JP2024051067A - 処理液除去方法、処理液除去装置、基板処理装置、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】供給された処理液を効果的に除去するための技術を提供することを目的とするものである。【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する処理液除去装置は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備え、前記処理液が前記隙間領域に供給されている間は、前記処理液を除去する工程よりも、前記第１の面と前記第２の面とを離間させる。【選択図】図７

Description

本願明細書に開示される技術は、処理液除去方法、処理液除去装置、基板処理装置、基板処理方法に関するものである。

従来より、半導体基板などの基板の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。当該処理には、当該基板を処理するための処理液が用いられる（たとえば、特許文献１を参照）。

特開２０１６－１２６２９号公報

基板を処理するために供給された処理液は、処理の後には乾燥処理によって除去されるが、一部の処理液が基板処理を行うチャンバー内に残存してしまう場合がある。

特に、処理対象である基板が固定される箇所およびその周辺などに処理液が残存した場合には、当該処理液が、後の工程において当該箇所に固定される基板を汚染してしまう可能性があるという問題があった。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、供給された処理液を効果的に除去するための技術を提供することを目的とするものである。

本願明細書に開示される技術の第１の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備え、前記処理液が前記隙間領域に供給されている間は、前記処理液を除去する工程よりも、前記第１の面と前記第２の面とを離間させる。

本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面が前記第１の面に沿う面において移動可能なノズルにおける前記第１の面に対向する前記ノズルの下面である対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、前記ノズルの前記下面を前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備える。

本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ、回転しない対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、前記第１の面と前記第２の面とを近接させ、前記第１の面に接触している状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備える。

本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１または２の態様に関連し、前記対向部は、回転しない。

本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１または２の態様に関連し、前記処理液を除去する工程では、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる。

本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１の態様に関連し、前記処理液が前記隙間領域に供給されている間前記第１の面と前記第２の面とを離間させた後、前記処理液を除去する工程において前記第１の面と前記第２の面とを近接させる。

本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第１の態様に関連し、前記処理液を除去する工程の後、前記処理液が前記隙間領域に供給されている間前記第１の面と前記第２の面とを離間させる。

本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記処理液を除去する工程では、前記隙間領域に気体を供給する。

本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第１から８のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記回転部は、あらかじめ定められた形状の基板であるダミー基板である。

本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、第１から９のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記処理液を除去する工程では、前記第２の面を加熱する。

本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１から１０のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記処理液は、前記回転部を処理するための薬液、または、前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を洗浄するための洗浄液である。

本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部と、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するための処理液供給部と、前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を、他方に対して接近または離間させるための移動部と、前記回転部の回転駆動の制御および前記移動部の前記回転部または前記対向部を接近または離間する制御を行う制御部とを備え、前記制御部は、前記処理液供給部によって前記処理液が前記隙間領域に供給されている間は、前記移動部によって前記第１の面と前記第２の面とを離間させ、かつ、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際は、前記移動部によって前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部を回転させる。

本願明細書に開示される技術の第１３の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部を有し、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するためのノズルと、前記回転部の回転駆動の制御および前記ノズルの位置を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際、前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部を回転させる。

本願明細書に開示される技術の第１４の態様は、第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ、回転しない対向部と、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するための処理液供給部と、前記回転部の回転駆動を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる。

本願明細書に開示される技術の第１５の態様は、第１２または１３の態様に関連し、前記対向部は、回転しない。

本願明細書に開示される技術の第１６の態様は、第１２、１３または１５の態様に関連し、前記制御部は、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる。

本願明細書に開示される技術の第１７の態様は、第１２から１６のうちのいずれか１つの態様に関連し、少なくとも、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際に、前記隙間領域に気体を供給する気体供給部をさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第１８の態様は、第１２から１７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記回転部は、あらかじめ定められた形状の基板であるダミー基板である。

本願明細書に開示される技術の第１９の態様は、第１２から１８のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記第２の面を加熱する加熱部をさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第２０の態様は、第１２から１９のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記処理液は、前記回転部を処理するための薬液、または、前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を洗浄するための洗浄液である。

本願明細書に開示される技術の第２１の態様は、その下面の端面を除いた領域がスピンチャックに保持された基板を回転しつつ、前記基板の上面に処理液を供給する基板処理装置において、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面に対向する対向面を有し、かつ、回転しない裏面遮断板と、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板の前記対向面との間に処理液を供給する処理液供給部と、を備え、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板の前記対向面との間に前記処理液供給部により処理液を供給した後、前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板とを近接させた状態で、当該処理液を、前記スピンチャックを回転させて前記裏面遮断板の外方に飛散させることによって、前記裏面遮断板の前記対向面を洗浄する。

本願明細書に開示される技術の第２２の態様は、スピンチャックに保持された基板を回転部で回転しつつ、前記基板の上面に処理液を供給する基板処理装置において、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記基板の前記上面に対向する対向面を有するノズル、を備え、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に前記ノズルより処理液を供給した後、前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、かつ、前記基板と前記ノズルとを近接させた状態で、当該処理液を、前記スピンチャックを回転させて前記基板の外方に飛散させることによって、前記ノズルの前記対向面を洗浄する。

本願明細書に開示される技術の第２３の態様は、基板処理方法において、その下面の端面を除いた領域がスピンチャックに保持された基板を回転しつつ、前記スピンチャックに保持された前記基板の裏面の端面と、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面に対向する回転しない裏面遮断板の対向面との間に処理液を供給する供給工程と、前記スピンチャックに保持された前記基板と前記裏面遮断板の前記対向面との間に供給された処理液を、前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板とを近接させた状態で、前記スピンチャックを回転させて前記裏面遮断板の外方に飛散させ除去し、前記裏面遮断板の前記対向面を洗浄する除去工程と、を含む。

本願明細書に開示される技術の第２４の態様は、基板処理方法において、スピンチャックに保持された基板を回転部で回転しつつ、前記スピンチャックに保持された前記基板の上面に、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記基板の前記上面に対向する対向面を有するノズルより処理液を供給する供給工程と、前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、かつ、前記基板と前記ノズルとを近接させた状態で、前記スピンチャックを回転させて前記基板の外方に飛散させ除去し、前記ノズルの前記対向面を洗浄する除去工程と、を含む。

本願明細書に開示される技術の第１から２４の態様によれば、回転部と対向部とを近接させた状態で回転部を回転させることによって、回転部の回転で生じる遠心力の直接的または間接的な寄与によって、対向部に付着している処理液を除去することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。 基板処理装置の各要素と制御部との接続関係の例を示す機能ブロック図である。 基板処理装置の動作の例を示すシーケンス図である。 図３に対応する基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。 薬液処理を行う場合の、基板と裏面遮断板とを含む構成を詳細に示す図である。 洗浄処理を行う場合の、ダミー基板と裏面遮断板とを含む構成を詳細に示す図である。 乾燥処理を行う場合の、ダミー基板と裏面遮断板とを含む構成を詳細に示す図である。 乾燥処理を行う場合の、ダミー基板と洗浄液ノズルとを含む構成を詳細に示す図である。 実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。 乾燥処理を行う場合の、基板（またはダミー基板）と表面遮断板とを含む構成を詳細に示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。

