KR101941438B1 - Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same - Google Patents
Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101941438B1 KR101941438B1 KR1020110081083A KR20110081083A KR101941438B1 KR 101941438 B1 KR101941438 B1 KR 101941438B1 KR 1020110081083 A KR1020110081083 A KR 1020110081083A KR 20110081083 A KR20110081083 A KR 20110081083A KR 101941438 B1 KR101941438 B1 KR 101941438B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- source
- drain
- region
- active layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 107
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 30
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 누설 전류를 감소시킴과 동시에 마스크 수를 줄임으로써 공정 비용 및 시간을 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 기판 위에 형성된 버퍼막과, 상기 버퍼막 상에 서로 마주보도록 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역과, 상기 소스 전극 상에 형성되어 접촉된 소스 영역과, 상기 드레인 전극 상에 형성되어 접촉된 드레인 영역을 포함하는 액티브층과, 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극과, 상기 드레인 전극과 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 마주보며 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 구비하는 유기 전계 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an organic light emitting display panel capable of reducing leakage current and reducing the number of masks, thereby reducing the processing cost and time, and a method of manufacturing the same. The organic light emitting display panel according to the present invention comprises A buffer layer, source and drain electrodes formed on the buffer layer so as to face each other, a channel region formed between the source and drain electrodes, a source region formed on and in contact with the source electrode, A dual gate electrode including first and second gate electrodes superimposed with a gate insulating film interposed between each of a source region and a drain region of the active layer; A second electrode formed facing the first electrode, and a second electrode formed on the first electrode and the second electrode, In having an organic layer including a light-emitting layer it characterized in that it comprises an organic electroluminescent device.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 누설 전류를 감소시킴과 동시에 마스크 수를 줄임으로써 공정 비용 및 시간을 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 전계 발광 소자의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 패널이 각광받고 있다. 유기 전계 발광 소자는 두 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다.The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display panel for displaying an image by controlling the amount of light emission of an organic light emitting device is being spotlighted by a flat panel display device which can reduce weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT). An organic electroluminescent device is a self-luminous device using a thin luminescent layer between two electrodes and has an advantage that it can be made thin like a paper.
유기 전계 발광 표시 패널은 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광 소자와, 그 유기 전계 발광 소자를 구동하는 셀 구동부를 포함한다. 셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터로 구성되어 유기 발광 소자의 양극을 구동한다. In an organic light emitting display panel, pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels are arranged in a matrix form to display an image. Each sub-pixel includes an organic electroluminescent element and a cell driver for driving the organic electroluminescent element. The cell driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a scan signal, a data line for supplying a video data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, The anode is driven.
여기서, 적어도 2개의 박막 트랜지스터의 액티브층으로는 아몰퍼스 실리콘(Amorphous Si) 또는 폴리 실리콘(Poly Si)이 이용되는데, 폴리 실리콘은 아몰퍼스 실리콘에 비해 이동도가 약 100배 빨라 높은 응답 속도를 가진다. Here, amorphous silicon or polysilicon is used as the active layer of at least two thin film transistors. The polysilicon has a higher response speed than the amorphous silicon because its mobility is about 100 times faster.
이러한, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 액티브층과, 액티브층 상에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막을 사이에 두고 액티브층의 채널 영역과 중첩되어 형성된 게이트 전극과, 층간 절연막과 게이트 전극을 사이에 두고 형성된 소스 및 드레인 전극과, 게이트 절연막과 층간 절연막을 관통하는 소스 및 드레인 컨택홀과, 소스 및 드레인 전극 각각과 접속된 액티브층의 소스 영역과 드레인 영역을 구비한다. The polysilicon thin film transistor includes an active layer formed on a substrate, a gate insulating film formed on the active layer, a gate electrode formed by overlapping a channel region of the active layer with a gate insulating film therebetween, and a gate electrode interposed between the interlayer insulating film and the gate electrode A source and drain contact hole penetrating the gate insulating film and the interlayer insulating film; and a source region and a drain region of the active layer connected to the source and drain electrodes, respectively.
폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법은 제1 마스크 공정을 통해 액티브층과 스토리지 하부 전극을 형성하는 단계--> 제2 마스크 공정을 통해 액티브층에 불순물을 도핑하여 도전성을 가지는 스토리지 하부 전극을 형성하는 단계--> 게이트 절연막을 형성하고, 제3 마스크 공정을 통해 게이트 절연막 상에 게이트 전극, 스토리지 상부 전극을 형성하는 단계--> 제4 마스크 공정을 통해 게이트 절연막과 층간 절연막을 관통하는 소스 및 드레인 컨택홀을 형성하는 단계--> 제5 마스크 공정을 통해 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계--> 제1 보호막을 형성하고, 제6 마스크 공정을 통해 제1 보호막을 관통하는 컨택홀을 형성하는 단계--> 제7 마스크 공정을 통해 양극을 형성하는 단계--> 제8 마스크 공정을 통해 양극을 노출시키는 뱅크홀을 포함하는 뱅크 절연막을 형성하는 단계--> 제9 마스크 공정을 통해 뱅크 절연막 상에 스페이서를 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같이, 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터를 이용한 유기 전계 발광 표시 패널을 형성하기 위해 적어도 9개의 마스크 공정이 필요하며, 마스크 수 증가에 따른 시간 및 비용이 증가하게 된다. 또한, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 턴-오프시 누설 전류가 발생되는 문제점이 있다. A method of fabricating an organic light emitting display panel using a polysilicon thin film transistor includes the steps of forming an active layer and a storage lower electrode through a first mask process and doping the active layer with impurities through a second mask process, Forming a storage lower electrode, forming a gate insulating film, forming a gate electrode and a storage upper electrode on the gate insulating film through a third mask process, and performing a fourth mask process on the gate insulating film and the interlayer insulating film Forming source and drain contact holes through the second mask process, forming source and drain electrodes through a fifth mask process, and forming a first protective film, - > forming an anode through a seventh mask process > - > Forming a bank insulating film containing holes of banks> and forming a spacer on the insulating bank through a ninth mask process. As described above, at least nine mask processes are required to form the organic light emitting display panel using the polysilicon thin film transistor, and the time and cost increase with an increase in the number of masks. Also, the polysilicon thin film transistor has a problem that a leakage current is generated when the polysilicon thin film transistor is turned off.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 누설 전류를 감소시킴과 동시에 마스크 수를 줄임으로써 공정 비용 및 시간을 감소시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display panel and a method of manufacturing the same, which can reduce the leakage current and reduce the number of masks, thereby reducing the processing cost and time.
이를 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 기판 위에 형성된 버퍼막과, 상기 버퍼막 상에 서로 마주보도록 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역과, 상기 소스 전극 상에 형성되어 접촉된 소스 영역과, 상기 드레인 전극 상에 형성되어 접촉된 드레인 영역을 포함하는 액티브층과, 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극과, 상기 드레인 전극과 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 마주보며 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 구비하는 유기 전계 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. The organic light emitting display panel includes a buffer layer formed on a substrate, source and drain electrodes formed on the buffer layer so as to face each other, a channel region formed between the source and drain electrodes, An active layer including a source region formed on and contacted with the gate electrode and a drain region formed on and contacted with the drain electrode; A first electrode connected to the drain electrode; a second electrode formed to face the first electrode; and a light emitting layer between the first electrode and the second electrode. And an organic electroluminescent device having an organic layer.
여기서, 상기 제1 및 제2 게이트 전극 사이와 대응하는 액티브 영역이 액티브층의 오프셋 영역인 것을 특징으로 한다. Here, the active region corresponding to between the first and second gate electrodes is an offset region of the active layer.
그리고, 상기 액티브층의 저항값은 액티브층의 오프셋 영역에 대한 저항값과 소스 영역과 소스 전극 간의 컨택 저항값과, 드레인 영역과 드레인 전극 간의 컨택 저항값을 합한 값을 가지는 것을 특징으로 한다. The resistance value of the active layer is characterized by having a resistance value for the offset region of the active layer, a contact resistance value between the source region and the source electrode, and a contact resistance value between the drain region and the drain electrode.
또한, 상기 제1 전극에 충전된 화소 전압 신호를 안정적으로 유지할 수 있게 하는 스토리지 커패시터를 더 포함하며, 상기 스토리지 커패시터는 상기 듀얼 게이트 전극과 동일 평면상에 형성된 스토리지 상부 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 평면 상에 형성되며, p+ 또는 n+ 불순물이 도핑된 스토리지 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. The storage capacitor further includes a storage upper electrode formed on the same plane as the dual gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the same plane as the dual gate electrode, And a storage lower electrode doped with p + or n + impurity.
그리고, 상기 제1 전극을 노출시키는 뱅크홀이 형성된 뱅크 절연막과, 상기 뱅크 절연막 상에 셀 갭을 유지시키기 위해 형성된 칼럼 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A bank insulating film on which the bank holes are formed to expose the first electrode, and a column spacer formed on the bank insulating film to maintain a cell gap are further included.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법은 기판 상에 버퍼막을 형성하고, 상기 버퍼막 상에 서로 마주보는 소스 및 드레인 전극과 액티브층을 전면 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극과 액티브층이 형성된 기판 상에 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역과, 상기 소스 전극 상에 형성되어 접촉된 소스 영역과, 상기 드레인 전극 상에 형성되어 접촉된 드레인 영역을 포함하는 반도체 패턴을 형성하는 단계와, 상기 반도체 패턴이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 전면 형성하고, 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 듀얼 게이트 전극 상에 상기 드레인 전극을 노출시키는 보호막을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극과 접속된 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층과, 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A method of fabricating an organic light emitting display panel according to the present invention includes the steps of: forming a buffer layer on a substrate; forming a source layer and an active layer on the buffer layer, the source layer and the drain layer facing each other; Forming a semiconductor pattern including a channel region formed between the source and drain electrodes on the layer formed substrate, a source region formed on and in contact with the source electrode, and a drain region formed on and in contact with the drain electrode, A dual gate electrode including a first gate electrode and a second gate electrode overlapping the source region and the drain region of the active layer with a gate insulating film interposed therebetween, Forming a protective film for exposing the drain electrode on the dual gate electrode; Forming a first electrode connected to the drain electrode, and forming an organic layer including a light emitting layer on the first electrode and a second electrode.
