KR20000065884A - Apparatus and method of fabricating optical transceiver module - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광송수신 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 광소자와 PLC(Planar Lightwave Circuit) 및 광섬유 등을 한 기판상에 동시에 간단한 공정으로 정렬 및 접속시킬 수 있는 광송수신 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an optical transmission module and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an optical transmission module and a method of manufacturing the optical device, a PLC (Planar Lightwave Circuit) and an optical fiber, etc. on a substrate at the same time in a simple process. It is about.
일반적으로 광소자를 광도파로에 정렬시키기 위해서는 광축간의 정밀한 정렬이 필요하게 되는데, 보통 광도파로에 레이져 다이오드(Laser Diode ; 이하 LD 라 함)와 같은 광소자를 정렬시키기 위해서는 1㎛ 이내 허용오차의 정밀도를 요구하게 된다.In general, in order to align an optical element with an optical waveguide, precise alignment between optical axes is required. In order to align an optical element such as a laser diode (LD) in an optical waveguide, a precision of a tolerance within 1 μm is required. Done.
상기와 같이 광도파로에 광소자등을 정렬시키기 위해서는 광축을 정밀하게 정렬시키는 광축정렬방법이 사용되어지는데, 상기 광축정렬방법으로는 능동정렬방법(active alignment method)과 수동정렬방법(passive alignment method)으로 구분된다.As described above, in order to align the optical elements in the optical waveguide, an optical axis alignment method for precisely aligning the optical axis is used. The optical axis alignment methods include an active alignment method and a passive alignment method. Separated by.
상기 능동정렬방법은 광신호를 켜놓은 상태에서 광세기를 관찰하면서 위치를 조절하여 최적의 정렬을 얻는 방법으로서, 이 방법은 광소자를 작동시킨 상태에서 정렬을 하기 때문에 정렬능력은 뛰어나나 공정이 복잡하여 정렬에 따른 비용이 많이 소요되는 단점이 있다.The active alignment method is a method of obtaining an optimal alignment by adjusting the position while observing the light intensity while the optical signal is turned on. This method has excellent alignment ability because the alignment is performed while the optical device is operated, and the process is complicated. There is a disadvantage in that the cost of sorting is high.
이에 비해 수동정렬방법은 광소자를 동작시키기 않는 상태에서 광축정렬을 수행하므로 최적의 광축정렬은 어렵지만 공정이 비교적 간단하므로 소요비용이 낮은 장점이 있다.On the other hand, the manual alignment method performs the optical axis alignment without operating the optical device, so that the optimal optical axis alignment is difficult, but the process is relatively simple, so the cost is low.
한편, 상기 수동정렬방법은 다시 세가지의 방법으로 나눌 수 있다. 첫 번째 방법은 기계적 정렬방법으로서, 광소자가 실장될 기판에 광소자가 정확하게 위치할 수 있도록 정확하게 홈을 파고 광소자를 정확한 치수로 가공한 후 광소자를 기판위에 실장시키는 방법인데, 이러한 기계적 방법에서는 일정한도의 정확도, 예컨데 1㎛ 이내에서의 정확도로 광소자 및 기판을 가공해야 하는 어려운 문제점이 있다.On the other hand, the manual sorting method can be further divided into three methods. The first method is a mechanical alignment method, in which grooves are precisely positioned to accurately position the optical elements on the substrate on which the optical elements are to be mounted, the optical elements are processed to the correct dimensions, and the optical elements are mounted on the substrate. There is a difficult problem of processing optical devices and substrates with accuracy, for example, within 1 μm.
두 번째 방법은 솔더범프(solder bump)의 표면장력을 이용하는 플립칩 본딩(flip-chip bonding) 방법인데, 이 방법은 기판에 솔더범프, 광소자 칩에 솔더패드(solder pad)를 사진식각공정(photolithography)을 이용하여 정확한 위치에 형성하는 방법이다. 즉, 솔더범프위에 솔더패드를 대략적으로 정렬시킨 후 가열하면 솔더범프가 리플로우(reflow)되어 가장 안정한 형상으로 모양이 변하면서 광소자를 정확하게 자리잡게 한다. 이러한 솔더범프를 이용하는 방법에서는, 솔더패드 및 솔더범프 형성 조건이 까다롭고 솔더의 산화를 억제시켜야하는 어려움이 따르는 문제점이 있다.The second method is flip-chip bonding, which uses the surface tension of solder bumps. This method uses a photolithography process on solder bumps on a substrate and solder pads on an optical device chip. It is a method of forming in the correct position by using photolithography. In other words, after roughly aligning the solder pads on the solder bumps and heating, the solder bumps reflow to change the shape to the most stable shape, thereby accurately positioning the optical device. In the method using the solder bumps, there are problems in that the solder pad and the solder bump forming conditions are difficult and the difficulty of suppressing the oxidation of the solder is required.