また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。

また、以下に記載される説明における、「対象物を特定の方向に移動させる」などの表現は、特に断らない限りは、対象物を当該特定の方向と平行に移動させる場合、および、対象物を当該特定の方向の成分を有する方向に移動させる場合を含むものとする。

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。

また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体に加えて、対象となる構成要素の上面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。

＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する処理液除去方法、および、処理液除去装置について説明する。

本実施の形態においては、特に、基板処理装置１００の処理液除去装置としての機能または動作などについて説明される。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。

基板処理装置１００は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、処理用の液体（すなわち、薬液、洗浄液またはリンス液を含む処理液）またはガスを用いる流体処理、紫外線などの電磁波を用いる処理、または、物理洗浄処理（たとえば、ブラシ洗浄またはスプレーノズル洗浄など）などの各種の処理（洗浄処理またはエッチング処理など）を行う。

なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置または有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、プリント基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

また、基板処理装置１００においては、たとえば、後述の処理室内を洗浄する際に、基板Ｗの代わりにダミー基板ＤＷが設置される。ここで、ダミー基板ＤＷとは、基板自体の厚さおよび形状などは既知の基板である。

ここで、基板Ｗおよびダミー基板ＤＷともに、その上面および下面は平面であるが、当該上面および当該下面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、内部空間を有する箱形の処理室５０と、処理室５０内で１枚の基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを水平姿勢で保持しつつ基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚまわりに基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを回転させるスピンチャック５１と、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面に対向して配置される裏面遮断板１７０と、裏面遮断板１７０を鉛直方向（すなわち、図１におけるＺ方向）に移動させる移動部１９０と、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの回転軸線Ｚまわりにスピンチャック５１を取り囲む筒状の処理カップ５１１とを備える。

ここで、「対向」とは、たとえば面と面とが向き合っている状態を示すものであり、向き合っている面同士の間に他の物体が介在していてもよいものとする。

処理室５０は、箱状の隔壁５０Ａによって囲まれている。隔壁５０Ａには、処理室５０内に基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを搬出入するための開口部５０Ｂが形成されている。

開口部５０Ｂは、シャッタ５０Ｃによって開閉される。シャッタ５０Ｃは、シャッタ昇降機構（ここでは、図示せず）によって、開口部５０Ｂを覆う閉位置（図１において二点鎖線で示される）と、開口部５０Ｂを開放する開位置（図１において実線で示される）との間で昇降させられる。

基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの搬出入の際には、搬送ロボットが、開口部５０Ｂを通して処理室５０内にロボットハンドを用いてアクセスする。これによって、スピンチャック５１の上面に未処理の基板Ｗを配置させたり、または、スピンチャック５１から処理済の基板Ｗを取り除いたりすることができる。

図１に例が示されるように、スピンチャック５１は、上面に水平姿勢の基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面を真空吸着する円板状のスピンベース５１Ａと、スピンベース５１Ａの中央部から下方に延びる回転軸５１Ｃと、回転軸５１Ｃを回転させることにより、スピンベース５１Ａに吸着されている基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを回転させるスピンモータ５１Ｄとを備える。

スピンベース５１Ａの上面は、たとえば、多孔質セラミックスなどからなる平面である。ただし、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを吸着可能な範囲で、スピンベース５１Ａの上面に溝または凹凸などが形成されていてもよい。

なお、スピンチャック５１は、図１に例が示された真空吸着式のチャックである場合に限られず、たとえば、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの周縁部を挟持する挟持式のチャックであってもよい。

裏面遮断板１７０は、平面視においてスピンチャック５１の周囲を取り囲むように環状に設けられている。また、裏面遮断板１７０の上面は、スピンベース５１Ａに保持されている基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面に対向する。裏面遮断板１７０の上面と、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面とは、望ましくは平行である。ここで、裏面遮断板１７０の上面と基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面とに挟まれる領域と隙間領域１８０とする。

裏面遮断板１７０の上面は平面であるが、当該上面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

また、図１においては、裏面遮断板１７０は、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷとほぼ同一の直径を有するものとされているが、裏面遮断板１７０の大きさはこれに限られるものではなく、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷよりも大きくてもよいし、逆に小さくてもよい。

また、本実施の形態では、裏面遮断板１７０は、スピンチャック５１とは独立しており、回転軸線Ｚまわりに回転しないものとするが、裏面遮断板１７０が、回転軸線Ｚを含むいずれかの軸を中心に回転可能なものであってもよい。

移動部１９０は、裏面遮断板１７０を支え、かつ、裏面遮断板１７０を鉛直方向に昇降させる。移動部１９０は、平面視においてスピンチャック５１の周囲に設けられており、図示しないモータによって、鉛直方向に昇降する。

移動部１９０の駆動によって、裏面遮断板１７０の上面は、スピンベース５１Ａに保持された基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面と接触しうる位置（上位置などと称する）と、裏面遮断板１７０の上面と基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの下面とに挟まれる隙間領域１８０が十分に広がる位置（下位置などと称する）との間で昇降する。ここで、移動部１９０の駆動は、後述の制御部によって制御される。

なお、本実施の形態においては、移動部１９０の駆動によって裏面遮断板１７０が移動し、それによって隙間領域１８０のＺ方向の幅が変動しているが、スピンベース５１Ａに保持された基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを裏面遮断板１７０に対して相対的に移動させることによって、隙間領域１８０のＺ方向の幅が変動する場合であってもよい。

図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、スピンチャック５１に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル５２と、薬液ノズル５２が先端に取り付けられている薬液アーム１５２と、薬液ノズル５２に供給される薬液を貯留する薬液タンク５３と、薬液タンク５３内の薬液を薬液ノズル５２に導く薬液配管５４と、薬液タンク５３内の薬液を薬液配管５４に送る送液装置５５（たとえば、ポンプ）と、薬液配管５４の内部を開閉する薬液バルブ５６とを備える。

薬液ノズル５２の下面（端面）は平面であるが、当該下面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

薬液アーム１５２は、回転駆動源１５２Ａと、軸体１５２Ｂと、一端が軸体１５２Ｂの上端に固定され、かつ、他端に薬液ノズル５２が取り付けられたアーム部１５２Ｃとを備える。

薬液アーム１５２は、回転駆動源１５２Ａによって軸体１５２Ｂが回転することで、アーム部１５２Ｃの先端に取り付けられた薬液ノズル５２が、スピンチャック５１に保持されている基板Ｗの上面またはダミー基板ＤＷの上面に沿って移動可能となる。すなわち、アーム部１５２Ｃの先端に取り付けられた薬液ノズル５２が、水平方向に移動可能となる。ここで、回転駆動源１５２Ａの駆動は、後述の制御部によって制御される。

さらに、基板処理装置１００は、薬液バルブ５６よりも上流側（すなわち、薬液タンク５３側）で薬液配管５４と薬液タンク５３とを接続する循環配管５７と、循環配管５７の内部を開閉する循環バルブ５８と、循環配管５７を流れる薬液の温度を調節する温度調節装置５９とを備える。

薬液バルブ５６および循環バルブ５８の開閉は、後述の制御部によって制御される。薬液タンク５３内の薬液が薬液ノズル５２に供給される場合には、薬液バルブ５６が開かれ、循環バルブ５８が閉じられる。この状態では、送液装置５５によって薬液タンク５３から薬液配管５４に送られた薬液が、薬液ノズル５２に供給される。

一方、薬液ノズル５２への薬液の供給が停止される場合には、薬液バルブ５６が閉じられ、循環バルブ５８が開かれる。この状態では、送液装置５５によって薬液タンク５３から薬液配管５４に送られた薬液が、循環配管５７を通じて薬液タンク５３内に戻る。そのため、薬液ノズル５２への薬液の供給が停止されている供給停止中は、薬液が、薬液タンク５３、薬液配管５４および循環配管５７によって構成された循環経路を循環し続ける。

温度調節装置５９は、循環配管５７内を流れる薬液の温度を調節する。したがって、薬液タンク５３内の薬液は、供給停止中に循環経路で加熱され、室温よりも高い温度に維持される。

さらに、薬液ノズル５２から微少量の薬液を吐出してプリディスペンスが行えるように、薬液バルブ５６は開度が調整可能となっている。また、薬液ノズル５２近傍には薬液回収部材（ここでは、図示せず）が配置されており、薬液ノズル５２からプリディスペンスされた薬液が回収される。

また、図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、スピンチャック５１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル６０と、リンス液ノズル６０が先端に取り付けられているリンス液アーム１６０と、リンス液供給源（ここでは、図示せず）からのリンス液をリンス液ノズル６０に供給するリンス液配管６１と、リンス液配管６１からリンス液ノズル６０へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるリンス液バルブ６２とを備える。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。

リンス液ノズル６０の下面（端面）は平面であるが、当該下面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

リンス液アーム１６０は、回転駆動源１６０Ａと、軸体１６０Ｂと、一端が軸体１６０Ｂの上端に固定され、かつ、他端にリンス液ノズル６０が取り付けられたアーム部１６０Ｃとを備える。

リンス液アーム１６０は、回転駆動源１６０Ａによって軸体１６０Ｂが回転することで、アーム部１６０Ｃの先端に取り付けられたリンス液ノズル６０が、スピンチャック５１に保持されている基板Ｗの上面またはダミー基板ＤＷの上面に沿って移動可能となる。すなわち、アーム部１６０Ｃの先端に取り付けられたリンス液ノズル６０が、水平方向に移動可能となる。ここで、回転駆動源１６０Ａの駆動は、後述の制御部によって制御される。

薬液ノズル５２によって基板Ｗに薬液が供給された後に、リンス液ノズル６０からリンス液が基板Ｗに供給されることによって、基板Ｗおよび裏面遮断板１７０に付着している薬液を洗い流すことができる。

また、図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、処理室５０の内側の所定部位（たとえばスピンベース５１Ａ）に向けて洗浄液を吐出するための洗浄液ノズル６４と、洗浄液供給源（ここでは、図示せず）からの洗浄液を洗浄液ノズル６４に供給する洗浄液配管６５と、洗浄液配管６５から洗浄液ノズル６４への洗浄液の供給および供給停止を切り換える洗浄液バルブ６６とを備える。洗浄液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。

洗浄液ノズル６４は、処理室５０の内壁に取り付けられている。スピンチャック５１に基板Ｗまたはダミー基板ＤＷが保持された状態で、スピンベース５１Ａが回転されると共に、洗浄液ノズル６４から洗浄液が吐出される。

洗浄液ノズル６４の下面（端面）は平面であるが、当該下面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

そして、洗浄液ノズル６４から吐出される洗浄液が、基板Ｗの上面またはダミー基板ＤＷの上面で跳ね返って、処理室５０内に洗浄液が飛散する。洗浄液をこのように飛散させることで、処理室５０内に配置された各種部品（裏面遮断板１７０または処理カップ５１１など）を洗浄することができる。

処理カップ５１１は、スピンチャック５１の周囲を取り囲むように設けられており、図示しないモータによって、鉛直方向に昇降する。処理カップ５１１の上部は、その上端がスピンベース５１Ａに保持された基板Ｗまたはダミー基板ＤＷよりも上側となる上位置と、当該基板Ｗまたは当該ダミー基板ＤＷよりも下側になる下位置との間で昇降する。

基板Ｗの上面またはダミー基板ＤＷの上面から外側に飛散した処理液は、処理カップ５１１の内側面に受け止められる。そして、処理カップ５１１に受け止められた処理液は、処理室５０の底部で、かつ、処理カップ５１１の内側に設けられた排液口５１３を通じて、処理室５０の外部に適宜排液される。

また、処理室５０の側部には、排気口５１５が設けられている。排気口５１５を通じて、処理室５０内の雰囲気が処理室５０外に適宜排出される。

図２は、基板処理装置１００の各要素と制御部７との接続関係の例を示す機能ブロック図である。

制御部７のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部７は、各種演算処理を行う中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）７１と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリー（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）７２と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）７３と、制御用アプリケーション（プログラム）またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部７４とを備える。

ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および記憶部７４は、バス配線７５などによって互いに接続されている。

制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体（たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど）に記録された状態で、制御部７に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線７５に接続されているとよい。

また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御部７に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線７５に接続されているとよい。

バス配線７５には、入力部７６および表示部７７が接続されている。入力部７６はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部７６を介して制御部７に各種情報を入力する。表示部７７は、液晶モニタなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。

制御部７は、それぞれの作動部（たとえば、薬液バルブ５６、循環バルブ５８、リンス液バルブ６２、洗浄液バルブ６６、移動部１９０、回転駆動源１５２Ａ、回転駆動源１６０Ａ、シャッタ５０Ｃまたはスピンモータ５１Ｄなど）に接続されており、それらの動作を制御する。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、図３から図７を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置１００の動作を説明する。

図３は、基板処理装置１００の動作の例を示すシーケンス図である。また、図４は、図３に対応する基板処理装置１００の動作の例を示すフローチャートである。

図３に例が示されるように、まず、薬液処理が行われる（図４におけるステップＳＴ１）。薬液処理では、制御部７の制御で薬液ノズル５２から薬液が吐出されることによって、基板Ｗのエッチング処理などが行われる。たとえば、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）との混合液であるフッ硝酸を用いて、基板Ｗのエッチング処理が行われる。

また、図３に例が示されるように、薬液処理においては、隙間領域１８０のＺ方向の幅が、たとえば、０．５ｍｍとなるように、制御部７の制御によって移動部１９０が裏面遮断板１７０を昇降させる。また、薬液処理においては、基板Ｗは、たとえば、２００ｒｐｍ以上、かつ、１５００ｒｐｍ以下の回転数で回転するように、制御部７の制御によってスピンモータ５１Ｄが駆動される。また、薬液処理においては、薬液が基板Ｗの下面（裏面）に回りこむことを抑制するため、裏面遮断板１７０側から隙間領域１８０内に窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスがたとえば４００ＬＰＭで供給される。ただし、不活性ガスの供給は必須ではない。また、不活性ガスの供給態様も、本実施の形態に示されたような態様に限られるものではなく、たとえば、基板Ｗの周囲または上方から隙間領域１８０内に不活性ガスを供給する態様であってもよい。

図５は、薬液処理を行う場合の、基板Ｗと裏面遮断板１７０とを含む構成を詳細に示す図である。

図５に例が示されるように、薬液処理においては、薬液ノズル５２から薬液２５２が吐出され、薬液２５２が基板Ｗの上面に均一に拡がっている。この際、隙間領域１８０のＺ方向の幅は、たとえば、０．５ｍｍとなっている。

また、裏面遮断板１７０の上面のうち、たとえば、スピンチャック５１に隣接する中央部から気体供給部（図示せず）によって窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスを基板Ｗの下面（裏面）に向かって供給することによって、基板Ｗの下面（裏面）における中央部から外縁部に向かう不活性ガスの流れが、薬液２５２の基板Ｗの下面（裏面）への回り込みを抑制する。

次に、洗浄処理が行われる（図４におけるステップＳＴ２）。洗浄処理では、まず、処理後の基板Ｗがダミー基板ＤＷに置き換えられる。そして、制御部７の制御で洗浄液ノズル６４から洗浄液２６４が吐出されることによって、裏面遮断板１７０、さらには、処理カップ５１１などにおける付着物などを洗い流すことができる（図１を参照）。

ここで、洗浄液ノズル６４からから吐出される洗浄液２６４はダミー基板ＤＷの下面（裏面）側にも回りこむため、裏面遮断板１７０にも洗浄液が供給される。

図３に例が示されるように、洗浄処理においては、裏面遮断板１７０が洗浄される。また、洗浄処理においては、隙間領域１８０のＺ方向の幅が、たとえば、３ｍｍとなるように、制御部７の制御によって移動部１９０が裏面遮断板１７０を昇降させる。また、洗浄処理においては、ダミー基板ＤＷは、たとえば、５０ｒｐｍ以上、かつ、２００ｒｐｍ以下の回転数で回転するように、制御部７の制御によってスピンモータ５１Ｄが駆動される。また、洗浄処理においては、裏面遮断板１７０側から隙間領域１８０内に窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスがたとえば４００ＬＰＭで供給される。ただし、不活性ガスの供給は必須ではない。また、不活性ガスの供給態様も、本実施の形態に示されたような態様に限られるものではなく、たとえば、基板Ｗの周囲または上方から隙間領域１８０内に不活性ガスを供給する態様であってもよい。

なお、上記の洗浄処理では、洗浄液ノズル６４から吐出される洗浄液２６４によって洗浄がなされているが、たとえば、リンス液ノズル６０からリンス液が吐出されるリンス処理において、隙間領域１８０にリンス液が供給されることによって、裏面遮断板１７０の洗浄が行われてもよい。

図６は、洗浄処理を行う場合の、ダミー基板ＤＷと裏面遮断板１７０とを含む構成を詳細に示す図である。

図６に例が示されるように、洗浄処理においては、洗浄液ノズル６４から洗浄液２６４が吐出され、洗浄液２６４がダミー基板ＤＷの上面に均一に拡がっている。

この際、隙間領域１８０のＺ方向の幅は、たとえば、３ｍｍとなっており、ダミー基板ＤＷの外縁部に達した洗浄液は、ダミー基板ＤＷの下面（裏面）側に回りこみつつ、裏面遮断板１７０へと流れる。

次に、乾燥処理が行われる（図４におけるステップＳＴ３）。乾燥処理では、制御部７の制御で、スピンベース５１Ａを回転させることによってダミー基板ＤＷおよび裏面遮断板１７０を乾燥させる。

また、図３に例が示されるように、乾燥処理においては、隙間領域１８０のＺ方向の幅が、たとえば、０．５ｍｍとなるように、制御部７の制御によって移動部１９０が裏面遮断板１７０を昇降させる。当該状態では、ダミー基板ＤＷの下面と対向する裏面遮断板１７０の上面とは近接している。また、乾燥処理においては、ダミー基板ＤＷは、たとえば、２５００ｒｐｍの回転数で回転するように、制御部７の制御によってスピンモータ５１Ｄが駆動される。また、乾燥処理においては、裏面遮断板１７０側から隙間領域１８０内に窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスがたとえば４００ＬＰＭで供給される。ただし、不活性ガスの供給は必須ではない。また、不活性ガスの供給態様も、本実施の形態に示されたような態様に限られるものではなく、たとえば、基板Ｗの周囲または上方から隙間領域１８０内に不活性ガスを供給する態様であってもよい。

図７は、乾燥処理を行う場合の、ダミー基板ＤＷと裏面遮断板１７０とを含む構成を詳細に示す図である。

図７に例が示されるように、乾燥処理においては、ダミー基板ＤＷおよび裏面遮断板１７０に付着している洗浄液２６４が、ダミー基板ＤＷの回転によって飛散する。

具体的には、ダミー基板ＤＷの上面および下面に付着している洗浄液２６４は、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力を受けて、ダミー基板ＤＷの外縁部からダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

また、ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面との双方に付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０のＺ方向の幅よりも大きい洗浄液２６４）は、ダミー基板ＤＷの下面と接触する側がダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力を受けるため、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出され、さらに、ダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

また、裏面遮断板１７０の上面のみに付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０のＺ方向の幅よりも小さい洗浄液２６４）は、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる系方向外側へ向かう雰囲気（隙間領域１８０に浮遊している微細粒子を含む）の流れによって、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出され、さらに、ダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

ダミー基板ＤＷの中央部では、ダミー基板ＤＷの下面に付着している洗浄液２６４および裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４は、主に、裏面遮断板１７０側から供給される不活性ガスによって、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出される。

一方で、ダミー基板ＤＷの外縁部では、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力の寄与が大きくなるため、裏面遮断板１７０の中央部から供給される不活性ガスの寄与が弱まることを補うことができる。

ここで、回転するダミー基板ＤＷの下面と、裏面遮断板１７０の上面とは、互いに平行であってもよい。そのような場合には、ダミー基板ＤＷの回転によって生じる遠心力（または系方向外側へ向かう雰囲気）の寄与が裏面遮断板１７０に付着している洗浄液２６４に均一にかつ効率的に伝わるため、洗浄液２６４の除去が促進される。

このようにして、ダミー基板ＤＷの回転によって、ダミー基板ＤＷおよび裏面遮断板１７０に付着している洗浄液２６４が除去される。

ここで、当該乾燥処理においてすべての洗浄液２６４が除去されることが望ましいが、必ずしもすべての洗浄液２６４が除去される場合に限られるものではない。後述のように、一部の洗浄液が残存していても、続けて薬液処理などの処理を行うことは可能である。

また、本実施の形態では、乾燥処理においてダミー基板ＤＷがスピンベース５１Ａに吸着されており、ダミー基板ＤＷの回転によって隙間領域１８０に残存している洗浄液２６４の除去が行われたが、スピンベース５１Ａに薬液処理がなされた基板Ｗが吸着されていてもよい。その場合には、基板Ｗの回転によって隙間領域１８０に残存している洗浄液２６４の除去が行われる。

ただし、ダミー基板ＤＷを用いて乾燥処理を行う場合には、ダミー基板ＤＷが薬液処理などを経ていない基板であり、また、基板Ｗに比べて反りなどの変形を生じさせにくい既知の形状の基板であることから、乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅を高い精度で制御することができる。

次に、（同一または他の基板Ｗに対する）他の薬液処理を行う必要があるか否かが判断される（図４におけるステップＳＴ４）。

そして、他の薬液処理が必要である場合、すなわち、図４に例が示されるステップＳＴ４から分岐する「ＹＥＳ」に対応する場合には、図４に例が示されるステップＳＴ１に戻る。

一方で、他の薬液処理が必要でない場合、すなわち、図４に例が示されるステップＳＴ４から分岐する「ＮＯ」に対応する場合には、動作を終了する。

ここで、図４に例が示されるステップＳＴ１に戻って他の薬液処理を行う場合、他の薬液処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅は、既に終了した乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅よりも広くすることができる。たとえば、乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅を０．３ｍｍとし、薬液処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅を０．５ｍｍとすることができる。

そのように隙間領域１８０のＺ方向の幅を制御することによって、先の乾燥処理において裏面遮断板１７０の上面に洗浄液２６４が残存していた場合であっても、残存している洗浄液２６４の粒径は、乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅よりも小さいと考えられるため、薬液処理の際に、スピンベース５１Ａに吸着される基板Ｗの下面が残存している洗浄液２６４に接触することを抑制することができる。よって、基板Ｗの汚染を抑制することができる。

＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する処理液除去方法、および、処理液除去装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。

＜基板処理装置の構成について＞
本実施の形態に関する基板処理装置１００は、第１の実施の形態に示されたものと同様の構成であるため、詳細な説明は省略する。ただし、本実施の形態においては、裏面遮断板１７０が備えられていなくてもよい。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、図８を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置１００の動作を説明する。

まず、第１の実施の形態における場合と同様に、薬液処理および洗浄処理を行う。

次に、乾燥処理が行われる。乾燥処理では、制御部７の制御で、スピンベース５１Ａを回転させることによってダミー基板ＤＷおよび洗浄液ノズル６４を乾燥させる。

図８は、乾燥処理を行う場合の、ダミー基板ＤＷと洗浄液ノズル６４とを含む構成を詳細に示す図である。

図８に例が示されるように、乾燥処理においては、ダミー基板ＤＷおよび洗浄液ノズル６４に付着している洗浄液２６４が、ダミー基板ＤＷの回転によって飛散する。この際、洗浄液ノズル６４の下面（端面）は、ダミー基板ＤＷの上面に対向する。なお、制御部７は、洗浄液ノズル６４の端面に付着している洗浄液２６４を除去する際、洗浄液ノズル６４をダミー基板ＤＷの中心よりも外縁側に位置させる。

具体的には、ダミー基板ＤＷの上面に付着している洗浄液２６４は、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力を受けて、ダミー基板ＤＷの外縁部からダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

また、ダミー基板ＤＷの上面と洗浄液ノズル６４の下面（端面）との双方に付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０ＡのＺ方向の幅よりも大きい洗浄液２６４）は、ダミー基板ＤＷの上面と接触する側がダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力を受けるため、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出され、さらに、ダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

また、洗浄液ノズル６４の下面（端面）のみに付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０ＡのＺ方向の幅よりも小さい洗浄液２６４）は、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる系方向外側へ向かう雰囲気（隙間領域１８０Ａに浮遊している微細粒子を含む）の流れによって、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出され、さらに、ダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。

特に、ダミー基板ＤＷの外縁部では、ダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力の寄与が大きくなるため、洗浄液ノズル６４をダミー基板ＤＷの外縁部に対応させて位置させれば、効果的に洗浄液２６４を除去することができる。

なお、乾燥処理における洗浄液ノズル６４の位置は、図８に例が示されたようなダミー基板ＤＷの外縁部に対応する位置に限られるものではない。

このようにして、ダミー基板ＤＷの回転によって、ダミー基板ＤＷおよび洗浄液ノズル６４の下面（端面）に付着している洗浄液２６４が除去される。

なお、本実施の形態では、乾燥処理においてダミー基板ＤＷがスピンベース５１Ａに吸着されており、ダミー基板ＤＷの回転によって隙間領域１８０Ａに残存している洗浄液２６４の除去が行われたが、スピンベース５１Ａに薬液処理がなされた基板Ｗが吸着されていてもよい。その場合には、基板Ｗの回転によって隙間領域１８０Ａに残存している洗浄液２６４の除去が行われる。または、スピンベース５１Ａに基板Ｗまたはダミー基板ＤＷが吸着されていない状態であってもよい。その場合には、スピンベース５１Ａの回転によってスピンベース５１Ａの上面と洗浄液ノズル６４の下面（端面）との間の隙間領域に残存している洗浄液２６４の除去が行われる。

ただし、ダミー基板ＤＷを用いて乾燥処理を行う場合には、ダミー基板ＤＷが薬液処理などを経ていない基板であり、また、基板Ｗに比べて反りなどの変形を生じさせにくい既知の形状の基板であることから、乾燥処理における隙間領域１８０ＡのＺ方向の幅を高い精度で制御することができる。

また、本実施の形態では、洗浄液ノズル６４の下面（端面）がダミー基板ＤＷの上面に対向する状態で乾燥処理が行われたが、他のノズル、たとえば、薬液ノズル５２またはリンス液ノズル６０の下面（端面）がダミー基板ＤＷの上面に対向する状態で、それぞれに対応する処理液が除去される乾燥処理が行われてもよい。

＜第３の実施の形態＞
本実施の形態に関する処理液除去方法、および、処理液除去装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。

本実施の形態においては、特に、基板処理装置１００Ｂの処理液除去装置としての機能または動作などについて説明される。

＜基板処理装置の構成について＞
図９は、本実施の形態に関する基板処理装置１００Ｂの構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。

基板処理装置１００Ｂは、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１００Ｂは、基板Ｗに対して、処理用の液体（すなわち、薬液、洗浄液またはリンス液を含む処理液）またはガスを用いる流体処理、紫外線などの電磁波を用いる処理、または、物理洗浄処理（たとえば、ブラシ洗浄またはスプレーノズル洗浄など）などの各種の処理（洗浄処理またはエッチング処理など）を行う。

また、基板処理装置１００Ｂにおいては、たとえば、後述の処理室内を洗浄する際に、基板Ｗの代わりにダミー基板ＤＷが設置される。

図９に例が示されるように、基板処理装置１００Ｂは、箱形の処理室５０と、スピンチャック５１と、裏面遮断板１７０と、移動部１９０と、筒状の処理カップ５１１と、基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの上面に対向して配置される表面遮断板２１０とを備える。なお、裏面遮断板１７０は、備えられていなくてもよい。

図９に例が示されるように、表面遮断板２１０の中央部には、スピンチャック５１に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル３５２と、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル３６０と、基板Ｗの上面に向けて洗浄液を吐出するための洗浄液ノズル３６４とが設けられている。

表面遮断板２１０は、基板Ｗとほぼ同等の直径を有する板部材である。ただし、表面遮断板２１０の直径は、基板Ｗの直径よりも大きくとも逆に小さくともよい。

また、表面遮断板２１０の下面は平面であるが、当該下面には溝または凹凸などが形成されていてもよい。

表面遮断板２１０は、図示しない移動部によって図９におけるＺ方向に移動可能であり、図２における制御部７の制御によって、表面遮断板２１０の下面と基板Ｗの上面との間の隙間領域１８０ＢのＺ方向の幅を調整することができる。

薬液ノズル３５２には、薬液タンク５３から薬液配管５４を介して薬液が供給される。また、薬液配管５４には、薬液タンク５３内の薬液を薬液配管５４に送る送液装置５５（たとえば、ポンプ）と、薬液配管５４の内部を開閉する薬液バルブ５６とが備えられている。

リンス液ノズル３６０には、リンス液供給源（ここでは、図示せず）からリンス液配管６１を介してリンス液が供給される。また、リンス液配管６１には、リンス液の供給および供給停止を切り換えるリンス液バルブ６２が備えられている。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。

薬液ノズル３５２によって基板Ｗに薬液が供給された後に、リンス液ノズル３６０からリンス液が基板Ｗに供給されることによって、基板Ｗおよび表面遮断板２１０に付着している薬液を洗い流すことができる。

洗浄液ノズル３６４には、洗浄液供給源（ここでは、図示せず）から洗浄液配管６５を介して洗浄液が供給される。また、洗浄液配管６５には、洗浄液の供給および供給停止を切り換える洗浄液バルブ６６が備えられている。洗浄液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、図１０を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置１００Ｂの動作を説明する。

まず、薬液処理が行われる。薬液処理では、制御部７の制御で薬液ノズル３５２から薬液が吐出されることによって、基板Ｗのエッチング処理などが行われる。たとえば、フッ化水素酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）との混合液であるフッ硝酸を用いて、基板Ｗのエッチング処理が行われる。

次に、洗浄処理が行われる。洗浄処理では、制御部７の制御で洗浄液ノズル３６４から洗浄液２６４が吐出されることによって、表面遮断板２１０などにおける付着物などを洗い流すことができる。

なお、上記の洗浄処理では、洗浄液ノズル３６４から吐出される洗浄液２６４によって洗浄がなされているが、たとえば、リンス液ノズル３６０からリンス液が吐出されるリンス処理において、隙間領域１８０Ｂにリンス液が供給されることによって、表面遮断板２１０の洗浄が行われてもよい。

次に、乾燥処理が行われる。乾燥処理では、制御部７の制御で、スピンベース５１Ａを回転させることによって基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）および表面遮断板２１０を乾燥させる。

図１０は、乾燥処理を行う場合の、基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）と表面遮断板２１０とを含む構成を詳細に示す図である。

図１０に例が示されるように、乾燥処理においては、基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）および表面遮断板２１０に付着している洗浄液２６４が、基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）の回転によって飛散する。

具体的には、基板Ｗの上面に付着している洗浄液２６４は、基板Ｗが回転することによって生じる遠心力を受けて、基板Ｗの外縁部から基板Ｗの周囲へ飛散する。

また、基板Ｗの上面と表面遮断板２１０の下面との双方に付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０ＢのＺ方向の幅よりも大きい洗浄液２６４）は、基板Ｗの上面と接触する側が基板Ｗが回転することによって生じる遠心力を受けるため、基板Ｗの外縁部へ押し出され、さらに、基板Ｗの周囲へ飛散する。

また、表面遮断板２１０の下面のみに付着している洗浄液２６４（すなわち、液滴の粒径が隙間領域１８０ＢのＺ方向の幅よりも小さい洗浄液２６４）は、基板Ｗが回転することによって生じる系方向外側へ向かう雰囲気（隙間領域１８０Ｂに浮遊している微細粒子を含む）の流れによって、基板Ｗの外縁部へ押し出され、さらに、基板Ｗの周囲へ飛散する。

このようにして、基板Ｗの回転によって、基板Ｗおよび表面遮断板２１０の下面に付着している洗浄液２６４が除去される。

なお、スピンベース５１Ａに基板Ｗまたはダミー基板ＤＷが吸着されていない状態であってもよい。その場合には、スピンベース５１Ａの回転によってスピンベース５１Ａの上面と表面遮断板２１０の下面との間の隙間領域に残存している洗浄液２６４の除去が行われる。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。

また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、処理液除去装置は、回転部と、対向部と、処理液供給部と、制御部７とを備える。ここで、回転部は、たとえば、回転可能なスピンベース５１Ａ、または、スピンベース５１Ａに吸着されているダミー基板ＤＷ（または基板Ｗ）のうちのいずれか１つに対応するものである。また、対向部は、たとえば、裏面遮断板１７０、基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）に対向する薬液ノズル５２、リンス液ノズル６０、洗浄液ノズル６４、および、表面遮断板２１０のうちのいずれか１つに対応するものである。また、処理液供給部は、たとえば、薬液ノズル５２、リンス液ノズル６０および洗浄液ノズル６４のうちのいずれか１つに対応するものである。ダミー基板ＤＷは、第１の面（下面）を有する。そして、ダミー基板ＤＷは、第１の面（下面）の法線方向を回転軸として（すなわち、回転軸線Ｚまわりに）回転可能である。裏面遮断板１７０は、第１の面に対向する第２の面（上面）を有する。洗浄液ノズル６４は、ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面との間の領域である隙間領域１８０に洗浄液２６４を供給する。制御部７は、ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させた状態でダミー基板ＤＷを回転させることによって、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去する。

このような構成によれば、回転部（ダミー基板ＤＷ）の下面と対向部（裏面遮断板１７０）の上面とを近接させた状態で回転部（ダミー基板ＤＷ）を回転させることによって、回転部（ダミー基板ＤＷ）の回転で生じる遠心力の直接的または間接的な寄与によって、対向部（裏面遮断板１７０）の上面に付着している処理液（洗浄液２６４）を除去することができる。

なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも１つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、裏面遮断板１７０は、回転しない。このような構成によれば、対向部である裏面遮断板１７０が回転せず、処理液が残存しやすい場合であっても、回転部であるダミー基板ＤＷを裏面遮断板１７０に近接させた状態で回転させることによって、ダミー基板ＤＷの回転によって生じる遠心力を、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４の除去に活用することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部７は、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４がダミー基板ＤＷの下面に接触している状態でダミー基板ＤＷを回転させる。このような構成によれば、ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面との双方に付着している洗浄液２６４が、ダミー基板ＤＷの下面と接触する側がダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力を受けて、ダミー基板ＤＷの外縁部へ押し出され、さらに、ダミー基板ＤＷの周囲へ飛散する。よって、効果的に、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、処理液除去装置は、ダミー基板ＤＷまたは裏面遮断板１７０のうちの少なくとも一方を、他方に対して接近または離間させるための移動部１９０を備える。そして、制御部７は、移動部１９０によってダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させた状態でダミー基板ＤＷを回転させる。このような構成によれば、移動部１９０によってダミー基板ＤＷと裏面遮断板１７０との間の距離を相対的に制御しつつ、これらを近接させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部７は、洗浄液ノズル６４によって洗浄液２６４が隙間領域１８０に供給されている間は、移動部１９０によってダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを離間させ、かつ、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去する際は、移動部１９０によってダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させる。このような構成によれば、隙間領域１８０に洗浄液２６４を供給する際には、できるだけ隙間領域１８０に洗浄液２６４が浸入しやすいように隙間領域１８０のＺ方向の幅を広くし、一方で、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去する際には、効果的に洗浄液２６４を除去するためにダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、対向部における第２の面は、基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）の第１の面（上面）に沿う面において移動可能なノズル（薬液ノズル５２、洗浄液ノズル６４またはリンス液ノズル６０）における基板Ｗ（またはダミー基板ＤＷ）の上面に対向する端面である。そして、制御部７は、ノズルの端面に付着している洗浄液２６４を除去する際、ノズルをダミー基板ＤＷの中心よりも外縁側に位置させる。このような構成によれば、ダミー基板ＤＷの外縁部ではダミー基板ＤＷが回転することによって生じる遠心力の寄与が大きくなるため、効果的に洗浄液２６４を除去することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、処理液除去装置は、少なくとも、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去する際に、隙間領域１８０に気体を供給する気体供給部（図示せず）を備える。このような構成によれば、ダミー基板ＤＷの回転による遠心力の寄与に加えて、供給される気体によっても洗浄液２６４が飛散するため、効果的に洗浄液２６４を除去することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、回転部は、あらかじめ定められた形状の基板であるダミー基板ＤＷである。このような構成によれば、ダミー基板ＤＷが薬液処理などを経ていない基板であり、また、基板Ｗに比べて反りなどの変形を生じさせにくい既知の形状の基板であることから、乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅を高い精度で制御することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、処理液除去装置は、裏面遮断板１７０の上面を加熱する加熱部を備える。このような構成によれば、対向部の対向面（すなわち、裏面遮断板１７０の上面、洗浄液ノズル６４の下面または表面遮断板２１０の下面）を加熱するヒーターを設けることによって、乾燥処理における対向面の乾燥を促進させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、洗浄液２６４は、ダミー基板ＤＷを処理するための薬液２５２、または、ダミー基板ＤＷまたは裏面遮断板１７０のうちの少なくとも一方を洗浄するための洗浄液２６４である。このような構成によれば、いずれの処理液であっても、回転部と対向部とを近接させる乾燥処理によって、効果的に処理液を除去することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、洗浄液２６４が隙間領域１８０に供給されている間ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを離間させた後、洗浄液２６４を除去する工程においてダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させる。このような構成によれば、隙間領域１８０に洗浄液２６４を供給する際には、できるだけ隙間領域１８０に洗浄液２６４が浸入しやすいように隙間領域１８０のＺ方向の幅を広くし、一方で、裏面遮断板１７０の上面に付着している洗浄液２６４を除去する際には、効果的に洗浄液２６４を除去するためにダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを近接させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、洗浄液２６４を除去する工程の後、薬液２５２が隙間領域１８０に供給されている間ダミー基板ＤＷの下面と裏面遮断板１７０の上面とを離間させる。このような構成によれば、先の乾燥処理において裏面遮断板１７０の上面に洗浄液２６４が残存していた場合であっても、残存している洗浄液２６４の粒径は、乾燥処理における隙間領域１８０のＺ方向の幅よりも小さいと考えられるため、次の薬液処理の際に、スピンベース５１Ａに吸着される基板Ｗの下面が残存している洗浄液２６４に接触することを抑制することができる。よって、基板Ｗの汚染を抑制することができる。

＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態において、洗浄処理および乾燥処理は、複数枚分の基板Ｗに対する薬液処理が終了した後で、まとめて行われてもよい。

また、以上に記載された実施の形態においては、洗浄処理で洗浄液が供給された後で当該洗浄液を除去するための乾燥処理に基板Ｗまたはダミー基板ＤＷの回転が用いられたが、洗浄処理以外の薬液処理またはリンス処理などの基板処理の後に適用されてもよいし、基板処理の間に適用されてもよい。

また、以上に記載された実施の形態において、回転する基板Ｗまたはダミー基板ＤＷと対向する対向部の対向面（すなわち、裏面遮断板１７０の上面、洗浄液ノズル６４の下面または表面遮断板２１０の下面）を加熱するためのヒーターが備えられていてもよい。当該ヒーターは、対向面内部に内蔵されていてもよいし、別途設けられていてもよい。また、当該ヒーターの温度制御は、たとえば、図２に示される制御部７によって行われる。

対向面を加熱するヒーターを設けることによって、乾燥処理における対向面の乾燥を促進させることができる。

以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

また、矛盾が生じない限り、以上に記載された実施の形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよいものとする。

さらに、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素は概念的な単位であって、本願明細書に開示される技術の範囲内には、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合とを含むものとする。

また、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれるものとする。

また、本願明細書における説明は、本技術に関連するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態で記載されたそれぞれの構成要素は、ソフトウェアまたはファームウェアとしても、それと対応するハードウェアとしても想定され、その双方の概念において、それぞれの構成要素は「部」または「処理回路」（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）などと称される。

７ 制御部、５０ 処理室、５０Ａ 隔壁、５０Ｂ 開口部、５０Ｃ シャッタ、５１ スピンチャック、５１Ａ スピンベース、５１Ｃ 回転軸、５１Ｄ スピンモータ、５２，３５２ 薬液ノズル、５３ 薬液タンク、５４ 薬液配管、５５ 送液装置、５６ 薬液バルブ、５７ 循環配管、５８ 循環バルブ、５９ 温度調節装置、６０，３６０ リンス液ノズル、６１ リンス液配管、６２ リンス液バルブ、６４，３６４ 洗浄液ノズル、６５ 洗浄液配管、６６ 洗浄液バルブ、７１ ＣＰＵ、７２ ＲＯＭ、７３ ＲＡＭ、７４ 記憶部、７５ バス配線、７６ 入力部、７７ 表示部、１００，１００Ｂ 基板処理装置、１５２ 薬液アーム、１５２Ａ，１６０Ａ 回転駆動源、１５２Ｂ，１６０Ｂ 軸体、１５２Ｃ，１６０Ｃ アーム部、１６０ リンス液アーム、１７０ 裏面遮断板、１８０，１８０Ａ，１８０Ｂ 隙間領域、１９０ 移動部、２１０ 表面遮断板、２５２ 薬液、２６４ 洗浄液、５１１ 処理カップ、５１３ 排液口、５１５ 排気口。

Claims (24)

1. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、
   少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、
   前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備え、
   前記処理液が前記隙間領域に供給されている間は、前記処理液を除去する工程よりも、前記第１の面と前記第２の面とを離間させる、
   処理液除去方法。
2. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、
   前記第１の面に対向する第２の面が前記第１の面に沿う面において移動可能なノズルにおける前記第１の面に対向する前記ノズルの下面である対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、
   少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、
   前記ノズルの前記下面を前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備える、
   処理液除去方法。
3. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、
   前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ、回転しない対向部とを備える処理装置を用いる処理液除去方法であり、
   少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給する工程と、
   前記第１の面と前記第２の面とを近接させ、前記第１の面に接触している状態で前記回転部が回転することによって、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する工程とを備える、
   処理液除去方法。
4. 請求項１または２に記載の処理液除去方法であり、
   前記対向部は、回転しない、
   処理液除去方法。
5. 請求項１または２に記載の処理液除去方法であり、
   前記処理液を除去する工程では、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる、
   処理液除去方法。
6. 請求項１に記載の処理液除去方法であり、
   前記処理液が前記隙間領域に供給されている間前記第１の面と前記第２の面とを離間させた後、前記処理液を除去する工程において前記第１の面と前記第２の面とを近接させる、
   処理液除去方法。
7. 請求項１に記載の処理液除去方法であり、
   前記処理液を除去する工程の後、前記処理液が前記隙間領域に供給されている間前記第１の面と前記第２の面とを離間させる、
   処理液除去方法。
8. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の処理液除去方法であり、
   前記処理液を除去する工程では、前記隙間領域に気体を供給する、
   処理液除去方法。
9. 請求項１から８のうちのいずれか１つに記載の処理液除去方法であり、
   前記回転部は、あらかじめ定められた形状の基板であるダミー基板である、
   処理液除去方法。
10. 請求項１から９のうちのいずれか１つに記載の処理液除去方法であり、
    前記処理液を除去する工程では、前記第２の面を加熱する、
    処理液除去方法。
11. 請求項１から１０のうちのいずれか１つに記載の処理液除去方法であり、
    前記処理液は、前記回転部を処理するための薬液、または、前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を洗浄するための洗浄液である、
    処理液除去方法。
12. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、
    前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部と、
    少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するための処理液供給部と、
    前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を、他方に対して接近または離間させるための移動部と、
    前記回転部の回転駆動の制御および前記移動部の前記回転部または前記対向部を接近または離間する制御を行う制御部とを備え、
    前記制御部は、前記処理液供給部によって前記処理液が前記隙間領域に供給されている間は、前記移動部によって前記第１の面と前記第２の面とを離間させ、かつ、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際は、前記移動部によって前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部を回転させる、
    処理液除去装置。
13. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、
    前記第１の面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記第１の面に対向する第２の面を有する対向部を有し、少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するためのノズルと、
    前記回転部の回転駆動の制御および前記ノズルの位置を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際、前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で前記回転部を回転させる、
    処理液除去装置。
14. 第１の面を有し、かつ、前記第１の面の法線方向を回転軸として回転可能な回転部と、
    前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ、回転しない対向部と、
    少なくとも、前記第１の面と前記第２の面との間の領域である隙間領域に処理液を供給するための処理液供給部と、
    前記回転部の回転駆動を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、前記第１の面と前記第２の面とを近接させた状態で、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる、
    処理液除去装置。
15. 請求項１２または１３に記載の処理液除去装置であり、
    前記対向部は、回転しない、
    処理液除去装置。
16. 請求項１２、１３または１５に記載の処理液除去装置であり、
    前記制御部は、前記第２の面に付着している前記処理液が前記第１の面に接触している状態で前記回転部を回転させる、
    処理液除去装置。
17. 請求項１２から１６のうちのいずれか１つに記載の処理液除去装置であり、
    少なくとも、前記第２の面に付着している前記処理液を除去する際に、前記隙間領域に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
    処理液除去装置。
18. 請求項１２から１７のうちのいずれか１つに記載の処理液除去装置であり、
    前記回転部は、あらかじめ定められた形状の基板であるダミー基板である、
    処理液除去装置。
19. 請求項１２から１８のうちのいずれか１つに記載の処理液除去装置であり、
    前記第２の面を加熱する加熱部をさらに備える、
    処理液除去装置。
20. 請求項１２から１９のうちのいずれか１つに記載の処理液除去装置であり、
    前記処理液は、前記回転部を処理するための薬液、または、前記回転部または前記対向部のうちの少なくとも一方を洗浄するための洗浄液である、
    処理液除去装置。
21. その下面の端面を除いた領域がスピンチャックに保持された基板を回転しつつ、前記基板の上面に処理液を供給する基板処理装置において、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面に対向する対向面を有し、かつ、回転しない裏面遮断板と、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板の前記対向面との間に処理液を供給する処理液供給部と、
    を備え、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板の前記対向面との間に前記処理液供給部により処理液を供給した後、
    前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板とを近接させた状態で、
    当該処理液を、前記スピンチャックを回転させて前記裏面遮断板の外方に飛散させることによって、前記裏面遮断板の前記対向面を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
22. スピンチャックに保持された基板を回転部で回転しつつ、前記基板の上面に処理液を供給する基板処理装置において、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記基板の前記上面に対向する対向面を有するノズル、
    を備え、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に前記ノズルより処理液を供給した後、
    前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、かつ、前記基板と前記ノズルとを近接させた状態で、
    当該処理液を、前記スピンチャックを回転させて前記基板の外方に飛散させることによって、前記ノズルの前記対向面を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
23. 基板処理方法において、
    その下面の端面を除いた領域がスピンチャックに保持された基板を回転しつつ、
    前記スピンチャックに保持された前記基板の裏面の端面と、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記下面の端面に対向する回転しない裏面遮断板の対向面との間に処理液を供給する供給工程と、
    前記スピンチャックに保持された前記基板と前記裏面遮断板の前記対向面との間に供給された処理液を、前記基板の前記下面の端面と前記裏面遮断板とを近接させた状態で、前記スピンチャックを回転させて前記裏面遮断板の外方に飛散させ除去し、前記裏面遮断板の前記対向面を洗浄する除去工程と、
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
24. 基板処理方法において、
    スピンチャックに保持された基板を回転部で回転しつつ、前記スピンチャックに保持された前記基板の上面に、前記スピンチャックに保持された前記基板の前記上面に沿う面において移動可能であり、かつ、前記基板の前記上面に対向する対向面を有するノズルより処理液を供給する供給工程と、
    前記ノズルを前記回転部の中心よりも外縁側に位置させ、かつ、前記基板と前記ノズルとを近接させた状態で、前記スピンチャックを回転させて前記基板の外方に飛散させ除去し、前記ノズルの前記対向面を洗浄する除去工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。

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