having a liquid composition of an aqueous solution of boric acid 10 to 40 g / l and an acetylene-containing polyoxyethylene surfactant of 0.01 to 10 g / l.
【0021】この粗化層は、イオン化傾向が銅より大き
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜2μmがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも1種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは、無電解置換めっきに
より薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利で
ある。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩
化スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換
反応により 0.1〜2μm程度のSn層が形成される。貴金
属の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。The roughened layer may be covered with a layer of a metal or a noble metal whose ionization tendency is larger than copper and equal to or less than titanium. This is because these metal or noble metal layers cover the roughened layer and can prevent the conductor circuit from dissolving due to a local electrode reaction that occurs when the interlayer resin insulating layer is roughened. The thickness of the layer is preferably 0.1 to 2 μm. Examples of such a metal include at least one selected from titanium, aluminum, zinc, iron, indium, thallium, cobalt, nickel, tin, lead, and bismuth. Noble metals include gold, silver, platinum and palladium. Of these, tin is particularly preferred. Tin is advantageous because it can form a thin layer by electroless displacement plating and can follow the roughened layer. In the case of tin, tin borofluoride-thiourea or tin chloride-thiourea liquid is used. Then, a Sn layer having a thickness of about 0.1 to 2 μm is formed by the substitution reaction of Cu—Sn. In the case of a noble metal, a method such as sputtering or vapor deposition can be adopted.
【0022】本発明において、充填材は、金属粒子、熱
硬化性または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなること
が好ましく、必要に応じて溶剤を添加してもよい。金属
粒子としては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、
チタン、クロム、すず/鉛、パラジウム、プラチナなど
が使用できる。なお、この金属粒子の粒子径は、 0.1〜
50μmがよい。この理由は、 0.1μm未満であると、銅
表面が酸化して樹脂に対する濡れ性が悪くなり、一方50
μmを超えると、印刷性が悪くなるからである。また、
この金属粒子の配合量は、全体量に対して30〜90wt%が
よい。この理由は、30wt%より少ないと、フタめっきの
密着性が悪くなり、一方90wt%を超えると、印刷性が悪
化するからである。使用される樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフ
ルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン(BT)樹脂、FEP、PFA、PP
S、PEN、PES、ナイロン、アラミド、PEEK、
PEKK、PETなどが使用できる。硬化剤としては、
イミダゾール系、フェノール系、アミン系などの硬化剤
が使用できる。溶剤としては、NMP(ノルマルメチル
ピロリドン)、DMDG(ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル)、グリセリン、水、1−又は2−又は3−
のシクロヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセロ
ソルブ、メチルセロソルブアセテート、メタノール、エ
タノール、ブタノール、プロパノール、ビスフェノール
A型エポキシなどが使用できる。In the present invention, the filler is preferably composed of metal particles, a thermosetting or thermoplastic resin and a curing agent, and a solvent may be added as necessary. Metal particles include copper, gold, silver, aluminum, nickel,
Titanium, chromium, tin / lead, palladium, platinum and the like can be used. The metal particles have a particle size of 0.1 to
50 μm is preferred. The reason is that if the thickness is less than 0.1 μm, the copper surface is oxidized and the wettability to the resin is deteriorated.
If the thickness exceeds μm, printability deteriorates. Also,
The compounding amount of the metal particles is preferably 30 to 90% by weight based on the total amount. The reason for this is that if the amount is less than 30% by weight, the adhesion of the lid plating deteriorates, while if it exceeds 90% by weight, the printability deteriorates. Examples of the resin used include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), bismaleimide triazine (BT) resin, FEP, PFA, PP
S, PEN, PES, nylon, aramid, PEEK,
PEKK, PET, etc. can be used. As a curing agent,
Curing agents such as imidazole, phenol and amine curing agents can be used. As the solvent, NMP (normal methylpyrrolidone), DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), glycerin, water, 1- or 2- or 3-
, Cyclohexanol, cyclohexanone, methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, methanol, ethanol, butanol, propanol, bisphenol A type epoxy and the like can be used.
【0023】また、この充填材として、無機超微粒子を
含有したものを用いることが望ましい。この理由は、金
属粒子の沈降を防止できるからである。この無機超微粒
子としては、シリカ、アルミナ、炭化珪素、ムライトを
用いることが望ましく、なかでもシリカが最適である。
この無機超微粒子の平均粒径は、1〜1000nm、より好ま
しくは2〜100nm とすることが望ましい。この理由は、
粒子径が微細であるため、スルーホールの充填性を損な
うことなく、また水素結合と推定される結合を網目状に
形成でき、粒子状物質をトラップできる範囲だからであ
る。この無機超微粒子の配合量は、樹脂組成物の全固形
分に対して 0.1〜5重量%とすることが望ましい。この
理由は、充填性を損なうことなく、金属粒子の沈降を防
止できる範囲だからである。なお、この充填材は、非導
電性(比抵抗1.48Ω・cm以上)であることが望ましい。
非導電性の方が硬化収縮が小さく、導体層(ふためっき
層)やバイアホールとの剥離が起こりにくいからであ
る。It is desirable to use a filler containing inorganic ultrafine particles as the filler. The reason is that sedimentation of the metal particles can be prevented. As the inorganic ultrafine particles, it is desirable to use silica, alumina, silicon carbide, and mullite, and among them, silica is most suitable.
The average particle diameter of the inorganic ultrafine particles is desirably 1 to 1000 nm, preferably 2 to 100 nm. The reason for this is
This is because, since the particle diameter is fine, a bond presumed to be a hydrogen bond can be formed in a network without impairing the filling property of the through-hole, and the particulate matter can be trapped. The blending amount of the inorganic ultrafine particles is desirably 0.1 to 5% by weight based on the total solid content of the resin composition. The reason is that the sedimentation of the metal particles can be prevented without impairing the filling property. It is desirable that this filler be non-conductive (specific resistance of 1.48 Ω · cm or more).
This is because the non-conductive material has a smaller curing shrinkage and is less likely to peel off from the conductor layer (lid plating layer) or via hole.
【0024】本発明において、層間樹脂絶縁層として
は、熱硬化性樹脂(熱硬化基の一部または全部を感光化
したものを含む)、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹
脂(熱硬化基の一部または全部を感光化したものを含
む)と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができる。熱
硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル(P
PE)などが使用できる。特に、エポキシ樹脂として
は、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂な
どを用いることができる。なお、この熱硬化性樹脂は、
熱硬化官能基の一部を感光基で置換して感光性を付与し
ておくことが好ましい。この理由は、感光性を付与した
熱硬化性樹脂を樹脂成分として含む樹脂絶縁剤を用いれ
ば、露光,現像処理により、その層間樹脂絶縁層にバイ
アホール用の開口部を容易に形成できるからである。熱
硬化基の一部または全部を感光化する場合は、熱硬化基
の一部または全部をメタクリル酸やアクリル酸などと反
応させてアクリル化させる。なかでもエポキシ樹脂のア
クリレートが最適である。熱可塑性樹脂としては、ポリ
テトラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂、
ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリスルフォ
ン(PSF)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、
熱可塑型ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリエー
テルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PE
I)、ポリフェニレンスルフォン(PPES)、4フッ
化エチレン6フッ化プロピレン共重合体(FEP)、4
フッ化エチレンパーフロロアルコキシ共重合体(PF
A)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエー
テルエーテルケトン(PEEK)、ポリオレフィン系樹
脂などが使用できる。熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複
合体としては、エポキシ樹脂−PES、エポキシ樹脂−
PSF、エポキシ樹脂−PPS、エポキシ樹脂−PPE
Sなどが使用できる。In the present invention, as the interlayer resin insulating layer, a thermosetting resin (including one obtained by sensitizing a part or all of the thermosetting group), a thermoplastic resin, or a thermosetting resin (including a thermosetting group). (Including those partially or entirely sensitized) and a thermoplastic resin. As thermosetting resin, epoxy resin, polyimide resin,
Phenol resin, thermosetting polyphenylene ether (P
PE) can be used. In particular, as the epoxy resin, a novolak-type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or the like can be used. In addition, this thermosetting resin,
It is preferable to impart a photosensitivity by substituting a part of the thermosetting functional group with a photosensitive group. The reason for this is that if a resin insulating agent containing a thermosetting resin with photosensitivity as a resin component is used, an opening for a via hole can be easily formed in the interlayer resin insulating layer by exposure and development. is there. When sensitizing a part or all of the thermosetting group, a part or all of the thermosetting group is reacted with methacrylic acid, acrylic acid, or the like to be acrylated. Of these, epoxy resin acrylate is most suitable. As the thermoplastic resin, a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE),
Polyethylene terephthalate (PET), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS),
Thermoplastic polyphenylene ether (PPE), polyether sulfone (PES), polyetherimide (PE
I), polyphenylene sulfone (PPES), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP),
Fluorinated ethylene perfluoroalkoxy copolymer (PF
A), polyethylene naphthalate (PEN), polyetheretherketone (PEEK), polyolefin-based resin and the like can be used. As a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, epoxy resin-PES, epoxy resin-
PSF, epoxy resin-PPS, epoxy resin-PPE
S or the like can be used.
【0025】本発明では、層間樹脂絶縁層としてガラス
クロス含浸樹脂複合体を用いることができる。このガラ
スクロス含浸樹脂複合体としては、ガラスクロス含浸エ
ポキシ、ガラスクロス含浸ビスマレイミドトリアジン、
ガラスクロス含浸PTFE、ガラスクロス含浸PPE、
ガラスクロス含浸ポリイミドなどがある。In the present invention, a glass cloth impregnated resin composite can be used as the interlayer resin insulating layer. As the glass cloth impregnated resin composite, glass cloth impregnated epoxy, glass cloth impregnated bismaleimide triazine,
Glass cloth impregnated PTFE, glass cloth impregnated PPE,
Examples include glass cloth impregnated polyimide.
