KR20050007115A - Tft display device - Google Patents

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KR20050007115A
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가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이
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Abstract

PURPOSE: A TFT display device is provided to improve display quality without any visible luminance difference, by restraining line resistances from gate power circuits to gate driving modules and the change of time constants of gate lines per the gate driving module. CONSTITUTION: A TFT display device includes a TFT substrate(10) having a plurality of gate lines(11) formed on an insulating substrate and a plurality of gate line input terminals(11i) formed by drawing each gate line to its peripheral portion. Two or more gate driving modules(22) are connected with the gate line input terminals for controlling voltage supply timing per gate line. A display control substrate(40) supplies gate driving voltages to the gate driving modules. Gate power supply lines(41) are provided in the peripheral parts of the TFT substrate, for supplying the gate driving voltages from the display control substrate to the gate driving modules. The display control substrate includes gate power circuits(212,213) for generating the gate driving voltages and a resistor(70) having a resistance value higher than a line resistance from the gate power supply line to the gate driving module nearest to the display control substrate. The gate driving voltages are supplied to the gate power supply line through the resistor.

Description

티.에프.티. 표시장치{TFT DISPLAY DEVICE}T.F.T. Display device {TFT DISPLAY DEVICE}

본 발명은, TFT(Thin Film Transistor) 표시장치에 관한 것으로, 더 상세하게는, TFT 기판을 사용한 TFT 표시장치에서의 게이트라인의 구동제어에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TFT (Thin Film Transistor) display device, and more particularly, to driving control of a gate line in a TFT display device using a TFT substrate.

액정표시장치는, TFT 기판, 컬러필터기판 사이에 액정을 봉입하여 구성된다. TFT 기판은, 유리 등으로 이루어지는 절연성의 투명기판 상에 다수의 화소전극이 형성되고, 각 화소전극마다 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 한편, 컬러필터기판은, 유리 등으로 이루어지는 절연성의 투명기판 상에 공통전극이 형성되고, 화소전극 및 공통전극 사이의 전계에 의해 액정분자의 배향방향을 제어하여 화상표시를 행하고 있다.The liquid crystal display device is constructed by enclosing a liquid crystal between a TFT substrate and a color filter substrate. In the TFT substrate, a plurality of pixel electrodes are formed on an insulating transparent substrate made of glass or the like, and a thin film transistor TFT is formed for each pixel electrode. On the other hand, in the color filter substrate, a common electrode is formed on an insulating transparent substrate made of glass or the like, and image display is performed by controlling the orientation direction of liquid crystal molecules by an electric field between the pixel electrode and the common electrode.

도 11은, TFT 기판 및 그 제어회로의 개략구성을 나타낸 설명도이다. 도 1에서의 도면부호 10은 TFT 기판, 20은 게이트 제어회로, 30은 소스제어회로이다. TFT 기판(10)에는, 다수의 게이트라인(11)이 평행히 형성됨과 동시에, 이들 게이트라인(11)에 교차시켜 다수의 소스라인(12)이 평행히 형성되고, 또한 게이트라인(11) 및 소스라인(12)의 각 교점에 TFT 13이 형성되어 있다. 이들 TFT 13은, 게이트전극 G 및 소스전극 S가, 게이트라인(11) 및 소스라인(12)에 각각 접속되고, 또한, 드레인전극이 대응하는 화소용량(14)에 접속되어 있다.11 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a TFT substrate and its control circuit. In Fig. 1, reference numeral 10 denotes a TFT substrate, 20 denotes a gate control circuit, and 30 denotes a source control circuit. In the TFT substrate 10, a plurality of gate lines 11 are formed in parallel, and a plurality of source lines 12 are formed in parallel to the gate lines 11, and the gate lines 11 and TFT 13 is formed at each intersection of the source line 12. In these TFTs 13, the gate electrode G and the source electrode S are connected to the gate line 11 and the source line 12, respectively, and the drain electrode is connected to the corresponding pixel capacitor 14.

게이트라인(11)의 전압은, 게이트 제어회로(20)에 의해 제어되고, TFT 13은 게이트라인(11)마다 순서대로 온된다. 소스라인(12)의 전압은, 소스제어회로(30)에 의해 제어되고, 온상태의 TFT 13에 대하여, 휘도에 대응하는 기록데이터를 공급하고 있다. 즉, TFT 13은, 데이터기록이 행해지는 매우 짧은 기간에만 게이트전극 G에 게이트 온전압 Vgh가 인가되고, 온상태가 되지만, 그 이외의 기간은 게이트 오프전압 Vgl이 인가되고, 오프상태로 되어있다. 이 온상태의 기간에, TFT 13을 통해 화소용량(14)이 충방전되고, 소스라인(12)의 전압(기록데이터)이 기록된다.The voltage of the gate line 11 is controlled by the gate control circuit 20, and the TFT 13 is sequentially turned on for each gate line 11. The voltage of the source line 12 is controlled by the source control circuit 30, and supplies the write data corresponding to the luminance to the TFT 13 in the on state. That is, in the TFT 13, the gate-on voltage Vgh is applied to the gate electrode G only in a very short period during which data writing is performed, and the transistor 13 is turned on. In other periods, the gate-off voltage Vgl is applied and turned off. . In this on-state period, the pixel capacitor 14 is charged and discharged through the TFT 13, and the voltage (recording data) of the source line 12 is recorded.

도 12는, 종래의 TFT 기판 및 그 제어회로의 일구성예를 나타낸 도면이다. 도면에서 도면부호 21은 게이트 제어기판, 22는 게이트 구동모듈, 31은 소스제어기판, 32는 소스구동모듈이다.12 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional TFT substrate and its control circuit. In the drawing, reference numeral 21 denotes a gate controller board, 22 a gate driving module, 31 a source control board, and 32 a source driving module.

게이트 제어기판(21) 및 게이트 구동모듈(22)이, 도 11의 게이트 제어회로(20)에 해당한다. 게이트 제어기판(21)은, 프린트기판(210) 상에 타이밍신호 발생기(211), 게이트온 전원회로(212) 및 게이트오프 전원회로(213)가 형성되고, 게이트 구동전압의 인가에 필요한 타이밍신호, 게이트 온전압 Vgh 및 게이트 오프전압 Vgl을 생성하고 있다.The gate control board 21 and the gate drive module 22 correspond to the gate control circuit 20 of FIG. 11. In the gate controller board 21, a timing signal generator 211, a gate-on power supply circuit 212, and a gate-off power supply circuit 213 are formed on the printed circuit board 210, and a timing signal necessary for applying a gate driving voltage. The gate on voltage Vgh and the gate off voltage Vgl are generated.

게이트 구동모듈(22)은, 게이트 드라이버 IC로 이루어지는 게이트 구동회로(24)가 절연성필름(23) 상에 형성된 TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Film)라 부르는 가요성의 박형회로이고, 게이트 제어기판(21)으로부터의 타이밍신호, 게이트 온전압 Vgh 및 게이트 오프전압 Vgl에 근거하여, 각 게이트라인(11)에 게이트 구동전압을 인가하고 있다. 즉, 타이밍신호에 근거하여, 기록대상이 되는 게이트라인(11)에 대하여 게이트 온전압 Vgh를 인가하고, 그 밖의 게이트라인(11)에 대해서는 게이트 오프전압 Vgl을 인가하고 있다.The gate driving module 22 is a flexible thin circuit called TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip On Film) formed on the insulating film 23 by the gate driving circuit 24 formed of the gate driver IC, and the gate The gate driving voltage is applied to each gate line 11 based on the timing signal from the control board 21, the gate on voltage Vgh, and the gate off voltage Vgl. That is, based on the timing signal, the gate on voltage Vgh is applied to the gate line 11 to be recorded, and the gate off voltage Vgl is applied to the other gate lines 11.

마찬가지로 하여, 도면에서의 소스제어기판(31) 및 소스구동모듈(32)이, 도 11의 소스제어회로(30)에 해당한다. 소스제어기판(31)은, 타이밍신호나 기록데이터를 생성하는 회로(도시되지 않음)를 형성한 프린트기판(310)으로 이루어진다. 소스구동모듈(32)은, 소스드라이버 IC로 이루어지는 소스구동회로(34)를 절연성필름(33) 상에 형성한 가요성의 박형회로이고, 소스제어기판(31)으로부터의 타이밍신호 및 기록데이터에 근거하여, 각 소스라인(12)에 기록전압을 인가하고 있다.Similarly, the source control board 31 and the source drive module 32 in the figure correspond to the source control circuit 30 in FIG. The source control board 31 is composed of a printed board 310 having a circuit (not shown) for generating a timing signal or recording data. The source drive module 32 is a flexible thin circuit in which a source drive circuit 34 made of a source driver IC is formed on the insulating film 33 and is based on timing signals and recording data from the source control board 31. Thus, a write voltage is applied to each source line 12.

