KR101971810B1 - 어레이 기판 및 그 단선복구 방법 - Google Patents

어레이 기판 및 그 단선복구 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101971810B1
KR101971810B1 KR1020177015550A KR20177015550A KR101971810B1 KR 101971810 B1 KR101971810 B1 KR 101971810B1 KR 1020177015550 A KR1020177015550 A KR 1020177015550A KR 20177015550 A KR20177015550 A KR 20177015550A KR 101971810 B1 KR101971810 B1 KR 101971810B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
gate electrode
source
substrate
data line
Prior art date
Application number
KR1020177015550A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170083589A (ko
Inventor
샨 리
Original Assignee
센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20170083589A publication Critical patent/KR20170083589A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101971810B1 publication Critical patent/KR101971810B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • G02F2001/133302—
    • G02F2001/136263—
    • G02F2001/136295—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

유기층(9)에는 게이트 전극 스캔라인(2)과 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 각 교차점과 대응되는 곳에 관통홀이 설정되고, 제2 둔화층(10)은 상기 관통홀 측에 침적되고 개구(11)가 형성되며, 관통홀은 어레이 기판의 게이트 전극 스캔라인(2) 또는 소스-드레인 전극 데이터라인(5) 단선발생 시, 단선 측의 양단의 개구(11) 있는 곳에 U형 긴 선(15)에 대하여 레이저 용접을 진행하여 단선된 게이트 전극 스캔라인(2) 또는 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 연결이 회복 되도록 하여 유기층을 레이저로 제거하는 공정을 생략 시켜, 유기층을 제어할 때 기계로 인한 소모를 감소하여 단선복구 효율과 복구 성공률을 높이고, 나가서 액정 패널 제품의 품질을 높이는 어레이 기판 및 어레이 기판 단선복구 방법.

Description

어레이 기판 및 그 단선복구 방법{ARRAY SUBSTRATE AND BROKEN LINE REPAIR METHOD THEREFOR}
본 발명은 디스플레이 분야의 관한 것이며, 특히, 어레이 기판 및 어레이 기판의 단선복구 방법에 관한 것이다.
디스플레이 기술의 발전에 따라 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)등 평면 디스플레이 장치들은 고화질, 절전, 얇은 몸체 및 널리 응용되는 등 장점을 구비하므로 휴대폰, 텔레비전, PDA, 디지털 카메라, 노트북, 데스크톱 컴퓨터 등 여러 종류의 소비성 전자제품에 광범위하게 적용되므로 디스플레이 장치 중에서 대세가 되고 있다.
시중의 액정 디스플레이 장치 중 대부분은 백라이트형 액정 디스플레이이며, 이는 액정 디스플레이 패널 및 백라이트 모듈(backlight module)을 포함한다. 액정디스플레이 패널의 작동 원리는 평행된 두 개의 유리 기판 사이에 액정분자를 배정하고, 두 개의 유리 기판 사이에 수많은 가늘고 작은 전선이 수직과 수평으로 존재하며, 전원공급 여부에 따라 액정분자를 제어하여 방향을 변화시키므로, 백라이트 모듈의 광선을 반사시켜 화면을 생성하는 것이다.
통상적으로, 액정 디스플레이 패널은 컬러 필터 (CF, Color Filter) 기판, 박막 트랜지스터 기판(TFT, Thin Film Transistor), 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판 사이의 액정(LC, Liquid Crystal) 및 실란트(Sealant)로 구성되고, 성형공정은 일반적으로 전 단계인 어레이(Array) 공정 (필름(thin film), 노란 빛(photo), 에칭(etching) 및 필름 제거(stripping)), 중간 단계인 셀(Cell)공정(TFT기판과 CF기판 접착) 및 후 단계인 모듈 패키징 공정(IC과 인쇄회로판의 압축하여 체결하는 것을)을 포함한다. 여기서, 전 단계인 어레이 공정에서는 액정 분자의 운동을 편리하게 제어하도록 주로 TFT기판을 형성한다; 중간 단계인 Cell 제작공정은 주로 TFT기판과 CF기판 사이에 액정을 추가한다; 후 단계인 모듈 패키징 공정에서는 주로 IC압축 체합과 인쇄 회로판의 통합을 일으켜, 액정 분자의 회전을 구동하여 이미지를 디스플레이 한다.
