JP7486984B2 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。

基板処理において回転する基板の偏心などによるブレに対応して、処理液を吐出するノズルの位置を変化させる技術が知られている（たとえば、特許文献１を参照）。

特開２０１８－１４２６７５号公報

基板処理において回転する基板には、回転する基板の、主面に沿う方向におけるブレである芯ブレの他に、回転する基板の、主面と交差する方向におけるブレである面ブレも生じる。

これに対し、たとえば、特許文献１では芯ブレに対する制御のみが行われており、面ブレも含む基板のブレに対しては十分に処理液の着液位置を制御することができない場合がある。その場合、処理液の着液位置がばらつくことによって、基板における処理範囲を一定に保つことができない場合がある。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、芯ブレおよび面ブレを含むブレが生じる基板に対して処理液を適切に吐出するための技術である。

本願明細書に開示される基板処理装置に関する技術の第１の態様は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板の主面に対して傾斜する方向から処理液を吐出する処理液ノズルと、回転する前記基板の、前記主面に沿う方向のブレを芯ブレとし、回転する前記基板の、前記主面と交差する方向のブレを面ブレとし、前記処理液の着液位置の、前記芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、前記処理液の着液位置の、前記面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を測定する、単一の測定部と、前記合成ブレ移動量を低減するように、前記基板保持部における前記基板の保持位置を変更する位置変更部とを備え、前記測定部が、前記処理液が吐出される方向に沿う光軸を有し、かつ、前記基板の外周端の位置を測定するラインセンサーであり、前記位置変更部が、前記基板の回転周期に合わせて周期的に変化する前記合成ブレ移動量の振幅が最大となるタイミングで、前記合成ブレ移動量の前記振幅に応じて前記基板の前記保持位置を変更する。

本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記測定部は、前記処理液ノズルに取り付けられる。

本願明細書に開示される基板処理方法に関する技術の第３の態様は、基板を保持する工程と、保持された前記基板を回転させる工程と、回転する前記基板の、主面に沿う方向のブレを芯ブレとし、回転する前記基板の、前記主面と交差する方向のブレを面ブレとし、処理液の着液位置の、前記芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、前記処理液の着液位置の、前記面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を測定する工程と、前記合成ブレ移動量を低減するように、前記基板の保持位置を変更する工程と、前記基板の前記主面に対して傾斜する方向から前記処理液を吐出する工程とを備え、前記合成ブレ移動量を測定する工程が、前記処理液が吐出される方向に沿う光軸を有し、かつ、前記基板の外周端の位置を測定する単一のラインセンサーで前記合成ブレ移動量を測定する工程であり、前記基板の保持位置を変更する工程が、前記基板の回転周期に合わせて周期的に変化する前記合成ブレ移動量の振幅が最大となるタイミングで、前記合成ブレ移動量の前記振幅に応じて前記基板の前記保持位置を変更する工程である。

本願明細書に開示される技術の第１から３の態様によれば、芯ブレおよび面ブレを含むブレが生じる基板に対し、処理液を適切に吐出することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、実施の形態に関する基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 処理ユニットの構成の例を示す図解的な断面図である。 処理位置に配置されている処理液ノズルから基板の外周部へ処理液を吐出している状態を示す断面図である。 基板処理装置のそれぞれの要素と制御部との接続関係の例を示す図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。 基板の芯ブレと処理液の着液位置との関係の例を示す図である。 基板の面ブレと処理液の着液位置との関係の例を示す図である。 算出された芯ブレ移動量、面ブレ移動量および合成ブレ移動量のプロットの例である。 実施の形態に関する、基板の芯ブレと処理液の着液位置との関係の例を示す図である。 実施の形態に関する、基板の面ブレと処理液の着液位置との関係の例を示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。

また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。

＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。

本実施の形態に関する基板処理装置１００は、円形薄板状であるシリコン基板である基板Ｗに対して、薬液および純水などのリンス液を用いて洗浄処理を行った後、乾燥処理を行う。

上記の薬液としては、たとえば、アンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）、塩酸と過酸化水素水との混合水溶液（ＳＣ２）、または、ＤＨＦ液（希フッ酸）などが用いられる。

以下の説明では、薬液、リンス液および有機溶剤などを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、不要な膜を除去するための薬液、または、エッチングのための薬液なども「処理液」に含まれるものとする。

基板処理装置１００は、複数の処理ユニット１と、ロードポートＬＰと、インデクサロボット１０２と、主搬送ロボット１０３と、制御部１６とを備える。

キャリアとしては、基板Ｗを密閉空間に収納するｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）、ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ（ＯＣ）が採用されてもよい。また、移送ロボットは、キャリアと主搬送ロボット１０３との間で基板Ｗを移送する。