【0026】また本発明において、層間樹脂絶縁層とし
ては、無電解めっき用接着剤を用いることができる。こ
の無電解めっき用接着剤としては、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理に
よって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性
樹脂中に分散されてなるものが最適である。この理由
は、酸や酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成できるからである。In the present invention, an adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating layer. As the adhesive for electroless plating, heat-resistant resin particles that are soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin that becomes hardly soluble in an acid or an oxidizing agent by the curing treatment. Is best. The reason for this is that by treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface.
【0027】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が2μm以
下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜10μ
mの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の耐
熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1種
を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が 0.1〜0.8 μ
mの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μmを超え2μm
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が 0.1〜
1.0 μmの耐熱性樹脂粉末、から選ばれるいずれか少な
くとも1種を用いることが望ましい。これらは、より複
雑なアンカーを形成できるからである。この無電解めっ
き用接着剤で使用される耐熱性樹脂は、前述の熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複
合体を使用できる。In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less, and an average particle size of 2 to 10 μm
m, a pseudo particle obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of the heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm.
m heat resistant resin powder and average particle size exceeding 0.8 μm and 2 μm
Mixture with heat-resistant resin powder of less than 0.1, average particle size 0.1 ~
It is desirable to use at least one selected from heat-resistant resin powder of 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors. As the heat-resistant resin used in the adhesive for electroless plating, the above-mentioned thermosetting resin, thermoplastic resin, or a composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin can be used.
【0028】本発明において、基板上に形成されたふた
めっき層と層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路と
は、バイアホールにて接続されることが望ましい。この
場合、バイアホールは、めっき膜や導電ペーストで充填
されたものがよい。In the present invention, it is desirable that the lid plating layer formed on the substrate and the conductor circuit formed on the interlayer resin insulating layer be connected by via holes. In this case, the via hole is preferably filled with a plating film or a conductive paste.
【0029】以下、本発明の多層プリント配線板を製造
する方法について一例を挙げて具体的に説明する。な
お、以下に述べる方法は、セミアディティブ法による多
層プリント配線板の製造方法に関するものであるが、本
発明における多層プリント配線板の製造方法では、フル
アディティブ法やマルチラミネーション法、ピンラミネ
ーション法を採用することができる。Hereinafter, the method for producing the multilayer printed wiring board of the present invention will be specifically described by way of an example. The method described below relates to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board by a semi-additive method, but the method of manufacturing a multilayer printed wiring board in the present invention employs a full additive method, a multi-lamination method, and a pin lamination method. can do.
【0030】(1) スルーホールの形成 .まず、基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔の壁面
および基板表面に無電解めっきを施してスルーホールを
形成する。基板としては、ガラスエポキシ基板やポリイ
ミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ
素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこれらの樹脂基板
の銅張積層板、セラミック基板、金属基板などを用いる
ことができる。特に、誘電率を考慮する場合は、両面銅
張フッ素樹脂基板を用いることが好ましい。この基板
は、片面が粗化された銅箔をポリテトラフルオロエチレ
ン等のフッ素樹脂基板に熱圧着したものである。無電解
めっきとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂基板のよう
にめっきのつきまわりが悪い基板の場合は、有機金属ナ
トリウムからなる前処理剤(商品名:潤工社製:テトラ
エッチ)による処理、プラズマ処理などの表面改質を行
う。(1) Formation of through hole First, a through hole is drilled in a substrate, and electroless plating is applied to the wall surface of the through hole and the surface of the substrate to form a through hole. As the substrate, a resin substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin substrate, a fluororesin substrate, or a copper-clad laminate of these resin substrates, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like can be used. In particular, when the dielectric constant is considered, it is preferable to use a double-sided copper-clad fluororesin substrate. This substrate is obtained by thermocompression bonding a copper foil having one surface roughened to a fluororesin substrate such as polytetrafluoroethylene. Copper plating is preferred as the electroless plating. In the case of a substrate with poor plating coverage, such as a fluororesin substrate, surface modification such as treatment with a pretreatment agent made of organometallic sodium (trade name: Junko, Tetra-etch), plasma treatment, or the like is performed.
【0031】.次に、厚付けのために電解めっきを行
う。この電解めっきとしては銅めっきがよい。 .そしてさらに、スルーホール内壁および電解めっき
膜表面を粗化処理して粗化層を設ける。この粗化層に
は、酸化還元処理によるものを用いる。[0031] Next, electrolytic plating is performed for thickening. Copper plating is preferable as the electrolytic plating. . Further, a roughening layer is provided by roughening the inner wall of the through hole and the surface of the electrolytic plating film. The roughened layer is formed by an oxidation-reduction treatment.
【0032】(2) 充填材の充填 .前記(1) で形成したスルーホール内に、前述した成
分組成の充填材を充填する。具体的には、充填材は、ス
ルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上
に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填
され、充填後、乾燥、硬化される。(2) Filling of filler The filler having the above-described component composition is filled in the through holes formed in (1). Specifically, the filler is filled in the through-hole by applying by a printing method onto a substrate on which a mask having an opening provided in the through-hole is placed, and then the filler is dried and cured.
【0033】この充填材には、金属粒子と樹脂の密着力
を上げるために、シランカップリング剤などの金属表面
改質剤を添加してもよい。また、その他の添加剤とし
て、アクリル系消泡剤やシリコン系消泡剤などの消泡
剤、シリカやアルミナ、タルクなどの無機充填材を添加
してもよい。また、金属粒子の表面には、シランカップ
リング剤を付着させてもよい。A metal surface modifier such as a silane coupling agent may be added to the filler to increase the adhesion between the metal particles and the resin. In addition, as other additives, an antifoaming agent such as an acrylic antifoaming agent or a silicon-based antifoaming agent, or an inorganic filler such as silica, alumina, or talc may be added. Further, a silane coupling agent may be attached to the surface of the metal particles.
【0034】このような充填材は、例えば、以下の条件
にて印刷される。即ち、テトロン製メッシュ版の印刷マ
スク版と45℃の角スキージを用い、Cuペースト粘度: 1
20Pa・s、スキージ速度:13mm/min 、スキージ押込み
量:1mmの条件で印刷する。Such a filler is printed, for example, under the following conditions. That is, using a printing mask plate of a Tetron mesh plate and a square squeegee at 45 ° C., the viscosity of the Cu paste: 1
Printing is performed under the conditions of 20 Pa · s, squeegee speed: 13 mm / min, and squeegee pushing amount: 1 mm.
【0035】.スルーホールからはみ出した充填材お
よび基板の電解めっき膜表面の粗化層を研磨により除去
して、基板表面を平坦化する。研磨は、ベルトサンダー
やバフ研磨がよい。[0035] The filler protruding from the through hole and the roughened layer on the surface of the electrolytic plating film on the substrate are removed by polishing to flatten the substrate surface. Polishing is preferably performed using a belt sander or buffing.
【0036】(3) 導体層の形成 .前記(2) で平坦化した基板の表面に触媒核を付与し
た後、無電解めっき、電解めっきを施し、さらにエッチ
ングレジストを形成し、レジスト非形成部分をエッチン
グすることにより、導体回路部分およびふためっき層部
分を形成する。そのエッチング液としては、硫酸−過酸
化水素の水溶液、過硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄
や塩化第二銅の水溶液がよい。(3) Formation of conductor layer After applying catalyst nuclei to the surface of the substrate planarized in the above (2), electroless plating and electrolytic plating are performed, an etching resist is further formed, and the resist non-formed portion is etched, so that the conductor circuit portion and the lid are formed. A plating layer portion is formed. As the etchant, an aqueous solution of sulfuric acid-hydrogen peroxide, an aqueous solution of persulfate such as ammonium persulfate, sodium persulfate, or potassium persulfate, or an aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride is preferable.
【0037】.そして、エッチングレジストを剥離し
て、独立した導体回路およびふためっき層とした後、そ
の導体回路およびふためっき層の表面に、インタープレ
ートによる針状合金めっきにて粗化層を形成する。導体
回路およびふためっき層の表面に粗化層を形成すると、
その導体は、層間樹脂絶縁層との密着性に優れるので、
導体回路およびふためっき層の側面あるいは表面と樹脂
絶縁層との界面を起点とするクラックが発生しない。ま
た一方で、ふためっき層は、電気的に接続されるバイア
ホールとの密着性が改善される。[0037] Then, after removing the etching resist to form an independent conductor circuit and a lid plating layer, a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit and the lid plating layer by needle-like alloy plating using an interplate. When a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit and the lid plating layer,
Since the conductor has excellent adhesion to the interlayer resin insulation layer,
Cracks originating from the interface between the side surface or surface of the conductor circuit and the lid plating layer and the resin insulating layer do not occur. On the other hand, the adhesion of the lid plating layer to via holes that are electrically connected is improved.
【0038】なお、導体層の形成方法として、以下の工
程を採用することができる。即ち、前記(1),(2) の工程
を終えた基板にめっきレジストを形成し、次いで、レジ
スト非形成部分に電解めっきを施して導体回路およびふ
ためっき層部分を形成し、これらの導体上に、ホウフッ
化スズ、ホウフッ化鉛、ホウフッ化水素酸、ペプトンか
らなる電解半田めっき液を用いて半田めっき膜を形成し
た後、めっきレジストを除去し、そのめっきレジスト下
の無電解めっき膜および銅箔をエッチング除去して独立
パターンを形成し、さらに、半田めっき膜をホウフッ酸
水溶液で溶解除去して導体層を形成する。The following steps can be adopted as a method for forming the conductor layer. That is, a plating resist is formed on the substrate after the steps (1) and (2), and then a portion where no resist is formed is subjected to electrolytic plating to form a conductor circuit and a lid plating layer portion. Then, after forming a solder plating film using an electrolytic solder plating solution composed of tin borofluoride, lead borofluoride, borofluoric acid, and peptone, the plating resist is removed, and the electroless plating film and copper under the plating resist are removed. The foil is etched away to form an independent pattern, and the solder plating film is dissolved and removed with a borofluoric acid aqueous solution to form a conductor layer.
