CN102232068B - 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供下述式(1)所表示的芳香族胺衍生物。(其中Ar1～Ar4中的至少一个为下述式(2)所表示的杂环基。(X1表示氧原子或硫原子))。

Description

芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及芳香族胺衍生物和使用了其的有机电致发光元件，特别涉及寿命长、高发光效率、色纯度高的有机电致发光元件和实现其的芳香族胺衍生物。 
背景技术
使用了有机物质的有机电致发光(EL)元件，有望用于固体发光型的廉价的大面积全色彩显示元件的用途，一直进行很多开发。通常有机EL元件含有发光层和夹持该层的一对对置电极。关于发光，在两电极间施加电场时，从阴极侧注入电子，从阳极侧注入空穴。进而，该电子在发光层中与空穴复合，形成激发状态，激发状态恢复到基态时，能量以光的形式放出。 
以往的有机EL元件与无机发光二极管相比，驱动电压高，发光亮度、发光效率也低。另外，特性劣化也非常显著，不能实现实用化。虽然最近的有机EL元件慢慢进行了改良，但是仍然在寻求更高发光效率、长寿命、颜色再现性的提高等。 
通过有机EL用发光材料的改良，有机EL元件的性能可以被慢慢地改善。特别是蓝色有机EL元件的色纯度提高(发光波长的短波长化)是与显示器的颜色再现性提高相关的重要技术。 
作为发光层中使用的材料的例子，在专利文献1中公开了具有二苯并呋喃的发光材料，其可以得到短波长的蓝色发光，但发光效率低，仍需进一步的改良。 
另外，在专利文献4、5中，公开了二氨基芘衍生物。在专利文献2中公开了蒽主体材料(host)和芳基胺的组合。另外，在专利文献3～5中，公开了特定结构的蒽主体材料与二氨基芘掺杂物的组合。进而，在专利文献6～8中公开了蒽系的主体材料。 
尽管任意材料和任意组合中都可以确认发光特性的改良，但是都不够充分，需要一种表现高发光效率、实现更短波长发光的发光材料。 
另外，在专利文献9中公开了使用在中心具有亚芳基、二苯并呋喃环与氮原子键合的芳香族胺衍生物作为空穴传输材料；在专利文献10中公开了使用二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环等通过亚芳基与氮原子键合的芳香族胺衍生物作为空穴传输材料，但是还没有用作发光材料的例子。 
【现有技术文献】 
【专利文献】 
【专利文献1】WO2006/128800号公开文本 
【专利文献2】WO2004/018588号公开文本 
【专利文献3】WO2004/018587号公开文本 
【专利文献4】日本特开2004-204238号公报 
【专利文献5】WO2005/108348号公开文本 
【专利文献6】WO2005/054162号公开文本 
【专利文献7】WO2005/061656号公开文本 
【专利文献8】WO2002/038524号公开文本 
【专利文献9】日本特开平11-35532号公报 
【专利文献10】WO2007/125714号公开文本 
发明内容
本发明的目的在于，提供能够以高发光效率得到色纯度高的蓝色发光的有机EL元件、和能够在该有机EL元件的有机薄膜层中使用的材料。 
根据本发明，提供以下的芳香族胺衍生物、有机电致发光元件。 
1.下述式(1)所表示的芳香族胺衍生物。 
【化1】 
(式(1)中，R1～R8分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基， 
Ar1～Ar4分别表示取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基、或取代或无取代的形成环的原子数为5～30的杂环基， 
其中，Ar1～Ar4中的至少一个为下述式(2)所表示的杂环基。 
【化2】 
(式(2)中，R11～R17分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R11～R17可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。 
X1表示氧原子或硫原子。)) 
2.上述1所述的芳香族胺衍生物，其由下述式(3)所表示。 
【化3】 
(式(3)中，R1～R8、Ar2、Ar4与式(1)中相同。 
R21～R27、R31～R37分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R21～R27、R31～R37可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。 
X2、X3分别表示氧原子或硫原子。) 
3.上述2所述的芳香族胺衍生物，其中，Ar2和Ar4是下述式(4)所表示的杂环基。 
【化4】 
(式(4)中，R41～R48中的任意1个用于与氮原子键合，其余分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R41～R48可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。X4表示氧原子或硫原子。) 
4.上述1～3中任一项所述的芳香族胺衍生物，其中，R1～R8为氢原子。 
5.上述1～3中任一项所述的芳香族胺衍生物，其中，R2为取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷 基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3～R8为氢原子。 
6.上述1～3中任一项所述的芳香族胺衍生物，其中，R2、R6为取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3、R4、R5、R7、R8为氢原子。 
7.上述1～6中任一项所述的芳香族胺衍生物，其中，X1、X2、X3、X4为氧原子。 
8.上述1～7中任一项所述的芳香族胺衍生物，其是有机电致发光元件用发光材料。 
9.上述1～8中任一项所述的芳香族胺衍生物，其是有机电致发光元件用掺杂材料。 
10.一种有机电致发光元件，其是在阴极和阳极之间夹持有至少含有发光层的一层以上的有机薄膜层的有机电致发光元件，其中，该有机薄膜层的至少一层单独或者作为混合物的成分含有上述1～9中任一项所述的芳香族胺衍生物。 
11.上述10所述的有机电致发光元件，其中，所述至少一层为发光层。 
12.上述10所述的有机电致发光元件，其中，所述至少一层含有上述1～9中任一项所述的芳香族胺衍生物和下述式(5)所表示的蒽衍生物。 
【化5】 
(式(5)中，Ar11和Ar12分别独立地为取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基、取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基、或由所述单环基和所述稠合环基的组合构成的基团， 
R101～R108分别独立地为选自氢原子、取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基、取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基、和由单环基和稠合环基的组合构成的基团、取代或无取代的碳数1～50的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～50的环烷基、取代或无取代的碳数1～50的烷氧基、取代或无取代的碳数7～50的芳烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6～50的芳氧基、取代或无取代的甲硅烷基、卤素原子、氰基中的基团。) 
13.上述12所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11、Ar12分别为取代或无取代的形成环的碳数为10～50的稠合环基。 
14.上述12所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11和Ar12中的一个是取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基，另一个是取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基。 