액정 패널 기술의 지속적인 발전에 따라, 갈수록 박막 트랜지스터 어레이 기판에 많은 신기술들, 예를 들어, 평면전환(In-Plane Switching, IPS), 프린지 필드 스위칭 기술(Fringe Field Switching, FFS), 컬러 필터 에러이 (Color Filter On Array, COA) 등 기술들이 적용되고 있다. 이러한 기술들은 디스플레이 기판의 평탄도에 대하여 요구가 아주 높다. 일반적으로, 어레이 기판 상에 두꺼운 유기층 예를 들어, 컬러 레지스터 층, 평탄층 등이 침적되는 것이 요구된다. 어레이 기판 제작 과정에서, 여러 요소들의 영향으로, 스캔라인과 데이터라인을 포함하는 금속도선은 단선이 발생하는 경우가 존재할 수 있다. 이러한 어레이 기판의 단선을 복구시키기 위하여, 현재로서, 단선복구설비로 유기층과 투명 전극층을 제거한 후, 레이저로 단선된 곳을 용접하여 복구시킨다. 이는 단선 복구시간이 길고, 유기층이 완전 제거되지 않을 경우, 제품의 단선 복구 성공률에 대하여 영향을 미치게 된다.
본 발명의 목적은 어레이 기판을 제공하는 것이며, 상기 어레이 기판은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 위쪽에 대응되는 표면에 복수의 개구가 설정되어 있으며, 상기 개구는 유기층의 관통홀 있는 곳에 형성되므로, 본 발명의 어레이 기판이 단선복구를 진행할 경우, 단선된 곳의 양단에 개구 있는 곳에서 U형 긴 선을 애용하여 레이저로 용접할 수 있어, 단선복구 효율과 복구 성공률을 높일 수 있다.
한편, 본 발명의 목적은 단선된 곳의 양단에 개구 있는 곳에서 U형 긴 선을 이용하여 레이저로 용접하여, 단선된 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인의 연결을 회복시키므로, 레이저로 유기층을 제거하는 공정이 생략되어, 단선복구효율과 복구성공률을 높이고, 동시에 유기층을 제거할 때 설비의 레이저 소모를 효율적으로 감소하여 액정패널제품의 디스플레이 품질을 높일 수 있는 어레이 기판의 단선복구 방법을 제공하는데 있다.
상기 목표를 달성사기 위하여, 본 발명은 기판,
상기 기판 위에 위치한 게이트 전극 스캔라인,
상기 게이트 전극 스캔라인과 기판 위에 위치한 게이트 전극 절연층,
상기 게이트 전극 절연층 위에 위치한 소스-드레인 전극 데이터 라인,
상기 소스-드레인 전극 데이터라인과 게이트 전극 절연층 위에 위치한 제1 둔화층,
상기 제1 둔화층 위에 위치한 유기층, 및
상기 유기층과 제1 둔화층 위에 위치한 제2 둔화층을 포함하는 어레이 기판에 있어서,
상기 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인은 기판 위에서 수직교차로 배열하고,
상기 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀이 형성되어 있고,
상기 제2 둔화층은 상기 관통홀이 있는 곳에 침적되어 개구를 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판을 제공한다.
상기 개구의 크기는 15μm×15μm이다.
상기 유기층은 컬러 레지스터층 또는 평탄층이다.
상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 재료는 무기재료이다.
상기 유기층의 두께는 상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 두께보다 크다.
상기 기판은 유리기판이다.
상기 어레이 기판에 있어서, 개구 측의 구조는 기판, 게이트 전극 스캔라인, 게이트 전극절연층, 소스-드레인 전극 데이터라인, 제1 둔화층, 및 제2 둔화층을 포함한다.
한편, 본 발명은 기판,
상기 기판 위에 위치한 게이트 전극 스캔라인,
상기 게이트 전극 스캔라인과 기판 위에 위치한 게이트 전극 절연층,
상기 게이트 전극 절연층 위에 위치한 소스-드레인 전극 데이터 라인,
상기 소스-드레인 전극 데이터라인과 게이트 전극 절연층 위에 위치한 제1 둔화층,
상기 제1 둔화층 위에 위치한 유기층, 및
상기 유기층과 제1 둔화층 위에 위치한 제2 둔화층을 포함하는 어레이 기판에 있어서,
상기 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인은 기판 위에서 수직교차로 배열하고,
상기 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀이 형성되어 있고,
상기 제2 둔화층은 상기 관통홀이 있는 곳에 침적되어 개구를 형성되며;
여기서, 상기 개구의 크기는 15μm×15μm이며;
여기서, 상기 유기층은 컬러 레지스터층 또는 평탄층인 것을 특징으로 하는 어레이 기판을 제공한다.