이 TFT 기판에는, 게이트 제어회로(20)의 일부가, 가요성의 어떤 박형필름으로 이루어지는 게이트 구동모듈(22)로서 구성된다. 마찬가지로, 소스제어회로(30)의 일부가, 가요성의 어떤 박형필름으로 이루어지는 소스구동모듈(32)로서 구성되어 있다. 이 때문에, 해당 TFT 기판을 사용함으로써, 액정표시장치를 소형화할 수 있다는 이점이 있다.In this TFT substrate, part of the gate control circuit 20 is configured as the gate drive module 22 made of some flexible thin film. Similarly, part of the source control circuit 30 is configured as a source drive module 32 made of any flexible thin film. For this reason, there is an advantage that the liquid crystal display device can be miniaturized by using the TFT substrate.

도 13은, 종래의 TFT 기판 및 그 제어회로의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도면에서의 도면부호 40은 표시제어기판, 41 및 42는 TFT 기판 상의 배선이다.13 is a view showing another example of a conventional TFT substrate and its control circuit. Reference numeral 40 in the figure denotes a display control substrate, and 41 and 42 denote wirings on a TFT substrate.

표시제어기판(40)은, 도 12의 게이트 제어기판(21) 및 소스제어기판(31)에 해당하고, 소스구동모듈(32)의 근방에 배치된 프린트기판(400)으로 이루어진다. 즉, 표시제어기판(40)은, 도 12에서는 게이트 제어기판(21) 상에 형성되어 있던 회로(211∼213)를 구비한 소스제어기판(31)이다.The display control board 40 corresponds to the gate control board 21 and the source control board 31 in FIG. 12, and includes a printed board 400 disposed in the vicinity of the source driving module 32. That is, the display control board 40 is a source control board 31 having the circuits 211 to 213 formed on the gate control board 21 in FIG. 12.

타이밍신호, 게이트 온전압 Vgh 및 게이트 오프전압 Vgl은, TFT 기판(10) 상의 배선 41을 통해, 표시제어기판(40)에 가장 가까운 하나의 게이트 구동모듈(22)에 전달되고, 또한 TFT 기판(10) 상의 배선 42를 통해, 게이트 구동모듈(22) 사이에서 순서대로 전달된다. 요컨대, 배선(41, 42)에는, TFT 기판(10) 상에서 각 게이트 구동모듈(22)로 게이트 구동전압을 공급하기 위한 게이트전압 공급선이 포함되어 있다.The timing signal, the gate on voltage Vgh, and the gate off voltage Vgl are transmitted to one gate driving module 22 closest to the display control substrate 40 through the wiring 41 on the TFT substrate 10, and also to the TFT substrate ( 10 is transferred in order between the gate driving modules 22 through the wiring 42 on the wiring 42. In other words, the wirings 41 and 42 include a gate voltage supply line for supplying a gate driving voltage to each gate driving module 22 on the TFT substrate 10.

이 TFT 기판에서는, 게이트 제어기판(21) 및 소스제어기판(31)을 하나의 기판(표시제어기판(40))에 집약하고 있기 때문에, 해당 TFT 기판을 사용함으로써, 액정표시장치를 소형화, 경량화할 수 있다.In this TFT substrate, since the gate control board 21 and the source control substrate 31 are concentrated on one substrate (the display control substrate 40), the liquid crystal display device can be made smaller and lighter by using the TFT substrate. can do.

도 13의 배선 41 및 42에서는, 포토리소그래피기술에 의해 TFT 기판(10) 상에 형성된 도전성박막이 사용된다. 또한, 제조비용을 고려하면, TFT 기판(10)의 화상표시영역에 사용되는 도전층, 예를 들면, 게이트라인(11)과 동일한 재질 및 막두께로 이루어지는 층을 이용하게 된다. 이 때문에, 도 12의 경우에 비해, 게이트전압 공급선에서의 배선저항력이 커져, 게이트 구동모듈(22)마다의 게이트라인(11)에의 인가전압에 변동이 생긴다.In the wirings 41 and 42 of FIG. 13, a conductive thin film formed on the TFT substrate 10 by photolithography technique is used. In addition, in consideration of the manufacturing cost, a conductive layer used in the image display area of the TFT substrate 10, for example, a layer made of the same material and film thickness as the gate line 11 is used. For this reason, compared with the case of FIG. 12, the wiring resistance in a gate voltage supply line becomes large, and the voltage applied to the gate line 11 for every gate drive module 22 arises.

게이트 오프전압 Vgl이 변동하면, 화소용량(14)에 축적되어 있는 전하량에 변동이 없어도, 공통전극에 대한 화소전극의 전위가 변동하여 휘도가 변화되어 버린다. 이 때문에, 게이트 오프전압 Vgl이 게이트 구동모듈(22)마다 다른 경우에는, 화면 내의 휘도가 게이트 구동모듈(22)에 대응하는 영역마다 다르고, 화면이 분할된 것처럼 보이게 되는 블록 얼룩이라 부르는 현상이 생긴다.When the gate-off voltage Vgl fluctuates, even if there is no fluctuation in the amount of charge stored in the pixel capacitor 14, the potential of the pixel electrode relative to the common electrode fluctuates and the luminance changes. For this reason, when the gate-off voltage Vgl differs for each gate driving module 22, a phenomenon called block spots occurs in which the luminance in the screen varies for each region corresponding to the gate driving module 22, and the screen appears to be divided. .

이러한 문제를 해결하기 위한 제안이, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 제안은, 게이트 구동회로(24) 내에 저항소자를 설치하고, 그 저항값을 각 게이트 구동회로(24)마다, 게이트 구동전압을 선형적으로 변화시키도록 조정한다는 것이다.The proposal for solving such a problem is disclosed by patent document 1, for example. The proposal disclosed in Patent Document 1 provides a resistance element in the gate driving circuit 24 and adjusts the resistance value so as to linearly change the gate driving voltage for each gate driving circuit 24.

[특허문헌 1][Patent Document 1]

일본특허공개 2001-228834호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-228834

특허문헌 1에서는, 게이트 구동회로(24) 내의 저항값을 조정함으로써, 게이트 구동전압을 선형적으로 변화시켜, 화면이 분할되게 보인다는 문제를 해결하려고 하고 있다. 이 때문에, 각 게이트 구동모듈(22)이, 각각 다른 저항소자를 내장하고 있을 필요가 있고, 부품을 공통화할 수 없어, 제조비용을 상승시켜 버린다는 문제가 생긴다.In Patent Literature 1, by adjusting the resistance value in the gate driving circuit 24, the gate driving voltage is changed linearly to solve the problem that the screen appears to be divided. For this reason, it is necessary for each gate drive module 22 to have a different resistance element built therein, and components cannot be shared, resulting in an increase in manufacturing cost.

또한, 화면이 분할되게 보이는 원인으로는, 특허문헌 1에서 지적되고 있는 게이트 구동전압이 정적인 변동 이외에, 게이트 구동전압이 동적인 변동과, 요컨대, 전압변동시에서의 과도적인 전압레벨변동도 있다.In addition to the static fluctuations of the gate drive voltage pointed out in Patent Document 1, the reason why the screen is divided may include dynamic fluctuations in the gate drive voltage, that is, transient voltage level fluctuations during voltage fluctuations. .

일반적으로, TFT 13은 소스전극 S 및 게이트전극 G 사이에 결합용량이 존재한다. 이 때문에, 소스라인(12)의 전압이 변동하면, 그 영향을 받아 게이트라인(11)의 전압도 일시적으로 변동한다. 요컨대, 소스구동전압이 변동할때마다, 게이트 오프전압 Vgl이 인가되어 있는 모든 게이트라인(11)의 전압이 일제히변동한다는 동작을 기록주기마다 반복하고 있다.In general, the TFT 13 has a coupling capacitance between the source electrode S and the gate electrode G. For this reason, when the voltage of the source line 12 fluctuates, the voltage of the gate line 11 also changes temporarily under the influence. In short, every time the source driving voltage is changed, the operation of changing the voltages of all the gate lines 11 to which the gate off voltage Vgl is applied at all is repeated every recording period.

