KR20100092586A - Plasma display panel and method for fabricating in thereof - Google Patents

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조원기
송문봉
강남석
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: The plasma display panel and manufacturing method thereof make low the discharge voltage by adding the charge control agent in the discharge space. CONSTITUTION: The first substrate(170) comprises the first dielectric layer(190) formed on a plurality of discharge electrodes, and discharge electrodes and protective films formed on the first dielectric layer. It leaves the partition wall(140) in interval and the second substrate(110) is attached with the first substrate. The second substrate comprises a plurality of address electrodes, and the second dielectric layer(130) and fluorescent material layer. The charge control agent layer for making low the discharge voltage is formed on the protective film.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma display panel and Method for fabricating in thereof}Plasma display panel and method for manufacturing the same

본 발명은 영상 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to a plasma display device.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, the current CRT (Cathode Ray Tube) has a limit to compose a large screen of 40 inches or more, and the LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and projection TV (Television) are used for high definition video. It is rapidly developing for expansion.

상술한 PDP 등의 디스플레이 장치의 최대 특징은 자체 발광형인 CRT와 비교하여 얇은 두께로 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch) 제작이 손쉬울 뿐 아니라 style이나 design 면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다.The maximum feature of the display device such as the PDP can be manufactured in a thin thickness compared to the CRT which is self-luminous, and is easy to manufacture a large flat screen (60 to 80 inches), and clearly distinguished from the conventional CRT in terms of style and design. Becomes

PDP는 어드레스 전극을 구비한 하판과, 서스테인 전극쌍을 구비한 상판과 격벽으로 정의되는 방전 셀을 가지며, 상기 방전 셀 내에는 형광체가 도포되어 화면 을 표시한다.The PDP has a lower plate having an address electrode, a top plate having a sustain electrode pair, and a discharge cell defined by a partition wall, and phosphors are coated on the discharge cell to display a screen.

구체적으로, 상기 상판과 하판 사이의 방전 공간 내에서 방전이 일어나면 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 가시광선이 발생하고, 상기 가시광선에 의하여 화면이 표시된다.Specifically, when discharge occurs in the discharge space between the upper plate and the lower plate, ultraviolet rays generated at this time are incident on the phosphor to generate visible light, and the screen is displayed by the visible light.

본 발명의 목적은, 방전 전압을 낮추어, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a plasma display panel and a method of manufacturing the same, which can reduce the power consumption of the plasma display panel by lowering the discharge voltage and improving the discharge efficiency.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되는 보호막을 구비한 제1 기판과; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 구비한 제2 기판;을 포함하고, 상기 보호막 상에는 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 층이 형성된 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma display panel includes a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, and a protective film formed on the first dielectric layer. A first substrate; And a second substrate bonded to the first substrate with the barrier ribs interposed therebetween, the second substrate having a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer. Control Agent (hereinafter referred to as 'CCA') layer is formed.

이때, 상기 CCA 층은 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성할 수 있다.In this case, the CCA layer may be formed of at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) that have been hydrophobically treated.

즉, 상기 CCA 층은 분산제에 0.01 내지 10wt%의 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나를 분산시키고, 상기 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나가 분산된 유기 용매를 상기 보호 막 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 형성할 수 있다.That is, the CCA layer is dispersed in at least one of 0.01 to 10wt% of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) and titania (TiO 2 ) in the dispersant, the silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 The organic solvent in which at least one of O 3 ) and titania (TiO 2 ) is dispersed may be formed by spraying on the protective layer and then drying.

이때, 상기 CCA 층의 분말 크기는, 0.1 내지 1㎛이 될 수 있고, 상기 보호막 면적의 0.5 내지 25%로 형성할 수 있다.At this time, the powder size of the CCA layer may be 0.1 to 1㎛, it may be formed to 0.5 to 25% of the protective film area.

또한, 상기 보호막은 상기 제1 유전체 층 상에 형성되고, 산화마그네슘(MgO) 박막으로 이루어지는 제1 보호막과; 상기 제1 보호막 상에 형성되고, 단결정형의 MgO 파우더로 이루어지는 제2 보호막;을 포함하고, 상기 CCA 층은, 상기 제2 보호막 상에 형성될 수 있다.In addition, the protective film is formed on the first dielectric layer, and a first protective film made of a magnesium oxide (MgO) thin film; And a second passivation layer formed on the first passivation layer and formed of a single crystalline MgO powder. The CCA layer may be formed on the second passivation layer.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제1 유전체 층 상에 산화마그네슘(이하 "MgO") 박막을 포함한 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 층을 형성하는 단계와; 격벽을 사이에 두고, 복수개의 어드레스 전극이 형성된 제2 기판과 상기 제1 기판을 합착하는 단계;를 포함하여 이루어진다.In addition, the method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes the steps of sequentially forming a plurality of discharge electrodes and a first dielectric layer on a first substrate; Forming a protective film on the first dielectric layer, the protective film including a magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") thin film; Forming a charge control agent (CCA) layer on the passivation layer to lower the discharge voltage; And bonding the first substrate and the second substrate having a plurality of address electrodes formed therebetween.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되는 보호막을 구비한 제1 기판과; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 구비한 제2 기판;을 포함하고, 상기 형광체 층은, 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 분말이 포함된 것을 특징으로 한다.In addition, a plasma display panel according to another exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate including a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, and a protective film formed on the first dielectric layer. and; And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween and having a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer, wherein the phosphor layer includes a charge control agent for lowering a discharge voltage. (Charge Control Agent; 'CCA') characterized in that the powder is included.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 복수개의 방전 전극이 구비된 제1 기판을 형성하는 단계와; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 상기 격벽 내에 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 분말이 포함한 형광체 층이 구비된 제2 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다.In addition, a method of manufacturing a plasma display panel according to another embodiment of the present invention includes the steps of forming a first substrate having a plurality of discharge electrodes; Forming a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween and having a phosphor layer including a charge control agent (CCA) powder therein for lowering a discharge voltage; It is made, including.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법은, 방전 공간에 전하 제어제를 첨가함으로써, 방전 전압을 낮추어 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the plasma display panel and the method of manufacturing the same according to the present invention can reduce the power consumption of the plasma display panel by lowering the discharge voltage by adding a charge control agent to the discharge space, and improving the discharge efficiency. There is.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, in which the above object can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity, and the thickness ratios of the layers in the drawings do not represent actual thickness ratios.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 보호막이 2층 구조를 이룬 것을 특징으로 한다. 이하에서, 전면 기판(170)의 제1 유전체 층(190) 상에 접하여 형성 된 보호막을 제1 보호막(195a)이라 하고, 제1 보호막(195a) 상에 형성되어 방전 공간에 면접한 보호막을 제2 보호막(195b)이라 칭한다.The plasma display panel according to the present invention is characterized in that the protective film has a two-layer structure. Hereinafter, a passivation layer formed on the first dielectric layer 190 of the front substrate 170 may be referred to as a first passivation layer 195a, and a passivation layer formed on the first passivation layer 195a and interviewed with the discharge space may be formed. It is called 2 protective film 195b.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(170) 상에 일 방향으로 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 형성된다.As shown in FIG. 1, the plasma display panel of the present invention is formed of a scan electrode and sustain electrodes 180a and 180b made of indium tin oxide (ITO) in one direction on a front substrate 170 and a conventional metal material. Bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극을 덮으면서 전면 기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)과 보호막이 순차적으로 형성되어 이루어진다.The first dielectric layer 190 and the passivation layer are sequentially formed on the front substrate 170 while covering the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode.

전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다.The front substrate 170 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for the display substrate.

여기서, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO2를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다.Here, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed by a photoetching method by sputtering ITO (Indium-Tin-Oxide) or SnO 2 or a lift-off method by CVD. It is formed by such.