【0039】(4) 層間樹脂絶縁層の形成 .このようにして作製した配線基板上に、層間樹脂絶
縁剤の層を形成する。層間樹脂絶縁剤としては、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑
性樹脂の複合体を使用できる。また、本発明では、層間
樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用い
ることができる。層間樹脂絶縁層は、これらの樹脂の未
硬化液を塗布したり、フィルム状の樹脂を熱圧着してラ
ミネートすることにより形成される。(4) Formation of interlayer resin insulation layer. A layer of an interlayer resin insulating agent is formed on the wiring board thus manufactured. As the interlayer resin insulating agent, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used. In the present invention, the above-described adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating material. The interlayer resin insulating layer is formed by applying an uncured liquid of these resins, or by laminating a film-shaped resin by thermocompression bonding.
【0040】.次に、未硬化の層間樹脂絶縁剤(無電
解めっき用接着剤)を塗布した場合には、その層間樹脂
絶縁剤の層を乾燥する。この,の終了時点では、基
板の導体回路上に設けた層間樹脂絶縁剤の層は、導体回
路間に樹脂を充填していないので、導体回路パターン領
域上の層間樹脂絶縁剤の層の厚さは薄く、導体回路の面
積が広い領域上の層間樹脂絶縁剤の層の厚さは厚く、凹
凸が発生している状態である(図4(d) 参照)。[0040] Next, when an uncured interlayer resin insulating agent (adhesive for electroless plating) is applied, the layer of the interlayer resin insulating agent is dried. At the end of this process, since the interlayer resin insulating layer provided on the conductor circuit of the substrate is not filled with resin between the conductor circuits, the thickness of the interlayer resin insulating layer on the conductor circuit pattern area is reduced. Is thin, and the thickness of the interlayer resin insulating layer on the region where the area of the conductor circuit is large is large, and unevenness is generated (see FIG. 4D).
【0041】.次に、凹凸状態にある層間樹脂絶縁剤
の層を、金属板や金属ロールを用いて加熱しながら押圧
(加熱プレス)し、その表面を平坦化する(図4(e) 参
照)。ここで用いる金属板や金属ロールは、ステンレス
製のものがよい。その理由は耐腐食性に優れるからであ
る。加熱プレスは、層間樹脂絶縁剤の層を設けた基板を
金属板または金属ロールにて挟持し、加熱雰囲気でプレ
スすることにより行う。この加熱プレスにより、層間絶
縁剤の樹脂が流動して層間樹脂絶縁剤の層表面が平坦に
なる。この加熱プレスにおける加熱温度、圧力、時間
は、層間樹脂絶縁剤に用いる樹脂により異なる。例え
ば、エポキシ樹脂のアクリレートとポリエーテルスルフ
ォンの複合体を樹脂マトリックスとし、エポキシ樹脂粒
子を耐熱性樹脂粒子とした無電解めっき用接着剤を層間
樹脂絶縁剤に用いる場合は、加熱温度を60〜70℃、圧力
を15〜25 kgf/cm2 、時間を15〜25分とすることが望ま
しい。[0041] Next, the layer of the interlayer resin insulating material in the uneven state is pressed (heat-pressed) while heating using a metal plate or a metal roll, and the surface thereof is flattened (see FIG. 4E). The metal plate and metal roll used here are preferably made of stainless steel. The reason is that it has excellent corrosion resistance. The heating press is performed by sandwiching a substrate provided with a layer of an interlayer resin insulating material with a metal plate or a metal roll and pressing in a heating atmosphere. By this heating press, the resin of the interlayer insulating material flows, and the layer surface of the interlayer resin insulating material becomes flat. The heating temperature, pressure and time in this heating press differ depending on the resin used for the interlayer resin insulating agent. For example, when a composite of epoxy resin acrylate and polyether sulfone is used as a resin matrix, and an adhesive for electroless plating using epoxy resin particles as heat-resistant resin particles is used as an interlayer resin insulating agent, the heating temperature is 60 to 70. It is preferable that the temperature is 15 ° C., the pressure is 15 to 25 kgf / cm 2 , and the time is 15 to 25 minutes.
【0042】なお、金属ロールを用いる場合は、搬送し
ながら加熱プレスすることができ、量産性の観点から有
利である。特に、ゴムのような弾性体のロールと金属ロ
ールを組み合わせて用いることが有利である。例えば、
最初にゴムロールにより加熱プレスし、次いで、金属ロ
ールにて加熱プレスする。この場合、層間樹脂絶縁剤の
層を設けた基板は最初のゴムロールにより予備加熱さ
れ、予備加熱されたその基板は金属ロールにより平坦化
される。When a metal roll is used, it can be heated and pressed while being conveyed, which is advantageous from the viewpoint of mass productivity. In particular, it is advantageous to use a combination of an elastic roll such as rubber and a metal roll. For example,
First, hot pressing is performed with a rubber roll, and then hot pressing is performed with a metal roll. In this case, the substrate provided with the interlayer resin insulating layer is preheated by the first rubber roll, and the preheated substrate is flattened by the metal roll.
【0043】本発明では、層間樹脂絶縁剤が感光性の場
合は、必要に応じて加熱プレス前に透光性フィルムを層
間樹脂絶縁剤の層上に貼り付けることができる。この透
光性フィルムは、光重合反応の際に酸素が反応を阻害し
て、現像時の膜減りやピール強度の低下を招くのを防止
するために使用される。このため、浅いアンカー深さで
も、ピール強度の低下は見られない。この透光性フィル
ムは、熱可塑性樹脂フィルムが望ましく、例えば、ポリ
エチレンテレフタレート(PET)やポリエチレン(P
E)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエーテル
エーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルサルフォン
(PES)、ポリプロピレン(PP)、ポリ塩化ビニル
(PVC)などのフィルムがよい。In the present invention, if the interlayer resin insulating material is photosensitive, a light-transmitting film can be attached on the layer of the interlayer resin insulating material before hot pressing, if necessary. This translucent film is used to prevent oxygen from hindering the reaction during the photopolymerization reaction, resulting in a decrease in film thickness during development and a decrease in peel strength. Therefore, even at a shallow anchor depth, no decrease in peel strength is observed. The translucent film is desirably a thermoplastic resin film, such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene (P).
E), a film of polyvinyl alcohol (PVA), polyetheretherketone (PEEK), polyethersulfone (PES), polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC) and the like are preferable.
【0044】なお、これらのフィルムは、貼着側の面に
粘着剤を塗布しておくことが望ましい。その理由は、層
間樹脂絶縁剤の層との密着性を確保できるからである。
この粘着剤は、特に限定はされないが、「伊保内 賢、
小松 公栄、北崎 寧昭 編著、工業調査会発行 粘着
剤活用ノート」に記載されたものを使用できる。例え
ば、天然ゴム系、スチレンーブタジエン系、ポリイソブ
チレン系、イソプレン系、アクリル系、アクリルエマル
ジョン系、シリコーン系、天然ゴム−ブタジエンラテッ
クス系の粘着剤が挙げられる。具体的には、次のような
組成の粘着剤を挙げることができる。 ・天然ゴム系 天然ゴム 100 重量部 粘着付与剤樹脂 150〜120 重量部 亜鉛華 25〜50 重量部 炭酸カルシウム 35〜60 重量部 カーボンブラック 〜15 重量部 老化防止剤 〜1.5 重量部 イオウ 0.5〜2.25 重量部 ・スチレン−ブタジエン系 ゴムラテックス 100 重量部 高融点粘着付与剤 89 重量部 石鹸生成樹脂酸 5.6 重量部 抵酸化剤 4.8 重量部 アンモニア水 0.7 重量部 水 151 重量部 ・ポリイソブチレン系 ポリイソブチレン 100 重量部 ポリブテン 10 重量部 ホワイトオイル 20 重量部 ・イソプレン系 クラレ製、商品名:クラプレンIR−10 ・アクリル系 アクリル酸2−エチルヘキシン 78 重量部 アクリル酸メチル 20 重量部 無水マレイン酸 2 重量部 ヘキサメチレンジアミン 0.5 重量部 ・アクリルエマルジョン系 2−エチルヘキシルアクリレート 70 重量部 酢酸ビニル 30 重量部 アクリル酸 2 重量部 ・シリコーン系 シリコーンゴム 100 重量部 シリコーンレジン 80〜120 重量部 縮合触媒 0.01〜0.5 重量部 溶剤 100〜150 重量部It is desirable that these films have an adhesive applied to the surface on the sticking side. The reason is that adhesion to the interlayer resin insulating layer can be ensured.
This pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but "Satoshi Ibouchi,
Komatsu Koei, Kitazaki Yasuaki, edited by the Industrial Research Council, Adhesive Utilization Note "can be used. For example, natural rubber-based, styrene-butadiene-based, polyisobutylene-based, isoprene-based, acrylic-based, acrylic emulsion-based, silicone-based, and natural rubber-butadiene latex-based pressure-sensitive adhesives can be used. Specifically, an adhesive having the following composition can be used.・ Natural rubber 100 parts by weight Natural rubber tackifier resin 150 to 120 parts by weight Zinc flower 25 to 50 parts by weight Calcium carbonate 35 to 60 parts by weight Carbon black 部 15 parts by weight Antioxidant 1.51.5 parts by weight Sulfur 0.5 to 2.25 parts by weight Parts ・ Styrene-butadiene rubber latex 100 parts by weight High melting point tackifier 89 parts by weight Soap-forming resin acid 5.6 parts by weight Antioxidant 4.8 parts by weight Ammonia water 0.7 parts by weight Water 151 parts by weight ・ Polyisobutylene-based polyisobutylene 100 parts by weight Polybutene 10 parts by weight White oil 20 parts by weight ・ Isoprene-based Kuraray, trade name: Kuraprene IR-10 ・ Acrylics 2-ethylhexyne acrylate 78 parts by weight Methyl acrylate 20 parts by weight Maleic anhydride 2 parts by weight Hexamethylenediamine 0.5 parts by weight Parts ・ Acrylic emulsion 2-ethylhexyl acrylate 70 parts by weight Vinyl acetate 30 parts by weight Acrylic acid 2 parts by weight ・ Silicone silicone rubber 100 parts by weight Silicone resin 80-120 parts by weight Condensation catalyst 0.01-0.5 parts by weight Solvent 100-150 parts by weight
【0045】本発明では、透光性フィルムを、凹凸状態
にある層間樹脂絶縁剤の層に貼着してこれを加熱プレス
(図4(e) 参照)してもよく、凹凸状態にある層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスして平坦化した後に透光性フィ
ルムを貼着してもよい。平坦化する前に透光性フィルム
を貼着した方が、樹脂が金属板に付着しないため、有利
である。In the present invention, the light-transmitting film may be adhered to the interlayer resin insulating layer in the uneven state, and this may be heated and pressed (see FIG. 4E). A light-transmitting film may be attached after flattening the layer of the resin insulating material by hot pressing. Adhering a light-transmitting film before flattening is advantageous because the resin does not adhere to the metal plate.
【0046】.そして、層間樹脂絶縁剤の層を硬化し
て層間樹脂絶縁層とするとともに、上層の導体回路とス
ルーホールとの電気的接続を確保するために、この層間
樹脂絶縁層にバイアホール形成用の開口を設ける。この
バイアホール形成用の開口は、層間樹脂絶縁剤が感光性
樹脂からなる場合は、露光、現像処理にて行い、熱硬化
性樹脂や熱可塑性樹脂からなる場合は、レーザ光にて行
う。このとき、使用されるレーザ光としては、炭酸ガス
レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザなどがある。レ
ーザ光にて孔明けした場合は、デスミア処理を行っても
よい。このデスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩
などの水溶液からなる酸化剤を使用して行うことがで
き、また酸素プラズマなどで処理してもよい。[0046] Then, the interlayer resin insulating layer is cured to form an interlayer resin insulating layer, and an opening for forming a via hole is formed in the interlayer resin insulating layer in order to secure electrical connection between the upper conductor circuit and the through hole. Is provided. The opening for forming the via hole is formed by exposure and development when the interlayer resin insulating material is made of a photosensitive resin, and is formed by laser light when the interlayer resin insulating material is made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. At this time, the laser light used includes a carbon dioxide laser, an ultraviolet laser, an excimer laser, and the like. If holes are formed by laser light, desmearing may be performed. This desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid or permanganate, or may be performed using oxygen plasma or the like.
【0047】.バイアホール形成用開口を設けた層間
樹脂絶縁層の表面を、必要に応じて粗化する。上述した
無電解めっき用接着剤を層間樹脂絶縁層として使用した
場合は、表面を酸や酸化剤で処理して接着剤層の表面に
存在する耐熱性樹脂粒子のみを選択的に溶解または分解
により除去して粗化する。また、熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を使用した場合でも、クロム酸、過マンガン酸塩
などの水溶液から選ばれる酸化剤による表面粗化処理が
有効である。なお、酸化剤では粗化されないフッ素樹脂
(ポリテトラフルオロエチレン等)などの樹脂の場合
は、プラズマ処理やテトラエッチなどにより表面を粗化
することができる。このとき、粗化面の深さは、1〜5
μm程度がよい。ここで、上記酸としては、リン酸、塩
酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、
特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合
に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。一方、上記酸化剤としては、クロム
酸、過マンガン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)の水
溶液を用いることが望ましい。[0047] The surface of the interlayer resin insulating layer provided with the opening for forming the via hole is roughened as necessary. When the above-described adhesive for electroless plating is used as an interlayer resin insulating layer, the surface is treated with an acid or an oxidizing agent to selectively dissolve or decompose only the heat-resistant resin particles present on the surface of the adhesive layer. Remove and roughen. Further, even when a thermosetting resin or a thermoplastic resin is used, a surface roughening treatment using an oxidizing agent selected from aqueous solutions such as chromic acid and permanganate is effective. In the case of a resin such as a fluororesin (such as polytetrafluoroethylene) which is not roughened by an oxidizing agent, the surface can be roughened by plasma treatment or tetraetch. At this time, the depth of the roughened surface is 1 to 5
About μm is good. Here, examples of the acid include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid.
In particular, it is desirable to use an organic acid. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. On the other hand, as the oxidizing agent, it is desirable to use an aqueous solution of chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate).
【0048】(5) 導体回路の形成 .層間樹脂絶縁層の表面を粗化した配線基板に、無電
解めっき用の触媒核を付与する。一般に触媒核は、パラ
ジウム−スズコロイドであり、この溶液に基板を浸漬、
乾燥、加熱処理して樹脂表面に触媒核を固定する。ま
た、金属核をCVD、スパッタ、プラズマにより樹脂表
面に打ち込んで触媒核とすることができる。この場合、
樹脂表面に金属核が埋め込まれることになり、この金属
核を中心にめっきが析出して導体回路が形成されるた
め、粗化しにくい樹脂やフッ素樹脂(ポリテトラフルオ
ロエチレン等)のように樹脂と導体回路との密着が悪い
樹脂でも、密着性を確保できる。この金属核としては、
パラジウム、銀、金、白金、チタン、銅およびニッケル
から選ばれる少なくとも1種以上がよい。なお、金属核
の量は、20μg/cm2 以下がよい。この量を超えると金
属核を除去しなければならないからである。(5) Formation of conductor circuit A catalyst nucleus for electroless plating is applied to a wiring board having a roughened surface of the interlayer resin insulating layer. Generally, the catalyst core is a palladium-tin colloid, and the substrate is immersed in this solution,
The catalyst core is fixed on the resin surface by drying and heating. Further, a metal nucleus can be used as a catalyst nucleus by being driven into the resin surface by CVD, sputtering, or plasma. in this case,
A metal nucleus is embedded in the resin surface, and plating is deposited around the metal nucleus to form a conductive circuit. Therefore, the resin is hard to be roughened, and a resin such as a fluororesin (polytetrafluoroethylene) is used. Even if the resin has poor adhesion to the conductor circuit, adhesion can be ensured. As this metal nucleus,
At least one selected from palladium, silver, gold, platinum, titanium, copper and nickel is preferred. The amount of metal nuclei is preferably 20 μg / cm 2 or less. If the amount exceeds this amount, metal nuclei must be removed.
【0049】.次に、層間樹脂絶縁層の表面に無電解
めっきを施し、粗化面全面に、その粗面に沿って凹凸を
有する薄膜の無電解めっき膜を形成する。このとき、無
電解めっき膜の厚みは、 0.1〜5μm、より望ましくは
0.5〜3μmとする。[0049] Next, electroless plating is performed on the surface of the interlayer resin insulating layer, and a thin electroless plated film having irregularities along the rough surface is formed on the entire roughened surface. At this time, the thickness of the electroless plating film is 0.1 to 5 μm, more desirably.
0.5 to 3 μm.
【0050】.次に、この無電解めっき膜上にめっき
レジストを形成する。めっきレジスト組成物としては、
特にクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾー
ル硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他
に市販品のドライフィルムを使用することもできる。[0050] Next, a plating resist is formed on the electroless plating film. As a plating resist composition,
In particular, it is desirable to use a composition composed of an acrylate of a cresol novolak type epoxy resin or an acrylate of a phenol novolak type epoxy resin and an imidazole curing agent. Alternatively, a commercially available dry film may be used.
【0051】.次に、無電解めっき膜を形成した基板
を、10〜35℃、望ましくは15〜30℃の水で水洗する。こ
の理由は、水洗温度が35℃を超えると水が揮発してしま
い、無電解めっき膜の表面が乾燥して、酸化してしま
い、電解めっき膜が析出しない。そのため、エッチング
処理により、無電解めっき膜が溶解してしまい、導体が
存在しない部分が生じてしまう。一方、10℃未満では水
に対する汚染物質の溶解度が低下し、洗浄力が低下して
しまうからである。特に、バイアホールのランドの径が
200μm以下になると、めっきレジストが水をはじくた
め、水が揮発しやすく、電解めっきの未析出という問題
が発生しやすい。なお、洗浄水の中には、各種の界面活
性剤、酸、アルカリを添加しておいてもよい。また、洗
浄後に硫酸などの酸で洗浄してもよい。[0051] Next, the substrate on which the electroless plating film is formed is washed with water at 10 to 35 ° C, preferably 15 to 30 ° C. The reason is that when the washing temperature exceeds 35 ° C., water evaporates, the surface of the electroless plating film is dried and oxidized, and the electrolytic plating film does not deposit. For this reason, the electroless plating film is dissolved by the etching process, and a portion where no conductor exists is generated. On the other hand, if the temperature is lower than 10 ° C., the solubility of the contaminant in water decreases, and the cleaning power decreases. In particular, the diameter of the via hole land
When the thickness is 200 μm or less, the plating resist repels water, so that water is easily volatilized, and the problem of non-precipitation of electrolytic plating is likely to occur. In addition, various surfactants, acids, and alkalis may be added to the washing water. After the cleaning, the substrate may be washed with an acid such as sulfuric acid.
【0052】.次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールとなる
導体部を設ける。ここで、上記電解めっきとしては、銅
めっきを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μ
mがよい。[0052] Next, the plating resist non-formed portion is subjected to electrolytic plating to provide a conductor circuit and a conductor portion serving as a via hole. Here, it is desirable to use copper plating as the electrolytic plating, and its thickness is 10 to 20 μm.
m is good.
【0053】.さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどの水溶液からなるエッチング液で
めっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去し、無電
解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる独立した導体
回路、ならびにバイアホールを得る。[0053] Furthermore, after removing the plating resist, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed with an etching solution comprising a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an aqueous solution of sodium persulfate, ammonium persulfate, etc. An independent conductor circuit composed of two layers of electrolytic plating films and via holes are obtained.
