FI117032B - Kapasitiivinen yhden elektronin transistori - Google Patents
Kapasitiivinen yhden elektronin transistori Download PDFInfo
- Publication number
- FI117032B FI117032B FI20041000A FI20041000A FI117032B FI 117032 B FI117032 B FI 117032B FI 20041000 A FI20041000 A FI 20041000A FI 20041000 A FI20041000 A FI 20041000A FI 117032 B FI117032 B FI 117032B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- measurement
- quantum
- phase
- charge
- quantum bit
- Prior art date
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 23
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 5
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 2
- 230000005233 quantum mechanics related processes and functions Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 108010067930 structure-specific endonuclease I Proteins 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computational Mathematics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
Kapasitiivinen yhden elektronin transistori
Keksintö on herkkä mittalaite, jonka pääsovellusala on kvantilla; erityisesti suprajohtavista mikro- ja nanorakenteista koostuvien I 5 mittaaminen.
Kvanttilaskenta ja kvantiibttit
Kun digitaalielektroniikan perusyksikkö bitti on binäärilogiikan ta 10 arvoltaan 0 tai 1, kvanttilaskennan perusyksikkö kvanttibitti voi c mielivaltainen yhdistelmä eli superpositio arvoista 0 ja 1. Matein kvanttibitin tila ilmaistaan lausekkeella a|0> + b|1>, jossa a ja b o + |b|2 = 1 toteuttavia kompleksilukuja, ja jossa kvanttitilat |0> ja | tavallisen bitin arvoja 0 ja 1.
15
Todellista kvantiitietokonetta ei toistaiseksi ole toteutettu tai rak< vaikkakin alaa tutkitaan useiden eri tieteenalojen näkökulmasta, voimakkaasti kasvaneen kiinnostuksen selittää halu aikaansaac vallankumous digitaalisessa tietojenkäsittelyssä. Klassisen peri! 20 mukainen tietokone toimii kiinteiden syöttötietojen perusteella, k kvanttitietokone käyttää hyväkseen kvanttimekaniikan superpos · · ja laskea yhdellä operaatiolla rinnakkaislaskentana kaikkien ma syöttötietojen erilaiset yhdistelmät. Tällä tavalla kvanttitietokone ·:**: suorittamaan työläitä laskuja, jotka ovat mahdottomia kuinka no tavallisille tietokoneille. Näitä ovat muun muassa suuren luvun t * * * jonka vaikeuteen perustuu modernin yhteiskunnan tietoturva, s€ kvanttimekaanisten systeemien simulointi, joka avaa huimia ma esimerkiksi elämän perusteiden ja sairauksien synnyn tutkimuki »Il * * 2 1
Kvanttibittien tilan mittaaminen suprajohtavassa nanorakenteiss1 osoittautunut ainakin yhtä vaikeaksi kuin niiden käyttäminen laskentaoperaatioihin.
5 Suprajohteessa elektronit esiintyvät niin sanottuina Cooperin par ovat kahden elektronin löysästi sidoksissa olevia koherentteja eli tahtiin värähteleviä pareja. Cooperin parien supravirta kulkee ilm häviöitä, mikä on oleellista kvanttibitin koherenssin ylläpidossa. £ virta voi lisäksi kulkea noin 1-2 nanometriä paksun eristeen iävits 10 kvanttimekaanisen tunnelointi-ilmiön ansiosta. Tätä rakennetta k tunneliliitokseksi. Tunneloituvan supravirran energiaa kuvaa tern Josephsonin energia Ej, joka on sitä suurempi, mitä voimakkaan tunneloituva virta on. Jos Cooperin pari tuodaan suunnilleen mik suuruiselle suprajohdesaarekkeelle, tehty työ, jota kuvaa termi C 15 varausenergia Ecp, voi riittävän alhaisessa lämpötilassa olla suu termisten värähtelyjen energia. Suoraviivaisilla jäähdytysmenete laimennusjäähdyttimellä, saavutettavissa selvästi alle yhden Kel· suuruisissa lämpötiloissa Ecp ja Ej ovat suurimmat energiat ja tä liittyvät ilmiöt hallitsevat fysikaalisissa prosesseissa.