그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 스캔 전극과 서스테인 전극에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.The bus electrodes 180a 'and 180b' include silver (Ag) and the like. In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode and the sustain electrode, and may include a low melting glass and a black pigment.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극이 형성된 전면 기판(170) 상에는, 제1 유전체 층(190)이 형성된다. 여기서, 제1 유전체 층(190)은 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 구체적인 조성은 후술한다.The first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode are formed. Here, the first dielectric layer 190 is made of transparent low melting glass, the specific composition will be described later.

그리고, 제1 유전체 층(190) 상에는 산화 마그네슘 등으로 이루어진 보호막이 형성되어, 방전 시 (+) 이온의 충격으로부터 유전체를 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시키기도 한다.In addition, a protective film made of magnesium oxide or the like is formed on the first dielectric layer 190 to protect the dielectric from the impact of (+) ions during discharge and to increase secondary electron emission.

즉, 본 발명에 따른 보호막은 산화마그네슘(MgO) 박막으로 이루어진 제1 보호막(195a)과, 제1 보호막(195a) 상에 형성되고, 단결정의 MgO 파우더로 이루어진 제2 보호막(195b)으로 구성될 수 있다.That is, the passivation film according to the present invention is formed of a first passivation film 195a made of a magnesium oxide (MgO) thin film and a second passivation film 195b formed of a single crystal MgO powder formed on the first passivation film 195a. Can be.

이때, 제1 보호막(195a) 내에 도펀트가 첨가되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 도펀트의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다.In this case, when the dopant is added to the first passivation layer 195a, the jitter value of the address period is reduced, but when the content of the dopant is greater than a predetermined value, the jitter value may be increased.

따라서, 도펀트는 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 제1 보호막(195a) 내에 20~500 ppm의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.Therefore, the dopant is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the dopant is included in the ratio of 20 to 500 ppm in the first passivation layer 195a at an optimum content. And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

상기 제1 보호막(195a)은 300~700 나노미터(nm)의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 만일 제1 보호막(195a)의 두께가 300 나노미터 이하이면 오방전의 가능성이 있으며, 700 나노미터 이상이면 제조 공정과 비용상의 문제점이 발생할 수 있다.The first passivation layer 195a is preferably formed to a thickness of 300 to 700 nanometers (nm). If the thickness of the first passivation layer 195a is 300 nanometers or less, there is a possibility of misdischarge, and if it is 700 nanometers or more, problems in manufacturing process and cost may occur.

그리고, 제1 보호막(195a) 상에 제2 보호막(195b)이 형성되는데, 제2 보호 막(195a)은 Sc가 도핑된 단결정 형태의 MgO 파우더가 있는 것을 특징으로 한다. 여기서, '크기'는 결정의 형상이 구형이면 지름을 뜻하고, 육면체이면 한 변의 길이를 의미한다.In addition, a second passivation layer 195b is formed on the first passivation layer 195a. The second passivation layer 195a may be formed of a single crystal MgO powder doped with Sc. Here, 'size' means the diameter if the crystal shape is spherical, and the length of one side if the cube.

제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적에 형성될 수 있다.The second passivation layer 195b may be formed only on a part of the surface of the first passivation layer 195a, not the entire surface. That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed in an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

즉, 제2 보호막(195b)은 결과적으로 제1 보호막(195a) 상에 울퉁불퉁하게 불규칙적으로 형성되어, 보호막 전체의 표면적을 증가시켜서 이차 전자 방출을 증가시킬 수 있다.That is, the second passivation layer 195b is consequently formed irregularly on the first passivation layer 195a to increase the surface area of the entire passivation layer, thereby increasing secondary electron emission.

상기와 같이, 제1 보호막(195a)상의 일부분에, 단결정의 MgO 파우더가 일종의 군집 형태로 형성되어 전체적으로 보호막의 표면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형상을 이루게 된다. 따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 가스 방전시에 자외선 이온이 보호막에 충돌하는 표면적이 증가하여 이차전자의 방출량이 증가하고, 방전개시전압을 낮출 수 있으므로, 결과적으로 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다.As described above, the MgO powder of the single crystal is formed in a cluster form on a part of the first passivation film 195a so that the surface of the passivation film as a whole is not flat and has an uneven shape. Therefore, the surface area where ultraviolet ions collide with the protective film during gas discharge of the plasma display panel increases, so that the amount of secondary electrons can be increased and the discharge start voltage can be lowered. As a result, the discharge efficiency is increased and jitter is reduced. .

한편, 제2 보호막(195b) 상에는 본 발명에 따라, 대전성이 큰 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 입자(195C)가 도포된다.On the other hand, according to the present invention, a charge control agent (CCA) particle 195C having high chargeability is coated on the second passivation film 195b.

즉, 상기 제2 보호막(195b) 상에 상기 CCA 입자(195c)를 스프레이 방식으로 산포함으로써, 효율 및 휘도를 감소시키지 않으면서, 방전 공간 내에 방전 전압 저 감 효과를 생성할 수 있다.That is, by spraying the CCA particles 195c onto the second passivation layer 195b in a spray manner, a discharge voltage reduction effect may be generated in a discharge space without reducing efficiency and luminance.

상기와 같은 CCA 입자(195c)는 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성할 수 있다.The CCA particles 195c may be formed of at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) that have been hydrophobically surface-modified.

상기 제2 보호막(195b) 상에 형성되는 CCA 입자(195c)의 세부적인 내용은 추후 상세히 설명한다.Details of the CCA particles 195c formed on the second passivation layer 195b will be described later in detail.

한편, 배면 기판(110)의 일면에는 상기 서스테인 전극쌍과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(120)이 형성되고, 상기 어드레스 전극(120)을 덮으면서 배면 기판(110)의 전면에 백색의 제2 유전체 층(130)이 형성된다.On the other hand, an address electrode 120 is formed on one surface of the rear substrate 110 along a direction crossing the sustain electrode pair, and covers a white second on the front surface of the rear substrate 110 while covering the address electrode 120. Dielectric layer 130 is formed.

제2 유전체 층(130)은 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 도포된 후, 소성 공정을 통하여 완성된다.The second dielectric layer 130 is applied by a printing method or a film laminating method, and then completed through a firing process.

그리고, 제2 유전체 층(130) 위로 각 어드레스 전극(120) 사이에 배치되도록 격벽(140)이 형성된다. 이때, 격벽(140)은 스트라이프형(stripe-type), 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있고, 상기 격벽(140) 내에는 본 발명에 따른 CCA 입자(195c)가 함유될 수 있다.The barrier rib 140 is formed on the second dielectric layer 130 to be disposed between the address electrodes 120. In this case, the partition wall 140 may be stripe-type, well-type, or delta-type, and the partition wall 140 may include CCA particles 195c according to the present invention. May be contained.

그리고, 각각의 격벽(140) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 형성된다. 이때, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에는 본 발명에 따른 CCA 입자(195c)가 함유될 수 있다.In addition, phosphor layers 150a, 150b, and 150c of red (R), green (G), and blue (B) are formed between each partition wall 140. In this case, the phosphor layers 150a, 150b, and 150c may contain CCA particles 195c according to the present invention.

한편, 배면 기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면 기판(110) 상의 서스테인 전극쌍이 교차하는 지점이 각각 방전 셀을 구성하는 부분이 된다.On the other hand, the point where the address electrode 120 on the back substrate 110 and the pair of sustain electrodes on the front substrate 110 cross each other constitutes a discharge cell.

여기서, 현재 방전 공간에 노출된 면은 상기 전면 기판(170)의 보호막(195)과, 상기 격벽(140) 및 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 있다.Here, the surface exposed to the current discharge space includes the passivation layer 195 of the front substrate 170, the partition wall 140, and the phosphor layers 150a, 150b, and 150c.

따라서, 상기 격벽(140)과 형광체 층(150a, 150b, 150c)도 상기 전면 기판(170)의 제2 보호막(195b)에서와 같이, 상술한 CCA 입자(195c)가 함유됨으로써, 방전 전압을 저감시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the partition wall 140 and the phosphor layers 150a, 150b, and 150c also contain the aforementioned CCA particles 195c as in the second passivation layer 195b of the front substrate 170, thereby reducing the discharge voltage. In this way, power consumption of the plasma display panel can be reduced, and discharge efficiency can be improved.

