KR20100104244A - Printed circuit board and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: In case of the printed circuit board and manufacturing method thereof is the connection terminal of the small chip or the minute circuit pattern, by using the connection wire it is simple and chip and circuit pattern are interlinked efficiently. CONSTITUTION: The first circuit pattern(80) comprises the coupling circuit pattern. The chip(40) is attached on the first circuit pattern. The connection wire(25) interlinks the connection terminal and coupling circuit pattern of chip. The first insulation layer(50) is formed on chip and the first circuit pattern. The second circuit pattern(81) is formed on the first insulation layer.

Description

인쇄회로기판 및 그 제조 방법{PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME} Printed circuit board and its manufacturing method {PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a printed circuit board and a method of manufacturing the same.

최근 전자 제품이 미세화, 패키지화, 소형화되는 추세에 따라, 미세화, 패키지화, 소형화된 인쇄회로기판에 대한 수요도 증가하고 있다.Recently, as electronic products are miniaturized, packaged, and miniaturized, demand for miniaturized, packaged, and miniaturized printed circuit boards is increasing.

이에 따라, 인쇄회로기판에 칩을 내장한 내장형(Embedded) 인쇄회로기판에 대한 수요도 증가하고 있다. Accordingly, the demand for embedded printed circuit boards in which chips are embedded in printed circuit boards is also increasing.

내장형 인쇄회로기판을 제조하는 공정에는, 상기 인쇄회로기판에 내장되는 칩과, 상기 인쇄회로기판의 회로 패턴들을 연결하는 공정이 포함된다.The process of manufacturing an embedded printed circuit board includes a process of connecting a chip embedded in the printed circuit board and circuit patterns of the printed circuit board.

칩에는 베어 칩(Bare Chip)과, 상기 베어 칩에 재배선층이 형성된 웨이퍼 레벨 패키지 단계의 칩(Wafer Level Package : WLP)이 있을 수 있다. 그런데 베어 칩의 경우, 외부 회로나 소자 등과 연결되기 위한 연결단자가 너무 작거나, 연결단자 간의 피치(Pitch)가 좁아서 회로 패턴과의 연결이 어려운 문제가 있다. 따라서, 상기 베어 칩에 추가적으로 재배선층을 형성하여, 이러한 문제를 해결해왔으나, 상기 재배선층을 형성하는 추가적인 공정이 필요하여, 제조 공정이 효율적이지 못하고 수율이 떨어지며, 제조 단가가 상승하는 문제가 있다. The chip may include a bare chip and a wafer level package (WLP) in which a redistribution layer is formed on the bare chip. However, in the case of a bare chip, a connection terminal for connecting to an external circuit, an element, or the like is too small, or a pitch between the connection terminals is narrow, making it difficult to connect the circuit pattern. Therefore, although this problem has been solved by additionally forming a redistribution layer on the bare chip, an additional process of forming the redistribution layer is required, and thus, a manufacturing process is not efficient, yield is reduced, and manufacturing cost is increased.

따라서, 상기 베어 칩을 사용하여 외부 회로나 소자를 연결할 수 있는 인쇄회로기판의 제조 방법이 개발될 필요가 있다. Therefore, there is a need to develop a method of manufacturing a printed circuit board capable of connecting external circuits or devices using the bare chip.

실시예는 새로운 구조의 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a printed circuit board having a new structure and a method of manufacturing the same.

실시예는 칩과 회로패턴을 간단한 공정에 의해 연결하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공한다. The embodiment provides a printed circuit board and a method of manufacturing the same for connecting the chip and the circuit pattern by a simple process.

본 발명은 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a printed circuit board and a method of manufacturing the same.

