KR20010004202A - Device and method to control output data in semiconductor memory device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 차세대 메모리소자인 DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous DRAM)에 관한 것으로, 특히 DDR SDRAM의 읽기(Read) 구동시 데이터의 출력을 제어하는 방법 및 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a next generation memory device (Double Data Rate) SDRAM (Synchronous DRAM), and more particularly, to a method and apparatus for controlling the output of data during a read operation of a DDR SDRAM.
잘 알려진 바와 같이, 반도체메모리소자중 DRAM은 동작 속도 향상을 위하여 외부의 시스템 클럭에 동기 되어 동작하는 싱크로너스 DRAM(이하, SDRAM)이 널리 사용되고 있다. 한편, 통상의 SDRAM은 클럭의 라이징(rising) 에지(edge)에 동기시켜 클럭의 한 주기에 걸쳐 하나의 데이터를 입출력하는 소자인데 반하여, DDR SDRAM은 클럭의 라이징 및 폴링(falling) 에지에 동기 되어 연속적으로 두 개의 데이터가 입출력될 수 있다. 따라서, 클럭의 주파수를 증가시키지 않더라도 종래의 SDRAM에 비해 최소한 두 배 이상의 동작속도를 구현할 수 있어 차세대 DRAM으로서 크게 각광받고 있다. 한편, DDR SDRAM은 연속적으로 데이터를 출력하기 위해서 셀에서 읽어온 데이터를 복수의 파이프래치에 임시로 저장하였다가 출력하는 방법을 사용한다.As is well known, a synchronous DRAM (hereinafter referred to as SDRAM), which operates in synchronization with an external system clock, is widely used as a DRAM in semiconductor memory devices to improve operation speed. On the other hand, the conventional SDRAM is a device that inputs and outputs one data over a period of the clock in synchronization with the rising edge of the clock, while the DDR SDRAM is synchronized with the rising and falling edge of the clock. Two data can be input and output in succession. Therefore, even if the clock frequency is not increased, the operating speed can be at least twice as high as that of the conventional SDRAM. Meanwhile, in order to continuously output data, DDR SDRAM uses a method of temporarily storing data read from a cell in a plurality of pipe latches and then outputting the data.
도1은 DDR SDRAM의 데이터 출력 제어 블록 다이아그램으로서, 읽기동작의 시작을 알리는 읽기 명령신호 RD를 입력으로 하여 출력 제어신호 oe0, oe1, oe2 및 outen을 출력하는 커맨드디코더(110)와, 상기 제어신호 oe0, oe1, oe2 및 outen을 입력으로 하여 파이프래치제어 인에이블신호 pcd_en 및 파이프카운트 인에이블신호 pcnt_en을 출력하는 파이프래치입출력제어부(130)와, 상기 파이프래치제어 인에이블신호 pcd_en을 입력으로 하여 파이프래치제어신호 pcd를 생성하는 파이프래치제어신호생성부(140)와, 상기 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en을 입력으로 하여 파이프카운트신호 pcnt를 생성하는 파이프카운트제어신호생성부(150)와, 상기 파이프래치제어신호 pcd에 응답하여 셀 데이터를 저장하고 파이프카운트신호 pcnt에 응답하여 저장된 데이터를 출력하는 파이프래치(160)와, 상기 파이프카운트신호 pcnt에 응답하여 상기 파이프래치(160)에서 출력된 데이터를 외부로 출력하는 출력드라이버(170)로 구성된다.Fig. 1 is a data output control block diagram of a DDR SDRAM, in which the command decoder 110 outputs the output control signals oe0, oe1, oe2 and outen by inputting a read command signal RD informing the start of a read operation, and the control. The pipe latch input / output controller 130 for outputting the pipe latch control enable signal pcd_en and the pipe count enable signal pcnt_en with the signals oe0, oe1, oe2, and outen as inputs, and the pipe latch control enable signal pcd_en as inputs. A pipe latch control signal generation unit 140 for generating a pipe latch control signal pcd, a pipe count control signal generation unit 150 for generating a pipe count signal pcnt by inputting the pipe count enable signal pcnt_en, and the pipe Pipe latch 160 for storing cell data in response to the latch control signal pcd and outputting the stored data in response to the pipe count signal pcnt. And an output driver 170 for outputting data output from the pipe latch 160 to the outside in response to the pipe count signal pcnt.