세 번째 방법은 본 발명이 속하는 기술로서, 기판 및 광소자에 정렬패턴을 형성하고, 이에 의하여 광소자를 정렬하는 수동마크정렬방법이다. 상기에서 광도파로와 광섬유를 정렬 및 접속하는 방법 또한 두가지의 방법으로 구분할 수 있는데, 그 두가지 방법은 능동정렬방법과 수동정렬방법이다.The third method is a technique to which the present invention pertains, which is a passive mark alignment method in which alignment patterns are formed on a substrate and an optical device, thereby aligning the optical devices. The method of aligning and connecting the optical waveguide and the optical fiber can also be classified into two methods. The two methods are an active alignment method and a passive alignment method.
상기 능동정렬방법은 광섬유가 여러개 놓여진 광섬유 블록과 광도파로가 형성된 PLC에 광원을 입사시켜 광출력의 최적조건을 맞추어 접속하는 정렬방법이고, 이에 반하여 수동정렬방법은 실리콘 테라스(terrace)를 이용하여 하나의 기판위에 PLC와 광섬유를 V-홈에 의하여 정렬하는 방법이다.The active alignment method is an alignment method in which a light source is incident on a PLC having an optical wave block and an optical waveguide on which several optical fibers are placed and connected to meet an optimum condition of the optical output. In contrast, a passive alignment method uses a silicon terrace. It is a method to align PLC and optical fiber by V-groove on the board of the board.
따라서 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 소정의 적절한 공정순서에 의해 종래의 기술보다 공정단계를 줄여 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있으면서 공정의 정확성을 기할 수 있는 광송수신 모듈 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to reduce the process steps by reducing the process cost compared to the conventional technology according to a predetermined proper process procedure while reducing the accuracy of the process. The present invention provides a method for manufacturing the optical transmission module.
도 1 내지 도 9 는 본 발명에 따른 광송수신 모듈의 제조공정단계를 도시한 평면도 및 단면도이다.1 to 9 are a plan view and a cross-sectional view showing a manufacturing process step of the optical transmission module according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
1 : 실리콘 기판 3 : V-홈 및 U-홈 형성용 마스크패턴1: silicon substrate 3: mask pattern for forming V-groove and U-groove
5 : 정렬마크용 V-홈 7 : 솔더용 V-홈5: V-groove for alignment mark 7: V-groove for solder
9 : PLC용 U-홈 11 : PLC와 광섬유 접속용 테이퍼형 U-홈9: U-groove for PLC 11: Tapered U-groove for PLC and fiber optic connection
13 : 광섬유용 U-홈 15 : 언더-클래드층13: U-groove for optical fiber 15: Under-clad layer
17 : 코아층 19 : 오버-클래드층17 core layer 19 over-clad layer
21 : ICP용 마스크 패턴 23 : PLC21: mask pattern for ICP 23: PLC
25 : Ti/Au 금속막 27 : AuSn 솔더25 Ti / Au metal film 27 AuSn solder
29 : 광소자 31 : 광섬유29: optical element 31: optical fiber
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광송수신 모듈은,Optical transmission module of the present invention for achieving the above object,
실리콘 기판의 상부면의 소정위치에 각각 형성되어 정렬을 용이하게 하는 정렬마크와;Alignment marks each formed at a predetermined position on an upper surface of the silicon substrate to facilitate alignment;
상기 정렬마크를 이용하여 실리콘 기판 상부의 대략 중앙부에 설치된 PLC 와 ,PLC installed in the center of the upper portion of the silicon substrate using the alignment mark,
상기 PLC 의 일측에 위치한 실리콘 기판의 홈내에 구비된 솔더와,Solder provided in the groove of the silicon substrate located on one side of the PLC,
상기 솔더의 상부 및 상기 PLC의 일측면에 장착되는 광소자와;An optical element mounted on an upper side of the solder and on one side of the PLC;