실시예에 따른 인쇄회로기판은 연결회로패턴을 포함하는 제1 회로패턴; 상기 제1 회로패턴 상에 칩; 상기 제1 회로패턴에 형성된 위치결정홈; 상기 칩의 연결단자와 상기 연결회로패턴을 연결하는 연결와이어; 상기 칩 및 제1 회로패턴 상에 절연층; 및 상기 절연층 상에 제2 회로패턴을 포함한다. The printed circuit board according to the embodiment includes a first circuit pattern including a connection circuit pattern; A chip on the first circuit pattern; A positioning groove formed in the first circuit pattern; A connection wire connecting the connection terminal of the chip to the connection circuit pattern; An insulating layer on the chip and the first circuit pattern; And a second circuit pattern on the insulating layer.

실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은 제1 금속층이 형성된 캐리어가 준비되는 단계; 상기 제1 금속층 상에 칩을 부착하는 단계; 상기 칩의 연결단자와 제1 금속층을 연결와이어에 의해 연결하는 단계; 상기 제1 금속층 및 상기 칩 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계; 상기 캐리어를 제거하는 단계; 및 상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 선택적으로 제거하여 연결회로패턴을 포함하는 제1 회로패턴 및 제2 회로패턴을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment includes preparing a carrier on which a first metal layer is formed; Attaching a chip on the first metal layer; Connecting the connection terminal of the chip and the first metal layer with a connection wire; Forming an insulating layer on the first metal layer and the chip, and forming a second metal layer on the insulating layer; Removing the carrier; And selectively removing the first metal layer and the second metal layer to form a first circuit pattern and a second circuit pattern including a connection circuit pattern.

실시예는 새로운 구조의 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a printed circuit board having a new structure and a method of manufacturing the same.

실시예는 칩의 연결단자가 작거나, 회로패턴이 미세한 경우에도, 연결와이어 에 의해 간단하고 효율적으로 칩과 회로패턴을 연결하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a printed circuit board for connecting a chip and a circuit pattern simply and efficiently by a connection wire even when the connection terminal of the chip is small or the circuit pattern is fine.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure is "on / on" or "bottom / on" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case described as being formed under, "on" and "under" are "directly" or "indirectly" formed through another layer. It includes everything that is done. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 설명한 도면이다. 1 to 11 illustrate a printed circuit board and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 11을 참조하면, 도 11에 도시된 인쇄회로기판은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 인쇄회로기판이다. First, referring to FIG. 11, the printed circuit board illustrated in FIG. 11 is a printed circuit board manufactured according to an exemplary embodiment of the present invention.

상기 인쇄회로기판은, 연결회로패턴(85)을 포함하는 제1 회로패턴(80); 상기 제1 회로패턴(80) 상에 부착된 칩(40); 상기 칩(40)의 연결단자(41)와 상기 연결회로패턴(85)을 연결하는 연결와이어(25); 상기 칩(40) 및 제1 회로패턴(80) 상에 형성된 제1 절연층(50); 상기 제1 절연층(50) 상에 형성된 제2 회로패턴(81); 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 제1 절연층(50)을 관통하는 제1 도전비아(70); 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 제1 도전비아(70)에 형성된 제2 절연층(90); 상기 제2 절연층(90) 상에 형성된 제3 회로패턴(120); 제1, 제2 회로패턴(80)(81)과 제3 회로패턴(120)을 연결하는 제2 도전비아(110)를 포함한다. The printed circuit board may include a first circuit pattern 80 including a connection circuit pattern 85; A chip 40 attached to the first circuit pattern 80; A connection wire 25 connecting the connection terminal 41 of the chip 40 to the connection circuit pattern 85; A first insulating layer 50 formed on the chip 40 and the first circuit pattern 80; A second circuit pattern 81 formed on the first insulating layer 50; A first conductive via 70 penetrating the first and second circuit patterns 80 and 81 and the first insulating layer 50; A second insulating layer 90 formed on the first and second circuit patterns 80 and 81 and the first conductive via 70; A third circuit pattern 120 formed on the second insulating layer 90; And a second conductive via 110 connecting the first and second circuit patterns 80 and 81 to the third circuit pattern 120.

이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 실시예에 따른 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a printed circuit board and a manufacturing method thereof according to an embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 11.

도 1을 참조하면, 제1 금속층(20)이 형성된 캐리어(10)가 준비된다. Referring to FIG. 1, the carrier 10 on which the first metal layer 20 is formed is prepared.

상기 제1 금속층(20)은 금속, 예를 들어, 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. The first metal layer 20 may be formed of at least one of a metal, for example, copper (Cu), tin (Sn), aluminum (Al), nickel (Ni), gold (Au), and silver (Ag). have.

상기 제1 금속층(20)은 상기 캐리어(10) 상에 전체적으로 형성되어 준비될 수 있다. The first metal layer 20 may be formed on the carrier 10 as a whole.

또는 상기 제1 금속층(20)은 상기 캐리어(10)가 준비된 후, 스퍼터링 공정, 도금 공정 및 적층 공정 등을 통해 형성될 수 있다. Alternatively, after the carrier 10 is prepared, the first metal layer 20 may be formed through a sputtering process, a plating process, and a lamination process.

상기 캐리어(10)는 금속 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 다만, 상기 캐리어(10)는 상기 제1 금속층(20)과 다른 재질로 형성된다.The carrier 10 may be formed of a metal or a resin material. However, the carrier 10 is formed of a material different from the first metal layer 20.

도 2를 참조하면, 상기 제1 금속층(20)을 선택적으로 제거하여, 위치결정홈(21)을 형성할 수 있다. 상기 위치결정홈(21)은 상기 인쇄회로기판에 형성될 제1 회로패턴(80) 및 연결회로패턴(85)을 형성하는 위치, 칩(40)을 부착하는 위치 등에 대한 기준이 될 수 있다. 더 상세한 내용은 해당 공정에서 후술한다. Referring to FIG. 2, the first metal layer 20 may be selectively removed to form the positioning groove 21. The positioning groove 21 may be a reference for a position for forming the first circuit pattern 80 and a connection circuit pattern 85 to be formed on the printed circuit board, a position for attaching the chip 40, and the like. Further details will be described later in the process.

상기 위치결정홈(21)은 상기 제1 금속층(20) 상에 포토레지스트 패턴( 미도시)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴(미도시)을 마스크로 하여, 상기 제1 금속층(20)에 에칭을 실시하여 형성할 수 있다. The positioning groove 21 forms a photoresist pattern (not shown) on the first metal layer 20, and then forms a photoresist pattern (not shown) on the first metal layer 20. It can form by performing an etching.

예를 들어, 상기 위치결정홈(21)은 상기 제1 금속층(20)의 가장자리에 형성될 수 있다. 즉, 상기 위치결정홈(21)은 후에 형성될 제1 회로패턴(80)에 형성될 수 있으며, 바람직하게는 상기 제1 회로패턴(80)의 가장자리에 형성될 수 있다. 하지만 상기 위치결정홈(21)의 위치는 필요에 따라 다양하게 정해질 수 있다. For example, the positioning groove 21 may be formed at an edge of the first metal layer 20. That is, the positioning groove 21 may be formed in the first circuit pattern 80 to be formed later, preferably at the edge of the first circuit pattern 80. However, the position of the positioning groove 21 can be determined in various ways as needed.

도 3을 참조하면, 상기 제1 금속층(20) 상에 접착층(30)을 형성한 후, 상기 접착층(30) 상에 칩(40)을 부착한다. Referring to FIG. 3, after the adhesive layer 30 is formed on the first metal layer 20, the chip 40 is attached to the adhesive layer 30.

상기 접착층(30)은 상기 칩(40)이 부착되는 위치에 국부적으로 형성된 것으로 도시되었으나, 필요에 따라, 상기 제1 금속층(20)에 전체적으로 도포될 수 있다. Although the adhesive layer 30 is illustrated as being locally formed at the position where the chip 40 is attached, it may be applied to the first metal layer 20 as a whole.

상기 접착층(30)은 접착력을 가진 재질, 예를 들어, 에폭시 수지 또는 페놀 수지로 형성될 수 있다. The adhesive layer 30 may be formed of a material having an adhesive force, for example, an epoxy resin or a phenol resin.

상기 칩(40)은 베어 칩(Bare Chip) 이거나, 상기 베어 칩에 재배선층을 형성한 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package : WLP) 단계의 칩 또는 와이어 본딩(Wire Bonding)에 의해 연결될 수 있는 칩을 모두 포함할 수 있다. The chip 40 may be a bare chip, or a chip in a wafer level package (WLP) step in which a redistribution layer is formed on the bare chip, or a chip that may be connected by wire bonding. It can contain everything.

상기 칩(40)은 상기 칩(40)을 외부 회로나 소자 등과 전기적으로 연결하는 연결단자(41)를 포함할 수 있다. The chip 40 may include a connection terminal 41 that electrically connects the chip 40 to an external circuit or an element.

상기 칩(40)이 부착되는 위치는 상기 위치결정홈(21)에 의해 결정될 수 있다. 상세히 설명하면, 상기 접착층(30)을 상기 위치결정홈(21)을 기준으로, 미리 설계되어 정해진 상기 칩(40)의 부착 위치에 형성하고, 상기 접착층(30) 상에 상기 칩(40)을 부착할 수 있다. The position at which the chip 40 is attached may be determined by the positioning groove 21. In detail, the adhesive layer 30 is formed at the attachment position of the chip 40 that is previously designed and determined based on the positioning groove 21, and the chip 40 is formed on the adhesive layer 30. I can attach it.

도 4를 참조하면, 상기 칩(40)의 연결단자(41)와 상기 제1 금속층(20)을 연결와이어(25)에 의해 연결할 수 있다. Referring to FIG. 4, the connection terminal 41 of the chip 40 and the first metal layer 20 may be connected by a connection wire 25.

상기 연결와이어(25)와 연결되는 상기 제1 금속층(20) 상의 위치는, 상기 위치결정홈(21)에 의해 결정될 수 있다. The position on the first metal layer 20 connected to the connection wire 25 may be determined by the positioning groove 21.

상기 연결와이어(25)와 연결되는 상기 제1 금속층(20) 상의 위치에는 후에 연결회로패턴(85)이 형성된다. 더 자세한 내용은 후술한다. In the position on the first metal layer 20 which is connected to the connection wire 25, a connection circuit pattern 85 is formed later. More details will be described later.

종래에는 칩과 회로패턴을 연결할 때, 상기 칩과 회로패턴 사이의 절연층에 도전비아를 형성하여 연결하였다. In the related art, when a chip and a circuit pattern are connected, a conductive via is formed in the insulating layer between the chip and the circuit pattern.

그런데, 상기한 대로, 상기 칩(40)은 베어 칩(Bare Chip) 이거나, 상기 베어 칩에 재배선층을 형성한 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package : WLP) 단계의 칩 또는 와이어 본딩으로 연결될 수 있는 모든 칩을 포함할 수 있는데, 상기 칩(40)이 베어 칩인 경우, 상기 칩(40)의 연결단자(41) 간의 간격(Pitch)이 좁고(150μm 이하), 상기 연결단자(41)의 너비도 좁아서(100μm 이하), 상기 도전비아를 형성하여 외부 회로나 소자와 연결하기가 어려운 문제가 있다. However, as described above, the chip 40 may be a bare chip or any chip that may be connected by a chip or wire bonding in a wafer level package (WLP) step in which a redistribution layer is formed on the bare chip. When the chip 40 is a bare chip, the pitch between the connection terminals 41 of the chip 40 is narrow (150 μm or less), and the width of the connection terminal 41 is also narrow. (100 μm or less), it is difficult to form the conductive via and connect it with an external circuit or an element.

그래서 종래에는 베어 칩(Bare Chip)에 추가적인 공정을 실시하여, 효율성이 떨어지더라도 상기 베어 칩에 재배선층(Redistribution Layer)을 형성함으로써, 외부 회로나 소자와의 연결을 용이하게 하였다. Therefore, in the related art, an additional process is performed on a bare chip, and a redistribution layer is formed on the bare chip even if efficiency is reduced, thereby facilitating connection to an external circuit or an element.

하지만 본 발명의 실시예에 따른 인쇄회로기판은, 상기 연결와이어(25)에 의 해 상기 칩(40)의 연결단자(41)와 제1 금속층(20)을 연결하므로, 상기 칩(40)이 베어 칩(Bare Chip)인 경우에도 용이하게 공정을 진행할 수 있다. 즉, 상기 칩(40)에 재배선층을 형성하는 추가적인 공정 및 상기 도전비아를 형성하는 공정이 불필요하여, 제조 공정이 간단하고 효율적인 효과가 있다.However, since the printed circuit board according to the embodiment of the present invention connects the connection terminal 41 of the chip 40 and the first metal layer 20 by the connection wire 25, the chip 40 is In the case of a bare chip, the process may be easily performed. That is, the additional process of forming the redistribution layer and the process of forming the conductive via in the chip 40 are unnecessary, so that the manufacturing process is simple and efficient.

상기 연결와이어(25)는 금속, 예를 들어, 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The connection wire 25 may be at least one of a metal, for example, copper (Cu), tin (Sn), aluminum (Al), nickel (Ni), gold (Au), and silver (Ag).

도 5를 참조하면, 상기 제1 금속층(20) 및 상기 칩(40) 상에 반경화 상태(B-stage)의 제1 절연층(50)이 준비되고, 상기 제1 절연층(50) 상에 제2 금속층(60)이 준비된다. Referring to FIG. 5, a first insulating layer 50 in a semi-cured state (B-stage) is prepared on the first metal layer 20 and the chip 40, and on the first insulating layer 50. The second metal layer 60 is prepared.

상기 제1 절연층(50)은, 상기 제1 금속층(20)의 상면 및 상기 칩(40)을 둘러싸며, 상기 칩(40)의 높이에 상응하는 제 1층(51)과, 상기 칩(40)의 상면 및 상기 제1 층(51)을 덮는 제2 층(52)을 포함한다. 또한, 상기 제 1층(51) 및 제 2층(52)은 각각 하나의 층으로 형성되는 것에 한정되지 않고, 각각 여러 개 층으로 형성될 수 있다. The first insulating layer 50 surrounds the upper surface of the first metal layer 20 and the chip 40, and has a first layer 51 corresponding to the height of the chip 40 and the chip ( An upper surface of 40 and a second layer 52 covering the first layer 51. In addition, the first layer 51 and the second layer 52 are not limited to one layer each, but may be formed of several layers each.

상기 제1 절연층(50)은 접착력과 절연성을 가진 재질로 준비될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(50)은 에폭시 수지, 페놀 수지 등의 수지 재질로 형성될 수 있다. 또는, 상기 제1 절연층(50)은 프리프레그(Prepreg), 폴리이미드(Polyimide) 필름, ABF 필름 등으로 형성될 수도 있다. 즉, 상기 제1 절연층(50)의 재질은 필요에 따라 다양하게 선택될 수 있다. The first insulating layer 50 may be prepared of a material having adhesion and insulation. For example, the first insulating layer 50 may be formed of a resin material such as an epoxy resin or a phenol resin. Alternatively, the first insulating layer 50 may be formed of a prepreg, a polyimide film, an ABF film, or the like. That is, the material of the first insulating layer 50 may be variously selected as necessary.

상기 제2 금속층(60)은 금속, 예를 들어, 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The second metal layer 60 may be at least one of a metal, for example, copper (Cu), tin (Sn), aluminum (Al), nickel (Ni), gold (Au), and silver (Ag). .

도 6을 참조하면, 반경화 상태로 준비된 상기 제1 절연층(50) 및 상기 제1 절연층(50) 상에 준비된 제2 금속층(60)을, 상기 제1 금속층(20) 및 상기 칩(40)과, 열 및 압력을 가해 압착한다. 이후, 상기 제1 절연층(50)을 열 및 자외선을 가해 경화시킬 수 있다. Referring to FIG. 6, the first insulating layer 50 prepared in a semi-cured state and the second metal layer 60 prepared on the first insulating layer 50 may be formed on the first metal layer 20 and the chip. 40), and heat and pressure are pressed. Thereafter, the first insulating layer 50 may be cured by applying heat and ultraviolet rays.

상기 제1 절연층(50)은 반경화 상태로 준비되기 때문에, 상기 연결와이어(25)를 손상하지 않고, 상기 압착에 의해, 상기 칩(40) 및 상기 제1 금속층(20) 상에 형성될 수 있다. Since the first insulating layer 50 is prepared in a semi-cured state, the first insulating layer 50 may be formed on the chip 40 and the first metal layer 20 by the crimping without damaging the connection wire 25. Can be.

또한, 상기 연결와이어(25)는 상기 제1 절연층(50)을 관통하여, 상기 칩(40)의 연결단자(41)와 상기 제1 금속층(20)을 연결하게 된다. In addition, the connection wire 25 passes through the first insulating layer 50 to connect the connection terminal 41 of the chip 40 and the first metal layer 20.

도 7을 참조하면, 상기 캐리어(10)를 제거하고, 상기 제1, 제2 금속층(20)(60) 및 제1 절연층(50)을 관통하는 제1 도전비아(70)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7, the carrier 10 may be removed to form a first conductive via 70 penetrating the first and second metal layers 20 and 60 and the first insulating layer 50. have.

상기 제1 도전비아(70)는 상기 인쇄회로기판 상면 및 하면에 형성될 회로패턴이 전기적으로 도통될 필요가 있는 경우 형성될 수 있다. The first conductive via 70 may be formed when the circuit patterns to be formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board need to be electrically connected.

상기 제1 도전비아(70)는 상기 제1, 제2 금속층(20)(60) 및 제1 절연층(50)을 관통하는 비아홀(미도시)을 레이저 드릴링(Laser Drilling) 등을 사용해 형성한 후, 상기 비아홀(미도시)에 도금 공정을 실시하여 형성할 수 있다. The first conductive via 70 is formed by using laser drilling or the like in via holes (not shown) penetrating the first and second metal layers 20 and 60 and the first insulating layer 50. Thereafter, the via hole (not shown) may be formed by performing a plating process.

상기 도금 공정은 무전해도금(Electroless Plating)을 실시하여 씨드층(Seed Layer)를 형성한 후, 전기도금(Electro Plating)을 실시하여 형성될 수 있다.The plating process may be formed by performing electroless plating and forming a seed layer, followed by electroplating.

도 8을 참조하면, 상기 제1, 제2 금속층(20)(60)을 선택적으로 제거하여, 상기 제1 회로패턴(80) 및 제2 회로패턴(81)을 형성한다. 상기 제1 회로패턴(80)은 연결회로패턴(85)을 포함한다. Referring to FIG. 8, the first and second metal layers 20 and 60 are selectively removed to form the first circuit pattern 80 and the second circuit pattern 81. The first circuit pattern 80 includes a connection circuit pattern 85.

상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 연결회로패턴(85)은 상기 제1, 제2 금속층(20)(60)에 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴(미도시)을 마스크로 하여, 상기 제1, 제2 금속층(20)(60)에 에칭을 실시하여 형성할 수 있다. After the photoresist patterns (not shown) are formed on the first and second metal layers 20 and 60, the first and second circuit patterns 80 and 81 and the connection circuit pattern 85 are formed. The first and second metal layers 20 and 60 may be etched using a resist pattern (not shown) as a mask.

이때, 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 연결회로패턴(85)이 형성되는 위치는 상기 위치결정홈(21)을 기준으로 결정될 수 있다. In this case, a position where the first and second circuit patterns 80 and 81 and the connection circuit pattern 85 are formed may be determined based on the positioning groove 21.

상기 연결회로패턴(85)은 상기 연결와이어(25)가 연결되는 위치에 형성되며, 상기 연결와이어(25)에 의해 상기 칩(40)의 연결단자(41)와 전기적으로 연결된다.The connection circuit pattern 85 is formed at a position where the connection wire 25 is connected, and is electrically connected to the connection terminal 41 of the chip 40 by the connection wire 25.

상기와 같이 상기 제1 금속층(20)을 선택적으로 제거하여 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 연결회로패턴(85)을 동시에 형성함으로써, 제조 공정이 간단해지는 효과가 있다. By selectively removing the first metal layer 20 as described above, the first and second circuit patterns 80 and 81 and the connection circuit pattern 85 are simultaneously formed, thereby simplifying the manufacturing process.

도 9를 참조하면, 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 상기 제1 도전비아(70)에 제2 절연층(90)을 형성하고, 상기 제2 절연층(90) 상에 제3 금속층(100)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 9, a second insulating layer 90 is formed on the first and second circuit patterns 80 and 81 and the first conductive via 70, and is formed on the second insulating layer 90. The third metal layer 100 may be formed on the third metal layer 100.

상기 제2 절연층(90)은 상기 제1 절연층(50)과 같은 재질일 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다. Since the second insulating layer 90 may be made of the same material as the first insulating layer 50, a detailed description thereof will be omitted.

상기 제2 절연층(90) 및 제3 금속층(100)은, 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 상에 반경화 상태(B-stage)의 상기 제2 절연층(90)을 준비하고, 상기 제2 절연층(90) 상에 상기 제3 금속층(100)을 준비한 후, 이들을 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81) 및 제1 도전비아(70)에 열과 압력에 의해 압착하여 형성할 수 있다. 이후, 상기 제2 절연층(90)을 경화시킬 수 있다.The second insulating layer 90 and the third metal layer 100 may be in the semi-cured state (B-stage) on the first and second circuit patterns 80 and 81. After preparing the third metal layer 100 on the second insulating layer (90), and the first and second circuit patterns 80 and 81 and the first conductive vias 70 It can be formed by pressing by pressure. Thereafter, the second insulating layer 90 may be cured.

상기 제3 금속층(100)은 상기 제1, 제2 금속층(20)(60)과 같은 재질일 수 있다. The third metal layer 100 may be made of the same material as the first and second metal layers 20 and 60.

도 10을 참조하면, 상기 제3 금속층(100)과 제1, 제2 회로패턴(80)(81)이 전기적으로 연결될 필요가 있는 경우, 제2 도전비아(110)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 10, when the third metal layer 100 and the first and second circuit patterns 80 and 81 need to be electrically connected to each other, a second conductive via 110 may be formed.

상기 제2 도전비아(110)는 상기 제2 절연층(90)에 비아홀(미도시)을 형성하고, 상기 비아홀(미도시)에 도금 공정을 실시하여 형성할 수 있다. The second conductive via 110 may be formed by forming a via hole (not shown) in the second insulating layer 90 and performing a plating process on the via hole (not shown).

도 11을 참조하면, 상기 제3 금속층(100)을 선택적으로 제거하여 제3 회로패턴(120)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 11, a third circuit pattern 120 may be formed by selectively removing the third metal layer 100.

상기 제3 회로패턴(120)을 형성하는 과정은, 상기 제1, 제2 회로패턴(80)(81)을 형성하는 과정과 같을 수 있으므로, 상세한 설명은 생략한다. Since the process of forming the third circuit pattern 120 may be the same as the process of forming the first and second circuit patterns 80 and 81, a detailed description thereof will be omitted.

한편, 상기 제1, 제2, 제3 회로패턴(80)(81)(120)을 형성하고, 상기 제1, 제2, 제3 회로패턴(80)(81)(120) 사이에 제1, 제2 절연층(50)(90)을 형성하는 공정은 상기 인쇄회로기판 상의 회로구현의 필요에 따라 생략 혹은 반복될 수 있으며, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 범위 내에서 변형되어 실시될 수 있다. Meanwhile, the first, second, and third circuit patterns 80, 81, and 120 are formed, and a first is formed between the first, second, and third circuit patterns 80, 81, and 120. The process of forming the second insulating layers 50 and 90 may be omitted or repeated as necessary for the circuit implementation on the printed circuit board, and may be modified and implemented within a range that can be easily implemented by those skilled in the art. have.

이후, 상기 인쇄회로기판의 회로구현의 필요에 따라, 상기 제3 회로패턴(120) 상에 솔더마스크(Solder Mask) 및 솔더볼(Solder Ball) 등을 형성하 여, 다른 회로나 소자, 혹은 기판들과 연결할 수 있다. Subsequently, a solder mask, a solder ball, or the like is formed on the third circuit pattern 120 according to a necessity of implementing a circuit of the printed circuit board, so that other circuits, devices, or substrates are formed. Can be connected with

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described above with reference to the embodiment is only an example and is not intended to limit the invention, those of ordinary skill in the art to which the present invention does not exemplify the above within the scope not departing from the essential characteristics of this embodiment It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 1 내지 도 11은 실시예에 따른 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다. 1 to 11 illustrate a printed circuit board and a method of manufacturing the same according to an embodiment.

Claims (3)

제1 금속층이 형성된 캐리어가 준비되는 단계;Preparing a carrier having a first metal layer formed thereon; 상기 제1 금속층 상에 칩을 부착하는 단계;Attaching a chip on the first metal layer; 상기 칩의 연결단자와 제1 금속층을 연결와이어에 의해 연결하는 단계;Connecting the connection terminal of the chip and the first metal layer with a connection wire; 상기 제1 금속층 및 상기 칩 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계;Forming an insulating layer on the first metal layer and the chip, and forming a second metal layer on the insulating layer; 상기 캐리어를 제거하는 단계; 및Removing the carrier; And 상기 제1 금속층 및 제2 금속층을 선택적으로 제거하여 연결회로패턴을 포함하는 제1 회로패턴 및 제2 회로패턴을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법.Selectively removing the first metal layer and the second metal layer to form a first circuit pattern and a second circuit pattern including a connection circuit pattern. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 금속층 상에 칩을 부착하는 단계 이전에, Prior to attaching the chip on the first metal layer, 상기 제1 금속층을 선택적으로 제거하여 위치결정홈을 형성하는 단계를 포함하고,Selectively removing the first metal layer to form a positioning groove; 상기 연결회로패턴이 형성되는 위치는 상기 위치결정홈을 기준으로 하여 결정되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.Printed circuit board manufacturing method characterized in that the position where the connection circuit pattern is formed on the basis of the positioning groove. 연결회로패턴을 포함하는 제1 회로패턴;A first circuit pattern including a connection circuit pattern; 상기 제1 회로패턴 상에 칩;A chip on the first circuit pattern; 상기 제1 회로패턴에 형성된 위치결정홈;A positioning groove formed in the first circuit pattern; 상기 칩의 연결단자와 상기 연결회로패턴을 연결하는 연결와이어;A connection wire connecting the connection terminal of the chip to the connection circuit pattern; 상기 칩 및 제1 회로패턴 상에 절연층; 및An insulating layer on the chip and the first circuit pattern; And 상기 절연층 상에 제2 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판.Printed circuit board comprising a second circuit pattern on the insulating layer.
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KR100697980B1 (en) * 2005-09-12 2007-03-23 삼성전기주식회사 Manufacturing method of printed circuit board having electronic components within
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