도2는 종래 기술에 따른 파이프래치입출력제어부(130)의 회로도로서, 상기 출력인에이블신호 outen에 응답하여 상기 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en을 출력하는 파이프카운트인에이블신호 생성부(210)와, 상기 제1, 제2 및 제3 출력인에이블신호 oe0, oe1 및 oe2와 상기 파이프카운트인에이블신호를 반전한 /pcnt_en에 응답하여 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en을 출력하는 파이프래치제어인에이블신호 생성부(250)로 구성된다.2 is a circuit diagram of a pipe latch input / output controller 130 according to the related art, and includes a pipe count enable signal generation unit 210 for outputting the pipe count enable signal pcnt_en in response to the output enable signal outen, and Pipe latch control enable signal generation unit for outputting pipe latch control enable signal pcd_en in response to the first, second and third output enable signals oe0, oe1 and oe2 and / pcnt_en inverting the pipe count enable signal. It consists of 250.
구체적으로, 상기 파이프카운트인에이블신호 생성부(210)는 제1입력단으로 인버터 INV21을 거쳐 상기 출력인에이블신호 outen의 반전신호를, 제2입력단으로 상기 출력인에이블신호 outen을 제1지연소자(215) 및 반전래치(220)를 거친 신호를, 제3입력단으로 상기 반전래치(220)의 출력신호를 제2지연소자(230)에서 소정시간 지연한 신호를 입력으로 하는 3-입력 NAND게이트 ND21과, 이를 버퍼링하는 인버터 INV24 와 INV25를 포함하여 이루어진다.Specifically, the pipe count enable signal generation unit 210 receives an inverted signal of the output enable signal outen through an inverter INV21 to a first input terminal and the output enable signal outen to a second input terminal as a first delay element. 215) and the three-input NAND gate ND21 for inputting a signal having passed through the inverted latch 220 to the third input terminal and outputting the output signal of the inverted latch 220 to the second delay element 230 for a predetermined time. And inverters INV24 and INV25 that buffer them.
또한, 상기 파이프래치제어인에이브신호 생성부(250)는 상기 제1출력인에이블신호 oe0를 제3지연소자(255)에서 지연한 신호와 제2출력인에이블신호 oe1을 입력으로 하는 NOR게이트 NOR21과, 상기 NOR게이트 NOR21의 출력노드 신호 N21과 상기 부파이프카운터인에이블신호 /pcnt_en을 입력으로 하는 NAND게이트 ND23과, 상기 제1출력인에이블신호 oe0를 지연한 신호와 제3출력인에이블신호 oe2를 입력으로 하여 출력노드 N23을 출력하는 2클럭감지부(270)와, 상기 2클럭감지부(270)의 출력노드 N22와 상기 NAND게이트 ND23의 출력노드 N23을 입력으로 하는 NAND게이트 ND25와, 상기 NAND게이트 ND25의 출력신호를 반전하여 파이프제어인에이블신호 pcd_en을 출력하는 인버터 INV26으로 구성된다.In addition, the pipe latch control enable signal generation unit 250 inputs the NOR gate NOR21 which inputs the signal delayed by the third delay element 255 from the first output enable signal oe0 and the second output enable signal oe1. And a NAND gate ND23 for inputting the output node signal N21 of the NOR gate NOR21 and the subpipe counter enable signal / pcnt_en, a signal delayed from the first output enable signal oe0, and a third output enable signal oe2. A two-clock detector 270 for outputting an output node N23, an output node N22 of the two-clock detector 270, an output node N23 of the NAND gate ND23, and a NAND gate ND25 for inputting the output node N23; Inverter INV26 outputs the pipe control enable signal pcd_en by inverting the output signal of the NAND gate ND25.
도2a는 상기 2클럭감지부(270)의 개략적인 회로도로서, 상기 지연된 제1출력인에이블신호 oe0를 반전하는 인버터 INV27의 출력신호와, 상기 제3출력인에이블신호 oe2를 반전하는 인버터 INV28의 출력신호와, 상기 인버터INV28의 출력신호를 반전(INV29) 및 지연(275)한 출력신호를 입력으로 하는 3-입력 NAND게이트 ND27을 구비하여 이루어진다.FIG. 2A is a schematic circuit diagram of the second clock detection unit 270. The output signal of the inverter INV27 inverting the delayed first output enable signal oe0 and the inverter INV28 inverting the third output enable signal oe2. And a three-input NAND gate ND27 for inputting an output signal and an output signal obtained by inverting (INV29) and delaying 275 the output signal of the inverter INV28.
