TWI728650B - 半導體保護裝置 - Google Patents

半導體保護裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI728650B
TWI728650B TW109101132A TW109101132A TWI728650B TW I728650 B TWI728650 B TW I728650B TW 109101132 A TW109101132 A TW 109101132A TW 109101132 A TW109101132 A TW 109101132A TW I728650 B TWI728650 B TW I728650B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
terminal
resistor
source
power supply
Prior art date
Application number
TW109101132A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202042467A (zh
Inventor
盧昭正
Original Assignee
盧昭正
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 盧昭正 filed Critical 盧昭正
Publication of TW202042467A publication Critical patent/TW202042467A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI728650B publication Critical patent/TWI728650B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/20—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment
    • H02H7/205—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment for controlled semi-conductors which are not included in a specific circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
    • H03K17/284—Modifications for introducing a time delay before switching in field effect transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

本發明半導體保護裝置，包括：第一半導體、第二半導體、第三半導體及延時產生器，構成一個具有負載發生過載或短路保護功能之應用電路，而且等同單一半導體的特徵，可以避免負載兩端發生過載或短路所造成之損害。

Description

半導體保護裝置
本發明涉及電子技術領域，尤其是涉及一種在直流電路應用過程中負載兩端發生過載或短路時具有保護功能的半導體保護裝置。
如圖1所示，為習知發明電池放電保護裝置，自圖中可知，第二半導體14的集極C連接第一集極電阻15的另一端及第一半導體12的閘極G，第一集極電阻15的一端連接電路正電端V+，第二半導體14的射極E連接第一半導體12的源極S，第二半導體14的基極B連接第一基極電阻16的一端，第一基極電阻16的另一端連接電路負電端V-，圖中的充電裝置100在本發明中不涉及充電原理所以不予贅述；當電池11對負載200執行放電動作中發生過電流時，第一半導體12的汲極D及源極S之間電位急速上升，此時第二半導體14的基極B電位高於射極E而使第二半導體14導通，第一半導體12的閘極G的正電位等於第一半導體12的源極S的正電位，因此第一半導體12開路，此時第一半導體12的汲極電流斷電流，以保護電池11因發生過電流而造成電池11 的損壞，若欲解除第二半導體14的導通狀態只需將負載200解除，即可解除第二半導體14的導通狀態，而恢復第一半導體12的正常狀態，其缺點如下：
1.將負載200兩端造成短路的原因解除後，要設一個開關將負載200開路(Off)，再將所設的開關導通(On)，電池11才能再供電於負載200，因此造成增加裝置成本及應用上的不便。
2.若要恢復正常的電路功能，必需將負載100兩端造成短路原因解除後，將電池11開路，再重新將電池11送電，也要增加一個開關，造成增加裝置成本及應用上的不便。
本發明的目的：本發明應用第一半導體、第二半導體、第三半導體及延時產生器，達到等同單一半導體功能的三電極特徵，而且能在直流電源電路供電中發生負載短路時第一直流電源得到保護。
當負載發生短路時，本發明應用第二半導體能在極短之時間內執行第一半導體開路動作，達到保護直流電源電路之功能及避免因負載短路而引起之各種災害。
本發明應用第三半導體及延時產生器，執行本發明在開機時，執行第二半導體延時動作及重置(Reset)時間控制之功能，達到短路原因排除時不必重新再送直流電源的動作。
本發明有下列之特徵：
1.本發明之第一半導體其負責直流電源之開路與導通供電於負載。
2.本發明之第二半導體，其負責控制第一半導體之開路與導通動作，以達到負載兩端發生短路時保護直流電源電路的目的。
3.本發明之第三半導體，其負責控制第二半導體之開路與導通動作，以達到負載兩端發生短路時保護直流電源電路的目的。
4.本發明之延時產生器，負責控制之第三半導體之開路與導通動作時間，以達到控制第一半導體順利執行開路與導通動作之時間。
5.本發明之第一半導體包括N通道金屬氧化半導體場效電晶體(N Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,N Channel MOSFET)或絕緣閘極雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)二者可以根據需求自行選用。
6.本發明之第二半導體包括N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體二者可以根據需求自行選用。
7.本發明之第三半導體包括N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體二者可以根據需求自行選用。
8.本發明之延時產生器為一單時間(Single Timer)積體電路或其他同等功能的延時控制積體電路。
9.本發明可以選用第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器、第一半導體、第二半導體、第三半導體及延時產生器組成具有三端特徵的半導體單體以方便應用。
10‧‧‧延時產生器
11‧‧‧第一半導體
12‧‧‧第二半導體
13‧‧‧第三半導體
14‧‧‧第一半導體
15‧‧‧第二半導體
16‧‧‧第三半導體
21‧‧‧第一電阻器
22‧‧‧第二電阻器
23‧‧‧第三電阻器
30‧‧‧第一端
40‧‧‧第二端
50‧‧‧第三端
60‧‧‧第一開關
70‧‧‧第二開關
100‧‧‧負載
200‧‧‧第一直流電源
300‧‧‧第二直流電源
圖1為習知電池放電保護裝置之實施例。
圖2為本發明半導體保護裝置第一實施例。
圖3為本發明半導體保護裝置第二實施例。
如圖2所示，為本發明半導體保護裝置第一實施例，自圖中可知，其包括延時產生器10、第一半導體11、第二半導體12、第三半導體13、第一電阻器21(First Resistor,21)、第二電阻器22(Second Resistor,22)及第三電阻器23(Third Resistor,23)，其第一端30(FirstTermina,30)、第二端40(SecondTerminal,40)及第三端50(Third Terminal.50)為對外連接端，其三端在外連接有第一開關60(First Switch,60)、第二開關、負載100(Load,100)、第一直流電源200(First DC Power Source,200)及第二直流電源300(Second DC Power Source,300)。
如圖2所示，第一半導體11的閘極G(Gate,G)連接第二半導體12的集極C(Collector,C)及第一電阻器21的一端，第一電阻器21的另一端連接延時產生器的正電壓端VD而構成第一端30。
如圖2所示，第二半導體12的基極B(Base,B)連接第三半導體13的集極C及第二電阻器22的另一端，第二電阻器22的一端連接第一半導體11的汲極D而成為第二端40。
如圖2所示，第一半導體11的源極S(Source,S)連接第二半導體12的射極E(Emitter,E)、第三半導體13的射極E及延時產生器10的接地端VG而成為第三端50。
如圖2所示，第三電阻器23的一端連接第三半 導體13的基極B，第三電阻器23的另一端連接延時產生器10的電壓輸出端VO，延時產生器10的正電壓端VD連接第一端30。
如圖2所示，負載100的另一端連接第二端40，負載100的一端連接第一開關60另一端，第一開關60的一端連接第一直流電源200的正電端，第一直流電源200的負電端連接第三端50。
如圖2所示，第二開關70的另一端連接第一端30，第二開關70的一端連接第二直流電源300的正電端，第二直流電源300的負電端連接第三端50。
如圖2所示，延時產生器10為一單時間積體電路或其他延時控制積體電路，第一半導體11為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，第二半導體12為N型電晶體，第三半導體13為N型電晶體。
如圖2所示，當第一開關60的轉向導通，此時第一直流電源200的正電端供電於負載100到第二端40，而第一直流電源200的負電端連接第三端50。
如圖2所示，當第一開關60的轉向導通，同時第二開關70轉向導通，此時第二直流電源300的正電端供電於第一端30，從第一端30供電於第一電阻器21到第一半導體11的閘極G及第二半導體12的集極C，因為第二直流電源300的正電端亦供電於延時產生器10的正電端VD，此時延時產生器10的正電輸出端VO輸出一延時正電壓供電於第三電阻器23到第三半導體13的基極B，此時第三半導體13的集極C與射極E導通，因此第二半導體12的集極C與射極E開路，此時第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負載100，其延時產生器10的延時正電壓供電時間的長 短，隨負載100的需求及第一半導體11導通時間而定，而不予自限。
如圖2所示，其延時產生器10的延時正電壓的供電時間是等到第一半導體11的汲極D與源極S導通後，其延時產生器10的延時正電壓的供電即為停止，此時第三半導體13的集極C與射極E開路，因此第二半導體12的集極C與射極E開路，第一半導體11的汲極D與源極S導通，第一直流電源200供電於負載100。
如圖2所示，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100兩端短路，其等同將第一直流電源200直接加於第一半導體11的汲極D與源極S兩端，此時第一半導體11的汲極D與二源極S兩端電壓降上升，第二半導體12的基極B與射極E達到導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到短路保護第一直流電源200的目的。
由上述可知，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，當負載100兩端發生短路，其第一直流電源200受到保護，若將負載100兩端短路的原因去除，將第二開關70轉向開路，再轉向導通，此時延時產生器10的正電壓輸出端VO輸出一延時正電壓使第三半導體13的集極C與射極E導通，第二半導體12的基極B與射極E 兩端電壓低，第二半導體12的集極C與射極E開路，於是第一半導體11的汲極D與源極S導通，亦就是第一直流電源200重新供電於負載100，若將第二開關70轉向開路，第一電阻器21不供電於第一半導體11的閘極G，第一半導體11的汲極D與源極S開路，亦就是第一直流電源200不供電於負載100，而第一端30能達成具有第一半導體11的汲極D與源極S導通與開路的功能。
如圖2所示，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100加大亦就是增大負載100的電流量，此時第一半導體11的汲極D與源極S之電壓降值大於第二半導體12的基射極導通電壓時，第二半導體12的集極C與射極E導通，第一半導體11的閘極G與源極S兩端電壓低，於是第一半導體11的汲極D與源極S開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到過電流保護第一直流電源200的目的。
由上述可知，當第二開關70轉向導通與開路來回切換時，就如同第一端30接上正電壓脈波與零電壓，因此第一端30如同半導體的閘極或基極，而第二端40連接負載100如同半導體的汲極或集極，第三端50連接第一直流電源200與第二直流電源300的負電端如同半導體的源極或射極。
如圖3所示，為本發明半導體保護裝置第二實施例，自圖中可知，其包括延時產生器10、第一半導體14、第二半導體15、第三半導體16、第一電阻器21、第二電阻器22及第三電阻器23，其第一端30、第二端40及第三端50為對外連接端，其三端對 外連接有第一開關60、第二開關70、負載100、第一直流電源200及第二直流電源300。
如圖3所示，第一半導體14的閘極G連接第二半導體15的汲極D及第一電阻器21的一端，第一電阻器21的另一端連接延時產生器10的正電端VD而構成第一端30。
如圖3所示，第二半導體15的閘極G連接第三半導體16的汲極D及第二電阻器22的另一端，第二電阻器22的一端連接第一半導體14的集極C而成為第二端40。
如圖3所示，第一半導體14的射極E連接第二半導體15的源極S、第三半導體16的源極S及延時產生器10的接地端VG而成為第三端50。
如圖3所示，第三電阻器23的一端連接第三半導體16的閘極G，第三電阻器23的另一端連接延時產生器10的正電壓輸出端VO，而其延時產生器10的正電壓端VD連接第一端30。
如圖3所示，負載100的另一端連接第二端40，負載100的一端連接第一開關60另一端，第一開關60的一端連接第一直流電源200的正電端，第一直流電源200的負電端連接第三端50。
如圖3所示，第二開關70的另一端連接第一端30，第二開關70的一端連接第二直流電源300的正電端，第二直流電源300的負電端連接第三端50。
如圖3所示，延時產生器10為一單時間積體電路或其他延時控制積體電路，第一半導體14為絕緣閘極雙極電晶體，第二半導體15為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，第三半導體16為N通道金屬氧化半導體場效電晶體。
如圖3所示，當第一開關60的轉向導通，此時第一直流電源200的正電端供電於負載100到第二端40，而第一直流電源200的負電端連接第三端50。
如圖3所示，當第一開關60的轉向導通，同時第二開關70轉向導通，此時第二直流電源300的正電端供電於第一端30，從第一端30供電於第一電阻器21到第一半導體14的閘極G及第二半導體15的汲極D，因為第二直流電源300的正電端亦供電於延時產生器10的正電端VD，此時延時產生器10的正電輸出端VO輸出一延時正電壓供電於第三電阻器23到第三半導體16的閘極G，此時第三半導體16的汲極D與源極S導通，因此第二半導體15的汲極D與源極S開路，此時第一半導體14的集極C與射極E導通，第一直流電源200供電於負載100，其延時產生器10的延時正電壓的供電時間的長短控制，隨負載100的需求及第一半導體14導通時間而定，而不予自限。
如圖3所示，其延時產生器10的延時正電壓的供電時間是等到第一半導體14的集極C與射極E導通後，其延時產生器10的延時正電壓的供電即為停止，此時第三半導體16的汲極D與源極S開路，因此第二半導體15的汲極D與源極S開路，第一半導體14的集極C與射極E導通，第一直流電源200供電於負載100。
如圖3所示，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100兩端短路，其等同將第一直流電源200直接加於第一半導體14的集極C與射極E兩端，此時第一半導體11 的集極C與射極E兩端電壓降上升，當第二半導體15的閘極G與源極S達到導通電壓時，第二半導體15的汲極D與源極S導通，第一半導體14的閘極G與射極E兩端電壓低，於是第一半導體14的集極C與射極E開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到短路保護第一直流電源200的目的。
由上述可知，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，當負載100兩端發生短路，其第一直流電源200受到保護，若將負載100兩端短路的原因去除，將第二開關70轉向開路，再轉向導通，此時延時產生器10的正電壓輸出端VO輸出一延時正電壓使第三半導體16的汲極D與源極S導通，第二半導體15的閘極G與源極S兩端電壓低，第二半導體15的汲極D與源極S開路，於是第一半導體14的集極C與射極E導通，亦就是第一直流電源200重新供電於負載100，若將第二開關70轉向開路，第一半導體14的集極C與射極E開路，亦就是第一直流電源200不供電於負載100，而第一端30能達成具有第一半導體14的集極C與射極E導通與開路的功能。
如圖3所示，當第一端30接有第二直流電源300，第二端40接有第一直流電源200時，第一直流電源200供電於負載100兩端，若將負載100加大亦就是增大負載100的電流量，此時若第一半導體14的集極C與射極E之電壓降值大於第二半導體15的閘源極導通電壓時，第二半導體15的汲極D與源極S導通，第一半導體14的閘極G與射極E兩 端電壓低，於是第一半導體14的集極C與射極E開路，第一直流電源200不供電於負載100，而達到過電流保護第一直流電源200的目的。
由上述可知，當第二開關70轉向導通與開路來回切換時，就如同第一端30接上正電壓脈波與零電壓斷續，因此第一端30如同半導體的閘極或基極，而第二端40連接負載100如同半導體的汲極或集極，第三端50連接第一直流電源200與第二直流電源300的負電端如同半導體的源極或射極。
由上述可知，圖2與圖3之動作原理與功能皆為相同，如圖2之第一半導體11為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，圖3之第一半導體14為絕緣閘極雙極電晶體，兩者之差異僅在應用於不同之負載100，如N通道金屬氧化半導體場效電晶體之應用特性為低電壓高電流，適用於低電壓高電流之負載100，而絕緣閘極雙極電晶體之應用特性為高電壓高電流，適用於高電壓高電流之負載100，由此可知其隨負載100之需求選用，因此其第一半導體11與第一半導體14是可互相替代，而不予自限。
由上述可知，圖2與圖3之動作原理與功能皆為相同，如圖2之第二半導體12為N型電晶體，圖3之第二半導體15為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，可知其隨負載100之需求選用，因此其第二半導體12與第二半導體15是可互相替代，而不予自限。
由上述可知，圖2與圖3之動作原理與功能皆為相同，如圖2之第三半導體13為N型電晶體，圖3之第三半導體16為N通道金屬氧化半導體場效電晶體，可知其隨第三半導體13、第三半導體16及 時延產生器10之需求選用，因此其第三半導體13與第三半導體16是可互相替代，而不予自限。
以上所述實施例僅是為充分說明本發明所舉的較佳的實施例，本發明的保護範圍不限於此，包括本技術領域的技術人員，在本發明基礎上所作的等同替代或變換，皆在本發明的保護範圍內。本發明的保護範圍以申請專利範圍書為准。
10‧‧‧延時產生器
11‧‧‧第一半導體
12‧‧‧第二半導體
13‧‧‧第三半導體
21‧‧‧第一電阻器
22‧‧‧第二電阻器
23‧‧‧第三電阻器
30‧‧‧第一端
40‧‧‧第二端
50‧‧‧第三端
60‧‧‧第一開關
70‧‧‧第二開關
100‧‧‧負載
200‧‧‧第一直流電源
300‧‧‧第二直流電源

Claims (12)

  1. 一種半導體保護裝置，其應用於直流電路，當該直流電路的負載發生過載或短路時，其功能為使第一直流電源得到保護，其包括有：一第一半導體，具有一汲極、一源極及一閘極；一第二半導體，具有一集極、一射極及一基極，該第二半導體的集極連接該第一半導體的閘極，該第二半導體的射極連接該第一半導體的源極；一第三半導體，具有一集極、一射極及一基極，該第三半導體的射極連接該第二半導體的射極，該第三半導體的集極連接該第二半導體的基極；一第一電阻器，具有二個連接端，該第一電阻器的一端連接該第一半導體的閘極及該第二半導體的集極；一第二電阻器，具有二個連接端，該第二電阻器的一端連接該第一半導體的汲極成為第二端，該第二端具有提供連接該負載的另一端之功能，該負載的一端連接該第一直流電源的正電端，該第二電阻器的另一端連接該第二半導體的基極及該第三半導體的集極；一第三電阻器，具有二個連接端，該第三電阻器的一端連接該第三半導體的基極；及一延時產生器，具有啟動第一半導體由開路轉為導通的功能，並且具有正電壓端、正電壓輸出端及接地端，該正電壓端連接該第一電阻器的另一端成為第一端，該第一端具有提供連接第二直流電源的正電端之功能，該正電壓輸出端連接該第三電阻器的另一端，該接地端連接該第三半導體的射極、該第二半導體的射極及該第一半導體的源極成為第三端，該第三 端具有提供連接該第一直流電源與該第二直流電源的負電端之功能。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體保護裝置，其中該第一半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體或N型絕緣閘極雙極電晶體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體保護裝置，其中該第二半導體為N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體保護裝置，其中該第三半導體為N型電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體保護裝置，其中該第一直流電源的正電端連接該負載的一端，該負載的另一端連接該第二端，該第一直流電源的負電端連接該第三端；該第二直流電源的正電端連接該第一端，該第二直流電源的負電端連接該第三端。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體保護裝置，還包括第一開關與第二開關，該第一開關位於該第一直流電源與該負載之間；該第二開關位於該第二直流電源與該第一端之間。
  7. 一種半導體保護裝置，其應用於直流電路，當該直流電路的負載發生過載或短路時，其功能為使第一直流電源得到保護，其包括有：一第一半導體，具有一集極、一射極及一閘極；一第二半導體，具有一汲極、一源極及一閘極，該第二半導體的汲極連接該第一半導體的閘極，該第二半導體的源極連接該第一半導體的射極；一第三半導體，具有一汲極、一源極及一閘極，該第三半導體的源極連接該第二半導體的源極，該第 三半導體的汲極連接該第二半導體的閘極；一第一電阻器，具有二個連接端，該第一電阻器的一端連接該第一半導體的閘極及該第二半導體的汲極；一第二電阻器，具有二個連接端，該第二電阻器的一端連接該第一半導體的集極成為第二端，該第二端具有提供該連接負載的另一端之功能，該負載的一端連接該第一直流電源的正電端，該第二電阻器的另一端連接該第二半導體的閘極及該第三半導體的汲極；一第三電阻器，具有二個連接端，該第三電阻器的一端連接該第三半導體的閘極；及一延時產生器，具有啟動第一半導體由開路轉為導通的功能，並且具有正電壓端、正電壓輸出端及接地端，該正電壓端連接該第一電阻器的另一端成為第一端，該第一端具有提供連接第二直流電源的正電端之功能，該正電壓輸出端連接該第三電阻器的另一端，該接地端連接該第三半導體的源極、該第二半導體的源極及該第一半導體的射極成為第三端，該第三端具有提供連接該第一直流電源與該第二直流電源的負電端之功能。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體保護裝置，其中該第一半導體為N型絕緣閘極雙極電晶體或N通道金屬氧化半導體場效電晶體。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的半導體保護裝置，其中該第二半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體或N型電晶體。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的半導體保護裝置，其中該第三半導體為N通道金屬氧化半導體場效電晶體 或N型電晶體。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的半導體保護裝置，其中該第一直流電源的正電端連接該負載的一端，該負載的另一端連接該第二端，該第一直流電源的負電端連接該第三端；該第二直流電源的正電端連接該第一端，該第二直流電源的負電端連接該第三端。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的半導體保護裝置，還包括第一開關與第二開關，該第一開關位於該第一直流電源與該負載之間；該第二開關位於該第二直流電源與該第一端之間。
TW109101132A 2019-05-10 2020-01-14 半導體保護裝置 TWI728650B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910389113.8 2019-05-10
CN201910389113.8A CN111917095B (zh) 2019-05-10 2019-05-10 半导体保护装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202042467A TW202042467A (zh) 2020-11-16
TWI728650B true TWI728650B (zh) 2021-05-21

Family

ID=73241892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101132A TWI728650B (zh) 2019-05-10 2020-01-14 半導體保護裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111917095B (zh)
TW (1) TWI728650B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4719531A (en) * 1985-05-15 1988-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Overcurrent protective circuit for modulated-conductivity type MOSFET
CN101542877A (zh) * 2007-03-30 2009-09-23 卢浩义 电路保护与控制系统以及应用该系统的保护控制方法
TW201208222A (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Power protection circuit
TW201530954A (zh) * 2013-12-11 2015-08-01 Monolithic Power Systems Inc 短路保護電路及其開關電源和保護方法
US9478978B1 (en) * 2013-03-14 2016-10-25 Iml International Short circuits and power limit protection circuits
CN207339248U (zh) * 2017-07-05 2018-05-08 上海一旻成峰电子科技有限公司 一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319515A (en) * 1990-10-12 1994-06-07 Raychem Limited Circuit protection arrangement
CN100490265C (zh) * 2006-04-24 2009-05-20 宇泉能源科技股份有限公司 电流驱动型电子断路保护装置
JP4621231B2 (ja) * 2007-06-29 2011-01-26 富士通テン株式会社 電源保護装置及び電子制御装置
CN201466667U (zh) * 2009-07-31 2010-05-12 北京七星华创电子股份有限公司 直流电源及负载的保护装置
CN102790374B (zh) * 2011-12-19 2015-01-28 洛阳理工学院 短路保护电路
JP6294061B2 (ja) * 2013-11-29 2018-03-14 ローム株式会社 短絡保護回路
TWI548184B (zh) * 2014-09-05 2016-09-01 緯創資通股份有限公司 用於電子裝置之保護裝置及方法
CN105514932B (zh) * 2015-12-08 2018-07-03 深圳天珑无线科技有限公司 电源的短路保护电路
CN109245053A (zh) * 2018-08-30 2019-01-18 广州金升阳科技有限公司 一种过载保护电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4719531A (en) * 1985-05-15 1988-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Overcurrent protective circuit for modulated-conductivity type MOSFET
CN101542877A (zh) * 2007-03-30 2009-09-23 卢浩义 电路保护与控制系统以及应用该系统的保护控制方法
TW201208222A (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Power protection circuit
US9478978B1 (en) * 2013-03-14 2016-10-25 Iml International Short circuits and power limit protection circuits
TW201530954A (zh) * 2013-12-11 2015-08-01 Monolithic Power Systems Inc 短路保護電路及其開關電源和保護方法
CN207339248U (zh) * 2017-07-05 2018-05-08 上海一旻成峰电子科技有限公司 一种综合保护电路、综合保护装置及塑封装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111917095A (zh) 2020-11-10
TW202042467A (zh) 2020-11-16
CN111917095B (zh) 2022-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10283957B2 (en) Supplying load having inrush-current behaviour
US7816898B2 (en) Switching regulator
TWI548184B (zh) 用於電子裝置之保護裝置及方法
US8730624B2 (en) Electrostatic discharge power clamp with a JFET based RC trigger circuit
TWI728650B (zh) 半導體保護裝置
TW202042469A (zh) 半導體電路裝置
TWI779519B (zh) 半導體裝置
TW202040900A (zh) 半導體裝置
TW202230923A (zh) 半導體電路裝置
WO2020035712A1 (ja) スイッチング回路
TW202425469A (zh) 電路保護裝置
TWI760188B (zh) 電子電路保護器
TW202213892A (zh) 半導體裝置
TW202215758A (zh) 半導體電路裝置
TW202324869A (zh) 電子電路保護裝置
TW202215737A (zh) 半導體保護裝置
TW201933712A (zh) 半導體裝置
TW202320440A (zh) 電子電路保護裝置
TWI583089B (zh) 電池放電保護裝置
TW202213891A (zh) 直流短路保護裝置
TW202329575A (zh) 電路保護裝置
TW202205770A (zh) 直流短路保護裝置
TW202404218A (zh) 半導體保護器
TW202339386A (zh) 半導體保護器
TW202416618A (zh) 半導體保護電路