処理ユニット１は、１枚の基板Ｗに対して液処理および乾燥処理を行う。本実施の形態に関する基板処理装置１００には、同様の構成である１２個の処理ユニット１が配置されている。

具体的には、それぞれが鉛直方向に積層された３個の処理ユニット１を含む４つのタワーが、主搬送ロボット１０３の周囲を取り囲むようにして配置されている。

図１では、３段に重ねられた処理ユニット１の１つが概略的に示されている。なお、基板処理装置１００における処理ユニット１の数量は、１２個に限定されるものではなく、適宜変更されてもよい。

主搬送ロボット１０３は、処理ユニット１が積層された４個のタワーの中央に設置されている。主搬送ロボット１０３は、インデクサロボット１０２から受け取る処理対象の基板Ｗをそれぞれの処理ユニット１内の処理カップ２００に搬入する。また、主搬送ロボット１０３は、それぞれの処理ユニット１から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサロボット１０２に渡す。制御部１６は、基板処理装置１００のそれぞれの構成要素の動作を制御する。

以下、基板処理装置１００に搭載された１２個の処理ユニット１のうちの１つについて説明するが、他の処理ユニット１についても、ノズルの配置関係が異なること以外は、同一の構成を有する。

図２は、処理ユニット１の構成の例を示す図解的な断面図である。

処理ユニット１は、基板Ｗの外周部を処理液を用いて処理するユニットである。本実施の形態では、基板Ｗの外周部とは、基板Ｗの上面の外周領域、基板Ｗの下面の外周領域、および、基板Ｗの外周端を含む部分をいう。また、外周領域とは、基板Ｗの外周から、たとえば０．１ｍｍ以上、かつ、数ｍｍ以下の幅を有する環状の領域をいう。

処理ユニット１は、処理チャンバ４と、処理チャンバ４内で基板Ｗを水平な姿勢で保持し、かつ、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域に処理液を供給する処理液供給ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニット８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の外周領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニット９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニット１０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の外周領域を加熱するヒーター１１と、スピンチャック５を取り囲む処理カップ２００とを備える。

処理チャンバ４は、箱状の隔壁１１３と、隔壁１１３の下部から処理チャンバ４内の気体を排出する排気装置（ここでは、図示しない）とを備える。

排気装置は、処理カップ２００内に接続された排気ダクト１１５を介して処理カップ２００の底部に接続されており、処理カップ２００の底部から処理カップ２００の内部を吸引する。隔壁１１３の上部から隔壁１１３内に清浄空気を送る送風ユニットとしてのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）および排気装置によって、処理チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。

本実施の形態におけるスピンチャック５は、真空吸着式のチャックである。なお、スピンチャックは、挟持式チャックなどの他の形態のチャックであってもよい。スピンチャック５は、基板Ｗの下面の中央部を吸着支持している。スピンチャック５は、鉛直な方向に延びたスピン軸１１６と、スピン軸１１６の上端に取り付けられて、基板Ｗが水平な姿勢となるように基板Ｗの下面を吸着して保持するスピンベース１１７と、スピン軸１１６と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ１１８とを備える。

スピンベース１１７は、基板Ｗの外径よりも小さな外径を有する水平な円形の上面１１７ａを備える。基板Ｗの下面がスピンベース１１７に吸着保持された状態では、基板Ｗの外周部が、スピンベース１１７の外周端よりも外側にはみ出ている。スピンモータ１１８が駆動されることによって、スピン軸１１６の中心軸線まわりに基板Ｗが回転される。

処理液供給ユニット６は、処理液ノズル１９を備える。処理液ノズル１９は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。処理液ノズル１９は、基板Ｗの上面における処理液の供給位置を変更することができる。処理液ノズル１９は、スピンチャック５の上方でほぼ水平に延びたノズルアーム２０の先端部に取り付けられている。ノズルアーム２０は、スピンチャック５の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸２１に支持されている。アーム支持軸２１には、アーム揺動モータ２２が接続されている。アーム揺動モータ２２は、たとえば、サーボモータである。アーム揺動モータ２２によって、ノズルアーム２０をスピンチャック５の側方に設定された鉛直な揺動軸線Ａ２を中心として水平面内で揺動させることができ、これによって、揺動軸線Ａ２まわりに処理液ノズル１９を処理位置と退避位置との間で回動させることができる。

処理液ノズル１９には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液配管２４が接続されている。薬液配管２４の途中には、薬液配管２４を開閉するための薬液バルブ２５が配置されている。また、処理液ノズル１９には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液配管２６Ａが接続されている。リンス液配管２６Ａの途中には、リンス液配管２６Ａを開閉するためのリンス液バルブ２６Ｂが配置されている。

リンス液バルブ２６Ｂが閉じられた状態で薬液バルブ２５が開かれると、薬液配管２４から処理液ノズル１９に供給された連続流の薬液が、処理液ノズル１９の下端に設定された吐出口から吐出される。また、薬液バルブ２５が閉じられた状態でリンス液バルブ２６Ｂが開かれると、リンス液配管２６Ａから処理液ノズル１９に供給された連続流のリンス液が、処理液ノズル１９の下端に設定された吐出口から吐出される。

薬液は、たとえば、基板Ｗの上面をエッチングしたり、基板Ｗの上面を洗浄したりするために用いられる液である。薬液は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）など）、界面活性剤および腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。リンス液は、たとえば、脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ以上、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水のいずれかであってもよい。

不活性ガス供給ユニット８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に不活性ガスを供給するための気体吐出ノズル２７と、気体吐出ノズル２７に不活性ガスを供給する気体配管２８と、気体配管２８を開閉する気体バルブ２９と、気体吐出ノズル２７を移動させるためのノズル移動機構３０とを備える。

基板Ｗの上面の中央部の上方に設定された処理位置において気体バルブ２９が開かれると、気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、基板Ｗの上面における中央部から外周部に向けて流れる放射状気流が形成される。

不活性ガス供給ユニット９は、基板Ｗの上面の外周領域に対して不活性ガスを吐出するための気体吐出ノズル３１と、気体吐出ノズル３１に不活性ガスを供給する気体配管３２と、気体配管３２を開閉する気体バルブ３３と、気体吐出ノズル３１を移動させるためのノズル移動機構３４とを備える。

基板Ｗの上面の外周領域の上方に設定された処理位置において気体バルブ３３が開かれると、気体吐出ノズル３１は、基板Ｗの上面の外周領域の吹き付け位置に対し、基板Ｗの回転半径方向（以下、径方向ＲＤ）の内側から、外側かつ斜め下向きに不活性ガスを吐出する。これによって、基板Ｗの上面の外周領域における処理液の処理幅を制御することができる。

不活性ガス供給ユニット１０は、基板Ｗの下面の外周領域に対して不活性ガスを吐出するための気体吐出ノズル３６と、気体吐出ノズル３６に不活性ガスを供給する気体配管３７と、気体配管３７を開閉する気体バルブ３８とを備える。

基板Ｗの下面の外周領域に下方に設定された処理位置において気体バルブ３８が開かれると、気体吐出ノズル３６は、基板Ｗの下面の外周領域の吹き付け位置に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め上向き（たとえば、水平面に対し４５°）に不活性ガスを吐出する。

ヒーター１１は、円環状に形成されており、基板Ｗの外径と同等の外径を有する。ヒーター１１は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの下面の外周領域に対向する上端面を有する。ヒーター１１は、セラミックまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）によって形成されており、その内部に加熱源（図示しない）が搭載されている。加熱源の加熱によってヒーター１１が温められ、ヒーター１１が基板Ｗを加熱する。ヒーター１１によって基板Ｗの外周部を下面側から加熱することによって、基板Ｗの上面の外周領域における処理レートを向上させることができる。

処理カップ２００は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（すなわち、回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置される。処理カップ２００は、スピンベース１１７を取り囲む。

スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給される際、上向きに開いた処理カップ２００の上端部２００ａは、スピンベース１１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液または水などの処理液は、処理カップ２００によって受け止められる。そして、処理カップ２００に受け止められた処理液は排液処理される。

また、処理ユニット１は、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの外周端の径方向ＲＤの位置（以下、単に「径方向位置」という）を測定するためのラインセンサー４７を備える。本実施の形態に関するラインセンサー４７は、処理液ノズル１９に取り付けられている。ラインセンサー４７は、基板Ｗで反射した光を線状領域ごとに測定するセンサーであり、基板Ｗの外周端のうち所定の計測対象位置について、その径方向位置を測定する。なお、基板Ｗの外周端の径方向位置を測定する機器としては、ＣＣＤなどの撮像素子であってもよい。

図３は、処理位置に配置されている処理液ノズル１９から基板Ｗの外周部へ処理液を吐出している状態を示す断面図である。図３において、紙面奥行き方向が基板Ｗの回転方向Ｒである。

処理液ノズル１９は、基板Ｗの上面の外周領域４２（基板Ｗの外周から、たとえば０．１ｍｍ以上、かつ、数ｍｍ以下の幅を有する環状の領域）に対向する処理位置に配置される。この状態で、薬液バルブ２５（図２を参照）およびリンス液バルブ２６Ｂ（図２を参照）が選択的に開かれると、処理液ノズル１９は、基板Ｗの上面の外周領域４２の着液位置４５に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め下向きに処理液（薬液またはリンス液）を吐出する。

径方向ＲＤの内側から着液位置４５に向けて処理液が吐出されるので、基板Ｗの上面の中央部（すなわち、デバイス形成領域）への処理液の液跳ねなどを抑制することができる。

この場合、吐出口１９ａからの処理液の吐出方向は、たとえば径方向ＲＤに沿う方向であり、また、基板Ｗの上面に対して所定の角度で入射するような方向である。基板Ｗの主面に対する処理液の吐出角度θは、たとえば３０°以上、かつ、８０°以下であり、好ましくは４５°である。

着液位置４５に着液した処理液は、着液位置４５から径方向ＲＤの外側に向けて流れる。よって、基板Ｗの上面の外周領域４２のうち、着液位置４５よりも外側の領域のみが処理液によって処理される。すなわち、着液位置４５と基板Ｗの外周端４６との間の距離に応じて、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅が変わる。

なお、図３では、基板Ｗの上面の外周領域４２に処理液が吐出される場合が示されたが、処理液が吐出される箇所は、基板Ｗの下面の外周領域４３であってもよい。

図４は、基板処理装置１００のそれぞれの要素と制御部１６との接続関係の例を示す図である。

制御部１６のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部１６は、各種演算処理を行う中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）７１と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）７２と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）７３と、制御用アプリケーション（プログラム）またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部７４とを備える。

ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および記憶部７４は、バス配線７５などによって互いに接続されている。

制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体（たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど）に記録された状態で、制御部１６に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線７５に接続されているとよい。

また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御部１６に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線７５に接続されているとよい。

バス配線７５には、入力部７６および表示部７７が接続されている。入力部７６はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部７６を介して制御部１６に各種情報を入力する。表示部７７は、液晶モニターなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。

制御部１６は、それぞれの処理ユニットの作動部（たとえば、スピンモータ１１８、アーム揺動モータ２２、ノズル移動機構３０、ノズル移動機構３４、ヒーター１１、薬液バルブ２５、リンス液バルブ２６Ｂ、気体バルブ２９、気体バルブ３３、気体バルブ３８、ラインセンサー４７など）、または、主搬送ロボット１０３の作動部などに接続されており、それらの動作を制御する。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、図５を参照しつつ、基板処理装置の動作について説明する。ここで、図５は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の動作の例を示すフローチャートである。

まず、未処理である基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入される（図５のステップＳＴ１）。具体的には、基板Ｗを保持している主搬送ロボット１０３のハンドを処理チャンバ４の内部に進入させることによって、基板Ｗがデバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、基板Ｗの下面の中央部がスピンベース１１７に吸着支持されると、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される（図５のステップＳＴ２）。

スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御部１６は、スピンモータ１１８の動作を制御することによって、基板Ｗの回転を開始させる（図５のステップＳＴ３）。

次に、制御部１６の制御によって、ラインセンサー４７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの外周端４６の径方向位置を複数カ所で測定する（図５のステップＳＴ４）。ラインセンサー４７によって基板Ｗの外周端４６の径方向位置を測定する際には、基板Ｗが所定の回転速度（たとえば、５０ｒｐｍ）で回転するように、制御部１６がスピンモータ１１８を制御する。

回転している基板Ｗがたとえば一周（３６０°回転）し終えたら、ラインセンサー４７による基板Ｗの外周端４６の径方向位置の測定を終了する。

次に、制御部１６は、測定された基板Ｗの外周端４６の径方向位置の変化に基づいて、芯ブレ移動量と面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を算出する。そして、制御部１６は、基板Ｗの外周端４６に接触可能であり、かつ、基板Ｗの主面に沿う方向の保持位置を調整する位置調整ピン（ここでは、図示せず）などを制御して、合成ブレ移動量を低減させるように、スピンベース１１７における基板Ｗの保持位置を基板Ｗの主面に沿う平面において変更する（図５のステップＳＴ５）。なお、合成ブレ移動量の算出方法について、後述する。

ここで、芯ブレ移動量とは、基板Ｗの芯ブレに起因する、処理液の着液位置４５の（径方向における）移動量である。なお、芯ブレとは、回転する基板Ｗの、主面に沿う方向におけるブレである。

また、面ブレ移動量とは、基板Ｗの面ブレに起因する、処理液の着液位置４５の移動量である。なお、面ブレとは、回転する基板Ｗの、主面と交差する方向におけるブレである。本実施の形態では、処理液は径方向外向きに傾斜して吐出されるため、面ブレ移動量は基板Ｗの径方向における移動量である。

なお、基板Ｗの保持位置の変更は、後述の薬液処理またはリンス処理などが行われた後に行われてもよい。

次に、制御部１６の制御によって、基板Ｗの外周部を、薬液を用いて処理する（図５のステップＳＴ６）。具体的には、制御部１６は、リンス液バルブ２６Ｂを閉じながら薬液バルブ２５を開く。そして制御部１６は、基板Ｗを所定の回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ以上、かつ、１０００ｒｐｍ以下）で回転させながら、処理位置に配置された処理液ノズル１９から基板Ｗの外周部へ薬液を吐出させる。処理液ノズル１９から吐出される薬液は、基板Ｗの上面の外周領域４２に吐出される。