상기 PLC의 다른 일측면에 그리고, 상기 PLC 의 코아의 중심과 그 중심이 일치되게끔 설치되는 광섬유를 포함하여, 하나의 기판상에 정렬되는 것을 특징으로 한다.On the other side of the PLC and, including the optical fiber is installed so that the center and the center of the core of the PLC is aligned, characterized in that aligned on one substrate.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 광송수신 모듈 제조방법은In addition, the optical transmission module manufacturing method for achieving the above object
실리콘 기판의 상부에 정렬마크용 V-홈, PLC용 U-홈, 광섬유용 U-홈, PLC와 광섬유 접속을 쉽게 해주기 위한 테이퍼(taper)형 U-홈 형성을 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계와,Forming a mask pattern on the silicon substrate to form an alignment mark V-groove, a PLC U-groove, an optical fiber U-groove, a tapered U-groove for easy connection of the optical fiber with the PLC, and ,
상기 마스크 패턴을 이용하여 하부의 노출된 실리콘 기판을 식각하여 정렬마크를 형성하는 단계와,Etching the lower exposed silicon substrate using the mask pattern to form an alignment mark;
전체구조 상부에 언더-클래드층, 코아층, 오버-클래드층을 차례로 일정두께 증착하는 단계와,Depositing a predetermined thickness of an under-clad layer, a core layer, and an over-clad layer in order on the entire structure,
전체구조 상부에 ICP(indutive coupled plasma)용 마스크 패턴 형성물질을 소정두께 증착한 후, 하부의 기 형성된 V-홈 정렬마크를 이용하여 패터닝하여 ICP 마스크 패턴을 형성하는 단계와,Depositing a predetermined thickness of a mask pattern forming material for inductively coupled plasma (ICP) on the entire structure, and then patterning the pattern using a pre-formed V-groove alignment mark at the bottom to form an ICP mask pattern;
상기 ICP 마스크 패턴을 이용하여 하부의 오버-클래드층과 코아층 및 언더-클래드층을 차례로 식각하여 PLC를 형성하는 단계와,Etching the lower over-clad layer, the core layer, and the under-clad layer in order using the ICP mask pattern to form a PLC;
상부의 마스크 패턴을 제거하는 단계와,Removing the upper mask pattern,
상기 PLC의 일측면에 형성된 길다란 V-홈내에 소정물질로 된 솔더를 형성하는 단계와,Forming a solder of a predetermined material in an elongated V-groove formed on one side of the PLC;
일측의 정렬마크에 의해서 수동마크정렬을 마친 후 상기 솔더부분을 외부열로 리플로우시켜 광소자 하부면의 전극패드와 접착되도록 광소자를 설치하는 단계와,After completing the manual mark alignment by the alignment mark on one side, reflowing the solder portion to the external heat to install the optical device to be bonded to the electrode pad of the lower surface of the optical device;
상기 PLC 의 다른 일측에 광섬유를 안착시키는 단계를 포함하는 구성으로 되는 것을 특징으로 한다.It characterized in that the configuration comprising the step of seating the optical fiber on the other side of the PLC.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이다.The above objects, features and advantages will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 광송수신 모듈 및 그 제조방법의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of an optical transmission module and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 9 는 본 발명에 따른 광송수신 모듈의 제조공정단계를 도시한 도면으로서,1 to 9 is a view showing a manufacturing process step of the optical transmission module according to the present invention,
도 1 은 본 발명에 사용되는 실리콘 기판(1)을 도시한 도면으로서,1 is a view showing a silicon substrate 1 used in the present invention,
도 1 의 (a)는 실리콘 기판(1)의 평면도로 실리콘의 (100)면을 나타내고 있으며,FIG. 1A shows a (100) plane of silicon in a plan view of the silicon substrate 1,
도 1 의 (b)는 상기 도 1 (a)의 A-A 선에 따른 단면도로서, 실리콘의 (110)면을 나타내고 있다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 1A and shows the (110) plane of silicon.
다음, 도 2 는 상기 도 1 의 실리콘 기판(1) 상부에 V-홈 및 U-홈을 형성하기 위해 마스크용 패턴(3)을 형성한 상태의 도면으로서,Next, FIG. 2 is a view illustrating a mask pattern 3 formed on the silicon substrate 1 of FIG. 1 to form V-grooves and U-grooves.