그리고, 상기 소스 및 드레인 전극 형성시 스토리지 하부 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 형성시 스토리지 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. A storage lower electrode is formed when the source and drain electrodes are formed, and a storage upper electrode is formed when the gate electrode is formed.
또한, 상기 반도체 패턴을 형성하는 단계는 상기 액티브층 상에 서로 두께가 다른 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴과 중첩되는 액티브층만 남게 되는 단계와, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 애싱하여 상기 제2 포토레지스트 패턴이 제거되는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 액티브층에 불순물을 도핑하여 소스 영역과 드레인 영역을 형성하고, 상기 스토리지 하부 전극을 도전성을 갖게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The forming of the semiconductor pattern may include forming first and second photoresist patterns having different thicknesses from each other on the active layer, etching the first and second photoresist patterns using the first and second photoresist patterns, Leaving only the active layer overlapping with the first and second photoresist patterns; removing the second photoresist pattern by ashing the first and second photoresist patterns; Forming a source region and a drain region by doping the active layer with an impurity, and making the storage lower electrode conductive.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 게이트 전극을 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극으로 형성됨으로써 폴리 박막 트랜지스터의 문제점이 누설 전류를 감소시킬 수 있다. In the organic light emitting display panel according to the present invention, the gate electrode is formed as a dual gate electrode including the first and second gate electrodes, so that the problem of the poly-TFT can reduce the leakage current.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 별도의 스토리지 커패시터의 도핑 공정 없이 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 도핑 공정을 진행함으로써 그에 따른 마스크 공정 수를 감소시킬 수 있다. In addition, the organic light emitting display panel according to the present invention can perform a doping process using a halftone mask or a slit mask without doping the storage capacitor, thereby reducing the number of mask processes.
이러한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 적어도 6~7 마스크 공정을 통해 형성됨으로써 종래 9 마스크 공정 수에 비해 적어도 2~3개 마스크 공정 수를 줄일 수 있으므로 그에 따른 공정 비용 및 시간을 감소시킬 수 있는 향상된 효과를 가진다.Since the organic light emitting display panel according to the present invention is formed through at least six to seven mask processes, it is possible to reduce the number of mask processes by at least two or three compared to the conventional nine mask process processes, Can have an improved effect.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 2a는 종래 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 온/오프에 따른 전류 그래프이며, 도 2b는 본 발명에 따른 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 온/오프에 따른 전류 그래프이다.
도 3 내지 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display panel according to the present invention.
FIG. 2A is a graph of a current according to on / off of a conventional polysilicon thin film transistor, and FIG. 2B is a graph of a current according to on / off of the polysilicon thin film transistor according to the present invention.
3 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성 요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The configuration of the present invention and the operation and effect thereof will be clearly understood through the following detailed description. Before describing the present invention in detail, the same components are denoted by the same reference symbols as possible even if they are displayed on different drawings. In the case where it is judged that the gist of the present invention may be blurred to a known configuration, do.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 10을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 10. FIG.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display panel according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 구동 박막 트랜지스터와, 구동 박막 트랜지스터와 접속된 유기 전계 발광 표시 소자와, 상기 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122)에 화소 전압 신호를 안정적으로 유지할 수 있게 하는 스토리지 커패시터(124)를 포함한다.1, an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a driving thin film transistor, an organic light emitting display connected to a driving thin film transistor, a