【0054】(6) 配線基板の多層化 前記(5) で形成した導体回路の表面に粗化層を形成した
後、前記 (4),(5) の工程を繰り返してさらに上層の導
体回路を設けることにより、所定の多層プリント配線板
を製造する。(6) Multilayering of Wiring Board After forming a roughened layer on the surface of the conductor circuit formed in (5), the steps (4) and (5) are repeated to form a further upper layer conductor circuit. By providing, a predetermined multilayer printed wiring board is manufactured.
【0055】[0055]
【実施例】(実施例1) A.上層の無電解めっき用接着剤の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度で
DMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15重量部、消
泡剤(サンノプコ製、S−65) 0.5重量部、NMPを
3.6重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径1.0 μmのものを7.2 重量部、平均粒径 0.5μmのも
のを3.09重量部を混合した後、さらにNMP30重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−
907 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S) 0.2
重量部、NMP 1.5重量部を攪拌混合した。これらを混
合して2層構造の層間樹脂絶縁層を構成する上層側の接
着剤層として用いられる無電解めっき用接着剤を調製し
た。Example (Example 1) A. Preparation of adhesive for electroless plating of upper layer. 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving a 25% acrylated cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) in DMDG at a concentration of 80 wt%, 35 parts by weight, and 3.15 parts by weight of a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) Part, antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65) 0.5 part by weight, NMP
3.6 parts by weight were mixed with stirring. . After mixing 12 parts by weight of polyethersulfone (PES), 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Polymer Pole) having an average particle diameter of 1.0 μm, and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle diameter of 0.5 μm, Further, 30 parts by weight of NMP was added and mixed by stirring with a bead mill. . 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photoinitiator (Irgacure I-, manufactured by Ciba-Geigy)
907) 2 parts by weight, photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring. These were mixed to prepare an adhesive for electroless plating used as an upper adhesive layer constituting a two-layer interlayer resin insulating layer.
【0056】B.下層の層間樹脂絶縁剤の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度で
DMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重量部、消泡
剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、NMPを 3.6
重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径 0.5μmのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−
907 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2
重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して、2層構造の層間樹脂絶縁層を構成する下層側の
絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製した。B. Preparation of lower interlayer resin insulation agent 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving a 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80 wt% in DMDG, and 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) Parts, defoamer (manufactured by San Nopco, S-65) 0.5 parts by weight, NMP 3.6 parts
The parts by weight were mixed with stirring. . After mixing 12 parts by weight of polyether sulfone (PES) and 14.49 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle diameter of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred with a bead mill. Mixed. . 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photoinitiator (Irgacure I-, manufactured by Ciba-Geigy)
907) 2 parts by weight, photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring. These were mixed to prepare a resin composition to be used as a lower insulating layer constituting a two-layer interlayer resin insulating layer.
【0057】C.スルーホール充填用樹脂組成物の調製 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(油化シェル製、
エピコート152 )3.5重量部、ビスフェノールF型エポ
キシ樹脂(油化シェル製、エピコート807 )14.1重量
部、平均粒子径14nmのシリカ超微粒子(アエロジルR20
2 )1.0 重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E
4MZ-CN)1.2 重量部、平均粒子径15μmの銅粉 100重量
部を3本ロールにて混練し、その混合物の粘度を22±1
℃で 200〜300 Pa・sに調整して、スルーホール充填用
樹脂組成物(樹脂充填材)5を調製した。C. Preparation of Resin Composition for Filling Through Holes Cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell,
Epicoat 152) 3.5 parts by weight, bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 807) 14.1 parts by weight, ultrafine silica particles having an average particle diameter of 14 nm (Aerosil R20)
2) 1.0 part by weight, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, 2E
4MZ-CN) 1.2 parts by weight, 100 parts by weight of copper powder having an average particle diameter of 15 μm are kneaded with three rolls, and the viscosity of the mixture is 22 ± 1.
The temperature was adjusted to 200 to 300 Pa · s at ℃ to prepare a resin composition (resin filler) 5 for filling through holes.
【0058】D.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μ
mの銅箔2がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とし(図3(a) 参照)、まず、この銅張積層板をドリ
ル削孔した(図3(b) 参照)。D. Manufacturing method of printed wiring board (1) 18 μm on both sides of substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
A copper-clad laminate on which m copper foils 2 were laminated was used as a starting material (see FIG. 3A). First, the copper-clad laminate was drilled (see FIG. 3B).
【0059】次に、パラジウム−スズコロイドを付着さ
せ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面に2μ
mの無電解めっき膜を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分Next, a palladium-tin colloid is adhered, and electroless plating is performed with the following composition, and 2 μm is applied to the entire surface of the substrate.
m of electroless plating film was formed. [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature
【0060】さらに、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成した(図3(c)
参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温Further, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 15 μm (FIG. 3C).
reference). [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Capparaside GL) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0061】(2) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅めっ
き膜からなる導体(スルーホール3を含む)を形成した
基板を、水洗いし、乾燥した後、酸化浴として、NaOH
(20g/l)、NaClO2(50g/l)、Na3PO4(15.0g/
l)の水溶液を用い、還元浴として、NaOH( 2.7g/
l)、NaBH4 ( 1.0g/l)の水溶液を用いた酸化還元
処理に供し、そのスルーホール3を含む導体の全表面に
粗化層4を設けた(図3(d)参照)。(2) The substrate on which the conductor (including the through hole 3) composed of the electroless copper plating film and the electrolytic copper plating film is formed on the entire surface is washed with water, dried, and then used as an oxidation bath using NaOH.
(20 g / l), NaClO 2 (50 g / l), Na 3 PO 4 (15.0 g / l)
1) aqueous solution of NaOH (2.7 g /
1), subjected to an oxidation-reduction treatment using an aqueous solution of NaBH 4 (1.0 g / l) to provide a roughened layer 4 on the entire surface of the conductor including the through hole 3 (see FIG. 3D).
【0062】(3) 前記Cで調製した樹脂充填材5を、ス
ルーホール3内にスクリーン印刷によって充填し、乾
燥、硬化させた。そして、導体上面の粗化層4およびス
ルーホール3からはみ出した充填材5を、#600 のベル
ト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研磨
により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化し
た(図3(e) 参照)。(3) The resin filler 5 prepared in the above C was filled into the through hole 3 by screen printing, dried and cured. Then, the filler 5 protruding from the roughened layer 4 and the through hole 3 on the upper surface of the conductor is removed by belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.). The substrate surface was flattened by buffing to remove it (see FIG. 3 (e)).
【0063】(4) 前記(3) で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒(アトテック製)を付与し、常法に従って
無電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μmの無電
解銅めっき膜6を形成した(図3(f) 参照)。(4) An electroless copper plating film having a thickness of 0.6 μm is formed by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the substrate surface flattened in the above (3) and performing electroless copper plating according to a conventional method. 6 was formed (see FIG. 3 (f)).
【0064】(5) ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜7を形成し、導体回
路9となる部分の厚付け、およびスルーホール3に充填
された充填材5を覆う導体層(ふためっき層)10となる
部分を形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温(5) Next, electrolytic copper plating is performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 7 having a thickness of 15 μm, thickening a portion to be a conductor circuit 9, and filling the through hole 3. A portion to be a conductor layer (lid plating layer) 10 covering the material 5 was formed. [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Capparaside GL) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0065】(6) 導体回路9および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張り付け、マスク載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.
8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのエッチ
ングレジスト8を形成した(図4(a) 参照)。(6) A commercially available photosensitive dry film is stuck on both sides of the substrate on which the portions to be the conductor circuits 9 and the conductor layers 10 are formed, and a mask is placed on the substrate, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
The resist was developed with 8% sodium carbonate to form an etching resist 8 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4A).
【0066】(7) そして、エッチングレジスト8を形成
してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合液
を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチン
グレジスト8を5%KOH水溶液で剥離除去して、独立
した導体回路9および充填材5を覆う導体層(ふためっ
き層)10を形成した(図4(b) 参照)。(7) Then, the plating film in the portion where the etching resist 8 is not formed is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the etching resist 8 is further washed with a 5% KOH aqueous solution. By peeling and removing, a conductor layer (lid plating layer) 10 covering the independent conductor circuit 9 and the filler 5 was formed (see FIG. 4 (b)).
【0067】(8) 次に、導体回路9および充填材5を覆
う導体層(ふためっき層)10の側面を含む全表面にCu−
Ni−P合金からなる厚さ 2.5μmの粗化層(凹凸層)11
を形成し、さらにこの粗化層11の表面に厚さ 0.3μmの
Sn層を形成した(図4(c) 参照、Sn層については図示し
ない)。その形成方法は以下のようである。即ち、基板
を酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラ
ジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒
を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅8g/l、
硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン
酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤
(日信化学工業製、サーフィノール465) 0.1g/lの
水溶液からなるpH=9の無電解めっき浴にてめっきを
施し、導体回路9および充填材5を覆う導体層10の表面
にCu−Ni−P合金の粗化層11を設けた。ついで、ホウフ
ッ化スズ 0.1mol/l、チオ尿素 1.0 mol/lを用い、
温度50℃、pH=1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗
化層11の表面に厚さ 0.3μmのSn層を設けた(Sn層につ
いては図示しない)。(8) Next, the entire surface including the side surface of the conductor layer (lid plating layer) 10 covering the conductor circuit 9 and the filler 5 is coated with Cu-
2.5-μm-thick roughened layer (rough layer) made of Ni-P alloy
Is formed on the surface of the roughened layer 11 and has a thickness of 0.3 μm.