도 2의 (a)는 평면도이고, 도 2의 (b)는 상기 도 2(a)의 A-A 선에 따른 단면도이다.FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 2A.
이때 상기 마스크 패턴(3)을 형성하기 위해 소정두께, 예컨데 1,000∼2,000Å 두께의 실리콘질화막(Si3N4)(3)을 상기 실리콘 기판(1)의 상부에 증착한 후 사진식각공정과 이온반응식각(Reactive Ion Etching; 이하 'RIE' 라 함)을 이용하여 패터닝한다.At this time, in order to form the mask pattern 3, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) 3 having a predetermined thickness, for example, 1,000 to 2,000 Å thick, is deposited on the silicon substrate 1, followed by a photolithography process and ion. Patterning is performed by using reactive ion etching (hereinafter, referred to as 'RIE').
도 3 을 참조하면, 상부에 실리콘 질화막 패턴(3)이 형성된 실리콘 기판(1) 전체를 KOH 수용액에 60∼80℃의 온도의 조건에서 2∼3시간 정도 담구어 정렬마크로 쓰이는 V-홈(5), 솔더용 V-홈(7), PLC 를 수용하기 위한 U-홈(9), 와 광섬유를 수용하기 위한 U-홈(13), 그리고 PLC와 광섬유의 접속을 용이하게 하기 위한 테이퍼형 U-홈(11)을 형성한다.Referring to FIG. 3, the entire silicon substrate 1 having the silicon nitride film pattern 3 formed thereon is immersed in a KOH aqueous solution for about 2 to 3 hours at a temperature of 60 to 80 ° C. and used as an alignment mark 5. ), V-groove for soldering (7), U-groove (9) for accommodating PLC, U-groove (13) for accommodating optical fiber, and tapered U for facilitating connection between PLC and optical fiber -To form the groove (11).
이때 상기 세가지의 U-홈(9),(11),(13)의 깊이는 동일한 크기이며 LD(도 9의 29) 의 활성층(미도시)과 PLC의 코아(17) 및 광섬유 코아(미도시)의 중심을 맞추기 위해서 실리콘 기판(1)의 표면으로부터 광섬유 클래드의 반경인 62.5㎛ 내외일 필요가 있다.In this case, the three U-grooves 9, 11, and 13 have the same depth, and the active layer (not shown) of the LD (29, FIG. 9), the core 17 of the PLC, and the optical fiber core (not shown). ), It is necessary to be around 62.5 μm, which is the radius of the optical fiber cladding, from the surface of the silicon substrate 1 to center the center.
또한 PLC용 U-홈(9)과 광섬유용 U-홈(13) 사이에 테이퍼형 U-홈(11)이 하는 역할은 PLC의 언더-클래드(under-clad)(15)의 깊이와 광섬유(31)가 놓여지는 광섬유용 U-홈(13) 깊이가 동일하도록 유지시켜주는 것이며, 또한 PLC 코아(core)(17)와 광섬유(31) 코아의 중심을 지속적으로 동일하도록 맞추어 주기 위한 것이다. 테이퍼형 U-홈(11)이 없이 광섬유용 U-홈(13)이 PLC용 U-홈(9)과 곧바로 이어지게 되면 경계부분에서 KOH 수용액에 의한 식각이 제대로 이루어지지 않는다.In addition, the role of the tapered U-groove 11 between the U-groove 9 for the PLC and the U-groove 13 for the optical fiber is that the depth of the under-clad 15 of the PLC and the optical fiber ( It is to maintain the same depth of the U-groove 13 for the optical fiber 31 is placed, and also to keep the center of the PLC core (17) and the optical fiber 31 core to be consistently the same. If the U-groove 13 for the optical fiber is directly connected to the U-groove 9 for the PLC without the tapered U-groove 11, the etching by the KOH aqueous solution is not performed properly at the boundary portion.
도 4 는 FHD(Flame Hydrolysis Deposition)에 의한 광도파로를 형성하는 과정을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a process of forming an optical waveguide by FHD (Flame Hydrolysis Deposition).
상기 도 4의 (a) 를 참조하면, 전체구조 상부에 언더-클래드층(15)을 소정두께, 예컨데 60∼70㎛의 두께로 증착한 후, 연마를 실시하여 일정한 두께를 유지시킨다.Referring to FIG. 4A, after depositing the under-cladding layer 15 to a predetermined thickness, for example, a thickness of 60 to 70 μm, the polishing is performed to maintain a constant thickness.
도 4의 (b) 를 참조하면, 전체 구조 상부에 다시 코아층(17)을 소정두께, 예컨데 6~8㎛로 증착한 후, 스퍼터링(sputtering)방법으로 Cr을 소정두께 증착후 사진식각공정을 수행한 다음, 이미 형성되어져 있는 V-홈 정렬마크(5)를 이용하여 ICP에 의해서 PLC의 코아(17) 패턴작업을 한다.Referring to FIG. 4 (b), after the core layer 17 is deposited to a predetermined thickness, for example, 6 to 8 μm, on the entire structure, a photolithography process is performed after depositing Cr to a predetermined thickness by a sputtering method. Then, the core 17 of the PLC is patterned by the ICP using the V-groove alignment mark 5 already formed.
도 4의 (c) 를 참조하면, 전체구조 상부에 다시 오버-클래드(over clad)(19)를 일정두께, 예컨데 20~30㎛ 증착시킨다.Referring to (c) of FIG. 4, an over clad 19 is again deposited on the entire structure at a predetermined thickness, for example, 20 to 30 μm.
결국, 언더-클래드층(15), 코아층(17), 오버-클래드층(19)이 차례로 증착되어 광도파로를 형성하는 데, 이는 도 5 에 도시된 바와 같다.As a result, the under-clad layer 15, the core layer 17, and the over-clad layer 19 are sequentially deposited to form an optical waveguide, as shown in FIG.
상기의 예에서, 상기 차례로 증착된 언더-클래드층(15), 코아층(17), 오버-클래드층(19)의 두께는 일실시예로, 각각 62㎛, 6㎛, 20㎛ 으로 할 수 있는데, 이것은 LD(29) 활성층의 높이가 실리콘 기판(1) 표면으로 부터 5㎛ 위치할 때이다.In the above example, the thicknesses of the under-clad layer 15, the core layer 17, and the over-clad layer 19 deposited in this order may be 62 μm, 6 μm, and 20 μm, respectively. This is when the height of the LD 29 active layer is 5 占 퐉 from the surface of the silicon substrate 1.
다음 도 6을 참조하면, 전체구조 상부에 ICP 마스크 패턴 형성물질을 소정두께 증착한 후, 하부의 기 형성된 V-홈 정렬마크(5)를 이용하여 패터닝하여 ICP 마스크 패턴(21)을 형성한다.Next, referring to FIG. 6, an ICP mask pattern forming material is deposited on the entire structure, and then patterned using a pre-formed V-groove alignment mark 5 at the bottom to form an ICP mask pattern 21.
이때 상기 ICP 마스크 패턴(21) 형성물질로 Cr을 사용하고, 상기 Cr 증착시는 스퍼터링방법을 사용하며, 상기 ICP 마스크 패턴(21)이 형성되는 영역은 PLC(23) 가 형성되기로 예정된 지역에만 형성되게 한다.(도 9 참조)In this case, Cr is used as a material for forming the ICP mask pattern 21, and a sputtering method is used during Cr deposition, and an area where the ICP mask pattern 21 is formed is only in a region where the PLC 23 is to be formed. To form (see FIG. 9).
다음 도 7을 참조하면, 상기 ICP 마스크 패턴(21)을 이용하여 하부의 오버-클래드층(19)과 코아층(17) 및 언더-클래드층(15)을 차례로 식각하여 PLC(23)를 형성한 후, 마스크 패턴(21)을 제거한다.Next, referring to FIG. 7, the over-clad layer 19, the core layer 17, and the under-clad layer 15 are sequentially etched using the ICP mask pattern 21 to form a PLC 23. After that, the mask pattern 21 is removed.
상기 도 7의 (b)에 단면도에 도시된 바와 같이, PLC(23) 영역외의 SiO2막은 모두 제거되고 실리콘 기판(1) 표면으로부터 오버-클래드층(19) 상측면까지의 높이는 20∼35㎛ 가 되게한다.As shown in the cross-sectional view in FIG. 7B, all SiO 2 films outside the PLC 23 region are removed and the height from the surface of the silicon substrate 1 to the upper side of the over-cladding layer 19 is 20 to 35 μm. To be.