구동 박막 트랜지스터는 도 1에 도시된 바와 같이 버퍼막(116), 소스 전극(108), 드레인 전극(110), 액티브층(114), 듀얼 게이트 전극(106)을 구비한다. 구동 박막 트랜지스터는 기판(100) 위에 버퍼막(116)이 형성되며, 버퍼막(116) 상에 소스 전극(108)은 액티브층(114)의 채널 영역(114C)을 사이에 두고 드레인 전극(110)과 마주하도록 형성된다. 소스 전극(108)은 p+ 또는 n+ 불순물이 주입된 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 상에 형성되어 직접 접촉하며, 드레인 전극(110)은 p+ 또는 n+ 불순물이 주입된 액티브층(114)의 드레인 영역(114D) 상에 형성되어 직접 접촉한다. 구동 박막 트랜지스터가 NMOS 박막 트랜지스터 또는 PMOS 박막 트랜지스터로 형성될 수 있으며, NMOS 박막 트랜지스터로 형성될 경우에는 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D)에 n+ 불순물이 주입되며, PMOS 박막 트랜지스터로 형성될 경우에는 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D)에 p+ 불순물이 주입된다. The driving thin film transistor has a
듀얼 게이트 전극(106)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)을 구비한다. 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)은 액티브층(114)의 상부에 위치한 탑 스태거(Top stagger) 구조로 형성되며, 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)은 서로 마주보며 형성된다. 이와 같이, 게이트 전극을 듀얼 게이트 전극(106)으로 형성함으로써 누설 전류(off-current)를 방지할 수 있다. 이에 대해, 도 2a 및 도 2b를 결부하여 설명하기로 한다. The
스토리지 커패시터(124)는 p+ 또는 n+ 불순물이 도핑된 스토리지 하부 전극(124a)과 스토리지 상부 전극(124b)이 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되어 형성된다. 스토리지 하부 전극(124a)은 소스 및 드레인 전극(108,110)과 동일층에 형성되며, 스토리지 상부 전극(124b)은 듀얼 게이트 전극(106)과 동일층에 형성된다. 스토리지 커패시터(124)는 제1 전극(222)에 충전된 화소 전압 신호를 다음 화소 전압 신호가 충전될 때까지 안정적으로 유지되게 한다. The
유기 전계 발광 소자는 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(110)과 접속된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 뱅크홀(126)이 형성된 뱅크 절연막(128)과, 뱅크 절연막(126) 상에 셀 갭을 유지시키기 위해 형성된 칼럼 스페이서(130)와, 뱅크홀(128)을 통해 노출된 제1 전극(122) 상에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(132)과, 유기층(132) 위에 형성된 제2 전극(134)이 구비된다. 이러한, 유기 전계 발광 소자는 제1 전극(122)과 제2 전극(134) 사이에 전압을 인가하면 제1 전극(122)으로부터 정공(hole)이 제2 전극(134)으로부터 전자(electron)가 주입되어 발광층(132)에서 재결합하여 이로 인해 엑시톤(exiciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 배면(Bottom)으로 발광하게 된다. The organic electroluminescent device includes a
제1 전극(122)은 양극으로 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO)와, ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등과 같은 투명 도전 전극으로 형성되며, 제2 전극(134)은 음극으로 알루미늄(Al)과 같이 반사성 금속 재질로 형성된다. 유기층(132)은 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층, 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer;EIL)으로 구성된다. 이러한, 유기층(132)은 제1 전극(122)에 공급된 전류량에 따라 발광한다. The
도 2a는 종래 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 온/오프에 따른 전류 그래프이며, 도 2b는 본 발명에 따른 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 온/오프에 따른 전류 그래프이다. FIG. 2A is a graph of a current according to on / off of a conventional polysilicon thin film transistor, and FIG. 2B is a graph of a current according to on / off of a polysilicon thin film transistor according to the present invention.
박막 트랜지스터는 폴리 실리콘 또는 아몰러스 실리콘 등이 사용되는데 특히 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 전계효과 이동도가 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 이동도에 비하여 매우 크다. 하지만, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 턴-오프(trun-off)시 누설 전류(off-current)가 발생되는 문제점이 있다. 이러한, 누설 전류를 본 발명은 액티브층(114)의 오프셋 영역(Roffset)으로 제어한다. 도 1의 확대 영역을 참고하기로 한다. The polysilicon or amorphous silicon is used for the thin film transistor. Especially, the field effect mobility of the polysilicon thin film transistor is much higher than that of the amorphous silicon thin film transistor. However, the polysilicon thin film transistor has a problem that a leakage current (off-current) occurs when the transistor is turned off. This leakage current is controlled by the present invention in the offset region (R offset ) of the
구체적으로, 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)의 사이가 가까우면, 이와 대응되는 액티브층(114)의 오프셋 영역(Roffset)도 좁아지고, 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)의 사이가 멀어지면, 이와 대응되는 액티브층(114)의 오프셋 영역(Roffset)도 넓어진다. 이와 같이, 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b) 사이의 간격을 좁거나 넓게 형성하여 액티브층(114)의 오프셋 영역도 좁거나 넓게 된다. 오프셋 영역(Roffset)의 면적이 넓어지면 넓어진 만큼 누설 전류 값이 줄어든다.Specifically, when the first and
오프셋 영역에 대한 저항값을 [수학식 1]을 결부하여 설명하기로 하며, 액티브층의 저항값(R)은 [수학식 1]과 같다. The resistance value of the active layer is expressed by the following equation (1). &Quot; (1) "