그리고, 상기 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 격벽(140)을 사이에 두고 접합되는데, 기판의 외곽에 구비된 실링재를 통하여 접합된다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded to each other with the partition wall 140 interposed therebetween, and are bonded through a sealing material provided at an outer side of the substrate.

그리고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)은 구동 장치와 연결되어 있다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are connected to the driving device.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a driving device and a connection portion of a plasma display panel according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전체 플라즈마 디스플레이 장치(210)는, 패널(220)과, 상기 패널(220)에 구동 전압을 공급하는 구동 기판(230)과, 상기 패널(220)의 각각의 셀에 대한 전극들과 상기 구동 기판(230)을 연결하는 연성 기판의 일종인 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; 이하, 'TCP')(240)로 이루어진다.As shown in FIG. 2, the entire plasma display device 210 according to the present invention includes a panel 220, a driving substrate 230 supplying a driving voltage to the panel 220, and the panel 220. A tape carrier package (hereinafter referred to as 'TCP') 240 which is a kind of flexible substrate connecting the electrodes for each cell of the driving substrate 230 with each other.

여기서, 패널(220)은 상술한 바와 같이 전면 기판(170)과 배면 기판(110) 및 격벽(140)을 포함하여 이루어진다.As described above, the panel 220 includes the front substrate 170, the rear substrate 110, and the partition wall 140.

그리고, 상기 패널(220)과 상기 TCP(240)의 전기적, 물리적 연결 및 상기 TCP(240)와 구동 기판(230)의 전기적, 물리적 연결은 이방성 전도 필 름(Anisotropic Conductive Film, 이하, 'ACF')을 사용한다.In addition, the electrical and physical connection between the panel 220 and the TCP 240 and the electrical and physical connection between the TCP 240 and the driving substrate 230 are anisotropic conductive film (ACF). ).

ACF는 금(Au)을 코팅한 니켈(Ni)의 볼(ball)을 이용하여 만든 전도성 수지 필름이다.ACF is a conductive resin film made of nickel (Ni) balls coated with gold (Au).

도 3은 본 발명에 따른 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a substrate wiring structure of the tape carrier package according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, TCP(240)는 패널(220)과 구동 기판(230) 사이의 결선을 담당하면서, 구동 드라이버 칩이 탑재되어 있다.As shown in FIG. 3, the TCP 240 is in charge of the connection between the panel 220 and the driving substrate 230, and the driving driver chip is mounted thereon.

TCP(240)는 연성 기판(242) 상에 밀집 배치된 배선(243)과, 상기 배선(243)과 연결되면서 상기 구동 기판(230)으로부터 전력을 제공받아 패널(220)의 특정 전극에 제공하는 구동 드라이버 칩(241)로 이루어져 있다.The TCP 240 is connected to the wiring 243 on the flexible substrate 242 and the wiring 243 and receives power from the driving substrate 230 to provide a specific electrode of the panel 220. The driver chip 241 is formed.

여기서, 구동 드라이버 칩(241)은 저전압과 구동 제어 신호들을 인가 받아 높은 전력의 많은 신호들을 교번하면서 출력하는 구조를 가지므로, 상기 구동 기판(230) 측과 연결되는 배선은 수가 작고, 상기 패널(220)측과 연결되는 배선은 수가 많다.Here, since the driving driver chip 241 has a structure in which a plurality of signals of high power are alternately outputted by receiving low voltage and driving control signals, the number of wirings connected to the driving substrate 230 is small and the panel ( The number of wires connected to the 220 side is large.

따라서, 상기 구동 기판(230)측 공간을 통하여 상기 구동 드라이버 칩(241)의 배선을 연결하는 경우도 있다. 상기 배선(243)은 상기 구동 드라이버 칩(341)의 중심을 경계로 구분되지 않을 수도 있다.Therefore, the wiring of the driving driver chip 241 may be connected through the space on the driving substrate 230 side. The wiring 243 may not be divided by a boundary of the center of the driving driver chip 341.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

본 실시예에서, 패널(220)은 구동 장치와 FPC(Flexible Printed Circuit, 이 하, 'FPC')(250)를 통하여 연결된다.In the present embodiment, the panel 220 is connected to the driving device through a flexible printed circuit (FPC) 250.

여기서, FPC(250)는 polymide를 이용하여 내부에 패턴을 형성한 필름이다. 그리고, 본 실시예에서도 FPC(250)와 패널(220)은 ACF를 통하여 연결된다. 또한, 본 실시예에서 구동 기판(230)은 PCB 회로인 것은 당연하다.Here, the FPC 250 is a film having a pattern formed therein using polymide. In addition, in the present embodiment, the FPC 250 and the panel 220 are connected through the ACF. In addition, in this embodiment, the driving substrate 230 is a natural PCB circuit.

여기서, 구동 장치는 데이타 드라이터와 스캔 드라이버와 서스테인 드라이버 등으로 이루어진다.Here, the driving device includes a data driver, a scan driver, a sustain driver, and the like.

상기 데이타 드라이버는 어드레스 전극에 연결되어 데이터 펄스를 인가한다. 그리고, 스캔 드라이버는 스캔 전극에 연결되어 상승 램프 파형(Ramp-up), 하강 램프 파형(Ramp-down), 스캔 펄스(scan) 및 서스테인 펄스를 공급한다. 또한, 서스테인 드라이버는 공통 서스테인 전극에 서스테인 펄스와 DC 전압을 인가한다.The data driver is connected to an address electrode to apply a data pulse. The scan driver is connected to the scan electrode to supply a rising ramp waveform, a ramping ramp waveform, a scan pulse, and a sustain pulse. The sustain driver also applies a sustain pulse and a DC voltage to the common sustain electrode.

그리고, 플라즈마 디스플레이 패널은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어 구동된다.The plasma display panel is driven by being divided into a reset period, an address period, and a sustain period.

리셋 기간에는 스캔 전극들에 상승 램프 파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 그리고, 어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스(scan)가 스캔 전극들에 순차적으로 인가되며, 동시에 스캔 펄스와 동기되어 어드레스 전극들에 정극성의 데이터펄스가 인가된다. 또한, 서스테인 기간에는 스캔 전극들과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(sus)가 인가된다.In the reset period, a rising ramp waveform Ramp-up is simultaneously applied to the scan electrodes. In the address period, the negative scan pulse scan is sequentially applied to the scan electrodes, and at the same time, the positive data pulse is applied to the address electrodes in synchronization with the scan pulse. In the sustain period, a sustain pulse sus is alternately applied to the scan electrodes and the sustain electrodes.

이하 도면을 참조하여 실시예 별로 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제1 <First 실시예Example >>

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 공정을 나타낸 제1 실시예 단면도이다.5A to 5C are cross-sectional views of a first embodiment showing a process of manufacturing a front substrate of a plasma display panel according to the present invention.

본 발명의 제1 실시예는 상술한 제2 보호막(195b) 상에 CCA 입자(195c)를 도포함으로써, 방전 전압을 저감시켜, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있다.According to the first embodiment of the present invention, by applying the CCA particles 195c on the second passivation layer 195b described above, the discharge voltage can be reduced, thereby reducing the power consumption of the plasma display panel and improving the discharge efficiency. have.

이하, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판(170) 제조 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the front substrate 170 of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5A to 5C.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 전면 기판(170) 상에 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 5A, the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed on the front substrate 170.

여기서, 전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.Here, the front substrate 170 is manufactured by milling and cleaning the glass or soda lime glass for the display substrate.

그리고, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed using photoetching by sputtering indium tin oxide (ITO).

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed of indium tin oxide (ITO) using an ion plating method, a vacuum deposition method, or the like.

