DE976468C - Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem DefekthalbleiterInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/14—Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier
- H01L21/145—Ageing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Gerontology & Geriatric Medicine (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
(WiGBL S. 175)
AUSGEGEBEN AM 19. SEPTEMBER 1963
ρ 52041 VIII el 2igD
sind als Erfinder genannt worden
Überschußhalbleiter werden für die Herstellung von Trockengleichrichtern in großen Mengen benötigt.
Es hat sich herausgestellt, daß selbst bei größter Sorgfalt weder die einzelnen Chargen der
Großfertigung in sich homogen sind noch untereinander mit der erforderlichen Genauigkeit übereinstimmen.
Es ist daher bisher nicht möglich, mit diesen in bekannter Weise aus dem Schmelzprozeß
gewonnenen Ausgangsstoffen laufend Trockengleichrichter mit genau gleichen Eigenschaften herzustellen.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung geht man deshalb bei der Herstellung des Uberschußhalbleiters
von einem Defekthalbleiter aus, und zwar versieht man ihn mit einer Elektrode, die mit ihm
chemisch nicht reagiert und als Verunreinigung gerade solche Metallbeimischungen enthält, durch
deren Einwandern in den Defekthalbleiter dieser in einen Überschußhalbleiter verwandelt wird; das
Einwandern dieser Metallbeimischungen wird durch Erhitzen oder/und durch ein elektrisches
Feld bewirkt bzw. beschleunigt.
Es ist bekannt, daß durch Einwandern von Thallium aus einer Elektrode in defektleitendes
Selen die Zahl der Störstellen herabgesetzt und damit die Leitfähigkeit des Selens vermindert wird.
Dabei ist jedoch Thallium nicht in der Lage, den Leitfähigkeitscharakter des Selens umzuwandeln.
309 685/8
Ferner ist bekannt, Halbleiter, wie z. B. Germanium oder Silizium, durch Kristallisation
aus der Schmelze zu gewinnen und der Schmelze Zusätze beizugeben. Dabei gilt die allgemeine
Regel, daß Zusatzelemente aus der III. Gruppe des Periodischen Systems Defektleitung und Zusätze
von Elementen der V. Gruppe des Periodischen Systems, z. B. die Metalle Antimon und Arsen,
Überschußleitung verursachen.
ίο Sind nach der Erfindung Metallbeimischungen,
die geeignet sind, einen Defekthalbleiter in einen-Überschußhalbleiter
umzuwandeln, einer Elektrode als sogenannte Verunreinigungen beigegeben, so gelangen diese Metallbeimischungen durch Diffu-.
sion von der Elektrode aus in den Defekthalbleiter und verwandeln diesen in einen Überschußhalbleiter.
Wie es bei Diffusionsvorgängen allgemein der Fall ist, wird das Einwandern der Metallbeimischungen
in den Defekthalbleiter durch mehr
ao oder weniger langes Erhitzen gefördert. Wandert die Metallbeimischung in Form von Ionen in den
Defekthalbleiter, so kann an Stelle der Erhitzung oder zusätzlich zu dieser ein elektrisches Feld zur
Förderung des Diffusionsvorganges dienen. Das Verfahren gemäß der Erfindung bietet gegenüber
den bekannten Verfahren den Vorteil, daß eine besonders genaue Dosierung der Zusätze möglich ist,
die in den Defekthalbleiter gelangen.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ermöglicht es, defektleitendes Selen in überschußleitendes" umzuwandeln, was bisher durch Zusätze in der Schmelze nicht erreicht werden konnte. Man kann dieses mittels einer chemisch nicht mit dem Selen reagierenden Elektrode aus Wismut erreichen, wenn erfindungsgemäß die in das defektleitende Selen eindiffundierenden Metallbeimischungen, welche dessen Umwandlung in überschußleitendes Selen bewirken, aus Kupfer, Silber und/oder Gold bestehen.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ermöglicht es, defektleitendes Selen in überschußleitendes" umzuwandeln, was bisher durch Zusätze in der Schmelze nicht erreicht werden konnte. Man kann dieses mittels einer chemisch nicht mit dem Selen reagierenden Elektrode aus Wismut erreichen, wenn erfindungsgemäß die in das defektleitende Selen eindiffundierenden Metallbeimischungen, welche dessen Umwandlung in überschußleitendes Selen bewirken, aus Kupfer, Silber und/oder Gold bestehen.
Es ist bereits vorgeschlagen worden, zur Herstellung von Selengleichrichtern der Deckelektrode
einen geringen Zusatz von Silber beizumengen, welches dann in die Oberflächenschicht des Selens
einwandern und in gleicher Weise wie Thallium eine Erhöhung der Sperrfähigkeit bewirken soll.
Eine Umwandlung der Selenschicht in einen Uberschußhalbleiter
ist bei dem vorgeschlagenen Verfahren nicht beabsichtigt.
Claims (2)
- Patentansprüche:1,. Verfahren zur Herstellung eines Überschußhalbleiters aus einem Defekthalbleiter, dadurch gekennzeichnet, daß der Defekthalbleiter mit einer Elektrode versehen wird, die mit ihm chemisch nicht reagiert und als Verunreinigung gerade solche Metallbeimischungen enthält, durch deren Einwandern in den Defekthalbleiter dieser in einen Überschußhalbleiter verwandelt wird, und daß das Einwandern dieser Metallbeimischungen durch Erhitzen oder/und durch ein elektrisches Feld bewirkt bzw. beschleunigt wird.
- 2. Verfahren zum Herstellen von Überschußhalbleitern aus defektleitendem Selen nach An-.Spruch ι mittels einer Elektrode aus Wismut, dadurch gekennzeichnet, daß die in das defektleitende Selen eindiffundierenden Metallbeimischungen, welche dessen Umwandlung in überschußleitendes Selen bewirken, aus Kupfer, Silber und/oder Gold bestehen.In Betracht gezogene Druckschriften:Deutsche Patentschrift Nr. 519 161;Ries, »Das Selen«, 1918, S. 41, 58;Zeitschrift für Naturforschung, Bd. 1, 1946, S. 508 bis 511;Jus ti, »Leitfähigkeit und Leitungsmechanismus«, 1948, S. 134, 180;Zeitschrift für Physik, März 1949, S. 451;britische Patentschriften Nr. 576671, 556152;USA.-Patentschriften Nr. 1 778 645, 2 402 661;Torrey und Whitmer, »Crystal Rectifiers«, 1^48, S. 64, 65, 306 bis 308, 365 und 366;The Bell System Technical Journal, Bd. 28, 1949,S. 435ff·;
Phys. Rev., Bd. 75, S. 865 ff.In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsche Patente Nr. 814487, 833 228, 887486,® 309 685/8 9.63
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1949P0052041 DE976468C (de) | 1949-08-15 | 1949-08-15 | Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter |
GB2544151A GB697886A (en) | 1949-08-15 | 1951-10-31 | Methods for the manufacture of an excess semi-conductor from a deficit semi-conductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1949P0052041 DE976468C (de) | 1949-08-15 | 1949-08-15 | Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE976468C true DE976468C (de) | 1963-09-19 |
Family
ID=7385514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1949P0052041 Expired DE976468C (de) | 1949-08-15 | 1949-08-15 | Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE976468C (de) |
GB (1) | GB697886A (de) |
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