도3의 종래 기술에 따른 읽기동작의 타이밍 도를 참조하여 상기와 같은 구성을 갖고, 카스 레이턴시(Cas Latency)가 2이고, 버스트 렝스(Burst Length)가 2인 동작에 대해서 살펴본다.Referring to the timing diagram of the read operation according to the prior art of FIG. 3, an operation having the above configuration, having a Cas Latency of 2 and a Burst Length of 2 will be described.
읽기 명령 신호 RD가 인가되면 상기 커맨드디코더(110)에서는 상기 읽기명령신호 RD에 응답하여 도3과 같이 순차적으로 제1출력인에이블신호 oe0와, 제2출력인에이블신호 oe1 및 제3출력인에이블신호 oe2를 생성하고, 상기 제2출력인에이블신호 oe1에 응답하여 출력인에이블신호 outen을 생성한다.When the read command signal RD is applied, the command decoder 110 sequentially responds to the read command signal RD to sequentially output the first output enable signal oe0 and the second output enable signal oe1 and the third output enable as shown in FIG. 3. A signal oe2 is generated, and an output enable signal outen is generated in response to the second output enable signal oe1.
상기 커맨드디코더(110)에서 생성된 신호 oe0, oe1, oe2 및 outen은 파이브래치입출력제어부(130)로 인가되어, 제1출력인에이블신호 oe0가 로직 "하이"로 활성화되면, 제3지연소자(255)를 거쳐 NOR게이트 NOR21의 출력노드 N21을 로직 "로우"로, 상기 노드 N21의 로직 "로우"는 NAND게이트 ND23으로 인가되어 출력노드 N23을 로직 "하이"로 해준다.The signals oe0, oe1, oe2, and outen generated by the command decoder 110 are applied to the fibrous I / O control unit 130, and when the first output enable signal oe0 is activated as a logic “high”, a third delay element ( 255), the output node N21 of the NOR gate NOR21 is applied to the logic " low " and the logic " low " of the node N21 is applied to the NAND gate ND23 to make the output node N23 to the logic " high ".
상기 제1출력인에이블신호 oe0가 인버터 INV27에 의하여 로직 "로우"로 떨어지므로 NAND게이트 ND27의 출력노드 N22는 제2출력인에이블신호 oe2에 상관없이 로직 "하이"로 된다.Since the first output enable signal oe0 falls to a logic " low " by the inverter INV27, the output node N22 of the NAND gate ND27 becomes a logic " high " regardless of the second output enable signal oe2.
따라서, 상기 노드 N22와 N23을 입력으로 하는 NAND게이트 ND25의 출력신호는 로직 "로우"로 되고 인버터 INV26에 의해 반전되어 상기 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en을 로직 "하이"로 인에이블시킨다.Therefore, the output signal of the NAND gate ND25 which takes in the node N22 and N23 becomes a logic "low" and is inverted by the inverter INV26 to enable the pipe latch control enable signal pcd_en to a logic "high".
다음으로, 상기 제2출력인에이블신호 oe1에 의해 액티브된 출력인에이블신호 outen이 파이프카운트인에이블신호생성부(210)로 인가되면 상기 인버터 INV21에 의하여 반전되어 NAND게이트 ND21에 로직 "로우"로 인가되므로 출력신호는 로직 "하이"로 되고 이를 버퍼링한 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en은 로직 "하이"로 인에이블된다.Next, when the output enable signal outen activated by the second output enable signal oe1 is applied to the pipe count enable signal generation unit 210, the output enable signal outen is inverted by the inverter INV21 and is logic "low" to the NAND gate ND21. The output signal is logic " high " and the pipe count enable signal pcnt_en buffering it is enabled as logic " high ".
카스 레이턴시(Cas Latency)가 2이므로 읽기 명령 RD가 인가되고, 2클럭 뒤에 데이터가 출력되기 시작하고, 버스트 렝스(Burst Length)가 2이므로 한 클럭 안에 데이터를 출력한다. 따라서 파이프래치(160)의 출력은 읽기동작이 시작되고 3클럭 뒤에 디스에이블된다.A read command RD is applied because Cas Latency is 2, and data starts to be output two clocks later. Since Burst Length is 2, the data is output within one clock. Therefore, the output of the pipe latch 160 is disabled three clocks after the read operation is started.
