JP6452102B2 - アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6452102B2 JP6452102B2 JP2013247741A JP2013247741A JP6452102B2 JP 6452102 B2 JP6452102 B2 JP 6452102B2 JP 2013247741 A JP2013247741 A JP 2013247741A JP 2013247741 A JP2013247741 A JP 2013247741A JP 6452102 B2 JP6452102 B2 JP 6452102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- unsubstituted
- compound
- organic electroluminescence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 69
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 title description 65
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 71
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 48
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 45
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 29
- -1 phenoxazyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 8
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 5
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 4
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 3
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 70
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 65
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 50
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 29
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 23
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 22
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 18
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 10
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- LNAMMBFJMYMQTO-FNEBRGMMSA-N chloroform;(1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].ClC(Cl)Cl.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 LNAMMBFJMYMQTO-FNEBRGMMSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QXOGPTXQGKQSJT-UHFFFAOYSA-N 1-amino-4-[4-(3,4-dimethylphenyl)sulfanylanilino]-9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound Cc1ccc(Sc2ccc(Nc3cc(c(N)c4C(=O)c5ccccc5C(=O)c34)S(O)(=O)=O)cc2)cc1C QXOGPTXQGKQSJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QOVYHDHLFPKQQG-NDEPHWFRSA-N N[C@@H](CCC(=O)N1CCC(CC1)NC1=C2C=CC=CC2=NC(NCC2=CN(CCCNCCCNC3CCCCC3)N=N2)=N1)C(O)=O Chemical compound N[C@@H](CCC(=O)N1CCC(CC1)NC1=C2C=CC=CC2=NC(NCC2=CN(CCCNCCCNC3CCCCC3)N=N2)=N1)C(O)=O QOVYHDHLFPKQQG-NDEPHWFRSA-N 0.000 description 5
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 4
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000004992 fast atom bombardment mass spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UDZSLJULKCKKPX-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UDZSLJULKCKKPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=C(I)C=C1 UCCUXODGPMAHRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-phenylbenzene Chemical group C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=CC=C1 PKJBWOWQJHHAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(i) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000005484 neopentoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005106 triarylsilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UKTSSJJZFVGTCG-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C1=CC=C(Br)C=C1 UKTSSJJZFVGTCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMDPAJOXRYGXCB-UHFFFAOYSA-N (9,9-dimethylfluoren-2-yl)boronic acid Chemical compound C1=C(B(O)O)C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 DMDPAJOXRYGXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRPIGRRBBMFFBE-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)naphthalene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 YRPIGRRBBMFFBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBHPOBSZPYEADG-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 MBHPOBSZPYEADG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDOQMLIRFUVJNT-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 KDOQMLIRFUVJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISOBPLUMCCEZHQ-UHFFFAOYSA-N 6,6-dimethyl-1-n,1-n,1-n',1-n'-tetrakis(3-methylphenyl)-4-phenylcyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C2(C(C=C(C=C2)C=2C=CC=CC=2)(C)C)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 ISOBPLUMCCEZHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSYMZWQKXQGQDY-UHFFFAOYSA-N CSc(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1[o]c1c2cccc1)c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c(cccc3)c3c2c1 Chemical compound CSc(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1[o]c1c2cccc1)c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c(cccc3)c3c2c1 PSYMZWQKXQGQDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APXZQQLAZBNNJL-UHFFFAOYSA-N CSc(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c(cccc3)c3c2c1)c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c3ccccc3c2c1 Chemical compound CSc(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c(cccc3)c3c2c1)c(cc1)ccc1-c1ccc2[s]c3ccccc3c2c1 APXZQQLAZBNNJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXOMWVNVHQNVEZ-UHFFFAOYSA-N C[Si+](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c(cc1)cc(cc2)c1cc2-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccccc1 Chemical compound C[Si+](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c(cc1)cc(cc2)c1cc2-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccccc1 SXOMWVNVHQNVEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAROFQQOEHTDIJ-UHFFFAOYSA-N C[Si+](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c(cc1)ccc1-c1cc2c(cccc3)c3c(cccc3)c3c2cc1 Chemical compound C[Si+](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c(cc1)ccc1-c1cc2c(cccc3)c3c(cccc3)c3c2cc1 UAROFQQOEHTDIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUQCQGOMVDYAAC-UHFFFAOYSA-N C[Si+](C)(C)c1ccc(c(c([o]2)c3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c(cc3)ccc3-c(cc3c4cc([S+](C)C)ccc44)ccc3[n]4-c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[o]4)c2c1 Chemical compound C[Si+](C)(C)c1ccc(c(c([o]2)c3)ccc3-c(cc3)ccc3N(c(cc3)ccc3-c(cc3c4cc([S+](C)C)ccc44)ccc3[n]4-c3ccccc3)c(cc3)ccc3-c(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[o]4)c2c1 IUQCQGOMVDYAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUWIQOOKJQZAJD-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1SC)c(cc1)ccc1-c1ccc2N(c3ccccc3)c(cccc3)c3Sc2c1 Chemical compound C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1SC)c(cc1)ccc1-c1ccc2N(c3ccccc3)c(cccc3)c3Sc2c1 GUWIQOOKJQZAJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRLYIVYWPQFJAB-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)cc2c1c1ccccc1[o]2 Chemical compound C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)cc2c1c1ccccc1[o]2 QRLYIVYWPQFJAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQQXYEHFHUJTII-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)cc2c1c1ccccc1c1ccccc21 Chemical compound C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c(cc1)cc2c1c1ccccc1c1ccccc21 XQQXYEHFHUJTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUFMCSUKLXEYCS-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1N(c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cccc1)c1O2 Chemical compound C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1N(c(cc1)ccc1[Si](C)(C)C)c(cccc1)c1O2 KUFMCSUKLXEYCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXKCIWYMYSCQLB-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c1c2[o]c3ccccc3c2ccc1)C(C=C1)=CCC1c(cc1)ccc1SC Chemical compound C[Si](C)(C)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c1c2[o]c3ccccc3c2ccc1)C(C=C1)=CCC1c(cc1)ccc1SC TXKCIWYMYSCQLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQCUGWCIKIYVOY-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-8-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 GQCUGWCIKIYVOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