한편, 본 발명은 어레이 기판의 단선복구 방법을 제공하였으며, 상기 어레이 기판의 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인 단선이 발생 시, 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인에서 단선된 곳의 양단의 개구 있는 곳에서 U형 긴 선에 대하여 레이저 용접을 진행하여, 단선된 게이트 전극스캔라인 또는 소스-드레인 전극데이터라인의 연결이 회복한다.
상기 U형 긴 선의 재료는 텅스텐 카르보닐이다.
상기 개구의 크기는 15μm×15μm이다.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 즉, 본 발명은 어레이 기판 및 어레이 기판 단선복구 방법을 제공하였으며, 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀을 설정하고, 상기 제2 둔화층은 상기 관통홀 있는 곳에 침적되어 개구를 형성하므로, 본 발명의 어레이 기판 상의 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인이 단선발생 시, 단선된 곳의 양단에 개구 있는 곳에서 U형 긴 선을 이용하여 레이저로 집적 용접하므로, 단선된 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인의 연결을 회복시킨다. 상기 복구방법은 레이저로 유기층을 제거하는 공정을 생략하여 유기층을 제거할 때 기계의 레이저 소모를 효율적으로 감소시켜, 단선복구의 효율과 복구의 성공률을 높이고, 더 나가서 액정 패널제품의 디스플레이 품질을 높이게 된다.
본 발명의 기술특징과 기술내용을 진일보로 이해하기 위하여, 이하는 본 발명의 구체적 실시방식에 대한 상세한 설명과 첨부한 도면을 참조하기를 바란다. 그러나 첨부 도면은 참조와 설명에 사용될 뿐 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 결합하여 본 발명의 구체실시방식에 대하여 상세한 설명하며, 이를 통해 본 발명의 기술방안과 기타 유익효과를 명백하게 한다.
첨부한 도면에서,
도 1은 본 발명의 어레이 기판의 구조를 나타내는 개략도;
도 2는 도 1에서 도시된 어레이 기판의 개구 측 A-A선을 따른 단면도이다;
도 3은 도 1에서 도시된 어레이 기판의 개구 측 B-B선을 따른 단면도이다;
도 4는 U형 긴 선을 레이저로 용접하는 방법을 이용하여 도 1에서 도시된 어레이 기판에 대하여 게이트 전극 스캔라인 단선을 복구하는 개략도이다;
도 5는 U형 긴 선을 레이저로 용접하는 방법을 이용하여 도 1에서 도시된 어레이 기판에 대하여 소스-드레인 전극데이터라인 단선을 복구하는 개략도이다.
본 발명에서 채택한 기술수단 및 그 효과를 더 구체적으로 설명하기 위하여, 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 결합하여 상세설명을 한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 이는 본 발명의 어레이 기판의 실시예이다. 상기 어레이 기판은 기판(1), 상기 기판(1) 위에 위치한 게이트 전극 스캔라인(2), 상기 게이트 전극 스캔라인(2)과 기판(1) 위에 위치한 게이트 전극 절연층(4), 상기 게이트 전극 절연층(4) 위에 위치한 소스-드레인 전극 데이터 라인(5), 상기 소스-드레인 전극 데이터라인(5)과 게이트 전극 절연층(4) 위에 위치한 제1 둔화층(8), 상기 제1 둔화층(8) 위에 위치한 유기층(9), 및 상기 유기층(9)과 제1 둔화층(8) 위에 위치한 제2 둔화층(10)을 포함한다.
구체적으로, 상기 유기층(9)은 컬러 레지스터층 또는 평탄층이 되고; 상기 제1 둔화층(8)과 제2 둔화층(10)의 재료는 무기 재료가 되고; 상기 유기층(9)의 두께는 상기 제1 둔화층(8)과 제2 둔화층(10)의 두께보다 더 크며; 상기 기판(1)은 유리기판이 된다.