상기 [수학식 1]에서 2Rcontact 각각은 액티브층(114)의 소스 영역(114S)과 소스 전극(108) 간의 컨택 저항 값과 액티브층(114)의 드레인 영역(114D)과 드레인 전극(110) 간의 컨택 저항 값을 의미한다.(Rcontact: 소스/드레인 전극에 의한 저항) Roffset은 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b) 사이와 대응되는 액티브층(114)의 오프셋 영역에 대한 저항값이다.(Roffset: Offset에 의한 저항) [수학식 1]과 같이 액티브층(114)의 오프셋 영역(Roffset)으로 인해 저항이 커져 누설 전류가 줄어든다. In Equation (1), 2R contact Each refer to the contact resistance value between the source region 114S and the
이는, 도 2b에 도시된 그래프에서 알 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이 종래 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 턴-오프되었을때, 누설 전류가 흐르는 것을 알 수 있으나, 본 발명의 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 도 2b에 도시된 바와 같이 턴-오프되었을때, 누설 전류가 흐르지 않음을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 턴-온되었을 때는 전류가 흐르고, 턴-오프되었을 때 전류가 흐르지 않으므로 정확한 스위칭 역할을 할 수 있다. This can be seen in the graph shown in FIG. 2B. As shown in FIG. 2A, when the conventional polysilicon thin film transistor is turned off, it can be seen that a leakage current flows. However, when the polysilicon thin film transistor of the present invention is turned off as shown in FIG. 2B, It can be seen that no current flows. Accordingly, when the polysilicon thin film transistor of the present invention is turned on, a current flows, and when the turn-off operation is performed, the current does not flow, and thus the polysilicon thin film transistor can be accurately switched.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 3 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼막(116)이 형성되고, 그 위에 소스 및 드레인 전극(108,110), 스토리지 하부 전극(124a)을 포함하는 제1 금속 패턴과 액티브층(114)이 형성된다. 3, a
구체적으로, 버퍼막(116)은 기판(100) 상에 산화 실리콘(SiO2) 등과 같은 무기 절연 물질이 CVD, PECVD(Plasam Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 전면 증착되어 형성된다. 이때, 버퍼막(116)의 두께는 1000~3000Å으로 형성될 수 있다. Specifically, the
이후, 버퍼막(116)이 형성된 기판(100) 상에 데이터 금속층이 형성된다. 이어서, 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이트 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108), 드레인 전극(110), 스토리지 하부 전극(124a)이 포함된 제1 금속 패턴이 형성된다. Thereafter, a data metal layer is formed on the
다음, 액티브층(114)은 제1 금속 패턴이 형성된 버퍼막(116) 상에 아몰퍼스-실리콘을 증착한 후 그 아몰퍼스-실리콘을 레이저로 결정화하여 폴리-실리콘이 된다. 레이저 결정화 이전에 아몰퍼스 실리콘 박막 내에 존재하는 수소 원자를 제거하기 위한 탈수소화(Dehydrogenaiton) 공정을 진행한다. Next, the
도 4를 참조하면, 제1 금속 패턴과 액티브층(114)이 형성된 기판(100) 상에 제1 금속 패턴과 액티브층(114)이 형성된 기판(100) 상에 액티브층(114,214) 각각의 채널 영역(114C,214C)을 사이에 두고 마주보는 소스 영역(114S,214S) 및 드레인 영역(114D,214D)을 포함하는 반도체 패턴과 아울러 스토리지 하부 전극(124a)에 불순물을 도핑하여 도전성을 갖게 한다. Referring to FIG. 4, on a
구체적으로, 제1 금속 패턴과 액티브층(114)이 형성된 기판(100) 상에 포토레지스트가 도포된다. 이후, 제2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 포토레지스트를 노광 및 현상시키는데, 제2 마스크를 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크로 이용하여 단차를 갖는 포토레지스터 패턴이 형성된다. 이를 도 5a 내지 도 5f를 참고하여 설명하기로 한다. Specifically, a photoresist is applied on the
하프톤 마스크는 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(170) 상에 차단층(174)이 형성된 차단 영역(S1)과 기판(170) 상에 반투과층(172)이 형성된 반투과 영역(S2)과, 기판(170)만 존재하는 투과 영역(S3)을 구비한다. 이와 같이, 하프톤 마스크로 이용할 수 있으며, 도시되지 않았으나, 슬릿 마스크를 이용할 수 있다. 하프톤 마스크를 이용하여 형성된 경우를 예로 들어 설명하기로 한다. 차단 영역(S1)은 액티브층(114)의 채널 영역(114C)이 형성되어질 영역에 위치하여 자외선을 차단함으로써 현상 후 도 와 같이 제1 포토레지스트 패턴(220a)이 남게 된다. 반투과 영역(S2)은 액티브층의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D)이 형성될 영역에 반투과층(172)이 적층되어 광투과율을 조절하여 현상 후 도 5a와 같이 제1 포토레지스트 패턴(220a)보다 얇은 제2 포토레지스트 패턴(220b)이 남게 된다. 그리고, 투과 영역(S3)은 자외선을 모두 투과시킴으로써 현상 후 도 5a와 같이 포토레지스트가 제거되게 된다. 5A, the halftone mask includes a blocking region S1 in which a
도 5b에 도시된 바와 같이 단차를 갖는 포토레지스트 패턴(220a,220b)을 이용한 식각 공정으로 액티브층(114)이 패터닝됨으로써 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(220a,220b)과 중첩되는 액티브층(114)만이 남게 되며, 스토리지 하부 전극(124a)이 노출된다. The
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이 산소(O2) 플라즈마를 이용한 애싱 공정으로 포토레지스트 패턴(220a,220b)을 애싱함으로써 제1 포토레지스트 패턴(220a)은 얇아지게 하고, 제2 포토레지스트 패턴(220b)은 제거되게 한다. 이에 따라, 액티브층의 채널 영역이 형성되어질 영역에는 제1 포토레지스트 패턴이 남게 되며, 소스 및 드레인 전극과 중첩되는 액티브층과 스토리지 하부 전극은 노출된다. 이와 같이, 하프톤 마스크를 이용하여 형성된 제1 포토레지스트 패턴을 이용하여 도핑 영역을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5C, the
그런 다음, 도 5d에 도시된 바와 같이 노출된 액티브층과 스토리지 하부 전극에 불순물을 도핑한다. 불순물이 도핑된 액티브층은 채널 영역을 사이에 두고 소스 영역과 드레인 영역을 형성하게 되며, 스토리지 하부 전극에 불순물이 도핑됨으로써 전도성을 갖게 된다. Then, the exposed active layer and the storage lower electrode are doped with impurities as shown in FIG. 5D. The active layer doped with the impurity forms a source region and a drain region with a channel region interposed therebetween, and the storage lower electrode is made conductive by doping impurities.
