JP4273943B2 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハであって、ステッパチャック等に保持した際の平坦度に優れたシリコンウェーハの製造方法に関するものである。
一般に半導体シリコンウェーハの製造工程は、引上げたシリコン単結晶インゴットから切出し、スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシング）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を有するウェーハとして生産される。
ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たシリコンウェーハは表面にダメージ層即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。
ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たシリコンウェーハは表面にダメージ層即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。
この加工変質層を取除くため、エッチング処理が行われる。エッチング処理には、酸エッチング液を用いる酸エッチングと、アルカリエッチング液を用いるアルカリエッチングとがある。
しかし、酸エッチングを行うことにより、ラッピングで得られた平坦度が損なわれ、エッチング表面にｍｍオーダーのうねりやピールと呼ばれる凹凸が発生する。また、アルカリエッチングを行うことにより、局所的な深さが数μｍで、大きさが数〜数十μｍ程度のピット（以下、これをファセットという。）が発生する等の問題点があった。
しかし、酸エッチングを行うことにより、ラッピングで得られた平坦度が損なわれ、エッチング表面にｍｍオーダーのうねりやピールと呼ばれる凹凸が発生する。また、アルカリエッチングを行うことにより、局所的な深さが数μｍで、大きさが数〜数十μｍ程度のピット（以下、これをファセットという。）が発生する等の問題点があった。
上記問題点を解決する方法として、図７に示すように、単結晶インゴットをスライス１して得た半導体ウェーハを、少なくとも面取り２、ラッピング３、エッチング４，５、鏡面研磨６及び洗浄する工程からなる半導体ウェーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチング４の後、酸エッチング５を行うものとし、その際、アルカリエッチング４のエッチング代を、酸エッチング５のエッチング代よりも大きくするウェーハの加工方法及びこの方法により加工されたウェーハが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
上記特許文献１に示される方法により、ラッピング後の平坦度を維持することができ、エッチング後のウェーハ表面のうねりを減少させ、局所的な深いピットの発生や表面粗さの悪化を抑えるとともに、パーティクルやステイン等の汚染が発生しにくいエッチング表面を持つ化学エッチングウェーハを作製することが可能となる。このようなウェーハは鏡面研磨での取り代を減少でき、その平坦度も向上する。
特開平１１−２３３４８５号公報（請求項１、段落［００４２］）
上記特許文献１に示される方法により、ラッピング後の平坦度を維持することができ、エッチング後のウェーハ表面のうねりを減少させ、局所的な深いピットの発生や表面粗さの悪化を抑えるとともに、パーティクルやステイン等の汚染が発生しにくいエッチング表面を持つ化学エッチングウェーハを作製することが可能となる。このようなウェーハは鏡面研磨での取り代を減少でき、その平坦度も向上する。
しかしながら、上記特許文献１に示されたウェーハの表面に鏡面研磨６を施したウェーハ（以下、ＰＷ；Polished Waferという。）では、デバイスメーカーの所望するような良好な平坦度を有し、かつＰＷの裏面粗さが小さいウェーハを得られることができない問題があった。
一方、デバイスメーカーではデバイスの高集積化に伴い、リソグラフィー工程でデバイスを作り込む際に、ステッパ（露光装置）内にウェーハを保持した状態におけるウェーハ平坦度（以下、チャック時の平坦度という。）を考慮する必要性が増している。ステッパ内ではウェーハを保持するためにステッパチャックにウェーハを吸着させているため、このステッパチャックのウェーハ吸着位置や保持構造、その形状などがチャック時の平坦度に対して影響を与えている。またウェーハではウェーハ表面を鏡面研磨する前のウェーハ外周形状やウェーハの裏面粗さがチャック時の平坦度に影響を与えている。
例えば、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、加工変質層を有するウェーハ７からこの加工変質層をエッチング工程により除去する際に、ウェーハ中央部に比べてエッジ部の厚さが薄くなってしまう場合、続く両面同時研磨工程では図８（ｃ）に示すように、両面研磨装置の上定盤の加工圧によってウェーハ表面の形状がウェーハ裏面の形状に倣うように研磨されてしまうため、両面研磨後のウェーハには反りが形成されたようになってしまう。図８（ｄ）に示すように、このウェーハ７をステッパチャック８に保持すると、エッジ部近傍では平坦を維持することができずにウェーハ中央部に比べて反りあがった状態となる。このようにウェーハ中心部とエッジ部とで平坦度が異なると、エッジ部及びその近傍はデバイス作製領域として利用することができないため、歩留まりが低下してしまう不具合があった。