An Sn layer was formed (see FIG. 4C, the Sn layer is not shown). The formation method is as follows. That is, the substrate was acid-degreased and soft-etched, then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst, and after activating the catalyst, copper sulfate 8 g / l,
It consists of an aqueous solution of nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l, and surfactant (Nissin Chemical Industries, Surfynol 465) 0.1 g / l. Plating was performed in an electroless plating bath of pH = 9, and a roughened layer 11 of a Cu—Ni—P alloy was provided on the surface of the conductor layer 10 covering the conductor circuit 9 and the filler 5. Then, using 0.1 mol / l of tin borofluoride and 1.0 mol / l of thiourea,
A Cu-Sn substitution reaction was performed at a temperature of 50 ° C. and a pH of 1.2 to provide a 0.3 μm thick Sn layer on the surface of the roughened layer 11 (the Sn layer is not shown).
【0068】(9) 基板の両面に、Bの層間樹脂絶縁剤
(粘度15Pa・s)をロールコータで塗布し、水平状態で
20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行い、絶縁剤
層を形成した。さらにこの絶縁剤層の上にAの無電解め
っき用接着剤(粘度8Pa・s)をロールコータを用いて
塗布し、55℃で40分の乾燥を行い、接着剤層を形成し、
層間樹脂絶縁剤の層12を形成した(図4(d) 参照)。こ
のとき、層間樹脂絶縁剤の層12の表面は、導体間の凹凸
に起因して平坦ではなかった。(9) An interlayer resin insulating material of B (viscosity 15 Pa · s) is applied on both sides of the substrate by a roll coater, and
After standing for 20 minutes, drying was performed at 60 ° C. for 30 minutes to form an insulating agent layer. Further, an adhesive for electroless plating of A (viscosity: 8 Pa · s) is applied on the insulating layer using a roll coater, and dried at 55 ° C. for 40 minutes to form an adhesive layer.
An interlayer resin insulating layer 12 was formed (see FIG. 4 (d)). At this time, the surface of the interlayer resin insulating layer 12 was not flat due to unevenness between the conductors.
【0069】(10)前記(9) で形成した層間樹脂絶縁剤の
層12の表面にポリエチレンテレフタレートフィルム(透
光性フィルム)18を貼着した後、ステンレス板20で挟
み、20 kgf/cm2 で加圧し、加熱炉内で65℃で加熱しな
がら、20分間加熱プレスした(図4(e) 参照)。この加
熱プレスにより、層間樹脂絶縁剤の層12の表面を平坦化
した。(10) A polyethylene terephthalate film (translucent film) 18 is adhered to the surface of the interlayer resin insulating layer 12 formed in the above (9), and then sandwiched by a stainless steel plate 20 to obtain 20 kgf / cm 2 , And hot-pressed for 20 minutes while heating at 65 ° C. in a heating furnace (see FIG. 4 (e)). The surface of the interlayer resin insulating agent layer 12 was flattened by this heating press.
【0070】(11)前記(10)で平坦化した基板の両面に、
85μmφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密
着させ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光した。
これをDMDG溶液でスプレー現像することにより、そ
の層間樹脂絶縁剤の層12に85μmφのバイアホールとな
る開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後 1
50℃で5時間の加熱処理をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた開口(バイアホ
ール形成用開口13)を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁
層12を形成した(図4(f) 参照)。なお、バイアホール
となる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。(11) On both surfaces of the substrate flattened in the above (10),
A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with the photomask film, and exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp.
This was spray-developed with a DMDG solution to form an opening serving as a 85 μmφ via hole in the interlayer resin insulating layer 12. Further, the substrate was exposed to 3000 mJ / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp, and was exposed at 100 ° C. for 1 hour.
By performing a heat treatment at 50 ° C. for 5 hours, an interlayer resin insulating layer 12 having a thickness of 35 μm and having an opening (opening 13 for forming a via hole) having excellent dimensional accuracy corresponding to a photomask film was formed (FIG. 4). (f)). Note that the tin plating layer was partially exposed in the opening serving as the via hole.
【0071】(12)バイアホール形成用開口を形成した基
板を、 800g/lのクロム酸水溶液に70℃で19分間浸漬
し、層間樹脂絶縁層12の接着剤層の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂
絶縁層12の表面を粗面(深さ3μm)とし、その後、中
和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
(アトテック製)を付与することにより、層間樹脂絶縁
層12の表面およびバイアホール用開口13の内壁面に触媒
核を付けた。(12) The substrate in which the opening for forming the via hole was formed was immersed in an 800 g / l chromic acid aqueous solution at 70 ° C. for 19 minutes, and the epoxy resin particles existing on the surface of the adhesive layer of the interlayer resin insulating layer 12 were removed. Was dissolved and removed to make the surface of the interlayer resin insulating layer 12 rough (3 μm in depth), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, a catalyst nucleus was attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 12 and the inner wall surface of the via hole opening 13.
【0072】(13)以下の組成の無電解銅めっき水溶液中
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6μmの無電解銅
めっき膜14を形成した(図5(a) 参照)。このとき、め
っき膜が薄いために無電解めっき膜表面には凹凸が観察
された。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分(13) The substrate was immersed in an aqueous electroless copper plating solution having the following composition to form an electroless copper plating film 14 having a thickness of 0.6 μm on the entire rough surface (see FIG. 5A). At this time, since the plating film was thin, irregularities were observed on the surface of the electroless plating film. [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature
【0073】(14)前記(13)で形成した無電解めっき膜14
上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを
載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリウム
で現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト16を設けた
(図5(b) 参照)。(14) Electroless plating film 14 formed in (13)
A commercially available photosensitive dry film was stuck thereon, a mask was placed, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, and a plating resist 16 having a thickness of 15 μm was provided (FIG. 5 (b) )).
【0074】(15)ついで、基板を50℃の水で洗浄して脱
脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、
以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅
めっき膜15を形成した(図5(c) 参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アドテックジャパン製、カパラシドGL) 1ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温(15) Then, the substrate is washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., and further washed with sulfuric acid.
Electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 15 having a thickness of 15 μm (see FIG. 5C). [Electroplating aqueous solution] Copper sulfate 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (Captec SideGL, manufactured by Adtec Japan) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature
【0075】(16)めっきレジスト16を5%KOH水溶液
で剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の無電解め
っき膜14を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理
して溶解除去し、無電解銅めっき膜14と電解銅めっき膜
15からなる厚さ18μmの導体回路(バイアホール17を含
む)9を形成した(図5(d) 参照)。さらに、70℃で80
0g/l のクロム酸水溶液に3分間浸漬して、導体回路非
形成部分に位置する導体回路間の無電解めっき用接着剤
層の表面を1μmエッチング処理し、その表面に残存す
るパラジウム触媒を除去した。(16) After the plating resist 16 is peeled and removed with a 5% KOH aqueous solution, the electroless plating film 14 under the plating resist 16 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Electrolytic copper plating film 14 and electrolytic copper plating film
A conductor circuit (including the via hole 17) 9 made of 15 and having a thickness of 18 μm was formed (see FIG. 5D). In addition, 80 at 70 ° C
The surface of the adhesive layer for electroless plating between the conductor circuits located in the portion where the conductor circuit is not formed is etched by 1 μm by immersing the substrate in a 0 g / l chromic acid aqueous solution for 3 minutes to remove the palladium catalyst remaining on the surface. did.
【0076】(17)導体回路9を形成した基板を、硫酸銅
8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/
l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、
界面活性剤(日信化学工業製、サーフィノール465 )
0.1g/lからなるpH=9の無電解めっき液に浸漬
し、該導体回路9の表面に厚さ3μmの銅−ニッケル−
リンからなる粗化層11を形成した。このとき、形成した
粗化層11をEPMA(蛍光X線分析装置)で分析したと
ころ、Cu:98 mol%、Ni: 1.5 mol%、P: 0.5 mol%
の組成比であった。さらに、ホウフッ化スズ 0.1 mol/
l、チオ尿素 1.0 mol/lの水溶液を用い、温度50℃、
pH=1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記粗化層
11の表面に厚さ0.3 μmのSn層を設けた(Sn層について
は図示しない)。(17) The substrate on which the conductor circuit 9 was formed was coated with copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, and citric acid 15 g / l.
1, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l,
Surfactant (Nissin Chemical Industries, Surfynol 465)
It was immersed in an electroless plating solution having a pH of 9 consisting of 0.1 g / l, and a 3 μm-thick copper-nickel
A roughened layer 11 made of phosphorus was formed. At this time, when the formed roughened layer 11 was analyzed by EPMA (X-ray fluorescence spectrometer), Cu: 98 mol%, Ni: 1.5 mol%, P: 0.5 mol%
Was the composition ratio. In addition, tin borofluoride 0.1 mol /
1, using 1.0 mol / l aqueous solution of thiourea at a temperature of 50 ° C.
The Cu-Sn substitution reaction was performed under the condition of pH = 1.2,
A Sn layer having a thickness of 0.3 μm was provided on the surface of No. 11 (the Sn layer is not shown).
【0077】(18)前記 (9)〜(17)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た。但し、Sn置換は行わなかった(図6(a) 参照)。(18) By repeating the above steps (9) to (17), a conductor circuit of an upper layer was further formed to obtain a multilayer wiring board. However, Sn substitution was not performed (see FIG. 6 (a)).
【0078】(19)一方、DMDGに溶解させた60wt%のクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポ
キシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
(分子量4000)を 46.67重量部、メチルエチルケトンに
溶解させた80wt%のビスフェノールA型エポキシ樹脂
(油化シェル製、エピコート1001)15.0重量部、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 重量部、感
光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬
製、R604 )3重量部、同じく多価アクリルモノマー
(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5重量部、分散系消泡剤
(サンノプコ社製、S−65)0.71重量部を混合し、さら
にこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン
(関東化学製)を2重量部、光増感剤としてのミヒラー
ケトン(関東化学製)0.2 重量部を加えて、ソルダーレ
ジスト組成物を得た。(19) On the other hand, 46.67 parts by weight of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) in which 60% by weight of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku) dissolved in DMDG was acrylated with 50% of epoxy groups, 15.0 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (Eicoat 1001, manufactured by Yuka Shell) dissolved in methyl ethyl ketone, 15.0 parts by weight, imidazole curing agent (2E4MZ-CN, Shikoku Chemicals) 1.6 parts by weight, photosensitive monomer polyvalent acrylic 3 parts by weight of a monomer (R604, manufactured by Nippon Kayaku), 1.5 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (DPE6A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and 0.71 part by weight of a defoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) were mixed. Further, 2 parts by weight of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to this mixture, and To obtain a strike composition.