- C07F7/0814—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring is substituted at a C ring atom by Si
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
- C07F7/0816—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring comprising Si as a ring atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/6564—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms
- C07F9/6568—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus atoms as the only ring hetero atoms
- C07F9/65685—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus atoms as the only ring hetero atoms the ring phosphorus atom being part of a phosphine oxide or thioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
- C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機発光材料、特に、正孔輸送材料等の有機発光材料として好適に使用される新規なアミン誘導体と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
近年、発光材料を表示部の発光素子に用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electroluminescence Display：有機ＥＬ表示装置）の開発が盛んになってきている。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層における有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、近年、発光層と前記発光層にキャリア（正孔、電子）を輸送する層など、特性の異なる複数の層で構成されたものが提案されている。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光特性の向上及び長寿命化のために、正孔輸送層は、優れた正孔輸送能力とキャリア耐性が要求される。このような観点から、種々の正孔輸送材料が提案されている。
正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、カルバゾール誘導体、芳香族アミン系化合物等の様々な化合物が知られており、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化に有利な材料として、カルバゾール誘導体が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されており（特許文献１）、縮合環が置換したカルバゾール誘導体が提案されている（特許文献２、３、４）。また、フルオレニル基を有するアミン化合物が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されている（特許文献５）。しかしながら、これらの材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子も充分な発光寿命を有しているとは言い難く、現在では一層、高効率で低電圧駆動が可能であり、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれている。
前記したように、有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置に応用するにあたり、有機発光材料には長寿命化が求められている。しかしながら、これまで提案されている化合物を正孔注入層又は正孔輸送層に用いた素子は、電子耐性が十分で無かったため、素子寿命の向上が求められていた。
有機エレクトロルミネッセンス素子の素子寿命の前記問題点は、発光層と正孔輸送層との界面近傍での正孔と電子とが再結合して発光する際、再結合できなかった電子が正孔輸送層に侵入して電子が正孔輸送材料に損傷を与え、素子を劣化させることに起因している。
本発明は、上述の課題を鑑み、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる素子の劣化機構を抑制することによって、素子寿命が向上された有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現する有機発光材料を提供することを課題とする。
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、以下の一般式（１）で表される。
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されている。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されている。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
本発明の一実施形態によると、アミン誘導体は、一般式（１）におけるＡｒ１が強電子耐性を示すシリル基で置換されたアリール基であるため、電子耐性が向上し、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。
本発明の一実施形態による前記アミン誘導体は、一般式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ａｒ１及びＡｒ２のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されており、Ａｒ３は置換若しくは無置換のフルオレニル基であり、Ｌは、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であってもよい。
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、連結基であるＬを介してフルオレニル基をアミン部位に結合することにより、π電子の共役系が拡がり、正孔輸送性及び分子の安定性が向上する。また、フルオレニル基を導入することにより、連結基Ｌである置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基が平面化することにより、アミン誘導体の正孔輸送性が向上する。これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記アミン誘導体を発光層中に含む。
本発明の一実施形態によると、発光効率の向上及び長寿命化が実現された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記アミン誘導体を発光層と陽極との間の積層膜中のうちの一つの膜中に含む。
本発明の一実施形態によると、発光効率の向上及び長寿命化が実現された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
本発明によれば、発光効率が向上され、素子寿命が向上された有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現可能にする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供することができる。
本願発明者は、上述の課題を検討した結果、有機エレクトロルミネッセンス素子における正孔輸送層の材料として、シリル基を有するアミン誘導体を用いることに想到し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を達成できることを確認した。以下、本願発明者が想到したシリル基を有するアミン誘導体について説明する。但し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス材料は、以下の一般式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体である。
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されていることを特徴とする。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されていることを特徴とする。Ｌは、単結合、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基が挙げられ、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−フェニルカルバゾリル基が好ましく、特に、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−フェニルカルバゾリル基が好ましい。ここで、上述したように、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基及びヘテロアリール基のうち、少なくとも１つはシリル基で置換されている。また、シリル基は、Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも１つに１つずつ置換されることが好ましく、特に、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに１つずつ置換されることがさらに好ましい。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち、少なくとも１つが置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることが好ましく、さらに好ましくは、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基などのジベンゾヘテロール基である。限定されるわけではないが、Ａｒ３が置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることが好ましく、Ａｒ３がジベンゾヘテロール基であることが特に好ましい。Ａｒ３が置換もしくは無置換のヘテロアリール基であるとき、Ａｒ１及びＡｒ２は置換若しくは無置換のアリール基であることが好ましく、特に好ましくは、Ａｒ３がジベンゾヘテロール基であり、Ａｒ１及びＡｒ２は、環形成炭素数６〜１８のアリール基である。
Ｌの「置換若しくは無置換のアリーレン基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」としては、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３で挙げられた「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基と同様のものが挙げられる。Ｌの「置換若しくは無置換のアリーレン基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」のアリーレン基及びヘテロアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、チエノチオフェニレン基、及びピリジレン基が好ましい。特に環形成炭素数６〜１４のアリーレン基が好ましく、フェニレン基及びビフェニリレン基がより好ましい。また、Ｌが「単結合」であるということは、本発明の構造式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体において、アミン部位の窒素原子（Ｎ）とＡｒ３とが直接結合している状態を表す。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。アリール基及びヘテロアリール基の例示される具体例は、上記のＡｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基及びヘテロアリール基と同じである。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基のアルキル基は特に限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を例示することができる。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基の置換基のアルコキシ基は特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基等を例示することができる。
Ｌのアリーレン基又はヘテロアリーレン基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。例示される具体例は、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基として述べたアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに置換されるシリル基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。例示される具体例は、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基として述べたアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基と同じであり、アルキル基及びアリール基が好ましく、特に、メチル基及びフェニル基が好ましい。また、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに置換されるシリル基は、該シリル基に置換されるアルキル基の炭素数がそれぞれ１以上６以下のトリアルキルシリル基又は該シリル基に置換されるアリール基の環形成炭素数がそれぞれ６以上１８以下のトリアリールシリル基であることが好ましい。
式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体としては、好ましくは、上記の化合物１、２、３、４、５、６、８、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７，２８、２９、３０、３１、３２、３７、３８、４０、４２、４４、４５、４６、４９、５０、５３、５４、５５、５６、５７、５９、６０、６１、６２、６３、６４、７４、７７、７９、８５、８７、８８、８９、９２、９６、９８、１０１、１０２、１０７、及び１１０が挙げられ、さらに好ましくは、化合物１、２、３、４、６、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３７、４０、４４、４５、４６、４９、５３、５４、５５、５６、５７、５９、６０、６１、６２、６３、７７、８５、８７、８８、８９、９６、１０１、１０２、１０７、及び１１０が挙げられる。
本発明の前記シリル基を有するアミン誘導体は、いずれも有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として利用することができる。一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、アミンの窒素原子（N）又はリンカー（L）に結合したＡｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基のうち少なくとも１つが電子強耐性を示す置換若しくは無置換のシリル基で置換されている。そのため、本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子に対して安定であり、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、特に、発光層に隣接する正孔輸送層材料として好ましく使用されることができる。本発明のシリル基を有するアミン誘導体を正孔輸送層材料として用いることにより、正孔輸送層の電子耐性を向上させることができ、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる正孔輸送材料の劣化を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
また、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではない。例えば、正孔注入層の材料にも好ましく用いることが可能である。シリル基を有するアミン誘導体を正孔注入層の材料として用いる場合も、電子が原因となる正孔注入層の劣化を抑制することができるため、正孔輸送層の材料として使用した場合と同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、図１に示すような構造を有していてもよいが、これに限定されるわけではない。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、図１に示すような構造を有していてもよいが、これに限定されるわけではない。
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、本発明のアミン誘導体が有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として利用される一実施形態の概略断面図であって、ガラス基板１０２、ガラス基板１０２上に配置された陽極１０４、陽極１０４上に配置された正孔注入層１０６、正孔注入層１０６上に配置された正孔輸送層１０８、正孔輸送層１０８上に配置された発光層１１０、発光層１１０上に配置された電子輸送層１１２、及び電子輸送層１１２上に配置された陰極１１４を含んでもよい。ここで、電子輸送層１１２は、電子注入層としても機能するものとする。
陽極１０４は、酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等を用いて形成されてもよい。
正孔注入層１０６は、4,4',4"-Tris (N-1-naphtyl-N-phenylamino) triphenylamine (1-TNATA)、または4,4',4''-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenylamino)-triphenylamine (2-TNATA)、4,4 -Bis(N,N -di(3-tolyl)amino)-3,3-dimethylbiphenyl (HMTPD)等を含んでもよく、例えば、以下に示す化合物を含んでもよい。
正孔輸送層１０８には、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いて形成することができる。
発光層１１０には、ホスト材料として、例えば以下に示す化合物を含んでもよい。
但し、発光層１１０にホスト材料として含まれる化合物は、上述の化合物に限定されず、公知の材料をホスト材料として使用してもよい。
但し、発光層１１０にホスト材料として含まれる化合物は、上述の化合物に限定されず、公知の材料をホスト材料として使用してもよい。
また、発光層１１０には、ドーパントとして、例えば以下に示す化合物を含んでもよい。
但し、発光層１１０にドーパントとしてドープされる化合物は、上述の化合物に限定されず、所望の色領域に応じて公知の材料をドーパントとして使用してもよい。ドーパントは、発光層１１０を構成する材料に０．１％〜５０％ドープされることが好ましい。
但し、発光層１１０にドーパントとしてドープされる化合物は、上述の化合物に限定されず、所望の色領域に応じて公知の材料をドーパントとして使用してもよい。ドーパントは、発光層１１０を構成する材料に０．１％〜５０％ドープされることが好ましい。
電子輸送層１１２は、例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium（Alq3）などを含んでもよい。また、以下に示す化合物を含んでもよい。
陰極１１４は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃａなどの金属や酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等の透明材料により形成される。
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１００では、記載を省略したが、有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、陰極１１４と電子輸送１１２との間に電子注入層含んでもよい。電子注入層は、例えば、フッ化リチウム（LiF）、リチウム8-キノリナート等を含んでもよい。
上述したように、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料として用いることができる。しかしながら、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではなく、正孔注入材料として正孔注入層に含まれてもよい。
前記正孔注入層１０６及び正孔輸送層１０８等、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔注入層材料及び正孔輸送層材料のうち、少なくともいずれかの材料に本発明のアミン誘導体を用いることによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を達成することができる。
上述したように、本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子耐性を有するため、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層材料又は正孔注入層材料として好ましいが、これらに限定されるわけではない。例えば、発光層内のホスト材料として用いてもよい。
［実施例Ｉ］
一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体について、前記化合物１、３、６１、６３の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体について、前記化合物１、３、６１、６３の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
（化合物１の合成）
以下の化学反応式は、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体である化合物１の合成プロセスを図示したものである。
以下の化学反応式は、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体である化合物１の合成プロセスを図示したものである。
本発明の化合物１は、以下のようにして合成を実施した。
反応容器に化合物（ｉ）（１．５７ｇ, ４．３３ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（１．５０ｇ, ３．６１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（０．３７ｇ, ０．３６ｍｍｏｌ）、トルエン（３６ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９３ｍＬ， １．４４ｍｍｏｌ、 １．５６Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（１．０４ｇ, １０．８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後８０℃で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物１である白色粉末状固体を２．２６ｇ、収率９０％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ５１Ｈ４１ＮＳｉ，測定値６９５）。
（化合物３の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物３の合成プロセスを図示したものである。
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物３の合成プロセスを図示したものである。
本発明の化合物３は、以下のようにして合成を実施した。
反応容器に化合物（ｉｉｉ）（１．５２ｇ, ４．３３ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（１．５０ｇ, ３．６１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（０．３７ｇ, ０．３６ｍｍｏｌ）、トルエン（３６ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９３ｍＬ， １．４４ｍｍｏｌ、 １．５６Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（１．０４ｇ, １０．８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後８０℃で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物３である白色粉末状固体を１．００ｇ、収率４０％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ４８Ｈ３５ＮＳＳｉ，測定値６８５）。
（化合物６１の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６１の合成プロセスを図示したものである。
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６１の合成プロセスを図示したものである。
本発明の化合物６１は、以下のようにして合成を実施した。
反応容器に化合物（ｉｖ）（０．７０ｇ, １．４４ｍｍｏｌ）、化合物（ｖ）（０．７１ｇ, １．４４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）２（０．０４ｇ, ０．０７ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．１４ｍＬ， ０．２８ｍｍｏｌ、２．００Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．２１ｇ, ２．１６ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で６時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をジクロロメタン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物６１である白色粉末状固体を１．１５ｇ、収率８９％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ６６Ｈ４８Ｎ２Ｓｉ，測定値８９７）。
（化合物６３の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６３の合成プロセスを図示したものである。
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６３の合成プロセスを図示したものである。
本発明の化合物６３は、以下のようにして合成した。
反応容器に化合物（ｉｖ）（１．００ｇ, ２．０６ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（０．８５ｇ, ２．０６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）２（０．０６ｇ, ０．１０ｍｍｏｌ）、トルエン（１０ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３ｍＬ， ０．０６ｍｍｏｌ、２．００Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．３０ｇ, ３．０８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をジクロロメタン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物６３である白色粉末状固体を１．５９ｇ、収率９４％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ６０Ｈ４４Ｎ２Ｓｉ，測定値８２１）。
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料として、上述した化合物１を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の実施例１について説明する。
本発明の実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製は真空蒸着により行い、次のような手順で行った。先ず、あらかじめパターニングして洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、オゾンによる表面処理を行った。尚、前記ＩＴＯ膜の膜厚は、１５０ｎｍである。オゾン処理後すぐに、正孔注入材料として４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ，膜厚６０ｎｍ）を前記ＩＴＯ膜上に成膜した。
次に、正孔輸送材料として本発明の化合物１を成膜し（３０ｎｍ）、次に、発光材料として２，５，８，１１−テトラ−t−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）を、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に対して３％の割合でドープした膜を共蒸着によって成膜した（２５ｎｍ）。
さらに、次に、電子輸送材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を成膜し（２５ｎｍ）、次に、電子注入材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）（１．０ｎｍ）及び陰極としてアルミニウム（１００ｎｍ）を順次積層し、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子２００を作製した。
実施例２として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物３を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
実施例３として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物６１を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
実施例４として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物６３を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
比較例１及び比較例２として、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料を構成する化合物として以下に示す構造式の比較化合物１及び比較化合物２を用いて、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。尚、比較例１及び比較例２で用いた化合物は、シリル基を備えない構造を有する点において、本発明のアミン誘導体と異なる。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００の実施例１乃至実施例４、比較例１、及び比較例２の概略図を図２に示す。作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００は、陽極２０４、陽極２０４上に配置された正孔注入層２０６、正孔注入層２０６上に配置された正孔輸送層２０８、正孔輸送層２０８上に配置された発光層２１０、発光層２１０上に配置された電子輸送層２１２及び電子注入層２１４、電子注入層２１４上に配置された陰極２１６を含む。
作製した実施例１乃至実施例４、比較例１及び比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子２００の素子性能を以下の表１に示す。尚、電流効率は１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。
尚、作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００の電界発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。
表１によれば、本発明の実施例１乃至実施例４の有機エレクトロルミネッセンス素子は、比較例１及び比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子に対して、長寿命化していることが分かる。
一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子耐性を有するシリル基を備えており、電子に対して安定な正孔輸送を行うことができる材料である。そのため、本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いることにより、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる素子の劣化を抑制することができ、素子の長寿命化を実現することができる。
前述した実施例１〜４においては、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に利用した例を説明したが、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の利用は有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されず、その他の発光素子又は発光装置に利用されてもよい。また、図１及び図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、パッシブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されるが、アクティブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用することもできる。
本願発明者らは、一般式（１）で表されるアミン誘導体のうち、特に、以下に述べる構造を有するアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス材料として発光層と陽極との間に配置することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率、駆動電圧及び寿命に著しい改善が得られることを確認した。
一般式（１）で表されるアミン誘導体の好ましい構造は、一般式（１）において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ａｒ１及びＡｒ２のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されており、Ａｒ３は置換若しくは無置換のフルオレニル基であり、Ｌは、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基である。
ここで、Ａｒ１及びＡｒ２の「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基としては、前述したように、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基などが挙げられ、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−フェニルカルバゾリル基が好ましい。アリール基としては、環形成炭素数６以上１８以下であることが好ましく、ヘテロアリール基としては、環形成原子数５以上１８以下であることが好ましい。
Ａｒ１及びＡｒ２のアリール基またはヘテロアリール基に置換される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。アリール基及びヘテロアリール基の例示される具体例は、上記のＡｒ１及びＡｒ２のアリール基及びヘテロアリール基と同じである。Ａｒ１及びＡｒ２のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基のアルキル基は特に限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を例示することができる。また、Ａｒ１、及びＡｒ２のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基のアルコキシ基は特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基等を例示することができる。
Ａｒ１及びＡｒ２のうち少なくとも１つに置換されるシリル基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。具体的には、Ａｒ１及びＡｒ２のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基として述べたアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基と同じであり、特に、フェニル基及びメチル基が好ましい。また、Ａｒ１及びＡｒ２のうち少なくとも１つに置換されるシリル基は、該シリル基に置換されるアリール基の環形成炭素数がそれぞれ６以上１８以下のトリアリールシリル基又は該シリル基に置換されるアルキル基の炭素数がそれぞれ１以上６以下のトリアルキルシリル基であることが好ましい。
尚、本発明の好ましいアミン誘導体において、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、どちらか一方のみが置換若しくは無置換のシリル基に置換されていてもよい。Ａｒ１及びＡｒ２のうち、どちらか一方のみが置換若しくは無置換のシリル基に置換されることにより、LUMOがアミン部位の周辺に局在化することを抑制し、エネルギーギャップが小さくなることを防止することができる。
本発明のアミン誘導体の好ましい構造において、Ａｒ３は置換若しくは無置換のフルオレニル基である。フルオレニル基に置換する置換基はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数５以上１８以下のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基である。フルオレニル基に置換する置換基としては、置換若しくは無置換のアリール基が好ましく、特に、９位の位置にフェニル基が置換されていることが好ましい。
本発明のアミン誘導体の好ましい構造において、Ｌは、置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基である。ここで、Ｌである「置換若しくは無置換のアリーレン基」及び「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」のアリール基及びヘテロアリーレン基としては、Ａｒ１及びＡｒ２で挙げられた「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基と同様のものが挙げられる。Ｌの「置換若しくは無置換のアリーレン基」及び「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」のアリーレン基及びヘテロアリーレン基としては、環形成炭素数６以上１８以下のアリール基、環形成原子数５以上１８以下のヘテロアリーレン基が好ましく、特に、フェニレン基及びビフェニリレン基が好ましい。尚、Ａｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基は、２位の位置で、アミン部位の窒素原子（Ｎ）に対してpara位でＬと結合することが好ましい。フルオレニル基が２位の位置でＬと結合することにより、適切なHOMO準位及びLUMO準位を実現することができる。
本発明の好ましいアミン誘導体は、一般式（１）において、Ａｒ３が置換若しくは無置換のフルオレニル基であり、Ｌが置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基である。Ａｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬを介して、少なくとも一方にシリル基が置換されたＡｒ１及びＡｒ２と結合するアミン部位の窒素原子（Ｎ）と結合していることにより、π電子の共役系が拡がり、正孔輸送性及び分子の安定性が向上する。また、フルオレニル基を導入することにより、連結基Ｌである置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基が平面化することにより、アミン誘導体の正孔輸送性が向上する。これにより、本発明のアミン誘導体を発光層と陽極との間に配置された正孔輸送層の材料として使用することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、さらに低駆動電圧化及び長寿命化を実現することが可能となる。特に、青色〜青緑色領域において、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、さらに低駆動電圧化及び長寿命化を実現することができる。
上述した本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換であるＬに結合しているアミン誘導体としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬに結合しているアミン誘導体は、上述したような図１で表された有機エレクトロルミネッセンス素子１００の正孔輸送層の材料として用いることができる。尚、図１に示された有機エレクトロルミネッセンス素子１００の構成は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態であり、これに限定されるわけではなく種々の変更が可能である。
また、本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３であるフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬに結合しているアミン誘導体の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではなく、正孔注入層の材料又は発光層の材料としても用いることが可能であり、正孔注入層の材料又は発光層の材料として用いる場合も、正孔輸送層の材料として使用した場合と同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
［実施例ＩＩ］
本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３であるフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬに結合しているアミン誘導体について、前記化合物Ａ−１の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３であるフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬに結合しているアミン誘導体について、前記化合物Ａ−１の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
（化合物Ａ−１の合成）
先ず、アルゴン雰囲気下、300mLシュレンクフラスコに4-ブロモテトラフェニルシラン7.0g、酸化銅（Ｉ）0.241g、N-メチルピロリドン34.16mL、２８%アンモニア水11.40mLを加え、40℃で１０分加熱攪拌を行った。その後、80℃に昇温し、12時間加熱攪拌を行った。反応溶液を水に注ぎこみ、酢酸エチルで抽出した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（ｖｉ）を5.8g得た。
先ず、アルゴン雰囲気下、300mLシュレンクフラスコに4-ブロモテトラフェニルシラン7.0g、酸化銅（Ｉ）0.241g、N-メチルピロリドン34.16mL、２８%アンモニア水11.40mLを加え、40℃で１０分加熱攪拌を行った。その後、80℃に昇温し、12時間加熱攪拌を行った。反応溶液を水に注ぎこみ、酢酸エチルで抽出した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（ｖｉ）を5.8g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、200mL三つ口フラスコに化合物（ｖｉ）4.0gと４−ブロモビフェニル2.65g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.59g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.46g、ナトリウムt−ブトキシド2.19gを加えて、120mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｖｉｉ）を5.34g得た。
また、アルゴン雰囲気下で、100mL四つ口フラスコに9，9−ジメチルフルオレン−2−ボロン酸2.65g、4−ブロモヨードベンゼン3.0g、トルエン21.6mL、エタノール10.6mL、2M炭酸ナトリウム水溶液10.6mL、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.193gを加え、80℃で3時間加熱攪拌を行った。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｖｉｉｉ）を3.3g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、100mL三つ口フラスコに化合物（ｖｉｉｉ）1.04gと化合物（ｖｉｉ）1.50g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.15g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.12g、ナトリウムt−ブトキシド0.57gを加えて、30mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ−１を2.10g得た。
（化合物Ａ−２の合成）
先ず、アルゴン雰囲気下で、100mL四つ口フラスコに9，9−ビフェニルフルオレン−2−ボロン酸4.03g、4−ブロモヨードベンゼン3.0g、トルエン21.6mL、エタノール10.6mL、2M炭酸ナトリウム水溶液10.6mL、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 0.193gを加え、80℃で3時間加熱攪拌を行った。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｉｘ）を3.5g得た。
先ず、アルゴン雰囲気下で、100mL四つ口フラスコに9，9−ビフェニルフルオレン−2−ボロン酸4.03g、4−ブロモヨードベンゼン3.0g、トルエン21.6mL、エタノール10.6mL、2M炭酸ナトリウム水溶液10.6mL、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0) 0.193gを加え、80℃で3時間加熱攪拌を行った。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｉｘ）を3.5g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、100mL四つ口フラスコに化合物（ｉｘ）1.17gと化合物（ｖｉｉ）1.50g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.15g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.12g、ナトリウムt−ブトキシド0.57gを加えて、30mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ−２を2.30g得た。
（化合物Ａ−４の合成）
先ず、アルゴン雰囲気下で、100mL四つ口フラスコに2-ブロモ−9，9−ジメチルフルオレン2.00g、4-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)アニリン1.76g、トルエン14.7mL、エタノール7.3mL、2Mリン酸ナトリウム水溶液3.6mL、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.254gを加え、80℃で3時間加熱攪拌を行った。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｘ）を1.25g得た。
先ず、アルゴン雰囲気下で、100mL四つ口フラスコに2-ブロモ−9，9−ジメチルフルオレン2.00g、4-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)アニリン1.76g、トルエン14.7mL、エタノール7.3mL、2Mリン酸ナトリウム水溶液3.6mL、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.254gを加え、80℃で3時間加熱攪拌を行った。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｘ）を1.25g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、200mL四つ口フラスコに化合物（ｘ）1.25gと４−ブロモビフェニル1.02g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.13g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.18g、ナトリウムt−ブトキシド0.84gを加えて、43.8mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｘｉ）を1.63g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、100mL四つ口フラスコに化合物（ｘｉ）1.63gと（４−ブロモフェニル）トリメチルシラン0.85g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.11g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.15g、ナトリウムt−ブトキシド0.72gを加えて、37mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ−４を2.00g得た。
（化合物Ａ−６の合成）
先ず、アルゴン雰囲気下、200mL四つ口フラスコに化合物（ｘ）1.00gと４−ブロモテトラフェニルシラン1.46g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.1g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.14g、ナトリウムt−ブトキシド0.67gを加えて、35.0mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｘｉｉ）を2.05g得た。
先ず、アルゴン雰囲気下、200mL四つ口フラスコに化合物（ｘ）1.00gと４−ブロモテトラフェニルシラン1.46g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.1g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.14g、ナトリウムt−ブトキシド0.67gを加えて、35.0mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（ｘｉｉ）を2.05g得た。
次に、アルゴン雰囲気下、100mL四つ口フラスコに化合物（ｘｉｉ）2.05gと1-(4-ブロモフェニル)ナフタレン0.94g、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３0.10g、トリ−t−ブチルホスフィン（(t-Bu)3P）0.13g、ナトリウムt−ブトキシド0.64gを加えて、33mLトルエン溶媒中で80℃、3時間加熱攪拌した。トルエンで抽出し、有機層を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ−６を2.52g得た。
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料として、上述した化合物Ａ−１、化合物Ａ−２、化合物Ａ−４及び化合物Ａ−６を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。化合物Ａ−１を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例５、化合物Ａ−２を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例６、化合物Ａ−４を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例７、化合物Ａ−６を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例８とする。
本発明の実施例５の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製は、上述した実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に真空蒸着により行い、次のような手順で行った。先ず、あらかじめパターニングして洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、オゾンによる表面処理を行った。尚、前記ＩＴＯ膜の膜厚は、１５０ｎｍである。オゾン処理後すぐに、正孔注入材料として４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ，膜厚６０ｎｍ）を前記ＩＴＯ膜上に成膜した。
次に、正孔輸送材料として本発明の化合物Ａ−１を成膜し（３０ｎｍ）、次に、発光材料として２，５，８，１１−テトラ−t−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）を、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に対して３％の割合でドープした膜を共蒸着によって成膜した（２５ｎｍ）。
次に、電子輸送材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を成膜し（２５ｎｍ）、次に、電子注入材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）（１．０ｎｍ）及び陰極としてアルミニウム（１００ｎｍ）を順次積層し、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子２００を作製した。
実施例６、７及び８の有機エレクトロルミネッセンス素子作製は、実施例５で用いた化合物Ａ−１の代わりに化合物Ａ−２、化合物Ａ−４、化合物Ａ−６を用いたこと以外は、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
比較例３として、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料を構成する化合物として以下に示す構造式の比較化合物３を用いて、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
実施例５〜比較例４で作成した有機エレクトロルミネッセンス素子２００について、駆動電圧、電流効率、半減寿命を評価した。なお、発光効率は１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。評価結果を表２に示す。
表２によれば、本発明の実施例５乃至実施例８の有機エレクトロルミネッセンス素子は、比較例３の有機エレクトロルミネッセンス素子に比して、駆動電圧が低下し、発光効率が向上し、長寿命化していることが分かる。特に、本発明のアミン誘導体の好ましい構造において、Ａｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基の９位にフェニル基がそれぞれ置換している化合物Ａ−２を使用した実施例７では、駆動電圧の低下、発光効率の向上、及び発光寿命の向上が顕著であった。
前述した実施例５乃至実施例８においては、本発明の好ましいアミン誘導体である、一般式（１）においてＡｒ３である置換若しくは無置換のフルオレニル基が置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基であるＬに結合しているアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に利用した例を説明したが、本発明のアミン誘導体の利用は有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されず、その他の発光素子又は発光装置に利用されてもよい。また、本発明の好ましいアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、パッシブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されてもよく、アクティブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されてもよい。
１００ 有機エレクトロルミネッセンス素子
１０２ ガラス基板
１０４ 陽極
１０６ 正孔注入層
１０８ 正孔輸送層
１１０ 発光層
１１２ 電子輸送層
１１４ 陰極
２００ 有機エレクトロルミネッセンス素子
２０４ 陽極
２０６ 正孔注入層
２０８ 正孔輸送層
２１０ 発光層
２１２ 電子輸送層
２１４ 電子注入層
２１６ 陰極
１０２ ガラス基板
１０４ 陽極
１０６ 正孔注入層
１０８ 正孔輸送層
１１０ 発光層
１１２ 電子輸送層
１１４ 陰極
２００ 有機エレクトロルミネッセンス素子
２０４ 陽極
２０６ 正孔注入層
２０８ 正孔輸送層
２１０ 発光層
２１２ 電子輸送層
２１４ 電子注入層
２１６ 陰極
Claims (3)
- 以下の一般式（１）で表されるモノアミン誘導体。
［前記一般式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のピレニル基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリル基、置換若しくは無置換のチオフェニル基、置換若しくは無置換のチエノチオフェニル基、置換若しくは無置換のチエノチエノチオフェニル基、置換若しくは無置換のベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフリル基、置換若しくは無置換のフェノキサジル基、置換若しくは無置換のフェノチアジル基、置換若しくは無置換のピリジル基、置換若しくは無置換のピリミジル基、置換若しくは無置換のトリアジル基、置換若しくは無置換のキノリニル基、及び置換若しくは無置換のキノキサリル基からなる群から選択され、前記Ａｒ１及び／又は前記Ａｒ２が置換される場合、前記Ａｒ１及び／又は前記Ａｒ２に置換する置換基は、シリル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ジベンゾフリル基及びジベンゾチオフェニル基からなる群から独立的に選択され、前記Ａｒ１及び前記Ａｒ２のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換され、Ａｒ３は置換若しくは無置換のフルオレニル基であり、前記フルオレニル基が置換される場合、前記フルオレニル基の置換基は、炭素数１以上１０以下の置換若しくは無置換のアルキル基、及び環形成炭素数６以上１８以下の置換若しくは無置換のアリール基からなる群から独立的に選択され、Ｌは、置換若しくは無置換のフェニレン基であり、前記フルオレニル基は、２位の位置で、窒素原子に対してパラ位で前記Ｌと結合する。］ - 請求項１に記載のモノアミン誘導体を発光層中に含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項１に記載のモノアミン誘導体を発光層と陽極との間の積層膜中のうちの一つの膜中に含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013247741A JP6452102B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| PCT/JP2013/082647 WO2014088047A1 (ja) | 2012-12-05 | 2013-12-04 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR1020157002270A KR20150090021A (ko) | 2012-12-05 | 2013-12-04 | 아민 유도체, 유기 발광 재료 및 그것을 사용한 유기 일렉트로루미네센스 소자 |
| KR1020177018061A KR20170081718A (ko) | 2012-12-05 | 2013-12-04 | 아민 유도체, 유기 발광 재료 및 그것을 사용한 유기 일렉트로루미네센스 소자 |
| TW102144519A TWI655196B (zh) | 2012-12-05 | 2013-12-05 | 胺衍生物、有機發光材料及使用其之有機電致發光元件 |
| US14/731,180 US9780317B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-06-04 | Amine derivative, organic luminescent material and organic electroluminescent device using the amine derivative or the organic luminescent material |
| US15/716,613 US10629830B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-09-27 | Organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012266773 | 2012-12-05 | ||
| JP2012266773 | 2012-12-05 | ||
| JP2013247741A JP6452102B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014131983A JP2014131983A (ja) | 2014-07-17 |
| JP6452102B2 true JP6452102B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=50824573
Family Applications (9)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013248003A Withdrawn JP2014131987A (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247909A Active JP6307687B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247699A Active JP6307689B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247962A Active JP6373573B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247741A Active JP6452102B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247787A Active JP6307690B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247442A Active JP6307686B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2018075068A Active JP6807341B2 (ja) | 2012-12-05 | 2018-04-09 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2020153293A Withdrawn JP2021004247A (ja) | 2012-12-05 | 2020-09-11 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Applications Before (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013248003A Withdrawn JP2014131987A (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247909A Active JP6307687B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247699A Active JP6307689B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247962A Active JP6373573B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Applications After (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013247787A Active JP6307690B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2013247442A Active JP6307686B2 (ja) | 2012-12-05 | 2013-11-29 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2018075068A Active JP6807341B2 (ja) | 2012-12-05 | 2018-04-09 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2020153293A Withdrawn JP2021004247A (ja) | 2012-12-05 | 2020-09-11 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9843005B2 (ja) |
| JP (9) | JP2014131987A (ja) |
| KR (3) | KR20170081718A (ja) |
| TW (1) | TWI655196B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014131987A (ja) | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP6370934B2 (ja) | 2014-06-27 | 2018-08-08 | ヒソン・マテリアル・リミテッドＨｅｅｓｕｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌｔｄ． | 複素環化合物及びそれを用いた有機発光素子 |
| CN106170474B (zh) | 2014-09-19 | 2018-11-06 | 出光兴产株式会社 | 新型化合物 |
| JP6584058B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2019-10-02 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子 |
| JP2016076568A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機電界発光素子 |
| JP5848480B1 (ja) | 2014-10-28 | 2016-01-27 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2016100364A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI569492B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-02-01 | 昱鐳光電科技股份有限公司 | 有機發光元件 |
| JP6534853B2 (ja) * | 2015-04-21 | 2019-06-26 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR102628064B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2024-01-22 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 아릴아민 화합물 및 유기 전계발광 소자 |
| US20170025609A1 (en) | 2015-07-20 | 2017-01-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive materials |
| KR102666512B1 (ko) | 2016-09-22 | 2024-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN110036051B (zh) * | 2016-11-30 | 2023-02-28 | 保土谷化学工业株式会社 | 含有取代三芳基胺结构单元的高分子化合物 |
| KR20180064609A (ko) | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| EP3594212B1 (en) * | 2017-03-08 | 2023-12-20 | Idemitsu Kosan Co.,Ltd. | Compound, material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and electronic device |
| KR102448032B1 (ko) * | 2017-08-01 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
| KR102312485B1 (ko) | 2018-02-08 | 2021-10-13 | 주식회사 엘지화학 | 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
| CN111615516B (zh) | 2018-08-24 | 2023-10-17 | 株式会社Lg化学 | 化合物、包含其的涂覆组合物、使用其的有机发光器件及其制造方法 |
| KR102630138B1 (ko) * | 2019-03-11 | 2024-01-25 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
| KR20200113084A (ko) | 2019-03-21 | 2020-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 모노아민 화합물 |
| CN110128460A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 黑龙江省科学院石油化学研究院 | 一种含硅的有机电致发光材料及其制备方法 |
| KR20210084744A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
| KR20210085545A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20220063868A (ko) | 2020-11-10 | 2022-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자용 아민 화합물 |