상기 파이프카운트인에블인신호 생성부(210)에 인가된 출력인에이블신호 outen이 로직 "로우"로 떨어지면, 인버터 INV21에 의하여 반전된 신호와, 제1지연소자(215)에서 소정의 지연을 거쳐 반전및래치를 거쳐 반전된 신호와, 상기 반전된 신호를 제2지연소자(230)에서 지연한 신호를 입력으로 하는 NAND게이트 ND21의 출력신호는 상기 제2지연소자(230)에 의해 지연되어 로직 "하이"로 인가되는 순간에 로직 "로우"로 떨어지고, 이에 응답하여 상기 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en가 로직 "로우"로 디스에이블되어 파이프래치와 출력드라이버와의 전달 경로를 끊어준다.When the output enable signal outen applied to the pipe count enable signal generator 210 falls to a logic " low ", the signal inverted by the inverter INV21 and a predetermined delay in the first delay element 215 are applied. The output signal of the NAND gate ND21 that receives the signal inverted through the inverted and latched signals and the signal delayed by the second delay element 230 is delayed by the second delay element 230. At the moment it is applied to logic "high", it falls to logic "low", and in response, the pipe count enable signal pcnt_en is disabled to logic "low" to disconnect the pipelatch from the output driver.
상기 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en이 로직 "로우"로 떨어지면서, 상기 부파이프카운트인에이블신호 /pcnt_en이 로직 "하이"로 NAND게이트 ND23으로 인가된다. 이때 제1출력인에이블신호 oe0와 제2출력인에이블신호 oe1이 모두 "로우" 이므로 상기 노드 N21신호는 로직 "하이"이다.As the pipe count enable signal pcnt_en falls to a logic " low, " the subpipe count enable signal / pcnt_en is applied to the NAND gate ND23 with a logic " high. &Quot; At this time, since the first output enable signal oe0 and the second output enable signal oe1 are both "low", the node N21 signal is a logic "high".
따라서, 상기 노드 N23 신호는 로직 "로우"로 떨어지고, 이에 응답하여 상기 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en 또한 로직 "로우"로 디스에이블된다.Thus, the node N23 signal drops to a logic " low ", and in response, the pipe latch control enable signal pcd_en is also disabled to a logic " low ".
도4의 카스레이턴시가 2.5이고 버스트렝스가 2인 경우의 읽기동작의 타이밍도를 참조하여, 제1읽기동작이 시작되고 3클럭 후에 제2읽기동작이 시작되는 경우에 대해서 살펴본다.A case in which the first read operation is started and the second read operation is started three clocks later will be described with reference to the timing diagram of the read operation when the cascade latency is 2.5 and the bus length is 2 in FIG.
상기 2클럭감지부(270)는 파이프제어인에이블신호 pcd_en이 제1읽기동작에서 활성화된 후 디스에이블되기 이전에 제2읽기동작이 시작하므로 셀로부터 전달된 데이터를 제1, 제2, 제3 파이프래치의 순으로 입력하는데 반해서, 파이프카운트신호 pcnt_en은 제2읽기동작에서 리셋되어 제1, 제2, 제1 파이프래치의 순으로 데이터를 출력하는 경우가 발생하는 것을 해결하기 위해서 존재한다.Since the second clock detection unit 270 starts the second read operation before the pipe control enable signal pcd_en is activated in the first read operation and before the second clock detection unit 270 is disabled, the second clock detector 270 receives the data transmitted from the cell. While the pipe count signal pcnt_en is reset in the second reading operation, the pipe count signal pcnt_en exists to solve the case where the data is output in the order of the first, second, and first pipe latches.
도5의 카스레이턴시가 1.5이고 버스트렝스가 2인 경우의 읽기동작의 타이밍도를 참조하여, 제1읽기동작이 시작되고 2클럭 후에 제2읽기동작이 시작되는 경우에 대해서 살펴본다.A case in which the first read operation is started and the second read operation is started two clocks later will be described with reference to the timing diagram of the read operation when the cascade latency is 1.5 and the bus length is 2 in FIG. 5.
상기 제2지연소자(230)는 출력인에이블신호 outen에 응답하여 생성되는 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en이 제1읽기동작이 완료되어 디스에이블되고, 제2읽기동작이 시작되어 액티브되면서 로직 "로우"로 되어 리셋되어 잘못된 데이터가 출력되는 경우를 방지하기 위하여 로직 "로우"로 떨어지지 않도록 지연을 통하여 상기 출력인에이블신호 outen의 폴링에지(falling edge)를 지연한다.The second delay element 230 is disabled in response to the pipe count enable signal pcnt_en generated in response to the output enable signal outen after the first read operation is completed, and the second read operation is started and activated. The falling edge of the output enable signal outen is delayed through a delay so as not to fall to a logic " low "
그러나, 상기와 같은 종래의 파이프래치입출력부는 상술한 바와 같은 특정동작을 수행하는 데 있어서 발생할 우려가 있는 에러를 해결해주기위해서 2클럭감지부나 지연소자와 같은 회로들이 첨가되어 복잡하고 면적을 많이 차지하는 문제점이 있다.However, the conventional pipe latch input and output unit is a complex and occupied area by adding circuits such as a two clock detector or a delay element to solve an error that may occur in performing a specific operation as described above. There is this.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 래치를 이용하여 간단하고 작은 면적을 차지하는 파이프래치입출력 제어장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and an object thereof is to provide a pipe latch input / output control device which occupies a simple and small area by using a latch.
도1은 DDR SDRAM의 데이터 출력 제어 블록 다이아그램.1 is a data output control block diagram of a DDR SDRAM.
도2는 종래 기술에 따른 파이프래치입출력제어부의 회로도.Figure 2 is a circuit diagram of a pipe latch input and output control unit according to the prior art.
도2a는 도2의 2클럭감지부의 개략적인 회로도.FIG. 2A is a schematic circuit diagram of the two clock detector of FIG. 2; FIG.
도3은 종래 기술에 따른 읽기동작의 타이밍도.3 is a timing diagram of a read operation according to the prior art;
도4는 카스레이턴시가 2.5이고 버스트렝스가 2인 경우의 읽기동작의 타이밍도.4 is a timing diagram of a read operation when the cascade latency is 2.5 and the bus length is 2. FIG.
도5는 카스레이턴시가 1.5이고 버스트렝스가 2인 경우의 읽기동작의 타이밍도.Fig. 5 is a timing diagram of a read operation when the cascade latency is 1.5 and the bus length is 2.
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 파이프래치입출력제어부의 상세 회로도.6 is a detailed circuit diagram of a pipe latch input / output control unit according to an embodiment of the present invention.
도7은 본 발명의 일실시예에 따른 읽기동작의 타이밍도.7 is a timing diagram of a read operation according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
130 : 파이프래치입출력제어부130: pipe latch input and output control unit
630 : 파이프래치입력제어부 650 : 파이프래치출력제어부630: pipe latch input control unit 650: pipe latch output control unit
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 파이프래치입출력제어장치에 있어서, 읽기동작에서 활성화되는 제1, 제2 및 제3출력인에이블신호에 응답하여 파이프래치 입력제어신호를 활성화하기 위한 제1제어신호를 생성하는 제1제어신호생성부; 상기 제1제어신호와 제1출력인에이블신호에 응답하여 셀로부터 전달된 데이터의 파이프래치로의 입력 경로를 제어하기 위한 제2제어신호를 생성하는 파이프래치입력제어부; 및 상기 제1제어신호와 상기 제1출력인에이블신호에 응답하여 생성되는 출력인에이블신호에 응답하여 파이프래치에서 출력드라이버로의 출력경로를 제어하기 위한 제3제어신호를 생성하는 파이프래치출력제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a pipe latch input and output control apparatus, the first control signal for activating the pipe latch input control signal in response to the first, second and third output enable signal activated in the read operation; A first control signal generation unit generating a; A pipe latch input controller configured to generate a second control signal for controlling an input path of data transmitted from a cell to a pipe latch in response to the first control signal and the first output enable signal; And a pipe latch output controller configured to generate a third control signal for controlling an output path from the pipe latch to the output driver in response to the output enable signal generated in response to the first control signal and the first output enable signal. Characterized in that comprises a.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 DDR SDRAM의 파이프래치입출력제어부의 상세 회로도이다.6 is a detailed circuit diagram of a pipe latch input / output control unit of a DDR SDRAM according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 제1, 제2, 및 제3 출력인에이블신호 oe0, oe1, oe2를 입력으로 NOR게이트 NOR61과 인버터 INV61을 거쳐 파이프래치(160)로의 데이터 입출력을 제어하는 파이프래치입출력제어신호 pio_en을 생성하는 파이프래치입출력제어신호생성부(610)와, 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en과 상기 제1출력인에이블신호 oe0에 응답하여 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en을 출력하는 파이프래치입력제어부(630)와, 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en과 출력인에이블신호 outen에 응답하여 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en를 출력하는 파이프래치출력제어부(650)로 구성된다.As shown, a pipe latch input / output control signal for controlling data input / output to the pipe latch 160 via the NOR gate NOR61 and the inverter INV61 as inputs of the first, second, and third output enable signals oe0, oe1, and oe2. A pipe latch input / output control signal generation unit 610 for generating a pio_en, and a pipe latch input control unit for outputting a pipe latch control enable signal pcd_en in response to the pipe latch input / output control signal pio_en and the first output enable signal oe0 ( 630 and a pipe latch output control unit 650 for outputting the pipe count enable signal pcnt_en in response to the pipe latch input / output control signal pio_en and the output enable signal outen.
구체적으로, 상기 파이프래치입력제어부(630)는 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en이 PMOS트랜지스터 PM61과 NMOS트랜지스터 NM61로 이루어진 인버터(631)의 게이트단으로 인가되고 상기 인버터(631)의 접지전원은 제1출력인에이블신호 oe0를 게이트로 인가 받는 NMOS트랜지스터 NM62의 소스-드레인경로를 통하여 공급된다. 또한 상기 인버터의 출력신호는 제1래치수단(633)에 의하여 반전 및 저장을 통해 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en을 출력한다.Specifically, the pipe latch input control unit 630 is the pipe latch input and output control signal pio_en is applied to the gate terminal of the inverter 631 consisting of a PMOS transistor PM61 and NMOS transistor NM61 and the ground power supply of the inverter 631 is a first The output enable signal oe0 is supplied through the source-drain path of the NMOS transistor NM62 which is applied to the gate. In addition, the output signal of the inverter outputs the pipe latch control enable signal pcd_en through inversion and storage by the first latch means 633.
상기 파이프래치 출력제어부(650)는 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en이 PMOS트랜지스터 PM62와 NMOS트랜지스터 NM63으로 이루어진 인버터(651)의 게이트단으로 인가되고 상기 인버터(651)의 접지전원은 출력인에이블신호 outen을 게이트로 인가 받는 NMOS트랜지스터 NM64의 소스-드레인경로를 통하여 공급된다. 또한 상기 인버터의 출력신호는 제2래치수단(653)에 의하여 반전 및 저장을 통해 파이프운트인에이블신호 pcnt_en을 출력한다.The pipe latch output control unit 650 applies the pipe latch input / output control signal pio_en to the gate terminal of the inverter 651 consisting of a PMOS transistor PM62 and an NMOS transistor NM63, and the ground power of the inverter 651 is an output enable signal outen. Is supplied through the source-drain path of the NMOS transistor NM64. In addition, the output signal of the inverter outputs the pipe enable enable signal pcnt_en through inversion and storage by the second latch means 653.
도7의 출력 제어부의 타이밍도를 참조로 하여 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 동작을 살펴본다.An operation according to an embodiment of the present invention having the above configuration will be described with reference to the timing diagram of the output control unit of FIG.
DDR SDRAM의 읽기동작에서 읽기 명령 신호 RD가 인가되면 이를 지연하여 생성한 제1, 제2, 및 제3 출력인에이블신호 oe0, oe1, oe2는 상기 파이프래치입출력제어신호생성부(610)의 3-입력 NOR게이트 NOR61로 입력되고 다시 반전을 거쳐 파이프래치입출력제어신호 pio_en을 출력한다. 즉, 상기 oe0, oe1, oe2를 논리합하는 것으로서 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en은 상기 oe0, oe1, oe2들 중 하나만 로직 "하이"로 되면 로직 "하이"로 액티브된다.When the read command signal RD is applied in the read operation of the DDR SDRAM, the first, second, and third output enable signals oe0, oe1, and oe2 generated by delaying the read command signal RD are 3 of the pipe latch input / output control signal generation unit 610. Input to NOR gate NOR61 and invert again to output pipe latch I / O control signal pio_en. That is, as the logical sum of oe0, oe1, and oe2, the pipe latch input / output control signal pio_en is activated as a logic " high " when only one of the oe0, oe1, and oe2 becomes a logic " high ".
상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en이 로직 "하이"로 액티브되면 상기 파이프래치 입력제어부(630)와 파이프래치 출력제어부(650)로 인가되어 상기 NMOS트랜지스터 NM61과 NM63을 턴-온시킨다. 상기 제1출력인에이블신호 oe0에 의하여 턴-온된 NMOS트랜지스터 NM62에 의하여 접지전원이 공급된 상기 파이프래치 입력제어부(630)의 출력 신호 파이프래치제어 인에이블신호 pcd_en이 로직 "하이"로 액티브되어 셀에서 전달된 데이터가 파이프래치로 저장된다.When the pipe latch input / output control signal pio_en is activated with logic "high", it is applied to the pipe latch input control unit 630 and the pipe latch output control unit 650 to turn on the NMOS transistors NM61 and NM63. The output signal pipe latch control enable signal pcd_en of the pipe latch input controller 630 supplied with ground power by the NMOS transistor NM62 turned on by the first output enable signal oe0 is activated as a logic " high " The data passed from is stored as a pipelatch.
또한 소정시간 후에 제2출력인에이블신호 oe1에 응답하여 출력인에이블신호 outen이 로직 "하이"로 활성화되면, NMOS트랜지스터NM64가 턴-온되고 상기 파이프래치입출력제어신호 pio_en에 의하여 턴-온되어 있던 NMOS트랜지스터 NM63을 통해 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en을 로직 "하이"로 활성화 하여 상기 과정을 통해 파이프래치에 저장된 데이터를 출력 드라이버를 통해 외부로 출력한다.In addition, when the output enable signal outen is activated as logic "high" in response to the second output enable signal oe1 after a predetermined time, the NMOS transistor NM64 is turned on and turned on by the pipe latch input / output control signal pio_en. Through the NMOS transistor NM63, the pipe count enable signal pcnt_en is activated as logic "high" to output the data stored in the pipe latch to the outside through the output driver through the above process.
상기 제1출력인에이블신호 oe0나 상기 출력인에이블신호 outen이 로직 "로우"로 디스에이블되어 접지전원의 공급이 끊겨도 상기 래치(633, 653)에 의하여 상기 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en과 상기 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en은 로직 "하이"를 유지한다.Even though the first output enable signal oe0 or the output enable signal outen is disabled as a logic " low " and the supply of ground power is cut off, the pipe latch control enable signal pcd_en and the The pipe count enable signal pcnt_en remains logic "high."
상기 제1, 제2, 제3 출력인에이블신호 oe0, oe1, oe2가 모두 로직 "로우"로 되면 파이프래치입출력제어신호 pio_en이 로직 "로우"로 디스에이블 되어 상기 PMOS트랜지스터 PM61과 PM62를 턴-온시킴으로서 래치에 의하여 출력되고 있던 상기 파이프래치제어인에이블신호 pcd_en과 파이프카운트인에이블신호 pcnt_en을 모두 로직 "로우"로 디스에이블시켜서, 파이프래치로의 데이터 입력과 출력드라이버로의 데이터 전달을 통한 읽기동작을 완료한다.When the first, second, and third output enable signals oe0, oe1, and oe2 are all logic "low", the pipe latch input / output control signal pio_en is disabled as a logic "low" to turn on the PMOS transistors PM61 and PM62. By turning on, the pipe latch control enable signal pcd_en and the pipe count enable signal pcnt_en that are output by the latch are all disabled by logic "low", so that data input to the pipe latch and data transfer to the output driver are read. Complete the action.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
상기와 같은 본 발명은, 래치를 이용하여 간단하게 파이프래치입출력제어부를 구성함으로서, 칩 사이즈를 줄일 수 있다.The present invention as described above can reduce the chip size by simply configuring the pipe latch input / output control unit using a latch.
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