구체적으로, 상기 게이트 전극 스캔라인(2)과 소스-드레인 전극 데이터라인(5)은 기판(1)에서 수직교차로 배열되고, 상기 유기층(9)은 게이트 전극 스캔라인(2)과 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀이 형성되고, 상기 제2 둔화층(10)은 관통홀이 있는 곳에 침적되어 개구(11)를 형성한다. 도 2와 도 3에서 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판에 있어서, 개구(11) 측의 구조는 기판(1), 게이트 전극스캔라인(2), 게이트 전극절연층(4), 소스-드레인 전극 데이터라인(5), 제1 둔화층(8), 및 제2 둔화층(10)을 포함한다.
상기 개구(11)의 크기는 15μm×15μm인 것이 바람직하다.
본 발명에서 제공한 어레이 기판은, 제2 둔화층(10)에서 게이트 전극 스캔라인(2)과 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 교차점에 대응되는 곳에 개구(11)를 설정하고, 게이트 전극 스캔라인(2)과 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 단선 복원점으로 미리 예비하여, 상기 개구(11)를 이용하여, U형 긴 선(15)을 레이저 용접하는 방식으로 단선에 대하여 복구시킨다.
도 4 또는 도 5에서 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판을 기초로, U형 긴 선을 레이저로 용접하는 방식으로 본 발명의 어레이 기판에 대하여 단선 복구하는 방법은 다음과 같다.
도 1 및 도 4에서 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판 상의 게이트 전극 스캔라인(2)이 제작공정의 불량으로 단선 발생될 경우, 게이트 전극 스캔라인(2) 상의 단선발생한 곳의 양단에 개구(11) 있는 곳에서 U형 긴 선(15)을 이용하여 레이저로 용접하여, 단선된 게이트 전극 스캔라인(2)의 연결을 회복시킨다.
도 1 및 도 5에서 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판 상의 소스-드레인 전극 데이터라인(5)이 제작공정의 불량으로 단선이 발생될 경우, 소스-드레인 전극 데이터라인(5) 상의 단선발생한 곳 양단에 개구(11) 있는 곳에서 U형 긴 선(15)을 이용하여 레이저로 용접하여 단선된 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 연결을 회복시킨다.
상기 어레이 기판의 단선복구 방법 중에서 사용되는 U형 긴 선 (15)의 재료는 텅스텐 카르보닐인 것이 바람직하다.
도 4 또는 도 5에서 도시된 어레이 기판의 단선복구 방법은, 상기 어레이 기판은 개구(11) 있는 상기 게이트 전극 스캔라인(2) 또는 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 상부에 유기층(9)을 설정하지 않으므로, 레이저로 유기층(9)을 제거하는 공정을 생략하게 되며, 단선발생한 곳의 양단에 개구(11) 있는 곳에서 U형 긴 선(15)을 이용하여 레이저로 집적 용접하여, 게이트 전극 스캔라인(2) 또는 소스-드레인 전극 데이터라인(5)의 단선복구를 완성시켜 유기층을 제거할 때 기계의 레이저 소모를 효율적으로 감소시켜, 단선 복구 효율 및 성공률을 높이고, 더 나가서 액정 패널 제품의 디스플레이 품질을 높인다.
이상의 내용에 의하면, 본 발명은 어레이 기판 및 어레이 기판 단선복구 방법을 제공하였으며, 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀을 설정하고, 상기 제2 둔화층은 상기 관통홀 있는 곳에 침적되어 개구를 형성함으로, 본 발명의 어레이 기판 상의 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인이 단선발생 시, 단선된 곳의 양단에 개구 있는 곳에서 U형 긴 선을 이용하여 레이저로 집적 용접하므로, 단선된 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인의 연결을 회복시킨다. 상기 복구방법은 레이저로 유기층을 제거하는 공정을 생략하여 유기층을 제거할 때 기계의 레이저 소모를 효율적으로 감소시켜, 단선복구의 효율과 복구의 성공률을 높이고, 더 나가서 액정 패널제품의 디스플레이 품질을 높이게 된다.
본 기술분야의 기술자는 상기 내용을 본 발명의 기술방안과 기술사상에 의하여, 기타 대응된 다양한 개변과 변형을 할 수 있으나, 이러한 개변과 변형은 전부다 본 발명의 청구범위가 보호하는 범위에 속하게 된다.

Claims (15)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치한 게이트 전극 스캔라인,
    상기 게이트 전극 스캔라인과 기판 위에 위치한 게이트 전극 절연층,
    상기 게이트 전극 절연층 위에 위치한 소스-드레인 전극 데이터 라인,
    상기 소스-드레인 전극 데이터라인과 게이트 전극 절연층 위에 위치한 제1 둔화층,
    상기 제1 둔화층 위에 위치한 유기층, 및
    상기 유기층과 제1 둔화층 위에 위치한 제2 둔화층을 포함하는 어레이 기판 에 있어서,
    상기 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인은 기판 위에서 수직교차로 배열되고,
    상기 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀이 형성되어 있고,
    상기 제2 둔화층은 상기 관통홀이 있는 곳에 침적되어 개구를 형성하게 되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 개구의 크기는 15μm×15μm인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기층은 컬러 레지스터층 또는 평탄층인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 재료는 무기재료인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기층의 두께는 상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 유리 기판인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 어레이 기판에 있어서, 개구 측의 구조는 기판, 게이트 전극 스캔라인, 게이트 전극절연층, 소스-드레인 전극 데이터라인, 제1 둔화층, 및 제2 둔화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  8. 기판,
    상기 기판 위에 위치한 게이트 전극 스캔라인,
    상기 게이트 전극 스캔라인과 기판 위에 위치한 게이트 전극 절연층,
    상기 게이트 전극 절연층 위에 위치한 소스-드레인 전극 데이터 라인,
    상기 소스-드레인 전극 데이터라인과 게이트 전극 절연층 위에 위치한 제1 둔화층,
    상기 제1 둔화층 위에 위치한 유기층, 및
    상기 유기층과 제1 둔화층 위에 위치한 제2 둔화층을 포함하는 어레이 기판에 있어서,
    상기 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인은 기판 위에서 수직교차로 배열되고,
    상기 유기층은 게이트 전극 스캔라인과 소스-드레인 전극 데이터라인의 각 교차점에 대응되는 곳에 관통홀이 형성되어 있고,
    상기 제2 둔화층은 상기 관통홀이 있는 곳에 침적되어 개구를 형성하게 되며;
    여기서, 상기 개구의 크기는 15μm×15μm이며;
    여기서, 상기 유기층은 컬러 레지스터층 또는 평탄층인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 재료는 무기재료인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기층의 두께는 상기 제1 둔화층과 제2 둔화층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판은 유리 기판인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 어레이 기판에 있어서, 개구 측의 구조는 기판, 게이트 전극 스캔라인, 게이트 전극절연층, 소스-드레인 전극 데이터라인, 제1 둔화층, 및 제2 둔화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  13. 청구항 1항에 따른 어레이 기판에 있어서,
    상기 어레이 기판의 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인 단선이 발생 시, 게이트 전극 스캔라인 또는 소스-드레인 전극 데이터라인에서 단선된 곳의 양단의 개구 있는 곳에서 U형 긴 선에 대하여 레이저 용접을 진행하여, 단선된 게이트 전극스캔라인 또는 소스-드레인 전극데이터라인의 연결이 회복되도록 하는 어레이 기판의 단선복구 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 U형 긴 선의 재료는 텅스텐 카르보닐인 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 단선복구 방법.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 개구의 크기는 15μm×15μm인 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 단선복구 방법.
KR1020177015550A 2015-02-12 2015-04-01 어레이 기판 및 그 단선복구 방법 KR101971810B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510073541.1A CN104597640B (zh) 2015-02-12 2015-02-12 阵列基板及其断线修补方法
CN201510073541.1 2015-02-12
PCT/CN2015/075677 WO2016127480A1 (zh) 2015-02-12 2015-04-01 阵列基板及其断线修补方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170083589A KR20170083589A (ko) 2017-07-18
KR101971810B1 true KR101971810B1 (ko) 2019-04-23

Family

ID=53123533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177015550A KR101971810B1 (ko) 2015-02-12 2015-04-01 어레이 기판 및 그 단선복구 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9632377B2 (ko)
JP (1) JP6518332B2 (ko)
KR (1) KR101971810B1 (ko)
CN (1) CN104597640B (ko)
GB (1) GB2548041B (ko)
WO (1) WO2016127480A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104597679B (zh) * 2015-02-12 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其断线修补方法
CN105527736B (zh) * 2016-02-15 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置
CN111508968B (zh) * 2019-01-30 2023-08-01 群创光电股份有限公司 基板修补方法及电子装置
CN111983859A (zh) * 2020-08-07 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
WO2023245408A1 (zh) * 2022-06-21 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示背板、显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007328340A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板、及びそのリペア方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429909B1 (en) * 1997-10-18 2002-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JPH11190858A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Sharp Corp アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
KR100587366B1 (ko) * 2000-08-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4409196B2 (ja) * 2002-04-09 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びそれを用いた表示装置、並びに半導体装置の作製方法
US7038239B2 (en) * 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP2004264726A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置、並びにその欠陥修復方法及びそれを含む製造方法
TW583767B (en) * 2003-03-31 2004-04-11 Au Optronics Corp Pixel structure
TWI314235B (en) * 2003-10-03 2009-09-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Pixel array structure, active element array substrate and repairing method thereof
JP2005179705A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sony Corp レーザｃｖｄ装置
KR101171175B1 (ko) * 2004-11-03 2012-08-06 삼성전자주식회사 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
US8264632B2 (en) * 2006-03-01 2012-09-11 Hannstar Display Corp. Repair structure and method for liquid crystal display
KR20080044645A (ko) * 2006-11-17 2008-05-21 삼성전자주식회사 액정표시패널 및 이의 제조방법
US7884364B2 (en) * 2006-12-12 2011-02-08 Lg Display Co., Ltd. Array substrate, method of manufacturing the same, and method of repairing line in the same
CN201054062Y (zh) * 2007-02-01 2008-04-30 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置
KR101327847B1 (ko) * 2007-03-13 2013-11-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
CN101399272B (zh) * 2007-09-27 2011-10-12 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板
TWI331247B (en) * 2007-12-13 2010-10-01 Au Optronics Corp Pixel sturctur and repairing method thereof
CN101614916B (zh) * 2008-06-25 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法
KR101285637B1 (ko) * 2008-12-26 2013-07-12 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치용 어레이 기판과 그 제조 방법 및 리페어 방법
JP4766119B2 (ja) * 2009-01-28 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
TWI387825B (zh) * 2009-04-17 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 具修補結構之顯示面板及修補顯示面板之方法
CN102034810B (zh) * 2009-09-29 2012-07-18 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
KR101916100B1 (ko) * 2011-08-29 2018-11-08 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP6002894B2 (ja) * 2013-01-17 2016-10-05 国立大学法人山形大学 電子デバイスの製造方法
KR20140095797A (ko) * 2013-01-25 2014-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI553837B (zh) * 2014-06-17 2016-10-11 友達光電股份有限公司 製作顯示面板之方法
CN104516133B (zh) * 2015-01-27 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及该阵列基板的断线修补方法
CN104597679B (zh) * 2015-02-12 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其断线修补方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007328340A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板、及びそのリペア方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB201708424D0 (en) 2017-07-12
CN104597640A (zh) 2015-05-06
JP6518332B2 (ja) 2019-05-22
US9651840B1 (en) 2017-05-16
US20170160615A1 (en) 2017-06-08
JP2018508031A (ja) 2018-03-22
GB2548041A (en) 2017-09-06
CN104597640B (zh) 2017-06-27
US20160313619A1 (en) 2016-10-27
WO2016127480A1 (zh) 2016-08-18
US9632377B2 (en) 2017-04-25
KR20170083589A (ko) 2017-07-18
GB2548041B (en) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101947295B1 (ko) 어레이 기판 및 어레이 기판의 단선복구방법
KR101971810B1 (ko) 어레이 기판 및 그 단선복구 방법
US20160026017A1 (en) Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof
KR20140097887A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20120126675A (ko) 경량 박형의 액정표시장치의 제조 방법
US20120083180A1 (en) Method for cutting liquid crystal panel and method for manufacturing liquid crystal panel using the same
US20160342031A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
US20160131944A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
WO2018176754A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN102629050B (zh) 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
WO2016127481A1 (zh) 阵列基板及其断线修补方法
JP5583568B2 (ja) 液晶表示装置
JP6234232B2 (ja) 液晶表示パネルおよびそのリペア方法
JP2010054536A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
CN101847642B (zh) 像素单元及阵列基板
KR20070100033A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100841614B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20070069923A (ko) 리빙불량을 방지할 수 있는 액정표시소자
US20140071362A1 (en) Liquid crystal display panel
JP5539469B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005148601A (ja) 液晶装置の製造方法、液晶装置、電子機器
KR20050104574A (ko) 액정표시장치의 리페어 방법
CN105807517A (zh) 阵列基板及其断线修复方法
KR20050066018A (ko) 액정표시장치
JP2008052167A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant