JP5104039B2 - 光基板の製造方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献2による光基板では、Si基板は高価であること、また、Si基板を精度良くエッチングするには加工コストもかかってしまい、全体として製造コストが増大してしまう問題があった。
図1及び図2に示すように、光基板1は、第1面2aに電気配線3がパターニングされた絶縁樹脂層2と、絶縁樹脂層2の第1面2a上に実装された受発光素子4及びコントロールIC5と、受発光素子4と光信号を入出力する光導波路フィルム(光配線)6と、絶縁樹脂層2の第1面2a側を覆うモールド樹脂7とを備えている。
受発光素子4は、絶縁樹脂層2の第1面2a上において、受発光面4aを絶縁樹脂層2側に向け、切欠き部8の縁端8aから突出させて実装されている。このような受発光素子4としては、単チャンネル及び複数チャンネルのいずれの光素子でも良い。より具体的には、端面発光型LD、面発光型LD、面受光型PDなどを使用することができる。
具体的には、カーボネート材料、エポキシ材料、アクリル材料、イミド材料、ウレタン材料、シリコーン材料、無機フィラー混入有機材料などを選択可能であるが、これらに限定されるものではない。なお、界面の屈折率差を無くすため、光導波路フィルム6と同等の屈折率を有する光学樹脂を選択することが望ましく、特にクラッド部分と同等の屈折率を有することが望ましい。
図4に示すステップS1において、絶縁樹脂基板20の絶縁樹脂層21をパターニングする。すなわち、図6に示すように、フォトリソグラフィーによって所定のパターンで、例えば紫外線を照射することで、切欠き部8及びバイアホール2dが形成され、絶縁樹脂層2となる。ここで、絶縁樹脂層2を感光性絶縁樹脂としてフォトリソグラフィーによってパターニングすることで、切欠き部8の位置及び幅を、光導波路フィルム6の接続部14を設置する位置及び幅と略等しくするように、容易かつ高精度に形成することができる。
また、ダミーフィルム24上に硬化、離型する粘着層を設け、後述する剥離工程において紫外線照射等によって容易に剥離するようにダミーフィルム24を構成してもよい。さらに、ダミーフィルム24のキャリアフィルム23に対向する面に対して、プラズマ処理等の加工を行い、キャリアフィルム23との接着性を高めてもよい。
続いて図11に示すように、絶縁樹脂層2の第1面2a上に受発光素子4が実装される。より詳しくは、受発光面4aを切欠き部8の縁端8aから突出させるようにして、半田バンプ16を用いてフリップチップ実装される。半田バンプ16に代えて、半田ボール等が用いられてもよい。これにより受発光素子4は、電気配線3と電気的に接続されるとともに、受発光面4aがダミーフィルム24と対向して少なくとも一部で接触した状態となる。
上述のように、キャリアフィルム23及び/又はダミーフィルム24上に、紫外線剥離型の粘着層を設けた場合には、紫外線照射によりキャリアフィルム23及び/又はダミーフィルム24を容易に剥離することができる。
そして、図8に示すように、銅箔22上にエッチングレジストパターンを形成し、銅箔をエッチングすることで、パターニングされた電気配線3を得た。
続いて、図11に示すように、絶縁樹脂層2上の電気配線3及びダミーフィルム24上に、受発光素子4として発光素子4A(4ch VCSEL:AVALON社製)を実装した。この際、光導波路フィルム6の光入出力面13と発光素子4Aの発光位置が合うようにアライメントを行った。また、受発光素子4は、半田バンプ16を用いて電気配線3と接続した。
続いて、図14に示すように、ダミーフィルム24を剥離した後の切欠き部8に、光導波路フィルム6として光導波路フィルム6A(マルチモードエポキシ系光導波路フィルム:エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社製)を実装した。実装の際には、透明樹脂からなる光学接着剤15A(エポテックT7109:Epoxy Technology社製)を使用した。光導波路フィルム6の位置合わせは、絶縁樹脂層2の切欠き部8の外形を利用した突き当てにより行った。このようにして光基板1Aを製造した。
2、21 絶縁樹脂層
2a、21a 第1面
2c 第2面
3 電気配線
4 受発光素子
4a 受発光面
5 コントロールIC
6 光導波路フィルム(光配線)
7 モールド樹脂
13 光入出力面
22 銅箔
23 キャリアフィルム
24 ダミーフィルム
Claims (4)
- 第1面に電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の前記第1面上に設けられ、受発光面を、前記絶縁樹脂層の前記第1面に対向する側に向けて前記絶縁樹脂層の縁端から突出させた受発光素子と、
前記受発光素子に光信号を入出力する光入出力面が、少なくとも一部で前記受発光素子の前記受発光面と接触するようにして、前記受発光面と対向配置された光配線とを有する光基板の製造方法であって、
第1面に銅箔が配置された前記絶縁樹脂層をパターニングする工程と、
前記絶縁樹脂層の前記第1面の反対側に位置する第2面において、前記絶縁樹脂層の所定の部位を覆うようにキャリアフィルムを貼りつける工程と、
前記銅箔に前記電気配線をパターニングする工程と、
前記銅箔及び絶縁樹脂が除去された前記所定の部位に位置する前記キャリアフィルム上にダミーフィルムを配置する工程と、
前記第1面に前記受発光素子を実装する工程と、
前記第1面上をモールド樹脂によって封止する工程と、
前記封止する工程の後に、前記キャリアフィルム及び前記ダミーフィルムを剥離して除去する剥離工程と、
前記ダミーフィルムが配置されていた部位に前記光配線を実装する光配線実装工程と、
を備えることを特徴とする光基板の製造方法。 - ソルダーレジストを前記第1面上に印刷する工程と、
ニッケル及び金を前記第1面上にメッキする工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の光基板の製造方法。 - 前記受発光素子のコントロールICを実装する工程をさらに備え、
前記光配線実装工程において、前記光配線は、前記第2面側から実装されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光基板の製造方法。 - 前記光配線実装工程において、前記光配線は、前記光配線と同等の屈折率を有する透明光学樹脂からなる接着剤を用いて実装されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140317A JP5104039B2 (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 光基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140317A JP5104039B2 (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 光基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008292913A JP2008292913A (ja) | 2008-12-04 |
JP5104039B2 true JP5104039B2 (ja) | 2012-12-19 |
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ID=40167658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007140317A Expired - Fee Related JP5104039B2 (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 光基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5104039B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004069824A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線基板 |
JP2004354532A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器 |
JP2006059882A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | 光半導体モジュールおよびその製造方法およびインターフェイスモジュール付lsiパッケージ |
JP3955065B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2007-08-08 | シャープ株式会社 | 光結合器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008292913A (ja) | 2008-12-04 |
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