이 후, 도 5e에 도시된 바와 같이 액티브층의 채널 영역 상에 형성된 제1 포토레지스트 패턴(220a)이 스트립 공정으로 제거되고, 도 5f에 도시된 바와 같이 산화 실리콘(SiO2) 등과 같은 무기 절연 물질이 CVD, PECVD(Plasam Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 전면 증착되어 게이트 절연막(112)이 형성된다. Thereafter, also inorganic insulation such as a first photoresist pattern (220a) is removed by the strip process, a silicon oxide (SiO 2) as shown in Figure 5f formed on the channel region of the active layer as shown in 5e The material is entirely deposited by a CVD method such as CVD or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) to form the
도 6을 참조하면, 반도체 패턴과 스토리지 하부 전극(124a)이 형성된 기판 (100) 상에 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)이 포함된 듀얼 게이트 전극(106)과 스토리지 상부 전극(124b)이 포함된 제2 금속 패턴이 형성된다. 6, a
구체적으로, 반도체 패턴과 스토리지 하부 전극(124a)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층으로는 Mo, Ti, Cu 등과 같이 금속 물질이 단일층으로 이용되거나, AlNd/Mo, Mo/AlNd/Mo 등과 같이 이중층 이상이 적층된 구조로 이용될 수 있다. 이러한, 게이트 금속층은 제3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 패터닝됨으로써 도 6에 표시된 B 영역과 같이 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)이 포함된 듀얼 게이트 전극(106)이 형성되며, 스토리지 하부 전극(124a)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩하는 스토리지 상부 전극(124b)을 형성한다. 듀얼 게이트 전극(106)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 일부 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극(106a,106b)을 구비한다. Specifically, a gate metal layer is formed on the
도 7을 참조하면, 듀얼 게이트 전극(106)이 형성된 기판(100) 상에 화소 컨택홀(120)을 가지는 보호막(118)이 형성된다. Referring to FIG. 7, a
구체적으로, 듀얼 게이트 전극(106)이 형성된 기판(100) 상에 CVD, PECVD(Plasam Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 무기 절연 물질이 증착되어 보호막이 형성된다. 보호막(118)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질 중 어느 하나로 형성되거나, 무기 절연 물질 및 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 이러한, 보호막(118)은 제4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝됨으로써 화소 컨택홀(120)이 형성된다. 이러한, 화소 컨택홀(120)은 보호막(118)을 관통하여 드레인 전극(110)이 노출된다. Specifically, an inorganic insulating material is deposited on the
도 8을 참조하면, 보호막(118) 상에 드레인 전극(110)과 접속하는 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122)이 형성된다. Referring to FIG. 8, a
구체적으로, 보호막(118) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO)와, ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등과 같은 투명 도전 전극층을 형성한 뒤, 제5 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 투명 도전 전극층을 패터닝함으로써 제1 전극(122)이 형성된다. Specifically, a transparent conductive oxide (TCO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like is deposited on the
도 9를 참조하면, 제1 전극(122)이 형성된 기판(100) 상에 뱅크홀(128)을 가지는 뱅크 절연막(126)이 형성된다. Referring to FIG. 9, a
구체적으로, 제1 전극(222)이 형성된 기판(100) 상에 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성된다. 그런 다음, 제6 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 유기 절연 물질이 패터닝됨으로써 뱅크홀(128)을 포함하는 뱅크 절연막(126)이 형성된다. 이러한, 뱅크홀(128)은 제1 전극(122)이 노출된다. Specifically, an organic insulating material such as an acrylic resin is formed entirely on the
도 10을 참조하면, 뱅크 절연막(126)이 형성된 기판(100) 상에 칼럼 스페이서(130)가 형성되며, 유기층(132) 및 제2 전극(134)이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 10, a
구체적으로, 뱅크홀이 포함된 뱅크 절연막(126) 상에 스핀리스 또는 스핀코팅 등의 코팅 방법을 통해 유기 절연 물질이 도포되며, 이 유기 절연 물질은 제7 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 테이퍼 형태의 스페이서(130)가 형성된다. 이어서, 섀도우 마스크를 이용하여 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층, 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL)을 포함하는 유기층(132)을 증착한 뒤, 제2 전극(134)을 증착한다. 제2 전극(134)은 음극으로 알루미늄(Al)과 같이 반사성 금속 재질로 형성된다. Specifically, an organic insulating material is coated on the
이와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 표시 패널은 뱅크홀을 포함하는 뱅크 절연막과 칼럼 스페이서를 각각의 마스크 공정으로 형성되었지만, 뱅크 절연막과 칼럼 스페이서를 하나의 마스크 공정으로 형성할 수 있다. As described above, in the organic light emitting display panel of the present invention, the bank insulating film including the bank holes and the column spacers are formed by the respective mask processes, but the bank insulating film and the column spacers can be formed by one mask process.