| CN117343078A (zh) | 2021-11-25 | 2024-01-05 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料和器件 |
Family Cites Families (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187310A (en) | 1990-03-14 | 1993-02-16 | Kao Corporation | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
| JPH05323634A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-07 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
| JP3278252B2 (ja) | 1993-08-12 | 2002-04-30 | 靖彦 城田 | 有機ｅｌ素子 |
| JP3269300B2 (ja) | 1994-12-22 | 2002-03-25 | 東洋インキ製造株式会社 | 正孔輸送材料およびその用途 |
| US7750175B2 (en) | 1996-06-25 | 2010-07-06 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and related hole transport compounds |
| US6939625B2 (en) | 1996-06-25 | 2005-09-06 | Nôrthwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection |
| JP3180802B2 (ja) | 1998-07-16 | 2001-06-25 | 住友電気工業株式会社 | トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6627333B2 (en) * | 2001-08-15 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices with improved efficiency |
| JP3797310B2 (ja) | 2001-10-26 | 2006-07-19 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE10203328A1 (de) | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Syntec Ges Fuer Chemie Und Tec | Neue Triarylamin-Derivate mit raumfüllenden Flügelgruppen und ihre Einsatz in elektro-fotografischen und organischen elektrolumineszenten Vorrichtungen |
| JP4125076B2 (ja) | 2002-08-30 | 2008-07-23 | キヤノン株式会社 | モノアミノフルオレン化合物およびそれを使用した有機発光素子 |
| KR100664390B1 (ko) * | 2004-03-19 | 2007-01-02 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 정공 주입 또는 수송용 물질 및 이를 이용한 유기발광 소자 |
| US8188315B2 (en) | 2004-04-02 | 2012-05-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and flat panel display device comprising the same |
| EP1834946A4 (en) | 2005-01-05 | 2009-04-29 | Idemitsu Kosan Co | AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THIS |
| DE102005058543A1 (de) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| JP2009519564A (ja) | 2005-12-12 | 2009-05-14 | モア ビー． チャド | ワイヤ式のフラットパネルディスプレイ |
| JP4871613B2 (ja) | 2006-03-02 | 2012-02-08 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
| JP2007230951A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Canon Inc | シリル化合物、発光材料およびそれを用いた有機発光素子 |
| EP2031670B1 (en) | 2006-06-22 | 2013-11-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device employing heterocycle-containing arylamine derivative |
| KR20090023411A (ko) | 2006-06-27 | 2009-03-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기발광 소자 |
| JP4227158B2 (ja) | 2006-08-04 | 2009-02-18 | バンドー化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100846590B1 (ko) * | 2006-11-08 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실란일아민계 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함한유기막을 구비한 유기 발광 소자 |
| KR100874472B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-12-18 | 에스에프씨 주식회사 | 청색발광화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
| DE502008002309D1 (de) | 2007-04-26 | 2011-02-24 | Basf Se | Silane enthaltend phenothiazin-s-oxid oder phenothiazin-s,s-dioxid-gruppen und deren verwendung in oleds |
| EP3345983B1 (de) | 2007-07-05 | 2020-08-26 | UDC Ireland Limited | Verbindungen enthaltend mindestens eine disilylverbindung ausgewählt aus disilylcarbazolen, disilyldibenzofuranen, disilyldibenzothiophenen, disilyldibenzophospholen, disilyldibenzothiophen-s-oxiden und disilyldibenzothiophen-s, s-dioxiden |
| AU2008331673B2 (en) * | 2007-11-12 | 2014-12-11 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Novel vaccines against multiple subtypes of influenza virus |
| KR100918049B1 (ko) | 2007-11-28 | 2009-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응 태양 전지용 염료 및 이를 포함하는 염료 감응태양 전지 |
| KR100940938B1 (ko) | 2007-12-04 | 2010-02-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
| KR100974562B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2010-08-06 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자 |
| KR100991416B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-11-03 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| JP2009194042A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | カルバゾリル基を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用電荷輸送材料およびその用途 |
| KR101379133B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-03-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그들을 사용한 유기 전기발광 소자 |
| KR20100028168A (ko) | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자 |
| EP2343277B1 (en) * | 2008-10-08 | 2014-01-15 | LG Chem, Ltd. | Novel compound and organic electronic device using same |
| KR20100041043A (ko) | 2008-10-13 | 2010-04-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자 |
| JP5429673B2 (ja) | 2008-10-17 | 2014-02-26 | 三井化学株式会社 | 芳香族アミン誘導体、及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20100048210A (ko) | 2008-10-30 | 2010-05-11 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| JPWO2010052932A1 (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | 保土谷化学工業株式会社 | トリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2010143841A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2010186983A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
| JP2010195708A (ja) | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | カルバゾリル基を有する化合物およびその用途 |
| KR20100106014A (ko) | 2009-03-23 | 2010-10-01 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하고 있는 유기 전계발광 소자 |
| CN104795495B (zh) | 2009-04-24 | 2017-09-29 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件 |
| US20100295445A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP5617398B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2014-11-05 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
| JP5323634B2 (ja) | 2009-09-29 | 2013-10-23 | 日立建機株式会社 | 搭乗式転圧ローラ車両 |
| KR101446401B1 (ko) | 2009-10-02 | 2014-10-01 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 유기 전기발광 소자 |
| CN102596907B (zh) | 2009-11-16 | 2014-12-17 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件 |
| KR20110056728A (ko) | 2009-11-23 | 2011-05-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 신규의 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 |
| KR20110068239A (ko) * | 2009-12-15 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 실라닐 아민 유도체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| WO2011074252A1 (ja) | 2009-12-16 | 2011-06-23 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2011077691A1 (ja) | 2009-12-21 | 2011-06-30 | 出光興産株式会社 | ピレン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2423209B1 (en) | 2010-04-20 | 2015-08-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Bis-carbazole derivative, material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element using same |
| US8586206B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-11-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same |
