JPH0249341A - 粒子ビームリトグラフイ装置 - Google Patents

粒子ビームリトグラフイ装置

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JPH0249341A JP1059876A JP5987689A JPH0249341A JP H0249341 A JPH0249341 A JP H0249341A JP 1059876 A JP1059876 A JP 1059876A JP 5987689 A JP5987689 A JP 5987689A JP H0249341 A JPH0249341 A JP H0249341A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、工作物たとえば半導体ウェファまたはマスク
を加工処理するだめの粒子ビームリトグラフィ装置の改
善および、この種の装置の目盛較正装置の改善に関する
従来技術 従来の公知の粒子ビームリトグラフィ装置においては、
X−Yステージに結合される銅の基準および目盛較正格
子が、この種の装置の目盛較正用の基準として用いられ
た。この格子は実質的に3つの機能を有する: (a)
ステージの時間的変化の検出および定量化のために周期
的に用いられる全体の基準位置として使用するために。
(b)粒子ビームコラムに集束用の標準を与える、書き
込み平面位置のための基準として使用するために。(C
)粒子ビームコラムをセットするだめの基準として一一
即ちビームの形状、ビーム流、ビームの一様性、および
ビーム回転を定めるだめの基準として使用するために。
従来の銅格子はもともと電子顕微鏡の走査に用いるため
に設計されたものであり、後になって便利であるからと
いう理由だけのために粒子ビームリトグラフィに用いら
れるようになった。しかし銅格子は多くの欠点を有する
。格子そのものが機械的に弱くかつ著しく小さいため取
り扱いがむずかしく、さらに正方形のホールは63.5
ミクロンの肩期的間隔(中心間の)を有し、この間隔は
2進電子装置を有する粒子ビーム装置において座標化さ
れる余分な目盛較正を必要とした。さらに正方形ホール
のコーナの半径が通常は数ミクロンであり、これはX−
Y走査の行われるコーナからの距離のオーダーにあり、
さらに銅格子のエツジの粗さが通常は1ミクロンの10
分の1より大きい。銅格子における隣り合う格子パーエ
ツジの直交状態も変動しさらにリトグラフィ装置の要求
よりも大きい。最後に、銅格子は薄いため銅格子を−様
な平坦性での取り付けが困難であった。
発明の解決すべき問題点 本発明の主な目的は、基準および目盛較正格子を粒子ビ
ームリトグラフィ装置に一体化することにより従来の目
盛格子の欠点を回避して、従来のリトグラフィ装置を改
善することである明細書において使用される“格子″と
は“シリコン型″と称される大きい方のストラクチャの
、リトグラフィ装置の基準および目盛較正のために用い
られる部分のことである。
問題点を解決するための手段 本発明によれば、シリコンの基準および目盛較正は粒子
ビームリトグラフィ装置に一体化されてこの装置の目盛
較正のために用いられる格子はより厚いストラフチャの
シリコン型に中に形成され、さらに2進電子装置との直
接の整合を可能にする周期間隔の複数個の正方形ホール
を有する。図示されている実施例において、正方形ホー
ルは一辺が約32ミクロンであかつ周期間隔が約64ミ
クロンの構成は、特定の粒子ビームリトグラフィ装置に
用いられる。しかしこれ以外の寸法は粒子ビームリトグ
ラフィ装置に対する要求において可能である。格子は、
帯電粒子または電子が中実の部分を貫通するのを阻止す
るために、金で被われる。さらに格子は有利に傾きおよ
び高さ(Z方向)が調整可能な格子ホルダの中に取り付
けられ、さらに加工品ステージ上に取り付けられるX−
Y基準ミラーと心合わせされる。
以下の記載および図面から明らかになるように、本発明
においてはシリコンの結晶学が、粒子ビームリトグラフ
ィに対する基準としての格子を区画するのに必要な直交
性、コーナ半径、およびエツジの凹凸における精度を与
える。さらに厚い方のシリコン型の部分として格子は取
り扱いが容易になりそのため取り付けおよび軸心合わせ
が著しく簡単化される。さらに格子の平坦さが全表面に
わたり一様になり。銅格子がゆがむようには、ゆがまな
くなる。
実施例の説明 次に本発明の実施例を図面を用いて説明する第1図に示
されている様に本発明による粒子ビームリトグラフィ装
置はその全体がlOで示されている。この装置は粒子ビ
ームコラム12および工作物支持装置14を含み、この
支持装置上に工作物16がセットされ加工処理されさら
に取り外される。工作物16は半導体ウェファまたはマ
スクであり、サブストレートまたは単にウェファと称さ
れる。
ビームコラム12の一部として電子ソースまたはイオン
化された粒子ソース20、消磁光学装置、投射および偏
向光学装置が設けられている。後者の光学装置は精密に
集束されるビーム22を発生し、さらに照明光学装置お
よび、成形されるビームが用いられる時は成形光学装置
を含むこともできる。中央の管24(破線で示されてい
る)がビームコラム12の内部に設けられており、この
中をビーム22が貫通する。
中央管はコラムに結合されている高真空ポンプ26によ
り高い真空に保持される。ビーム22はコラムにおける
アパーチャ28を通過して加工物に衝突しこれを加工処
理する。全体のリトグラフィ装置はさらにコンピュータ
(制両装置)、およびビーム22を制御する所属の2進
電子装置、工作物支持装置を駆動する駆動装置を含む。
この電子装置はパターンデータを記憶しさらにビーム制
御信号を供給する。これらの装置はまとめてブロック3
0で示されている。
第1図の簡単な全体図において工作物支持装置14は、
位置固定の基板34の上に通常のX−Yステージ32を
有し、さらに通常のX−Y駆動装置36によりX−Y方
向へ駆動される。
鏡および干渉計を含む位置検出装置38がX−Yステー
ジの位置を検出して位置情報を電子装置30へフィード
バックするX−Yステージ32の上に工作物ホルダー4
0が配置されておりこれは通常の様にビーム22による
加工処理のために工作物16を支持する。工作物支持装
置14は真空室42の中で動作することもできるまたは
アパーチャ28の近傍以外の個所で空気中で動作するこ
ともできる。このことは米国特許第4528451号公
報にまたは米国出願“DifferenLially 
Dumped 5eal ApparatusL、Yo
ungS/N、  062,038.06/15/87
、に示されている。
この図に示されているように格子44とファラデーカッ
プ46が、工作物16の上面と共面にX−Yステージ3
2の上に配置されている。
上述のように本発明の格子は従来の格子を改善したもの
であり正確な寸法のシリコンかう構成される。本発明の
格子はこの装置の基準と目盛較正を著しく簡単にする。
第2図及び第3図は比較的厚いシリコン型(例えば約0
.45インチX0.25インチで約300ミクロンの厚
さ)を示す。このシリコン型は、第6図〜第8図に示さ
れているように、格子ホルダー52の上に取り付けられ
る2つの格子44aおよび44bを含む。この開示され
た実施例において、2つの格子は特定の目的用に示され
ている。当業者には明らかなように唯一つの格子をシリ
コン型50の中へ設計することができる。シリコン型の
上記の寸法は重要ではない、何故ならば開示されている
X−Y寸法は特定の目的用であり、当業者には明らかな
ように他の寸法でも実施できるからである。
各格子44 a 、 44 bはシリコン型50の中で
形成されるテーバ状の側壁54を有する。この側壁は格
子を正方形(例えば一辺が0.093インチ)として区
画する。側壁54はシリコン型50の底面56の方向へ
先太りに形成されシリコン型50の上面および底面に平
行な縁60で終る。縁60は複数本の格子バー62の外
側格子バーも構成する。前述の様に、この開示された寸
法は特定の目的用であり、当業者には他の寸法も実施で
きることは明らかである。
第5図に示されている様に格子バー62は断面が台形で
あり、上底64が小さい正方形ホール66を区画する。
バーの下底68はシリコン型50の底面と共面でもある
格子の底面において、ホール66よりも大きいホール7
0を区画する。各々の台形は約20ミクロンの厚さ(上
底と下底との間)を有し、小さい方の正方形ホール66
は各辺が約32ミクロン(例えば322ミフロン±ミク
ロン)である。この小さい正方形ホールは約64ミクロ
ン(約64ミフロン±2ミクロン)の周期的間隔を有す
る。この正確な寸法は一つの特定の目的のために示され
ているが、他の寸法も当業者には容易に実施できる。
帯電粒子または電子が側壁および格子バーの上底および
下底、縁60および側壁54を貫通するのを阻止するた
めに、それらの全表面が適切な材料で、72の個所は宵
利には金で被われる。
格子ホルダー52を詳細に説明する前に指摘すべきこと
は、この格子ホルダー52は格子をX、Yおよび2方向
へ位置定めが可能でありかつX−Y面において回転可能
である。この種の格子ホルダー52の一実施例を示す。
格子ホルダー52の目的はもちろん、基準および目盛較
正のために格子を適切に位置定めすることである。
第6図〜第8図に示されているように格子ホルダー50
は3つの部分を含む; 長手部材74、テーブル面状の格子取り付け板76、お
よびファラデーカップ体78である。
長手部材74は一方の端部の近傍の垂直方向に平行な2
つの孔82と84、中央の垂直の孔86.2つの垂直の
孔90と92、および切欠部94と96を有する。2つ
の孔90と92はこの長手部材を、適切な固定手段であ
るポルト98により、X−Yステージ32へ取り付ける
中央の孔86は垂直の中空スリーブ100を収容する。
このスリーブは、格子取り付け板76のテーブル面10
2と一体にかつその下に設けられる。格子取り付け板7
6は長手部材74へ、適切な手段であるポルト104に
より固定される。テーブル面102は切欠部94の内部
に嵌合する。テーブル面102はその下のスリーブ10
2の頂部において第1設定弾性ばね形式のワッシャ10
6を有し、かつスリーブの底部において第2設定弾性ば
ね形式のワッシャ108を有し、格子取付板76の垂直
調整(Z調整)を可能にする。格子取付板76の傾き調
整は3つのねじ110と長手部材74との共働により、
行われる。格子取付板上での回転調整は一対の設定ねじ
112と部材74との共働とにより行われる。
ファラデーカップ体78は切欠部96内で適切な部材で
あるボルト114により長手部材74へ固定され、さら
に切欠部94の壁からブ・7シング116により間隔を
有するようにされるシリコン型50は、格子44aおよ
び44bが垂直な孔82および84と心合わせられるよ
うに、適切なりランプ手段であるクランプ板l18およ
びボルト120によりクランプされる格子44aは7ア
ラデ一カツプ体78の中で垂直な孔122とも心合わせ
され、かつ孔82の下方のステージPINダイオード検
出器124へ心合わせされる。ステージPINダイオー
ド検出器124はダイオード板126の上に取り付けら
れており、後者は適切な手段であるボルト130により
X−Y段32へ適切に固定される。
格子44bは孔84および、7アラデ一カツプ体80に
おける垂直な孔132に心合わせされる。孔132は設
定ねじ134により、その下側端部で閉じられている。
その目的は孔132が第1図に示されているファラデー
力・ノブ46になるようにするためである。このファラ
デーカップは、この装置の電子装置へ情報信号を供給す
るために、線136により、電気的に接続される。
2つの格子がシリコン型50の上に示されているが、ス
テージPINダイオード検出器124またはファラデー
カップ46は使用者の選択により、ビーム信号を供給さ
れるために用いることができる。開示された実施例は特
定の目的に対するものである。もちろんシリコンダイに
唯一の格子を設けることもできるし、さらに格子ホルダ
ーを相応に変形し、ビーム検出器を使用者の選択により
選択することができる。
発明の効果 本発明により機械的に堅牢で取り扱かいが簡単でかつ工
作物の正確な加工処理を保証する粒子リトグラフィ装置
が提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による基準および目盛較正格子を有する
粒子ビームリトグラフィ装置の概観図、第2図はシリコ
ン型および2つの格子の平面図、第3図はシリコン型お
よび2つの格子の断面図、第4図は1つの格子および複
数個の正方形のホールの一部の詳細を示す拡大図、第5
図は第4図を線5−5から見た、格子ノ(−および厚い
方のシリコン型の側壁を示す部分的な拡大断面図、第6
図は格子と格子支持装置であるホルダーとこの格子ホル
ダーをステージへ心合わせする手段の平面図、第7図は
第6図の格子と格子ホルダーの側面図、第8図は第6図
および第7図の格子および格子ホルダーの断面図を示す
。 12・・・粒子ビームコラム、14・・・工作物支持装
置、16・・・工作物、20・・・イオン化された粒子
ソース、22・・・集束されたビーム、24・・・中央
の管、26・・・真空ポンプ、28・・・アノ(−チャ
30・・・電子装置、32・・・ステージ、34・・・
位置固定の基盤、36・・・X−Y駆動装置、40・・
・工作物ホルダー 44・・・グリッド、46・・・7
アラデ一カツプ体、50・・・シリコン型、52・・・
格ホルダー 54・・・側壁、56・・・底表面、60
・・・縁、62・・・格子バー 64・・・上底、66
・・・正方形のホール、68・・・下底、70・・・正
方形のホール、74・・・長い部材、76・・・格子取
付板、78・・・ファラデーカップ体、74・・・部材
、82.84・・・孔、86・・・孔、90.92・・
・孔、94,96・・・2つの切欠部、98・・・ボル
ト、100・・・中空のスリーブ、102・・・テーブ
ル面、110・・・設定ねじ、l12・・・一対のねじ
、116・・・ブッシング、118・・・クランプ板、
120・・・ボルト122・・・垂直の孔、124・・
・ステージAINダイオード検出器、126・・・ダイ
オード板、134・・・設定ねじ、136・・・縁 手 続 補 正 書 (方式) 1、事件の表示 平成 1 、発明の名称 年 特許願 第 号 粒子ビームリ トグラフィ装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称す・ノミ−キン−エルマー・コーポレイション5、
補正命令の日付 平Ill  年 7 6、補正の対象 月 牛 日(発送日) 図 面 補正の内容

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ビームコラムと、X−Yステージ上にセットされた
    工作物を加工処理するため工作物の方へ案内される粒子
    ビームと、該粒子ビームをXおよびY方向へ偏向させる
    2進電子装置と、該X−YステージをXおよびY方向へ
    駆動する装置と、X−Yステージの位置を検出して該ス
    テージの位置の信号を前記2進装置へ供給する装置とを
    備えている粒子ビームリトグラフィ装置において、 シリコン型において形成される、複数個の 正方形の開口を有する基準および目盛較正格子を設け、
    さらに該格子を前記のX−Yステージへ接続する装置を
    設け、さらに格子と共働して目盛較正信号を形成する装
    置を設け、この場合この格子を全体の基準位置設定部と
    して即ち書き込み面の位置の基準としておよび粒子ビー
    ムコラムをセットするための基準として用るようにした
    ことを特徴とする粒子ビームリトグラフィ装置。 2、格子が、2進電子装置と直接整合するように、目盛
    較正した請求項1記載の粒子ビームリトグラフィ装置。 3、格子の目盛較正が約64ミクロンの周期的間隔で、
    一辺の長さが約32ミクロンの複数個の正方形のホール
    を含むようにした請求項2記載の粒子ビームリトグラフ
    ィ装置。 4、前記格子の中実の部分を帯電粒子が貫通するのを阻
    止するために、該格子を適切な金属で被うようにした請
    求項3記載の粒子ビームリトグラフィ装置。 5、前記の適切な金属が金であるようにした請求項4記
    載の粒子ビームリトグラフィ装置。 6、シリコン型を、リトグラフィー装置において取り扱
    かいおよび設置を容易にするために、格子よりも著しく
    大きくした請求項2記載の粒子ビームリトグラフィ装置
    。 7、格子と共働する前記装置がPINダイオード検出器
    を含むようにした請求項2記載の粒子ビームリトグラフ
    ィ装置。 8、格子と共働する前記の装置がファラデーカップを含
    むようにした請求項2記載の粒子ビームリトグラフィ装
    置。 9、格子をX−Yステージへ結合する前記装置が、傾む
    きおよびZ方向において調整可能な格子取り付け装置を
    含むようにし、さらにX−Yステージ上に取り付けられ
    るX−Y基準ミラーに心合わせされるようにした請求項
    2記載の粒子ビームリトグラフィ装置。 10、型の中で形成される少くとも1つの基準用の格子
    を有するような型を設け、さらにリトグラフィ装置を作
    動させるための2進電子装置を設け、さらに該型を構成
    するシリコンストラクチャを設け、この場合、該格子を
    シリコンストラクチャよりも小さくかつ薄くするように
    し、さらに前記2進電子装置と直接整合する装置を設け
    た請求項1記載の粒子ビームリトグラフィ装置。 11、格子が、一辺が約32ミクロンの複数個の正方形
    のホールを約64ミクロンの周期間隔で有するようにし
    た請求項10記載の粒子ビームリトグラフィ装置。 12、格子の中実部分を粒子ビームが貫通するのを阻止
    するために、格子に被覆体を設けた請求項11記載の粒
    子ビームリトグラフィ装置。 13、前記被覆体が金であるようにした請求項12記載
    の粒子ビームリトグラフィ装置。 14、格子の側壁の断面を台形状にした請求項13記載
    の粒子ビームリトグラフィ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018536086A (ja) * 2015-09-24 2018-12-06 ア−カム アーベー X線較正基準物

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02231708A (ja) * 1989-03-06 1990-09-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の位置合わせマーク検出方法及び装置
US5043586A (en) * 1990-10-25 1991-08-27 International Business Machines Corporation Planarized, reusable calibration grids
US5155359A (en) * 1991-04-05 1992-10-13 Metrologix, Inc. Atomic scale calibration system
US5920067A (en) * 1992-03-13 1999-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Monocrystalline test and reference structures, and use for calibrating instruments
US5345085A (en) * 1993-03-26 1994-09-06 Etec Systems, Inc. Method and structure for electronically measuring beam parameters
US5416821A (en) * 1993-05-10 1995-05-16 Trw Inc. Grid formed with a silicon substrate
US5703373A (en) * 1995-11-03 1997-12-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Alignment fiducial for improving patterning placement accuracy in e-beam masks for x-ray lithography
US5747802A (en) * 1996-03-29 1998-05-05 Siemens Aktiengesellschaft Automated non-visual method of locating periodically arranged sub-micron objects
KR100191347B1 (ko) * 1996-08-09 1999-06-15 윤종용 반도체 공정의 주사전자현미경 관리용 미세선폭 관리시료
GB2324650A (en) * 1997-04-25 1998-10-28 Leica Lithography Systems Ltd Pattern-writing machine
US6246053B1 (en) * 1999-03-22 2001-06-12 International Business Machines Corporation Non-contact autofocus height detector for lithography systems
JP2005116731A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
ATE537550T1 (de) * 2005-07-08 2011-12-15 Nexgen Semi Holding Inc Vorrichtung und verfahren zur kontrollierten fertigung von halbleitern mittels teilchenstrahlen
WO2008140585A1 (en) 2006-11-22 2008-11-20 Nexgen Semi Holding, Inc. Apparatus and method for conformal mask manufacturing
JP5361137B2 (ja) * 2007-02-28 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム測長装置
EP2003526A1 (en) * 2007-06-13 2008-12-17 Carl Zeiss SMT Limited Method and device for controlling and monitoring a position of a holding element
US10991545B2 (en) 2008-06-30 2021-04-27 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
US10566169B1 (en) 2008-06-30 2020-02-18 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
JP5461878B2 (ja) * 2009-04-28 2014-04-02 株式会社ニューフレアテクノロジー ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4517465A (en) * 1983-03-29 1985-05-14 Veeco/Ai, Inc. Ion implantation control system
DE3410885A1 (de) * 1984-03-24 1985-10-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie
US4587433A (en) * 1984-06-27 1986-05-06 Eaton Corporation Dose control apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018536086A (ja) * 2015-09-24 2018-12-06 ア−カム アーベー X線較正基準物

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