이에 따라, 본 발명의 유기 전계 발광 표시 패널은 6~7 마스크 공정을 통해 형성할 수 있으므로 종래 9 마스크 공정에 비해 적어도 2~3 마스크 공정 수를 줄일 수 있으므로 그에 따른 공정 비용 및 시간을 감소시킬 수 있다. Accordingly, since the organic light emitting display panel of the present invention can be formed through the 6-7 mask process, the number of the mask processes can be reduced by at least 2 to 3 compared to the conventional 9 mask process, have.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. The scope of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.
100 : 기판 106 : 듀얼 게이트 전극
108 : 소스 전극 110 : 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 116 : 버퍼막
114 : 액티브층 118 : 보호막
120 : 화소 컨택홀 122 : 제1 전극
126 : 뱅크 절연막 128 : 뱅크홀
130 : 칼럼 스페이서 132 : 유기층
134 : 제2 전극 100: substrate 106: dual gate electrode
108: source electrode 110: drain electrode
112: gate insulating film 116: buffer film
114: active layer 118: protective film
120: pixel contact hole 122: first electrode
126: bank insulating film 128: bank hole
130: column spacer 132: organic layer
134: second electrode
Claims (8)
상기 버퍼막 상에 서로 마주보도록 형성된 소스 및 드레인 전극과;
상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역과, 상기 소스 전극 상에 형성되어 접촉된 소스 영역과, 상기 드레인 전극 상에 형성되어 접촉된 드레인 영역을 포함하는 액티브층과;
상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극과;
상기 드레인 전극과 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극과 마주보며 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 구비하는 유기 전계 발광 소자를 포함하고,
상기 액티브층의 저항값은 액티브층의 오프셋 영역에 대한 저항값과 소스 영역과 소스 전극 간의 컨택 저항값과, 상기 드레인 영역과 드레인 전극 간의 컨택 저항값을 합한 값을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.A buffer film formed on the substrate;
Source and drain electrodes formed on the buffer film so as to face each other;
An active layer including a channel region formed between the source and drain electrodes, a source region formed on and in contact with the source electrode, and a drain region formed on and in contact with the drain electrode;
A dual gate electrode including first and second gate electrodes overlapping a source region and a drain region of the active layer with a gate insulating film interposed therebetween;
An organic electroluminescent device including a first electrode connected to the drain electrode, a second electrode formed facing the first electrode, and an organic layer including a light emitting layer between the first electrode and the second electrode,
Wherein a resistance value of the active layer has a resistance value for an offset region of the active layer, a contact resistance value between the source region and the source electrode, and a contact resistance value between the drain region and the drain electrode. Display panel.
상기 제1 및 제2 게이트 전극 사이와 대응하는 액티브 영역이 액티브층의 오프셋 영역인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.The method according to claim 1,
Wherein the active region corresponding to the first and second gate electrodes is an offset region of the active layer.
상기 제1 전극에 충전된 화소 전압 신호를 안정적으로 유지할 수 있게 하는 스토리지 커패시터를 더 포함하며,
상기 스토리지 커패시터는
상기 듀얼 게이트 전극과 동일 평면상에 형성된 스토리지 상부 전극과;
상기 소스 및 드레인 전극과 동일 평면 상에 형성되며, p+ 또는 n+ 불순물이 도핑된 스토리지 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.The method according to claim 1,
Further comprising a storage capacitor for stably maintaining the pixel voltage signal charged in the first electrode,
The storage capacitor
A storage upper electrode formed on the same plane as the dual gate electrode;
And a storage lower electrode formed on the same plane as the source and drain electrodes and doped with p + or n + impurity.
상기 제1 전극을 노출시키는 뱅크홀이 형성된 뱅크 절연막과;
상기 뱅크 절연막 상에 셀 갭을 유지시키기 위해 형성된 칼럼 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.The method according to claim 1,
A bank insulating film on which a bank hole for exposing the first electrode is formed;
And a column spacer formed to maintain a cell gap on the bank insulating layer.