20
Vaihekvanttibitti on eräs suprajohtava kvanttibitti. Suprajohtavasi • · « materiaalista valmistettuun virtasilmukkaan indusoitu supravirta j * 2 1 :3: kulkuaan silmukassa periaatteessa miten pitkään tahansa. Vaihe ··· *:·1: perustilat |0> ja |1> liittyvät tunneliliitoksia sisältävässä, suprajohta 2i9 silmukassa kiertävän virran suuntaan. Vaihekvanttibittiä karakter ehto Ecp « Ej. Vaihe Φ piirikomponentin yli määritellään jännitti aikaintegraalina yhtälöllä: * 1 · • · · • · · 1 · 2 • « 3 • · - t 3 magneettivuon perusyksikkö, ja näinollen vaiheen mittaus ilmaii suunnan eli kvanttibitin tilan.
Toinen suprajohtava kvanttibitti on varauskvanttibitti, jonka tapa 5 Ej. Nanomittakaavaisella tunneliliitoksella voi olla riittävästi Coo varausenergiaa, jotta tämä ehto täyttyy. Varauskvanttibitin tilat | vastaavat sitä, onko yhden tai useamman tunneliliitoksen määri suprajohdesaarekkeella nolla vai yksi Cooperin pareja varausne tilanteeseen nähden. Varauskvanttibitin tilan mittaamista varten 10 herkkä sähkövarauksen mittalaite eli elektrometri, kuten rf-SET-
Kenties kaikkein kiinnostavin suprajohtava kvanttibitti on varaus vaihekvanttibitti. Kuten varauskvanttibitissä, kvanttibitin laskenta suoritetaan varaussignaaleilla. Mittaus puolestaan suoritetaan p 15 samalla tavalla kuin vaihekvanttibitissä, eli mittaamalla vaihe kv sillä tiloihin |0> ja |1> liittyy eri vaihe. Mittausta varten kvanttibitti < alkuperäisessä toteutuksessa oikosuljettu suprajohtavalla silmu yksi suurikokoinen tunneliliitos. Mittaus on tehty siten, että rakei johdetaan virtapulssi. Riippuen kvanttibitin tilasta, suurikokoisen 20 tunneliliitoksen virta joko ylittää tai ei ylitä kriittisen arvon, jolloin :***· syntyy tai ei synny jännite. Tämä jännite on lopullinen suure, jok * * * varaus-vaihekvanttibitin tilan alkuperäisen ratkaisun mukaisessa mittausmenetelmässä.
··· * « ,.25* Kaikkien edellä mainittujen kvanttibittien toiminta on osoitettu ke •«* yksittäisinä kvanttilogiikkaelementteinä. Kaksi varauskvanttibittii jopa onnistuttu kytkemään yhteen ja näin aikaansaatu hyvin alki \:V kvanttitietokoneen prosessori.
••9 • 9 4 johtavissa metalli- tai puolijohderakenteissa voidaan kuitenkin h kvanttimekaanisia ilmiöitä matalissa lämpötiloissa. Suprajohtava metallirakenteiden tapauksessa liikutaan alle yhden Kelvin-astei Karkeasti ilmaistuna mesoskooppisuutta voidaan käyttää sanan 5 synonyyminä.
Mesoskooppinen peruslaite on yhden elektronin transistori (SEI koostuu kahdesta tunneliliitoksesta, joiden poikkipinta-ala on no neliönanometriä. Näiden tunneliliitosten summakapasitanssi, jot 10 symbolilla Cz, on suuruudeltaan femtofaradin luokkaa. Jos Coof varausenergia, Ecp = (2e)2/2Cz, on paljon suurempi lämpötilaa < SET toimii herkimpänä tunnettuna sähkövarauksen ilmaisimena varausherkkyyden on osoitettu olevan 10-6 e/VHz luokkaa, jolloii miljoonasosa elektronin varauksesta voidaan mitata yhden sekL 15
Korkeataajuiset SET:t
Jotta SET-ilmaisimen suurta kaistanleveyttä noin 10 GHz voitaii on kehitetty kaksi tekniikkaa, joissa SET luetaan siihen kytketyin 20 makroskooppisista komponenteista rakennetulla LC-oskillaattor .···. Radiotaajuinen yhden elektronin transistori (rf-SET) perustuu ei- SET:n resistanssin riippuvuuteen mitattavasta varauksesta. Res **« :***: muutos moduloi oskillaattorin Q-arvoa. Rf-SET on ollut ainoa lai ··* :··: pystytty havainnoimaan varausten liikettä reaaliajassa megaher 2ί· taajuusalueella. Tämä on tärkeää varauskvanttibittien karakteris mittaamisen kannalta.
***
Rf-SET:n dissipatiivisen luonteen aiheuttamien rajoitusten takia ··· » t I I <. ii « f* « iM I I ......
5 hilavarauksesta Qg. L-SET:n toiminta perustuu siihen, että SSE' muodostaman oskillaattorin resonanssitaajuus riippuu Qg:stä. T periaatteessa mahdollista suorittaa varauksen mittaus reaktiivis energian häviöitä ja haitallista kohinaa.
5
Vaihevarauskvanttibitti on esitelty yhdysvaltalaisessa patenttiha US2003207766 A1. Suprajohtavan virran säätämiseen ja mittae tarkoitetun laitteen ratkaisu on puolestaan esitetty yhdysvaltalaii patenttijulkaisussa US 6 353 330 B1.
10
Keksinnön kohteena on detektori, ilmaisin (C-SET), yhtälön (1) määritellylle fysikaaliselle suureelle vaihe. C-SETin pääsovellus luku ja lukulaitteena toimiminen.
15 Huomattavan herkkyyden lisäksi C-SET:n oleellinen etu on, ett£ sisäistä energian häviöitä eikä sisäisiä kohinalähteitä. Tämä me että C-SET häiritsee mitattavaa kvanttisysteemiä vain vähäisesl soveltuu heikkojen kvanttimekaanisten ilmiöiden kartoittamiseei hyödyntämiseen. Laite voidaan myöskin valmistaa nykyistä vaiti 20 useita suuruusluokkia pienemmäksi kooltaan, mikä mahdollista; ;···. tarkkuuden ja integrointitiheyden.
**« ·*♦ « m
«M
:*"* Keksinnön toimintaa selostetaan jäljempänä viittaamalta oheisiii ·:*·: joissa: - Kuva 1 esittää C-SET-laitteiston konfiguraatiota, jossa SSE1 ·[[[: hilan kautta erityiseen resonanssipiiriin (a) konfiguraatio, ja ( konfiguraatio, jossa SSET käyttäytyy kapasitanssin Cg tavoii Λ - Kuva 2 esittää suprajohtavan yhden elektronin transistorin (!
Mt ft · . .....
6
C-SET
SSET:n energia kasvaa neliöllisesti myös toisen ulkoisen pararr hilavarauksen Qg funktiona pisteen Qg = 0 ympärillä. Näin ollen 5 käyttäytyy kapasitanssin Cg tavoin hilajännitteeseen Vg = Qg/Cg
Lisäksi kapasitanssin arvo riippuu vaiheesta SSET:n ylitse. C-SI konfiguraatio luodaan kytkemällä SSET hilan kautta erityiseen resonanssipiiriin (Kuva 1). Kytkennän ideana on, että koko piirin resonanssitaajuus riippuu SSET:n kapasitanssista, joka puolest 10 vaiheesta. Näin ollen kytkentä on nopea ja herkkä vaiheilmaisin periaatetta voidaan pitää käänteisenä L-SET:n kanssa. L-SET:s vaiheen kautta hilavarauksesta riippuvaa induktanssia, kun taas mitataan hilan kautta kapasitanssin riippuvuutta vaiheesta.
15 Kvantti bittien mittaaminen C-SET :n avulla C-SET:ia voidaan käyttää erityisesti mitattaessa varaus-vaihekv vaihekvanttibitteja sekä mitä tahansa kuviteltavissa olevaa kvan informaatiovarastoa, joka voidaan mitata vaiheen avulla.
20 .***. Esimerkiksi varaus-vaihekvanttibitin mittaus voidaan tehdä seur • * • · · .·"· käyttäen C-SET:iä. Kvanttibitti ja C-SET kytketään rinnakkain sl #*# silmukalla, C-SET:n rakenne valitaan siten, että Ej/Ecp - 1, jolle *** *:··: kapasitanssin vaiheriippuvuus on voimakas koko alueella Φ = 0 # 2ä· käyrä Ί"). Myös kvanttibitille valitaan Ej/Ecp * 1 kuten varaus-v mittauksen alkuperäisessä toteutuksessa, mikä johtaa siihen, el |1> liittyy vastakkaisiin suuntiin kiertävä supravirta silmukassa.
• · · * i i ··· * » 9 * f is. /ls. a\.
7 11
Kun kvanttilaskenta on käynnissä, vaihe sekä kvanttibitin että SS nolla. Jotta saataisiin signaali, joka erottaa kvanttibitin tilat |0> ja toisistaan, vaiheen arvoa on muutettava nollasta. Tällöin tapahti 5 kvanttimekaniikan mukainen kvanttibitin kvanttihan romahtamin* superpositiosta jompaankumpaan perustilaan. Mittaus tapahtuu seuraavanlaisella magneettikentän pulssien ja hilajännitepulssie yhdistelmällä. Kvanttibitin normeerattu hilavaraus ng = CgVg/(2e) nopeasti arvosta 1 arvoon noin 0.37. Sitten silmukan läpäisevä r 10 kasvatetaan arvosta 0 suunnilleen arvoon 0.5 Φ0. C-SET- detekf kuuluvan SSET:n hilajännite pidetään koko ajan arvossa 0. Kvar riippuen vaihe SSET:n yli päätyy operaatioiden jälkeen joko arvc kuvassa 3) tai arvoon noin -2 (ympyrä kuvassa 3). Tämä vastaa kapasitanssin eroa 0.4 fF tavallisilla parametriarvoilla Co = 0,15 \ 15 =1 GHz, Cg = 2 f F, ja signaali-kohinasuhdetta 1 noin 2.5 MHz kaistanleveydellä, jos käytetään tavallista esivahvistinta, jonka k on noin 3 Kelviniä. Jos käytettäisiin SQUID-esivahvistinta, jonka kohinalämpötila voi olla 0.1 Kelviniä, signaali-kohinasuhde 1 saa jopa 75 MHz kaistalla. Yllä olemme olettaneet, että laite on rakei 20 alumiinista. Voimakkaampia suprajohteita, kuten niobia, käytettä
kaistanleveydet olisivat suurempia. Kvanttibitin tilan mittaus C-S
• i» detektorilla on siis signaali-kohinasuhteen puolesta mahdollista i kuin 0.4 mikrosekunnissa käyttäen tavallisiakin esi vahvistimia. T *:**: selvästi lyhempi kuin aika, jonka kuluessa mitattu tila hajoaa, jot< mahdollinen.
« «
Vaiheen mittaus yleensä * ♦ ♦ * * * 44» 4*4 * 4 ^CCT'ö Uäi/HHÄ mwÄe lilAieAeti mleeH kααλλ μΊΙι iL/.
8 1 olisi vielä lämpötilaa suurempi. Tällä arvolla (Kuva 3, käyrä Ί0”) magneettivuoherkkyys 10‘5 Φο/^Ηζ, joka on samaa suuruusluokl· perinteisillä RF-SQUID:iin perustuvilla mittalaitteilla. C-SET:n en< ovat kuitenkin useita suuruusluokkia pienemmät, ja laitteen koko 5 pienentää periaatteessa jopa muutamien atomien kokoiseksi, mil suunnattoman spatiaalisen mittatarkkuuden.
Keksintö voi vaihdella jäljempänä esitettyjen patenttivaatimusten ··1 * · • « • · 1 444 ♦ · 9 · 9 · 4 • 99 • 1 9 9 99 9 9 9 9 9 tn 9 4999 9 9 4 4 9 9 4 *99 9 9· • 9 9 994 494
Claims (7)
1. Mittauskytkentä vaiheen määrittämiseen käyttäen mittaus! yhden elektronin transistoria, tunnettu siitä että vaiheen r 5 suoritetaan mittaamalla yhden elektronin transistorin kapa ja maan välillä.
2. Vaatimuksen 1. mukainen mittauskytkentä kvanttibitin tilai määrittämiseen käyttäen mittauslaitteena yhden elektronit tunnettu siitä että 10. mitattava kvanttibitti on sellaista tyyppiä että sen tila voic määrittää vaiheen mittauksen kautta ja - vaiheen mittaus suoritetaan mittaamalla yhden elektronii kapasitanssi hilan ja maan väliltä.
3. Jonkin vaatimuksen 1. tai 2. mukainen mittauskytkentä, ti 15 että mitattava kvanttibitti on varaus-vaihekvanttibitti.
4. Jonkin vaatimuksen 1.-3. mukainen mittauskytkentä, tun että transistorin yksi Josephson-liitos (100) on yhdistetty j< (101) kvanttibitin yhteen Josephson-liitokseen (102) ja trai toinen Josephson-liitos (103) on yhdistetty toisella johtime 20 kvanttibitin toiseen Josephson-liitokseen (105), sekä lisäk johtimet on kumpikin kytketty maahan siten että maahank ··”- toteutettu kapasitanssin (106 ja 107) kautta. »** *"e: 5. Jonkin vaatimuksen 1.-4. mukainen mittauskytkentä, tui • tt *:··: että transistorin hila on kytketty resonanssipiiriin, joka koo 25* ohjausjännitteeseen (108) kytketystä induktanssista (109) maahan kytketystä kondensaattorista (110).
6. Jonkin vaatimuksen 1.-5. mukainen mittauskytkentä, tui että sen avulla mitattua resonanssitaajuutta käytetään yhc mmm 10 \
8. Jonkin vaatimuksen 1.-7. mukainen mittauskytkentä, tur että vaihe mitataan rekisteröimällä resonanssipiirin ulompi kytkentäpisteeseen kohdistetun jänniteaalfon heijastuma. Il· • fr • · ··· fr fr· * fr fr fr • fr fr fr fr a 4 fr fr fr • fr» • fr 1 fr fr fr fr fr • fr frfr • fr fr • fr fr fr • fr1 fr • fr fr fr fr fr • •fr fr fr 11 1
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20041000A FI117032B (fi) | 2004-07-19 | 2004-07-19 | Kapasitiivinen yhden elektronin transistori |
| US11/630,014 US7550759B2 (en) | 2004-07-19 | 2005-07-18 | Capacitive single-electron transistor |
| PCT/FI2005/000331 WO2006008335A1 (en) | 2004-07-19 | 2005-07-18 | Capacitive single-electron transistor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20041000A FI117032B (fi) | 2004-07-19 | 2004-07-19 | Kapasitiivinen yhden elektronin transistori |
| FI20041000 | 2004-07-19 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20041000A0 FI20041000A0 (fi) | 2004-07-19 |
| FI20041000A FI20041000A (fi) | 2006-01-20 |
| FI117032B true FI117032B (fi) | 2006-05-15 |
Family
ID=32749217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20041000A FI117032B (fi) | 2004-07-19 | 2004-07-19 | Kapasitiivinen yhden elektronin transistori |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7550759B2 (fi) |
| FI (1) | FI117032B (fi) |
| WO (1) | WO2006008335A1 (fi) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567138B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Single-electron injection/extraction device for a resonant tank circuit and method of operation thereof |
| US7615385B2 (en) | 2006-09-20 | 2009-11-10 | Hypres, Inc | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics |
| KR20160137148A (ko) * | 2015-05-22 | 2016-11-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
| US10032897B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Single electron transistor with self-aligned Coulomb blockade |
| JP2020074351A (ja) * | 2017-03-03 | 2020-05-14 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 変調回路、制御回路、情報処理装置、及び集積方法 |
| US11223347B1 (en) | 2020-12-03 | 2022-01-11 | International Business Machines Corporation | All microwave ZZ control |
| CN118339566A (zh) | 2021-06-11 | 2024-07-12 | 西克公司 | 针对超导量子电路的通量偏置的系统和方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3519303B2 (ja) | 1999-02-18 | 2004-04-12 | 独立行政法人理化学研究所 | 単一磁束量子ディジタル素子 |
| US6803599B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-10-12 | D-Wave Systems, Inc. | Quantum processing system for a superconducting phase qubit |
| US20040016918A1 (en) | 2001-12-18 | 2004-01-29 | Amin Mohammad H. S. | System and method for controlling superconducting qubits |
| JP2003249643A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波単電子トランジスタ回路 |
| US6605822B1 (en) | 2002-03-16 | 2003-08-12 | D-Wave Systems, Inc. | Quantum phase-charge coupled device |
| FR2839389B1 (fr) | 2002-05-03 | 2005-08-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de bit quantique supraconducteur a jonctions josephson |
-
2004
- 2004-07-19 FI FI20041000A patent/FI117032B/fi active IP Right Grant
-
2005
- 2005-07-18 US US11/630,014 patent/US7550759B2/en active Active
- 2005-07-18 WO PCT/FI2005/000331 patent/WO2006008335A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7550759B2 (en) | 2009-06-23 |
| FI20041000A0 (fi) | 2004-07-19 |
| US20070263432A1 (en) | 2007-11-15 |
| FI20041000A (fi) | 2006-01-20 |
| WO2006008335A1 (en) | 2006-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Krylov et al. | Single Flux Quantum Integrated Circuit Design | |
| Hinken | Superconductor electronics: fundamentals and microwave applications | |
| Schwarz et al. | Low-noise nano superconducting quantum interference device operating in tesla magnetic fields | |
| Barone | Principles and applications of superconducting quantum interference devices | |
| Cybart et al. | Very large scale integration of nanopatterned YBa2Cu3O7− δ Josephson junctions in a two-dimensional array | |
| CA2667640A1 (en) | Superconducting shielding for use with an intergrated circuit for quantum computing | |
| ter Brake et al. | SCENET roadmap for superconductor digital electronics | |
| Virtanen et al. | Multiquantum vortices in superconductors: Electronic and scanning tunneling microscopy spectra | |
| FI117032B (fi) | Kapasitiivinen yhden elektronin transistori | |
| Jackman et al. | Flux trapping analysis in superconducting circuits | |
| Li et al. | Josephson current in ferromagnet-superconductor tunnel junctions | |
| Deppe et al. | Determination of the capacitance of nm scale Josephson junctions | |
| JPS63302301A (ja) | 距離測定装置 | |
| Monaco et al. | Ultra-low-noise magnetic sensing with long Josephson tunnel junctions | |
| EP3673487B1 (en) | Superconducting logic element | |
| Gurtovoi et al. | Multiple current states of two phase-coupled superconducting rings | |
| Segall et al. | Impact of time-ordered measurements of the two states in a niobium superconducting qubit structure | |
| US11733322B1 (en) | SQUID array with non-uniform wire geometry for detecting magnetic fields over a broad operational temperature range | |
| Gallop et al. | Physics and applications of NanoSQUIDs | |
| Teh et al. | Inductance calculation of 3D superconducting structures with ground plane | |
| Toepfer et al. | Inductances in rapid single flux quantum circuits with high-Tc superconductors: a comparative study | |
| Silva et al. | Field Dependent Microwave Resistivity in YBa 2 Cu 3 O 7− δ | |
| Reefman et al. | Langevin-dynamics study of nuclear relaxation to vortices in a layered superconductor | |
| Enpuku et al. | Design of superconducting quantum interference device for magnetic immunoassays | |
| Toppari | Transport phenomena and decoherence in short Josephson junction arrays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 117032 Country of ref document: FI |
|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: MAGIQ TECHNOLOGIES, INC. Free format text: MAGIQ TECHNOLOGIES, INC. |