| JP6007467B2 (ja) | 2010-07-27 | 2016-10-12 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、 |
| EP2421064B1 (en) | 2010-08-18 | 2018-07-04 | Cheil Industries Inc. | Compound for organic optoelectronic device, organic light emmiting diode including the same and display including the light emmiting diode |
| KR20120104085A (ko) * | 2010-10-25 | 2012-09-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR101423173B1 (ko) | 2010-11-04 | 2014-07-25 | 제일모직 주식회사 | 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자 |
| EP2645443A4 (en) | 2010-11-22 | 2014-04-23 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| CN102190627A (zh) | 2010-12-10 | 2011-09-21 | 吉林大学 | 9,10-菲并咪唑衍生物及其作为电致发光材料的应用 |
| KR20120066149A (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정공수송물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR101029082B1 (ko) | 2010-12-28 | 2011-04-12 | 덕산하이메탈(주) | 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치 |
| KR101809899B1 (ko) | 2011-02-14 | 2017-12-21 | 에스에프씨 주식회사 | 피리딘 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR101840313B1 (ko) | 2011-02-14 | 2018-03-21 | 에스에프씨 주식회사 | 피리딘 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| JP2015013804A (ja) | 2011-09-16 | 2015-01-22 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5825043B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2015-12-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 |
| JP2013107853A (ja) | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101559430B1 (ko) * | 2012-02-22 | 2015-10-13 | 주식회사 엠비케이 | 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
| JP2013247699A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | ワイヤーハーネス、ワイヤーハーネスの製造方法及び分岐用部材 |
| JP2013247741A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Panasonic Corp | 二次電池保護回路、電池パック及び電子機器 |
| JP2013247442A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Ntt Docomo Inc | データ送信装置、通知方法およびプログラム |
| JP2013247787A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Toshiba Corp | 太陽光発電システム及び短絡電流検出装置 |
| JP6013783B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-10-25 | 株式会社ニフコ | 調整具 |
| JP5990403B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-09-14 | 株式会社 ジャパン・ティッシュ・エンジニアリング | 培養皿及び培養キット |
| JP6034600B2 (ja) | 2012-06-12 | 2016-11-30 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
| EP2915199B1 (de) | 2012-10-31 | 2021-03-31 | Merck Patent GmbH | Elektronische vorrichtung |
| JP2014131987A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2013
- 2013-11-29 JP JP2013248003A patent/JP2014131987A/ja not_active Withdrawn
- 2013-11-29 JP JP2013247909A patent/JP6307687B2/ja active Active
- 2013-11-29 JP JP2013247699A patent/JP6307689B2/ja active Active
- 2013-11-29 JP JP2013247962A patent/JP6373573B2/ja active Active
- 2013-11-29 JP JP2013247741A patent/JP6452102B2/ja active Active
- 2013-11-29 JP JP2013247787A patent/JP6307690B2/ja active Active
- 2013-11-29 JP JP2013247442A patent/JP6307686B2/ja active Active
- 2013-12-04 KR KR1020177018061A patent/KR20170081718A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-12-04 KR KR1020157002270A patent/KR20150090021A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-12-04 US US14/096,188 patent/US9843005B2/en active Active
- 2013-12-05 TW TW102144519A patent/TWI655196B/zh active
- 2013-12-05 KR KR1020130150773A patent/KR101732463B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-04 US US14/731,180 patent/US9780317B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-27 US US15/716,613 patent/US10629830B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-09 JP JP2018075068A patent/JP6807341B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-11 JP JP2020153293A patent/JP2021004247A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140151666A1 (en) | 2014-06-05 |
| KR20140074228A (ko) | 2014-06-17 |
| JP6307690B2 (ja) | 2018-04-11 |
| JP6373573B2 (ja) | 2018-08-15 |
| JP2014131984A (ja) | 2014-07-17 |
| US20180019416A1 (en) | 2018-01-18 |
| TWI655196B (zh) | 2019-04-01 |
| JP6807341B2 (ja) | 2021-01-06 |
| JP2014131986A (ja) | 2014-07-17 |
| KR20150090021A (ko) | 2015-08-05 |
| JP2014131985A (ja) | 2014-07-17 |
| US9780317B2 (en) | 2017-10-03 |
| TW201431868A (zh) | 2014-08-16 |
| JP6307686B2 (ja) | 2018-04-11 |
| JP6307689B2 (ja) | 2018-04-11 |
| US20150270502A1 (en) | 2015-09-24 |
| KR101732463B1 (ko) | 2017-05-08 |
| US10629830B2 (en) | 2020-04-21 |
| JP2014131981A (ja) | 2014-07-17 |
| KR20170081718A (ko) | 2017-07-12 |
| JP6307687B2 (ja) | 2018-04-11 |
| US9843005B2 (en) | 2017-12-12 |
| JP2014131987A (ja) | 2014-07-17 |
| JP2018138560A (ja) | 2018-09-06 |
| JP2021004247A (ja) | 2021-01-14 |
| JP2014131982A (ja) | 2014-07-17 |
| JP2014131983A (ja) | 2014-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6452102B2 (ja) | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101544237B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
| WO2014088047A1 (ja) | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP7251711B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| KR20180112721A (ko) | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| KR20210042873A (ko) | 유기발광소자 | |
| CN103857671A (zh) | 新型苯并三唑衍生物和使用该衍生物的有机电致发光器件 | |
| KR20180112722A (ko) | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| US20200109138A1 (en) | Organic compound and organic electroluminescence device using the same | |
| CN108912038A (zh) | 一种芳香胺化合物及其有机电致发光器件 | |
| CN108137594B (zh) | 有机电致器件用化合物、利用该化合物的有机电致器件及其电子装置 | |
| KR20150061811A (ko) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 | |
| JP2014108941A (ja) | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR20150131700A (ko) | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| KR20140004549A (ko) | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| JP2015149317A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR20130069431A (ko) | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| TWI741047B (zh) | 有機電致發光元件 | |
| KR102225901B1 (ko) | 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| KR102405393B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| JP2015119054A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101964677B1 (ko) | 치환기를 가진 피렌 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| JP2016076519A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| TW201730147A (zh) | 芳香族化合物及包含其之有機發光二極體 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170925 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20180124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180308 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180731 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181025 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20181102 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6452102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |