JP2003234280A - 基板処理ユニットおよび基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液を無駄に消費することを抑制できる基
板処理技術を提供する。 【解決手段】 基板Ｗはスピンチャック１１に略水平姿
勢にて保持される。現像液吐出ノズル３０は、ノズル駆
動部２１により基板Ｗの主面と平行に水平移動される。
現像液吐出ノズル３０は基板Ｗの直径以上の吐出幅のス
リットを有し、そのスリットに供給される現像液の流量
に応じて該スリットから吐出される処理液の幅が変化す
る。そして送給量制御部８１は、スリット３１から吐出
される現像液の幅がノズル駆動部２１によって移動され
る現像液吐出ノズル３０の直下における基板Ｗの幅と等
しくなる特定流量にて現像液を現像液吐出ノズル３０に
送給するようにマスフロコントローラ７４を制御する。
したがって、基板Ｗから無駄にこぼれ落ちる現像液量を
削減することができ、現像液を無駄に消費することを抑
制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などの
実質的に円形の薄板状基板（以下、単に「基板」と称す
る）に対して現像液等の処理液を吐出して所定の処理を
行う基板処理ユニットおよびその基板処理ユニットを組
み込んで基板にフォトリソグラフィー等の一連の処理を
行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス等の製品は、基板に対し
て洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間
絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処理を施すことに
より製造されている。これらの諸処理のうち現像処理
は、露光後のフォトレジスト膜（以下、単にレジスト膜
とする）に現像液を供給することによって進行する処理
であり、従来より図１０に示すようにして行われてい
た。

【０００３】吐出ノズル１０１は、基板Ｗの直径と同等
以上の吐出幅のスリットを備えており、そのスリットか
ら下方に向けて現像液を吐出する。吐出ノズル１０１
は、静止状態にて水平姿勢に保持された基板Ｗよりも上
方に設けられている。スリットから基板Ｗの径以上の幅
の現像液を吐出しつつ、図１０中矢印ＡＲ１０にて示す
ように吐出ノズル１０１を基板Ｗの主面と平行にかつ基
板Ｗの一端から他端まで直線的に移動させることによ
り、基板Ｗの主面に現像液が盛られて現像処理が進行す
る。

【０００４】このような現像方法（いわゆるパドル現
像）によれば、基板面内において均一な量の現像液を液
盛りすることができ、線幅が良好でしかも均一な現像処
理結果が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すように、吐出ノズル１０１が現像液を吐出しつつ
移動する範囲から基板Ｗの領域を除いた領域Ｌ１（図１
０中で斜線を付した領域）においては、吐出された現像
液が基板Ｗに供給されることなく、そのまま落下するた
め、領域Ｌ１の面積に相当する分の現像液が無駄に消費
される。

【０００６】また、近年の線幅の微細化に伴い、疎水性
の高いフォトレジスト（以下、単にレジストとする）が
多く使用されているため、吐出ノズル１０１の移動速度
を遅くする傾向にある。この場合、基板Ｗの外に供給さ
れて無駄に捨てられる現像液がさらに多くなる。

【０００７】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液を無駄に消費することを抑制できる基板
処理ユニットおよび基板処理装置を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、略円形の基板に処理液を吐出し
て所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、前記基
板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記基板の直
径以上の吐出幅のスリットを有し、前記スリットに供給
される処理液の流量に応じて前記スリットから吐出され
る処理液の幅が変化する吐出ノズルと、前記吐出ノズル
に処理液を流量可変に送給する処理液送給手段と、前記
保持手段に保持された前記基板の主面と平行に前記吐出
ノズルを移動させるノズル移動手段と、前記スリットか
ら吐出される処理液の幅が前記ノズル移動手段によって
移動される前記吐出ノズルの直下における前記基板の幅
と等しくなる特定流量にて処理液を前記吐出ノズルに送
給するように前記処理液送給手段を制御する送給量制御
手段と、を備える。

【０００９】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理ユニットにおいて、前記処理液送給手
段から前記吐出ノズルに送給される処理液の流量を計測
する流量計測手段をさらに備え、前記送給量制御手段
に、前記流量計測手段による計測結果に基づいて前記吐
出ノズルに送給される処理液の流量が前記特定流量にな
るように前記処理液送給手段を制御させている。

【００１０】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理ユニットにおいて、前記流量計測手段
による計測結果と前記特定流量との差が所定の閾値以上
である場合に警告を発する警告発生手段をさらに備え
る。

【００１１】また、請求項４の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理ユニットにおいて、前記流量計測手段
による計測結果と前記特定流量との差が所定の閾値以上
である場合に、前記処理液送給手段に前記吐出ノズルへ
の処理液の送給を停止させる送給停止手段をさらに備え
る。

【００１２】また、請求項５の発明は、請求項１から請
求項４のいずれかの発明にかかる基板処理ユニットにお
いて、前記処理液をフォトレジスト膜の現像液としてい
る。

【００１３】また、請求項６の発明は、基板に複数工程
からなる一連の処理を行う基板処理装置において、基板
にフォトレジストを塗布して基板主面にフォトレジスト
膜を形成する塗布処理ユニットと、請求項５の発明にか
かる基板処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユ
ニットと、前記各ユニット間にて基板を搬送する搬送手
段と、を備える。

【００１４】また、請求項７の発明は、請求項６の発明
にかかる基板処理装置において、前記搬送手段に未処理
基板を渡すとともに前記搬送手段から処理済基板を受け
取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと前記搬送
手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備える。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１６】＜１．基板処理装置全体の構成および処理
概要＞図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成
を示す平面図である。なお、図１および以降の各図には
それらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方
向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交
座標系を付している。