薬液の吐出開始からあらかじめ定める期間が経過すると、制御部１６は、薬液バルブ２５を閉じる。これによって、処理液ノズル１９からの薬液の吐出が停止（終了）する。

また、薬液処理では、制御部１６の制御によって、ヒーター１１の熱源がオンされてもよい。ヒーター１１で基板Ｗの下面の外周領域４３が加熱されることによって、外周部における薬液処理の処理速度を高めることができる。

また、薬液処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、基板Ｗの上面における中央部から外周部に向けて流れる放射状気流が形成される。この放射状気流によって、デバイス形成領域である基板Ｗの上面の中央部が保護される。

また、薬液処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けによって、基板Ｗの上面の外周領域４２における薬液の処理幅を制御することができる。

また、薬液処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けによって、基板Ｗの下面への薬液の回り込みを抑制することができる。

薬液処理が終了した後、制御部１６は、基板Ｗの外周部を、リンス液を用いて処理する（図５のステップＳＴ７）。具体的には、制御部１６は、基板Ｗを所定の回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ以上、かつ、１０００ｒｐｍ以下）で回転させながら、処理位置に配置された処理液ノズル１９から基板Ｗの外周部へリンス液を吐出させる。処理液ノズル１９から吐出されるリンス液は、基板Ｗの上面の外周領域４２に吐出される。

リンス処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル２７から吐出される不活性ガスによって、基板Ｗの上面における中央部から外周部に向けて流れる放射状気流が形成される。

また、リンス処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル３１から基板Ｗの上面の外周領域４２に対し不活性ガスが吹き付けられる。

また、リンス処理では、処理位置に位置する気体吐出ノズル３６から基板Ｗの下面の外周領域４３に対し不活性ガスが吹き付けられる。

また、リンス処理では、制御部１６の制御によって、ヒーター１１の熱源がオンされてもよい。

その後、制御部１６は、アーム揺動モータ２２を制御して、処理液ノズル１９をスピンチャック５の側方の退避位置へと戻す。

次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライが行われる（図５のステップＳＴ８）。具体的には、制御部１６は、スピンモータ１１８を制御して、所定の乾燥回転速度（たとえば、数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これによって、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗの外周部に付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗの外周部から液体が除去され、基板Ｗの外周部が乾燥する。

基板Ｗの高速回転の開始から所定の期間が経過すると、制御部１６は、スピンモータ１１８を制御することによって、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。

その後、処理チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図５のステップＳＴ９）。具体的には、制御部１６は、主搬送ロボット１０３のハンドを処理チャンバ４の内部に進入させる。そして、制御部１６は、主搬送ロボット１０３のハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。

その後、制御部１６は、主搬送ロボット１０３のハンドを処理チャンバ４内から退避させる。これによって、処理後の基板Ｗが処理チャンバ４から搬出される。

＜基板の保持位置の変更について＞
図６は、基板Ｗの芯ブレと処理液の着液位置４５との関係の例を示す図である。図６に例が示されるように、基板Ｗの芯ブレに起因して、処理液の着液位置４５が変化する。

具体的には、基板Ｗが点線で示されるように図６における右方向へＸ_０だけ移動する芯ブレが生じた場合、着液位置４５が、基板Ｗの径方向ＲＤの内側へＸ（＝Ｘ_０）だけずれることとなる。この場合、芯ブレがＸ_０であり、着液位置４５の移動量である芯ブレ移動量はＸである。

ここで、処理液ノズル１９に取り付けられているラインセンサー４７は処理液の吐出方向（吐出角度θ）に沿う光軸（図において点線で示される）を有しているため、ラインセンサー４７で測定される基板Ｗの外周端４６の移動量は、Ｘ_０ｓｉｎθとなる。ここから、着液位置４５の芯ブレ移動量であるＸ（＝Ｘ_０）を算出することができる。

図７は、基板Ｗの面ブレと処理液の着液位置４５との関係の例を示す図である。図７に例が示されるように、基板Ｗの面ブレに起因して、処理液の着液位置４５が変化する。

具体的には、基板Ｗが点線で示されるように図７における下方向へＹ_０だけ移動する面ブレが生じた場合、着液位置４５が、基板Ｗの径方向ＲＤの外側へＹだけずれることとなる。この場合、面ブレがＹ_０であり、着液位置４５の移動量である面ブレ移動量はＹである。

ここで、ラインセンサー４７は処理液の吐出方向（吐出角度θ）に沿う光軸（図において点線で示される）を有しているため、ラインセンサー４７で測定される基板Ｗの外周端４６の移動量は、Ｙ_０ｃｏｓθとなる。ここから、着液位置４５の面ブレ移動量であるＹ（＝Ｙ_０／ｔａｎθ）を算出することができる。