また図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、加工変質層を有するウェーハ７からこの加工変質層をエッチング工程により除去する際に、ウェーハ中央部に比べてエッジ部の厚さが厚くなってしまう場合、続く両面同時研磨工程では図９（ｃ）に示すように、両面研磨装置の上定盤の加工圧によってウェーハ表面の形状がウェーハ裏面の形状に倣うように研磨されてしまうため、両面研磨後のウェーハには反りが形成されたようになってしまう。図９（ｄ）に示すように、このウェーハ７をステッパチャック８に保持すると、エッジ部近傍では平坦を維持することができず、ウェーハ中央部とエッジ部とで平坦度が異なってしまい、エッジ部及びその近傍はデバイス作製領域として利用することができない不具合が生じていた。
また図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、加工変質層を有するウェーハ７からこの加工変質層をエッチング工程により除去する際に、ウェーハ中央部に比べてエッジ部の厚さが厚くなってしまう場合、続く両面同時研磨工程では図９（ｃ）に示すように、両面研磨装置の上定盤の加工圧によってウェーハ表面の形状がウェーハ裏面の形状に倣うように研磨されてしまうため、両面研磨後のウェーハには反りが形成されたようになってしまう。図９（ｄ）に示すように、このウェーハ７をステッパチャック８に保持すると、エッジ部近傍では平坦を維持することができず、ウェーハ中央部とエッジ部とで平坦度が異なってしまい、エッジ部及びその近傍はデバイス作製領域として利用することができない不具合が生じていた。
本発明の目的は、ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハであって、ステッパチャック等に保持した状態におけるウェーハ平坦度に優れたシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
請求項１に係る発明は、図１に示すように、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程を経て加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬して加工変質層を除去するエッチング工程１４と、エッチング工程の後に、ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程１６とを含むシリコンウェーハの製造方法の改良である。
その特徴ある構成は、酸エッチング液がフッ酸、硝酸、酢酸及び水をそれぞれ含み、シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ未満であるとき、酸エッチング液に含まれるフッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：１〜５：３〜８：３〜７となるように調製し、シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ以上であるとき、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：５〜９：１〜６：１〜５となるように調製し、酸エッチングによる取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜７μｍとし、エッチング工程１４のアルカリエッチング液に４０〜６０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用い、両面同時研磨工程１６でウェーハに供給する研磨剤の流量を１〜２０Ｌ／分、上定盤の荷重を５０〜５００ｇ／ｃｍ2、上定盤回転数と下定盤回転数の比を上定盤：下定盤＝１：２〜２０としてウェーハを両面同時研磨することにより、ウェーハの表面における研磨代Ａを５〜１０μｍとし、裏面における研磨代Ｂを２〜６μｍとし、研磨代Ａと研磨代Ｂとの差（Ａ−Ｂ）を３〜４μｍとするところにある。
請求項１に係る製造方法では、水酸化ナトリウム水溶液を用いたエッチング工程１４により、研磨前材料の粗さとテクスチャーサイズの制御及び外周形状コントロールを行うことができ、両面同時研磨工程１６で表裏面における取り代をそれぞれ規定することにより、ウェーハ両面を高精度の平坦度にすることができ、かつ裏面粗さを低減することができる。またウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハを得ることができる。更に、ステッパチャック等に保持した状態におけるウェーハ平坦度に優れたウェーハが得られる。また上記酸エッチング液を用いることにより、ラッピング後の平坦度を維持するとともに、表面粗さを低減することができる。
請求項１に係る製造方法では、水酸化ナトリウム水溶液を用いたエッチング工程１４により、研磨前材料の粗さとテクスチャーサイズの制御及び外周形状コントロールを行うことができ、両面同時研磨工程１６で表裏面における取り代をそれぞれ規定することにより、ウェーハ両面を高精度の平坦度にすることができ、かつ裏面粗さを低減することができる。またウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハを得ることができる。更に、ステッパチャック等に保持した状態におけるウェーハ平坦度に優れたウェーハが得られる。また上記酸エッチング液を用いることにより、ラッピング後の平坦度を維持するとともに、表面粗さを低減することができる。
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、エッチング工程１４が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる製造方法である。