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 SnO2를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may form SnO 2 by a lift-off method by CVD.

상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a) 과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 상기 ITO를 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 패터닝된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.When the indium tin oxide (ITO) is formed using the photoetching method, the ITO is deposited on the front substrate 170 when the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b are formed, and the photo is deposited on the deposited ITO. The resist is applied and dried. Thereafter, the patterned photomask is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 SnO2를 리프트 오프법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 전면기판(170) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO2를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.In addition, in the case of forming the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b by using the lift-off method, the photoresist is coated on the front substrate 170, and then, the SnO 2 is formed on the coated photoresist. The photomask on which the pattern is formed is placed and exposed by irradiation with light. After the exposure process, the uncured portion is developed. Thereafter, after the development process, SnO 2 is deposited, and then the photoresist is removed to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b, and may include a low melting glass and a black pigment.

상기 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 버스 전극(180a', 180b')은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 전면 기판(170) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed by using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the front substrate 170 through a screen mask, and then dried and baked. Form.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 전면기판(170) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed by using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the front substrate 170 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the front substrate 170, and the deposited Cr The photoresist is applied and dried on / Cu / Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')은 방전(discharger) 전극들로써, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 ITO 물질을 사용하지 않고, 상기 버스 전극(180a', 180b')만으로 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)의 기능을 일체화한 ITO-less 구조의 방전 전극을 형성할 수도 있다.The scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are discharge electrodes, and the plasma display panel according to the present invention does not use ITO material and the bus electrode 180a does not use an ITO material. Only 180b 'may form an ITO-less structure discharge electrode integrating the functions of the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')이 형성된 전면 기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 5B, a first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

상기 제1 유전체 층(190)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first dielectric layer 190 may be formed by using a screen printing method, a coater method, and a method of laminating the green sheet.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이 제1 유전체 층(190) 상에 보호막을 형성한다.Subsequently, a protective film is formed on the first dielectric layer 190 as shown in FIG. 5C.

여기서, 본 발명에 따른 보호막은 제1 보호막(195a)과 제2 보호막(195b)로 이루어진다.Here, the protective film according to the present invention includes a first protective film 195a and a second protective film 195b.

제1 보호막(195a)은 제1 유전체 층(190) 상에 형성된다. 그리고, 실리콘(Si) 등의 도펀트를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 보호막(195a)은 화학적 기상 증착(CVD)법, 전자빔(E-beam)법, 이온 도금(Ion-plating)법, 졸겔법 및 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있다. The first passivation layer 195a is formed on the first dielectric layer 190. And, a dopant such as silicon (Si) may be included. The first passivation layer 195a may be formed by chemical vapor deposition (CVD), electron beam (E-beam), ion-plating, sol-gel, sputtering, or the like.

이때, 제1 보호막(195a) 내에 실리콘이 도핑되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 실리콘의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다. 따라서, 실리콘은 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 보호막 내에 20 내지 500 ppm(parts per million)의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.At this time, when silicon is doped in the first passivation layer 195a, the jitter value of the address period is reduced. However, when the silicon content is larger than a predetermined value, the jitter value may be increased. Therefore, the silicon is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the silicon is included in the protective film at an optimum content of 20 to 500 parts per million (ppm). And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

그리고, 제1 보호막(195a) 상에는 도시된 바와 같이 제2 보호막(195b)이 형성된다.The second passivation layer 195b is formed on the first passivation layer 195a as shown in the figure.

여기서, 제2 보호막(195b)은 단결정의 MgO 파우더를 포함하여 이루어진다. Here, the second passivation film 195b includes a single crystal MgO powder.

이때, 제2 보호막(195b)은 제1 보호막(195a)의 표면 전체가 아니라, 일 부분에만 형성될 수 있다. 즉, 제2 보호막(195b)은 도시된 바와 같이 불 규칙적인 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 보호막(195a)의 표면 중 0.5 내지 25%의 면적에 형성될 수 있다.In this case, the second passivation layer 195b may be formed only on a part of the surface of the first passivation layer 195a, not the entire surface. That is, the second passivation layer 195b may be formed in an irregular shape as shown, and may be formed in an area of 0.5 to 25% of the surface of the first passivation layer 195a.

한편, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 상기 제2 보호막(195b) 상에는 본 발명에 따라, 대전성이 큰 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 입자(195C)가 도포된다.On the other hand, as shown in Figure 5 (c), on the second protective film 195b according to the present invention, a charge control agent (CCA) particles (95C) having a high chargeability is applied according to the present invention do.

즉, 상기 제2 보호막(195b) 상에 상기 CCA 입자(195c)를 스프레이 방식으로 산포함으로써, 효율 및 휘도를 감소시키지 않으면서, 방전 공간 내에 방전 전압 저감 효과를 생성할 수 있다.That is, by spraying the CCA particles 195c on the second passivation layer 195b in a spray manner, a discharge voltage reduction effect may be generated in a discharge space without reducing efficiency and luminance.

현재, 어드레스 방전이 종료된 후, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)는 서로 다른 극성의 전하[일 예로, 스캔 전극(180a)은 양(+) 전하가 쌓여야 하고, 서스테인 전극(180b)은 음(-) 전하가 쌓여야함]가 쌓여야 서스테인 펄스 인가 시에, 연속적인 방전이 가능하다.Currently, after the address discharge is completed, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b have charges of different polarities (for example, the scan electrode 180a has to accumulate positive charges, and the sustain electrode 180b Negative charges must be accumulated] to allow continuous discharge when sustain pulses are applied.

이때, 벽 전하는 실제 방전이 일어나기 전에 제1 유전체(190)의 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)이 위치하는 영역에 쌓여 있다가 어드레스 전극(120))에 전압이 인가되면, 실제 방전이 일어난다. 즉, 벽 전하는 다음 방전이 일어날 때, 방전 개시 전압 바로 전까지 유지(메모리 효과)하고 있는 것이다.At this time, the wall charge is accumulated in a region where the scan electrodes and the sustain electrodes 180a and 180b of the first dielectric 190 are positioned before the actual discharge occurs, and when a voltage is applied to the address electrode 120, the actual discharge occurs. . In other words, the wall charge is maintained just before the discharge start voltage (memory effect) when the next discharge occurs.

즉, 본 발명은 상기와 같은 벽 전하의 전하를 공급하여 방전 개시 전압을 낮 추기 위한 것으로, CCA 입자(195c)를 방전 공간 내의 제2 보호막(195b) 상에 도포한다.That is, the present invention is to reduce the discharge start voltage by supplying the above charges of the wall charges, and the CCA particles 195c are coated on the second protective film 195b in the discharge space.

상기와 같은, CCA 입자(195c)는 방전 공간 내의 불순 가스를 흡착함으로써, 제2 보호막(195b)의 표면 저항이 증가됨에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.As described above, the CCA particles 195c may adsorb impurity gas in the discharge space, thereby affecting wall charge as the surface resistance of the second passivation layer 195b increases, thereby lowering the discharge start voltage.

또한, CCA 입자(195c)는 방전 공간 내의 제2 보호막(195b)에 전하를 갖도록 하여 전계 인가 효과에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.In addition, the CCA particles 195c may have charges in the second passivation layer 195b in the discharge space, thereby affecting wall charges according to an electric field application effect, thereby lowering the discharge start voltage.

상기와 같은, CCA 입자(195c)는 무기물과 유기물의 합성으로 코어 재료인 무기물을 기반으로 하여 소수성 표면 개질을 통해 유기물을 코어 재료의 표면에 형성시킨 것이다.As described above, the CCA particles 195c form an organic material on the surface of the core material through hydrophobic surface modification based on the inorganic material, which is a core material by synthesizing the inorganic material and the organic material.

상기 코어 재료로는 본 발명에서는 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성할 수 있고, 이 중에서 비 저항이 비교적 큰 silica(SiO2)이 바람직하다.In the present invention, the core material may be formed of at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) that have been hydrophobically surface-modified, among which a specific resistance is relatively high. Large silica (SiO 2 ) is preferred.