다음 도 8을 참조하면, PLC(23)의 일측면에 형성된 솔더용 V-홈(7)내에 Ti/Au 기저 금속박막(25)와 AuSn 솔더(27)를 차례로 형성한다. 이때 상기 솔더(27) 형성시 초후막 감광막(미도시)을 도포하되, 솔더용 V-홈(7)의 깊이를 감안하여 28㎛ 보다 더 높은 두께로 도포하는 것과 동시에, 상기 도포된 감광막을 평탄화하여 두께를 최적화시킨 다음 사진식각공정에 의한 패턴작업을 실시한다. 이때에도 기 형성된 V-홈 정렬마크(5)를 이용한다.Next, referring to FIG. 8, the Ti / Au base metal thin film 25 and the AuSn solder 27 are sequentially formed in the solder V-groove 7 formed on one side of the PLC 23. At this time, an ultra-thick photoresist film (not shown) is applied when the solder 27 is formed, and in consideration of the depth of the solder V-groove 7, the coating film is applied to a thickness higher than 28 μm, and the coated photoresist film is flattened. After optimizing the thickness, pattern work is performed by photolithography process. In this case, the pre-formed V-groove alignment mark 5 is used.
다음 도 9를 참조하면, LD(29)는 좌측의 V-홈 정렬마크(5)에 의해서 수동마크정렬을 마친 후 솔더(7)부분을 외부열로 리플로우시켜 LD(29)의 밑면에 위치한 전극(미도시)과 V-홈 솔더(7)가 접착되고, 우측의 광섬유용 U-홈(13)에는 광섬유(31)를 안착시킨 후 테이퍼형 U-홈(11)에 에폭시를 채워 넣어 경화시키면 LD-PLC-광섬유의 광송수신 모듈이 완성된다.Next, referring to FIG. 9, after the manual mark alignment is completed by the V-groove alignment mark 5 on the left side, the LD 29 reflows the solder 7 portion to an external column and is located on the bottom surface of the LD 29. The electrode (not shown) and the V-groove solder 7 are bonded together, and the optical fiber 31 is seated in the U-groove 13 for the optical fiber on the right side, and then the epoxy is filled into the tapered U-groove 11 to cure. This completes the optical transmission / reception module of the LD-PLC-optical fiber.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광송수신 모듈 및 그 제조방법은 LD 혹은 PD(photo diode) 와 같은 광소자와 PLC 형태의 광도파로를 V-홈을 이용하여 수동마크정렬방법으로 정렬하고, 광도파로 패턴, ICP 및 솔더 정렬용 정렬마크도 V-홈을 미리 형성시켜 각공정마다 계속해서 V-홈을 정렬마크로 활용하는 잇점을 이용하고 있으며, 또한 실리콘 기판위에 LD를 용이하게 부착시키기 위해 V-홈 형태의 길다란 솔더를 이용하고 있으며, 상기한 실리콘 V-홈 솔더 패턴을 형성시키기 위해 초후막 감광막을 사용함으로써 제조 공정을 종래의 기술보다 간편하게 하며, 아울러 LD 혹은 PD 와 같은 광소자와 WDM(wavelength division multiplexing) 커플러와 같은 PLC와 광섬유 등의 세가지를 동시에 수동정렬할 수 있어 광송수신 모듈의 제조에 따른 비용절감을 크게 할 수 있는 효과가 있다.As described above, the optical transmitting and receiving module and its manufacturing method according to the present invention align the optical elements such as LD or PD (photo diode) and PLC type optical waveguides by manual mark alignment method using V-groove, The alignment marks for the optical waveguide pattern, ICP and solder alignment also take advantage of the formation of the V-grooves in advance and the use of the V-grooves as the alignment marks for each process, and also for easy attachment of LD on the silicon substrate. A groove-type long solder is used, and the ultra-thin photoresist film is used to form the silicon V-groove solder pattern, which makes the manufacturing process simpler than the conventional technology, and optical devices such as LD or PD and WDM ( wavelength division multiplexing) Three types of PLCs, such as couplers and optical fibers, can be passively aligned at the same time, which greatly reduces the cost of manufacturing optical transmission modules. There is.
한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, It can implement by modifying and modifying within the range which does not deviate from the summary of this invention.
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