JP6237440B2 - 物理量センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の物理量センサを車両の加速度等を検出する加速度センサに適用した例について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して半導体層14に第2凹部を形成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して第1、第2凹部16、18の深さを等しくすると共に支持基板12と基板61の厚さとを等しくしたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してウェハ状態で気密性を検査するものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
16 第1凹部
17 センシング部
25、32、42 配線部
61 基板(第2基板)
70 気密室
81 貫通孔
82 絶縁膜
83 貫通電極
Claims (4)
- 一面(11a)を有し、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(17)および前記センシング部と電気的に接続される配線部(25、32、42)が形成された第1基板(11)と、
前記第1基板の一面側に配置され、前記第1基板との間に気密室(70)を構成して当該気密室に前記センシング部を封止する第2基板(61)と、を備え、
前記第2基板に前記第1、第2基板の積層方向に貫通して前記配線部を露出させる貫通孔(81)が形成されていると共に、前記貫通孔に絶縁膜(82)を介して前記配線部と電気的に接続される貫通電極(83)が形成された物理量センサの製造方法において、
前記第1基板に前記センシング部および前記配線部を形成する工程と、
前記第1基板の一面に前記第2基板を接合して前記気密室を構成する工程と、
前記第2基板に前記配線部を露出させる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に前記絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜上に金属膜を成膜することにより、前記配線部と電気的に接続される前記貫通電極を形成する工程と、を行い、
前記第1基板として、支持基板(12)、絶縁膜(13)、半導体層(14)が順に積層され、前記半導体層のうちの前記絶縁膜側の部分に第2凹部(18)が形成された半導体基板を用意し、
前記センシング部および前記配線部を形成する工程の前に、前記第1基板の一面を構成する前記半導体層のうちの前記第2凹部と対向する部分に第1凹部(16)を形成する工程を行い、
前記センシング部を形成する工程では、前記第1凹部の底面を含む部分に、可動電極(24)と、前記可動電極と対向して配置される固定電極(31、41)とを有する前記センシング部を形成し、
前記貫通孔を形成する工程の前に、前記第2基板を薄膜化する薄膜化工程を行うことを特徴とする物理量センサの製造方法。 - 前記第1、第2基板として、ウェハ状のものを用意し、
前記第1凹部を形成する工程および前記センシング部を形成する工程では、前記第1基板のうちのダイシングライン(100)に第1検査孔(85a)を形成し、
前記貫通孔を形成する工程では、前記第2基板のうちのダイシングライン(100)に前記第1検査孔と連通する第2検査孔(85b)を形成することにより、前記第1、第2基板の接合面の端部を前記第1、第2検査孔に露出させ、
前記貫通孔を形成する工程の後、前記第1、第2検査孔を介して前記第1、第2基板の接合面を検査する検査工程を行い、
前記検査工程の後、前記第1、第2基板を前記ダイシングラインに沿ってチップ単位に分割することを特徴とする請求項1に記載の物理量センサの製造方法。 - 一面(11a)を有し、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(17)および前記センシング部と電気的に接続される配線部(25、32、42)が形成された第1基板(11)と、
前記第1基板の一面側に配置され、前記第1基板との間に気密室(70)を構成して当該気密室に前記センシング部を封止する第2基板(61)と、を備え、
前記第2基板に前記第1、第2基板の積層方向に貫通して前記配線部を露出させる貫通孔(81)が形成されていると共に、前記貫通孔に絶縁膜(82)を介して前記配線部と電気的に接続される貫通電極(83)が形成された物理量センサにおいて、
前記第1基板は、支持基板(12)、絶縁膜(13)、半導体層(14)が順に積層された半導体基板を用いて構成され、前記半導体層のうちの前記絶縁膜側と反対側の前記一面側から第1凹部(16)が形成され、前記半導体層のうちの前記絶縁膜側から前記第1凹部と対向する部分に第2凹部(18)が形成され、
前記第2基板は、前記第1基板側の一面(61a)側が平坦な面とされており、
前記センシング部は、前記第1凹部の底面を含む部分であって、前記半導体層のうちの前記第1凹部と前記第2凹部との間の部分に形成された可動電極(24)と、前記可動電極(24)と対向して配置される固定電極(31、41)とを有し、前記第2基板から所定距離離間していることを特徴とする物理量センサ。 - 前記第1凹部と前記第2凹部とは、深さが等しくされ、
前記支持基板と前記第2基板とは、同じ材料で構成されていると共に、厚さが等しくされていることを特徴とする請求項3に記載の物理量センサ。
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