상기와 같은 silica(SiO2)은 이하의 과정에 의해 형성될 수 있다.Such silica (SiO 2 ) may be formed by the following process.

즉, 사염화규소인 SiCl4와 2H2 및 O2를 혼합하여 대략 500~1000℃의 열을 가하면, 본 발명에 따른 CCA 입자(195c)인 건식 실리카(Fumed silica)인 SiO2 및 염산인 4HCl이 형성되고, 이로 인해 silica(SiO2)를 획득할 수 있다.That is, when silicon tetrachloride SiCl 4 and 2H 2 and O 2 are mixed and heated at approximately 500 to 1000 ° C., CC 2 particles 195c, fumed silica SiO 2 and hydrochloric acid 4HCl are added. Formed, thereby obtaining silica (SiO 2 ).

또한, 소디엄 워터글라스인 Na2O * 3.3SiO2와 황산인 H2SO4를 혼합하여 휘저으면, 본 발명에 따른 CCA 입자(195c)인 습식 실리카(Precipitated silica)인 SiO2와, 황산 나트륨인 Na2SO4 및 물인 H2O가 형성되고, 이로 인해 silica(SiO2)를 획득할 수 있다.In addition, when the sodium water glass Na 2 O * 3.3SiO 2 and sulfuric acid H 2 SO 4 are mixed and agitated, SiO 2 , which is CCA particles 195c, and silica silica, sodium sulfate Phosphorus Na 2 SO 4 and H 2 O, which is water, are formed, thereby obtaining silica (SiO 2 ).

또한, 상기 silica(SiO2)은 도 8에 제시된 과정에 의해 소수성 표면 개질 처리를 할 수 있다. 이때, 도 8에 제시된 과정에 의해 본 발명에 따른 CCA 입자(195c)의 표면이 소수성 처리되면, 전하를 띄게 된다.In addition, the silica (SiO 2 ) may be subjected to hydrophobic surface modification by the process shown in FIG. 8. At this time, when the surface of the CCA particles 195c according to the present invention is hydrophobicly treated by the process shown in FIG.

상기와 같은, CCA 입자(195c)를 분산제에 0.01 내지 10wt%의 함량으로 첨가하여 분산시키고, 상기 CCA 입자(195c)가 분산된 유기 용매를 상기 제2 보호막(195b) 상에 스프레이 방식으로 산포한다. 상기 분산제는 아크릴(acryl), 에폭시(epoxy), 우레탄(urethane), 아크릴 우레탄(acrylic urethane), 알키드(alkyd), 폴리아미드 폴리머(poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는 이들의 혼합물을 사용한다.As described above, the CCA particles 195c are added to the dispersant in an amount of 0.01 to 10 wt% to disperse, and the organic solvent in which the CCA particles 195c are dispersed is sprayed onto the second passivation layer 195b. . The dispersant may be acrylic, epoxy, urethane, acrylic urethane, alkyd, poly amid polymer, polycarboxylic acid, or mixtures thereof. use.

이후, 대략 100~200℃로 건조시키면, 본 발명에 따른 방전 전압을 낮추기 위한 CCA 입자층(195c)이 형성된다.Then, when dried to approximately 100 ~ 200 ℃, the CCA particle layer (195c) for lowering the discharge voltage according to the present invention is formed.

이때, 상기 CCA 입자(195c)의 분말 크기는 0.1 내지 1㎛이 될 수 있고, 상기 CCA 입자(195c)가 상기 제2 보호막(195b) 면적의 0.5 내지 25%를 차지하도록 산포하여 형성할 수 있다.In this case, the powder size of the CCA particles (195c) may be 0.1 to 1㎛, it may be formed by scattering so that the CCA particles (195c) occupy 0.5 to 25% of the area of the second protective film (195b). .

<제2 <Second 실시예Example >>

도 6a 내지 6f는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.6A through 6F are flowcharts illustrating an embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel according to the present invention.

본 발명의 제2 실시예는 격벽 재료에 본 발명에 따른 CCA 입자(195d)를 혼합하여 격벽(140)을 형성함으로써, 상기 CCA 입자(195d)에 의해 방전 전압을 저감시켜, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the partition wall 140 is formed by mixing the CCA particles 195d according to the present invention with the partition material, thereby reducing the discharge voltage by the CCA particles 195d, thereby reducing the power of the plasma display panel. Consumption can be reduced and discharge efficiency can be improved.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, the address electrode 120 is formed on the rear substrate 110. Here, the back substrate 110 forms a glass for display substrate or soda-lime glass through a process such as milling or cleaning.

상기 어드레스 전극(120)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The address electrode 120 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 어드레스 전극(120)은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the address electrode 120 may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

이때, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 배면 기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.In this case, when the address electrode 120 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the rear substrate 110 through a screen mask, and then dried and baked. do.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 배면 기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the back substrate 110 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the address electrode 120.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 배면 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the rear substrate 110, and the deposited Cr / Cu / The photoresist is applied and dried on Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the address electrode 120.

도 6b를 참조하면, 제2 유전체 층(130)은 저융점 유리와 TiO2 등의 충진재(Filler)를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6B, the second dielectric layer 130 is formed by using any one of a screen printing method, a coater method, and a green sheet method by laminating a filler such as low melting glass and TiO 2 . can do.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 6c 내지 6e에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다.Subsequently, partition walls are formed to distinguish each discharge cell from those shown in Figs. 6C to 6E.

이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽 재료(140a)는 모상 유리와, 필러 및 0.01 내지 10 wt%의 CCA 입자(195d)를 포함하여 이루어진다.At this time, the partition material 140a according to the second embodiment of the present invention comprises a mother glass, a filler, and 0.01 to 10 wt% of CCA particles 195d.

이때, 모상 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다.In this case, the mother glass may include PbO, SiO 2 , B 2 O 3, and Al 2 O 3 , and the filler may include TiO 2 and Al 2 O 3 .

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 CCA 입자(195d)는 방전 공간 내의 불순 가스를 흡착함으로써, 격벽(140)의 표면 저항이 증가됨에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있고, 방전 공간 내의 격벽(140)에 전하를 갖도록 하여 전계 인가 효과에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.In addition, by adsorbing impurity gas in the discharge space, the CCA particles 195d according to the second embodiment of the present invention may affect the wall charge as the surface resistance of the partition wall 140 increases, thereby lowering the discharge start voltage. In addition, the barrier 140 in the discharge space may have a charge, thereby affecting the wall charge according to the electric field application effect, thereby lowering the discharge start voltage.

상기와 같은, CCA 입자(195d)는 무기물과 유기물의 합성으로 코어 재료인 무기물을 기반으로 하여 소수성 표면 개질을 통해 유기물을 코어 재료의 표면에 형성시킨 것이다.As described above, the CCA particles 195d form organic material on the surface of the core material through hydrophobic surface modification based on the inorganic material, which is a core material by synthesizing the inorganic material and the organic material.

상기 코어 재료로는 본 발명에서는 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성할 수 있고, 이 중에서 비 저항이 비교적 큰 silica(SiO2)이 바람직하다.In the present invention, the core material may be formed of at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) that have been hydrophobically surface-modified, among which a specific resistance is relatively high. Large silica (SiO 2 ) is preferred.

상기와 같은, CCA 입자(195d)가 포함된 격벽 재료(140a)에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하여 본 발명에 따른 격벽 제조용 페이스트(140a)를 만든 후, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 격벽 제조용 페이스트(140a)를 상기 제2 유전체 층(130) 상에 도포한 후, 일정 시간 동안 건조시킨다.After the vehicle (including the binder and / or the solvent) is mixed with the partition material 140a including the CCA particles 195d to make the partition 140a for manufacturing the partition wall 140 according to the present invention, as shown in FIG. 6C. Likewise, after the barrier 140a is coated on the second dielectric layer 130, the barrier 140 is dried for a predetermined time.

이후, 상기 도포 및 건조 과정을 반복적으로 수행하여 일정한 두께(예를 들면, 150-200㎛)로 만들고, 상기 격벽 재료(140a)를 패터닝하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽(140)을 형성한다.Thereafter, the coating and drying processes are repeatedly performed to form a constant thickness (for example, 150-200 μm), and the partition material 140a is patterned to form the partition wall 140 according to the second embodiment of the present invention. To form.

이때, 상기 패터닝 공정은 도 9d 및 도 9e에 도시된 바와 같이, 마스크(155)를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다.In this case, as shown in FIGS. 9D and 9E, the patterning process is performed by covering and exposing a mask 155 and then developing.

즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(155)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 상기 격벽(140)을 형성한다. That is, when the mask 155 is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode, only the portion irradiated with light remains after the development and baking process to form the partition wall 140.

또한, 도 6에는 도시되지 않았지만, 상기 격벽 재료(140a) 안에 CCA 입자(195d)를 포함시키지 않고, 격벽(140)을 완성한 후에, 상기 CCA 입자(195d)를 상기 완성된 격벽(140) 상에 스프레이 방식으로 산포하여 형성할 수도 있다.In addition, although not shown in FIG. 6, after the partition wall 140 is completed without including the CCA particles 195d in the partition material 140a, the CCA particles 195d are disposed on the completed partition wall 140. It can also be formed by spraying.

즉, CCA 입자(195d)를 분산제에 0.01 내지 10wt%의 함량으로 첨가하여 분산시키고, 상기 CCA 입자(195c)가 분산된 유기 용매를 상기 완성된 격벽(140)에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 형성할 수도 있다.That is, the CCA particles (195d) are added to the dispersant in an amount of 0.01 to 10 wt% to disperse, and the organic solvent in which the CCA particles (195c) are dispersed is sprayed onto the finished partition wall 140 and dried. It may be formed.

<제3 <Third 실시예Example >>

본 발명의 제3 실시예는 형광체 페이스트에 본 발명에 따른 CCA 입자(195d)를 혼합하여 형광체 층(150)을 형성함으로써, 상기 CCA 입자(195d)에 의해 방전 전압을 저감시켜, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 줄일 수 있고, 방전 효율을 향상시킬 수 있다.In the third embodiment of the present invention, the phosphor layer 150 is formed by mixing the CCA particles 195d according to the present invention to a phosphor paste, thereby reducing the discharge voltage by the CCA particles 195d, The power consumption can be reduced, and the discharge efficiency can be improved.

즉, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 유전체(130)의 영역 중 방전 공간에 접하는 영역과, 상기 격벽(140)의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포하여 형광체 층(150)을 형성한다.That is, as shown in FIG. 6F, phosphors 150a, 150b, and 150c are coated on the side of the partition wall 140 and the region of the second dielectric 130 in contact with the discharge space and the phosphor layer 150. ).

즉, 상기 형광체 층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.That is, the phosphor layer 250 is coated with phosphors of R, G, and B in order according to each discharge cell, and is applied by screen printing or photosensitive paste.

이때, 본 발명에 따른 형광체 층(150)은 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광 물 질과, 0.01 내지 20 wt%의 CCA 입자(195d)를 포함하여 이루어진다.At this time, the phosphor layer 150 according to the present invention comprises each of the red, green and blue fluorescent material, and 0.01 to 20 wt% CCA particles (195d).

상기 적색(R) 형광 물질로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형광 물질로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광 물질로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 를 많이 사용한다.(Y, Gd) BO 3 : Eu 3+ is used as the red (R) fluorescent material, Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ is used as the green (G) fluorescent material, and BaMgAl is used as the blue (B) fluorescent material. 10 O 17 : Uses Eu2 + a lot.

본 발명의 제3 실시예에 따른 CCA 입자(195d)는 방전 공간 내의 불순 가스를 흡착함으로써, 형광체(150)의 표면 저항이 증가 됨에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있고, 방전 공간 내의 형광체(150)에 전하를 갖도록 하여 전계 인가 효과에 따라 벽 전하에 영향을 주어 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.As the CCA particles 195d according to the third embodiment of the present invention adsorb impurity gas in the discharge space, the surface resistance of the phosphor 150 is increased, thereby affecting the wall charge and lowering the discharge start voltage. Since the electric charges are applied to the phosphor 150 in the space, the discharge start voltage can be lowered by affecting the wall charges according to the electric field application effect.

상기와 같은, CCA 입자(195d)는 무기물과 유기물의 합성으로 코어 재료인 무기물을 기반으로 하여 소수성 표면 개질을 통해 유기물을 코어 재료의 표면에 형성시킨 것이다.As described above, the CCA particles 195d form organic material on the surface of the core material through hydrophobic surface modification based on the inorganic material, which is a core material by synthesizing the inorganic material and the organic material.

상기 코어 재료로는 본 발명에서는 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성할 수 있고, 이 중에서 비 저항이 비교적 큰 silica(SiO2)이 바람직하다.In the present invention, the core material may be formed of at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) that have been hydrophobically surface-modified, among which a specific resistance is relatively high. Large silica (SiO 2 ) is preferred.

상기와 같은, CCA 입자(195d)가 포함된 형광체 페이스트에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하고, 상기 형광체 페이스트를 상기 격벽(140) 내의 방전 공간에 도포한 후, 건조 및 소성하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 형광체 층(150)을 형성할 수 있다.A vehicle (including a binder and / or a solvent) is mixed with the phosphor paste containing the CCA particles 195d as described above, the phosphor paste is applied to the discharge space in the partition wall 140, and then dried and fired. The phosphor layer 150 according to the third embodiment of the present invention may be formed.

또한, 도 6에는 도시되지 않았지만, 상기 형광체 페이스트 안에 CCA 입자(195d)를 포함시키지 않고, 상기 형광체 층(150)을 완성한 후에, 상기 CCA 입자(195d)를 상기 완성된 형광체 층(150) 상에 스프레이 방식으로 산포하여 형성할 수도 있다.In addition, although not shown in FIG. 6, after the phosphor layer 150 is completed without including the CCA particles 195d in the phosphor paste, the CCA particles 195d may be placed on the completed phosphor layer 150. It can also be formed by spraying.

즉, CCA 입자(195d)를 분산제에 0.01 내지 10wt%의 함량으로 첨가하여 분산시키고, 상기 CCA 입자(195c)가 분산된 유기 용매를 상기 완성된 형광체 층(150)에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 형성할 수도 있다.That is, the CCA particles (195d) is added to the dispersant in an amount of 0.01 to 10wt% to disperse, and the organic solvent in which the CCA particles (195c) are dispersed is sprayed onto the finished phosphor layer 150 and dried. It may be formed by.

이하, 도 7 및 표 1을 참조하여, 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP의 특성과 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함된 PDP의 특성을 비교한다.Hereinafter, referring to FIG. 7 and Table 1, the characteristics of the PDP containing the CCA particles according to the present invention and the characteristics of the PDP containing the CCA particles according to the present invention are compared.

도 7은 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP와 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함된 PDP의 보호막 및 형광체 층의 대향 전압을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing opposing voltages of the PDP without the CCA particles according to the present invention and the protective layer and the phosphor layer of the PDP containing the CCA particles according to the present invention.

표 1은 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP의 특성과 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함된 PDP의 특성을 나타낸 일 예이다.Table 1 is an example showing the characteristics of the PDP containing the CCA particles according to the present invention and the characteristics of the PDP containing the CCA particles according to the present invention.

IndexIndex CCA 종류CCA Class 효율(@Vs,m)Efficiency (@ Vs, m) 면방전 전압Surface discharge voltage 보호막 대향 전압Shield opposing voltage 형광체 대향 전압Phosphor opposing voltage 1One 첨가안됨Not added 1.6551.655 276.4276.4 199.8199.8 294.6294.6 22 SiO2 SiO 2 1.7791.779 240.6240.6 172.8172.8 283.8283.8 33 Al2O3 Al 2 O 3 1.7651.765 244.6244.6 174.4174.4 278.8278.8

먼저, 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 CCA 입자가 첨가된 PDP의 경우, 종래의 CCA 입자가 첨가되지 않은 PDP보다 보호막 대향 전압 및 형광체 대향 전압이 낮은 것을 나타내고 있다.First, referring to FIG. 7, the PDP to which the CCA particles are added according to the present invention shows that the protective film counter voltage and the phosphor counter voltage are lower than those of the PDP to which the conventional CCA particles are not added.

따라서, 면 방전 전압은 (Vxy + Vzy)/2이므로, 본 발명에 따른 CCA 입자가 첨가된 PDP가 종래의 CCA 입자가 첨가되지 않은 PDP보다 방전 전압이 낮은 것을 알 수 있다.Therefore, since the surface discharge voltage is (Vxy + Vzy) / 2, it can be seen that the PDP to which the CCA particles are added according to the present invention has a lower discharge voltage than the PDP to which the conventional CCA particles are not added.

또한, 표 1을 참조하면, 종래의 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP의 경우, 효율이 '1.655'이고, 면 방전 전압이 '276.4'이고, 보호막 대향 전압이 '199.8'이고, 형광체 대향 전압이 '294.6'이다.In addition, referring to Table 1, in the case of the PDP containing no conventional CCA particles, the efficiency is' 1.655 ', the surface discharge voltage is' 276.4', the protective film opposing voltage is' 199.8 ', and the phosphor opposing voltage is' 294.6 '.

이에 반해, 본 발명에 따른 alumina(Al2O3) CCA 입자가 첨가된 PDP의 경우, 효율이 '1.765'이고, 면 방전 전압이 '244.6'이고, 보호막 대향 전압이 '174.4'이고, 형광체 대향 전압이 '278.8'로써, 종래의 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP 보다, 효율이 상승되고, 면 방전 전압, 보호막 대향 전압 및 형광체 대향 전압이 저감되었음을 알 수 있다.In contrast, in the case of the PDP to which the alumina (Al 2 O 3 ) CCA particles according to the present invention are added, the efficiency is '1.765', the surface discharge voltage is '244.6', the protective film opposing voltage is '174.4', and the phosphor opposing As the voltage is '278.8', it can be seen that the efficiency is increased and the surface discharge voltage, the protective film opposing voltage, and the phosphor opposing voltage are reduced than the PDP in which the conventional CCA particles are not included.

또한, 본 발명에 따른 silica(SiO2) CCA 입자가 첨가된 PDP의 경우, 효율이 '1.779'이고, 면 방전 전압이 '240.6'이고, 보호막 대향 전압이 '172.8'이고, 형광체 대향 전압이 '283.8'로써, 종래의 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP 보다, 효율이 상승되고, 면 방전 전압, 보호막 대향 전압 및 형광체 대향 전압이 저감되었음을 알 수 있다.In the case of the PDP to which silica (SiO 2 ) CCA particles are added, the efficiency is' 1.779 ', the surface discharge voltage is'240.6', the protective film opposing voltage is' 172.8 ', and the phosphor opposing voltage is' As 283.8 ', it turns out that efficiency is raised compared with the PDP which does not contain the conventional CCA particle, and the surface discharge voltage, the protective film opposing voltage, and the phosphor opposing voltage were reduced.

한편, 도 5 및 도 6의 과정에 의해 완성한 전면 기판(170)을 상기 격벽(140)을 사이에 두고 상기 배면 기판(110)과 접합 및 실링하고, 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(140)내의 방전 셀에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스(160)를 주입한 후 봉입하면, 도 1과 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.Meanwhile, the front substrate 170 completed by the processes of FIGS. 5 and 6 is bonded and sealed with the rear substrate 110 with the partition wall 140 interposed therebetween, after exhausting impurities therein, the partition wall When the discharge gas 160 of Xe + Ne or Xe + He or Xe + Ne + He is injected into the discharge cell 140 and then sealed, the plasma display panel of FIG. 1 is completed.

이하에서, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)의 실링 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, the sealing process of the front substrate 170 and the back substrate 110 will be described in detail.

상기 실링 공정은 통상적으로 스크린 인쇄법, 디스펜싱법 등으로 수행된다.The sealing process is usually performed by screen printing, dispensing, or the like.

상기 스크린 인쇄법은 패터닝된 스크린을 소정 간격 유지하여 기판 위에 놓고, 실링재 형성에 필요한 페이스트를 압착, 전사시켜서 원하는 형상의 실링재를 인쇄하는 방법이다. 스크린 인쇄법은 생산 설비가 간단하고, 재료의 이용 효율이 높은 장점이 있다.The screen printing method is a method of printing a sealing material having a desired shape by holding a patterned screen at a predetermined interval, placing the patterned screen on a substrate, and pressing and transferring a paste necessary for forming the sealing material. The screen printing method has advantages of simple production equipment and high use efficiency of materials.

그리고, 상기 디스펜싱법은 스크린 마스크 제작에 사용되는 CAD 배선 데이터를 이용하여, 후막 페이스트를 공기 압력을 이용하여 기판 상에 직접 토출하여 실링재를 형성하는 방법이다. 디스펜싱법은 마스크의 제작비용이 절감되고, 후막의 형상에 큰 자유도를 가질 수 있는 장점이 있다.The dispensing method is a method of forming a sealing material by directly discharging a thick film paste onto a substrate using air pressure using CAD wiring data used for screen mask fabrication. The dispensing method has the advantage of reducing the manufacturing cost of the mask and having a large degree of freedom in the shape of the thick film.

도 9a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.9A is a view illustrating a process of bonding the front substrate and the back substrate of the plasma display panel.

도 9b는 도 9a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 9A.

도시된 바와 같이, 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110) 상에 실링재(600)가 도포된다. 구체적으로, 기판의 최외곽에서 소정 간격을 두고 동시에 인쇄되거나 디스펜싱되어 도포된다.As shown, the sealing material 600 is applied to the front substrate 170 or the rear substrate 110. Specifically, the substrate is printed or dispensed at the same time with a predetermined interval at the outermost side of the substrate and applied.

이어서, 상기 실링재(600)를 소성한다. 상기 소성 과정에서, 실링재(600)에 포함된 유기물이 제거되고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 합착된다.Next, the sealing material 600 is fired. In the firing process, the organic material included in the sealing material 600 is removed, and the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded.

그리고, 이러한 소성 공정에서 실링재(600)의 폭이 넓어지고 높이가 낮아질 수 있다.In this firing process, the width of the sealing material 600 may be widened and the height may be low.

본 실시예에서는 실링재(600)가 인쇄 또는 도포되었으나, 실링 테이프의 형태로 형성되어 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110)에 접착하여 사용할 수도 있다. 그리고, 에이징 공정을 통하여 소정 온도에서 보호막 등의 특성을 향상시킨다.In the present embodiment, the sealing material 600 is printed or coated, but may be formed in the form of a sealing tape and adhered to the front substrate 170 or the rear substrate 110. And the characteristic of a protective film etc. is improved at predetermined temperature through an aging process.

그리고, 전면 기판(170) 상에 전면 필터를 형성할 수 있다.In addition, a front filter may be formed on the front substrate 170.

상기 전면 필터에는 패널에서 외부로 방사되는 전자파(Elctromagnetic Interference;EMI)를 차폐하기 위한 전자파 차폐막이 구비된다. 이러한 전자파 차폐막은 전자파를 차폐하면서도 디스플레이 장치에서 요구되는 가시광 투과율을 확보하기 위하여, 도전성 물질이 특정 형태로 패터닝되기도 한다. The front filter is provided with an electromagnetic shielding film for shielding electromagnetic radiation emitted from the panel to the outside. The electromagnetic shielding film may be patterned in a specific form in order to shield electromagnetic waves while ensuring the visible light transmittance required by the display device.