【００１７】この基板処理装置１は、略円形の基板にレ
ジスト塗布処理や現像処理を行う装置であって、基板の
搬出入を行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数
の処理ユニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理
部群ＰＧ２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）と
の基板の受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、搬送
ロボットＴＲとを備えている。

【００１８】インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可
能なキャリア（図示省略）を載置するとともに移載ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴ
Ｒから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリア
の形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ(open case
tte)であっても良いし、基板を密閉空間に収納するＦＯ
ＵＰ(front opening unified pod)や、ＳＭＩＦ(Standa
rd Mechanical Inter Face)ポッドであっても良い。本
実施形態では、キャリアに２５枚の基板を収納している
ものとする。

【００１９】インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴ
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、該露光装置から露光済の基板を
受け取って搬送ロボットＴＲに渡す機能を有する。ま
た、インターフェイスＩＦは、露光装置との受け渡しタ
イミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的に
ストックするバッファ機能を有し、図示を省略している
が、搬送ロボットＴＲとの間で基板を受け渡すロボット
と、基板を載置するバッファカセットとを備えている。

【００２０】基板処理装置１は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニットを備えており、そのうちの一部が
第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処理部群ＰＧ
２を構成する。図２は、第１処理部群ＰＧ１および第２
処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１処理部群Ｐ
Ｇ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニットＳＣ１，
ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数の熱処理ユ
ニットを配置して構成されている。なお、図２において
は、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置している
が、実際にはこれらは高さ方向（Ｚ軸方向）に積層され
ているものである。

【００２１】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２は、基板
主面にレジストを供給し、基板を回転させることによっ
て均一なレジスト塗布を行い、基板主面にレジスト膜を
形成するいわゆるスピンコータである。塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２の上方には３段に積層された熱処理ユ
ニットが３列設けられている。すなわち、下から順に冷
却ユニットＣＰ１、密着強化ユニットＡＨ（密着強化処
理部）、加熱ユニットＨＰ１が積層された列と、冷却ユ
ニットＣＰ２、加熱ユニットＨＰ２、加熱ユニットＨＰ
３が積層された列と、冷却ユニットＣＰ３、加熱ユニッ
トＨＰ４、加熱ユニットＨＰ５が積層された列とが設け
られている。

【００２２】同様に、第２処理部群ＰＧ２は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上にレジス
ト膜の現像液を供給することによって現像処理を行う、
いわゆるスピンデベロッパである。なお、現像処理ユニ
ットＳＤ１，ＳＤ２の構成の詳細についてはさらに後述
する。

【００２３】現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に
は３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられてい
る。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ４、露光後
ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６が積層され
た列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニットＨＰ７、加
熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユニットＣＰ
６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ１０が積層
された列とが設けられている。

【００２４】加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の
温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に
維持する、いわゆるクールプレートである。

【００２５】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行う処理ユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニッ
ト）を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ
２の如き基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理
ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユ
ニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットと
する。

【００２６】なお、熱処理ユニットの直下には、液処理
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットＴＲが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。

【００２７】また、基板処理装置１の内部にはコントロ
ーラＣＲが設けられている。コントローラＣＲは、メモ
リやＣＰＵ等からなるコンピュータを用いて構成されて
いる。コントローラＣＲは、基板処理装置１全体の制御
を行う制御部であり、所定の処理プログラムにしたがっ
て搬送ロボットＴＲの搬送動作を制御するとともに、各
処理ユニットに指示を与えて処理条件を設定する。

【００２８】図３は、搬送ロボットＴＲの外観斜視図で
ある。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に搬送ア
ーム４１ａ，４１ｂを備えたアームステージ４５を設け
るとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多
段入れ子構造を実現している。

【００２９】伸縮体４０は、上から順に４つの分割体４
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されてい
る。分割体４０ａは分割体４０ｂに収容可能であり、分
割体４０ｂは分割体４０ｃに収容可能であり、分割体４
０ｃは分割体４０ｄに収容可能である。そして、分割体
４０ａ〜４０ｄを順次に収納していくことによって伸縮
体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜４０ｄを順次に引
き出していくことによって伸縮体４０は伸張する。すな
わち、伸縮体４０の収縮時においては、分割体４０ａが
分割体４０ｂに収容され、分割体４０ｂが分割体４０ｃ
に収容され、分割体４０ｃが分割体４０ｄに収容され
る。一方、伸縮体４０の伸張時においては、分割体４０
ａが分割体４０ｂから引き出され、分割体４０ｂが分割
体４０ｃから引き出され、分割体４０ｃが分割体４０ｄ
から引き出される。

【００３０】伸縮体４０の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットＴＲは、このような伸縮昇降機構
によって搬送アーム４１ａ，４１ｂの昇降動作を行うこ
とができる。

【００３１】また、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム４
１ａ，４１ｂの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体４０ａの上部にアームス
テージ４５が設けられており、そのアームステージ４５
によって搬送アーム４１ａ，４１ｂの水平進退移動およ
び回転動作を行う。すなわち、アームステージ４５が搬
送アーム４１ａ，４１ｂのそれぞれのアームセグメント
を屈伸させることにより搬送アーム４１ａ，４１ｂが水
平進退移動を行い、アームステージ４５自体が伸縮体４
０に対して回転動作を行うことにより搬送アーム４１
ａ，４１ｂが回転動作を行う。

【００３２】従って、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム
４１ａ，４１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム４１
ａ，４１ｂを３次元的に移動させることができる。そし
て、基板Ｗを保持した搬送アーム４１ａ，４１ｂが３次
元的に移動して複数の処理ユニットとの間で基板Ｗの受
け渡しを行うことによりそれら複数の処理ユニットに対
して基板Ｗを搬送して当該基板Ｗに種々の処理を行わせ
ることができる。

【００３３】次に、上記の基板処理装置１における基板
処理の手順について簡単に説明する。図４は、基板処理
装置１における基板処理の手順の一例を示す図である。
まず、インデクサＩＤから搬送ロボットＴＲに払い出さ
れた未処理の基板Ｗは、密着強化ユニットＡＨに搬入さ
れる。密着強化ユニットＡＨは、基板Ｗに加熱処理を行
って基板Ｗとレジストとの密着性を向上させる密着強化
処理部であり、より正確には加熱した状態の基板Ｗにベ
ーパ状にしたＨＭＤＳ（Hexa Methyl Di Silazan）を吹
き付けることによって密着性を強化する。次に、搬送ロ
ボットＴＲは、密着強化処理の終了した基板Ｗを密着強
化ユニットＡＨから冷却ユニットＣＰ１に搬送する。冷
却ユニットＣＰ１は、密着強化ユニットＡＨにて加熱処
理が行われた基板Ｗの冷却処理を行うクールプレートで
ある。

【００３４】冷却処理の終了した基板Ｗは、搬送ロボッ
トＴＲによって冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニッ
トＳＣ１へと搬送される。塗布処理ユニットＳＣ１は、
基板Ｗの主面にレジストを供給し、基板Ｗを回転させて
レジスト塗布処理を行う。供給されたレジストは遠心力
によって基板Ｗの主面全体に拡がり、レジスト膜を形成
する。

【００３５】次に、レジスト塗布処理の終了した基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって塗布処理ユニットＳＣ１
から加熱ユニットＨＰ１へと搬送される。加熱ユニット
ＨＰ１は、塗布処理ユニットＳＣ１にてレジスト塗布が
行われた基板Ｗの加熱処理を行うホットプレートであ
る。この加熱処理は「プリベーク」と称される熱処理で
あり、基板Ｗに塗布されたレジスト中の余分な溶媒成分
を蒸発させ、レジストと基板Ｗとの密着性を強固にして
安定した感度のレジスト膜を形成する処理である。

【００３６】プリベークの終了した基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲによって加熱ユニットＨＰ１から冷却ユニット
ＣＰ２へと搬送される。冷却ユニットＣＰ２は、プリベ
ーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。

【００３７】冷却処理終了後、搬送ロボットＴＲは、冷
却ユニットＣＰ２からインターフェイスＩＦに基板Ｗを
搬送する。インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴＲ
から受け取ったレジスト膜が形成された基板Ｗを露光装
置（ステッパ）に渡す。露光装置はその基板Ｗに露光処
理を行う。露光処理後の基板Ｗは露光装置から再びイン
ターフェイスＩＦに戻される。

【００３８】インターフェイスＩＦに戻された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって露光後ベークユニットＰ
ＥＢに搬送される。露光後ベークユニットＰＥＢは、光
化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内で均一に
拡散させる熱処理（露光後ベーク）を行う。この熱処理
によって露光部と未露光部との境界におけるレジストの
波打ちが解消され、良好なパターンが形成される。

【００３９】露光後ベークの終了した基板Ｗは、搬送ロ
ボットＴＲによって露光後ベークユニットＰＥＢから冷
却ユニットＣＰ３へと搬送される。冷却ユニットＣＰ３
は、露光後ベーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。その
後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって冷却ユニットＣ
Ｐ３から現像処理ユニットＳＤ１へと搬送される。現像
処理ユニットＳＤ１は、露光後の基板Ｗの現像処理を行
う。

【００４０】現像後の基板Ｗは、搬送ロボットＴＲによ
って現像処理ユニットＳＤ１から加熱ユニットＨＰ２へ
と搬送される。加熱ユニットＨＰ２は、現像後の基板Ｗ
の加熱を行う。さらにその後、基板Ｗは搬送ロボットＴ
Ｒによって加熱ユニットＨＰ２から冷却ユニットＣＰ４
へと搬送され、冷却される。

【００４１】冷却ユニットＣＰ４にて冷却された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによってインデクサＩＤに戻さ
れ、キャリアに収納される。

【００４２】以上のように、図４に示した手順にしたが
って搬送ロボットＴＲが基板Ｗを搬送することにより、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理からなる一連の処理が基板Ｗに行われる。なお、図
４において塗布処理ユニットＳＣ１の代わりに、それと
同等の機能を有する塗布処理ユニットＳＣ２を使用する
ようにしても良いし、塗布処理ユニットＳＣ１または塗
布処理ユニットＳＣ２のいずれか空いている方に基板Ｗ
を搬入するといういわゆる並列処理を行うようにしても
良い。このことは、現像処理ユニットＳＤ１、加熱ユニ
ットＨＰ１、冷却ユニットＣＰ１等の同等の機能を有す
る他の処理ユニットが存在するものについて同様であ
る。

【００４３】＜２．現像処理ユニットの構成＞以上、基
板処理装置１の全体構成および基板処理装置１における
処理手順の概略について説明したが、次に基板処理装置
１に備えられた現像処理ユニットＳＤ１についてさらに
説明を続ける。なお、以下は現像処理ユニットＳＤ１に
ついての説明であるが、現像処理ユニットＳＤ２につい
ても同様である。

【００４４】図５は、本発明に係る基板処理ユニットで
ある現像処理ユニットＳＤ１の要部概略構成を示す図で
ある。現像処理ユニットＳＤ１は、露光後の基板Ｗ上に
現像液を供給することによって現像処理を行うユニット
であり、後述する構成によって現像液吐出処理、リンス
液吐出処理、スピンドライ処理などを行うことが可能で
ある。

【００４５】現像処理ユニットＳＤ１は、略円形の基板
Ｗを回転させるためのスピンモータ１５と、基板Ｗに現
像液を吐出する現像液吐出ノズル３０と、現像液吐出ノ
ズル３０に現像液を送給する現像液送給機構７０と、現
像終点時に基板Ｗにリンス液（本実施形態では純水）を
吐出するリンス液吐出ノズル６５と、リンス液吐出ノズ
ル６５にリンス液を送給するリンス液送給機構５０と、
ユニットに備えられた各機構の動作を制御する制御部８
０とを主として備えている。

【００４６】基板Ｗはスピンチャック１１によって水平
姿勢に保持されている。スピンチャック１１は、基板Ｗ
の裏面を真空吸着することによって基板Ｗを保持するい
わゆるバキュームチャックである。なお、スピンチャッ
ク１１には、基板Ｗの端縁部を機械的に把持するいわゆ
るメカチャックを採用するようにしても良い。

【００４７】スピンチャック１１の下面側中央部にはス
ピンモータ１５のモータ軸１２が垂設されている。スピ
ンモータ１５が駆動してモータ軸１２を正または逆方向
に回転させることにより、スピンチャック１１およびそ
れに保持された基板Ｗも水平面内にて回転する。

【００４８】現像処理ユニットＳＤ１には回転する基板
Ｗから飛散する現像液やリンス液を受け止めて回収する
カップ１０が設けられている。カップ１０はスピンチャ
ック１１に対して相対的に昇降自在とされており、基板
Ｗに現像処理を行うときには図５に示す如くスピンチャ
ック１１に保持された基板Ｗの周囲にカップ１０が位置
する。この状態においては、回転する基板Ｗから飛散す
るリンス液等がカップ１０の内壁面によって受け止めら
れ、下方の排出口（図示省略）へと導かれる。また、搬
送ロボットＴＲが現像処理ユニットＳＤ１に対して基板
Ｗの搬出入を行うときには、カップ１０の上端よりもス
ピンチャック１１が突き出た状態となる。

【００４９】現像液吐出ノズル３０は、基板Ｗの直径と
同等以上の現像液吐出幅のスリットを有するスリットノ
ズルである。図６は現像液吐出ノズル３０を下側から見
た図であり、図７は現像液吐出ノズル３０の正面断面図
である。現像液吐出ノズル３０には下方（スピンチャッ
ク１１に保持された基板Ｗ側）に開口されたスリット３
１が設けられている。スリット３１の現像液吐出幅Ｗ１
は基板Ｗの直径以上であればよく、本実施形態では現像
液吐出幅Ｗ１を基板Ｗの直径と等しくしている。

【００５０】スリット３１の上部は後述する現像液送給
機構７０の送給配管７１と連通接続されている。送給配
管７１から送られた現像液はスリット３１に流れ込んで
その下部開口部から下方に向けて帯状に吐出される。こ
こで、送給配管７１からスリット３１に供給される現像
液の流量に応じてスリット３１から帯状に吐出される現
像液の幅が変化する。例えば、図７に示すように、送給
配管７１からスリット３１に供給される現像液の流量が
少ないときにはスリット３１から帯状に吐出される現像
液の幅がＷ２（Ｗ１＞Ｗ２）程度となるのに対して、流
量が所定値（後述の流量Ｆ１）より多いときにはスリッ
ト３１から帯状に吐出される現像液の幅がスリット３１
自体の現像液吐出幅Ｗ１と等しくなる。

【００５１】また、現像液吐出ノズル３０には、光セン
サ３５が付設されている。光センサ３５は光を出射する
とともに、その光が基板Ｗによって反射された反射光を
受光することによって現像液吐出ノズル３０直下の基板
Ｗの長さ（現像液吐出ノズル３０が横切る基板Ｗの幅）
を測長することができる。

【００５２】現像液吐出ノズル３０は、水平アーム２６
に移動自在に保持されるとともに、水平アーム２６内部
に設けられたタイミングベルト２５に連結されている。
タイミングベルト２５は主動プーリ２３、従動プーリ２
４によって回走可能に保持されている。主動プーリ２３
はノズル駆動部２１内部に設けられたモータ２２に連結
されており、モータ２２の正または逆回転によってタイ
ミングベルト２５は主動プーリ２３と従動プーリ２４と
の間で循環回走され、現像液吐出ノズル３０が移動す
る。すなわち、モータ２２、主動プーリ２３、従動プー
リ２４およびタイミングベルト２５はいわゆるベルト送
り機構を構成しており、該ベルト送り機構によって現像
液吐出ノズル３０はスピンチャック１１に保持された基
板Ｗの主面と平行に直線的に水平移動される。なお、現
像液吐出ノズル３０を移動させる機構としては、ベルト
送り機構に限定されず、例えばボールネジを利用したネ
ジ送り機構などの公知の直線移動機構が適用可能であ
る。

【００５３】また、従動プーリ２４はエンコーダ２７に
接続されており、エンコーダ２７がパルス数を測定する
ことにより、従動プーリ２４の回転数が検出される。す
なわち、基板Ｗ上方における現像液吐出ノズル３０の位
置は、エンコーダ２７によって検出することができる。
なお、現像液吐出ノズル３０の位置検出手段もエンコー
ダ２７に限定されるものではなく、例えば水平アーム２
６にノズル通過検出センサを設けるようにしてもよく、
その他基板Ｗ上方における現像液吐出ノズル３０の位置
を検出できる手段であれば適用可能である。

【００５４】現像液吐出ノズル３０は、水平アーム２６
およびノズル駆動部２１とともにノズル昇降部２０によ
って昇降される。ノズル昇降部２０は、その内部にエア
シリンダを備えており、そのエアシリンダの動作によっ
て現像液吐出ノズル３０を昇降させている。これによ
り、現像液吐出ノズル３０は、現像液を吐出するとき以
外は上方に待避することができる。なお、現像液吐出ノ
ズル３０の昇降は、エアシリンダに限らず、アクチェー
タ等により行ってもよい。

【００５５】また、現像液吐出ノズル３０には現像液送
給機構７０から現像液が送給されるように構成されてい
る。現像液送給機構７０は、送給配管７１、加圧配管７
２、流量計７３、マスフロコントローラ７４、バッファ
タンク７５および加圧ポンプ７６を備える。バッファタ
ンク７５は気密性の容器であって、その内部に現像液を
貯留する。加圧配管７２の基端部は基板処理装置１外部
の窒素ガス供給源（例えば、工場の窒素ガス配管等）と
接続され、先端部はバッファタンク７５の内部であって
現像液の液面よりも上方の空間と連通接続されている。
加圧配管７２の途中には加圧ポンプ７６が設けられてい
る。加圧ポンプ７６はバッファタンク７５に窒素ガスを
送ってその内部を加圧することができる。

【００５６】一方、送給配管７１の基端部はバッファタ
ンク７５の内部であって現像液の液中に連通され、先端
部は現像液吐出ノズル３０のスリット３１に連通接続さ
れている（図７参照）。送給配管７１の途中には流量計
７３およびマスフロコントローラ７４が設けられてい
る。マスフロコントローラ７４は、送給配管７１を流れ
る現像液の流量を指定された所定量に可変に調整する機
能を有する。流量計７３は、送給配管７１を流れる現像
液の流量を計測する。

【００５７】加圧ポンプ７６からの窒素ガス圧力によっ
てバッファタンク７５内部の現像液液面が加圧される
と、送給配管７１内に現像液が流れ込む。このときに、
マスフロコントローラ７４によって送給配管７１を流れ
る現像液の流量が調整されるとともに、その流量が流量
計７３によって計測される。所定の流量に調整された現
像液の液流は送給配管７１から現像液吐出ノズル３０の
スリット３１に流れ込み、スリット３１から基板Ｗに向
けて帯状に吐出される。本実施形態では、スリット３１
から帯状に吐出される現像液の幅が現像液吐出ノズル３
０の直下における基板Ｗの幅と等しくなるような流量に
て現像液吐出ノズル３０に現像液が送給されるのである
が、これについては後に詳述する。

【００５８】リンス液吐出ノズル６５は、リンス液送給
機構５０からリンス液（純水）の供給を受けて、現像終
点時の基板Ｗにリンス液を吐出し、現像処理を停止させ
る機能を有する。また、リンス液吐出ノズル６５はノズ
ル回動モータ６０によって回動動作が可能に構成される
とともに、上記ノズル昇降部２０と同様の構成を有する
リンス液吐出ノズル昇降部６１による昇降動作も可能で
ある。これにより、リンス液吐出ノズル６５は、リンス
液吐出時以外は、基板Ｗの上方より待避して現像液吐出
ノズル３０と干渉するのを回避している。

【００５９】また、制御部８０は、ＣＰＵやメモリ等を
備えるコンピュータを用いて構成され、現像処理ユニッ
トＳＤ１の制御を行う。上記の各動作機構、すなわちマ
スフロコントローラ７４、加圧ポンプ７６、ノズル昇降
部２０、ノズル駆動部２１、リンス液送給機構５０、リ
ンス液吐出ノズル昇降部６１、ノズル回動モータ６０お
よびスピンモータ１５は、制御部８０に電気的に接続さ
れ、制御部８０はそれらの動作を制御して現像液吐出処
理、リンス液吐出処理、スピンドライ処理などの一連の
処理を順次に行わせる。さらに、制御部８０はエンコー
ダ２７、流量計７３および光センサ３５にも電気的に接
続されており、エンコーダ２７が検出した現像液吐出ノ
ズル３０の位置情報、流量計７３が検出した送給配管７
１を流れる現像液流量および光センサ３５が検出した現
像液吐出ノズル３０直下の基板Ｗの長さは制御部８０に
伝達される。

【００６０】制御部８０には、特に送給量制御部８１お
よび送給停止部８２が設けられている。これらは制御部
８０のＣＰＵが処理用ソフトウェアを実行することによ
って実現される処理部である。送給量制御部８１は、エ
ンコーダ２７が検出した現像液吐出ノズル３０の位置情
報に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現像液の
流量を決定し、その特定流量にて現像液を現像液吐出ノ
ズル３０に送給するようにマスフロコントローラ７４を
制御する。また、送給停止部８２は、流量計７３による
計測結果と上記の特定流量との差が所定の閾値以上であ
る場合に、マスフロコントローラ７４に指示して現像液
吐出ノズル３０への現像液の送給を停止させる。

【００６１】さらに、制御部８０には表示部９０が接続
されている。表示部９０としては基板処理装置１の操作
用パネル等と兼用すれば良い。表示部９０は、制御部８
０からの指示に従って、流量計７３による計測結果と上
記の特定流量との差が所定の閾値以上である場合に警告
メッセージを発する。なお、警告を発する警告発生手段
としては表示部９０に限定されるものではなく、警告灯
やブザー等であっても良い。

【００６２】＜３．現像処理ユニットの動作＞次に、上
記の構成を有する現像処理ユニットＳＤ１の動作につい
て説明する。現像処理ユニットＳＤ１の動作の概略は、
まず搬送ロボットＴＲによって搬入された露光後（厳密
には露光後ベーク後）の基板Ｗをスピンチャック１１が
水平姿勢にて静止状態で吸着保持した後、現像液吐出ノ
ズル３０が水平移動しつつ現像液を吐出して静止状態の
基板Ｗ上に現像液の液盛りを行う。その後、現像処理が
進行し、所定の現像時間が経過した時点でリンス液吐出
ノズル６５から基板Ｗにリンス液の吐出を行って現像処
理を停止する。そして、スピンモータ１５が基板Ｗを回
転させることによってスピンドライ処理が行われた後、
再び搬送ロボットＴＲによって現像後の基板Ｗが搬出さ
れて一連の現像処理が終了する。

【００６３】ここで、本実施形態では現像液の液盛りを
行うときに、現像液吐出ノズル３０の位置に応じて現像
液吐出ノズル３０に送給する現像液の流量を変化させて
いる。具体的には、まず予め実験によって現像液吐出ノ
ズル３０に送給する現像液の流量と現像液吐出ノズル３
０のスリット３１から帯状に吐出される現像液の幅との
相関関係を求めておく。図８は、現像液吐出ノズル３０
に送給する現像液の流量と帯状に吐出される現像液の幅
との相関関係の一例を示す図である。このような相関関
係はスリット３１の形状等によって当然に異なるもので
はあるが、基本的には現像液吐出ノズル３０に送給する
現像液の流量が多くなるにしたがって、スリット３１か
ら帯状に吐出される現像液の幅が大きくなる。但し、吐
出される現像液の幅がスリット３１の現像液吐出幅Ｗ１
より大きくなることはあり得ず、現像液吐出ノズル３０
に送給する現像液の流量がＦ１以上のときは、吐出され
る現像液の幅は常にＷ１となる。

【００６４】図８に示す如き相関関係を実験的に求めた
後、現像液吐出ノズル３０の位置に対する現像液流量の
変化曲線を決定する。すなわち、基板Ｗは円形であるた
め、現像液吐出ノズル３０の位置に応じて現像液吐出ノ
ズル３０直下における基板Ｗの幅が異なり、スリット３
１から帯状に吐出される現像液の幅と現像液吐出ノズル
３０直下における基板Ｗの幅とが等しくなるような現像
液流量の変化曲線を決定する。図９はそのような現像液
流量の変化曲線の一例を示す図である。

【００６５】ここでは、スピンチャック４１に保持され
た基板Ｗの一端の直上を位置Ｐ１とし、中心の直上を位
置Ｐ２とし、他端の直上を位置Ｐ３とする（図５参
照）。また、現像液吐出ノズル３０は図５の紙面左から
右へと移動しつつ現像液を吐出するものとする。現像液
吐出ノズル３０が位置Ｐ１よりも手前にあるときには、
現像液吐出ノズル３０直下における基板Ｗの幅は”０”
であるため、現像液吐出ノズル３０への現像液の送給は
行わない。現像液吐出ノズル３０が位置Ｐ１を通過して
位置Ｐ２に至るまでは、現像液吐出ノズル３０直下にお
ける基板Ｗの幅が徐々に大きくなるため、その幅と帯状
に吐出される現像液の幅とが等しくなるように図８の相
関関係に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現像
液の流量も徐々に多くする。そして、現像液吐出ノズル
３０が位置Ｐ２に到達した時点では、現像液吐出ノズル
３０直下における基板Ｗの幅は最大となり、つまり基板
Ｗの直径となる。本実施形態では、スリット３１の現像
液吐出幅Ｗ１を基板Ｗの直径と等しくしているため、現
像液吐出ノズル３０直下における基板Ｗの幅と吐出され
る現像液の幅とを等しくするためには帯状に吐出される
現像液の幅がスリット３１の現像液吐出幅Ｗ１になるよ
うにすれば良く、現像液吐出ノズル３０に送給する現像
液の流量をＦ１とする。

【００６６】現像液吐出ノズル３０が位置Ｐ２を通過し
て位置Ｐ３に至るまでは、現像液吐出ノズル３０直下に
おける基板Ｗの幅が徐々に小さくなるため、その幅と帯
状に吐出される現像液の幅とが等しくなるように図８の
相関関係に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現
像液の流量も徐々に少なくする。そして、現像液吐出ノ
ズル３０が位置Ｐ３を超えたときには、現像液吐出ノズ
ル３０直下における基板Ｗの幅が”０”であるため、現
像液吐出ノズル３０への現像液の送給は行わない。

【００６７】以上のような内容に沿って決定された現像
液流量の変化曲線が図９であり、制御部８０にはこれを
ルックアップテーブルとして記憶させる。そして、制御
部８０の送給量制御部８１は、図９に示す如き現像液流
量の変化曲線に従い、エンコーダ２７が検出した現像液
吐出ノズル３０の位置情報に基づいて現像液吐出ノズル
３０に送給する現像液の流量を決定し、その決定された
設定値にて現像液を現像液吐出ノズル３０に送給するよ
うにマスフロコントローラ７４を制御する。すなわち送
給量制御部８１は、スリット３１から吐出される現像液
の幅がノズル駆動部２１によって移動される現像液吐出
ノズル３０の直下における基板Ｗの幅と等しくなる特定
流量にて現像液を現像液吐出ノズル３０に送給するよう
にマスフロコントローラ７４を制御する。

【００６８】このようにすれば、現像液吐出ノズル３０
からは常にその直下における基板Ｗの幅に等しい幅の帯
状にて現像液が吐出されることとなるため、基板Ｗから
無駄にこぼれ落ちる現像液量を削減することができ、現
像液を無駄に消費することを抑制することができる。ま
た、線幅が良好でしかも均一な現像処理結果が得られる
というパドル現像の長所はそのまま残すことができる。

【００６９】また、送給量制御部８１は図９に示す現像
液流量の変化曲線から現像液吐出ノズル３０に送給する
現像液の流量の設定値を決定するのであるが、送給配管
７１には流量計７３が設けられており、実際に送給配管
７１を流れて現像液吐出ノズル３０に送給される現像液
流量を計測されて送給量制御部８１に伝達される。送給
量制御部８１は、流量計７３による計測結果（つまり実
際の現像液流量）と上記の特定流量（つまり現像液流量
の設定値）との差が所定の閾値未満である場合には、流
量計７３による計測結果に基づいて実際の現像液流量が
上記特定流量に近づくようにマスフロコントローラ７４
をフィードバック制御する。

【００７０】装置間およびユニット間にて現像液の配管
長や曲がり具合にある程度の微妙な差異（公差）がある
ため、現像液流量の変化曲線を図９に示すように同じも
のとしても、現像液吐出ノズル３０に送給される実際の
現像液流量は現像処理ユニットごとに微妙に異なる。そ
こで、送給量制御部８１が流量計７３による計測結果に
基づいて実際の現像液流量が上記特定流量に近づくよう
にマスフロコントローラ７４をフィードバック制御すれ
ば、配管長等の微妙な差異に関わらず、現像液吐出ノズ
ル３０に送給される実際の現像液流量を上記特定流量に
調整することができるため、無駄に消費される現像液を
最小限にまで低減しつつ基板Ｗの主面全体に確実に現像
液の液盛りを行うことができる。

【００７１】一方、流量計７３による計測結果と上記特
定流量との差が所定の閾値以上である場合には、制御部
８０から表示部９０にその旨が伝達され、表示部９０が
警告メッセージを発する。基板処理装置１のオペレータ
は表示部９０からの警告によって現像液吐出ノズル３０
に送給されている現像液流量が異常であることを認識す
ることができる。

【００７２】＜４．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態においてはマスフ
ロコントローラ７４によって現像液吐出ノズル３０に送
給する現像液の流量を調整していたが、マスフロコント
ローラ７４に代えて加圧ポンプ７６に圧力コントローラ
を付加し、その圧力コントローラを送給量制御部８１が
制御してバッファタンク７５内を加圧する窒素ガス圧力
を変化させることによって現像液吐出ノズル３０に送給
する現像液の流量を調整するようにしても良い。すなわ
ち、現像液吐出ノズル３０に現像液を流量可変に送給す
る種々の機構を採用することができ、その機構を送給量
制御部８１が制御するようにすれば良い。

【００７３】また、上記実施形態においては送給量制御
部８１が図９に示す如き現像液流量の変化曲線に従い、
エンコーダ２７が検出した現像液吐出ノズル３０の位置
情報に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現像液
の流量を決定していたが、現像液吐出ノズル３０の移動
時間に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現像液
の流量を決定するようにしても良い。ノズル駆動部２１
が現像液吐出ノズル３０を等速にて移動させる場合に
は、現像液吐出ノズル３０の移動時間をそのまま位置情
報にすることもできる。

【００７４】また、送給量制御部８１は、光センサ３５
が検出した現像液吐出ノズル３０直下の基板Ｗの実測幅
に基づいて現像液吐出ノズル３０に送給する現像液の流
量を決定するようにしても良い。この場合は、図８に示
すような相関関係をルックアップテーブルとして制御部
８０に記憶させ、送給量制御部８１は図８に示す相関関
係から基板Ｗの実測幅に基づいて現像液吐出ノズル３０
に送給する現像液の流量を決定する。

【００７５】また、上記実施形態においては、流量計７
３による計測結果と上記特定流量との差が所定の閾値以
上である場合に表示部９０が警告メッセージを発するよ
うにしていたが、送給停止部８２がマスフロコントロー
ラ７４に指示して現像液吐出ノズル３０への現像液の送
給を停止させるようにしても良い。さらに、制御部８０
が現像処理ユニットＳＤ１における処理全体を停止する
ようにしても良い。

【００７６】また、流量計７３による計測結果と特定流
量との差を判定するための上記閾値やその差が当該閾値
以上であった場合にその後の処理内容を入力するための
設定入力手段を設けるようにしても良い。該設定入力手
段としては基板処理装置１の操作パネルを使用するよう
にすれば良い。さらに、該設定入力手段から現像液の配
管長等の微妙な差異に起因した現像液流量の補正値を入
力できるようにしても良い。この場合、図９に示す現像
液流量の変化曲線からその補正値を加減した値を設定値
として送給量制御部８１がマスフロコントローラ７４を
制御する。

【００７７】また、流量計７３による実際の現像液流量
の計測結果に基づいて、制御部８０がノズル駆動部２１
を制御して現像液吐出ノズル３０の移動速度を調整する
ようにしても良いし、ノズル昇降部２０を制御して現像
液吐出ノズル３０と基板Ｗとのギャップを調整するよう
にしても良い。例えば、実際の現像液流量が設定値より
も大きい場合には、現像液吐出ノズル３０の移動速度を
速めるとともに現像液吐出ノズル３０と基板Ｗとのギャ
ップを大きくする。逆に、実際の現像液流量が設定値よ
りも小さい場合には、現像液吐出ノズル３０の移動速度
を遅くするとともに現像液吐出ノズル３０と基板Ｗとの
ギャップを小さくする。このようにすれば、基板Ｗに均
一に現像液を盛ることができ、面内不均一性に起因した
現像欠陥を防止することができる。

【００７８】また、現像液吐出ノズル３０のスリット３
１の吐出口は単一のエリアに限定されるものではなく、
複数のエリアに分割しても良い。スリット吐出口を複数
エリアに分割した場合であっても、それら複数のエリア
の全体長さを基板Ｗの直径以上とし、スリットに供給さ
れる現像液流量によって、現像液を吐出するエリア数が
変化して現像液の幅を変化させるようにすれば良い。

【００７９】さらに、上記実施形態においては、略円形
の基板Ｗに現像液を吐出して液盛りを行う形態について
説明したが、他の処理液を吐出して所定の処理を行う形
態であれば本発明に係る技術を適用することができる。

【００８０】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、スリットから吐出される処理液の幅がノズル
移動手段によって移動される吐出ノズルの直下における
基板の幅と等しくなる特定流量にて処理液を吐出ノズル
に送給するようにしているため、基板から無駄にこぼれ
落ちる処理液が低減され、処理液を無駄に消費すること
を抑制できる。

【００８１】また、請求項２の発明によれば、吐出ノズ
ルに送給される処理液の流量を計測した結果に基づいて
送給量制御手段が処理液送給手段を制御するため、処理
液を無駄に消費することを抑制しつつ基板の全面に確実
に処理液を吐出することができる。

【００８２】また、請求項３の発明によれば、流量計測
手段による計測結果と特定流量との差が所定の閾値以上
である場合に警告を発するため、処理液の吐出不良を防
止することができる。

【００８３】また、請求項４の発明によれば、流量計測
手段による計測結果と特定流量との差が所定の閾値以上
である場合に、処理液送給手段に吐出ノズルへの処理液
の送給を停止させるため、処理液の吐出不良に起因した
欠陥を防止することができる。

【００８４】また、請求項５の発明によれば、処理液が
フォトレジスト膜の現像液であり、現像液を無駄に消費
することを抑制できる。

【００８５】また、請求項６の発明によれば、基板にフ
ォトレジストを塗布して基板主面にフォトレジスト膜を
形成する塗布処理ユニットと、請求項５記載の基板処理
ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、各
ユニット間にて基板を搬送する搬送手段と、を備えるた
め、基板処理装置において現像液を無駄に消費すること
を抑制できる。

【００８６】また、請求項７の発明によれば、搬送手段
に未処理基板を渡すとともに搬送手段から処理済基板を
受け取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと搬送
手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備え、基板処理装置において現像液を無駄
に消費することを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す平
面図である。

【図２】図１の基板処理装置の第１処理部群および第２
処理部群の構成を示す図である。

【図３】図１の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視
図である。

【図４】図１の基板処理装置における基板処理の手順の
一例を示す図である。

【図５】本発明に係る基板処理装置１全体の要部概略構
成を示す図である。

【図６】現像処理ユニットの現像液吐出ノズルを下側か
ら見た図である。

【図７】現像処理ユニットの現像液吐出ノズルの正面断
面図である。

【図８】現像液吐出ノズルに送給する現像液の流量と帯
状に吐出される現像液の幅との相関関係の一例を示す図
である。

【図９】現像液吐出ノズルの位置に対する現像液流量の
変化曲線の一例を示す図である。

【図１０】従来のスリットノズルによる現像液吐出処理
を説明する概念図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 １１ スピンチャック ２１ ノズル駆動部 ３０ 現像液吐出ノズル ３１ スリット ３５ 光センサ ７０ 現像液送給機構 ７１ 送給配管 ７２ 加圧配管 ７３ 流量計 ７４ マスフロコントローラ ７５ バッファタンク ７６ 加圧ポンプ ８０ 制御部 ８１ 送給量制御部 ８２ 送給停止部 ９０ 表示部 ＣＰ１，ＣＰ２ 塗布処理ユニット ＩＤ インデクサ ＩＦ インターフェイス ＳＤ１，ＳＤ２ 現像処理ユニット ＴＲ 搬送ロボット Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久井 章博 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 真田 雅和 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 小林 寛 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA02 GA21 5F046 LA14

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略円形の基板に処理液を吐出して所定の
   処理を行う基板処理ユニットであって、 前記基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、 前記基板の直径以上の吐出幅のスリットを有し、前記ス
   リットに供給される処理液の流量に応じて前記スリット
   から吐出される処理液の幅が変化する吐出ノズルと、 前記吐出ノズルに処理液を流量可変に送給する処理液送
   給手段と、 前記保持手段に保持された前記基板の主面と平行に前記
   吐出ノズルを移動させるノズル移動手段と、 前記スリットから吐出される処理液の幅が前記ノズル移
   動手段によって移動される前記吐出ノズルの直下におけ
   る前記基板の幅と等しくなる特定流量にて処理液を前記
   吐出ノズルに送給するように前記処理液送給手段を制御
   する送給量制御手段と、を備えることを特徴とする基板
   処理ユニット。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理ユニットにおい
   て、 前記処理液送給手段から前記吐出ノズルに送給される処
   理液の流量を計測する流量計測手段をさらに備え、 前記送給量制御手段は、前記流量計測手段による計測結
   果に基づいて前記吐出ノズルに送給される処理液の流量
   が前記特定流量になるように前記処理液送給手段を制御
   することを特徴とする基板処理ユニット。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理ユニットにおい
   て、 前記流量計測手段による計測結果と前記特定流量との差
   が所定の閾値以上である場合に警告を発する警告発生手
   段をさらに備えることを特徴とする基板処理ユニット。
4. 【請求項４】 請求項２記載の基板処理ユニットにおい
   て、 前記流量計測手段による計測結果と前記特定流量との差
   が所定の閾値以上である場合に、前記処理液送給手段に
   前記吐出ノズルへの処理液の送給を停止させる送給停止
   手段をさらに備えることを特徴とする基板処理ユニッ
   ト。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の基板処理ユニットにおいて、 前記処理液は、フォトレジスト膜の現像液であることを
   特徴とする基板処理ユニット。
6. 【請求項６】 基板に複数工程からなる一連の処理を行
   う基板処理装置であって、 基板にフォトレジストを塗布して基板主面にフォトレジ
   スト膜を形成する塗布処理ユニットと、 請求項５記載の基板処理ユニットと、 基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、 前記各ユニット間にて基板を搬送する搬送手段と、を備
   えることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の基板処理装置において、 前記搬送手段に未処理基板を渡すとともに前記搬送手段
   から処理済基板を受け取るインデクサと、 装置外部の露光ユニットと前記搬送手段との間で基板の
   受け渡しを行うインターフェイスと、をさらに備えるこ
   とを特徴とする基板処理装置。