請求項２に係る製造方法では、この順にそれぞれエッチングされたウェーハの表面は、形状の大きいファセットが少なくかつ深いピットの発生も抑制される。
請求項２に係る製造方法では、この順にそれぞれエッチングされたウェーハの表面は、形状の大きいファセットが少なくかつ深いピットの発生も抑制される。
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、酸エッチング槽の数を１〜３槽とし、アルカリエッチング槽の数を１〜３槽とする製造方法である。
以上述べたように、本発明のシリコンウェーハの製造方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程を経て加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬して加工変質層を除去するエッチング工程と、エッチング工程の後に、ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程とを含むシリコンウェーハの製造方法の改良であり、酸エッチング液がフッ酸、硝酸、酢酸及び水をそれぞれ含み、シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ未満であるとき、酸エッチング液に含まれるフッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：１〜５：３〜８：３〜７となるように調製し、シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ以上であるとき、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：５〜９：１〜６：１〜５となるように調製し、酸エッチングによる取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜７μｍとし、エッチング工程１４のアルカリエッチング液に４０〜６０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用い、両面同時研磨工程１６でウェーハに供給する研磨剤の流量を１〜２０Ｌ／分、上定盤の荷重を５０〜５００ｇ／ｃｍ2、上定盤回転数と下定盤回転数の比を上定盤：下定盤＝１：２〜２０としてウェーハを両面同時研磨することにより、ウェーハの表面における研磨代Ａを５〜１０μｍとし、裏面における研磨代Ｂを２〜６μｍとし、研磨代Ａと研磨代Ｂとの差（Ａ−Ｂ）を３〜４μｍとすることを特徴とする。
アルカリエッチング液に水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、研磨前材料の粗さとテクスチャーサイズの制御及び外周形状コントロールを行うことができ、両面同時研磨工程で表裏面における取り代をそれぞれ規定することにより、ウェーハ両面を高精度の平坦度にすることができ、かつ裏面粗さを低減することができる。またウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハを得ることができる。更に、ステッパチャック等に保持した状態におけるウェーハ平坦度に優れたウェーハが得られる。
アルカリエッチング液に水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、研磨前材料の粗さとテクスチャーサイズの制御及び外周形状コントロールを行うことができ、両面同時研磨工程で表裏面における取り代をそれぞれ規定することにより、ウェーハ両面を高精度の平坦度にすることができ、かつ裏面粗さを低減することができる。またウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハを得ることができる。更に、ステッパチャック等に保持した状態におけるウェーハ平坦度に優れたウェーハが得られる。
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、育成されたシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にするためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施す。このプロセスの後、図１に示すように、ブロック体は棒軸方向に対して所定角度をもってスライスされる（工程１１）。工程１１でスライスされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップを防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程１２）。この面取りを施すことにより、例えば面取りされていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上がるクラウン現象を抑制することができる。続いて、スライス等の工程で生じたウェーハ表面の凹凸層を機械研磨（ラッピング）してウェーハ表面の平坦度とウェーハの平行度を高める（工程１３）。ラッピング工程１３を施したウェーハは洗浄工程で洗浄されて次工程へと送られる。
先ず、育成されたシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にするためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施す。このプロセスの後、図１に示すように、ブロック体は棒軸方向に対して所定角度をもってスライスされる（工程１１）。工程１１でスライスされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップを防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程１２）。この面取りを施すことにより、例えば面取りされていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上がるクラウン現象を抑制することができる。続いて、スライス等の工程で生じたウェーハ表面の凹凸層を機械研磨（ラッピング）してウェーハ表面の平坦度とウェーハの平行度を高める（工程１３）。ラッピング工程１３を施したウェーハは洗浄工程で洗浄されて次工程へと送られる。
次いで、面取り工程１２やラッピング工程１３により導入された機械的なウェーハ表面の加工変質層をエッチングによって完全に除去する（工程１４）。
本発明のエッチング工程１４では、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、シリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬する。本発明ではエッチング工程１４は酸エッチング１４ａの後にアルカリエッチング１４ｂが行われる。この順にそれぞれエッチングされたウェーハの表面は、形状の大きいファセットが少なくかつ深いピットの発生も抑制される。
本発明のエッチング工程１４では、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、シリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬する。本発明ではエッチング工程１４は酸エッチング１４ａの後にアルカリエッチング１４ｂが行われる。この順にそれぞれエッチングされたウェーハの表面は、形状の大きいファセットが少なくかつ深いピットの発生も抑制される。
酸エッチング１４ａに用いられる酸エッチング液はフッ酸、硝酸、酢酸及び水をそれぞれ含有する。このような酸エッチング液を用いることにより、ラッピング後の平坦度を維持するとともに、表面粗さを低減することができる。シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ未満の低抵抗品であるとき、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：１〜５：３〜８：３〜７となるように調製する。また、シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ以上の通常抵抗品であるとき、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：５〜９：１〜６：１〜５となるように調製する。酸エッチング液を上記混合割合に規定したのは、ウェーハの抵抗値によってエッチング速度が変動するためである。ウェーハの抵抗値が低抵抗になるほど酸エッチング液によるエッチング速度が大きくなる傾向がある。具体的には、抵抗値が１Ω・ｃｍ未満の低抵抗ウェーハに酸エッチングを施す際に、酸エッチング液を通常抵抗品に用いる酸エッチング液と同程度の混合割合にすると、エッチング後のウェーハ外周部がたれてしまい平坦度が低下する不具合がある。そのため抵抗値が１Ω・ｃｍ未満の低抵抗ウェーハに対しては、抵抗値が１Ω・ｃｍ以上の通常抵抗ウェーハに対応する酸エッチング液の混合割合に比べて、硝酸割合を低下させるとともに、酢酸及び水の割合を増加させ、酸エッチング液によるエッチング速度を適度の速度に制御している。ウェーハの抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以下であるときの酸エッチング液の好ましい混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：１〜３：５〜７：４〜６である。また、ウェーハの抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以上であるときの酸エッチング液の好ましい混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：６〜８：４〜６：２〜４である。アルカリエッチング１４ｂに用いられるアルカリエッチング液は４０〜６０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いる。このアルカリエッチング液を用いることにより、研磨前材料の粗さとテクスチャーサイズの制御及び外周形状コントロールを行うことができる。水酸化ナトリウム水溶液の濃度は好ましくは５０〜５５重量％、特に好ましくは５１重量％である。
このエッチング工程１４では、酸エッチング槽の数を１〜３槽とし、アルカリエッチング槽の数を１〜３槽とすることが好ましい。エッチング工程１４における酸エッチング１４ａの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜７μｍとし、アルカリエッチング１４ｂの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で１３〜１５μｍとする。酸エッチング１４ａでの合計取り代が５μｍ未満であると、後に続くアルカリエッチング１４ｂにて形成されるピットの深さが小さくならないために研磨取り代が大きくなってしまい平坦度を悪化させ易い不具合を生じ、７μｍを越えるとうねり（ナノトポグラフィー）が発生し、デバイス作製時に不具合を生じる。アルカリエッチング１４ｂでの合計取り代が１３μｍ未満であると、酸エッチング１４ａの取り代が大きくなり、うねりの問題が発生し、１５μｍを越えるとピットの深さが大きくなってしまう不具合を生じる。