15.上述14所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar12为萘基、菲基、苯并蒽基、二苯并呋喃基，Ar11为无取代或者取代有单环基或稠合环基的苯基。 
16.上述14所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar12为取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基，Ar11为无取代的苯基。 
17.上述12所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11和Ar12分别独立地为取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基。 
18.上述17所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11、Ar12分别独立地为取代或无取代的苯基。 
19.上述18所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11为无取代的苯基，Ar12为具有单环基、稠合环基作为取代基的苯基。 
20.上述18所述的有机电致发光元件，其中，所述式(5)中，Ar11、Ar12分别独立地为具有单环基、稠合环基作为取代基的苯基。 
根据本发明，可以提供能够以高发光效率得到色纯度高的蓝色发光的有机EL元件、和能够在该有机EL元件的有机薄膜层中使用的材料。 
具体实施方式
本发明的芳香族胺衍生物由下述式(1)所表示。 
【化6】 
式(1)中，R1～R8分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基。 
Ar1～Ar4分别表示取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基、或取代或无取代的形成环的原子数为5～30的杂环基， 
其中，Ar1～Ar4中的至少一个为下述式(2)所表示的杂环基。 
【化7】 
(式(2)中，R11～R17分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R11～R17可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。 
X1表示氧原子或硫原子。)) 
芳香族胺衍生物优选由下述式(3)所表示。 
【化8】 
式(3)中，R1～R8、Ar2、Ar4与式(1)中相同， 
R21～R27、R31～R37分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R21～R27、R31～R37可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。 
X2、X3分别表示氧原子或硫原子。 
优选上述式(1)、(3)中，R2为取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3～R8是氢原子。 
作为其他优选形式，上述式(1)、(3)中，R2、R6是取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3、R4、R5、R7、R8是氢原子。 
R2、R6的取代或无取代的碳数1～20的烷基，优选为碳数1～6的烷基。R2、R6的取代或无取代的甲硅烷基，优选为取代或无取代的碳数3～30的烷基甲硅烷基，更优选为碳数3～12的烷基甲硅烷基。 
作为其他的优选形式，上述式(1)、(3)中，优选R1～R8是氢原子。 
上述式(2)～(4)中，X1、X2、X3、X4优选为氧原子。 
上述式(2)中，优选R11～R17为氢原子。 
上述式(3)中，优选R21～R27、R31～R37为氢原子。 
上述式(4)中，优选R41～R48为氢原子。 
上述式(1)中，上述式(2)所表示的杂环基以外的Ar1～Ar4，优选 为无取代的形成环的碳数为6～30的芳基。 
上述式(3)中，优选Ar2和Ar4为无取代的形成环的碳数为6～30的芳基。 
在上述通式(2)所表示的杂环基以外的Ar1～Ar4为无取代的形成环的碳数为6～30的芳基的情况下，该芳基优选为苯基、萘基、菲基、芴基、蒽基、 基、荧蒽基。特别优选为苯基、萘基、菲基、芴基。 
作为其他的优选形式，上述式(1)中，上述式(2)所表示的杂环基以外的Ar1～Ar4优选为具有取代基的形成环的碳数为6～30的芳基。 
作为其他的优选形式，上述式(3)中，Ar2和Ar4优选为具有取代基的形成环的碳数为6～30的芳基。 
作为上述取代基的优选例，可举出卤素原子、烷基、环烷基、甲硅烷基、芳基、或氰基。 
当上述通式(2)所表示的杂环基以外的Ar1～Ar4为具有取代基的芳基时，该芳基优选为苯基。 
作为其他的优选形式，上述式(3)中，Ar2和Ar4优选为下述式(4)所表示的杂环基。 
【化9】 
式(4)中，R41～R48中的任意1个用于与氮原子键合，其余分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的碳数2～20的烯基、取代或无取代的碳数2～20的炔基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。R41～R48可以通过相邻的取代基彼此形成饱和或不饱和的环。X4表示氧原子或硫原子。 
在本说明书中，“形成环的碳”是指构成饱和环、不饱和环或芳香环的碳原子。“形成环的原子”是指构成杂环(包括饱和环、不饱和环、和芳香环)的碳原子和杂原子。 
另外，作为“取代或无取代的…”中的取代基，可以举出如后所述的烷基、取代或无取代的甲硅烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、环烷基、杂环基、卤素原子、卤素化烷基、羟基、硝基、氰基、羧基等。 
这里，“无取代”是指取代有氢原子，本发明的氢原子中包括氕、氘、氚。 
关于上述式(1)～(4)中的R1～R8、R11～R17、R21～R27、R31～R37、R41～R48、Ar1～Ar4所表示的各基团，和“取代或无取代的…”中的取代基，以下进行详细描述。 
作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基等，也可是组合了亚烷基和芳基等的取代基(例如苯基甲基、2-苯基异丙基等)。 
上述碳数优选为1～10，进一步优选1～6。其中，优选甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基。 
作为取代的甲硅烷基，可以举出碳数3～30的烷基甲硅烷基、形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基等，可以举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。 
烷氧基以-OY表示，作为Y的例子，可以举出上述的烷基的例子。烷氧基例如为甲氧基、乙氧基。 
作为R11～R17、R21～R27、R31～R37、R41～48记载的烯基，优选乙烯基，炔基优选乙炔基。 
作为芳基，例如可以举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、并四苯基、芘基、 基、苯并[c]菲基、苯并[g] 基、苯并菲基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、三联苯基、荧蒽基等。 
作为R1～R8记载的芳基，优选形成环的碳数为6～20，更优选6～12，上述芳基中，特别优选苯基、联苯基、甲苯基、二甲苯基、1-萘基。 
芳氧基以-OZ来表示，作为Z的例子，可以举出上述的芳基、或后述的单环基和稠合环基的例子。芳氧基例如为苯氧基。 
芳烷基以-Y-Z表示，作为Y的例子，可以举出与上述的烷基的例子相对应的亚烷基的例子，作为Z的例子，可以举出上述的芳基的例子。芳烷基优选碳数7～50的芳烷基(芳基部分为碳数6～49(优选6～30，更优选6～20，特别优选6～12)，烷基部分为碳数1～44(优选1～30，更优选1～20，进一步优选1～10，特别优选1～6))，例如苄基、苯基乙基、2-苯基丙烷-2-基。 
作为环烷基，可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、金刚烷基、降冰片基等。形成环的碳数优选为3～10，进一步优选为3～8，特别优选为3～6。 
作为杂环基，例如可以举出吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基(furazanyl)、噻吩基、苯并噻吩基等。 
上述杂环基的形成环的原子数优选为5～20，进一步优选为5～14。 
优选1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基。 
作为卤素原子，可以举出氟、氯、溴、碘等，优选氟原子。 
作为卤素化烷基，可以举出氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、三氟甲基甲基等。 
具体的芳香族胺衍生物的例子如以下所示。 
【化10】 
【化11】 
【化12】 
【化13】 
【化14】 
【化15】 
【化16】 
【化17】 
【化18】 
【化19】 
【化20】 
【化21】 
【化22】 
【化23】 
上述的芳香族胺衍生物，可以作为有机电致发光元件用发光材料、例如掺杂物来使用。 
本发明的有机电致发光元件，在阴极和阳极之间夹持有至少含有发光层的一层以上的有机薄膜层，其中，该有机薄膜层的至少一层单独或者作为混合物的成分含有上述的芳香族胺衍生物。 
优选发光层含有芳香族胺衍生物。发光层可以仅含有芳香族胺衍生物，也可以作为主体材料或作为掺杂物含有。 
另外，本发明的有机电致发光元件，优选在有机薄膜层的至少一层中，含有上述的芳香族胺衍生物、以及至少1种下述式(5)所表示的蒽衍生物或下述式(6)所表示的芘衍生物。优选发光层中含有芳香族胺衍生物作为掺杂物，含有蒽衍生物作为主体材料。 
(蒽衍生物) 
式(5)所表示的蒽衍生物为下述化合物。 
【化24】 
(式(5)中，Ar11和Ar12分别独立地为取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基、取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基、或由所述单环基和所述稠合环基的组合构成的基团，R101～R108分别独立地为选自氢原子、取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基、取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基、和由单环基和稠合环基的组合构成的基团、取代或无取代的碳数1～50的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～50的环烷基、取代或无取代的碳数1～50的烷氧基、取代或无取代的碳数7～50的芳烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6～50的芳氧基、取代或无取代的甲硅烷基、卤素原子、氰基中的基团。) 
式(5)中的所谓单环基，是指仅由不具有稠合结构的环结构构成的基团。 
作为形成环的原子数为5～50的单环基(优选形成环的原子数为5～30，更优选形成环的原子数为5～20)，具体优选苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基等芳香族基团，以及吡啶基、吡唑基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基等杂环基。 
其中，优选苯基、联苯基、三联苯基。 
式(5)中的所谓稠合环基，是2环以上的环结构经环缩而成的基团。 
作为上述形成环的原子数为8～50的稠合环基(优选形成环的原子数为8～30，更优选形成环的原子数为8～20)，具体地优选为萘基、菲基、蒽基、 基、苯并蒽基、苯并菲基、苯并菲基、苯并 基、茚基、芴基、9，9-二甲基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、荧蒽基、苯并荧蒽基等稠合芳香族环基，苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、喹啉基、菲咯啉基等稠合杂环基。 
其中、优选萘基、菲基、蒽基、9，9-二甲基芴基、荧蒽基、苯并蒽基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基。 
式(5)中的烷基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、环烷基、卤素原子的具体例，与上述的式(1)～(4)中的R1～R8、R11～R17、R21～R27、R31～R37、R41～R48、Ar1～Ar4所示的各基团和“取代或无取代的…”中的取代基的具体例相同。以下仅仅举出式(5)中的优选具体例子。 
作为Ar11、Ar12、R101～R108的“取代或无取代”的优选取代基，优选单环基、稠合环基、烷基、环烷基、甲硅烷基、烷氧基、氰基、卤素原子(特别是氟)，特别优选单环基、稠合环基，优选的具体取代基与上述的式(5)的各基团和上述的式(1)～(4)中的各基团相同。 
式(5)所表示的蒽衍生物优选为下述蒽衍生物(A)、(B)和(C)的任一种，根据应用的有机EL元件的构成、所需要的特性加以选择。 
(蒽衍生物(A)) 
对于该蒽衍生物而言，式(5)中的Ar11和Ar12分别独地为取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基。作为该蒽衍生物，可以分为Ar11和Ar12为相同的取代或无取代的稠合环基的情况、和不同的取代或无取代的稠合环基的情况。 
特别优选式(5)中的Ar11和Ar12为不同(包括取代位置不同)的取 代或无取代的稠合环基的蒽衍生物，稠合环的优选具体例如上所述。其中，优选萘基、菲基、苯并蒽基、9，9-二甲基芴基、二苯并呋喃基。 
(蒽衍生物(B)) 
对于该蒽衍生物而言，式(5)中的Ar11和Ar12中的一个为取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基，另一个为取代或无取代的形成环的原子数为8～50的稠合环基。 
作为优选形态，Ar12为萘基、菲基、苯并蒽基、9，9-二甲基芴基、二苯并呋喃基，Ar11为取代有单环基或稠合环基的苯基。 
优选单环基，稠合环基的具体的基团如上所述。 
作为其他的优选形态，Ar12为稠合环基，Ar11为无取代的苯基。这时，作为稠合环基，特别优选菲基、9，9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、苯并蒽基。 
(蒽衍生物(C)) 
在该蒽衍生物中，式(5)中的Ar11和Ar12分别独立地为取代或无取代的形成环的原子数为5～50的单环基。 
作为优选形态，Ar11、Ar12都为取代或无取代的苯基。 
作为进一步优选的形态，有Ar11为无取代的苯基且Ar12为具有单环基、稠合环基作为取代基的苯基的情况、和Ar11、Ar12分别独立地为具有单环基、稠合环基作为取代基的苯基的情况。 
作为上述取代基的优选单环基、稠合环基的具体例，如上所述。关于作为取代基的单环基，进一步优选苯基、联苯基，关于作为取代基的稠合环基，为萘基、菲基、9，9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、苯并蒽基。 
作为式(5)所表示的蒽衍生物的具体例，可以举出以下例子。 
【化25】 
【化26】 
【化27】 
【化28】 
【化29】 
【化30】 
【化31】 
【化32】 
【化33】 
【化34】 
【化35】 
【化36】 
【化37】 
【化38】 
【化39】 
【化40】 
【化41】 
【化42】 
【化43】 
【化44】 
【化45】 
【化46】 
【化47】 
【化48】 
【化49】 
作为其他形态，可以是上述有机薄膜层的至少一层含有上述式(1)所表示的芳香族胺衍生物和下述式(6)所表示的芘衍生物的有机电致发光元件。更优选发光层含有芳香族胺衍生物作为掺杂物，含有芘衍生物作为主体材料。 
【化50】 
式(6)中，Ar111和Ar222分别独立地为取代或无取代的形成环的碳数 为6～30的芳基。 
L1和L2分别独立地表示取代或无取代的形成环的碳数为6～30的2价芳基或杂环基。 
m为0～1的整数，n为1～4的整数，s为0～1的整数，t为0～3的整数。 
另外，L1或Ar111与芘的1～5位的任何一个位点键合，L2或Ar222与芘的6～10位的任一位点键合。 
通式(6)中的L1和L2优选取代或无取代的亚苯基、取代或无取代的亚联苯基、取代或无取代的亚萘基、取代或无取代的亚三联苯基、取代或无取代的亚芴基、和将这些取代基组合而成的2价芳基。 
另外，作为该取代基，与上述(1)～(4)中的“取代或无取代的…”中的取代基相同。L1和L2的取代基优选为碳数1～20的烷基。 
通式(6)中的m优选为0～1的整数。通式(6)中的n优选为1～2的整数。通式(6)中的s优选为0～1的整数。 
通式(6)中的t优选为0～2的整数。 
Ar111和Ar222的芳基与上述(1)～(4)中的各基团相同。 
优选取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基，更优选取代或无取代的形成环的碳数为6～16的芳基，作为芳基的优选具体例，为苯基、萘基、菲基、芴基、联苯基、蒽基、芘基。 
含有芳香族胺衍生物作为掺杂物时，优选含量为0.1～20质量％，更优选1～10质量％。 
芳香族胺衍生物和蒽衍生物或芘衍生物，除了可以在发光层中使用，也可以在空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中使用。 
在本发明中，作为有机薄膜层为多层型的有机EL元件，可以举出以(阳极/空穴注入层/发光层/阴极)、(阳极/发光层/电子注入层/阴极)、(阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极)、(阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极)等的构成层叠而成的元件。 
有机EL元件通过将上述有机薄膜层设为多层结构，可以防止由于淬灭导致的亮度、寿命的下降。根据需要，可以组合使用发光材料、掺杂材料、空穴注入材料、电子注入材料。另外，利用掺杂材料，有时可以使发 光亮度、发光效率提高。另外，空穴注入层、发光层、电子注入层可以分别由二层以上的层构成来形成。这时，在为空穴注入层时，将从电极注入空穴的层称为空穴注入层，将从空穴注入层取得空穴并将空穴传输到发光层的层称为空穴传输层。同样地，在为电子注入层时，将从电极注入电子的层称为电子注入层，将从电子注入层取得电子并将电子传输到发光层的层称为电子传输层。这些各层根据材料的能级、耐热性、与有机层或金属电极的密接性等的各要因来选择使用。 
作为可以与本发明的芳香族胺衍生物一同在发光层中使用的上述式(5)以外的材料，可以举出例如萘、菲、红荧烯、蒽、并四苯、芘、苝、 十环烯、晕苯、四苯基环戊二烯、五苯基环戊二烯、芴、螺芴等稠合多环芳香族化合物和它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝等有机金属络合物、三芳基胺衍生物、苯乙烯基胺衍生物、茋衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生物、噁嗪酮衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吡嗪衍生物、肉桂酸酯衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、吖啶酮衍生物、喹吖啶酮衍生物等，但不限于这些。 
作为空穴注入材料，优选如下的化合物，即具有传输空穴的能力，具有从阳极注入空穴的效果，对发光层或发光材料优良的空穴注入效果，且薄膜形成能力优良的化合物。具体可以举出酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、联苯胺型三苯基胺、二胺型三苯基胺、六氰基六氮杂苯并菲等和这些的衍生物、以及聚乙烯基咔唑、聚硅烷、导电性高分子等高分子材料，但不限于这些。 
在可以在本发明的有机EL元件中使用的空穴注入材料之中，更有效的空穴注入材料是酞菁衍生物。 
作为酞菁(Pc)衍生物，例如有H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc等酞菁衍生物和萘酞菁衍生物，但不限于这些。 
另外，通过在空穴注入材料中添加TCNQ衍生物等电子受容物质，可以使载流子增敏。 
可以在本发明的有机EL元件中使用的优选空穴传输材料，是芳香族 叔胺衍生物。 
作为芳香族叔胺衍生物，例如为N，N’-二苯基-N，N’-二萘基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺、N，N，N’，N’-四联苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺等，或具有这些芳香族叔胺骨架的低聚物或聚合物，但不限于这些。 
作为电子注入材料，优选如下的化合物，即具有传输电子的能力，具有从阴极注入电子的效果，对发光层或发光材料优良的电子注入效果，且薄膜形成能力优良的化合物。 
在本发明的有机EL元件中，更有效的电子注入材料是金属络合物化合物和含氮杂环衍生物。 
作为上述金属络合物化合物，可以举出例如8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、三(8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌等，但不限于这些。 
作为上述含氮杂环衍生物，例如优选噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、三唑、吡啶、嘧啶、三嗪、菲咯啉、苯并咪唑、咪唑并吡啶等，其中优选苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑并吡啶衍生物。 
作为优选形态，在这些电子注入材料中还含有掺杂物，为了使从阴极摄取电子变得容易，更优选在第2有机层的阴极界面邻域掺杂以碱金属为代表的掺杂物。 
作为掺杂物，可以举出给予性金属，给予性金属化合物和给予性金属络合物，这些还原性掺杂物可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
在本发明的有机EL元件中，发光层中除了含有选自式(1)所表示的芳香族胺衍生物中的至少一种以外，在同一层中还可以含有发光材料、掺杂材料、空穴注入材料、空穴传输材料和电子注入材料的至少一种。另外，为了提高本发明得到的有机EL元件对温度、湿度、气氛等的稳定性，可以在元件的表面设置保护层，或者通过硅油、树脂等来保护元件全体。 
作为本发明的有机EL元件的阳极中使用的导电性材料，具备比4eV大的功函数的材料是合适的，可以使用碳、铝、钒、铁、钴、镍、钨、银、金、铂、钯等和它们的合金，可以在ITO基板、NESA基板中使用的氧化锡，氧化铟等氧化金属，还可以使用聚噻吩、聚吡咯等有机导电性树脂。作为可在阴极中使用的导电性物质，具备比4eV小的功函数的材料是合适 的，可以使用镁、钙、锡、铅、钛、钇、锂、钌、锰、铝、氟化锂等和它们的合金，但不限于这些。作为合金，可以举出镁/银、镁/铟、锂/铝等作为代表例，但不限于这些。合金的比率可以通过蒸镀源的温度、气氛、真空度等来控制，以适当的比率来选择。阳极和阴极根据需要可以由二层以上的层构成来形成。 
在本发明的有机EL元件中，为了更高效地发光，优选将至少一个面设为在元件的发光波长区域为充分透明。另外，优选基板也是透明的。透明电极使用上述的导电性材料，利用蒸镀、溅射等方法以确保规定的透光性的方式进行设定。发光面的电极优选光透射率设为10％以上。基板只要是具有机械性强度、热强度且具有透明性的基板就没有特别限制，有玻璃基板和透明性树脂膜。 
本发明的有机EL元件的各层的形成，可以应用真空蒸镀、溅射、等离子、离子镀等干式成膜法，旋涂法、浸涂法、流涂法等湿式成膜法中的任一方法。膜厚无特别限定，但需要设定为适当的膜厚。膜厚过厚时，为得到规定的光输出，需要大的施加电压，效率变差。膜厚过薄时产生针孔等，即使施加电场也得不到充分的发光亮度。通常的膜厚在5nm～10μm的范围是合适的，但进一步优选10nm～0.2μm的范围。 
在湿式成膜法时，将形成各层的材料在乙醇、氯仿、四氢呋喃、二噁烷等适当的溶剂中溶解或分散，形成薄膜，但是其溶剂可以是任意的。 
作为适于这样的湿式成膜法的溶液，可以使用含有本发明的芳香族胺衍生物和溶剂作为有机EL材料的含有机EL材料的溶液。 
上述有机EL材料含有主体材料和掺杂物材料，上述掺杂物材料是本发明的芳香族胺衍生物，上述主体材料优选为从式(5)所表示的化合物中选择的至少1种。 
在任意有机薄膜层中，为了提高成膜性、防止膜的针孔等，可以使用适当的树脂、添加剂。 
本发明的有机EL元件，可以在壁挂电视的平板显示器等的平面发光体、复印机、打印机、液晶显示器的背光或计量仪器类等的光源、显示板、标识灯等中应用。另外，本发明的化合物不仅可以在有机EL元件中使用，也可以在电子照片感光体、光电变换元件、太阳电池、图像传感器等领域 使用。 
【实施例】 
制造例1 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-1。 
【化51】 
(1)中间体M1的合成(反应A) 
在氩气流下，在1000mL的茄型烧瓶中，投入二苯并呋喃30.0g、脱水四氢呋喃(THF)300mL，冷却至-65℃后，加入正丁基锂己烷溶液(1.65M)120mL，慢慢地升温，室温下反应3小时。再次冷却至-65℃后，滴加1，2-二溴乙烷23.1mL，慢慢地升温，室温下反应3小时。 
加入2N盐酸、乙酸乙酯进行分液、提取后，用自来水、饱和食盐水清洗有机层，利用硫酸钠进行干燥，将浓缩而得的粗生成物利用硅胶色谱(二氯甲烷)进行精制，对所得的固体进行减压干燥，结果得到了43.0g的白色固体。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M1。 
(2)中间体M2的合成(反应B) 
在氩气流下，在300mL茄型烧瓶中投入中间体M1 11.7g、苯胺10.7mL、三(二苄叉丙酮)二钯(0)〔Pd2(dba)3〕0.63g、2，2’-双(二 苯基膦)-1，1’-联萘〔BINAP〕0.87g、叔丁醇钠9.1g、脱水甲苯131mL，在85℃反应6小时。 
冷却后，用硅藻土过滤反应溶液，将得到的粗生成物用硅胶色谱(正己烷/二氯甲烷(3/1))进行精制，减压干燥得到的固体，结果得到10.0g的白色固体。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M2。 
(3)化合物D-1的合成(反应C) 
在氩气流下，在300mL的茄型烧瓶中投入中间体M28.6g、用已知方法合成的1，6-二溴-3，8-二异丙基芘5.9g、叔丁醇钠2.5g、乙酸钯(II)〔Pd(OAc)2〕150mg、三叔丁基膦135mg、脱水甲苯90mL，在85℃反应7小时。 
过滤反应溶液，用硅胶色谱(甲苯)精制得到的粗生成物，用甲苯对得到的固体进行重结晶，将由此得到的固体减压干燥，得到9.3g的黄白色固体。对得到的化合物，进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长λmax如以下所示。 
FDMS，calcd for C58H44N2O2＝800，found m/z＝(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝419nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝452nm 
制造例2 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-2。 
【化52】 
(1)中间体M3的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用4-异丙基苯胺，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M3。 
(2)化合物D-2的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M3，利用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C64H56N2O2＝884，found m/z＝884(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝425nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝457nm 
制造例3 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-3。 
【化53】 
(1)中间体M4的合成(反应D) 
在氩气流下，在300mL茄型烧瓶中加入中间体M1 18.7g、乙酰胺3.4g、碘化铜(I)0.81g、碳酸钾15.7g、二甲苯90mL，搅拌后，加入N，N’-二甲基乙二胺0.9mL，在170℃反应18小时。 
过滤反应溶液，用甲苯、自来水、甲醇清洗得到的粗生成物，减压干燥得到的固体，得到了8.2g的固体。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M4。 
(2)中间体M5的合成(反应E) 
在300mL茄型烧瓶中，加入中间体M48.2g、氢氧化钾12.2g、自来水14mL、甲苯37mL、乙醇74mL，在110℃反应8小时。 
加入乙酸乙酯进行分液、提取后，用自来水、饱和食盐水清洗有机层，用硫酸钠干燥，将浓缩得到的粗生成物用硅胶色谱(乙酸乙酯/己烷(1/1))进行精制，减压干燥得到的固体，得到6.6g的白色固体。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M5。 
(3)中间体M6的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用中间体M5，代替中间体M1使用1-溴-4-(三甲基甲硅烷基)苯，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M6。 
(4)化合物D-3的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M6，利用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C64H60N2O2Si2＝944，found m/z＝944(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝419nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝452nm 
制造例4 
化合物D-29的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-29。 
【化54】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C52H32N2O2＝716，found m/z＝716(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝420nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝449nm 
制造例5 
化合物D-30的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-30。 
【化55】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴芘，代替中间体M2而使用中间体M3，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C58H44N2O2＝800，found m/z＝800(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝426nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝455nm 
制造例6 
化合物D-32的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-32。 
【化56】 
(1)中间体M7的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用中间体M5，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M7。 
(2)化合物D-32的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M7，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C70H48N2O2＝980，found m/z＝980(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝419nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝448nm 
制造例7 
化合物D-46的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-46。 
【化57】 
(1)中间体M8的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用4-氨基苯甲腈，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M8。 
(2)化合物D-46的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M8，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C60H42N4O2＝850，found m/z＝850(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝398nm、FL(PhMe、λex＝370nm)；λmax＝444nm 
制造例8 
化合物D-53的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-53。 
【化58】 
(1)中间体M9的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用邻联苯胺，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M9。 
(2)化合物D-53的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M9，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C60H40N2O2＝868，found m/z＝868(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝429nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝452nm 
制造例9 
化合物D-54的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-54。 
【化59】 
(1)中间体M10的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用4-氨基-3-苯基苯甲腈，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M10。 
(2)化合物D-54的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴芘，代替中间体M2而使用中间体M10，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C66H38N4O2＝918，found m/z＝918(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝424nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝449nm 
制造例10 
化合物D-68的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-68。 
【化60】 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M9，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C70H52N2O2＝952，found m/z＝952(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝432nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝456nm 
制造例11 
化合物D-76的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-76。 
【化61】 
(1)中间体M11的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替苯胺而使用中间体M5，代替中间体M1而使用1-溴萘，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的 分析，鉴定为中间体M11。 
(2)化合物D-76的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替中间体M2而使用中间体M11，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C66H48N2O2＝900，found m/z＝900(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝424nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝451nm 
制造例12 
化合物D-81的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-81。 
【化62】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴-3，8-二环丙基芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C58H40N2O2＝796，found m/z＝796(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝426nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝457nm 
制造例13 
化合物D-83的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-83。 
【化63】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴-3，8-二环戊基芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C62H48N2O2＝852，found m/z＝852(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝420nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝453nm 
制造例14 
化合物D-88的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-88。 
【化64】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴-3，8-二环戊基芘，代替中间体M2而使用中间体M6，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C68H64N2O2Si2＝996，found m/z＝996(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝419nm、FL(PhMe、λex＝390nm)；λmax＝453nm 
制造例15 
化合物D-89的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-89。 
【化65】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴-3，8-二环丁基芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C60H44N2O2＝824，found m/z＝824(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝425nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝456nm 
制造例16 
化合物D-90的合成(反应C) 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-90。 
【化66】 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴-3，8-二-间甲苯基芘，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C66H44N2O2＝896，found m/z＝896(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝432nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝468nm 
制造例17 
化合物D-96的合成 
如以下所示制造了芳香族胺衍生物D-96。 
【化67】 
(1)中间体M12的合成(反应A) 
在中间体M1的合成中，代替二苯并呋喃而使用二苯并噻吩，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M12。 
(2)中间体M13的合成(反应B) 
在中间体M2的合成中，代替中间体M1而使用中间体M12，用同样的方法进行合成。通过FD-MS(场解析质谱)的分析，鉴定为中间体M13。 
(3)化合物D-96的合成(反应C) 
在D-1的合成中，代替1，6-二溴-3，8-二异丙基芘而使用1，6-二溴芘，代替中间体M2而使用中间体M13，用同样的方法进行合成。对得到的化合物进行FD-MS(场解析质谱)的分析。甲苯溶液中的紫外线吸收最大波长λmax和荧光发光最大波长如以下所示。 
FDMS，calcd for C52H32N2S2＝748，found m/z＝748(M+) 
UV(PhMe)；λmax＝423nm、FL(PhMe、λex＝400nm)；λmax＝455nm 
在以下说明的实施例1～112当中，对于无制造例的化合物，采用与制 造例1～15同样的方法进行合成。 
实施例1 
在25mm×75mm×1.1mm尺寸的玻璃基板上，设置膜厚120nm的由铟锡氧化物形成的透明电极。该透明电极作为阳极起作用。接下来，对该玻璃基板照射紫外线和臭氧进行清洗，然后设置在真空蒸镀装置中。 
首先，作为空穴注入层，将N’，N”-双[4-(二苯基氨基)苯基]-N’，N”-二苯基联苯基-4，4’-二胺蒸镀至60nm的厚度，然后在其上以20nm的厚度蒸镀N，N，N’，N’-四(4-联苯基)-4，4’-联苯胺，作为空穴传输层。接下来，按照质量比40∶2同时蒸镀作为主体材料的蒽衍生物EM2和作为掺杂材料的芳香族胺衍生物D-1，形成厚度40nm的发光层。 
作为电子注入层，在该发光层上蒸镀厚20nm的三(8-羟基喹啉)铝。 
接着，以1nm的厚度蒸镀氟化锂，接着以150nm的厚度蒸镀铝，制作了有机EL元件。需要说明的是，该铝/氟化锂作为阴极发挥作用。 
对由此得到的有机EL元件，如以下所述测定电流密度10mA/cm2下驱动时的元件性能(发光效率)和色度CIE1931的x，y。结果在表1中示出。 
发光亮度：利用分光放射亮度计(CS-1000，美能达制)进行测定。 
色度CIE1931的x、y：利用分光放射亮度计(CS-1000，美能达制)进行测定。 
发光效率(L/J)：L/J为亮度和电流密度之比。在使用SOURCEMEASURE UNIT 236(KEITHLEY制)测定电流和电压的同时，利用分光放射亮度计来测定亮度，通过电流值和发光面积来计算电流密度，算出L/J。发光效率(lm/W)通过以下的式子求出。 
发光效率(lm/W)＝L/J/电压×圆周率 
实施例2 
在实施例1中，代替芳香族胺衍生物D-1而使用芳香族胺衍生物化合物D-2，制作有机EL元件，与实施例1同样地进行评价。将结果在表1中示出。 
实施例3 
在实施例1中，代替芳香族胺衍生物D-1而使用芳香族胺衍生物D-3， 制作有机EL元件，与实施例1同样地进行评价。结果在表1中示出。 
比较例1 
在实施例1中，代替芳香族胺衍生物D-1的化合物而使用下述示出的化合物H-1，制作有机EL元件，与实施例1同样地进行评价。将结果示于表1中。 
【化68】 
【表1】 
    实施例1   实施例2   实施例3   比较例1
  主体材料   EM2   EM2   EM2   EM2
  掺杂材料   D-1   D-2   D-3   H-1
  驱动电压(V)   6.0   5.8   5.9   6.1
  CIEx   0.139   0.131   0.133   0.133
  CIEy   0.112   0.143   0.120   0.186
  效率(lm/W)   4.0   4.2   3.9   3.2
由表1可知，实施例中使用的二苯并呋喃衍生物与公知化合物H-1相比，效率高，且CIEy值大幅减小(大幅短波长发光)。在本发明的化合物中，氮原子的孤电子对，在二苯并呋喃基/二苯并噻吩基中，会影响与氮原子键合的一方的芳香环的电子密度，氧原子/硫原子的孤电子对会影响没有与氮原子键合的一方的芳香环，由此电负性度比碳原子更大的氧原子/硫原子的电子吸引性效果会在与氮原子键合的一方的芳香环上体现，因此与仅具有H-1这样的芳香族烃基的化合物相比，推测其进行短波长发光。 
实施例4 
在25mm×75mm×1.1mm尺寸的玻璃基板上，设置膜厚120nm的由铟 锡氧化物形成的透明电极。该透明电极作为阳极发挥作用。接下来，对该玻璃基板照射紫外线和臭氧进行清洗，然后将该基板设置在真空蒸镀装置中。 
首先，作为空穴注入层，以50nm的厚度蒸镀下述结构的HT-1，然后在其上以45nm的厚度蒸镀N，N，N’，N’-四(4-联苯基)-4，4’-联苯胺作为空穴传输层。接下来，以质量比25∶5同时蒸镀作为主体材料的蒽衍生物EM9和作为掺杂材料的芳香族胺衍生物D-1，形成厚度30nm的发光层。 
作为电子注入层，在该发光层上以25nm的厚度蒸镀下述结构的ET-1。 
接着，以1nm的厚度蒸镀氟化锂，接着，以150nm的厚度蒸镀铝，制作了有机EL元件。此外，该铝/氟化锂作为阴极发挥作用。 
对由此得到的有机EL元件与实施例1同样地进行评价。结果在表2中示出。 
【化69】 
实施例5～42、比较例2 
将主体材料和掺杂材料按照表2进行变更，除此以外与实施例4同样地制作有机EL元件，进行评价。结果在表2中示出。 
外部量子收率的测定方法如以下所述。 
对得到的有机EL元件中通电，其电流密度为10mA/cm2，以分光放射亮度计(CS1000：美能达制)进行发光光谱测定，通过下述数式(1)算出外部量子收率。 
【数1】 
E . Q . E . = N P N E × 100
= ( π / 10 9 ) ∫ φ ( λ ) · dλ hc J / 10 e × 100
= ( π / 10 9 ) Σ ( φ ( λ ) · ( λ ) ) hc J / 10 e × 100 ( % ) 数式(1) 
NP：光子数 
NE：电子数 
π：圆周率＝3.1416 
λ：波长(nm) 
发光强度(W/sr·m2·nm) 
h：普朗克常数＝6.63×10-34(J·s) 
c：光速＝3×108(m/s) 
J：电流密度(mA/cm2) 
e：电荷＝1.6×10-19(C) 
【表2】 
实施例43～71、比较例3 
将主体材料和掺杂材料按照表3进行变更，除此之外与实施例1同样地制作有机EL元件，进行评价。结果如表3所示。 
外部量子收率的测定方法与上述相同。 
【化70】 
【表3】 
实施例72 
将25mm×75mm×1.1mm厚的带有ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(Geomatec公司制)在异丙基醇中超声波清洗5分钟，然后，进行30分钟的UV臭氧清洗。将清洗后的带有透明电极线的玻璃基板安装在真空蒸镀装置的基板架上，首先在形成有透明电极线的一侧的面上以被覆上述透明电极的方式形成膜厚50nm的下述化合物A-1膜。在A-1膜的成膜之后，在该A-1膜上形成膜厚45nm的下述化合物A-2膜。 
进而，在该A-2膜上，以20∶1的膜厚比形成作为主体材料的化合物 EM31和作为掺杂材料的化合物D-1的膜，膜厚为20nm，形成蓝色系发光层。 
在该膜上蒸镀膜厚25nm的下述结构的ET-2，进行成膜，作为电子传输层。该后，形成膜厚1nm的LiF膜。在该LiF膜上蒸镀150nm的金属Al，形成金属阴极，形成有机EL发光元件。 
对由此得到的有机EL元件与实施例1同样地进行评价。外部量子收率的测定方法与上述相同。结果如表4所示。 
【化71】 
实施例73～112、比较例4、5 
将主体材料和掺杂材料按照表4进行变更，除此以外与实施例72同样地制作有机EL元件，进行评价。外部量子收率的测定方法与上述相同。结果在表4中示出。 
【化72】 
【表4】 
由表1～4可知，实施例的元件维持了高效率，颜色再现性高。由此， 能够以低耗电实现颜色再现性高的显示器设备。 
【产业上的利用可能性】 
本发明的有机EL元件可以在壁挂电视的平板显示器等的平面发光体、复印机、打印机、液晶显示器的背光或计量仪器类等的光源，显示板，标识灯等中应用。 
上文中对本发明的几个实施方式和/或实施例进行详细的说明，但是本领域人员在不实质上脱离本发明的新颖性教导和效果的范围内，可以容易地对这些例示的实施方式和/或实施例进行多样变更。这些多样变更也包含在本发明的范围内。 
该说明书中所述的文献的内容全部被援引。 

Claims (13)

1.一种下述式(1)所表示的芳香族胺衍生物，
式(1)中，R1～R8为氢原子，或者
R2为取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3～R8为氢原子，或者，
R2、R6分别为取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3、R4、R5、R7和R8为氢原子，
R2及R6中的取代甲硅烷基为碳数3～30的烷基甲硅烷基、或形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基，
Ar1～Ar4中的至少一个为下述式(2)所表示的杂环基，
式(2)中，R11～R17分别表示氢原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基，
R11～R17的取代甲硅烷基为碳数3～30的烷基甲硅烷基、或形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基，
X1表示氧原子或硫原子，
所述式(2)所示杂环基以外的Ar1～Ar4分别表示取代或无取代的形成环的碳数为6～30的芳基、或取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基，
所述取代或无取代中的取代基选自烷基、取代或无取代的甲硅烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、环烷基、杂环基、卤素原子、卤代烷基、羟基、硝基、氰基和羧基，这些取代基中，所述取代或无取代的甲硅烷基中的取代甲硅烷基为碳数3～30的烷基甲硅烷基、或形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基，且这些取代基中的所述烷基的碳数为1～10，所述杂环基的环形成碳数为5～20，
这些取代基中的所述芳基选自苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、并四苯基、芘基、基、苯并[c]菲基、苯并[g]基、苯并菲基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、三联苯基及荧蒽基。
2.根据权利要求1所述的芳香族胺衍生物，其由下述式(3)所表示，
式(3)中，R1～R8、Ar2、Ar4与式(1)中相同，
R21～R27、R31～R37分别表示氢原子、取代或无取代的碳数1～20的烷基、取代或无取代的甲硅烷基、或者取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基，R21～R27、R31～R37中的取代甲硅烷基为碳数3～30的烷基甲硅烷基、或形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基，
X2、X3分别表示氧原子或硫原子。
3.根据权利要求2所述的芳香族胺衍生物，其中，Ar2和Ar4为下述式(4)所表示的杂环基，
式(4)中，R41～R48中的任意1个用于与氮原子结合，其余分别表示氢原子、卤素原子、取代或无取代的碳数1～10的烷基、取代或无取代的甲硅烷基、氰基、取代或无取代的形成环的碳数为6～20的芳基、或者取代或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基，
R41～R48中的取代甲硅烷基为碳数3～30的烷基甲硅烷基、或形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基，X4表示氧原子或硫原子。
4.根据权利要求3所述的芳香族胺衍生物，其中，所述R41～R48中的任意1个用于与氮原子结合，其余表示氢原子。
5.根据权利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，X1、X2及X3为氧原子。
6.根据权利要求3所述的芳香族胺衍生物，其中，X4为氧原子。
7.根据权利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，
作为所述取代或无取代中的取代基的烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基及正辛基。
8.根据权利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，
作为所述取代或无取代中的取代基的烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基及正己基。
9.根据权利要求1或2所述的芳香族胺衍生物，其中，
式(1)中，R1～R8为氢原子，或者
R2为无取代的碳数1～20的烷基、无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、碳数3～30的烷基甲硅烷基、形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基、或者无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3～R8为氢原子，或者，
R2、R6分别为无取代的碳数1～20的烷基、无取代的形成环的碳数为3～10的环烷基、碳数3～30的烷基甲硅烷基、形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基、或者无取代的形成环的碳数为6～30的芳基，R1、R3、R4、R5、R7和R8为氢原子，
式(2)中，R11～R17分别表示氢原子、无取代的碳数1～20的烷基、碳数3～30的烷基甲硅烷基、形成环的碳数为8～30的芳基甲硅烷基、或者无取代的形成环的碳数为6～20的芳基，
所述式(2)所示杂环基以外的Ar1～Ar4分别表示无取代的形成环的碳数为6～30的芳基、或无取代的形成环的原子数为5～20的杂环基。
10.一种包含权利要求1～9中任一项所述的芳香族胺衍生物的有机电致发光元件用发光材料。
11.一种包含权利要求1～9中任一项所述的芳香族胺衍生物的有机电致发光元件用掺杂材料。
12.一种有机电致发光元件，其是在阴极和阳极之间夹持有至少含有发光层的一层以上的有机薄膜层的有机电致发光元件，其中，该有机薄膜层的至少一层单独或者作为混合物的成分含有权利要求1～9中任一项所述的芳香族胺衍生物。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光元件，其中，所述至少一层为发光层。
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