그리고, 상기 전면 필터에는 근적외선 차폐막, 색보정막 및 반사방지막 등이 형성될 수도 있다.In addition, a near infrared shielding film, a color correction film, an antireflection film, and the like may be formed on the front filter.

이상, 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 예를 들면, 본 기술분야의 당업자에게는 전술한 실시예들을 서로 조합하여 사용하는 것도 매우 용이할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention. For example, it will be very easy for those skilled in the art to use the above-described embodiments in combination with each other.

따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다.Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative.

본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a driving device and a connection portion of a plasma display panel according to the present invention.

도 3은 일반적인 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a substrate wiring structure of a typical tape carrier package.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.5A through 5C are flowcharts illustrating an embodiment of a method of manufacturing a front substrate of a plasma display panel according to the present invention.

도 6a 내지 6f는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 일 실시예 공정 순서도이다.6A through 6F are flowcharts illustrating an embodiment of a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함되지 않은 PDP와 본 발명에 따른 CCA 입자가 포함된 PDP의 보호막 및 형광체 층의 대향 전압을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing opposing voltages of the PDP without the CCA particles according to the present invention and the protective layer and the phosphor layer of the PDP containing the CCA particles according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 CCA 입자의 소수성 표면 개질 과정을 나타낸 설명도이다.8 is an explanatory diagram showing a hydrophobic surface modification process of CCA particles according to the present invention.

도 9a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.9A is a view illustrating a process of bonding the front substrate and the back substrate of the plasma display panel.

도 9b는 도 7a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 7A.

Claims (20)

복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되는 보호막을 구비한 제1 기판; 및A first substrate having a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, and a protective film formed on the first dielectric layer; And 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 구비한 제2 기판;을 포함하고,And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween and having a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer. 상기 보호막 상에는 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 층이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a charge control agent (CCA) layer formed on the passivation layer to lower the discharge voltage. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 CCA 층은, 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA layer is formed of at least one powder of hydrophobically surface modified silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ). 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 CCA 층은, 분산제에 0.01 내지 10wt%의 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나를 분산시키고, 상기 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나가 분산된 유기 용매를 상기 보호막 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA layer is dispersed in at least one of 0.01 to 10wt% of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) and titania (TiO 2 ) in the dispersant, the silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) and an organic solvent in which at least one of titania (TiO 2 ) is dispersed is spray-sprayed on the protective film, and then dried to form a plasma display panel. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 CCA 층의 분말 크기는, 0.1 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The powder size of the CCA layer is a plasma display panel, characterized in that 0.1 to 1㎛. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 CCA 층은, 상기 보호막 면적의 0.5 내지 25%로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA layer is formed by 0.5 to 25% of the area of the protective film plasma display panel. 제1 항에 있어서, 상기 보호막은,The method of claim 1, wherein the protective film, 상기 제1 유전체 층 상에 형성되고, 산화마그네슘(MgO) 박막으로 이루어지는 제1 보호막; 및A first passivation layer formed on the first dielectric layer and formed of a magnesium oxide (MgO) thin film; And 상기 제1 보호막 상에 형성되고, 단결정형의 MgO 파우더로 이루어지는 제2 보호막;을 포함하고,And a second protective film formed on the first protective film and made of a single crystalline MgO powder. 상기 CCA 층은, 상기 제2 보호막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA layer is formed on the second passivation layer. 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a plurality of discharge electrodes and a first dielectric layer on the first substrate; 상기 제1 유전체 층 상에 산화마그네슘(이하 "MgO") 박막을 포함한 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film on the first dielectric layer, the protective film including a magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") thin film; 상기 보호막 상에 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 층을 형성하는 단계; 및Forming a charge control agent (CCA) layer on the passivation layer to lower the discharge voltage; And 격벽을 사이에 두고, 복수개의 어드레스 전극이 형성된 제2 기판과 상기 제1 기판을 합착하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And bonding the first substrate and the second substrate on which a plurality of address electrodes are formed with the partitions interposed therebetween. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 CCA 층은, 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The CCA layer is formed of a hydrophobic surface-modified silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) and titania (TiO 2 ) of at least one powder of the manufacturing method of the plasma display panel. 제8 항에 있어서, 상기 CCA 층 형성 단계는,The method of claim 8, wherein the CCA layer forming step, silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말을 0.01 내지 10wt% 함량으로 분산제에 혼합하여 분산시키는 단계;mixing and dispersing at least one powder of silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) in a dispersant in an amount of 0.01 to 10 wt%; 상기 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나가 혼합된 유기 용매를 상기 보호막 상에 스프레이 방식으로 산포하는 단계; 및Spray-spraying the organic solvent mixed with at least one of the silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ) onto the protective film; And 상기 산포된 유기 용매를 건조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And drying the dispersed organic solvent. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 CCA 층의 분말 크기는, 0.1 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The powder size of the CCA layer, 0.1 to 1㎛ the manufacturing method of the plasma display panel. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 CCA 층은, 상기 보호막 면적의 0.5 내지 25%로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The CCA layer is a plasma display panel manufacturing method, characterized in that formed in 0.5 to 25% of the protective film area. 제7 항에 있어서, 상기 보호막 형성 단계는,The method of claim 7, wherein the protective film forming step, 상기 제1 유전체 층 상에 산화마그네슘(이하 "MgO")을 포함한 제1 보호막을 형성하는 단계; 및Forming a first passivation layer including magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") on the first dielectric layer; And 상기 제1 보호막 상에 단결정형의 MgO 파우더를 포함한 제2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하고,Forming a second protective film including a single crystalline MgO powder on the first protective film; 상기 CCA 층은, 상기 제2 보호막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And the CCA layer is formed on the second passivation film. 복수개의 방전 전극과, 상기 방전 전극들 상에 형성된 제1 유전체 층과, 상 기 제1 유전체 층 상에 형성되는 보호막을 구비한 제1 기판; 및A first substrate having a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer formed on the discharge electrodes, and a protective film formed on the first dielectric layer; And 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 구비한 제2 기판;을 포함하고,And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween and having a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer. 상기 형광체 층은, 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 분말이 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The phosphor layer may include a charge control agent (CCA) powder for lowering a discharge voltage. 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 CCA는, 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA is at least one powder of hydrophobic surface-modified silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 2 ). 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 CCA는, 상기 형광체 층의 형광체 대비 0.01 내지 10wt%로 함유된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The CCA is a plasma display panel, characterized in that contained in 0.01 to 10wt% of the phosphor of the phosphor layer. 제13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 CCA의 분말 크기는, 0.1 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The powder size of the CCA, characterized in that 0.1 to 1㎛ plasma display panel. 복수개의 방전 전극이 구비된 제1 기판을 형성하는 단계; 및Forming a first substrate provided with a plurality of discharge electrodes; And 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 상기 격벽 내에 방전 전압을 낮추기 위한 전하 제어제(Charge Control Agent; 이하 'CCA') 분말이 포함한 형광체 층이 구비된 제2 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Forming a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween and having a phosphor layer including a charge control agent (CCA) powder therein for lowering a discharge voltage; Method of manufacturing a plasma display panel comprising a. 제17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 상기 CCA는, 소수성으로 표면 개질 처리된 silica(SiO2), alumina(Al2O3) 및 titania(TiO2) 중 적어도 하나의 분말인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The CCA is a method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that the hydrophobically surface-modified silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) and titania (TiO 2 ) powder. 제17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 상기 CCA는, 상기 형광체 층의 형광체 대비 0.01 내지 10wt%로 함유된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The CCA is 0.01 to 10wt% of the phosphor layer of the phosphor layer, characterized in that the manufacturing method of the plasma display panel. 제17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 상기 CCA의 분말 크기는, 0.1 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The powder size of the CCA is 0.1 to 1㎛ manufacturing method of the plasma display panel.
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