図８は、算出された芯ブレ移動量、面ブレ移動量および合成ブレ移動量のプロットの例である。図８において、芯ブレ移動量が細い実線で、面ブレ移動量が点線で、合成ブレ移動量が太い実線でそれぞれ示されている。また、図８においては、縦軸が振幅を示し、横軸が時間を示す。

図８に例が示されるように、芯ブレ移動量および面ブレ移動量は、基板Ｗの回転周期に合わせて周期的に変化するものであるため、それらの総和である合成ブレ移動量も基板Ｗの回転周期に対応して周期的に変化する。

図５のステップＳＴ５における基板Ｗの保持位置の変更に際しては、制御部１６は、合成ブレ移動量の振幅が最大となるタイミングで、合成ブレ移動量の振幅Ａに応じて基板Ｗの保持位置を変更するように主搬送ロボット１０３のハンドまたは他の位置調整機構（たとえば、基板Ｗの径方向外側に配置される位置調整ピンなど）を制御することによって、着液位置４５の移動量が相殺されるように基板Ｗの位置を調整する。

本実施の形態によれば、基板Ｗの芯ブレおよび面ブレを考慮して、合成ブレ移動量を低減するように基板Ｗの保持位置を変更することができる。よって、処理液ノズル１９から吐出される処理液の着液位置４５と基板Ｗの外周端４６との間の距離を一定に保つことができるため、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を一定に保つことができる。

なお、上記の図６に示されたような芯ブレと図７に示されたような面ブレとは、ラインセンサー４７において同時に測定される。そのため、ラインセンサー４７において測定される外周端４６の移動量は、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを双方含むものとなる。

＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。

＜基板の保持位置の変更について＞
図９は、本実施の形態に関する、基板Ｗの芯ブレと処理液の着液位置４５との関係の例を示す図である。本実施の形態においては、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを測定する測定部として、基板Ｗの主面に直交する方向の光軸を有し、かつ、基板Ｗの外周端４６の位置を測定するラインセンサー４７ａと、基板Ｗの主面に直交する方向の光軸を有し、かつ、基板Ｗの主面の位置を測定する反射型センサー４８とを備える。なお、反射型センサー４８とは、検出対象に信号光を照射し、当該検出対象からの反射光を受光することによって、当該検出対象との間の距離などを測定するセンサーである。図９に例が示されるように、基板Ｗの芯ブレに起因して、処理液の着液位置４５が変化する。

具体的には、基板Ｗが点線で示されるように図９における右方向へＸ_０だけ移動する芯ブレが生じた場合、着液位置４５が、基板Ｗの径方向ＲＤの内側へＸ（＝Ｘ_０）だけずれることとなる。この場合、芯ブレがＸ_０であり、着液位置４５の移動量である芯ブレ移動量はＸである。

ここで、ラインセンサー４７ａは基板Ｗの主面に直交する方向の光軸（図において点線で示される）を有しているため、ラインセンサー４７で測定される基板Ｗの外周端４６の移動量は、Ｘ_０となる。ここから、着液位置４５の芯ブレ移動量であるＸ（＝Ｘ_０）を算出することができる。

図１０は、本実施の形態に関する、基板Ｗの面ブレと処理液の着液位置４５との関係の例を示す図である。図１０に例が示されるように、基板Ｗの面ブレに起因して、処理液の着液位置４５が変化する。

具体的には、基板Ｗが点線で示されるように図１０における下方向へＹ_０だけ移動する面ブレが生じた場合、着液位置４５が、基板Ｗの径方向ＲＤの外側へＹだけずれることとなる。この場合、面ブレがＹ_０であり、着液位置４５の移動量である面ブレ移動量はＹである。

ここで、処理液の吐出方向（吐出角度θ）に沿う光軸（図において点線で示される）を有する反射型センサー４８によって、基板Ｗの主面の、基板Ｗの主面と直交する方向の移動量を測定することができる。反射型センサー４８で測定される基板Ｗの主面の移動量は、Ｙ_０となる。ここから、着液位置４５の面ブレ移動量であるＹ（＝Ｙ_０／ｔａｎθ）を算出することができる。

このように算出された芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを足しあわせることによって合成ブレ移動量を算出することができる。そして、制御部１６は、合成ブレ移動量に応じて基板Ｗの保持位置を変更するように主搬送ロボット１０３のハンドまたは他の位置調整機構（たとえば、基板Ｗの径方向外側に配置される位置調整ピンなど）を制御することによって、着液位置４５の移動量が相殺されるように基板Ｗの位置を調整する。一方で、本実施の形態においては、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを別々に算出することができるため、それぞれの移動量に対して独立に基板Ｗの位置調整を行ってもよい。

なお、図９および図１０においては、ラインセンサー４７ａの光軸および反射型センサー４８の光軸は、ともに基板Ｗの主面に直交するものとして説明されたが、これらの光軸は、基板Ｗの主面に対して交差するものであればよい。

また、ラインセンサー４７ａによる測定と、反射型センサー４８による測定とは、一方が先に行われてもよいし、同時に行われてもよい。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。

また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗを保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板Ｗを回転させる回転部と、処理液を吐出する処理液ノズル１９と、測定部と、位置変更部とを備える。ここで、基板保持部は、たとえば、スピンベース１１７などに対応するものである。また、回転部は、たとえば、スピンモータ１１８などに対応するものである。また、測定部は、たとえば、ラインセンサー４７、ラインセンサー４７ａおよび反射型センサー４８などのうちのいずれか１つ（以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する）と制御部１６とに対応するものである。また、位置変更部は、たとえば、制御部１６などに対応するものである。処理液ノズル１９は、基板Ｗの主面に対して傾斜する方向（吐出角度θ）から処理液を吐出する。ラインセンサー４７は、処理液の着液位置４５の、芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、処理液の着液位置４５の、面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を算出するための外周端４６の位置を複数カ所で測定する。制御部１６は、ラインセンサー４７によって測定された複数の外周端４６の位置に基づいて芯ブレ移動量および面ブレ移動量を算出し、さらに、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを低減するように、スピンベース１１７における基板Ｗの保持位置を変更する。

このような構成によれば、芯ブレおよび面ブレを含むブレが生じる基板Ｗに対し、処理液を適切に吐出することができる。具体的には、基板Ｗの芯ブレおよび面ブレを考慮して、合成ブレ移動量を低減するように基板Ｗの保持位置を変更することによって、処理液ノズル１９から吐出される処理液の着液位置４５と基板Ｗの外周端４６との間の距離を一定に保つことができる。そのため、基板Ｗの上面の外周領域４２における処理幅を一定に保つことができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、ラインセンサー４７は、処理液が吐出される方向に沿う光軸を有し、かつ、基板Ｗの外周端４６の位置を測定する。このような構成によれば、処理液の吐出方向に沿う光軸を有するラインセンサー４７を用いて基板Ｗの外周端４６の位置を測定することによって、芯ブレおよび面ブレを含む基板Ｗのブレに対する処理液の着液位置４５の移動量（合成ブレ移動量）を直接的に測定することができる。よって、芯ブレおよび面ブレの双方についての基板Ｗの外周端４６の移動量の測定を同時に行うことができ、また、芯ブレおよび面ブレそれぞれに対応する測定機器を設ける場合に比べて構成を減らすことができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、ラインセンサー４７は、処理液ノズル１９に取り付けられる。このような構成によれば、ラインセンサー４７の光軸と処理液の吐出方向とを揃える作業が容易となり、かつ、処理液ノズル１９の向きを変えて処理液の吐出方向を変更する場合にも処理液ノズル１９の動きにラインセンサー４７が追従可能であるため作業が容易となる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、測定部は、基板Ｗの主面と交差する方向の光軸を有し、かつ、基板Ｗの外周端４６の位置を測定するラインセンサー４７ａと、基板Ｗの主面と交差する方向の光軸を有し、かつ、基板Ｗの主面の位置を測定する反射型センサー４８とを備える。このような構成によれば、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とをそれぞれ別々に測定することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部１６は、芯ブレ移動量と面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を低減するように、スピンベース１１７における基板Ｗの保持位置を変更する。このような構成によれば、芯ブレ移動量および面ブレ移動量を位相のずれなどを含めて同時に考慮しつつ、基板Ｗの保持位置を調整することができるため、着液位置４５と基板Ｗの外周端４６との間の距離を一定に保つことができる。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、基板Ｗを保持する工程と、保持された基板Ｗを回転させる工程と、処理液の着液位置４５の、芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、処理液の着液位置４５の、面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量とを測定する工程と、芯ブレ移動量と面ブレ移動量とを低減するように、スピンベース１１７における基板Ｗの保持位置を変更する工程と、基板Ｗの主面に対して傾斜する方向から処理液を吐出する工程とを備える。

このような構成によれば、芯ブレおよび面ブレを含むブレが生じる基板に対し、処理液を適切に吐出することができる。具体的には、基板Ｗの芯ブレおよび面ブレを考慮して、合成ブレ移動量を低減するように基板Ｗの保持位置を変更することによって、処理液ノズル１９から吐出される処理液の着液位置４５と基板Ｗの外周端４６との間の距離を一定に保つことができる。

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。

また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、ノズル移動ユニットとして、処理液ノズル１９を、円弧軌跡を描きながら移動させるスキャンタイプのものが例に挙げられたが、処理液ノズル１９を直線状に移動させる直動タイプのものが採用されていてもよい。

また、以上に記載された実施の形態では、処理液ノズル１９は、薬液およびリンス液の双方を吐出するものが例に挙げられたが、薬液を吐出するための処理液ノズル（薬液ノズル）と、リンス液を吐出するための処理液ノズル（リンス液ノズル）とが個別に設けられていてもよい。

また、以上に記載された実施の形態では、処理液ノズル１９は基板Ｗの外周領域に対して径方向外向きに傾斜して処理液を吐出するものであったが、処理液ノズル１９から処理液が基板Ｗに対して傾斜して吐出される場合であれば、処理液が吐出される箇所は外周領域である場合に限られるものではないし、また、処理液が径方向外向き以外の方向に傾斜して吐出されていてもよい。

また、以上に記載された実施の形態では、基板処理装置が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明されたが、基板Ｗは外周端の少なくとも一部が円弧状をなしていれば足り、必ずしも真円である必要はない。

以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態で記載されたそれぞれの構成要素は、ソフトウェアまたはファームウェアとしても、それと対応するハードウェアとしても想定される。ソフトウェアまたはファームウェアとして想定される場合、それぞれの構成要素は、たとえば、「モジュール」などと称される。ハードウェアとして想定される場合、それぞれの構成要素は、たとえば、「処理回路」（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）、「ユニット」などと称される。また、その双方の概念において、それぞれの構成要素は「部」などと称される。

１ 処理ユニット
４ 処理チャンバ
５ スピンチャック
６ 処理液供給ユニット
８，９，１０ 不活性ガス供給ユニット
１１ ヒーター
１６ 制御部
１９ 処理液ノズル
１９ａ 吐出口
２０ ノズルアーム
２１ アーム支持軸
２２ アーム揺動モータ
２４ 薬液配管
２５ 薬液バルブ
２６Ａ リンス液配管
２６Ｂ リンス液バルブ
２７，３１，３６ 気体吐出ノズル
２８，３２，３７ 気体配管
２９，３３，３８ 気体バルブ
３０，３４ ノズル移動機構
４２，４３ 外周領域
４５ 着液位置
４６ 外周端
４７，４７ａ ラインセンサー
４８ 反射型センサー
７１ ＣＰＵ
７２ ＲＯＭ
７３ ＲＡＭ
７４ 記憶部
７５ バス配線
７６ 入力部
７７ 表示部
１００ 基板処理装置
１０２ インデクサロボット
１０３ 主搬送ロボット
１１３ 隔壁
１１５ 排気ダクト
１１６ スピン軸
１１７ スピンベース
１１７ａ 上面
１１８ スピンモータ
２００ 処理カップ
２００ａ 上端部

Claims (3)

1. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、
   前記基板の主面に対して傾斜する方向から処理液を吐出する処理液ノズルと、
   回転する前記基板の、前記主面に沿う方向のブレを芯ブレとし、
   回転する前記基板の、前記主面と交差する方向のブレを面ブレとし、
   前記処理液の着液位置の、前記芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、前記処理液の着液位置の、前記面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を測定する、単一の測定部と、
   前記合成ブレ移動量を低減するように、前記基板保持部における前記基板の保持位置を変更する位置変更部とを備え、
   前記測定部が、前記処理液が吐出される方向に沿う光軸を有し、かつ、前記基板の外周端の位置を測定するラインセンサーであり、
   前記位置変更部が、前記基板の回転周期に合わせて周期的に変化する前記合成ブレ移動量の振幅が最大となるタイミングで、前記合成ブレ移動量の前記振幅に応じて前記基板の前記保持位置を変更する、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
   前記測定部は、前記処理液ノズルに取り付けられる、
   基板処理装置。
3. 基板を保持する工程と、
   保持された前記基板を回転させる工程と、
   回転する前記基板の、主面に沿う方向のブレを芯ブレとし、
   回転する前記基板の、前記主面と交差する方向のブレを面ブレとし、
   処理液の着液位置の、前記芯ブレに起因する移動量である芯ブレ移動量と、前記処理液の着液位置の、前記面ブレに起因する移動量である面ブレ移動量との総和である合成ブレ移動量を測定する工程と、
   前記合成ブレ移動量を低減するように、前記基板の保持位置を変更する工程と、
   前記基板の前記主面に対して傾斜する方向から前記処理液を吐出する工程とを備え、
   前記合成ブレ移動量を測定する工程が、前記処理液が吐出される方向に沿う光軸を有し、かつ、前記基板の外周端の位置を測定する単一のラインセンサーで前記合成ブレ移動量を測定する工程であり、
   前記基板の保持位置を変更する工程が、前記基板の回転周期に合わせて周期的に変化する前記合成ブレ移動量の振幅が最大となるタイミングで、前記合成ブレ移動量の前記振幅に応じて前記基板の前記保持位置を変更する工程である、
   基板処理方法。

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