【0079】(20)前記(18)で得た多層配線基板の両面
に、上記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布
した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理
を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部
の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mm
のソーダライムガラス基板を、クロム層が形成された側
をソルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm2 の紫外
線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80℃で1時
間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間
の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイアホー
ルおよびランド部分を開口した(開口径 200μm)ソル
ダーレジストパターン層19(厚み20μm)を形成した。(20) The solder resist composition was applied to both sides of the multilayer wiring board obtained in the above (18) in a thickness of 20 μm. Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a circular pattern (mask pattern) of the solder resist opening portion drawn by the chromium layer is 5 mm thick.
The soda lime glass substrate was exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 with the chromium layer formed side in close contact with the solder resist layer, and subjected to DMTG development treatment. Further, heat treatment was performed at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours to open the upper surface, via holes and lands of the solder pads (opening diameter: 200 μm). A solder resist pattern layer 19 (thickness: 20 μm) was formed.
【0080】(21)次に、ソルダーレジストパターン層18
を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸
ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lの水
溶液からなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分
間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層21
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム
2g/l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリ
ウム50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lの水溶液
からなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬し
て、ニッケルめっき層21上に厚さ0.03μmの金めっき層
22を形成した。(21) Next, the solder resist pattern layer 18
The substrate on which was formed was immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 5 consisting of an aqueous solution of nickel chloride 30 g / l, sodium hypophosphite 10 g / l, and sodium citrate 10 g / l for 20 minutes. Nickel plating layer 21 of 5 μm thickness
Was formed. Further, the substrate was placed in an electroless gold plating solution comprising an aqueous solution of potassium cyanide 2 g / l, ammonium chloride 75 g / l, sodium citrate 50 g / l, and sodium hypophosphite 10 g / l at 93 ° C. Immerse for 23 seconds and apply a 0.03μm thick gold plating layer on the nickel plating layer 21
22 formed.
【0081】(22)そして、ソルダーレジストパターン層
19の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ(はんだ体)23を形成
し、はんだバンプ23を有する多層プリント配線板を製造
した(図6(b) 参照)。(22) Solder resist pattern layer
Solder paste was printed in the opening 19 and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 23, and a multilayer printed wiring board having the solder bump 23 was manufactured (see FIG. 6 (b)). .
【0082】(比較例1) (1) 実施例1の (1)〜(8) を実施した。 (2) 樹脂充填材の調製 .ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310,YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSi
O2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サ
ンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を3本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填材を調製した。 (3) この樹脂充填材を、基板の両面にロールコータを用
いて塗布することにより導体回路間に充填し、次いで、
100 ℃で1時間、 120℃で3時間、 150℃で1時間、 1
80℃で7時間の加熱処理を行って硬化した。 (4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面を、#600 のベ
ルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研
磨により、内層銅パターンの表面やスルーホールのラン
ド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、
前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ
研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面
についても同様に行った。しかしながら、この研磨の際
に、ふためっきが剥離した。この点、本発明にかかる実
施例1の方法では、ふためっき層の欠損を招くことな
く、配線やスルーホールの高密度化を実現することがで
きる。Comparative Example 1 (1) (1) to (8) of Example 1 were performed. (2) Preparation of resin filler. 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), Si coated with a silane coupling agent on the surface and having an average particle size of 1.6 μm
O 2 spherical particles (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is not more than the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described later) 170 parts by weight, leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) 1.5 The weight of the mixture is kneaded with three rolls and the viscosity of the mixture is 45,000 ~ at 23 ± 1 ° C.
Adjusted to 49,000cps. . Imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 6.5
Parts by weight. These were mixed to prepare a resin filler. (3) This resin filler is filled between the conductor circuits by applying to both surfaces of the substrate using a roll coater, and then,
1 hour at 100 ° C, 3 hours at 120 ° C, 1 hour at 150 ° C, 1
The composition was cured by performing a heat treatment at 80 ° C. for 7 hours. (4) One surface of the substrate after the treatment of (3) is filled with resin on the surface of the inner layer copper pattern and the land surface of the through hole by belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Polish so that no material remains, then
Buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. However, the lid plating peeled off during this polishing. In this regard, according to the method of the first embodiment according to the present invention, it is possible to realize a high density of wirings and through holes without causing a defect in the lid plating layer.
【0083】(比較例2) (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板の両面に18μ
mの銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材料
とした。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、めっき
レジストを形成した後、無電解めっき処理してスルーホ
ールを形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状に
エッチングすることにより、基板の両面に内層銅パター
ンを形成した。 (2) 内層銅パターンを形成した基板を、水洗いし、乾燥
した後、NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3P
O4(6g/l)の水溶液を酸化浴、またNaOH(10g/
l)、NaBH4 (6g/l)の水溶液を還元浴とし、導体
回路、スルーホール全表面に粗化層を設けた。 (3) 樹脂充填材の調製 .ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310,YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSi
O2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サ
ンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を3本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填材を調製した。 (4) この樹脂充填材を、基板の両面にロールコータを用
いて塗布することにより導体回路間あるいはスルーホー
ル内に充填し、次いで、100 ℃で1時間、 120℃で3時
間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処理を行っ
て硬化した。即ち、この工程により、樹脂充填材が内層
銅パターンの間あるいはスルーホール内に充填される。 (5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面を、#600 のベ
ルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研
磨により、内層銅パターンの表面やスルーホールのラン
ド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、
前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ
研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面
についても同様に行った。このようにして、スルーホー
ル等に充填された樹脂充填材の表層部および内層導体回
路上面の粗化層を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充
填材と導体回路の側面とが粗化層を介して強固に密着
し、またスルーホールの内壁面と樹脂充填材とが粗化層
を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工
程により、樹脂充填材の表面と内層銅パターンの表面が
同一平面となる。ここで、充填した硬化樹脂のTg点は
155.6℃、線熱膨張係数は44.5×10-5/℃であった。 (6) さらに、露出した導体回路およびスルーホールのラ
ンド上面に厚さ5μmのCu−Ni−P合金被覆層、厚さ2
μmのCu−Ni−P針状合金粗化層および粗化層表面に厚
さ 0.3μmのSn金属被覆層を設けた。これらの層の形成
方法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソ
フトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸か
らなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒
を活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g
/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/
l、ホウ酸31g/l、界面活性剤(日信化学工業製、サ
ーフィノール104 ) 0.1g/lの水溶液からなるpH=
9の無電銅めっき浴に基板を浸漬し、この基板を4秒に
1回の割合で縦方向に振動させるとともに、めっき析出
後、3分後に空気をバブリングさせて、銅導体回路およ
びスルーホールの表面にCu−Ni−Pの非針状合金の被覆
層を最初に析出させ、次にCu−Ni−Pの針状合金を析出
させて粗化層を設けた。さらに、 100℃で30分、 120℃
で30分、 150℃で2時間の加熱処理を行い、10体積%の
硫酸水溶液、および0.2mol/lのホウフッ酸水溶液で処
理した後、ホウフッ化スズ 0.1 mol/l、チオ尿素 1.0
mol/lの水溶液を用い、温度50℃、pH=1.2 の条件
でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0.3μmの
Sn金属被覆層を設けた。 (7) そして、実施例1の (9)〜(22)を実施し、はんだバ
ンプを有する多層プリント配線板を製造した。Comparative Example 2 (1) 18 μm on both sides of a 1 mm thick glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin substrate
A copper-clad laminate on which m copper foils were laminated was used as a starting material. First, this copper clad laminate is drilled, a plating resist is formed, and then an electroless plating process is performed to form a through-hole. Further, the copper foil is etched in a pattern according to a conventional method to form a substrate. Inner layer copper patterns were formed on both sides. (2) The substrate on which the inner layer copper pattern was formed was washed with water and dried, and then NaOH (10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 P
An aqueous solution of O 4 (6 g / l) was oxidized with NaOH (10 g / l).
1) An aqueous solution of NaBH 4 (6 g / l) was used as a reducing bath, and a roughened layer was provided on the entire surface of the conductor circuit and the through hole. (3) Preparation of resin filler. 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), Si coated with a silane coupling agent on the surface and having an average particle size of 1.6 μm
O 2 spherical particles (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is not more than the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described later) 170 parts by weight, leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) 1.5 The weight of the mixture is kneaded with three rolls and the viscosity of the mixture is 45,000 ~ at 23 ± 1 ° C.
Adjusted to 49,000cps. . Imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 6.5
Parts by weight. These were mixed to prepare a resin filler. (4) This resin filler is applied to both sides of the substrate using a roll coater to fill the space between the conductor circuits or into the through holes, and then at 100 ° C for 1 hour, at 120 ° C for 3 hours, at 150 ° C. Heat treatment was performed for 1 hour at 180 ° C. for 7 hours to cure. That is, in this step, the resin filler is filled between the inner layer copper patterns or in the through holes. (5) One surface of the substrate after the treatment in (4) is filled with resin on the surface of the inner layer copper pattern and the land surface of the through hole by belt sanding using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Polish so that no material remains, then
Buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. In this way, the surface layer of the resin filler filled in the through-holes and the roughened layer on the upper surface of the inner conductor circuit are removed to smooth both surfaces of the substrate, and the resin filler and the side surface of the conductor circuit are roughened. To obtain a wiring board in which the inner wall surfaces of the through holes and the resin filler are firmly adhered to each other through the roughened layer. That is, by this step, the surface of the resin filler and the surface of the inner layer copper pattern are flush with each other. Here, the Tg point of the filled cured resin is
The thermal expansion coefficient was 154.5 ° C. and the linear thermal expansion coefficient was 44.5 × 10 −5 / ° C. (6) Further, a Cu—Ni—P alloy coating layer having a thickness of 5 μm is formed on the exposed conductor circuit and the land upper surface of the through hole, and a thickness of 2 μm.