이러한 게이트라인의 일시적인 전압변동은, 그 후, 소정의 시정수에 따라 감쇠하고, 원래의 게이트 오프전압 Vgl에 가까워져 간다. 그런데, 각 게이트 구동모듈(22)마다 시정수가 다른 경우에는, 감쇠 중에서의 전압값이 게이트 구동모듈(22) 사이에서 다르고, 블록 얼룩이 생겨 버린다.Such a temporary voltage fluctuation of the gate line is then attenuated in accordance with a predetermined time constant and closer to the original gate off voltage Vgl. By the way, when the time constant differs for each gate drive module 22, the voltage value in attenuation differs between the gate drive modules 22, and block spots will arise.

본 발명은, 상기한 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 균일한 화면표시를 행할 수 있는 TFT 표시장치를 저렴하게 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 게이트 구동전압의 동적인 변동을 억제하고, 블록 얼룩을 억제 또는 방지할 수 있는 TFT 표시장치를 저렴하게 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 표시품질이 높고, 소형화 및 경량화 가능한 TFT 표시장치를 저렴하게 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said situation, and an object of this invention is to provide the TFT display apparatus which can perform uniform screen display at low cost. It is also an object of the present invention to provide a TFT display device which can suppress dynamic fluctuations in the gate driving voltage and can suppress or prevent block irregularities. In addition, an object of the present invention is to provide a TFT display device having a high display quality, which can be miniaturized and reduced in weight.

도 1은 본 발명에 의한 TFT 표시장치의 일례를 나타낸 사시도이고, 액정표시장치의 조립시의 모양이 나타나 있다.Fig. 1 is a perspective view showing an example of a TFT display device according to the present invention, in which a state upon assembly of a liquid crystal display device is shown.

도 2는 TFT 표시장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the TFT display.

도 3은 실시예 1에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, TFT 기판이 그 제어회로와 동시에 나타나 있다.Fig. 3 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the first embodiment, and the TFT substrate is shown simultaneously with the control circuit.

도 4는 도 3의 게이트 구동회로(24)의 회로구성의 일례를 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram showing an example of a circuit configuration of the gate driving circuit 24 of FIG.

도 5는 본 발명의 효과를 확인하기 위한 실험에 사용된 액정표시장치의 표시상태를 나타낸 도면이다.5 is a view showing a display state of a liquid crystal display device used in an experiment for confirming the effect of the present invention.

도 6은 시정수의 차에 의한 게이트 오프전압의 변동의 일례를 나타낸 도면이다.Fig. 6 is a diagram showing an example of the variation of the gate-off voltage due to the difference in time constant.

도 7은 본 발명의 실시예 2에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이다.Fig. 7 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예 3에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이다.Fig. 8 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the third embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 실시예 4에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이다.Fig. 9 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the fourth embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 실시예 5에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이다.Fig. 10 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the fifth embodiment of the present invention.

도 11은 TFT 기판 및 그 제어회로의 개략구성을 나타낸 설명도이다.11 is an explanatory view showing a schematic configuration of a TFT substrate and its control circuit.

도 12는 종래의 TFT 기판 및 그 제어회로의 일구성예를 나타낸 도면이다.12 is a view showing an example of the configuration of a conventional TFT substrate and its control circuit.

도 13은 종래의 TFT 기판 및 그 제어회로의 다른 예를 나타낸 도면이다.13 is a view showing another example of a conventional TFT substrate and its control circuit.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10, 17, 18 : TFT 기판 11 : 게이트라인10, 17, 18: TFT substrate 11: Gate line

11i : 게이트라인 입력단자 12 : 소스라인11i: Gate line input terminal 12: Source line

12i : 소스라인 입력단자 14 : 화소용량12i: Source line input terminal 14: Pixel capacity

16 : 화상표시영역 21 : 게이트 제어기판16: image display area 21: gate control panel

210 : 프린트기판 211 : 타이밍신호 발생기210: printed circuit board 211: timing signal generator

212 : 게이트온 전원회로 213 : 게이트오프 전원회로212: gate-on power supply circuit 213: gate-off power supply circuit

22 : 게이트 구동모듈 23 : 절연성필름22: gate drive module 23: insulating film

24 : 게이트 구동회로 240 : 타이밍 제어회로24: gate driving circuit 240: timing control circuit

40 : 표시제어기판 41∼43 : 박막배선40: display control board 41-43: thin film wiring

50 : 전방면 케이스 70 : 저항소자50: front case 70: resistance element

71 : 용량소자 Vgh : 게이트 온전압71: Capacitive element Vgh: gate on voltage

Vgl : 게이트 오프전압Vgl: Gate Off Voltage

본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 절연성기판 상에 다수의 게이트라인이 형성되고, 각 게이트라인을 주변부에 인출하여 다수의 게이트라인 입력단자를 형성한 TFT 기판과, 복수의 게이트라인 입력단자에 접속되고, 게이트라인마다 전압공급 타이밍을 제어하는 2 이상의 게이트 구동모듈과, 게이트 구동모듈에 대하여 게이트 구동전압을 공급하는 표시제어기판을 구비하여 구성된다. 그리고, 상기 TFT 기판의 주변부에는, 표시제어기판으로부터 게이트 구동모듈로 게이트 구동전압을 전달하는 게이트전원 공급선이 설치된다. 또한, 상기 표시제어기판이, 게이트 구동전압을 생성하는 게이트 전원회로와, 표시제어기판에 가장 가까운 게이트 구동모듈까지의 게이트전원 공급선의 배선저항보다도 높은 저항값으로 이루어지는 저항소자를 갖고, 게이트 구동전압이 상기 저항소자를 통해 게이트전원 공급선에 공급된다.In the TFT display device according to the present invention, a plurality of gate lines are formed on an insulating substrate, and each TFT is connected to a plurality of gate line input terminals and a TFT substrate having a plurality of gate line input terminals formed by drawing each gate line to a periphery thereof. And at least two gate driving modules for controlling the voltage supply timing for each gate line, and a display control substrate for supplying gate driving voltages to the gate driving modules. In the peripheral portion of the TFT substrate, a gate power supply line for transmitting a gate driving voltage from the display control substrate to the gate driving module is provided. The display control board further includes a gate power supply circuit for generating a gate drive voltage and a resistance element having a resistance value higher than the wiring resistance of the gate power supply line to the gate drive module closest to the display control board. This resistance element is supplied to the gate power supply line.

이러한 구성에 의해, 게이트 전원회로에서 각 게이트 구동모듈까지의 배선저항의 변동을 억제하고, 게이트라인의 시정수가 게이트 구동모듈마다 크게 변동하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 게이트 구동모듈과의 게이트 구동전압이 동적인 변동에 의해, 시인가능한 휘도차가 생기는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, TFT의 소스전극 및 게이트전극 사이의 결합용량에 기인하여, 화상패턴 및 교류구동방식에 따라 게이트 구동전압이 일시적으로 변동한 경우에, 해당 변동량의 감쇠시에 게이트 구동모듈마다 게이트 구동전압이 변동하여, 블록 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.By such a configuration, it is possible to suppress fluctuations in the wiring resistance from the gate power supply circuit to each gate drive module, and to suppress a large fluctuation in the time constant of the gate line for each gate drive module. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the visible luminance difference due to the dynamic fluctuation of the gate driving voltage with the gate driving module. For example, when the gate driving voltage is temporarily varied in accordance with the image pattern and the AC driving method due to the coupling capacitance between the source electrode and the gate electrode of the TFT, the gate driving is performed for each gate driving module when the variation is attenuated. Voltage fluctuations can prevent block irregularities from occurring.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 표시제어기판이, 표시제어기판에 가장 가까운 게이트 구동모듈의 입력용량 및 이 게이트 구동모듈까지의 게이트전원 공급선의 배선용량의 합보다도 큰 용량으로 이루어지는 용량소자를 갖고, 이 용량소자가, 상기 저항소자보다도 게이트전원 공급선측에 있어서, 상기 게이트전원 공급선에 대하여 병렬접속된다.In the TFT display device according to the present invention, the display control substrate has a capacity larger than the sum of the input capacitance of the gate driving module closest to the display control substrate and the wiring capacitance of the gate power supply line to the gate driving module. And a capacitor, which is connected in parallel to the gate power supply line on the gate power supply line side rather than the resistance element.

이러한 구성에 의해, 게이트 전원회로로부터 각 게이트 구동모듈까지의 배선용량의 변동 및 각 게이트 구동모듈의 입력용량의 변동을 억제하고, 게이트라인의 시정수가 게이트 구동모듈마다 크게 변동하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 게이트 구동모듈마다의 게이트 구동전압의 동적인 변동에 의해, 시인가능한 휘도차가 생기는 것을 억제할 수 있다.By such a configuration, it is possible to suppress fluctuations in the wiring capacitance from the gate power supply circuit to each gate driving module and fluctuations in the input capacitance of each gate driving module, and to suppress a large fluctuation in the time constant of the gate line for each gate driving module. . Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the visible luminance difference due to the dynamic change in the gate driving voltage for each gate driving module.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 게이트전원 공급선이, TFT 기판 상에 형성된 도전성박막으로 이루어진다. 이러한 구성에 의해, TFT 표시장치를 소형화 혹은 경량화하면서, 게이트 구동모듈마다 게이트라인의 시정수에 큰 차가 생겨, 블록 얼룩으로서 시인되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 즉, 소형화 또는 경량화와, 표시품질을 양립시킬 수 있다.In the TFT display device according to the present invention, the gate power supply line is made of a conductive thin film formed on a TFT substrate. By such a configuration, while the TFT display device is made smaller or lighter, a large difference occurs in the time constant of the gate line for each gate driving module, and it can be suppressed or prevented from being recognized as block spots. In other words, the display quality can be made both compact and lightweight.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 게이트 구동모듈이, 게이트전원 공급선을 통해 직렬접속된다. 게이트 구동모듈을 직렬접속함으로써 TFT 표시장치를 소형 경량화하면서, 게이트 구동모듈마다 게이트라인의 시정수에 큰 차가 생겨 블록 얼룩으로서 시인되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 즉, 소형 경량화와, 표시품질을 양립시킬 수 있다.In the TFT display device according to the present invention, the gate drive module is connected in series via a gate power supply line. By connecting the gate drive modules in series, the TFT display device can be reduced in size and weight, and a large difference in the time constant of the gate lines can be generated for each gate drive module, thereby preventing or preventing the display from being viewed as block spots. That is, it is possible to achieve both small size and light weight and display quality.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 게이트전원 공급선이, 상기 저항소자보다도 게이트 구동모듈측에 있어서 분기되고, 상기한 각 게이트 구동모듈은, 분기 후의 게이트전원 공급선에 각각 접속되고, 서로 병렬접속된다. 이러한 구성에 의해, 게이트 구동모듈이 병렬접속되어 있는 경우이어도, 게이트라인의 시정수가 게이트 구동모듈마다 크게 변동하는 것을 억제할 수 있다.In the TFT display device according to the present invention, the gate power supply line is branched on the gate drive module side rather than the resistor element, and each of the above gate drive modules is connected to the gate power supply line after the branch, respectively, and is parallel to each other. Connected. By such a configuration, even when the gate drive modules are connected in parallel, the time constant of the gate line can be suppressed from fluctuating greatly for each gate drive module.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 저항소자가, TFT를 오프상태로 제어하는 게이트 오프전압을 공급하는 게이트오프 전원회로의 출력단자에 설치된다. 이러한 구성에 의해, 게이트 오프전압이 일시적인 변동에 의한 블록 얼룩의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.Further, the TFT display device according to the present invention is provided at the output terminal of the gate-off power supply circuit, in which the resistance element supplies a gate-off voltage for controlling the TFT in the off state. By such a configuration, it is possible to suppress or prevent the occurrence of block spots due to temporary variation in the gate off voltage.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 게이트 구동모듈이, 게이트 구동회로의 형성된 절연성필름으로 이루어지고, 게이트 구동전압이 게이트전원 공급선을 통해 절연성필름 상의 게이트 구동회로에 공급된다. 이러한 구성에 의해, TFT 표시장치의 소형 경량화와, 표시품질을 양립시킬 수 있다.Further, in the TFT display device according to the present invention, the gate driving module is made of an insulating film formed of a gate driving circuit, and a gate driving voltage is supplied to the gate driving circuit on the insulating film through a gate power supply line. By such a configuration, it is possible to attain both compact size and light weight of the TFT display and display quality.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 절연성필름이, 게이트전원 공급선을 통해 표시제어기판에 직렬접속된다. 이러한 구성에 의해, TFT 표시장치를 소형 경량화하면서, 게이트 구동모듈마다 게이트라인의 시정수에 큰 차가 생겨 블록 얼룩으로서 시인되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In the TFT display device according to the present invention, the insulating film is connected in series to the display control substrate through a gate power supply line. By such a configuration, it is possible to suppress or prevent the TFT display device from being small and lightweight, and having a large difference in the time constant of the gate line for each gate driving module, and being perceived as block spots.

또한, 본 발명에 의한 TFT 표시장치는, 상기 게이트 구동모듈이, TFT 기판 상에 설치된 반도체칩으로 이루어진다. 이러한 구성에 의해, 표시품질을 저하시키지 않고, TFT 표시장치를 더욱 소형화 및 경량화할 수 있다.In the TFT display device according to the present invention, the gate drive module is formed of a semiconductor chip provided on a TFT substrate. This configuration can further reduce the size and weight of the TFT display without degrading the display quality.

[발명의 실시예][Examples of the Invention]

(실시예 1)(Example 1)

도 1은, 본 발명에 의한 TFT 표시장치의 일례를 나타낸 사시도이고, 액정표시장치의 조립시의 모양이 나타나 있다. 도면에서의 도면부호 50은 전방면 케이스, 51은 액정패널, 52는 백라이트, 53은 배면 케이스, 54는 컬러필터기판이다.Fig. 1 is a perspective view showing an example of a TFT display device according to the present invention, in which a state of assembly of a liquid crystal display device is shown. In the drawings, reference numeral 50 denotes a front case, 51 a liquid crystal panel, 52 a backlight, 53 a rear case, and 54 a color filter substrate.

액정패널(51)은, TFT 기판(10)에 대하여, 액정을 봉입하여 컬러필터기판(54)을 부착하고, TFT 기판(10)의 일단변에 동일회로구성으로 이루어지는 2 이상의 게이트 구동모듈(22)을 배열시킴과 동시에, 인접하는 다른 일단변에 2 이상의 소스구동모듈(32)을 배열시켜, 또한, 소스구동모듈(32)에 표시제어기판(40)을 접속하여구성된다.The liquid crystal panel 51 includes two or more gate drive modules 22 formed of the same circuit configuration on one side of the TFT substrate 10 by enclosing liquid crystal to attach the color filter substrate 54 to the TFT substrate 10. ), Two or more source drive modules 32 are arranged on one adjacent side of the other, and the display control board 40 is connected to the source drive module 32.

이 액정패널의 배면에 백라이트를 중첩시켜, 전방면 케이스(50)및 배면 케이스(53)로 이루어지는 케이스 내에 수납함으로써, 액정표시장치를 얻을 수 있다. 이 액정표시장치는, 일반적으로 액정모듈이라 부르고, 또한 여러가지의 주변회로 등을 부착하여 사용된다.The liquid crystal display device can be obtained by superimposing a backlight on the rear surface of the liquid crystal panel and storing it in a case made of the front case 50 and the back case 53. This liquid crystal display device is generally called a liquid crystal module and is used by attaching various peripheral circuits or the like.

도 2는, TFT 표시장치의 단면도이고, 도 1의 액정표시장치를 조립한 상태에서의 소스라인에 평행한 단면이 나타나 있다. 가요성을 갖는 절연성필름으로 이루어지는 소스구동모듈(32)은 케이스 내에서 꺾여 구부러지고, 표시제어기판(40)은, 백라이트(52)의 배면측에 배치되어 있다. 또한, 도시하지 않은 게이트 구동모듈(22)도 마찬가지로 케이스 내에 꺾여 구부러져 있다. 이 때문에, 표시화면의 면적에 비해, 액정표시장치 전체를 소형으로 할 수 있다. 또한, 게이트 제어기판과 소스제어기판을 통합한 표시제어기판(40)을 사용함으로써, 보다 소형화되고, 또한, 경량화되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the TFT display, and a cross section parallel to the source line in the assembled state of the liquid crystal display of FIG. 1 is shown. The source drive module 32 made of an insulating film having flexibility is bent in the case, and the display control substrate 40 is disposed on the back side of the backlight 52. In addition, the gate drive module 22 (not shown) is also bent in the case. For this reason, compared with the area of a display screen, the whole liquid crystal display device can be made small. Further, by using the display control board 40 integrating the gate control board and the source control board, it is further downsized and reduced in weight.