また、各エッチング工程の間にはリンス工程を行う必要がある。例えば酸エッチング工程１４ａとアルカリエッチング１４ｂとの間には、純水リンスを施す洗浄工程が設けられる。リンス洗浄工程を間に入れることにより、ウェーハに付着した酸やアルカリが洗い落とされるため次に続く工程において、前工程のエッチング槽からの薬液の持込みを防ぐことができ、薬液組成の変動を最小限に抑制することができる。具体的には、図３に示すように、先ず、酸エッチング液２３が貯えられたエッチング槽２４にウェーハ２１を一定時間浸漬した後に、エッチング槽２４からウェーハ２１を引上げ、次いで純水２６が貯えられた水槽２７にウェーハ２１を浸漬してウェーハに付着した酸を洗い落とす。次に、アルカリエッチング液２８が貯えられたエッチング槽２９にウェーハ２１を一定時間浸漬した後に、エッチング槽２９からウェーハ２１を引上げ、続いて純水３１が貯えられた水槽３２にウェーハ２１を浸漬してウェーハに付着した酸を洗い落とす。
このようなエッチング工程１４を終えたウェーハは洗浄工程で表面に付着した薬液が洗い流されて次工程へと送られる。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、加工変質層を有するウェーハ２１に本発明のエッチング工程１４を施すことにより、研磨前のウェーハの粗さとテクスチャーサイズの制御及びウェーハ外周部の形状を制御することができる。ウェーハ外周部の形状を制御することで、後工程のデバイス工程でのウェーハ外周部におけるステッパにチャックした状態におけるウェーハ平坦度を制御することができる。
このようなエッチング工程１４を終えたウェーハは洗浄工程で表面に付着した薬液が洗い流されて次工程へと送られる。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、加工変質層を有するウェーハ２１に本発明のエッチング工程１４を施すことにより、研磨前のウェーハの粗さとテクスチャーサイズの制御及びウェーハ外周部の形状を制御することができる。ウェーハ外周部の形状を制御することで、後工程のデバイス工程でのウェーハ外周部におけるステッパにチャックした状態におけるウェーハ平坦度を制御することができる。
次に、図１に戻って、エッチング工程１４を終えたウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨を施す（工程１６）。
図４に一般的な両面同時研磨装置４０を一部破断して示す。両面同時研磨装置４０は、下側の筺体４１内の上部に配置された下定盤４２と、アーム４３に吊り下げられた上定盤４４とを有している。下定盤４２は図示しないキャリヤを搭載して回転する円盤状体である。両面同時研磨を行うウェーハを図示しないキャリヤに保持させることにより、下定盤４２は回転してそのウェーハの下面を両面同時研磨するように構成される。この下定盤４２は、上部にサンギヤ４８を有する駆動軸４８ａの外側に、上下一対のベアリング４９を介して回転自在に取り付けられる。そして、下定盤４２の外側には、インターナルギヤ５１が、上下一対のベアリング５２を介して回転自在に取り付けられている。
図４に一般的な両面同時研磨装置４０を一部破断して示す。両面同時研磨装置４０は、下側の筺体４１内の上部に配置された下定盤４２と、アーム４３に吊り下げられた上定盤４４とを有している。下定盤４２は図示しないキャリヤを搭載して回転する円盤状体である。両面同時研磨を行うウェーハを図示しないキャリヤに保持させることにより、下定盤４２は回転してそのウェーハの下面を両面同時研磨するように構成される。この下定盤４２は、上部にサンギヤ４８を有する駆動軸４８ａの外側に、上下一対のベアリング４９を介して回転自在に取り付けられる。そして、下定盤４２の外側には、インターナルギヤ５１が、上下一対のベアリング５２を介して回転自在に取り付けられている。
下定盤４２及びインターナルギヤ５１は、それらの下部にそれぞれ設けたギヤ４２ａ及び５１ａを介して、図示しないモータに接続される。駆動軸４８ａの上端には、上定盤４４を回転駆動するためのドライバ４８ｂが回転自在に設けられており、このドライバ４８ｂは、駆動軸４８ａの中空内部を同軸状に貫通して延び、かつ回転自在に支持された内側駆動軸（図示せず）の上端に連結される。この内側駆動軸と駆動軸４８ａとは、遊星歯車機構（図示せず）等により作動連結されており、ドライバ４８ｂは、駆動軸４８ａの回転に伴い、遊星歯車機構等を介してサンギヤ４８と逆方向に回転するようになっている。
上定盤４４は、その中央部分にドライバ４８ｂが挿通可能な中心孔４４ａが形成され、図示しないキャリヤにより保持されたウェーハを上から押圧しながら回転してそのウェーハの上面をラッピングする円盤状体である。この上定盤４４は上定盤吊り５３によって支持される。具体的には、上定盤４４を支持した上定盤吊り５３の上面に、ベアリング５４が固着され、このベアリング５４に、シリンダ５６のロッド５６ａが挿入される。そして、シリンダ５６が、筺体４１に立てられたポール５７のアーム４３によって支持される。このようにして、上定盤４４は上定盤吊り５３及びベアリング５４を介してシリンダ５６のロッド５６ａに回転自在に支持される。
図５及び図６に示すように、両面同時研磨装置４０には、周囲に外歯５８ａが形成され、内部にウェーハが嵌挿される加工孔５８ｂが形成されたキャリア５８が下定盤４２と上定盤４４との間に取り付けられ、外歯５８ａが両面同時研磨装置４０のインターナルギア５１及びサンギア４８とにそれぞれ噛合し、下定盤４２と上定盤４４との間に挟まれて自転しつつ公転するように設けられる。
そして加工孔５８ｂの間にウェーハを嵌挿し、キャリヤ５８の加工孔５８ｂにウェーハ２１を保持させた状態でキャリヤ５８を回転させ、上定盤４４と下定盤４２により挟まれたウェーハ２１の上下両面を両面同時研磨する。このときの両面同時研磨工程１６におけるウェーハ２１の表面における研磨代Ａが５〜１０μｍ、裏面における研磨代Ｂが２〜６μｍ、研磨代Ａと研磨代Ｂとの差（Ａ−Ｂ）が３〜４μｍとなるように制御しながら行う。研磨代Ａを５〜１０μｍに規定したのは、研磨代Ａが５μｍ未満であると、製造工程を終えて得られたウェーハ表面が完全な鏡面とはならず、ウェーハ表面にピットが残ってしまう可能性が生じるためであり、研磨代Ａが１０μｍを越えると、ウェーハ外周部にダレが発生し平坦度を劣化させるためである。研磨代Ｂを２〜６μｍに規定したのは、研磨代Ｂが２μｍ未満であると、裏面粗さの低減が十分ではなくステッパチャック上におけるウェーハ平坦度が劣化してしまう、即ち研磨代Ｂが上記数値未満の軽度の研磨では粗さの低減が不十分であり、研磨代Ｂが６μｍを越えると、ウェーハ裏面が鏡面化されてしまい、表裏面の識別がつかなくなるためである。また、また研磨代Ｂが大きいと平坦度を劣化させる傾向にある。好ましくはウェーハ２１の表面における研磨代Ａが７〜８μｍ、裏面における研磨代Ｂが３〜４μｍ、研磨代Ａと研磨代Ｂとの差（Ａ−Ｂ）が４μｍとなるように制御する。上記制御を行うことにより、ウェーハ表裏面が識別可能な片面鏡面ウェーハを作製することができ、またウェーハ裏面粗さを最適化することができる。
表面及び裏面における研磨取り代を上記範囲にそれぞれ制御するために、ウェーハに供給する研磨剤の流量を１〜２０Ｌ／分、好ましくは２Ｌ／分とし、上定盤４４の荷重を５０〜５００ｇ／ｃｍ2、好ましくは２００ｇ／ｃｍ2とし、上定盤回転数と下定盤回転数の比を上定盤：下定盤＝１：２〜２０、好ましくは１：５にする。
両面研磨装置の上定盤の加工圧によってウェーハ表面の形状はウェーハ裏面の形状に倣うように研磨されてしまうが、本発明のエッチング工程１４によって研磨前のウェーハの粗さとテクスチャーサイズの制御及びウェーハ外周部の形状を制御しているため、図２（ｃ）に示すように、両面同時研磨工程１６後のウェーハ２１には反りが形成されない。またエッチングを経たウェーハ２１に本発明の両面同時研磨工程１６を施すことにより、ウェーハ裏面粗さを低減することができ、かつウェーハの表裏面を目視により識別可能な片面鏡面ウェーハとすることができる。
その結果、図２（ｄ）に示すように、このウェーハ２１をステッパチャック２２に保持してもウェーハ中心部とエッジ部とで平坦度を維持することができるため、エッジ部及びその近傍についてもデバイス作製領域として利用することができ、歩留まりが向上する。
１４ エッチング工程
１６ 両面同時研磨工程
１６ 両面同時研磨工程
Claims (3)
- 複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程を経て加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬して加工変質層を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記ウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程と
を含むシリコンウェーハの製造方法において、
前記酸エッチング液がフッ酸、硝酸、酢酸及び水をそれぞれ含み、
シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ未満であるとき、前記酸エッチング液に含まれるフッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：１〜５：３〜８：３〜７となるように調製し、
シリコンウェーハの抵抗値が１Ω・ｃｍ以上であるとき、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合割合は重量比でフッ酸：硝酸：酢酸：水＝１：５〜９：１〜６：１〜５となるように調製し、
酸エッチングによる取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜７μｍとし、
前記エッチング工程のアルカリエッチング液に４０〜６０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用い、
アルカリエッチングによる取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で１３〜１５μｍとし、
前記両面同時研磨工程で前記ウェーハに供給する研磨剤の流量を１〜２０Ｌ／分、上定盤の荷重を５０〜５００ｇ／ｃｍ2、上定盤回転数と下定盤回転数の比を上定盤：下定盤＝１：２〜２０として前記ウェーハを両面同時研磨することにより、前記ウェーハの表面における研磨代Ａを５〜１０μｍとし、前記裏面における研磨代Ｂを２〜６μｍとし、前記研磨代Ａと前記研磨代Ｂとの差（Ａ−Ｂ）を３〜４μｍとする
ことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - エッチング工程(14)が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる請求項１記載の製造方法。
- 酸エッチング槽の数を１〜３槽とし、アルカリエッチング槽の数を１〜３槽とする請求項１又は２記載の製造方法。
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| JPH10135165A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製法 |
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