A Cu-Ni-P needle-like alloy roughened layer having a thickness of μm and a Sn metal coating layer having a thickness of 0.3 μm were provided on the surface of the roughened layer. The method for forming these layers is as follows. That is, the substrate was acid-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst. After activating this catalyst, copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6g
/ L, citric acid 15g / l, sodium hypophosphite 29g /
pH of an aqueous solution containing 0.1 g / l of boric acid, 31 g / l of boric acid and 0.1 g / l of a surfactant (Surfynol 104, manufactured by Nissin Chemical Co., Ltd.)
The substrate was immersed in the electroless copper plating bath of No. 9 and the substrate was vibrated in the vertical direction at a rate of once every four seconds. After plating was deposited, air was bubbled three minutes after the plating deposition to form a copper conductor circuit and a through hole. A coating layer of a non-needle alloy of Cu-Ni-P was first deposited on the surface, and then a needle-like alloy of Cu-Ni-P was deposited to provide a roughened layer. 30 minutes at 100 ° C, 120 ° C
And heat treatment at 150 ° C. for 2 hours with a 10% by volume aqueous solution of sulfuric acid and a 0.2 mol / l aqueous solution of borofluoric acid, and then 0.1 mol / l of tin borofluoride and 1.0 mol of thiourea.
Using a mol / l aqueous solution, a Cu-Sn substitution reaction was performed at a temperature of 50 ° C and a pH of 1.2, and a 0.3 µm thick
A Sn metal coating layer was provided. (7) Then, (9) to (22) of Example 1 were performed to manufacture a multilayer printed wiring board having solder bumps.
【0084】このようにして製造した多層プリント配線
板について、−55〜125 ℃で1000回のヒートサイクル試
験を実施し、光学顕微鏡により層間樹脂絶縁層中のクラ
ックの有無を確認した。その結果を表1に示す。また、
電子部品の実装性について評価した。The multilayer printed wiring board thus manufactured was subjected to a heat cycle test at −55 ° C. to 125 ° C. for 1000 times, and the presence or absence of cracks in the interlayer resin insulating layer was confirmed by an optical microscope. Table 1 shows the results. Also,
The mountability of electronic components was evaluated.
【0085】表1に示す結果から明らかなように、本発
明のプリント配線板は、ヒートサイクルの条件下での耐
クラック性に優れている。電子部品の実装性についても
問題はなかった。As is clear from the results shown in Table 1, the printed wiring board of the present invention has excellent crack resistance under heat cycle conditions. There was no problem with the mountability of electronic components.
【0086】[0086]
【表1】 [Table 1]
【0087】[0087]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ふ
ためっき層の欠損を招くことなく、配線やスルーホール
の高密度化を実現した多層プリント配線板を製造するこ
とができる。しかも、本発明の多層プリント配線板は、
ヒートサイクルなどの条件下での耐クラック性に優れ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board having a high density of wirings and through holes without causing a defect in the lid plating layer. Moreover, the multilayer printed wiring board of the present invention
Excellent crack resistance under conditions such as heat cycle.
【図1】従来技術にかかる多層プリント配線板の製造工
程のを示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to a conventional technique.
【図2】内層の導体回路に起因する層間樹脂絶縁層の表
面凹凸を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing surface irregularities of an interlayer resin insulating layer caused by an inner conductor circuit.
【図3】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。FIGS. 3A to 3F are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図4】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。FIGS. 4A to 4F are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図5】(a) 〜(d) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。5 (a) to 5 (d) are views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図6】(a) 〜(b) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。FIGS. 6A and 6B are diagrams showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board according to the present invention.
1 基板 2 銅箔 3 スルーホール 4,11 粗化層 5 充填材 6,14 無電解めっき膜 7,15 電解めっき膜 8 エッチングレジスト 9 導体回路 10 導体層 12 層間樹脂絶縁層(層間樹脂絶縁剤の層) 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール 18 透光性フィルム 19 ソルダーレジスト層 20 金属板(ステンレス板) 21 ニッケルめっき層 22 金めっき層 23 はんだバンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Copper foil 3 Through hole 4,11 Roughened layer 5 Filler 6,14 Electroless plating film 7,15 Electrolytic plating film 8 Etching resist 9 Conductor circuit 10 Conductor layer 12 Interlayer resin insulation layer (of interlayer resin insulation agent) Layer) 13 Via hole opening 16 Plating resist 17 Via hole 18 Transparent film 19 Solder resist layer 20 Metal plate (stainless steel plate) 21 Nickel plating layer 22 Gold plating layer 23 Solder bump
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E346 AA12 AA32 AA43 AA54 CC02 CC04 CC09 CC10 CC14 CC32 CC33 CC34 CC38 CC39 CC52 CC55 CC57 DD02 DD12 DD16 DD17 DD23 DD32 DD33 EE03 EE04 EE06 EE09 EE13 EE19 EE33 EE38 FF07 FF15 GG17 GG27 GG28 HH18 HH25 HH26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page F term (reference) 5E346 AA12 AA32 AA43 AA54 CC02 CC04 CC09 CC10 CC14 CC32 CC33 CC34 CC38 CC39 CC52 CC55 CC57 DD02 DD12 DD16 DD17 DD23 DD32 DD33 EE03 EE04 EE06 EE09 EE13 EE19 EE33 EE38 GG17 GG17 GG17 GG17 FF17GG HH18 HH25 HH26
Claims (8)
回路が形成されてなり、該基板にはスルーホールが設け
られ、そのスルーホールには充填材が充填された構造を
有する多層プリント配線板において、 前記スルーホールの直上には、充填材のスルーホールか
らの露出面を覆う導体層が形成され、この導体層および
これと同層に位置する導体回路には、側面を含む全表面
に粗化層が形成され、この粗化層の表面には、導体間の
凹部を充填し、その表面が平坦な層間樹脂絶縁層が形成
されていることを特徴とする多層プリント配線板。1. A multilayer printed circuit having a structure in which a conductive circuit is formed on a substrate via an interlayer resin insulating layer, a through hole is provided in the substrate, and the through hole is filled with a filler. In the wiring board, immediately above the through-hole, a conductor layer is formed to cover the exposed surface of the filler from the through-hole, and the conductor layer and the conductor circuit located on the same layer have the entire surface including the side surface. A multilayer printed wiring board, characterized in that a roughened layer is formed on a surface of the roughened layer, and a concave portion between conductors is filled in a surface of the roughened layer, and an interlayer resin insulating layer having a flat surface is formed.
からの露出面を覆う導体層を形成する工程、 .前記導体層およびこれと同層に位置する導体回路の
側面を含む全表面に、粗化層を設ける工程、 .未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を設け、この層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスしてその表面を平坦化し、その
後、硬化処理して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。2. At least the following steps: Forming a through hole in the substrate; Providing a roughened layer on the inner wall of the through hole; Filling the through hole with a filler; Forming a conductor layer directly above the through hole so as to cover a surface of the filler exposed from the through hole; Providing a roughened layer on the entire surface including the side of the conductor layer and the conductor circuit located on the same layer; Providing a layer of an uncured interlayer resin insulating material, heat-pressing the layer of the interlayer resin insulating material to flatten its surface, and then performing a curing process to form an interlayer resin insulating layer; Forming a conductor circuit on the interlayer resin insulation layer,
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising:
理層である請求項2に記載の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the roughened layer in the step is a redox treatment layer.
絶縁層を形成するにあたり、加熱プレス前に層間樹脂絶
縁剤の層表面に透光性フィルムを貼付し、この透光性フ
ィルムを介して層間樹脂絶縁剤の層表面を加熱プレスに
より平坦化したのち露光硬化し、その後、その透光性フ
ィルムを除去して現像処理することを特徴とする請求項
2に記載の製造方法。4. In the step of forming a photosensitive interlayer resin insulating layer, a light-transmitting film is attached to a surface of the interlayer resin insulating agent before hot pressing, and an interlayer is formed via the light-transmitting film. 3. The method according to claim 2, wherein the surface of the layer of the resin insulating material is flattened by a hot press, then hardened by exposure, and thereafter, the translucent film is removed and developed.
樹脂絶縁剤の層を加熱しながら金属板または金属ロール
を押圧して行うことを特徴とする請求項2に記載の製造
方法。5. The method according to claim 2, wherein the heating press in the step is performed by pressing a metal plate or a metal roll while heating the layer of the interlayer resin insulating material.
成分とする層間樹脂絶縁剤の層の加熱プレスは、温度40
〜60℃、圧力 3.5〜6.5kgf/cm2 、プレス時間30〜90秒
間の条件にて行うことを特徴とする請求項2に記載の製
造方法。6. The method according to claim 6, wherein the step of heating the layer of the interlayer resin insulating material containing an epoxy resin as a main component is performed at a temperature of 40 ° C.
3. The method according to claim 2, wherein the heating is performed under the conditions of −60 ° C., a pressure of 3.5 to 6.5 kgf / cm 2 and a pressing time of 30 to 90 seconds.
ール直上に位置する部分に開口を設けて、導体回路およ
びバイアホールを形成することを特徴とする請求項2に
記載の製造方法。7. The manufacturing method according to claim 2, wherein an opening is provided in a portion of the interlayer resin insulating layer immediately above the through hole to form a conductor circuit and a via hole.
または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなるものを用い
ることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。8. The method according to claim 2, wherein the filler is made of metal particles, a thermosetting or thermoplastic resin, and a curing agent.
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