도 3은, 실시예 1에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, TFT 기판이 그 제어회로와 동시에 나타나 있다. 도면에서의 도면부호 16은 TFT 기판의 표시영역, 70은 저항이다. 이 도면을 도 13(종래의 기술)과 비교하면, 표시제어기판(40) 상의 게이트오프 전원회로(213)의 출력단에 저항소자(70)가 설치되는 점에서 다르다.3 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the first embodiment, and the TFT substrate is shown simultaneously with the control circuit. In the figure, reference numeral 16 denotes a display area of the TFT substrate, and 70 denotes a resistor. Compared with FIG. 13 (prior art), the resistor 70 is provided at the output terminal of the gate-off power supply circuit 213 on the display control substrate 40.

표시제어기판(40)에는, 소스제어회로와 동시에, 게이트 제어회로로서의 타이밍신호 발생기(211), 게이트온 전원회로(212) 및 게이트오프 전원회로(213)가 설치된다. 타이밍신호 및 게이트 온전압 Vgh는, 소스. 구동모듈(32)을 구성하는 절연성필름(33) 상의 배선을 통해 TFT 기판(10)에 공급된다. 한편, 게이트 오프전압 Vgl은, 표시제어기판(40) 상의 저항소자(70)를 통해 출력되고, 소스구동모듈(32)을 구성하는 절연성필름(33) 상의 배선을 통해 TFT 기판(10)에 공급된다.At the same time as the source control circuit, the display control substrate 40 is provided with a timing signal generator 211 as a gate control circuit, a gate-on power supply circuit 212 and a gate-off power supply circuit 213. The timing signal and the gate on voltage Vgh are the source. It is supplied to the TFT substrate 10 through the wiring on the insulating film 33 constituting the drive module 32. Meanwhile, the gate off voltage Vgl is output through the resistance element 70 on the display control substrate 40 and supplied to the TFT substrate 10 through the wiring on the insulating film 33 constituting the source driving module 32. do.

이들 신호는, TFT 기판(10) 상에 형성된 박막배선 41 및 42를 통해, 게이트 구동모듈(22)에 입력되고, 게이트 구동모듈(22) 상의 게이트 구동회로(24)에 공급된다. 즉, 게이트 구동모듈(22)은, TFT 기판(10) 상의 박막배선 41, 42를 통해, 표시제어기판(40)에 직렬접속되고, 표시제어기판(40)으로부터의 출력신호는, 박막배선 41을 통해 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)에 전달되고, 또한, 박막배선 42를 통해 인접하는 게이트 구동모듈(22) 사이에서 순서대로 전달된다.These signals are input to the gate driving module 22 through the thin film wirings 41 and 42 formed on the TFT substrate 10 and supplied to the gate driving circuit 24 on the gate driving module 22. That is, the gate drive module 22 is connected in series to the display control substrate 40 through the thin film wirings 41 and 42 on the TFT substrate 10, and the output signal from the display control substrate 40 is thin film wiring 41. It is transmitted to the closest gate driving module 22 through, and also in order between the adjacent gate driving module 22 through the thin film wiring 42.

저항소자(70)의 저항값은, 적어도 표시제어기판(40)에 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)까지의 게이트전원 공급선(박막배선41)의 배선저항보다도 높은 값으로 미리 결정되어 있다. 이때, 상기 배선저항보다도 충분히 높은 값으로 미리 결정되는 것이 보다 바람직하다.The resistance value of the resistance element 70 is previously determined to be higher than at least the wiring resistance of the gate power supply line (thin film wiring 41) to the gate drive module 22 closest to the display control substrate 40. At this time, it is more preferable that the predetermined value is sufficiently higher than the wiring resistance.

표시영역 16을 형성하기 위해서 사용되는 도전층 중에서는, 통상, 게이트라인(11)이 가장 도전율이 높고, 박막배선(41, 42)에 적합하다. 박막배선(41, 42)으로서 게이트라인과 동일한 층을 이용하는 경우, 게이트 구동모듈(22)을 직렬접속함으로써, 게이트라인과 교차시키지 않고, 또한, TFT 기판(10)의 주변부에 넓은 영역을 필요로 하지 않고 배선(41, 42)을 형성할 수 있다.Among the conductive layers used to form the display area 16, the gate line 11 usually has the highest electrical conductivity and is suitable for the thin film wirings 41 and 42. In the case of using the same layer as the gate line as the thin film wirings 41 and 42, by connecting the gate driving modules 22 in series, a large area is required at the periphery of the TFT substrate 10 without intersecting with the gate line. The wirings 41 and 42 can be formed without doing this.

각 게이트 구동모듈(22)은, 각각 복수의 게이트라인(11)이 할당되고, 할당된게이트라인(11)의 전압제어를 행하고 있다. 각 게이트라인(11)은, TFT 기판(10) 상의 게이트 구동모듈(22)측의 주변부(표시영역 16의 외측)에 인출되고, 게이트라인 입력단자(11i)가 형성되어 있다. 이 게이트라인 입력단자(11i)에는, 대응하는 게이트 구동모듈(22)의 출력단자가 접속되어 있다. 이때, 마찬가지로, 소스라인(12)을 TFT 기판(10) 상의 소스구동모듈(32)측의 주변부에 인출한 소스라인 입력단자(12i)에 소스구동모듈(32)의 출력단자가 접속되어 있다.Each gate driving module 22 is assigned with a plurality of gate lines 11, and performs voltage control of the assigned gate lines 11. Each gate line 11 is led to a peripheral portion (outside of the display region 16) on the side of the gate drive module 22 on the TFT substrate 10, and a gate line input terminal 11i is formed. The output line of the corresponding gate drive module 22 is connected to this gate line input terminal 11i. At this time, similarly, the output terminal of the source driving module 32 is connected to the source line input terminal 12i which led the source line 12 to the periphery of the source driving module 32 side on the TFT substrate 10.

도 4는, 도 3의 게이트 구동회로(24)의 회로구성의 일례를 나타낸 블록도이다. 이 게이트 구동회로(24)는, 제어대상으로 하는 각 게이트라인(11)에 대응한 타이밍 제어회로(240)로 이루어지고, 타이밍신호, 게이트 온전압 Vgh 및 게이트 오프전압 Vgl이, 각 타이밍 제어회로(240)에 입력되어 있다. 이들 타이밍 제어회로(240)는, 타이밍신호에 근거하여, 게이트 온전압 Vgh 또는 게이트 오프전압 Vgl 중 어느 하나를 선택적으로 게이트라인 입력단자(11i)로 출력하고 있다.4 is a block diagram showing an example of a circuit configuration of the gate driving circuit 24 of FIG. The gate driving circuit 24 is composed of a timing control circuit 240 corresponding to each gate line 11 to be controlled, and the timing signal, the gate on voltage Vgh, and the gate off voltage Vgl are each timing control circuit. It is input at 240. The timing control circuit 240 selectively outputs either the gate on voltage Vgh or the gate off voltage Vgl to the gate line input terminal 11i based on the timing signal.

도 5 및 도 6은, 본 발명의 효과를 확인하기 위해 행한 실험에 대하여 설명한 도면이다. 도 5에는, 실험에 사용된 액정표시장치의 표시상태가 나타나 있고, 도 6에는, 시정수의 차에 의한 게이트 오프전압의 변동의 일례가 나타나 있다.5 and 6 are diagrams illustrating experiments performed to confirm the effects of the present invention. 5 shows a display state of the liquid crystal display device used for the experiment, and FIG. 6 shows an example of the variation of the gate-off voltage due to the time constant difference.

이 실험에 사용된 액정표시장치는, 종방향으로는 동일색으로 이루어지는 다수의 화소가 배치됨과 동시에, 횡방향으로는 RGB의 순서대로 색깔이 다른 다수의 화소가 배치되고, RGB 종스트라이프를 구성하고 있다.In the liquid crystal display device used in this experiment, a plurality of pixels of the same color are arranged in the longitudinal direction, and a plurality of pixels of different colors are arranged in the order of RGB in the horizontal direction, and an RGB longitudinal stripe is formed. have.

또한, 화소단위로 교류구동되어 있다. 즉, 임의의 화소로의 기록전압(소스구동전압)에 대하여, 해당 화소의 상하좌우에 인접하는 각 화소로의 기록전압의 극성을 반전시켜 구동하고, 또한 각 화소로의 기록전압의 극성을 프레임마다 반전시키고 있다. 이러한 액정표시장치의 각 종스트라이프를 1열 두고 검은색 표시로 하고, 나머지의 종스트라이프를 소정의 중간조가 되도록 점등시켜, 각 게이트 구동모듈(22)에서의 게이트 오프전압 Vgl의 입력전압값을 계측하였다.In addition, AC driving is performed on a pixel basis. That is, with respect to the write voltage (source driving voltage) to any pixel, the polarity of the write voltage to each pixel adjacent to the top, bottom, left, and right of the pixel is inverted and driven, and the polarity of the write voltage to each pixel is framed. I reverse it every time. Each longitudinal stripe of such a liquid crystal display device is displayed in black, and the remaining longitudinal stripes are turned on to have a predetermined halftone, and the input voltage value of the gate-off voltage Vgl in each gate driving module 22 is measured. It was.

도 6은, 저항소자(70)를 설치하지 않은 경우의 게이트 오프전압 Vgl의 측정값을 나타낸 도면이다. 도면에서의 도면부호 60은 박막배선 41을 경유한 후의 게이트오프 전원회로(213)에 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)로의 입력전압값, 61은 박막배선 42를 경유한 후의 다음 게이트 구동모듈(22)로의 입력전압값, 62는 하나 바로 앞의 게이트 구동모듈(22)로부터 출력되어 박막배선 42를 경유한 후의 가장 먼 게이트 구동모듈(22)로의 입력전압값이다.FIG. 6 is a diagram showing measured values of the gate-off voltage Vgl when no resistance element 70 is provided. In the drawing, reference numeral 60 denotes an input voltage value to the gate driving module 22 closest to the gate-off power supply circuit 213 after passing through the thin film wiring 41, and 61 denotes a next gate driving module 22 after passing through the thin film wiring 42. The input voltage value 62) is the output voltage value from the gate drive module 22 immediately before one, and the input voltage value to the farthest gate drive module 22 after passing through the thin film wiring 42.

이 도면에서는, 원래 일정해야 할 게이트 오프전압 Vgl이 기록주기마다 일시적으로 변동하고, 그 후, 시정수에 따라 해당 변동분이 감쇠하고 있는 모양이 나타나 있다. 그 때, 게이트오프 전원회로(213)에 가까워질 수록 시정수가 작기 때문에 빠르게 감쇠하고, 감쇠 중의 게이트 오프전압값 Vgl에 게이트 구동모듈(22)마다의 변동이 출력되어 블록 얼룩이 된다. 특히, 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)과, 그 밖의 게이트 구동모듈(22)과의 차가 현저하다.In this figure, the gate-off voltage Vgl, which should be constant, changes temporarily every recording period, after which the variation is attenuated according to the time constant. At this time, the closer the gate-off power supply circuit 213 is, the shorter the time constant is. Therefore, the attenuation is rapidly attenuated. A variation in each gate driving module 22 is output to the gate-off voltage value Vgl during attenuation, resulting in block spots. In particular, the difference between the closest gate drive module 22 and the other gate drive module 22 is remarkable.

이들 측정값의 변동은, 저항소자(70)를 100Ω으로 한 경우에는 현저히 개선되고 저항소자를 300Ω으로 하면 거의 소멸된다. 또한, 200Ω으로 하면, 화면 상에서 블록 얼룩은 시인할 수 없게 되었다. 이 때문에 표시제어기판(40)으로부터 각 게이트 구동모듈(22)까지의 시정수의 비가 큰 경우에 블록 얼룩이 발생하고, 이때정수의 비를 감소함으로써 블록 얼룩의 발생을 억제할 수 있다고 생각된다.The variation in these measured values is remarkably improved when the resistance element 70 is set to 100 Ω, and almost disappears when the resistance element is set to 300 Ω. In addition, when it is set to 200 Ω, block spots on the screen cannot be visually recognized. For this reason, block spots occur when the ratio of time constants from the display control substrate 40 to each gate drive module 22 is large, and it is considered that generation of block spots can be suppressed by reducing the ratio of constants at this time.

표시제어기판(40)으로부터 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)까지, 혹은, 게이트 구동모듈(22) 사이에서의 배선저항은 10∼50Ω 정도이고, 저항소자(70)의 저항값을 이들 값보다 큰 100Ω 이상으로 함으로써 현저한 효과를 얻을 수 있었다. 특히, 200Ω 이상으로 함으로써 시인가능한 블록 얼룩을 소실시킬 수 있었다. 요컨대, 저항소자(70)의 저항값을, TFT 기판(10) 상에 형성된 게이트 오프전압 Vgl용의 박막배선 41의 저항값보다도 큰 값, 바람직하게는, 충분히 큰 값으로 함으로써, 블록 얼룩이 현저히 개선되는 것을 안다.The wiring resistance from the display control substrate 40 to the closest gate driving module 22 or between the gate driving modules 22 is about 10 to 50?, And the resistance value of the resistance element 70 is larger than these values. By setting it as 100 ohms or more, the remarkable effect was acquired. In particular, by setting it as 200 ohms or more, the visible block stain was able to be lost. In other words, block unevenness is remarkably improved by setting the resistance value of the resistance element 70 to a value larger than the resistance value of the thin film wiring 41 for the gate-off voltage Vgl formed on the TFT substrate 10, preferably to a sufficiently large value. I know it becomes

본 발명의 실시예에 의하면, 표시제어기판(40) 상에 박막배선 41의 배선저항 이상의 저항소자(70)를 설치하고, 게이트오프 전원회로(213)로부터의 게이트 오프전압 Vgl을 저항소자를 통해 TFT 기판(10)에 공급하고 있다. 이 때문에, 게이트 구동모듈(22)마다의 게이트 오프전압 Vgl이 변동하는 것에 의한 블록 얼룩이 발생하는 것을 억제하고, 혹은, 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the resistance element 70 of the wiring resistance of the thin film wiring 41 or more is provided on the display control substrate 40, and the gate-off voltage Vgl from the gate-off power supply circuit 213 is provided through the resistance element. The TFT substrate 10 is supplied. For this reason, generation | occurrence | production of the block spot by the fluctuation | variation in the gate-off voltage Vgl for every gate drive module 22 can be suppressed or prevented.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 1에서는, 저항소자를 표시제어기판(40) 상에 설치하고, 게이트오프 전원회로(213)의 출력단자에 접속하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 본 실시예에서는, 저항소자 및 용량소자(콘덴서)를 표시제어기판(40) 상에 설치하는 경우에 대하여 설명한다.In the first embodiment, an example in which a resistor is provided on the display control substrate 40 and connected to the output terminal of the gate-off power supply circuit 213 has been described. In this embodiment, the resistor and the capacitor are the same. The case where (capacitor) is provided on the display control board 40 will be described.

도 7은, 본 발명의 실시예 2에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, 액정표시장치의 TFT 기판 및 그 제어회로가 나타나 있다. 도면에서의 도면부호 70은 저항소자, 71은 용량소자이다.Fig. 7 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the second embodiment of the present invention, and the TFT substrate of the liquid crystal display device and its control circuit are shown. In the figure, reference numeral 70 denotes a resistance element, 71 denotes a capacitor element.

이 표시제어기판(40)에는, 저항소자(70) 및 용량소자(71)가 설치되고, 게이트오프 전원회로(213)의 출력단자에 접속되어 있다. 저항소자(70)는, 게이트 구동모듈(22)에 대하여 직렬로 접속되고, 용량소자(71)는 게이트 구동모듈(22)에 대하여 병렬로 접속되어 있다. 또한, 저항소자(70)는, 용량소자(71)보다도 게이트오프 전원회로(213)측에 접속되어 있다.The display control substrate 40 is provided with a resistance element 70 and a capacitor 71 and is connected to the output terminal of the gate-off power supply circuit 213. The resistance element 70 is connected in series with the gate drive module 22, and the capacitor 71 is connected in parallel with the gate drive module 22. In addition, the resistance element 70 is connected to the gate-off power supply circuit 213 side rather than the capacitor element 71.

또한, 용량소자(71)는, 표시제어기판(40)에 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)의 입력용량 및 해당 게이트 구동모듈(22)까지의 게이트전원 공급선(박막배선 41)의 배선용량의 합보다도 큰 용량으로 이루어진다. 보다 바람직하게는, 상기 용량의 합보다도 충분히 큰 용량으로 이루어진다.In addition, the capacitor 71 is the sum of the input capacitance of the gate driving module 22 closest to the display control substrate 40 and the wiring capacitance of the gate power supply line (thin film wiring 41) to the gate driving module 22. It is made of larger capacity. More preferably, it consists of a capacity | capacitance which is sufficiently larger than the sum of the said capacity | capacitances.

이 때문에, 게이트 오프전압 Vgl이 변동한 경우, 그 후의 감쇠시에서의 게이트 구동모듈(22)마다의 시정수의 비를 더 감소시킬 수 있다. 따라서, 게이트 오프전압 Vgl이 게이트 구동모듈(22)마다 동적으로 변동하는 것을 억제하여, 블록 얼룩을 보다 효과적으로 억제하고, 혹은, 방지할 수 있다.For this reason, when the gate-off voltage Vgl fluctuates, the ratio of the time constant for each gate drive module 22 in the subsequent attenuation can be further reduced. Therefore, it is possible to suppress the gate off voltage Vgl from dynamically varying for each gate driving module 22, thereby more effectively suppressing or preventing block spots.

(실시예 3)(Example 3)

상기 실시예 1에서는, 표시제어기판(40) 상에 저항소자(70)를 설치한 경우에 대하여 설명하였다. 또한, 실시예 2에서는, 저항소자(70) 및 용량소자(71)를 설치한 경우에 대하여 설명하였다. 이것에 비해, 본 실시예에서는 용량소자만을 설치하는 경우에 대하여 설명한다.In the first embodiment, the case where the resistance element 70 is provided on the display control substrate 40 has been described. In addition, in Example 2, the case where the resistance element 70 and the capacitance element 71 were provided was demonstrated. In contrast, in the present embodiment, a case where only the capacitor element is provided will be described.

도 8은, 본 발명의 실시예 3에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, 액정표시장치의 TFT 기판 및 그 제어회로가 나타나 있다. 이 표시제어기판(40)에는, 용량소자(71)가 설치되고, 게이트오프 전원회로(213)의 출력단자에 접속되어 있다. 용량소자(71)는 게이트 구동모듈(22)에 대하여 병렬로 접속되어 있다.Fig. 8 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the third embodiment of the present invention, and the TFT substrate of the liquid crystal display device and its control circuit are shown. The display control substrate 40 is provided with a capacitor 71 and is connected to the output terminal of the gate-off power supply circuit 213. The capacitor 71 is connected in parallel with the gate drive module 22.

또한, 용량소자(71)는, 표시제어기판에 가장 가까운 게이트 구동모듈(22)의 입력용량 및 해당 게이트 구동모듈(22)까지의 게이트전원 공급선(박막배선41)의 배선용량의 합보다도 큰 용량으로 이루어진다 보다 바람직하게는, 상기 용량의, 합보다도 충분히 큰 용량으로 이루어진다.In addition, the capacitor 71 has a capacity larger than the sum of the input capacitance of the gate driving module 22 closest to the display control substrate and the wiring capacitance of the gate power supply line (thin film wiring 41) to the gate driving module 22. More preferably, it consists of a capacity | capacitance large enough than the sum of the said capacity | capacitances.

게이트오프 전원회로(213) 내에는 출력저항이 존재하기 때문에, 그 출력단자에 용량소자(71)를 접속함으로써, 게이트 오프전압 Vgl의 변동 후의 감쇠시에서의 게이트 구동모듈(22)마다의 시정수의 비를 감소시킬 수 있고, 블록 얼룩을 억제할 수 있다.Since there is an output resistance in the gate-off power supply circuit 213, by connecting the capacitor 71 to the output terminal thereof, the time constant for each gate driving module 22 at the time of attenuation after the variation of the gate-off voltage Vgl is attenuated. It is possible to reduce the ratio of and suppress block staining.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 1∼3에서는, 절연성필름(23) 및 게이트 구동회로(24)로 이루어지는 TCP 또는 COF의 게이트 구동모듈(22)이 사용되는 경우의 예에 대하여 설명하였다. 이것에 비해, 본 실시예에서는, TFT 기판 상에 게이트 구동회로로 이루어지는 반도체칩이 마운트되고, 이 반도체칩이 게이트 구동모듈로서 사용되는 경우의 예에 대하여 설명한다.In Examples 1 to 3, an example of the case where the TCP or COF gate driving module 22 composed of the insulating film 23 and the gate driving circuit 24 is used is described. In contrast, in the present embodiment, an example is described in which a semiconductor chip made of a gate driving circuit is mounted on a TFT substrate, and the semiconductor chip is used as a gate driving module.

도 9는, 본 발명의 실시예 4에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, 액정표시장치의 TFT 기판 및 그 제어회로가 나타나 있다. 도 3의경우와 비교하면, TFT 기판 17의 구성이 다르다.Fig. 9 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the fourth embodiment of the present invention, and the TFT substrate of the liquid crystal display device and its control circuit are shown. In comparison with the case of FIG. 3, the configuration of the TFT substrate 17 is different.

TFT 기판 17은, 게이트 구동회로 및 소스구동회로가 패키지화되어 있지 않은 반도체칩(25, 35)으로서, 유리기판 상의 표시영역(16) 이외의 주변부에 설치되어 있고, 이러한 구성은 COG(Chip On Glass)라 부르고 있다. 예를 들면, 유리기판의 표면에 점착성의 ACF(Anisotropy Conductive Film:이방도전성필름)을 부착하고, 저면에 금범프가 형성된 칩을 부착함으로써, TFT 기판 17 상에 반도체칩을 기계적으로 부착함과 동시에, 박막배선(41, 42), 게이트라인 입력단자(11i), 소스라인입력단자(12i)에 전기적으로 접속할 수 있다.The TFT substrate 17 is a semiconductor chip 25, 35 in which a gate driving circuit and a source driving circuit are not packaged. The TFT substrate 17 is provided at a peripheral portion other than the display region 16 on the glass substrate. Is called). For example, by attaching an adhesive ACF (Anisotropy Conductive Film) on the surface of the glass substrate and attaching a chip with gold bumps formed on the bottom thereof, the semiconductor chip is mechanically attached onto the TFT substrate 17 and at the same time. And the thin film wirings 41 and 42, the gate line input terminal 11i, and the source line input terminal 12i.

요컨대, 반도체칩(25)은, TFT 기판(10) 상에 형성된 집적회로로 이루어지는 게이트 구동모듈이고, TCP로 이루어지는 게이트 구동모듈을 사용하는 경우에 비해, TFT 표시장치를 더욱 소형화 및 경량화할 수 있다.In other words, the semiconductor chip 25 is a gate drive module made of an integrated circuit formed on the TFT substrate 10, and the TFT display device can be further miniaturized and reduced in weight as compared with the case of using the gate drive module made of TCP. .

반도체칩(25)에는, TFT 기판 17 상의 박막배선 41, 42를 통해 게이트 구동전압이 공급되기 때문에, 각 게이트라인의 시정수는, 반도체칩(25)마다 다르고, 실시예 1∼3과 같이 블록 얼룩이 발생한다는 문제가 생긴다. 따라서, 표시제어기판(40) 상에 저항소자(70)를 설치하고, 혹은, 도시하지 않은 용량소자(71)를 설치함으로써, 블록 얼룩을 억제할 수 있다.Since the gate driving voltage is supplied to the semiconductor chip 25 through the thin film wirings 41 and 42 on the TFT substrate 17, the time constant of each gate line is different for each semiconductor chip 25, and blocks are obtained as in the first to third embodiments. The problem is that staining occurs. Therefore, by providing the resistance element 70 on the display control substrate 40 or by providing the capacitor element 71 (not shown), block spots can be suppressed.

본 실시예에 의하면, 유리기판 상에 게이트 구동회로로서의 반도체칩(25)을 직접부착한 COG의 TFT 기판 17인 경우에도, 실시예 1∼3의 경우와 마찬가지로 하여, 블록 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.According to the present embodiment, even in the case of the TFT substrate 17 of the COG in which the semiconductor chip 25 as the gate driving circuit is directly attached on the glass substrate, the occurrence of block spots can be suppressed in the same manner as in the first to third embodiments. Can be.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 1∼4에서는, 각 게이트 구동모듈(22 , 25)이 표시제어기판(40)에 직렬접속되는 경우의 예에 대하여 설명하였다. 이것에 비해, 본 실시예에서는, 게이트 구동모듈이 서로 병렬접속되는 경우에 대하여 설명한다.In Examples 1 to 4, examples of the case where the gate drive modules 22 and 25 are connected in series to the display control substrate 40 have been described. In contrast, in the present embodiment, a case where the gate drive modules are connected in parallel with each other will be described.

도 10은, 본 발명의 실시예 5에 의한 TFT 표시장치의 주요부의 일구성예를 나타낸 도면이고, 액정표시장치의 TFT 기판 및 그 제어회로가 나타나 있다. 도 9의 경우와 비교하면, TFT 기판 18 상에서의 반도체칩(25) 사이의 배선이 다르다.Fig. 10 is a diagram showing an example of the configuration of main parts of the TFT display device according to the fifth embodiment of the present invention, and the TFT substrate of the liquid crystal display device and its control circuit are shown. In comparison with the case of FIG. 9, the wirings between the semiconductor chips 25 on the TFT substrate 18 are different.

박막배선 43은, TFT 기판 18 상에서 분기되고, 각 반도체칩(25)에 접속되어 있다. 즉, 게이트 구동모듈로서의 반도체칩(25)은, 박막배선 43에 의해 TFT 기판 18 상에서 병렬접속되고, 표시제어기판(40)으로부터 게이트 구동전압이 공급되어 있다.The thin film wiring 43 is branched on the TFT substrate 18 and connected to each semiconductor chip 25. In other words, the semiconductor chip 25 as the gate driving module is connected in parallel on the TFT substrate 18 by the thin film wiring 43, and the gate driving voltage is supplied from the display control substrate 40. FIG.

각 반도체칩(25)은, 표시제어기판(40)으로부터의 거리가 다르기 때문에, 각 게이트라인(11)의 시정수도 반도체칩(25)마다 다르고, 실시예 1∼3과 같이 블록 얼룩이 발생한다는 문제가 생긴다. 따라서, 표시제어기판(40) 상에 저항소자(70)를 설치하고, 혹은, 도시하지 않은 용량소자(71)를 설치함으로써, 블록 얼룩을 억제할 수 있다.Since each semiconductor chip 25 has a different distance from the display control substrate 40, the time constant of each gate line 11 is also different for each semiconductor chip 25, and block spots are generated as in the first to third embodiments. Occurs. Therefore, by providing the resistance element 70 on the display control substrate 40 or by providing the capacitor element 71 (not shown), block spots can be suppressed.

본 실시예에 의하면, 게이트 구동모듈(25)이 병렬접속되어 있는 TFT 기판 18인 경우에도, 실시예 1∼4의 경우와 마찬가지로, 블록 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.According to the present embodiment, even in the case of the TFT substrate 18 in which the gate drive module 25 is connected in parallel, the occurrence of block spots can be suppressed as in the case of the first to fourth embodiments.

이때, 상기한 각 실시예에서는, 일례로서 특정한 구조 및 형상을 갖는 액정표시장치에 대하여 설명하였지만, 본 발명은, 여러가지 TFT 표시장치에 적응할 수있다. 예를 들면, TFT 기판을 사용하는 표시장치이면, 액정표시장치에 한정되지 않는다. 또한, TFT 기판(10, 15)은 반드시 유리기판에 한정되지 않는다. 또한, 도 9및 도 10에서는, 게이트측 및 소스측 모두 COG이지만, 게이트측은 COG, 소스측은 TCP 또는 COF이어도 된다.At this time, in each of the above embodiments, a liquid crystal display device having a specific structure and shape has been described as an example, but the present invention can be adapted to various TFT display devices. For example, if it is a display apparatus using a TFT substrate, it is not limited to a liquid crystal display apparatus. In addition, the TFT substrates 10 and 15 are not necessarily limited to glass substrates. 9 and 10, both the gate side and the source side are COG, but the gate side may be COG, and the source side may be TCP or COF.

본 발명에 의하면, 균일한 화면표시를 행할 수 있는 TFT 표시장치를 저렴하게 제공할 수 있다. 또한, 게이트 구동전압의 변동에 기인하는 휘도의 변동을 억제하고, 블록 얼룩을 억제 또는 방지할 수 있는 TFT 표시장치를 저렴하게 제공할 수 있다. 또한, 표시품질이 높고, 소형화 및 경량화 가능한 TFT 표시장치를 저렴하게 제공할 수 있다.According to the present invention, a TFT display device capable of performing uniform screen display can be provided at low cost. In addition, it is possible to provide a TFT display device which can suppress fluctuation in luminance due to fluctuation in gate driving voltage and can suppress or prevent block irregularities. In addition, it is possible to provide a TFT display device having high display quality and miniaturization and light weight at low cost.

Claims (9)

절연성기판 상에 다수의 게이트라인이 형성되고, 각 게이트라인을 주변부에 인출하여 다수의 게이트라인 입력단자를 형성한 TFT 기판과,A TFT substrate having a plurality of gate lines formed on the insulating substrate, each gate line being drawn out to the periphery, and having a plurality of gate line input terminals formed thereon; 복수의 게이트라인 입력단자에 접속되고, 게이트라인마다 전압공급 타이밍을 제어하는 2 이상의 게이트 구동모듈과,Two or more gate driving modules connected to a plurality of gate line input terminals and controlling voltage supply timing for each gate line; 게이트 구동모듈에 대하여 게이트 구동전압을 공급하는 표시제어기판을 구비하고,A display control substrate for supplying a gate driving voltage to the gate driving module; 상기 TFT 기판의 주변부에는, 표시제어기판으로부터 게이트 구동모듈로 게이트 구동전압을 전달하는 게이트전원 공급선이 설치되며,At the periphery of the TFT substrate, a gate power supply line for transmitting a gate driving voltage from the display control substrate to the gate driving module is provided. 상기 표시제어기판이, 게이트 구동전압을 생성하는 게이트 전원회로와, 표시제어기판에 가장 가까운 게이트 구동모듈까지의 게이트전원 공급선의 배선저항보다도 높은 저항값으로 이루어지는 저항소자를 갖고,The display control substrate has a gate power supply circuit for generating a gate drive voltage and a resistance element having a resistance value higher than the wiring resistance of the gate power supply line to the gate drive module closest to the display control board, 게이트 구동전압이 상기 저항소자를 통해 게이트전원 공급선에 공급되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And a gate driving voltage is supplied to the gate power supply line through the resistance element. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 표시제어기판은, 표시제어기판에 가장 가까운 게이트 구동모듈의 입력용량 및 이 게이트 구동모듈까지의 게이트전원 공급선의 배선용량의 합보다도 큰용량으로 이루어지는 용량소자를 갖고,The display control substrate has a capacitance element which is larger than the sum of the input capacitance of the gate driving module closest to the display control substrate and the wiring capacitance of the gate power supply line to the gate driving module, 이 용량소자가, 상기 저항소자보다도 게이트전원 공급선측에 있어서, 상기 게이트전원 공급선에 대하여 병렬접속되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.The capacitor display device is connected to the gate power supply line in parallel to the gate power supply line rather than the resistive element. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트전원 공급선은, TFT 기판 상에 형성된 도전성박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And said gate power supply line is made of a conductive thin film formed on a TFT substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 구동모듈은, 게이트전원 공급선을 통해 직렬접속되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And the gate driving module is connected in series via a gate power supply line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트전원 공급선은, 상기 저항소자보다도 게이트 구동모듈측에 있어서 분기되고,The gate power supply line is branched on the gate driving module side rather than the resistor element. 상기한 각 게이트 구동모듈은, 분기 후의 게이트전원 공급선에 각각 접속되며, 서로 병렬접속되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.Each of the above gate drive modules is connected to a gate power supply line after branching, and is connected to each other in parallel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저항소자는, TFT를 오프상태로 제어하는 게이트 오프전압을 공급하는 게이트오프 전원회로의 출력단자에 설치된 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And the resistance element is provided at an output terminal of a gate-off power supply circuit for supplying a gate-off voltage for controlling the TFT to be in an off state. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 구동모듈은, 게이트 구동회로가 형성된 절연성필름으로 이루어지고,The gate driving module is made of an insulating film formed with a gate driving circuit, 게이트 구동전압이 상기 게이트전원 공급선을 통해 절연성필름 상의 게이트 구동회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And a gate driving voltage is supplied to the gate driving circuit on the insulating film through the gate power supply line. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 절연성필름은, 상기 게이트전원 공급선을 통해 표시제어기판에 직렬접속되는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And said insulating film is connected in series to a display control substrate via said gate power supply line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 구동모듈은, TFT 기판 상에 설치된 반도체칩으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT 표시장치.And the gate driving module is formed of a semiconductor chip provided on a TFT substrate.
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