상기 소스 및 드레인 전극, 스토리지 하부 전극과 액티브층이 형성된 기판 상에 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역과, 상기 소스 전극 상에 형성되어 접촉된 소스 영역과, 상기 드레인 전극 상에 형성되어 접촉된 드레인 영역을 포함하는 반도체 패턴을 형성하는 단계와;
상기 반도체 패턴이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 전면 형성하고, 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩된 제1 및 제2 게이트 전극을 포함하는 듀얼 게이트 전극 및 스토리지 상부 전극을 형성하는 단계와;
상기 듀얼 게이트 전극 상에 상기 드레인 전극을 노출시키는 보호막을 형성하는 단계와;
상기 드레인 전극과 접속된 제1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층과, 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 반도체 패턴을 형성하는 단계는
상기 액티브층 상에 서로 두께가 다른 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 이용한 식각 공정으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴과 중첩되는 액티브층 및 상기 스토리지 하부 전극을 노출하는 단계와;
상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와;
상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 액티브층 및 상기 스토리지 하부 전극에 불순물을 도핑하여 소스 영역과 드레인 영역을 형성하고, 상기 스토리지 하부 전극은 도전성을 갖게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.Forming a buffer film on the substrate, forming all of the source and drain electrodes, the storage lower electrode and the active layer facing each other on the buffer film;
A channel region formed between the source and drain electrodes, a substrate on which the storage lower electrode and the active layer are formed, a channel region formed between the source and drain electrodes, a source region formed on and contacting the source electrode, Forming a semiconductor pattern including a drain region;
A dual gate electrode including a first gate electrode and a second gate electrode overlapping the source region and the drain region of the active layer with a gate insulating film interposed therebetween, Forming an electrode;
Forming a protective film exposing the drain electrode on the dual gate electrode;
Forming a first electrode connected to the drain electrode;
Forming an organic layer including a light emitting layer on the first electrode and a second electrode,
The step of forming the semiconductor pattern
Forming first and second photoresist patterns having different thicknesses on the active layer;
Exposing the active layer and the storage lower electrode overlapping with the first and second photoresist patterns by an etching process using the first and second photoresist patterns;
Removing the second photoresist pattern;
Forming a source region and a drain region by doping the active layer and the storage lower electrode with an impurity using the first photoresist pattern as a mask to make the storage lower electrode conductive; A method of manufacturing an organic electroluminescence display panel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110081083A KR101941438B1 (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110081083A KR101941438B1 (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130019119A KR20130019119A (en) | 2013-02-26 |
| KR101941438B1 true KR101941438B1 (en) | 2019-01-23 |
Family
ID=47897340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110081083A KR101941438B1 (en) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101941438B1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150043073A (en) | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display substrate and method of manufacturing a display substrate |
| KR102270081B1 (en) | 2014-09-16 | 2021-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus |
| KR102329267B1 (en) | 2014-09-29 | 2021-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method for manufacturing thin film transistor substrate, and method for manufacturing display apparatus |
| KR20160055546A (en) | 2014-11-10 | 2016-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324810A (en) * | 2001-03-02 | 2002-11-08 | Samsung Sdi Co Ltd | Thin film transistor and method for manufacturing the same, active matrix type display device using the same and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101136296B1 (en) * | 2005-06-30 | 2012-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin Film Transistor Of Poly Silicon Type, Thin Film Transistor Substrate Having Thereof, And Method of Fabricating The Same |
| KR101411749B1 (en) * | 2007-08-21 | 2014-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same |
| KR101451580B1 (en) * | 2008-06-24 | 2014-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same |
| KR101596935B1 (en) * | 2008-12-26 | 2016-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same |
-
2011
- 2011-08-16 KR KR1020110081083A patent/KR101941438B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324810A (en) * | 2001-03-02 | 2002-11-08 | Samsung Sdi Co Ltd | Thin film transistor and method for manufacturing the same, active matrix type display device using the same and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130019119A (en) | 2013-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101888445B1 (en) | Oganic electro-luminesence display panel and manufactucring metod of the same | |
| US10916611B2 (en) | Organic light emitting display device and fabricating method thereof | |
| US8937311B2 (en) | Thin film transistor, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same | |
| KR102124025B1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same | |
| US8698251B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US20160315135A1 (en) | Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same | |
| US20150263077A1 (en) | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same | |
| US8729538B2 (en) | Organic light emitting diode device and method for fabricating the same | |
| US8937315B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US20030141811A1 (en) | Active matrix organic luminescence display device and manufacturing method for the same | |
| KR101808533B1 (en) | Oganic electro-luminesence display and manufactucring method of the same | |
| US8946008B2 (en) | Organic light emitting diode display, thin film transitor array panel, and method of manufacturing the same | |
| KR20090026872A (en) | Organic light emitting display and method for manufacturing the same | |
| US8963420B2 (en) | Organic electro-luminescence display panel for preventing the display panel from degrading and a method for fabricating the same | |
| US20150357356A1 (en) | Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same | |
| KR101941438B1 (en) | Organic electro-luminesence display and manufactucring method of the same | |
| US8946720B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
| KR100934480B1 (en) | Organic luminescence dispaly panel and fabricating method tererof | |
| KR101849577B1 (en) | Organic electro-luminesence display panel and manufacturing method of the same | |
| KR101308466B1 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| KR101849575B1 (en) | Organic electro-luminesence display panel and manufactucring method of the same | |
| US8927970B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| KR20140083150A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
| US8940613B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| KR20090006996A (en) | Electro-luminescence device and fabricating method tererof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |